KR101877908B1 - An evaporation source for an organic material, a device having an evaporation source for an organic material, and a method for depositing an organic material - Google Patents

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Abstract

소스 재료를 기판(10) 상에 증착시키기 위한 증발 소스(100)가 설명된다. 증발 소스는 증발 도가니(104) ― 증발 도가니는 소스 재료를 증발시키도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)을 갖는 분배 유닛(130) ― 분배 유닛은 증발 도가니와 유체 연통하고, 하나 또는 그 초과의 배출구들은 소스 재료를 증착 방향(101)으로 기판에 제공하도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 개구부들(221)을 포함하여 제공된 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201); 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)로부터 소정 거리에 제공된 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)를 포함하고, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)을 포함한다. 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)는 분배 유닛(130)과 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 사이에 배열되고, 증발 소스(100)는 증착 방향(101)으로 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)로부터 하나 또는 그 초과의 개구부들(221) 및 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)을 통하여 기판으로의 소스 재료를 위한 경로를 정의하도록 구성된다.An evaporation source 100 for depositing a source material on a substrate 10 is described. The evaporation source is an evaporation furnace (104) - the evaporation furnace is configured to evaporate the source material; A dispensing unit (130) having one or more outlets (212) - the dispensing unit is in fluid communication with the evaporation crucible, and one or more outlets configured to provide source material to the substrate in the deposition direction (101) ; A first cooling shield arrangement (201) provided with one or more openings (221); Includes a heated shield array 202 provided at a predetermined distance from a first cooling shield array 201 and the heated shield array 202 includes one or more apertures 222. In one embodiment, The first cooling shield arrangement 201 is arranged between the distribution unit 130 and the heated shield arrangement 202 and the evaporation source 100 is arranged in the deposition direction 101 with one or more outlets 212 ) Through one or more openings (221) and one or more apertures (222) to define a path for the source material to the substrate.

Description

유기 재료를 위한 증발 소스, 유기 재료를 위한 증발 소스를 갖는 장치, 및 유기 재료를 증착시키기 위한 방법An evaporation source for an organic material, a device having an evaporation source for an organic material, and a method for depositing an organic material

[0001] 본 개시내용의 실시예들은 유기 재료의 증착, 재료들, 예컨대, 유기 재료들을 증착시키기 위한 시스템, 유기 재료를 위한 소스, 및 유기 재료를 위한 증착 장치들에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용의 실시예들은, 예컨대, 디바이스들, 특히, 유기 재료들을 내부에 포함하는 디바이스들을 제조하기 위한 증발 장치들 및/또는 제조 시스템들을 위한, 유기 재료를 위한 증발 소스들에 관한 것이다.[0001] Embodiments of the present disclosure relate to deposition of organic materials, materials, such as systems for depositing organic materials, sources for organic materials, and deposition devices for organic materials. In particular, the embodiments of the present disclosure relate to evaporation sources for organic materials, for example evaporation devices and / or manufacturing systems for manufacturing devices, in particular devices containing organic materials therein .

[0002] 유기 증발기들은 OLED(organic light-emitting diodes)의 제작을 위한 툴이다. OLED들은, 방출(emissive) 층이 특정 유기 화합물들의 얇은 필름을 포함하는 특수한 유형의 발광 다이오드들이다. OLED들(organic light emitting diodes)은, 정보를 디스플레잉하기 위한, 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들 및 다른 휴대용 디바이스들의 제조에 사용된다. OLED들은 또한, 일반 공간 조명에 사용될 수 있다. OLED 디스플레이들로 가능한 시야각들, 밝기, 및 색상들의 범위는 전통적인 LCD 디스플레이들의 것들보다 더 큰데, 이는, OLED 픽셀들은 광을 직접 방출하고 백라이트를 필요로 하지 않기 때문이다. 그러므로, OLED 디스플레이들의 에너지 소비는 전통적인 LCD 디스플레이들의 에너지 소비보다 상당히 적다. 또한, OLED들이 가요성 기판들 상에 제조될 수 있다는 사실은 추가적인 애플리케이션들을 초래한다. 전형적인 OLED 디스플레이는, 예컨대, 2개의 전극들 사이에 놓인 유기 재료의 층들을 포함할 수 있는데, 그러한 층들은 전부, 개별적으로 에너자이징 가능한(energizable) 픽셀들을 갖는 매트릭스 디스플레이 패널(matrix display panel)을 형성하는 방식으로 기판 상에 증착된다. OLED는 일반적으로, 2개의 유리 패널들 사이에 위치되고, OLED를 유리 패널들 내에 캡슐화하기(encapsulate) 위해, 유리 패널들의 엣지들이 밀봉된다(sealed).Organic vaporizers are tools for making organic light-emitting diodes (OLEDs). OLEDs are special types of light emitting diodes in which the emissive layer comprises a thin film of certain organic compounds. OLEDs (organic light emitting diodes) are used for the production of television screens, computer monitors, mobile phones and other portable devices for displaying information. OLEDs can also be used for general spatial illumination. Possible viewing angles, brightness, and range of colors with OLED displays are greater than those of traditional LCD displays because OLED pixels emit light directly and do not require a backlight. Therefore, the energy consumption of OLED displays is significantly less than the energy consumption of traditional LCD displays. The fact that OLEDs can be fabricated on flexible substrates also results in additional applications. A typical OLED display may, for example, comprise layers of organic material between two electrodes, all of which form a matrix display panel with individually energizable pixels Lt; / RTI > substrate. OLEDs are generally positioned between two glass panels and the edges of the glass panels are sealed so as to encapsulate the OLEDs within the glass panels.

[0003] 그러한 디스플레이 디바이스들의 제조에는 직면한 많은 난제들이 있다. OLED 디스플레이들 또는 OLED 조명 애플리케이션들은, 예컨대, 진공에서 증발되는 여러 가지 유기 재료들의 스택을 포함한다. 유기 재료들은 새도우 마스크들(shadow masks)을 통한 후속적인(subsequent) 방식으로 증착된다. 고효율을 갖는 OLED 스택들의 제조의 경우, 혼합된/도핑된 층들로 이어지는, 둘 또는 그 초과의 재료들, 예컨대, 호스트(host) 및 도펀트(dopant)의 공동-증착(co-deposition) 또는 공동-증발(co-evaporation)이 유리하다. 또한, 매우 민감한 유기 재료들의 증발에 대해서 여러 가지 프로세스 조건들이 있다는 점이 고려되어야 한다.[0003] There are many challenges faced in the manufacture of such display devices. OLED displays or OLED lighting applications include, for example, stacks of various organic materials evaporated in vacuum. Organic materials are deposited in a subsequent fashion through shadow masks. For the manufacture of high efficiency OLED stacks, two or more materials, such as co-deposition or co-deposition of a host and a dopant, leading to mixed / doped layers, Co-evaporation is advantageous. It should also be noted that there are various process conditions for the evaporation of highly sensitive organic materials.

[0004] 재료를 기판 상에 증착시키기 위해, 재료가 증발할 때까지 재료가 가열된다. 파이프들은 증발된 재료를 노즐들을 통해서 기판들로 안내한다. 지난 몇 년간, 예컨대, 더욱 더 작은 픽셀 크기들을 제공할 수 있도록, 증착 프로세스의 정밀도가 증가되었다. 몇몇 프로세스들에서, 마스크들은, 증발된 재료가 마스크 개구부들을 통과할 때 픽셀들을 정의하는 데에 사용된다. 그러나, 마스크의 새도잉 효과들(shadowing effects), 증발된 재료의 확산(spread) 등은, 증발 프로세스의 예측 가능성 및 정밀도를 더 증가시키는 것을 어렵게 만든다.[0004] In order to deposit the material on the substrate, the material is heated until the material evaporates. The pipes lead the vaporized material to the substrates through the nozzles. In the last few years, for example, the precision of the deposition process has been increased to provide even smaller pixel sizes. In some processes, the masks are used to define pixels as the vaporized material passes through the mask openings. However, the shadowing effects of the mask, the spread of the evaporated material, etc., make it difficult to further increase the predictability and precision of the evaporation process.

[0005] 상기 내용을 고려하면, 높은 품질과 정밀도를 갖는 디바이스들을 제조하기 위해 증발 프로세스들의 정밀도 및 예측 가능성(predictability)을 증가시키는 것이 유리하다.[0005] In view of the above, it is advantageous to increase the precision and predictability of the evaporation processes to produce devices with high quality and precision.

[0006] 상기 내용을 고려하여, 독립 청구항들에 따른, 증발된 재료를 기판 상에 증착시키는 증발 소스, 증착 장치, 및 방법이 제공된다. 추가적인 장점들, 특징들, 양상들, 및 세부 사항들은 종속 청구항들, 상세한 설명, 및 도면들로부터 자명하다.[0006] In view of the above, there is provided an evaporation source, a deposition apparatus, and a method for depositing a vaporized material on a substrate, according to independent claims. Additional advantages, features, aspects, and details are readily apparent from the dependent claims, the description, and the drawings.

[0007] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스가 제공된다. 증발 소스는 증발 도가니 ― 증발 도가니는 재료를 증발시키도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 분배 유닛 ― 분배 유닛은 증발 도가니와 유체 연통하고, 하나 또는 그 초과의 배출구들은 재료를 증착 방향으로 기판에 제공하도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 개구부들을 포함하여 제공된 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트; 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트로부터 소정 거리에 제공된 가열식 차폐부 어레인지먼트를 포함하고, 가열식 차폐부 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 애퍼처들을 포함하며, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트는 분배 유닛과 가열식 차폐부 어레인지먼트 사이에 배열되고, 증발 소스는 증착 방향으로 하나 또는 그 초과의 배출구들로부터 하나 또는 그 초과의 개구부들 및 하나 또는 그 초과의 애퍼처들을 통하여 기판으로의 재료를 위한 경로를 정의하도록 구성된다.[0007] According to one aspect of the present disclosure, an evaporation source for depositing a material on a substrate is provided. The evaporation source is the evaporation furnace - the evaporation furnace is configured to evaporate the material; A dispensing unit with one or more outlets - the dispensing unit is in fluid communication with the evaporation crucible, one or more outlets configured to provide material to the substrate in the deposition direction; A first cooling shield arrangement provided with one or more openings; Wherein the heated shield arrangement comprises one or more apertures, wherein the first shielded shield arrangement comprises a first shielded shield arrangement comprising a distribution unit and a heated shield arrangement, Wherein the evaporation source is configured to define a path for material to the substrate through one or more openings and one or more apertures from one or more outlets in the deposition direction.

[0008] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 하나 또는 그 초과의 증발 소스들을 포함하는 증착 장치가 제공된다.[0008] According to another aspect of the present disclosure, there is provided a deposition apparatus comprising one or more evaporation sources in accordance with the embodiments described herein.

[0009] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 하나 또는 그 초과의 증발 소스들을 포함하는 증착 장치가 제공된다. 증발 소스는 증발 도가니 ― 증발 도가니는 재료를 증발시키도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 분배 유닛 ― 분배 유닛은 증발 도가니와 유체 연통하고, 하나 또는 그 초과의 배출구들은 재료를 증착 방향으로 기판에 제공하도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 개구부들을 포함하여 제공된 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트; 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트로부터 소정 거리에 제공된 가열식 차폐부 어레인지먼트를 포함하고, 가열식 차폐부 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 애퍼처들을 포함하며, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트는 분배 유닛과 가열식 차폐부 어레인지먼트 사이에 배열되고, 증발 소스는 증착 방향으로 하나 또는 그 초과의 배출구들로부터 하나 또는 그 초과의 개구부들 및 하나 또는 그 초과의 애퍼처들을 통하여 기판으로의 재료를 위한 경로를 정의하도록 구성된다.[0009] According to another aspect of the present disclosure, there is provided a deposition apparatus comprising one or more evaporation sources according to the embodiments described herein. The evaporation source is the evaporation furnace - the evaporation furnace is configured to evaporate the material; A dispensing unit with one or more outlets - the dispensing unit is in fluid communication with the evaporation crucible, one or more outlets configured to provide material to the substrate in the deposition direction; A first cooling shield arrangement provided with one or more openings; Wherein the heated shield arrangement comprises one or more apertures, wherein the first shielded shield arrangement comprises a first shielded shield arrangement comprising a distribution unit and a heated shield arrangement, Wherein the evaporation source is configured to define a path for material to the substrate through one or more openings and one or more apertures from one or more outlets in the deposition direction.

[0010] 본 개시내용의 추가적인 양상에 따르면, 재료를 기판 상에 증착시키는 방법이 제공된다. 방법은, 재료를 증발시키는 단계 및 증발된 재료를 기판에 적용하는 단계를 포함하고, 증발된 재료를 기판에 적용하는 단계는: 증발된 재료를 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들을 통해 증착 방향으로 제공하는 단계, 및 증발된 재료를 제1 냉각식 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 개구부들 및 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들에 통과시키는 단계를 포함한다.[0010] According to a further aspect of the present disclosure, a method of depositing a material on a substrate is provided. The method includes the steps of evaporating the material and applying the evaporated material to the substrate, wherein applying the evaporated material to the substrate comprises: depositing the evaporated material through one or more outlets of the dispensing unit in a deposition direction And passing the vaporized material through one or more apertures of the first cooling arrangement and one or more apertures of the heated shield arrangement.

[0011] 본 개시내용은 또한, 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치 부품들(parts)을 포함하는, 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 방법은, 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된(programmed) 컴퓨터에 의해, 상기 2가지의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시내용은 또한, 설명된 장치의 작동 방법들에 관한 것이다. 이는, 장치의 모든 기능을 수행하기 위한 방법을 포함한다.[0011] The present disclosure also relates to an apparatus for performing the disclosed methods, including apparatus parts for performing the disclosed methods. The method may be performed by hardware components, by a computer programmed by appropriate software, by any combination of the two, or in any other manner. In addition, the present disclosure also relates to methods of operation of the described apparatus. This includes a method for performing all the functions of the apparatus.

