KR101842242B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR101842242B1
KR101842242B1 KR1020120040979A KR20120040979A KR101842242B1 KR 101842242 B1 KR101842242 B1 KR 101842242B1 KR 1020120040979 A KR1020120040979 A KR 1020120040979A KR 20120040979 A KR20120040979 A KR 20120040979A KR 101842242 B1 KR101842242 B1 KR 101842242B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
control
substrate
job
executed
recipe
Prior art date
Application number
KR1020120040979A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120120051A (ko
Inventor
타케시 마츠모토
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20120120051A publication Critical patent/KR20120120051A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101842242B1 publication Critical patent/KR101842242B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

실운전에 가까운 조건으로, 효율적으로 시운전을 실행 가능한 기판 처리 장치 등을 제공한다. 반송 용기(FOUP(1 ~ 4))로부터 기판(W)을 취출하여 처리 모듈(2)에서 처리를 행하고, 원래의 반송 용기로 되돌리는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 선택부(31)는, 기판 반송 기구(15, 17) 또는 처리 모듈(2)의 동작 확인 운전을 행하는 모드의 선택을 접수하고, 잡 설정부(32)는, 동작 확인용의 복수의 컨트롤 잡(CJ)을 설정하고, 또한 기판(W)에 대하여 실행되는 레시피인 프로세스 잡(PJ)을 CJ마다 설정하고, 제어부(3)는, 순서가 잇따른 2 개의 CJ의 PJ가 병렬로 실행 가능한지 판단한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 설정된 레시피에 따른 처리를 실행하는 기판 처리 장치의 동작 확인을 행하는 기술에 관한 것이다.
반도체 처리 장치에는, FOUP(Front-Opening Unified Pod)를 재치부에 재치하고, 이 FOUP 내에서 취출한 기판에 대하여 복수의 처리 모듈로 순차 처리하거나, 혹은 복수의 처리 모듈로 병렬 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치가 있다. 이 종류의 기판 처리 장치의 일례로서, 기판을 세정하는 기판 세정 장치는, 복수의 FOUP를 재치하는 재치부와, 회전하는 기판의 피처리면에 세정액을 공급하여 세정 처리를 행하거나 또한 그 면에 브러쉬 등의 스크러버를 대고 스크럽 세정을 행하는 세정 모듈, 및 처리 모듈과 FOUP의 사이에서 기판의 반송을 행하는 반송계를 구비하고 있다.
그리고, 기판에 대하여 처리를 행할 경우, 기판에 설정된 처리 레시피(이하, 기판에 대한 설정에 기초하여 실행되는 처리 레시피를 프로세스 잡(PJ)이라고 함)와, PJ의 그룹 단위이며, FOUP에 설정된 컨트롤 잡(CJ)에 대하여 할당된 순서에 기초하여 기판의 반송 스케줄이 작성된다. 기판은 이 반송 스케줄에 기초하여 FOUP로부터 반출되고 소정의 처리 모듈로 반송되어 처리된 후 원래의 FOUP로 돌아온다.
한편, 기판 세정 장치의 실운전(제품 기판에 대한 처리)을 처음으로 개시하기 전 혹은 소정의 메인터넌스를 행했을 경우 등에서 기판을 실제로 반송하거나 혹은 처리 모듈 내에서 처리하고, 기판 세정 장치의 동작 확인을 행하기 위하여 시운전(에이징이라고도 함)의 요청이 있다.
여기서 예를 들면 특허 문헌 1에는, 진공 중에서 기판을 반송하는 트랜스퍼 모듈의 주위에 드라이 에칭 등의 플라즈마 처리를 행하는 복수의 프로세스 모듈(PM)을 접속한 기판 처리 장치를 운전하는 기술이 기재되어 있다. 특허 문헌 1에 따르면, 실운전 시에 소정 PM에서 먼저 액티브하게 된 CJ가 당해 PM에서 실행 가능한 PJ를 가지지 않을 때에 처음으로 다른 CJ에 속하고, 당해 PM에서 실행 가능한 PJ의 실행을 허가한다. 이에 따라, PJ를 실행할 때마다 당해 PM 내의 분위기가 대폭 변화하는 것을 방지하고 있다. 그러나 특허 문헌 1에는, 실운전에 가까운 조건이며 또한 효율적으로 시운전 동작을 행하는 수법에 대해서는 아무것도 개시되어 있지 않다.
일본특허공개공보 2011-009342 호
본 발명은, 실운전에 가까운 조건으로, 효율적으로 시운전을 실행 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 방법을 기억하는 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 복수의 기판을 수납하기 위한 반송 용기를 재치하기 위한 재치대와, 기판의 처리를 행하기 위한 복수의 처리 모듈과, 상기 재치대와 상기 처리 모듈의 사이에서 기판을 반송하기 위한 기판 반송 기구와, 적어도 기판 반송 기구 또는 처리 모듈의 동작 확인 운전을 행하기 위한 동작 확인 모드를 선택하는 모드 선택부와, 동작 확인용의 복수의 컨트롤 잡을 설정하고 또한, 이들 컨트롤 잡마다, 상기 반송 용기와 상기 반송 용기의 슬롯의 위치로 특정되는 기판에 대하여 실행하는 레시피를 입력하여 프로세스 잡을 설정하는 잡 설정부와,
상기 모드 선택부로부터 동작 확인 모드가 선택되고, 상기 복수의 컨트롤 잡을 실행할 때에, 하나의 컨트롤 잡의 레시피와 순서가 하나 후인 컨트롤 잡의 레시피가 병렬로 실행 가능한지 판단하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 기판 처리 장치는 이하의 특징을 구비하고 있어도 좋다.
(a) 상기 제어부는, 상기 순서가 하나 후인 컨트롤 잡의 레시피가 상기 하나의 컨트롤 잡의 레시피와 병렬로 실행 가능한 경우에는 상기 하나의 컨트롤 잡과 병렬로 실행하는 것.
(b) 상기 제어부는, 상기 순서가 하나 후인 컨트롤 잡의 레시피가 상기 하나의 컨트롤 잡의 레시피와 병렬로 실행하는 것이 가능하지 않은 경우에는 상기 하나의 컨트롤 잡의 최종 기판이 반송 용기에 수납된 후, 계속해서 상기 순서가 하나 후인 컨트롤 잡을 실행하는 것.
(c) 상기 동작 확인용의 컨트롤 잡의 실행 회수를 설정하는 회수 설정부를 더 구비하는 것.
