KR101853729B1 - Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the cured film, and display device - Google Patents

Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the cured film, and display device Download PDF

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Abstract

(과제) 보존 안정성과 저온 소성을 양립하고, 그리고 충분한 방사선 감도를 갖는 감방사선성 수지 조성물 및, 경화막으로서의 요구 특성인 내열성, 내약품성, 투과율, 평탄성, 전압 보전율, 내선열팽창성 등이 우수한 경화막, 경화막의 형성 방법 및, 표시 소자를 제공하는 것이다.
(해결 수단) [A] 에폭시기를 갖는 중합체, [B] 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물, [C] 감방사선성 중합 개시제, 및 [D] 하기식 (1)∼(3)으로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물.

Figure 112011040822596-pat00005
(Problems) A radiation-sensitive resin composition having both a storage stability and a low temperature sintering and having sufficient radiation sensitivity, and a radiation cured resin composition having a cured film excellent in heat resistance, chemical resistance, transmittance, flatness, voltage holding ratio, A method for forming a cured film, and a display element.
(A) a polymer having an epoxy group, (B) a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, (C) a radiation sensitive polymerization initiator, and [D] a compound represented by the following formulas (1) to Wherein the radiation-sensitive resin composition contains at least one compound selected from the group consisting of the following.
Figure 112011040822596-pat00005

Description

감방사선성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 형성 방법 및, 표시 소자 {RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR FORMING THE CURED FILM, AND DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, a cured film, a method of forming a cured film, and a display element.

본 발명은, 층간 절연막, 보호막 또는 스페이서 등의 경화막의 형성 재료로서 적합한 감방사선성 수지 조성물, 그 조성물로 형성되는 경화막, 경화막의 형성 방법 및, 표시 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition suitable as a material for forming a cured film such as an interlayer insulating film, a protective film or a spacer, a cured film formed of the composition, a method of forming a cured film, and a display device.

박막 트랜지스터(TFT)형 액정 표시 소자 등의 전자 부품은, 일반적으로 층 형상으로 배치되는 배선 간을 절연하기 위해 층간 절연막이 형성되어 있다. 예를 들면 TFT형 액정 표시 소자는, 층간 절연막 상에 투명 전극막을 형성하고, 또한 그 위에 액정 배향막을 형성하는 공정을 거쳐 제조된다. 이러한 층간 절연막은, 투명 전극막의 형성 공정에 있어서 고온 조건이나, 전극의 패턴 형성에 사용되는 레지스트의 박리액에 노출되기 때문에, 이들에 대한 충분한 내열성 및 내약품성이 필요해진다. 또한, 이러한 경화막의 형성에 이용되는 감방사선성 수지 조성물에는, 방사선의 조사 시간의 단축화(즉, 높은 방사선 감도) 및 양호한 보존 안정성이 요구된다.In an electronic part such as a thin film transistor (TFT) type liquid crystal display element, an interlayer insulating film is formed in order to insulate wirings generally arranged in layers. For example, a TFT type liquid crystal display device is manufactured through a process of forming a transparent electrode film on an interlayer insulating film and forming a liquid crystal alignment film thereon. Such an interlayer insulating film is exposed to a high temperature condition in a process of forming a transparent electrode film and a stripping liquid of a resist used for pattern formation of an electrode, so that sufficient heat resistance and chemical resistance are required for these interlayer insulating films. In addition, the radiation sensitive resin composition used for forming such a cured film is required to shorten the irradiation time of radiation (i.e., high radiation sensitivity) and good storage stability.

또한 최근, TFT 기술을 응용한 경량 소형인 플렉시블 디스플레이가 보급되고 있다. 플렉시블 디스플레이의 기판으로서는, 폴리카보네이트 등의 플라스틱 기판이 검토되고 있다. 플라스틱 기판은, 가열에 의해 신장·수축하고, 결과적으로 디스플레이 기능을 저해하는 문제가 있다. 그 때문에 플렉시블 디스플레이 제조의 가열 공정에 있어서의 저온화가 검토되고 있다. 예를 들면 일본공개특허공보 2009-4394호에는, 저온 소성이라도 경화 가능한 폴리이미드 전구체를 포함하는 플렉시블 디스플레이용의 게이트 절연막용 도포액이 개시되어 있다. 그러나, 이 도포액은, 노광 현상에 의한 패턴 형성능을 갖지 않기 때문에 미세한 패턴 형성이 불가능하다. 또한, 경화 반응의 진행이 불충분한 것에 기인해서 인지, 얻어지는 경화막은 내열성, 내약품성 외에, 투과율, 평탄성, 전압 보전율, 내선열팽창성 등에 있어서 만족이 가는 수준은 아니다.Recently, lightweight and compact flexible displays using TFT technology have been spreading. As a substrate of a flexible display, a plastic substrate such as polycarbonate is being studied. The plastic substrate is stretched and shrunk by heating, which results in a problem of hindering the display function. Therefore, the lowering of the temperature in the heating process of the flexible display manufacturing has been studied. For example, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-4394 discloses a coating liquid for a gate insulating film for a flexible display which includes a polyimide precursor that can be cured even at a low temperature. However, since this coating liquid does not have a pattern forming ability due to exposure, it is impossible to form a fine pattern. In addition, due to the insufficient progress of the curing reaction, the obtained cured film is not satisfactory in terms of transmittance, flatness, voltage preservation rate, extrinsic thermal expansion, and the like in addition to heat resistance and chemical resistance.

그래서 저온이라도 에폭시계 재료의 경화제로서 이용되고 있는 아민 화합물의 첨가에 의해 가교 반응을 진행시키는 방책도 생각할 수 있다. 그러나, 일반적인 아민 화합물의 첨가에서는, 조성물 중에 존재하는 에폭시기와의 시간 경과적인 반응을 초래하여, 보존 안정성이 저하되는 경우가 있다.Therefore, it is conceivable that a crosslinking reaction may be promoted by addition of an amine compound which is used as a curing agent of an epoxy-based material even at a low temperature. However, addition of a common amine compound causes a reaction with an epoxy group present in the composition over time, and storage stability may be lowered in some cases.

이러한 상황으로부터, 보존 안정성과 저온 소성을 양립하고, 그리고 충분한 방사선 감도를 갖는 경화막 형성용 감방사선성 수지 조성물 및, 경화막으로서의 요구 특성인 내열성, 내약품성, 투과율, 평탄성, 전압 보전율, 내선열팽창성 등이 우수한 경화막의 개발이 요망되고 있다.From such a situation, a radiation-sensitive resin composition for forming a cured film having both a storage stability and a low temperature sintering and a sufficient radiation sensitivity and a radiation-curable resin composition for forming a cured film, which are required to have heat resistance, chemical resistance, transmittance, flatness, It is desired to develop a cured film having excellent properties.

일본공개특허공보 2009-4394호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-4394

본 발명은, 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 보존 안정성과 저온 소성을 양립하고, 그리고 충분한 방사선 감도를 갖는 경화막 형성용 감방사선성 수지 조성물 및, 경화막으로서의 요구 특성인 내열성, 내약품성, 투과율, 평탄성, 전압 보전율, 내선열팽창성 등이 우수한 경화막, 경화막의 형성 방법 및, 표시 소자를 제공하는 것이다.The present invention has been made based on the above-described circumstances, and its object is to provide a radiation-sensitive resin composition for forming a cured film having both storage stability and low temperature sintering and having sufficient radiation sensitivity, A method of forming a cured film and a display device excellent in heat resistance, chemical resistance, transmittance, flatness, voltage holding ratio, extensional thermal expansion, and the like.

상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 발명은,According to an aspect of the present invention,

[A] 에폭시기를 갖는 중합체(이하, 「[A] 중합체」라고 칭하는 경우가 있음),(A) a polymer having an epoxy group (hereinafter sometimes referred to as "[A] polymer"),

[B] 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물(이하, 「[B] 중합성 화합물」이라고 칭하는 경우가 있음),[B] a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond (hereinafter sometimes referred to as "[B] polymerizable compound"),

[C] 감방사선성 중합 개시제(이하, 「[C] 중합 개시제」라고 칭하는 경우가 있음), 및[C] a radiation-sensitive radiation polymerization initiator (hereinafter sometimes referred to as "[C] polymerization initiator"), and

[D] 하기식 (1)∼(3)으로 나타나는 화합물(이하, 「[D] 화합물」이라고 칭하는 경우가 있음)로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물이다.[D] a radiation-sensitive resin composition comprising at least one compound selected from the compounds represented by the following formulas (1) to (3) (hereinafter occasionally referred to as "[D] to be.

Figure 112011040822596-pat00001
Figure 112011040822596-pat00001

(식 (1) 중, R1, R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기, 사이클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 비닐기, 2-피리딜기 또는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐, 하이드록실기, 카복실기, 아세틸기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼12의 알킬기, 페닐기, 나프틸기를 나타내고;(Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cyclohexyl group, a phenyl group, a naphthyl group, a vinyl group, a 2-pyridyl group, A halogen group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms which may be substituted with an acetyl group, a phenyl group, or a naphthyl group;

식 (2) 중, R3, R4는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기, 사이클로헥실기이고, A는 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 비닐렌기, 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐으로 치환되어도 좋은 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기를 나타내고;In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cyclohexyl group, A is a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, A methylene group which may be substituted with halogen, an alkylene group of 2 to 12 carbon atoms, a phenylene group, or a naphthylene group;

식 (3) 중, R5, R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기, 사이클로헥실기이고, A는 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 비닐렌기, 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐으로 치환되어도 좋은 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기를 나타냄).In the formula (3), R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cyclohexyl group, A is a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, A methylene group which may be substituted with halogen, an alkylene group of 2 to 12 carbon atoms, a phenylene group, or a naphthylene group).

당해 조성물은, 추가로 [A] 에폭시기를 갖는 중합체가, 추가로 카복실기를 갖는 공중합체(이하, 「[A] 공중합체」라고 칭하는 경우가 있음)인 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물이다.This composition is further a radiation-sensitive resin composition characterized in that the polymer having an epoxy group [A] is further a copolymer having a carboxyl group (hereinafter sometimes referred to as "[A] copolymer").

당해 감방사선성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지로서의 [A] 중합체, [B] 중합성 화합물 및 [C] 중합 개시제를 함유한다. 감광성 재료인 당해 조성물은, 감방사선성을 이용한 노광·현상에 의해 용이하게 미세하고 그리고 정교한 패턴을 형성할 수 있고, 그리고 충분한 방사선 감도를 갖는다. 또한, 당해 조성물은, 상기식 (1)∼(3)으로 나타나는 아미드기를 분자 내에 갖는 [D] 화합물을 함유한다. 당해 조성물이 [D] 화합물을 함유함으로써 보존 안정성과 저온 소성을 양립할 수 있다. [D] 화합물은, 1급 또는 2급의 아미드기를 갖는 화합물이고, 이러한 화합물은 1급, 2급의 아미노기를 갖는 화합물에 비교하면, 에폭시기에 대한 구핵성(求核性)이 낮아, 실온 하에서는 에폭시기의 경화 반응을 거의 진행시키지 않는다. 그 때문에 당해 조성물은 보존 안정성이 우수한 것이 된다. 한편, 당해 조성물을 소정의 온도 이상으로 가열하면, [D] 화합물은 에폭시기 함유 수지의 경화 반응을 촉진하여, 에폭시기의 경화 촉진제로서 기능한다.The radiation sensitive resin composition contains the [A] polymer as the alkali-soluble resin, the [B] polymerizable compound and the [C] polymerization initiator. The composition, which is a photosensitive material, can easily form a fine and elaborate pattern by exposure and development using radiation-sensitive properties, and has sufficient radiation sensitivity. Further, the composition contains the [D] compound having the amide group represented by the above formulas (1) to (3) in the molecule. By containing the [D] compound in the composition, storage stability and low-temperature firing can be achieved at the same time. The [D] compound is a compound having a primary or secondary amide group. Compared to a compound having primary and secondary amino groups, such a compound has low nucleophilicity for the epoxy group, and at room temperature Hardly progress the curing reaction of the epoxy group. Therefore, the composition is excellent in storage stability. On the other hand, when the composition is heated to a predetermined temperature or higher, the [D] compound accelerates the curing reaction of the epoxy group-containing resin and functions as a curing accelerator for the epoxy group.

상기 [C] 중합 개시제는, 아세토페논 화합물 및 O-아실옥심 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. [C] 중합 개시제로서 상기 특정의 화합물을 이용함으로써, 저(低)노광량의 경우라도 내열성 등의 경화막으로서의 요구 특성을 보다 향상할 수 있다.The [C] polymerization initiator is preferably at least one selected from the group consisting of an acetophenone compound and an O-acyloxime compound. [C] By using the specific compound as the polymerization initiator, the required characteristics as a cured film such as heat resistance can be further improved even at a low exposure dose.

본 발명의 경화막의 형성 방법은,The method for forming a cured film of the present invention is characterized in that,

(1) 당해 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film of the composition on a substrate,

(2) 공정 (1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)

(3) 공정 (2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) a step of developing the coated film irradiated with the radiation in the step (2)

(4) 공정 (3)에서 현상된 도막을 소성하는 공정(4) a step of firing the developed coating film in the step (3)

을 갖는다.Respectively.

당해 조성물을 이용하는 본 발명의 형성 방법에 의해, 내열성, 내약품성, 투과율, 평탄성, 전압 보전율, 내선열팽창성 등의 요구 특성을 균형 좋게 만족하는 경화막을 형성할 수 있다.By the forming method of the present invention using the composition, a cured film can be formed that satisfactorily satisfies required properties such as heat resistance, chemical resistance, transmittance, flatness, voltage conservation rate, extensional thermal expansion and the like.

상기 공정 (4)의 소성 온도는 200℃ 이하인 것이 바람직하다. 당해 조성물은, 전술한 바와 같이 [D] 화합물을 함유하기 때문에, 이와 같이 낮은 저온 소성을 실현함과 함께 보존 안정성을 양립하고, 그리고 충분한 방사선 감도를 갖는다. 따라서, 당해 조성물은, 저온 소성이 요망되는 플렉시블 디스플레이 등에 이용되는 층간 절연막, 보호막 및 스페이서 등의 경화막의 형성 재료로서 적합하게 이용된다.The firing temperature in the step (4) is preferably 200 DEG C or less. Since this composition contains the [D] compound as described above, it achieves such low-temperature firing at a low temperature, achieves storage stability, and has sufficient radiation sensitivity. Therefore, the composition is suitably used as a material for forming a cured film such as an interlayer insulating film, a protective film, and a spacer used in a flexible display or the like requiring low-temperature firing.

당해 조성물로 형성되는 층간 절연막, 보호막 또는 스페이서로서의 경화막도 본 발명에 적합하게 포함된다. 또한, 이 경화막을 구비하는 표시 소자도 본 발명에 적합하게 포함된다.An interlayer insulating film formed by the composition, a protective film, or a cured film as a spacer are suitably included in the present invention. Further, a display element including the cured film is also included in the present invention.

