KR101710767B1 - 마스크 플레이트 - Google Patents

마스크 플레이트 Download PDF

Info

Publication number
KR101710767B1
KR101710767B1 KR1020147020829A KR20147020829A KR101710767B1 KR 101710767 B1 KR101710767 B1 KR 101710767B1 KR 1020147020829 A KR1020147020829 A KR 1020147020829A KR 20147020829 A KR20147020829 A KR 20147020829A KR 101710767 B1 KR101710767 B1 KR 101710767B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
slit
edges
shaped light
transmitting region
mask plate
Prior art date
Application number
KR1020147020829A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140110007A (ko
Inventor
젠유 시에
지안 구오
Original Assignee
보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드, 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20140110007A publication Critical patent/KR20140110007A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101710767B1 publication Critical patent/KR101710767B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/0988Diaphragms, spatial filters, masks for removing or filtering a part of the beam
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441Optical proximity correction [OPC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

대상 기판 상에 보다 좁은 선폭을 갖는 그래픽 구조를 구현하기 위해 마스크 플레이트가 사용된다. 마스크 플레이트는 슬릿형 투광 영역 및 차광 영역을 포함한다. 슬릿형 투광 영역의 에지는 곡선 형상이다.

Description

마스크 플레이트{MASK PLATE}
본 발명의 실시예들은 마스크 플레이트에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중에, 포토레지스트가 도포된 대상 기판(target substrate)이 마스크 플레이트(레티클(reticle))를 채택하는 포토리소그래피 처리되어 포토리소그래피 패턴을 형성하고, 마스크 플레이트 상의 패턴을 대상 기판으로 전사하기 위해 포토리소그래피 패턴을 이용하여 식각 공정이 행해지는 것은 매우 중요한 스테이지이다.
포토리소그래피 공정은 슬릿형 투광 영역(slit-like light-transparent region)을 갖는 마스크 플레이트 및 노광 기계를 통해 포토레지스트가 도포된 대상 기판에 대해 마스킹 노광(masking exposure)이 행해지는 공정이다. 결과적으로, 대상 기판 상에서 특정 폭을 갖는 슬릿형의 패턴 구조를 획득하기 위해, 슬릿형 투광 영역에 의해 형성된 마스크 플레이트 상의 패턴이 대상 기판으로 전사되고, 대상 기판이 식각된다.
마이크로리소그래피 분야에서, 대상 기판들 상에 그려진 패턴 구조들은 전기 회로선과 같이 대개 선형이다. 반도체 디바이스들이 점차 소형화됨에 따라, 패턴들의 선폭의 소형화는 제조사에서 추구하는 목적이 되었다. 그러나, 노광 기계의 노광 정밀도에서의 한계로 인해, 현재 제조되고 있는 대상 기판 상의 최소 폭을 갖는 패턴의 폭은 3μm 초과(3μm보다 많음)이고, 마스크 플레이트 상의 대응하는 슬릿형 투광 영역의 선폭은 3μm에서 5μm이다.
휴대폰과 같은 소형 디스플레이 제품의 경우, 전기 회로들 사이의 거리 축소 또는 전기 회로선들의 폭의 감소는 제품들의 해상도 또는 픽셀들의 구경비(aperture ratio)을 증가시키는데 매우 중요하다.
마이크로미터 단위의 선폭을 갖는 패턴들을 구현하는 것은 반도체 분야에서 매우 일반적이다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 거리(갭 폭)가 마이크로미터 단위로 설계될 필요가 있거나, 특정 전기 회로선들의 선폭이 마이크로미터 단위로 설계될 필요가 있다. 따라서, 마스크 플레이트 상의 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지 사이의 거리 또한 마이크로미터 단위로 설계되어야 한다. 그러나, 기존의 노광 시스템 및 대응 마스크 플레이트를 이용하는 노광 기계의 노광 정밀도에서의 한계로 인해, 포토리소그래피 품질이 보증될 수 있다는 전제 하에, 대상 기판 상에 3μm 초과의 선폭을 갖는 패턴만이 제조될 수 있고, 3μm 이하의 선폭을 갖는 패턴들은 획득될 수 없다. 일례로서 TFT의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭을 구현함으로써, 픽셀의 구경비의 증가를 용이하게 하기 위해 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭의 폭은 가능한 한 작아지며, 이로써 TFT의 광학 특성들이 개선된다.
현재 이용 가능한 3μm 초과의 선폭을 갖는 패턴들을 구현하기 위한 마스크 플레이트가 도 1에 예시되어 있고, 마스크 플레이트는 슬릿형 투광 영역 및 차광 영역들을 포함하는데, 이 경우 슬릿형 투광 영역의 에지들은 선형 구조를 갖도록 배열된다. 도 1에 예시된 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지 사이의 수직 거리는 3μm이고, 그에 따른 갭의 선폭은 3μm 이상이다. 갭이 더 좁은 선폭을 갖는 것을 원하고, 노광 기계의 노광용 광원(exposure light source)이 변경되지 않으면, 마스크 플레이트 상의 슬릿형 투광 영역의 폭을 감소시킬 수 있다. 그러나, 대상 기판 상의 선형 패턴이 노광 기계에 의해 방출되는 광의 회절에 의해 초래되는 회절 줄무늬 패턴인데, 회절은 광이 마스크 플레이트 상의 슬릿형 투광 영역을 통과할 때 일어나고, 회절 줄무늬 패턴은 선형 패턴이다. 광 회절의 조건들은 갭의 폭(슬릿형 투광 영역의 폭)이 입사광(노광 기계에 의해 방출되는 광)의 파장에 상당하거나 이와 거의 동일하다는 것을 포함한다. 갭이 너무 작은 경우, 광이 갭을 통과할 때 광의 산란 현상이 일어날 것이고, 회절 패턴이 형성될 수 없다. 회절 패턴이 형성될 수 있는 경우에도, 대상 기판 상의 포토레지스트에 의해 수신되는 광 세기가 너무 작다는 사실로 인해 소스 전극과 드레인 전극 사이의 전도성 막층이 완전히 식각되어 버리지 않을 수 있고, 이는 패턴을 위한 포토레지스트의 불완전한 제거를 초래함으로써 소스 전극과 드레인 전극 사이의 단락을 일으킬 수 있다. 그러므로, 종래의 마스크 플레이트를 이용하여 선폭이 더 좁은 패턴이 구현될 수 없다.
본 발명의 실시예들은 대상 기판 상에 더 좁은 선폭을 갖는 패턴 구조를 구현하기 위한 마스크 플레이트를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 슬릿형 투광 영역 및 차광 영역을 포함하는 마스크 플레이트가 제공되는데, 슬릿형 투광 영역의 에지는 곡선 형상이다.
예를 들어, 곡선 형상은 지그재그 형상 또는 파형 형상이다. 예를 들어, 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각에 있는 임의의 인접한 돌출 부위들 사이의 거리는 동일하고, 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각에 있는 임의의 인접한 오목 부위들 사이의 거리는 동일하다.
예를 들어, 슬릿형 투광 영역(slit-like light-transparent region)의 2개의 에지는 지그재그 형상이고, 돌출 부위의 형상은 꼭지점 각도(vertex angle)로서 융기된 각도를 갖는 이등변 삼각형이고, 오목 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 함몰된 각도를 갖는 이등변 삼각형이거나; 또는 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 지그재그 형상이고, 돌출 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 융기된 각도를 갖는 이등변 삼각형이고, 오목 부위의 형상은 이등변 삼각형과 공통의 허리부를 갖는 이등변 사다리꼴이다.
예를 들어, 이등변 삼각형의 꼭지점 각도는 15°와 75° 사이의 범위에 있다.
예를 들어, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 서로 거울 대칭적이다.
예를 들어, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에 있는 마주하는 인접한 돌출 부위들 사이의 거리는 동일하고; 및/또는 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 동일하다.
예를 들어, 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 1μm에서 3μm의 범위에 있고, 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 3μm이다.
예를 들어, 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 2개의 단부(end)는 볼록하거나 오목하다.
예를 들어, 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 2개의 단부가 오목한 경우, 오목 부위의 형상은 직각 삼각형이거나 직각 사다리꼴(right-angled trapezoid)이다.
예를 들어, 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 2개의 단부가 볼록한 경우, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지의 어느 하나의 단부에 있는 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지의 중간 부분에서 마주하는 오목 부위들 사이의 거리보다 작거나; 또는 슬릿형 투광 영역의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 동일하고, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지의 어느 하나의 단부에 있는 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 슬릿형 투광 영역의 에지들의 중간 부분에서 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리보다 작다.
본 발명의 실시예들에 의해 제공되는 마스크 플레이트를 이용하면, 노광 파라미터들이 일정한 경우, 3μm 이하의 선폭을 갖는 패턴 구조가 달성될 수 있다.
본 발명의 실시예들의 기술적 해결책을 더 명확히 예시하기 위해, 이하 실시예들의 도면이 간략히 설명될 것인데, 이하 설명되는 도면들은 본 발명의 일부 실시예와 관련되어 있을 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아님은 자명하다.
도 1은 3μm 초과의 선폭을 갖는 갭 구조를 구현하기 위한 기존의 마스크 플레이트를 예시한 구조적인 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 지그재그 형상의 갭 구조를 갖는 마스크 플레이트를 예시한 구조적인 개략도다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 파형 갭 구조를 갖는 마스크 플레이트를 예시한 구조적인 개략도다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 양단에서 갭 에지가 오목한 마스크 플레이트를 예시한 구조적인 개략도다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 균일한 폭을 갖는 선형 패턴의 형성을 예시한 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 비균일한 폭을 갖는 선형 패턴의 형성을 예시한 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 에지의 양단에 범프(bump)들이 제공되는 마스크 플레이트를 예시한 도면이다.
도 8는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 3μm 미만의 폭을 갖는 TFT 구조의 형성을 예시한 개략도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 양단에서 에지가 볼록한 마스크 플레이트 및 TFT를 예시한 체계적이고 구조적인 개략도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 양단에서 에지가 볼록한 다른 마스크 플레이트 및 TFT를 예시한 체계적이고 구조적인 개략도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 양단에서 에지가 볼록한 다른 마스크 플레이트 및 TFT를 예시한 체계적이고 구조적인 개략도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 양단에서 에지가 오목한 마스크 플레이트 및 TFT를 예시한 체계적이고 구조적인 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 양단에서 에지가 오목한 다른 마스크 플레이트 및 TFT를 예시한 체계적이고 구조적인 개략도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 다른 마스크 플레이트를 예시한 구조적인 개략도이다.
본 발명의 실시예들의 목적, 기술적 상세사항, 및 이점들을 명백히 하기 위해, 이하 본 발명의 실시예들의 기술적 해결 방안들이 본 발명의 실시예들에 관한 도면과 함께 명확하고 완전히 이해될 수 있는 방식으로 설명될 것이다. 설명된 실시예들은 본 발명의 실시예의 단지 일부일 뿐 전체가 아님은 자명하다. 본 발명의 설명된 실시예에 기반하여, 당업자는 어떤 창조적 작업 없이 본 발명에 의해 보호되어야 하는 범위 내의 다른 실시예(들)를 획득할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 대상 기판 상에 보다 좁은 선폭을 갖는 패턴 구조를 구현하기 위한 마스크 플레이트를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 마스크 플레이트는 대상 기판 상에 3μm 이하일 수 있는 선폭을 갖는 패턴 구조를 구현하는 역할을 한다. 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 마스크 플레이트는 주로 슬릿형 패턴 구조를 구현하는데 사용된다. 따라서, 마스크 플레이트 상의 투광 영역은 슬릿형 투광 영역이다. 이는 종래의 기술에서의 슬릿형 투광 영역과 상이하다. 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 마스크 플레이트의 슬릿형 투광 영역의 에지는 곡선 형상인데, 예를 들어, 곡선 형상은 지그재그 형상 또는 파형 형상일 수 있다.
본 발명의 실시예에서 인용되는 에지는 특히 슬릿의 갭 에지(gap edge), 즉 도 1에 예시된 투광 영역의 장변(long side)을 지칭한다. 이는 본 발명의 실시예들에서 언급되는 마스크 플레이트의 슬릿의 폭이 마이크로미터 단위, 약 수 마이크로미터이지만, 슬릿의 길이, 즉 마스크 플레이트의 길이 또는 폭이 미터 단위이고, 더 큰 마스크 플레이트의 길이는 수 미터이기 때문이다. 그러므로, 슬릿의 폭에 대한 길이의 비는 상대적으로 크며, 수 마이크로미터의 길이를 갖는 슬릿의 단변(short side)을 울퉁불퉁하게(불규칙하게) 형성하는 것은 불필요하다.
본 발명의 실시예들에 의해 제공되는 전술한 마스크를 통해 선폭이 더 좁은 패턴 구조를 구현하기 위한 원리는 다음과 같이 간단히 설명될 것이다.
도 2에 예시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 플레이트 상의 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 지그재그 형상이거나, 도 3에 예시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 플레이트 상의 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 파형 형상이다. 대상 기판을 조명하기 위한 노광 세기는 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지의 오목 부위들에 의해 감소될 수 있으며, 이로써 마스크 플레이트를 통해 대상 기판 상에 형성될 갭의 폭이 감소될 수 있다. 광 투과율(light transmittance)은 2개의 에지의 돌출 부위에서 상대적으로 세며, 이로써 오목 부위에 의해 초래되는 노광 세기의 감소 효과를 보상한다. 이로써, 이는 슬릿형 투광 영역의 에지들의 돌출 부위들에 의해 대상 기판에 형성되는 갭의 폭이 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지의 마주하는 돌출 부위들 사이의 폭보다 작게 만든다. 오목한 에지들 사이의 갭에 의해 단일 슬릿 회절이 일어날 수 있고, 단일 슬릿 회절을 통해 대상 기판 상에 형성된 갭은 균일하고 3μm 미만인 폭을 갖는 갭이다. 본 발명의 실시예들에 의해 제공되는 마스크 플레이트 내에서 최소 갭 폭이 1μm까지 감소될 수 있으며, 이로써 대상 기판 상에 형성된 패턴 구조의 선폭을 크게 감소시킬 수 있다는 것이 실험을 통해 검증되었다. 이에 따라, 선폭이 더 좁은 패턴 구조가 실현될 수 있다.
형성된 패턴 구조 또는 갭의 선폭은 슬릿형 투광 영역의 에지들의 오목 부위들의 오목한 정도에 의존한다. 본 발명의 실시예들에서, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에서의 임의의 마주하는 오목한 부위들 사이의 최소 거리가 1μm이고, 2개의 에지에서의 임의의 마주하는 돌출된 부위들 사이의 최대 거리가 3μm인 경우, 노광에 의해 정상 회절 줄무늬(슬릿 구조)가 획득될 수 있다는 것이 보증된다. 즉, 회절 조건들이 충족될 수 있고, 정상적이고 완전 노광 처리된 회절 줄무늬가 얻어진다. 전술한 완전 노광은 노광 패턴이 완전히 식각되어 버리거나 온전히 남아 있을 수 있다는 것을 의미한다.
포지티브 포토레지스트가 대상 기판에 도포되면, 마스크 플레이트를 통해 대상 기판 상으로 전사된 슬릿형 패턴에 대응하는 막 부분은 현상액(developer)을 이용하는 현상 공정을 통해 제거되고, 그 영역은 반도체 회로에서 전도층들을 고립시키기 위한 절연 영역일 수 있다. 네거티브 포토레지스트가 대상 기판에 도포되면, 마스크 플레이트를 통해 대상 기판 상으로 전사된 슬릿형 패턴에 대응하는 막 부분은 현상액을 이용하는 현상 공정을 통해 제거되지 않을 것이고, 나머지 영역들이 현상에 의해 제거될 것이다. 그러므로, 패턴에 대응하는 남은 막층은 특정 폭을 갖는 배선일 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들에 의해 제공되는 기술적 방안들이 첨부 도면을 통해 구체적으로 설명될 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 마스크 플레이트는 기판 상에 형성된 슬릿형 투광 영역 및 차광 영역들을 포함하는데, 투광 영역은 특정 패턴으로 형성되고, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 곡선 형상이다. 곡선 형상은 지그재그 형상 또는 파형 형상, 또는 다른 형상일 수 있다.
예를 들어, 대상 기판 상에 형성된 슬릿형 구조 또는 갭을 더 규칙적으로 만들기 위해(예를 들어, 갭의 폭이 균일하게 하기 위해), 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 서로 거울 대칭적이다.
예를 들어, 대상 기판 상에 형성된 슬릿형 구조 또는 갭을 더 규칙적으로 만들기 위해, 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각 상의 임의의 인접한 오목 부위들 사이의 거리는 동일하고, 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각 상의 임의의 인접한 돌출 부위들 사이의 거리는 동일하다.
예를 들어, 대상 기판 상에 형성된 슬릿형 구조 또는 갭을 더 규칙적으로 만들기 위해, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에 대한 임의의 마주하는 오목 부위 사이의 거리는 동일하고, 및/또는 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에 대한 임의의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 동일하다.
3μm 미만의 균일한 선폭을 갖는 갭을 달성하기 위해, 2개의 에지에서의 임의의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 1μm와 3μm 사이의 범위에 있고, 2개의 에지에서의 임의의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 3μm이다. (도 2에 예시된 바와 같은 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 1μm이고, 도 3에 예시된 바와 같은 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 2μm이다.)
2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리가 미리설정된 값인 경우, 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리가 클수록, 형성된 갭의 폭이 더 크고(갭의 폭이 여전히 3μm 이내임), 2개의 에지에 있는 마주하는 오목 부위들 사이의 거리가 작을수록, 형성된 갭의 폭이 더 좁다. 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 돌출 부위들이 거리 “a”만큼 서로 떨어져 있고, 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 오목 부위들이 거리 “b”만큼 서로 떨어져 있는 경우, 대상 기판에 형성된 패턴의 폭은 약 (a + b)/2이라는 점이 실험들을 통해 검증되었다. 그러므로, a = 3μm 및 b = 1μm인 경우, 대상 기판에 형성된 패턴의 폭은 약 2μm이다.
예를 들어, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지가 지그재그 형상이고, 오목 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 함몰된 각(recessed angle)을 갖는 이등변 삼각형이고, 돌출 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 돌출 각(protruded angle)을 갖는 이등변 삼각형이다.
또는, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지가 지그재그 형상이고, 오목 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 함몰된 각을 갖는 이등변 삼각형이고, 돌출 부위의 형상은 이등변 삼각형과 공통의 허리부를 갖는 이등변 사다리꼴이다.
슬릿형 투광 영역의 에지들이 지그재그 형상인 경우, 오목 부위 및 돌출 부위의 형상이 삼각형이고, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에서의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리가 미리설정된 값인 경우, 꼭지점 각도(오목 부위에 대응하는 각도)의 범위는 변경될 수 있는데, 다시 말하면 2개의 에지에서의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 대상 기판 상에 형성된 패턴의 선폭을 변경하기 위해 변경될 수 있다.
예를 들어, 삼각형의 꼭지점 각도(오목 부위에 대응하는 각도)는 15도와 75도 사이의 임의의 값일 수 있다. 더 좁은 갭을 원하면, 꼭지점 각도는 다소 더 커야 하며, 더 넓은 갭을 원하면, 꼭지점 각도는 다소 더 작아야 한다.
마찬가지로, 2개의 에지에서의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리를 변경하기 위해 슬릿형 에지의 오목 부위들의 오목한 정도가 변경되는 것 또한 가능하다.
예를 들어, 마스크 플레이트 상의 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 2개의 단부가 오목하거나 볼록하며, 도 4의 점선 내에 예시된 바와 같이, 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 2개의 단부가 오목하게 형성된다. 또는, 에지들 각각의 2개의 단부는 도 2 또는 도 3의 점선에 의해 정의되는 영역 내에 예시된 바와 같은 슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부들의 구성과 같이 볼록하게 형성된다.
마스크 플레이트 상의 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 2개의 단부가 마스크 플레이트의 투광 영역의 중간 영역에 비해 더 강한 광 투과율을 갖는 현상의 측면에서, 마스크 플레이트의 슬릿형 투광 영역의 2개의 단부에서의 노광 세기를 감소시키기 위해 슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부 각각의 외측에 제공될 수 있다. 이로써, 대상 기판 상에 형성된 갭의 선폭이 균일하게 될 수 있다. 도 7에 예시된 바와 같이 직사각형이고, 원호(circular arc)일 수도 있는 범프의 형상에 대한 제한이 없으며, 구체적인 형상 및 크기는 요구 사항에 따라 설계될 수 있다.
슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부가 오목한 경우, 오목 부위의 형상은 직각 삼각형이거나 직각 사다리꼴(right-angled trapezoid)이다.
슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부가 오목한 경우, 도 5에 예시된 바와 같이, 대상 기판 상에 형성된 갭의 선폭은 균일하다. 슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부가 볼록한 경우, 도 6에 예시된 바와 같이, 대상 기판 상에 형성된 갭의 선폭은 균일하지 않고(선폭이 비균일함), 형성된 갭의 중간 부분이 더 좁고, 2개의 단부에서의 부위들이 더 넓다. 이는, 슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부가 볼록하게 형성된 경우, 마스크 플레이트의 투광 영역의 중간 영역에서의 노광 세기가 어느 하나의 단부에서 노광 영역에서의 노광 세기보다 낮고, 대상 기판에 형성된 슬릿이 단부에서보다 중간 영역에서 더 좁은 폭을 갖기 때문이다.
슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부들이 볼록하게 형성된 경우, 도 6에 예시된 바와 같이 균일하지 않은 폭을 갖는 갭의 형성을 회피하기 위해, 슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부들에 인접한 오목 부위들이 더 가파르게 형성될 수 있다. 즉, 슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부가 볼록한 경우, 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지의 어느 하나의 단부에 있는 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지의 중간 부분에서 마주하는 오목 부위들 사이의 거리보다 작거나; 또는 슬릿형 투광 영역에 마주하는 모든 오목 부위들 사이의 거리는 동일하고, 슬릿형 투광 영역의 에지들의 어느 하나의 단부에서 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 슬릿형 투광 영역의 에지들의 중간 부분에서 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리보다 작다.
이와 같이, 슬릿형 투광 영역의 에지의 어느 하나의 단부 근처의 오목 부위는 상당 정도 광을 차폐하는 기능을 하며, 이로써 대상 기판에 형성된 갭이 더 좁아지며, 궁극적으로 형성된 전체 갭의 폭이 균일하다. 즉, 도 5에 예시된 바와 같은 패턴이 형성된다.
슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 1.5μm로 설정될 수 있고, 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 2.5μm로 설정될 수 있다. 이와 마찬가지로, 2μm의 폭을 갖는 갭이 대상 기판에 형성될 수 있다.
이후, 본 발명의 실시예들에 의해 제공되는 기술적 방안들은 TFT를 위한 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭(즉, 채널 영역)의 일례를 참조하여 첨부 도면과 함께 설명될 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 TFT를 예시한 개략적인 부분 구조도인 도 8에 예시된 바와 같이, 구체적으로, 활성층이 게이트 전극 위에 형성되고, 소스 및 드레인 막층이 활성층 위에 형성된다. 활성층의 일부가 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭을 통해 노광된다. 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭이 좁아질수록, 형성된 TFT가 더 작아지고, TFT가 위치한 픽셀의 구경비가 더 커지고, 제품의 광 투과율이 더 좋아진다. 그러나, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭의 최소화를 어떻게 달성할지는 산업계에서 기술적으로 어려운 문제다. 현재, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭은 노광 정밀도에 영향을 받으며, 형성된 갭은 일반적으로 3μm에서 5μm의 범위에 있다. 갭의 폭이 1μm 감소하면, 제품을 위한 픽셀의 구경비는 크게 상승할 수 있으며, 이로써 제품의 경쟁력을 증진시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 도 8에서의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 3μm 미만의 선폭을 갖는 갭은 슬릿형 투광 영역의 에지가 도 2에 예시된 지그재그 형상인 마스크 플레이트를 이용하여 구현될 수 있다.
슬릿형 투광 영역의 에지에 의해 취해지는 지그재그 형상의 오목 부위들과 돌출 부위들 사이의 교차 부위들은 이등변 삼각형과 같은 삼각형으로 보이고, 이등변 삼각형들에 대응하는 돌출 부위들은 어레이 기판에 형성된 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭의 폭이 더 균일하게 할 수 있다.
슬릿형 투광 영역의 에지들 각각에 있는 모든 오목 부위들은 동일한 꼭지점 각도를 갖는 대응하는 삼각형들을 갖고, 모든 돌출 부위들은 동일한 꼭지점 각도를 갖는 대응하는 삼각형들을 갖고, 오목 부위에 대응하는 삼각형의 꼭지점 각도는 돌출 부위에 대응하는 삼각형의 꼭지점 각도와 같다. 또한, 2개의 에지에서 마주하는 임의의 2개의 돌출 부위들 사이의 거리는 동일하고, 2개의 에지에서 마주하는 임의의 2개의 오목 부위들 사이의 거리는 동일하다. 이러한 설계 배열은 균일한 폭을 갖는 갭의 형성을 용이하게 한다.
2개의 에지에서 마주하는 임의의 2개의 오목 부위 사이의 거리가 동일하다고 주어지면, 2개의 에지에 있는 몇몇 마주하는 오목 부위들이 더 큰 꼭지점 각도들을 갖고, 몇몇 마주하는 오목 부위들이 더 작은 꼭지점 각도들을 갖는 경우, 더 큰 꼭지점 각도를 갖는 오목 부위에 대응하는 함몰된 영역의 면적이 또한 더 크고, 이러한 함몰된 영역에 대응하는 갭을 통과하는 광은 더 약하고, 대상 기판에 형성된 패턴은 더 좁다. 따라서, 더 작은 꼭지점 각도를 갖는 오목 부위에 대응하는 함몰된 영역의 면적은 더 작고, 함몰된 영역에 대응하는 갭을 통과하는 광은 더 강하고, 대상 기판에 형성된 패턴은 더 넓다. 대응 기판에 형성된 패턴이 금속 막층의 절연 갭이면, 금속 막층에서의 절연 갭이 더 좁은 경우, 갭의 2개의 측면 위의 금속 막층들은 전도성 연결될 수 있다. 이에 따라, 디바이스의 구조가 변경되고, 이는 원치 않는 단락을 초래한다.
2개의 에지에서 마주하는 임의의 2개의 돌출 부위 사이의 거리가 동일하다고 주어지면, 2개의 에지에 있는 몇몇 마주하는 오목 부위들이 더 큰 꼭지점 각도들을 갖고, 몇몇 마주하는 오목 부위들이 더 작은 꼭지점 각도들을 가지는 경우, 더 큰 꼭지점 각도를 갖는 오목 부위에 대응하는 함몰된 영역의 면적은 더 작고, 이러한 함몰된 영역에 대응하는 갭을 통과하는 광은 더 강하고, 대상 기판에 형성된 패턴은 더 넓다. 따라서, 더 작은 꼭지점 각도를 갖는 오목 부위에 대응하는 함몰된 영역의 면적은 더 크고, 함몰된 영역에 대응하는 갭을 통과하는 광은 더 약하고, 대상 기판에 형성된 패턴은 더 좁다. 대상 기판에 형성된 패턴이 금속 막층의 절연 갭이면, 금속 막층들에 대한 절연 갭이 더 좁은 경우, 갭의 2개의 측면 위의 금속 막층들은 전도성 연결될 수 있다. 이에 따라, 디바이스의 구조가 변경되고, 이는 원치 않는 단락을 초래한다.
슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에서의 마주하는 돌출 부위들 사이의 투광 영역들은 충분한 광 세기를 갖는 광이 통과하게 하고; 슬릿형 투광 영역의 거울 대칭적인 에지들 상의 오목 부위 사이의 투광 영역들은 한편으로 광의 투과를 허용하는 역할을 하고, 다른 한편으로 노광 기계로부터 노광 세기를 감소시키는 역할을 할 수 있다. 슬릿형 투광 영역의 에지들에서 서로 거울 대칭적인 돌출 부위들 및 오목 부위들은 집합적으로 행동하며, 이로써 투광 영역에 의해 투과되는 노광 세기가 저하되고, 형성될 유효 갭(effective gap)이 상대적으로 좁다. 유효 갭은 완전히 식각될 수 있는 영역에 대응하고, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 단락이 생기지 않을 것이다.
2개의 에지에 있는 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리가 결정되는 경우, 슬릿형 투광 영역의 지그재그 형상 에지의 오목 부위의 꼭지점 각도의 크기는 서로 거울 대칭적인 오목 부위들 사이의 거리를 결정한다. 오목 부위에 대응하는 삼각형의 꼭지점 각도는 15도에서 75도 범위에 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 어느 하나의 단부에서 에지가 볼록한 마스크 플레이트 및 TFT를 예시한 체계적이고 구조적인 개략도이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 기계 및 전술한 마스크 플레이트가 어마운트된 후에, 미리 준비된 어레이 기판이 노광 챔버에 위치하여 마스킹 노광 공정으로 처리된다. 어레이 기판은 게이트 전극(11) 및 활성층(도 9에 미도시)이 형성된 기판이고; 활성층에 전도 막층(12)이 소스 전극과 드레인 전극을 형성하기 위해 제공되고, 전도성 막층은 포지티브 포토레지스트로 도포된다. 마스크 플레이트(22)는 전도층(12)이 형성된 기판 위에 바로 배치된다. 마스트 플레이트(22)를 통해 노광을 이용하면, 2μm의 선폭을 갖는 갭은 포지티브 포토레지스트에 형성되고, 식각 공정을 통해, 마스크 플레이트(22) 상의 슬릿형 투광 영역에 대응하는 어레이 기판 상의 영역은 도 8에 예시된 바와 같은 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭을 형성하기 위해 식각된다. 갭의 폭이 2μm이고, 각각의 TFT에 대한 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭은 적어도 1μm만큼 감소한다. 소형 스크린 및 고해상도를 갖는 디스플레이 제품의 경우, 픽셀의 구경비는 크게 상승할 것이다.
식각에 의해 약 2μm의 갭을 갖는 전도성 스트립들을 생성하는 것이 바람직한 경우, 전도성 막층에 네거티브 포토레지스트를 도포할 필요가 있다는 점에 유의해야 한다.
투광 영역의 2개의 에지에 있는 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 1μm로 제한되지 않고, 2개의 에지에 있는 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 3μm로 제한되지 않는다. 예를 들어, 다음의 배열이 이용 가능하다. 2개의 에지에 있는 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 1.5μm이고, 2개의 에지에 있는 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 2.5μm이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 양단은 볼록하게 설계된다. 즉, 슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 2개의 단부에서 광을 차폐하기 위한 오목 부위가 존재하지 않는다. 이는 슬릿형 투광 영역의 에지들의 2개의 단부에서 투과된 광의 더 강한 노광 세기를 초래할 수 있고, 형성된 갭은 중간에서 좁고, 양단에서 넓다. 이는 또한 소스 전극과 드레인 전극의 형상이 불규칙적일 것이라는 사실을 초래한다.
슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 양단이 볼록한 경우, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 형성된 갭의 폭이 달라지는 문제점이 해결하기 위해, 다른 마스크 설계 방식이 본 발명의 일 실시예에 의해 제공된다. 구체적으로, 설계는 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지의 어느 하나의 단부에 있는 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지의 중간 부분에서의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리보다 작다는 점에서 도 9에 예시된 바와 같이 마스크 플레이트를 위한 슬릿형 투광 영역의 에지 배열 모드와 상이하고, 형성된 패턴이 도 10에 예시된다. 슬릿형 투광 영역의 모든 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 동일하고, 슬릿형 투광 영역의 에지들의 어느 하나의 단부에 있는 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 슬릿형 투광 영역의 에지들의 중간 부분에 있는 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리보다 작고, 형성된 패턴은 도 11에 예시된 바와 같다.
도 10 또는 도 11에 예시된 바와 같은 마스크 플레이트의 투광 영역의 설계 모드가 도 9에 예시된 바와 같은 마스크 설계 모드와 비교되는 경우, 마스크 플레이트에 의해 형성된 갭이 어느 하나의 단부에서 상대적으로 작은 폭을 갖고, 이로써 전체 갭은 균일한 폭으로 유지된다.
슬릿형 투광 영역의 각각의 에지의 양단이 볼록한 경우, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 형성된 갭의 폭이 달라지는 문제점을 해결하기 위해, 다른 마스크 설계 방식이 본 발명의 일 실시예에 의해 제공된다. 구체적으로, 마스크 설계는 슬릿형 투광 영역의 에지의 2개의 단부가 오목하다는 점에서 도 9에 예시된 마스크 플레이트의 투광 영역의 배열 모드와 상이하다. 오목 부위는 도 12에 예시된 바와 같이 하나의 직각 삼각형(예를 들어, 도 12에서의 파선 박스(A)에 의해 표시된 부위) 또는 직각 사다리꼴(예를 들어, 도 13에서의 파선 박스(B)에 의해 표시된 부위)일 수 있고, 직각에 대응하는 변이 최외측 변에 배치된다. 또한, 직각 삼각형 또는 직각 사다리꼴의 빗변의 경사각은 투광 영역의 중간의 삼각형의 경사각과 동일하다(경사각은 전술한 꼭지점 각도가 아님).
전술된 마스크 플레이트의 투광 영역의 설계 모드가 도 9에 예시된 마스크 설계 모드와 비교되는 경우, 이러한 설계 모드에서 형성된 갭은 양단에서 상대적으로 작은 폭을 가지며, 이로써 전체 갭은 균일한 폭으로 유지된다. 더구나, 도 12 또는 도 13에서의 마스크 설계 모드가 도 10 또는 도 11에 예시된 마스크 설계 모드와 비교되면, 이 설계 모드는 간단하다. 또한, 모든 마스크 플레이트의 설계 모드는 하나의 종류로 제한되지 않고, 도 7에 예시된 마스크 설계 모드는 도 9 내지 도 13 중 어느 하나의 설계 모드와 함께 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 마스크 플레이트의 설계 모드에서, 도 14에 예시된 바와 같이, 돌출 부위들은 이등변 사다리꼴일 수 있고, 오목 부위들은 이등변 삼각형일 수 있다는 점에 유의해야 한다. 마찬가지로, 3μm 이하의 선폭을 갖는 패턴 구조가 이 구조를 통해 형성될 수 있다. 도 14에 예시된 바와 같은 마스크 플레이트를 갖는 3μm 이하의 패턴 구조를 구현하는 원리는 도 12 및 도 13에 예시된 바와 같은 마스크 플레이트를 갖는 패턴 구조와 유사하며, 여기에서 상세 설명들은 생략된다.
본 발명의 실시예들에 의해 제공되는 마스크 플레이트들에 대해, 이들을 위한 제조 공정은 플레이트 마스크를 제조하기 위한 기존의 공정과 동일할 수 있다.
예를 들어, 제조 공정은 단계들에서 다음과 같은 방식으로 구현될 수 있다.
단계 1, 금속 크롬 막층이 유리 기판의 표면에 증착된다.
단계 2, 전술된 슬릿형 투광 영역에 대응하는 패턴을 형성하기 위해 금속 크롬 막층에 대한 촬영이 행해진다.
전술된 바와 같은 지그재그 형상 구조를 갖는 슬릿형 투광 영역의 에지들은 마스크 플레이트의 금속 크롬 막층에 형성된다. 구체적으로, 슬릿형 투광 영역에 대응하는 패턴의 이미지가 전자 빔들을 사용하여 금속 크롬 막층에 형성될 수 있다.
단계 3, 패턴이 형성된다. 투광 영역에 대응하는 크롬 막층이 식각 공정을 통해 식각될 수 있으며, 이로써 영역은 슬릿형 투광 영역이 된다.
본 발명의 실시예에 의해 제공되는 마스크 플레이트의 설계 모드들을 이용하여, 3μm 이하의 폭을 갖는 임의의 패턴 구조가 구현될 수 있고, 특히 반도체 제조 공정의 기술 분야에서, 3μm 이하의 폭을 갖는 임의의 배선이 구현되거나, 3μm 이하의 폭을 갖는 배선들 사이의 임의의 갭이 구현될 수 있다는 점에 유의해야 한다. 더구나, 선폭이 3μm 미만이고, 형성된 그래프의 선폭 또한 3μm 미만인 것이 보장되는 한, 본 발명의 실시예들에 의해 제공되는 슬릿형 투광 영역의 에지가 오목-볼록 형상이고, 규칙적인 패턴을 이용한 오목-볼록 형상일 수 있다.
요약하면, 슬릿형 투광 영역 및 차광 영역들을 포함하는 본 발명의 실시예들에 의해 제공되는 마스크 플레이트의 경우, 슬릿형 투광 영역의 에지가 볼록하고, 에지의 돌출 부위들은 노광 기계의 광 세기에 대비하여 쉘터링하는 역할을 하여 대상 기판에 형성된 갭이 더 좁은 폭을 가질 수 있고, 돌출 부위들은 특정 광학 세기로 광의 부드러운 통과를 보증하는 역할을 할 수 있다. 슬릿형 투광 영역의 에지에 있는 대체적인 오목 부위들 및 돌출 부위들의 배열 모드에 의해 형성된 패턴은 더 좁은 갭을 갖고, 종래의 기술에 비해, 3μm 이하의 선폭을 갖는 패턴 구조는 노광 마스크를 사용하는 공정을 통해 구현될 수 있다.
전술한 설명들은 단순히 본 발명의 예시적인 실시예들로서 본 발명의 보호 범위를 제한하는데 사용되지 않는다. 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항에 의해 결정된다.

Claims (14)

  1. 마스크 플레이트(mask plate)로서,
    슬릿형 투광(light-transparent) 영역 및 차광(lightproof) 영역들을 포함하고,
    상기 슬릿형 투광 영역의 에지는 지그재그 형상 또는 곡선 형상이고,
    상기 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 어느 하나의 단부 외측에 하나의 범프(bump)가 각각 배치되고,
    상기 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 2개의 단부는 오목한, 마스크 플레이트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 곡선 형상은 파형(wave-like) 형상인, 마스크 플레이트.
  3. 제2항에 있어서, 상기 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각에 있는 임의의 인접한 돌출 부위들 사이의 거리는 동일하고, 상기 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각에 있는 임의의 인접한 오목 부위들 사이의 거리는 동일한, 마스크 플레이트.
  4. 제2항에 있어서, 상기 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 지그재그 형상이고, 돌출 부위의 형상은 꼭지점 각도(vertex angle)로서 융기된 각도(raised angle)를 갖는 이등변 삼각형이고, 오목 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 함몰된 각도(recessed angle)를 갖는 이등변 삼각형이거나,
    상기 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 지그재그 형상이고, 돌출 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 융기된 각도를 갖는 이등변 삼각형이고, 오목 부위의 형상은 상기 이등변 삼각형과 공통의 허리부를 갖는 이등변 사다리꼴인, 마스크 플레이트.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이등변 삼각형의 꼭지점 각도는 15°와 75° 사이의 범위에 있는, 마스크 플레이트.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 서로 거울 대칭적인, 마스크 플레이트.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 동일하고; 및
    상기 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 동일한, 마스크 플레이트.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 1μm와 3μm 사이의 범위에 있고, 상기 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 3μm인, 마스크 플레이트.
  9. 삭제
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 2개의 단부가 오목한 경우, 상기 슬릿형 투광 영역의 에지들 각각의 2개의 단부에서의 오목한 부위들의 형상은 직각 삼각형이거나 직각 사다리꼴(right-angled trapezoid)인, 마스크 플레이트.
  11. 삭제
  12. 제3항에 있어서, 상기 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 지그재그 형상이고, 돌출 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 융기된 각도를 갖는 이등변 삼각형이고, 오목 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 함몰된 각도를 갖는 이등변 삼각형이거나,
    상기 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지는 지그재그 형상이고, 돌출 부위의 형상은 꼭지점 각도로서 융기된 각도를 갖는 이등변 삼각형이고, 오목 부위의 형상은 상기 이등변 삼각형과 공통의 허리부를 갖는 이등변 사다리꼴인, 마스크 플레이트.
  13. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 돌출 부위들 사이의 거리는 동일한, 마스크 플레이트.
  14. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬릿형 투광 영역의 2개의 에지에 있는 임의의 마주하는 오목 부위들 사이의 거리는 동일한, 마스크 플레이트.
KR1020147020829A 2012-06-29 2012-12-04 마스크 플레이트 KR101710767B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210226736.1 2012-06-29
CN2012102267361A CN102749801A (zh) 2012-06-29 2012-06-29 一种掩模板
PCT/CN2012/085860 WO2014000380A1 (zh) 2012-06-29 2012-12-04 掩模板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140110007A KR20140110007A (ko) 2014-09-16
KR101710767B1 true KR101710767B1 (ko) 2017-02-27

Family

ID=47030108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147020829A KR101710767B1 (ko) 2012-06-29 2012-12-04 마스크 플레이트

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9529252B2 (ko)
EP (1) EP2869120B1 (ko)
JP (1) JP6294316B2 (ko)
KR (1) KR101710767B1 (ko)
CN (2) CN102749801A (ko)
WO (1) WO2014000380A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102749801A (zh) 2012-06-29 2012-10-24 北京京东方光电科技有限公司 一种掩模板
CN103149790B (zh) * 2013-02-22 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 掩模板
CN103412462B (zh) * 2013-07-26 2016-03-02 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜板及液晶面板
CN103760748A (zh) * 2014-01-28 2014-04-30 北京京东方光电科技有限公司 掩模板和过孔形成方法
CN104218070A (zh) * 2014-08-28 2014-12-17 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN104714363A (zh) * 2015-03-26 2015-06-17 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种灰阶掩膜版及利用其制造液晶显示器的方法
SG10201605683WA (en) * 2015-07-22 2017-02-27 Ultratech Inc High-efficiency line-forming optical systems and methods using a serrated spatial filter
CN105093813B (zh) 2015-09-11 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 光掩模板和曝光***
CN105137709B (zh) * 2015-10-08 2019-11-26 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版及其制造方法、制造装置、掩膜版的使用方法
KR102411539B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
CN105789328A (zh) * 2016-05-19 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种图案对、tft及其制作方法、掩膜版
CN108227368A (zh) * 2018-01-17 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板、显示基板以及显示装置
CN108520882B (zh) * 2018-04-11 2021-03-23 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板及制造该阵列基板的掩膜板
CN108761997A (zh) * 2018-06-05 2018-11-06 深圳市华星光电技术有限公司 光罩和薄膜晶体管的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000122263A (ja) 1998-10-15 2000-04-28 Nec Corp フォトマスク及びその作成方法
JP2008176303A (ja) 2006-12-19 2008-07-31 Nec Electronics Corp マスク生成方法、マスク形成方法、パターン形成方法および半導体装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56156636A (en) 1980-05-08 1981-12-03 Toshiba Corp Mask nega pattern
US5328807A (en) * 1990-06-11 1994-07-12 Hitichi, Ltd. Method of forming a pattern
JPH0653159A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Sony Corp レジスト構造、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法
JP3322738B2 (ja) * 1993-12-08 2002-09-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び集積回路ならびに表示装置
KR100208441B1 (ko) 1995-06-15 1999-07-15 김영환 포토마스크의 패턴 구조
JP2917879B2 (ja) 1995-10-31 1999-07-12 日本電気株式会社 フォトマスク及びその製造方法
KR100283408B1 (ko) 1998-01-21 2001-04-02 김영환 반도체용마스크
KR20010005225A (ko) 1999-06-30 2001-01-15 배영근 방충기능과 자외선차단기능을 갖는 화장료 조성물
JP3327394B2 (ja) 1999-10-25 2002-09-24 日本電気株式会社 光近接効果補正方法
JP4192618B2 (ja) * 2003-02-17 2008-12-10 ソニー株式会社 マスクの補正方法
KR101006435B1 (ko) * 2003-09-01 2011-01-06 삼성전자주식회사 노광 마스크, 이를 포함하는 노광 장치 및 이를 이용한표시 장치용 표시판의 제조 방법
CN100561350C (zh) * 2006-07-10 2009-11-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学近似修正的方法及其光掩膜图案
KR100873275B1 (ko) * 2007-03-19 2008-12-11 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 제조 방법
KR101264723B1 (ko) * 2007-10-29 2013-05-15 엘지디스플레이 주식회사 노광 장비, 패턴 형성 방법, 채널 형성 방법, 홀 형성방법, 이를 적용한 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100934855B1 (ko) * 2008-03-11 2010-01-06 주식회사 하이닉스반도체 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자 형성방법
KR20100083989A (ko) * 2009-01-15 2010-07-23 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조에 이용되는 포토 마스크
KR101346881B1 (ko) * 2009-02-18 2014-01-03 엘지디스플레이 주식회사 포토 마스크 및 이를 이용한 수평전계형 액정표시장치의 제조방법
CN101937171B (zh) * 2009-07-03 2013-01-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 建立光学邻近校正模型方法和光学邻近校正方法
US8716779B2 (en) * 2009-07-30 2014-05-06 Hynix Semiconductor Inc. Flash memory device and mask for fabricating the same
JP2011248347A (ja) * 2010-04-28 2011-12-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フォトマスク
KR101669929B1 (ko) * 2010-06-10 2016-10-28 엘지디스플레이 주식회사 노광 마스크 및 이를 이용하여 패터닝되어 제조된 내로우 베젤의 씨오지 타입 액정표시장치
CN102749801A (zh) 2012-06-29 2012-10-24 北京京东方光电科技有限公司 一种掩模板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000122263A (ja) 1998-10-15 2000-04-28 Nec Corp フォトマスク及びその作成方法
JP2008176303A (ja) 2006-12-19 2008-07-31 Nec Electronics Corp マスク生成方法、マスク形成方法、パターン形成方法および半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9529252B2 (en) 2016-12-27
KR20140110007A (ko) 2014-09-16
CN102749801A (zh) 2012-10-24
CN103620497A (zh) 2014-03-05
JP2015521757A (ja) 2015-07-30
WO2014000380A1 (zh) 2014-01-03
EP2869120B1 (en) 2020-05-06
EP2869120A1 (en) 2015-05-06
EP2869120A4 (en) 2017-01-18
JP6294316B2 (ja) 2018-03-14
CN103620497B (zh) 2017-07-28
US20150079503A1 (en) 2015-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101710767B1 (ko) 마스크 플레이트
US8228455B2 (en) Exposing device, methods for forming pattern, channel, and hole by using the same, and liquid crystal display device therewith and method for fabricating the same
KR101785044B1 (ko) 블랙매트릭스용 마스크
CN107219720B (zh) 一种掩膜板、曝光装置以及膜层图案化的制作方法
JP6522277B2 (ja) フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP4959631B2 (ja) グレースケールマスク
US9978595B2 (en) Photo mask and exposure system
CN107092160B (zh) 光罩、形成间隔物结构的方法以及形成液晶面板的方法
US20070263288A1 (en) Diffusive Reflecting Structure and Its Manufacturing Method, and Display Device Using It
US11112913B2 (en) Touch screen, manufacturing method thereof, touch display panel, and display device
KR102493944B1 (ko) 포토마스크, 근접 노광용 포토마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
US20190155147A1 (en) Photomask, method for producing photomask, and method for producing color filter using photomask
JP4736277B2 (ja) カラーフィルターの着色画素の形成方法及びカラーフィルターのブラックマトリックスの形成方法
JP2011008201A (ja) 表示装置の製造方法および液晶表示装置
KR101346121B1 (ko) 하프톤 패턴 및 광근접보정 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조 방법
US11474434B2 (en) Mask and method for manufacturing the same, lithography method, display panel, display device and exposure device
KR102319094B1 (ko) 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
KR100853801B1 (ko) 반도체 소자의 마스크 및 그를 이용한 패터닝 방법
KR20150077104A (ko) 마스크 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
JP2005084492A (ja) カラーフィルタ用フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法
KR20150117349A (ko) 위상 변환 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US8551674B2 (en) Photomask having transcribing pattern and method of forming photoresist pattern using the same
JP4519602B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置
KR20150084487A (ko) 위상 반전 마스크, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
CN113703281A (zh) 掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200206

Year of fee payment: 4