CN113703281A - 掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 19
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 18
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
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Abstract
本发明公开一种掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板，阵列基板上涂布负性光阻剂，形成色阻单元，采用掩膜版对色阻单元进行光刻处理，由于掩膜版上形成有相邻设置的第一曝光区和第二曝光区，由于在相同区域面积上，第一曝光区上的透光量大于第二曝光区上的透光量，使得色阻单元对应第一曝光区接收到的光强大于色阻单元对应第二曝光区接收到的光强，由于对色阻单元进行光刻处理过程所用的光强度越低，光刻处理后得到的子像素对应光强度越低处的厚度越薄，从而使得光刻处理后得到的子像素对应第二曝光区的厚度减薄，使得相邻子像素的边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板。
背景技术
COA(Color Filter on Array)技术是一种将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术，由于数据线宽度较窄，彩色滤光片包括R(红)子像素、G(绿)子像素及B(蓝)子像素，相邻子像素边缘交叠并搭接在数据线位置，其中R(红)、G(绿)、B(蓝)子像素之间交叠而形成的突起称之为牛角。现有技术中，通过COA技术制成的阵列基板中相邻子像素边缘交叠处牛角存在过大的问题，而牛角过大会影响牛角附近液晶层的排列方向，从而导致像素边缘显示亮度与像素中心不一致，影响显示屏品质。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板，旨在降低相邻子像素边缘交叠处牛角高度来提高液晶显示器的品质。
为实现上述目的，本发明提出一种掩膜版，用于在光刻工艺中对阵列基板作用，以在所述阵列基板上形成子像素，所述掩膜版上形成有相邻设置的第一曝光区和第二曝光区，所述第一曝光区用于在所述光刻工艺中对应所述阵列基板的数据线和栅极信号线之间围合的像素开口区域设置，所述第二曝光区用于在光刻工艺中对应所述像素开口区域边缘及所述数据线设置，在相同区域面积上，所述第一曝光区上的透光量大于所述第二曝光区上的透光量。
可选地，所述第一曝光区的透光量为100％，所述第二曝光区的透光量为20％～70％，且所述第二曝光区的宽度为3μm～15μm；和/或，
沿所述第一曝光区朝向所述第二曝光区方向上，所述第二曝光区的透光量呈递减设置。
可选地，所述第二曝光区具有在沿所述第一曝光区朝向所述第二曝光区方向上分布的第一曝光段，第二曝光段及第三曝光段，其中：
所述第一曝光段的透光量为50～70％；和/或，
所述第二曝光段的透光量为30～50％；和/或，
所述第三曝光段的透光量为20～40％。
可选地，所述掩膜版对应在所述第二曝光区形成有交替间隔设置的多个透光部和多个遮光部。
可选地，多个所述遮光部和/或多个所述透光部至少部分设置为长条形；或者，
多个所述遮光部和/或多个所述透光部至少部分设置为方形；或者，
所述遮光部和所述透光部均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区宽度方向的两侧，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区长度方向交替间隔设置；或者，
所述遮光部和所述透光部均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区长度方向的两侧，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区宽度方向交替间隔设置；或者，
所述遮光部和所述透光部呈方形设置，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区长度方向和宽度方向上均交替间隔设置。
基于此，本发明还提出一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线；
采用如上所述的掩膜版，以在所述基板上光刻形成彩色滤光片层，其中，所述彩色滤光片层包括多个子像素。
可选地，所述“在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线”的步骤包括：
在所述基板上形成第一金属层；
对所述第一金属层进行处理以形成栅极信号线；
在所述栅极信号线上依次形成无机绝缘层、半导体层及复合掺杂层；
在复合掺杂层上形成第二金属层；
对所述第二金属层进行处理以形成数据线。
可选地，所述“在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线”的步骤中所述基板、所述栅极信号线和所述数据线共同构合成基板结构；
所述“在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线”的步骤之后还包括：
在所述基板结构上形成第一无机钝化层。
可选地，所述“采用如上所述的掩膜版，以所述栅极信号线和数据线为对位基准，以在所述基板上光刻形成彩色滤光片层”的步骤之后包括：
在所述彩色滤光片层上形成第二无机钝化层或者有机聚合物层；
在所述第二无机钝化层或者有机聚合物层上形成氧化铟锡层，对所述氧化铟锡层进行处理以得到像素电极。
基于此，本发明还提出一种阵列基板，采用如上所述的阵列基板的制作方法的方法制作，所述阵列基板包括基板、设于所述基板且沿背离所述基板方向一侧设置的栅极信号线、数据线及彩色滤光片层。
在本发明提供的技术方案中，由于所述阵列基板上涂布负性光阻剂，形成色阻单元，通过掩膜版对所述色阻单元进行光刻处理，由于在相同区域面积上，所述第一曝光区上的透光量大于所述第二曝光区上的透光量，使得所述色阻单元对应所述第一曝光区接收到的光强大于所述色阻单元对应所述第二曝光区接收到的光强，由于对色阻单元进行曝光的过程所用的光强度越低，光刻处理后得到的子像素对应光强度越低处的厚度越薄，从而使得光刻处理后得到的子像素对应所述第二曝光区的厚度减薄，使得相邻子像素的边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅为本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的阵列基板牛角改善后的结构示意图；
图2为本发明提供的掩膜版的第一实施例的结构示意图；
图3为本发明提供的掩膜版的第二实施例的结构示意图；
图4为本发明提供的掩膜版的第三实施例的结构示意图；
图5为本发明提供的掩膜版的第四实施例的结构示意图；
图6为本发明提供的阵列基板沿所述第二曝光区的宽度方向的截面示意图；
图7为本发明提供的阵列基板沿所述第二曝光区的长度方向的截面示意图；
图8为本发明提供的阵列基板的制作方法的一实施例的流程示意图；
图9为图8中步骤S20的具体流程示意图；
图10为图8步骤S40之后的步骤的流程示意图。
附图标号说明：
| 100 | 掩膜版 | 500 | 半导体层 |
| 1 | 第一曝光区 | 600 | N+掺杂层 |
| 2 | 第二曝光区 | 700 | 源漏极信号线 |
| 21 | 第一曝光段 | 800 | 第一无机钝化层 |
| 22 | 第二曝光段 | 900 | 子像素 |
| 23 | 第三曝光段 | 1000 | 第二无机钝化层 |
| 24 | 透光部 | 1010 | 像素电极 |
| 25 | 遮光部 | a | 中部区域 |
| 200 | 基板 | b | 边缘区域 |
| 300 | 栅极信号线 | c | 数据线 |
| 400 | 无机绝缘层 |
本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。此外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提出一种掩膜版，请参照图2至图4，所述掩膜版100用于在光刻工艺中对阵列基板作用，以在所述阵列基板上形成子像素，所述掩膜版100上形成有相邻设置的第一曝光区1和第二曝光区2，所述第一曝光区1用于在所述光刻工艺中对应所述阵列基板的数据线和栅极信号线之间围合的像素开口区域设置，所述第二曝光区2用于在光刻工艺中对应所述开口区域边缘及所述数据线设置，在相同区域面积上，所述第一曝光区1上的透光量大于所述第二曝光区2上的透光量。
在本发明提供的技术方案中，由于所述阵列基板上涂布负性光阻剂，形成色阻单元，采用掩膜版100对所述色阻单元进行光刻处理，由于在相同区域面积上，所述第一曝光区1上的透光量大于所述第二曝光区2上的透光量，使得所述色阻单元对应所述第一曝光区1接收到的光强大于所述色阻单元对应所述第二曝光区2接收到的光强，由于对所述色阻单元进行光刻处理的过程所用的光强度越低，光刻处理后得到的子像素对应光强度越低处的厚度越薄，从而使得光刻处理后得到的所述子像素对应所述第二曝光区2的厚度减薄，参照图1(图1中虚线为阵列基板改善之前的牛角)，以所述子像素对应所述第一曝光区1的为中部区域a，以所述子像素对应所述第二曝光区2的为边缘区域b，使得相邻所述子像素的边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线c产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
需要说明的是，所述像素开口区域的边缘包括邻近所述数据线c的第一边缘区域和邻近所述栅极信号线的第二边缘区域，所述第二曝光区域可以对应所述第一边缘区域及所述数据线c设置，也可以对应所述第一边缘区域、第二边缘区域及所述数据线c设置，当然所述第二曝光区域还可以对应所述第二边缘区域及所述数据线c设置，本申请对此不作限定。
具体地，在相同区域面积上，使得所述第一曝光区1的透光量大于所述第二曝光区2的透光量的方法有多种，在本申请的实施例中，所述第一曝光区1的透光量为100％，所述第二曝光区2的透光量为20％～70％，如此设置，实现了所述第一曝光区1的透光量大于所述第二曝光区2的透光量，使得光刻处理处理后，所述子像素的边缘区域的厚度小于中部区域的厚度，从而减小了相邻所述子像素边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线c产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。由于所述第二曝光区2的宽度为3～15μm，如此使得通过所述掩膜版经过光刻处理后得到的所述子像素的边缘区域尺寸合适，使得相邻所述子像素能够对位精度。
进一步地，所述第二曝光区2的宽度为5μm～10μm，当然，在其他实施例中，所述第二曝光区2的宽度可以根据需要进行选定，本申请对此不作限定。
具体地，在相同区域面积上，使得所述第一曝光区1的透光量大于所述第二曝光区2的透光量的方法有多种，沿所述第一曝光区1朝向所述第二曝光区2方向上，所述第二曝光区2的透光量呈递减设置，如此设置，实现了所述第一曝光区1的透光量大于所述第二曝光区2的透光量，使得光刻处理处理后，沿所述第一曝光区1朝向所述第二曝光区2方向上所述子像素的边缘区域的厚度呈递减设置，使得相邻所述子像素交叠部分搭接至数据线产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
进一步地，实现沿所述第一曝光区1朝向所述第二曝光区2方向上所述第二曝光区2的透光量呈递减设置的方法有多种，参照图2，在本申请的第一个实施例中，所述第二曝光区2具有在沿所述第一曝光区1朝向所述第二曝光区2方向上分布的第一曝光段21，第二曝光段22及第三曝光段23，其中，所述第一曝光段21的透光量为50～70％；和/或，所述第二曝光段22的透光量为30～50％；和/或，所述第三曝光段23的透光量为20～40％，如此设置，使得所述第一曝光段21的透光量明显大于所述第二曝光段22的透光量，光刻处理后的所述子像素对应所述第二曝光段22的厚度小于所述第一曝光段21的厚度，使得所述第二曝光段22的透光量明显大于所述第三曝光段23的透光量，光刻处理后的所述子像素对应所述第三曝光段23的厚度小于对应所述第二曝光段22的厚度，从而减小了相邻所述子像素边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线c产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
需要说明的是，上述实施例中，实现透光量不同的方式有多种，例如，改变所述第一曝光段21，第二曝光段22及第三曝光段23的材质、调节曝光过程中光平行度和光强等，本申请对此不做限定。
具体地，在相同区域面积上，使得所述第一曝光区1的透光量大于所述第二曝光区2的透光量的方法有多种，在本申请的实施例中，参照图3至图5，所述掩膜版100对应在所述第二曝光区2形成有交替间隔设置的多个透光部24和多个遮光部25，如此设置，由于所述遮光部25的通光量为0％，使得在多个所述透光部24和多个所述遮光部25的共同作用下，所述第二曝光区2上的透光量的均值小于所述第一曝光区1上的透光量，使得光刻处理后的所述子像素对应所述第二曝光区2的厚度小于对应所述第一曝光区1的厚度，从而减小了相邻子像素边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线c产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
进一步地，所述多个透光部24和所述多个遮光部25的形状有多种，在本发明的实施例中，参照图3至图5，多个所述遮光部25和/或多个所述透光部24至少部分设置为长条形，或者多个所述遮光部25和/或多个所述透光部24至少部分设置为方形，当然，在其他实施例中，多个所述遮光部25和多个所述透光部24还可以是圆形、三角形等，本发明实施例对此不作限定。
参照图3，所述遮光部25和所述透光部24均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区2宽度方向的两侧，如此使得曝光显影后形成的子像素对应所述第二曝光区2宽度方向的厚度减薄。多个所述遮光部25和多个所述透光部24沿所述第二曝光区2长度方向交替间隔设置，如此设置，由于在曝光过程中光线并非完全平行，具有一定的发散程度，使得曝光时，在沿所述第二曝光区2长度方向交替间隔设置的多个所述遮光部25和多个所述透光部24的共同作用下，使得通过所述第二曝光区2的平均光强小于所述第一曝光区1的平均光强，从而使得光刻处理后子像素对应所述第二曝光区2的厚度小于对应所述第一曝光区1的厚度，使得相邻子像素边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
参照图4，所述遮光部25和所述透光部24均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区2长度方向的两侧，如此使得光刻处理后形成的子像素对应所述第二曝光区2长度方向的厚度较薄。多个所述遮光部25和多个所述透光部24沿所述第二曝光区2宽度方向交替间隔设置，如此设置，由于在曝光过程中光线并非完全平行，具有一定的发散程度，使得曝光时，在沿所述第二曝光区2长度方向交替间隔设置的多个所述遮光部25和多个所述透光部24的共同作用下，使得通过所述第二曝光区2的平均光强小于所述第一曝光区1的平均光强，从而使得光刻处理后子像素对应所述第二曝光区2的厚度小于对应所述第一曝光区1的厚度，使得相邻子像素边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
参照图5，所述遮光部25和所述透光部24呈方形设置，多个所述遮光部25和多个所述透光部24沿所述第二曝光区2长度方向和宽度方向上均交替间隔设置，如此设置，由于在曝光过程中光线并非完全平行，具有一定的发散程度，使得曝光时，在沿所述第二曝光区2长度方向和宽度方向上均交替间隔设置的多个所述遮光部25和多个所述透光部24的共同作用下，使得通过所述第二曝光区2的平均光强小于所述第一曝光区1的平均光强，从而使得子像素在对应所述第二曝光区2的厚度小于对应所述第一曝光区1的厚度，使得相邻子像素边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
需要说明的是，上述透光部24的透光量为100％，因此所述透光部24可以设置为透明材质制成的膜或者通孔等，所述遮光部25的透光量为0％，因此所述遮光部25可以设置为黑色矩阵，本申请对此不做限定。
本发明还提出一种阵列基板的制作方法，参照图6至图8，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：
步骤S10、提供基板200；
步骤S20、在所述基板200上先后形成栅极信号线300和数据线c；
步骤S40、采用如上所述的掩膜版100，以在所述基板上光刻形成彩色滤光片层，其中，所述彩色滤光片层包括多个子像素900。
在本发明提供的技术方案中，提供基板200，在所述基板200上先后形成栅极信号线300和数据线c，采用如上所述的掩膜版100，所述掩膜版100包括上述掩膜版100全部实施例的全部技术方案，且所达到的技术效果也完全相同，在此不再赘述，以在所述基板上光刻形成彩色滤光片层，其中，所述彩色滤光片层包括多个子像素900，在通过所述掩膜版100进行光刻处理时，使得处理得到的多个子像素900对应所述数据线c的边缘区域的厚度变薄，从而减小了相邻子像素900边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线c产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。
需要说明的是，上述“以在所述基板200上光刻形成彩色滤光片层”并不是直接在基板200表面形成彩色滤光片层，在本发明的实施例中，在所述基板200上光刻形成彩色滤光片层”中的步骤中所述基板200、所述栅极信号线300和所述数据线c共同构合成基板结构，形成彩色滤光片层的具体步骤为：将负性光阻剂通过黄光涂布在基板结构上，然后依次通过预烘烤、曝光、显影及后烘烤制程分别制作多个子像素900，多所述子像素900共同形成彩色滤光片层。相邻所述子像素900在所述数据线c位置交叠并搭接至所述数据线c。在本申请的实施例中，所述负性光阻剂为红绿蓝三种负性光阻剂，对应得到红绿蓝三种子像素900，相邻的红绿蓝三种子像素900之间交叠，通常交叠区域宽度为4μm～7μm。由于交叠的区域搭接至所述数据线c，在与所述数据线c搭接位置会形成牛角。通过使得所述掩膜版100在相同区域面积上，所述第一曝光区1上的透光量大于所述第二曝光区2上的透光量，使得相邻所述子像素900交叠区域单层的厚度会比子像素900中部区域厚度薄，通过此设计实现所述子像素900对应所述第二曝光区2与所述第一曝光区1之间的厚度差异可扩大0.2μm～1μm，从而可达到降低牛角的目的。采用所述掩膜版100时，以所述栅极信号线300和数据线c为对位基准，如此使得形成的所述子像素900的中部区域a能够精准对应所述第一曝光区1，所述子像素900的边缘区域b能够精准对应所述第二曝光区2。
具体地，参照图6、图7及图9，步骤S20在所述基板200上先后形成栅极信号线300和数据线c的步骤包括：
步骤S201、在所述基板200上形成第一金属层；
具体地，在所述基板200上形成第一金属层的方法为：通过物理气相沉积在所述基板200上形成第一金属层，当然，在其他实施例中，还可以通过其他方式形成所述第一金属层，本申请对此不作限定。
步骤S202、对所述第一金属层进行处理以形成栅极信号线300；
具体地，对所述第一金属层进行处理以形成栅极信号线300的方法为：对所述第一金属层进行黄光制程和湿刻蚀制程形成图案化栅极信号线300，当然，在其他实施例中，还可以通过其他方式形成所述栅极信号线300，本申请对此不作限定。
步骤S203、在所述栅极信号线300上依次形成无机绝缘层400、半导体层500及复合掺杂层600；
具体地，在所述栅极信号线300上依次形成无机绝缘层400、半导体层500及复合掺杂层600的方法为：在所述栅极信号线300上通过化学气相依次沉积一层无机绝缘层400和半导体层500及复合掺杂层600，再通过黄光制程及干刻蚀制程形成图案化半导体层500和复合掺杂层600，当然，在其他实施例中，还可以通过其他方式在所述栅极信号线300上依次形成无机绝缘层400、半导体层500及复合掺杂层600，本申请对此不作限定。
步骤S204、在复合掺杂层600上形成第二金属层；
具体地，在复合掺杂层600上形成第二金属层的方法为：通过物理气相沉积在复合掺杂层600上形成第二金属层，当然，在其他实施例中，还可以通过其他方式形成第二金属层，本申请对此不作限定。
步骤S205、对所述第二金属层进行处理以形成数据线c。
具体地，对所述第二金属层进行处理以形成数据线c的方法为：对所述第二金属层进行黄光制程和湿刻蚀制程形成图案化数据线c和源漏极信号线700，其中数据线c位置为相邻子像素900交叠区域，当然，在其他实施例中，还可以通过其他方式形成数据线c，本申请对此不作限定。
需要说明的是，通常现有数据线c最小宽度设计为5μm～10μm。亦可将上述步骤步骤S203至步骤S205合并为同一掩模版制作，由于该技术已经成熟，在此不一一赘述。
进一步地，步骤S20在所述基板200上先后形成栅极信号线300和数据线c的步骤中，所述基板200、所述栅极信号线300和所述数据线c共同构合成基板结构，且步骤S20在所述基板200上先后形成栅极信号线300和数据线c”的步骤之后还包括：
步骤S30在所述基板结构上形成第一无机钝化层800。
具体地，在所述基板结构上形成第一无机钝化层800的方法为在所述基板结构上通过化学气相沉积一层整面第一无机钝化层800，当然，在其他实施例中，还可以通过其他方式形成所述第一无机钝化层800，本申请对此不作限定。
进一步地，参照图6、图7及图10，步骤S40采用如上所述的掩膜版100，以在所述基板200上光刻形成彩色滤光片层”的步骤之后包括：
步骤S50在所述彩色滤光片层上形成第二无机钝化层1000或者有机聚合物层；
具体地，在所述彩色滤光片层上形成第二无机钝化层1000或者有机聚合物层的方法为：在所述彩色滤光片层上通过化学气相沉积第二无机钝化层1000或有机聚合物层，再通过黄光制程和干刻蚀制程形成图案化第二无机钝化层1000或者图案化有机聚合物层，当然，在其他实施例中，还可以通过其他方式形成所述第二无机钝化层1000或者有机聚合物层，本申请对此不作限定。
步骤S60在所述第二无机钝化层1000或者有机聚合物层上形成氧化铟锡层，对所述氧化铟锡层进行处理以得到像素电极1010。
具体地，在所述第二无机钝化层1000或者有机聚合物层上形成氧化铟锡层，对所述氧化铟锡层进行处理以得到像素电极1010的方法为：在所述第二无机钝化层1000或者有机聚合物层上再通过物理气相沉积氧化铟锡层，经过黄光制程和刻蚀制程对所述氧化铟锡层进行处理形成图案化像素电极1010，当然，在其他实施例中，还可以通过其他方式形成所述像素电极1010，本申请对此不作限定。
本发明提出一种阵列基板，所述阵列基板采用如上所述的阵列基板的制作方法的方法制作，所述阵列基板包括基板200、设于所述基板200且沿背离所述基板200方向一侧设置的栅极信号线300、数据线c及彩色滤光片层，经过上述工艺制作完成阵列基板，在保证彩色滤光片膜层中部区域厚度相同情况下，相较当前产品设计，本发明的实施例实现了所述子像素900交叠处牛角可降低至1μm以下，有效改善产品起泡和修补暗点以及暗态漏光等问题。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种掩膜版，用于在光刻工艺中对阵列基板作用，以在所述阵列基板上形成子像素，其特征在于，所述掩膜版上形成有相邻设置的第一曝光区和第二曝光区，所述第一曝光区用于在所述光刻工艺中对应所述阵列基板的数据线和栅极信号线之间围合的像素开口区域设置，所述第二曝光区用于在光刻工艺中对应所述像素开口区域的边缘及所述数据线设置，在相同区域面积上，所述第一曝光区上的透光量大于所述第二曝光区上的透光量。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一曝光区的透光量为100％，所述第二曝光区的透光量为20％～70％，且所述第二曝光区的宽度为3μm～15μm；和/或，
沿所述第一曝光区朝向所述第二曝光区方向上，所述第二曝光区的透光量呈递减设置。
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第二曝光区具有在沿所述第一曝光区朝向所述第二曝光区方向上分布的第一曝光段，第二曝光段及第三曝光段，其中：
所述第一曝光段的透光量为50～70％；和/或，
所述第二曝光段的透光量为30～50％；和/或，
所述第三曝光段的透光量为20～40％。
4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版对应在所述第二曝光区形成有交替间隔设置的多个透光部和多个遮光部。
5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，多个所述遮光部和/或多个所述透光部至少部分设置为长条形；或者，
多个所述遮光部和/或多个所述透光部至少部分设置为方形；或者，
所述遮光部和所述透光部均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区宽度方向的两侧，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区长度方向交替间隔设置；或者，
所述遮光部和所述透光部均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区长度方向的两侧，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区宽度方向交替间隔设置；或者，
所述遮光部和所述透光部呈方形设置，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区长度方向和宽度方向上均交替间隔设置。
6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线；
采用如权利要求1至5任意一项所述的掩膜版，以在所述基板上光刻形成彩色滤光片层，其中，所述彩色滤光片层包括多个子像素。
7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线”的步骤包括：
在所述基板上形成第一金属层；
对所述第一金属层进行处理以形成栅极信号线；
在所述栅极信号线上依次形成无机绝缘层、半导体层及复合掺杂层；
在复合掺杂层上形成第二金属层；
对所述第二金属层进行处理以形成数据线。
8.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线”的步骤中所述基板、所述栅极信号线和所述数据线共同构合成基板结构；
所述“在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线”的步骤之后还包括：
在所述基板结构上形成第一无机钝化层。
9.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“采用如权利要求1至5任意一项所述的掩膜版，以在所述基板上光刻形成彩色滤光片层”的步骤之后包括：
在所述彩色滤光片层上形成第二无机钝化层或者有机聚合物层；
在所述第二无机钝化层或者有机聚合物层上形成氧化铟锡层，对所述氧化铟锡层进行处理以得到像素电极。
10.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求6至9任意一项所述的阵列基板的制作方法的方法制作，所述阵列基板包括基板、设于所述基板且沿背离所述基板方向一侧设置的栅极信号线、数据线及彩色滤光片层。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN113703281A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000015169A (ko) * | 1998-08-27 | 2000-03-15 | 김영환 | 노광용 마스크 |
| CN104317097A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种coa基板及其制作方法和显示装置 |
| CN104459860A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于制作彩色滤光片的方法、彩色滤光片及液晶面板 |
| CN104503128A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于显示器的彩膜基板及其制造方法和彩膜基板的光罩 |
| CN108803232A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-13 | 云谷（固安）科技有限公司 | 曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法 |
| CN109541829A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-03-29 | 惠科股份有限公司 | 掩膜版、液晶面板和液晶显示装置 |
| CN208737148U (zh) * | 2018-09-30 | 2019-04-12 | 惠科股份有限公司 | 一种彩色滤光片基板、光罩及显示面板 |
| CN110703489A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-01-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 掩膜版和显示面板及其制备方法 |
-
2021
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000015169A (ko) * | 1998-08-27 | 2000-03-15 | 김영환 | 노광용 마스크 |
| CN104317097A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种coa基板及其制作方法和显示装置 |
| CN104459860A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于制作彩色滤光片的方法、彩色滤光片及液晶面板 |
| CN104503128A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于显示器的彩膜基板及其制造方法和彩膜基板的光罩 |
| CN108803232A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-13 | 云谷（固安）科技有限公司 | 曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法 |
| CN208737148U (zh) * | 2018-09-30 | 2019-04-12 | 惠科股份有限公司 | 一种彩色滤光片基板、光罩及显示面板 |
| CN109541829A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-03-29 | 惠科股份有限公司 | 掩膜版、液晶面板和液晶显示装置 |
| CN110703489A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-01-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 掩膜版和显示面板及其制备方法 |
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