또한, 본 명세서에 말하는 「소성」이란, 층간 절연막, 보호막 및 스페이서 등의 경화막에 요구되는 표면 경도가 얻어질 때까지 가열하는 것을 의미한다. 「감방사선성 수지 조성물」의 「방사선」이란, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 포함하는 개념이다.In the present specification, "firing" means heating until the required hardness of the cured film such as an interlayer insulating film, a protective film, and a spacer is obtained. The term " radiation " in the " radiation-sensitive resin composition " is a concept including visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-ray and charged particle light.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 감방사선성 수지 조성물은, 용이하게 미세하고 그리고 정교한 패턴을 형성할 수 있어, 보존 안정성과 저온 소성을 양립하고, 그리고 충분한 방사선 감도를 갖는다. 또한, 당해 조성물로 형성되는 경화막은, 그 요구 특성인 내열성, 내약품성, 투과율, 평탄성, 전압 보전율, 내선열팽창성 등이 우수하다. 따라서, 당해 조성물은 저온 소성이 요망되는 플렉시블 디스플레이 등에 이용되는 층간 절연막, 보호막, 스페이서 등의 경화막의 형성 재료로서 적합하게 이용된다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the radiation sensitive resin composition of the present invention can easily form fine and elaborate patterns, and has both storage stability and low temperature firing, and has sufficient radiation sensitivity. Further, the cured film formed from the composition is excellent in heat resistance, chemical resistance, transmittance, flatness, voltage conservation rate, extensional thermal expansion property, and the like. Accordingly, the composition is suitably used as a material for forming a cured film such as an interlayer insulating film, a protective film, and a spacer used in a flexible display or the like requiring low temperature firing.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 상술한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

＜감방사선성 수지 조성물＞<Radiation-Resistant Resin Composition>

본 발명의 감방사선성 수지 조성물은, [A] 중합체, [B] 중합성 화합물, [C] 중합 개시제 및, [D] 화합물을 함유하고, 추가로 임의 성분을 함유해도 좋다. 감광성 재료인 당해 조성물은, 감방사선성을 이용한 노광·현상에 의해 용이하게 미세하고 그리고 정교한 패턴을 형성할 수 있고, 그리고 충분한 방사선 감도를 갖는다. 또한, 당해 조성물은, [D] 화합물을 함유함으로써 보존 안정성과 저온 소성을 양립할 수 있다. 이하, 각 구성 요소를 상술한다.The radiation sensitive resin composition of the present invention contains the [A] polymer, the [B] polymerizable compound, the [C] polymerization initiator and the [D] compound, and may further contain optional components. The composition, which is a photosensitive material, can easily form a fine and elaborate pattern by exposure and development using radiation-sensitive properties, and has sufficient radiation sensitivity. Further, this composition can satisfy both storage stability and low-temperature firing by containing the [D] compound. Hereinafter, each component will be described in detail.

＜[A] 에폭시기를 갖는 중합체＞ <Polymer Having [A] Epoxy Group>

본 발명에 있어서의 [A] 에폭시기를 갖는 중합체(이하 [A] 중합체라고도 함)은, 분자 중에 2개 이상의 글리시딜기 또는, 3,4-에폭시사이클로헥실기를 갖는 중합체이다. [A] A polymer having an epoxy group (hereinafter also referred to as [A] polymer) in the present invention is a polymer having two or more glycidyl groups or 3,4-epoxycyclohexyl groups in the molecule.

에폭시기를 갖는 중합체의 구체예로서는, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르 등의 다가 알코올의 폴리글리시딜에테르류; 에틸렌글리콜, 프로필렌 글리콜, 글리세린 등의 지방족 다가 알코올에 1종 또는 2종 이상의 알킬렌 옥사이드를 부가함으로써 얻어지는 폴리에테르폴리올의 지방족 폴리글리시딜에테르류; 비스페놀A 노볼락형 에폭시 수지 등의 페놀 노볼락형 에폭시 수지; 크레졸 노볼락형 에폭시 수지; 폴리페놀형 에폭시 수지; 환상 지방족 에폭시 수지; 지방족 장쇄 이염기산의 디글리시딜에스테르류; 고급 지방산의 글리시딜에스테르류; 에폭시화 대두유, 에폭시화 아마인유 등을 들 수 있다. 이들 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물 중, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 및 폴리페놀형 에폭시 수지가 바람직하다.Specific examples of the polymer having an epoxy group include polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols such as polyethylene glycol diglycidyl ether and polypropylene glycol diglycidyl ether; Aliphatic polyglycidyl ethers of polyether polyols obtained by adding one or more alkylene oxides to aliphatic polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol and glycerin; Phenol novolak type epoxy resins such as bisphenol A novolak type epoxy resins; Cresol novolak type epoxy resin; Polyphenol type epoxy resins; Cyclic aliphatic epoxy resins; Diglycidyl esters of aliphatic long chain dibasic acids; Glycidyl esters of higher fatty acids; Epoxidized soybean oil, and epoxidized linseed oil. Among the compounds having two or more epoxy groups in these molecules, phenol novolak type epoxy resin and polyphenol type epoxy resin are preferable.

본 발명은, 추가로 [A] 에폭시기를 갖는 중합체가, 추가로 카복실기를 갖는 공중합체(이하, 「[A] 공중합체」라고 칭하는 경우가 있음)인 것이 바람직하다.The present invention is further preferably that the polymer having an epoxy group [A] is further a copolymer having a carboxyl group (hereinafter sometimes referred to as &quot; [A] copolymer &quot;).

[A] 공중합체는, (a1) 카복실기 함유 구조 단위 및 (a2) 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는다. [A] 공중합체를 얻는 방법으로서는, 예를 들면 (a1) 카복실기 함유 구조 단위(카복실기는 산무수물기도 포함함)를 부여하는 불포화 카본산 및/또는 불포화 카본산 무수물(이하, 「화합물(i)」이라고 칭하는 경우가 있음)과 (a2) 에폭시기 함유 구조 단위를 부여하는 에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물(이하, 「화합물(ii)」이라고 칭하는 경우가 있음)을 용매 중에서 중합 개시제를 사용하여, 공중합함으로써 얻어진다. 또한, 필요에 따라서 (a3)으로서, (메타)아크릴산 알킬에스테르 등의 라디칼 중합성 화합물(이하, 「화합물(iii)」이라고 칭하는 경우가 있음)을 상기 화합물(i), 화합물(ii)과 함께 함유시켜 공중합하여, [A] 공중합체로 해도 좋다.The [A] copolymer has (a1) a carboxyl group-containing structural unit and (a2) an epoxy group-containing structural unit. Examples of the method for obtaining the copolymer [A] include an unsaturated carboxylic acid and / or an unsaturated carboxylic acid anhydride (hereinafter, referred to as "compound (i)") which gives (a1) a carboxyl group-containing structural unit (the carboxyl group includes an acid anhydride) ) And (a2) a radically polymerizable compound having an epoxy group to give an epoxy group-containing structural unit (hereinafter sometimes referred to as &quot; compound (ii) &quot;), . In addition, a radically polymerizable compound such as a (meth) acrylic acid alkyl ester (hereinafter sometimes referred to as "compound (iii)") may be used as the component (a3) , And may be copolymerized to give a copolymer [A].

화합물(i)로서는, 예를 들면As the compound (i), for example,

아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 2-아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산 등의 모노카본산;Acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethylsuccinic acid, 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, 2-acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid, 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid And the like;

말레산, 푸마르산, 시트라콘산 등의 디카본산;Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and citraconic acid;

무수 말레산 등의 디카본산 무수물을 들 수 있다.And dicarboxylic anhydrides such as maleic anhydride.

이들 중, 공중합 반응성 및, 얻어지는 공중합체의 알칼리 현상액에 대한 용해성의 관점에서, 아크릴산, 메타크릴산, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 무수 말레산이 바람직하다.Of these, acrylic acid, methacrylic acid, 2-acryloyloxyethylsuccinic acid, 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, maleic anhydride are preferable from the viewpoints of the copolymerization reactivity and the solubility of the obtained copolymer in an alkali developer .

[A] 공중합체에 있어서, 화합물(i)은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. [A] 공중합체에 있어서, 화합물(i)의 함유율로서는, 1질량％∼40질량％가 바람직하고, 7질량％∼30질량％가 보다 바람직하고, 8질량％∼25질량％가 특히 바람직하다. 화합물(i)의 함유율을 1질량％∼40질량％로 함으로써, 감방사선 감도, 현상성 및 보존 안정성 등의 특성이 보다 높은 수준으로 최적화된 감방사선성 수지 조성물을 얻을 수 있다.In the [A] copolymer, the compound (i) may be used alone or in a mixture of two or more. In the copolymer [A], the content of the compound (i) is preferably from 1% by mass to 40% by mass, more preferably from 7% by mass to 30% by mass, and particularly preferably from 8% by mass to 25% . When the content of the compound (i) is set to 1% by mass to 40% by mass, a radiation-sensitive resin composition in which characteristics such as sensitivity to radiation, developability and storage stability are optimized to a higher level can be obtained.

화합물(ii)로서는, 에폭시기(옥시라닐기, 옥세타닐기) 등을 갖는 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다. 옥시라닐기를 갖는 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면Examples of the compound (ii) include a radically polymerizable compound having an epoxy group (oxiranyl group, oxetanyl group) and the like. As the radically polymerizable compound having an oxiranyl group, for example,

아크릴산 글리시딜, 아크릴산 2-메틸글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시부틸, 아크릴산 6,7-에폭시헵틸, 아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실, 아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 등의 아크릴산 에폭시알킬에스테르;Acrylic acid such as glycidyl acrylate, 2-methylglycidyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 6,7-epoxyhexyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate and 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate Epoxy alkyl esters;

메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, 메타크릴산 3,4-에폭시부틸, 메타크릴산 6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 등의 메타크릴산 에폭시알킬에스테르;Glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, 6,7-epoxyhexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, methacrylic Methacrylic acid epoxy alkyl esters such as acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl;

α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 6,7-에폭시헵틸 등의 α-알킬아크릴산 에폭시알킬에스테르;? -alkylacrylic acid epoxyalkyl esters such as glycidyl? -ethyl acrylate, glycidyl? -n-propyl acrylate, glycidyl? -n-butyl acrylate, and 6,7-epoxyheptyl? -ethylacrylate;

o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 글리시딜에테르를 들 수 있다.glycidyl ethers such as o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether and p-vinyl benzyl glycidyl ether.

옥세타닐기를 갖는 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면 3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 2-에틸-3-(메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(아크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 2-에틸-3-(아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-메틸-2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-메틸-2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 4-메틸-2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(2-(2-메틸옥세타닐))에틸메타크릴레이트, 2-(2-(3-메틸옥세타닐))에틸메타크릴레이트, 2-(메타크릴로일옥시에틸)-2-메틸옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시에틸)-4-메틸옥세탄, 2-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-메틸-2-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-메틸-2-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 4-메틸-2-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(2-(2-메틸옥세타닐))에틸메타크릴레이트, 2-(2-(3-메틸옥세타닐))에틸메타크릴레이트, 2-(아크릴로일옥시에틸)-2-메틸옥세탄, 2-(아크릴로일옥시에틸)-4-메틸옥세탄 등의 (메타)아크릴산 에스테르를 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable compound having an oxetanyl group include 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- 3- (methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 2-ethyl-3- (methacryloyloxy) 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-methyloctanoyl, Cetane, 3- (acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 2-ethyl-3- Methyl-2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 4-methyl-2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 2- (2- (3-methyloxetanyl)) ethyl methacrylate, 2- (2-methyloxetanyl) ethyl methacrylate, 2- ( (Methacryloyloxyethyl) -4-methyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) oxetane, 2-methyl-2- 2- (acryloyloxymethyl) oxetane, 2- (2- (2-methyloxyl) oxetane, 2- Cetanol) ethyl methacrylate, 2- (2- (3-methyloxetanyl)) ethyl methacrylate, 2- (acryloyloxyethyl) (Meth) acrylic acid esters such as methyl (meth) acrylate and ethyl (meth) acrylate.

이들 중, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, 메타크릴산 3, 4-에폭시부틸, 3-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄이, 얻어지는 층간 절연막, 보호막 및 스페이서 등의 경화막의 기판에 대한 밀착성이 높고, 고내열성을 가지며, 추가로 표시 소자에 있어서의 신뢰성을 높이는 점에서 바람직하다.Of these, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3, 4-epoxybutyl methacrylate, 3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxy (Methacryloyloxymethyl) oxetane, the resulting interlayer insulating film, the protective film, and the spacer, which are used for the substrate of the cured film, High adhesiveness, high heat resistance, and further enhance the reliability of the display element.

[A] 공중합체에 있어서, 화합물(ii)은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. [A] 공중합체에 있어서, 화합물(ii)의 함유율로서는, 10질량％∼70질량％가 바람직하고, 15질량％∼65질량％가 보다 바람직하다. 화합물(ii)의 함유율을 10질량％∼70질량％로 함으로써, 공중합체의 분자량의 제어가 용이해져, 현상성, 감도 등이 보다 높은 수준으로 최적화된 감방사선성 수지 조성물을 얻을 수 있다.In the [A] copolymer, the compound (ii) may be used singly or in a mixture of two or more kinds. In the copolymer [A], the content of the compound (ii) is preferably 10% by mass to 70% by mass, more preferably 15% by mass to 65% by mass. By controlling the content of the compound (ii) to 10% by mass to 70% by mass, it is possible to control the molecular weight of the copolymer easily and to obtain a radiation-sensitive resin composition in which developability and sensitivity are optimized to a higher level.

화합물(iii)로서는, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 지환식 에스테르, 산소 원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 및 6원환 (메타)아크릴산 에스테르, 수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카본산 디에스테르, 말레이미드 화합물, (메타)아크릴산의 하이드록시알킬에스테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 1,3-부타디엔을 들 수 있다.Examples of the compound (iii) include an alkyl (meth) acrylate ester, a (meth) acrylic acid alicyclic ester, an unsaturated complex five-membered ring containing an oxygen atom and a 6-membered (meth) acrylic acid ester, ) Acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acid diesters, maleimide compounds, hydroxyalkyl esters of (meth) acrylic acid, styrene,? -Methylstyrene, and 1,3-butadiene.

(메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들면 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl (meth) acrylate ester include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, methyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate and the like.

(메타)아크릴산 지환식 알킬에스테르로서는, 예를 들면 메타크릴산 사이클로펜틸, 메타크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산-2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산트리사이클로디사이클로펜타닐, 메타크릴산-2-디사이클로펜타닐옥시에틸, 메타크릴산 이소보르닐, 아크릴산 사이클로펜틸, 아크릴산 사이클로헥실, 아크릴산-2-메틸사이클로헥실, 아크릴산 트리사이클로디사이클로펜타닐, 아크릴산-2-디사이클로펜타닐옥시에틸, 아크릴산 이소보르닐 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid alicyclic alkyl esters include cyclopentyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, methacrylic acid recycled cyclic fentanyl, methacrylic acid-2-di Cyclopentanyloxyethyl acrylate, isobornyl methacrylate, cyclopentyl acrylate, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclodiacrylic acid cyclopentanyl acrylate, 2-dicyclopentanyloxyethyl acrylate, isobornyl acrylate, etc. .

산소 원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 및 6원환 메타크릴산 에스테르로서는, 예를 들면 테트라하이드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 2-메타크릴로일옥시-프로피온산 테트라하이드로푸르푸릴에스테르, 3-(메타)아크릴로일옥시테트라하이드로푸란-2-온 등의 테트라하이드로푸란 골격을 함유하는 불포화 화합물;Examples of the unsaturated complex 5-membered ring and 6-membered ring methacrylate ester containing an oxygen atom include tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- ) Unsaturated compounds containing a tetrahydrofuran skeleton such as acryloyloxytetrahydrofuran-2-one;

2-메틸-5-(3-푸릴)-1-펜텐-3-온, 푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 1-푸란-2-부틸-3-엔-2-온, 1-푸란-2-부틸-3-메톡시-3-엔-2-온, 6-(2-푸릴)-2-메틸-1-헥센-3-온, 6-푸란-2-일-헥시-1-엔-3-온, 아크릴산-2-푸란-2-일-1-메틸-에틸에스테르, 6-(2-푸릴)-6-메틸-1-헵텐-3-온 등의 푸란 골격을 함유하는 불포화 화합물;(Meth) acrylate, 1-furan-2-butyl-3-en-2-one, 1-furan- Methyl-1-hexen-3-one, 6-furan-2-yl-hex- 2-yl-1-methyl-ethyl ester, 6- (2-furyl) -6-methyl-1-hepten-3-one and the like; unsaturated compounds containing furan skeleton;

(테트라하이드로피란-2-일)메틸메타크릴레이트, 2,6-디메틸-8-(테트라하이드로피란-2-일옥시)-옥토-1-엔-3-온, 2-메타크릴산 테트라하이드로피란-2-일에스테르, 1-(테트라하이드로피란-2-옥시)-부틸-3-엔-2-온 등의 테트라하이드로피란 골격을 함유하는 불포화 화합물;(Tetrahydropyran-2-yloxy) -oct-1-en-3-one, 2-methacrylic acid tetrahydro Pyran-2-yl ester, an unsaturated compound containing a tetrahydropyran skeleton such as 1- (tetrahydropyran-2-oxy) -butyl-3-en-2-one;

4-(1,4-디옥사-5-요오드-6-헵테닐)-6-메틸-2-피란, 4-(1,5-디옥사-6-요오드-7-옥테닐)-6-메틸-2-피란 등의 피란 골격을 함유하는 불포화 화합물을 들 수 있다.4- (1, 4-dioxa-5-iodo-6-heptenyl) -6- Methyl-2-pyran and the like.