(d) 상기 제어부는, 상기 반송 용기를 교환하지 않고, 상기 복수의 컨트롤 잡을 미리 지정된 순서이며 또한 주기적으로 설정된 회수만큼 실행하는 것.
(e) 상기 제어부는, 상기 회수 설정부에 설정된 실행 회수를 상기 동작 확인 운전의 실행 중에 변경할 수 있는 것.
(f) 상기 잡 설정부는, 컨트롤 잡에 복수의 프로세스 잡을 설정할 수 있는 것.
(g) 상기 제어부는, 하나의 컨트롤 잡과, 상기 하나의 컨트롤 잡에 대하여 순서가 하나 후인 컨트롤 잡에 있어서, 레시피 상의 반송 경로에 중복의 발생 여부에 따라, 이들 컨트롤 잡을 병렬로 실행하는 것이 가능한지 여부를 판단하는 것.
(h) 상기 제어부는, 실행하고 있는 상기 동작 확인 운전을 도중에 멈출 수 있는 것.
(i) 상기 제어부는, 상기 동작 확인 운전의 컨트롤 잡의 실행 중에, 제품이 되는 기판을 처리하기 위한 실운전용의 컨트롤 잡을 추가할 수 있는 것.
본 발명에 따르면, 제어부는 동작 확인용으로 설정된 복수의 컨트롤 잡 중, 순서가 잇따른 컨트롤 잡에 포함되는 레시피를 병렬로 실행하는 것이 가능한지 여부를 판단한다. 그리고, 레시피의 병렬 실행이 가능한 경우에는, 이들 레시피를 병렬하여 실행하므로, 컨트롤 잡을 1 개씩 실행하는 경우보다 단시간에 동작 확인 운전을 종료시킬 수 있어 효율적인 시운전을 행할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 세정 장치의 개략 구성을 도시한 평면도이다.
도 2는 상기 세정 장치에서의 CJ, PJ의 설정 화면의 일례를 나타낸 설명도이다.
도 3(a) 및 3(b)는 CJ, PJ의 설정예를 도시한 설명도이다.
도 4는 상기 세정 장치의 동작의 흐름을 나타낸 플로우도이다.
도 5는 상기 세정 장치에 의한 동작 확인 모드의 제 1 예에 따른 PJ의 실행 동작의 타임 차트이다.
도 6은 상기 제 1 예에 따른 CJ의 생성, 소멸 동작을 나타낸 타임 차트이다.
도 7은 동작 확인 모드의 제 2 예에 따른 PJ의 실행 동작의 타임 차트이다.
도 8은 상기 제 2 예에 따른 CJ의 생성, 소멸 동작을 나타낸 타임 차트이다.
도 9는 동작 확인 모드의 제 3 예에 따른 PJ의 실행 동작의 타임 차트이다.
도 10은 상기 제 3 예에 따른 CJ의 생성, 소멸 동작을 나타낸 타임 차트이다.
이하, 스크러버에 세정액을 공급하면서 웨이퍼(W)에 가깝게 대고, 웨이퍼(W)의 피처리면을 세정하는 스크럽 세정 모듈을 구비한 세정 장치에, 본 발명의 기판 처리 장치를 적용한 실시예에 대하여 설명한다. 도 1의 횡단 평면도에 도시한 바와 같이, 세정 장치(1)는, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 반송 용기인 FOUP(1 ~ 4)를 재치하는 재치 블록(11)과, 재치 블록(11)에 재치된 FOUP(1 ~ 4)로부터의 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 행하는 반입출 블록(12)과, 반입출 블록(12)과 후단의 세정 블록(14)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 블록(13)과, 웨이퍼(W)의 스크럽 세정을 행하기 위한 세정 블록(14)을 구비하고 있다. 재치 블록(11)을 앞쪽이라고 했을 때, 재치 블록(11), 반입출 블록(12), 전달 블록(13), 세정 블록(14)은 앞쪽으로부터 이 차례로 인접하여 설치되어 있다. 또한, 반입출 블록(12)의 외벽에는 터치 패널식의 액정 디스플레이 등에 의해 구성되는 운전 조작부(18)가 설치되어 있다.
재치 블록(11)은 복수의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수납한, 예를 들면 4 대의 FOUP(1 ~ 4)를 재치대 상에 재치한다. 반입출 블록(12)은 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 전달 블록(13)은 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 반입출 블록(12) 및 전달 블록(13)은 하우징 내에 수납되어 있다.
반입출 블록(12)은 제 1 웨이퍼 반송 기구(15)를 가지고 있다. 제 1 웨이퍼 반송 기구(15)는 FOUP(1 ~ 4)의 배열 방향을 따라 이동 가능하게 구성되고 또한, 웨이퍼(W)를 보지(保持)하는 반송 암을 수평 방향으로 진퇴 가능하고 또한 회전 가능 및 상하 방향으로 승강 가능하게 구성되고, FOUP(1 ~ 4)와 전달 블록(13)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
전달 블록(13)은, 예를 들면 8 매의 웨이퍼(W)를 재치 가능한 전달 선반(16)을 가지고 있다. 전달 블록(13)에서는, 이 전달 선반(16)을 개재하여 반입출 블록(12), 세정 블록(14)의 반송 기구 간(기술한 제 1 웨이퍼 반송 기구(15) 및 후술하는 제 2 웨이퍼 반송 기구(17))에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다.
세정 블록(14)은 복수의 세정 모듈(2)이 배치된 세정부(141)와, 웨이퍼(W)의 반송이 행해지는 반송부(171)를 하우징 내에 수납한 구성으로 되어 있다. 반송부(171)는, 전달 블록(13)과의 접속부를 기단(基端)으로서 전후 방향으로 연장되는 공간 내에 제 2 웨이퍼 반송 기구(17)를 배치하여 이루어진다. 제 2 웨이퍼 반송 기구(17)는, 반송부(171)가 연장되는 방향을 따라 이동 가능하게 구성되고 또한, 웨이퍼(W)를 보지하는 반송 암을 수평 방향으로 진퇴 가능하고 또한 회전 가능 및 상하 방향으로 승강 가능하게 구성되고, 전달 선반(16)과 각 세정 모듈(2)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 세정부(141)는 반송부(171)를 형성하는 공간이 연장되는 방향을 따라 복수대, 예를 들면 각각 2 대 배치되고, 또한 상하 2 단으로 적층된 합계 8 대의 세정 모듈(2)을 구비하고 있다. 각 세정 모듈(2)은 웨이퍼(W)의 피처리면으로 세정액을 공급하면서 브러쉬 또는 스펀지 등의 스크러버를 대고 스크럽 세정을 행한다. 각 세정 모듈(2)에서는 웨이퍼(W)의 재질 또는 당해 세정 처리의 전후에 다른 처리 장치에서 실시되는 프로세스 등에 따라 세정액의 종류 또는 세정 영역, 세정 시간 등의 처리 조건이 상이한 처리를 실행할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 세정 장치(1)는 제어부(3)와 접속되어 있다. 제어부(3)는 예를 들면 도시하지 않은 CPU와 기억부를 구비한 컴퓨터로 이루어지고, 기억부에는 세정 장치(1)의 작용, 즉 재치 블록(11)에 재치된 FOUP(1 ~ 4)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 각 세정 모듈(2)에 반입하고, 세정을 행하고 나서 원래의 FOUP(1 ~ 4)로 되돌릴 때까지의 제어에 대한 단계(명령)군이 입력된 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되고, 그로부터 컴퓨터에 인스톨된다.
특히, 본 예의 세정 장치(1)에 설치된 제어부(3)는 제품 웨이퍼(W)의 세정 처리를 행하는 처리 모드와, 제 1, 제 2 웨이퍼 반송 기구(15, 17)(기판 반송 기구) 또는 세정 모듈(2)(처리 모듈)의 동작 확인 운전을 행하는 동작 확인 모드를 전환하여 실행하는 기능을 구비하고 있다. 이하, 동작 확인 모드를 실행하기 위한 제어부(3)의 기능에 대하여 상세하게 설명한다.
동작 확인 모드를 실행하기 위하여 제어부(3)는 모드 선택부(31), 잡 설정부(32) 및 CJ 회수 설정부(33)의 기능을 구비하고 있다.
모드 선택부(31)는, 세정 장치(1)의 운전 조작부(18)를 통하여 유저 또는 검수 담당자 등으로부터 지시를 접수하고, 세정 장치(1)가 실행하는 운전 모드를 처리 모드와 동작 확인 모드로 전환한다.
잡 설정부(32)는, (1) 동작 확인 모드에서 실행되는 CJ를 설정하는 기능과, (2) 각 CJ에서 실행되는 PJ의 설정을 행하는 기능을 구비하고 있다.
상기 (1)의 기능에 관한 것으로, 우선 유저가 운전 조작부(18)를 조작하여 모드 선택부(31)에서 동작 확인 모드를 선택한다. 이어서, 유저가 운전 조작부(18)를 조작하여 CJ의 정보를 설정한다. 구체적으로는, 잡 설정부(32)가 당해 CJ의 개별 번호인 ID를 자동으로 부여하고(유저 등으로부터 ID의 부여를 접수해도 좋음), 유저가 행한 그 CJ가 실행되는 FOUP(1 ~ 4)의 선택을 접수한다.
위와 같이 설정된 CJ에 대하여, 상기 (2)의 PJ의 설정을 행한다. 예를 들면 잡 설정부(32)는, CJ의 설정에 수반하여 자동 부여된 ID(이 ID에 대해서도 유저 등으로부터의 부여를 접수해도 좋음)를 첨부한 PJ의 접수 화면을 운전 조작부(18)에 표시한다. 그리고, 유저가 그 표시를 이용하여 선택한 FOUP(1 ~ 4) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 실행되는 레시피의 설정을 행하고 잡 설정부(32)가 접수한다. 각 PJ가 실행되는 웨이퍼(W)는 FOUP(1 ~ 4)의 슬롯의 위치에 의해 특정된다.
또한, 하나의 CJ에는 복수의 PJ를 설정할 수 있다. 구체적으로는, 잡 설정부(32)가 있는 CJ에 대하여 PJ의 설정을 접수한 후, 유저는 당해 CJ에 대하여, 추가로 다른 PJ를 설정할지 여부의 선택을 행하고, 새롭게 생성한 PJ에 대하여 동일한 설정(레시피의 설정 또는 웨이퍼(W)의 설정)을 행할 수 있다. 새롭게 PJ가 설정되면 잡 설정부(32)가 접수한다. 이 결과, 도 2에 나타낸 바와 같이, 1 개의 CJ에 1 개 또는 복수의 PJ를 설정하는 것이 가능해진다.
예를 들면 도 3(a)는, 1 개의 FOUP(1)에 대하여, ‘PJ(1-1)’와 ‘PJ(1-2)’의 2 개의 PJ를 포함한 ‘CJ(1)’가 설정된 예를 도시하고 있고, 도 3(b)는, 1 개의 FOUP(2)에 대하여 단 하나의 ‘PJ(2-1)’를 포함한 ‘CJ(2)’가 설정된 예를 도시하고 있다.
동작 확인 모드에서는, FOUP(1 ~ 4)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 반송 스케줄에 따라 각 세정 모듈(2)로 웨이퍼(W)를 반송하고, 원래의 FOUP(1 ~ 4)로 되돌리는 반송 동작만을 행하고 실제의 스크럽 세정은 행하지 않을 경우, 또는 웨이퍼(W)의 반송 및 스크럽 세정의 쌍방을 실행할 경우 등의 다양한 PJ의 설정을 할 수 있다.
여기서, 처리 모드와 동작 확인 모드에서의 웨이퍼(W)의 취급의 가장 큰 차이를 설명한다. 처리 모드에서는, 전단의 처리 장치에서 처리된 제품 웨이퍼(W)를 수납한 FOUP(1 ~ 4)가 재치대 상에 재치된다. 그리고 이로부터 취출된 웨이퍼(W)가 세정 모듈(2)에서 처리되고, 다시 원래의 FOUP(1 ~ 4)에 수납되면, 당해 FOUP(1 ~ 4)는 후단의 처리 장치로 반출된다. 위와 같은 방식으로 재치대에는 계속해서 새로운 FOUP(1 ~ 4)가 반송된다.
이에 반해 동작 확인 모드는, 제 1, 제 2 웨이퍼 반송 기구(15, 17) 또는 세정 모듈(2) 등의 동작 확인을 행하는 것이 목적이기 때문에, 재치대 상의 FOUP(1 ~ 4)를 교환하지 않고 동일한 웨이퍼(W)를 반복 취출하여 PJ를 실행해도 좋다. 따라서, 본 예의 제어부(3)는, 먼저 설명한 모드 선택부(31) 및 잡 설정부(32)의 기능에 더하여 CJ 회수 설정부(33)를 구비하고, 각 FOUP(1 ~ 4)에 설정된 CJ의 실행 회수를 설정할 수 있다. 이 결과, 예를 들면 25 매의 웨이퍼(W)를 수납한 4 대의 FOUP(1 ~ 4)(웨이퍼(W) 매수는 100 매)에 대하여 합계 10 회의 CJ를 실행하면, 처리 모드에서 1000 매의 제품 웨이퍼(W)를 처리했을 때와 동일한 조건 하에서 동작 확인을 행할 수 있다.
위와 같이 CJ 회수 설정부(33)에서 CJ의 실행 회수가 설정되면, 제어부(3)는 미리 지정된 순서로 주기적으로 CJ를 실행하고, 설정 회수의 CJ를 실행한 후에 동작 확인 모드를 종료한다. 본 예에서는, 재치대의 좌단(左端)으로부터 차례로 FOUP(1 ~ 4)가 재치되고, FOUP 번호가 작은 쪽으로부터 차례로 설정된 CJ가 주기적으로 실행되는 것으로 한다. 여기서 CJ를 ‘주기적으로 실행한다’란, 처리가 종료된 웨이퍼(W)를 수용한 FOUP를 세정 장치(1)의 밖으로 반출하지 않고 복수회의 처리를 행하는 것을 말한다.
그리고 제어부(3)는, 잇따른 순서로 실행되는 CJ에 포함되는 PJ를 병렬로 실행하는 것이 가능할 경우에는 이들 PJ를 병렬하여 실행하고, 병렬로 실행하는 것이 가능하지 않을 경우에는 상기의 순서대로 PJ를 실행한다. 이 기능의 구체예에 대해서는, 이하의 동작 설명에서 도 4 ~ 도 10을 참조하여 상세하게 설명한다.
우선, 도 4에 기초하여, 동작 확인 모드 시의 세정 장치(1)의 동작에 대하여 설명한다. 유저가 운전 조작부(18)를 조작하여 세정 장치(1)의 동작 확인 모드를 선택한다(도 4, 스타트). 유저의 조작을 받아서 CJ가 생성되고 잡 설정부(32)가 ID의 자동 부여 또는 FOUP(1 ~ 4) 선택을 접수하여 당해 CJ의 설정을 행하고(단계(S1)), 당해 CJ에 대하여 PJ를 1 개 생성하여 ID의 자동 부여를 행한다(단계(S2)). 이어서, 잡 설정부(32)는, 유저가 행한 레시피의 설정(단계(S3)) 및 웨이퍼(W)의 설정(단계(S4))을 접수하여 생성된 PJ를 설정한다. 이어서, 당해 CJ에 대하여 새로운 PJ를 추가할지 여부의 선택을 접수한다(단계(S5)).
유저에 의해 PJ를 추가하는 것이 선택된 경우에는(단계(S5) ; YES)), 잡 설정부(32)는, 운전 조작부(18)의 화면 등에 PJ의 설정 에어리어를 추가하고(단계(S6)), 레시피 및 웨이퍼(W)의 설정을 접수하여 생성된 새로운 PJ를 설정한다(단계(S2 ~ 4)). 이와 같이 필요한 수만큼 PJ를 추가하고, 더 이상 PJ를 추가하지 않을 경우에는(단계(S5) ; NO), 당해 동작 확인 모드에 새로운 CJ를 추가할지 여부의 선택을 접수한다(단계(S7)).
유저에 의해 CJ를 추가하는 것이 선택된 경우에는(단계(S7) ; YES), 잡 설정부(32)는, 운전 조작부(18)의 화면 등에 CJ의 설정 에어리어를 추가하고(단계(S8)), 각 PJ에 대한 레시피 및 웨이퍼(W)의 설정 동작을 반복하고, 새로운 CJ, PJ(및 추가 PJ)로서 설정한다(단계(S1 ~ S6)).
그리고 필요한 수만큼 CJ를 추가하고, 더 이상 CJ를 추가하지 않을 경우에는(단계(S7) ; NO), CJ 회수 설정부(33)는 CJ의 실행 회수의 설정을 접수한다(단계(S9)). 그 후, 제어부(3)는 각 CJ에 설정된 PJ의 내용, CJ의 실행 회수에 기초하여 각 FOUP(1 ~ 4) 내의 웨이퍼(W)의 반송 스케줄을 작성한다(단계(S10)).
반송 스케줄이 작성되면, 각 FOUP(1 ~ 4)로부터는 웨이퍼(W)가 취출되고, 당해 반송 스케줄에 기초하여 각 처리 모듈(2)로 반송되고, 각 PJ에 설정되어 있는 레시피에 따른 확인 운전용의 처리가 실행된다(단계(S11)). 그리고, 상기한 설정 회수만큼 CJ를 실행하면, 세정 장치(1)는 동작 확인 모드의 운전을 끝낸다(엔드).
이어서 도 5, 도 6을 참조하여, CJ를 병렬로 실행하는 것이 가능하지 않은 경우의 동작 확인 모드의 운전예에 대하여 설명한다. 본 예에서는, 세정 장치(1)의 재치대에는 2 개의 FOUP(1, 2)가 배치되고, 도 3에 도시한 바와 같이 FOUP(1)에는 PJ(1-1), PJ(1-2)의 2 개의 PJ를 포함한 CJ(1)가 설정되고, FOUP(2)에는 PJ(2-1)로 이루어지는 PJ를 1 개만 포함한 CJ(2)가 설정되어 있는 것으로 한다. 그리고, 당해 동작 확인 모드에서는 이들 CJ(1), CJ(2)를 합계 8 회 실행하는 것으로 한다.
도 5는, 각 PJ의 실행 스케줄을 나타낸 타임 차트이며, 시간의 경과 방향이 하향으로 되어 있다. 도 중, TRS(1, 2)는, FOUP(1, 2)로부터 세정 모듈(2)로의 반출 시에 사용되는 전달 선반(16)의 슬롯, TRS(3, 4)는 세정 모듈(2)로부터 FOUP(1, 2)로의 반입 시에 사용되는 전달 선반(16)의 슬롯, SCR(1 ~ 3)은, 각 PJ에서 사용되는 세정 모듈(2)을 나타내고 있다. 하향의 화살표는, 그 세정 모듈(2)에서의 처리가 계속되고 있는 것을 나타내고 있다.
각 PJ에서 사용되는 전달 선반(16)의 슬롯 위치(TRS(1 ~ 4)) 및 세정 모듈(2)(SCR(1 ~ 3))은, CJ, PJ의 설정을 행한 후, 제어부의 반송 스케줄 작성 시에 설정된다. 또한, TRS(1 ~ 4), SCR(1 ~ 3) 등의 번호의 차이는 반송 스케줄 상의 관리 번호이며, 반드시 상이한 슬롯 위치 및 상이한 세정 모듈(2)을 사용하는 것을 의미하는 것은 아니다. 여기서 도 5에 나타낸 동작 확인 모드에서는, 예를 들면 세정 모듈(2)의 스크러버에 공급되는 처리액을 전환할 필요가 있는 경우 또는 레시피 상의 반송 경로가 겹치는 경우 등에는, 제어부(3)가 CJ(1)에 포함되는 PJ(1-1), PJ(1-2)와, CJ(2)에 포함되는 PJ(2-1)를 병렬로 실행하는 것이 가능하지 않다. 즉, 제어부(3)가 CJ(1)와 CJ(2)를 병렬하여 실행하는 것이 가능하지 않다.
여기서, ‘레시피 상의 반송 경로’란, 제 1, 제 2 웨이퍼 반송 기구(15, 17) 또는 전달 선반(16)의 각 슬롯, 세정 모듈(2) 등의 각 기기를 개재하여 웨이퍼(W)가 반송되는 경로이다. 소정 웨이퍼(W)에 대하여 설정된 반송 경로 상의 기기가, 당해 웨이퍼(W)에 의해 점유되어 있는 기간 중에는, 다른 웨이퍼(W)가 당해 점유 중인 기기를 이용하는 반송 경로를 구성할 수는 없다. 구체적으로는, 소정 PJ에 기초하여 세정 모듈(2)에서 웨이퍼(W)를 처리하고 있는 기간 중에는, 다른 PJ가 설정되어 있는 다른 웨이퍼(W)가 당해 세정 모듈(2)로 반송될 수는 없다. 또한, 소정 PJ에 기초하여 전달 선반(16)의소정 슬롯에 웨이퍼(W)가 재치되어 있는 기간 중에는, 다른 PJ가 설정되어 있는 다른 웨이퍼(W)가 당해 슬롯에 재치될 수는 없다. 이러한 경우는, 제어부(3)는 각각의 PJ를 포함한 CJ를 병렬하여 실행하는 것이 가능하지 않다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 제어부(3)는, FOUP(1, 2)의 번호가 작은 쪽에 설정되어 있는 CJ로부터 차례로, CJ(1)(1 회째) → CJ(2)(1 회째) → CJ(1)(2 회째)→로 주기적으로 CJ가 실행된다. 따라서 각 PJ는, PJ(1-1) → PJ(1-2) → PJ(2-1) → PJ(1-1) → …의 순서로 실행되게 된다.
도 5에 나타낸 스케줄에 기초하여 PJ를 실행하기 때문에, 제어부(3)는, 도 6의 타임 차트에 나타낸 바와 같이 각 CJ와 그 실행 회수를 대응시켜, 실행하는 CJ의 생성, 소멸을 행한다. 도 중의 하얀 동그라미는 실행하는 CJ의 생성 동작, 검정 동그라미는 그 소멸 동작, 점선은 장치 리소스 대기, 오른쪽 방향의 화살표는 웨이퍼(W)의 반송 또는 처리의 실행을 나타내고 있다.
우선, 동작 확인 모드의 운전 개시 시, 제어부(3)는 CJ의 설정 시에 생성한 ID에 대하여 CJ의 실행 회수에 대응하는 부호를 부여하고(예를 들면 3 자리수의 숫자를 1씩 늘려 부여하고), 실행하는 CJ의 ID를 생성한다. 본 예에서는 번호가 작은 FOUP(1)에 설정된 CJ(1)부터 실행하므로, 처음에 실행되는 CJ의 ID는 ‘CJ(1-001)’, 이어서 실행되는 CJ의 ID는 ‘CJ(2-002)’가 된다.
그리고, 제어부(3)는, CJ(1-001)와 CJ(2-002)를 병렬하여 실행할 수 있는지 여부를 판단한다. 본 예에서는, CJ(2-002)에 설정된 PJ(2-1)는, CJ(1-001)에 설정된 PJ(1-1), PJ(1-2)와 병렬하여 실행하는 것이 가능하지 않다. 따라서, 제어부(3)는 CJ(1-001)에 대하여 PJ(1-1), PJ(1-2)의 처리를 실행하는 한편, 이들 PJ(1-1), PJ(1-2)과 병렬하여 실행되는 것이 가능하지 않은 PJ(2-1)를 포함한 CJ(2-002)에 대해서는, 장치 리소스의 대기 상태가 된다. 그리고, CJ(1-001)에 포함되는 PJ의 처리가 종료되면, CJ(2-002)의 PJ(2-1)를 실행한다.
CJ(1-001)의 실행이 종료되면, 제어부(3)는 당해 CJ를 소멸시키고 CJ(2-002)에 이어 주기적으로 실행되는 CJ인 ‘CJ(1-003)’의 ID를 가지는 CJ를 동일한 FOUP에 대하여 생성시킨다. 그리고, 제어부(3)는 이어서 실행하는 CJ가 새롭게 생성된 타이밍에, 실행중인 CJ와 병렬로 실행하는 것이 가능한지 여부를 판단한다. 본 실험예에서는, CJ(1-003)가 생성된 시점에서는 병렬로 실행하는 것이 가능하지 않은 CJ(2-002)가 실행중이기 때문에, CJ(1-003)는 실행 개시되지 않고, CJ(2-002)가 종료되고 나서 CJ(1-003)가 실행된다.
이와 같이 하여, 실행이 완료된 CJ를 소멸시키고, 이어서 실행하는 CJ를 새롭게 생성함으로써, 재치대 상의 FOUP(1, 2)가 가상적으로 세정 장치(1) 밖으로 반출되고 교환된 것으로 취급되고, 동일한 FOUP에 대하여 설정 회수에 따른 CJ를 실행할 수 있다. 도 6에 나타낸 예에서는, 8회째의 CJ에 대응하는 CJ(2-008)가 실행되면, 제어부(3)는 동작 확인 모드의 실행을 종료한다.
예를 들면 도 7, 도 8은, 재치대 상의 4 개의 FOUP(1 ~ 4)에 각각 CJ(1) ~ CJ(4)가 설정되고, 각 CJ에는 서로 병렬하여 실행하는 것이 가능하지 않은 1 개의 PJ(PJ(1-1) ~ PJ(4-1))가 설정되어 있을 때, CJ(1) ~ CJ(4)를 합계 7 회 실행하는 경우의 동작을 나타내고 있다.
이 예에서는, 제어부(3)는, 동작 확인 모드의 운전 개시 시에, 도 8에 나타낸 바와 같이 CJ(1-001) ~ CJ(1-004)를 생성하고, 각 CJ를 병렬하여 실행하는 것이 가능한지 여부를 판단한다. 그리고, 각 CJ에는 서로 병렬하여 실행하는 것이 가능하지 않은 PJ가 설정되어 있으므로, PJ(1-1) ~ PJ(4-1)가 병렬하여 실행되지 않도록 이들 CJ를 실행한다. 제어부(3)는, FOUP(1 ~ 4)의 번호가 작은 차례로, 실행하는 CJ를 주기적으로 생성하고, 7 회째의 CJ인 CJ(3-007)가 실행되면, 동작 확인 모드의 실행을 끝낸다.
이어서, CJ를 병렬하여 실행하는 것이 가능한 경우의 동작 확인 모드의 운전예에 대하여 설명한다. 본 예에서는, 세정 장치(1)의 재치대에는 2 개의 FOUP(1, 2)가 배치되고, FOUP(1)에는 PJ(1-1)로 이루어지는 1 개의 PJ를 포함한 CJ(1)가 설정되고, FOUP(2)에는 PJ(2-1)로 이루어지는 1 개의 PJ를 포함한 CJ(2)가 설정되어 있다. 그리고, 당해 동작 확인 모드에서는, 이들 CJ(1), CJ(2)를 합계 6 회 실행하는 것으로 한다.
또한 본 예의 동작 확인 모드에서는, 예를 들면 세정 모듈(2)의 스크러버에 공급되는 처리액이 공통인 경우 또는 레시피 상의 반송 경로가 겹치지 않는 경우 등에는, 각 CJ에 포함되는 PJ(1-1)와 PJ(2-1)를 병렬하여 실행하는 것이 가능하다. 즉, 제어부(3)는 CJ(1)와 CJ(2)를 병렬하여 실행하는 것이 가능하다. 또한, PJ(1-1)의 처리 시간은 PJ(2-1)의 처리 시간보다 길어져 있다.
이 경우에는, 도 9에 나타낸 바와 같이, 제어부(3)는 CJ(1)(1 회째)와 CJ(2)(1 회째)를 병렬하여 실행한다. 처리 시간이 짧은 CJ(2)(1 회째)가 먼저 종료되고, 다음의 CJ가 생성된다. 이 때, 번호가 작은 FOUP(1)에 대한 CJ(1)(1 회째)는 아직 실행 중이므로, CJ(1)(2 회째)의 개시를 추월하여 FOUP(2)에 대하여 CJ(2)(2 회째)를 개시한다. 그 후, CJ(1)(1 회째)가 완료되면, 미리 할당된 순서에 기초하여 CJ(1)의 다음의 CJ(2)가 개시되게 되는데, CJ(2)(2 회째)가 실행 중이므로, 제어부(3)는 CJ(2)(3번째)의 개시를 추월하여 FOUP(1)에 대하여 CJ(1)(2 회째)를 실행한다.
도 9에 나타낸 스케줄에 기초하여 PJ를 실행하기 때문에, 도 10의 타임 차트에 나타낸 바와 같이 각 CJ와 그 실행 회수를 대응시켜, 실행되는 CJ의 생성, 소멸이 행해진다. 우선, 동작 확인 모드의 운전 개시 시에, 제어부(3)는 설정 시에 생성한 CJ의 ID에 대하여, CJ의 실행 회수에 대응하는 부호를 부여하여 실행하는 CJ의 ID로서 ‘CJ(1-001), CJ(2-002)’를 생성한다.
이들 CJ(1-001), CJ(2-002)에 포함되는 PJ(1-1), PJ(2-1)는 병렬하여 실행하는 것이 가능하므로, 제어부(3)는 이들 CJ를 병렬하여 실행하고, 처리 시간이 짧은 CJ(2-002)가 먼저 종료된다. 처리를 끝낸 CJ(2-002)에 대해서는, 당해 CJ를 소멸시키고, 다음에 실행되는 ‘CJ(2-003)’의 ID를 가지는 CJ를 동일한 FOUP(2)에 대하여 생성시킨다.
제어부(3)는 CJ(2-003)를 생성한 타이밍에, 실행 중인 CJ(1-001)와 병렬로 실행하는 것이 가능한지 여부를 판단한다. 본 실험예에서는, CJ(2-003)와 CJ(1-001)는 병렬로 실행하는 것이 가능하므로, CJ(2-003)는 CJ(1-001)와 병렬하여 실행된다. CJ(1-001)가 종료되면, 당해 CJ를 소멸시키고 다음에 실행되는 ‘CJ(1-004)’의 ID를 가지는 CJ를 동일한 FOUP(1)에 대하여 생성시킨다. 도 10에 나타낸 바와 같이 CJ(1-001) ~ CJ(2-006)를 생성하여, 처리가 마지막에 종료된 CJ(1-006)의 실행이 완료되면, 동작 확인 모드를 끝낸다.
본 실시예에 따른 세정 장치(1)에 따르면, 이하의 효과가 있다. 제어부(3)는동작 확인용으로 설정된 복수의 CJ 중, 순서가 잇따른 CJ에 포함되는 PJ를 병렬로 실행하는 것이 가능한지 여부를 판단한다. 그리고, PJ를 병렬로 실행하는 것이 가능한 경우에는, 이들 PJ를 병렬하여 실행하므로, CJ를 1 개씩 실행하는 경우보다 단시간에 동작 확인 운전을 종료시킬 수 있고, 효율적인 시운전을 행할 수 있다. 또한, 미리 설정된 순서로 PJ를 실행하고, 또한 동일한 FOUP로부터 기판을 반복 취출하여 주기적으로 CJ를 실행한다. 이들에 의해, FOUP의 교환을 행하지 않아도 실운전과 동일한 반송 스케줄을 짤 수 있어, 실운전에 가까운 효율적인 시운전을 행할 수 있다.
또한, 동작 확인 모드의 CJ의 실행 회수를 미리 설정할 수 있으므로, 동작 확인 운전에 필요한 양(웨이퍼(W)의 처리 매수 또는 동작 확인 운전의 시간 등)만큼 CJ를 실행할 수 있다. 이에 따라, 동작 확인 모드의 운전을 자동적으로 정지할 수 있고, 유저의 입회에 의한 수동 정지를 필요로 하지 않는다. 여기서, CJ 회수 설정부(33)로 설정되는 CJ의 실행 회수는, 운전 조작부(18)를 통한 유저로부터의 지시 등에 따라 도중에 변경해도 좋다.
또한, CJ 회수 설정부(33)로 설정된 회수만큼 실행되는 동작 확인용의 CJ는 운전 조작부(18)를 통한 유저로부터의 지시 또는, 반송 경로 상의 각 기기(제 1, 제 2 웨이퍼 반송 기구(15, 17) 또는 세정 모듈(2) 등)의 문제의 검출 등에 따라 도중에 정지하는 등 해도 좋다. 이 때, CJ를 정지하는 수법은, 동작 확인 운전 그 자체를 정지해도 좋고, 재개를 전제로 하는 중단을 해도 좋다. 또한, 특정의 CJ만을 정지, 중단하여 다른 CJ를 계속하거나, CJ에 포함되는 특정의 PJ만을 정지, 중단하여 다른 PJ를 계속하거나 해도 좋다. 또한, 지정된 FOUP에 대한 CJ를 정지, 중단하고, 다른 FOUP에 대해서는 CJ를 계속해도 좋다.
또한, 동작 확인 운전(동작 확인 모드)의 CJ의 실행의 도중에, 제품이 되는 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 실운전(처리 모드)의 CJ를 추가해도 좋다. 동작 확인 운전 중에 급히 실처리가 필요한 웨이퍼(W)가 왔다고 하더라도, 실운전의 CJ를 추가할 수 있으므로, 동작 확인 운전을 멈추지 않고 실처리도 병렬하여 행할 수 있다.
상술한 실시예에서는, 각 FOUP(1 ~ 4)에 대하여 CJ를 설정했지만, CJ의 설정 단위는 이 예에 한정되지 않는다. 예를 들면 복수대의 FOUP(1 ~ 4)를 합쳐서 CJ를 설정해도 좋다. 또한, CJ를 주기적으로 실행하는 순서는, 상술한 실시예에 나타낸 바와 같이 FOUP(1 ~ 4)가 재치대 상에 재치되어 있는 순서로 실행하는 경우에 한정되는 것은 아니다. 미리 실행하는 순서가 정해져 있으면, 어떠한 순서여도 좋다.
그리고, 본 발명의 기판 처리 장치는, 스크럽 세정을 행하는 세정 장치에 한정되지 않고, 예를 들면 수직축 중심으로 회전하는 기판으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 모듈을 구비한 매엽식의 액처리 장치에 적용해도 좋다. 또한, 공통의 반송 기구에 복수대의 처리 챔버를 처리 모듈로서 접속한 에칭 장치 또는 애싱 장치 등의 플라즈마 처리 장치 등에도 본 발명은 적용할 수 있다.
W : 웨이퍼
1 : 세정 장치
2 : 세정 모듈
3 : 제어부
31 : 모드 선택부
32 : 잡 설정부
33 : CJ 회수 설정부

Claims (20)

  1. 복수의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
    복수의 기판을 수납하기 위한 반송 용기를 재치하기 위한 재치대와,
    기판의 처리를 행하기 위한 복수의 처리 모듈과,
    상기 재치대와 상기 처리 모듈의 사이에서 기판을 반송하기 위한 기판 반송 기구와,
    적어도 기판 반송 기구 또는 처리 모듈의 동작 확인 운전을 행하기 위한 동작 확인 모드를 선택하는 모드 선택부와,
    동작 확인용의 복수의 컨트롤 잡을 설정하고 또한, 이들 컨트롤 잡마다, 상기 반송 용기와 상기 반송 용기의 슬롯의 위치로 특정되는 기판에 대하여 실행하는 레시피를 기판마다 입력하여 프로세스 잡을 설정하는 잡 설정부와,
    상기 모드 선택부로부터 동작 확인 모드가 선택되고, 상기 복수의 컨트롤 잡을 실행할 때에, 하나의 컨트롤 잡의 레시피와 순서가 하나 후인 컨트롤 잡의 레시피가 병렬로 실행 가능한지 판단하는 제어부와,
    상기 동작 확인용의 컨트롤 잡의 실행 횟수를 설정하는 횟수 설정부를 구비하고,
    상기 잡 설정부는, 컨트롤 잡에 복수의 프로세스 잡을 설정할 수 있고,
    상기 제어부는, 상기 순서가 하나 후인 컨트롤 잡의 레시피가 상기 하나의 컨트롤 잡의 레시피와 병렬로 실행 가능한 경우에는 상기 하나의 컨트롤 잡과 병렬로 실행하고, 상기 순서가 하나 후인 컨트롤 잡의 레시피가 상기 하나의 컨트롤 잡의 레시피와 병렬로 실행하는 것이 가능하지 않은 경우에는 상기 하나의 컨트롤 잡의 최종 기판이 반송 용기에 수납된 후, 계속해서 상기 순서가 하나 후인 컨트롤 잡을 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 반송 용기를 교환하지 않고, 상기 복수의 컨트롤 잡을 미리 지정된 순서이며 또한 주기적으로 설정된 회수만큼 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 횟수 설정부에 설정된 실행 회수를, 상기 동작 확인 운전의 실행 중에 변경할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 하나의 컨트롤 잡과, 상기 하나의 컨트롤 잡에 대하여 순서가 하나 후인 컨트롤 잡에 있어서, 레시피 상의 반송 경로에 중복의 발생 여부에 따라, 이들 컨트롤 잡을 병렬로 실행하는 것이 가능한지 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 실행하고 있는 상기 동작 확인 운전을 도중에 멈출 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 동작 확인 운전의 컨트롤 잡의 실행 중에, 제품이 되는 기판을 처리하기 위한 실운전용의 컨트롤 잡을 추가할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 복수의 기판을 수납하기 위한 반송 용기를 재치대에 재치하고, 기판 반송 기구에 의해 상기 반송 용기로부터 기판을 취출하여, 복수의 처리 모듈 중 어느 하나로 반송하여 처리를 행하고, 처리 후의 기판을 원래의 반송 용기로 되돌리는 기판 처리 방법에 있어서,
    적어도 기판 반송 기구 또는 처리 모듈의 동작 확인 운전을 행하기 위한 동작 확인 모드를 선택하는 공정과,
    동작 확인용의 복수의 컨트롤 잡을 설정하고 또한, 이들 컨트롤 잡마다 상기 반송 용기와 상기 반송 용기의 슬롯의 위치로 특정되는 기판에 대하여 실행하는 레시피를 기판마다 입력하여 프로세스 잡을 설정하는 공정과,
    동작 확인 모드가 선택되고, 상기 복수의 컨트롤 잡을 실행할 때에, 하나의 컨트롤 잡의 레시피와 순서가 하나 후인 컨트롤 잡의 레시피가 병렬로 실행 가능한지 판단하는 공정과,
    상기 순서가 하나 후인 컨트롤 잡의 레시피가 상기 하나의 컨트롤 잡의 레시피와 병렬로 실행 가능한 경우에는 상기 하나의 컨트롤 잡과 병렬로 실행하는 공정과,
    상기 순서가 하나 후인 컨트롤 잡의 레시피가 상기 하나의 컨트롤 잡의 레시피와 병렬로 실행하는 것이 가능하지 않은 경우에는, 상기 하나의 컨트롤 잡의 최종 기판이 반송 용기에 수납된 후, 계속해서 상기 순서가 하나 후인 컨트롤 잡을 실행하는 공정과,
    상기 동작 확인용의 컨트롤 잡의 실행 횟수를 설정하는 공정을 포함하며,
    상기 컨트롤 잡에는 복수의 프로세스 잡을 설정할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 동작 확인용의 컨트롤 잡의 실행 회수를 설정하는 공정을 더 포함하고,
    상기 복수의 컨트롤 잡은, 상기 반송 용기를 교환하지 않고, 미리 지정된 순서이며 또한 주기적으로 설정된 회수만큼 실행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 동작 확인용의 컨트롤 잡의 실행 회수는 상기 동작 확인 운전의 실행 중에 변경할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 삭제
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 하나의 컨트롤 잡과, 상기 하나의 컨트롤 잡에 대하여 순서가 하나 후인 컨트롤 잡은, 레시피 상의 반송 경로에 중복의 발생 여부에 따라 병렬로 실행하는 것이 가능한지 여부가 판단되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 동작 확인 운전은 실행하고 있는 도중에 멈출 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 동작 확인 운전의 컨트롤 잡의 실행 중에, 제품이 되는 기판을 처리하기 위한 실운전용의 컨트롤 잡을 추가할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 복수의 기판을 수납하기 위한 반송 용기를 재치대에 재치하고, 기판 반송 기구에 의해 상기 반송 용기로부터 기판을 취출하여, 복수의 처리 모듈 중 어느 하나로 반송하여 처리를 행하고, 처리 후의 기판을 원래의 반송 용기로 되돌리는 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서,
    상기 프로그램은 청구항 11에 기재된 기판 처리 방법을 실행하기 위하여 단계가 탑재되어 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
KR1020120040979A 2011-04-20 2012-04-19 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 KR101842242B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011094015 2011-04-20
JPJP-P-2011-094015 2011-04-20
JP2012038947A JP5821689B2 (ja) 2011-04-20 2012-02-24 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JPJP-P-2012-038947 2012-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120120051A KR20120120051A (ko) 2012-11-01
KR101842242B1 true KR101842242B1 (ko) 2018-05-14

Family

ID=47021940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120040979A KR101842242B1 (ko) 2011-04-20 2012-04-19 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9396978B2 (ko)
JP (1) JP5821689B2 (ko)
KR (1) KR101842242B1 (ko)
TW (1) TWI525733B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP6097569B2 (ja) * 2013-01-17 2017-03-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理列制御方法
JP5987796B2 (ja) * 2013-07-24 2016-09-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6216193B2 (ja) * 2013-09-11 2017-10-18 株式会社荏原製作所 ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置
US10714427B2 (en) 2016-09-08 2020-07-14 Asml Netherlands B.V. Secure chips with serial numbers
US10418324B2 (en) 2016-10-27 2019-09-17 Asml Netherlands B.V. Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
JP7170438B2 (ja) * 2018-07-03 2022-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び判定方法
JP7454467B2 (ja) 2020-08-03 2024-03-22 株式会社荏原製作所 基板処理システム、基板処理システムの制御装置及び基板処理システムの運転方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001093791A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及びウエハの処理方法
JP2011009342A (ja) 2009-06-24 2011-01-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御方法及び記憶媒体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714832B1 (en) * 1996-09-11 2004-03-30 Hitachi, Ltd. Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system
US6618682B2 (en) * 2001-04-20 2003-09-09 International Business Machines Corporation Method for test optimization using historical and actual fabrication test data
JP4557986B2 (ja) * 2004-11-24 2010-10-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
US9305814B2 (en) * 2004-12-20 2016-04-05 Tokyo Electron Limited Method of inspecting substrate processing apparatus and storage medium storing inspection program for executing the method
JP4560022B2 (ja) * 2006-09-12 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体
JP4828503B2 (ja) * 2007-10-16 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板搬送方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体
JP5575507B2 (ja) * 2010-03-02 2014-08-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置のメンテナンス方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001093791A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及びウエハの処理方法
JP2011009342A (ja) 2009-06-24 2011-01-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012235087A (ja) 2012-11-29
JP5821689B2 (ja) 2015-11-24
TW201308477A (zh) 2013-02-16
KR20120120051A (ko) 2012-11-01
TWI525733B (zh) 2016-03-11
US20120271444A1 (en) 2012-10-25
US9396978B2 (en) 2016-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101842242B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR101547989B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
JP5852908B2 (ja) 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
KR101449782B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR101944609B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101874268B1 (ko) 기판 처리 장치를 위한 스케줄 작성 방법 및 기판 처리 장치
KR101840578B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101849735B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 반송 방법 및 기억 매체
JP6224359B2 (ja) 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
CN112106175B (zh) 衬底处理方法、衬底处理装置及记录媒介
JP3880348B2 (ja) 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP6113670B2 (ja) 基板処理装置、その運用方法及び記憶媒体
JP2003086481A (ja) 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2001296922A (ja) 無人搬送車システム
JP4762025B2 (ja) 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2008210956A (ja) 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
KR20150056604A (ko) 작업물 프로세싱을 위해 사용되는 컨베이어 벨트들의 최적화
JP3960761B2 (ja) 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP6573693B2 (ja) 基板処理装置のためのスケジュール作成方法および基板処理装置
CN117524918A (zh) 基板处理装置以及计算机可读存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant