JP3327394B2 - 光近接効果補正方法 - Google Patents
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光近接効果補正方
法に関し、更に詳細には、フォトリソグラフィによって
配線層上のフォトレジスト膜に転写するマスク配線パタ
ーンの屈曲部の形状を補正することにより、設計配線パ
ターンに存在する２個の屈曲部と屈曲部を繋ぐ直線部と
からなる「コの字」状パターンの直線部の幅を縮小させ
ないようにして転写する、光近接効果補正方法に関する
ものである。
法に関し、更に詳細には、フォトリソグラフィによって
配線層上のフォトレジスト膜に転写するマスク配線パタ
ーンの屈曲部の形状を補正することにより、設計配線パ
ターンに存在する２個の屈曲部と屈曲部を繋ぐ直線部と
からなる「コの字」状パターンの直線部の幅を縮小させ
ないようにして転写する、光近接効果補正方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化に伴い、半導体装置
を構成するゲート電極、配線層、コンタクトホール等の
パターンが、益々、微細化している。そのため、それら
ゲート電極、配線層、コンタクトホール等をフォトリソ
グラフィによってパターニングする際に必要となる露光
マスクのマスクパターンも益々微細化している。そし
て、フォトリソグラフィでの光露光の際、露光装置の限
界解像力に近くなるまで微細化されたマスクパターンを
フォトレジスト膜等に露光転写すると、パターンの相互
に近接する微細領域で近接光同士が光干渉する結果、露
光像が歪み、露光マスクのマスクパターンを正確に転写
することができない。一般に、これは、光近接効果と称
されている。露光転写の際、光近接効果が生じると、マ
スクパターンを介して設計パターンを正確にフォトレジ
スト膜に転写することができないので、設計の際に意図
した所望通りの素子特性を得ることができなくなる。そ
こで、光近接効果を抑制して、露光マスクのマスクパタ
ーンを正確にフォトレジスト膜に転写するために、光近
接効果を補償する補正を予めマスクパターンに施すこと
が行われている。
を構成するゲート電極、配線層、コンタクトホール等の
パターンが、益々、微細化している。そのため、それら
ゲート電極、配線層、コンタクトホール等をフォトリソ
グラフィによってパターニングする際に必要となる露光
マスクのマスクパターンも益々微細化している。そし
て、フォトリソグラフィでの光露光の際、露光装置の限
界解像力に近くなるまで微細化されたマスクパターンを
フォトレジスト膜等に露光転写すると、パターンの相互
に近接する微細領域で近接光同士が光干渉する結果、露
光像が歪み、露光マスクのマスクパターンを正確に転写
することができない。一般に、これは、光近接効果と称
されている。露光転写の際、光近接効果が生じると、マ
スクパターンを介して設計パターンを正確にフォトレジ
スト膜に転写することができないので、設計の際に意図
した所望通りの素子特性を得ることができなくなる。そ
こで、光近接効果を抑制して、露光マスクのマスクパタ
ーンを正確にフォトレジスト膜に転写するために、光近
接効果を補償する補正を予めマスクパターンに施すこと
が行われている。
【０００３】ここで、図８及び図９を参照して、光近接
効果の現象及び補正方法を簡単に説明する。図８（ａ）
及び（ｂ）は、それぞれ、露光マスクのマスク配線パタ
ーン、及びマスク配線パターンをフォトレジスト膜に露
光転写した際、光近接効果によって歪んだエッチングマ
スクの配線パターンを示す模式図である。また、図９
（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、光近接効果を補償する
ように補正したマスク配線パターン、及びそれにより得
たエッチングマスクの配線パターンを示す模式図であ
る。所望の設計配線パターン、即ち所望の設計配線パタ
ーンと所定の関係（例えば、一定比率の縮小関係）にあ
る露光マスクのマスク配線パターン１１は、図８（ａ）
に示すように、直線部１２と、直線部１２から９０°方
向に曲がる屈曲部１３とを有するＬ字パターンであっ
て、配線パターン１１の屈曲部１３がコンタクトホール
１４上に位置するように配置される。屈曲部１３の外縁
側の角部は屈曲角θ1 が９０℃であり、内縁側の角部は
屈曲角θ2 が２７０である。図８（ａ）に示すマスク配
線パターン１１をフォトレジスト膜上に露光転写する
と、転写により得た配線パターン１６は、図８（ｂ）に
示すように、屈曲部１３の外縁側の角部及び内縁側の角
部が、光近接効果により歪んで丸くなり、コンタクトホ
ール１４とのずれが生じる。その結果、コンタクトホー
ル１４との接合面積が減少して、接続抵抗が増大した
り、更には接続不良が生じたりする。
効果の現象及び補正方法を簡単に説明する。図８（ａ）
及び（ｂ）は、それぞれ、露光マスクのマスク配線パタ
ーン、及びマスク配線パターンをフォトレジスト膜に露
光転写した際、光近接効果によって歪んだエッチングマ
スクの配線パターンを示す模式図である。また、図９
（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、光近接効果を補償する
ように補正したマスク配線パターン、及びそれにより得
たエッチングマスクの配線パターンを示す模式図であ
る。所望の設計配線パターン、即ち所望の設計配線パタ
ーンと所定の関係（例えば、一定比率の縮小関係）にあ
る露光マスクのマスク配線パターン１１は、図８（ａ）
に示すように、直線部１２と、直線部１２から９０°方
向に曲がる屈曲部１３とを有するＬ字パターンであっ
て、配線パターン１１の屈曲部１３がコンタクトホール
１４上に位置するように配置される。屈曲部１３の外縁
側の角部は屈曲角θ1 が９０℃であり、内縁側の角部は
屈曲角θ2 が２７０である。図８（ａ）に示すマスク配
線パターン１１をフォトレジスト膜上に露光転写する
と、転写により得た配線パターン１６は、図８（ｂ）に
示すように、屈曲部１３の外縁側の角部及び内縁側の角
部が、光近接効果により歪んで丸くなり、コンタクトホ
ール１４とのずれが生じる。その結果、コンタクトホー
ル１４との接合面積が減少して、接続抵抗が増大した
り、更には接続不良が生じたりする。
【０００４】そこで、従来、光近接効果を抑制するため
に、光近接効果を補償するパターンを有するマスクパタ
ーンが使用される。上述の光近接効果を抑制するため、
例えば特開平１０−２２９１２４号公報によれば、図９
（ａ）に示すように、マスク配線パターン１１の屈曲部
１３の外縁側の角部には、「Ｌ字」状微小パターンから
なる付加補正パターン１７を付加し、屈曲部の内縁側の
角部には、パターンを切り欠いた「Ｌ字」状微小四辺形
パターンからなる切り欠き補正パターン１８を設ける。
このような光近接効果補正を行ったマスク配線パターン
を有する露光マスクを使用することにより、図９（ｂ）
に示すように、所望のマスク配線パターン１１に近い転
写配線パターン１９を得ることができる。
に、光近接効果を補償するパターンを有するマスクパタ
ーンが使用される。上述の光近接効果を抑制するため、
例えば特開平１０−２２９１２４号公報によれば、図９
（ａ）に示すように、マスク配線パターン１１の屈曲部
１３の外縁側の角部には、「Ｌ字」状微小パターンから
なる付加補正パターン１７を付加し、屈曲部の内縁側の
角部には、パターンを切り欠いた「Ｌ字」状微小四辺形
パターンからなる切り欠き補正パターン１８を設ける。
このような光近接効果補正を行ったマスク配線パターン
を有する露光マスクを使用することにより、図９（ｂ）
に示すように、所望のマスク配線パターン１１に近い転
写配線パターン１９を得ることができる。
【０００５】光近接効果補正を施すために、露光マスク
のマスクパターンに設ける付加補正パターン及び切り欠
き補正パターンの寸法は、Ｌ字パターン配線の露光工程
毎に、実験等によって定められている。例えば、屈曲部
の内縁の各部に設ける切り欠き補正パターンについて言
えば、切り欠き補正パターン２０は、通常、図１０に示
すように、直角を成す２本の脚部の長さがそれぞれＬで
幅がＷの寸法で、屈曲部の内縁に沿って２方向に延びる
「Ｌ字」状のパターンである。切り欠き補正パターン
は、光近接効果を出来るだけ解消するように補正するた
めに、切り欠き補正パターンのＬ及びＷの大きさは、使
用するプロセス条件や配線幅毎に実験等により予め求め
られていて、光近接効果補正ルールと呼ばれている。
のマスクパターンに設ける付加補正パターン及び切り欠
き補正パターンの寸法は、Ｌ字パターン配線の露光工程
毎に、実験等によって定められている。例えば、屈曲部
の内縁の各部に設ける切り欠き補正パターンについて言
えば、切り欠き補正パターン２０は、通常、図１０に示
すように、直角を成す２本の脚部の長さがそれぞれＬで
幅がＷの寸法で、屈曲部の内縁に沿って２方向に延びる
「Ｌ字」状のパターンである。切り欠き補正パターン
は、光近接効果を出来るだけ解消するように補正するた
めに、切り欠き補正パターンのＬ及びＷの大きさは、使
用するプロセス条件や配線幅毎に実験等により予め求め
られていて、光近接効果補正ルールと呼ばれている。
【０００６】ところで、半導体装置に設ける配線パター
ンは、基本的には、直線部と屈曲部とからなるＬ字パタ
ーンで構成されていて、通常の配線パターンには、９０
°及び２７０°以外の角度の屈曲角の屈曲部は殆どな
い。即ち、半導体装置の設計及び製造上では、屈曲部
は、屈曲角９０°の外縁角部と屈曲角２７０°の内縁角
部とから形成されているとして、実用的には、十分であ
る。そこで、従来、光近接効果補正をマスク配線パター
ンに施す際には、設定した光近接効果補正ルールに従っ
て所定寸法の切り欠き補正パターンをＬ字パターン配線
の屈曲部に一律に適用している。例えば、図１１に示す
模擬設計配線パターン２２のマスク配線パターンを設計
する際、配線レイアウト上で設計配線パターン２２を走
査し、屈曲部２３から３１に到達する度に、機械的に一
律で、その屈曲部２３から３１の内縁側に光近接効果補
正ルールに従った切り欠き補正パターンを設けている。
Ｌ字パターン配線は、屈曲部と、屈曲部からＬ字状に伸
びる直線部とから構成されている。図１０中、３２は屈
曲部２４と２５との間の直線部、３３は屈曲部２７と２
８との間の直線部、３４は屈曲部３０と３１との間の直
線部、及び３５は拡散層である。また、屈曲部２４と屈
曲部２５との間の直線部３２、屈曲部２６と屈曲部２７
との間の直線部、及び屈曲部２８と屈曲部２９との間の
直線部は、ゲート電極を構成している。
ンは、基本的には、直線部と屈曲部とからなるＬ字パタ
ーンで構成されていて、通常の配線パターンには、９０
°及び２７０°以外の角度の屈曲角の屈曲部は殆どな
い。即ち、半導体装置の設計及び製造上では、屈曲部
は、屈曲角９０°の外縁角部と屈曲角２７０°の内縁角
部とから形成されているとして、実用的には、十分であ
る。そこで、従来、光近接効果補正をマスク配線パター
ンに施す際には、設定した光近接効果補正ルールに従っ
て所定寸法の切り欠き補正パターンをＬ字パターン配線
の屈曲部に一律に適用している。例えば、図１１に示す
模擬設計配線パターン２２のマスク配線パターンを設計
する際、配線レイアウト上で設計配線パターン２２を走
査し、屈曲部２３から３１に到達する度に、機械的に一
律で、その屈曲部２３から３１の内縁側に光近接効果補
正ルールに従った切り欠き補正パターンを設けている。
Ｌ字パターン配線は、屈曲部と、屈曲部からＬ字状に伸
びる直線部とから構成されている。図１０中、３２は屈
曲部２４と２５との間の直線部、３３は屈曲部２７と２
８との間の直線部、３４は屈曲部３０と３１との間の直
線部、及び３５は拡散層である。また、屈曲部２４と屈
曲部２５との間の直線部３２、屈曲部２６と屈曲部２７
との間の直線部、及び屈曲部２８と屈曲部２９との間の
直線部は、ゲート電極を構成している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の配線パターンをＬ字パターンの組み合わせとして扱う
方法、言い換えれば配線パターンをＬ字パターンに分解
して扱うＬ字パターン光近接効果補正方法には、以下の
ような問題があった。ここで、図１２を参照して、従来
の光近接効果補正方法の問題点を説明する。図１２は、
従来の光近接効果補正方法の問題点を説明する模式的配
線パターン図である。マスク配線パターン３６は、内縁
側（屈曲角２７０°の角部）がパターンの同じ側にある
２個の屈曲部３７、３８を有する「コの字」状パターン
を有し、しかも、「コの字」状を形成する屈曲部３７、
３８同士が近接している。このようなマスク配線パター
ン３６の屈曲部３７、３８の内縁側に切り欠き補正パタ
ーン３９を光近接効果補正ルールに従って一律に設ける
と、露光して得たエッチングマスクの配線パターン４０
は、図１２に示すように、ｄの値が小さいと「コの字」
状パターンを形成する屈曲部３７、３８間の直線部４１
の配線（破線で表示）が、設計値より細くなって局部的
に抵抗が大きくなるという問題があった。特に、図１２
に示すように、直線部４１が拡散層４２上に設けられた
ゲート電極４１を構成するとき、ゲート電極４１のゲー
ト長が、所定のゲート長Ｌ1 より短いＬ2 になってしま
う。近年、ゲート長は益々短くなってきており、Ｌの少
しの違いがトランジスタのショートチャンネル効果に敏
感に影響するので、設計したトランジスタ特性から大き
くずれて、設計通りの回路動作を得ることができないと
いう大きな問題が出て来る。
の配線パターンをＬ字パターンの組み合わせとして扱う
方法、言い換えれば配線パターンをＬ字パターンに分解
して扱うＬ字パターン光近接効果補正方法には、以下の
ような問題があった。ここで、図１２を参照して、従来
の光近接効果補正方法の問題点を説明する。図１２は、
従来の光近接効果補正方法の問題点を説明する模式的配
線パターン図である。マスク配線パターン３６は、内縁
側（屈曲角２７０°の角部）がパターンの同じ側にある
２個の屈曲部３７、３８を有する「コの字」状パターン
を有し、しかも、「コの字」状を形成する屈曲部３７、
３８同士が近接している。このようなマスク配線パター
ン３６の屈曲部３７、３８の内縁側に切り欠き補正パタ
ーン３９を光近接効果補正ルールに従って一律に設ける
と、露光して得たエッチングマスクの配線パターン４０
は、図１２に示すように、ｄの値が小さいと「コの字」
状パターンを形成する屈曲部３７、３８間の直線部４１
の配線（破線で表示）が、設計値より細くなって局部的
に抵抗が大きくなるという問題があった。特に、図１２
に示すように、直線部４１が拡散層４２上に設けられた
ゲート電極４１を構成するとき、ゲート電極４１のゲー
ト長が、所定のゲート長Ｌ1 より短いＬ2 になってしま
う。近年、ゲート長は益々短くなってきており、Ｌの少
しの違いがトランジスタのショートチャンネル効果に敏
感に影響するので、設計したトランジスタ特性から大き
くずれて、設計通りの回路動作を得ることができないと
いう大きな問題が出て来る。
【０００８】尚、上述の例で、露光マスクのマスク配線
パターン３６に切り欠き補正パターン３９を設けないと
きには、図１３に示すように、直線部４１、即ちゲート
電極４１のゲート長さは所定のゲート長Ｌ1 になるもの
の、ゲート電極４１の端部４３が太くなって所定のゲー
ト長Ｌ1 より大きくなるために、これまた、トランジス
タ特性が悪くなる。
パターン３６に切り欠き補正パターン３９を設けないと
きには、図１３に示すように、直線部４１、即ちゲート
電極４１のゲート長さは所定のゲート長Ｌ1 になるもの
の、ゲート電極４１の端部４３が太くなって所定のゲー
ト長Ｌ1 より大きくなるために、これまた、トランジス
タ特性が悪くなる。
【０００９】そこで、本発明の目的は、「コの字」状パ
ターンを有する配線パターンを形成する際、「コの字」
状パターンの屈曲部間の直線部の配線幅が所定配線幅に
なるように光近接効果補正をマスクパターンに行う方法
を提供することである。
ターンを有する配線パターンを形成する際、「コの字」
状パターンの屈曲部間の直線部の配線幅が所定配線幅に
なるように光近接効果補正をマスクパターンに行う方法
を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、「コの字」
状パターンを有するマスク配線パターンで、「コの字」
状パターンを形成する屈曲部同士が近接している場合
に、屈曲部間の直線部の配線幅が細くなる原因を追求し
た結果、従来のように、Ｌ字パターンの光近接効果補正
ルールを一律に適用して屈曲角２７０°の屈曲部に切り
欠き補正パターンを設けたとき、図１２に示すように、
屈曲部に設けた切り欠き補正パターン同士、特に切り欠
き補正パターンの端部同士が近接することにより、屈曲
部間の直線部の配線が細くなることを見い出した。そし
て、屈曲部同士の間隔が短いときには、即ち切り欠き補
正パターン３９同士の対向する端部間の間隔ｄが短いと
きには、その端部間の間隔ｄが所定間隔ｄ S になるよう
に、切り欠き補正パターンの対向する脚部パターンを短
縮することにより、屈曲部間の直線部の配線幅を所定の
配線幅に維持できることを多数回の実験により見い出し
た。そして、直線部がゲート電極層を形成する際に、端
部間の間隔ｄが実験から求めた所定値ｄS より小さい場
合には、ｄをｄS にすることにより、所定のゲート長を
維持する上で、特に効果があることを見い出した。ま
た、図８に示すように、コーナ部にコンタクト孔が無い
場合には、コーナ部外側に付加補正パターンを付けて
も、付けなくても、出来上がった配線の電気特性にさほ
どの影響が生じないことも見い出した。従って、コーナ
部にコンタクト孔が無い場合には、付加補正パターンが
あっても、無くても良い。
状パターンを有するマスク配線パターンで、「コの字」
状パターンを形成する屈曲部同士が近接している場合
に、屈曲部間の直線部の配線幅が細くなる原因を追求し
た結果、従来のように、Ｌ字パターンの光近接効果補正
ルールを一律に適用して屈曲角２７０°の屈曲部に切り
欠き補正パターンを設けたとき、図１２に示すように、
屈曲部に設けた切り欠き補正パターン同士、特に切り欠
き補正パターンの端部同士が近接することにより、屈曲
部間の直線部の配線が細くなることを見い出した。そし
て、屈曲部同士の間隔が短いときには、即ち切り欠き補
正パターン３９同士の対向する端部間の間隔ｄが短いと
きには、その端部間の間隔ｄが所定間隔ｄ S になるよう
に、切り欠き補正パターンの対向する脚部パターンを短
縮することにより、屈曲部間の直線部の配線幅を所定の
配線幅に維持できることを多数回の実験により見い出し
た。そして、直線部がゲート電極層を形成する際に、端
部間の間隔ｄが実験から求めた所定値ｄS より小さい場
合には、ｄをｄS にすることにより、所定のゲート長を
維持する上で、特に効果があることを見い出した。ま
た、図８に示すように、コーナ部にコンタクト孔が無い
場合には、コーナ部外側に付加補正パターンを付けて
も、付けなくても、出来上がった配線の電気特性にさほ
どの影響が生じないことも見い出した。従って、コーナ
部にコンタクト孔が無い場合には、付加補正パターンが
あっても、無くても良い。
【００１１】また、ゲート電極配線パターンの場合、屈
曲部の外縁側に設ける付加補正パターンは、光近接効果
補正ルールに従って一律に設けても、トランジスタ特性
に影響する程、屈曲部間の直線部の形状及び寸法に影響
しないことを実験により確認した。同じく、ゲート電極
配線パターン以外の配線パターンであっても、配線パタ
ーンのパターニングに対する好ましくない影響は生じな
い。
曲部の外縁側に設ける付加補正パターンは、光近接効果
補正ルールに従って一律に設けても、トランジスタ特性
に影響する程、屈曲部間の直線部の形状及び寸法に影響
しないことを実験により確認した。同じく、ゲート電極
配線パターン以外の配線パターンであっても、配線パタ
ーンのパターニングに対する好ましくない影響は生じな
い。
【００１２】尚、「コの字」状パターンには、図６に示
すように、屈曲部７２、７４間の直線部７６が、拡散層
３５から所定距離以上離隔して交差することなく延在
し、直線部７６から離れるように屈曲部７２、７４から
延びるパターン部分が、拡散層３５上を横断して、ゲー
ト電極を構成するパターンがある。このときは、切り欠
き補正パターン７８同士が接触しない限り、切り欠き補
正パターン７８の端部同士の間隔の長短にかかわりな
く、Ｌ字パターン光近接効果補正ルールを適用しても、
図６に示すように、屈曲部７２、７４の内縁側７２′、
７４′が膨らむものの、所定の形状のゲート電極を得る
ことができることを見い出した。尚、ここで、所定距離
とは、屈曲部７２、７４の内縁側７２′、７４′の膨ら
みが、ゲート電極の形状に影響して、トランジスタ特性
を悪くしない程度に、直線部７６が拡散層３５から離隔
している距離である。
すように、屈曲部７２、７４間の直線部７６が、拡散層
３５から所定距離以上離隔して交差することなく延在
し、直線部７６から離れるように屈曲部７２、７４から
延びるパターン部分が、拡散層３５上を横断して、ゲー
ト電極を構成するパターンがある。このときは、切り欠
き補正パターン７８同士が接触しない限り、切り欠き補
正パターン７８の端部同士の間隔の長短にかかわりな
く、Ｌ字パターン光近接効果補正ルールを適用しても、
図６に示すように、屈曲部７２、７４の内縁側７２′、
７４′が膨らむものの、所定の形状のゲート電極を得る
ことができることを見い出した。尚、ここで、所定距離
とは、屈曲部７２、７４の内縁側７２′、７４′の膨ら
みが、ゲート電極の形状に影響して、トランジスタ特性
を悪くしない程度に、直線部７６が拡散層３５から離隔
している距離である。
【００１３】上記目的を達成するために、本発明に係る
光近接効果補正方法（以下、第１の発明方法と言う）
は、フォトリソグラフィにより配線パターンをパターン
ニングする際に使用するフォトマスクに対し、前記配線
パターンの形状に応じて光近接効果を補正する光近接効
果補正方法において、配線パターンを走査してＬ字パタ
ーンを認識する第１のステップと、認識した前記Ｌ字パ
ターンの配線形状に応じて各屈曲部にＬ字パターン光近
接効果補正を施す第２のステップと、前記配線パターン
を走査して「コの字」状パターンを認識する第３のステ
ップと、前記第３のステップで認識した「コの字」状パ
ターンの２つ屈曲部に対して、前記第２のステップでＬ
字パターン光近接効果補正としてそれぞれ施した２つの
切り欠き補正パターンの端部同士の間隔ｄを求める第４
のステップと、前記間隔ｄと予め設定してある長さｄS
を比較する第５のステップと、前記間隔ｄがｄS より小
さい場合は、間隔ｄがｄS になるように切り欠き補正パ
ターンを修正する第６のステップとを備えることを特徴
としている。
光近接効果補正方法（以下、第１の発明方法と言う）
は、フォトリソグラフィにより配線パターンをパターン
ニングする際に使用するフォトマスクに対し、前記配線
パターンの形状に応じて光近接効果を補正する光近接効
果補正方法において、配線パターンを走査してＬ字パタ
ーンを認識する第１のステップと、認識した前記Ｌ字パ
ターンの配線形状に応じて各屈曲部にＬ字パターン光近
接効果補正を施す第２のステップと、前記配線パターン
を走査して「コの字」状パターンを認識する第３のステ
ップと、前記第３のステップで認識した「コの字」状パ
ターンの２つ屈曲部に対して、前記第２のステップでＬ
字パターン光近接効果補正としてそれぞれ施した２つの
切り欠き補正パターンの端部同士の間隔ｄを求める第４
のステップと、前記間隔ｄと予め設定してある長さｄS
を比較する第５のステップと、前記間隔ｄがｄS より小
さい場合は、間隔ｄがｄS になるように切り欠き補正パ
ターンを修正する第６のステップとを備えることを特徴
としている。
【００１４】尚、第２のステップでは、Ｌ字パターン光
近接効果補正として、コンタクトと接続する屈曲部に対
しては付加補正パターンを設け、コンタクトと接続しな
い屈曲部に対しては付加補正パターンを設けない。
近接効果補正として、コンタクトと接続する屈曲部に対
しては付加補正パターンを設け、コンタクトと接続しな
い屈曲部に対しては付加補正パターンを設けない。
【００１５】ゲート電極配線パターンに適用する時に
は、本発明に係る別の光近接効果補正方法（以下、第２
の発明方法と言う）は、フォトリソグラフィによりゲー
ト電極配線パターンをパターンニングする際に使用する
フォトマスクに対し、前記ゲート電極配線パターンの形
状に応じて光近接効果を補正する近接効果補正方法にお
いて、ゲート電極配線パターンを走査してＬ字パターン
を認識する第１のステップと、認識した前記Ｌ字パター
ンの配線形状に応じて各屈曲部に切り欠き補正パターン
を設け、Ｌ字パターン光近接効果補正を施す第２のステ
ップと、前記配線パターンを走査して「コの字」状パタ
ーンを認識する第３のステップと、前記第３のステップ
で認識した「コの字」状パターンの２つ屈曲部に対し
て、前記第２のステップでそれぞれ施した２つの切り欠
き補正パターンの端部同士の間隔ｄを求める第４のステ
ップと、前記間隔ｄと予め設定してある長さｄS を比較
する第５のステップと、前記間隔ｄがｄS より小さい場
合は、間隔ｄがｄS になるように切り欠き補正パターン
を修正する第６のステップとを備えることを特徴として
いる。
は、本発明に係る別の光近接効果補正方法（以下、第２
の発明方法と言う）は、フォトリソグラフィによりゲー
ト電極配線パターンをパターンニングする際に使用する
フォトマスクに対し、前記ゲート電極配線パターンの形
状に応じて光近接効果を補正する近接効果補正方法にお
いて、ゲート電極配線パターンを走査してＬ字パターン
を認識する第１のステップと、認識した前記Ｌ字パター
ンの配線形状に応じて各屈曲部に切り欠き補正パターン
を設け、Ｌ字パターン光近接効果補正を施す第２のステ
ップと、前記配線パターンを走査して「コの字」状パタ
ーンを認識する第３のステップと、前記第３のステップ
で認識した「コの字」状パターンの２つ屈曲部に対し
て、前記第２のステップでそれぞれ施した２つの切り欠
き補正パターンの端部同士の間隔ｄを求める第４のステ
ップと、前記間隔ｄと予め設定してある長さｄS を比較
する第５のステップと、前記間隔ｄがｄS より小さい場
合は、間隔ｄがｄS になるように切り欠き補正パターン
を修正する第６のステップとを備えることを特徴として
いる。
【００１６】尚、ゲート電極配線パターンの「コの字」
状パターンの直線部と拡散層の距離が所定範囲内で延在
し、直線部から離れるように屈曲部から延びるパターン
部分が拡散層上を横断するゲート電極を構成する際に
は、第２のステップで終了し、第３のステップから第６
のステップを行わない。また、前記第３のステップで認
識した「コの字」状パターンの２つ屈曲部の外縁部に
は、付加補正パターンを設ける。
状パターンの直線部と拡散層の距離が所定範囲内で延在
し、直線部から離れるように屈曲部から延びるパターン
部分が拡散層上を横断するゲート電極を構成する際に
は、第２のステップで終了し、第３のステップから第６
のステップを行わない。また、前記第３のステップで認
識した「コの字」状パターンの２つ屈曲部の外縁部に
は、付加補正パターンを設ける。
【００１７】本発明方法で、マスク配線パターンの屈曲
部に設ける切り欠き補正パターンは、基本的には、屈曲
部の２方向の内縁に沿って延在する「Ｌ字」状の切り欠
きであって、「Ｌ字」状の切り欠きの奥行きと長さは、
配線の幅や使用するプロセスに応じて予め決められてい
る。ここでは、便宜のために、これら要素を配線形状と
呼ぶことにする。従って、配線幅、配線材料、プロセス
等に応じて、Ｌ字パターンの付加補正パターン及び切り
欠き補正パターンの寸法を予め定め、配線形状に応じて
適用する。
部に設ける切り欠き補正パターンは、基本的には、屈曲
部の２方向の内縁に沿って延在する「Ｌ字」状の切り欠
きであって、「Ｌ字」状の切り欠きの奥行きと長さは、
配線の幅や使用するプロセスに応じて予め決められてい
る。ここでは、便宜のために、これら要素を配線形状と
呼ぶことにする。従って、配線幅、配線材料、プロセス
等に応じて、Ｌ字パターンの付加補正パターン及び切り
欠き補正パターンの寸法を予め定め、配線形状に応じて
適用する。
【００１８】本発明方法によれば、設計配線パターンの
「コの字」状パターンの直線部が、拡散層上を横断する
ゲート電極を構成する際には、光近接効果補正したマス
ク配線パターンを転写することにより、所定のゲート長
を有し、所望の形状のゲート電極を容易に形成すること
ができる。
「コの字」状パターンの直線部が、拡散層上を横断する
ゲート電極を構成する際には、光近接効果補正したマス
ク配線パターンを転写することにより、所定のゲート長
を有し、所望の形状のゲート電極を容易に形成すること
ができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、第１の発明方法に係る光近接効果補正
方法の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の
光近接効果補正方法を実施する際の手順を示すフローチ
ャート、図２は「コの字」状パターンの屈曲部に設けた
切り欠き補正パターンを示すパターン図、及び図３は
「コの字」状パターンの屈曲部に設けた短縮切り欠き補
正パターンを示すパターン図である。本実施形態例の方
法は、ゲート電極を構成しないときの配線パターンをパ
ターニングする際に、露光マスクのマスク配線パターン
の補正に適用する光近接効果補正方法である。
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、第１の発明方法に係る光近接効果補正
方法の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の
光近接効果補正方法を実施する際の手順を示すフローチ
ャート、図２は「コの字」状パターンの屈曲部に設けた
切り欠き補正パターンを示すパターン図、及び図３は
「コの字」状パターンの屈曲部に設けた短縮切り欠き補
正パターンを示すパターン図である。本実施形態例の方
法は、ゲート電極を構成しないときの配線パターンをパ
ターニングする際に、露光マスクのマスク配線パターン
の補正に適用する光近接効果補正方法である。
【００２０】図１を参照して、本実施形態例の方法の手
順を説明する。先ず、ステップ１では、図１１に示すよ
うな設計配線パターン２２を走査して、屈曲部と、屈曲
部からＬ字状に伸びる２本の直線からなるＬ字パターン
を抽出して、ステップ２に移行する。設計配線パターン
２２では、Ｌ字パターンを構成する屈曲部は２３から３
１まである。なお、本実施形態例では、拡散層３５は無
いものとする。
順を説明する。先ず、ステップ１では、図１１に示すよ
うな設計配線パターン２２を走査して、屈曲部と、屈曲
部からＬ字状に伸びる２本の直線からなるＬ字パターン
を抽出して、ステップ２に移行する。設計配線パターン
２２では、Ｌ字パターンを構成する屈曲部は２３から３
１まである。なお、本実施形態例では、拡散層３５は無
いものとする。
【００２１】ステップ２では、設計配線パターン２２の
Ｌ字パターンに対応するマスク配線パターンのＬ字パタ
ーンの各屈曲部の内縁側（屈曲角が２７０°の角部）
に、それぞれ、配線形状に応じて、所定の切り欠き補正
パターンをＬ字パターン光近接効果補正ルールに従って
一律に設ける。例えば、図２に示すように、設計配線パ
ターン２２の屈曲部３０、３１に対応するマスク配線パ
ターン５０の屈曲部５２、５４の内縁側（屈曲角が２７
０°の角部）に切り欠き補正パターン５８をＬ字パター
ン光近接効果補正ルールに従って一律に設ける。
Ｌ字パターンに対応するマスク配線パターンのＬ字パタ
ーンの各屈曲部の内縁側（屈曲角が２７０°の角部）
に、それぞれ、配線形状に応じて、所定の切り欠き補正
パターンをＬ字パターン光近接効果補正ルールに従って
一律に設ける。例えば、図２に示すように、設計配線パ
ターン２２の屈曲部３０、３１に対応するマスク配線パ
ターン５０の屈曲部５２、５４の内縁側（屈曲角が２７
０°の角部）に切り欠き補正パターン５８をＬ字パター
ン光近接効果補正ルールに従って一律に設ける。
【００２２】ステップ３では、ステップ１で抽出したＬ
字パターンのうち隣合う２個のＬ字パターンが「コの
字」状パターンを構成するかどうか判断し、構成すれ
ば、ステップ４に移行し、構成しなければ、ステップ７
に移行する。「コの字」状パターンは、例えば、図１１
の屈曲部３０、３１と、屈曲部２９と屈曲部３０とを結
ぶ直線と、屈曲部３０、３１とを結ぶ直線部３４と、屈
曲部３１から伸びる直線とからなる配線パターンを「コ
の字」状パターンと言う。以下、便宜上、このような
「コの字」状パターンを屈曲部３０、３１と直線部３４
とからなる「コの字」状パターンと言う。
字パターンのうち隣合う２個のＬ字パターンが「コの
字」状パターンを構成するかどうか判断し、構成すれ
ば、ステップ４に移行し、構成しなければ、ステップ７
に移行する。「コの字」状パターンは、例えば、図１１
の屈曲部３０、３１と、屈曲部２９と屈曲部３０とを結
ぶ直線と、屈曲部３０、３１とを結ぶ直線部３４と、屈
曲部３１から伸びる直線とからなる配線パターンを「コ
の字」状パターンと言う。以下、便宜上、このような
「コの字」状パターンを屈曲部３０、３１と直線部３４
とからなる「コの字」状パターンと言う。
【００２３】ステップ４では、屈曲部３０、３１と直線
部３４とからなる「コの字」状パターンに対応するマス
ク配線パターンに設けた切り欠き補正パターンの端部同
士の間隔を算出してステップ５に移行する。即ち、図２
に示したマスク配線パターン５０の２個の屈曲部５２、
５４にそれぞれ設けた切り欠き補正パターン５８の対向
する端部同士の直線部５６に沿った間隔ｄ（図２参照）
を算出し、ステップ５に移行する。ステップ５では、算
出した端部同士の間隔ｄと、予め設定した設定間隔ｄS
（図２参照）とを比較し、算出した端部同士の間隔ｄ
が、図２に示すように、予め設定した設定間隔ｄS 未満
であるときには、ステップ６に移行し、算出した端部同
士の間隔ｄが設定間隔ｄS 以上であるときには、ステッ
プ７に移行する。
部３４とからなる「コの字」状パターンに対応するマス
ク配線パターンに設けた切り欠き補正パターンの端部同
士の間隔を算出してステップ５に移行する。即ち、図２
に示したマスク配線パターン５０の２個の屈曲部５２、
５４にそれぞれ設けた切り欠き補正パターン５８の対向
する端部同士の直線部５６に沿った間隔ｄ（図２参照）
を算出し、ステップ５に移行する。ステップ５では、算
出した端部同士の間隔ｄと、予め設定した設定間隔ｄS
（図２参照）とを比較し、算出した端部同士の間隔ｄ
が、図２に示すように、予め設定した設定間隔ｄS 未満
であるときには、ステップ６に移行し、算出した端部同
士の間隔ｄが設定間隔ｄS 以上であるときには、ステッ
プ７に移行する。
【００２４】ステップ６では、図３に示すように、切り
欠き補正パターンの対向する端部同士の間隔ｄが設定間
隔ｄS になるように、切り欠き補正パターン５８の直線
部５６に沿ったパターン部分の長さを短縮してなる短縮
切り欠き補正パターン５９を改めてマスク配線パターン
５０の２個の屈曲部５２、５４の内縁側に、それぞれ、
設ける。これにより、直線部５６の端部、即ち屈曲部５
２、５４との連結部分は、図３で破線で示すように、細
りが小さくなる。ステップ７では、ステップ２で設けた
切り欠き補正パターン５８を最終的な切り欠き補正パタ
ーンとする。配線抵抗が回路特性に敏感に影響を与える
ような場合には、本実施形態例を使用すれば問題が解決
できる。
欠き補正パターンの対向する端部同士の間隔ｄが設定間
隔ｄS になるように、切り欠き補正パターン５８の直線
部５６に沿ったパターン部分の長さを短縮してなる短縮
切り欠き補正パターン５９を改めてマスク配線パターン
５０の２個の屈曲部５２、５４の内縁側に、それぞれ、
設ける。これにより、直線部５６の端部、即ち屈曲部５
２、５４との連結部分は、図３で破線で示すように、細
りが小さくなる。ステップ７では、ステップ２で設けた
切り欠き補正パターン５８を最終的な切り欠き補正パタ
ーンとする。配線抵抗が回路特性に敏感に影響を与える
ような場合には、本実施形態例を使用すれば問題が解決
できる。
【００２５】実施形態例２ 本実施形態例は、第２の発明方法に係る光近接効果補正
方法の実施形態の一例であって、図４は本実施形態例の
光近接効果補正方法を実施する際の手順を示すフローチ
ャート、図５は第１の「コの字」状パターンの屈曲部に
設けた切り欠き補正パターンを示すパターン図、図６は
第２の「コの字」状パターンの屈曲部に設けた切り欠き
補正パターンを示すパターン図、及び図７は第１の「コ
の字」状パターンの屈曲部に設けた短縮切り欠き補正パ
ターンのパターン図である。本実施形態例の方法は、配
線パターンに存在する「コの字」状パターンの直線部、
又は屈曲部から延びるパターン部分が、拡散層上を横断
して、ゲート電極を構成する際のマスク配線パターンの
補正に適用した例である。
方法の実施形態の一例であって、図４は本実施形態例の
光近接効果補正方法を実施する際の手順を示すフローチ
ャート、図５は第１の「コの字」状パターンの屈曲部に
設けた切り欠き補正パターンを示すパターン図、図６は
第２の「コの字」状パターンの屈曲部に設けた切り欠き
補正パターンを示すパターン図、及び図７は第１の「コ
の字」状パターンの屈曲部に設けた短縮切り欠き補正パ
ターンのパターン図である。本実施形態例の方法は、配
線パターンに存在する「コの字」状パターンの直線部、
又は屈曲部から延びるパターン部分が、拡散層上を横断
して、ゲート電極を構成する際のマスク配線パターンの
補正に適用した例である。
【００２６】図４を参照して、本実施形態例の方法の手
順を説明する。先ず、ステップ１では、図１１に示すよ
うな設計配線パターン２２を走査して、Ｌ字パターンを
抽出して、ステップ２に移行する。図１１の設計配線パ
ターン２２では、本実施形態例のＬ字パターンを構成す
る屈曲部は２４から２９まである。
順を説明する。先ず、ステップ１では、図１１に示すよ
うな設計配線パターン２２を走査して、Ｌ字パターンを
抽出して、ステップ２に移行する。図１１の設計配線パ
ターン２２では、本実施形態例のＬ字パターンを構成す
る屈曲部は２４から２９まである。
【００２７】ステップ２では、設計配線パターンのＬ字
パターンに対応するマスク配線パターンのＬ字パターン
の各屈曲部の内縁（屈曲角２７０°の角部）に、それぞ
れ、配線形状に応じて、所定の切り欠き補正パターンを
Ｌ字パターン光近接効果補正ルールに従って一律に設け
て、ステップ３に移行する。例えば、図５に示すよう
に、設計配線パターン２２のＬ字パターンを構成する屈
曲部２４、２５に対応するマスク配線パターン６０で
は、屈曲部６２、６４の内縁側に切り欠き補正パターン
６８をＬ字パターン光近接効果補正ルールに従って一律
に設けて、ステップ３に移行する。尚、マスク配線パタ
ーン６０の直線部６６は、設計配線パターン２２の直線
部３２に対応するものである。また、設計配線パターン
２２のＬ字パターンを構成する屈曲部２７、２８に対応
するマスク配線パターン７０では、図６に示すように、
屈曲部７２、７４の内縁側に切り欠き補正パターン７８
をＬ字パターン光近接効果補正ルールに従って一律に設
けて、ステップ４に移行する。
パターンに対応するマスク配線パターンのＬ字パターン
の各屈曲部の内縁（屈曲角２７０°の角部）に、それぞ
れ、配線形状に応じて、所定の切り欠き補正パターンを
Ｌ字パターン光近接効果補正ルールに従って一律に設け
て、ステップ３に移行する。例えば、図５に示すよう
に、設計配線パターン２２のＬ字パターンを構成する屈
曲部２４、２５に対応するマスク配線パターン６０で
は、屈曲部６２、６４の内縁側に切り欠き補正パターン
６８をＬ字パターン光近接効果補正ルールに従って一律
に設けて、ステップ３に移行する。尚、マスク配線パタ
ーン６０の直線部６６は、設計配線パターン２２の直線
部３２に対応するものである。また、設計配線パターン
２２のＬ字パターンを構成する屈曲部２７、２８に対応
するマスク配線パターン７０では、図６に示すように、
屈曲部７２、７４の内縁側に切り欠き補正パターン７８
をＬ字パターン光近接効果補正ルールに従って一律に設
けて、ステップ４に移行する。
【００２８】尚、図７中、屈曲部７２から右側に向かっ
て伸びる直線は、トランジスタＴＲ１のゲート電極を構
成し、屈曲部７４から右側に向かって伸びる直線は、ト
ランジスタＴＲ２のゲート電極を構成していて、ＴＲ１
とＴＲ２はパラレルトランジスタを構成している。ま
た、マスク配線パターン７０の直線部７６は、設計配線
パターン２２の直線部３３に対応するものである。
て伸びる直線は、トランジスタＴＲ１のゲート電極を構
成し、屈曲部７４から右側に向かって伸びる直線は、ト
ランジスタＴＲ２のゲート電極を構成していて、ＴＲ１
とＴＲ２はパラレルトランジスタを構成している。ま
た、マスク配線パターン７０の直線部７６は、設計配線
パターン２２の直線部３３に対応するものである。
【００２９】ステップ３では、ステップ１で抽出したＬ
字パターンのうち隣合う２個のＬ字パターンが「コの
字」状パターンを構成するかどうか判断し、構成すれ
ば、ステップ４に移行し、構成しなければ、ステップ８
に移行する。「コの字」状パターンとは、例えば、図１
１の屈曲部２４、２５と直線部３２とからなる配線パタ
ーン、また図１１の屈曲部２７、２８と直線部３３とか
らなる配線パターンを言う。
字パターンのうち隣合う２個のＬ字パターンが「コの
字」状パターンを構成するかどうか判断し、構成すれ
ば、ステップ４に移行し、構成しなければ、ステップ８
に移行する。「コの字」状パターンとは、例えば、図１
１の屈曲部２４、２５と直線部３２とからなる配線パタ
ーン、また図１１の屈曲部２７、２８と直線部３３とか
らなる配線パターンを言う。
【００３０】ステップ４では、抽出した「コの字」状パ
ターンが、直線部が拡散層を横断してゲート電極を構成
する第１の「コの字」状パターンか、直線部が拡散層を
所定距離以上離隔して延在し、屈曲部から延びるパター
ン部分が拡散層を横断してパラレルトランジスタのゲー
ト電極を構成する第２の「コの字」状パターンかを判断
し、第１の「コの字」状パターンであれば、ステップ５
に移行し、第２の「コの字」状パターンであれば、ステ
ップ８に移行する。尚、いずれにも該当しない「コの
字」状パターンがあれば、実施形態例１で説明した方法
を適用する。
ターンが、直線部が拡散層を横断してゲート電極を構成
する第１の「コの字」状パターンか、直線部が拡散層を
所定距離以上離隔して延在し、屈曲部から延びるパター
ン部分が拡散層を横断してパラレルトランジスタのゲー
ト電極を構成する第２の「コの字」状パターンかを判断
し、第１の「コの字」状パターンであれば、ステップ５
に移行し、第２の「コの字」状パターンであれば、ステ
ップ８に移行する。尚、いずれにも該当しない「コの
字」状パターンがあれば、実施形態例１で説明した方法
を適用する。
【００３１】ステップ５では、図５に示すように、マス
ク配線パターン６０の２個の屈曲部６２、６４にそれぞ
れ設けた切り欠き補正パターン６８の対向する端部間の
直線部６６に沿った間隔ｄを算出し、ステップ６に移行
する。ステップ６では、算出した端部同士の間隔ｄと、
予め設定した設定間隔ｄS （図５参照）とを比較する。
そして、算出した端部同士の間隔ｄが、図５に示すよう
に、予め設定した設定間隔ｄS 未満であるときには、ス
テップ７に移行し、算出した端部同士の間隔ｄが設定間
隔ｄS 以上であるときには、ステップ８に移行する。
ク配線パターン６０の２個の屈曲部６２、６４にそれぞ
れ設けた切り欠き補正パターン６８の対向する端部間の
直線部６６に沿った間隔ｄを算出し、ステップ６に移行
する。ステップ６では、算出した端部同士の間隔ｄと、
予め設定した設定間隔ｄS （図５参照）とを比較する。
そして、算出した端部同士の間隔ｄが、図５に示すよう
に、予め設定した設定間隔ｄS 未満であるときには、ス
テップ７に移行し、算出した端部同士の間隔ｄが設定間
隔ｄS 以上であるときには、ステップ８に移行する。
【００３２】ステップ７では、図７に示すように、切り
欠き補正パターンの対向する端部間の間隔ｄが設定間隔
ｄS になるように、切り欠き補正パターン６８の直線部
６６に沿ったパターン部分の長さを短縮してなる短縮切
り欠き補正パターン６９を改めてマスク配線パターン６
０の２個の屈曲部６２、６４の内縁側に、それぞれ、設
ける。これにより、ゲート電極となる配線６６の寸法
は、図７中破線で示すように、設計値通りの値になり良
好な形状のゲート電極となるので、トランジスタ特性も
設計値通りにすることができる。
欠き補正パターンの対向する端部間の間隔ｄが設定間隔
ｄS になるように、切り欠き補正パターン６８の直線部
６６に沿ったパターン部分の長さを短縮してなる短縮切
り欠き補正パターン６９を改めてマスク配線パターン６
０の２個の屈曲部６２、６４の内縁側に、それぞれ、設
ける。これにより、ゲート電極となる配線６６の寸法
は、図７中破線で示すように、設計値通りの値になり良
好な形状のゲート電極となるので、トランジスタ特性も
設計値通りにすることができる。
【００３３】ステップ８では、ステップ２で設けた切り
欠き補正パターン６８又は７８を最終的な切り欠き補正
パターンとする。第２のパターンの場合は、直線部７６
が細ったとしてもゲート電極部ではないので、図７に示
す２つのパラレルトランジスタＴＲ１、ＴＲ２に与える
影響は、殆ど無い。勿論、第２のパターンについても、
第１のパターンと同様にｄの長さを判定して狭い場合に
は、ｄS にしても良いが、第２のパターンでは、トラン
ジスタの特性にさほどの影響を与えないので、前述の段
落
欠き補正パターン６８又は７８を最終的な切り欠き補正
パターンとする。第２のパターンの場合は、直線部７６
が細ったとしてもゲート電極部ではないので、図７に示
す２つのパラレルトランジスタＴＲ１、ＴＲ２に与える
影響は、殆ど無い。勿論、第２のパターンについても、
第１のパターンと同様にｄの長さを判定して狭い場合に
は、ｄS にしても良いが、第２のパターンでは、トラン
ジスタの特性にさほどの影響を与えないので、前述の段
落
〔００００〕で付加補正パターンについて説明した同
じ趣旨から、ｄS にしても良く、しなくても良いが、ｄ
S にするには、但し、一連の処理に時間がかかる。
じ趣旨から、ｄS にしても良く、しなくても良いが、ｄ
S にするには、但し、一連の処理に時間がかかる。
【００３４】
【発明の効果】本発明方法によれば、マスク配線パター
ンをフォトリソグラフィにより転写する際、マスク配線
パターンに存在する「コの字」状パターンの２個の屈曲
部に設ける切り欠き補正パターンの対向する端部間の間
隔を設定間隔に維持することにより、「コの字」状パタ
ーンの直線部の幅を縮小させないようにしてマスク配線
パターンをフォトレジスト膜上に転写する、光近接効果
補正方法を実現している。
ンをフォトリソグラフィにより転写する際、マスク配線
パターンに存在する「コの字」状パターンの２個の屈曲
部に設ける切り欠き補正パターンの対向する端部間の間
隔を設定間隔に維持することにより、「コの字」状パタ
ーンの直線部の幅を縮小させないようにしてマスク配線
パターンをフォトレジスト膜上に転写する、光近接効果
補正方法を実現している。
【図１】実施形態例１の光近接効果補正方法を実施する
際の手順を示すフローチャートである。
際の手順を示すフローチャートである。
【図２】「コの字」状パターンの屈曲部に設けた切り欠
き補正パターンを示すパターン図である。
き補正パターンを示すパターン図である。
【図３】「コの字」状パターンの屈曲部に設けた短縮切
り欠き補正パターンを示すパターン図である。
り欠き補正パターンを示すパターン図である。
【図４】実施形態例２の光近接効果補正方法を実施する
際の手順を示すフローチャートである。
際の手順を示すフローチャートである。
【図５】第１の「コの字」状パターンの屈曲部に設けた
切り欠き補正パターンを示すパターン図である。
切り欠き補正パターンを示すパターン図である。
【図６】第２の「コの字」状パターンの屈曲部に設けた
切り欠き補正パターンを示すパターン図である。
切り欠き補正パターンを示すパターン図である。
【図７】第１の「コの字」状パターンの屈曲部に設けた
短縮切り欠き補正パターンを示すパターン図である。
短縮切り欠き補正パターンを示すパターン図である。
【図８】図８（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、露光マス
クのマスク配線パターン、及びマスク配線パターンを露
光転写した際、光近接効果によって歪んだエッチングマ
スクの配線パターンを示す模式図である。
クのマスク配線パターン、及びマスク配線パターンを露
光転写した際、光近接効果によって歪んだエッチングマ
スクの配線パターンを示す模式図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、光近接効
果を補償するように補正したマスク配線パターン、及び
それにより得たエッチングマスクの配線パターンを示す
模式図である。
果を補償するように補正したマスク配線パターン、及び
それにより得たエッチングマスクの配線パターンを示す
模式図である。
【図１０】切り欠き補正パターンを示す平面図である。
【図１１】設計配線パターンを示すパターン図である。
【図１２】従来の光近接効果補正方法の問題点を説明す
るマスク配線パターンのパターン図である。
るマスク配線パターンのパターン図である。
【図１３】光近接効果補正を行わないときの問題点を説
明するパターン図である。
明するパターン図である。
１１ 設計配線パターン／露光マスクのマスク配線パタ
ーン １２ 「コの字」状パターンの直線部 １３ 「コの字」状パターンの屈曲部 １４ コンタクトホール １６ 転写された配線パターン １７ 付加補正パターン １８ 切り欠き補正パターン １９ 転写された配線パターン ２０ 切り欠き補正パターン ２２ 設計配線パターン ２３〜３１ 「コの字」状パターンの屈曲部 ３２〜３４ 「コの字」状パターンの直線部 ３５ 拡散層 ３６ マスク配線パターン ３７、３８ 屈曲部 ３９ 切り欠き補正パターン ４０ エッチングマスクの配線パターン ４１ 直線部 ４２ 拡散層 ４３ ゲート電極の端部 ５０ マスク配線パターン ５２、５４ 屈曲部 ５６ 直線部 ５８ 切り欠き補正パターン ５９ 短縮切り欠き補正パターン ６０ マスク配線パターン ６２、６４ 屈曲部 ６６ 直線部 ６８ 切り欠き補正パターン ６９ 短縮切り欠き補正パターン ７０ マスク配線パターン ７２、７４ 屈曲部 ７６ 直線部 ７８ 切り欠き補正パターン
ーン １２ 「コの字」状パターンの直線部 １３ 「コの字」状パターンの屈曲部 １４ コンタクトホール １６ 転写された配線パターン １７ 付加補正パターン １８ 切り欠き補正パターン １９ 転写された配線パターン ２０ 切り欠き補正パターン ２２ 設計配線パターン ２３〜３１ 「コの字」状パターンの屈曲部 ３２〜３４ 「コの字」状パターンの直線部 ３５ 拡散層 ３６ マスク配線パターン ３７、３８ 屈曲部 ３９ 切り欠き補正パターン ４０ エッチングマスクの配線パターン ４１ 直線部 ４２ 拡散層 ４３ ゲート電極の端部 ５０ マスク配線パターン ５２、５４ 屈曲部 ５６ 直線部 ５８ 切り欠き補正パターン ５９ 短縮切り欠き補正パターン ６０ マスク配線パターン ６２、６４ 屈曲部 ６６ 直線部 ６８ 切り欠き補正パターン ６９ 短縮切り欠き補正パターン ７０ マスク配線パターン ７２、７４ 屈曲部 ７６ 直線部 ７８ 切り欠き補正パターン
Claims (5)
- 【請求項１】 フォトリソグラフィにより配線パターン
をパターンニングする際に使用するフォトマスクに対
し、前記配線パターンの形状に応じて光近接効果を補正
する光近接効果補正方法において、 配線パターンを走査してＬ字パターンを認識する第１の
ステップと、 認識した前記Ｌ字パターンの配線形状に応じて各屈曲部
にＬ字パターン光近接効果補正を施す第２のステップ
と、 前記配線パターンを走査して「コの字」状パターンを認
識する第３のステップと、 前記第３のステップで認識した「コの字」状パターンの
２つ屈曲部に対して、前記第２のステップでＬ字パター
ン光近接効果補正としてそれぞれ施した２つの切り欠き
補正パターンの端部同士の間隔ｄを求める第４のステッ
プと、 前記間隔ｄと予め設定してある長さｄS を比較する第５
のステップと、 前記間隔ｄがｄS より小さい場合は、間隔ｄがｄS にな
るように切り欠き補正パターンを修正する第６のステッ
プとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。 - 【請求項２】 第２のステップでは、Ｌ字パターン光近
接効果補正として、コンタクトと接続する屈曲部に対し
ては付加補正パターンを設け、コンタクトと接続しない
屈曲部に対しては付加補正パターンを設けないことを特
徴とする請求項１に記載の光近接効果補正方法。 - 【請求項３】 フォトリソグラフィによりゲート電極配
線パターンをパターンニングする際に使用するフォトマ
スクに対し、前記ゲート電極配線パターンの形状に応じ
て光近接効果を補正する近接効果補正方法において、 ゲート電極配線パターンを走査してＬ字パターンを認識
する第１のステップと、 認識した前記Ｌ字パターンの配線形状に応じて各屈曲部
に切り欠き補正パターンを設け、Ｌ字パターン光近接効
果補正を施す第２のステップと、 前記配線パターンを走査して「コの字」状パターンを認
識する第３のステップと、 前記第３のステップで認識した「コの字」状パターンの
２つ屈曲部に対して、前記第２のステップでそれぞれ施
した２つの切り欠き補正パターンの端部同士の間隔ｄを
求める第４のステップと、 前記間隔ｄと予め設定してある長さｄS を比較する第５
のステップと、 前記間隔ｄがｄS より小さい場合は、間隔ｄがｄS にな
るように切り欠き補正パターンを修正する第６のステッ
プとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。 - 【請求項４】 ゲート電極配線パターンの「コの字」状
パターンの直線部と拡散層の距離が所定範囲内で延在
し、直線部から離れるように屈曲部から延びるパターン
部分が拡散層上を横断するゲート電極を構成する際に
は、第２のステップで終了し、第３のステップから第６
のステップを行わないことを特徴とする請求項３に記載
の光近接効果補正方法。 - 【請求項５】 前記第３のステップで認識した「コの
字」状パターンの２つ屈曲部の外縁部には、付加補正パ
ターンを設けることを特徴とする請求項３又は４に記載
の光近接効果補正方法。
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| TWI528201B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-04-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 進階修正方法 |
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2000
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