[0012] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부한 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 이하에서 설명된다.
[0013] 도 1은, 본원의 실시예들에 따른 증발 소스의 개략도를 도시하고;
[0014] 도 2는, 본원의 추가적인 실시예들에 따른 증발 소스의 개략도를 도시하며;
[0015] 도 3a 및 3b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스의 부분들의 개략도들을 도시하고;
[0016] 도 3c는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 다른 증발 소스의 개략도를 도시하며;
[0017] 도 4a 및 4b는, 본원의 실시예들에 따른 증발 소스의 개략적인 측면도를 도시하고;
[0018] 도 5는, 본원의 추가적인 실시예들에 따른 증발 소스의 개략적인 평면도를 도시하며;
[0019] 도 6은, 본원의 또 추가적인 실시예들에 따른 증발 소스의 개략적인 평면도를 도시하고;
[0020] 도 7은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 진공 챔버에서 소스 재료를 증착시키기 위한 증착 장치의 개략적인 평면도를 도시하며;
[0021] 도 8a 및 8b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 소스 재료를 기판 상에 증착시키는 방법을 예시하는 개략적인 블록도들을 도시한다.[0012] In the manner in which the recited features of the present disclosure can be understood in detail, a more particular description of the present disclosure, briefly summarized above, may be had by reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [0013] FIG. 1 shows a schematic view of an evaporation source in accordance with embodiments herein;
[0014] FIG. 2 shows a schematic view of a vapor source in accordance with further embodiments of the disclosure;
[0015] Figures 3a and 3b show schematic diagrams of portions of an evaporation source according to embodiments described herein;
[0016] FIG. 3c shows a schematic view of another evaporation source in accordance with the embodiments described herein;
[0017] Figures 4A and 4B illustrate schematic side views of an evaporation source in accordance with embodiments herein;
[0018] FIG. 5 shows a schematic top view of an evaporation source in accordance with further embodiments of the disclosure;
[0019] FIG. 6 depicts a schematic top view of an evaporation source in accordance with still further embodiments of the disclosure;
[0020] FIG. 7 shows a schematic plan view of a deposition apparatus for depositing a source material in a vacuum chamber in accordance with embodiments described herein;
[0021] Figures 8a and 8b illustrate schematic block diagrams illustrating a method of depositing a source material onto a substrate in accordance with embodiments described herein.

[0022] 이제, 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들이 도면들에 예시된다. 도면들에 대한 이하의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 이하에서, 오직, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로서 제공되고, 본 개시내용의 제한으로서 의미되지 않는다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 사용되거나 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 상세한 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.[0022] Reference will now be made in detail to the various embodiments of the present disclosure, and one or more examples of various embodiments are illustrated in the drawings. In the following description of the drawings, like reference numerals refer to like components. In the following, only differences for the individual embodiments are described. Each example is provided as an illustration of the present disclosure and is not meant as a limitation of the present disclosure. Further, the features illustrated or described as part of one embodiment may be used with other embodiments, or may be used for other embodiments, to create further embodiments. The detailed description is intended to cover such modifications and variations.

[0023] 본 개시내용에서, "소스 재료"라는 용어는, 증발되어 기판의 표면 상에 증착되는 재료로서 이해될 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 실시예들에서, 기판의 표면 상에 증착되는 증발된 재료는 유기 소스 재료일 수 있다. 유기 재료들의 비-제한적인 예들은: ITO, NPD, Alq3, 퀴나크리돈, Mg/AG, 스타버스트(starburst) 재료들 등 중 하나 또는 그 초과를 포함한다.[0023] In this disclosure, the term "source material" can be understood as a material which is evaporated and deposited on the surface of the substrate. For example, in the embodiments described herein, the evaporated material deposited on the surface of the substrate may be an organic source material. Non-limiting examples of organic materials include: one or more of ITO, NPD, Alq 3 , quinacridone, Mg / AG, starburst materials, and the like.

[0024] 본 개시내용에서, "유체 연통"이라는 용어는, 유체 연통하는 2개의 엘리먼트들이 연결을 통해 유체를 교환할 수 있어서, 유체가 2개의 엘리먼트들 사이에서 유동할 수 있게 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 일 예에서, 유체 연통하는 엘리먼트들은 중공 구조를 포함할 수 있고, 유체는 중공 구조를 통해 유동할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 유체 연통하는 엘리먼트들 중 적어도 하나가 파이프형(pipe-like) 엘리먼트일 수 있다.[0024] In this disclosure, the term "fluid communication" is understood to mean that two elements in fluid communication can exchange fluid through a connection, allowing fluid to flow between the two elements . In one example, the fluid communicating elements may include a hollow structure, and the fluid may flow through the hollow structure. According to some embodiments, at least one of the fluid communicating elements may be a pipe-like element.

[0025] 본 개시내용에서, "증발 소스"라는 용어는, 기판 상에 증착될 소스 재료를 제공하는 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 특히, 증발 소스는, 진공 챔버, 예컨대, 증착 장치의 진공 증착 챔버에서 기판 상에 증착될 소스 재료를 제공하도록 구성될 수 있다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스는 기판 상에 증착될 소스 재료를 증발시키도록 구성될 수 있다. 예컨대, 증발 소스는, 기판 상에 증착될 소스 재료를 증발시키는 증발기 또는 도가니, 및, 특히, 증발된 소스 재료를 기판을 향한 방향으로, 예컨대, 하나 또는 그 초과의 배출구들을 통해 방출하는 분배 유닛을 포함할 수 있다.[0025] In this disclosure, the term "evaporation source" can be understood as an arrangement that provides a source material to be deposited on a substrate. In particular, the evaporation source may be configured to provide a source chamber to be deposited on the substrate in a vacuum chamber, for example, a vacuum deposition chamber of a deposition apparatus. According to some embodiments described herein, the evaporation source may be configured to evaporate the source material to be deposited on the substrate. For example, the evaporation source may comprise an evaporator or crucible for evaporating the source material to be deposited on the substrate, and in particular a dispensing unit for discharging the evaporated source material in a direction toward the substrate, e.g., through one or more outlets .

[0026] 본 개시내용에서, "도가니"라는 용어는 증착될 소스 재료를 제공하거나 포함하는 저장용기(reservoir) 또는 디바이스로서 이해될 수 있다. 전형적으로, 도가니는 기판 상에 증착될 소스 재료를 증발시키기 위해 가열될 수 있다. 본원의 실시예들에 따르면, 도가니는 도가니에 의해 증발되는 소스 재료가 전달될 수 있는 분배 유닛과 유체 연통할 수 있다.[0026] In this disclosure, the term "crucible" can be understood as a reservoir or device that provides or includes a source material to be deposited. Typically, the crucible may be heated to evaporate the source material to be deposited on the substrate. According to embodiments herein, the crucible can be in fluid communication with a dispensing unit through which the source material evaporated by the crucible can be delivered.

[0027] "분배 유닛" 또는 "분배 파이프"는 증발된 소스 재료를 제공하기 위한 유닛일 수 있다. 특히, 분배 유닛은 도가니로부터의 증발된 소스 재료를 하나 또는 그 초과의 배출구들을 통해 기판으로 제공하도록 구성될 수 있다. "분배 유닛" 또는 "분배 파이프"는 하나 또는 그 초과의 배출구들을 포함할 수 있다. "분배 유닛" 또는 "분배 파이프"는, 예컨대, 배출구가 멀리 있도록, 또는 도가니에 바로 인접하지 않도록, 세장형 튜브일 수 있다.[0027] A "dispensing unit" or "dispense pipe" may be a unit for providing a vaporized source material. In particular, the dispensing unit may be configured to provide the evaporated source material from the crucible to the substrate through one or more outlets. A "dispensing unit" or "dispensing pipe" may include one or more outlets. The "distribution unit" or "distribution pipe" may be a elongate tube, for example, such that the outlet is farther away, or not immediately adjacent to the crucible.

[0028] 본 개시내용에서, "냉각식 차폐부 어레인지먼트"라는 용어는, 능동적으로 냉각되도록 구성된 차폐부 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 냉각식 차폐부 어레인지먼트는, 본원에서 설명되는 바와 같이, 기판 상에 증착될 소스 재료의 응축 온도로 냉각되도록 구성될 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 바와 같은 냉각식 차폐부 어레인지먼트는 50℃ 미만, 특히 40℃ 미만, 더 특히 30℃ 미만, 예컨대, 대략 20℃의 온도로 냉각되도록 구성될 수 있다.[0028] In the present disclosure, the term "cooling shielding arrangement" can be understood as a shielding arrangement configured to be actively cooled. In particular, the cooling shield arrangement as described herein can be configured to cool to the condensation temperature of the source material to be deposited on the substrate, as described herein. For example, a cooling shield arrangement as described herein may be configured to cool to a temperature of less than 50 ° C, particularly less than 40 ° C, more particularly less than 30 ° C, for example, approximately 20 ° C.

[0029] 본 개시내용에서, "가열식 차폐부 어레인지먼트"라는 용어는, 능동적으로 가열되도록 구성된 차폐부 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 가열식 차폐부 어레인지먼트는, 본원에서 설명되는 바와 같이, 기판 상에 증착될 소스 재료의 증발 온도에 대응하는 온도로 능동적으로 가열되도록 구성될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 가열식 차폐부 어레인지먼트가 또한, 기판 상에 증착될 소스 재료의 증발 온도를 초과하는 온도로 능동적으로 가열되도록 구성될 수 있다는 점이 이해되어야 한다.[0029] In the present disclosure, the term "heated shield arrangement" can be understood as a shield arrangement configured to be actively heated. In particular, the heated shield arrangement as described herein can be configured to actively heat to a temperature corresponding to the evaporation temperature of the source material to be deposited on the substrate, as described herein. It should be appreciated that the heated shield arrangement as described herein may also be configured to be actively heated to a temperature above the evaporation temperature of the source material to be deposited on the substrate.

[0030] 본 개시내용에서, "증착 방향"이라는 용어는, 본원에서 설명되는 바와 같은 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들을 통해 제공되는 증발된 소스 재료의 주 방출 방향으로서 이해될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 증착 방향은 수평에 대해 +/- 20°인 방향으로서 이해될 수 있다.[0030] In this disclosure, the term "deposition direction" can be understood as the predominant direction of discharge of the evaporated source material provided through one or more outlets of the distribution unit as described herein. In particular, the deposition direction as described herein can be understood as a direction with +/- 20 degrees to horizontal.

[0031] 도 1은, 본원의 실시예들에 따른 증발 소스(100)의 개략도를 도시한다. 특히, 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증발 소스(100)는 소스 재료를 증발시키도록 구성된 증발 도가니(104)를 포함한다. 또한, 증발 소스(100)는 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)을 갖는 분배 유닛(130)을 포함한다. 분배 유닛(130)은 증발 도가니(104)와 유체 연통한다. 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)은 소스 재료를 증착 방향(101)으로 기판(10)에 제공하도록 구성된다. 부가적으로, 증발 소스(100)는 하나 또는 그 초과의 개구부들(221)을 포함하는 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)를 포함한다. 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증발 소스(100)는 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)로부터 소정 거리에 제공되는 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)를 더 포함한다. 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)을 포함한다. 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)는 분배 유닛(130)과 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 사이에 배열된다. 또한, 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같은 본원의 실시예들에 따르면, 증발 소스(100)는 증착 방향(101)으로 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)로부터 하나 또는 그 초과의 개구부들(221) 및 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)을 통하여 기판(10)으로의 소스 재료를 위한 경로를 정의하도록 구성된다.[0031] FIG. 1 shows a schematic diagram of an evaporation source 100 in accordance with embodiments of the present disclosure. In particular, as illustrated illustratively in FIG. 1, the evaporation source 100 includes an evaporation crucible 104 configured to evaporate the source material. In addition, the evaporation source 100 includes a dispensing unit 130 having one or more outlets 212. The dispensing unit 130 is in fluid communication with the evaporation crucible 104. One or more of the outlets 212 of the dispensing unit 130 are configured to provide a source material in the deposition direction 101 to the substrate 10. Additionally, the evaporation source 100 includes a first cooling shield arrangement 201 comprising one or more openings 221. 1, the evaporation source 100 further includes a heated shield arrangement 202 provided at a predetermined distance from the first cooling shield arrangement 201. As shown in FIG. The heated shield array 202 includes one or more apertures 222. A first cooling shield array 201 is arranged between the distribution unit 130 and the heated shield array 202. 1, the evaporation source 100 may have one or more openings 212 from one or more outlets 212 in the deposition direction 101. In one embodiment, Through the one or more apertures 221 and the one or more apertures 222 to define the path for the source material to the substrate 10.

[0032] 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스를 제공함으로써, 예컨대, 마스크를 통해 기판에 제공되는 증발된 소스 재료의 입사 각도가, 마스크의 새도잉 효과들을 감소시키기 위해 제한될 수 있도록, 미리 결정된 방출 각도가 증착 방향으로 가열식 차폐부 어레인지먼트 뒤에 제공될 수 있다. 따라서, 기판 상에서의 증착된 소스 재료의 개선된 분해능(resolution)이 달성될 수 있다. 또한, 유리하게, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스는 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들 및 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들의 막힘을 방지하거나 심지어 회피하는 것을 제공하고, 이로써, 안정적인 증착 프로세스 조건들이 긴 시간에 걸쳐 유지될 수 있다. 이는, 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들을 통과하지 않는 증발된 소스 재료가, 증발된 소스 재료가 응축되는 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트로 후방 산란되고(back scattered), 이로써, 후방 산란된 소스 재료가 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트 상에 수집될 수 있기 때문이다. 따라서, 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들 및 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들은 증착 프로세스 내내 깨끗한 상태로 유지된다.[0032] Thus, by providing an evaporation source according to embodiments described herein, the angle of incidence of evaporated source material, eg, provided to the substrate through a mask, is limited to reduce the effects of the new effects of the mask A predetermined emission angle may be provided behind the heated shield arrangement in the deposition direction. Thus, improved resolution of the deposited source material on the substrate can be achieved. Advantageously, the evaporation source according to the embodiments described herein also provides for preventing or even avoiding clogging of one or more apertures of the heated shield arrangement and one or more outlets of the dispensing unit , Whereby stable deposition process conditions can be maintained over a long period of time. This means that the evaporated source material that does not pass through one or more of the apertures of the heated shield arrangement is scattered back to the first cooled shield arrangement to which the evaporated source material is condensed, This is because the scattered source material can be collected on the first cooling shield arrangement. Thus, one or more of the apertures of the heated shield arrangement and one or more outlets of the dispensing unit are kept clean throughout the deposition process.

[0033] 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)은 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)을 통해 제공되는 증발된 소스 재료의 방출 각도(θ)를 한정할 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)가, 기판(10)을 향해 분배되는 증발된 소스 재료의 분배 원뿔 또는 플룸(plume)(318)의 범위를 정하도록 구성될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 특히, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는, 도 1에서, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)로부터 반사되는 점선 화살표들에 의해 예시적으로 표시되는 바와 같이, 증발된 소스 재료의 적어도 일부를 차단하도록 구성될 수 있다. 전형적으로, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)은, 증착 방향(101)으로, 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)과 정렬되도록 배열될 수 있다. 특히, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)은, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 뒤에서, 즉, 증발된 소스 재료가 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)을 통과했을 때, 미리 결정된 방출 각도(θ)가 제공될 수 있도록 구성되고 배열된다. 다시 말해서, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는, 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212) 중 임의의 배출구로부터 제공되는 증발된 소스 재료의 주 방출 방향(또한, 본원에서 증착 방향으로 지칭됨)으로부터, 30° 초과, 특히 40° 초과, 예컨대, 45° 초과의 미리 결정된 방출 각도(θ)를 갖는 증발된 소스 재료를 차단하도록 적응될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스를 제공함으로써, 기판 이전에 제공되는 마스크에 의해 야기되는 새도잉 효과들이 감소될 수 있고, 이로써, 기판 상에서의 증착된 소스 재료의 개선된 분해능이 달성될 수 있다.1, one or more of the apertures 222 of the heated shield array 202 are connected to one or more of the outlets 212 of the distribution unit 130. [0033] (&Amp;thetas;) of the evaporated source material provided through the openings. Thus, in accordance with the embodiments described herein, a heated shield arrangement 202 is configured to range a dispense cone or plume 318 of vaporized source material that is dispensed toward the substrate 10 It should be understood. In particular, the heated shield array 202 is configured to block at least a portion of the evaporated source material, as exemplarily shown by the dotted arrows reflected from the heated shield array 202 in Figure 1 . Typically one or more of the apertures 222 of the heated shield array 202 are aligned in the deposition direction 101 with one or more outlets 212 of the distribution unit 130 Lt; / RTI > In particular, one or more of the apertures 222 of the heated shield array 202 may be located behind the heated shield array 202, i.e., when the evaporated source material has one or more apertures 222 , A predetermined emission angle [theta] can be provided. In other words, the heated shield area arrangement 202 is configured to provide a substantially uniform flow of vaporized source material (also referred to herein as a deposition direction) in the main emission direction of evaporated source material provided from any one of the one or more outlets 212 of the distribution unit 130 Quot;) from the vaporized source material having a predetermined emission angle [theta] greater than 30 [deg.], Especially greater than 40 [deg.], E.g., greater than 45 [ Thus, by providing an evaporation source in accordance with the embodiments described herein, new imaging effects caused by the mask provided prior to the substrate can be reduced, thereby improving the resolution of the deposited source material on the substrate Can be achieved.

[0034] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는 제1 온도로 가열되도록 구성된다. 특히, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)가 가열될 수 있는 제1 온도는 증착될 소스 재료의 증발 온도에 대응할 수 있다. 예컨대, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 가열 엘리먼트들은 가열식 차폐부 어레인지먼트에 장착되거나 부착될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 가열 엘리먼트들은 가열식 차폐부 어레인지먼트 내에 배열될 수 있다. 예컨대, 가열 엘리먼트들은 열전 가열 디바이스들(thermoelectric heating devices)일 수 있다. 따라서, 증착될 소스 재료의 증발 온도로 또는 그 초과로 가열되는 가열식 차폐부 어레인지먼트를 제공함으로써, 큰 각도 하에서 하나 또는 그 초과의 배출구들, 예컨대, 노즐들을 떠나는 증발된 소스 재료의 분자들은 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들 주위의 벽을 때리지만, 가열식 차폐부 어레인지먼트에 들러붙을 수는 없다. 결과적으로, 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들은 증착 프로세스 내내 깨끗한 상태로 유지되고, 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들의 막힘이 회피될 수 있다.[0034] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the heated shield array 202 is configured to be heated to a first temperature. In particular, the first temperature at which the heated shield array 202 can be heated may correspond to the evaporation temperature of the source material to be deposited. For example, the heated shield array 202 may include heating elements. The heating elements may be mounted or attached to the heated shield arrangement. Additionally or alternatively, the heating elements may be arranged in the heated shield arrangement. For example, the heating elements may be thermoelectric heating devices. Thus, by providing a heated shield arrangement that is heated to or above the evaporation temperature of the source material to be deposited, molecules of the evaporated source material leaving the one or more outlets, e.g., nozzles, under a large angle, It strikes a wall around one or more of the apertures of the arrangement, but it can not stick to the heated shield arrangement. As a result, one or more apertures of the heated shield array can be kept clean throughout the deposition process, and clogging of one or more apertures of the heated shield array can be avoided.

[0035] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 가열식 차폐부 어레인지먼트는 약 100℃ 내지 약 600℃의 증발 온도로, 특히 약 150℃ 내지 약 450℃ 의 증발 온도로 가열되도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 가열식 차폐부 어레인지먼트는, 예컨대, 증발된 유기 재료에 대해 화학적으로 불활성인 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 가열식 차폐부 어레인지먼트는 스테인리스 스틸, 석영 결정 유리, Ta, Ti, Nb, DLC, 및 그라파이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 포함할 수 있거나, 명명된 재료들 중 적어도 하나를 갖는 코팅을 포함할 수 있다. 따라서, 가열식 차폐부 어레인지먼트 상에의 증발된 소스 재료의 축적이 방지될 수 있다.[0035] According to the embodiments described herein, the heated shield arrangement can be configured to heat to an evaporation temperature of from about 100 [deg.] C to about 600 [deg.] C, particularly from about 150 [deg.] C to about 450 [deg.] C. In some embodiments, the heated shield arrangement may include, for example, a material that is chemically inert with respect to the evaporated organic material. According to some embodiments, the heated shield arrangement may comprise at least one material selected from the group consisting of stainless steel, quartz crystal glass, Ta, Ti, Nb, DLC, and graphite, or at least one of the named materials One of which can be used. Thus, accumulation of evaporated source material on the heated shield arrangement can be prevented.

[0036] 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)는 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)을 측방향으로(laterally) 둘러싸도록 구성될 수 있다. 특히, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)는, 증착될 소스 재료의 응축 온도로 능동적으로 냉각되도록 구성될 수 있다. 따라서, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트는 가열식 차폐부 어레인지먼트로부터 후방 산란된 증발된 소스 재료를 수집하도록 구성된다. 또한, 유리하게, 안정적인 증착 프로세스 조건들이 긴 시간 동안 유지될 수 있도록, 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들은 증착 프로세스 내내 깨끗한 상태로 유지되고 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들의 막힘이 회피될 수 있다.[0036] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, as illustrated by way of example in FIG. 1, a first cooling shield arrangement 201 includes a distribution unit 130 And laterally surrounds one or more of the outlets 212 of the outlet opening 212. [ In particular, the first cooling shield array 201 can be configured to actively cool to the condensation temperature of the source material to be deposited. Thus, the first cooling shield arrangement is configured to collect the backscattered evaporated source material from the heated shield arrangement. In addition, advantageously, one or more outlets of the dispensing unit are kept clean throughout the deposition process so that stable deposition process conditions can be maintained for a long time and clogging of one or more outlets of the dispensing unit is avoided .

[0037] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)는 냉각 유체, 예컨대, 공기, 질소, 물, 또는 다른 적절한 냉각 유체들을 위한 도관들을 갖는 하나 또는 그 초과의 금속 플레이트들에 의해 제공될 수 있다. 예컨대, 냉각 유체를 위한 도관들은 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트에 부착될 수 있거나, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트 내에 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트는 열전 냉각 디바이스 또는 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트에 적합한 임의의 다른 냉각 디바이스를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트는 구리(예컨대, Ni-도금으로 커버됨), Ta, Ti, Nb, DLC, 및 그라파이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 포함할 수 있거나, 명명된 재료들 중 적어도 하나를 갖는 코팅을 포함할 수 있다.[0037] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first cooling shield arrangement 201 may include a cooling fluid, such as air, nitrogen, water, or other suitable cooling fluid By means of one or more metal plates having conduits for the < Desc / Clms Page number 7 > For example, conduits for the cooling fluid may be attached to the first cooling shield arrangement, or may be provided within the first cooling shield arrangement. Additionally or alternatively, the first cooling shield arrangement may comprise a thermoelectric cooling device or any other cooling device suitable for the first cooling shield arrangement. According to some embodiments, the first cooling shield arrangement may comprise at least one material selected from the group consisting of copper (e.g., Ni-plated), Ta, Ti, Nb, DLC, and graphite Or may include a coating having at least one of the named materials.

[0038] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)이 분배 유닛의 가열식 벽(135)에 제공될 수 있다. 예컨대, 가열식 벽(135)은 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 가열 엘리먼트들은 가열식 벽(135)에 장착되거나 부착될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 가열 엘리먼트들은 분배 유닛의 가열식 벽(135) 내에 배열될 수 있다. 예컨대, 가열 엘리먼트들은 열전 가열 디바이스들일 수 있다. 특히, 가열식 벽(135)은 가열식 차폐부 어레인지먼트가 가열되는 제1 온도에 실질적으로 대응하는 제2 온도로 가열되도록 구성된다. 따라서, 가열식 벽과 가열식 차폐부 어레인지먼트는 실질적으로 동일한 열 팽창을 갖도록 구성될 수 있고, 이로써, 가열식 벽에 연결될 수 있는, 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들은 증착 프로세스 내내 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들에 대해 정렬된 상태로 유지된다.[0038] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, one or more outlets 212 of the dispensing unit 130, as exemplarily shown in FIG. 1 May be provided in the heated wall 135 of the dispensing unit. For example, the heated wall 135 may include heating elements. The heating elements may be mounted or attached to the heated wall 135. Additionally or alternatively, the heating elements may be arranged in the heated wall 135 of the distribution unit. For example, the heating elements may be thermoelectric heating devices. In particular, the heated wall 135 is configured to be heated to a second temperature substantially corresponding to the first temperature at which the heated shield arrangement is heated. Thus, the heated wall and the heated shield arrangement can be configured to have substantially the same thermal expansion, whereby one or more outlets of the dispensing unit, which can be connected to the heated wall, are connected to one of the heated shield arrangements throughout the deposition process Or < / RTI > more apertures.

[0039] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)와 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)은 실질적으로 동일한 열 팽창을 나타내도록 구성된다. 예컨대, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)와 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)은 동일한 재료로 만들어질 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 상기 설명된 바와 같이, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 및/또는 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)은, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 열 팽창과 가열식 벽(135)의 열 팽창이 동일하도록 가열되는 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 예컨대, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)가, 가열식 벽(135)을 만든 재료보다 더 높은 열 팽창을 갖는 재료로 만들어진 경우, 동일한 열 팽창을 제공하기 위해, 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)은 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)보다 더 높은 온도로 가열될 수 있다. 따라서, 유리하게, 가열식 벽에 연결될 수 있는, 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들의 포지션은 증착 프로세스 내내 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들의 포지션에 대해 정렬된 상태로 유지된다.[0039] According to some embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the heated shield portion arrangement 202 and the heated wall 135 of the dispensing unit 130 may have substantially the same thermal expansion . For example, the heated shield array 202 and the heated wall 135 of the dispensing unit 130 may be made of the same material. Additionally or alternatively, as described above, the heated shield portion arrangement 202 and / or the heated wall 135 of the dispensing unit 130 may be formed by thermal expansion of the heated shield portion arrangement 202, Lt; RTI ID = 0.0 > 135 < / RTI > For example, if the heated shield array 202 is made of a material having a higher thermal expansion than the material from which the heated wall 135 is made, the heated wall 135 of the distribution unit 130 may be heated to provide the same thermal expansion, May be heated to a higher temperature than the heated shield array 202. Thus, advantageously, the position of one or more outlets of the dispensing unit, which can be connected to the heated wall, is maintained in alignment with the position of one or more apertures of the heated shield arrangement throughout the deposition process.

[0040] 예시적으로 도 2를 참조하여, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증발 소스(100)의 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는 연결 엘리먼트(232)를 통해 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)과 연결될 수 있다. 따라서, 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들의 포지션과 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들의 포지션의 정렬이 개선될 수 있다.2, according to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the heated shield array 202 of the evaporation source 100 includes a connection element (not shown) 232 to the heated wall 135 of the dispensing unit 130. Thus, the alignment of the position of one or more of the apertures of the heated shield arrangement and the position of one or more outlets of the dispensing unit can be improved.

[0041] 몇몇 구현들에 따르면, 연결 엘리먼트(232)는 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)과 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 사이의 거리를 조정하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 연결 엘리먼트(232)는 가열식 벽(135)에 대해 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)를 이동시키도록 구성될 수 있다. 따라서, 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)과 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 사이의 거리를 조정함으로써, 가열식 차폐부 어레인지먼트 뒤에서의 증발된 소스 재료의 방출 각도(θ)가 조정될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 예컨대, 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)과 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 가열식 차폐부 어레인지먼트 뒤에서의 증발된 소스 재료의 방출 각도(θ)가 감소될 수 있다. 따라서, 가열식 차폐부 어레인지먼트와 기판 사이에 제공되는 마스크의 새도잉 효과들이 감소될 수 있어서, 기판 상에서의 증착된 소스 재료의 개선된 분해능을 초래한다.[0041] According to some implementations, the coupling element 232 can be configured to adjust the distance between the heated wall 135 of the distribution unit 130 and the heated shield array 202. For example, the connecting element 232 may be configured to move the heated shield arrangement 202 relative to the heated wall 135. [ It is therefore understood that by adjusting the distance between the heated wall 135 of the dispensing unit 130 and the heated shield arrangement 202 the emission angle of the evaporated source material behind the heated shield arrangement can be adjusted . For example, by increasing the distance between the heated wall 135 of the distribution unit 130 and the heated shield array 202, the emission angle [theta] of the evaporated source material behind the heated shield collection can be reduced. Thus, the new shadowing effects of the mask provided between the heated shield array and the substrate can be reduced, resulting in improved resolution of the deposited source material on the substrate.

[0042] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증발 소스(100)는, 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)를 포함한다. 특히, 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)는 증착 방향(101)으로 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 뒤에 배열될 수 있다. 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)는 증착 방향(101)으로 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)과 정렬되도록 배열되는 하나 또는 그 초과의 개구부들(223)을 포함한다. 따라서, 증착 방향으로 가열식 차폐부 어레인지먼트 뒤에 배열되는 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트를 제공함으로써, 기판(10) 및/또는 마스크(20)에서의 열 부하가 감소될 수 있고, 이는 기판 상에서의 증착된 소스 재료의 개선된 분해능을 달성하는 데에 유리할 수 있다.[0042] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the evaporation source 100 may include a second cooling shield arrangement (not shown), as exemplarily shown in FIG. 2 203). In particular, the second cooling shield array 203 may be arranged behind the heated shield array 202 in the deposition direction 101. 2, the second cooling shield array 203 is adapted to align with one or more of the apertures 222 of the heated shield array 202 in the deposition direction 101. As shown in FIG. And one or more openings 223 that are arranged. Thus, by providing a second cooling shield arrangement arranged behind the heated shield arrangement in the deposition direction, the heat load in the substrate 10 and / or the mask 20 can be reduced, It may be advantageous to achieve improved resolution of the source material.

