KR101795191B1

KR101795191B1 - 열선 차폐 분산체의 제조방법, 열선 차폐 분산체, 및 열선 차폐체

Info

Publication number: KR101795191B1
Application number: KR1020157001791A
Authority: KR
Inventors: 카요 야부키; 아츠시 토후쿠
Original assignee: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Priority date: 2012-07-11
Filing date: 2013-07-11
Publication date: 2017-11-07
Also published as: US10450471B2; EP2873709A4; JP6274283B2; JP2017082221A; US20150197646A1; CN104603225B; WO2014010684A1; KR20150036168A; JPWO2014010684A1; JP6041161B2; JP6269780B2; CN104603225A; JP2017057394A; EP2873709A1

Abstract

뛰어난 내습열성을 갖는 열선 차폐 재료 미립자가 매질 중에 분산하여 이루어진 열선 차폐 분산체, 열선 차폐체, 및 이들의 제조방법을 제공한다. 일반식 M_YWO_Z으로나타내며, 또한 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자와, 수산화 아연 미립자를 혼합 분산시키고, 상기 분산물을 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체, 열선 차폐 분산체를 제조한다.

Description

열선 차폐 분산체의 제조방법, 열선 차폐 분산체, 및 열선 차폐체 {Method for producing heat-ray-shielding dispersion, heat-ray-shielding dispersion, and heat-ray-shielding body}

본 발명은, 가시광선 영역의 광은 투과하고, 근적외선 영역에 흡수를 갖는 근적외선 차폐 재료를 이용한 열선 차폐 분산체, 열선 차폐체, 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다.

태양광선은, 근적외광(열선), 가시광선, 자외광 3개로 크게 나눌 수 있다. 열선은 열에너지로서 인체가 느끼는 파장 영역이며, 여름철 실내의 온도 상승의 원인이 된다. 또, 자외선 영역은 썬탠이나 피부암 등 인체에 악영향을 미치는 것이 지적되고 있다.

최근, 열선으로서의 근적외선을 차폐하여, 보온 및 단열의 성능을 부여하기 위해서, 유리, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지 등의 투명기재에 근적외선 흡수능을 부여하는 것이 요구되고 있다.

예를 들면, 특허 문헌 1에서는, 투명한 유리 기판상에, 기판측으로부터 제1층으로서 주기율표의 Ⅲa족, Ⅳa족, Ⅴ족, Ⅵb족 및 Ⅶb족으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 금속 이온을 함유하는 복합 산화 텅스텐 막을 설치하고, 상기 제1층상에 제2층으로서 투명 유전체막을 설치하고, 제2층 투명 유전체막상에 제3층으로서 주기율표의 Ⅲa족, Ⅳa족, Ⅴ족, Ⅵb족 및 Ⅶb족으로부터 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 금속 이온을 함유하는 복합 산화 텅스텐막을 설치하고, 또한 상기 제2층을 구성하는 투명 유전체막의 굴절률을 제1층 및 제3층 복합 산화 텅스텐막의 굴절률보다도 낮게 함으로써, 높은 가시광선 투과율 및 양호한 열선 차폐 성능이 요구되는 부위에 매우 적합하게 사용할 수 있는 열선 차단 유리가 제안되고 있다.

또, 특허 문헌 2에서는, 특허 문헌 1과 동일한 방법으로, 투명한 유리 기판상에, 기판측으로부터 제1층으로서 제1 유전체막을 설치하고, 이 제1층상에 제2층으로서 산화 텅스텐막을 설치하고, 이 제2층상에 제3층으로서 상기 제2층 유전체막을 설치한 열선 차단 유리가 제안되고 있다.

또, 특허 문헌 3에서는, 특허 문헌 1과 동일한 방법으로, 투명한 기판상에, 기판측으로부터 제1층으로서 동일한 금속 원소를 함유하는 복합 산화 텅스텐막을 설치하고 이 제1층상에 제2층으로서 투명 유전체막을 설치한 열선 차단 유리가 제안되고 있다.

또한, 특허 문헌 4에서는, 수소, 리튬, 나트륨, 칼륨 등의 첨가 원소를 함유하는 삼산화 텅스텐(WO₃), 삼산화 몰리브덴(MoO₃), 오산화 니오브(Nb₂O₅), 오산화 탄 탈(Ta₂O₅), 오산화 바나듐(V₂O₅) 및 이산화 바나듐(VO₂)의 1종 이상으로부터 선택된 금속 산화물막을, CVD법 또는 스프레이법으로 유리 시트에 피복하고 또한 250℃ 정도에서 열분해하여 형성된 태양광 차폐 특성을 갖는 태양광 제어 유리 시트가 제안되고 있다.

특허 문헌 5에서는, 텅스텐산을 가수분해하여 얻어진 텅스텐 산화물을 이용하여 이 텅스텐 산화물에 폴리비닐 피롤리돈이라는 특정 구조의 유기 폴리머를 첨가함으로써, 태양광이 조사되면 광선 중의 자외선이 상기 텅스텐 산화물에 흡수되어 여기 전자와 홀이 발생하고, 소량의 자외선량에 의해 5가 텅스텐의 출현량이 현저하게 증가하여 착색 반응이 빨라지고, 이에 따라 착색 농도가 높아짐과 동시에, 광을 차단하는 것에 의해서 5가 텅스텐이 매우 신속하게 6가로 산화되어 소색 반응이 빨라지는 특성을 이용하여, 태양광에 대한 착색 및 소색 반응이 빠르고, 착색시에 근적외역의 파장 1250㎚에 흡수 피크가 나타나며, 태양광의 근적외선을 차단할 수 있는 태양광 가변조광 단열재료가 제안되고 있다.

또, 특허 문헌 6에서는, 육염화 텅스텐을 알코올에 용해하고, 그대로 용매를 증발시키거나, 또는 가열 환류한 후에 용매를 증발시켜서, 그 후 100℃∼500℃에서 가열함으로써, 삼산화 텅스텐 또는 그 수화물 또는 양자의 혼합물로부터 이루어진 분말이 얻어지는 것, 이 텅스텐 산화물 미립자를 이용하여 일렉트로크로믹(electrochromic) 소자가 얻어지는 것, 다층의 적층체를 구성하여 막 중에 플로톤을 도입했을 때에 상기 막의 광학 특성을 변화시키는 것을 할 수 있는 것 등이 제안되고 있다.

또, 특허 문헌 7에서는, 메타형 텅스텐산 암모늄과 수용성의 각종 금속염을 원료로 하고, 약 300∼700℃에서 가열하면서 그 혼합 수용액의 건고물에 대해, 불활성 가스(첨가량；약 50ｖol% 이상) 또는 수증기(첨가량；약 15ｖol% 이하)가 첨가된 수소 가스를 공급함으로써, MxWO₃(M；알칼리 Ⅰa족, Ⅱa족, 희토류 등의 금속 원소, 0＜x＜1)로 표기되는 여러 가지의 텅스텐 브론즈를 조제하는 방법이 제안되고 있다.

또한, 특허 문헌 8에는, 텅스텐 산화물 미립자 또는/및 복합 텅스텐 산화물 미립자로부터 이루어진 근적외선 차폐 재료 미립자를, 수지, 유리 등의 매질 중에 분산시켜서 이루어진 근적외선 차폐 재료 미립자 분산체, 이 분산체로부터 제조되는 근적외선 차폐체, 상기 근적외선 차폐 재료 미립자의 제조 방법, 및 근적외선 차폐 재료 미립자가 제안되고 있다.

JPH08-59300 A JPH08-12378 A JPH08-283044 A

JP

2000-119045

A

JPH09-127559 A

JP

2003-121884

A

JPH08-73223 A

JP

4096205

B

그런데 본 발명자들의 검토에 의하면, 특허 문헌 1∼3에 기재된 근적외선 차폐체(열선 차단 유리)는, 주로 스퍼터링법, 증착법, 이온 도금법 및 화학 기상법(CVD법) 등의 진공 성막 방식에 의한 건식법을 이용한 방법으로 제조되기 때문에, 대형의 제조 장치를 필요로 하여, 제조 코스트가 높아진다는 문제가 있다. 또, 상기 진공 성막 방법으로 제조되기 때문에, 근적외선 차폐체의 기재가 고온의 플라즈마에 노출되거나 성막 후에 가열을 필요로 하기 때문에, 유리로 바꾸어 필름 등의 수지를 기재로 하는 경우에는, 별도로 설비상, 성막 조건의 검토를 실시할 필요가 있었다.

또, 특허 문헌 4에 기재된 근적외선 차폐체(태양광 제어 피복 유리 시트)는, 원료인 금속 산화물을 CVD법 또는 스프레이법과 열분해법과의 병용에 의해 유리상에 피막 형성하지만, 전구체가 되는 원료가 고가인 것, 고온으로 분해하는 것 등으로부터, 유리 시트를 대신하여 필름 등의 수지를 기재로 하는 경우에는, 별도의 성막 조건의 검토를 실시할 필요가 있었다.

또, 특허 문헌 5에 기재된 태양광 가변조광 단열재료나, 특허 문헌 6에 기재의 일렉트로크로믹 소자는, 자외선이나 전위차에 의해 그 색조를 변화시키는 재료이기 때문에 막의 구조가 복잡하고, 색조 변화가 바람직하지 않은 용도 분야에는 적용이 곤란하다는 문제가 있었다.

또한, 특허 문헌 7에는 텅스텐 브론즈의 조제 방법이 기재되어 있지만, 얻어진 분체의 입자 직경이나 광학 특성의 기재는 전혀 없다. 이것은 특허 문헌 7에서, 텅스텐 브론즈의 용도로서는 전해 장치나 연료 전지의 전극 재료 및 유기 합성의 촉매 재료를 생각할 수 있고, 상술한 근적외선 차폐체를 용도로 하고 있지 않기 때문이라고 생각된다.

한편, 특허 문헌 8에서는, 근적외선 차폐체의 제조에 이용되는 텅스텐 산화물 미립자 또는/및 복합 텅스텐 산화물 미립자가 제안되어, 이들 산화물 미립자는 뛰어난 가시광선 투과성과 양호한 근적외선 차폐 효과를 갖고 있다. 이 때문에, 각종 건축물이나 차량의 창문재 등의 분야에서 매우 적합하게 이용되는 근적외선 차폐체로서 주목받고 있다. 그러나 이들 복합 텅스텐 산화물 미립자의 내습 열성에 대해서는 충분히 만족할 수 없는 경우가 있으며, 아직도 개선의 여지가 남아 있었다.

본 발명은 이러한 문제점에 주목해서 이루어진 것으로, 그 과제로 하는 바는, 뛰어난 내습 열성을 갖는 열선 차폐 재료 미립자가 매질 중에 분산해서 이루어진 열선 차폐 분산체, 열선 차폐체, 및 이들 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명자들이 연구를 실시한 결과, 근적외선 흡수 재료인 복합 텅스텐 산화물 미립자에 수산화 아연 미립자를 혼합하는 것으로, 가시광선 영역에 투과율의 극대를 가짐과 동시에 근적외 영역에 강한 흡수를 가지며, 뛰어난 내습 열성을 갖는 근적외선 흡수 재료의 제조가 가능해진다는 발견을 얻었다. 본 발명은, 상기 기술적 발견에 근거하여 이루어진 것이다.

즉, 본 발명의 제1 발명은,

일반식 M_YWO_Z(0.001≤Y≤1.0, 2.2≤Z≤3.0)으로 나타내며, M원소가 Cs, Rb, K, Tl 중에서 선택되는 1종류 이상이며, 또한 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 분산매에 분산하고, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정한 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산액을 제조하는 단계와,

수산화 아연을 분산매에 분산하고, 상기 수산화 아연의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정하여 수산화 아연 미립자 분산액을 제조하는 단계와,

상기 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산액에, 상기 수산화 아연 미립자 분산액을 첨가 혼합하고, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자 100중량부에 대해서, 상기 수산화 아연 미립자가 0.1중량부 이상, 100중량부 이하 함유되는 제1 혼합 분산액을 제조하는 단계와,

상기 제1 혼합 분산액을 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 열선 차폐 분산체의 제조 방법이다.

제2 발명은,

상기 제1 혼합 분산액으로부터 분산매를 제거하고, 분산가루를 제조하는 단계와,

상기 분산가루를 소정의 매질 중에 혼합 분산하고, 제2 혼합 분산물을 제조하는 단계와,

상기 제2 혼합 분산물을 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 제1 발명에 기재된 열선 차폐 분산체의 제조 방법이다.

제3 발명은,

일반식 M_YWO_Z(0.001≤Y≤1.0, 2.2≤Z≤3.0)으로 나타내고, M원소가 Cs, Rb, K, Tl 중에서 선택되는 1 종류 이상이며, 또한 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연을, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자 100중량부에 대해서, 상기 수산화 아연이 0.1중량부 이상, 100중량부 이하 함유되도록 분산매에 분산하고, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자와 상기 수산화 아연과의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정하여 제1 혼합 분산액을 제조하는 단계와, 상기 제1 혼합 분산액을 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 열선 차폐 분산체의 제조 방법이다.

제4 발명은,

상기 제1 혼합 분산액으로부터 분산매를 제거하여 분산가루를 제조하는 단계와,

상기 제2 혼합 분산물을 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 제3 발명에 기재된 열선 차폐 분산체의 제조 방법이다.

제5 발명은,

일반식 M_YWO_Z(0.001≤Y≤1.0, 2.2≤Z≤3.0)으로 나타내고, M원소가 Cs, Rb, K, Tl 중에서 선택되는 1종류 이상이며, 또한 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 분산매에 분산하고, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정한 제1 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산액을 제조하는 단계와, 상기 제1 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산액으로부터 분산매를 제거하고, 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산가루를 제조하는 단계와,

상기 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산가루를 소정의 매질 중에 혼합 분산하고, 제2 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산물을 제조하는 단계와,

수산화 아연을 분산매에 분산하고, 상기 수산화 아연의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정한 제1 수산화 아연 미립자 분산액을 제조하고, 상기 분산액으로부터 분산매를 제거하고, 수산화 아연 미립자 분산가루를 제조하는 단계와, 상기 제1 수산화 아연 미립자 분산액으로부터 분산매를 제거하고, 수산화 아연 미립자 분산가루를 제조하는 단계와, 상기 수산화 아연 미립자 분산가루를 소정의 매질 중에 혼합 분산하고, 제2 수산화 아연 미립자 분산물을 제조하는 단계와,

상기 제2 복합텅스텐 산화물 미립자 분산물과, 상기 제2 수산화 아연 미립자 분산물을 혼합하고, 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 열선 차폐 분산체의 제조 방법이다.

제6 발명은,

제1 내지 제5 발명 중 어느 하나에 기재된 열선 차폐 분산체의 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 열선 차폐 분산체이다.

제7 발명은,

상기 매질은 수지 또는 유리인 것을 특징으로 하는 제6 발명에 기재된 열선 차폐 분산체이다.

제8 발명은,

상기 매질은 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리염화비닐리덴 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄 수지로부터 선택되는 1 종류 이상인 것을 특징으로 하는 제6 발명에 기재의 열선 차폐 분산체이다.

제9 발명은,

제6 내지 제8 발명 중 어느 하나에 기재된 열선 차폐 분산체는 소정의 기재의 한 면 또는 양면에 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 열선 차폐체이다.

제10 발명은,

상기 열선 차폐 분산체는 판 형태 또는 필름 형태 또는 박막 형태로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 제9 발명에 기재된 열선 차폐체이다.

제11 발명은,

상기 기재는 수지 또는 유리인 것을 특징으로 하는 제9 또는 제10 발명에 기재된 열선 차폐체이다.

제12 발명은,

상기 기재는 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리염화 비닐리덴 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄 수지 중 1 종류 이상인 것을 특징으로 하는 제9 내지 제11 발명 중 어느 하나에 기재된 열선 차폐체이다.

제13 발명은,

가시광선 투과율이 70% 이상이며 일사투과율이 40% 이하일 때, 내습 열성 평가 후의 가시광선 투과율의 변화가 2% 이하, 일사 투과율의 변화가 4% 이하, 헤이즈값의 변화가 0.5% 이하인 것을 특징으로 하는 제9 내지 제12 발명 중 어느 하나에 기재된 열선 차폐체이다.

제14 발명은,

제1 또는 제3 발명에 기재된 제1 혼합 분산액을 소정의 기재상에 코팅하는 단계를 포함하는 열선 차폐체의 제조 방법이다.

제15 발명은,

제2 또는 제4 발명에 기재된 제2 혼합 분산물의 성형 고체화물을 소정의 기재상에 설치하는 단계를 포함하는 열선 차폐체의 제조 방법이다.

제16 발명은,

제5 발명에 기재된 제2의 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산물과 제2 수산화 아연 미립자 분산물과의 혼합물인 성형 고체화물을, 소정의 기재상에 설치하는 단계를 포함하는 열선 차폐체의 제조 방법이다.

제17 발명은,

상기 기재는 수지 또는 유리인 것을 특징으로 하는 제14 내지 제16 중 어느 한 발명에 기재된 열선 차폐체의 제조 방법이다.

제18 발명은,

상기 기재는 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리염화 비닐리덴 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐 부티랄 수지 중 1 종류 이상인 것을 특징으로 하는 제14 내지 제17 중 어느 하나의 발명에 기재된 열선 차폐체의 제조 방법이다.

본 발명에 관한 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체는, 종래의 기술에 관한 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체에 비해 내습 열성이 뛰어나고, 고온 고습화에 노출된 후에도, 투명성이 높고, 근적외선 흡수 기능의 저하가 억제되고 있었다.

도 1은 본 발명에 따른 열선 차폐 분산체, 열선 차폐체의 모식적인 단면도이다.

본 발명은, 내습 열성이 뛰어나며, 고온 고습하에 노출된 후에도, 투명성이 높고, 근적외선 흡수 기능의 저하가 억제된 열선 차폐 분산체, 상기 열선 차폐 분산체를 소정의 기재의 한면 또는 양면에 설치한 열선 차폐체 및 상기 열선 차폐 분산체, 열선 차폐체의 제조 방법이다.

본 발명에 대해 내습 열성, 열선 차폐 분산체 또는 열선 차폐체를, 예를 들면 85℃, 90% RH인 고온 고습 조건에 노출 후에서, 노출 전과 비교하여, 가시광선 투과율이 저하하는, 일사 투과율이 상승하는 헤이즈값이 상승한다는 열화가 억제되고 있는 것을 말한다. 즉, 상기 열선 차폐 분산체 또는 열선 차폐체가 고온 고습 조건에 대해서 내구성을 갖는 것을 말한다.

이하, 본 발명에 대해서, (1) 복합 텅스텐 산화물 미립자, (2) 수산화 아연, (3) 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합, (4) 열선 차폐 분산체와 그 형성, (5) 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체의 형태, (6) 정리의 순서로 상세하게 설명한다.

(1) 복합 텅스텐 산화물 미립자

일반적으로, 자유전자를 포함한 재료는, 플라즈마 진동에 의해서 파장 200㎚에서 2600㎚의 태양광선의 영역 주변에 있는 전자파에 반사 흡수 응답을 나타내는 것이 알려져 있다. 이러한 물질의 분말을 광의 파장보다 작은 미립자로 하면, 가시광선 영역(파장 380㎚에서 780㎚)의 기하학 산란이 저감되어 가시광선 영역의 투명성이 얻어진다.

일반적으로, WO₃ 중에는 유효한 자유전자가 존재하지 않기 때문에, WO₃는 근적외선 영역의 흡수 반사 특성이 적고, 근적외선 흡수 재료로서는 유효하지 않다. 한편, 산소 결손을 갖는 삼산화 텅스텐이나, 삼산화 텅스텐에 Na 등의 양성 원소를 첨가한 이른바 텅스텐 브론즈는 도전성 재료이며, 자유전자를 갖는 재료이다. 또한, 이들 재료의 단결정 등을 분석한 결과로부터도, 적외선 영역의 광에 대한 자유전자의 응답이 시사되어 있다.

본 발명자들은 상기 텅스텐과 산소와의 조성 범위가 특정 범위에 있을 때, 근적외선 흡수 재료로서 특히 유효한 것이 된다는 것을 발견하였다.

본 발명에 적용되는 근적외선 흡수 기능을 갖는 미립자는, 일반식 M_YWO_Z(0.001≤Y≤1.0, 2.2≤Z≤3.0)으로 나타내고, 또한 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자이다. 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자는, 열선 차폐 분산체나 열선 차폐체에 적용되었을 경우, 열선 흡수 성분으로서 유효하게 기능한다.

상기 일반식 MM_YWO_Z(0.001≤Y≤1.0, 2.2≤Z≤3.0)으로 나타내고, 또한 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자로서는, 예를 들면 M원소가, Cs, Rb, K, Tl 중 1 종류 이상을 포함하는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 들 수 있다. 첨가 원소 M의 첨가량은, 0.1 이상 0.5 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.33 부근이 바람직하다. 이것은 육방정의 결정 구조로부터 이론적으로 산출되는 값이 0.33이며, 이 전후의 첨가량으로 바람직한 광학 특성을 얻어지기 때문이다. 전형적인 예로서는 Cs₀ _.33WO₃, Rb₀ _.33 WO₃, K₀ _.33 WO₃, Tl₀ _.33WO₃ 등을 들 수 있지만, Y,Z가 상술의 범위에 들어가는 것이라면, 유용한 열선 흡수 특성이 얻어진다.

또한, 열선 차폐 분산체나 열선 차폐체의 의장성을 고려하면, 투명성을 유지한 채로 근적외선의 효율 좋은 차폐를 실시하는 것이 필요하다. 한편, 본 발명에 따른 복합 텅스텐 산화물 미립자를 함유하는 근적외선 흡수 재료는 근적외선 영역, 특히 파장 900－2200㎚ 부근의 광을 크게 흡수하기 때문에, 그 투과 색조는 청색계로부터 녹색계가 되는 것이 많다.

또, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자 지름이 800㎚보다 큰 경우, 가시광선을 차폐해 버리기 때문에, 가시광선 영역의 투명성을 유지한 채로 효율 좋게 근적외선을 차폐하는 것은 어렵다. 특히 가시광선 영역의 투명성을 중시하는 경우에는, 분산 입자 지름은 200㎚ 이하가 좋고, 바람직하게는 100㎚ 이하가 좋다. 미립자의 분산 입자 지름이 크면 기하학 산란 또는 회절 산란에 의해서 400∼780㎚의 가시광선 영역의 광을 산란하고 불투명 유리와 같이 되어, 선명한 투명성이 불가능하기 때문이다. 분산 입자 지름이 200㎚ 이하가 되면, 상술한 산란이 저감하여 미산란 또는 레일리 산란 영역이 된다. 특히, 레일리 산란 영역까지 분산 입자 지름이 감소하면, 산란광은 분산 입자 지름의 6승에 반비례하여 저감하기 때문에, 분산 입자 지름의 감소에 따라 산란이 저감하여 투명성이 향상한다. 또한, 100㎚ 이하가 되면 산란광은 매우 적어져서 바람직하다. 광의 산란을 회피하는 관점에서는, 분산 입자 지름이 작은 것이 바람직하고, 분산 입자 지름이 1㎚ 이상이면 공업적인 제조는 용이하다.

또, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 단위중량 당 열선 흡수 능력은 매우 높고, ITO(인듐 주석 산화물)나 ATO(안티몬 주석 산화물)와 비교하여, 4∼10분의 1 정도의 사용량으로 그 효과를 발휘한다.

(2) 수산화 아연

본 발명에 적용되는 수산화 아연은, 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체의 내습 열성을 향상시키고, 장기간 사용되었을 때의 광학 특성의 변화를 억제하는 목적으로 첨가하는 것이다. 수산화 아연은 공지의 방법으로 제조해도 좋지만, 시판의 것도 사용 가능하다. 그리고 순도가 95% 이상이라면 좋다.

또, 상기 수산화 아연 미립자의 분산 입자 지름도, 상술한 복합 텅스텐 산화물 미립자의 경우와 동일하게 800㎚보다 큰 경우, 가시광선을 차폐해 버리기 때문에, 가시광선 영역의 투명성을 유지한 채로 효율 좋게 근적외선을 차폐하는 것은 어렵다. 특히 가시광선 영역의 투명성을 중시하는 경우에는, 분산 입자 지름은 200㎚ 이하가 좋고, 바람직하게는 100㎚ 이하가 좋다. 분산 입자 지름이 100㎚ 이하가 되면 산란광은 매우 적어져서 바람직하다. 광의 산란을 회피하는 관점에서는, 분산 입자 지름이 작은 것이 바람직하고, 분산 입자 지름이 1㎚ 이상이면 공업적인 제조는 용이하다.

(3) 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합

복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자를 혼합하는 것으로, 상기 본 발명에 따른 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체의 광학적 특성, 색조를 유지한 채로, 내습 열성을 향상시키는 효과가 얻어진다.

한편, 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자를 별도의 분산체로 하고, 이들 별도의 분산체를 별층으로서 접합했을 경우는 내습 열성의 향상을 볼 수 없다.

복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합 비율은, 복합 텅스텐 산화물 미립자 100중량부에 대해, 수산화 아연 미립자 0.1중량부∼100중량부의 범위인 것이 바람직하고, 1중량부∼50중량부의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 수산화 아연 미립자의 첨가량이 상술의 범위에 있으면, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 내습 열성 향상의 효과가 있고, 또한, 제조되는 열선 차폐 분산체나 열선 차폐체에 있어서의 기계적 특성이나 광학적 특성에 악영향을 미치는 것이 없기 때문이다.

복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합 방법에 대해서, 이하 〈1〉∼〈4〉의 예를 참조하면서 구체적으로 설명한다.

〈1〉 매질교반 밀 등을 이용하여 미리 소정의 분산 입자 지름으로 조정된 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산액과 수산화 아연 미립자 분산액을, 혼합 교반하는 방법.

〈2〉복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자를 혼합한 후, 적당한 분산매와 함께 매질교반 밀 등에 장전하고, 양미립자의 혼합교반과 분산 입자 지름의 조정을 동시에 실시하는 방법.

〈3〉 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자를 소정의 매질 내에 분산시키는 방법.

〈4〉복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자를 미리 원료 수지 중에 고농도에 분산한 마스터 배치를 제조하여, 상기 마스터 배치와 적당한 수지를 혼합하는 것으로, 소정의 농도로 희석 조정하여 이용하는 방법.

상술한〈1〉,〈2〉방법에 관한 복합 텅스텐 산화물 미립자나 수산화 아연 미립자의 분산매는 특별히 한정되는 것이 아니며, 후술하는 열선 차폐 분산체나 열선 차폐체를 제조할 때에 배합하는 수지에 맞추어 선택하는 것이 가능하다. 상기 분산매로서는, 예를 들면, 물이나 에탄올, 프로판올, 부탄올, 이소프로필 알코올, 이소부틸알코올, 디아세톤알코올 등의 알코올류, 메틸에테르, 에틸에테르, 프로필에테르 등의 에테르류, 에스테르류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류의 각종 유기용매가 사용 가능하다. 또, 필요에 따라서 산이나 알칼리를 첨가하여 pH를 조정해도 된다. 또한, 미립자의 분산 안정성을 한층 향상시키기 위해서, 각종의 계면활성제, 커플링제 등을 첨가하는 것도 가능하다.

상술한〈3〉,〈4〉방법에 관한 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합 방법은, 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와 적당한 수지를 혼합하고, 후술하는 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체를 직접 제조하는 것이다.

상술한〈3〉방법에서, 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의, 각각의 단독 미립자 또는 혼합물을 매질의 내부에 분산시키는 경우에는, 상기 단독 미립자 또는 혼합물을 매질 표면으로부터 침투시키면 좋다. 또는, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의, 각각 단독 미립자 또는 혼합물을, 용해 온도 이상으로 가열하여 용해시킨 열가소성 수지에 직접 첨가하여 균일하게 용해 혼합하는 방법을 이용할 수도 있다. 상기 양미립자를 수지에 분산시키는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 초음파 분산, 매질 교반 밀, 볼 밀, 샌드 밀 등을 사용할 수 있다. 이들 기재를 이용한 분산처리에 의해서, 상기 양미립자의 분산매 중으로의 분산과 동시에 미립자끼리의 충돌 등에 의한 미립자화도 진행하고, 입자를 보다 미립자화하여 분산시킬 수 있다(즉, 분쇄·분산처리된다).

상술한〈4〉방법에 관한 마스터 배치의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산액과 수산화 아연 미립자의 분산액과 열가소성 수지의 분립체 또는 펠릿과, 필요에 따라서 다른 첨가제를 분산매를 제거하면서 균일하게 용해 혼합하는 것으로, 열가소성 수지에 미립자가 균일하게 분산한 혼합물로서 조정할 수 있다.

이때의 혼합에는, 리보블렌더, 텀블러, 나우타믹서, 헨셸 믹서, 슈퍼 믹서, 플레너터리 믹서(planetary mixer) 등의 혼합기, 또는 밴배리 믹서, 니더, 롤, 니더 루더, 1축 압출기, 2축 압출기 등의 혼련기를 사용할 수 있다.

또, 예를 들면,〈3〉방법에 의해 얻어진 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의, 각각의 단독 미립자 또는 혼합물과 열가소성 수지의 분립체 또는 펠릿과, 필요에 따라서 다른 첨가제를 펜트식 1축 또는 2축 압출기로 용해혼련하고, 펠릿상에 가공하는 것에 의해서, 수지 중에 복합 텅스텐 산화물 미립자 및/또는 수산화 아연 미립자를 고농도에 분산시키는 것으로,〈4〉방법에 관한 마스터 배치의 제조 방법을 실시해도 된다.

(4) 열선 차폐 분산체의 형성 방법

상술한 「(3) 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합」으로 제조된 열선 차폐 분산체의 성형 방법에 대해서, 이하 (A)∼(D)의 예를 참조하면서 설명한다.

(A) 상술한 「(3) 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합,〈1〉〈2〉」방법에 의해 제조된 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 분산액으로부터 분산매를 공지의 방법으로 제거하고, 얻어진 상기 양미립자의 혼합물과 열가소성 수지의 분립체 또는 펠릿, 및 필요에 따라서 다른 첨가제를 균일하게 용해 혼합하는 방법을 이용하여 성형 고체화하고, 열가소성 수지에 미립자를 균일하게 분산시킨 열선 차폐 분산물을 제조하여 열선 차폐 분산체로 한다.

(B) 상술한 「(3) 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합,〈1〉〈2〉」방법에 의해 제조된 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산액과 수산화 아연 미립자의 분산액과의 분산매를 공지의 방법으로 제거하고, 얻어진 상기 양미립자와 열가소성 수지의 분립체 또는 펠릿, 및 필요에 따라서 다른 첨가제를 균일하게 용해 혼합하는 방법을 이용하여 성형 고체화하고, 열가소성 수지에 미립자를 균일하게 분산시킨 열선 차폐 분산물을 제조해, 열선 차폐 분산체로 한다.

