JP2011108708A - Method of processing wafer - Google Patents

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圭 田中
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of processing a wafer in which a DAF (Die Attach Film) is never adhered to a dicing tape and which uses a laser beam. <P>SOLUTION: The method of processing the wafer on the rear surface of which the die attach film supported with the dicing tape is arranged, includes a first dividing process of positioning a laser beam at a first predetermined division line extending in a first direction for irradiation and performing relative machining feeding of a chuck table and a laser beam irradiation unit to divide the wafer and die attach film along the first predetermined division line, and a second dividing process of positioning the laser beam at a second predetermined division line orthogonal to the predetermined division line for irradiation and performing relative machining feeding of the chuck table and laser beam irradiation unit to divide the wafer and die attach film along the second predetermined division line. In the first dividing process or second dividing process, the energy of the laser beam is reduced at the intersection of the first predetermined division line and second predetermined division line. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、裏面にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）が貼着されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method in which a wafer having a die attach film (DAF) attached to the back surface is divided into individual devices.

ＩＣ，ＬＳＩ等の複数のデバイスが格子状に形成された複数の分割予定ライン（ストリート）によって区画された領域に形成された半導体ウエーハは、ダイシングソーと称される切削装置によって分割予定ラインが切削されて個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に広く利用されている。   A semiconductor wafer formed in a region partitioned by a plurality of division lines (streets) formed by a plurality of devices such as ICs and LSIs in a grid pattern is cut by a cutting device called a dicing saw. The devices are divided into individual devices, and the divided devices are widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

近年、切削装置による切削に換えてレーザ加工装置によるアブレーション加工が、分割予定ラインの幅を狭くして一枚のウエーハからとれるデバイスの量を増加できることで注目されている。   In recent years, ablation processing using a laser processing apparatus instead of cutting using a cutting apparatus has attracted attention because it can increase the amount of devices that can be taken from a single wafer by narrowing the width of the line to be divided.

レーザ加工装置によるアブレーション加工では、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射し、分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施してウエーハを高精度に個々のデバイスに分割することができる。   In the ablation processing by the laser processing apparatus, the wafer can be divided into individual devices with high accuracy by irradiating the wafer with a laser beam having a wavelength having absorptivity and performing the ablation processing along the planned division line.

最近になり、デバイスの実装効率を向上するために、ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムであるダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）を貼着して、ウエーハと共にＤＡＦを切削装置又はレーザ加工装置で加工して、裏面にＤＡＦ付のデバイスに分割する加工方法が注目されている。   Recently, in order to improve device mounting efficiency, a die attach film (DAF), which is an adhesive film for die bonding, is attached to the back surface of the wafer, and the DAF is processed together with the wafer by a cutting device or a laser processing device. Thus, a processing method for dividing the back surface into devices with DAF has attracted attention.

特開２００８−２３５３９８号公報JP 2008-235398 A

しかし、ウエーハの裏面にダイシングテープによって支持されているＤＡＦが配設されているウエーハの分割予定ラインにレーザビームを照射して、ＤＡＦと共にウエーハを個々のデバイスに分割すると、特に格子状に形成されている分割予定ラインの交差点においてＤＡＦがダイシングテープに溶着して、ダイシングテープからＤＡＦ付デバイスをピックアップできないという問題がある。   However, when a laser beam is irradiated on the wafer division line where the DAF supported by the dicing tape is disposed on the back surface of the wafer, and the wafer is divided into individual devices together with the DAF, it is formed in a lattice shape. There is a problem in that the DAF is welded to the dicing tape at the intersection of the scheduled division lines and the device with DAF cannot be picked up from the dicing tape.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＤＡＦがダイシングテープに溶着することのないレーザビームを使用したウエーハの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and an object thereof is to provide a wafer processing method using a laser beam in which DAF is not welded to a dicing tape.

