KR100231087B1 - 웨이퍼 절단용 브레이드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼와 직접 접촉하여 절단이 이루어지는 다층 다이어몬드(diamond) 접착층을 갖는 브레이드 및 그의 제조 방법을 제공하여 웨이퍼 절단 공정에서 발생하는 불량을 제거하고 브레이드의 수명을 증가시키는 것에 관한 것으로서, 회전축에 장착될 수 있도록 원판형으로 이루어진 브레이드 몸체의 외곽 주변에 다이어몬드 입자를 내재하여 형성되는 니켈 도금층을 다층 구조로 형성하고 각각의 니켈 도금층이 각기 다른 경도를 갖도록 하는 한편, 서로 다른 크기의 다이어몬드 입자의 크기를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드 및 그의 제조 방법을 제공하여 브레이드의 수명 연장 및 웨이퍼에서 발생하는 칩핑 불량을 방지할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 절단용 브레이드 및 그의 제조 방법(Dicing Blade for wafer sawing and method for manufacturing thereof)
본 발명은 반도체 제조 공정 중 웨이퍼(wafer)를 개별 소자로 분리하는 웨이퍼 절단용 브레이드(blade)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼와 직접 접촉하여 절단이 이루어지는 다층 다이어몬드(diamond) 접착층을 갖는 브레이드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
통상적인 반도체 소자 제조 공정에서는 웨이퍼 상에 다수 개의 반도체 소자를 형성하고, 그 소자들을 분리하기 위하여 웨이퍼 소잉(wafer sawing) 공정을 진행하게 된다. 이때 그 웨이퍼에 형성된 스크라이브 라인(scribe line)을 절단하여 각 소자들을 분리하는 도구가 바로 웨이퍼 절단용 브레이드이고, 이와 같은 브레이드 및 웨이퍼 절단 공정에 관한 것은 공지 기술로 잘 알려져 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 의한 웨이퍼 절단용 브레이드의 구조에 관하여 설명하고자 한다.
도 1은 일반적인 웨이퍼 절단용 브레이드 몸체를 나타내는 측면도이다.
도 2는 도 1의 A부분에 다이어몬드 접착층이 형성된 상태의 단면도이다.
도 3은 종래 기술에 의한 브레이드의 끝 부분에서 불량이 발생한 모양을 나타내는 단면도이다.
도 1과 도 2를 참조하면, 일반적인 웨이퍼 절단용 브레이드는 원판 형태의 브레이드 몸체(110)의 외곽 둘레에 다이어몬드 입자(114)들이 니켈(Nickel; Ni) 도금층(116)으로 내재되도록 형성된 다이어몬드 접착층(120)이 형성되어 있는 구조로서, 다이어몬드 접착층(120)의 최외곽 부분이 브레이드 몸체(110)로부터 돌출되어 있다. 이에 의해 웨이퍼 절단 공정시 웨이퍼와 직접 접촉되는 부분은 경도(hardness)가 가장 우수하여 마모가 극히 적은 다이어몬드 접착층(120)이 된다.
이와 같은 웨이퍼 절단용 브레이드를 제조하기 위해서는 먼저 원판형의 브레이드 몸체(110)를 제작하여 그 브레이드 몸체(110)의 외곽 둘레에 다이어몬드 부착 도금을 실시하여 다이어몬드 접착층(120)을 형성한다. 그리고, 브레이드 몸체(110)의 외곽 부분에 대한 연마 및 가공 공정을 진행하여 일정한 둘레를 갖도록 하고, 다이어몬드 접착층(120)을 브레이드 몸체(110)로부터 돌출시키는 가공 공정을 진행하며, 드레싱(dressing)공정을 진행하여 노출된 다이어몬드 접착층(120)이 일정한 형상을 갖도록 하면 브레이드의 제조가 완료된다.
