KR101731735B1 - 분할된 미러를 구비한 리소그래피 장치 - Google Patents

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Abstract

본원 발명에 따르면, 리소그래피 장치(100)가 개시되며, 상기 장치는, 적어도 2개의 미러 세그먼트들(210)을 가지며 상기 미러 세그먼트들이 사이공간(214)이 미러 세그먼트들(210) 사이에 형성되는 방식으로 서로 결합되는, 미러(200)와, 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 검출하기 위한 센서(220, 300)를 포함하고, 센서(220, 300)는 미러 세그먼트들(210) 사이의 사이공간(214) 내에 배열된다.

Description

분할된 미러를 구비한 리소그래피 장치{LITHOGRAPHY APPARATUS WITH SEGMENTED MIRROR}
관련 출원의 교차 참조
본 출원은 그 전체 기재가 참조로서 본원에 포함되는 독일 특허 출원 DE 10 2012 212 064.5(2012년 7월 11일 출원) 및 미국 특허 출원 US 61/670,215(2012년 7월 11일 출원)의 우선권을 청구한다.
본원 발명은 하나 이상의 분할된 미러를 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다.
예컨대, 리소그래피 장치는 예컨대, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판상에 마스크 내의 마스크 패턴을 결상하기 위해 집적 회로 또는 IC의 생산에서 사용된다. 따라서, 조명 장치에 의해 발생되는 광 비임이 마스크를 통해 기판상으로 지향된다. 복수의 광학 요소로 구성되는 노광 렌즈가 기판상으로 광 비임을 포커싱하는데 사용된다. 이러한 리소그래피 장치의 예는 특히, EUV(극자외) 리소그래피 장치로서, 4nm 내지 30nm 범위에 있는 노광을 위한 광학 파장으로 작동한다. 이러한 단파장으로 인해 웨이퍼 상에 매우 작은 구조를 결상하는 것이 가능해진다. 이 파장 범위 내의 광은 대기 가스에 의해 흡수되기 때문에, 이러한 EUV 리소그래피 장치의 비임 경로는 고도 진공에 위치된다. 또한, 언급된 파장 범위 내에서 충분하게 투과적인 재료가 존재하지 않는데, 이 때문에 미러들이 EUV 방사선을 성형하고 안내하기 위한 광학 요소로서 사용된다.
큰 개구수를 갖는 EUV 리소그래피 장치는 큰 직경을 갖는 미러를 요구한다. 따라서, 300 내지 500mm 이상의 직경이 웨이퍼 부근의 미러에 대해 요구된다. 하지만, 이러한 큰 직경을 갖는 미러는 생산에 많은 비용이 든다. 또한, 이러한 크기를 위한 소재(blank) 또는 반-완성된(semi-finished) 부품의 가용성은 그 한계에 직면하고 있다. 또한, 큰 미러 직경의 경우, 저변형 장착 및 작동이 더욱 어렵게 이루어진다. 이 문제를 해결하기 위한 하나의 가능성은 분할된 미러를 사용하는 것이다. 이 경우, 복수의 미러 세그먼트들이 함께 결합되어 미러를 형성한다. 그 결과, 미러의 크기는 더 이상 소재의 가용성에 의해 제한되지 않는다. 또한, 복수의 개별 미러 세그먼트들의 저변형 장착도 큰 직경을 갖는 일체형 미러의 저변형 장착보다 더 간단하다.
하지만, 이 경우 발생하는 어려움은 완성된 연마된 미러 세그먼트들을 함께 정밀하게 결합하는 것이다. 상이한 미러 세그먼트들은 함께 단일의 광학 표면을 생성하도록 의도되기 때문에, 표면 편차(surface deviation), 즉 미러 세그먼트들 사이의 높이 차이는 20nm를 넘으면 안 되지만, 이는 어려운 것으로 판명되었다. 이 경우, 모두 6 자유도(3개의 병진 및 3개의 회전)에 관한 모든 미러 세그먼트들의 위치를 결정하고 적절한 경우 그들을 액추에이터에 의해 재조정하는 것이 필요하다. 이는 예컨대, 4개의 미러 세그먼트들의 경우에 총 24개의 센서가 제공되어야 하며 이는 상당한 지출 및 공간 요구조건을 수반함을 의미한다.
미국 특허 출원 US 2011/0273694 A1은 다수의 개별 미러로 구성되는 패싯 미러를 개시하는데, 여기서 개별 미러들은 개별적으로 구동 가능하며 그들의 배향을 검출하기 위한 용량성 센서를 구비한다.
따라서, 본원 발명의 일 목적은 상술된 문제 중 적어도 하나를 해결할 수 있는 미러 배열을 포함하는 리소그래피 장치를 제공하는 것이다. 특히, 본원 발명의 일 목적은 공간 절약 및 미러 세그먼트들의 위치의 정밀한 조절을 가능하게 하는 분할된 미러 배열을 포함하는 리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
이 목적은 사이공간이 미러 세그먼트들 사이에 형성되는 방식으로 함께 결합되는 적어도 2개(예컨대, 2개 내지 12개)의 미러 세그먼트들을 구비하는 미러 및 상기 사이공간 내에 배열되어 미러 세그먼트들의 상대 위치를 검출하는 센서를 포함하는 리소그래피 장치에 의해 달성된다.
미러 세그먼트들 사이의 사이공간 내에 센서를 배열함으로써, 미러 세그먼트들의 상대 위치가 검출될 수 있으며 특히 공간 절약 방식으로 조절될 수 있다. 그 결과, 미러 외측에 각각의 미러 세그먼트들을 위한 복수의 센서를 제공하는 것이 더 이상 필수적이지 않다. 개별 미러 세그먼트들의 절대 위치를 검출하기 위해서, 예컨대 기준 미러 세그먼트들이 외부 센서에 의해 검출되거나 또는 기준 지점에 대해 고정됨으로써 기준 미러 세그먼트의 절대 위치가 공지되는 것으로 충분하다. 이때, 다른 미러 세그먼트들의 위치는 미러 세그먼트들 사이에 배열되는 센서들의 도움으로 검출될 수 있다. 이러한 기준 설정으로 인해, 소위 공통 모드 오류, 즉 모든 미러 세그먼트들에 대해 공통인 위치 오류를 검출할 수 있게 된다.
또한, 사이공간에 센서들을 배열함으로써, 현장 측정이 가능해지며, 그로 인해 미러 세그먼트들의 상대 위치의 매우 정밀한 측정이 가능해 진다. 개별 미러 세그먼트들의 위치는 측정 결과를 기초로 재조정될 수 있는데, 동시에 캘리브레이션(calibration)이 미러의 간섭 표면 측정(interferrometric surface measurement)을 기초로 수행될 수 있다.
미러 세그먼트들은 각각 적어도 하나의 결합 표면을 구비할 수 있으며, 이를 따라 미러 세그먼트들이 함께 결합된다. 또한, 결합 표면 중 적어도 하나에는 결절부가 제공될 수 있으며, 상기 절결부 내에는 센서가 배열된다. 이로 인해, 미러 세그먼트들 사이의 거리가 더욱 작아지도록 설계하는 것이 가능해지는데, 이는 센서가 절결부 내에 함몰되는 방식으로 배열될 수 있기 때문이다. 미러 세그먼트들 사이의 작은 거리로 인해, 단지 작은 간극만을 갖는 사실상 완전한 미러 표면을 달성할 수 있으며, 이는 미러의 결상 특성을 향상시킨다. 이 경우, "함께 결합"은 미러 세그먼트들이 서로 접촉하는 것을 반드시 의미하지는 않는다. 오히려, 미러 세그먼트들은 서로에 대해 접촉하지 않는 방식으로 배열되는 것이 유리하다. 이 경우, 결합 표면은 서로로부터 작은 거리에서 서로 대향하도록 배열되는 미러 세그먼트들의 표면들이다.