本発明によると、格子状に形成された複数の第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの裏面に、ダイシングテープで支持されたダイアタッチフィルムが配設されたウエーハの加工方法であって、ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを備えたレーザ加工装置の該チャックテーブルで該ダイシングテープを介してウエーハを吸引保持するウエーハの保持工程と、該第１分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして該第１分割予定ラインに沿ってウエーハと該ダイアタッチフィルムとを分割する第１の分割工程と、該第２分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして該第２分割予定ラインに沿ってウエーハと該ダイアタッチフィルムとを分割する第２の分割工程とを具備し、該第１の分割工程又は該第２の分割工程の何れか一方において、該第１分割予定ラインと該第２分割予定ラインとの交差点においてレーザビームのエネルギーを低減させることを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。   According to the present invention, a diamond supported by a dicing tape on the back surface of a wafer in which a device is formed in each region defined by a plurality of first division planned lines and second division planned lines formed in a lattice shape. A method of processing a wafer provided with a touch film, the chuck table holding and rotating the wafer, laser beam irradiation means for irradiating the wafer held on the chuck table with a laser beam, and the chuck table A wafer holding step of sucking and holding the wafer through the dicing tape by the chuck table of a laser processing apparatus provided with a processing feed means for relatively processing and feeding the laser beam irradiation means; and the first division schedule A line is irradiated with a laser beam, and the chuck table and the laser beam are irradiated. A first dividing step of dividing the wafer and the die attach film along the first scheduled dividing line by relatively processing and feeding the means, and irradiating the second divided scheduled line with the laser beam positioned And a second dividing step of dividing the wafer and the die attach film along the second division line by relatively processing and feeding the chuck table and the laser beam irradiation means, In either one of the first division step and the second division step, the wafer processing is characterized in that the energy of the laser beam is reduced at the intersection of the first division division line and the second division division line. A method is provided.

好ましくは、第１の分割工程又は第２の分割工程の何れかにおいて、分割予定ラインの交差点においてレーザビームの照射を中止する。   Preferably, in either the first division step or the second division step, the laser beam irradiation is stopped at the intersection of the planned division lines.

本発明によると、第１の分割工程又は第２の分割工程の何れかにおいて、分割予定ラインの交差点においてレーザビームのエネルギーを低減させるようにしたので、分割予定ラインの交差点においてＤＡＦがダイシングテープに溶着することが防止され、ダイシングテープからＤＡＦ付デバイスを容易にピックアップすることができる。   According to the present invention, in either the first division step or the second division step, the energy of the laser beam is reduced at the intersection of the planned division lines, so that the DAF is applied to the dicing tape at the intersection of the planned division lines. The welding is prevented, and the device with DAF can be easily picked up from the dicing tape.

本発明の加工方法を実施するのに適したレーザ加工装置の斜視図である。It is a perspective view of the laser processing apparatus suitable for implementing the processing method of this invention. レーザビーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. ダイシングテープ一体型ＤＡＦにウエーハを搭載する様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that a wafer is mounted in dicing tape integrated DAF. 第１の分割工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a 1st division | segmentation process. 第２の分割工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a 2nd division | segmentation process. 第１及び第２の分割工程終了後のダイシングテープを介して環状フレームに支持された状態のＤＡＦ付ウエーハの斜視図である。It is a perspective view of the wafer with DAF of the state supported by the annular frame via the dicing tape after the end of the 1st and 2nd division process. テープ拡張工程及びピックアップ工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a tape expansion process and a pick-up process.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の加工方法を実施するのに適したレーザ加工装置２の斜視図が示されている。レーザ加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a perspective view of a laser processing apparatus 2 suitable for carrying out the processing method of the present invention is shown. The laser processing apparatus 2 includes a first slide block 6 mounted on a stationary base 4 so as to be movable in the X-axis direction.

第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。   The first slide block 6 is moved along the pair of guide rails 14 in the machining feed direction, that is, the X-axis direction, by the machining feed means 12 including the ball screw 8 and the pulse motor 10.