종래의 브레이드를 이용하여 웨이퍼 절단 공정을 진행하는 경우 도 3에서와 같이 다이어몬드 접착층(120)의 가운데 부분이 웨이퍼와 다이어몬드 접착층(120)의 마찰로 인하여 니켈 도금층(116)으로 고정된 다이어몬드 입자(114)들 중 일부분이 떨어져나가 다이어몬드 접착층(120)의 일부분이 오목하게 들어간 홈(18)이 발생될 수 있다. 도 3에서는 다이어몬드 접착층(120)의 가운데 부분에 오목하게 홈(18)이 형성되어 있다.
이와 같이 브레이드의 다이어몬드 접착층(120) 말단에 발생되는 홈(18)은 웨이퍼 절단 공정시 칩핑(chipping) 현상을 유발하며, 브레이드의 수명을 단축시키는 단점을 갖고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 절단시 다이어몬드 접착층에서 발생하는 칩핑 현상 및 브레이드 수명 단축을 개선하기 위하여 다층 구조의 다이어몬드 접착층을 갖는 웨이퍼 절단용 브레이드 및 그의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
도 1은 일반적인 웨이퍼 절단용 브레이드 몸체를 나타내는 측면도.
도 2는 도 1의 A부분에 다이어몬드 접착층이 형성된 상태의 단면도.
도 3은 종래 기술에 의한 브레이드의 끝 부분에서 불량이 발생한 모양을 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 브레이드의 제 1실시예의 주요 부분을 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 브레이드의 제 2실시예의 주요 부분을 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에 의한 브레이드의 제 2실시예의 주요 부분을 나타낸 단면도.
도 7과 도 8은 각각 본 발명에 의한 브레이드의 제 4실시예와 제 5실시예의 주요 부분을 나타낸 단면도.
* 도면의 주요 부호에 대한 설명
10,100 : 브레이드 몸체
14,40,42,44,45,50,52,54,71,72,73,114 : 다이어몬드 입자
16,32,33,34,35,56,57,58,61,62,63,64,65,116 : 니켈 도금층
18: 홈 20 : 다이어몬드 접착층
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 절단용 브레이드는 회전축에 장착될 수 있도록 원판형으로 이루어진 웨이퍼 절단용 브레이드 몸체와 그 브레이드 몸체의 외곽 둘레 상부면에 도금되어 형성되는 다이어몬드 접착층을 갖는 웨이퍼 절단용 브레이드에 있어서, 상기 다이어몬드 접착층은 브레이드 몸체에 도금되어 형성되며 제 1다이어몬드 입자를 내재하는 제 1니켈 도금층과, 그 제 1니켈 도금층의 상면에 제 2다이어몬드 입자를 내재하는 제 2니켈 도금층, 및 제 2니켈 도금층의 상면에 형성되며 제 3다이어몬드 입자를 내재하는 제 3니켈 도금층을 포함하며, 제 2니켈 도금층이 제 1니켈 도금층과 제 3니켈 도금층보다 경도가 높은 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 절단용 브레이드의 제조 방법은 웨이퍼를 절단하기 위한 원판형의 브레이드 몸체를 준비하는 단계, 브레이드 몸체 외곽 주변에 제 1다이어몬드 입자가 포함된 제 1니켈 도금층을 도금하는 단계, 제 1니켈 도금층 상면에 상기 제 1니켈 도금층보다 경도가 높으며 제 2다이어몬드 입자가 포함된 제 2니켈 도금층을 도금하는 단계, 및 제 2니켈 도금층 상면에 제 2니켈 도금층의 경도보다 낮으며 제 3다이어몬드 입자가 포함된 제 3니켈 도금층을 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 관하여 좀더 상세하게 설명하고자 한다.
