KR101739943B1 - 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비 - Google Patents

웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비 Download PDF

Info

Publication number
KR101739943B1
KR101739943B1 KR1020100065538A KR20100065538A KR101739943B1 KR 101739943 B1 KR101739943 B1 KR 101739943B1 KR 1020100065538 A KR1020100065538 A KR 1020100065538A KR 20100065538 A KR20100065538 A KR 20100065538A KR 101739943 B1 KR101739943 B1 KR 101739943B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
support
cutting
dicing blade
wafer dicing
Prior art date
Application number
KR1020100065538A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120004843A (ko
Inventor
김영자
고준영
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100065538A priority Critical patent/KR101739943B1/ko
Priority to US13/177,167 priority patent/US8757134B2/en
Publication of KR20120004843A publication Critical patent/KR20120004843A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101739943B1 publication Critical patent/KR101739943B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D5/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting only by their periphery; Bushings or mountings therefor
    • B24D5/12—Cut-off wheels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/02—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by sawing
    • B28D1/12—Saw-blades or saw-discs specially adapted for working stone
    • B28D1/121—Circular saw blades
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T407/00—Cutters, for shaping
    • Y10T407/19—Rotary cutting tool

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비를 제공한다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이는 절삭부 및 상기 절삭부의 측벽을 덮는 지지부를 포함하되, 상기 절삭부는 상기 지지부의 일단보다 돌출된 부분을 갖고, 상기 돌출된 부분은 균일한 폭을 갖는 영역을 포함할 수 있다.

Description

웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비{WAFER DICING BLADE AND WAFER DICING APPARATUS COMPRISING THE SAME}
본 발명은 반도체 소자의 제조에 사용되는 반도체 장비에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비에 관한 것이다.
반도체 공정들 중에서 반도체 조립 공정은 웨이퍼에 형성된 반도체 칩들을 분리하는 공정, 및 분리된 반도체 칩들을 패키징(packing)하는 공정 등을 포함할 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼 한 장에는 복수의 반도체 칩들이 형성될 수 있다. 이러한 웨이퍼 내 반도체 칩들은 반도체 칩들 사이에 위치한 스크라이브 래인(scribe lane)에 수행되는 절단 공정에 의해서 서로 분리될 수 있다. 분리된 반도체 칩들은 반도체 패키지로 구현될 수 있다. 반도체 패키지로 구현됨으로써, 반도체 칩은 외부 충격으로부터 보호될 수 있으며, 또한, 외부 전자 기기와 전기적으로 접속될 수 있다.
전자 기기 산업의 경쟁으로 인해서, 고성능의 반도체 칩을 저가로 제공하는 것이 요구되고 있다. 이러한 요구를 충족시키기 위해서, 최근 제조 원가를 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 신뢰성을 개선할 수 있는 절단 공정 및 절단 장치에 대한 연구가 증가하고 있다.
반도체 공정들 중에서 반도체 조립 공정은 웨이퍼에 형성된 반도체 칩들을 분리하는 공정, 및 분리된 반도체 칩들을 패키징(packing)하는 공정 등을 포함할 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼 한 장에는 복수의 반도체 칩들이 형성될 수 있다. 이러한 웨이퍼 내 반도체 칩들은 반도체 칩들 사이에 위치한 스크라이브 래인(scribe lane)에 수행되는 절단 공정에 의해서 서로 분리될 수 있다. 분리된 반도체 칩들은 반도체 패키지로 구현될 수 있다. 반도체 패키지로 구현됨으로써, 반도체 칩은 외부 충격으로부터 보호될 수 있으며, 또한, 외부 전자 기기와 전기적으로 접속될 수 있다.
전자 기기 산업의 경쟁으로 인해서, 고성능의 반도체 칩을 저가로 제공하는 것이 요구되고 있다. 이러한 요구를 충족시키기 위해서, 최근 제조 원가를 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 신뢰성을 개선할 수 있는 절단 공정 및 절단 장치에 대한 연구가 증가하고 있다.
본 발명의 개념에 의한 실시 예들이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 반도체 칩의 제조 원가를 낮출 수 있는 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비를 제공하는 데 있다.
본 발명의 개념에 의한 실시 예들이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 우수한 신뢰성을 갖는 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비를 제공하는 데 있다.
본 발명의 개념에 의한 실시 예들이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 웨이퍼 절단 공정의 마진을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술된 기술적 과제들을 해결하기 위한 웨이퍼 다이싱(Dicing) 블레이드가 제공된다. 본 발명의 개념에 의한 실시 예들에 따른 웨이퍼 다이싱(Dicing) 블레이드는 절삭부 및 상기 절삭부의 측벽을 덮는 지지부를 포함할 수 있다. 상기 절삭부는 상기 지지부의 일단보다 돌출된 부분을 갖고, 상기 돌출된 부분은 균일한 폭을 갖는 영역을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 웨이퍼는 상기 돌출된 부분에 의해서 절단될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 절삭부는 고리 형태(Ring-shape)일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 절삭부는 다이아몬드가 함유된 물질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 균일한 폭이 1㎛~70㎛이하일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 지지부가 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 물질은 니켈을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 지지부는 전기도금 공정에 의해서 형성되는 것을 포함할 수 있다.
상술된 기술적 과제들을 해결하기 위한 웨이퍼 다이싱 장비를 제공한다. 이 장비는 웨이퍼가 로딩(loading)되는 면을 갖는 바닥부; 상기 바닥부의 상부에 배치되고 회전 가능한 회전틀; 및 상기 회전틀에 장착된 웨이퍼 다이싱 블레이드를 포함할 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드는 절삭부 및 상기 절삭부의 측벽을 덮는 지지부를 포함하고, 상기 절삭부는 상기 지지부의 일단보다 돌출된 부분을 가지며, 상기 돌출된 부분은 균일한 폭을 갖는 영역을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 절삭부는 다이아몬드가 함유된 물질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 균일한 폭이 1㎛~70㎛이하일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 지지부는 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 물질은 니켈을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 지지부는 전기도금방식에 의해서 형성되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 웨이퍼 다이싱 장비는 리세스 영역을 포함하는 길이 유지 장치를 더 포함할 수 있다. 상기 리세스 영역의 폭은 상기 돌출부의 균일한 폭을 갖는 상기 영역의 폭보다 더 클 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 길이 유지 장치는 상기 지지부를 식각할 수 있는 식각 유닛을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 개념에 의한 실시 예들에 의하면, 상기 절삭부의 측면 상에 상기 지지부가 배치되고, 상기 절삭부는 상기 지지부의 일단으로부터 돌출된 부분을 포함할 수 있다. 상기 지지부로 인하여 상기 절삭부의 폭을 감소시킬 수 있다. 즉, 상기 절삭부의 폭을 감소시킬지라도 상기 지지부로 인하여 상기 절삭부의 휨 현상을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 절삭부가 상기 돌출된 부분을 가짐으로써, 상기 지지부는 웨이퍼의 절단에 관여하지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 지지부 및 상기 절삭부의 돌출된 부분으로 인하여, 절삭부의 폭을 감소시킴과 더불어 절삭부의 휨 현상을 최소화할 수 있다.
상기 절삭부의 폭이 감소시킴으로써, 웨이퍼에 형성된 스크라이브 래인의 폭도 줄일 수 있다. 따라서 하나의 웨이퍼에 더 많은 반도체 칩들을 형성할 수 있어서 반도체 칩들의 제조 원가를 낮출 수 있다. 이에 더하여, 상기 절삭부의 휨 현상을 최소화시킴으로써, 우수한 신뢰성을 갖는 웨이퍼 다이싱 블레이드를 구현할 수 있으며, 또한, 웨이퍼 절단 공정의 공정 마진을 향상시킬 수 있다.
도1a는 본 발명의 개념에 의한 일 실시 예에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드를 설명하기 위한 사시도이다.
도1b는 본 발명의 개념에 의한 다른 실시 예에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드를 설명하기 위한 사시도이다.
도2a는 본 발명의 개념에 의한 일 실시 예에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드를 설명하기 위한 단면도이다.
도2b는 도2a의 A영역을 확대한 단면도이다.
도3a는 본 발명의 개념에 의한 다른 실시 예에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드를 설명하기 위한 단면도이다.
도3b는 도3a의 B영역을 확대한 단면도이다.
도4는 본 발명의 개념에 의한 실시 예들에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드를 구비하는 웨이퍼 다이싱 장비를 설명하기 위한 측면도이다.
도5는 도4에서 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 취해진 단면도이다.
도6은 본 발명의 개념에 의한 실시 예들에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드를 구비하는 웨이퍼 다이싱 장비를 사용하는 웨이퍼 다이싱 공정을 설명하기 위한 순서도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시 예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 어떤 막(또는 층)이 다른 막(또는 층) 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막(또는 층) 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막(또는 층)이 개재될 수도 있다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 구성들의 크기 및 두께 등은 명확성을 위하여 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드 지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
본 명세서의 다양한 실시 예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 영역, 막들(또는 층들) 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막(또는 층)을 다른 영역 또는 막(또는 층)과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에의 제1막질로 언급된 막질이 다른 실시 예에서는 제2막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도1a는 본 발명의 개념에 의한 일 실시 예들에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드를 설명하기 위한 사시도이고, 도2a는 도1a에서 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 취해진 단면도이다.
도1a 및 도2a를 참조하면, 일 실시예에 따른 웨이퍼 다이싱 브레이드(200)는 절삭부(100) 및 상기 절삭부(100)의 양 측벽들을 덮는 지지부(110)를 포함할 수 있다. 상기 절삭부(100)는 고리 형태(Ring-shape)일 수 있다. 이에 따라, 상기 절삭부(100)는 양 측벽들, 안쪽 원을 정의하는 내부면 및 바깥쪽 원을 정의하는 외부면을 포함할 수 있다. 상기 절삭부(100)는 연마재(Grit) 및 결합 물질(bond)을 포함할 수 있다. 상기 연마재는 다이아몬드 입자를 포함할 수 있다. 상기 결합 물질은 합성 수지 결합제(Resin), 비트리파이드 결합제(Vitrified bond) 및 금속 등에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속은 구리, 주석 또는 니켈일 수 있다. 상기 합성 수지 결합제는 열경화성 수지일 수 있다. 상기 절삭부(100)는 기공(Porosity) 또는 칩포켓(Chip Porcket)을 더 포함할 수 있다. 상기 결합 물질이 합성 수지 결합제 또는 비트리파이드 결합제를 포함하는 경우, 상기 절삭부(100)는 상기 기공을 포함할 수 있다. 상기 결합 물질이 금속을 포함하는 경우, 상기 절삭부(100)는 상기 칩포켓을 포함할 수 있다. 상기 기공 또는 칩포켓에 의하여 웨이퍼를 절단할 때 발생되는 찌꺼기(Swarf) 또는 분진(dust) 등의 오염물을 배출할 수 있으며, 또한, 웨이퍼를 절단할 때 웨이퍼와의 마찰로 인해 상기 절삭부(100)에 발생하는 열을 식혀줄 수 있다.
상기 절삭부(100)는 상기 연마재와 상기 결합 물질을 고온 고압 상태에서 결합시키는 방법에 의해 형성될 수 있다. 또는, 상기 절삭부(100)는 전기도금 공정(Electro-Plated Process)에 의해 형성될 수 있다.
상기 지지부(110)는 상기 절삭부(100)의 양 측벽들 및 상기 절삭부(100)의 내부면을 둘러싸는 형태로 형성될 수 있다. 따라서 상기 절삭부(100)의 양 측벽들 및 상기 절삭부(100)의 상기 내부면에 형성된 지지부(110)가 하나의 구조로 연결된 형태일 수 있다. 도시된 것과 달리, 상기 지지부(110)는 상기 절삭부(100)의 상기 내부면에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 상기 절삭부(100)의 양 측벽들 상에만 상기 지지부(110)가 배치되어, 각각의 측벽들에 형성된 상기 지지부(110)가 분리된 형태일 수 있다.
상기 지지부(110) 및 상기 절삭부(100)를 포함하는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)는 회전틀(120)에 장착될 수 있다. 상기 회전틀(120)은 상기 지지부(110) 및 상기 절삭부(100)를 고정시키는 허브(Hub:123)와 상기 허브(123)가 장착되는 고정 원판(127)을 포함할 수 있다. 상기 허브(123)는 고리 형태일 수 있다. 상기 허브(123)의 직경은 상기 절삭부(100)의 직경보다 작은 값을 가질 수 있다. 상기 허브(123)는 상기 지지부(110)와 직접적으로 연결되어 상기 지지부(110)를 포함하는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 고정할 수 있다. 상기 허브(123)는 금속 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 허브(123)은 알루미늄을 포함할 수 있다. 상기 고정 원판(127)은 중앙에 회전축을 장착할 수 있는 홀이 형성된 원판 모양일 수 있다. 상기 고정 원판(127)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 고정 원판(127)에 장착된 회전축을 이용하여 상기 허브(123)와 연결된 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 회전시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 고속으로 회전시키는 것에 의해서 웨이퍼의 스크라이브 래인을 절단하여 복수의 반도체 칩들이 서로 분리될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 상기 허브(123)가 생략되고 상기 고정 원판(127)이 상기 지지부(110)를 포함하는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)와 직접적으로 연결되어 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 고정할 수 있다.
도2b는 도2a의 A영역을 확대한 단면도이다.
도2b를 참조하면, 상기 지지부(110)는 상기 절삭부(100)의 양 측벽들의 일부를 덮는 형태로 배치될 수 있다. 상기 절삭부(100)는 상기 지지부(110)의 일단보다 돌출된 부분인 돌출부(105)를 포함할 수 있다. 상기 돌출부(105)는 상기 지지부(110)에 의해 덮이지 않은 상기 절삭부(100)의 일부분일 수 있다. 상기 돌출부(105)는 실질적으로 균일한 폭(H2)을 가지는 영역(107)을 포함할 수 있다. 상기 영역(107)은 상기 지지부(110)와 인접할 수 있다. 상기 영역(107)의 폭(H2)은 상기 영역(107)의 양 측면들 사이의 거리일 수 있다. 상기 영역(107)의 폭(H2)은 1㎛~70㎛ 이하일 수 있다. 상기 돌출부(105)의 끝단은 라운드된 형태일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 돌출부(105)의 전체가 실질적으로 균일한 폭을 가질 수 있다. 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 지지부(110)의 끝단으로부터 상기 돌출부(105)가 돌출된 길이일 수 있다. 즉, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 지지부(110)의 끝단으로부터 상기 돌출부(105)의 끝단까지의 높이일 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)가 웨이퍼(10)를 절단할 때, 상기 웨이퍼(10)는 상기 돌출부(105)에 의해서 절단될 수 있으며, 상기 지지부(110)가 상기 웨이퍼(10)를 절단하는데 직접적으로 이용되지 않을 수 있다. 도2b에 도시된 것처럼, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 절단되는 상기 웨이퍼(10)의 두께(H3)보다 작은 값을 가질 수 있다. 이 경우에, 상기 웨이퍼(10)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 일부만 절단될 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해 일부만 절단된 상기 웨이퍼(10)는 브레이킹 공정(Breaking process)에 의해서 완전히 절단될 수 있다. 이와 달리, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 절단되는 상기 웨이퍼(10)의 두께(H3)와 동일하거나 더 큰 값을 가질 수 있다. 이 경우에, 상기 웨이퍼(10)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 완전히 절단될 수 있다.
상기 지지부(110)는 전기 도금 공정(Electro-Plated Process)에 의해 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 절삭부(100)의 돌출부(105)를 도금을 위한 도금액에 노출시키지 않은 상태에서 상기 절삭부(100)에 전기 도금 공정을 수행하여, 상기 지지부(110)를 형성할 수 있다. 상기 지지부(110)는 상기 웨이퍼(10)보다 경도가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 웨이퍼(10)는 반도체 물질(ex, 실리콘 또는 게르마늄 등)로 형성될 수 있으며, 상기 지지부(110)는 니켈을 포함할 수 있다. 상기 지지부(110)가 상기 웨이퍼(10)보다 경도가 낮은 물질로 형성되므로, 상기 웨이퍼(10)와 상기 지지부(110)가 접하면, 상기 웨이퍼(10)에 의해 상기 지지부(110)의 마모가 쉽게 일어날 수 있다. 따라서 상기 지지부(110)는 실질적으로 상기 웨이퍼(10)를 절단할 수 없으며, 상기 지지부(110)에 의해 상기 웨이퍼(10)의 절단 부분의 폭이 증가하는 것을 최소화할 수 있다.
도1b는 본 발명의 개념에 의한 다른 실시 예들에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드를 설명하기 위한 사시도이고, 도3a는 도1b에서 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 취해진 단면도이다.
도1b 및 도3a를 참조하면, 다른 실시예에 따른 웨이퍼 다이싱 브레이드(200)는 절삭부(100) 및 상기 절삭부(100)의 일 측벽을 덮는 지지부(115)를 포함할 수 있다. 상기 절삭부(100)는 고리 형태(Ring-shape)일 수 있다. 이에 따라, 상기 절삭부(100)는 양 측벽들, 안쪽 원을 정의하는 내부면 및 바깥쪽 원을 정의하는 외부면을 포함할 수 있다. 상기 절삭부(100)는 연마재(Grit) 및 결합 물질(bond)을 포함할 수 있다. 상기 연마재는 다이아몬드 입자를 포함할 수 있다. 상기 결합 물질은 합성 수지 결합제(Resin), 비트리파이드 결합제(Vitrified bond) 및 금속 등에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속은 구리, 주석 또는 니켈일 수 있다. 상기 합성 수지 결합제는 열경화성 수지일 수 있다. 상기 절삭부(100)는 기공(Porosity) 또는 칩포켓(Chip Porcket)을 더 포함할 수 있다. 상기 결합 물질이 합성 수지 결합제 또는 비트리파이드 결합제를 포함하는 경우, 상기 절삭부(100)는 상기 기공을 포함할 수 있다. 상기 결합 물질이 금속을 포함하는 경우, 상기 절삭부(100)는 상기 칩포켓을 포함할 수 있다. 상기 기공 또는 칩포켓에 의하여 웨이퍼를 절단할 때 발생되는 찌꺼기(Swarf) 또는 분진(dust) 등의 오염물을 배출할 수 있으며, 또한, 웨이퍼를 절단할 때 웨이퍼와의 마찰로 인해 상기 절삭부(100)에 발생하는 열을 식혀줄 수 있다.
상기 절삭부(100)는 상기 연마재와 상기 결합 물질을 고온 고압 상태에서 결합시키는 방법에 의해 형성될 수 있다. 또는, 상기 절삭부(100)는 전기도금 공정(Electro-Plated Process)에 의해 형성될 수 있다.
상기 지지부(115)는 상기 절삭부(100)의 일 측벽을 덮는 형태로 형성될 수 있다. 따라서 상기 절삭부(100)의 다른 일 측벽, 상기 절삭부(100)의 상기 내부면 및 상기 절삭부(100)의 상기 외부면은 상기 지지부(115)에 의해 덮히지 않을 수 있다.
상기 지지부(115) 및 상기 절삭부(100)를 포함하는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)는 회전틀(120)에 장착될 수 있다. 상기 회전틀(120)은 상술된 일 실시 예와 동일하게 허브(123) 및 고정 원판(127)을 포함할 수 있다. 상기 허브(123)는 상술된 일 실시 예와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 허브(123)는 고리 형태일 수 있다. 상기 허브(123)의 직경은 상기 절삭부(100)의 직경보다 작은 값을 가질 수 있다. 상기 허브(123)는 상기 절삭부(100)의 일 측벽과 직접적으로 연결되어 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 고정할 수 있다. 상기 허브(123)와 연결된 상기 절삭부(100)의 일 측벽은 상기 지지부(115)가 형성된 상기 절삭부(100)의 측벽과 대향된 면일 수 있다.
상기 고정 원판(127)은 상술된 일 실시 예와 동일한 형태일 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 고정 원판(127)에 장착된 회전축을 이용하여 상기 허브(123)와 연결된 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 회전시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 고속으로 회전시키는 것에 의해서 웨이퍼의 스크라이브 래인을 절단하여 복수의 반도체 칩들이 서로 분리될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 상기 허브(123)가 생략되고 상기 고정 원판(127)이 상기 지지부(115)를 포함하는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)와 직접적으로 연결되어 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 고정할 수 있다.
도3b는 도3a의 B영역을 확대한 확대도이다.
도3b를 참조하면, 상기 지지부(115)는 상기 절단부(105)의 일 측벽의 일부를 덮는 형태로 배치될 수 있다. 상기 절삭부(100)는 상기 지지부(115)의 일단보다 돌출된 부분(105)을 포함할 수 있다. 상기 돌출부(105)는 상기 지지부(115)에 의해 양 측벽들이 덮이지 않은 상기 절삭부(100)의 일부분일 수 있다. 상기 돌출부(105)는 실질적으로 균일한 폭(H2)을 가지는 영역(107)을 포함할 수 있다. 상기 영역(107)은 상기 지지부(110)와 인접할 수 있다. 상기 영역(107)의 폭(H2)은 상기 영역(107)의 양 측면들 사이의 거리일 수 있다. 상기 영역(107)의 폭(H2)은 1㎛~70㎛ 이하일 수 있다. 상기 돌출부(105)의 끝단은 라운드된 형태일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 돌출부(105)의 전체가 실질적으로 균일한 폭을 가질 수 있다. 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 지지부(115)의 끝단으로부터 상기 돌출부(105)가 돌출된 길이일 수 있다. 즉, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 지지부(115)의 끝단으로부터 상기 돌출부(105)의 끝단까지의 높이일 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)가 웨이퍼(10)를 절단할 때, 상기 웨이퍼(10)는 상기 돌출부(105)에 의해서 절단될 수 있으며, 상기 지지부(115)가 상기 웨이퍼(10)를 절단하는데 직접적으로 이용되지 않을 수 있다. 도3b에 도시된 것처럼, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 절단되는 상기 웨이퍼(10)의 두께(H3)보다 작은 값을 가질 수 있다. 이 경우에, 상기 웨이퍼(10)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 일부만 절단될 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해 일부만 절단된 상기 웨이퍼(10)는 브레이킹 공정(Breaking process)에 의해서 완전히 절단될 수 있다. 이와 달리, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 절단되는 상기 웨이퍼(10)의 두께(H3)와 동일하거나 더 큰 값을 가질 수 있다. 이 경우에, 상기 웨이퍼(10)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 완전히 절단될 수 있다.
상기 지지부(115)는 전기도금 공정(Electro-Plated Process)에 의해 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 절삭부(100)의 돌출부(105) 및 상기 절삭부(100)의 다른 측면을 도금을 위한 도금액에 노출시키지 않은 상태에서 상기 절삭부(100)에 전기 도금 공정을 수행하여, 상기 지지부(115)를 형성할 수 있다. 상기 지지부(115)는 상술된 일 실시 예와 동일하게 상기 웨이퍼(10)보다 경도가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 웨이퍼(10)는 반도체 물질(ex, 실리콘 또는 게르마늄 등)로 형성될 수 있으며, 상기 지지부(115)는 니켈을 포함할 수 있다. 상기 지지부(115)가 상기 웨이퍼(10)보다 경도가 낮은 물질로 형성되므로, 상기 웨이퍼(10)와 상기 지지부(115)가 접하면, 상기 웨이퍼(10)에 의해 상기 지지부(115)의 마모가 쉽게 일어날 수 있다. 따라서 상기 지지부(115)는 실질적으로 상기 웨이퍼(10)를 절단할 수 없으며, 상기 지지부(115)에 의해 상기 웨이퍼(10)의 절단 부분의 폭이 증가하는 것을 최소화할 수 있다.
상술된 일 실시 예에서 설명된 지지부(110)는 상기 절삭부(100)의 양 측면들에 배치되지만, 본 실시 예에 의한 지지부(115)는 일 측면에만 배치되므로 본 실시 예에 의한 지지부(115)의 두께가 가 상술된 일 실시 예에서 설명된 지지부(110)보다 두꺼울 수 있다.
상술된 실시 예들에 의하면, 상기 지지부(110,115)가 상기 절삭부(100) 측벽에 배치되고, 상기 절삭부(100)는 상기 지지부(110,115)의 일단으로부터 돌출된 부분인 상기 돌출부(105)를 포함할 수 있다. 상기 웨이퍼(10)를 절단할 때, 상기 지지부(110,115)가 상기 절삭부(100)에 가해지는 압력으로부터 상기 절삭부(100)를 지지해 주는 기능을 하므로, 상기 절삭부(100) 길이, 즉 상기 절삭부(100)의 내부 면으로부터 외부 면까지의 길이를 줄이지 않고 상기 절삭부(100)의 폭을 줄일 수 있다. 이에 따라, 상기 절삭부(100)의 사용 기간을 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼(10) 를 절단할 때, 상기 지지부(110,115)는 상기 웨이퍼(10)의 절단에 관여하지 않고, 상기 절삭부(100)의 돌출부(105)만 이용될 수 있다. 이에 따라, 상기 웨이퍼를 절단하기 하기 위해서 상기 웨이퍼 내의 복수의 반도체 칩들 사이에 형성된 스크라이브 래인의 폭도 줄일 수 있다. 따라서 상기 웨이퍼(10) 내에 더 많은 반도체 칩들을 형성할 수 있어서 반도체 칩들의 제조 원가를 낮출 수 있다. 또한 상기 절삭부(100)의 폭을 감소시킬 경우, 상기 절삭부(100)가 상기 웨이퍼(10)를 절단할 때, 상기 절삭부에(100)에 적용되는 압력으로 인하여 발생할 수 있는 상기 절삭부(100)의 휨 현상을 최소화할 수 있다. 따라서 웨이퍼 절단 공정에서 상기 절삭부(100)의 휨 현상으로 발생할 수 있는 불량을 줄일 수 있으므로, 우수한 신뢰성을 갖는 웨이퍼 다이싱 블레이드를 구현할 수 있으며, 또한, 웨이퍼 절단 공정의 공정 마진을 향상시킬 수 있다.
도4는 본 발명의 개념에 의한 일 실시 예들에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 구비하는 웨이퍼 다이싱 장비를 설명하기 위한 측면도이다.
도4를 참조하면, 일 실시 예에 따른 웨이퍼 다이싱 장비는 웨이퍼(10)가 로딩되는 받침부(130)를 포함할 수 있다. 상기 받침부(130)는 다이싱 접착 테이프 (133), 절삭 테이블(135) 및 척(Chuck:137)을 포함할 수 있다. 상기 척(137)은 다공성 세라믹으로 형성될 수 있다. 상기 척(137)은 웨이퍼 절단 공정에서 상기 웨이퍼(10)를 정렬할 수 있다. 상기 척(137)상에 상기 절삭 테이블(135)이 배치될 수 있다. 상기 절삭 테이블(135)상에 상기 다이싱 접착 테이프(133)가 배치될 수 있다. 상기 다이싱 접착 테이프(133)는 전기 전도성을 갖지 않는 다공성 재질일 수 있다. 예컨대, 상기 다이싱 접착 테이프(133)는 포로스(porous)일 수 있다. 상기 다이싱 접착 테이프(133)는 웨이퍼 절단 공정에서 정렬된 상기 웨이퍼(10)를 고정시킬 수 있다.
본 실시 예에 따른 웨이퍼 다이싱 장비는 상기 받침부(130)의 상부에 배치되고 회전 가능한 회전틀(120)을 더 포함할 수 있다. 상기 회전틀(120)은 상술된 실시 예들에서 설명한 것처럼, 허브(123) 및 고정 원판(127)을 포함할 수 있다. 상기 허브(123) 및 고정 원판(127)은 상술된 실시 예들과 동일한 형태일 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시 예에 따른 웨이퍼 다이싱 장비는 상기 회전틀(120)에 장착되는 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 더 포함할 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)는 상술된 실시 예들과 동일하게 절삭부(100) 및 지지부(110,115)를 포함할 수 있다. 상기 절삭부(100)는 상술된 실시 예들에서 설명한 것처럼 상기 지지부(110,115)의 일단보다 돌출된 부분(105)을 포함할 수 있다. 상기 절삭부(100)는 상술된 실시 예들과 동일한 형태일 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 절삭부(100)는 상술된 실시 예들과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.
상기 지지부(110)는 상술된 일 실시 예와 동일하게 상기 절삭부(100)의 양 측벽들 및 상기 절삭부(100)의 내부면을 둘러싸는 형태로 형성될 수 있다. 도시된 것과 달리, 상기 지지부(110)는 상기 절삭부(100)의 상기 내부면에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 상기 절삭부(100)의 양 측벽들 상에만 상기 지지부(110)가 배치되어, 각각의 측벽들에 형성된 상기 지지부(110)가 분리된 형태일 수 있다. 상기 지지부(115)는 상술된 다른 일 실시 예와 동일하게 상기 절삭부(100)의 일 측벽의 일부만을 덮는 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 절삭부(100)의 다른 측벽, 외부면 및 내부면은 상기 지지부(115)에 의해 덮히지 않을 수 있다.
상기 절삭부(100)는 상술된 실시 예들과 동일하게 상기 지지부(110,115)의 일단보다 돌출된 부분인 돌출부(105)를 포함할 수 있다. 상기 돌출부(105)는 상기 지지부(110,115)에 의해 양 측벽들이 덮이지 않은 상기 절삭부(100)의 일부분일 수 있다. 상기 돌출부(105)는 실질적으로 균일한 폭(H2)을 가지는 영역(107)을 포함할 수 있다. 상기 영역(107)은 상기 지지부(110,115)와 인접할 수 있다. 상기 영역(107)의 폭(H2)은 상기 영역(107)의 양 측면들 사이의 거리일 수 있다. 상기 영역(107)의 폭(H2)은 1㎛~70㎛ 이하일 수 있다. 상기 돌출부(105)의 끝단은 라운드된 형태일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 돌출부(105)의 전체가 실질적으로 균일한 폭을 가질 수 있다. 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 지지부(110,115)의 끝단으로부터 상기 돌출부(105)가 돌출된 길이일 수 있다. 즉, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 지지부(110,115)의 끝단으로부터 상기 돌출부(105)의 끝단까지의 높이일 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)가 웨이퍼(10)를 절단할 때, 상기 웨이퍼(10)는 상기 돌출부(105)에 의해서 절단될 수 있으며, 상기 지지부(110)는 상기 웨이퍼(10)를 절단하는데 직접적으로 관여하지 않을 수 있다. 도2b에 도시된 것처럼, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 절단되는 상기 웨이퍼(10)의 두께(H3)보다 작은 값을 가질 수 있다. 이 경우에, 상기 웨이퍼(10)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 일부만 절단될 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해 일부만 절단된 상기 웨이퍼(10)는 브레이킹 공정(Breaking process)에 의해서 완전히 절단될 수 있다. 이와 달리, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 절단되는 상기 웨이퍼(10)의 두께(H3)와 동일하거나 더 큰 값을 가질 수 있다. 이 경우에, 상기 웨이퍼(10)는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)에 의해서 완전히 절단될 수 있다.
상기 웨이퍼 다이싱 장비는 길이 유지 장치(140)을 더 포함할 수 있다. 도5는 도4의 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 취해진 단면도이다. 도5를 참조하면, 상기 길이 유지 장치(140)은 몸체부(143), 센서(145) 및 식각 유닛(147)을 포함할 수 있다. 상기 몸체부(143)는 상기 절삭부(100)의 돌출부(105)와 맞물리도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체부(143)는 깊이(H4) 및 폭(H5)을 갖는 리세스 영역을 포함할 수 있다. 상기 리세스 영역의 폭(H5)는 상기 돌출부(105)의 상기 영역(107)의 폭(H2)보다 클 수 있다. 또한, 상기 리세스 영역의 폭(H5)은 상기 절삭부(105) 및 지지부(110,115)를 포함하는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)의 폭보다는 작을 수 있다.
상기 센서(145)는 상기 절삭부(100)의 돌출부(105)의 끝단과 인접하는 상기 리세스 영역의 일면에 배치될 수 있다. 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)의 반복된 사용에 의하여 상기 돌출부(105)가 마모되어서, 상기 돌출부(105)의 길이(H1)가 줄어들었을 때, 상기 센서(145)는 상기 돌출부(105)로부터의 거리를 감지하여 상기 길이 유지 장치(140)를 이동시킬 수 있다. 상기 길이 유지 장치(140)의 이동에 의해 상기 돌출부(105)의 끝단과 상기 센서(145) 사이의 거리가 실질적으로 일정하게 유지될 수 있다.
상기 식각 유닛(147)은 상기 지지부(110)와 인접한 상기 몸체부에 배치될 수 있다. 상기 센서(145)가 상기 돌출부(105)의 끝단으로부터의 거리를 감지하여 상기 길이 유지 장치(140)를 이동시킬 때, 상기 식각 유닛(147)에 상기 지지부(110)가 접하게 되면, 상기 식각 유닛(147)은 상기 지지부(110)를 식각할 수 있다. 따라서 상기 길이 유지 장치(140)는 마모로 인하여 상기 돌출부(105)의 길이(H1)가 감소할 때, 상기 지지부(140)의 일부를 식각하여 상기 돌출부(105)의 길이(H1)를 실질적으로 균일하게 유지할 수 있다.
도6은 본 발명의 개념에 의한 일 실시 예에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 구비하는 웨이퍼 다이싱 장비를 사용하는 웨이퍼 다이싱 공정을 설명하기 위한 순서도이다.
도5 및 도6을 참조하면, 웨이퍼(10)가 받침부(130)에 로딩될 수 있다(S10). 로딩된 상기 웨이퍼(10)는 척(137)에 의해서 정렬될 수 있다(S20). 상기 웨이퍼(10)를 정렬하는 것에 의해서 본 발명의 개념에 의한 일 실시 예에 따라 형성된 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)가 상기 웨이퍼(10)내의 스크라이브 래인(Scribe lane)을 절단할 수 있다. 상기 정렬된 웨이퍼(10)는 상기 받침부(130)에 포함된 다이싱 접착 테이프(133)에 의해서 고정될 수 있다. 따라서 다이싱 접착 테이프(133)는 웨이퍼 절단 공정 중에 상기 웨이퍼(10)가 이동하여 스크라이브 래인(Scribe lane)이외의 영역이 절단되는 것을 최소화할 수 있다.
그 후에 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 이용하는 웨이퍼 절단 공정에 의해 상기 웨이퍼(10)를 복수의 칩들로 분리할 수 있다(S30). 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 고속으로 회전시키는 것에 의해서 상기 웨이퍼(10)를 절단할 수 있다. 상기 웨이퍼(10)를 절단하는 공정은 듀얼 단계(Dual step)로 진행될 수 있다. 이 경우에, 첫번째 단계에서는 일반적인 웨이퍼 다이싱 블레이드를 이용하여 상기 웨이퍼(10)의 두께(H3)의 절반 두께를 절단하고, 두번째 단계에서 본 발명의 개념에 의한 실시 예들에 따른 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 이용하여 상기 웨이퍼(10)를 절단할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 첫번째 단계는 생략될 수 있다.
이와 달리, 상기 웨이퍼(10)를 절단하는 공정은 첫번째 단계에서 본 발명의 개념에 의한 실시 예들에 따른 웨이퍼 다이싱 블레이드(200)를 이용하여 상기 웨이퍼(10)의 일부를 절단하고, 브레이킹 공정(Breaking process)에 의해서 상기 웨이퍼(10)를 완전히 절단할 수 있다.
상기 절단된 웨이퍼(10)를 세정하여 상기 웨이퍼(10)가 절단되면서 발생한 찌꺼기 및 분진 등을 제거할 수 있다(S40). 상기 세정 공정은 탈이온수 등을 상기 웨이퍼(10)에 분사하는 방식에 의해서 수행될 수 있다. 그 후에 절단된 상기 웨이퍼(10)를 상기 받침부(130)로부터 언로딩할 수 있다(S50).
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명은 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수도 있다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 웨이퍼 100: 절삭부
105: 돌출부 110,115: 지지부
120: 회전틀 130: 받침부
140: 길이 유지 장치

Claims (10)

  1. 서로 대향하는 제1 측벽 및 제2 측벽을 갖는 절삭부; 및
    상기 제1 및 제2 측벽들을 덮는 지지부를 포함하되,
    상기 절삭부는 상기 지지부의 일단보다 돌출된 부분을 갖고, 상기 돌출된 부분은 균일한 폭을 갖는 영역을 포함하고,
    상기 지지부는 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질을 포함하는 웨이퍼 다이싱(Dicing) 블레이드.
  2. 제1항에 있어서,
    웨이퍼가 상기 돌출된 부분에 의해서 절단되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱(Dicing) 블레이드.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 물질은 니켈을 포함하는 웨이퍼 다이싱(Dicing) 블레이드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 제1 측벽을 덮는 제1 부분, 및 상기 제2 측벽을 덮는 제2 부분을 포함하되,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 서로 연결되어 일체를 이루는 웨이퍼 다이싱(Dicing) 블레이드.
  6. 웨이퍼가 로딩(loading)되는 면을 갖는 받침부;
    상기 받침부의 상부에 배치되고 회전 가능한 회전틀; 및
    상기 회전틀에 장착된 웨이퍼 다이싱 블레이드을 포함하되,
    상기 웨이퍼 다이싱 블레이드는:
    서로 대향하는 제1 측벽 및 제2 측벽을 포함하는 절삭부; 및
    상기 제1 및 제2 측벽들을 덮는 지지부를 포함하고,
    상기 절삭부는 상기 지지부의 일단보다 돌출된 부분을 가지며, 상기 돌출된 부분은 균일한 폭을 갖는 영역을 포함하고,
    상기 제1 측벽을 덮는 상기 지지부의 일부분과 상기 제2 측벽을 덮는 상기 지지부의 다른 일부분은 서로 연결되어 일체를 이루는 웨이퍼 다이싱 장비.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 회전틀은 상기 지지부의 상기 일부분에 직접 연결되는 웨이퍼 다이싱 장비.
  8. 삭제
  9. 웨이퍼가 로딩(loading)되는 면을 갖는 받침부;
    상기 받침부의 상부에 배치되고 회전 가능한 회전틀; 및
    상기 회전틀에 장착된 웨이퍼 다이싱 블레이드을 포함하되,
    상기 웨이퍼 다이싱 블레이드는:
    상기 회전틀에 직접 연결되는 제1 측벽 및 상기 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽을 갖는 절삭부; 및
    상기 제2 측벽을 덮는 지지부를 포함하고,
    상기 절삭부는 상기 지지부의 일단보다 돌출된 부분을 가지며, 상기 돌출된 부분은 균일한 폭을 갖는 영역을 포함하고,
    상기 지지부는 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질을 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비.
  10. 제6항에 있어서,
    리세스 영역을 포함하는 길이 유지 장치를 더 포함하되, 상기 리세스 영역의 폭은 상기 절삭부의 상기 균일한 폭을 갖는 영역의 폭보다 더 크고, 상기 절삭부 및 상기 지지부를 포함하는 상기 웨이퍼 다이싱 블레이드의 폭보다는 작은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 장비.
KR1020100065538A 2010-07-07 2010-07-07 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비 KR101739943B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100065538A KR101739943B1 (ko) 2010-07-07 2010-07-07 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비
US13/177,167 US8757134B2 (en) 2010-07-07 2011-07-06 Wafer dicing blade and wafer dicing apparatus including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100065538A KR101739943B1 (ko) 2010-07-07 2010-07-07 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120004843A KR20120004843A (ko) 2012-01-13
KR101739943B1 true KR101739943B1 (ko) 2017-05-25

Family

ID=45438702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100065538A KR101739943B1 (ko) 2010-07-07 2010-07-07 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8757134B2 (ko)
KR (1) KR101739943B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102273359B1 (ko) 2020-12-04 2021-07-06 (주)네온테크 다이싱 장치, 그 제조방법 및 스텝컷된 전자 부품칩의 검사방법
KR20210090776A (ko) 2020-01-10 2021-07-21 전북대학교산학협력단 반도체 웨이퍼 절삭 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 절삭 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017087353A (ja) * 2015-11-10 2017-05-25 株式会社ディスコ 電着砥石の製造方法
JP7032861B2 (ja) * 2017-03-06 2022-03-09 株式会社東京精密 切断用ブレード及びその製造方法
JP6955918B2 (ja) * 2017-07-03 2021-10-27 株式会社ディスコ 基板の加工方法
JP7408232B2 (ja) * 2019-06-11 2024-01-05 株式会社ディスコ 環状の砥石の製造方法
KR102484237B1 (ko) * 2020-11-06 2023-01-04 ㈜토니텍 반도체 패키지용 마운터 커팅장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009274172A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1046737A (en) * 1911-09-13 1912-12-10 John F Conklin Removable saw-tooth for metal-cutting saws.
US3016661A (en) * 1959-11-02 1962-01-16 Waldemar C Nidlsen Cutting device
US3122030A (en) * 1960-08-23 1964-02-25 Super Cut Method of assembling a rotary saw blade with peripheral diamond teeth
US3146561A (en) * 1961-05-01 1964-09-01 Frederick W Lindblad Circular saw and method of making the same
FR1427278A (fr) * 1964-02-04 1966-02-04 Inm Ind Corp Disque à bord de coupe intérieur et son procédé de fabrication
US3271911A (en) * 1964-04-20 1966-09-13 Kennametal Inc Abrasive wheel
US3553905A (en) * 1967-10-10 1971-01-12 Jerome H Lemelson Tool structures
US4180048A (en) * 1978-06-12 1979-12-25 Regan Barrie F Cutting wheel
JPS58165965A (ja) * 1982-03-25 1983-10-01 Asahi Daiyamondo Kogyo Kk 内周形ダイヤモンド切断砥石
US4787362A (en) * 1986-10-20 1988-11-29 Thermocarbon, Inc. Abrasive blade having a polycrystalline ceramic core
JP3008560B2 (ja) 1991-06-28 2000-02-14 日本電気株式会社 研削切断装置
JPH0539862U (ja) * 1991-11-06 1993-05-28 豊田工機株式会社 セグメント砥石
US5588419A (en) * 1994-12-16 1996-12-31 Dynatex International Semiconductor wafer hubbed saw blade
TW316868B (ko) * 1994-12-28 1997-10-01 Norton Co
DE19653975A1 (de) * 1995-12-31 1997-10-30 Kimiko Sueta Trennscheibe
US6024635A (en) * 1996-11-22 2000-02-15 Specialty Sales, Inc. Rotary drum tool
KR100231087B1 (ko) 1997-02-14 1999-11-15 윤종용 웨이퍼 절단용 브레이드 및 그의 제조 방법
JPH1110549A (ja) 1997-06-25 1999-01-19 Sony Corp 切削ブレード
US20030136394A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Texas Instruments Incorporated Dicing saw having an annularly supported dicing blade
US6855039B2 (en) * 2002-04-23 2005-02-15 David L. Vidmore Stabilizing collar for a concrete saw blade
KR100764912B1 (ko) * 2005-04-21 2007-10-09 이화다이아몬드공업 주식회사 절삭공구용 절삭팁 및 절삭공구
JP4885553B2 (ja) * 2006-01-31 2012-02-29 セイコーインスツル株式会社 ダイシング方法及びダイシング装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009274172A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210090776A (ko) 2020-01-10 2021-07-21 전북대학교산학협력단 반도체 웨이퍼 절삭 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 절삭 방법
KR102273359B1 (ko) 2020-12-04 2021-07-06 (주)네온테크 다이싱 장치, 그 제조방법 및 스텝컷된 전자 부품칩의 검사방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120004843A (ko) 2012-01-13
US8757134B2 (en) 2014-06-24
US20120009026A1 (en) 2012-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101739943B1 (ko) 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비
EP1887613B1 (en) Method for manufacturing bonded wafer and outer-peripheral grinding machine of bonded wafer
US7560362B2 (en) Cutting method for substrate
JP5068705B2 (ja) 加工装置のチャックテーブル
JP2012069747A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US6933211B2 (en) Semiconductor device whose semiconductor chip has chamfered backside surface edges and method of manufacturing the same
KR101580924B1 (ko) 웨이퍼 분할 장치 및 웨이퍼 분할 방법
JP2009166150A (ja) ウェハの製造方法
EP1022778A1 (en) Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
US6731012B1 (en) Non-planar surface for semiconductor chips
KR100546355B1 (ko) 국부 단차 형성용 삽입 패드를 구비하는 ｃｍｐ 장치
JP6256227B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20090155981A1 (en) Method and apparatus for singulating integrated circuit chips
JP5864824B2 (ja) 半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具
KR20210030877A (ko) 웨이퍼의 연삭 방법
KR101103137B1 (ko) 패드 컨디셔너 및 그 제조 방법
JP4564351B2 (ja) 半導体ウェーハの分割方法、研削装置および半導体ウェーハ分割システム
US7131901B2 (en) Polishing pad and fabricating method thereof
KR101971059B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
JP7364114B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US9011632B2 (en) Support disk fixing apparatus, manufacturing method for a semiconductor device using this apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus
JP2019077018A (ja) 被加工物の加工方法
JP2019077019A (ja) 被加工物の加工方法
JP4294265B2 (ja) 検査用チップサイズパッケージ基板
JPH03148124A (ja) ウェハの保持機構

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant