KR20190055439A - Solar cell module - Google Patents

Abstract

The present invention relates to a photovoltaic module. According to one aspect of the present invention, the photovoltaic module comprises: a plurality of photovoltaic cells individually having a semiconductor substrate, a plurality of first electrodes elongated in a first direction on a front surface of the semiconductor substrate, and a second electrode on a back surface of the semiconductor substrate; and a conductive wire connected to a first electrode of a first photovoltaic cell of the photovoltaic cells and a second electrode of a second photovoltaic cell adjacent to the first photovoltaic cell and electrically connecting the photovoltaic cells by being disposed in a second direction crossing the first direction. A wire fixing unit overlapped with the conductive wire is further included between the most outer first electrode overlapped at last with the conductive wire of the first electrodes and the first end of the semiconductor substrate.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.Recently, as energy resources such as oil and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다. Typical solar cells have a semiconductor portion that forms a p-n junction by different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to semiconductor portions of different conductivity types, respectively.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.When light is incident on such a solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor portion, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes, respectively, so that the electrons move toward the n- Type semiconductor portion. The transferred electrons and holes are collected by different electrodes connected to the n-type semiconductor portion and the p-type semiconductor portion, respectively, and electric power is obtained by connecting these electrodes with electric wires.

이와 같은 태양 전지는 상호간의 연결을 위해 도전성 배선(200)에 의해 서로 연결될 수 있다.Such solar cells may be connected to each other by the conductive wiring 200 for mutual connection.

본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 각각이 반도체 기판, 반도체 기판의 전면에 제1 방향으로 길게 형성되는 복수의 제1 전극 및 반도체 기판의 후면에 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및 복수의 태양 전지 중 제1 태양 전지의 제1 전극 및 제1 태양 전지에 인접한 제2 태양 전지의 제2 전극에 접속하고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치되어 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 도전성 배선;을 포함하고, 복수의 제1 전극 중 도전성 배선과 마지막으로 중첩되는 최외곽 제1 전극과 반도체 기판의 제1 끝단 사이에는 도전성 배선과 중첩되는 배선 고정부를 더 포함한다.A solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of solar cells each having a semiconductor substrate, a plurality of first electrodes formed on a front surface of the semiconductor substrate in a first direction and a second electrode on a rear surface of the semiconductor substrate; And a plurality of solar cells arranged in a second direction crossing the first direction and connected to a first electrode of the first solar cell and a second electrode of the second solar cell adjacent to the first solar cell among the plurality of solar cells, And a wiring fixing portion which overlaps with the conductive wiring between the first outermost first electrode of the plurality of first electrodes and the outermost first electrode which is finally overlapped with the first end of the semiconductor substrate .

여기서, 반도체 기판의 제1 끝단은 반도체 기판의 끝단들 중에 도전성 배선의 끝단이 인접하여 위치하는 끝단일 수 있다.The first end of the semiconductor substrate may be a single end of the semiconductor substrate adjacent to the end of the conductive wiring in the end portions of the semiconductor substrate.

아울러, 배선 고정부는 도전성 배선의 투영 영역 내에 위치하여, 반도체 기판 위에 위치할 수 있다. Further, the wiring fixing portion may be located in the projection region of the conductive wiring and located on the semiconductor substrate.

또한, 배선 고정부의 재질은 금속 물질을 포함하고, 제1 전극의 재질과 동일할 수 있다.Further, the material of the wiring fixing portion includes a metal material, and may be the same as the material of the first electrode.

또한, 배선 고정부의 두께는 최외곽 제1 전극의 두께와 동일할 수 있다.The thickness of the wiring fixing portion may be the same as the thickness of the outermost first electrode.

또한, 배선 고정부는 최외곽 제1 전극과 연결되어, 최외곽 제1 전극으로부터 제2 방향으로 연장되거나, 최외곽 제1 전극과 이격되어, 제2 방향으로 길게 연장될 수 있다.The wiring fixing portion may be connected to the outermost first electrode and extend in the second direction from the outermost first electrode or may be extended in the second direction away from the outermost first electrode.

여기서, 배선 고정부의 선폭은 제1 전극의 선폭보다 작을 수 있다.Here, the line width of the wiring fixing portion may be smaller than the line width of the first electrode.

아울러, 배선 고정부는 도전성 배선의 길이 방향을 따라 한 개씩 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the wiring fixing portions may be disposed one by one along the longitudinal direction of the conductive wiring.

또는 이와 다르게, 배선 고정부는 도전성 배선의 길이 방향을 따라 한 쌍씩 이격되어 배치되고, 한 쌍의 배선 고정부는 제1 방향으로 이격될 수 있다.Alternatively, the wiring fixing portions may be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the conductive wiring, and the pair of wiring fixing portions may be spaced apart in the first direction.

이때, 한 쌍의 배선 고정부는 도전성 배선의 중심을 기준으로 양측에 위치할 수 있다.At this time, the pair of wiring fixing portions can be positioned on both sides with respect to the center of the conductive wiring.

아울러, 배선 고정부의 하단은 반도체 기판과 물리적으로 접촉될 수 있다.In addition, the lower end of the wiring fixing portion may be in physical contact with the semiconductor substrate.

일례로, 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판의 전면에 반사 방지막을 더 구비하고, 배선 고정부의 하단은 반사 방지막을 뚫고 반도체 기판의 전면에 물리적으로 접촉될 수 있다.For example, each of the plurality of solar cells further includes an antireflection film on the entire surface of the semiconductor substrate, and the lower end of the wiring fixing portion can be physically contacted to the front surface of the semiconductor substrate through the antireflection film.

또한, 이와 다르게, 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판 위에 투명한 도전성 산화막층(TCO)을 더 구비하고, 배선 고정부의 하단은 반도체 기판과 물리적으로 이격되고, 투명한 도전성 산화막층에 접촉되는 것도 가능하다.Alternatively, each of the plurality of solar cells may further include a transparent conductive oxide film layer (TCO) on the semiconductor substrate, and the lower end of the wiring fixing portion may be physically separated from the semiconductor substrate and contacted with the transparent conductive oxide film layer .

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 배선 고정부를 구비하여, 도전성 배선의 끝단에 형성되는 버(burr) 돌출 부분에 의해 반도체 기판이 손상되어 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있어, 모듈의 불량을 보다 감소시킬 수 있다.The solar cell module according to the present invention includes a wiring fixing portion and can prevent a semiconductor substrate from being damaged by a burr protruding portion formed at the end of the conductive wiring to cause a crack, .