센서는 미러 세그먼트들 사이의 거리에 따라 센서 신호를 발생하는 용량성 센서일 수 있다. 이러한 용량성 센서는 예컨대, 미러 세그먼트들의 결합 표면상에서 서로 대향하게 위치되는 금속 전극에 의해 구현될 수 있다. 이 경우, 금속 전극은 얇은 금속층으로 구현될 수 있어서, 결합 표면 내에 센서가 함몰되지 않는 경우에도 미러 세그먼트들 사이의 작은 거리가 형성될 수 있다.
또한, 센서는 광학 센서로서 구현될 수도 있다. 광학 센서는 양호한 드리프트 거동을 갖는다.
광학 센서는 광학 인코더, 특히 간섭식 증분형 인코더(interference-based incremental encoder)로서 구현될 수 있다. 피코미터(picometer) 범위 내로의 측정 정확도가 이러한 인코더와 함께 달성될 수 있다.
리소그래피 장치는 센서를 구동하고 및/또는 센서 신호를 평가하기 위한 센서 제어기를 더 포함할 수 있는데, 신호는 센서 제어기와 센서 사이에서 적어도 부분적으로 무선으로 전송된다. 따라서, 첫째 공간 절약이 달성되고 두 번째로 진공을 손상시키는 신호 전송을 위한 케이블로부터의 증발(vapor)을 방지할 수 있다.
센서는 사이공간 내의 압력에 따른 센서 신호를 발생시키는 압력 센서일 수도 있는데, 이때 사이공간은 미러 세그먼트들의 상대 이동이 사이공간 내의 압력 변화를 유발하는 방식으로 구성된다. 이러한 압력 센서와 함께, 미러 세그먼트들의 위치 변화에 대한 센서 신호의 양호한 선형성을 달성하는 것이 가능하다.
리소그래피 장치는 또한 사이공간 내로 가스를 공급하기 위한 가스 공급 장치, 사이공간으로부터 상기 가스를 추출하기 위한 가스 추출 장치를 포함할 수 있다. 이러한 배열과 함께, 상기 가스는 우선적으로 또는 배타적으로 사이공간을 통과하며, 이로 인해 진공 조건 하에서의 사용이 가능해지며, 이는 EUV 리소그래피 장치에 특히 필요하다.
압력 센서는 예컨대, 음차(tuning fork)의 공진 주파수 및/또는 공진 주파수에서의 진동 진폭을 검출하기 위한 배열을 포함할 수 있다. 이 경우, 음차는 여기(excitation)에 의해 진동하도록 유발될 수 있는 2개의 진동 요소를 구비할 수 있는데, 공진 주파수에서의 진동 진폭 및/또는 음차의 공진 주파수는 사이공간 내의 압력 따라 결정된다. 이는 진동 요소들 사이의 간극의 폭이 진동 요소의 두께보다 10배 이상(one or more orders of magnitude) 작을 때 그리고 소위 스퀴즈 효과가 발생할 때 특히 그러하다. 이러한 압력 센서가 미세구조 엔지니어링에 의해 제조될 수 있으며 대응적으로 평평하게 설계될 수 있다. 이 경우, 진동 요소는 구조화 반도체 재료 또는 석영으로부터 제조될 수 있다. 압력 센서는 진동 요소가 진동하도록 유발할 수 있으며 음차의 공진 주파수 및/또는 공진 주파수에서의 진동 진폭을 검출하는데 사용될 수 있는 전극을 더 포함할 수 있다.
가장 간단한 실시예에서, 미러 세그먼트들 사이의 사이공간은 간극인데, 이때 센서는 상기 간극 내에 배열된다. 이 경우, 결합 표면은 센서를 수용하기 위한 임의의 특별한 구조가 형성될 필요가 없다. 그에 대한 대안으로서, 사이공간은 센서가 내부에 배열되는 채널을 포함할 수 있다. 이러한 채널은 미러 세그먼트들 중 하나의 적어도 하나의 결합 표면 내에 있는 특히, 사각형인 홈에 의해 형성될 수 있다. 이 경우, 홈은 결합 표면의 전체 길이에 걸쳐 연장할 수 있다. 이러한 홈은 다이아몬드 밀링 유닛 등을 이용한 밀링에 의해 비교적 간단하게 생산될 수 있다.
복수의 자유도에 관한 미러 세그먼트들의 상대 위치를 검출하기 위한 복수의 센서가 사이공간 내에 제공되는 것도 가능하다. 이 경우, 사이공간에 제공되는 센서는 예컨대, 3개의 병진 및 3개의 회전 자유도에 관한 미러 세그먼트들의 위치를 검출할 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 개별 미러 세그먼트들을 개별적으로 작동하기 위한 적어도 2개의 액추에이터를 포함할 수 있다. 따라서, 미러 세그먼트들의 위치는 서로에 대해 독립적으로 조절될 수 있다.
다른 예시적 실시예들이 첨부된 도면을 참조로 설명될 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 EUV 리소그래피 장치의 개략도를 도시한다.
도 2는 일 실시예에 따른 미러 배열체의 개략도를 도시한다.
도 3은 전개된 분해된 개략적 도면으로 미러 세그먼트들 중 2개를 개략적으로 도시한다.
도 4는 용량성 센서의 작동 원리를 개략적으로 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 하나의 미러 세그먼트들을 통과하는 zy 평면을 통과하는 단면을 도시한다.
도 6은 2개의 인접한 미러 세그먼트들을 통과하는 zy 평면을 통과하는 단면을 도시한다.
도 7은 제2 예시적 실시예에 따른 2개의 미러 세그먼트들의 사시도를 도시한다.
도 8은 센서 채널 내의 압력 센서의 배열 및 미러 세그먼트들을 통과하는 단면도를 도시한다.
도 9는 센서 채널 내로 가스를 도입하기 위한 배열의 사시도이다.
도 10은 압력 센서를 통과하는 단면도를 도시한다.
도 11은 압력 센서의 상위 커버 판이 도시를 위해 제거된 압력 센서의 평면도를 도시한다.
다르게 지시되지 않는다면, 도면 내의 동일한 도면 부호는 동일하거나 또는 기능적으로 동일한 요소를 지칭한다. 또한, 도면 내의 도시는 반드시 비율이 맞는 것은 아니라는 것이 이해되어야 한다.
도 1은 비임 성형 시스템(102), 조명 시스템(104) 및 투영 시스템(106)을 포함하는 일 실시예에 따른 EUV 리소그래피 장치(100)의 개략도를 도시한다. 비임 성형 시스템(102), 조명 시스템(104) 및 투영 시스템(106)은 각각의 경우에 소기 장치(더 상세하게 도시되지 않음)의 도움으로 소기될 수 있는 진공 하우징 내에 제공된다. 진공 하우징은 예컨대, 광학 요소를 기계적으로 이동시키고 및/또는 조정하기 위한 구동 장치가 제공되는 기계실(더 상세하게 도시되지 않음)에 의해 둘러싸인다. 또한, 전기 제어기 등도 상기 기계실 내에 제공될 수 있다.
