KR101861320B1

KR101861320B1 - Method for maintaining spaces between chips

Info

Publication number: KR101861320B1
Application number: KR1020120095456A
Authority: KR
Inventors: ?이치로 히로사와; 이치로 히로사와; 요시아키 요도; 다카시 나가오
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2011-09-01
Filing date: 2012-08-30
Publication date: 2018-05-28
Also published as: JP2013055138A; KR20130026985A; JP5800646B2

Abstract

본 발명은 테이프를 확장 후 가열하여 수축시킨 후에도, 칩의 간격을 테이프를 확장한 상태에서 유지할 수 있는 칩 간격 유지 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
디바이스 웨이퍼가 분할되어 형성된 복수의 칩의 간격을 확장하여 유지하는 본 발명의 칩 간격 유지 방법은, 디바이스 웨이퍼의 표면으로부터 상기 분할 예정 라인을 따라 칩의 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈을 형성하는 홈 형성 단계와, 상기 홈이 형성된 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 디바이스 웨이퍼를 상기 칩의 마무리 두께로 박화하고, 디바이스 웨이퍼의 이면에 상기 홈을 노출시키는 것에 의해 디바이스 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하는 분할 단계와, 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼의 이면에 확장성을 가지며 소정 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 테이프를 부착하고, 이 테이프의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 테이프 부착 단계와, 이 테이프를 확장하여 인접하는 상기 칩의 간격을 확장하는 테이프 확장 단계와, 이 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼가 부착되어 있는 상기 테이프의 영역을 흡인 유지 테이블로 흡인 유지하면서, 상기 테이프의 디바이스 웨이퍼의 외측과 상기 환형 프레임의 내주 사이 영역을 가열하여 상기 테이프를 수축시킴으로써, 인접하는 상기 칩 사이의 간격을 유지하는 칩 간격 유지 단계를 구비하고, 상기 테이프 부착 단계에서는, 상기 테이프의 텐션 방향과 디바이스 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 평행하지 않게 한 상태에서 상기 테이프가 디바이스 웨이퍼에 부착되는 것을 특징으로 한다.It is an object of the present invention to provide a chip interval maintaining method capable of maintaining a gap of a chip in a state in which a tape is extended even after a tape is expanded and then heated and shrunk.
The present invention provides a method of forming a groove for forming a groove having a depth from the surface of a device wafer to the finishing thickness of the chip along the line along which the chip is to be divided, A dividing step of dividing the device wafer into a plurality of chips by grinding the back surface of the grooved device wafer to thin the device wafer to the finished thickness of the chip and exposing the grooves to the back surface of the device wafer A tape attaching step of attaching a tape having expandability to a back surface of a device wafer divided into a plurality of chips and attaching a tape exhibiting shrinkability to a heating furnace at a predetermined temperature or more and attaching the outer peripheral portion of the tape to the annular frame, A tape expanding step of expanding an interval between adjacent chips, The region between the outer periphery of the device wafer of the tape and the inner periphery of the annular frame is heated to contract the tape while suctioning the area of the tape to which the device wafer divided by the plurality of chips is attached, Wherein the tape is attached to the device wafer in a state in which the tension direction of the tape and the scheduled line to be divided of the device wafer are not parallel to each other, .

Description

칩 간격 유지 방법{METHOD FOR MAINTAINING SPACES BETWEEN CHIPS}{METHOD FOR MAINTAINING SPACES BETWEEN CHIPS}

본 발명은, 디바이스 웨이퍼가 분할되어 형성된 복수의 칩의 간격을 확장하여 유지하는 칩 간격 유지 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chip gap maintaining method for extending and maintaining a gap between a plurality of chips formed by dividing a device wafer.

표면에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 IC, LSI 등의 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼는, 이면이 연삭되어 원하는 두께로 가공된 후, 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스칩으로 분할되고, 분할된 디바이스칩은 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 각종 전기기기에 널리 이용되고 있다.Device wafers each having devices such as ICs and LSIs formed in respective regions partitioned by a plurality of lines to be divided formed in a lattice pattern on the surface are ground to a desired thickness by grinding the back surface, And the divided device chips are widely used for various electric devices such as mobile phones and personal computers.

디바이스 웨이퍼는, 점착테이프인 다이싱 테이프를 개재하여 환형 프레임으로 지지되고, 이 상태로 절삭 장치의 척 테이블에 탑재된다. 디바이스 웨이퍼의 절삭에는, 절삭 블레이드를 회전 가능하게 지지하는 절삭 유닛을 구비한 다이싱소라고 불리는 절삭 장치가 널리 사용되고 있다.The device wafer is supported by an annular frame via a dicing tape as an adhesive tape, and mounted on a chuck table of the cutting device in this state. BACKGROUND ART [0002] A cutting device called a dicing saw having a cutting unit for rotatably supporting a cutting blade is widely used for cutting a device wafer.

절삭 장치에 의한 절삭에서는, 두께 20 ㎛∼40 ㎛ 정도의 환형의 절삭날을 갖는 절삭 블레이드를 고속 회전시켜 웨이퍼에 절입하고, 분할 예정 라인을 따라 분할홈을 형성하기 때문에, 분할 예정 라인에 어느 정도의 폭이 필요하다.In the cutting by the cutting apparatus, the cutting blade having an annular cutting edge with a thickness of about 20 占 퐉 to 40 占 퐉 is rotated at a high speed to feed the wafer into the wafer, and a dividing groove is formed along the line to be divided. .

그래서, 최근 분할 예정 라인의 폭을 좁게 하여 1장의 디바이스 웨이퍼에서의 디바이스칩의 부분을 늘리는 방법으로서, 디바이스 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성한 후, 디바이스 웨이퍼에 외력을 부여하고 개질층을 분할 기점으로 하여 개개의 칩으로 분할하는 방법이 예컨대 일본 특허 공개 제2005-129607호 공보에 개시되어 있다.As a method of increasing the portion of the device chip in a single device wafer by narrowing the width of the line to be divided recently, a laser beam having a transmittance to the device wafer is irradiated to form a modified layer inside the wafer, For example, Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2005-129607 discloses a method in which an external force is applied to a semiconductor chip and the modified layer is divided into individual chips as a starting point.

이 방법에서는, 분할된 칩 사이의 간격이 거의 없기 때문에, 디바이스 웨이퍼 분할 후의 핸들링시 등에서 인접하는 칩끼리가 접촉하여, 칩에 이지러짐을 발생시킨다고 하는 문제가 있다.In this method, since there is almost no gap between the divided chips, adjacent chips are brought into contact with each other at the time of handling after the device wafer is divided, and the chips are liable to be pulled out.

이 문제를 해결하기 위해, 예컨대 일본 특허 공개 제2002-334852호 공보에는, 테이프를 확장하여 디바이스 웨이퍼를 칩으로 분할 후에, 디바이스 웨이퍼의 외주 가장자리와 환형 프레임의 내주 사이 영역의 테이프를 가열하여 수축시킴으로써, 칩 간격을 유지하는 방법이 개시되어 있다.In order to solve this problem, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2002-334852 discloses a technique of expanding a tape to divide a device wafer into chips and then shrinking the tape in the region between the outer periphery of the device wafer and the inner periphery of the annular frame , A method for maintaining the chip interval is disclosed.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2005-129607호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-129607 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2002-334852호 공보Patent Document 2: JP-A-2002-334852

그런데, 특허문헌 2에 개시된 방법과 같이 테이프를 확장 후에 가열하여 테이프를 수축시키면, 테이프에 텐션이 걸린 방향에 대하여 직교하는 방향에서 테이프가 중심 방향으로 수축한 주름이 발생한다고 하는 문제가 있다.However, when the tape is shrunk by heating after the tape is stretched as in the method disclosed in Patent Document 2, there is a problem that wrinkles are generated in which the tape shrinks in the direction perpendicular to the direction in which the tension is applied to the tape.

이것은 테이프의 제법상, 테이프에는 한 방향으로 텐션이 결려 있기 때문으로 추측된다. 주름이 디바이스 웨이퍼의 분할 예정 라인과 평행하게 발생하면, 칩 간격을 유지할 수 없고 인접하는 칩끼리가 접촉하여 칩에 이지러짐을 발생시키는 경우가 있기 때문에 문제가 된다.This is presumably because the tension of the tape in one direction is inferior to that of the tape. If the corrugations are generated in parallel with the line to be divided of the device wafer, the chip spacing can not be maintained, and adjacent chips may come into contact with each other to cause the chip to be broken.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 것은, 테이프를 확장 후 가열하여 수축시킨 후에도, 칩 간격을 테이프를 확장한 상태에서 유지할 수 있는 칩 간격 유지 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a chip interval maintenance method capable of maintaining a chip interval in a state in which a tape is extended even after a tape is stretched and then shrunk by heating.

청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 디바이스 웨이퍼가 분할되어 형성된 복수의 칩의 간격을 확장하여 유지하는 칩 간격 유지 방법으로서, 표면에서 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획되는 각 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼를 준비하는 디바이스 웨이퍼 준비 단계와, 이 디바이스 웨이퍼 준비 단계에서 준비한 디바이스 웨이퍼의 표면으로부터 상기 분할 예정 라인을 따라 칩의 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈을 형성하는 홈 형성 단계와, 상기 홈이 형성된 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 디바이스 웨이퍼를 상기 칩의 마무리 두께로 박화하고, 디바이스 웨이퍼의 이면에 상기 홈을 노출시키는 것에 의해 디바이스 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하는 분할 단계와, 이 분할 단계를 실시한 후, 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼의 이면에 확장성(expandability)을 가지며 소정 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 테이프를 부착하고, 이 테이프의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 테이프 부착 단계와, 이 테이프 부착 단계를 실시한 후, 상기 테이프를 확장하여 인접하는 상기 칩의 간격을 확장하는 테이프 확장 단계와, 이 테이프 확장 단계를 실시한 후, 상기 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼가 부착되어 있는 상기 테이프의 영역을 흡인 유지 테이블로 흡인 유지하면서, 상기 테이프의 디바이스 웨이퍼의 외측과 상기 환형 프레임의 내주 사이 영역을 가열하여 상기 테이프를 수축시킴으로써, 인접하는 상기 칩 사이의 간격을 유지하는 칩 간격 유지 단계를 포함하고, 상기 테이프 부착 단계에서는, 상기 테이프의 텐션 방향과 디바이스 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 평행하지 않게 한 상태에서 상기 테이프가 디바이스 웨이퍼에 부착되는 것을 특징으로 하는 칩 간격 유지 방법이 제공된다.According to the invention as set forth in claim 1, there is provided a chip gap holding method for holding and maintaining a gap between a plurality of chips formed by dividing a device wafer, the chip gap holding method comprising: A groove forming step of forming a groove having a depth from the surface of the device wafer prepared in the device wafer preparing step to a finishing thickness of the chip along the expected line to be divided; A step of dividing the device wafer into a plurality of chips by exposing the grooves to the back surface of the device wafer by grinding the back surface of the device wafer to a finishing thickness of the chip and dividing the device wafer into a plurality of chips, Device wafer < RTI ID = 0.0 > A tape attaching step of attaching a tape having expandability to the back surface of the tape and exhibiting shrinkability by heating at a predetermined temperature or more and attaching the outer peripheral portion of the tape to the annular frame; Extending the gap between the chips adjacent to each other and extending the gap between the adjacent chips; expanding the gap between adjacent chips by expanding the gap between adjacent chips, And holding a gap between adjacent chips by heating an area between the outer side of the device wafer of the tape and the inner circumference of the annular frame to shrink the tape, and in the tape attaching step, Parallel to the line to be divided of the device wafer And the tape is attached to the device wafer in a state in which the tape is not held.

청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 청구항 1에 기재된 발명에서, 상기 테이프는, 상기 테이프에 부착되는 디바이스 웨이퍼보다 큰 면적을 갖고 상기 테이프 위에 부착된 접착 필름을 포함하고, 상기 테이프 부착 단계에서는, 상기 테이프와 함께 상기 접착 필름이 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼의 이면에 부착되며, 상기 테이프 확장 단계에서는, 상기 테이프와 함께 상기 접착 필름이 확장됨으로써 상기 접착 필름이 상기 칩을 따라 파단되는 칩 간격 유지 방법이 제공된다.According to the invention as set forth in claim 2, in the invention according to claim 1, the tape includes an adhesive film having an area larger than that of the device wafer attached to the tape, and in the tape attaching step, Wherein the adhesive film is attached to a back surface of a device wafer divided into a plurality of chips, and in the tape expanding step, the adhesive film is extended together with the tape to thereby break the adhesive film along the chip / RTI >

청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 디바이스 웨이퍼의 분할 예정 라인과 테이프의 텐션 방향이 평행하지 않게 되도록 테이프가 디바이스 웨이퍼에 부착된다. 따라서, 테이프 확장시의 주름의 발생 방향이 분할 예정 라인과 평행하게 되지 않기 때문에, 칩의 간격을 확장한 상태에서 유지할 수 있다.According to the invention as set forth in claim 1, the tape is attached to the device wafer such that the direction in which the line to be divided of the device wafer is not parallel to the tension direction of the tape. Therefore, since the generation direction of the wrinkles at the time of tape extension does not become parallel to the line to be divided, the interval of the chips can be maintained in the expanded state.

청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 디바이스 웨이퍼의 분할 예정 라인과 테이프의 텐션 방향이 평행하지 않게 되도록 접착 필름을 갖는 테이프가 디바이스 웨이퍼에 부착됨으로써, 접착 필름을 칩을 따라 파단할 때의 파단 불량을 방지할 수 있다.According to the invention described in claim 2, since the tape having the adhesive film is attached to the device wafer such that the line to be divided of the device wafer and the direction of tension of the tape are not parallel to each other, can do.