(C) 상술한 「(3) 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합,〈3〉〈4〉」방법에 의해 제조된 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자가 균일하게 분산한 열가소성 수지인 열선 차폐 분산물을, 소정의 방법으로 판 형태, 필름 형태, 박막 형태로 성형하여 열선 차폐 분산체로 한다.

(D) 상술한 「(3) 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합,〈1〉∼〈4〉」방법에 의해 제조된 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 분산액을 기재상에 코팅하여 열선 차폐 분산체로 한다. 이 방법은, 수지 등의 내열 온도의 낮은 재료에의 응용이 가능하고, 또한 제조 시에, 대형의 장치를 필요로 하지 않고 염가이다.

예를 들면, 「(3) 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합,〈1〉〈2〉」방법에 의해 제조된 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 분산액에, 수지 바인더를 첨가한 후, 기재 표면에 코팅하고, 분산매를 증발시키고, 소정의 방법으로 수지를 경화시키는 것으로, 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자를 포함한 분산체를 형성할 수 있다.

또, 예를 들면, 「(3) 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자와의 혼합,〈3〉〈4〉」방법에 의해 제조된 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자가 수지 중에 직접 분산한 것을, 기재 표면에 코팅하는 방법도 있다. 이 경우는, 분산매를 증발시킬 필요가 없기 때문에, 환경적으로도 공업적으로도 바람직하다.

후술하는 적당한 기재 표면에의 코팅 방법으로서는, 균일하게 코팅할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 바 코팅법, 그라비야코팅법, 스프레이 코팅법, 딥 코팅법, 플로우 코팅법, 스핀 코팅법, 롤 코팅법, 스크린 인쇄법, 브레이드 코팅법 등을 이용할 수 있다. 이들 코팅 방법에 의해 형성한 복합 텅스텐 산화물 미립자를 함유하는 층은 스퍼터링법, 증착법, 이온 도금법 및 화학 기상법(CVD법) 등의 건식법이나, 스프레이법으로 제조했을 경우에 비해, 광의 간섭 효과를 이용하지 않아도, 특히 근적외선 영역의 광을 효율적으로 흡수하고, 동시에 가시광선 영역의 광을 투과시킬 수 있다.

여기서 (A)∼(D)에서, 복합 텅스텐 산화물 미립자는 도전성 재료이기 때문에, 상기 미립자가 연이어 접하여 연속적인 막이 되고 있는 경우에는, 휴대 전화 등의 전파를 흡수 반사하여 방해할 우려가 있다. 그러나 복합 텅스텐 산화물 미립자를, 예를 들면 비즈 밀을 이용하여 분산하는 것으로, 미립자로서 매트릭스 중에 분산했을 경우에는, 입자 하나하나가 고립한 상태로 분산하고 있기 때문에, 전파 투과성을 발휘할 수 있어 범용성을 갖고 있다.

상술한 (A)∼(D)에 이용하는 매질, 및 상술한 적당한 기재로서는, 예를 들면, 필름, 수지 또는 유리 등을 들 수 있다. 단, 이러한 재료를 기재로서 이용하는 경우는, 각각의 사용 상황에 따른 기계적 강도를 갖는 것이 요구된다.

수지라면, 일반적으로, 투과성이 있어 산란이 적은 무색 투명의 수지가 적합하고, 용도에 적절한 수지를 선택하면 된다. 구체적으로는, 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리 염화 비닐리덴 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄 수지 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지가 매우 적합하다.

또, 이들 수지 또는 필름을 이용하는 경우, 그 표면은 수지 바인더와의 결착성 향상을 목적으로 한 표면 처리가 실시되고 있어도 되고, 그 대표적인 처리 방법은 코로나 표면 처리, 플라즈마 처리, 스퍼터링 처리 등의 방전 처리, 화염 처리, 금속 나트륨 처리, 프라이머층 코팅 처리 등을 들 수 있다.

수지 또는 필름의 디자인성을 중시하는 경우에는, 미리 착색된 매질이나 기재, 또는, 본뜬 매질이나 기재를 사용할 수도 있다. 또, 도포액 중에 착색 안료나 염료를 첨가해도 된다. 수지, 또는, 필름 등의 형상의 분산체를 유리 등의 기재에 붙이기 위해, 접착면에 접착층과 이형필름층을 적층해도 된다. 자동차의 백 윈도우와 같이 곡면에 붙이기 쉽게, 드라이어 등의 열로 간단하게 연화하는 필름을 사용해도 된다.

접착제 중에 자외선 차폐제를 첨가하면, 필름이나 수지의 자외선 열화를 방지할 수 있다. 자외선 흡수제에는, 벤조페논계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제나, CeO₂, TiO₂, ZnO 등을 들 수 있다.

상술한 (A)∼(D)에 이용하는, 매질이나 기재에 이용하는 수지 바인더로서는, 예를 들면, 자외선 경화 수지, 열경화 수지, 전자선 경화 수지, 상온 경화 수지, 열가소성 수지 등을 목적에 따라 선택할 수 있다. 구체적으로는, 아크릴 수지 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지 등의 열강화성 수지 등을 이용할 수 있다.

또, 상술한 (A)∼(D)에 이용하는 매질이나 기재에는 무기 바인더를 이용할 수도 있다.

상기 무기 바인더의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 해당 무기 바인더로서 규소, 지르코늄, 티탄, 또는, 알루미늄의 금속 알콕시드나 이들의 부분 가수분해 중축합 반응물 또는 오르가노 실라잔을 들 수 있다.

또, 코팅액 중에 무기 바인더로서 규소, 지르코늄, 티탄, 또는 알루미늄의 금속 알콕시드 및 그 가수분해 중합물을 포함한 경우, 분산액의 도포 후의 기재 가열 온도를 100℃ 이상 200℃ 미만으로 하는 것으로, 도막 중에 포함되는 알콕시드 또는 그 가수분해 중합물의 중합 반응을 대부분 완결시킬 수 있다. 중합 반응을 대부분 완결시키는 것으로, 물이나 유기용매가 막중에 잔류하여 가열 후의 막의 가시광선 투과율의 저감의 원인이 되는 것을 회피할 수 있기 때문에, 상기 가열 온도는 100℃ 이상이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 150℃ 이상이다.

또, 200℃ 이상으로 하면, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 산화가 진행되어 버려, 열선 차폐능을 손실하는 원인이 되기 때문에 상기 가열 온도는 200℃ 미만이 바람직하다.

또, 코팅액이 수지 바인더 또는 무기 바인더를 포함하지 않는 경우, 투명기재상에 얻어지는 막은, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자만이 퇴적한 막구조가 된다. 그리고 이 막은 이대로도 열선 차폐 효과를 나타낸다. 그러나 이 막상에, 또한 규소, 지르코늄, 티탄, 또는 알루미늄의 금속 알콕시드나 이들 부분 가수분해 중축합 반응물 등의 무기 바인더, 또는 수지 바인더를 포함한 도포액을 도포하여 다층막으로 하면 된다. 상기 구성을 채용하는 것으로, 상기 도포액 성분이 제1층 텅스텐 산화물의 미립자의 퇴적한 간격을 묻어 성막되기 때문에, 막의 헤이즈가 저감하여 가시광선 투과율이 향상하고, 또 미립자의 기재에로의 결착성이 향상한다.

(5) 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체의 형태

이어서, 본 발명에 관한 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체의 바람직한 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.

도 1은, 본 실시 형태의 열선 차폐 분산체, 열선 차폐체의 모식적인 단면도이다. 또한, 도 1에서, ○은 복합 텅스텐 산화물 미립자를 나타내고, ●는 수산화 아연 미립자를 나타내고, 무지 부분은 매질을 나타내며, 사선 부분은 기재를 나타낸다.