도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 분해 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1에 도시되 복수의 태양 전지의 연결 구조 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3은 각 태양 전지의 구조의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 배선 고정부(400)의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 배선 고정부(400)의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 배선 고정부(400)에 따른 효과를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 본 발명에서 반도체 기판(110)의 전면에 연결 전극(141)이 더 구비된 예를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 도 7에 도시된 제1 전극(140)에 배선 고정부(400)가 적용된 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 9는 도 7에 도시된 제1 전극(140)에 배선 고정부(400)가 적용된 제1 실시예의 변경례를 설명하기 위한 도이다.
도 10은 도 7에 도시된 제1 전극(140)에 배선 고정부(400)가 적용된 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 11은 제2 실시예의 변경례를 설명하기 위한 도이다.
도 12는 제2 실시예의 다른 변경례를 설명하기 위한 도이다.
도 13은 배선 고정부(400)가 반도체 기판(110)과 이격되어 형성된 일례를 설명하기 위한 도이다.1 is a schematic exploded perspective view illustrating a solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view for explaining an example of a connection structure of a plurality of solar cells shown in FIG. 1;
3 is a view for explaining an example of the structure of each solar cell.
4 is a view for explaining an example of a wiring fixing part 400 in a solar cell module according to an example of the present invention.
5 is a diagram for explaining another example of the wiring fixing part 400. As shown in Fig.
6 is a diagram for explaining an effect of the wiring fixing part 400. [
7 is a view illustrating an example in which the connection electrode 141 is further provided on the front surface of the semiconductor substrate 110 in the present invention.
FIG. 8 is a view for explaining a first embodiment in which the wiring fixing portion 400 is applied to the first electrode 140 shown in FIG.
9 is a view for explaining a modification of the first embodiment in which the wiring fixing part 400 is applied to the first electrode 140 shown in FIG.
10 is a view for explaining a second embodiment in which the wiring fixing portion 400 is applied to the first electrode 140 shown in FIG.
11 is a view for explaining a modification of the second embodiment.
12 is a diagram for explaining another modification of the second embodiment.
FIG. 13 is a view for explaining an example in which the wiring fixing portion 400 is formed apart from the semiconductor substrate 110. FIG.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판(110)의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판(110)의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be a surface of the semiconductor substrate 110 on which the direct light is incident, and the rear surface may be an opposite surface of the semiconductor substrate 110 on which the direct light is not incident, have.

아울러, 이하의 설명에서, 서로 다른 두 구성 요소의 길이나 폭이 동일하다는 의미는 10%의 오차 범위 이내에서 서로 동일한 것을 의미한다.In the following description, the meaning of two different components having the same length or width means that they are equal to each other within an error range of 10%.

또한, 이하의 각 도에서 동일한 부분에 대한 중복된 설명은 생략한다.In the following drawings, duplicate explanations of the same portions will be omitted.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.Hereinafter, a solar cell module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 분해 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.1 is a schematic exploded perspective view illustrating a solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 전면 투명 기판(40), 제1 충진 시트(30a), 복수의 태양 전지, 제2 충진 시트(30b) 및 후면 기판(50)를 포함할 수 있다.The solar cell module according to the present invention may include a front transparent substrate 40, a first filling sheet 30a, a plurality of solar cells, a second filling sheet 30b, and a rear substrate 50.

전면 투명 기판(40)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어질 수 있다. 일례로, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. The front transparent substrate 40 may be made of tempered glass having high transmittance and excellent breakage prevention function. For example, the tempered glass may be a low iron tempered glass with a low iron content.

복수 개의 태양 전지 각각은 입사되는 태양 에너지를 전기에너지로 변환하는 기능을 하고, 이를 위해 불순물이 도핑된 반도체 기판(110)과 여러 기능층들 및 전극을 구비할 수 있다.Each of the plurality of solar cells has a function of converting incident solar energy into electric energy, and may include a semiconductor substrate 110 doped with an impurity and various functional layers and electrodes.

후면 기판(50)은 태양 전지들의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양 전지들을 외부 환경으로부터 보호할 수 있다.The rear substrate 50 can prevent the penetration of moisture from the rear surface of the solar cells, thereby protecting the solar cells from the external environment.

이러한 후면 기판(50)은 태양 전지를 사이에 배치한 상태에서, 전면 투명 기판(40)에 대향하여 전면 투명 기판(40)의 후면에 배치될 수 있다. The rear substrate 50 may be disposed on the rear surface of the front transparent substrate 40 so as to face the front transparent substrate 40 with the solar cells disposed therebetween.

이와 같은 후면 기판(50)은 시트 형태이거나 유리 기판일 수 있으며, 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.Such a rear substrate 50 may be in the form of a sheet or a glass substrate and may have a multilayer structure such as a layer preventing water and oxygen penetration, a layer preventing chemical corrosion, and a layer having an insulating property.

충진 시트(30)는 전면 투명 기판(40)과 복수의 태양 전지 사이에 위치하는 제1 충진 시트(30a)와 복수의 태양 전지와 후면 기판 사이에 위치하는 제2 충진 시트(30b)를 포함할 수 있다.The filling sheet 30 includes a first filling sheet 30a positioned between the front transparent substrate 40 and the plurality of solar cells and a second filling sheet 30b positioned between the plurality of solar cells and the rear substrate .

이와 같은 충진 시트(30)은 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양 전지를 충격으로부터 보호할 수 있다. 이러한 충진 시트(30)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 이루어질 수 있다.Such a filling sheet 30 can prevent corrosion due to moisture penetration and protect the solar cell from impact. The filling sheet 30 may be made of a material such as ethylene vinyl acetate (EVA).

더불어, 이와 같은 충진 시트(30)는 태양 전지들의 상부 및 하부에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정에 의해 태양 전지들과 일체화되어, 태양 전지들의 사이 공간에 채워지게 되며, 열처리를 통해 경화될 수 있다. In addition, the filling sheet 30 is integrated with the solar cells by being laminated on the upper and lower portions of the solar cells, filled in the spaces between the solar cells, and can be hardened through the heat treatment .

이와 같은 태양 전지 모듈에서 복수의 태양 전지 각각의 구조와 복수의 태양 전지가 연결되는 연결 구조에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The structure of each of the plurality of solar cells in the solar cell module and the connection structure in which a plurality of solar cells are connected will be described in more detail as follows.

도 2는 도 1에 도시되 복수의 태양 전지의 연결 구조 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 3은 각 태양 전지의 구조의 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 2 is a view for explaining an example of a connection structure of a plurality of solar cells shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a view for explaining an example of the structure of each solar cell.

여기서, 도 2의 (a)는 복수의 태양 전지가 복수의 도전성 배선(200)에 의해 연결된 평면 구조를 도시한 것이고, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)에서 CS1-CS1 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 2의 (c)는 도 2의 (a)에서 CS2-CS2 라인에 따른 단면을 도시한 것이다. 2 (a) shows a planar structure in which a plurality of solar cells are connected by a plurality of conductive wirings 200, and FIG. 2 (b) And FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line CS2-CS2 in FIG. 2A.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판(110)과 반도체 기판(110)의 전면에 제1 방향(x)으로 길게 복수의 제1 전극(140)을 구비하고, 반도체 기판(110)의 후면에 제2 전극(150)을 구비할 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 3, each of the plurality of solar cells has a plurality of first electrodes 140 extending in a first direction (x) on the front surface of the semiconductor substrate 110 and the semiconductor substrate 110 , And a second electrode (150) on the rear surface of the semiconductor substrate (110).

이와 같은 복수의 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 이격되어 배열되고, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2)를 포함할 수 있다. Such a plurality of solar cells C1 and C2 are arranged in a second direction y that intersects the first direction x and are arranged adjacent to each other in the second direction y, The first and second solar cells C1 and C2 may be included.

복수의 도전성 배선(200)은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되어, 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(140)과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(150)에 각각에 접속할 수 있다. 이에 따라, 제2 방향(y)으로 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 복수의 도전성 배선(200)에 의해 스트링(string)을 형성할 수 있다.The plurality of conductive wirings 200 are extended in the second direction y to extend to the first electrode 140 of the first solar cell C1 and the second electrode 150 of the second solar cell C2 Respectively. Accordingly, the first and second solar cells C1 and C2 adjacent to each other in the second direction y can form a string with the plurality of conductive wirings 200. [

이와 같은 도전성 배선(200)은 단면이 원형 또는 타원형 형상을 가지며, 길이가 긴 형태의 와이어일 수 있다.The conductive wiring 200 may have a circular or elliptical shape in cross section and may have a long length.

이때, 복수의 도전성 배선(200)의 개수(N200)는 태양 전지의 일면을 기준으로 6개 내지 33개일 수 있다. 아울러, 복수의 도전성 배선(200) 각각의 폭(W200)은 250um 내지 500um 사이일 수 있다.At this time, the number N200 of the plurality of conductive wirings 200 may be 6 to 33 based on one surface of the solar cell. In addition, the width W200 of each of the plurality of conductive wirings 200 may be between 250 um and 500 um.

일례로, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)이 250um 이상, 300um 미만일 때, 도전성 배선(200)의 개수(N200)가 15개 내지 33개일 수 있다. For example, when the line width W200 of the conductive line 200 is 250um or more and less than 300um, the number N200 of the conductive lines 200 may be 15 to 33.

아울러, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)이 300um 이상, 350um 미만일 때, 도전성 배선(200)의 개수(N200)가 10개 내지 15개일 수 있고, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)이 350um 이상, 400um 미만일 때, 도전성 배선(200)의 개수(N200)가 8개 내지 10개일 수 있고, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)이 400um 내지 500um일 때, 도전성 배선(200)의 개수(N200)가 6개 내지 8개일 수 있다. The number N 200 of the conductive wirings 200 may be 10 to 15 when the line width W 200 of the conductive wirings 200 is less than 300 μm and less than 350 μm and the line width W 200 of the conductive wirings 200 is The number N 200 of the conductive wirings 200 may be 8 to 10 when the line width W 200 of the conductive wirings 200 is 400um to 500um when the number of the conductive wirings 200 is 350um or more and less than 400um, (N200) may be six to eight.

아와 같이, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)에 따라 도전성 배선(200)의 개수(N200)를 다르게 배치함으로써, 태양 전지의 수광면에서 도전성 배선(200)에 의해 가려지는 총 쉐이딩(shading) 면적이 증가하지 않도록 하면서, 도전성 배선(200)의 자체 저항을 적절하게 조절할 수 있고, 이로 인하여, 도전성 배선(200)에 의해 감소되는 출력을 최소화할 수 있고, 태양 전지 모듈의 출력을 보다 향상시킬 수 있다.The number N200 of the conductive wirings 200 is arranged differently according to the line width W200 of the conductive wirings 200 so that the total shading shaded by the conductive wirings 200 on the light receiving surface of the solar cell The self-resistance of the conductive wiring 200 can be appropriately adjusted while the area is not increased, whereby the output reduced by the conductive wiring 200 can be minimized and the output of the solar cell module can be further improved .

앞에서 설명한 도전성 배선(200)의 선폭(W200)에 따른 개수의 관계는 최적화된 하나의 일례이고, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The relationship of the number of the conductive wirings 200 according to the line width W200 described above is only one example optimized, and the present invention is not necessarily limited thereto.

아울러, 이와 같은 서로 인접한 두 개의 도전성 배선(200) 사이의 피치는 도전성 배선(200)의 선폭(W200)과 개수를 고려하여 4.75mm ~ 25.13mm 사이로 형성될 수 있다. The pitch between two conductive wirings 200 adjacent to each other may be between 4.75 mm and 25.13 mm in consideration of the line width W200 of the conductive wirings 200 and the number of wirings.

이와 같은 복수의 태양 전지 각각은 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110), 제1 도전형 영역(120), 반사 방지막(130), 제1 전극(140), 제2 도전형 영역(172), 후면 보호막(180) 및 제2 전극(150)을 구비할 수 있다. 3, each of the plurality of solar cells includes a semiconductor substrate 110, a first conductive type region 120, an anti-reflection film 130, a first electrode 140, a second conductive type region 172, a rear protective layer 180, and a second electrode 150. [

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 함유될 수 있다. 예를 들어 p형 또는 n 형 도전성 타입의 불순물이 함유될 수 있다.The semiconductor substrate 110 may contain an impurity of the first conductivity type or the second conductivity type. For example, p-type or n-type conductivity type impurities may be contained.

이와 같은 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘 중 어느 하나의 형태로 이루어질 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 결정질 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.The semiconductor substrate 110 may be formed of any one of single crystal silicon, polycrystalline silicon, and amorphous silicon. In one example, the semiconductor substrate 110 may be formed of a crystalline silicon wafer.

구체적으로, 반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소도 2, 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)될 수 있다.Specifically, when the semiconductor substrate 110 has a p-type conductivity type, impurity of a boron-doped element such as gallium, indium, or the like can be doped into the semiconductor substrate 110.

그러나 이와 다르게, 반도체 기판(110)은 n형 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.However, when the semiconductor substrate 110 has an n-type conductivity type, impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), etc. may be doped into the semiconductor substrate 110 .

이러한 반도체 기판(110)의 전면은 복수의 요철면을 갖는다. 편의상 도 3에서, 반도체 기판(110)의 가장자리 부분만 요철면으로 도시하였으나, 실질적으로 반도체 기판(110)의 전면 전체가 요철면을 갖고 있으며, 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 제1 도전형 영역(120) 및 반사 방지막(130) 역시 요철면을 가질 수 있다.The front surface of the semiconductor substrate 110 has a plurality of uneven surfaces. 3, only the edge portion of the semiconductor substrate 110 is shown as an uneven surface, but substantially the entire front surface of the semiconductor substrate 110 has an uneven surface, The conductive type region 120 and the antireflection film 130 may also have uneven surfaces.

아울러, 도 3에서는 반도체 기판(110)의 전면에만 복수의 요철이 형성된 경우를 일례로 설명하였지만, 이에 반드시 한정되는 것은 아니고, 도 3에 도시된 바와 다르게, 반도체 기판(110)의 후면에도 복수의 요철이 형성될 수 있으며, 이와 같은 경우, 이로 인해 반도체 기판(110)의 후면 위에 위치한 제2 도전형 영역(172) 역시 요철면을 가질 수 있다.3, a plurality of concavities and convexities are formed only on the front surface of the semiconductor substrate 110. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 3, In this case, the second conductive type region 172 located on the rear surface of the semiconductor substrate 110 may also have an uneven surface.

제1 도전형 영역(120)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1, 2 도전성 타입의 불순물 중 어느 하나의 불순물을 함유하여, 반도체 기판(110)의 입사면인 전면에 형성될 수 있다. The first conductive type region 120 may include any one of impurities of the first and second conductive types as shown in FIG. 3, and may be formed on the entire surface of the semiconductor substrate 110, which is an incident surface.

일례로, 제1 도전형 영역(120)은 반도체 기판(110)에 함유된 불순물과 반대인 불순물이 열 확산되어 함유되어 형성될 수 있으며, 에미터부로서 역할을 하여, 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 이룰 수 있다.For example, the first conductive type region 120 may include impurities opposite to the impurities contained in the semiconductor substrate 110 and may be formed by containing thermal diffusion. The first conductive type region 120 may function as an emitter, Junction can be achieved.

또는 이와 반대로, 제1 도전형 영역(120)은 반도체 기판(110)에 함유된 불순물과 동일한 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유되어, 후면 전계부로 역할을 할 수 있다. Conversely, the first conductive type region 120 may contain impurities similar to impurities contained in the semiconductor substrate 110 at a higher concentration than the semiconductor substrate 110, and may serve as a rear electric field portion.

이하에서는 제1 도전형 영역(120)이 에미터부로 역할을 하고, 제2 도전형 영역(172)이 후면 전계부로서 역할을 수행하는 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a case where the first conductive type region 120 serves as an emitter portion and a second conductive type region 172 serves as a rear electric portion will be described as an example. However, the present invention is not limited thereto.

제1 도전형 영역(120)은 반도체 기판(110), 즉, 반도체 기판(110)의 제1 도전성 부분과 p-n접합을 형성하므로, 본 실시예와 달리, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 제1 도전형 영역(120)은 p형의 도전성 타입을 가질 수 있다. 이 경우, 분리된 전자는 반도체 기판(110) 후면 쪽으로 이동하고 분리된 정공은 제1 도전형 영역(120)쪽으로 이동할 수 있다.The first conductive type region 120 forms a pn junction with the first conductive portion of the semiconductor substrate 110 or the semiconductor substrate 110 so that the semiconductor substrate 110 is electrically connected to the n- Type, the first conductivity type region 120 may have a p-type conductivity type. In this case, the separated electrons may move toward the back surface of the semiconductor substrate 110, and the separated holes may move toward the first conductivity type region 120.

제1 도전형 영역(120)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 제1 도전형 영역(120)은 5가 원소의 불순물을 반도체 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있고, 반대로 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 3가 원소의 불순물을 반도체 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있다.When the first conductivity type region 120 has an n-type conductivity type, the first conductivity type region 120 may be formed by doping an impurity of a pentavalent element into the semiconductor substrate 110, In the case of the conductive type, the impurity of the trivalent element may be doped into the semiconductor substrate 110.

반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면에 상부에 위치하며, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 영역(120)가 반도체 기판(110)의 입사면에 위치하는 경우, 반사 방지막(130)은 제1 도전형 영역(120) 상부에 위치할 수 있다. The antireflection film 130 is located on the incident surface of the semiconductor substrate 110 and the first conductive type region 120 is positioned on the incident surface of the semiconductor substrate 110 as shown in FIGS. The antireflective film 130 may be located on the first conductive type region 120. In this case,

이와 같은 반사 방지막(130)은 유전체 재질로 형성될 수 있으며, 일례로 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H), 수소화된 실리콘 산화막(SiOx:H) 및 수소화된 실리콘 질화산화막(SiNxOy:H) 중 적어도 어느 하나가 복수의 층으로 형성될 수도 있다.The antireflection film 130 may be formed of a dielectric material and may include at least one of a hydrogenated silicon nitride film (SiNx: H), a hydrogenated silicon oxide film (SiOx: H) and a hydrogenated silicon nitride oxide film (SiNxOy: H) Either one may be formed of a plurality of layers.

이와 같이 함으로써, 반사 방지막(130)의 패시베이션 기능을 보다 강화할 수 있어 태양 전지의 광전 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.By doing so, the passivation function of the antireflection film 130 can be further enhanced, and the photoelectric efficiency of the solar cell can be further improved.

복수의 제1 전극(140)은 도 3에 도시된 바와 같이 반도체 기판(110)의 전면에 위치하며, 반도체 기판(110)의 전면 위에 서로 이격되어 위치하며, 각각이 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 위치할 수 있다. 3, the plurality of first electrodes 140 are disposed on the front surface of the semiconductor substrate 110 and spaced apart from each other on the front surface of the semiconductor substrate 110, You can stretch it long.

그러나, 이와 같은 제1 전극(140)의 패턴은 일례이고, 이에 반드시 한정되는 것은 아니고, 경우에 따라서는 제1 방향(x)으로 길게 연장된 제1 전극(140)에 교차하는 방향으로 형성되어, 복수의 제1 전극(140)을 서로 연결하는 연결 전극(141)이 더 형성될 수도 있다.However, the pattern of the first electrode 140 is merely an example, and is not necessarily limited to this. In some cases, the first electrode 140 is formed in a direction crossing the first electrode 140 extended in the first direction x And a connection electrode 141 connecting the plurality of first electrodes 140 to each other.

이때, 복수의 제1 전극(140)은 반사 방지막(130)을 뚫고 제1 도전형 영역(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.At this time, the plurality of first electrodes 140 may be electrically connected to the first conductivity type region 120 through the anti-reflection film 130.

이에 따라, 복수의 제1 전극(140)은 은(Ag)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져, 제1 도전형 영역(120) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면, 전자를 수집할 수 있다.Accordingly, the plurality of first electrodes 140 may be made of at least one conductive material, such as silver (Ag), to collect electrons, for example electrons, moving toward the first conductivity type region 120.

아울러, 이와 같은 복수의 제1 전극(140) 각각은 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 도전성 배선(200)과 중첩되어 교차되는 교차점에서 끊어져 있는 제1 부분(P1)을 포함할 수 있다.Each of the plurality of first electrodes 140 may include a first portion P1 which is overlapped with the plurality of conductive wirings 200 and intersected at an intersection.

즉, 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 복수의 제1 전극(140) 각각은 도 3과 같이, 복수의 도전성 배선(200)과 교차하는 교차점에서 제1 전극(140)이 형성되지 않고, 제1 도전형 영역(120)가 반사 방지막(130)으로 덮여 있는 제1 부분(P1)을 포함할 수 있다.3, the first electrodes 140 are not formed at the intersections of the plurality of conductive wirings 200, and each of the first electrodes 140 extends in the first direction x, 1 conductive type region 120 may include a first portion P1 covered with an antireflection film 130. [

아울러, 복수의 도전성 배선(200)은 이와 같은 복수의 제1 전극(140) 각각의 제1 부분(P1)에 중첩하여 교차하여 배치된 상태에서, 솔더와 같은 도전성 접착제를 통해 제1 전극(140)에 전기적으로 접속될 수 있다.The plurality of conductive wirings 200 may be disposed on the first portion 140 of the plurality of first electrodes 140 in a state of being overlapped with the first portions P1 of the plurality of first electrodes 140, As shown in Fig.

그러나, 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제1 전극(140)이 도전성 배선(200)과 중첩되어 교차되는 교차점에서 끊어지지 않고, 경우에 따라서는 도전성 배선(200)과 중첩되어 교차되는 교차점에서도 제1 전극(140)이 제1 방향(x)으로 길게 연결되어 형성될 수도 있다. However, the first electrode 140 extending in the first direction (x) does not break at the intersection where the first electrode 140 overlaps with the conductive wiring 200, and in some cases, at the intersection where the conductive wiring 200 overlaps and intersects with the conductive wiring 200 The first electrode 140 may be formed to be connected in a long direction in the first direction x.

제2 도전형 영역(172)는 반도체 기판(110)의 전면의 반대면인 후면에 위치할 수 있으며, 제1 도전형 영역(120)에 함유된 불순물과 반대인 불순물이 함유될 수 있다. 일례로, 제2 도전형 영역(172)은 후면 전계부로서 역할을 수행할 수 있다. The second conductive type region 172 may be located on the rear surface opposite to the front surface of the semiconductor substrate 110 and may contain an impurity opposite to the impurity contained in the first conductive type region 120. In one example, the second conductivity type region 172 may serve as a backside electrical portion.

이와 같은 제2 도전형 영역(172)는 후술할 제2 전극(150) 패턴과 중첩 접속되어 제1 방향(x)으로 길게 형성되되, 제2 방향(y)으로 이격된 복수의 라인 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 제2 도전형 영역(172)는 복수의 후면 전계부 라인(172)으로 구성될 수 있다.The second conductive type region 172 may be formed in a plurality of lines spaced apart in the second direction y by forming a second conductive type region 172 in the first direction x, . Thus, the second conductivity type region 172 can be comprised of a plurality of back electromechanical lines 172.

이러한 반도체 기판(110)의 제1 도전성 영역과 제2 도전형 영역(172)간의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되고, 이로 인해, 정공의 이동 방향인 제2 도전형 영역(172) 쪽으로 전자 이동을 방해하는 반면, 제2 도전형 영역(172) 쪽으로의 정공 이동을 용이하게 할 수 있다. A potential barrier is formed due to a difference in impurity concentration between the first conductive region and the second conductive type region 172 of the semiconductor substrate 110. As a result, electrons are injected toward the second conductive type region 172, It is possible to facilitate the movement of holes toward the second conductivity type region 172 while preventing movement of the second conductivity type region 172. [

따라서, 반도체 기판(110)의 후면 및 그 부근에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 원하는 전하(예, 정공)의 이동을 가속화시켜 제2 전극(150)으로의 전하 이동량을 증가시킬 수 있다.Therefore, it is possible to reduce the amount of charge lost due to the recombination of electrons and holes at the back surface and the vicinity of the semiconductor substrate 110 and to accelerate the movement of a desired charge (e.g., a hole) .

후면 보호막(180)은 제2 전극(150)이 형성된 부분을 제외한 반도체 기판(110) 후면 전체를 덮도록 형성될 수 있고, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능과 절연 기능을 수행할 수 있다. 이와 같은 후면 보호막(180)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 산화질화물(SiNxOy) 중 적어도 하나가 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다.The backside passivation layer 180 may be formed to cover the entire rear surface of the semiconductor substrate 110 except for the portion where the second electrode 150 is formed and may perform a passivation function and an insulation function for the rear surface of the semiconductor substrate 110 have. At least one of the silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or silicon oxynitride (SiNxOy) may be formed of at least one layer.

제2 전극(150)은 반도체 기판(110)의 일면과 반대면인 후면에 제1 방향(x)으로 길게 서로 나란하게 형성되고, 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 이격되어 형성될 수 있다. 그러나, 이와 같은 제2 전극(150)의 패턴은 일례이고, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다.The second electrode 150 is formed in parallel with the first direction x on the rear surface opposite to the first surface of the semiconductor substrate 110 and extends in the second direction y intersecting the first direction x. And can be formed spaced apart. However, the pattern of the second electrode 150 is merely an example and is not necessarily limited thereto.

이와 같은 제2 전극(150)은 전술한 제2 도전형 영역(172)와 중첩되어 전기적으로 연결되어, 제2 도전형 영역(172)쪽으로부터 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.The second electrode 150 may be electrically connected to the second conductive type region 172 to collect charge, for example, holes moving from the second conductive type region 172 .

이때, 제2 전극(150)은 반도체 기판(110)보다 높은 불순물 농도로 유지하는 제2 도전형 영역(172)와 접촉하고 있으므로, 즉 제2 도전형 영역(172)와 제2 전극(150) 사이의 접촉 저항이 감소하여 반도체 기판(110)으로부터 제2 전극(150)으로의 전하 전송 효율이 향상될 수 있다.Since the second electrode 150 is in contact with the second conductive type region 172 that maintains the impurity concentration higher than that of the semiconductor substrate 110, the second conductive type region 172 and the second electrode 150 are in contact with each other, The charge transfer efficiency from the semiconductor substrate 110 to the second electrode 150 can be improved.

이와 같은 제2 전극(150)에는 도전성 배선(200)가 접속되어, 제2 전극(150)에 수집된 전하(예, 정공)가 도전성 배선(200)를 통하여 인접한 다른 태양 전지로 전달될 수 있다.The conductive wire 200 is connected to the second electrode 150 so that the charges collected in the second electrode 150 can be transmitted to other adjacent solar cells through the conductive wire 200 .

이와 같은 제2 전극(150)은 양호한 전도도를 갖는 금속 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 은(Ag)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질을 함유할 수 있다.Such a second electrode 150 may comprise a metal material having good conductivity and may contain at least one conductive material, for example, silver (Ag).

한편, 이와 같은 태양 전지 모듈은 복수의 도전성 배선(200) 끝단의 위치를 고정하기 위한 배선 고정부(400)를 더 포함할 수 있다.The solar cell module may further include a wire fixing part 400 for fixing the positions of the ends of the plurality of conductive wires 200.

이에 대해, 다음의 도 4를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.This will be described in more detail with reference to FIG.

도 4는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 배선 고정부(400)의 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 5는 배선 고정부(400)의 다른 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 6은 배선 고정부(400)에 따른 효과를 설명하기 위한 도이다.4 is a view for explaining an example of the wiring fixing part 400 in the solar cell module according to an example of the present invention. FIG. 5 is a view for explaining another example of the wiring fixing part 400, And the wiring fixing part 400 according to the second embodiment of the present invention.

도 4의 (a)는 태양 전지에 복수의 도전성 배선(200)이 접속된 평면 패턴을 도시한 일례이고, 도 4의 (b)는 태양 전지의 끝단 일부를 확대한 도이고, 도 4의 (c)는 도 4의 (b)에서 CS3-CS3 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.4A is an example showing a plan pattern in which a plurality of conductive wirings 200 are connected to a solar cell, FIG. 4B is an enlarged view of a part of the end of the solar cell, and FIG. c) shows a cross section along line CS3-CS3 in Fig. 4 (b).

도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 도전성 배선(200) 끝단의 위치를 고정하기 위한 배선 고정부(400)를 더 포함할 수 있다.4B, the solar cell module according to the present invention may further include a wiring fixing part 400 for fixing the position of the end of the conductive wiring 200.

보다 구체적으로, 여기서, 배선 고정부(400)의 위치는 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 최외곽 제1 전극(140e)과 반도체 기판(110)의 제1 끝단(110S1) 사이 위치할 수 있다.More specifically, the position of the wire fixing portion 400 may be positioned between the outermost first electrode 140e extending in the first direction x and the first end 110S1 of the semiconductor substrate 110 .

여기서, 최외곽 제1 전극(140e)은 복수의 제1 전극(140) 중 도전성 배선(200)과 마지막으로 중첩되는 제1 전극(140)을 의미한다.Here, the outermost first electrode 140e refers to the first electrode 140 which is finally overlapped with the conductive wiring 200 among the plurality of first electrodes 140.

아울러, 반도체 기판(110)의 제1 끝단(110S1)은 반도체 기판(110)의 끝단들 중세어 도전성 배선(200)의 끝단이 인접하여 위치하는 끝단을 의미한다. The first end 110S1 of the semiconductor substrate 110 refers to the end of the semiconductor substrate 110 where the ends of the mesheside conductive interconnections 200 are adjacent to each other.

따라서, 이와 같은 반도체 기판(110)의 제1 끝단은 제1, 2 방향(x, y) 각각과 나란한 4개 반도체 기판(110)의 모서리 끝단들 중 복수의 도전성 배선(200)의 끝단이 인접하여 위치하고, 제1 방향(x)과 나란한 끝단(110S1)을 의미한다.The first end of the semiconductor substrate 110 is connected to the end of the plurality of conductive wirings 200 among the edge ends of the four semiconductor substrates 110 which are aligned with the first and second directions x and y, And the end portion 110S1 parallel to the first direction (x).

따라서, 배선 고정부(400)는 도전성 배선(200)의 투영 영역 내에 위치하되, 반도체 기판(110) 위에 위치할 수 있다. 이때, 배선 고정부(400)는 반도체 기판(110)과 도전성 배선(200) 사이에 위치할 수 있다.Therefore, the wiring fixing portion 400 can be positioned on the semiconductor substrate 110 while being located in the projection region of the conductive wiring 200. [ At this time, the wiring fixing portion 400 may be positioned between the semiconductor substrate 110 and the conductive wiring 200.

아울러, 배선 고정부(400)의 하단은 반도체 기판(110)과 물리적으로 접촉될 수 있다.In addition, the lower end of the wiring fixing part 400 may be in physical contact with the semiconductor substrate 110.

보다 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 전면에 반사 방지막(130)을 더 구비한 경우, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 배선 고정부(400)의 하단은 반사 방지막(130)을 뚫고 반도체 기판(110)의 전면에 물리적으로 접촉되어 형성될 수 있다.3, when the antireflection film 130 is further provided on the entire surface of the semiconductor substrate 110, as shown in FIG. 4 (c) The lower end may be formed by physically contacting the entire surface of the semiconductor substrate 110 through the anti-reflection film 130.

아울러, 배선 고정부(400)의 재질은 금속 물질을 포함하고, 일례로, 제1 전극(140)의 재질과 동일할 수 있다.In addition, the material of the wiring fixing part 400 includes a metal material, and may be the same as the material of the first electrode 140, for example.

이에 따라, 본 발명은 반도체 기판(110)의 전면에 제1 전극(140)을 패터닝하여 형성할 때, 배선 고정부(400)를 제1 전극(140)과 함께 형성할 수 있어, 배선 고정부(400)를 형성하기 위한 별도의 공정을 생략할 수 있고, 이에 따라, 제조 공정이 더 복잡해지는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, when the first electrode 140 is patterned on the entire surface of the semiconductor substrate 110, the wiring fixing portion 400 can be formed together with the first electrode 140, It is possible to omit a separate process for forming the semiconductor device 400, thereby making it possible to prevent the manufacturing process from becoming more complicated.

따라서, 배선 고정부(400)의 두께는 최외곽 제1 전극(140e)의 두께와 동일할 수 있으며, 배선 고정부(400)의 높이는 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 최외곽 제1 전극(140e)의 높이와 동일할 수 있다.Therefore, the thickness of the wiring fixing portion 400 may be the same as the thickness of the outermost first electrode 140e, and the height of the wiring fixing portion 400 may be the same as the thickness of the outermost first electrode 140e, And the height of the first electrode 140e.

이때, 배선 고정부(400)의 상단은 도전성 배선(200)의 표면을 덮는 솔더 코팅층을 통해 도전성 배선(200)의 하단에 접속되거나, 솔더 재질의 도전성 접착제를 통해 도전성 배선(200)의 하단에 접속될 수 있다.The upper end of the wiring fixing portion 400 may be connected to the lower end of the conductive wiring 200 through a solder coating layer covering the surface of the conductive wiring 200 or may be connected to the lower end of the conductive wiring 200 through a solder- Can be connected.

아울러, 배선 고정부(400)의 선폭(W400)은 제1 전극(140)의 선폭(W140)과 동일하거나, 더 작게 형성될 수 있으며, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)보다 작게 형성될 수 있다.The wire width W400 of the wire fixing portion 400 may be equal to or smaller than the wire width W140 of the first electrode 140 and may be smaller than the wire width W200 of the conductive wire 200 .

일례로, 제1 전극(140)의 선폭은 50um ~ 120um 사이로 형성될 수 있으며, 고정부의 선폭은 제1 전극(140)의 선폭과 동일하거나 더 작게 형성될 수 있다.For example, the line width of the first electrode 140 may be between 50 .mu.m and 120 .mu.m, and the line width of the fixed portion may be equal to or smaller than the line width of the first electrode 140.

아울러, 이와 같은 배선 고정부(400)는 캐리어를 수집하는 역할을 하는 것이 아니고, 도전성 배선(200)의 끝단을 고정하는 것이므로, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 최외곽 제1 전극(140e)과 연결되어, 최외곽 제1 전극(140e)으로부터 제2 방향(y)으로 연장될 수도 있으나, 이와 다르게, 도 5와 같이, 최외곽 제1 전극(140e)과 이격되어 형성되되, 제2 방향(y)으로 길게 연장될 수 있다.4 (b), since the end of the conductive wiring 200 is fixed, the wiring fixing part 400 does not serve to collect the carrier. Therefore, as shown in FIG. 4 (b) And may extend from the outermost first electrode 140e in the second direction y while being connected to the outermost first electrode 140e so as to be spaced apart from the outermost first electrode 140e, Can be elongated in the second direction (y).

더불어, 배선 고정부(400)는 도전성 배선(200)의 끝단의 위치를 고정하는 것에 머물지 않고, 도 6에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)을 절단할 때 형성되는 도전성 배선(200)의 끝단에 형성되는 버(burr) 돌출 부분(201)이 반도체 기판(110)의 전면에 충돌하여 반도체 기판(110)의 전면에 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지할 수 있어, 모듈의 불량을 보다 감소시킬 수 있다.6, the wiring fixing part 400 is not limited to fixing the position of the end of the conductive wiring 200, but may be formed of the conductive wiring 200 formed at the time of cutting the conductive wiring 200 It is possible to prevent cracks from being generated on the entire surface of the semiconductor substrate 110 by the burr projecting portion 201 formed at the end colliding with the front surface of the semiconductor substrate 110, .

더불어, 배선 고정부(400)는 도전성 배선(200)의 끝단의 위치를 고정하므로, 모듈의 외관을 더 수려하게 할 수 있다.In addition, since the position of the end of the conductive wiring 200 is fixed in the wiring fixing portion 400, the appearance of the module can be further improved.

지금까지는 본 발명이 반도체 기판(110)의 전면에 제1 방향(x)으로 길게 형성된 제1 전극(140)만 구비된 경우를 일례로 설명하였지만, 이와 다르게, 반도체 기판(110)의 전면에는 제1 방향(x)과 교차하는 방향으로 형성되는 연결 전극(141)이 더 구비될 수도 있다.The present invention has been described with reference to the case where only the first electrode 140 is formed on the front surface of the semiconductor substrate 110 in the first direction x, And a connecting electrode 141 formed in a direction intersecting the one direction (x).

이하에서는 이와 같이, 도 2, 3과 다르게, 반도체 기판(110)의 전면에 다른 패턴의 전극이 형성된 경우, 배선 고정부(400)가 적용되는 예를 설명한다.Hereinafter, an example in which the wiring fixing portion 400 is applied in the case where electrodes of different patterns are formed on the entire surface of the semiconductor substrate 110, as in Figs. 2 and 3, will be described below.

도 7은 본 발명에서 반도체 기판(110)의 전면에 연결 전극(141)이 더 구비된 예를 설명하기 위한 도이고, 도 8은 도 7에 도시된 제1 전극(140)에 배선 고정부(400)가 적용된 제1 실시예, 도 9는 도 7에 도시된 제1 전극(140)에 배선 고정부(400)가 적용된 제1 실시예의 변경례를 설명하기 위한 도이다.7 is a view for explaining an example in which the connection electrode 141 is further provided on the front surface of the semiconductor substrate 110 in the present invention. FIG. 9 is a view for explaining a modification of the first embodiment in which the wiring fixing portion 400 is applied to the first electrode 140 shown in FIG. 7.

도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 전면에는 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제1 전극(140) 이외에 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 복수의 제1 전극(140)을 서로 연결하는 연결 전극(141)과 제1, 2 방향과 교차하는 사선 방향으로 길게 뻗어 복수의 제1 전극(140)과 연결 전극(141)을 서로 연결하는 사선 전극(143)이 더 구비될 수도 있다.7, a plurality of first electrodes 140 are formed on the front surface of the semiconductor substrate 110 to extend in the second direction y in addition to the first electrodes 140 extending in the first direction x, The connection electrode 141 may be further connected to the first electrode 140 and the second electrode 140 to connect the first electrode 140 and the connection electrode 141 to each other in a diagonal direction crossing the first and second directions. have.

아울러, 이와 같은 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)은 연결 전극(141)과 중첩하여 위치할 수 있으며, 이때, 최외곽 제1 전극(140e)은 복수의 제1 전극(140) 중 최외곽에 위치하는 것이 아니라, 도전성 배선(200)과 마지막으로 중첩되는 제1 전극(140)을 의미한다.8, the conductive interconnection 200 may be overlapped with the connection electrode 141. In this case, the outermost first electrode 140e may be formed by overlapping the plurality of first electrodes 140a, The first electrode 140 is not located at the outermost portion among the conductive wires 200 and 140, but is the first electrode 140 that is finally overlapped with the conductive wires 200.

따라서, 사선 전극(143)과 연결되는 제1 전극(140)들은 도전성 배선(200)과 마지막으로 중첩되지 않으므로, 본 발명의 최외곽 제1 전극(140e)이 아닐 수 있다.Therefore, the first electrodes 140 connected to the slanted electrode 143 do not overlap with the conductive wiring 200, and thus may not be the outermost first electrode 140e of the present invention.

아울러, 도 8에 도시된 바와 같이, 배선 고정부(400)는 최외곽 제1 전극(140e)으로부터 제2 방향(y)으로 연장되어, 도전성 배선(200)의 투영 영역 내에 형성되거나, 도 9에 도시된 바와 같이, 배선 고정부(400)는 도전성 배선(200)의 길이 방향을 따라 한 개씩 이격되어 도전성 배선(200)의 투영 영역 내에 배치될 수 있다.8, the wiring fixing portion 400 extends from the outermost first electrode 140e in the second direction y and is formed in the projection area of the conductive wiring 200, The wiring fixing portions 400 can be disposed within the projection region of the conductive wiring 200 by being spaced apart from each other along the longitudinal direction of the conductive wiring 200. [

아울러, 배선 고정부(400)는 도전성 배성의 위치 고정을 보다 안정적이고 확실하게 하기 위하여, 2개가 한쌍씩 형성되는 것도 가능하다. 이에 대해 설명하면 다음과 같다.In addition, the wiring fixing portion 400 may be formed in pairs of two in order to stably and surely fix the position of the conductive mounting. This is explained as follows.

도 10은 도 7에 도시된 제1 전극(140)에 배선 고정부(400)가 적용된 제2 실시예, 도 11은 제2 실시예의 변경례, 도 12는 제2 실시예의 다른 변경례를 설명하기 위한 도이다.Fig. 10 shows a second embodiment in which the wiring fixing portion 400 is applied to the first electrode 140 shown in Fig. 7, Fig. 11 shows a modification of the second embodiment, Fig. 12 shows another modification of the second embodiment Fig.

배선 고정부(400)는 최외곽 제1 전극(140e)과 반도체 기판(110)의 끝단 사이에서 도전성 배선(200)의 투영 영역 내에 위치하되, 2개가 한 쌍씩 형성될 수 있고, 한 쌍의 배선 고정부(400)가 제1 방향(x)으로 이격될 수 있다.The wiring fixing part 400 is located in the projection area of the conductive wiring 200 between the outermost first electrode 140e and the end of the semiconductor substrate 110. The wiring fixing part 400 can be formed by two pairs, The fixing portion 400 may be spaced apart in the first direction x.

일례로, 배선 고정부(400)는 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 최외곽 제1 전극(140e)으로부터 제2 방향(y)으로 연장되어 한 쌍씩 형성되거나, 도 11에 도시된 바와 같이, 최외곽 제1 전극(140e)으로부터 제2 방향(y)으로 이격되어 한 쌍씩 형성될 수 있다.As shown in FIG. 10A, the wiring fixing portions 400 may be formed by a pair extending from the outermost first electrode 140e in the second direction y, A pair of electrodes may be formed spaced apart from the outermost first electrode 140e in the second direction y.

이때, 한 쌍의 배선 고정부(400)는 제1 방향(x)으로 이격되어, 도전성 배선(200)의 중심(200C)을 기준으로 양측에 위치할 수 있다.At this time, the pair of wiring fixing portions 400 may be spaced apart in the first direction (x), and may be positioned on both sides with respect to the center 200C of the conductive wiring 200.

이에 따라, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)의 중심이 한 쌍의 배선 고정부(400) 사이에 위치하여, 도전성 배선(200)의 끝단이 보다 안정적이고, 정확하게 배선 고정부(400) 위에 고정될 수 있다.10 (b), the center of the conductive wiring 200 is located between the pair of wiring fixing portions 400, so that the ends of the conductive wiring 200 are more stable and accurate And can be fixed on the wiring fixing portion 400.

또한, 도 12에 도시된 바와 같이, 배선 고정부(400)는 도전성 배선(200)의 길이 방향을 따라 한 쌍씩 이격되어 배치되는 것도 가능하다.12, the wiring fixing portions 400 may be spaced apart from one another along the longitudinal direction of the conductive wiring 200. In this case,

지금까지는 배선 고정부(400)가 반사 방지막(130)을 뚫고 반도체 기판(110)의 전면에 접촉되는 구조를 일례로 설명하였으나, 본 발명은 이에 반드시 한정되는 것은 아니고, 반도체 기판(110)의 전면과 공간적으로 이격되어 형성될 수 있다. 이에 대해, 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Although the wiring fixing part 400 penetrates the anti-reflection film 130 and contacts the entire surface of the semiconductor substrate 110, the present invention is not limited to this, As shown in FIG. This will be described in more detail as follows.

도 13은 배선 고정부(400)가 반도체 기판(110)과 이격되어 형성된 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 13 is a view for explaining an example in which the wiring fixing portion 400 is formed apart from the semiconductor substrate 110. FIG.

본 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판(110)이 결정질 실리콘, 제1, 2 도전형 영역이 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.In the solar cell according to the present invention, the semiconductor substrate 110 may be formed of crystalline silicon and the first and second conductive regions may be formed of amorphous silicon.

여기서, 제1 도전형 영역(120)은 반도체 기판(110)의 전면 위에, 제2 도전형 영역(172)은 반도체 기판(110)의 후면 위에 형성될 수 있다.The first conductive type region 120 may be formed on the front surface of the semiconductor substrate 110 and the second conductive type region 172 may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

아울러, 비정질 실리콘의 제1 도전형 영역(120) 위에는 투명한 도전성 산화막층(TCO)이 위치하여 반사 방지막(130)으로 역할을 수행할 수 있다. In addition, the transparent conductive oxide layer (TCO) may be positioned on the first conductive region 120 of the amorphous silicon to serve as the anti-reflection layer 130.