도 1은 디바이스 웨이퍼의 사시도.
도 2의 (A)는 홈 형성 단계를 도시하는 사시도이고, 도 2의 (B)는 홈 형성 단계에서 형성된 절삭홈을 갖는 웨이퍼의 단면도.
도 3은 홈 형성 단계 종료 후의 디바이스 웨이퍼의 사시도.
도 4는 분할 단계를 도시하는 사시도.
도 5는 분할 단계 종료 후의 표면 보호 테이프에 부착된 디바이스 웨이퍼의 사시도.
도 6은 테이프 부착 장치의 사시도.
도 7은 테이프 부착 장치의 일부 단면 측면도.
도 8은 테이프 부착 단계의 설명도.
도 9는 커터 어셈블리가 작동 위치에 하강되어 있는 상태의 테이프 부착 장치의 일부 단면 측면도.
도 10은 DAF를 갖는 점착테이프를 개재하여 환형 프레임에 지지된 디바이스 웨이퍼의 사시도.
도 11은 디바이스 웨이퍼의 이면에 부착된 DAF에 파단 기점을 형성하는 파단 기점 형성 단계의 제1 실시형태를 도시하는 사시도.
도 12는 테이프 확장 단계를 도시하는 단면도.
도 13은 칩 간격 유지 단계를 도시하는 단면도.1 is a perspective view of a device wafer;
FIG. 2 (A) is a perspective view showing a groove forming step, and FIG. 2 (B) is a sectional view of a wafer having a cutting groove formed in a groove forming step.
3 is a perspective view of the device wafer after the groove forming step is completed;
4 is a perspective view showing a dividing step;
5 is a perspective view of a device wafer attached to a surface protection tape after the dividing step is completed;
6 is a perspective view of a tape attaching apparatus.
7 is a partial cross-sectional side view of the tape adhering apparatus.
8 is an explanatory diagram of a tape attaching step.
9 is a partial cross-sectional side view of the tape attaching device with the cutter assembly lowered to the operating position.
10 is a perspective view of a device wafer supported on an annular frame via an adhesive tape having a DAF;
11 is a perspective view showing a first embodiment of a breaking origin forming step of forming a breaking origin in a DAF attached to a back surface of a device wafer;
12 is a sectional view showing a tape expanding step;
13 is a cross-sectional view showing a chip interval maintenance step;

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다. 디바이스 웨이퍼(11)는, 예컨대 두께가 700 ㎛인 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(11a)에 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)이 격자형으로 형성되어 있으며, 이들 복수의 분할 예정 라인(13)에 의해 구획된 각 영역에 각각 IC, LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to Fig. 1, a front side perspective view of the device wafer 11 is shown. The device wafer 11 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 占 퐉. A plurality of lines 13 to be divided (streets) 13 are formed in a lattice pattern on the surface 11a. Devices 13 such as ICs and LSIs are formed in the respective areas defined by the ICs 13 and 13, respectively.

이와 같이 구성된 디바이스 웨이퍼(11)는, 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(19)을 구비하고 있다. 디바이스 웨이퍼(11)의 외주에는, 실리콘 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 마크로서의 노치(21)가 형성되어 있다.The device wafer 11 constructed as described above has a device region 17 in which the device 15 is formed and an outer peripheral region 19 surrounding the device region 17. On the outer periphery of the device wafer 11, a notch 21 is formed as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

본 발명의 칩 간격 유지 방법에서는, 우선, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 분할 예정 라인(13)을 따라 칩의 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈을 형성하는 홈 형성 단계를 실시한다. 이 홈 형성 단계에 대해서 도 2의 (A)를 참조하여 설명한다.In the chip gap maintaining method of the present invention, a groove forming step for forming a groove having a depth from the surface 11a of the device wafer 11 along the line to be divided 13 to the finish thickness of the chip is first performed. This groove forming step will be described with reference to Fig. 2 (A).

도 2의 (A)에 도시하는 절삭 장치(2)는, 흡인 유지 수단을 구비하고 X축 방향으로 이동 가능한 척 테이블(4)과, 절삭 유닛(6)과, 절삭 유닛(6)과 일체적으로 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능한 얼라인먼트 유닛(8)을 포함하고 있다.The cutting apparatus 2 shown in Fig. 2A is provided with a chuck table 4 having a suction holding means and movable in the X-axis direction, a cutting unit 6, And an alignment unit 8 movable in the Y-axis direction and the Z-axis direction.

절삭 유닛(6)은, 도시하지 않는 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들(10)과, 스핀들(10)의 선단부에 장착된 절삭 블레이드(12)를 구비하고 있다. 얼라인먼트 유닛(8)은, 현미경 및 CCD 카메라 등을 갖는 촬상 수단(14)을 구비하고 있다.The cutting unit 6 is provided with a spindle 10 that is rotationally driven by a motor (not shown) and a cutting blade 12 mounted on the tip of the spindle 10. The alignment unit 8 is provided with imaging means 14 having a microscope and a CCD camera or the like.

홈 형성 단계를 실시하기 위해서는, 척 테이블(4) 위에 디바이스 웨이퍼(11)를 그 표면(11a)을 위로 하여 배치한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동하는 것에 의해, 웨이퍼(11)를 척 테이블(4) 위에 흡인 유지한다.In order to perform the groove forming step, the device wafer 11 is placed on the chuck table 4 with its surface 11a facing upward. Then, the wafer 11 is held on the chuck table 4 by suction by operating suction means (not shown).

이와 같이 하여, 웨이퍼(11)를 흡인 유지한 척 테이블(4)은, 도시하지 않는 가공 이송 기구에 의해 촬상 수단(14)의 바로 아래에 위치한다. 척 테이블(4)이 촬상 수단(14) 바로 아래에 위치하면, 촬상 수단(14) 및 도시하지 않는 제어 수단에 의해, 디바이스 웨이퍼(11)에 절삭홈을 형성해야 하는 절삭 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실시한다.Thus, the chuck table 4 with the wafer 11 sucked and held is positioned directly below the image pickup means 14 by a not shown feed mechanism. When the chuck table 4 is located directly under the image pickup means 14, the image pickup means 14 and the control means (not shown) perform an alignment operation .

즉, 촬상 수단(14) 및 도시하지 않는 제어 수단은, 디바이스 웨이퍼(11)의 제1 방향으로 신장되어 있는 분할 예정 라인(13)과, 절삭 블레이드(12)와의 위치를 정렬하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하고, 절삭 영역의 얼라인먼트를 수행한다. 또한 척 테이블(4)을 90˚ 회전한 후, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)에 대해서도, 마찬가지로 절삭 영역의 얼라인먼트를 수행한다.That is, the imaging means 14 and the control means (not shown) perform pattern matching for aligning the position of the cutting blade 12 with the line to be divided 13 extending in the first direction of the device wafer 11 And carries out alignment of the cutting area. After the chuck table 4 is rotated by 90 degrees, alignment of the cutting area is likewise performed on the line to be divided 13 extending in the second direction orthogonal to the first direction.

이러한 얼라인먼트 실시 후, 디바이스 웨이퍼(11)를 유지한 척 테이블(4)을 절삭 영역의 절삭 시작 위치에 이동시킨다. 그리고, 절삭 블레이드(12)를 도 2의 (A)에서, 화살표 A로 도시하는 방향으로 회전하면서 아래쪽으로 이동하여 소정량의 절입 이송을 실시한다.After this alignment, the chuck table 4 holding the device wafer 11 is moved to the cutting start position of the cutting area. Then, the cutting blade 12 is moved downward while rotating in the direction shown by the arrow A in Fig. 2A, and a predetermined amount of infeed is fed.

이 절입 이송량은, 절삭 블레이드(12)의 외주 가장자리가 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 디바이스(칩)의 마무리 두께에 상당하는 깊이 위치(예컨대 100 ㎛)로 설정된다.This infeed amount is set to a depth position (for example, 100 mu m) corresponding to the finish thickness of the device (chip) from the surface 11a of the device wafer 11 at the outer circumferential edge of the cutting blade 12.

이와 같이 하여, 절삭 블레이드(12)의 절입 이송을 실시한 후, 절삭 블레이드(12)를 회전하면서 척 테이블(4)을 도 2의 (A)에서 X축 방향, 즉 화살표 X1로 도시하는 방향으로 가공 이송하는 것에 의해, 도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이, 분할 예정 라인(13)을 따라 디바이스의 마무리 두께에 상당하는 깊이(예컨대 100 ㎛)의 절삭홈(23)이 형성된다.After the cutting blade 12 is fed and cut, the chuck table 4 is rotated in the X-axis direction, that is, the direction shown by the arrow X1 in Fig. 2 (A) while the cutting blade 12 is rotated A cutting groove 23 having a depth corresponding to the finishing thickness of the device (for example, 100 mu m) is formed along the line to be divided 13 as shown in Fig. 2 (B).

이 홈 형성 단계를 디바이스 웨이퍼(11)에 형성된 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 실시한다. 그 결과 얻어진 디바이스 웨이퍼(11)의 표면측 사시도가 도 3에 도시되어 있다.This groove forming step is performed along all the lines 13 to be divided formed on the device wafer 11. [ 3 is a perspective view of the device wafer 11 obtained as a result thereof.

홈 형성 단계 실시 후, 절삭홈(23)이 형성된 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하여 디바이스 웨이퍼(11)를 칩의 마무리 두께로 박화하고, 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 절삭홈(23)을 노출시키는 것에 의해, 디바이스 웨이퍼(11)를 복수의 칩(15)으로 분할하는 분할 단계를 실시한다.The back surface 11b of the device wafer 11 on which the cutting grooves 23 are formed is ground to reduce the thickness of the device wafer 11 to the finished thickness of the chip, The device wafer 11 is divided into a plurality of chips 15 by exposing the cut grooves 23 to the chip.

분할 단계는, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 표면 보호 테이프(25)를 부착한 후, 도 4에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(30)과 연삭 유닛(16)을 구비한 연삭 장치에 의해 실시한다.4, after the surface protective tape 25 is attached to the surface 11a of the device wafer 11, the grinding step is carried out in the grinding step of the chuck table 30 and the grinding unit 16, Lt; / RTI >

연삭 유닛(16)은, 스핀들(18)의 선단부에 고정된 휠 마운트(20)와, 이 휠 마운트(20)에 나사(24)에 의해 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠(22)을 포함하고 있다. 연삭 휠(22)은, 환형 베이스(26)와, 환형 베이스(26)의 하면 외주에 고착된 복수의 연삭 지석(28)으로 구성된다.The grinding unit 16 includes a wheel mount 20 fixed to a tip end of a spindle 18 and a grinding wheel 22 detachably mounted on the wheel mount 20 by a screw 24 . The grinding wheel 22 is composed of an annular base 26 and a plurality of grinding wheels 28 fixed to the outer periphery of the lower surface of the annular base 26.

이 분할 단계는, 연삭 장치의 척 테이블(30) 위에 디바이스 웨이퍼(11)를 그 이면(11b)을 위로 하여 유지하고, 예컨대 척 테이블(30)을 화살표 a로 도시하는 방향으로 300 rpm으로 회전하면서, 연삭 휠(22)을 화살표 b로 도시하는 방향으로 6000 rpm으로 회전하여, 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 연삭 지석(28)을 접촉시키는 것에 의해, 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하여 실시한다. 이 연삭은, 절삭홈(23)이 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 표출(노출)될 때까지 실시한다.In this dividing step, the device wafer 11 is held on the back surface 11b of the chuck table 30 of the grinding apparatus while the chuck table 30 is rotated at 300 rpm in the direction of the arrow a The grinding wheel 22 is rotated at 6000 rpm in the direction of the arrow b to bring the grinding wheel 28 into contact with the back surface 11b of the device wafer 11, 11b. This grinding is performed until the cutting grooves 23 are exposed (exposed) on the back surface 11b of the device wafer 11. [

이와 같이 절삭홈(23)이 표출될 때까지 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하는 것에 의해, 도 5에 도시하는 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(11)는 개개의 칩(디바이스)(15)으로 분할된다.5, the device wafer 11 is grinded on the back surface 11b of the device wafer 11 until the cutting grooves 23 are exposed so that the individual chips (devices) 15 ).

또한, 분할된 복수의 칩(15)은, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 표면 보호 테이프(25)가 부착되어 있기 때문에, 산산이 흩어지지 않고 디바이스 웨이퍼(11)의 형태가 유지된다.Since the surface protective tape 25 is attached to the surface 11a of the device wafer 11, the divided chips 15 are not scattered and the shape of the device wafer 11 is maintained.

이 분할 단계를 실시한 후, 복수의 칩(15)으로 분할된 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 확장성을 가지며 소정 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 테이프를 부착하고, 테이프의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 테이프 부착 단계를 실시한다.After performing the dividing step, the tape 11 having expandability and exhibiting shrinkability by heating at a predetermined temperature or more is attached to the back surface 11b of the device wafer 11 divided by the plurality of chips 15, A tape attaching step of attaching to the frame is performed.

도 6을 참조하면, 테이프 부착 단계를 실시하는 데 적합한 테이프 부착 장치(32)의 사시도가 도시되어 있다. 테이프 부착 장치(32)는, 롤 형상으로 감긴 점착테이프(34)가 축(35)에 장착된 송출롤(36)과, 사용 완료된 점착테이프(34)를 권취축(48)에 롤 형상으로 권취하는 권취롤(46)을 구비하고 있다.Referring to Fig. 6, there is shown a perspective view of a tape attaching device 32 suitable for carrying out the tape attaching step. The tape attaching device 32 is provided with a feed roll 36 in which an adhesive tape 34 wound in a roll shape is mounted on a shaft 35 and a use roll 34 in which a used adhesive tape 34 is wound on a take- And a take-up roll 46 taken up.

여기서, 점착테이프(점착시트)(34)는, 확장성을 가지며 소정 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 특성을 갖고 있다. 바람직하게는, 점착테이프(4)는, 접착 필름인 DAF(Die Attach Film)가 소정 간격을 두고 점착테이프와 일체적으로 형성된 DAF 일체형 점착테이프이다.Here, the pressure-sensitive adhesive tape (pressure-sensitive adhesive sheet) 34 has a property of expanding and exhibiting shrinkability by heating at a predetermined temperature or higher. Preferably, the adhesive tape 4 is a DAF integral type adhesive tape in which a DAF (Die Attach Film) as an adhesive film is integrally formed with an adhesive tape at a predetermined interval.

송출롤(36)로부터 송출되는 점착테이프(34)는, 고정 롤러(38), 테이프 부착 가동(可動) 롤러(40), 테이프 박리 가동 롤러(42, 44) 사이를 통과하여 권취롤(46)의 권취축(48)에 권취된다.The adhesive tape 34 delivered from the delivery roll 36 passes between the fixing roller 38, the tape-attached movable roller 40 and the tape peeling and moving rollers 42 and 44, Up shaft 48 of the motorcycle.

52는 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)를 배치하고 흡인 고정하는 유지 테이블이며, 환형 프레임(F)을 배치 고정하는 프레임 배치 영역(54)과, 디바이스 웨이퍼(11)를 배치 고정하는 웨이퍼 배치 영역(56)을 갖고 있다.Reference numeral 52 denotes a holding table for placing and fixing the annular frame F and the device wafer 11 thereon and includes a frame arrangement area 54 for fixing and fixing the annular frame F, And a placement area 56. [

유지 테이블(52)은, 점착테이프(34)의 송출 방향에 대하여 직각 방향으로 진퇴하고, 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)를 유지 테이블(52) 위에 세팅하는 작업 영역(58)과, 점착테이프(34)를 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)에 부착하는 테이프 부착 영역(60)에 위치되어 있다.The holding table 52 includes a working area 58 that moves in the direction perpendicular to the feeding direction of the adhesive tape 34 and sets the annular frame F and the device wafer 11 on the holding table 52, The adhesive tape 34 is placed in the tape attaching area 60 for attaching the adhesive tape 34 to the annular frame F and the device wafer 11. [

50은 커터 어셈블리이며, 도 7의 일부 단면 측면도에 도시하는 바와 같이, 도시하지 않는 구동 수단에 의해 상하 방향으로 이동하는 부착 베이스(62)와, 부착 베이스(62)에 대하여 축(66) 둘레를 도시하지 않는 구동 수단에 의해 선회하는 선회 아암(64)을 포함하고 있다.As shown in a partial sectional side view in Fig. 7, the cutter assembly 50 includes an attachment base 62 that moves in a vertical direction by a driving means (not shown), and an attachment base 62 that moves around the shaft 66 with respect to the attachment base 62 And a swing arm 64 which is pivoted by driving means (not shown).

선회 아암(64)에는, 테이프 커터(68)가 수평 방향으로 이동 가능하게 부착되어 있다. 디바이스 웨이퍼(11)의 인치 직경에 따라, 테이프 커터(68)는 디바이스 웨이퍼(11)의 반경 방향으로 이동 조정된다.A tape cutter 68 is attached to the swing arm 64 so as to be movable in the horizontal direction. The tape cutter 68 is moved in the radial direction of the device wafer 11 in accordance with the inch diameter of the device wafer 11. [

다시 도 6을 참조하면, 테이프 부착 장치(32)의 전면측에는 그 조작을 제어하는 콘솔(63)이 설치되어 있고, 작업자는 콘솔(63)에 터치하는 것에 의해 테이프 부착 장치(32)의 조작을 제어한다.6, a console 63 for controlling the operation of the tape attaching apparatus 32 is provided on the front side of the tape attaching apparatus 32. An operator touches the console 63 to perform an operation of the tape attaching apparatus 32 .

이하, 이와 같이 구성된 테이프 부착 장치(32)의 작용에 대해서 설명한다. 우선, 작업자가 유지 테이블(52)의 프레임 배치 영역(54)에 환형 프레임(F)을 위치 결정하여 배치하고, 웨이퍼 배치 영역(56)에 디바이스 웨이퍼(11)를 위치 결정하여 배치한다.Hereinafter, the operation of the tape attaching apparatus 32 constructed as described above will be described. The worker positions and places the annular frame F in the frame arrangement area 54 of the holding table 52 and positions and positions the device wafer 11 in the wafer arrangement area 56. [

웨이퍼 배치 영역(56)에 디바이스 웨이퍼(11)를 위치 결정하여 배치할 때에 중요한 것은, 도 8에 도시하는 점착테이프(34)의 텐션 방향을 도시하는 화살표 A와 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)과의 관계이다.An important point when positioning and arranging the device wafer 11 in the wafer placement area 56 is that an arrow A showing the tension direction of the adhesive tape 34 shown in Fig. (13).

즉, 점착테이프(34)의 텐션 방향(A)과 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)을 평행하지 않게 한 상태에서 점착테이프(34)가 디바이스 웨이퍼(11)에 부착되도록, 웨이퍼 배치 영역(56)에 디바이스 웨이퍼(11)를 위치 결정하여 배치한다.The adhesive tape 34 is attached to the device wafer 11 in a state in which the tension direction A of the adhesive tape 34 and the line 15 to be divided of the device wafer 11 are not parallel to each other, The device wafer 11 is positioned and arranged in the region 56. [

바람직하게는, 점착테이프(34)의 텐션 방향(A)과 분할 예정 라인(13)이 이루는 각이 대략 45˚ 정도가 되도록, 디바이스 웨이퍼(11)를 웨이퍼 배치 영역(56)에 위치 결정하여 배치한다.The device wafer 11 is positioned and arranged in the wafer placement area 56 so that the angle formed by the tension direction A of the adhesive tape 34 and the line to be divided 13 is approximately 45 degrees do.

전술한 바와 같이, 바람직하게는, 점착테이프(34)는 DAF(33)가 소정 간격으로 점착테이프 위에 형성된 DAF 일체형 점착테이프(34)이다. 도 8에서, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)은 표면 보호 테이프(25)에 의해 보호되고, 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에는 DAF 일체형 점착테이프(34)의 DAF(33)가 부착된다.As described above, preferably, the adhesive tape 34 is a DAF-integrated adhesive tape 34 in which the DAF 33 is formed on the adhesive tape at predetermined intervals. The surface 11a of the device wafer 11 is protected by the surface protection tape 25 and the DAF 33 of the DAF integral type adhesive tape 34 is formed on the back surface 11b of the device wafer 11 Respectively.

이와 같이 환형 프레임(F) 및 디바이스 웨이퍼(11)를 위치 결정하여 배치한 후, 버튼 A를 누르면, 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)가 유지 테이블(52)에 흡인 유지되고, 화살표(65)로 도시하는 방향으로 유지 테이블(52)이 이동하여 테이프 부착 영역(60)에 위치한다.After the annular frame F and the device wafer 11 are positioned and arranged as described above, when the button A is pressed, the annular frame F and the device wafer 11 are attracted and held by the holding table 52, The holding table 52 is moved in the direction shown by the arrow 65 in FIG.

테이프 부착 영역(60)에 위치한 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)에 대하여 점착테이프(34)를 도 7에서 점선으로 도시하는 바와 같이 부착하기 때문에, 테이프 부착 가동 롤러(40)가 화살표 S로 도시하는 바와 같이 왕복 운동한다. 이것에 의해, 점착테이프(34)는 환형 프레임(F) 및 디바이스 웨이퍼(11)에 일체 접착된다. 이때, 커터 어셈블리(50)는 상승된 대기 위치에 있다.The adhesive tape 34 is attached to the annular frame F located in the tape attaching area 60 and the device wafer 11 as shown by dotted lines in Fig. As shown in Fig. As a result, the adhesive tape 34 is integrally bonded to the annular frame F and the device wafer 11. [ At this time, the cutter assembly 50 is in the raised standby position.

이어서, 도 9에 도시하는 바와 같이 커터 어셈블리(50)가 하강하고, 테이프 커터(68)에 환형 프레임(F) 상의 점착테이프(34)를 압박시킨다. 이 상태에서, 선회 아암(64)을 축(66)을 중심으로 하여 360˚ 선회시키는 것에 의해, 테이프 커터(68)로 점착테이프(34)를 원형으로 절단한다. 절단이 완료된 후, 커터 어셈블리(50)는 대기 위치에 복귀한다.9, the cutter assembly 50 is lowered and the adhesive tape 34 on the annular frame F is pressed against the tape cutter 68. Then, as shown in Fig. In this state, the swivel arm 64 is rotated 360 degrees about the shaft 66, so that the adhesive tape 34 is cut into a circular shape with the tape cutter 68. After the cutting is completed, the cutter assembly 50 returns to the standby position.

이어서, 테이프 커터(68)에 의해 절단된 외측의 사용 완료된 점착테이프(34)가 테이프 박리 롤러(42, 44)의 이동에 의해 환형 프레임(F)으로부터 박리된다. 즉, 테이프 박리 롤러(42, 44)가 도 7에서 화살표 S 방향으로 왕복 운동되어, 사용 완료된 점착테이프(34)를 권취롤(46)에 권취하는 동시에 미사용 점착테이프(34)를 테이프 송출롤(36)로부터 테이프 부착 영역(60)까지 인출한다.Subsequently, the outer used adhesive tape 34 cut by the tape cutter 68 is peeled from the annular frame F by the movement of the tape peeling rollers 42, 44. 7, the used adhesive tape 34 is wound around the take-up roll 46, and the unused adhesive tape 34 is wound around the tape delivery rollers 42. The tape peeling rollers 42, 44 reciprocate in the direction of arrow S in Fig. 36 to the tape attaching area 60.

이어서, 점착테이프(34)의 부착이 완료된 환형 프레임(F) 및 디바이스 웨이퍼(11)가 유지 테이블(52)에 배치 고정된 상태에서 도 6에 도시하는 작업 영역(58)까지 이동된다. 이 작업 영역(58)에서, 작업자가 점착테이프(34)에 의해 일체가 된 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)를 취출하여, 웨이퍼 카세트에 수용하거나 또는 다음 공정에 반송한다.Subsequently, the annular frame F on which the adhesive tape 34 has been attached and the device wafer 11 are moved to the work area 58 shown in Fig. 6 while being fixedly arranged on the holding table 52. [ In this work area 58, the worker takes out the annular frame F and the device wafer 11 integrated by the adhesive tape 34 and accommodates them in the wafer cassette or carries them to the next process.

도 10을 참조하면, DAF 일체형 점착테이프(34)에 의해 일체화된 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)의 사시도가 도시되어 있다. 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에는 DAF(33)가 부착되고, DAF(33)는 점착테이프(34)에 부착되어 있다.Referring to Fig. 10, there is shown a perspective view of an annular frame F and a device wafer 11 integrated by a DAF integral adhesive tape 34. Fig. The DAF 33 is attached to the back surface 11b of the device wafer 11 and the DAF 33 is attached to the adhesive tape 34. [

테이프 부착 단계에서는, 전술한 세미오토식 테이프 부착 장치 외, 웨이퍼 및 프레임의 세팅도 자동으로 행하는 풀오토식 테이프 부착 장치를 이용하여도 좋고, 작업자가 롤러를 사용하여 수동으로 부착하여도 좋다.In the tape attaching step, a full automatic tape attaching device for automatically setting the wafer and the frame, as well as the semiautomatic tape attaching device described above may be used, or the worker may be manually attached using a roller.

테이프 부착 단계를 실시한 후, 바람직하게는, DAF(33)에 파단 기점을 형성하는 파단 기점 형성 단계를 실시한다. 이 파단 기점 형성 단계의 제1 실시형태는, 레이저 가공 장치에 의해 실시한다.After the tape adhering step is carried out, a breaking starting point forming step for forming a breaking starting point in the DAF 33 is preferably carried out. The first embodiment of the breaking origin point forming step is performed by a laser processing apparatus.

즉, 도 11에 도시하는 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(11)를 DAF(33) 및 점착테이프(4)를 개재하여 레이저 가공 장치의 척 테이블(70)로 흡인 유지하고, 레이저 가공 장치의 집광기(72)로 DAF(33)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 절삭홈(23)을 통해 DAF(33)의 내부에 집광하며, 척 테이블(70)을 화살표 X1 방향으로 가공 이송하면서 절삭홈(23)을 따라 DAF(33) 내부에 개질층을 형성한다.11, the device wafer 11 is sucked and held by the chuck table 70 of the laser machining apparatus via the DAF 33 and the adhesive tape 4, and the laser beam is focused on the concentrator 72 The laser beam having a transmittance to the DAF 33 is condensed into the DAF 33 through the cut groove 23 and the chuck table 70 is cut and fed in the direction of the arrow X1 To form a modified layer in the DAF 33. [

절삭홈(23)의 피치로 인덱싱 이송하면서, 제1 방향으로 신장하는 모든 절삭홈(23)을 따라 DAF(33) 내부에 개질층을 형성한다. 이어서, 척 테이블(70)을 90˚ 회전시켜, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장하는 모든 절삭홈(23)을 따라 DAF(33) 내부에 개질층을 형성한다.The modified layer is formed in the DAF 33 along all the cut grooves 23 extending in the first direction while being indexed by the pitch of the cut groove 23. Subsequently, the chuck table 70 is rotated by 90 degrees to form a modified layer inside the DAF 33 along all the cut grooves 23 extending in the second direction orthogonal to the first direction.

이 파단 기점 형성 단계(개질층 형성 단계)에서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.The processing conditions at the breaking origin forming step (modified layer forming step) are set as follows, for example.

광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd: YVO4 펄스 레이저Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 pulsed laser

파장 : 1064 ㎚Wavelength: 1064 nm

출력 : 0.1 WOutput: 0.1 W

반복 주파수 : 50 kHzRepetition frequency: 50 kHz

가공 이송 속도 : 200 ㎜/초Feeding speed: 200 mm / sec

전술한 제1 실시형태에서는, 파단 기점 형성 단계를 실시하는 데 DAF(33)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 사용하여, DAF 내부에 개질층을 형성하는 것에 의해 실시했지만, 파단 기점 형성 단계의 제2 실시형태에서는, DAF(33)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 사용하여, 디바이스 웨이퍼(11)의 절삭홈(23)을 따라 어블레이션 가공에 의해 DAF 표면에 파단 기점이 되는 얕은 가공홈을 형성하도록 하여도 좋다.In the first embodiment described above, the modified layer is formed in the DAF by using a laser beam having a wavelength that is transmissive to the DAF 33 in performing the breaking origin forming step. However, In the second embodiment of the present invention, a laser beam having a water absorbing property with respect to the DAF 33 is used to form a shallow So as to form a machining groove.

이 어블레이션 가공에 의한 파단 기점 형성 단계의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.The machining conditions of the breaking origin forming step by the ablation process are set as follows, for example.

파장 : 355 ㎚(YVO4 레이저의 제3 고조파)Wavelength: 355 nm (third harmonic of YVO4 laser)

출력 : 0.2 WOutput: 0.2 W

반복 주파수 : 200 kHzRepetition frequency: 200 kHz

가공 이송 속도 : 200 ㎜/초Feeding speed: 200 mm / sec

제1 및 제2 실시형태의 파단 기점 형성 단계에서는, 소정의 파장을 갖는 레이저 빔에 의해 파단 기점을 형성했지만, 절삭 장치의 절삭 블레이드에 의한 DAF(33)의 하프 커트에 의해, 디바이스 웨이퍼(11)의 절삭홈(23)을 따라 DAF(33)의 표면에 절삭홈을 형성하고, 이 절삭홈을 파단 기점으로 하여도 좋다.In the first and second embodiments, the breaking point is formed by the laser beam having the predetermined wavelength. However, due to the half-cut of the DAF 33 by the cutting blade of the cutting device, the device wafer 11 The cutting grooves may be formed on the surface of the DAF 33 along the cutting grooves 23 of the grooves 23,

본 발명의 칩 간격 유지 방법에서는, 파단 기점 형성 단계를 실시한 후, 점착테이프(34)를 확장하여, 인접하는 칩(15)의 간격을 확장하고 DAF(33)를 파단하는 테이프 확장 단계를 실시한다.In the chip gap maintaining method of the present invention, after performing the breaking starting point forming step, the adhesive tape 34 is extended to extend the interval between adjacent chips 15 to perform a tape expansion step of breaking the DAF 33 .

이 테이프 확장 단계는, 도 12에 도시하는 바와 같은 분할 장치(80)를 사용하여 실시한다. 분할 장치(80)는, 환형 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지 유닛(82)과, 프레임 유지 유닛(82)에 유지된 환형 프레임(F)에 부착된 점착테이프(34)를 확장하는 확장 드럼(84)을 구비하고 있다.This tape expanding step is carried out using the dividing device 80 as shown in Fig. The dividing device 80 includes a frame holding unit 82 for holding the annular frame F and an extension drum 82 for expanding the adhesive tape 34 attached to the annular frame F held by the frame holding unit 82. [ (84).

프레임 유지 유닛(82)은, 환형의 프레임 유지 부재(86)와, 프레임 유지 부재(86)의 외주에 배치된 고정 수단으로서의 복수의 클램프(88)로 구성된다. 프레임 유지 부재(86)의 상면은 환형 프레임(F)을 배치하는 배치면(86a)을 형성하고 있고, 배치면(86a) 위에 환형 프레임(F)이 배치된다.The frame holding unit 82 is constituted by an annular frame holding member 86 and a plurality of clamps 88 as fixing means disposed on the outer periphery of the frame holding member 86. The upper surface of the frame holding member 86 forms a placement surface 86a for arranging the annular frame F and an annular frame F is disposed on the placement surface 86a.

환형의 프레임 유지 부재(86)의 내측에 배치된 확장 드럼(84)은, 환형 프레임(F)의 내경보다 작고, 환형 프레임(F)에 부착된 점착테이프(34)에 부착되는 디바이스 웨이퍼(11)의 외경보다 큰 내경을 갖고 있다.The extension drum 84 disposed inside the annular frame holding member 86 is disposed on the device wafer 11 which is smaller than the inner diameter of the annular frame F and attached to the adhesive tape 34 attached to the annular frame F Of the outer diameter of the outer ring.

확장 드럼(84)의 상단부에는 다공질 재료로 형성된 흡인 유지부(85)가 배치되어 있다. 흡인 유지부(85)는, 도시하지 않는 흡인로 및 전환 밸브를 통해 흡인원에 선택적으로 접속된다.At the upper end of the extension drum 84, a suction holding portion 85 formed of a porous material is disposed. The suction holding portion 85 is selectively connected to the suction source through a suction path and a switching valve (not shown).

환형의 프레임 유지 부재(86)는 구동 수단(90)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 구동 수단(90)은 복수의 에어실린더(92)를 포함하고 있고, 에어실린더(92)의 피스톤 로드(94)가 프레임 유지 부재(86)의 하면에 연결되어 있다.The annular frame holding member 86 is moved up and down by the driving means 90. [ The driving means 90 includes a plurality of air cylinders 92 and the piston rod 94 of the air cylinder 92 is connected to the lower surface of the frame holding member 86.

복수의 에어실린더(92)로 구성되는 구동 수단(90)은, 환형의 프레임 유지 부재(86)를, 그 배치면(86a)이 확장 드럼(84)의 상단과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치와, 확장 드럼(84)의 상단보다 소정량 하방의 확장 위치 사이에서 상하 방향으로 이동시킨다.The driving means 90 constituted by the plurality of air cylinders 92 is configured such that the annular frame holding member 86 is disposed at a reference position at which the arrangement surface 86a is substantially flush with the upper end of the expansion drum 84 , And between the extended position below the upper end of the expansion drum 84 by a predetermined amount.

이러한 구성을 갖는 분할 장치(80)에 의한 테이프 확장 단계에서는, 우선 도 12의 (A)에 도시하는 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(11)를 점착테이프(34)를 개재하여 지지한 환형 프레임(F)을, 프레임 유지 부재(86)의 배치면(86a) 위에 배치하고, 클램프(88)에 의해 프레임 유지 부재(86)를 고정한다. 이때, 프레임 유지 부재(86)는 그 배치면(86a)이 확장 드럼(84)의 상단부에 고정된 흡인 유지부(85)의 상면과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치에 위치한다.12 (A), the annular frame F, which is supported by the adhesive tape 34 via the adhesive tape 34, is mounted on the device wafer 11 in the tape expanding step by the dividing device 80 having such a configuration, Is arranged on the placement surface 86a of the frame holding member 86 and the frame holding member 86 is fixed by the clamp 88. [ At this time, the frame holding member 86 is located at a reference position in which the arrangement surface 86a thereof is substantially flush with the upper surface of the suction holding portion 85 fixed to the upper end portion of the expansion drum 84. [

이어서, 에어실린더(92)를 구동하여 프레임 유지 부재(86)를 도 12의 (B)에 도시하는 확장 위치에 하강시킨다. 이것에 의해, 프레임 유지 부재(86)의 배치면(86a) 위에 고정되어 있는 환형 프레임(F)을 하강시키기 때문에, 환형 프레임(F)에 장착된 점착테이프(34)는 확장 드럼(84)의 상단 가장자리에 접촉하여 주로 반경 방향으로 확장된다.Then, the air cylinder 92 is driven to lower the frame holding member 86 to the extended position shown in FIG. 12 (B). The adhesive tape 34 mounted on the annular frame F is moved downward by the urging force of the urging force of the urging force of the urging force And is mainly radially extended in contact with the upper edge.

그 결과, 점착테이프(34)에 부착되어 있는 DAF(33) 및 디바이스 웨이퍼(11)에 방사형으로 인장력이 작용한다. 이와 같이 DAF(33) 및 디바이스 웨이퍼(11)에 방사형으로 인장력이 작용하면, DAF(33)의 내부에 형성된 개질층은 강도가 저하되어 있기 때문에, 이 개질층이 파단 기점이 되어 DAF(33)는 개질층을 따라 파단되고, DAF(33)가 이면에 부착된 칩(15)은 그 간격이 확장된다. 또한 이 테이프 확장 단계에서는, 흡인 유지부(85)는 흡인원으로부터 차단되어, 흡인력이 작용하지 않는다.As a result, tensile force acts radially on the DAF 33 and the device wafer 11 attached to the adhesive tape 34. When the tensile force acts radially on the DAF 33 and the device wafer 11 as described above, since the strength of the modified layer formed inside the DAF 33 is lowered, the modified layer becomes a starting point of fracture, And the chip 15 to which the DAF 33 is attached is extended in its interval. Further, in this tape expanding step, the suction holding section 85 is cut off from the suction source, so that the suction force does not act.

테이프 확장 단계를 실시한 후, 칩 사이의 간격을 확장한 상태에서 유지할 수 있는 칩 간격 유지 단계를 실시한다. 이 칩 간격 유지 단계에서는, 흡인 유지부(85)를 흡인원에 접속하고, 흡인 유지부(85)로 디바이스 웨이퍼(11)를 흡인 유지하면서, 도 12의 (B)에 도시한 상태로부터 에어실린더(92)를 구동하여, 환형의 프레임 유지 부재(86)의 배치면(86a)이 확장 드럼(84)의 상단과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치까지 상승시킨다.After performing the tape expansion step, a chip interval maintenance step is performed in which the interval between the chips can be maintained in an extended state. In this chip interval maintaining step, the suction holding section 85 is connected to the suction source, and while the suction holding section 85 is holding the device wafer 11 by suction, from the state shown in FIG. 12 (B) The frame 92 is driven to raise the arrangement surface 86a of the annular frame holding member 86 to a reference position at which the height becomes substantially the same height as the upper end of the expansion drum 84. [

점착테이프(34)는 도 12의 (B)에 도시한 상태로 반경 방향으로 확장되어 있기 때문에, 도 13에 도시하는 바와 같이 프레임 유지 부재(86)를 기준 위치까지 복귀시키면, 디바이스 웨이퍼(11)의 외주 가장자리와 환형 프레임(F)의 내주 사이 영역의 점착테이프(34)에는 이완이 발생한다.The adhesive tape 34 is extended in the radial direction in the state shown in Fig. 12 (B). Therefore, when the frame holding member 86 is returned to the reference position as shown in Fig. 13, The adhesive tape 34 in the region between the outer periphery of the annular frame F and the inner periphery of the annular frame F is relaxed.

따라서, 본 실시형태의 칩 간격 유지 단계에서는, 흡인 유지부(85)를 흡인원에 접속하고, 흡인 유지부(85)로 디바이스 웨이퍼(11)를 흡인 유지하면서, 가열 히터(96)를 화살표 R 방향으로 회전시켜 디바이스 웨이퍼(11)의 외측과 환형 프레임(F)의 내주 사이의 점착테이프(34)를 가열한다. 이 가열에 의해 점착테이프가 수축하여 이완이 제거된다.Therefore, in the chip interval maintaining step of the present embodiment, the suction holding section 85 is connected to the suction source, and while the suction holding section 85 holds the device wafer 11, Thereby heating the adhesive tape 34 between the outer side of the device wafer 11 and the inner circumference of the annular frame F. [ By this heating, the adhesive tape shrinks and the relaxation is removed.

본 실시형태의 테이프 부착 단계에서는, 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)과 테이프(34)의 텐션 방향을 대략 45˚로 설정하여 디바이스 웨이퍼(11)를 점착테이프(34)에 부착하고 있기 때문에, 종래 문제가 된 주름의 발생 방향이 분할 예정 라인(13)과 평행하게 되지 않으므로 흡인 유지부(85)의 흡인 유지를 해제하여도, 인접하는 칩(15)의 간격을 확장한 상태에서 유지할 수 있다.In the tape attaching step of the present embodiment, the device wafer 11 is attached to the adhesive tape 34 by setting the tension direction of the line to be divided 13 of the device wafer 11 and the tape 34 at approximately 45 degrees The generation direction of the wrinkles which has become a problem in the related art does not become parallel to the line to be divided 13 so that even if the suction holding of the suction holding portion 85 is released, .

전술한 실시형태에서는, 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 DAF를 갖는 점착테이프(34)에 부착하고 있지만, 테이프 부착 단계에서는, DAF(33)는 부착하지 않고 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 점착테이프(34)를 직접 부착하도록 하여도 좋다.The back surface 11b of the device wafer 11 is attached to the adhesive tape 34 having the DAF 33. In the tape attaching step, The adhesive tape 34 may be directly attached to the adhesive tape 11b.

11: 디바이스 웨이퍼 12: 절삭 블레이드
13: 분할 예정 라인(스트리트) 15: 디바이스(칩)
22: 연삭 휠 23: 절삭 휠
25: 표면 보호 테이프 32: 테이프 부착 장치
33: DAF 34: 점착테이프
72: 집광기 80: 분할 장치
82: 프레임 유지 유닛 84: 확장 드럼
85: 흡인 유지부 86: 프레임 유지 부재
96: 가열 히터11: device wafer 12: cutting blade
13: line to be divided (street) 15: device (chip)
22: grinding wheel 23: cutting wheel
25: surface protective tape 32: tape attaching device
33: DAF 34: Adhesive tape
72: Concentrator 80: Partitioning device
82: Frame holding unit 84: Extension drum
85: suction holding portion 86: frame holding member
96: Heating heater

Claims

디바이스 웨이퍼가 분할되어 형성된 복수의 칩의 간격을 확장하여 유지하는 칩 간격 유지 방법으로서,
표면에서 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획되는 각 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼를 준비하는 디바이스 웨이퍼 준비 단계와,
이 디바이스 웨이퍼 준비 단계에서 준비한 디바이스 웨이퍼의 표면으로부터 상기 분할 예정 라인을 따라 칩의 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈을 형성하는 홈 형성 단계와,
이 홈이 형성된 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 디바이스 웨이퍼를 상기 칩의 마무리 두께로 박화하고, 디바이스 웨이퍼의 이면에 상기 홈을 노출시키는 것에 의해 디바이스 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하는 분할 단계와,
이 분할 단계를 실시한 후, 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼의 이면에 확장성을 가지며 정해진 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 테이프를 부착하고, 이 테이프의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 테이프 부착 단계와,
이 테이프 부착 단계를 실시한 후, 상기 테이프를 확장하여 인접하는 상기 칩의 간격을 확장하는 테이프 확장 단계와,
이 테이프 확장 단계를 실시한 후, 상기 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼가 부착되어 있는 상기 테이프의 영역을 흡인 유지 테이블로 흡인 유지하면서, 상기 테이프의 디바이스 웨이퍼의 외측과 상기 환형 프레임의 내주 사이 영역을 가열하여 상기 테이프를 수축시킴으로써, 인접하는 상기 칩 사이의 간격을 유지하는 칩 간격 유지 단계
를 포함하고,
상기 테이프 부착 단계에서는, 상기 테이프의 텐션 방향과 디바이스 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 평행하지 않게 한 상태에서 상기 테이프가 디바이스 웨이퍼에 부착되는 것을 특징으로 하는 칩 간격 유지 방법.A chip interval maintaining method for extending and maintaining a space between a plurality of chips formed by dividing a device wafer,
A device wafer preparation step of preparing a device wafer on which a device is formed in each of the areas divided by a plurality of lines to be divided intersecting on a surface,
A groove forming step of forming a groove having a depth from the surface of the device wafer prepared in the device wafer preparing step to the finishing thickness of the chip along the line to be divided,
A dividing step of dividing the device wafer into a plurality of chips by grinding the back surface of the grooved device wafer to thin the device wafer to the finished thickness of the chip and exposing the grooves to the back surface of the device wafer;
A tape attaching step of attaching a tape exhibiting extensibility to the back surface of the device wafer divided into a plurality of chips and exhibiting shrinkability in a heating furnace at a predetermined temperature or more and attaching the outer peripheral portion of the tape to the annular frame after the dividing step is performed ,
A tape expanding step of expanding the tape to expand the interval between adjacent chips after performing the tape attaching step,
The area between the outer side of the device wafer of the tape and the inner circumference of the annular frame is set to be the same as that of the device wafer A chip interval maintaining step of maintaining the gap between adjacent chips by heating the chip by shrinking the tape
Lt; / RTI >
Wherein the tape is attached to the device wafer with the tape tension direction not parallel to the dividing line of the device wafer in the tape attaching step.

제1항에 있어서, 상기 테이프는, 상기 테이프에 부착되는 디바이스 웨이퍼보다 큰 면적을 갖고 상기 테이프 위에 부착된 접착 필름을 포함하고,
상기 테이프 부착 단계에서는, 상기 테이프와 함께 상기 접착 필름이 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼의 이면에 부착되며,
상기 테이프 확장 단계에서는, 상기 테이프와 함께 상기 접착 필름이 확장됨으로써 상기 접착 필름이 상기 칩을 따라 파단되는 것인 칩 간격 유지 방법.2. The apparatus of claim 1, wherein the tape comprises an adhesive film having an area larger than a device wafer attached to the tape and attached to the tape,
In the tape attaching step, the adhesive film together with the tape is attached to a back surface of a device wafer divided into a plurality of chips,
Wherein in the tape expanding step, the adhesive film expands along with the tape so that the adhesive film is broken along the chip.