비임 성형 시스템(102)은 EUV 광원(108), 시준기(110) 및 단색 분광기(112)를 포함한다. EUV 광원(108)으로서, 예컨대, EUV 범위(극자외 범위), 즉 예컨대 5nm 내지 20nm의 파장 범위 내의 방사선을 방출하는 플라즈마 소스 또는 싱크로트론을 제공하는 것이 가능하다. EUV 광원(108)으로부터 방출된 방사선은 우선 시준기(110)에 의해 포커싱되고 그 후 원하는 작동 파장이 단색 분광기(112)에 의해 필터링된다. 그 결과, 비임 성형 시스템(102)은 EUV 광원(108)에 의해 방출된 광의 공간적 분포 및 파장을 조정한다. EUV 광원(108)에 의해 발생되는 EUV 방사선(114)은 공기에 대해 상대적으로 낮은 투과율을 갖는데, 이 때문에, 비임 성형 시스템(102), 조명 시스템(104) 및 투영 시스템(106) 내의 비임 성형 공간이 소기된다.
도시된 실시예에서, 조명 시스템(104)은 제1 미러(116) 및 제2 미러(118)를 포함한다. 이들 미러(116, 118)는 예컨대, 동공 성형을 위한 패싯 미러로서 구현될 수 있으며 포토마스크(120) 상으로 EUV 방사선(114)을 유도할 수 있다.
포토 마스크(120)는 또한 반사성 광학 요소로 구현될 수 있으며 시스템(102, 104, 106) 외측에 배열될 수 있다. 포토마스크(120)는 투영 시스템(106)에 의해 축소되는 방식으로 웨이퍼(122) 등 상에 결상되는 구조를 갖는다. 이를 위해, 비임 안내 공간 내의 투영 시스템(106)은 예컨대, 제3 미러(124), 제4 미러(126)를 포함한다. EUV 리소그래피 장치(100)의 미러의 개수는 도시된 개수에 제한되지 않으며 더 많거나 적은 미러가 제공될 수도 있다. 또한, 미러는 비임 성형을 위해 그들의 전방측에서 대체로 만곡된다.
도 2는 예컨대, 도 1의 미러(126)에 대응하는 일 실시예에 따른 미러 배열(200)의 개략도이다. 미러 배열(200)은 예컨대, 4개의 미러 세그먼트들(210), 즉 미러 세그먼트들(210-1, 210-2, 210-3, 210-4)를 포함한다. 평면도에서, 미러 세그먼트들(210)은 각각 4분원의 형태를 갖는다. 미러 세그먼트들(210)은 그들이 결합 표면(212)을 따라 서로 결합되어, 함께 형성된 기하학적 형상을 갖는 분할된 미러 표면을 생성한다. 미러 세그먼트들(210)의 반사 표면은 만곡되고, 도시된 예에서 미러 세그먼트들(210)은 웨이퍼(122) 상으로 입사 EUV 광 비임을 포커싱하기 위한 오목 미러를 함께 형성한다(도 1 참조). 일반적으로, 여기서 설명되는 배열은 모든 크기의 미러에 적용될 수 있다. 하지만, 미러의 분할은 큰 직경을 갖는 미러의 경우에, 즉 최대 직경이 30cm보다 크거나 또는 40cm보다 크고 최대 100cm 이상인 미러의 경우에 특히 유리하다. 미러의 크기에 따라, 미러 배열의 총 높이는 3 내지 20cm일 수 있다. 도시된 예에서, 미러 배열(200)은 원형이지만, 상기 미러 배열은 당연히 이러한 형상에 제한되지 않으며 타원형상, 난형상, 신장형상 등일 수도 있다.
미러 세그먼트들(210-1, 210-2, 210-3, 210-4)는 서로 독립적으로 장착되고 서로 접촉하지 않는다. 따라서, 미러 세그먼트들은 이하 더 상세하게 설명되는 바와 같이 액추에이터(더 상세하게 도시되지 않음)에 의해 서로 독립적으로 작동된다. 사이공간(214)은 인접한 미러 세그먼트들(210-1, 210-2, 210-3, 210-4) 사이에 제공된다. 하나의 가능한 변형예에서, 상기 사이공간(214)은 간극에 의해 형성되고, 상기 간극은 간극 폭(d)을 갖는다.
센서(220)들이 사이공간(214) 내에 배열된다. 상기 센서(220)들은 서로에 대해 미러 세그먼트들(210-1, 210-2, 210-3, 210-4)의 상대 위치를 측정한다. 이 경우, 센서(220)가 모두 6 자유도에 관한, 즉 3개의 공간 축(x, y, z) 상의 상대 위치 그리고 3개의 공간 축(x, y, z)을 중심으로 한 회전에 대한 상대 배향에 관한 서로에 대한 미러 세그먼트들(210-1, 210-2, 210-3, 210-4)의 상대 위치를 검출하는 것이 가능하다. 더욱 상세하게는, 센서(220)의 각각은 적어도 1 자유도에 관한 서로에 대한 미러 세그먼트들(210) 중 두 개의 상대 위치에 대한 정보를 포함하는 센서 신호를 발생시킨다. 모두 6 자유도가 검출되면, 적어도 18개 센서(220), 예컨대 미러 세그먼트들(210-2)에 대해 미러 세그먼트들(210-1)의 상대 위치를 검출하기 위한 6개의 센서(220), 미러 세그먼트들(210-3)에 대해 미러 세그먼트들(210-2)의 상대 위치를 검출하기 위한 6개의 센서(220) 및 미러 세그먼트들(210-4)에 대해 미러 세그먼트들(210-3)의 상대 위치를 검출하기 위한 6개의 센서(220)가 사이공간(214) 내에 제공된다. 하지만, 모든 자유도가 사이공간(214) 내에 제공되는 센서(220)에 의해 커버되지 않는 것도 가능하다. 예로서, 센서(220)는 단지 사이공간(214)에 대한 횡단 방향과 관련된 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치만을 검출하고 나머지 파라미터는 미러 배열(200) 외측에 배열되는 센서에 의해 검출되는 것도 가능하다. 따라서, 이 경우 센서(220)는 예컨대, x 방향에서의 미러 세그먼트들(210-2, 210-3)의 상대 위치 및 미러 세그먼트들(210-1, 210-4)의 상대 위치를 검출하며, y 방향에서의 미러 세그먼트들(210-3, 210-4)의 상대 위치 및 미러 세그먼트들(210-1, 210-2)의 상대 위치를 검출한다.
또한, 리소그래피 장치(100) 내에 제공되는 측정 프레임(더 상세하게 도시되지 않음)과 관련하여 모두 6 자유도에 대해 미러 세그먼트들(210) 중 적어도 하나의 위치를 결정하는 센서를 미러 배열(200) 외측에 제공하는 것이 가능하다. 이러한 배열 프레임은 리소그래피 장치 내의 광학 요소의 위치의 검출을 위한 기준의 역할을 할 수 있으며, 특히 온도 변화, 진동 등에 대해 위치적으로 고정된다. 측정 프레임에 대한 이러한 기준 미러 세그먼트들(210)을 위한 위치 측정은 레이저 간섭계, 용량성 센서 등에 의해 수행될 수 있다. 미러 세그먼트들(210) 중 하나, 예컨대, 미러 세그먼트들(210-1)에 대한 위치 측정에 의해, 측정 프레임과 관련한 상기 미러 세그먼트들(210)의 위치가 결정되면, 나머지 미러 세그먼트들(210), 즉 미러 세그먼트들(210-2, 210-3, 210-4) 중 각각의 개별 세그먼트들의 위치가 센서(220)의 측정 값과 함께 추정될 수 있다.
센서(220)에 의해 발생되는 센서 신호는 센서 신호를 평가하는 평가 장치(센서 제어기 등)(더 상세하게 설명되지 않음)로 전송된다. 이 경우, 신호는 센서와 평가 장치 또는 센서 제어기 사이에서 적어도 부분적으로 무선으로 전송될 수 있다. 예로서, 신호는 라디오 신호(전자기파) 또는 광 신호로서 전송될 수 있다. 이는 리소그래피 장치의 진공 구역을 통해 이어지는 케이블의 개수가 감소될 수 있는 장점을 갖는다. 따라서, 첫째로 공간이 절약되고, 둘째로, 진공을 훼손하는 이러한 케이블로부터의 증발을 방지할 수 있다.
평가 결과에 따라, 상술된 액추에이터가 특정된 소정의 값으로 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 조절하기 위해 구동된다. 예로서, 미러 세그먼트들(210)은 미러 세그먼트들(210) 사이의 사이공간(214)의 최대 폭(d)이 0.8mm 이하, 양호하게는 0.4mm 이하 또는 0.2mm 이하 이도록, 및/또는 표면 편차, 즉 미러 세그먼트들(210) 사이의 높이 차가 20nm 이하, 양호하게는 10nm 이하 이도록 작동될 수 있다.
리소그래피 장치(100)의 미러 배열(200)은 4개의 미러 세그먼트들(210)로 분할되기 때문에, 미러 배열(200)은 모놀리스식 미러 배열(200)보다 더 큰 광학 표면을 구비할 수 있다. 또한, 사이공간(214) 내의 센서(220)의 배열은 서로에 대해 미러 세그먼트들(210)의 위치의 공간 절약 검출 및 조절를 가능하게 한다.
도 3은 분해 사시도로 미러 세그먼트들(210-1, 210-2)를 개략적으로 도시한다. 미러 세그먼트들(210)의 표면은 만곡되어서, 4개의 미러 세그먼트들(210)이 함께 오목한 미러를 형성한다는 것이 인지되어야 한다. 대응적으로, 결합 표면(212)의 상위 에지도 만곡되지만, 이는 간략화를 위해 도면에 도시되지 않는다. 결합 표면(212)의 하위 에지는 직선일 수 있거나, 만곡된 상위 에지의 경로를 따를 수 있는데, 즉 만곡된 상위 에지에 평행하게 연장될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 미러 세그먼트들(210)은 그들의 직선측에 결합 표면(212)을 각각 가지며, 미러 세그먼트들(210)의 결합 표면(212)은 서로 대향하여 배열된다. 센서(220)는 결합 표면(212) 내에 또는 그 위에 배열된다. 도시된 실시예에서, 4개의 센서(220)가 미러 세그먼트들(210-1, 210-2)의 상호 대향된 결합 표면(212) 상에 배열되며, 이 센서들은 1 이상의 자유도에 관한 미러 세그먼트들(210-1, 210-2)의 상대 위치를 검출하는데 사용될 수 있다. 이 경우, 센서는 1 자유도에 관한 미러 세그먼트들의 위치 변화에 실질적으로 반응하는 표면 센서로 구현될 수 있거나, 또는 복수의 자유도에 관한 미러 세그먼트들의 위치 변화에 반응하는 통합 센서(integrated sensor)로 구현될 수 있다.
센서(220)로서, 대체로 서로에 대한 미러 세그먼트들(210)의 변위를 검출하는데 사용될 수 있는 모든 유형의 센서, 특히 용량성 센서를 사용하는 것이 가능하다. 광학 센서도 일반적으로 가능한데, 예로서 라인 패턴이 결합 표면(212) 상에 제공될 수 있으며, 상기 라인 패턴을 검출하기 위한 포토센서가 대향하는 결합 표면(212) 상에 제공될 수 있다. 하지만, 이러한 광학 인코더 센서의 경우에, 일반적으로는 열의 특정한 변화가 발생하는데, 이로 인해 미러 기하학적 형상에 영향을 줄 수 있으며 냉각 수단을 필요로 할 수도 있다. 광학 센서는 또한 간섭식 증분형 인코더로 구현될 수도 있다. 이러한 인코더는 선형 격자에 대해 이동되는 간섭계를 포함한다. 이 경우, 사인파 신호(sinusoidal signal)가 예컨대, 라인 패턴 또는 격자에서의 광학 반사로부터 발생된다. 내삽(interpolation)에 의해, 피코미터 범위 내의 측정 정확도를 가능하게 하는 매우 높은 분해능을 얻을 수 있다. 인코더와 평가 장치 또는 센서 제어기 사이의 신호 전송은 상술된 바와 같이 무선으로 수행될 수 있다. 또한, 센서를 구동하기 위한 케이블이 미러 내에 제공되는 홈 내에서 외측을 향해 연장되는 것이 가능하다. 이를 위해, 이하 더욱 상세하게 설명되는 홈이 사용될 수도 있다.
센서(220)가 용량성 센서로 구현되는 제1 예시적 실시예가 이하에서 설명된다. 도 4는 용량성 센서(220)의 작동 원리를 개략적으로 도시한다. 이러한 용량성 센서(220)는 서로로부터 거리(w)에 배열되는 측정 전극(222, 224)을 포함한다. 측정 전극(222, 224)은 측정 전극(222, 224)의 정전 용량(capacitance)에 따라 측정 신호(Xm)를 발생시키는 정전 용량 측정 장치(226)에 연결된다. 측정 전극(222, 224)의 정전 용량은 결정적으로 서로에 대해 대향하여 위치되는 결합 표면(212) 상에 배열될 수 있는 측정 전극(222, 224) 사이의 거리에 따라 결정된다. 따라서, 사이공간의 폭(d)이 변경되어 측정 전극(222, 224) 사이의 거리도 역시 변경되면, 이는 측정 신호(Xm)에 의해 전기적으로 측정 가능한 정전 용량의 변화에 의해 검출될 수 있다. 특정 기준 전위에 연결되는 차폐 전극(228)이 측정 전극(222) 주위에 선택적으로 배열될 수 있는데, 상기 차폐 전극은 전기장의 이질적 여백 구역(inhomogeneous marginal region)을 차폐한다. 그 결과, 대체로 평행한 전기장이 측정 전극(222, 224) 사이에서 발생한다. 그 결과, 정전 용량의 매우 작은 변화도 검출될 수 있다.
상술된 바와 같이, 측정 전극(222, 224)은 대향하는 결합 표면(212) 상에 각각 배열될 수 있다. 측정 전극(222, 224)은 예컨대 사각형일 수 있으며, 예컨대 대략 2 내지 대략 15mm 만큼 대략 2 내지 대략 15mm의 크기를 가질 수 있다. 한 쌍의 측정 전극(222, 224)과 함께, 1 병진 자유도(translational degree of freedom)와 관련된 2개의 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 검출하는 것이 가능하다. 2쌍의 측정 전극(222, 224)이 1 회전 자유도에 관한 2개의 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 검출하기 위해 제공될 수 있다.
측정 전극(222, 224)은 예컨대, 구리 등으로 구성된 얇은 금속 스트립으로부터 생산될 수 있다. 측정 전극(222, 224)을 정전 용량 측정 장치(226)에 연결하는 라인은 결합 표면(212)을 따라 이어질 수 있다. 그에 대한 대안으로서, 라인은 결합 표면(212)을 통해 또는 미러 세그먼트들(210)을 통해 제공되는 홈 내에서 이어질 수 있다. 결합 표면(212) 내에 제공되는 절결부 내에 측정 전극(222, 224)을 배열하는 것도 대응적으로 가능하다. 이는 미러 세그먼트들(210)을 통과하는 단면을 각각 도시하는 도 5a 및 도 5b에 개략적으로 도시된다. 도 5a에 도시된 변형예에서는, 결합 표면(212) 내에 하부 절개부(undercut)가 제공되며, 측정 전극(222 또는 224)은 상기 하부 절개부 내에 배열된다. 도 5b에 도시된 변형예에서는, 결합 표면(212) 내에 절결부가 제공되며, 측정 전극(222, 224)은 상기 절결부 내에 배열된다. 그 결과, 측정 전극(222, 224)은 개별적으로 결합 표면(212) 사이의 간극으로 돌출하지 않으며, 그로 인해 미러 세그먼트들은 서로에 대해 더 근접하게 위치될 수 있다. 하부 절개 또는 절결부가 전체 결합 표면(212)을 따라 제공되면, 측정 전극(222, 224)을 구동하기 위한 라인도 그 내부에 제공될 수 있다.
도 4에 도시된 측정 원리를 기초로, z 축 또는 y 축을 중심으로 하는 회전 또는 y 방향에 대한 위치 변화가 도 3과 도 5a 및 도 5b에 도시된 센서 배열과 함께 검출될 수 있다. 하지만, 사이공간 내부의 측정 전극(222, 224)의 배열 및 사이공간(214)의 대응하는 구성에 의해, 다른 자유도와 관련된 위치 변화를 검출하는 것도 가능하다. 이는 2개의 인접한 미러 세그먼트들(210)을 통한 zy 평면을 통과하는 단면을 도시하는 도 6에 개략적으로 도시된다. 도 6에 도시된 미러 세그먼트들(210)의 경우에, 결합 표면(212)은 측정 전극(222, 224)의 구역 내에 대체로 Z 형상인 단면을 가져서, 미러 세그먼트들(210)의 상위 또는 하위 부분은 사이공간(214) 내로 돌출한다. 이 경우, 결합 표면(212)의 일 섹션이 개별적으로 y 방향, 즉 사이공간(214)에 대해 횡단하는 방향으로 연장하고, 측정 전극(222, 224)은 상기 섹션 상에 배열된다. 그 결과, z 방향으로의 미러 세그먼트들(210)의 상대 변위의 경우, 측정 전극(222, 224)에 의해 제공되는 정전 용량이 변경되어, z 방향에 대한 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치가 검출될 수 있다. 도 6에 도시된 미러 세그먼트들(210)은 도 3의 미러 세그먼트들(210-1, 210-2) 또는 미러 세그먼트들(210-3, 210-4)에 대응한다.
상술된 바와 같이 센서(220)로서 용량성 센서를 사용하면 센서(220)가 매우 평평하게 이루어질 수 있다는 장점, 즉 사이공간(214) 내에 어떠한 공간도 요구하지 않는 장점을 갖는다. 따라서, 미러 세그먼트들(210)은 함께 밀접하게 될 수 있다. 또한, 용량성 센서는 고도의 진공에서 사용하기에 매우 적합한데, 즉 진공에 대해 적합할 수 있다. 또한, 용량성 센서는 리소그래피 장치(100)의 소기 구역 외측으로부터 구동될 수 있어, 소기 구역에서 열이 발생하지 않거나 단지 약간만 발생한다. 하지만, 용량성 센서는 측정 전극(222, 224)의 정전 용량의 변화가 1/w(측정 전극 사이의 거리(w)의 역수)에 비례하여 작은 간극 폭의 경우에 특히 매우 비선형적인 한 어려움에 직면할 수 있다. 이러한 점에서, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이 결합 표면 내에서 함몰에 의해 측정 전극(222, 224) 사이의 특정한 최소 거리를 제공하는 것은 대략 선형인 작동 범위를 달성하기 위해 유리할 수 있다.
제2 예시적 실시예에 따른 리소그래피 장치에서는, 압력 센서가 상술된 용량성 센서 대신에 사용된다. 이 제2 예시적 실시예의 리소그래피 장치의 일반적인 구조는 도 1에 도시된 구조에 대응하며, 따라서 다시 설명되지 않을 것이다. 제2 예시적 실시예의 리소그래피 장치에 사용되는 압력 센서는 도 7 내지 도 11을 참조하여 설명될 것이다. 이 경우, 상술된 구성의 요소와 동일하거나 기능적으로 동일한 요소는 동일한 도면 부호에 의해 지시되며, 더 상세하게 설명되지 않는다. 또한 동일 사항이 후속하는 실시예 및 구성에 적용된다.
도 7은 제2 예시적 실시예에 따른 2개의 미러 세그먼트들(210-1, 210-2)의 사시도를 도시한다. 도 8은 미러 세그먼트들(210-1)를 통과하는 단면도를 도시하며 센서 채널(240) 내의 압력 센서(300)의 배열도 도시한다. 도 9는 센서 채널(240) 내로 가스를 도입하기 위한 배열의 개략적 도면이다.
도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 이 실시예의 인접한 미러 세그먼트들(210-1, 210-2) 내에는, 홈(242)이 결합 표면(212) 내에 개별적으로 제공되는데, 이는 전체 결합 표면(212)을 따라 대체로 중심에서 연장한다. 상기 홈(242)은 예컨대, 다이아몬드 밀링 유닛 등을 사용하는 밀링에 의해 생산될 수 있다. 2개의 대향하는 홈(242)은 함께 센서 채널(240)을 형성한다. 따라서, 단면으로 도시된 바와 같이, 이 예시적 실시예의 사이공간(214)은, 미러 배열(200)의 아래측과 상부측에 상대적으로 좁은 간극을 가지며 그 사이에 넓은 센서 채널(240) 갖는, 플러스 부호(+)의 형상을 갖는다.
압력 센서(300)는 센서 채널(240) 내에 배열된다. 더욱 정확하게는, 압력 센서(300)는 2개의 대향하는 홈(242) 중 하나에 배열될 수 있다. 또한, 가스 공급 장치(250) 및 가스 추출 장치(260)는 센서 채널(240)의 2개의 단부에 개별적으로 제공된다. 가스 공급 장치(250)는 진공 챔버 외측에 배열되는 가스 저장부에 연결되는 가스 급송 튜브(252) 및 가스 노즐(254)을 포함한다. 가스 추출 장치(260)는 가스 저장부에 연결되는 가스 배출 튜브(262) 및 가스 흡입 커넥터(264)를 포함한다. 펌프(더 상세하게 도시되지 않음)에 의해, 가스가 가스 저장부로부터 가스 급송 튜브(252)를 통해 가스 노즐(254)로 펌핑되고 가스 노즐(254)로부터 소정의 압력으로 센서 채널(240) 내로 분사된다. 가스는 센서 채널(240)의 대향 단부에 배열되는 가스 흡입 커넥터(264)를 통해 센서 채널(240)로부터 추출되고 가스 배출 튜브(262)를 통해 다시 가스 저장부로 이어진다.
사용되는 가스는 불활성 가스, 예컨대, 질소 또는 헬륨 등일 수 있다. 하지만, 공기를 사용하는 것도 가능하다. 단지 하나의 가스 저장부 대신에 가스 배출 튜브(262)에 연결되는 가스 싱크 및 가스 급송 튜브(252)에 연결되는 가스 소스를 사용하는 것도 가능하다.
센서 채널(240) 내의 압력은 첫 번째로 공급된 가스의 유량에 따라 결정되고 두 번째로는 센서 채널(240)의 단면적에 따라 결정된다. 센서 채널(240)의 단면적은 미러 세그먼트들(210) 사이의 거리와 함께 선형적으로 변한다. 압력 센서(300)는 센서 채널(240) 내의 가스 압력에 대한 정보를 포함하고 있는 센서 신호를 발생시킨다. 가스의 유량이 공지되기 때문에, 미러 세그먼트들(210) 사이의 거리는 상기 센서 신호로부터 추정될 수 있다. 즉, 압력 센서(300)는 여기서 y 방향에 대한 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 검출하는 위치 센서로서 작용한다. 반대로, 압력 센서(300)는 x 방향 및 z 방향에 대한 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치에 대해 민감하지 않거나 또는 단지 약간 민감한데, 이는 이 방향들에서의 위치 변화가 센서 채널(240)의 단면적의 변화로 이어지지 않기 때문이다.
제2 예시적 실시예에 따른 상술된 배열에 있어서, 미러 세그먼트들(210) 사이의 거리는 압력 센서(300)의 보조로 검출될 수 있다. 이 배열의 경우, 측정 변수, 즉 센서 채널(240) 내의 압력은 y 방향에서 미러 세그먼트들(210)의 검출되는 상대 위치와 함께 사실상 선형적으로 변한다. 그 결과, 예컨대 용량성 센서를 사용하는 경우보다 더 큰 측정 범위에 걸쳐 측정 신호의 양호한 선형성을 얻을 수 있다.
y 방향에서의 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치는 상술된 배열과 함께 검출될 수 있다. 하지만, 센서 채널의 대응하는 구성에 의해, 다른 자유도에 관한 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 검출하는 것도 가능하다. 따라서, 예로서, 미러 세그먼트들(210) 사이의 사이공간(214)은 도 6에 도시된 바와 같이 구성될 수 있으며, 측정 전극(222, 224) 대신에, 압력 센서(300)가 미러 세그먼트들(210) 사이의 중앙 구역에 배열될 수 있는데, 이는 이 경우 센서 채널로 작용한다. 따라서, z 방향에서의 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치 내의 채널이 센서 채널의 단면적의 변화로 이어져서, 센서 채널 내의 압력이 변한다. 따라서, 이러한 배열은 z 방향에서의 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 검출하는 것을 가능하게 한다.
센서 채널의 대응하는 구성 및 압력 센서의 대응하는 개수의 배열에 의해, 모두 6 자유도에 관한 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 검출하는 것이 가능하다.
이 경우, 세그먼트 쌍당 복수의 채널을 제공하는 것도 가능한데, 적어도 하나의 압력 센서가 각 채널 내에 배열되고, 개별 센서들은 상이한 공간 방향에서 미러 세그먼트들(210)의 위치적 변위에 반응한다.
하나의 대안 구성에서, 단지 하나의 가스 유입구가 미러의 중심에 배열되는 것도 가능한데, 이는 별-형상 방식으로 배열되는 다양한 채널 내로 가스를 전달한다. 이 경우, 가스는 외측을 향해 채널을 따라 전달되어 가스 흡입 커넥터에 의해 그곳에서 취해진다.
상술된 제2 실시예에 따르면, 정확하게 하나의 압력 센서(300)가 센서 채널(240) 내에 배열된다. 하지만, 센서 채널(240)을 따라 복수(예컨대, 2개 또는 4개 이상)의 압력 센서(300)를 배열하는 것도 가능하다. 따라서, 발생된 센서 신호들의 평균에 의해 더 정밀한 측정값이 결정될 수 있다. 또한, 대응하는 평가에 의해 이러한 배열과 함께 z 축 등에 대한 회전을 검출하는 것도 가능하다.
또한, 두 대향 결합 표면(212) 모두에서 홈(242)을 제공하는 것은 필수적이지 않으며, 가스가 유동하고 압력 센서(300)가 배열되는 하나의 센서 채널(240)을 제공하는 것이면 충분하다.
소위 "누설식 시일(leaky seal)"이 사이공간을 위한 밀봉부로서 사용될 수 있다. 이 경우, 채널 내로 진입된 가스의 자유 경로 길이는 결합부의 가장 협소한 간극에 대해 선택되어, 가스는 이러한 좁은 간극을 통해 빠져나오지 못하거나 또는 단지 매우 적은 정도만 빠져나올 수 있다.
압력 센서(300)는 사이공간(214) 또는 센서 채널(240) 내에 배열될 수 있기에 충분히 작아야 한다. 이러한 압력 센서(300)의 가능한 일 실시예는 도 10 및 도 11과 관련하여 이하 도시된다. 도 10은 압력 센서(300)를 통과하는 단면을 도시한다. 도 11은 압력 센서(300)의 평면도를 도시하는데, 이때 압력 센서(300)의 상위 커버 판은 도시를 위해 제거된 상태이다.
압력 센서(300)는 4층 구조를 가지며, 저부로부터 상부로 하위 커버 판(310), 하위 칩 판(320), 상위 칩 판(330) 및 상위 커버 판(340)을 포함한다. 상기 커버 판(310, 340)은 예컨대, 유리 또는 실리콘(silicon)으로부터 생성될 수 있으며, 그들 사이에 배열되는 칩 판(320, 330)을 위한 캐리어 요소로 작용한다.
칩 판(320, 330)은 각각의 경우에 실리콘 또는 비교 가능한 반도체 재료로부터 또는 석영 등으로부터도 모놀리스식으로 생성될 수 있다. 칩 평면(320, 330)은 각각의 경우에 개별적으로 주연 칩 프레임(321, 331), 개별적으로 제1 스프링 요소(322, 332), 개별적으로 베이스 요소(323, 333), 개별적으로 제2 스프링 요소(324, 334) 및 개별적으로 진동 요소(325, 335)를 갖는다. 칩 평면(320, 330)은 칩 평면(330)을 기초로 예로서 설명될 것이다. 칩 평면(320)의 구조는 칩 평면(330)의 구조에 대응한다. 도 11은 칩 평면(330)의 평면도를 도시하는데, 즉 커버 판(310)이 제거된 압력 센서(300)를 도시한다. 도 11에 도시된 바와 같이, 칩 프레임(331)은 주연 사각형 프레임의 형태를 가지며 상위 커버 판(340)의 아래측에 고정된다.
제1 스프링 요소(332)는 칩 프레임(331)의 더 짧은 측으로부터 연장하고, 상기 스프링 요소는 칩 프레임(331)보다 더 작은 높이를 갖는다. 베이스 요소(333)는 제1 스프링 요소(332)에 인접하고, 상기 베이스 요소는 제2 스프링 요소(334)에 의해 진동 요소(335)에 연결된다. 제2 스프링 요소(334) 역시 칩 프레임(331), 베이스 요소(333) 및 진동 요소(335)보다 작은 높이를 갖는다. 열산화물(thermal oxide)(305)이 칩 프레임(321, 331), 제1 스프링 요소(322, 332) 및 베이스 요소(323, 333) 사이에 제공되며, 상기 열산화물은 2개의 칩 평면(320, 330) 사이에서 절연체로 작용한다.
제1 스프링 요소(322, 332)는 단지 z 방향으로의 진동을 허용하는 진동 스프링으로 작용한다. 따라서, 상기 스프링 요소는 칩 프레임(321, 331)에 대한 베이스 요소(323, 333)의 진동 디커플링 역할을 한다. 이로 인해 압력 센서(300)는 외부 진동 등에 덜 민감하게 된다. 따라서, 진동 요소(325, 335)는 제2 스프링 요소(324, 334)에 의해 자유롭게 진동하는 방식으로 베이스 요소(323, 333)에 고정된다. 제2 스프링 요소(324, 334) 및 베이스 요소(323, 333)와 함께 진동 요소(325, 335)는 음차(350)를 형성한다. 진동 간극(352)이 음차(350)의 진동 요소(325, 335) 사이에 형성되는데, 그 폭은 예컨대, 2 내지 3 마이크로미터일 수 있다.
커버 판(310, 340)의 내부측 상에, 제1 전극(311, 341)이 각각 제공되는데, 상기 제1 전극(311, 341) 각각은 진동요소(325, 335) 반대편에 각각 배열된다. 전극(311, 341) 각각은 커버 판(310, 340)의 외측 상의 전도 요소(conduction element)(313, 343)를 통해 커버 판(310, 340)에 제공된 도금식-관통 구멍(plated-through hole)(312, 342)을 통해 센서 제어기(더 상세하게 도시되지 않음)에 연결된다. 제2 전극(326, 336)은 커버 판(310, 340)과 대면하는 진동 요소(325, 335)의 그 측면들 상에 제공되며, 제2 전극은 미리 결정된 전위에 연결될 수 있다. 전극(311, 326, 336, 341)은 예컨대, 알루미늄으로 구성된 얇은 금속층으로부터 생성될 수 있다. 제1 전극(311, 341) 각각은 2개의 목적, 즉 진동 요소(325, 335)의 진동의 여기 및 그 진동 상태의 검출을 목적으로 한다.
칩 프레임(321, 331)과 함께 커버 판(310, 340)은 하우징을 형성하는데, 그 내부에는 음차(350)가 배열된다. 상기 하우징의 내부는 관통 구멍(314, 344)을 통해 압력 센서(300)의 주변에 연결되며, 그 결과 실질적으로 동일한 압력이 하우징 내부와 외측에 존재한다.
압력 센서(300)의 센서 원리는 이하에서 설명된다. 제1 전극(311, 341)에 인가되는 적절한 AC 전압에 의해, 음차(350)는 그 기계적 고유 진동수(natural frequency)에서 (예컨대, 수 nm의) 일정한 진폭을 갖는 연속 진동을 수행하도록 여기된다. 이 경우, 진동 요소(325, 335)는 z 축을 따라 반대 방향으로 이동한다. 그 결과, 진동 간극(352)은 주기적으로 넓어지고 좁아지게 된다. 진동 요소(325, 335)가 서로를 향해 이동할 때, 가스의 일부가 진동 간극(352)으로부터 탈출하여 마찰 손실을 생성한다. 진동 간극(352) 내에 잔류하는 가스의 일부는 압축되어 추가의 스프링으로 작용한다(소위 "스퀴즈 효과(squeeze effect)"). 가스로 인한 마찰 손실 및 스프링 효과 양자 모두는 진공 범위 내에서 특히 저압에서 압력에 크게 좌우되어, 설명된 배열이 압력 센서로서 적합하다. 음차(350)의 고유 진동수 및 감쇠의 압력 의존도는 스프링 요소(324, 334) 및 진동 요소(325, 335)의 치수를 적절하게 함으로써 설정될 수 있다.
음차(350)의 여기에 요구되고 구동 전압의 진폭에 대응하는 구동력은 음차(350)의 진동의 감쇠에 비례한다. 따라서, 감쇠가 대기압에 따라 주로 결정되는 압력 범위에서는 구동 전압의 진폭은 압력의 민감한 척도이다. 적절한 평가 회로와 함께, 음차(350)를 여기시키기 위한 제1 전극(311, 341)은 따라서 공진 주파수에서의 진동 진폭 및/또는 음차(350)의 압력-의존 공진 주파수를 검출하기 위한 배열로 사용될 수 있다. 따라서, 센서(300)의 구역 내의 압력 및 미러 세그먼트들(210) 사이의 거리는 검출된 공진 주파수 및/또는 진동 진폭으로부터 추정될 수 있다.
상술된 바와 유사한 압력 센서가 독일 특허 출원 DE 100 33 182 A1 및 박사 후 논문 "Technologieentwicklung fur kapazitive Sensoren mit bewegten Komponenten(이동 구성요소를 갖는 용량성 센서를 위한 기술 개발)"(Dr.-Ing. Karla Hiller, TU Chemnitz, 2004, Chapter 4)에서도 발견될 수 있다. 따라서, 추가의 기술적 세부사항과 관련하여 상기 문헌들이 참조된다.
본원에 개시된 압력 센서(300)는 낮은 압력에서도 매우 민감하여, 비교적 작은 양의 가스를 센서 채널(240) 내로 진입시키거나 추출하는 것으로도 충분하다. 따라서, 미러 배열(200)이 배열되는 진공 구역 내로 가스가 탈출하지 못하거나 단지 적은 양의 가스만이 탈출하는 것을 보장할 수 있다. 또한, 압력 센서(300)는 매우 평평하게 이루어질 수 있는데, 총 높이는 대략 300 내지 400μm이다. 이로 인해, 센서 채널(240)을 매우 좁게 설계할 수 있게 되어, 사이공간(214)의 폭의 매우 작은 변화가 센서 채널(240) 내의 상대적으로 큰 압력 변화로 이어지게 된다. 그 결과, 높은 센서 민감도가 달성될 수 있다. 또한, 사이공간(214)이 센서 채널(240)을 갖지 않는 것과 압력 센서(300)가 결합 표면(212) 상에서 지역적으로 제공되는 것도 고려될 수 있다(도 2 참조).
센서(220, 300)에 의해 발생되는 센서 신호는 제어 장치(더 상세하게 도시되지 않음)로 전송될 수 있다. 센서 신호를 기초로, 제어 장치는, 상술된 액추에이터에 전송되고 각각의 경우에 개별 미러 세그먼트들(210)을 미러 세그먼트들(210)이 서로 나란하게 동일 평면에 놓이고 표면 편차가 최소, 즉 예컨대 20nm 이하인 바람직한 위치 및 배향으로 안내하는 액추에이터 신호를 결정한다. 이 경우, 개별 미러 세그먼트들(210)은 서로에 대해 독립적으로 구동될 수 있어, 모두 6 자유도에 대해 정확하게 된다. 따라서, 4개의 미러 세그먼트들(210)의 경우에 예컨대 24개의 액추에이터가 제공될 수 있다. 따라서, 전술된 예시적 실시예는 모든 자유도에 관한 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 조절하기 위한 조절 배열을 제공한다. 이 경우에, 미러 세그먼트들(210)은 리소그래피 장치(100)의 시동시에 초기에 조정될 수 있거나 또는 제어 루프에 의해 작동 도중에 재조절될 수 있다.
액추에이터는 예컨대, 로렌츠(Lorentz) 액추에이터 또는 피에조 액추에이터로 구현될 수 있다.
상술된 실시예는 단지 예일 뿐이며 특허 청구항의 보호 범주와 관련하여 다양한 방식으로 변경될 수 있다는 점이 인지되어야 한다. 특히, 상술된 실시예의 구성은 사로 조합될 수도 있다.
또한, 미러 배열에 대한 다양한 구성이 리소그래피 장치(100)의 미러 배열(200)을 기초로 설명되었다. 하지만, 도시된 구성은 당연히 리소그래피 장치(100)의 임의의 다른 미러에 적용될 수도 있다.
또한, EUV 리소그래피 장치 내의 미러 배열의 예시적 실시예가 설명되었다. 하지만, 본원 발명은 EUV 리소그래피 장치에 제한되지 않으며, 다른 리소그래피 장치에 적용될 수도 있다.
또한, 미러 배열은 4개의 미러 세그먼트들에 제한되지 않으며, 4개보다 적거나(즉, 2 또는 3개의 미러 세그먼트들) 4개 보다 많은 미러 세그먼트들을 제공하는 것도 가능하다.
100 : EUV 리소그래피 장치
102 : 비임 성형 시스템
104 : 조명 시스템
106 : 투영 시스템
108 : EUV 광원
110 : 시준기
112 : 단색 분광기
114 : EUV 방사
116 : 제1 미러
118 : 제2 미러
120 : 포토마스크
122 : 웨이퍼
124 : 제3 미러
126 : 제4 미러
200 : 미러 배열
210-1 … 210-4 : 미러 세그먼트들
212 : 결합 표면
214 : 사이공간
220 : 센서
222, 224 : 측정 전극
226 : 정전용량 측정 장치
228 : 차폐 전극
240 : 센서 채널
242 : 홈
250 : 가스 공급원 장치
252 : 가스 급송 튜브
254 : 가스 노즐
260 : 가스 추출 장치
262 : 가스 배출 튜브
264 : 가스 흡입 커넥터
300 : 압력 센서
305 : 열산화물
310 : 하위 커버 판
311, 341 : 제1 전극
312, 342 : 도금식-관통 구멍
313, 343 : 전도 요소
320 : 하위 칩 평면
321, 331 : 칩 프레임
322, 332 : 제1 스프링 요소
323, 333 : 베이스 요소
324, 334 : 제2 스프링 요소
325, 335 : 진동 요소
326, 336 : 제2 전극
330 : 상위 칩 평면
340 : 상위 커버 판
350 : 음차
352 : 진동 간극

Claims (19)

  1. 리소그래피 장치(100)이며,
    적어도 2개의 미러 세그먼트들(210)을 구비하는 미러(200)로서, 상기 적어도 2개의 미러 세그먼트들은 사이공간(214)이 미러 세그먼트들(210) 사이에 형성되는 방식으로 함께 결합되는, 미러(200)와,
    미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 검출하기 위한 센서(220, 300)를 포함하고,
    센서(220, 300)는 미러 세그먼트들(210) 사이의 사이공간(214) 내에 배열되고,
    사이공간(214)은 미러 세그먼트들(210)의 상대 이동이 사이공간(214) 내의 압력 변화를 초래하는 방식으로 구성되고, 센서(220, 300)는 사이공간(214) 내의 압력에 따른 센서 신호를 발생시키는 압력 센서이고,
    사이공간(214)은 채널(240)을 포함하고, 채널 내에 센서(220, 300)가 배열되고,
    채널(240)은 미러 세그먼트들(210) 중 하나의 적어도 하나의 결합 표면(212) 내의 홈(242)에 의해 형성되는
    리소그래피 장치(100).
  2. 제1항에 있어서,
    미러 세그먼트들(210)은 적어도 하나의 결합 표면(212)을 각각 구비하며, 미러 세그먼트들(210)은 상기 결합 표면을 따라 함께 결합되고, 절결부가 결합 표면(212)들 중 적어도 하나에 제공되고, 센서(220, 300)는 상기 절결부 내에 배열되는
    리소그래피 장치(100).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    센서(220, 300)는 미러 세그먼트들(210) 사이의 거리에 따른 센서 신호를 발생시키는 용량성 센서 또는 광학 센서인
    리소그래피 장치(100).
  4. 제3항에 있어서,
    광학 센서는 광학 인코더로서 구현되는
    리소그래피 장치(100).
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    센서 구동과 센서 신호 평가 중 적어도 하나를 위한 센서 제어기를 더 포함하고, 신호들은 센서 제어기와 센서 사이에서 적어도 부분적으로 무선으로 전송되는
    리소그래피 장치(100).
  6. 삭제
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    사이공간(214) 내로 가스를 공급하기 위한 가스 공급 장치(250)와,
    사이공간(214)으로부터 가스를 추출하기 위한 가스 추출 장치(260)를 더 포함하는
    리소그래피 장치(100).
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    압력 센서(300)는
    여기에 의해 진동하도록 유발될 수 있는 2개의 진동 요소(325, 335)를 갖는 음차(350)로서, 음차(350)의 공진 주파수와 공진 주파수에서의 진동 진폭 중 적어도 하나가 사이공간(214) 내의 압력에 따라 결정되는, 음차(350)와,
    음차(350)의 공진 주파수와 공진 주파수에서의 진동 진폭 중 적어도 하나를 검출하기 위한 배열을 포함하는
    리소그래피 장치(100).
  9. 제8항에 있어서,
    진동 요소(325, 335)는 구조화 반도체 재료 또는 석영으로 이루어지는
    리소그래피 장치(100).
  10. 제8항에 있어서,
    압력 센서(300)는, 진동 요소(325, 335)를 진동시키는데 사용될 수 있으며 음차(350)의 공진 주파수와 공진 주파수에서의 진동 진폭 중 적어도 하나를 검출하는데 사용될 수 있는 전극(311, 341)을 더 포함하는
    리소그래피 장치(100).
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    사이공간(214)은 미러 세그먼트들(210) 사이의 간극인
    리소그래피 장치(100).
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서,
    홈(242)은 결합 표면(212)의 전체 길이를 따라 연장하는
    리소그래피 장치(100).
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    센서(220, 300)는 진공에서 사용 가능한
    리소그래피 장치(100).
  16. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수의 자유도에 관한 미러 세그먼트들(210)의 상대 위치를 검출하기 위한 복수의 센서(220, 300)가 사이공간(214) 내에 제공되는
    리소그래피 장치(100).
  17. 제16항에 있어서,
    사이공간(214) 내에 제공되는 센서(220, 300)는 3개의 병진 및 3개의 회전 자유도에 관한 미러 세그먼트들(210)의 위치를 검출하는
    리소그래피 장치(100).
  18. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    개별 미러 세그먼트들(210)을 개별적으로 작동하기 위한 적어도 2개의 액추에이터를 더 포함하는
    리소그래피 장치(100).
  19. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    미러 세그먼트들(210)은 서로에 대해 접촉하지 않는 방식으로 배열되는
    리소그래피 장치(100).
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014206589A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Justieren eines Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102015225262A1 (de) 2015-12-15 2017-06-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102016214785A1 (de) * 2016-08-09 2018-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul mit einer Antikollisionseinrichtung für Modulkomponenten
CN109061916A (zh) * 2018-08-22 2018-12-21 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶面板对位检测装置及方法
US11391820B2 (en) 2019-04-26 2022-07-19 Waymo L LC Mirrors to extend sensor field of view in self-driving vehicles

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040227915A1 (en) 2003-02-13 2004-11-18 Masaru Ohtsuka Optical system in exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2005244238A (ja) 2004-02-27 2005-09-08 Asml Netherlands Bv リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法
US7050161B1 (en) 2003-08-06 2006-05-23 The United States Of America As Represented By The Administration Of The National Aeronautics And Space Administration Global radius of curvature estimation and control system for segmented mirrors
WO2012059537A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective of a microlithographic exposure apparatus

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4816759A (en) * 1987-10-28 1989-03-28 Kaman Corporation Inductive sensor for detecting displacement of adjacent surfaces
US4825062A (en) * 1987-10-29 1989-04-25 Kaman Aerospace Corporation Extendable large aperture phased array mirror system
US5109349A (en) * 1990-01-23 1992-04-28 Kaman Aerospace Corporation Actively controlled segmented mirror
JPH10154654A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Nikon Corp 投影露光装置
DE10033182A1 (de) 2000-07-07 2002-01-17 Mu Sen Mikrosystemtechnik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Druckmessung
US7126671B2 (en) * 2003-04-04 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008053618A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Canon Inc 露光装置及び方法並びに該露光装置を用いたデバイス製造方法
JP2009033048A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
DE102009000099A1 (de) * 2009-01-09 2010-07-22 Carl Zeiss Smt Ag Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik
KR101591610B1 (ko) 2008-02-15 2016-02-03 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 사용하기 위한 패싯 미러
US8235536B2 (en) * 2008-11-06 2012-08-07 Projectiondesign As High intensity image projector using sectional mirror

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040227915A1 (en) 2003-02-13 2004-11-18 Masaru Ohtsuka Optical system in exposure apparatus, and device manufacturing method
US7050161B1 (en) 2003-08-06 2006-05-23 The United States Of America As Represented By The Administration Of The National Aeronautics And Space Administration Global radius of curvature estimation and control system for segmented mirrors
JP2005244238A (ja) 2004-02-27 2005-09-08 Asml Netherlands Bv リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法
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