수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로서는, (메타)아크릴산-2-하이드록시에틸, (메타)아크릴산-2-하이드록시프로필, (메타)아크릴산-3-하이드록시프로필, (메타)아크릴산-2,3-디하이드록시프로필 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic esters having a hydroxyl group include (meth) acrylic acid-2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid-2-hydroxypropyl, (meth) Dihydroxypropyl, and the like.

(메타)아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들면 (메타)아크릴산 페닐, (메타)아크릴산 벤질 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid aryl esters include phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate.

불포화 디카본산 디에스테르로서는, 예를 들면 말레산 디에틸, 푸마르산 디에틸, 이타콘산 디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid diester include diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate and the like.

말레이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(4-하이드록시페닐)말레이미드, N-(4-하이드록시벤질)말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide compound include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) maleimide Maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide Propionate, N- (9-acridinyl) maleimide, and the like.

[A] 공중합체에 있어서, 화합물(iii)의 함유율로서는, 10질량％∼70질량％가 바람직하고, 15질량％∼65질량％가 보다 바람직하다. 화합물(iii)의 공중합 비율을 10질량％∼70질량％로 함으로써, 공중합체의 분자량의 제어가 용이해져, 현상성, 감도, 밀착성 등이 보다 높은 수준으로 최적화된 감방사선성 수지 조성물을 얻을 수 있다.In the copolymer [A], the content of the compound (iii) is preferably 10% by mass to 70% by mass, more preferably 15% by mass to 65% by mass. By controlling the copolymerization ratio of the compound (iii) to 10% by mass to 70% by mass, it is possible to easily control the molecular weight of the copolymer and obtain a radiation-sensitive resin composition in which developability, sensitivity, have.

＜[A] 공중합체의 합성 방법＞&Lt; Synthesis method of [A] copolymer &gt;

[A] 공중합체는, 예를 들면, 화합물(i), 화합물(ii) 및 필요에 따라서 화합물(iii)을, 용매 중, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.The [A] copolymer can be synthesized by, for example, polymerizing the compound (i), the compound (ii) and the compound (iii) as required in a solvent using a radical polymerization initiator.

[A] 공중합체를 제조하기 위한 중합 반응에 이용되는 용매로서는, 예를 들면 알코올류, 에테르류, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 기타 에스테르류 등을 들 수 있다.Examples of the solvent used in the polymerization reaction for producing the copolymer [A] include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol mono Alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionate, aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters.

알코올류로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올, 3-페닐-1-프로판올 등을 들 수 있다.Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like.

에테르류로서는, 환상 에테르, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트 등을 들 수 있다.Examples of the ethers include cyclic ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, and propylene glycol monoalkyl ether propionates.

환상 에테르로서는, 예를 들면 테트라하이드로푸란 등을 들 수 있다.As the cyclic ether, for example, tetrahydrofuran and the like can be mentioned.

글리콜에테르로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등을 들 수 있다.The glycol ether includes, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether and the like.

에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트로서는, 예를 들면 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다.Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetate include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate and the like.

디에틸렌글리콜알킬에테르로서는, 예를 들면 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등을 들 수 있다.Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether and the like.

프로필렌글리콜모노알킬에테르로서는, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등을 들 수 있다.Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether.

프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트로서는, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다.Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like.

프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트로서는, 예를 들면 프로필렌모노글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르프로피오네이트 등을 들 수 있다.Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate, and the like. .

방향족 탄화수소류로서는, 예를 들면 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbons include toluene, xylene, and the like.

케톤류로서는, 예를 들면 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 4-하이드록시-4-메틸-2-헨탄온 등을 들 수 있다.Examples of the ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-hexanone and the like.

기타 에스테르류로서는, 예를 들면 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시아세트산 메틸, 하이드록시아세트산 에틸, 하이드록시아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산 에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산 메틸, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 프로필, 메톡시아세트산 부틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 프로필, 에톡시아세트산 부틸, 프로폭시아세트산 메틸, 프로폭시아세트산 에틸, 프로폭시아세트산 프로필, 프로폭시아세트산 부틸, 부톡시아세트산 메틸, 부톡시아세트산 에틸, 부톡시아세트산 프로필, 부톡시아세트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸, 2-부톡시프로피온산 메틸, 2-부톡시프로피온산 에틸, 2-부톡시프로피온산 프로필, 2-부톡시프로피온산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 프로필, 3-에톡시프로피온산 부틸, 3-프로폭시프로피온산 메틸, 3-프로폭시프로피온산 에틸, 3-프로폭시프로피온산 프로필, 3-프로폭시프로피온산 부틸, 3-부톡시프로피온산 메틸, 3-부톡시프로피온산 에틸, 3-부톡시프로피온산 프로필, 3-부톡시프로피온산 부틸 등을 들 수 있다.Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy- Hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, Propyl methoxyacetate, propyl methoxy propionate, butyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, ethoxyacetate, ethoxyacetate, , Butyl ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propoxyacetate Methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, Ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, 2- Methoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, butyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethyl propoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, Butyl, 3-propoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate and butyl 3-butoxypropionate.

상기 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산), 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등을 들 수 있다.Examples of the radical polymerization initiator include 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis- ( 4-dimethylvaleronitrile), 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid), dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate), 2 , 2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), and the like.

이들 중, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)이 바람직하다.Of these, 2,2'-azobisisobutyronitrile and 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) are preferred.

라디칼 중합 개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 라디칼 중합 개시제의 사용량으로서는, 화합물(i), 화합물(ii) 및 화합물(iii)의 합계 100질량％에 대하여, 통상, 0.1질량％∼50질량％가 바람직하고, 0.1질량％∼20질량％가 보다 바람직하다.The radical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more. The amount of the radical polymerization initiator to be used is usually 0.1% by mass to 50% by mass, preferably 0.1% by mass to 20% by mass, based on 100% by mass of the total amount of the compound (i), the compound More preferable.

또한, 상기 중합 반응에 있어서는, 분자량을 조정하기 위해 분자량 조정제를 사용할 수 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면In the polymerization reaction, a molecular weight regulator may be used to adjust the molecular weight. As the molecular weight adjuster, for example,

클로로포름, 사브롬화 탄소 등의 할로겐화 탄화수소류;Halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide;

n-헥실메르캅탄, n-옥틸메르캅탄, n-도데실메르캅탄, t-도데실메르캅탄, 티오글리콜산 등의 메르캅탄류;mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan and thioglycolic acid;

디메틸잔토겐술피드, 디이소프로필잔토디겐술피드 등의 잔토겐류;Residues of residues such as dimethylzantogen sulfide and diisopropylzantidine diglyme;

테르피놀렌, α-메틸스티렌다이머 등을 들 수 있다.Terpinolene, alpha -methylstyrene dimer, and the like.

분자량 조정제의 사용량으로서는 화합물(i), 화합물(ii) 및 화합물(iii)의 합계 100질량％에 대하여, 통상, 0.1질량％∼50질량％, 0.2질량％∼16질량％가 바람직하고, 0.4질량％∼8질량％가 보다 바람직하다. 중합 온도로서는, 통상, 0℃∼150℃, 50℃∼120℃가 바람직하다. 중합 시간으로서는, 통상, 10분∼20시간, 30분∼6시간이 바람직하다.The amount of the molecular weight modifier to be used is preferably 0.1% by mass to 50% by mass and 0.2% by mass to 16% by mass, preferably 0.4% by mass, based on 100% by mass of the total amount of the compound (i) % To 8% by mass is more preferable. The polymerization temperature is usually 0 deg. C to 150 deg. C and 50 deg. C to 120 deg. The polymerization time is usually 10 minutes to 20 hours, preferably 30 minutes to 6 hours.

[A] 공중합체의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 2.0×103∼1.0×105가 바람직하고, 5.0×103∼5.0×104가 보다 바람직하다. [A] 공중합체의 Mw를 2.0×103 이상으로 함으로써, 감방사선성 수지 조성물의 충분한 현상 마진을 얻음과 함께, 형성되는 도막의 잔막률(패턴 형상 박막이 적정하게 잔존하는 비율)의 저하를 방지하고, 나아가서는 얻어지는 절연막의 패턴 형상이나 내열성 등을 양호하게 유지할 수 있다. 한편, [A] 공중합체의 Mw를 1.0×105 이하로 함으로써, 고도의 방사선 감도를 보존유지하여, 양호한 패턴 형상을 얻을 수 있다. 또한, [A] 공중합체의 분자량 분포(Mw/Mn)로서는, 5.0 이하가 바람직하고, 3.0 이하가 보다 바람직하다. [A] 공중합체의 Mw/Mn을 5.0 이하로 함으로써, 얻어지는 절연막의 패턴 형상을 양호하게 유지할 수 있다. 또한, 상기와 같은 바람직한 범위의 Mw 및 Mw/Mn을 갖는 [A] 공중합체를 포함하는 감방사선성 수지 조성물은, 고도의 현상성을 갖기 때문에, 현상 공정에 있어서, 현상 잔사를 발생시키는 일 없이 용이하게 소정 패턴 형상을 형성할 수 있다.The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the [A] copolymer is preferably from 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , more preferably from 5.0 × 10 3 to 5.0 × 10 4 . By setting the Mw of the copolymer [A] to 2.0 x 10 3 or more, a sufficient development margin of the radiation-sensitive resin composition is obtained, and a reduction in the residual film ratio (proportion of the patterned thin film remaining properly) And the pattern shape and heat resistance of the obtained insulating film can be maintained favorably. On the other hand, by setting the Mw of the [A] copolymer to 1.0 x 10 &lt; 5 &gt; or less, it is possible to maintain and maintain a high radiation sensitivity and obtain a good pattern shape. The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the [A] copolymer is preferably 5.0 or less, more preferably 3.0 or less. By setting the Mw / Mn of the copolymer [A] to 5.0 or less, the pattern shape of the obtained insulating film can be maintained satisfactorily. Further, the radiation-sensitive resin composition containing the copolymer [A] having the Mw and Mw / Mn in the preferred ranges as described above has high developing property, and therefore, in the developing step, It is possible to easily form a predetermined pattern shape.

＜[B] 중합성 화합물＞&Lt; [B] Polymerizable compound &gt;

[B] 중합성 화합물은 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물이다. 당해 조성물에 함유되는 [B] 중합성 화합물로서는, 예를 들면 ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 2-(2'-비닐옥시에톡시)에틸(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 에틸렌옥사이드 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트 등 외에, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 갖고, 그리고 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 갖고, 그리고 3개∼5개의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물 등을 들 수 있다.[B] The polymerizable compound is a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond. Examples of the [B] polymerizable compound contained in the composition include ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate, ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) (Meth) acrylate such as 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, dimethyloltricyclodecanedi (meth) acrylate, 2- (2-hydroxyethyl) -3- Acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol (meth) acrylate, trimethylolpropane tri Hexa (Meth) acrylate, tri (meth) acryloyloxyethyl) phosphate, ethylene oxide modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, succinic acid modified pentaerythritol tri (Meth) acrylate obtained by reacting a compound having two or more isocyanate groups and an alicyclic structure, a compound having at least one hydroxyl group in the molecule and a compound having three to five (meth) acryloyloxy groups, Acrylate compounds and the like.

상기 [B] 중합성 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면As a commercially available product of the above-mentioned [B] polymerizable compound, for example,

아로닉스 M-400, 동(同) M-402, 동 M-405, 동 M-450, 동 M-1310, 동 M-1600, 동 M-1960, 동 M-7100, 동 M-8030, 동 M-8060, 동 M-8100, 동 M-8530, 동 M-8560, 동 M-9050, 아로닉스 TO-1450, 동 TO-1382(이상, 토아고세이 가부시키가이샤);ARONIX M-400, M-402, M-405, M-450, M-1310, M-1600, M-1960, M-7100, M-8030, M-8060, M-8100, M-8530, M-8560, M-9050, Aronix TO-1450, and TO-1382 (trade names, manufactured by Toagosei Kogyo K.K.);

KAYARAD　DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 MAX-3510(이상, 닛폰카야쿠 가부시키가이샤);KAYARAD DPHA, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60, DPCA-120 and MAX-3510 (all manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.);

비스코트 295, 동 300, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사카유키카가쿠코교 가부시키가이샤);Viscoat 295, Dong 300, Dong 360, Dong GPT, Dong 3PA, Dong 400 (above, Osaka Yuki Kagakukogyo Co., Ltd.);

우레탄 아크릴레이트계 화합물로서, 뉴 프런티어　R-1150(다이이치코교세야쿠 가부시키가이샤);As the urethane acrylate compound, New Frontier R-1150 (manufactured by Daiichi Kyoei Yakuhin Co., Ltd.);

KAYARAD　DPHA-40H, UX-5000(이상, 닛폰카야쿠 가부시키가이샤);KAYARAD DPHA-40H, UX-5000 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.);

UN-9000H(네가미코교 가부시키가이샤);UN-9000H (Negami Corporation);

아로닉스 M-5300, 동 M-5600, 동 M-5700, 동 M-210, 동 M-220, 동 M-240, 동 M-270, 동 M-6200, 동 M-305, 동 M-309, 동 M-310, 동 M-315(이상, 토아고세이 가부시키가이샤); ARONIX M-5300, M-5600, M-5700, M-210, M-220, M-240, M-270, M-6200, M-305, M-309 , Dong M-310, Dong M-315 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.);

KAYARAD　HDDA, KAYARAD　HX-220, 동 HX-620, 동 R-526, 동 R-167, 동 R-604, 동 R-684, 동 R-551, 동 R-712, UX-2201, UX-2301, UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, UX-0937, MU-2100, MU-4001(이상, 닛폰카야쿠 가부시키가이샤);KAYARAD HDDA, KAYARAD HX-220, HX-620, R-526, R-167, R-604, R-684, R-551, R-712, UX-2201 and UX-2301 , UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, UX-0937, MU-2100, MU-4001 (all Nippon Kayaku Co., Ltd.);

아트레진 UN-9000PEP, 동 UN-9200A, 동 UN-7600, 동 UN-333, 동 UN-1003, 동 UN-1255, 동 UN-6060PTM, 동 UN-6060P, 동 SH-500B (이상, 네가미코교 가부시키가이샤); Art Resin UN-9000PEP, UN-9200A, UN-7600, UN-333, UN-1003, UN-1255, UN-6060PTM, UN-6060P and SH-500B Kyowa Chemical Co., Ltd.);

비스코트 260, 동 312, 동 335HP(이상, 오사카유키카가쿠코교 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.Viscoat 260, Copper 312, Copper 335HP (manufactured by Osaka Yuki Kagakuko Kogyo Co., Ltd.), and the like.

[B] 중합성 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 당해 조성물에 있어서의 [B] 중합성 화합물의 함유 비율로서는, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체 100질량부에 대하여, 20질량부∼200질량부가 바람직하고, 40질량부∼160질량부가 보다 바람직하다. [B] 중합성 화합물의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 당해 조성물은, 밀착성이 우수하여 저노광량에 있어서도 충분한 경도를 가진 층간 절연막, 보호막 및 스페이서 등의 경화막을 얻을 수 있다.[B] The polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more. The content of the [B] polymerizable compound in the composition is preferably 20 parts by mass to 200 parts by mass, more preferably 40 parts by mass to 160 parts by mass per 100 parts by mass of the polymer [A] or the copolymer [A] desirable. By setting the content ratio of the [B] polymerizable compound within the above range, the composition can provide a cured film such as an interlayer insulating film, a protective film and a spacer having excellent adhesiveness and having sufficient hardness even at a low exposure dose.

＜[C] 중합 개시제＞<[C] Polymerization initiator>

당해 조성물에 함유되는 [C] 중합 개시제는, 방사선에 감응하여 [B] 중합성 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분이다. [C] 중합 개시제는, O-아실옥심화합물 및 아세토페논 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다.The [C] polymerization initiator contained in the composition is a component that generates active species capable of initiating polymerization of the [B] polymerizable compound in response to radiation. [C] The polymerization initiator preferably contains at least one member selected from the group consisting of an O-acyloxime compound and an acetophenone compound.

O-아실옥심 화합물로서는, 예를 들면 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)-,2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-[9-에틸-6-벤조일-9H-카르바졸-3-일]-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 1-[9-n-부틸-6-(2-에틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로피라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-5-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥소라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등을 들 수 있다.Examples of the O-acyloxime compound include 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -, 2- (O-benzoyloxime)], ethanone- 1- [ (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), 1- [ -Acetic acid, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -ethan- (2-ethylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -ethan- 1 -one oxime-O-benzoate, ethanone- 1- [ Yl) -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2- (9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9H-carbazol- ) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone- 1- [ - dioxolanyl) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) The.

이들 중, 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)-,2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 또는 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디요오드라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)이 바람직하다.Among them, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -, 2- (O-benzoyloxime)], ethanone- 1- [ (9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9H-carbazole 3- yl] -1- (O-acetyloxime) or ethanone-1- [9-ethyl-6- { -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) is preferred.

아세토페논 화합물로서는, 예를 들면 α-아미노케톤 화합물, α-하이드록시케톤 화합물을 들 수 있다.Examples of the acetophenone compound include an? -Amino ketone compound and? -Hydroxy ketone compound.

α-아미노케톤 화합물로서는, 예를 들면 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온 등을 들 수 있다.Examples of the? -amino ketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2- 1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one and 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one .

α-하이드록시케톤 화합물로서는, 예를 들면, 1-페닐-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-i-프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐-(2-하이드록시-2-프로필)케톤, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다.Examples of the? -hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-i-propylphenyl) -2- 1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone.

이들 중, α-아미노케톤 화합물이 바람직하고, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온이 보다 바람직하다.Of these,? -Aminoketone compounds are preferable, and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) Methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one More preferable.

[C] 중합 개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. [C] 중합 개시제로서 상기 특정의 화합물을 이용함으로써, 저노광량의 경우라도 내열성 등의 경화막으로서의 요구 특성을 보다 향상할 수 있다.[C] The polymerization initiator may be used alone or in combination of two or more. The use of the specific compound [C] as the polymerization initiator can further improve the required characteristics as a cured film such as heat resistance even at a low exposure dose.

당해 조성물에 있어서의 [C] 중합 개시제의 함유 비율로서는, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체 100질량부에 대하여, 1질량부∼40질량부가 바람직하고, 5질량부∼30질량부가 보다 바람직하다. [C] 중합 개시제의 함유 비율을 1질량부∼40질량부로 함으로써, 당해 조성물은, 저노광량의 경우에서도 높은 경도 및 밀착성을 갖는 층간 절연막, 보호막 및 스페이서 등의 경화막을 형성할 수 있다.The content of the [C] polymerization initiator in the composition is preferably 1 part by mass to 40 parts by mass, more preferably 5 parts by mass to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer [A] or the copolymer [A] Do. By setting the content of the polymerization initiator [C] to 1 part by mass to 40 parts by mass, the composition of the present invention can form a cured film such as an interlayer insulating film, a protective film and a spacer having high hardness and adhesion even in a low exposure amount.

＜[D] 일반식 (1)∼(3)으로 나타나는 화합물＞&Lt; [D] Compounds represented by formulas (1) to (3)

당해 조성물은, 상기식 (1)∼(3)으로 나타나는 아미드기를 갖는 화합물(이하, [D] 화합물이라고도 말함)을 함유함으로써 보존 안정성과 저온 소성을 양립할 수 있다.This composition can contain both a storage stability and a low temperature baking by containing a compound having an amide group represented by the above formulas (1) to (3) (hereinafter also referred to as [D] compound).

상기식 (1)로 나타나는 화합물은 분자 내에 하나의 아미드 결합을 갖는 화합물이다. 그 구체예로서는, 예를 들면, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N-에틸아세트아미드, N-n-프로필아세트아미드, N-이소프로필아세트아미드, N-n-부틸아세트아미드, N-이소부틸아세트아미드, N-t-부틸아세트아미드, N-n-헥실아세트아미드, N-n-옥틸아세트아미드, N-n-도데실아세트아미드, 프로피오닐아미드, 부티릴아미드, 발레릴아미드, 이소발레릴아미드, 옥타노일아미드, 아세트아닐리드, 아세토아세트아닐리드, o-아세트아미드벤조산, m-아세트아미드벤조산, p-아세트아미드벤조산, o-아세트아미드페놀, m-아세트아미드페놀, p-아세트아미드페놀, 아세트아미드나프탈렌, 프탈아미드산(phthalamidic acid), 아크릴아미드, 벤즈아미드, 나프트아미드, 니코틴아미드, 이소니코틴아미드 등을 들 수 있다.The compound represented by the formula (1) is a compound having one amide bond in the molecule. Specific examples thereof include acetamide, N-methylacetamide, N-ethylacetamide, Nn-propylacetamide, N-isopropylacetamide, N-butylacetamide, N-isobutylacetamide, Nt Butylacetamide, N-hexyl acetamide, Nn-octylacetamide, Nn-dodecylacetamide, propionylamide, butyrylamide, valerylamide, isovaleramide, octanoylamide, acetanilide, Acetamide benzoic acid, p-acetamido benzoic acid, o-acetamido phenol, m-acetamido phenol, p-acetamido phenol, acetamid naphthalene, phthalamidic acid, Acrylamide, benzamide, naphthamide, nicotinamide, isonicotinamide and the like.

이들 중, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, 프탈아미드산을 이용한 경우, 당해 조성물은, 실온에서의 보존 안정성에 의해 우수하고, 그리고 얻어지는 경화막의 내열성, 전압 보전율 등을 향상시킬 수 있다.Among them, when acetamide, N-methylacetamide or phthalamidic acid is used, the composition is excellent in storage stability at room temperature, and the heat resistance and voltage preservation rate of the resulting cured film can be improved.

상기식 (2) 및 (3)으로 나타나는 화합물은 분자 내에 2개의 아미드 결합을 갖는 화합물이다. 그 구체예로서는, 예를 들면, 프탈아미드, 이소프탈아미드, 테레프탈아미드, 말론아미드, 숙신아미드, 글루타르아미드, 아디픽아미드, 피멜아미드, 수베르아미드, 아젤라아미드, 세바크아미드, 말레아미드, 푸마르아미드, N,N'-디메틸-프탈아미드, N,N'-디메틸-이소프탈아미드, N,N'-디메틸-테레프탈아미드, N,N'-디아세틸-o-페닐렌디아민, N,N'-디아세틸-m-페닐렌디아민, N,N'-디아세틸-p-페닐렌디아민, N,N'-디프로피오닐-o-페닐렌디아민, N,N'-디프로피오닐-m-페닐렌디아민, N,N'-디프로피오닐-p-페닐렌디아민, N,N'-디아세틸-에틸렌디아민, N,N'-디아세틸-프로필렌디아민, N,N'-디아세틸-부틸렌디아민, N,N'-디아세틸-헥사메틸렌디아민, N,N'-디아세틸-도데실메틸렌디아민, N,N'-디벤조일-에틸렌디아민, N,N'-디벤조일-프로필렌디아민, N,N'-디벤조일-부틸렌디아민, N,N'-디벤조일-헥사메틸렌디아민, N,N'-디벤조일-도데실메틸렌디아민, N,N'-디나프토일-에틸렌디아민, N,N'-디나프토일-프로필렌디아민, N,N'-디나프토일-부틸렌디아민, N,N'-디나프토일-헥사메틸렌디아민, N,N'-디나프토일-도데실메틸렌디아민 등을 들 수 있다.The compounds represented by the above formulas (2) and (3) are compounds having two amide bonds in the molecule. Specific examples thereof include aliphatic amines such as phthalamide, isophthalamide, terephthalamide, malonamide, succinamide, glutaramide, adipamide, pimelamide, suuberamide, azelaamide, sebacamide, N, N'-dimethyl-terephthalamide, N, N'-diacetyl-o-phenylenediamine, N, N'-dimethyl-isophthalamide, '-Diacetyl-m-phenylenediamine, N, N'-diacetyl-p-phenylenediamine, N, N'-dipropionyl-o-phenylenediamine, N, N'-dipropionylm N, N'-diacetyl-ethylenediamine, N, N'-diacetyl-propylenediamine, N, N'-diacetyl- N, N'-dibenzoyl-propylenediamine, N, N'-dibenzoyl-ethylenediamine, N, N'-dibutylethylenediamine, , N, N'-dibenzoyl-butylenediamine, N, N'-dibenzo - N, N'-dinaphthoyl-ethylenediamine, N, N'-dinaphthoyl-propylenediamine, N, N'-dinaphthoyl -Butylenediamine, N, N'-dinaphthoyl-hexamethylenediamine, N, N'-dinaphthoyl-dodecylmethylenediamine, and the like.

조성물의 보존 안정성과 경화 촉진을 높은 수준으로 양립할 수 있다는 관점에서, 이소프탈아미드, 아디픽아미드, N,N'-디아세틸-p-페닐렌디아민, N,N'-디아세틸-헥사메틸렌디아민이 바람직하다.From the viewpoint that the storage stability of the composition and the acceleration of curing can be compatible with each other at a high level, it is preferable to use an isophthalamide, an adipamide, N, N'-diacetyl-p-phenylenediamine, N, N'-diacetyl- Diamines are preferred.

상기 아미드기를 갖는 화합물은, 당해 조성물의 실온에서의 보존 안정성이 향상된다. 또한, 에폭시기와의 반응성이 우수하기 때문에, 200℃ 이하의 저온 경화에 공헌한다.The amide group-containing compound improves the storage stability of the composition at room temperature. Further, since the reactivity with an epoxy group is excellent, it contributes to low temperature curing at 200 DEG C or less.

당해 조성물에 있어서의 상기 [D] 일반식 (1)∼(3)으로 나타나는 화합물의 함유 비율로서는, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체 100질량부에 대하여, 0.01질량부∼10질량부가 바람직하고, 0.05질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. [D] 화합물의 함유 비율을 0.01질량부∼10질량부로 함으로써, 당해 조성물의 보존 안정성과 경화막의 경화 촉진을 높은 수준으로 양립할 수 있고, 추가로 얻어진 보호막, 층간 절연막, 스페이서 등의 경화막을 구비한 표시 소자의 전압 보전율을 높은 수준으로 보존유지할 수 있다.The content of the compound represented by the general formula (1) to (3) in the above composition [D] is preferably 0.01 part by mass to 10 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polymer [A] or the copolymer [A] And more preferably 0.05 parts by mass to 5 parts by mass. When the content of the [D] compound is set to 0.01 to 10 parts by mass, the storage stability of the composition and the curing acceleration of the cured film can be made high, and a cured film such as a protective film, an interlayer insulating film, The voltage holding ratio of one display element can be maintained and maintained at a high level.

＜임의 성분＞<Optional ingredients>

당해 조성물은, 상기의 [A] 중합체 또는 [A] 공중합체, [B] 중합성 화합물, [C] 중합 개시제 및, [D] 화합물에 더하여, 소기의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 필요에 따라서 [E] 1분자 중에 2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물, [F] 접착 보조제, [G] 계면활성제, [H] 보존 안정제 및, [I] 내열성 향상제 등의 임의 성분을 함유할 수 있다. 이들 각 임의 성분은, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 이하, 순서대로 상술한다.The composition may contain, in addition to the aforementioned [A] polymer or [A] copolymer, [B] polymerizable compound, [C] polymerization initiator and [D] [E] an optional component such as a compound having at least two oxiranyl groups in one molecule, [F] an adhesion promoter, [G] a surfactant, a [H] storage stabilizer and [I] a heat resistance improver. These optional components may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, it will be described in detail in order.

[[E] 1분자 중에 2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물][[E] a compound having at least two oxiranyl groups in one molecule]

[E] 1분자 중에 2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물(이하, 「[E] 화합물」이라고 칭하는 경우가 있음)은, 얻어지는 경화막의 경도를 더욱 향상시키기 위해 첨가할 수 있다. 이러한 [E] 화합물로서는, 예를 들면 1분자 내에 2개 이상의 3,4-에폭시사이클로헥실기를 갖는 화합물 및 그 외의 [E] 화합물을 들 수 있다. 단, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체는 제외한다.[E] A compound having two or more oxiranyl groups in one molecule (hereinafter sometimes referred to as "[E] compound") may be added to further improve the hardness of the resulting cured film. Such [E] compounds include, for example, compounds having two or more 3,4-epoxycyclohexyl groups in one molecule and other [E] compounds. However, [A] polymer or [A] copolymer is excluded.

상기 1분자 내에 2개 이상의 3,4-에폭시사이클로헥실기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 3,4-에폭시사이클로헥실기메틸-3',4'-에폭시사이클로헥산카복시레이트, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실기-5,5-스피로-3,4-에폭시)사이클로헥산-메타-디옥산, 비스(3,4-에폭시사이클로헥실메틸)아디페이트, 비스(3,4-에폭시-6-메틸사이클로헥실메틸)아디페이트, 3,4-에폭시-6-메틸사이클로헥실-3',4'-에폭시-6'-메틸사이클로헥산카복시레이트, 메틸렌비스(3,4-에폭시사이클로헥산), 디사이클로펜타디엔디에폭사이드, 에틸렌글리콜의 디(3,4-에폭시사이클로헥실메틸)에테르, 에틸렌비스(3,4-에폭시사이클로헥산카복시레이트), 락톤 변성 3,4-에폭시사이클로헥실메틸-3',4'-에폭시사이클로헥산카복시레이트 등을 들 수 있다.Examples of the compound having two or more 3,4-epoxycyclohexyl groups in the molecule include 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ', 4'-epoxycyclohexanecarboxylate, 2- (3 Bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, bis (3,4-epoxy-cyclohexylmethyl) 6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl-3 ', 4'-epoxy-6'-methylcyclohexanecarboxylate, methylenebis (3,4-epoxycyclohexane) (3,4-epoxycyclohexylmethyl) ether of ethylene glycol, ethylenebis (3,4-epoxycyclohexanecarboxylate), lactone-modified 3,4-epoxycyclohexylmethyl- 3 ', 4'-epoxycyclohexanecarboxylate, and the like.

상기 그 외의 [E] 화합물로서는, 예를 들면As the other [E] compounds, for example,

비스페놀A 디글리시딜에테르, 비스페놀F 디글리시딜에테르, 비스페놀S 디글리시딜에테르, 수소첨가 비스페놀A 디글리시딜에테르, 수소첨가 비스페놀F 디글리시딜에테르, 수소첨가 비스페놀AD 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀A 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀F 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀S 디글리시딜에테르 등의 비스페놀 화합물의 디글리시딜에테르;Bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol S diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol AD diglyme Diglycidyl ethers of bisphenol compounds such as cy- idyl ether, brominated bisphenol A diglycidyl ether, brominated bisphenol F diglycidyl ether, and brominated bisphenol S diglycidyl ether;

상기 [E] 화합물의 사용량으로서는, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체 100질량부에 대하여, 50질량부 이하가 바람직하고, 2질량부∼50질량부가 보다 바람직하고, 5질량부∼30질량부가 특히 바람직하다. [E] 화합물의 사용량을 상기 범위로 함으로써, 현상성을 손상시키지 않고 층간 절연막, 스페이서 또는 보호막 등의 경화막의 경도를 더욱 향상시킬 수 있다.The amount of the [E] compound to be used is preferably 50 parts by mass or less, more preferably 2 parts by mass to 50 parts by mass, and most preferably 5 parts by mass to 30 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the polymer [A] The addition is particularly preferred. When the amount of the [E] compound used is within the above range, the hardness of the cured film such as an interlayer insulating film, a spacer, or a protective film can be further improved without deteriorating developability.

[[F] 접착 보조제][[F] Adhesion Adjuvant]

[F] 접착 보조제는, 얻어지는 층간 절연막, 스페이서 또는 보호막 등의 경화막과 기판과의 접착성을 더욱 향상시키기 위해 사용할 수 있다. 이러한 [F] 접착 보조제로서는, 카복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 옥시라닐기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하고, 예를 들면 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.[F] The adhesion aid may be used to further improve adhesion between the cured film such as an interlayer insulating film, a spacer, a protective film, or the like and the substrate. As such an adhesion promoter for [F], a functional silane coupling agent having a reactive functional group such as a carboxyl group, a methacryloyl group, a vinyl group, an isocyanate group or an oxiranyl group is preferable, and for example, trimethoxysilylbenzoic acid, -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatepropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? - (3,4-epoxy Cyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the like.

[F] 접착 보조제의 사용량으로서는, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체 100질량부에 대하여, 20질량부 이하가 바람직하고, 15질량부 이하가 보다 바람직하다. [F] 접착 보조제의 사용량이 20질량부를 초과하면, 현상 잔사를 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.[F] The amount of the adhesion aid to be used is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 15 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the [A] polymer or the [A] copolymer. [F] If the amount of the adhesion aid used exceeds 20 parts by mass, development residue tends to be easily generated.

[[G] 계면활성제][[G] Surfactant]

[G] 계면활성제는, 당해 조성물의 피막 형성성을 보다 향상시키기 위해 사용할 수 있다. [G] 계면활성제로서는, 예를 들면 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 그 외의 계면활성제를 들 수 있다. 상기 불소계 계면활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄의 적어도 어느 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하고, 예를 들면 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산 나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸이나, 플루오로알킬벤젠술폰산 나트륨, 플루오로알킬인산 나트륨, 플루오로알킬카본산 나트륨, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오다이드, 플루오로알킬베타인, 기타 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕시레이트, 카본산 플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다.[G] Surfactant can be used for further improving the film formability of the composition. Examples of the [G] surfactant include a fluorine-based surfactant, a silicon-based surfactant, and other surfactants. As the fluorine-based surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least any of the terminal, main chain and side chain is preferable. For example, 1,1,2,2-tetrafluoro-n- Tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) , 2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di , 2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, perfluoro-n-dodecane Sodium sulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluoro-n-dodecane , Sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarbonate, diglycerin tetrakis (fluoroalkyl Polyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoroalkylbetaine, other fluoroalkylpolyoxyethylene ethers, perfluoroalkylpolyoxyethanol, perfluoroalkylalkoxylates, carbonic acid fluoroalkyl esters And the like.

불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, BM　CHEMIE 가부시키가이샤), 메가팩(MEGAFAC) F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛폰잉키카가쿠코교 가부시키가이샤), 플루오라드(FLUORAD) FC-170C, 동-171, 동-430, 동-431(이상, 스미토모쓰리엠 가부시키가이샤), 서플론(SURFLON) S-112, 동-113, 동-131, 동-141, 동-145, 동-382, 서플론 SC-101, 동-102, 동-103, 동-104, 동-105, 동-106(이상, 아사히가라스 가부시키가이샤), 에프톱(Eftop) EF301, 동 303, 동 352(이상, 신아키타카세이 가부시키가이샤), 프터젠트(Ftergent) FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, 프터젠트 FTX-218, 동-251(이상, 가부시키가이샤 네오스) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the fluorine-based surfactant include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE Co., Ltd.), MEGAFAC F142D, copper F172, copper F173, copper F183, copper F178, copper F191, copper F471, F476 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Incorporated), FLUORAD FC-170C, -171, -430 and -431 (Sumitomo 3M Limited) (SURFLON) S-112, S-113, S-131, S-141, S-145, S-382, SCOR 101, S-102, S-103, S-104, -106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Eftop EF301, Dong 303, Dong 352 (manufactured by Shin-Aichi Kasei Seisakusho Co., Ltd.), Ftergent FT-100, -140A, -150, -250, -251, -300, -310, -400S, Fotogen FTX-218, and -251 (manufactured by Neos, Ltd.).

실리콘계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 토레 실리콘(Toray silicone) DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 토레·다우코닝·실리콘 가부시키가이샤), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE도시바실리콘 가부시키가이샤), 오르가노실록산 폴리머KP341(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available silicone surfactants include Toray silicone DC3PA, Copper DC7PA, Copper SH11PA, Copper SH21PA, Copper SH28PA, Copper SH29PA, Copper SH30PA, Copper SH-190, Copper SH-193, Copper SZ-6032 TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4460, DC-190 (above, Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) -4452 (manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd.), and organosiloxane polymer KP341 (Shinetsu Kagakukogyo K.K.).

그 외의 계면활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르; 폴리옥시에틸렌-n-옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌-n-노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르; 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르 등의 비이온계 계면활성제, (메타)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No.57, 동 No.95(이상, 쿄에이샤카가쿠 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.Examples of other surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene-n-octylphenyl ether and polyoxyethylene-n-nonylphenyl ether; Nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene distearate and polyoxyethylene distearate; (meth) acrylic acid copolymers such as Polyflow No.57, No. 95 Eishakagaku Co., Ltd.) and the like.

[G] 계면활성제의 사용량으로서는, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체 100질량부에 대하여, 1.0질량부 이하가 바람직하고, 0.5질량부 이하가 보다 바람직하다. [G] 계면활성제의 사용량이 1.0질량부를 초과하면, 막 불균일을 발생하기 쉬워진다.The amount of the [G] surfactant to be used is preferably 1.0 part by mass or less, more preferably 0.5 part by mass or less based on 100 parts by mass of the [A] polymer or the [A] copolymer. If the amount of the [G] surfactant used exceeds 1.0 part by mass, film unevenness tends to occur.

[[H] 보존 안정제][[H] Storage stabilizer]

[H] 보존 안정제로서는, 예를 들면 황, 퀴논류, 하이드로퀴논류, 폴리옥시 화합물, 아민, 니트로소 화합물 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 4-메톡시페놀, N-니트로소-N-페닐하이드록실아민알루미늄 등을 들 수 있다.Examples of the [H] storage stabilizer include sulfur, quinones, hydroquinones, polyoxy compounds, amines and nitroso compounds. More specifically, 4-methoxyphenol, N-nitroso- N-phenylhydroxylamine aluminum and the like.

[H] 보존 안정제의 사용량으로서는, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체 100질량부에 대하여, 3.0질량부 이하가 바람직하고, 0.5질량부 이하가 보다 바람직하다. [H] 보존 안정제의 배합량이 3.0질량부를 초과하면, 당해 조성물의 감도가 저하되어 패턴 형상이 열화되는 경우가 있다.The amount of the [H] storage stabilizer used is preferably 3.0 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the [A] polymer or the [A] copolymer. [H] If the blending amount of the storage stabilizer exceeds 3.0 parts by mass, the sensitivity of the composition may be lowered and the pattern shape may be deteriorated.

[[I] 내열성 향상제][[I] Heat resistance improving agent]

[I] 내열성 향상제로서는, 예를 들면 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물, N-(알콕시메틸)멜라민 화합물 등을 들 수 있다.[I] Examples of the heat resistance improving agent include N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds and N- (alkoxymethyl) melamine compounds.

N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물로서는, 예를 들면 N,N,N',N'-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(에톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(n-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(i-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(n-부톡시메틸)글리콜우릴, N,N',N",N'''-테트라(t-부톡시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다. 이들 중, N,N,N'.N'-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴이 바람직하다.Examples of the N- (alkoxymethyl) glycol uril compound include N, N, N ', N'-tetra (methoxymethyl) glycoluril, N, N, N' N, N ', N'-tetra (i-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N', N'- N, N ', N' '' - tetra (t-butoxymethyl) glycoluril Among them, N, N ' , N'N'-tetra (methoxymethyl) glycoluril are preferable.

N-(알콕시메틸)멜라민 화합물로서는, 예를 들면 N,N,N',N',N",N"-헥사(메톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(에톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(n-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(i-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(n-부톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(t-부톡시메틸)멜라민 등을 들 수 있다. 이들 중, N,N,N',N',N",N"-헥사(메톡시메틸)멜라민이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들면 니칼락(NIKALAC) N-2702, 동 MW-30M(이상, 산와케미컬 가부시키가이샤 등을 들 수 있다.Examples of the N- (alkoxymethyl) melamine compound include N, N, N ', N', N '', N '' - hexa (methoxymethyl) N, N ', N', N '', N '', N '', N''-hexa (ethoxymethyl) melamine, N, N ', N', N '', N '', N '' - hexa (i- propoxymethyl) melamine, Quot ;, N "-hexa (t-butoxymethyl) melamine, and the like. Of these, N, N, N ', N', N ", N" -hexa (methoxymethyl) melamine is preferable, and commercially available products include, for example, NIKALAC N-2702 and MW- , And Sanwa Chemical Co., Ltd., and the like.

[I] 내열성 향상제의 사용량으로서는, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체 100질량부에 대하여, 50질량부 이하가 바람직하고, 30질량부 이하가 보다 바람직하다. [I] 내열성 향상제의 배합량이 50질량부를 초과하면, 당해 조성물의 감도가 저하되어 패턴 형상이 열화되는 경우가 있다.The amount of the [I] heat resistance improving agent to be used is preferably 50 parts by mass or less, more preferably 30 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the [A] polymer or the [A] copolymer. [I] If the blending amount of the heat resistance improver exceeds 50 parts by mass, the sensitivity of the composition may be lowered and the pattern shape may be deteriorated.

＜감방사선성 수지 조성물의 조제＞&Lt; Preparation of radiation-sensitive resin composition &gt;

본 발명의 감방사선성 수지 조성물은, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체, [B] 중합성 화합물, [C] 중합 개시제 및, [D] 화합물에 더하여, 소기의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 필요에 따라서 임의 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써 조제된다. 이 감방사선성 수지 조성물은, 바람직하게는 적당한 용매에 용해되어 용액 상태로 이용된다.The radiation sensitive resin composition of the present invention may further contain, in addition to the [A] polymer or the [A] copolymer, the [B] polymerizable compound, the [C] polymerization initiator and the [ And optionally mixing the components in a predetermined ratio. The radiation-sensitive resin composition is preferably dissolved in a suitable solvent and used in a solution state.

당해 조성물의 조제에 이용되는 용매로서는, [A] 중합체 또는 [A] 공중합체, [B] 중합성 화합물, [C] 중합 개시제, [D] 화합물 및 임의 성분을 균일하게 용해 또는 분산하여, 각 성분과 반응하지 않는 것이 이용된다. 이러한 용매로서는, 전술한 [A] 공중합체를 합성하기 위해 사용할 수 있는 용매로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있지만, 알코올계 용매 및 에테르계 용매로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 당해 조성물에 있어서는, 공존하는 [A] 공중합체 중의 카복실기와 [D] 화합물과의 상호 작용에 의해 포접(包接)의 붕괴를 억제한다고 생각되어, 극성 용매를 사용할 수 있다. 또한, 상기 상호 작용에 의해, [D] 화합물은 [A] 공중합체 중의 에폭시기의 경화 반응을 촉진하는 상승 효과를 나타낸다고 생각된다. 용매는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The solvent used in the preparation of the composition is preferably a solution or dispersion of the [A] polymer or the [A] copolymer, the [B] polymerizable compound, the [C] polymerization initiator, the [D] Components that do not react with the components are used. Such a solvent may be the same as those exemplified as the solvent that can be used for synthesizing the above-mentioned [A] copolymer, but it is preferable to use a solvent containing at least one solvent selected from the group consisting of an alcohol- . In this composition, it is considered that the collapse of the inclusion (inclusion) is suppressed by the interaction between the carboxyl group in the coexisting [A] copolymer and the [D] compound, and a polar solvent can be used. Further, it is considered that the above-mentioned interaction shows a synergistic effect of accelerating the curing reaction of the epoxy group in the [A] copolymer. The solvents may be used alone or in combination of two or more.

각 성분의 용해성, 각 성분과의 반응성, 피막 형성의 용이성 등의 관점에서, 알코올류, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 에스테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 디프로필렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트가 바람직하다. 이들 중, 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올, 3-페닐-1-프로판올, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 2- 또는 3-메톡시프로피온산 메틸, 2- 또는 3-에톡시프로피온산 에틸이 보다 바람직하다.From the viewpoints of solubility of each component, reactivity with each component, easiness of film formation, etc., it is possible to use alcohols, glycol ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers , Dipropylene glycol dialkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, and propylene glycol monoalkyl ether acetate. Of these, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, di More preferred are ethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, 2- or 3-methoxypropionate, and 2- or 3-ethoxypropionate.

또한, 상기 용매와 함께 막두께의 면내 균일성을 높이기 위해, 고비점 용매를 병용할 수 있다. 고비점 용매로서는, 예를 들면 N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세토닐아세톤, 1-옥탄올, 1-노난올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 프로필렌 등을 들 수 있다. 이들 중, N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤 또는 N,N-디메틸아세트아미드가 바람직하다.Further, in order to increase the in-plane uniformity of the film thickness together with the solvent, a high boiling point solvent may be used in combination. Examples of the high-boiling solvent include N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, benzylethylether, dihexylether, acetonyl acetone, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl acetate, ethylbenzoate , Diethyl oxalate, diethyl maleate,? -Butyrolactone, propylene carbonate and the like. Of these, N-methylpyrrolidone,? -Butyrolactone or N, N-dimethylacetamide are preferable.

당해 조성물의 용매로서, 고비점 용매를 병용하는 경우, 그 사용량으로서는, 전체 용매량에 대하여, 50질량％ 이하가 바람직하고, 40질량％ 이하가 보다 바람직하고, 30질량％ 이하가 특히 바람직하다. 고비점 용매의 사용량이 50질량％ 이하일 때, 피막의 막두께 균일성, 감도 및 잔막률이 양호해진다.When a high boiling point solvent is used as the solvent of the composition, the amount of the solvent to be used is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and particularly preferably 30% by mass or less based on the total amount of the solvent. When the amount of the solvent having a high boiling point is 50 mass% or less, the film thickness uniformity, sensitivity and residual film ratio of the film become good.

당해 조성물을 용액 상태로 하여 조제할 경우, 고형분 농도(조성물 용액 중에서 차지하는 용매 이외의 성분)는, 사용 목적이나 소망하는 막두께의 값 등에 따라서 임의의 농도(예를 들면 5질량％∼50질량％)로 설정할 수 있다. 보다 바람직한 고형분 농도로서는, 기판 상으로의 피막의 형성 방법에 따라 상이하지만, 이에 대해서는 후술한다. 이와 같이 하여 조제된 조성물 용액에 대해서는, 공경 0.5㎛ 정도의 밀리포어 필터 등을 이용하여 여과한 후, 사용에 제공할 수 있다.When the composition is prepared in a solution state, the solid concentration (component other than the solvent in the composition solution) may be adjusted to any concentration (for example, 5% by mass to 50% by mass) depending on the purpose of use, ). The more preferable solid content concentration varies depending on the method of forming the film on the substrate, which will be described later. The composition solution thus prepared may be filtered after using a Millipore filter having a pore size of about 0.5 mu m and then provided for use.

＜경화막의 형성 방법＞&Lt; Method of forming a cured film &

이하, 당해 조성물을 이용하여 층간 절연막, 보호막 또는 스페이서 등의 경화막을 형성하는 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method of forming a cured film such as an interlayer insulating film, a protective film, or a spacer using the composition will be described.

본 발명의 경화막의 형성 방법은, 적어도 하기의 공정 (1)∼(4)를 하기에 기재된 순으로 포함한다.The method for forming a cured film of the present invention includes at least the following steps (1) to (4) in the order described below.

(1) 당해 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정(1) a step of forming a coating film of the composition on a substrate

(2) 공정 (1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)

(3) 공정 (2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) a step of developing the coated film irradiated with the radiation in the step (2)

(4) 공정 (3)에서 현상된 도막을 소성하는 공정(4) a step of firing the developed coating film in the step (3)

당해 조성물을 이용하는 본 발명의 형성 방법에 의해, 내열성, 내약품성, 투과율, 평탄성, 전압 보전율, 내선열팽창성 등의 요구 특성을 균형 좋게 만족하는 경화막을 형성할 수 있다. 이하, 이들 각 공정을 상술한다.By the forming method of the present invention using the composition, a cured film can be formed that satisfactorily satisfies required properties such as heat resistance, chemical resistance, transmittance, flatness, voltage conservation rate, extensional thermal expansion and the like. Each of these steps will be described in detail below.