도 4는 본 발명에 의한 브레이드의 제 1실시예의 주요 부분을 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 제 1실시예로서의 본 발명에 의한 브레이드는 원판형의 브레이드 몸체(10)의 외곽 주변 상면에 다이어몬드 접착층(20)이 형성되어 있는 구조이다. 여기서 다이어몬드 접착층(20)은 브레이드 몸체(10)의 상부면에 다이어몬드 입자(44)가 내재된 제 1니켈 도금층(32)이 형성되어 있고, 제 1니켈 도금층(32) 상면에 다이어몬드 입자(42)가 내재된 제 2니켈 도금층(33)이 형성되어 있으며, 제 2니켈 도금층(33)의 상면에 다이어몬드 입자(40)가 내재된 제 3니켈 도금층(34)이 형성되어 있는 구조이다. 제 1니켈 도금층(32)과 제 3니켈 도금층(34)은 동일한 경도를 가지며, 제 2니켈 도금층(33)의 경도는 제 1니켈 도금층(32)의 경도 보다 높은 경도를 갖는다. 그리고, 각 니켈 도금층(32,33,34)에 내재되는 다이어몬드 입자(40,42,44)는 미세한 입자 형태로서 같은 크기의 입도(粒度)를 갖는다.
제 1실시예로서의 본 발명에 의한 웨이퍼 절단용 브레이드는 웨이퍼 절단 공정시 직접 접촉이 이루어지는 다이어몬드 접착층이 같은 입도를 가지며 3층으로 이루어진 니켈 도금층으로 이루어진 구조이다. 가운데 층인 제 2니켈 도금층(33)의 경도를 제 1니켈 도금층(32)과 제 3니켈 도금층(34)보다 경도를 강하도록 구성되어 있어서 제 2도금층(33)에 내재되어 있는 다이어몬드 입자(42)가 웨이퍼와의 접촉에도 잘 떨어지지 않게 된다.
이와 같은 본 발명에 의한 웨이퍼 절단용 브레이드는 다이어몬드 입자를 니켈 도금액에 넣고 교반하면서 니켈 도금하는 일반적인 복합 도금법을 이용할 수 있다. 니켈 도금은 다른 도금에 비하여 경도가 강하고 인성이 좋기 때문에 다이어몬드 공구 제작에 널리 이용되고 있는 것으로서, 니켈 도금의 물성은 피삭제를 절단하는 데에 있어서 다이어몬드 다음으로 중요한 요소이며 그 물성은 여러 가지 방법에 의해서 조절될 수 있다. 현재, 도금층의 물성과 경제성을 고려하여 경도를 강화하기 위한 많은 종류의 도금액과 도금 첨가재가 개발되어져 있다.
니켈 도금을 적용하는 다이어몬드 공구 제조에서 사용되는 도금액은 크게 Watt's Bath와 Ni-Sulfamate Bath 등 두 종류가 이용되고 있으며, 그 밖의 도금액은 물성과 경제성에 있어서 적합하지 않다. 도금층의 물성은 주로 첨가재에 의해서 조절되며, 기능성 도금인 경우에는 대부분이 경도, 연성, 및 인성 등의 물성에 초점이 맞추어지며, 장식 도금인 경우에는 광택성과 부식성에 초점이 맞추어진다. 이때, 공통적으로 도금 불량이 발생하지 않도록 넓은 범위에서도 일정하고 안정된 도금이 이루어질 수 있는 도금 조건을 설정하는 데에 주안점을 두고 있다.
Watt's Bath에서는 도금액에 아무런 첨가재를 넣지 않고 통상적인 도금조건에서 도금했을 경우에 경도(Hv)가 200-250 정도인 반면에, 사카린이 0.3g/l 이상만 첨가되면 경도가 500-550으로 상승되며, 도금층의 응력도 인장응력에서 압축응력으로 전환된다. 니켈-설파매이트(Ni-sulfamate) 도금액에 있어서도 첨가재 제조사가 개발한 첨가재를 첨가함으로써 도금층의 경도를 200 전후에서 550 전후로 상승시킬 수 있다. 이때 도금 조건에 의해서도 경도변화를 증감시킬 수 있다. 이러한 도금층의 경도 상승은 도금층의 응력과 취성을 증가시키며, 연성과 인성을 크게 떨어 뜨린다. 따라서, 원하는 도금층의 물성을 얻기 위해서는 모든 물성을 종합해서 결정된다.
도 4에 도시된 바와 같은 제 1실시예의 브레이드는 준비된 원판형의 브레이드 몸체에 제 1니켈 도금층(32)을 형성하고 그보다 큰 경도의 제 2니켈 도금층(33)을 형성한 후에 제 1니켈 도금층(32)과 동일한 경도를 갖는 제 3니켈 도금층(34)을 형성한다. 이때, 다이어몬드 입자(40,42,44)가 내재된 경도가 다른 각각의 니켈 도금층(32,33,34)은 전술한 바와 같이 니켈 도금액 속에 넣는 첨가재의 양 및 종류를 달리함으로써 얻어질 수 있다.
여기서, 웨이퍼 절단용 브레이드의 다이어몬드 접착층의 두께는 웨이퍼에 형성된 스크라이브 라인의 폭을 따라서 절단하기에 적합하도록 통상적으로 1.2mil 내지 2.0mil의 두께이다. 그러므로, 제 1실시예의 브레이드는 각기 다른 니켈 경도의 니켈 도금층으로 다이어몬드 접착층을 형성하기 위해서 도금하고자 하는 니켈 도금층의 두께를 각각 나누어서 도금 공정을 실시한다. 예를 들어, 1.4mil의 두께를 갖는 다이어몬드 접착층을 얻고자 할 때에는 첫 번째 도금 공정에서 약 0.4mil의 두께를 갖도록 제 1니켈 도금층을 도금하고, 두 번째 도금 공정에서 경도가 상기 첫 번째 도금 공정보다 강한 니켈 도금법으로 약 0.6mil의 두께를 갖도록 제 2니켈 도금층을 도금하고, 마지막으로 상기 첫 번째 공정을 되풀이하여 약 0.4mil의 두께를 갖도록 제 3니켈 도금층을 도금하는 방법을 사용한다. 이는 상기 전술한 도금 공정을 적용하는 방법으로서 도금액에 첨가하는 첨가재의 양을 조절하는 방법을 이용하여 각기 다른 니켈 경도를 갖는 니켈 도금층을 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명에 의한 브레이드의 제 2실시예의 주요 부분을 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, 제 2실시예로서의 본 발명의 브레이드는 원판형의 브레이드 몸체(10)와 다이어몬드 접착층(20)을 포함한다. 다이어몬드 접착층(20)은 브레이드 몸체의 외곽 부분의 상부면에 제 1다이어몬드 입자(54)가 내재된 제 1니켈 도금층(56)이 형성되어 있고, 그 제 1니켈 도금층(56)의 상면에 제 2다이어몬드 입자(52)가 내재된 제 2니켈 도금층(57)이 형성되어 있으며, 그 제 2니켈 도금층(57)의 상면에 제 3다이어몬드 입자(50)가 내재된 제 3니켈 도금층(58)이 형성되어 있는 구조이다. 제 1다이어몬드 입자(54)와 제 3다이어몬드 입자(50)는 같은 크기의 입도를 갖고 있으며 제 2다이어몬드 입자(52)는 제 1다이어몬드 입자(54)보다 입도 크기가 크다.
이와 같은 구조의 다이어몬드 접착층(20)을 형성하기 위해서는 상기 전술한 바와 같은 니켈 도금 방법을 적용하며, 단지 니켈 도금시 3차로 나누어 각기 다른 입도를 갖는 다이어몬드를 투입하는 방법으로 형성할 수 있다.
다이어몬드는 오랜 시간에 걸쳐서 자연적으로 형성된 천연 다이어몬드와 사람이 만든 인공 다이어몬드로 크게 나눌 수 있다. 인공 다이어몬드는 물성 및 형상을 어느 정도 공구의 특성에 맞게 제조할 수 있다. 웨이퍼 절단용 브레이드에서는 다이어몬드 등의 물성 뿐만 아니라, 입도(다이어몬드의 크기) 및 그 분포 등도 중요하다. 즉, 브레이드의 마모율과 웨이퍼 절단과의 관계는 다이어몬드의 집중도(단위 부피당 다이어몬드의 양)가 같을 경우 마모율은 다이어몬드의 입도에 좌우하게 된다. 이는 다이어몬드 입자와 니켈 도금층과 결합력에 있어서 다이어몬드의 입도가 클수록 니켈 도금층과의 결합되는 다이어몬드의 힘이 강하게 된다. 또한, 다이어몬드와 니켈 도금층간의 결합하는 힘(다이어몬드를 잡아 주는 힘)이 강할수록 다이어몬드의 탈락이 잘 일어나지 않기 때문에 마모율이 작다. 그리고, 경도가 같을 경우에는 다이어몬드의 집중도가 높을수록 마모율은 작다. 그러나, 다이어몬드의 집중도가 너무 높은 경우에는 오히려 니켈 도금층과 결합하는 본드의 양이 너무 적기 때문에 부스러지는 역효과로 수명이 극히 짧은 경우도 있다.
그러므로, 제 2실시예로서의 본 발명의 브레이드는 다이어몬드의 집중도를 높이지 않고 다이어몬드의 입도가 큰 다이어몬드 입자를 내재하는 니켈 도금층을 다이어몬드 접착층의 중간에 형성하여 웨이퍼 절단시 많은 마찰이 많이 일어나는 부위를 강화할 수 있다. 이에 의해 브레이드의 수명 증가와 칩핑 현상이 줄어드는 효과를 얻을 수 있다.
도 6은 본 발명에 의한 브레이드의 제 2실시예의 주요 부분을 나타낸 단면도이다.
도 6에 도시된 제 3실시예로서의 본 발명의 브레이드는 앞서 소개한 제 1실시예와 제 2실시예의 브레이드를 복합한 형태로서, 원판형의 브레이드 몸체(10) 외곽 부분의 상부면에 제 1다이어몬드 입자(54)가 내재되어 있는 제 1니켈 도금층(56)이 형성되어 있고, 그 제 1니켈 도금층(56) 상면에 제 1다이어몬드 입자(54)보다 큰 제 2다이어몬드 입자(52)가 내재되어 있으며 제 1니켈 도금층(56)보다 큰 경도를 갖는 제 2니켈 도금층(57)이 형성되어 있으며, 그 제 2니켈 도금층(57)의 상면에 제 1다이어몬드 입자(54)와 같은 입도를 갖는 제 3다이어몬드 입자(50)가 내재되어 있으며 제 1니켈 도금층(56)과 같은 경도를 갖는 제 3니켈 도금층(58)이 형성되어 있는 다이어몬드 접착층(20)을 갖는 구조이다. 이와 같은 다이어몬드 접착층은 상기 전술한 도금 방법을 적용하여 순차적으로 각기 다른 도금액에서 실시하는 간단한 방법으로 형성할 수 있다.
도 7과 도 8은 각각 본 발명에 의한 브레이드의 제 4실시예와 제 5실시예의 주요 부분을 나타낸 단면도이다.
도 7과 도 8에 도시된 실시예의 브레이드는 일정한 크기의 다이어몬드 입자(45)가 내재되어 있으며 경도가 다른 니켈 도금층들(61,62,63,64,65)이 5개의 층으로 다이어몬드 접착층(20)을 구성하는 형태와, 동일한 경도를 갖는 5층의 니켈 도금층(35)들의 내부에 입도가 다른 다이어몬드 입자들(71,72,73)이 중앙부의 층으로 갈수록 입도가 크도록 다이어몬드 접착층(20)을 구성된 형태로서, 이의 구조 및 형성 방법은 상기 전술한 예와 유사하여 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있으므로 이의 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이상과 같은 본 발명에 의한 웨이퍼 절단용 브레이드와 그 제조 방법에 따르면, 다이어몬드 접착층을 다층 니켈 도금층으로 구성하고 웨이퍼와의 접촉에 의해 다이어몬드 입자들이 떨어져나가기 쉬운 중앙부의 니켈 도금층을 마찰에 의해 쉽게 떨어져나가지 않도록 하여 웨이퍼 절단시 발생하는 칩핑 현상을 감소시킬 수 있을 뿐만이 아니라 마모에 견디는 성질이 강하여 오래 쓸 수 있는 장점을 구비하고 있다.

Claims (12)

  1. 회전축에 장착될 수 있도록 원판형으로 이루어진 웨이퍼 절단용 브레이드 몸체와 상기 브레이드 몸체의 외곽 둘레 상부면에 도금되어 형성되는 다이어몬드 접착층을 갖는 웨이퍼 절단용 브레이드에 있어서, 상기 다이어몬드 접착층은 상기 브레이드 몸체에 도금되어 형성되며 제 1다이어몬드 입자를 내재하는 제 1니켈 도금층과, 상기 제 1니켈 도금층의 상면에 제 2다이어몬드 입자를 내재하는 제 2니켈 도금층, 및 상기 제 2니켈 도금층의 상면에 형성되며 제 3다이어몬드 입자를 내재하는 제 3니켈 도금층을 포함하며, 상기 제 2니켈 도금층이 상기 제 1니켈 도금층과 제 3니켈 도금층보다 경도가 높은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 2다이어몬드 입자의 입도 크기가 상기 제 1다이어몬드 입자 및 제 3다이어몬드 입자의 입도 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제 1다이어몬드 입자와 제 3다이어몬드 입자의 입도가 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제 1니켈 도금층의 경도와 제 3니켈 도금층의 경도가 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제 2다이어몬드 입자의 입도가 상기 제 1다이어몬드 입자 및 제 3다이어몬드 입자의 입도보다 크고, 상기 제 2니켈 도금층의 경도가 상기 제 1니켈 도금층과 제 3니켈 도금층의 경도보다 큰 것인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드.
  6. 제5항에 있어서, 제 1다이어몬드 입자와 제 3다이어몬드 입자의 입도가 동일하고, 상기 제 1니켈 도금층과 제 3니켈 도금층의 경도가 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드.
  7. 웨이퍼를 절단하기 위한 원판형의 브레이드 몸체를 준비하는 단계, 상기 브레이드 몸체 외곽 주변에 제 1다이어몬드 입자가 포함된 제 1니켈 도금층을 도금하는 단계, 상기 제 1니켈 도금층 상면에 상기 제 1니켈 도금층보다 경도가 높으며 제 2다이어몬드 입자가 포함된 제 2니켈 도금층을 도금하는 단계, 및 상기 제 2니켈 도금층 상면에 상기 제 2니켈 도금층의 경도도보다 낮으며 제 3다이어몬드 입자가 포함된 제 3니켈 도금층을 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제 2다이어몬드 입자의 입도가 상기 제 1다이어몬드 입자 및 제 3다이어몬드 입자의 입도보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제 1다이어몬드 입자와 제 3다이어몬드 입자의 입도가 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제 1니켈 도금층의 경도와 제 3니켈 층의 경도가 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 제 2다이어몬드 입자의 입도가 상기 제 1다이어몬드 입자 및 제 3다이어몬드 입자의 입도보다 크고, 상기 제 2니켈 도금층의 경도가 상기 제 1니켈 도금층과 제 3니켈 도금층의 경도보다 큰 것인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제 1다이어몬드 입자와 제 3다이어몬드 입자의 입도가 동일하고, 상기 제 1니켈 도금층과 제 3니켈 도금층의 경도가 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단용 브레이드의 제조 방법.
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