이와 같이, 태양 전지가 구성된 경우, 제1 전극(140)과 배선 고정부(400)는 반도체 기판(110)과 물리적으로 이격되고, 투명한 도전성 산화막층에 접촉하여 형성될 수 있다.As described above, when the solar cell is constructed, the first electrode 140 and the wiring fixing part 400 may be physically separated from the semiconductor substrate 110 and may be formed in contact with the transparent conductive oxide layer.

이때, 제1 전극(140) 및 배선 고정부(400)의 평면 패턴에 대한 내용은 앞서 설명한 내용과 동일하게 적용될 수 있다. At this time, the plane pattern of the first electrode 140 and the wiring fixing part 400 can be applied in the same manner as described above.

아울러, 지금까지는 배선 고정부(400)가 반도체 기판(110)의 전면에서 최외곽 제1 전극(140e)과 반도체 기판(110)의 끝단 사이에만 형성된 경우를 예로 설명하였지만, 전술한 실시예들은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제2 전극이 제1 전극(140)과 동일한 패턴으로 형성되는 경우, 배선 고정부(400)가 반도체 기판(110)의 후면에도 동일하게 적용될 수 있다.Although the wiring fixing part 400 is formed only between the outermost first electrode 140e and the end of the semiconductor substrate 110 on the front surface of the semiconductor substrate 110 as described above, When the second electrode formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 is formed in the same pattern as the first electrode 140, the wiring fixing portion 400 may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 Lt; / RTI >

아울러, 위에서 설명한 각 실시예들은 반드시 각각 독립적으로 적용되는 것은 아니고, 각 실시예에서 설명한 내용이 서로 상반 또는 상충되지 않는 이상 서로 병합되어 적용될 수 있다.In addition, the above-described embodiments are not necessarily independently applied to each other, and the contents described in each embodiment may be combined and applied to each other so long as they are not contradictory or contradictory to each other.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

Claims (13)

각각이 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 전면에 제1 방향으로 길게 형성되는 복수의 제1 전극 및 상기 반도체 기판의 후면에 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및
상기 복수의 태양 전지 중 제1 태양 전지의 제1 전극 및 상기 제1 태양 전지에 인접한 제2 태양 전지의 제2 전극에 접속하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치되어 상기 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 도전성 배선;을 포함하고,
상기 복수의 제1 전극 중 상기 도전성 배선과 마지막으로 중첩되는 최외곽 제1 전극과 상기 반도체 기판의 제1 끝단 사이에는 상기 도전성 배선과 중첩되는 배선 고정부를 더 포함하는 태양 전지 모듈.A plurality of solar cells each having a semiconductor substrate, a plurality of first electrodes formed on the front surface of the semiconductor substrate in a first direction and a second electrode on a rear surface of the semiconductor substrate; And
A first electrode of the first solar cell and a second electrode of a second solar cell adjacent to the first solar cell among the plurality of solar cells and connected to a second electrode of the second solar cell arranged in a second direction crossing the first direction, And a conductive wiring electrically connecting the solar cell,
Further comprising a wiring fixing portion which overlaps with the conductive wiring between a first outermost first electrode of the plurality of first electrodes which is finally overlapped with the conductive wiring and a first end of the semiconductor substrate. 제1 항에 있어서,
상기 반도체 기판의 제1 끝단은 상기 반도체 기판의 끝단들 중에 상기 도전성 배선의 끝단이 인접하여 위치하는 끝단인 태양 전지 모듈. The method according to claim 1,
Wherein a first end of the semiconductor substrate is an end of the semiconductor substrate adjacent to an end of the conductive wiring. 제1 항에 있어서,
상기 배선 고정부는 상기 도전성 배선의 투영 영역 내에 위치하고, 상기 반도체 기판 위에 위치하는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the wiring fixing portion is located within the projection region of the conductive wiring and is located on the semiconductor substrate. 제1 항에 있어서,
상기 배선 고정부의 재질은 금속 물질을 포함하고, 상기 제1 전극의 재질과 동일한 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the material of the wiring fixing portion includes a metal material and is the same as the material of the first electrode. 제1 항에 있어서,
상기 배선 고정부의 두께는 상기 최외곽 제1 전극의 두께와 동일한 태양 전지 모듈. The method according to claim 1,
And the thickness of the wiring fixing portion is equal to the thickness of the outermost first electrode. 제1 항에 있어서,
상기 배선 고정부는
상기 최외곽 제1 전극과 연결되어, 상기 최외곽 제1 전극으로부터 상기 제2 방향으로 연장되거나,
상기 최외곽 제1 전극과 이격되어, 상기 제2 방향으로 길게 연장되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
The wiring fixing portion
A second electrode connected to the outermost first electrode and extending in the second direction from the outermost first electrode,
Wherein the first and second electrodes are spaced apart from the outermost first electrode and extend in the second direction. 제1 항에 있어서,
상기 배선 고정부의 선폭은 상기 제1 전극의 선폭보다 작은 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a line width of the wiring fixing portion is smaller than a line width of the first electrode. 제1 항에 있어서,
상기 배선 고정부는 상기 도전성 배선의 길이 방향을 따라 한 개씩 이격되어 배치되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
And the wiring fixing portions are spaced apart one by one along the longitudinal direction of the conductive wiring. 제1 항에 있어서,
상기 배선 고정부는 상기 도전성 배선의 길이 방향을 따라 한 쌍씩 이격되어 배치되고, 상기 한 쌍의 배선 고정부는 상기 제1 방향으로 이격되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the wiring fixing portions are spaced apart from each other along the longitudinal direction of the conductive wiring, and the pair of wiring fixing portions are spaced apart in the first direction. 제9 항에 있어서,
상기 한 쌍의 배선 고정부는 상기 도전성 배선의 중심을 기준으로 양측에 위치하는 태양 전지 모듈.10. The method of claim 9,
Wherein the pair of wiring fixing portions are located on both sides with respect to the center of the conductive wiring. 제1 항에 있어서,
상기 배선 고정부의 하단은 상기 반도체 기판과 물리적으로 접촉되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
And the lower end of the wiring fixing portion is in physical contact with the semiconductor substrate. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 태양 전지 각각은 상기 반도체 기판의 전면에 반사 방지막을 더 구비하고,
상기 배선 고정부의 하단은 상기 반사 방지막을 뚫고 상기 반도체 기판의 전면에 물리적으로 접촉되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein each of the plurality of solar cells further comprises an antireflection film on an entire surface of the semiconductor substrate,
And the lower end of the wiring fixing portion is physically contacted to the front surface of the semiconductor substrate through the anti-reflection film. 제12 항에 있어서,
상기 복수의 태양 전지 각각은
상기 반도체 기판 위에 투명한 도전성 산화막층(TCO)을 더 구비하고,
상기 배선 고정부의 하단은 상기 반도체 기판과 물리적으로 이격되고, 상기 투명한 도전성 산화막층에 접촉하는 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
Each of the plurality of solar cells
Further comprising a transparent conductive oxide layer (TCO) on the semiconductor substrate,
And the lower end of the wiring fixing portion is physically separated from the semiconductor substrate and contacts the transparent conductive oxide layer.

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