[0043] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)은 하나 또는 그 초과의 노즐들(125)이다. 특히, 하나 또는 그 초과의 노즐들(125)은 증착 방향(101)을 따라 연장되도록 배열되고 구성될 수 있다. 더 구체적으로, 하나 또는 그 초과의 노즐들(125)은 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)의 하나 또는 그 초과의 개구부들(221)로부터 돌출되도록 배열되고 구성될 수 있다. 예컨대, 하나 또는 그 초과의 노즐들(125)은 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)의 하나 또는 그 초과의 개구부들(221)로부터 기판을 향한 방향으로, 예컨대, 증착 방향(101)으로 2mm 또는 그 초과, 특히 4mm 또는 그 초과, 더 특히 5mm 또는 그 초과의 거리만큼 돌출될 수 있다. 따라서, 안정적인 증착 프로세스 조건들이 긴 시간에 걸쳐 유지될 수 있도록, 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들의 막힘이 방지되거나 심지어 제거될 수 있다.[0043] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, one or more outlets 212 of the dispensing unit 130, as exemplarily shown in FIG. 2 May be one or more nozzles 125. In particular, one or more of the nozzles 125 may be arranged and configured to extend along the deposition direction 101. More specifically, one or more of the nozzles 125 may be arranged and configured to protrude from one or more of the openings 221 of the first cooling shield array 201. For example, one or more of the nozzles 125 may extend in a direction toward the substrate from one or more openings 221 of the first cooling shroud arrangement 201, for example, in the deposition direction 101 by 2 mm Or more, especially 4 mm or more, more particularly 5 mm or more. Thus, clogging of one or more outlets of the dispensing unit can be prevented or even eliminated so that stable deposition process conditions can be maintained over a long period of time.

[0044] 도 3a 내지 도 3c는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스의 부분들을 도시한다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 증발 소스는 분배 유닛(130) 또는 분배 파이프(106), 및 증발 도가니(104)를 포함할 수 있다. 예컨대, 분배 유닛(130) 또는 분배 파이프(106)는 가열 유닛(215)을 갖는 세장형 튜브일 수 있다. 증발 도가니는 도가니 가열 엘리먼트(225)에 의해 증발될 소스 재료, 예컨대, 유기 재료를 위한 저장용기일 수 있다.[0044] Figures 3A-3C illustrate portions of an evaporation source in accordance with embodiments described herein. As shown in FIG. 3A, the evaporation source may include a distribution unit 130 or a distribution pipe 106, and an evaporation crucible 104. For example, the distribution unit 130 or the distribution pipe 106 may be a elongated tube having a heating unit 215. The evaporation crucible may be a storage vessel for the source material, e.g., an organic material, to be evaporated by the crucible heating element 225.

[0045] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 복수의 개구부들 및/또는 배출구들, 예컨대, 노즐들은 증발 소스의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다. 특히, 복수의 개구부들 및/또는 배출구들은 분배 유닛 또는 분배 파이프의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다. 대안적인 실시예에 따르면, 분배 유닛, 예컨대, 분배 파이프의 길이 및/또는 증발 소스의 길이 방향을 따라 연장되는 하나의 세장형 개구부가 제공될 수 있다. 예컨대, 세장형 개구부는 슬릿일 수 있다.[0045] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the plurality of openings and / or outlets, eg, nozzles, may be arranged along the length of the evaporation source. In particular, the plurality of openings and / or outlets may be arranged along the longitudinal direction of the distribution unit or the distribution pipe. According to an alternative embodiment, one elongated opening may be provided which extends along the length of the dispensing unit, e.g., the dispensing pipe and / or the length of the evaporation source. For example, the elongated opening may be a slit.

[0046] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 유닛, 예컨대, 분배 파이프는 길이 방향으로 본질적으로 수직으로 연장된다. 예컨대, 분배 유닛 또는 분배 파이프의 길이는 적어도, 증착 장치에서 증착될 기판의 높이에 대응한다. 많은 경우들에서, 분배 유닛, 특히 분배 파이프의 길이는 증착될 기판의 높이보다 적어도 10%만큼 또는 심지어 20%만큼 더 길 것이고, 이는, 기판의 상부 단부 및/또는 기판의 하부 단부에서 균일한 증착을 허용한다.[0046] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the distribution unit, eg, the distribution pipe, extends essentially vertically in the longitudinal direction. For example, the length of the dispensing unit or dispensing pipe corresponds at least to the height of the substrate to be deposited in the deposition apparatus. In many cases, the length of the dispensing unit, and in particular the dispensing pipe, is at least 10% or even 20% greater than the height of the substrate to be deposited, which is sufficient for uniform deposition at the top end of the substrate and / .

[0047] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 유닛, 특히 분배 파이프의 길이는 1.3m 또는 그 초과, 예컨대, 2.5m 또는 그 초과일 수 있다. 일 구성에 따르면, 도 3a에 도시된 바와 같이, 증발 도가니(104)가 분배 유닛(130) 또는 분배 파이프(106)의 하부 단부에 제공된다. 전형적으로, 소스 재료는 증발 도가니(104)에서 증발된다. 증발된 소스 재료는 분배 파이프의 바닥부에 진입하고, 분배 파이프의 복수의 개구부들을 통해서, 예컨대, 본질적으로 수직으로 배향된 기판을 향해서 본질적으로 측방향으로(sideways) 안내된다.[0047] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the length of the dispensing unit, particularly the dispensing pipe, may be 1.3 m or more, such as 2.5 m or more. According to one configuration, the evaporation crucible 104 is provided at the lower end of the distribution unit 130 or the distribution pipe 106, as shown in Fig. 3A. Typically, the source material is evaporated in the evaporation furnace 104. The vaporized source material enters the bottom of the distribution pipe and is guided sideways essentially through a plurality of openings in the distribution pipe, e.g., toward an essentially vertically oriented substrate.

[0048] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 복수의 배출구들, 예컨대, 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들은 수평 +/- 20°이 될 주 방출 방향을 갖도록 배열된다. 몇몇 특정 실시예들에 따르면, 주 방출 방향은, 예컨대, 수평 내지 15° 상향, 예컨대, 3° 내지 7° 상향의 범위에 있도록, 약간 상향으로 배향될 수 있다. 유사하게, 기판은 증발 방향에 대해 실질적으로 수직이 되도록 약간 경사질 수 있으며, 이는 원치 않는 입자들의 생성을 감소시킬 수 있다.[0048] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a plurality of outlets, eg, one or more outlets of the distribution unit, Direction. According to some specific embodiments, the main emission direction may be slightly upward directed, for example to be in the range of horizontal to 15 degrees upward, e.g., 3 to 7 degrees upward. Similarly, the substrate may be slightly inclined to be substantially perpendicular to the direction of evaporation, which may reduce the generation of unwanted particles.

[0049] 도 3b는 증발 소스의, 특히, 증발 도가니(104)에 연결된 분배 유닛(130), 예컨대, 분배 파이프(106)의 일부분의 확대 개략도를 도시한다. 증발 도가니(104)와 분배 파이프(106) 사이에 연결을 제공하도록 구성된 플랜지(flange) 유닛(233)이 제공될 수 있다. 예컨대, 증발 도가니 및 분배 유닛은 개별 유닛들로서 제공되고, 이들은, 예컨대, 증발 소스의 동작을 위해 플랜지 유닛에서 분리되고 연결되거나 조립될 수 있다.[0049] FIG. 3B shows an enlarged schematic view of a portion of a distribution unit 130, eg, a distribution pipe 106, connected to an evaporation source, and in particular to a vaporizing crucible 104. A flange unit 233 configured to provide a connection between the evaporation crucible 104 and the distribution pipe 106 may be provided. For example, the evaporation crucible and the dispensing unit are provided as separate units, which can be separated, connected or assembled in the flange unit, for example, for operation of the evaporation source.

[0050] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 유닛(130), 예컨대, 분배 파이프(106)는 내측 중공 공간(210)을 갖는다. 또한, 분배 유닛(130), 특히, 분배 파이프(106)를 가열하기 위해, 가열 유닛(215)이 제공될 수 있다. 분배 유닛(130)는 증발 도가니(104)에 의해 제공되는 증발된 소스 재료가 분배 유닛(130), 예컨대, 분배 파이프(106)의 벽의 내측 부분에 응축되지 않도록 하는 온도로 가열될 수 있다. 도 3b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 둘 또는 그 초과의 열 차폐부들(217)이 분배 유닛(130)의 튜브 주위에 제공될 수 있다. 열 차폐부들은 가열 유닛(215)에 의해 제공되는 열 에너지를 다시 내측 중공 공간(210)을 향하여 반사시키도록 구성된다. 따라서, 열 차폐부들(217)이 유리하게 열 손실들을 감소시키기 때문에, 분배 유닛(130), 예컨대, 분배 파이프(106)를 가열하기 위한 에너지, 즉, 가열 유닛(215)에 제공되는 에너지가 감소될 수 있다. 다른 분배 유닛들 및/또는 마스크 또는 기판으로의 열 전달이 감소될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 열 차폐부들(217)은 2개 또는 그 초과의 열 차폐부 층들, 예컨대, 5개 또는 그 초과의 열 차폐부 층들, 예컨대, 10개의 열 차폐부 층들을 포함할 수 있다.[0050] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the distribution unit 130, e.g., the distribution pipe 106, has an inner hollow space 210. In addition, a heating unit 215 may be provided to heat the dispensing unit 130, and in particular the dispensing pipe 106. The dispensing unit 130 may be heated to a temperature such that the evaporated source material provided by the evaporation crucible 104 is not condensed in the interior portion of the wall of the distribution unit 130, e.g., the distribution pipe 106. Two or more heat shields 217 may be provided around the tube of the dispensing unit 130, as illustrated by way of example in FIG. 3B. The heat shields are configured to reflect the thermal energy provided by the heating unit 215 back toward the inner hollow space 210. Thus, because the heat shields 217 advantageously reduce heat losses, the energy to heat the distribution unit 130, e.g., the distribution pipe 106, i.e., the energy provided to the heating unit 215, . Heat transfer to other distribution units and / or to the mask or substrate may be reduced. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the heat shields 217 may comprise two or more heat shield layers, such as five or more heat shield layers For example, ten heat shield layers.

[0051] 전형적으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 열 차폐부들(217)은 분배 유닛(130), 예컨대, 분배 파이프(106)에서의 배출구들(212)의 포지션들에 개구부들을 포함한다. 도 3b에 도시된 증발 소스의 확대도는 4개의 배출구들을 도시한다. 배출구들(212)은 분배 유닛(130) 또는 분배 파이프(106)의 길이 방향을 따라서 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 분배 유닛(130) 또는 분배 파이프(106)는, 분배 유닛(130) 또는 분배 파이프(106) 내부에 배치된 복수의 개구부들(또한, 본원에서 하나 또는 그 초과의 배출구들로 지칭됨)을 갖는 선형 분배 유닛으로서, 특히 선형 분배 파이프로서 제공될 수 있다. 예컨대, 분배 파이프는 하나의 배출구를 가질 수 있다. 예컨대, 분배 파이프는 분배 유닛의 길이 방향을 따라 배열된 30개 초과의 배출구들, 예컨대, 40, 50 또는 54개의 배출구들을 가질 수 있다. 본원의 실시예들에 따르면, 배출구들은 서로 이격될 수 있다. 예컨대, 배출구들은 1cm 또는 그 초과의 거리만큼, 예컨대, 1cm 내지 3cm의 거리만큼, 이를테면 예컨대, 2cm의 거리만큼 이격될 수 있다.[0051] Typically, as shown in FIG. 3B, the heat shields 217 include openings in the positions of the outlets 212 in the distribution unit 130, for example, the distribution pipe 106. The enlarged view of the evaporation source shown in Figure 3B shows four outlets. The outlets 212 may be provided along the longitudinal direction of the distribution unit 130 or the distribution pipe 106. The dispensing unit 130 or the dispensing pipe 106 may comprise a plurality of openings disposed within the dispensing unit 130 or the dispensing pipe 106 (also referred to herein as one or more outlets Quot;), in particular as a linear distribution pipe. For example, the dispensing pipe may have one outlet. For example, the distribution pipe may have more than 30 outlets arranged along the length of the distribution unit, for example 40, 50 or 54 outlets. According to the embodiments herein, the outlets may be spaced apart from one another. For example, the outlets may be spaced apart by a distance of 1 cm or more, e.g., a distance of 1 cm to 3 cm, such as a distance of 2 cm, for example.

[0052] 본원에서 이해되는 바와 같은 분배 유닛, 예컨대, 분배 파이프는, 예컨대, 증발 도가니로부터 재료가 제공되거나 안내될 수 있는, 엔클로저, 중공 공간, 또는 파이프를 갖는다. 분배 유닛 내의 압력이 분배 유닛의 외부에서보다 더 높도록, 분배 유닛은 복수의 개구부들(또는 세장형 슬릿)을 가질 수 있다. 예컨대, 샤워헤드 내의 압력은 분배 유닛의 외부에서의 압력보다 적어도 10배 더 높을 수 있다.[0052] A dispensing unit, eg, a dispensing pipe, as understood herein, has an enclosure, a hollow space, or a pipe, for example, from which material can be provided or guided from the evaporation crucible. The dispensing unit may have a plurality of openings (or elongated slits) so that the pressure in the dispensing unit is higher than at the exterior of the dispensing unit. For example, the pressure in the showerhead may be at least 10 times higher than the pressure outside the dispensing unit.

[0053] 동작 동안, 분배 유닛(130), 예컨대, 분배 파이프(106)는 플랜지 유닛(233)에서 증발 도가니(104)에 연결된다. 증발 도가니(104)는 증발될 소스 재료를 수용하고, 소스 재료를 증발시키도록 구성된다. 도 3b는 증발 도가니(104)의 하우징을 통한 단면을 도시한다. 도 3b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 예컨대 증발 도가니의 상부 부분에 재충전(refill) 개구부가 제공되고, 재충전 개구부는, 증발 도가니(104)의 엔클로저를 폐쇄하기 위해, 플러그(252), 덮개, 커버 등을 사용하여 폐쇄될 수 있다.[0053] During operation, the distribution unit 130, for example, the distribution pipe 106, is connected to the evaporation crucible 104 in the flange unit 233. The evaporation crucible 104 is configured to receive the source material to be evaporated and to evaporate the source material. 3B shows a cross-section through the housing of the evaporation crucible 104. Fig. 3B, a refill opening is provided, for example, in the upper portion of the evaporation crucible, and the recharge opening is filled with a plug 252, a cover, a cover, and the like to close the enclosure of the evaporation crucible 104. [ Can be closed using a cover or the like.

[0054] 예시적으로 도 3b를 참조하면, 외측 도가니 가열 엘리먼트(225)가 증발 도가니(104)의 엔클로저 내에 제공될 수 있다. 외측 도가니 가열 엘리먼트(225)는 적어도 증발 도가니(104)의 벽의 부분을 따라서 연장될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 부가적으로 또는 대안적으로, 하나 또는 그 초과의 중앙 가열 엘리먼트들이 제공될 수 있다. 도 3b는 2개의 중앙 가열 엘리먼트들을 도시한다. 제1 중앙 가열 엘리먼트(226) 및 제2 중앙 가열 엘리먼트(228)는, 전력을 중앙 가열 엘리먼트들에 제공하기 위해, 각각, 제1 전도체(229) 및 제2 전도체(230)를 포함할 수 있다.3B, an outer crucible heating element 225 may be provided within the enclosure of the evaporation crucible 104. [0054] Referring to FIG. The outer crucible heating element 225 may extend at least along a portion of the wall of the evaporation crucible 104. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, additionally or alternatively, one or more central heating elements may be provided. Figure 3b shows two central heating elements. The first central heating element 226 and the second central heating element 228 may include a first conductor 229 and a second conductor 230, respectively, to provide power to the central heating elements .

[0055] 본원에서 설명된 몇몇 실시예들에 따르면, 열 차폐부들, 예컨대, 열 차폐부(217) 및 열 차폐부(227)가 증발 소스에 제공될 수 있다. 열 차폐부들은 증발 소스로부터의 에너지 손실을 감소시킬 수 있고, 이는 또한, 소스 재료를 증발시키기 위해 증발 소스에 의해 소모되는 전체 에너지를 감소시킨다. 그러나, 특히 유기 재료들의 증착에 대한 추가적인 양상으로서, 증발 소스로부터 기원하는 열 복사(radiation), 특히, 증착 동안 기판 및 마스크를 향한 열 복사가 감소될 수 있다. 특히, 마스킹된 기판들 상에서의 유기 재료들의 증착의 경우, 그리고 더더욱 디스플레이 제조의 경우에, 마스크 및 기판의 온도는 정확하게 제어될 필요가 있다. 증발 소스로부터 기원하는 열 복사는 열 차폐부들, 이를테면, 예컨대 열 차폐부(217) 및 열 차폐부(227)에 의해 감소되거나 회피될 수 있다.[0055] According to some embodiments described herein, heat shields, such as heat shield 217 and heat shield 227, may be provided at the evaporation source. The heat shields can reduce the energy loss from the evaporation source, which also reduces the total energy consumed by the evaporation source to evaporate the source material. However, as a further aspect, especially for the deposition of organic materials, the radiation originating from the evaporation source, in particular the heat radiation towards the substrate and mask during deposition, can be reduced. In particular, in the case of deposition of organic materials on masked substrates, and even in the case of display manufacture, the temperature of the mask and substrate need to be precisely controlled. Heat radiation originating from the evaporation source may be reduced or avoided by heat shields, such as, for example, heat shield 217 and heat shield 227.

[0056] 이러한 차폐부들은 증발 소스 외부로의 열 복사를 감소시키기 위해 여러 개의 차폐 층들을 포함할 수 있다. 추가적인 선택 사항으로서, 열 차폐부들은 차폐 층들을 포함할 수 있고, 차폐 층들은 유체, 예컨대, 공기, 질소, 물, 또는 다른 적합한 냉각 유체들에 의해 능동적으로(actively) 냉각된다. 본원에서 설명되는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 열 차폐부들은 증발 소스의 각각의 부분들을 둘러싸는, 예컨대, 분배 파이프(106) 및/또는 증발 도가니(104)를 둘러싸는 시트 금속들(sheet metals)을 포함할 수 있다. 본원의 실시예들에 따르면, 시트 금속들은 0.1mm 내지 3mm의 두께들을 가질 수 있고, 철 금속들(SS) 및 비-철 금속들(Cu, Ti, Al)로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료로부터 선택될 수 있으며, 그리고/또는, 예컨대, 0.1mm 또는 그 초과의 갭만큼 서로에 대해 이격될 수 있다.[0056] These shields may include multiple shielding layers to reduce heat radiation outside the evaporation source. As a further option, the heat shields may comprise shielding layers, and the shielding layers are actively cooled by a fluid, e.g., air, nitrogen, water, or other suitable cooling fluids. According to further embodiments described herein, one or more heat shields may surround a portion of the evaporation source 104, such as a portion of the distribution pipe 106 and / or the evaporation crucible 104 surrounding the evaporation source 104, And may include sheet metals. According to embodiments herein, the sheet metals may have a thickness of from 0.1 mm to 3 mm and may comprise at least one material selected from the group consisting of ferrous metals (SS) and non-ferrous metals (Cu, Ti, Al) And / or may be spaced apart from one another by, for example, a gap of 0.1 mm or more.

[0057] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따라, 그리고 도 3a 및 도 3b에 대해 예시적으로 도시된 바와 같이, 증발 도가니(104)는 분배 유닛(130)의 하부 측에 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 증기 도관(242)은 분배 유닛(130)의 중앙 부분에, 또는 분배 유닛의 하부 단부와 분배 유닛의 상부 단부 사이의 다른 포지션에 제공될 수 있다.[0057] In accordance with some embodiments described herein, and as exemplarily shown in FIGS. 3A and 3B, the evaporation crucible 104 is provided on the underside of the distribution unit 130. According to further embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the vapor conduit 242 may be located in a central portion of the dispensing unit 130, or between the lower end of the dispensing unit and the upper end of the dispensing unit May be provided at other positions of the < RTI ID = 0.0 >

[0058] 도 3c는, 분배 파이프(106) 및 분배 파이프의 중앙 부분에 제공되는 증기 도관(242)을 갖는 증발 소스의 예를 예시한다. 증발 도가니(104)에서 생성된 증발된 소스 재료는 증기 도관(242)을 통해 분배 파이프들(106)의 중앙 부분으로 안내된다. 증발된 소스 재료는 복수의 배출구들(212)을 통해 분배 파이프(106)를 빠져나간다. 분배 파이프(106)는 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 대해 설명되는 바와 같은 지지부(102)에 의해 지지된다. 본원의 더 추가적인 실시예들에 따르면, 둘 또는 그 초과의 증기 도관들(242)이 분배 파이프(106)의 길이를 따라 상이한 포지션들에 제공될 수 있다. 증기 도관들(242)은 하나의 증발 도가니에 또는 여러 개의 증발 도가니들에 연결될 수 있다. 예컨대, 각각의 증기 도관(242)은 대응하는 증발 도가니(104)를 가질 수 있다. 대안적으로, 증발 도가니(104)는, 분배 파이프(106)에 연결되는 둘 또는 그 초과의 증기 도관들(242)과 유체 연통할 수 있다.[0058] FIG. 3c illustrates an example of an evaporation source having a distribution pipe 106 and a vapor conduit 242 provided in a central portion of the distribution pipe. The vaporized source material produced in the evaporation crucible 104 is directed through the vapor conduit 242 to the central portion of the distribution pipes 106. The evaporated source material exits the dispensing pipe 106 through a plurality of outlets 212. The distribution pipe 106 is supported by a support 102 as described for other embodiments described herein. According to still further embodiments herein, two or more of the vapor conduits 242 may be provided at different positions along the length of the distribution pipe 106. [ Steam conduits 242 may be connected to one evaporation crucible or to several evaporation crucibles. For example, each vapor conduit 242 may have a corresponding evaporation furnace 104. Alternatively, the evaporation crucible 104 may be in fluid communication with two or more of the vapor conduits 242 connected to the distribution pipe 106.

[0059] 본원에서 사용되는 바와 같이, "분배 파이프"라는 용어는 증발된 소스 재료를 안내하고 분배하기 위한 파이프로서 이해될 수 있다. 특히, 분배 파이프는 증발된 소스 재료를 도가니로부터 분배 파이프의 복수의 배출구들(예컨대, 개구부들)로 안내할 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "복수의 배출구들"이라는 용어는 전형적으로, 적어도 둘 또는 그 초과의 배출구들을 포함한다. 본원의 실시예들에 따르면, 분배 파이프는 제1, 특히 길이방향으로 연장되는 선형 분배 파이프일 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에서, 길이 방향은 전형적으로, 분배 파이프의 길이 방향을 지칭할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 분배 파이프는 실린더 형상을 갖는 파이프를 포함할 수 있다. 실린더는 원형 바닥부 형상 또는 임의의 다른 적합한 바닥부 형상, 예컨대, 삼각형 형상을 가질 수 있다.[0059] As used herein, the term "distribution pipe" can be understood as a pipe for guiding and distributing the evaporated source material. In particular, the distribution pipe can guide the evaporated source material from the crucible to a plurality of outlets (e.g., openings) of the distribution pipe. As used herein, the term "plurality of outlets" typically includes at least two or more outlets. According to embodiments herein, the dispensing pipe may be a first, in particular a longitudinally extending, linear dispensing pipe. In the embodiments described herein, the longitudinal direction may typically refer to the longitudinal direction of the distribution pipe. In some embodiments, the distribution pipe may comprise a pipe having a cylindrical shape. The cylinder may have a round bottom shape or any other suitable bottom shape, e.g., triangular shape.

[0060] 예컨대, 분배 파이프는 중공 실린더일 수 있다. "실린더"라는 용어는, 원형 바닥부 형상 및 원형 상부 형상, 및 상부 원과 하부 원을 연결하는 만곡된 표면 영역 또는 쉘을 갖는 것으로 일반적으로 인정되는 것으로 이해될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가의 부가적인 또는 대안적인 실시예들에 따르면, 실린더라는 용어는 추가적으로, 수학적 의미에서 임의의 바닥부 형상 및 동일한 상부 형상, 및 상부 형상과 하부 형상을 연결하는 만곡된 표면 영역 또는 쉘을 갖는 것으로 이해될 수 있다. 실린더는 반드시 원형 단면을 가져야할 필요는 없다.[0060] For example, the dispensing pipe may be a hollow cylinder. It is to be understood that the term "cylinder" is generally accepted to have a circular bottom shape and a circular top shape, and a curved surface area or shell connecting the upper and lower circles. According to further additional or alternative embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the term cylinder further includes any bottom shape and the same top shape in the mathematical sense, It can be understood to have a curved surface area or shell connecting the features. The cylinder does not necessarily have a circular cross-section.

[0061] 도 4a는, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 본원의 실시예들에 따른 증발 소스의 부분의 개략적인 측면도를 도시한다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)은 소스 재료를 증착 방향(101)으로, 예컨대, 마스크(20)를 통해 기판(10)에 제공하도록 구성된다. 부가적으로, 하나 또는 그 초과의 개구부들(221)을 포함하는 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)가, 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)로부터 소정 거리에 제공된 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)에 의해 차단된 증발된 소스 재료를 수집하기 위해 제공된다. 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)을 통해 제공되는 증발된 소스 재료의 방출 각도(θ)를 한정하기 위한 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)을 포함한다. 또한, 증착 방향(101)으로 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 뒤에 배열되는 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)가 제공된다. 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)는 냉각 유체, 예컨대, 공기, 질소, 물, 또는 다른 적절한 냉각 유체들을 위한 도관들을 갖는 하나 또는 그 초과의 금속 플레이트들에 의해 제공될 수 있다. 예컨대, 냉각 유체를 위한 도관들은 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트에 부착될 수 있거나, 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트 내에 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트는 열전 냉각 디바이스 또는 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트에 적합한 임의의 다른 냉각 디바이스를 포함할 수 있다. 도 4a에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)는 증착 방향(101)으로 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)과 정렬되도록 배열되는 하나 또는 그 초과의 개구부들(223)을 포함한다. 따라서, 도 4a에 도시된 바와 같이, 증발 소스(100)는 증착 방향(101)으로 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)로부터 하나 또는 그 초과의 개구부들(221) 및 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)을 통하여 기판으로의 소스 재료를 위한 경로를 정의하도록 구성되고, 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)로부터 제공되는 증발된 소스 재료의 부분은, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 뒤에서의 미리 결정된 방출 각도(θ)가 제공될 수 있도록, 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)에 의해 차단된다.[0061] FIG. 4A shows a schematic side view of a portion of an evaporation source in accordance with embodiments of the present disclosure, which may be combined with any of the other embodiments described herein. 4A, one or more outlets 212 of the distribution unit 130 may be configured to provide a source material in the deposition direction 101, e.g., through the mask 20, to the substrate 10 . Additionally, a first cooling shield arrangement 201, including one or more openings 221, may be provided to the heated shield shield 202, which is provided at a predetermined distance from the first cooling shield arrangement 201, ) ≪ / RTI > The heated shield array 202 includes one or more apertures 222 to define an emission angle [theta] of the evaporated source material provided through one or more outlets 212 . Also provided is a second cooling shield arrangement 203 which is arranged behind the heated shield arrangement 202 in the deposition direction 101. The second cooling shield arrangement 203 may be provided by one or more metal plates having conduits for cooling fluid, e.g., air, nitrogen, water, or other suitable cooling fluids. For example, conduits for the cooling fluid may be attached to the second cooling shield arrangement, or may be provided in the second cooling shield arrangement. Additionally or alternatively, the second cooling shield arrangement may comprise a thermoelectric cooling device or any other cooling device suitable for the second cooling shield arrangement. The second cooling shield arrangement 203 is configured to align with one or more of the apertures 222 of the heated shield array 202 in the deposition direction 101 as illustrated by way of example in FIG. And one or more openings 223 that are arranged. 4A, the evaporation source 100 may have one or more openings 221 and one or more openings 221 from one or more outlets 212 in the deposition direction 101, And a portion of the evaporated source material provided from one or more outlets 212 is configured to define a path for the source material to the substrate through the passages 222. The portion of evaporated source material provided from one or more outlets 212 Is blocked by the heated shield arrangement 202 so that a predetermined emission angle [theta] from behind can be provided.

[0062] 예시적으로 도 4b를 참조하여, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 배출구들(212) 중 적어도 하나의 배출구, 특히, 하나 또는 그 초과의 배출구들 각각에, 개별 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 및/또는 개별 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)가 제공될 수 있다. 예컨대, 하나 또는 그 초과의 배출구(들)(212)은 하나 또는 그 초과의 노즐(들)일 수 있고, 하나 또는 그 초과의 노즐(들)에 대해 개별 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 및/또는 개별 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)가, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 제공될 수 있다. 예컨대, 도 5에서, 하나의 배출구(212)에 개별 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 및 개별 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)가 제공되는 예시적인 실시예가 도시된다.4b, according to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, at least one outlet of one or more of the outlets 212, in particular, For each of the one or more outlets, an individual heated shield array 202 and / or an individual second cooling shield array 203 may be provided. For example, one or more of the outlet (s) 212 may be one or more nozzles (s), and one or more nozzles (s) may be connected to the individual heated shield arrangement 202 and / An individual second cooling shield arrangement 203 may be provided in accordance with the embodiments described herein. For example, in FIG. 5, an exemplary embodiment is shown in which one outlet 212 is provided with an individual heated shield array 202 and an individual second cooling shield array 203. FIG.

[0063] 도 5는, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 본원의 추가적인 실시예들에 따른 증발 소스의 개략적인 평면도를 도시한다. 불필요한 반복들을 피하기 위해, 도 1, 2, 및 4에 도시된 실시예들에 대하여 오직 차이점들만 설명된다. 도 5에 도시된 증발 소스는 삼각형 형상의 측방향 단면을 갖는 분배 유닛(130), 예컨대, 분배 파이프(106)를 포함한다. 분배 유닛의 벽들은, 벽들에 장착되거나 부착되는 가열 엘리먼트들(380)에 의해 가열될 수 있다. 분배 유닛의 내부로부터 분배 유닛의 외부로의 열 복사를 감소시키기 위해, 분배 유닛을 둘러싸는 외측 차폐부(302)가 제공될 수 있다. 전형적으로, 외측 차폐부(302)는 냉각될 수 있다. 예컨대, 외측 차폐부는, 외측 차폐부에 부착되거나 외측 차폐부 내에 제공되는, 냉각 유체, 예컨대, 물을 위한 도관들을 갖는 금속 플레이트들에 의해 제공될 수 있다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 외측 차폐부를 냉각시키기 위해 열전 냉각 디바이스 또는 다른 냉각 디바이스가 제공될 수 있다.[0063] FIG. 5 shows a schematic top view of an evaporation source in accordance with further embodiments of the present disclosure, which may be combined with any of the other embodiments described herein. To avoid unnecessary repetitions, only differences are described for the embodiments shown in Figures 1, 2, and 4. The evaporation source shown in Figure 5 includes a distribution unit 130, e.g., a distribution pipe 106, having a triangular-shaped lateral cross-section. The walls of the dispensing unit may be heated by heating elements 380 mounted or attached to the walls. To reduce thermal radiation from the interior of the dispensing unit to the outside of the dispensing unit, an outer shield 302 surrounding the dispensing unit may be provided. Typically, the outer shield 302 can be cooled. For example, the outer shield may be provided by metal plates having conduits for cooling fluid, e.g., water, attached to the outer shield or provided within the outer shield. Additionally or alternatively, a thermoelectric cooling device or other cooling device may be provided to cool the outer shield.

[0064] 예시적으로 도 5를 참조하여, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 추가적인 냉각식 차폐부 어레인지먼트(211)가 제공될 수 있다. 특히, 추가적인 냉각식 차폐부 어레인지먼트(211)는 하나 또는 그 초과의 배출구들 중 배출구의 주위에서 측방향의 소정의 거리에 제공될 수 있다. 특히, 도 5에 예시적으로 도시된 바와 같이, 추가적인 냉각식 차폐부 어레인지먼트(211)는 증착 방향(101)으로 적어도 부분적으로 연장될 수 있다. 예컨대, 추가적인 냉각식 차폐부 어레인지먼트(211)는 증착 방향으로 연장되는 주 부분을 갖는 L-형상일 수 있다. 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트와 유사하게, 추가적인 냉각식 차폐부 어레인지먼트(211)는, 본원에서 설명되는 바와 같이, 기판 상에 증착될 소스 재료의 응축 온도로 냉각되도록 구성될 수 있다. 따라서, 가열식 차폐부 어레인지먼트의 애퍼처들을 통과하지 않는 증발된 소스 재료가, 증발된 소스 재료가 응축되는 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)로 그리고/또는 추가적인 냉각식 차폐부 어레인지먼트(211)로 후방 산란되고, 이로써, 후방 산란된 소스 재료가 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트 상에 그리고/또는 추가적인 냉각식 차폐부 어레인지먼트 상에 수집될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.[0064] Referring to FIG. 5 by way of example, and in accordance with some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, additional cooling shield arrays 211 may be provided. In particular, additional cooling shield arrays 211 may be provided at a predetermined lateral distance around the outlet of one or more of the outlets. In particular, as illustrated illustratively in FIG. 5, additional cooling shield arrays 211 may extend at least partially in deposition direction 101. For example, the additional cooling shield arrangement 211 may be L-shaped with a major portion extending in the deposition direction. Similar to the first cooling shield arrangement, the additional cooling shield arrangement 211 may be configured to cool to the condensation temperature of the source material to be deposited on the substrate, as described herein. Thus, the evaporated source material that does not pass through the apertures of the heated shield array can be introduced into the first cooling shield arrangement 201 where the evaporated source material is condensed and / or into the additional cooling shield arrangement 211 It is to be understood that the backscattered source material may be collected on the first cooling shield arrangement and / or on the additional cooling shield arrangement.

[0065] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에서, 도 5에 예시적으로 도시된 바와 같이, 기판은 마스크(20), 예컨대, 새도우 마스크를 통해 기판(10) 상에 증착된 증발된 소스 재료를 이용하여 처리될 수 있다. 예컨대, 인치 당 800개 초과의 픽셀들의 고분해능에서의 증착의 경우, 기판의 표면에 형성되는, 증발된 소스 재료의 각각의 픽셀은 전형적으로, 증발 소스의 배출구들 중 하나 초과의 배출구들로부터 방출되는 증발된 소스 재료에 의해 형성된다. 예컨대, 증발 소스의 하나 또는 그 초과의 배출구들 중 10개의 배출구들로부터의 증발된 소스 재료가, 기판의 표면에 형성되는 각각의 픽셀들의 형성에 참여할 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들이 고분해능 디스플레이들의 제작에 특히 유리하다는 것이 이해되어야 한다. 특히, 마스크에서의 증발된 소스 재료의 방출 각도(θ)를 한정하기 위해, 하나 또는 그 초과의 배출구들로부터 제공되는 증발된 소스 재료의 플룸의 방출 각도에 따라, 증발된 소스 재료를 차단하도록 구성된 증발 소스를 제공함으로써, 마스크의 새도잉 효과들이 감소될 수 있어서, 기판 상에서의 증착된 소스 재료의 개선된 분해능을 초래한다.[0065] In some embodiments described herein, as illustrated by way of example in FIG. 5, a substrate may be coated with a vaporized source material deposited on a substrate 10 through a mask 20, such as a shadow mask . ≪ / RTI > For example, in the case of deposition at a high resolution of more than 800 pixels per inch, each pixel of the evaporated source material, which is formed on the surface of the substrate, is typically discharged from one of the outlets of the evaporation source And is formed by the evaporated source material. For example, evaporated source material from ten out of one or more outlets of the evaporation source can participate in the formation of each of the pixels formed on the surface of the substrate. It should be understood that the embodiments as described herein are particularly advantageous for the fabrication of high resolution displays. In particular, to limit the angle of emission ([theta]) of vaporized source material in the mask, the vaporized source material is configured to block the vaporized source material, depending on the angle of emission of the vaporized source material provided from one or more outlets By providing an evaporation source, the new drawing effects of the mask can be reduced, resulting in improved resolution of the deposited source material on the substrate.

[0066] 본원에서 설명되는 실시예들에서, "하나 또는 그 초과의 배출구들로부터의 증발된 소스 재료의 플룸의 각도"라는 용어는 당업자에 의해, 증발 소스의 임의의 개수의 배출구들 각각으로부터의 증발된 재료의 플룸의 각도를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.[0066] In the embodiments described herein, the term "angle of the plume of vaporized source material from one or more outlets" may be varied by one of ordinary skill in the art from each of any number of outlets of the vapor source But should be understood to include the angle of the plume of vaporized material.

[0067] 도 6은, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 본원의 더 추가적인 실시예들에 따른 증발 소스의 개략적인 평면도를 도시한다. 불필요한 반복들을 피하기 위해, 도 5에 도시된 실시예에 대하여 오직 차이점들만 설명된다. 도 6은, 3개의 분배 유닛들, 예컨대, 3개의 분배 파이프들 ― 분배 유닛들에 인접하고 열 절연체(479)를 통해 분배 유닛들에 연결되는 증발기 제어 하우징(402) 위에 제공됨 ― 을 갖는 실시예를 도시한다. 증발기 제어 하우징은 증발기 제어 하우징 내의 분위기 압력을 유지하도록 구성되며, 스위치, 밸브, 제어기, 냉각 유닛, 냉각 제어 유닛, 가열 제어 유닛, 전력 공급부, 및 측정 디바이스로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 엘리먼트를 하우징하도록 구성된다. 본원의 실시예들에서, 증발 소스를 동작시키기 위한 컴포넌트가 분위기 압력 하에서 증발 도가니 및 분배 유닛 가까이에 제공될 수 있고, 증발 소스와 함께 증착 장치를 통해 이동될 수 있다.[0067] FIG. 6 shows a schematic top view of an evaporation source according to further embodiments of the present disclosure, which may be combined with any of the other embodiments described herein. To avoid unnecessary repetitions, only differences are described for the embodiment shown in FIG. Figure 6 shows an embodiment having three distribution units, for example three distribution pipes-disposed on an evaporator control housing 402 adjacent to the distribution units and connected to the distribution units via a thermal insulator 479 / RTI > The evaporator control housing is configured to maintain the atmospheric pressure in the evaporator control housing and includes at least one element selected from the group consisting of a switch, a valve, a controller, a cooling unit, a cooling control unit, a heating control unit, a power supply, . In the embodiments herein, a component for operating the evaporation source may be provided near the evaporation crucible and the dispensing unit under atmospheric pressure, and may be moved through the evaporation source with the evaporation source.

[0068] 본원의 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 배출구들은 분배 파이프들로서 구성될 수 있는 분배 유닛들, 예컨대, 분배 파이프들(106, 107, 108) 각각의 길이를 따라 분배될 수 있다. 각각의 분배 유닛은 증발 도가니(도 6에 도시되지 않음)와 유체 연통한다. 각각의 분배 유닛, 예컨대, 분배 파이프들(106, 107, 108)의 복수의 개구부들 각각은 증발된 소스 재료를 위한 주 방출 방향(101A, 101B, 101C)을 갖는다. 분배 유닛들의 본질적으로 삼각형인 형상 때문에, 3개의 분배 유닛들로부터 기원하는 증발 원뿔들 또는 플룸들은 서로 매우 근접하고, 이로써, 상이한 분배 유닛들 및 배출구들로부터의 소스 재료들의 혼합이 개선될 수 있다. 도 6에 도시된 예시적인 실시예의 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)가, 도 1, 2, 4, 및 5에 대하여 상기 설명된 바와 유사한 방식으로, 분배 파이프들, 예컨대, 분배 파이프들(106, 107, 108) 각각으로부터 마스크(20) 및/또는 기판(10)을 향해 분배되는 증발된 소스 재료의 분배 원뿔 또는 플룸의 범위를 정한다는 것이 이해되어야 한다.[0068] In the embodiments herein, one or more outlets may be distributed along the length of each of the distribution units, eg, distribution pipes 106, 107, 108, which may be configured as distribution pipes. Each dispensing unit is in fluid communication with an evaporation crucible (not shown in FIG. 6). Each of the plurality of openings of each distribution unit, e.g., distribution pipes 106, 107, 108, has a main discharge direction 101A, 101B, 101C for the evaporated source material. Because of the essentially triangular shape of the dispensing units, the evaporation cones or plumes originating from the three dispensing units are very close to one another, whereby mixing of the source materials from different dispensing units and outlets can be improved. The heated shield section arrangement 202 of the exemplary embodiment shown in Figure 6 may be used in a manner similar to that described above with respect to Figures 1, 2, 4 and 5 by means of distribution pipes, e.g., distribution pipes 106, 107 , 108, respectively, to the mask 20 and / or to the substrate 10, as will be appreciated by those skilled in the art.

[0069] 상기 내용을 고려하여, 본원에서 설명되는 바와 같은 증발 소스의 실시예들이, 예컨대, 마스크를 통해 기판에 제공되는 증발된 소스 재료의 입사 각도를 제한하도록 구성된다는 것이 이해되어야 한다. 특히, 증착될 소스 재료의 증발 온도로 또는 그 초과로 가열되고, 주 방출 방향으로부터, 30° 초과, 특히 40° 초과, 예컨대, 45° 초과의 미리 결정된 방출 각도(θ)를 갖는 증발된 소스 재료를 차단하도록 적응된 가열식 차폐부 어레인지먼트를 제공함으로써, 예컨대, 마스크를 통해 기판에 제공되는 증발된 소스 재료의 입사 각도가, 마스크의 새도잉 효과들을 감소시키기 위해 제한될 수 있다. 따라서, 기판 상에서의 증착된 소스 재료의 개선된 분해능이 제공될 수 있다. 또한, 증착될 소스 재료의 응축 온도로 냉각되도록 구성되고, 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들 주위 및 뒤에 배열되는 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트를 제공함으로써, 가열식 차폐부 어레인지먼트로부터 후방 산란된 증발된 소스 재료는, 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들의 막힘이 방지될 수 있도록 수집될 수 있다. 이때문에, 작은 각도로 노즐을 떠나는 증발된 소스 재료의 분자들이 애퍼처를 통과할 것이다. 큰 각도로 하나 또는 그 초과의 배출구들, 예컨대, 노즐들을 떠나는 분자들은 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들 주위의 벽을 때리지만 가열식 차폐부 어레인지먼트에 들러붙지는 않을 것인데, 이는, 가열식 차폐부 어레인지먼트가, 증착될 소스 재료의 증발 온도로 또는 그 초과로 가열되기 때문이다. 대신에, 분자들이 후방 산란될 것이고, 노즐들 주위에 배치된 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트를 때릴 것이다. 따라서, 증발된 소스 재료, 예컨대, OLED 제작에 사용되는 증발된 소스 재료가 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트에 응축될 것이다. 결과적으로, 후방 산란된 증발된 소스 재료는, 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들 및 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들이 깨끗한 상태로 유지되도록 제1 냉각식 차폐부 상에 수집되고, 이로써, 막힘이 방지될 수 있거나 심지어 제거될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들은 긴 시간에 걸쳐 안정적인 프로세스 조건들을 제공한다.[0069] In view of the above, it should be understood that embodiments of the evaporation source as described herein are configured to limit the angle of incidence of the evaporated source material provided on the substrate, for example, through a mask. In particular, a source of vaporized source material (e. G., A source material) is heated to or above the evaporation temperature of the source material to be deposited and has a predetermined emission angle (?) Of greater than 30 degrees, particularly greater than 40 degrees, For example, the angle of incidence of the evaporated source material provided to the substrate through the mask, may be limited to reduce the effects of the new shadowing of the mask. Thus, improved resolution of the deposited source material on the substrate can be provided. It is also possible to provide a first cooling shield arrangement arranged to cool to the condensation temperature of the source material to be deposited and arranged around and behind one or more outlets of the distribution unit, The source material can be collected so that clogging of one or more outlets of the dispensing unit can be prevented. Thus, molecules of the evaporated source material leaving the nozzle at a small angle will pass through the aperture. The molecules leaving one or more outlets, e.g., nozzles, at a large angle will strike a wall around one or more of the apertures of the heated shield array, but will not stick to the heated shield array, This is because the shielding arrangement is heated to or above the evaporation temperature of the source material to be deposited. Instead, the molecules will be backscattered and hit the first cooling shield arrangement disposed around the nozzles. Thus, the evaporated source material, e.g., the evaporated source material used for OLED fabrication, will be condensed into the first cooling shield arrangement. As a result, the backscattered evaporated source material is collected on the first cooled screen so that one or more apertures of the heated screening arrangement and one or more outlets of the dispensing unit are kept clean Whereby clogging can be prevented or even eliminated. Thus, embodiments such as those described herein provide stable process conditions over a long period of time.

[0070] 도 7은, 본원에서 설명되는 임의의 실시예들에 따른 증발 소스(100)를 포함하는, 진공 챔버(110)에서 소스 재료를 증착시키기 위한 증착 장치(150)의 개략적인 평면도를 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스는 축을 중심으로 한 회전 및 병진 이동(translational movement)을 위해 구성된다. 본원의 전형적인 실시예들에 따르면, 증발 소스는 하나 또는 그 초과의 증발 도가니들 및 하나 또는 그 초과의 분배 유닛들, 예컨대, 하나 또는 그 초과의 분배 파이프들을 가질 수 있다. 예컨대, 도 7에 도시된 증발 소스는 2개의 증발 도가니들(104) 및 2개의 분배 유닛들(130)을 포함한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 증발된 소스 재료를 수용하기 위해, 제1 기판(121) 및 제2 기판(122)이 진공 챔버(110)에 제공된다.[0070] Figure 7 illustrates a schematic plan view of a deposition apparatus 150 for depositing a source material in a vacuum chamber 110, including an evaporation source 100 according to any of the embodiments described herein. do. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the evaporation source is configured for rotational and translational movement about an axis. According to exemplary embodiments herein, the evaporation source may have one or more evaporation crucibles and one or more distribution units, e.g., one or more distribution pipes. For example, the evaporation source shown in FIG. 7 includes two evaporation crucibles 104 and two distribution units 130. 7, a first substrate 121 and a second substrate 122 are provided in the vacuum chamber 110 to accommodate the evaporated source material.

[0071] 본원의 실시예들에 따르면, 기판을 마스킹하기 위한 마스크 조립체가 기판과 증발 소스 사이에 제공될 수 있다. 마스크 조립체는 마스크, 및 마스크를 미리 결정된 포지션에 홀딩하기 위한 마스크 프레임을 포함할 수 있다. 본원의 실시예들에서, 마스크 조립체를 지지하고 변위시키기 위해, 하나 또는 그 초과의 부가적인 트랙들이 제공될 수 있다. 예컨대, 도 7에 도시된 실시예는 증발 소스(100)와 제1 기판(121) 사이에 배열된 제1 마스크 프레임(131)에 의해 지지되는 제1 마스크(133), 및 증발 소스(100)와 제2 기판(122) 사이에 배열된 제2 마스크 프레임(132)에 의해 지지되는 제2 마스크(134)를 갖는다. 제1 기판(121) 및 제2 기판(122)은 진공 챔버(110) 내의 각각의 운송 트랙들(도면들에 도시되지 않음) 상에서 지지될 수 있다.[0071] According to embodiments herein, a mask assembly for masking a substrate may be provided between the substrate and the evaporation source. The mask assembly may include a mask and a mask frame for holding the mask in a predetermined position. In the embodiments herein, one or more additional tracks may be provided to support and displace the mask assembly. 7 includes a first mask 133 supported by a first mask frame 131 arranged between the evaporation source 100 and the first substrate 121 and a second mask 133 supported by the evaporation source 100. [ And a second mask 134, which is supported by a second mask frame 132 arranged between the first substrate 122 and the second substrate 122. The first substrate 121 and the second substrate 122 may be supported on respective transport tracks (not shown in the drawings) in the vacuum chamber 110.

[0072] 도 7은, 본원에서 설명되는 바와 같이, 증착 방향으로 가열식 차폐부 어레인지먼트의 뒤에서의 증발된 소스 재료의 방출 각도(θ)를 한정하기 위해, 하나 또는 그 초과의 배출구들로부터 제공되는 증발된 소스 재료의 플룸의 방출 각도에 따라, 증발된 소스 재료를 차단하기 위해 제공되는, 본원의 실시예들에 따른 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)를 추가적으로 도시한다. 본원의 실시예들에서, 예컨대, OLED 제작 시스템에서 재료를 기판 상에 증착시키기 위해 마스크들이 사용된다면, 마스크는 약 50μm x 50μm 또는 그보다 훨씬 아래의 크기를 갖는 픽셀 개구부들, 예컨대, 단면의 치수(예컨대, 단면의 최소 치수)가 약 30μm 또는 그 미만, 또는 약 20μm인 픽셀 개구부를 갖는 픽셀 마스크일 수 있다. 일 예에서, 픽셀 마스크는 약 40μm의 두께를 가질 수 있다. 픽셀 개구부들의 크기 및 마스크의 두께를 고려하면, 마스크의 픽셀 개구부들의 벽들이 픽셀 개구부를 새도잉하는 새도잉 효과가 나타날 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 증발 소스를 제공함으로써, 새도잉 효과가 감소될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 기판 상에서의 증착된 소스 재료의 개선된 분해능이 달성될 수 있다.[0072] FIG. 7 is a graphical representation of the evaporation rate of the evaporated source material after evaporation provided from one or more outlets in order to limit the angle of emission of the evaporated source material behind the heated shield arrangement in the deposition direction, Lt; / RTI > additionally illustrates a heated shield arrangement 202 according to embodiments of the present invention provided to shield the evaporated source material, in accordance with the ejection angle of the plume of the source material. In embodiments herein, for example, if masks are used to deposit material on a substrate in an OLED fabrication system, the mask may have pixel openings having a size of about 50 [mu] m x 50 [mu] m or less, For example, the smallest dimension of the cross-section) is about 30 占 퐉 or less, or about 20 占 퐉. In one example, the pixel mask may have a thickness of about 40 占 퐉. Taking into consideration the size of the pixel openings and the thickness of the mask, a new doping effect may occur where the walls of the pixel openings of the mask refresh the pixel opening. It should be appreciated that by providing a source of evaporation as described herein, the effectiveness of the new drawing can be reduced. Thus, improved resolution of the deposited source material on the substrate can be achieved.

[0073] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판들은 본질적으로 수직 포지션에서 소스 재료로 코팅될 수 있다. 전형적으로, 분배 유닛은 본질적으로 수직으로 연장되는 라인 소스를 제공한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에서, "본질적으로 수직으로"라는 용어는, 특히, 기판 배향을 지칭할 때, 수직 방향으로부터 20° 또는 그 미만, 예컨대, 10° 또는 그 미만의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 예컨대, 수직 배향으로부터 어떠한 편차를 갖는 기판 지지부가, 더 안정적인 기판 포지션을 초래할 수 있기 때문에, 이러한 편차가 제공될 수 있다. 그러나, 소스 재료의 증착 동안에 본질적으로 수직인 기판 배향은, 수평 기판 배향과 상이한 것으로 여겨진다. 특히, 기판의 표면은 기판 한쪽 치수에 대응하는 일 방향으로 연장되는 라인 소스, 그리고 기판의 다른쪽 치수에 대응하는 다른 방향을 따른 병진 이동에 의해 코팅된다.[0073] According to the embodiments described herein, the substrates may be coated with the source material in an essentially vertical position. Typically, the dispensing unit provides an essentially vertically extending line source. In the embodiments described herein, which may be combined with other embodiments described herein, the term "essentially vertically" refers to the orientation of the substrate, particularly when it refers to the substrate orientation, , E. G., 10 degrees or less. This deviation can be provided, for example, because a substrate support having any deviation from the vertical orientation can result in a more stable substrate position. However, the substrate orientation that is essentially vertical during deposition of the source material is considered to be different from the horizontal substrate orientation. In particular, the surface of the substrate is coated by translational movement along a line source extending in one direction corresponding to one dimension of the substrate, and another direction corresponding to the other dimension of the substrate.

[0074] 도 7에 도시된 증발 소스(100)가 증착 장치(150)의 진공 챔버(110)에서 트랙 상에, 예컨대, 루프형(looped) 트랙(도면들에 도시되지 않음) 또는 선형 안내부(guide)(120) 상에 제공될 수 있다. 트랙 또는 선형 안내부(120)는 증발 소스(100)의 병진 이동을 위해 구성된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 병진 이동을 위한 구동부(drive)가, 증발 소스(100)에, 트랙 또는 선형 안내부(120)에, 진공 챔버(110) 내에, 또는 이들의 조합에 제공될 수 있다.The evaporation source 100 shown in FIG. 7 is mounted on a track in the vacuum chamber 110 of the deposition apparatus 150, for example, on a looped track (not shown in the drawings) may be provided on a guide (120). The track or linear guide 120 is configured for translational movement of the evaporation source 100. According to different embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a drive for translational movement may be provided in the evaporation source 100, in the track or linear guide 120, in a vacuum chamber 110), or a combination thereof.

[0075] 도 7은, 밸브(105), 예컨대, 게이트 밸브를 추가적으로 도시한다. 밸브(105)는 인접한 진공 챔버(도면들에 도시되지 않음)에 대한 진공 밀봉을 허용한다. 본원의 실시예들에 따르면, 밸브(105)는 진공 챔버(110) 밖으로의 그리고/또는 안으로의 기판 또는 마스크의 운송을 위해 개방될 수 있다.[0075] Figure 7 additionally illustrates a valve 105, e.g., a gate valve. Valve 105 allows vacuum sealing for adjacent vacuum chambers (not shown in the figures). According to embodiments herein, the valve 105 may be open for transport of the substrate or mask into and / or out of the vacuum chamber 110.

[0076] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 추가적인 진공 챔버, 예컨대, 유지보수 진공 챔버(111)가 진공 챔버(110)에 인접하여 제공된다. 진공 챔버(110) 및 유지보수 진공 챔버(111)는 밸브(109)에 의해 연결된다. 밸브(109)는 진공 챔버(110)와 유지보수 진공 챔버(111) 사이의 진공 밀봉을 개방하고 폐쇄하도록 구성된다. 본원의 실시예들에 따르면, 증발 소스(100)는, 밸브(109)가 개방 상태인 동안에 유지보수 진공 챔버(111)로 이송될 수 있다. 그 후에, 밸브는 진공 챔버(110)와 유지보수 진공 챔버(111) 사이에 진공 밀봉을 제공하도록 폐쇄될 수 있다. 밸브(109)가 폐쇄되면, 유지보수 진공 챔버(111)는, 진공 챔버(110)의 진공을 파괴하지 않고 증발 소스(100)의 유지보수를 위해 배기될 수 있고 개방될 수 있다.[0076] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, additional vacuum chambers, such as maintenance vacuum chambers 111, are provided adjacent to the vacuum chamber 110. The vacuum chamber 110 and the maintenance vacuum chamber 111 are connected by a valve 109. The valve 109 is configured to open and close the vacuum seal between the vacuum chamber 110 and the maintenance vacuum chamber 111. According to the embodiments herein, the evaporation source 100 can be transferred to the maintenance vacuum chamber 111 while the valve 109 is in an open state. Thereafter, the valve may be closed to provide a vacuum seal between the vacuum chamber 110 and the maintenance vacuum chamber 111. When the valve 109 is closed, the maintenance vacuum chamber 111 can be evacuated and opened for maintenance of the evaporation source 100 without breaking the vacuum of the vacuum chamber 110.

[0077] 설명된 재료 증착 어레인지먼트는, 프로세싱 방법들을 포함하는 OLED 디바이스 제조를 위한 애플리케이션들을 포함하여, 다양한 애플리케이션들을 위해 사용될 수 있고, 여기서 예컨대, 둘 또는 그 초과의 유기 재료들과 같은 둘 또는 그 초과의 소스 재료들이 동시에 증발된다. 도 7에 도시된 예에서, 둘 또는 그 초과의 분배 유닛들 및 대응하는 증발 도가니들이 나란히 제공된다.[0077] The described material deposition arrangements can be used for a variety of applications, including applications for manufacturing OLED devices including processing methods, wherein two or more such as, for example, two or more organic materials Are evaporated at the same time. In the example shown in Fig. 7, two or more distribution units and corresponding evaporation crucibles are provided side by side.

[0078] 도 7에 도시된 실시예가, 이동 가능한 증발 소스를 갖는 증착 장치를 제공하지만, 당업자는 상기 설명된 실시예들이 또한, 프로세싱 동안 기판이 이동되는 증착 시스템들에 적용될 수 있다는 점을 이해할 수 있다. 예컨대, 코팅될 기판들이 고정식(stationary) 재료 증착 어레인지먼트들을 따라 안내되고 구동될 수 있다.[0078] While the embodiment shown in FIG. 7 provides a deposition apparatus with a movable evaporation source, those skilled in the art will appreciate that the embodiments described above can also be applied to deposition systems in which the substrate is moved during processing have. For example, the substrates to be coated can be guided and driven along stationary material deposition arrangements.

[0079] 본원에서 설명되는 실시예들은 특히, 예컨대, OLED 디스플레이 제조를 위한 유기 재료들의 대면적 기판들 상에서의 증착에 관한 것이다. 몇몇 실시예들에 따르면, 대면적 기판들 또는 하나 또는 그 초과의 기판들을 지지하는 캐리어는 적어도 0.174㎡의 크기를 가질 수 있다. 예컨대, 증착 시스템은 대면적 기판들, 예컨대, 약 1.4㎡ 기판들(1.1m x 1.3m)에 대응하는 5 세대, 약 4.29㎡ 기판들(1.95m x 2.2m)에 대응하는 7.5 세대, 약 5.7㎡ 기판들(2.2m x 2.5m)에 대응하는 8.5 세대, 또는 심지어, 약 8.7㎡ 기판들(2.85m x 3.05m)에 대응하는 10 세대의 기판들을 프로세싱하도록 적응될 수 있다. 심지어 11 세대 및 12 세대와 같은 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.[0079] The embodiments described herein are particularly directed to, for example, deposition on large area substrates of organic materials for OLED display fabrication. According to some embodiments, large area substrates or carriers supporting one or more substrates may have a size of at least 0.174 m 2. For example, the deposition system may be a fifth generation, corresponding to about 1.4 square meters substrates (1.1 mx 1.3 m), a 7.5 generation substrate corresponding to about 4.29 square meters (1.95 mx 2.2 m), about 5.7 square meters substrate Generation substrates corresponding to 8.5 generations, or even about 8.7 m 2 substrates (2.85 m x 3.05 m), corresponding to the substrate (2.2 m x 2.5 m). Even larger generations such as the eleventh and twelfth generations and corresponding substrate areas can similarly be implemented.

[0080] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원의 실시예들에 따르면, 기판 두께는 0.1mm 내지 1.8mm 일 수 있고, 기판을 위한 홀딩 어레인지먼트는 그러한 기판 두께들에 대해 적응될 수 있다. 그러나 특히, 기판 두께는 약 0.9mm 또는 그 미만, 예컨대, 0.5mm 또는 0.3mm일 수 있고, 홀딩 어레인지먼트들은 그러한 기판 두께들에 대해 적응된다. 전형적으로, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 만들어질 수 있다. 예컨대, 기판은, 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는, 유리(예컨대, 소다-라임 유리(soda-lime glass) 또는 보로실리케이트(borosilicate) 유리), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 또는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 만들어질 수 있다.[0080] According to embodiments herein, which may be combined with other embodiments described herein, the substrate thickness may be 0.1 mm to 1.8 mm, and the holding arrangement for the substrate may be adapted for such substrate thicknesses . In particular, however, the substrate thickness may be about 0.9 mm or less, e.g., 0.5 mm or 0.3 mm, and the holding arrangements are adapted for such substrate thicknesses. Typically, the substrate may be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate may be a glass (e.g., soda-lime glass or borosilicate glass), a metal, a polymer, a ceramic, a compound material, a carbon fiber material , Or any other material or combination of materials.

[0081] 도 8a는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 소스 재료를 기판 상에 증착시키는 방법(800)을 예시하는 개략적인 블록도를 도시한다. 방법은, 소스 재료를 증발시키는 단계(810), 및 증발된 소스 재료를 기판에 적용하는 단계(820)를 포함한다. 또한, 증발된 소스 재료를 기판에 적용하는 단계(820)는 증발된 소스 재료를 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들을 통해 증착 방향으로 제공하는 단계(821), 및 증발된 소스 재료를 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 개구부들 및 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들을 통과시키는 단계(822)를 포함할 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같이 소스 재료를 증착시키는 방법의 실시예들은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스를 채용함으로써 수행된다.[0081] Figure 8a shows a schematic block diagram illustrating a method 800 of depositing a source material onto a substrate in accordance with embodiments described herein. The method includes a step 810 of evaporating the source material and a step 820 of applying the evaporated source material to the substrate. In addition, applying 820 the evaporated source material to the substrate may include providing 821 the evaporated source material in the deposition direction through one or more outlets of the dispensing unit, (822) one or more apertures of the cooling shield arrangement and one or more apertures of the heated shield arrangement. In particular, embodiments of a method of depositing a source material as described herein are performed by employing an evaporation source in accordance with the embodiments described herein.

[0082] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 본원의 실시예들에 따르면, 소스 재료를 기판 상에 증착시키는 방법은 가열식 차폐부 어레인지먼트를, 증착될 소스 재료의 증발 온도로 또는 그 초과로 가열하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 가열식 차폐부 어레인지먼트 상에의 증발된 소스 재료의 축적이 방지될 수 있다. 특히, 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들의 막힘이 방지될 수 있거나 심지어 제거될 수 있다.[0082] According to embodiments of the present invention, which may be combined with other embodiments described herein, a method of depositing a source material on a substrate may include depositing a heated shield arrangement on the evaporation temperature of the source material to be deposited, ≪ / RTI > Thus, accumulation of evaporated source material on the heated shield arrangement can be prevented. In particular, clogging of one or more of the apertures of the heated shield arrangement can be prevented or even eliminated.

[0083] 예시적으로 도 8b를 참조하여, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가적인 실시예들에 따르면, 방법은, 제1 냉각식 어레인지먼트 상의 가열식 차폐부 어레인지먼트에 의해 차단된, 증발된 소스 재료의 부분을 수집하는 단계(830)를 포함할 수 있다. 따라서, 안정적인 증착 프로세스 조건들이 긴 시간 동안 유지될 수 있도록, 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들은 증착 프로세스 내내 깨끗한 상태로 유지되고 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들의 막힘이 회피될 수 있거나 심지어 제거될 수 있다.[0083] Illustratively, referring to Figure 8b, according to further embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the method may comprise the steps of: intercepting by a heated shield arrangement on the first cooling arrangement And collecting (830) a portion of the evaporated source material. Thus, one or more outlets of the dispensing unit may be kept clean throughout the deposition process, so that clogging of one or more outlets of the dispensing unit may be avoided, or even so that stable deposition process conditions can be maintained for a long time, Can be removed.

[0084] 따라서, 상기 내용을 고려하여, 본원에서 설명되는 바와 같이 소스 재료를 기판 상에 증착시키는 방법의 실시예들이 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들 및 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들의 막힘을 방지하거나 심지어 제거하는 것을 제공하고, 이로써, 긴 시간에 걸친 안정적인 증착 프로세스 조건들이 달성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 소스 재료를 기판 상에 증착시키는 방법의 실시예들은, 예컨대, 고분해능 디스플레이 제작, 특히, 고분해능 OLED 디스플레이들을 위해, 기판 상에서의 증착된 소스 재료의 개선된 분해능과, 새도잉 효과들을 감소시키는 것을 제공한다.[0084] Thus, in view of the foregoing, it will be appreciated that embodiments of the method of depositing the source material on a substrate as described herein may be applied to one or more of the apertures of the heated- It should be understood that it is possible to prevent or even eliminate the clogging of excess outlets, thereby allowing stable deposition process conditions over a long period of time to be achieved. Also, embodiments of the method of depositing the source material on a substrate as described herein can provide improved resolution of the deposited source material on the substrate, for example, for high resolution display fabrication, particularly for high resolution OLED displays, Lt; / RTI > effects.

[0085] 이러한 서면 설명은 예들을 사용해서, 최상의 모드를 포함하여, 본 개시내용을 개시하고, 그리고 또한, 임의의 디바이스들 또는 시스템들을 만들고 사용하며 임의의 통합된 방법들을 수행하는 것을 포함하여, 설명된 청구대상을 당업자가 실시할 수 있게 한다. 다양한 특정 실시예들이 앞서 개시되었지만, 상기 설명된 실시예들의 상호 비-배타적인 특징들이 서로 결합될 수 있다. 특허 가능 범위는 청구항들에 의해 정의되고, 다른 예들은, 청구항들이, 청구항들의 문언(literal language)과 다르지 않은 구조적 엘리먼트들을 갖거나, 또는 청구항들이, 청구항들의 문언과 사소한 차이들을 갖는 등가의 구조적 엘리먼트들을 포함하는 경우에, 청구항들의 범위 내에 있는 것으로 의도된다.This written description uses examples to describe the present disclosure, including the best mode, and also includes steps for making and using any devices or systems and performing any integrated methods, To enable those skilled in the art to practice the claimed subject matter. While various specific embodiments have been disclosed above, the mutually exclusive features of the described embodiments may be combined with one another. The patentable scope is defined by the claims, and other examples are intended to encompass both structural elements having claims that differ from the literal language of the claims, or claims having equivalent structural elements having minor differences from the words of the claims Are intended to be within the scope of the claims.

Claims (15)

소스 재료를 기판(10) 상에 증착시키기 위한 증발 소스(evaporation source; 100)로서,
증발 도가니(evaporation crucible; 104) ― 상기 증발 도가니는 상기 소스 재료를 증발시키도록 구성됨 ―;
하나 또는 그 초과의 배출구들(212)을 갖는 분배 유닛(distribution unit; 130) ― 상기 분배 유닛은 상기 증발 도가니와 유체 연통(fluid communication)하고, 상기 하나 또는 그 초과의 배출구들은 상기 소스 재료를 증착 방향(101)으로 상기 기판에 제공하도록 구성됨 ―;
하나 또는 그 초과의 개구부들(221)을 포함하는 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(cooling shield arrangement; 201); 및
상기 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)로부터 소정 거리에 제공된 가열식 차폐부 어레인지먼트(heated shield arrangement; 202)를 포함하고, 상기 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(apertures; 222)을 포함하고 증착될 상기 소스 재료의 증발 온도로 또는 그 초과로 가열되도록 구성되며,
상기 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)는 상기 분배 유닛(130)과 상기 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 사이에 배열되고,
상기 증발 소스(100)는 상기 증착 방향(101)으로 상기 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)로부터 상기 하나 또는 그 초과의 개구부들(221) 및 상기 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)을 통하여 상기 기판으로의 소스 재료를 위한 경로를 정의하도록 구성되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.An evaporation source (100) for depositing a source material on a substrate (10)
An evaporation crucible (104) configured to evaporate said source material;
A dispensing unit (130) having one or more outlets (212), said dispensing unit being in fluid communication with said evaporation crucible, said one or more outlets being adapted to deposit said source material In a direction (101);
A first cooling shield arrangement (201) comprising one or more openings (221); And
And a heated shield arrangement 202 provided at a predetermined distance from the first cooling shield arrangement 201. The heated shield arrangement 202 may include one or more apertures 222) and is heated to or above the evaporation temperature of the source material to be deposited,
The first cooling shield array 201 is arranged between the distribution unit 130 and the heated shield array 202,
The evaporation source 100 is configured to dispense the one or more openings 221 and one or more of the apertures 222 from the one or more outlets 212 in the deposition direction 101. [ Wherein the substrate is configured to define a path for the source material to the substrate,
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는 증착될 상기 소스 재료의 증발 온도로 가열되도록 구성되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.The method according to claim 1,
Wherein the heated shield array 202 is configured to be heated to an evaporation temperature of the source material to be deposited,
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)는, 증착될 상기 소스 재료의 응축 온도로 냉각되도록 구성되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.3. The method according to claim 1 or 2,
The first cooling shield arrangement (201) is configured to cool to a condensing temperature of the source material to be deposited.
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)은, 상기 증착 방향(101)으로, 상기 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)과 정렬되도록 배열되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.3. The method according to claim 1 or 2,
One or more of the apertures 222 of the heated shield array 202 are aligned in the deposition direction 101 with one or more outlets 212 of the distribution unit 130 Arranged,
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)는 상기 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)을 측방향으로 둘러싸도록 구성되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.3. The method according to claim 1 or 2,
The first cooling shield arrangement 201 is configured to laterally surround one or more outlets 212 of the distribution unit 130. In one embodiment,
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)은 상기 분배 유닛의 가열식 벽(135)에 제공되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.3. The method according to claim 1 or 2,
One or more outlets (212) of the dispensing unit (130) are provided on a heated wall (135) of the dispensing unit,
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 6 항에 있어서,
상기 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)와 상기 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)은 동일한 열 팽창을 나타내도록 구성되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.The method according to claim 6,
Wherein the heated shield arrangement 202 and the heated wall 135 of the dispensing unit 130 are configured to exhibit the same thermal expansion,
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 7 항에 있어서,
상기 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)는 연결 엘리먼트(232)를 통해 상기 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)과 연결되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.8. The method of claim 7,
The heated shield arrangement 202 is connected to the heated wall 135 of the distribution unit 130 via a connection element 232,
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 연결 엘리먼트(232)는 상기 분배 유닛(130)의 가열식 벽(135)과 상기 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 사이의 거리를 조정하도록 구성되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.9. The method of claim 8,
The connection element 232 is configured to adjust the distance between the heated wall 135 of the distribution unit 130 and the heated shield array 202. [
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 증착 방향(101)으로 상기 가열식 차폐부 어레인지먼트(202) 뒤에 배열되는 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)가 제공되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a second cooling shield arrangement (203) is arranged behind the heated shield arrangement (202) in the deposition direction (101)
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 10 항에 있어서,
상기 제2 냉각식 차폐부 어레인지먼트(203)는 상기 증착 방향(101)으로 상기 가열식 차폐부 어레인지먼트(202)의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들(222)과 정렬되도록 배열되는 하나 또는 그 초과의 개구부들(223)을 포함하는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.11. The method of claim 10,
The second cooling shield arrangement 203 is configured to align one or more apertures 222 in the deposition direction 101 with one or more apertures 222 of the heated shield array 202. [ Lt; RTI ID = 0.0 > 223, <
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 분배 유닛(130)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(212)은, 상기 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트(201)의 하나 또는 그 초과의 개구부들(221)로부터 돌출되는, 상기 증착 방향(101)을 따라 연장되는 하나 또는 그 초과의 노즐들(125)인,
소스 재료를 기판 상에 증착시키기 위한 증발 소스.3. The method according to claim 1 or 2,
One or more outlets (212) of the dispensing unit (130) are arranged in the deposition direction (101), which protrudes from one or more openings (221) of the first cooling shield arrangement (201) , And one or more nozzles (125)
A vapor source for depositing a source material on a substrate. 진공 챔버에서 소스 재료를 증착시키기 위한 증착 장치(150)로서,
상기 장치는, 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 하나 또는 그 초과의 증발 소스들(100)을 포함하는,
증착 장치.A deposition apparatus (150) for depositing a source material in a vacuum chamber,
The apparatus comprises one or more evaporation sources (100) according to claim 1 or 2,
Deposition apparatus. 소스 재료를 기판 상에 증착시키는 방법(800)으로서,
상기 소스 재료를 증발시키는 단계(810); 및
증발된 소스 재료를 상기 기판에 적용하는 단계(820)를 포함하고,
상기 증발된 소스 재료를 상기 기판에 적용하는 단계(820)는,
상기 증발된 소스 재료를 분배 유닛의 하나 또는 그 초과의 배출구들을 통해 증착 방향으로 제공하는 단계(821), 및
상기 증발된 소스 재료를 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 개구부들 및 가열식 차폐부 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 애퍼처들을 통과시키는 단계(822)를 포함하고, 상기 가열식 차폐부 어레인지먼트는 증착될 상기 소스 재료의 증발 온도로 또는 그 초과로 가열되도록 구성되는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키는 방법.A method (800) for depositing a source material on a substrate,
Evaporating the source material (810); And
And applying (820) vaporized source material to the substrate,
Applying (820) the evaporated source material to the substrate,
Providing (821) the vaporized source material in one or more outlets of the dispensing unit in a deposition direction, and
(822) passing the evaporated source material through one or more apertures of the first cooling shield arrangement and one or more apertures of the heated shield arrangement, wherein the heated shield arrangement Is configured to be heated to or above the evaporation temperature of the source material to be deposited,
A method of depositing a source material on a substrate. 제 14 항에 있어서,
상기 제1 냉각식 차폐부 어레인지먼트 상에, 상기 가열식 차폐부 어레인지먼트에 의해 차단된, 증발된 소스 재료의 부분을 수집하는 단계(830)를 더 포함하는,
소스 재료를 기판 상에 증착시키는 방법.15. The method of claim 14,
Further comprising collecting (830), on the first cooling shield arrangement, a portion of the evaporated source material that is blocked by the heated shield arrangement.
A method of depositing a source material on a substrate.
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