[(1) 당해 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정][(1) Step of forming a coating film of the composition on a substrate]

투명 기판의 한쪽 면에 투명 도전막을 형성하고, 이 투명 도전막의 위에 감방사선성 수지 조성물의 피막을 형성한다. 투명 기판으로서는, 예를 들면 소다 라임 유리, 무알칼리 유리 등의 유리 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱으로 이루어지는 수지 기판 등을 들 수 있다.A transparent conductive film is formed on one side of the transparent substrate, and a film of the radiation sensitive resin composition is formed on the transparent conductive film. Examples of the transparent substrate include glass substrates such as soda lime glass and alkali-free glass, resin substrates made of plastic such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, and polyimide .

투명 기판의 한 면에 형성되는 투명 도전막으로서는, 산화 주석(SnO2)으로 이루어지는 NESA막(미국 PPG사의 등록상표), 산화 인듐-산화 주석(In2O3-SnO2)으로 이루어지는 ITO막 등을 들 수 있다.Examples of the transparent conductive film formed on one surface of the transparent substrate include a NESA film (registered trademark of PPG Corporation, USA) made of tin oxide (SnO 2 ), an ITO film made of indium oxide-tin oxide (In 2 O 3 -SnO 2 ) .

도포법에 의해 피막을 형성하는 경우, 상기 투명 도전막의 위에 당해 조성물의 용액을 도포한 후, 바람직하게는 도포면을 가열(프리베이킹)함으로써, 피막을 형성할 수 있다. 도포법에 이용하는 조성물 용액의 고형분 농도로서는, 5질량％∼50질량％가 바람직하고, 10질량％∼40질량％가 보다 바람직하고, 15질량％∼35질량％가 특히 바람직하다. 당해 조성물 용액의 도포 방법으로서는, 예를 들면 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법(스핀 코트법), 슬릿 도포법(슬릿 다이 도포법), 바 도포법, 잉크젯 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중, 스핀 코트법 또는 슬릿 도포법이 바람직하다.When a coating film is formed by a coating method, a coating film can be formed by applying the solution of the composition on the transparent conductive film, and then preferably heating (prebaking) the coating surface. The solid content concentration of the composition solution used in the coating method is preferably 5% by mass to 50% by mass, more preferably 10% by mass to 40% by mass, and particularly preferably 15% by mass to 35% by mass. As a coating method of the composition solution, an appropriate method such as spraying, roll coating, spin coating, slit coating (slit die coating), bar coating, or inkjet coating is employed can do. Among them, the spin coating method or the slit coating method is preferable.

상기 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라 상이하지만, 70℃∼120℃가 바람직하고, 1∼15분간 정도이다. 피막의 프리베이킹 후의 막두께는, 0.5㎛∼10㎛가 바람직하고, 1.0㎛∼7.0㎛ 정도가 보다 바람직하다.The prebaking condition is preferably 70 ° C to 120 ° C, and preferably about 1 to 15 minutes, depending on the kind of each component and the mixing ratio. The thickness of the film after pre-baking is preferably 0.5 to 10 mu m, more preferably 1.0 to 7.0 mu m.

[(2) 공정 (1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정][(2) Step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)

이어서, 형성된 피막의 적어도 일부에 방사선을 조사한다. 이때, 피막의 일부에만 조사할 때에는, 예를 들면 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 조사하는 방법에 의할 수 있다.Then, at least a part of the formed film is irradiated with radiation. At this time, when irradiating only a part of the film, for example, a method of irradiating with a photomask having a predetermined pattern may be employed.

조사에 사용되는 방사선으로서는, 가시광선, 자외선, 원자외선 등을 들 수 있다. 이 중 파장이 250㎚∼550㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 365㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다.Examples of the radiation used for the irradiation include visible light, ultraviolet light, and far ultraviolet light. Among them, radiation having a wavelength in the range of 250 nm to 550 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable.

방사선 조사량(노광량)은, 조사되는 방사선의 파장 365㎚에서의 강도를 조도계(OAI　model　356, Optical　Associates　Inc. 제조)에 의해 측정한 값으로서, 100J/㎡∼5,000J/㎡가 바람직하고, 200J/㎡∼3,000J/㎡가 보다 바람직하다.The radiation dose (exposure dose) is preferably from 100 J / m 2 to 5,000 J / m 2, as measured by a light meter (OAI model 356, manufactured by Optical Associates Inc.) at a wavelength of 365 nm, / M &lt; 2 &gt; to 3,000 J / m &lt; 2 &gt;

당해 조성물은, 종래 알려져 있는 조성물과 비교하여 방사선 감도가 높고, 상기 방사선 조사량이 700J/㎡ 이하, 나아가서는 600J/㎡ 이하라도 소망하는 막두께, 양호한 형상, 우수한 밀착성 및 높은 경도의 층간 절연막, 보호막 또는 스페이서 등의 경화막을 얻을 수 있는 이점을 갖는다.The composition has a desired film thickness, good shape, excellent adhesion, and high hardness even when the radiation dose is 700 J / m 2 or less, more preferably 600 J / m 2 or less, compared with a conventionally known composition, Or a cured film such as a spacer can be obtained.

[(3) 공정 (2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정](3) Step of developing the coated film irradiated with radiation in the step (2)

다음으로, 방사선 조사 후의 피막을 현상함으로써, 불필요한 부분을 제거하여, 소정의 패턴을 형성한다.Next, the film after irradiation with the radiation is developed to remove unnecessary portions to form a predetermined pattern.

현상에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들면 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨 등의 무기 알칼리, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 암모늄염 등의 알칼리성 화합물의 수용액을 사용할 수 있다. 상기 알칼리성 화합물의 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매 및/또는 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다.As the developing solution used for the development, for example, an aqueous solution of an alkaline compound such as an inorganic alkali such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or sodium carbonate, or a quaternary ammonium salt such as tetramethylammonium hydroxide or tetraethylammonium hydroxide can be used have. A water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol and / or a surfactant may be added in an appropriate amount to the aqueous solution of the alkaline compound.

현상 방법으로서는, 퍼들법, 딥핑법, 샤워법 등의 어느 것이라도 좋고, 현상 시간은, 상온에서 10초∼180초간 정도가 바람직하다. 현상 처리에 이어서, 예를 들면 유수 세정을 30초∼90초간 행한 후, 압축 공기나 압축 질소로 풍건함으로써 소망하는 패턴을 얻을 수 있다.As the developing method, any of a puddle method, a dipping method and a shower method may be used, and the developing time is preferably about 10 seconds to 180 seconds at room temperature. Following the developing treatment, for example, water washing is carried out for 30 seconds to 90 seconds, followed by air drying with compressed air or compressed nitrogen to obtain a desired pattern.

[(4) 공정 (3)에서 현상된 도막을 소성하는 공정][Step (4) Step of firing the developed coating film in step (3)] [

이어서, 얻어진 패턴 형상 피막을, 핫 플레이트, 오븐 등의 적당한 가열 장치에 의해 소성(포스트베이킹)함으로써, 경화막을 얻을 수 있다. 소성 온도로서는, 100℃∼200℃가 바람직하고, 150℃∼180℃가 보다 바람직하다. 소성 시간으로서는, 예를 들면 핫 플레이트 상에서는 5분∼30분간, 오븐 중에서는 30분∼180분간이 바람직하다. 당해 조성물은, 전술한 바와 같이 [D] 화합물을 함유하기 때문에, 이와 같이 낮은 저온 소성을 실현함과 함께 보존 안정성을 양립하고, 그리고 충분한 방사선 감도를 갖는다. 따라서, 당해 조성물은, 저온 소성이 요망되는 플렉시블 디스플레이 등에 이용되는 층간 절연막, 보호막 및 스페이서 등의 경화막의 형성 재료로서 적합하게 이용된다.Subsequently, the patterned film thus obtained is baked (post baked) by a suitable heating apparatus such as a hot plate or an oven to obtain a cured film. The firing temperature is preferably 100 占 폚 to 200 占 폚, and more preferably 150 占 폚 to 180 占 폚. The firing time is preferably 5 minutes to 30 minutes on a hot plate, and 30 minutes to 180 minutes in an oven. Since this composition contains the [D] compound as described above, it achieves such low-temperature firing at a low temperature, achieves storage stability, and has sufficient radiation sensitivity. Therefore, the composition is suitably used as a material for forming a cured film such as an interlayer insulating film, a protective film, and a spacer used in a flexible display or the like requiring low-temperature firing.

＜표시 소자＞<Display element>

본 발명의 표시 소자는, 예를 들면 이하의 방법에 의해 제작할 수 있다.The display element of the present invention can be manufactured, for example, by the following method.

우선 한쪽 면에 투명 도전막(전극)을 갖는 투명 기판을 한 쌍(2매) 준비하고, 그 중 1매의 기판의 투명 도전막 상에, 당해 조성물을 이용하여, 상기한 방법에 따라서 스페이서 또는 보호막 또는 그 쌍방을 형성한다. 이어서 이들 기판의 투명 도전막 및 스페이서 또는 보호막 상에 액정 배향능을 갖는 배향막을 형성한다. 이들 기판을, 그 배향막이 형성된 측의 면을 내측으로 하여, 각각의 배향막의 액정 배향 방향이 직교 또는 역평행이 되도록 일정한 간극(셀 갭)을 개재하여 대향 배치하고, 기판의 표면(배향막) 및 스페이서에 의해 구획된 셀 갭 내에 액정을 충전하여, 충전공을 봉지해 액정 셀을 구성한다. 그리고, 액정 셀의 양 외표면에, 편광판을, 그 편광 방향이 당해 기판의 한 면에 형성된 배향막의 액정 배향 방향과 일치 또는 직교하도록 접합함으로써, 본 발명의 표시 소자를 얻을 수 있다.First, a pair of transparent substrates (transparent electrodes) having a transparent conductive film (electrode) on one side thereof are prepared. On the transparent conductive film of one of the substrates, A protective film or both. Subsequently, an alignment film having liquid crystal aligning ability is formed on the transparent conductive film and the spacer or protective film of these substrates. These substrates were placed face to face with a certain gap (cell gap) so that the liquid crystal alignment directions of the respective alignment films were orthogonal or anti-parallel with the side of the side on which the alignment film was formed as the inside, The liquid crystal is filled in the cell gap defined by the spacer, and the filling hole is sealed to constitute the liquid crystal cell. The display device of the present invention can be obtained by bonding a polarizing plate on both outer surfaces of the liquid crystal cell so that the polarizing direction thereof coincides with or perpendicular to the liquid crystal alignment direction of the alignment film formed on one side of the substrate.

기타 방법으로서는, 상기 방법과 동일하게 하여 투명 도전막과, 층간 절연막, 보호막 또는 스페이서 또는 그 쌍방과, 배향막을 형성한 한 쌍의 투명 기판을 준비한다. 그 후 한쪽의 기판의 단부(端部)를 따라, 디스펜서를 이용하여 자외선 경화형 시일제를 도포하고, 이어서 액정 디스펜서를 이용하여 미소 액적 형상으로 액정을 적하하여, 진공하에서 양 기판의 접합을 행한다. 그리고, 상기의 시일제부에, 고압 수은 램프를 이용하여 자외선을 조사해 양 기판을 봉지한다. 마지막으로, 액정 셀의 양 외표면에 편광판을 접합함으로써, 본 발명의 표시 소자를 얻을 수 있다.As another method, a pair of transparent substrates on which a transparent conductive film, an interlayer insulating film, a protective film or a spacer, and an orientation film are formed is prepared in the same manner as the above method. Thereafter, an ultraviolet curable sealant is applied by using a dispenser along the edge of one of the substrates, and then the liquid crystal is dropped in a minute droplet shape using a liquid crystal dispenser, and the substrates are bonded under vacuum. Then, ultraviolet rays are irradiated to the seal portion using a high-pressure mercury lamp, and both substrates are sealed. Finally, the display device of the present invention can be obtained by bonding polarizing plates to both outer surfaces of the liquid crystal cell.

상기의 각 방법에서 사용되는 액정으로서는, 예를 들면 네마틱형 액정, 스멕틱형 액정 등을 들 수 있다. 또한, 액정 셀의 외측에 사용되는 편광판으로서는, 폴리비닐알코올을 연신 배향시키면서, 요오드를 흡수시킨 「H막」이라고 불리는 편광막을 아세트산 셀룰로오스 보호막 사이에 낀 편광판, 또는 H막 그 자체로 이루어지는 편광판 등을 들 수 있다.Examples of the liquid crystal used in each of the above methods include a nematic liquid crystal and a smectic liquid crystal. As the polarizing plate used for the outside of the liquid crystal cell, a polarizing plate in which a polarizing film called &quot; H film &quot;, in which iodine is absorbed, in which polyvinyl alcohol is oriented in a stretched state is sandwiched between cellulose acetate protective films or a polarizing plate made of H film itself .

(실시예)(Example)

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 상술하지만, 이 실시예로 본 발명이 한정적으로 해석되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail on the basis of examples, but the present invention is not limited to these examples.

이하의 합성예에 있어서, 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 하기의 장치 및 조건 하, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정했다.In the following Synthesis Examples, the weight average molecular weight (Mw) of the copolymer was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions and conditions.

장치：GPC-101(쇼와덴코 가부시키가이샤 제조)Apparatus: GPC-101 (manufactured by Showa Denko K.K.)

컬럼：GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804

이동상(相)：테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

＜[A] 공중합체의 합성＞<Synthesis of [A] Copolymer>

[합성예 1][Synthesis Example 1]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 넣었다. 이어서 스티렌 20질량부, 메타크릴산 12질량부, 메타크릴산 디사이클로펜타닐 28질량부 및 메타크릴산 글리시딜 40질량부를 넣고, 질소 치환하여, 온화하게 교반을 계속하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합함으로써, 공중합체 (A-1)을 함유하는 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체 용액의 고형분 농도는 31.3％이고, 공중합체 (A-1)의 Mw는 12,000이었다. 또한, 고형분 농도는 공중합체 용액의 전체 질량에서 차지하는 공중합체 질량의 비율을 의미한다.A cooling tube and a stirrer, 5 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were placed. Subsequently, 20 parts by mass of styrene, 12 parts by mass of methacrylic acid, 28 parts by mass of dicyclopentanyl methacrylate and 40 parts by mass of glycidyl methacrylate were charged and replaced with nitrogen. While the stirring was continued gently, The temperature was maintained at this temperature for 5 hours and polymerization was carried out to obtain a solution containing the copolymer (A-1). The solid content concentration of the obtained copolymer solution was 31.3%, and the Mw of the copolymer (A-1) was 12,000. Also, the solid concentration means the ratio of the copolymer mass in the total mass of the copolymer solution.

[합성예 2][Synthesis Example 2]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 넣었다. 이어서 스티렌 10질량부, 메타크릴산 12질량부, 메타크릴산 트리사이클로디사이클로펜타닐 23질량부 및 메타크릴산 글리시딜 20질량부, 메타크릴산 2-메틸글리시딜 20질량부, 메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴 10질량부를 넣고, 질소 치환한 후, 추가로 1,3-부타디엔 5질량부를 넣고, 온화하게 교반을 계속하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합함으로써, 공중합체 (A-2)를 함유하는 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체 용액의 고형분 농도는 31.5％이고, 공중합체 (A-2)의 Mw는 10,100이었다.A cooling tube and a stirrer, 5 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were placed. Subsequently, 10 parts by mass of styrene, 12 parts by mass of methacrylic acid, 23 parts by mass of tricyclodiamycyclopentanyl methacrylate and 20 parts by mass of glycidyl methacrylate, 20 parts by mass of 2-methylglycidyl methacrylate, 10 parts by mass of tetrahydrofurfuryl tetrachloride was added, and after nitrogen substitution, further 5 parts by mass of 1,3-butadiene was added and the temperature of the solution was raised to 70 ° C while stirring was gentle, (A-2) was obtained. The solid content concentration of the obtained copolymer solution was 31.5%, and the Mw of the copolymer (A-2) was 10,100.

[합성예 3][Synthesis Example 3]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴) 5질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 넣었다. 이어서 스티렌 15질량부, 메타크릴산 n-부틸 30질량부, 메타크릴산 벤질 30질량부 및 메타크릴산 글리시딜 25질량부를 넣고, 온화하게 교반을 계속하면서, 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합함으로써, 공중합체 (A-3)을 함유하는 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체 용액의 고형분 농도는 31.0％이고, 공중합체 (A-3)의 Mw는 10,000이었다.5 parts by mass of 2,2'-azobis (isobutyronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were placed in a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 15 parts by mass of styrene, 30 parts by mass of n-butyl methacrylate, 30 parts by mass of benzyl methacrylate and 25 parts by mass of glycidyl methacrylate were added and the temperature of the solution was raised to 80 ° C And kept at this temperature for 5 hours to polymerize to obtain a solution containing the copolymer (A-3). The solid content concentration of the obtained copolymer solution was 31.0%, and the Mw of the copolymer (A-3) was 10,000.

＜경화막 형성용 감방사선성 수지 조성물의 조제＞&Lt; Preparation of radiation sensitive resin composition for forming a cured film &

[실시예 1∼14][Examples 1 to 14]

표 1에 나타내는 종류, 양의 [A] 중합체 또는 [A] 공중합체, [B] 중합성 화합물, [C] 중합 개시제 및, [D] 화합물을 혼합하고, 추가로 [F] 접착 보조제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5질량부, [G] 계면활성제(FTX-218, 네오스 가부시키가이샤) 0.5질량부 및 [H] 보존 안정제로서 4-메톡시페놀 0.5질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량％가 되도록, 각각 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 더한 후, 공경 0.5㎛의 밀리포어 필터로 여과함으로써, 감방사선성 수지 조성물을 조제하여, 각각 실시예 1∼14 및 비교예 1∼4로 했다. 또한, 칸 중의 「-」는 해당하는 성분을 사용하지 않았다는 것을 나타낸다.[A] polymer or [A] copolymer, [B] polymerizable compound, [C] polymerization initiator and [D] compound shown in Table 1 were mixed and further 5 parts by mass of glycidoxypropyltrimethoxysilane, 0.5 part by mass of [G] surfactant (FTX-218, NEOS) and 0.5 part by mass of 4-methoxyphenol as a [H] storage stabilizer were mixed, Propyleneglycol monomethyl ether acetate was added thereto so as to have a concentration of 30 mass% and then filtered with a Millipore filter having an air hole diameter of 0.5 占 퐉 to prepare a radiation-sensitive resin composition. In each of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 4, 4. In addition, "-" in the column indicates that the corresponding component is not used.

당해 감방사선성 수지 조성물을 구성하는 [B] 중합성 화합물, [C] 중합 개시제 및, [D] 화합물의 상세한 설명을 이하에 나타낸다.Details of the [B] polymerizable compound, the [C] polymerization initiator, and the [D] compound constituting the radiation sensitive resin composition are described below.

([A] 중합체, 공중합체)([A] polymer, copolymer)

(A-1) 합성예 1에서 얻어진 공중합체(A-1) The copolymer obtained in Synthesis Example 1

(A-2) 합성예 2에서 얻어진 공중합체(A-2) The copolymer obtained in Synthesis Example 2

(A-3) 합성예 3에서 얻어진 공중합체(A-3) The copolymer obtained in Synthesis Example 3

(A-4) 페놀 노볼락형 에폭시 수지(재팬에폭시레진 가부시키가이샤 제조의 「에피코트 152」)(A-4) Phenol novolak type epoxy resin ("Epicoat 152" manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)

([B] 중합성 화합물)([B] polymerizable compound)

(B-1) 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트와 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트과의 혼합물(KAYARAD DPHA(닛폰카야쿠 가부시키가이샤) (B-1) A mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARAD DPHA (Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha)

(B-2) KAYARAD DPHA-40H (닛폰카야쿠 가부시키가이샤)(B-2) KAYARAD DPHA-40H (Nippon Kayaku Co., Ltd.)

(B-3) 1,9-노난디올디아크릴레이트(B-3) 1,9-nonanediol diacrylate

(B-4) 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(B-4) Pentaerythritol tetraacrylate

(B-5) 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(B-5) Trimethylolpropane triacrylate

(B-6) ω-카복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트(아로닉스 M-5300, 토아고세이 가부시키가이샤)(B-6)? -Carboxypolycaprolactone monoacrylate (Aronix M-5300, Toagosei Co., Ltd.)

(B-7) 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트(아로닉스 TO-756, 토아고세이 가부시키가이샤)(B-7) succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate (Aronix TO-756, Toagosei Co., Ltd.)

(B-8) 에틸렌옥사이드 변성 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(B-8) Ethylene oxide-modified dipentaerythritol hexaacrylate

([C] 중합 개시제)([C] polymerization initiator)

(C-1) 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)-,2-(O-벤조일옥심)](이르가큐어 OXE01, 치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤 제조) (C-1) 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -, 2- (O-benzoyloxime)] (Irgacure OXE01, manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co.,

(C-2) 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)(이르가큐어 OXE02, 치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤 제조)(C-2) Ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime) (Irgacure OXE02, Specialty Chemicals)

(C-3) 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(이르가큐어 907, 치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤)(Irgacure 907, manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) (C-3)

(C-4) 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온(이르가큐어 379, 치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤)(C-4) 2-Dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin- Lt; / RTI &gt;

([D] 화합물)([D] compound)

(D-1) 아세트아미드(D-1) acetamide

(D-2) N-메틸아세트아미드(D-2) N-methylacetamide

(D-3) 프탈아미드산(D-3) Phthalamidic acid

(D-4) 이소프탈아미드(D-4) isophthalamide

(D-5) 아디픽아미드(D-5) adipic amide

(D-6) N,N'-디아세틸-p-페닐렌디아민(D-6) N, N'-diacetyl-p-phenylenediamine

(D-7) N,N'-디아세틸-헥사메틸렌디아민(D-7) N, N'-diacetyl-hexamethylenediamine

비교예 아민 화합물　(d-1) 트리에틸아민Comparative Example Amine Compound (d-1) Triethylamine

Figure 112011040822596-pat00002
Figure 112011040822596-pat00002

표 중, 「-」는 첨가하지 않았다는 것을 나타낸다.In the table, "-" indicates no addition.

＜평가＞<Evaluation>

당해 감방사선성 수지 조성물에 대해서 이하와 같이 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.The radiation sensitive resin composition was evaluated as follows. The results are shown in Table 2.

[보존 안정성(％)의 측정][Measurement of storage stability (%)]

당해 감방사선성 조성물을 40℃의 오븐 중에서 1주간 방치하고, 오븐에 넣기를 전후에서의 점도를 측정하여, 점도 변화율을 구했다. 이때, 점도 변화율이 5％ 이하인 경우에 보존 안정성이 양호하다고 말할 수 있고, 5％를 초과하는 경우에 보존 안정성이 불량이라고 말할 수 있다. 점도는, E형 점도계(VISCONIC ELD.R, 토키산교 가부시키가이샤)를 이용하여 25℃에서 측정했다.The composition was allowed to stand in an oven at 40 占 폚 for 1 week, and the viscosity before and after being placed in an oven was measured to determine the rate of change in viscosity. At this time, it can be said that the storage stability is good when the viscosity change rate is 5% or less, and it is said that the storage stability is poor when it exceeds 5%. The viscosity was measured at 25 DEG C using an E-type viscometer (VISCONIC ELD.R, Toki Sangyo K.K.).

[감도(J/㎡)의 측정][Measurement of sensitivity (J / m &lt; 2 &gt;)]

무알칼리 유리 기판 상에, 당해 감방사선성 수지 조성물을 각각 스피너에 의해 도포한 후, 100℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써, 막두께 4.0㎛의 피막을 형성했다.The radiation-sensitive resin composition was coated on a non-alkali glass substrate with a spinner and prebaked on a hot plate at 100 캜 for 2 minutes to form a film having a film thickness of 4.0 탆.

이어서, 얻어진 피막에, 직경 8㎛∼15㎛의 범위가 상이한 크기의 복수의 환상 잔재 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여, 고압 수은 램프를 이용하여 노광량을 200J/㎡∼1,000J/㎡의 범위에서 변량하여 방사선 조사를 행했다. 그 후, 0.40질량％ 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액을 이용하여 25℃에서 현상 시간을 변량으로 하여 퍼들법에 의해 현상한 후, 순수 세정을 1분간 행했다. 추가로 오븐 중 180℃에서 60분간 포스트베이킹함으로써, 환상 잔재 패턴을 갖는 경화막을 형성했다.Subsequently, a high-pressure mercury lamp was used to irradiate the resulting coating film with an exposure dose in the range of 200 to 1000 J / m &lt; 2 &gt; through a photomask having a plurality of annular pattern patterns of different sizes in the range of 8 to 15 mu m in diameter And irradiated with radiation. Thereafter, development was carried out by a puddle method using a 0.40 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 캜 at a variation of the developing time, and pure cleaning was performed for 1 minute. And further baked in an oven at 180 캜 for 60 minutes to form a cured film having a cyclic residual pattern.

환상 잔재 패턴의 현상 전과 현상 후의 높이를, 레이저 현미경(VK-8500, 가부시키가이샤 키엔스)을 이용하여 측정했다. 이 값과 하기식으로부터 잔막률(％)을 구했다.The height before and after development of the annular remnant pattern was measured using a laser microscope (VK-8500, manufactured by KYOSHIBA CHEMICAL CO., LTD.). The residual film ratio (%) was obtained from this value and the following formula.

잔막률(％)＝(현상 후 높이/현상 전 높이)×100Remaining film ratio (%) = (height after development / height before development) x 100

이 잔막률이 90％ 이상이 되는 노광량을 감도로 했다. 노광량이 700J/㎡ 이하의 경우, 감도가 양호하다고 말할 수 있다. The exposure amount at which the residual film ratio was 90% or more was taken as sensitivity. When the exposure amount is 700 J / m &lt; 2 &gt; or less, it can be said that the sensitivity is good.

[내열성(％)의 측정][Measurement of heat resistance (%)]

상기의 경화막 형성 공정에 있어서, 포토마스크를 개재하지 않고 700J/㎡의 노광량으로 노광하고, 추가로 오븐 중 180℃에서 60분간 포스트베이킹함으로써 얻어진 피막에 대해서, 추가로 오븐 중, 230℃에서 20분 가열하기 전후에서의 막두께를 촉침식 막두께 측정기(알파 스텝 IQ, KLA 텐코사)로 측정하고, 잔막률(처리 후 막두께/처리 전 막두께×100)을 산출하여, 이 잔막률을 내열성으로 했다.In the above cured film forming step, the film obtained by exposure at an exposure amount of 700 J / m &lt; 2 &gt; without interposing a photomask and further post baking at 180 DEG C for 60 minutes in an oven was further cured at 230 DEG C (Alpha step IQ, manufactured by KLA Tencor Co., Ltd.), and the residual film ratio (film thickness after processing / film thickness before processing) was calculated, and the residual film ratio was calculated as Heat resistance.

[내약품성(％)의 측정][Measurement of Chemical Resistance (%)]

상기의 경화막 형성 공정에 있어서, 포토마스크를 개재하지 않고 700J/㎡의 노광량으로 노광하고, 추가로 오븐 중 180℃에서 60분간 포스트베이킹함으로써 얻어진 피막에 대해서, 60℃로 가온한 배향막 박리액 케미클린 TS-204(산요카세이코교 가부시키가이샤) 중에 15분 침지하고, 수세 후, 추가로 오븐 중, 120℃에서 15분 건조시켰다. 이 처리 전후의 막두께를 촉침식 막두께 측정기(알파 스텝 IQ, KLA 텐코사)로 측정하고, 잔막률(처리 후 막두께/처리전 막두께×100)을 산출하여, 이 잔막률을 내약품성으로 했다.In the cured film forming step, exposure was performed at an exposure amount of 700 J / m &lt; 2 &gt; without interposing a photomask, and further baking at 180 DEG C for 60 minutes in an oven. The coating film thus obtained was heated to 60 DEG C, And then immersed in Clean TS-204 (Sanyo Chemical Industries, Ltd.) for 15 minutes, and after washing with water, it was further dried in an oven at 120 ° C for 15 minutes. The film thickness before and after this treatment was measured with a contact type film thickness meter (Alpha Step IQ, KLA Tencor Co.), and the residual film ratio (film thickness after processing / film thickness before processing × 100) was calculated, .

[투과율(％)의 측정][Measurement of transmittance (%)]

상기의 경화막 형성 공정에 있어서, 포토마스크를 개재하지 않고 700J/㎡의 노광량으로 노광하고, 추가로 오븐 중 180℃에서 60분간 포스트베이킹함으로써 얻어진 피막에 대해서, 파장 400㎚에서의 투과율을, 분광 광도계(150-20형 더블 빔, 히다치세이사쿠쇼 가부시키가이샤)를 이용하여 측정했다. 이때, 투과율이 90％ 미만의 경우에 투명성이 불량으로 했다.In the cured film forming step, exposure was performed at an exposure amount of 700 J / m &lt; 2 &gt; without interposing a photomask, and further post baking at 180 DEG C for 60 minutes in an oven. The transmittance at a wavelength of 400 nm was measured by spectroscopy Using a photometer (150-20 type double beam, Hitachi Seisakusho Co., Ltd.). At this time, when the transmittance is less than 90%, the transparency becomes poor.

[평탄성(㎚)의 측정][Measurement of flatness (nm)] [

SiO2 딥 유리 기판 상에, 안료계 컬러 레지스터(JCR RED 689, JCR GREEN 706 및, CR 8200B, 이상 JSR 가부시키가이샤)를 이용하여, 이하와 같이, 적, 녹 및 청의 3색 스트라이프 형상 컬러 필터를 형성했다. 구체적으로는, 스피너를 이용하하여, 상기 컬러 레지스터의 1색을 SiO2 딥 유리 기판에 도포하여, 핫 플레이트 상에서 90℃, 150초간 프리베이킹하여 도막을 형성했다. 그 후, 노광기(Canon　PLA501F, 캐논 가부시키가이샤)를 이용하여, 소정의 패턴 마스크를 개재하여, ghi선(파장 436㎚, 405㎚, 365㎚의 강도비＝2.7：2.5：4.8)을 i선 환산으로 2,000J/㎡의 노광량으로 조사하고, 이어서 0.05질량％ 수산화 칼륨 수용액을 이용하여 현상하고, 초순수에서 60초간 린스했다. 이어서, 추가로 오븐 중에서 230℃에서 30분간 가열 처리함으로써, 단색의 스트라이프 형상 컬러 필터를 형성했다. 이 조작을 3색에 대해 반복함으로써, 적, 녹 및 청의 3색의 스트라이프 형상 컬러 필터(스트라이프폭 200㎛)를 형성했다.Green and blue three-color striped color filters (red, green and blue) were formed on a SiO 2 -dipped glass substrate using pigment color registers (JCR RED 689, JCR GREEN 706 and CR 8200B, . Specifically, one color of the color resist was coated on a SiO 2 dip glass substrate using a spinner and prebaked on a hot plate at 90 ° C for 150 seconds to form a coating film. Thereafter, a ghi line (intensity ratio of wavelength 436 nm, 405 nm, and 365 nm = 2.7: 2.5: 4.8) was irradiated with i-line (wavelength: In terms of an exposure amount of 2,000 J / m &lt; 2 &gt;, followed by development using a 0.05 mass% aqueous solution of potassium hydroxide and rinsing with ultrapure water for 60 seconds. Subsequently, heat treatment was further performed in an oven at 230 DEG C for 30 minutes to form a monochromatic stripe-shaped color filter. This operation was repeated for three colors to form stripe color filters (stripe width 200 mu m) of three colors of red, green and blue.

측정 길이 2,000㎛, 측정 범위 2,000㎛ 네모 조각, 측정 방향을 적, 녹, 청 방향의 스트라이프 라인 단축 방향 및 적·적, 녹·녹, 청·청의 동일색 스트라이프 라인 장축 방향의 2방향으로 하고, 각 방향에 대해 측정 점수 n＝5(합계의 n수는 10)에서, 컬러 필터 기판의 표면의 요철을, 접촉식 막두께 측정 장치(알파-스텝, KLA 텐코사)로 측정한 결과, 1.0㎛였다. 이 컬러 필터가 형성된 기판에, 각각의 열경화성 수지 조성물을 스피너로 도포한 후, 핫 플레이트 상에서 90℃로 5분간 프리베이킹하여 도막을 형성한 후, 추가로 클린 오븐 중에서 180℃로 60분간 포스트베이킹함으로써, 컬러 필터의 상면으로부터의 막두께가 약 2.0㎛인 보호막을 형성했다.Measuring length: 2,000 탆 Measuring range: 2,000 탆 Measuring direction: Red, green and blue stripe lines Short axis direction and red, green, blue and blue stripe lines in two directions, The irregularities on the surface of the color filter substrate were measured with a contact type film thickness measuring device (alpha-step, KLA Tencor Co.) at a measurement point n = 5 (the total number of n is 10) Respectively. Each of the thermosetting resin compositions was coated with a spinner on a substrate having the color filter formed thereon and then prebaked on a hot plate at 90 DEG C for 5 minutes to form a coated film and further baked in a clean oven at 180 DEG C for 60 minutes , And a protective film having a film thickness of about 2.0 mu m from the upper surface of the color filter was formed.

이와 같이 형성한 컬러 필터 상에 보호막을 갖는 기판에 대해서, 접촉식 막두께 측정 장치(알파-스텝, KLA 텐코사)로, 보호막의 표면의 요철을 측정했다. 이 측정은, 측정 길이 2,000㎛, 측정 범위 2,000㎛ 네모 조각, 측정 방향을 적, 녹, 청 방향의 스트라이프 라인 단축 방향 및 적·적, 녹·녹, 청·청의 동일색 스트라이프 라인 장축 방향의 2방향으로 하고, 각 방향에 대해 측정 점수 n＝5(합계의 n수는 10)로 행하여, 각 측정의 최고부와 최저부의 고저 차이(㎚)의 10회의 평균값을 구하여, 보호막의 평탄화능(평탄성)의 평가로서 표 2에 나타냈다. 이 값이 200㎚ 이하일 때, 보호막의 평탄화능은 양호하다고 말할 수 있다.The unevenness of the surface of the protective film was measured with a contact type film thickness measuring apparatus (Alpha-step, manufactured by KLA Tencor Corporation) with respect to the substrate having the protective film on the color filter thus formed. In this measurement, the measurement length is 2,000 탆, the measurement range is 2,000 탆, squares are measured, the measurement direction is red, blue and blue stripe lines are shortened in the direction of the short axis and red and green, Direction and the number of measurement n = 5 (the total number of n is 10) in each direction to obtain an average value ten times of the difference in height (nm) between the highest portion and the lowest portion of each measurement to determine the planarizing ability ) As an evaluation. When this value is 200 nm or less, it can be said that the planarizing ability of the protective film is good.

[선열팽창 계수(ppm/℃)의 측정][Measurement of linear thermal expansion coefficient (ppm / 占 폚)

상기의 경화막 형성 공정에 있어서, 포토마스크를 개재하지 않고 700J/㎡의 노광량으로 노광하여, 도막을 형성했다. 그 후 오븐 중, 180℃에서 60분간 가열 처리하여 경화시킴으로써, 측정용의 피막을 제작했다. 이어서, 이 피막에 대해서, 온도 가변 장치를 설치한 엘립소미터(DVA-36 LH, 가부시키가이샤 미조지리코가쿠코교쇼)에 의해, 질소 분위기하, 측정시의 온도 상승 속도를 10℃/분, 측정 온도 범위를 20℃∼200℃로 하여, 각 측정 온도에서의 막두께의 변화량을 측정하고, 온도에 대하여 플롯하여, 그 직선 근사로부터 기울기 b를 구하고, 하기식으로부터 선열팽창 계수 a를 구했다. T는 초기 막두께를 나타낸다.In the above cured film forming step, a coating film was formed by exposure at an exposure amount of 700 J / m &lt; 2 &gt; without interposing a photomask. Thereafter, the film was heated in an oven at 180 DEG C for 60 minutes to cure the film to form a film for measurement. Subsequently, the temperature was raised at a rate of 10 ° C / minute (measured by a ellipsometer (DVA-36 LH, manufactured by Mitsubishi Kagaku Kogyo KK) equipped with a temperature-variable device under a nitrogen atmosphere, , And the measurement temperature range was 20 to 200 DEG C, and the change in the film thickness at each measurement temperature was measured and plotted against the temperature, and the slope b was determined from the linear approximation, and the coefficient of linear thermal expansion a was obtained from the following equation . T represents the initial film thickness.

a＝b/Ta = b / T

선열팽창 계수가 200ppm/℃ 이하의 경우는, 선열팽창 계수가 낮아 180℃의 포스트베이킹에서도 충분한 경화성을 가진 경화막이 작성되고 있다고 판단할 수 있다.When the coefficient of linear thermal expansion is 200 ppm / 占 폚 or lower, it can be judged that the cured film having sufficient curability even in post-baking at 180 占 폚 due to a low coefficient of linear thermal expansion.

[전압 보전율(％)의 측정][Measurement of Voltage Conservation Rate (%)]

표면에 나트륨 이온의 용출을 방지하는 SiO2막이 형성되고, 추가로 ITO(인듐-산화 주석 합금) 전극을 소정 형상으로 증착한 소다 유리 기판 상에, 당해 감방사선성 수지 조성물을, 스핀 코트한 후, 90℃의 클린 오븐 내에서 10분간 프리베이킹을 행하여, 막두께 2.0㎛의 도막을 형성했다.The radiation-sensitive resin composition is spin-coated on a soda glass substrate on which an SiO 2 film is formed to prevent elution of sodium ions on the surface and further an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode is deposited in a predetermined shape , And then prebaked in a clean oven at 90 캜 for 10 minutes to form a coating film having a thickness of 2.0 탆.

이어서, 포토마스크를 개재하지 않고, 도막에 500J/㎡의 노광량으로 노광했다. 그 후, 이 기판을 23℃의 0.04질량％의 수산화 칼륨 수용액으로 이루어지는 현상액에 1분간 침지하고, 현상한 후, 초순수로 세정하여 풍건하고, 추가로 180℃에서 60분간 포스트베이킹을 행하고, 도막을 경화시켜, 영구 경화막을 형성했다.Subsequently, the coated film was exposed at an exposure amount of 500 J / m &lt; 2 &gt; without interposing a photomask. Thereafter, this substrate was immersed in a developer composed of 0.04 mass% aqueous solution of potassium hydroxide at 23 캜 for 1 minute, developed, washed with ultrapure water and air-dried, post baked at 180 캜 for 60 minutes, And cured to form a permanent cured film.

이어서, 이 화소를 형성한 기판과 ITO 전극을 소정 형상으로 증착했을 뿐의 기판을, 0.8㎜의 유리 비즈를 혼합한 시일제로 접합한 후, 메르크사 제조 액정(MLC6608)을 주입하여, 액정 셀을 제작했다.Subsequently, the substrate on which the pixel was formed and the substrate on which the ITO electrode only had been vapor-deposited in a predetermined shape were bonded to each other with a sealing material mixed with 0.8 mm glass beads, and then a liquid crystal (MLC6608) .

이어서, 액정 셀을 60℃의 항온조에 넣고, 액정 셀의 전압 보전율을, 액정 전압 보전율 측정 시스템(VHR-1A형, 토요테크니카 가부시키가이샤)에 의해 측정했다. 이때의 인가 전압은 5.5V의 방형파, 측정 주파수는 60Hz이다. 여기에서 전압 보전율이란, (16.7밀리초 후의 액정 셀 전위차/0밀리초로 인가한 전압)의 값이다. 액정 셀의 전압 보전율이 90％ 이하이면, 액정 셀은 16.7밀리초의 시간, 인가 전압을 소정의 수준으로 보존유지하지 못하고, 충분히 액정을 배향시키지 못하는 것을 의미하며, 잔상 등의 「번인」을 일으킬 우려가 높다.Subsequently, the liquid crystal cell was placed in a thermostatic chamber at 60 캜, and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage preservation rate measuring system (Model VHR-1A, manufactured by Toyo Technica Co., Ltd.). The applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz. Here, the voltage holding ratio is a value of a voltage applied to the liquid crystal cell after 16.7 milliseconds / 0 milliseconds. If the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell can not maintain the applied voltage at a predetermined level for 16.7 milliseconds and can not sufficiently orient the liquid crystal and may cause "burn-in" Is high.

Figure 112011040822596-pat00003
Figure 112011040822596-pat00003

표 2의 결과로부터 실시예 1∼15의 당해 조성물은 비교예 1∼4의 조성물과 비교하여, 양호한 보존 안정성과 방사선 감도를 갖는 것을 알 수 있었다. 또한, 실시예 1∼14의 당해 조성물로 형성된 경화막은, 200℃ 이하의 저온 소성으로 형성되었음에도 불구하고 내열성, 내약품성, 투과율, 평탄성, 내선열팽창성 등이 우수한 것을 알 수 있었다. 또한 당해 경화막을 구비하는 표시 소자의 전압 보전율에 대해서도 양호했다.From the results shown in Table 2, it was found that the compositions of Examples 1 to 15 had better storage stability and radiation sensitivity as compared with the compositions of Comparative Examples 1 to 4. It was also found that the cured films formed from the compositions of Examples 1 to 14 were excellent in heat resistance, chemical resistance, transmittance, flatness, extensional thermal expansion and the like, despite being formed at a low temperature of 200 DEG C or less. In addition, the voltage holding ratio of the display device including the cured film was also good.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물은, 용이하게 미세하고 그리고 정교한 패턴을 형성할 수 있어, 보존 안정성과 저온 소성을 양립하고, 그리고 충분한 방사선 감도를 갖는다. 또한, 당해 조성물로 형성되는 경화막은, 그 요구 특성인 내열성, 내약품성, 투과율, 평탄성, 전압 보전율, 내선열팽창성 등이 우수하다. 따라서, 당해 조성물은 저온 소성이 요망되는 플렉시블 디스플레이 등에 이용되는 층간 절연막, 보호막, 스페이서 등의 경화막의 형성 재료로서 적합하게 이용된다.The radiation sensitive resin composition of the present invention can easily form fine and elaborate patterns, and has both storage stability and low temperature firing, and has sufficient radiation sensitivity. Further, the cured film formed from the composition is excellent in heat resistance, chemical resistance, transmittance, flatness, voltage conservation rate, extensional thermal expansion property, and the like. Accordingly, the composition is suitably used as a material for forming a cured film such as an interlayer insulating film, a protective film, and a spacer used in a flexible display or the like requiring low temperature firing.

Claims (7)

[A] 에폭시기를 갖는 중합체,
[B] 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물,
[C] 감방사선성 중합 개시제, 및
[D] 하기식 (2) 및 (3)으로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물:
Figure 112017114990905-pat00006

(식 (2) 중, R3, R4는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기, 사이클로헥실기이고, A는 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 비닐렌기, 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐으로 치환되어도 좋은 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기를 나타내고;
식 (3) 중, R5, R6는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기, 사이클로헥실기이고, A는 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 비닐렌기, 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐으로 치환되어도 좋은 메틸렌기, 탄소수 2∼12의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기를 나타냄).[A] a polymer having an epoxy group,
[B] a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond,
[C] a radiation-sensitive polymerization initiator, and
[D] a radiation-sensitive resin composition comprising at least one compound selected from the compounds represented by the following formulas (2) and (3):
Figure 112017114990905-pat00006

(Wherein R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a cyclohexyl group, A is a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, a phenylene group, A thienylene group, a vinylene group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a methylene group which may be substituted with halogen, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, a phenylene group or a naphthylene group;
In the formula (3), R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cyclohexyl group, A is a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, A methylene group which may be substituted with halogen, an alkylene group of 2 to 12 carbon atoms, a phenylene group, or a naphthylene group). 제1항에 있어서,
상기 [A] 에폭시기를 갖는 중합체가, 추가로 카복실기를 갖는 중합체인 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물.The method according to claim 1,
The radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the polymer having an epoxy group is further a polymer having a carboxyl group. 제1항에 있어서,
상기 [C] 감방사선성 중합 개시제가, 아세토페논 화합물 및 O-아실옥심 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 감방사선성 수지 조성물.The method according to claim 1,
The radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the radiation sensitive polymerization initiator is at least one selected from the group consisting of an acetophenone compound and an O-acyloxime compound. (1) 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 수지 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,
(2) 공정 (1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 공정 (2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,
(4) 공정 (3)에서 현상된 도막을 소성하는 공정
을 포함하는 경화막의 형성 방법.(1) a step of forming a coating film of the radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3 on a substrate,
(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)
(3) a step of developing the coated film irradiated with the radiation in the step (2)
(4) a step of firing the developed coating film in the step (3)
To form a cured film. 제4항에 있어서,
상기 공정 (4)의 소성 온도가 100℃∼200℃인 경화막의 형성 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the firing temperature of the step (4) is 100 占 폚 to 200 占 폚. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 층간 절연막, 보호막 또는 스페이서로서의 경화막.A cured film as an interlayer insulating film, a protective film or a spacer formed from the radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3. 제6항에 기재된 경화막을 구비하는 표시 소자.A display device comprising the cured film according to claim 6.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201214033A (en) * 2010-06-17 2012-04-01 Sumitomo Chemical Co Photosensitive resin composition
JP6022847B2 (en) * 2012-03-28 2016-11-09 東京応化工業株式会社 Insulating film forming photosensitive resin composition, insulating film, and insulating film forming method
CN103365087B (en) * 2012-03-28 2019-03-08 东京应化工业株式会社 Insulating film forms the forming method with photosensitive polymer combination, insulating film and insulating film
JP6327173B2 (en) * 2014-02-27 2018-05-23 Jsr株式会社 Colored composition, colored cured film, and display element
JP6350335B2 (en) * 2014-02-27 2018-07-04 Jsr株式会社 Colored composition, colored cured film, and display element
TWI731895B (en) * 2015-12-08 2021-07-01 日商富士軟片股份有限公司 Radiation-sensitive resin composition, cured film, pattern forming method, solid-state imaging device, and image display device
JP2021167906A (en) * 2020-04-10 2021-10-21 東京応化工業株式会社 Photosensitive composition, method for producing patterned cured film and patterned cured film

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005024659A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Taiyo Ink Mfg Ltd Curable composition
JP2007023254A (en) * 2005-06-14 2007-02-01 Fujifilm Corp Curing promoter, thermosetting resin composition, photosensitive composition and photosensitive film, and permanent pattern and method for forming the same
JP2007079114A (en) * 2005-09-14 2007-03-29 Fujifilm Corp Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus, and pattern forming method
JP2007106886A (en) * 2005-10-13 2007-04-26 Fujifilm Corp Curing accelerator, thermosetting resin composition, photosensitive composition, photosensitive film, permanent pattern and method for forming it
JP4895034B2 (en) * 2006-05-24 2012-03-14 Ｊｓｒ株式会社 Radiation-sensitive resin composition, spacer and method for forming the same
CN101093355B (en) * 2006-06-23 2013-07-10 富士胶片株式会社 Compound, photosensitive combination, solidified combination, solidified combination for filter, color filter and manufacturing method thereof
JP4689553B2 (en) * 2006-08-11 2011-05-25 富士フイルム株式会社 Photocurable coloring composition and color filter using the same
JP4846484B2 (en) * 2006-08-11 2011-12-28 富士フイルム株式会社 Photocurable coloring composition and color filter using the same
JP5198816B2 (en) * 2007-08-31 2013-05-15 株式会社日本触媒 Method for producing side chain-containing polymer

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