열선 차폐 분산체의 형태는, 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자가, 모두 매질 내에 분산하여 함유되고 있는 것이다. 상기 형태예를 도 1(A)에 나타낸다. 또한, 상기 형태에서 매질에 기계적 강도가 있는 것을 이용하여 기재를 이용하지 않고 열선 차폐체로서 사용하는 것도 물론 가능하다.

열선 차폐체의 형태는, 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자를 모두 함유하는 분산체를 후술하는 적당한 기재의 한면 또는 양면에, 예를 들면 성형 고체화물로서 설치하는 것이다. 상기 형태예를 도 1(B)에 나타낸다.

(6) 정리

이와 같이 본 발명에 의하면, 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연 미립자를 함유하는 것으로, 태양광으로부터의 근적외선의 흡수를 유지하고, 간편한 방법으로 제조할 수 있고, 내습 열성이 좋고, 저비용인 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체를 제공하는 것을 가능하게 했다. 본 발명의 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체는, 자동차의 삽입 유리, 사이드 유리 및 리어 유리, 철도 차량의 문 유리나 유리창 및 실내 도어 유리, 빌라 등의 건물에 있어서의 유리창 및 실내 도어 유리 등, 실내 전시용 진열장 및 쇼윈도 등, 여러 가지의 용도에 사용할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명을, 실시예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명은 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서, 가시광선 투과율, 일사 투과율은 히타치 세이사쿠쇼 제조의 분광 광도계를 이용하여 파장 200∼2500㎚의 광의 투과율에 의해 측정하고 JIS R 3106에 따라서 산출하였다.

또한, 상기 일사 투과율은, 열선 차폐 분산체 및 열선 차폐체의 열선 차폐 성능을 나타내는 지표이다. 막의 헤이즈값은 무라카미 색채 기술 연구소 제조의 HM－150을 이용하여 JIS K 7105에 근거한 측정을 실시하였다.

미립자의 분산 입자 지름은, 닛키소 제조의 마이크로 트럭 입도 분포계를 이용하여 측정을 실시하였다.

열선 차폐체에 있어서의 광학 특성 변화의 내습 열성의 평가는 시험 샘플(열선 차폐체)을 85℃, 90% RH 환경으로 설정한 항온 항습조에 7일간 노출하고, 상기 내습 열성의 가속 시험 전후에 있어서의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈값의 변화를 측정함으로써 실시하였다.

(실시예 1)

Cs₀ _.33WO₃미립자 20 중량부, 분산매로서 4－메틸-2－펜타논 70중량부, 미립자 분산용 분산제 10중량부를 혼합하고, 매질 교반 밀로 분산처리를 실시하고, 평균 분산 입자 지름 80㎚의 Cs₀ _.33WO₃ 미립자의 분산액을 제조하였다(A액).

수산화 아연 미립자 20 중량부, 분산매로서 4－메틸-2－펜타논 70중량부, 미립자 분산용 분산제 10중량부를 혼합하고, 매질 교반 밀로 분산처리를 실시하고, 평균 분산 입자 지름 80㎚의 수산화 아연 미립자 분산액을 제조하였다(B액).

이 A액과 B액을, Cs₀ _.33WO₃미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 10중량부가 되도록 혼합한 후, 상기 혼합액 중의 무기 바인더(고형분 100%)의 비율이 30%가 되도록, 4－메틸-2－펜타논으로 희석하여 충분히 혼합하고 도포액으로 실시하였다.

이 도포액을, 바 코터를 이용하여 기재(무기 유리) 상에 도포, 성막하였다. 이 막을 180℃에서 30분간 건조하고, 분산매를 증발시켜 경화시켜, 실시예 1에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다. 제조된 열선 차폐체를 시험 샘플로 하고, 85℃, 90% RH 환경하에 7일간 노출하고, 내습 열성의 가속 시험 후의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈값을 측정하였다. 그리고 상기 내습 열성의 가속 시험 전후에 있어서의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈값의 변화를 산출하였다. 이 결과를 표 1에 나타낸다.

(실시예 2)

Rb₀ _.33WO₃미립자 20중량부, 분산매로서 4－메틸-2－펜타논 70중량부, 미립자 분산용 분산제 10중량부를 혼합하고, 매질 교반 밀로 분산처리를 실시하고, 평균 분산 입자 지름 80㎚의 Rb₀ _.33WO₃ 미립자의 분산액을 제조하였다(C액).

이 C액과 실시예 1에서 제조한 B액을 Rb₀ _.33WO₃ 미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 10중량부가 되도록 혼합한 후, 상기 혼합액 중의 무기 바인더(고형분 100%)의 비율이 30%가 되도록, 4－메틸-2－펜타논으로 희석하여 충분히 혼합하여 도포액으로 하였다.

이 도포액을, 바 코터를 이용하여 기재(무기 유리) 상에 도포, 성막하였다. 이 막을 180℃에서 30분간 건조하고, 분산매를 증발시켜 경화시켜서 실시예 2에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다. 제조된 열선 차폐체를 시험 샘플로 하고, 85℃, 90%RH 환경하에 7일간 노출하여, 내습 열성의 가속 시험 후의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈값을 측정하였다. 내습 열성의 가속 시험 전후의 이 결과를 표 1에 나타낸다.

(실시예 3)

K₀ _.33WO₃ 미립자를 20중량부, 분산매로서 4－메틸-2－펜타논 70중량부, 미립자 분산용 분산제 10중량부를 혼합하고, 매질 교반 밀로 분산처리를 실시하고, 평균 분산 입자 지름 80㎚의 K₀ _.33WO₃미립자의 분산액을 제조하였다(D액).

이 D액과 실시예 1에서 제조한 B액을 K₀ _.33WO₃미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 10중량부가 되도록 혼합한 후, 상기 혼합액 중의 무기 바인더(고형분 100%)의 비율이 30%가 되도록, 4－메틸-2－펜타논으로 희석하여 충분히 혼합해 도포액으로 하였다.

이 도포액을, 바 코터를 이용하여 기재(무기 유리) 상에 도포, 성막하였다. 이 막을 180℃에서 30분간 건조하고, 분산매를 증발시켜 경화시키고, 실시예 3에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다. 제조된 열선 차폐체를 시험 샘플로 하고, 85℃, 90%RH 환경하에 7일간 노출하여, 내습 열성의 가속 시험 후의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈값을 측정하였다. 내습 열성의 가속 시험 전후의 이 결과를 표 1에 나타낸다.

(실시예 4)

Tl₀ _.33WO₃ 미립자 20중량부, 분산매로서 4－메틸-2－펜타논 70 중량부, 미립자 분산용 분산제 10중량부를 혼합하고, 매질 교반 밀로 분산처리를 실시하여, 평균 분산 입자 지름 80㎚의 Tl₀ _.33WO₃미립자의 분산액을 제조하였다(E액).

이 E액과 실시예 1에서 제조한 B액을, Tl₀ _.33WO₃미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 10중량부가 되도록 혼합한 후, 상기 혼합액 중의 무기 바인더(고형분 100%)의 비율이 30%가 되도록, 4－메틸-2－펜타논으로 희석하고 충분히 혼합하여 도포액으로 하였다.

이 도포액을, 바 코터를 이용하여 기재(무기 유리) 상에 도포, 성막했다. 이 막을 180℃에서 30분간 건조하여 분산매를 증발시켜 경화시키고, 실시예 4에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다. 제조된 열선 차폐체를 시험 샘플로 하고, 85℃, 90%RH 환경하에 7일간 노출하여, 내습 열성의 가속 시험 후의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈값을 측정하였다. 내습 열성의 가속 시험 전후의 이 결과를 표 1에 나타낸다.

(실시예 5)

Cs₀ _.33WO₃미립자 20중량부, 수산화 아연 미립자 2중량부, 분산매로서 4－메틸-2－펜타논 68중량부, 미립자 분산용 분산제 10중량부를 혼합하고, 매질 교반 밀로 분산처리를 실시하고, 평균 분산 입자 지름 80㎚의 Cs₀ _.33WO₃/수산화 아연 미립자의 혼합 분산액을 제조하였다(F액). 이 F액을 F액 중의 무기 바인더(고형분 100%)의 비율이 30%가 되도록, 4－메틸-2－펜타논으로 희석하고 충분히 혼합하여 도포액으로 하였다.

이 도포액을, 바 코터를 이용하여 기재(무기 유리) 상에 도포, 성막했다. 이 막을 180℃에서 30분 건조하여 분산매를 증발시켜 경화시키고, 실시예 5에 관한 열선 차폐체를 얻었다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다. 제조된 열선 차폐체를 시험 샘플로 하고, 85℃, 90%RH 환경하에 7일간 노출하여, 내습 열성의 가속 시험 후의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈치를 측정하였다. 내습 열성의 가속 시험 전후의 이 결과를 표 1에 나타낸다.

(실시예 6)

실시예 1에서 제조한 A액과 B액을, Cs₀ _.33WO₃ 미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자 0.1중량부가 되도록 혼합한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 6에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

제조된 열선 차폐체를 시험 샘플로 하고, 85℃, 90%RH 환경하에 7일간 노출하여, 내습 열성의 가속 시험 후의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈값을 측정하였다. 내습 열성의 가속 시험 전후의 이 결과를 표 1에 나타낸다.

(실시예 7)

실시예 1에서 제조한 A액과 B액을, Cs₀ _.33WO₃미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자 1 중량부가 되도록 혼합한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하고, 실시예 7에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

(실시예 8)

실시예 1에서 제조한 A액과 B액을 Cs₀ _.33WO₃미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 50중량부가 되도록 혼합한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하고, 실시예 8에 관한 열선 차폐체를 얻었다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

(실시예 9)

실시예 1에서 제조한 A액과 B액을 Cs₀ _.33WO₃ 미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 100중량부가 되도록 혼합한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하고, 실시예 9에 관한 열선 차폐체를 얻었다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

제조된 열선 차폐체를 시험 샘플로 하고, 85℃, 90%RH 환경하에 7일간 노출하여, 내습 열성의 가속 시험 후의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈치를 측정하였다. 내습 열성의 가속 시험 전후의 이 결과를 표 1에 나타낸다.

(실시예 10)

실시예 1에서 제조한 A액으로부터 스프레이 드라이어를 이용하여, 4－메틸-2－펜타논을 제거하여 Cs₀ _.33WO₃ 미립자 분산가루(A가루)를 제조하였다.

동일하게 실시예 1에서 제조한 B액으로부터 스프레이 드라이어를 이용하여, 4－메틸-2－펜타논을 제거하고, 수산화 아연 미립자 분산가루(B가루)를 제조하였다.

제조한 (A가루)를 폴리카보네이트 수지에 첨가하고, 블렌더로 균일하게 혼합한 후, 2축 압출기로 용해 혼련하여, 압출된 스트랜드를 펠릿상에 커트하여 Cs₀ _.33 WO₃미립자를 함유하는 마스터 배치를 제조하였다.

동일하게 제조한 (B가루)를 각각 폴리카보네이트 수지에 첨가하여 블렌더로 균일하게 혼합한 후, 2축 압출기로 용해 혼련하고, 압출된 스트랜드를 펠릿상에 커트하여 수산화 아연 미립자를 함유하는 마스터 배치를 제조하였다. 상기 Cs₀ _.33WO₃ 미립자를 함유하는 마스터 배치와 수산화 아연 미립자를 함유하는 마스터 배치를 Cs_0.33WO₃ 미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 10중량부가 되도록, 동일한 방법으로 조제한 무기 미립자를 첨가하고 있지 않은 마스터 배치와 혼합하였다. 이 혼합 마스터 배치를 밀어내 성형하고, 두께 2㎜의 플레이트를 형성하고, 실시예 10에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

(실시예 11)

실시예 5에서 제조한 F액을 4－메틸-2－펜타논으로 희석하고, F액 중의 무기 바인더(고형분 100%)의 비율이 30%가 되도록 충분히 혼합하여 분산액을 제조하였다. 이 분산액을 도포액으로서 바 코터를 이용하여 기재(무기 유리) 상에 도포, 성막하였다. 이 막을 180℃에서 30분 건조하여 분산매를 증발시켜 경화시켰다. 그 후, 상기 기재의 또 한쪽 면에, 동일한 방법으로 이 도포액을 도포, 성막하고, 경화시켜, Cs₀ _.33WO₃미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 10중량부가 되는 실시예 11에 관한 열선 차폐체를 얻었다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

(비교예 1)

Cs₀ _.33WO₃미립자를 20중량부, 분산매로서 4－메틸-2－펜타논 70중량부, 미립자 분산용 분산제 10중량부를 혼합하여, 매질 교반 밀로 분산처리를 실시하고, 평균 분산 입자 지름 80㎚의 Cs₀ _.33WO₃미립자의 분산액을 제조하였다(A액). 이 A액을 4－메틸-2－펜타논으로 희석하고, A액 중의 무기 바인더(고형분 100%)의 비율이 30%가 되도록 충분히 혼합하여 분산액을 제조하였다. 이 분산액을 도포액으로서 바 코터를 이용해 기재(무기 유리) 상에 도포, 성막했다. 이 막을 180℃에서 30분 건조하여 분산매를 증발시켜 경화시키고, 비교예 1에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

(비교예 2)

실시예 1에서 제조한 A액과 B액을, Cs₀ _.33WO₃미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 0.01중량부가 되도록 혼합한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하고, 비교예 2에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

(비교예 3)

실시예 1에서 제조한 A액과 B액을, Cs₀ _.33WO₃미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 200중량부가 되도록 혼합한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하고, 비교예 3에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

그러나 수산화 아연 미립자의 첨가량이 너무 많았기 때문에, 열선 차폐체는, 기재(무기 유리)와 열선 차폐막과의 밀착성이 불충분하고, 기재와 열선 차폐막이 간단하게 박리되는 문제가 생겼다. 따라서, 내습 열성 시험은 실시하지 않았다.

(비교예 4)

실시예 1에서 제조한 A액을 4－메틸-2－펜타논으로 희석하고, A액 중의 무기 바인더(고형분 100%)의 비율이 30%가 되도록 충분히 혼합하여 A분산액을 제조하였다. 동일하게 실시예 1에서 제조한 B액을 4－메틸-2－펜타논으로 희석하고, B액 중의 수산화 아연 미립자의 비율이 30%가 되도록 충분히 혼합하여 B분산액을 제조하였다. 이 A분산액을 도포액으로서 바 코터를 이용하여 기재(무기 유리) 상에 도포, 성막하였다. 이 막을 180℃에서 30분 건조하여 분산매를 증발시켜 경화시켰다. 그 후, 경화한 A분산액 막상에 다시 B분산액을 도포액으로서 Cs₀ _.33WO₃ 미립자 100중량부에 대해서 수산화 아연 미립자가 10중량부가 되도록 도포, 성막하고, 경화시켜 비교예 4에 관한 열선 차폐체를 얻었다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

제조된 열선 차폐체를 시험 샘플로 하고, 85℃, 90%RH 환경하에 7일간 노출하여, 내습 열성의 가속 시험 후의 가시광선 투과율, 일사 투과율, 헤이즈값을 측정했다. 내습 열성의 가속 시험 전후의 이 결과를 표 1에 나타낸다.

(비교예 5)

실시예 1에서 제조한 A액과 2－에틸 헥산산아연을, Cs₀ _.33WO₃미립자 100중량부에 대해서 2－에틸 헥산산아연이 10중량부가 되도록 혼합한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여, 비교예 5에 관한 열선 차폐체를 제조하였다. 제조된 열선 차폐체의 광학 특성을 표 1에 나타낸다.

[평가]

실시예 1∼11에서는, 높은 가시광선 투과성과 뛰어난 열선 차폐 특성이 있으며, 헤이즈값이 낮고 투명성이 뛰어난 열선 차폐체가 얻어졌다. 또, 수산화 아연 미립자가 첨가된 것으로, 고온 고습 조건하에 노출된 복합 텅스텐 산화물 미립자의 시간 경과 열화가 억제되어 광학 특성 변화가 적은 높은 내습 열성을 발휘했다. 이 결과, 예를 들면 옥외와 같이 가혹한 사용 조건에서도 열선 차폐 특성의 변화가 적은 열선 차폐체가 얻어졌다.

한편, 비교예 1∼2는, 수산화 아연 미립자를 첨가하지 않았거나 또는, 첨가량이 너무 적었기 때문에, 내습 열성 시험에 있어 가시광선 투과율의 변화가 컸다. 또, 비교예 3은, 수산화 아연 미립자의 첨가량이 너무 많았기 때문에, 열선 차폐체로서 중요한 물성인 기재(무기 유리)와의 밀착성이 손상되어 버렸다.

또, 비교예 4는, Cs₀ _.33WO₃미립자와 수산화 아연 미립자가 동일한 층에 함유되어 있지 않기 때문에, Cs₀ _.33WO₃미립자의 내습 열성은 전혀 향상하지 않았다.

또, 비교예 5는, 수산화 아연 미립자가 아니라 2－에틸 헥산산아연을 사용했기 때문에, 내습 열성 시험에 있어 헤이즈값의 변화가 컸다.

Claims

일반식 M_YWO_Z(0.001≤Y≤1.0, 2.2≤Z≤3.0)으로 나타내며, M원소가 Cs, Rb, K, Tl 중에서 선택되는 1 종류 이상이며, 또한 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 분산매에 분산하고, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정한 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산액을 제조하는 단계와,
수산화 아연을 분산매에 분산하고, 상기 수산화 아연의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정하여 수산화 아연 미립자 분산액을 제조하는 단계와,
상기 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산액에, 상기 수산화 아연 미립자 분산액을 첨가 혼합하고, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자 100중량부에 대해서, 상기 수산화 아연 미립자가, 0.1중량부 이상, 100중량부 이하 함유되는 제1 혼합 분산액을 제조하는 단계와,
상기 제1 혼합 분산액을 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 열선 차폐 분산체의 제조 방법
청구항 1에 있어서,
상기 제1 혼합 분산액으로부터 분산매를 제거하고, 분산가루를 제조하는 단계와,
상기 분산가루를 소정의 매질 중에 혼합 분산하고, 제2 혼합 분산물을 제조하는 단계와,
상기 제2 혼합 분산물을 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 기재된 열선 차폐 분산체의 제조 방법.
일반식 M_YWO_Z(0.001≤Y≤1.0, 2.2≤Z≤3.0)으로 나타내고, M원소가 Cs, Rb, K, Tl 중에서 선택되는 1 종류 이상이며, 또한 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자와 수산화 아연을, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자 100중량부에 대해서, 상기 수산화 아연이 0.1중량부 이상, 100중량부 이하 함유 되도록 분산매에 분산하고, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자와 상기 수산화 아연과의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정하여 제1 혼합 분산액을 제조하는 단계와,
상기 제1 혼합 분산액을 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 열선 차폐 분산체의 제조 방법.
청구항 3에 있어서,
상기 제1 혼합 분산액으로부터 분산매를 제거하여 분산가루를 제조하는 단계와,
상기 분산가루를 소정의 매질 중에 혼합 분산하고, 제2 혼합 분산물을 제조하는 단계와,
상기 제2 혼합 분산물을 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 열선 차폐 분산체의 제조 방법.
일반식 M_YWO_Z(0.001≤Y≤1.0, 2.2≤Z≤3.0)으로 나타내고, M원소가 Cs, Rb, K, Tl 중에서 선택되는 1 종류 이상이며, 또한 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 분산매에 분산하고, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정한 제1 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산액을 제조하는 단계와,
상기 제1 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산액으로부터 분산매를 제거하고, 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산가루를 제조하는 단계와,
상기 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산가루를 소정의 매질 중에 혼합 분산하고, 제2 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산물을 제조하는 단계와,
수산화 아연을 분산매에 분산하고, 상기 수산화 아연의 분산 입자 지름을 1㎚ 이상 800㎚ 이하로 조정한 제1 수산화 아연 미립자 분산액을 제조하는 단계와,
상기 제1 수산화 아연 미립자 분산액으로부터 분산매를 제거하고, 수산화 아연 미립자 분산가루를 제조하는 단계와,
상기 수산화 아연 미립자 분산가루를 소정의 매질 중에 혼합 분산하고, 제2 수산화 아연 미립자 분산물을 제조하는 단계와,
상기 제2 복합텅스텐 산화물 미립자 분산물과, 상기 제2 수산화 아연 미립자 분산물을 혼합하고, 성형 고체화하여 열선 차폐 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 열선 차폐 분산체의 제조 방법
청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 열선 차폐 분산체의 제조 방법에 의해 제조된 열선 차폐 분산체.
청구항 2, 4, 및 5 중 어느 한 항에 기재된 열선 차폐 분산체의 제조 방법에 의해 제조된 열선 차폐 분산체이며,
상기 매질은 수지 또는 유리인 것을 특징으로 하는 열선 차폐 분산체.
청구항 2, 4, 및 5 중 어느 한 항에 기재된 열선 차폐 분산체의 제조 방법에 의해 제조된 열선 차폐 분산체이며,
상기 매질은 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리 염화비닐리덴 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐 부티랄 수지로부터 선택되는 1 종류 이상인 것을 특징으로 하는 열선 차폐 분산체.
청구항 6에 기재된 열선 차폐 분산체가 소정의 기재의 한 면 또는 양면에 설치된 열선 차폐체.
청구항 9에 있어서,
상기 열선 차폐 분산체는 판 형태 또는 필름 형태 또는 박막 형태로 형성된 열선 차폐체.
청구항 9에 있어서,
기재는 수지 또는 유리인 것을 특징으로 하는 열선 차폐체.
청구항 9에 있어서,
기재는 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리 염화 비닐리덴 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄 수지 중 1 종류 이상인 것을 특징으로 하는 열선 차폐체.
청구항 9에 있어서,
가시광선 투과율이 70% 이상이며 일사투과율이 40% 이하일 때, 내습 열성 평가 후의 가시광선 투과율의 변화가 2% 이하, 일사 투과율의 변화가 4% 이하, 헤이즈값의 변화가 0.5% 이하인 것을 특징으로 하는 열선 차폐체.
청구항 1 또는 3에 기재된 제1 혼합 분산액을 소정의 기재상에 코팅하는 단계를 포함하는 열선 차폐체의 제조 방법.
청구항 2 또는 4항에 기재된 제2 혼합 분산물의 성형 고체화물을 소정의 기재상에 설치하는 단계를 포함하는 열선 차폐체의 제조 방법.
청구항 5에 기재된 제2 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산물과 제2 수산화아연 미립자 분산물과의 혼합물인 성형 고체화물을 소정의 기재상에 설치하는 단계를 포함하는 열선 차폐체의 제조 방법.
청구항 14에 있어서,
상기 기재는 수지 또는 유리인 것을 특징으로 하는 열선 차폐체의 제조 방법
청구항 14에 있어서,
상기 기재는 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리염화 비닐리덴 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄 수지 중 1 종류 이상인 것을 특징으로 하는 열선 차폐체의 제조 방법.