第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。   A second slide block 16 is mounted on the first slide block 6 so as to be movable in the Y-axis direction. That is, the second slide block 16 is moved in the indexing direction, that is, the Y-axis direction along the pair of guide rails 24 by the indexing feeding means 22 constituted by the ball screw 18 and the pulse motor 20.

第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランパ３０が設けられている。   A chuck table 28 is mounted on the second slide block 16 via a cylindrical support member 26, and the chuck table 28 can be moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the processing feed means 12 and the index feed means 22. . The chuck table 28 is provided with a clamper 30 that clamps the semiconductor wafer sucked and held by the chuck table 28.

静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザビーム照射ユニット３４を収容するケーシング３５が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器６２と、繰り返し周波数設定手段６４と、パルス幅調整手段６６と、パワー調整手段６８とを含んでいる。   A column 32 is erected on the stationary base 4, and a casing 35 for accommodating the laser beam irradiation unit 34 is attached to the column 32. As shown in FIG. 2, the laser beam irradiation unit 34 includes a laser oscillator 62 that oscillates a YAG laser or a YVO4 laser, a repetition frequency setting unit 64, a pulse width adjustment unit 66, and a power adjustment unit 68. .

レーザビーム照射ユニット３４のパワー調整手段６８により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング３５の先端に取り付けられた集光器３６のミラー７０で反射され、更に集光用対物レンズ７２によって集光されてチャックテーブル２８に保持されている半導体ウエーハ１１に照射される。   The pulse laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 68 of the laser beam irradiation unit 34 is reflected by the mirror 70 of the condenser 36 attached to the tip of the casing 35 and further collected by the condenser objective lens 72. The semiconductor wafer 11 is irradiated with light and irradiated on the chuck table 28.

ケーシング３５の先端部には、集光器３６とＸ軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段３８が配設されている。撮像手段３８は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。   At the tip of the casing 35, an image pickup means 38 for detecting a processing region to be laser processed aligned with the condenser 36 in the X-axis direction is disposed. The image pickup means 38 includes an image pickup element such as a normal CCD that picks up an image of a processing region of a semiconductor wafer with visible light.

撮像手段３８は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。   The imaging unit 38 further includes an infrared irradiation unit that irradiates the semiconductor wafer with infrared rays, an optical system that captures the infrared rays irradiated by the infrared irradiation unit, and an infrared CCD that outputs an electrical signal corresponding to the infrared rays captured by the optical system. Infrared imaging means composed of an infrared imaging element such as the above is included, and the captured image signal is transmitted to a controller (control means) 40.

コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。   The controller 40 includes a central processing unit (CPU) 42 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 44 that stores a control program, and a random read / write that stores arithmetic results. An access memory (RAM) 46, a counter 48, an input interface 50, and an output interface 52 are provided.

５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。   Reference numeral 56 denotes a processing feed amount detection means comprising a linear scale 54 disposed along the guide rail 14 and a read head (not shown) disposed on the first slide block 6. Is input to the input interface 50 of the controller 40.

６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。   Reference numeral 60 denotes index feed amount detection means comprising a linear scale 58 disposed along the guide rail 24 and a read head (not shown) disposed on the second slide block 16. The detection signal is input to the input interface 50 of the controller 40.

撮像手段３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザビーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。   An image signal picked up by the image pickup means 38 is also input to the input interface 50 of the controller 40. On the other hand, a control signal is output from the output interface 52 of the controller 40 to the pulse motor 10, the pulse motor 20, the laser beam irradiation unit 34, and the like.

図３を参照すると、半導体ウエーハＷの裏面にダイシングテープＴに支持された、ダイボンディング用の接着フィルムであるダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）５３を貼着する様子を示す斜視図が示されている。   Referring to FIG. 3, a perspective view showing a state where a die attach film (DAF) 53, which is an adhesive film for die bonding, supported on a dicing tape T on the back surface of the semiconductor wafer W is shown.

半導体ウエーハＷは、例えば厚さが約８０μｍのシリコンウエーハからなっており、その表面には平行に伸長する複数の第１分割予定ライン（第１ストリート）Ｓ１と、第１分割予定ラインＳ１と直交する方向に伸長する複数の第２分割予定ライン（第２ストリート）Ｓ２とによって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ，ＬＳＩ等のデバイスＤが形成されている。   The semiconductor wafer W is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of about 80 μm, and has a plurality of first division planned lines (first streets) S1 extending in parallel on the surface thereof and orthogonal to the first division planned lines S1. A device D such as an IC or an LSI is formed in each of a plurality of regions partitioned by a plurality of second division planned lines (second streets) S2 extending in the direction of the direction.

ＤＡＦ５３は例えば厚さが約８０μｍのエポキシ系樹脂から形成されており、ダイシングテープＴと一体となった一体型ＤＡＦである。ダイシングテープＴは、例えば厚さが約８０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に、アクリル樹脂系の粘着層が厚さ約５μｍ程度塗布されて形成されている。ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されている。   The DAF 53 is formed of an epoxy resin having a thickness of about 80 μm, for example, and is an integrated DAF integrated with the dicing tape T. The dicing tape T is formed, for example, by applying an acrylic resin adhesive layer to a thickness of about 5 μm on the surface of a sheet base material made of polyvinyl chloride (PVC) having a thickness of about 80 μm. The outer peripheral portion of the dicing tape T is attached to the annular frame F.

ＤＡＦ５３をウエーハＷの裏面に貼着するには、ＤＡＦ５３を８０〜２００℃の温度で加熱しながらウエーハＷの裏面をＤＡＦ５３に押圧することにより、ＤＡＦ５３をウエーハＷの裏面に貼着する。   In order to attach the DAF 53 to the back surface of the wafer W, the DAF 53 is attached to the back surface of the wafer W by pressing the back surface of the wafer W against the DAF 53 while heating the DAF 53 at a temperature of 80 to 200 ° C.

ダイシングテープ一体型ＤＡＦ５３をウエーハＷの裏面に貼着するのに換えて、単体のＤＡＦ５３をウエーハＷの裏面に貼着してから、ウエーハＷのＤＡＦ５３側をダイシングテープＴに貼着するようにしてもよい。   Instead of adhering the dicing tape-integrated DAF 53 to the back side of the wafer W, the single DAF 53 is attached to the back side of the wafer W, and then the DAF 53 side of the wafer W is attached to the dicing tape T. Also good.

本発明のウエーハの加工方法では、このようにダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持されたＤＡＦ付ウエーハＷをチャックテーブル２８に搭載して、チャックテーブル２８でＤＡＦ付ウエーハＷを吸引保持する。   In the wafer processing method of the present invention, the wafer with DAF W supported by the annular frame F via the dicing tape T is mounted on the chuck table 28 as described above, and the wafer W with DAF is sucked and held by the chuck table. .

そして、図４に示すように、集光器３６を介して第１分割予定ラインＳ１にウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザビームを位置づけて照射するとともに、チャックテーブル２８とレーザビーム照射ユニット３４とを相対的に矢印Ｘ１方向に加工送りして、ウエーハＷの第１分割予定ラインＳ１とＤＡＦ５３とをアブレーション加工して分割する。図４で５７ａは第１分割溝を示している。   Then, as shown in FIG. 4, a laser beam having a wavelength that is absorptive with respect to the wafer W is positioned and irradiated to the first division planned line S <b> 1 via the condenser 36, and the chuck table 28 and the laser beam are irradiated. The unit 34 is relatively processed and fed in the direction of the arrow X1, and the first division planned line S1 of the wafer W and the DAF 53 are ablated and divided. In FIG. 4, reference numeral 57a denotes a first dividing groove.

実際には、レーザビーム照射ユニット３４は静止基台４に固定されているので、チャックテーブル２８を加工送り手段１２により矢印Ｘ１方向に加工送りしながら第１分割溝５７ａを形成する第１の分割工程を実施する。   Actually, since the laser beam irradiation unit 34 is fixed to the stationary base 4, the first division groove 57 a is formed while the chuck table 28 is processed and fed in the direction of the arrow X 1 by the processing feeding means 12. Perform the process.

次いで、図５に示すように、集光器３６によりレーザビームを第２分割予定ラインＳ２に位置づけて照射するとともに、チャックテーブル２８とレーザビーム照射ユニット３４とを矢印Ｘ２方向に相対的に加工送りして、ウエーハＷの第２分割予定ラインＳ２とＤＡＦ５３にアブレーション加工を施して第２分割溝５７ｂを形成する第２の分割工程を実施する。   Next, as shown in FIG. 5, the condenser 36 irradiates the laser beam positioned on the second scheduled division line S2, and relatively feeds the chuck table 28 and the laser beam irradiation unit 34 in the direction of the arrow X2. Then, a second division step is performed in which the second division groove 57b is formed by performing ablation processing on the second division planned line S2 and the DAF 53 of the wafer W.

ここで、第２の分割工程において、図５の一部拡大図に示すように、第１分割予定ラインＳ１と第２分割予定ラインＳ２との交差点５５においてレーザビームの照射を中止し、交差点５５通過後レーザビームの照射を再開する。交差点５５においてレーザビームの照射を中止するかわりに、交差点５５においてレーザビームのエネルギーを低減させるようにしてもよい。   Here, in the second dividing step, as shown in a partially enlarged view of FIG. 5, the laser beam irradiation is stopped at the intersection 55 between the first division planned line S1 and the second division planned line S2, and the intersection 55 is obtained. After passing, the laser beam irradiation is resumed. Instead of stopping the laser beam irradiation at the intersection 55, the energy of the laser beam may be reduced at the intersection 55.

実際には、チャックテーブル２８を９０度回転してから、加工送り手段１２で矢印Ｘ２方向に加工送りしながら、レーザビームでウエーハＷ及びＤＡＦ５３にアブレーション加工を施して第２分割溝５７ｂを形成する。第１分割溝５７ａ及び第２分割溝５７ｂを形成した状態のＤＡＦ付ウエーハＷの斜視図が図６に示されている。   Actually, the chuck table 28 is rotated by 90 degrees, and then the wafer W and the DAF 53 are ablated by the laser beam while being fed in the direction of the arrow X2 by the machining feed means 12 to form the second divided groove 57b. . FIG. 6 shows a perspective view of the wafer W with DAF in a state in which the first divided groove 57a and the second divided groove 57b are formed.

上述した第１の分割工程及び第２の分割工程は、例えば以下の加工条件で実施される。   The first dividing step and the second dividing step described above are performed, for example, under the following processing conditions.

光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザ
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザの第３高調波）
出力 ：３〜３．７５Ｗ
繰り返し周波数 ：１０ｋＨｚ
スポット形状 ：短軸１０μｍ 長軸３００μｍの楕円形状
加工送り速度 ：１００〜２００ｍｍ／秒 Light source: LD excitation Q switch Nd: YAG pulse laser Wavelength: 355 nm (third harmonic of YAG laser)
Output: 3 to 3.75W
Repetition frequency: 10 kHz
Spot shape: Ellipse shape with short axis of 10 μm and major axis of 300 μm Processing feed rate: 100 to 200 mm / sec

尚、上述した実施形態では、第２の分割工程で交差点５５でのレーザビームの照射を中止しているが、第１の分割工程で交差点５５でのレーザビームの照射を中止するか或いはレーザビームのエネルギーを低減させるように制御し、第２の分割工程では、上述した加工条件の出力で一様にレーザビームを第２分割予定ラインＳ２に沿って照射するようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the irradiation of the laser beam at the intersection 55 is stopped in the second dividing step. However, the irradiation of the laser beam at the intersection 55 is stopped in the first dividing step or the laser beam is stopped. In the second division step, the laser beam may be uniformly irradiated along the second division planned line S2 with the output of the processing conditions described above.

第２の分割工程終了後、図７に示すようなテープ拡張装置７４を使用してダイシングテープＴを半径方向に拡張してから、ピックアップ手段９０のピッカー９２でＤＡＦ５３が裏面に貼着されたデバイスＤをピックアップする。   After the second dividing step, the dicing tape T is expanded in the radial direction using a tape expansion device 74 as shown in FIG. 7, and then the DAF 53 is attached to the back surface by the picker 92 of the pickup means 90. Pick up D.

図７において、テープ拡張装置７４は、固定された拡張ドラム７６と、フレーム保持手段７８と、駆動手段８４とを含んでいる。フレーム保持手段７８は、環状のフレーム保持部材８０と、フレーム保持部材８０の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８２から構成される。   In FIG. 7, the tape expansion device 74 includes a fixed expansion drum 76, a frame holding unit 78, and a driving unit 84. The frame holding means 78 includes an annular frame holding member 80 and a plurality of clamps 82 as fixing means disposed on the outer periphery of the frame holding member 80.

フレーム保持部材８０の上面は環状フレームＦを載置する載置面８０ａを形成しており、この載置面８０ａ上に環状フレームＦが載置される。駆動手段８４は複数のエアシリンダ８６から構成される。   An upper surface of the frame holding member 80 forms a placement surface 80a on which the annular frame F is placed, and the annular frame F is placed on the placement surface 80a. The driving means 84 is composed of a plurality of air cylinders 86.

そして、載置面８０ａ上に載置された環状フレームＦは、クランプ８２によってフレーム保持部材８０に固定される。このように構成されたフレーム保持手段７８はエアシリンダ８６のピストンロッド８８に連結されており、エアシリンダ８６を駆動すると上下方向に移動される。   The annular frame F placed on the placement surface 80 a is fixed to the frame holding member 80 by the clamp 82. The frame holding means 78 configured as described above is connected to the piston rod 88 of the air cylinder 86 and is moved in the vertical direction when the air cylinder 86 is driven.

以上のように構成されたテープ拡張装置７４を使用したテープ拡張工程及びピックアップ工程について以下に説明する。図６に示すように、第１及び第２の分割溝５７ａ，５７ｂの形成されたＤＡＦ付ウエーハＷをダイシングテープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材８０の保持面８０ａ上に載置し、クランプ８２によってフレーム保持部材８０を固定する。この時、フレーム保持部材８０はその載置面８０ａが拡張ドラム７０の上端と略同一高さに位置づけられる。   A tape expansion process and a pickup process using the tape expansion device 74 configured as described above will be described below. As shown in FIG. 6, an annular frame F in which a DAF wafer W formed with first and second dividing grooves 57 a and 57 b is supported via a dicing tape T is placed on a holding surface 80 a of a frame holding member 80. The frame holding member 80 is fixed by the clamp 82. At this time, the mounting surface 80 a of the frame holding member 80 is positioned at substantially the same height as the upper end of the expansion drum 70.

次いで、エアシリンダ８６を駆動してフレーム保持部材８０を下方に約１５ｍｍ程度移動して図７に示す拡張位置に下降させる。これにより、フレーム保持部材８０の載置面８０ａ上に固定されている環状フレームＦも下降するため、環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム７６の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。   Next, the air cylinder 86 is driven to move the frame holding member 80 downward by about 15 mm to lower it to the extended position shown in FIG. As a result, the annular frame F fixed on the mounting surface 80a of the frame holding member 80 is also lowered, so that the dicing tape T attached to the annular frame F abuts on the upper edge of the expansion drum 76 and mainly has a radius. Expanded in the direction.

その結果、ダイシングテープＴに貼着されているＤＡＦ５３及びウエーハＷには放射状に引張力が作用し、隣接するＤＡＦ付デバイスＤの間隔が広くなる。よって、ピックアップ手段９０のピッカー９２により、ＤＡＦ付デバイスＤを容易にピックアップすることができる。   As a result, a tensile force acts radially on the DAF 53 and the wafer W attached to the dicing tape T, and the interval between the adjacent devices D with DAF is widened. Therefore, the device D with DAF can be easily picked up by the picker 92 of the pickup means 90.

上述した実施形態のウエーハの加工方法によると、分割予定ラインＳ１，Ｓ２の交差点５５において、照射するレーザビームのエネルギーを低減するか又は中止するようにしてアブレーション加工を施すので、分割予定ラインＳ１，Ｓ２の交差点５５においてＤＡＦ５３がダイシングテープＴに貼着することが防止され、ダイシングテープＴからＤＡＦ付デバイスＤを容易にピックアップすることができる。   According to the wafer processing method of the above-described embodiment, the ablation processing is performed at the intersection 55 of the scheduled division lines S1 and S2 so as to reduce or cancel the energy of the laser beam to be irradiated. The DAF 53 is prevented from sticking to the dicing tape T at the intersection 55 of S2, and the device D with DAF can be easily picked up from the dicing tape T.

Ｗ 半導体ウエーハ
Ｄ デバイス
Ｔ ダイシングテープ
Ｆ 環状フレーム
２ レーザ加工装置
２８ チャックテーブル
３４ レーザビーム照射ユニット
３６ 集光器
５３ ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）
５５ 交差点
５７ａ，５７ｂ 分割溝
７４ テープ拡張装置
９０ ピックアップ手段 W Semiconductor wafer D Device T Dicing tape F Annular frame 2 Laser processing device 28 Chuck table 34 Laser beam irradiation unit 36 Condenser 53 Die attach film (DAF)
55 Intersections 57a, 57b Dividing groove 74 Tape expansion device 90 Pickup means

Claims (2)

格子状に形成された複数の第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの裏面に、ダイシングテープで支持されたダイアタッチフィルムが配設されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを備えたレーザ加工装置の該チャックテーブルで該ダイシングテープを介してウエーハを吸引保持するウエーハの保持工程と、
該第１分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして該第１分割予定ラインに沿ってウエーハと該ダイアタッチフィルムとを分割する第１の分割工程と、
該第２分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして該第２分割予定ラインに沿ってウエーハと該ダイアタッチフィルムとを分割する第２の分割工程とを具備し、
該第１の分割工程又は該第２の分割工程の何れか一方において、該第１分割予定ラインと該第２分割予定ラインとの交差点においてレーザビームのエネルギーを低減させることを特徴とするウエーハの加工方法。 A die attach film supported by a dicing tape is disposed on the back surface of the wafer in which each device is formed in each region defined by a plurality of first division planned lines and second division planned lines formed in a lattice shape. A method of processing the wafer,
A chuck table that holds and rotates a wafer, a laser beam irradiation unit that irradiates a wafer held on the chuck table with a laser beam, and a processing feed that relatively processes and feeds the chuck table and the laser beam irradiation unit. A wafer holding step of sucking and holding the wafer through the dicing tape with the chuck table of a laser processing apparatus comprising:
The first division line is irradiated with a laser beam positioned, and the chuck table and the laser beam irradiation means are processed and fed relative to each other along the first division line. A first dividing step of dividing
A laser beam is positioned and irradiated on the second scheduled division line, and the chuck table and the laser beam irradiating means are processed and fed relative to each other along the second scheduled division line. And a second dividing step of dividing
In one of the first division step and the second division step, the energy of a laser beam is reduced at the intersection of the first division division line and the second division division line. Processing method. 該第１の分割工程又は該第２の分割工程の何れかにおいて、該第１分割予定ラインと該第２分割予定ラインとの交差点においてレーザビームの照射を中止することを特徴とする請求項１記載のウエーハの加工方法。   2. The laser beam irradiation is stopped at an intersection between the first division planned line and the second division planned line in either the first division step or the second division step. The processing method of the wafer as described.
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