KR101697205B1 - 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리 - Google Patents

기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수평 방향으로 배치되는 공정가스의 유입구 및 배출구와, 외부에 설치되는 가스 공급부로부터 제공되는 상기 공정가스를 이동시키도록 일측에 형성되는 가스 이동구를 구비하는 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징의 유입구를 개폐하도록 형성되는 챔버 도어; 및 상기 챔버 도어의 폐쇄 시, 상기 배출구를 향해 상기 공정가스를 분사하도록 상기 챔버 도어에 설치되며, 상기 공정가스가 이동되도록 상기 챔버 도어의 내부를 따라 형성되는 가스 유로 및 상기 가스 유로와 상기 챔버 하우징의 내부 공간을 연통하도록 상기 챔버 도어의 일면에 형성되는 가스 토출부를 구비하는 가스 분사유닛;을 포함하며, 상기 가스 분사유닛은, 상기 가스 유로와 연결되는 일단과 상기 챔버 도어의 일면에 노출되도록 설치되는 타단을 가지고, 상기 챔버 도어의 폐쇄 시 상기 타단이 상기 가스 이동구와 결합되어 상기 공정가스를 상기 가스 유로로 안내하도록 형성되는 가스 연결구를 더 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리에 관한 것이다.

Description

기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리{HORIZONTAL TYPE CHAMBER ASSEMBLY FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 원료인 웨이퍼는 가공막을 증착하는 증착(Deposition)공정에서 부터 포토리소그래피(Photolithography), 식각(Etching) 공정을 통해 반도체 소자인 칩(Chip)으로 제조될 수 있다.
이렇게 웨이퍼를 반도체 소자로 변환시키기 위한 공정들은 웨이퍼를 진공 챔버 내부에 배치하고 고주파 또는 마이크로웨이브 전력 등을 인가하여 반응가스를 플라스마 상태의 가스로 변환시켜 에칭 또는 증착을 실시한다.
이때 이용되는 진공 챔버는 내부 가스를 배출시키는 구조에 따라 종형 챔버 및 횡형 챔버로 구분할 수 있다. 종형 챔버는 가스를 분사하는 분사 장치와 가스를 배출하는 배출 장치가 수직 방향으로 배치되는 구조를 가질 수 있다. 횡형 챔버는 챔버의 상부면에 가스 분사 장치가 설치되고, 챔버의 측면에 배출 장치가 배치되는 구조를 가진다.
이 중, 기존 횡형 챔버는 가스의 유입과 배출 방향이 직각 방향으로 형성됨에 따라, 챔버의 중앙에 위치하는 웨이퍼에 대하여 균일하게 가스 반응이 이루어질 수 없는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 웨이퍼에 대하여 보다 균일한 가스 반응이 이루어질 수 있는 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리를 제공하는 것이다.
상기한 과제를 실현하기 위한 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리는, 수평 방향으로 배치되는 공정가스의 유입구 및 배출구와, 외부에 설치되는 가스 공급부로부터 제공되는 상기 공정가스를 이동시키도록 일측에 형성되는 가스 이동구를 구비하는 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징의 유입구를 개폐하도록 형성되는 챔버 도어; 및 상기 챔버 도어의 폐쇄 시, 상기 배출구를 향해 상기 공정가스를 분사하도록 상기 챔버 도어에 설치되며, 상기 공정가스가 이동되도록 상기 챔버 도어의 내부를 따라 형성되는 가스 유로 및 상기 가스 유로와 상기 챔버 하우징의 내부 공간을 연통하도록 상기 챔버 도어의 일면에 형성되는 가스 토출부를 구비하는 가스 분사유닛;을 포함하며, 상기 가스 분사유닛은, 상기 가스 유로와 연결되는 일단과 상기 챔버 도어의 일면에 노출되도록 설치되는 타단을 가지고, 상기 챔버 도어의 폐쇄 시 상기 타단이 상기 가스 이동구와 결합되어 상기 공정가스를 상기 가스 유로로 안내하도록 형성되는 가스 연결구를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 가스 토출부는, 상기 가스 유로와 연통되어 상기 공정가스가 인입되도록 상기 챔버 도어에 형성되는 가스 수용 공간; 및 상기 가스 수용 공간에서 상기 배출구를 향하는 상기 챔버 도어의 일면을 관통하도록 형성되는 복수의 가스홀;을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 챔버 도어는, 중앙 영역에서 일면과 타면을 관통하도록 형성되는 도어 개방구를 포함하고, 상기 가스 수용 공간은, 상기 개방구의 둘레를 따라 오목하게 형성될 수 있다.
여기서, 상기 챔버 도어는, 상기 일면과 결합되어 상기 가스 수용 공간 및 상기 도어 개방구를 폐쇄 시키도록 형성되는 윈도우를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 복수의 가스홀은, 상기 가스 연결구에서 멀어질수록 설치밀도가 높게 형성될 수 있다.
여기서, 상기 내부 공간을 웨이퍼가 배치되는 반응 공간과 상기 반응 공간에서 이동되는 상기 공정가스의 흐름을 제어하기 위한 버퍼 공간으로 각각 구획하도록 형성되는 구획부를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 구획부는, 상기 유입구에서 상기 배출구 방향으로 관통된 관통홀이 형성되는 타공판을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 관통홀은 복수로 형성되고, 상기 타공판은, 가장자리에서 중심부를 향해 상기 관통홀의 설치밀도가 낮아지도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 타공판은, 상기 관통홀이 복수로 모두 위치하는 개방 영역; 및 상기 개방 영역에 둘러싸이는 닫힘 영역;을 포함할 수 있다.
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상기와 같이 구성되는 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리에 의하면 기판에 대해 공정가스를 수평방향으로 이동시킴으로써 기판 처리에 대한 균일성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 분사 압력차이에 따른 공정가스의 분사 비율을 최적화시킬 수 있다.
또한, 인입된 공정가스를 수평 방향으로 배출시키는 구조를 통해 가스 유동 방향을 균일하게 유지시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 횡형 챔버 어셈블리(100)의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 챔버 어셈블리(100) 구성들의 결합 관계를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 가스 토출부(153)를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도7은 도 1의 구획부(170)를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 횡형 챔버 어셈블리(100)의 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 도 1의 챔버 어셈블리(100) 구성들의 결합 관계를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
먼저 도 1에 도시된 바와 같이, 횡형 챔버 어셈블리(100)(이하, 챔버 어셈블리)는 수평 방향으로 유입구(111) 및 배출구(113) 배치되고, 챔버 도어(130)에 공정가스(G)가 배출구(113)를 향해 분사될 수 있다. 따라서, 챔버 어셈블리(100) 내부에 공정 대상인 웨이퍼가 수평 배치되는 경우, 챔버 하우징(110) 내부에서 공정가스(G)가 수평 방향으로 유동되어 웨이퍼에 대한 보다 균일한 식각, 증착, 클리닝 등의 반도체 제조 공정이 이루어질 수 있다. 여기서, 공정가스(G)는 SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, GeH4, B2H6, BBr3, BCl3, AsH3, PH3, TeH2, SnCl4, GeCl4, WF6, NH3, CH4, Cl2, MoF6, SiF4, CF4, C3F8, C2F6, CHF3, CClF3, O2, HCl, HF, HBr, SF6, NF3 등의 특수가스를 플라즈마화한 기체일 수 있다.
이를 위해 챔버 어셈블리(100)는, 챔버 하우징(110), 챔버 도어(130), 가스 분사유닛(150), 및 구획부(170)를 포함할 수 있다.
챔버 하우징(110)은, 내부에 웨이퍼를 수용하기 위한 수단으로 내부 공간(I)을 구비하여, 공정가스(G)를 유입 및 배출시킬 수 있다. 예를 들어, 도 1에서처럼 육면체로 구성되어 일측면 및 타측면이 선택적으로 개방되는 구조를 가질 수 있다. 이를 위해, 챔버 하우징(110)은 유입구(111), 배출구, 및 가스 이동구(115)를 포함할 수 있다.
유입구(111)는, 공정가스(G)가 유입되기 위한 수단으로 챔버 하우징(110)의 일측에서 개방된 영역으로 구성될 수 있다. 이때, 유입구(111)는 후술하는 챔버 도어(130)와의 결합을 위해 챔버 하우징(110)에서 일측 개방구 둘레를 따라 연장되는 테두리를 가질 수 있다.
배출구(113)는, 공정가스(G)를 배출하기 위한 수단으로, 도시되지 않은 흡입 펌프와 연결되어 공정가스(G)를 챔버 하우징(110) 외부로 배출시킬 수 있다. 이를 위해 배출구(113)는 배출구 하우징(113a) 및 배출관(113b)을 포함할 수 있다.
배출구 하우징(113a)은, 도 2에서처럼 유입구(111)의 반대측에 위치하는 챔버 하우징(110)의 개방구와 결합되기 위한 수단으로, 배출구 결합부(113a-1) 및 배출구 돌출부(113a-2)를 포함할 수 있다.
배출구 결합부(113a-1)는, 챔버 하우징(110)의 개방구와 결합되는 구조로, 개방구에 대응되도록 형성될 수 있으며 나사 결합 등의 방식에 의해 챔버 하우징(110)과 결합될 수 있다.
배출구 돌출부(113a-2)는, 배출구 결합부(113a-1)에서 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 향해 돌출되도록 형성될 수 있다. 다시 말해, 도 2에서처럼 배출구 돌출부(113a-2)는 내부 공간(I)에 대응되는 돌출 구조를 가짐으로써, 배출구(113)가 챔버 하우징(110)과 결합되도록 할 수 있다. 또한, 배출구 돌출부(113a-2)는 돌출된 구조에 의해 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)보다 더 좁은 공간인 버퍼 공간(B)을 형성할 수 있다. 버퍼 공간(B)에 대해서는 도 5 내지 도 7에서 보다 상세히 후술하도록 한다.
배출관(113b)은, 공정가스(G)를 흡입하기 위한 관으로, 배출구 하우징(113a)과 흡입 펌프를 연결할 수 있다. 도 2에서처럼 배출관(113b)은 그 끝단인 개방구가 배출구 결합부(113a-1)의 중앙 영역에 설치될 수 있다. 본 실시예에서는 배출관(113b)의 개방구가 원형으로 형성되었으나 이는 한정된 것은 아니며 다양한 형상으로 적용될 수 있다.
가스 이동구(115)는, 외부에서 설치되는 가스 공급부로부터 제공되는 공정가스(G)를 후술하는 가스 분사유닛(150)으로 이동시키기 위한 수단으로 챔버 하우징(110)의 일측, 보다 구체적으로는 유입구(111)의 테두리 영역에 설치될 수 있다. 예를 들어, 가스 이동구(115)는 관으로 형성되어 챔버 하우징(110) 내부에 삽입되며, 외부의 가스 공급부와 연결되는 일단과, 유입구(111)의 테두리 영역에 노출되는 타단을 구비할 수 있다.
챔버 도어(130)는, 챔버 하우징(110)의 유입구(111)를 개폐하기 위한 수단으로 유입구(111)의 일측과 흰지 등의 결합 구조를 가지며 수평 방향으로 유입구(111)를 개폐시킬 수 있다. 또한, 챔버 도어(130)는 손잡이와 같은 개폐 부재가 설치될 수 있다. 이러한 챔버 도어(130)는, 도어 개방구(131) 및 윈도우(133)를 포함할 수 있다.
도어 개방구(131)는, 챔버 하우징(110)의 중앙 영역에서 일면과 타면을 관통하여 형성될 수 있다. 다시 말해, 도 2에서처럼 도어 개방구(131)는 챔버 도어(130)가 챔버 하우징(110)의 폐쇄하는 경우, 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)과 외부 공간(O)을 연결하는 빈 공간으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 도어 개방구(131)가 원형으로 형성되었으나, 본 발명에 한정된 것은 아니며 다른 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 도어 개방구(131)에는 투명판(도 4, 131a 이하 생략)이 배치될 수 있다. 투명판은 외부 공간(O)에서 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 시각적으로 확인할 수 있는 모니터링 기능을 제공할 수 있다.
윈도우(133)는, 챔버 도어(130)의 일면을 덮기 위한 수단일 수 있다. 다시 말해, 윈도우(133)는 외부 공간(O)을 향하는 챔버 도어(130)의 일면에서 후술하는 가스 수용 공간(155a)과 도어 개방구(131)를 폐쇄 시키도록 형성될 수 있다. 도 2에서처럼 윈도우(133)는 도어 개방구(131)에 대응되는 개방홀(133a)이 형성될 수 있다. 따라서, 윈도우(133)가 챔버 도어(130)에 결합되는 경우에도, 개방홀(133a)과 도어 개방구(131)이 서로 대응되는 위치에 배치됨으로써, 사용자는 개방홀(133a) - 도어 개방구(131)(투명판)으로 연속되는 개방형 구조를 통해 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 시각적으로 확인할 수 있다. 또한, 윈도우(133)는 챔버 도어(130)와 나사 결합 등의 방식을 통해 결합될 수 있다.
가스 분사유닛(150)은, 챔버 도어(130)의 폐쇄 시, 배출구(113)를 향해 공정가스(G)를 분사하기 위한 수단으로 챔버 도어(130)에 설치될 수 있다. 이러한 가스 분사유닛(150)은, 가스 유로(151), 가스 연결구(153), 및 가스 토출부(155)를 포함할 수 있다.
가스 유로(151)는, 가스 이동구(115)에서 제공되는 공정가스(G)를 가스 토출부(155)로 이동시키기 위한 수단으로, 챔버 도어(130)의 내부를 따라 설치될 수 있다.
가스 연결구(153)는, 가스 유로(151)와 가스 이동구(115)를 서로 연결하기 위한 수단으로, 가스 유로(151)와 연결되는 일단과, 챔버 도어(130)의 일면에 노출되도록 설치되는 타단을 가질 수 있다. 이때, 챔버 도어(130)에 노출되는 가스 연결구(153)의 타단은 챔버 도어(130)의 폐쇄 시 가스 이동구(115)와 결합될 수 있는 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 챔버 도어(130)의 폐쇄 시, 가스 연결구(153)의 타단이 가스 이동구(115)와 결합됨으로써 가스 이동구(115)로부터 제공되는 공정가스(G)가 가스 유로(151)로 이동될 수 있다. 이와 같은 가스 연결구(153)는 O-링과 같은 실링 부재를 구비하여 가스 이동구(115)와의 결합 시, 공정가스(G)가 누설되는 것을 방지할 수 있다.
가스 토출부(155)는, 공정가스(G)를 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 분사시키기 위한 수단으로, 가스 유로(151)와 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 연통시키도록 챔버 도어(130)의 일면에 형성될 수 있다. 이를 위해 가스 토출부(155)는 가스 수용 공간(155a) 및 가스홀(155b)을 포함할 수 있다.
가스 수용 공간(155a)은, 상기 가스 유로(151)와 연통되어 상기 공정가스(G)가 인입되도록 챔버 도어(130)에 형성되는 공간으로, 챔버 하우징(110)과 결합 시 외부로 노출되는 챔버 도어(130)의 일면에서 소정 깊이로 오목하게 형성될 수 있다. 다시 말해, 가스 수용 공간(155a)은 가스 유로(151)와 연통되는 챔버 도어(130)의 홈 구조로 형성될 수 있다. 또한, 도 2에서처럼 챔버 도어(130)의 중앙 영역에는 도어 개방부(131)가 관통 형성됨에 따라, 가스 수용 공간(155a)은 도어 개방부(131)의 둘레를 따라 오목하게 형성될 수 있다.
가스홀(155b)은, 가스 수용 공간(155a)에 위치하는 공정가스(G)를 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 유입시키기 위한 수단으로, 가스 수용 공간(155a)에서 배출구를 향하는 챔버 도어(130)의 일면을 관통하는 복수로 형성될 수 있다. 따라서, 가스 유로(151)를 따라 가스 수용 공간(155a)으로 인입된 공정가스(G)는 복수의 가스홀(155b)을 통해 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 이동될 수 있다.
구획부(170)는, 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)에 유입되는 공정가스(G)가 배출 흐름을 제어하기 위한 수단으로 유입구(111) 및 배출구(113) 사이에 설치되어 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 구획시킬 수 있다. 구획부(170)에 대한 구체적인 설명은 도 5 내지 도 7에서 후술하도록 한다.
이와 같은 구성을 같는 횡형 챔버 어셈블리(100)에 의하면, 유입구(111)와 배출구(113)가 서로 수평 방향으로 배치되고, 유입구(111)에 위치하는 챔버 도어(130)를 통해 공정가스(G)가 분사될 수 있다. 따라서, 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)에 배치되는 웨이퍼를 향해 수평 방향으로 공정가스(G)를 이동시킴으로써, 보다 균일한 기판 제조 공정이 이루어질 수 있다.
도 3 및 도 4는 도 1의 가스 토출부(155)를 설명하기 위한 도면이다.
도시된 바와 같이, 가스 토출부(155)의 가스 수용 공간(155a)은 투명판(131a)이 설치된 도어 개방구(131)의 둘레를 따라 형성되는 오목한 홈부, 다시 말해, 도넛 구조의 홈부로 형성될 수 있다. 이러한 가스 수용 공간(155a)은 도 4에서처럼 가스 유로(151)의 일단과 연통됨으로써, 가스 유로(151)로부터 이동되는 공정가스(G)가 인입될 수 있다. 또한, 외부로 개방된 영역은 윈도우(133)에 의해 폐쇄됨으로써, 인입된 공정가스(G)의 외부 노출을 방지할 수 있다.
여기서, 가스 토출부(155)의 가스홀(155b)은 도 4에서처럼 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 향해 챔버 도어(130)를 관통하여 형성될 수 있다. 가스홀(155b)은 복수로 형성될 수 있으며, 도 3에서와 같이 가스 연결구(153)에서 멀어질수록 설치밀도가 높아지도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 가스홀(155b)은 공정가스(G)를 챔버 하우징(110) 내부 공간(I)으로 인입시키기 위한 수단으로, 가스홀(155b)의 설치밀도(면적당 설치 개수)가 높은 경우 해당 영역에서는 보다 많은 양의 공정가스(G)가 배출될 수 있다. 반면, 설치밀도가 낮은 경우 타 영역 대비 보다 적은 양의 공정가스(G)가 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 유입될 수 있다.
공정가스(G)는 외부의 가스 공급부로부터 제공되는데, 가스 공급부는 에어 펌프와 같은 구동수단을 통해 공정가스(G)를 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 최초 공정가스(G)가 가스 수용 공간(155a)으로 유입되는 영역은 다른 영역보다 높은 압력을 유지할 수 있다. 때문에, 가스홀(155b)이 동일한 설치밀도를 갖도록 챔버 도어(130)에 설치되는 경우, 가스 연결구(153)와 가까운 영역(가스 유로(151)와 연통되는 영역)의 공정가스(G)는 타 영역 대비 높은 압력을 유지함에 따라 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 분사되는 분사량 및 분사 압력이 상이할 수 있다. 이와 같은 경우, 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 서로 다른 압력 또는 양으로 공정가스(G)가 분사되면, 공정가스(G)의 유동 흐름이 불규칙해짐에 따라 웨이퍼 표면에 대한 균일한 작업이 이루어지기 어려울 수 있다. 특히, 분사 압력차가 과도하게 발생되는 경우, 챔버 하우징(110) 내부에서 와류와 같은 현상들이 발생될 수 있다.
상술한 이유에 따라, 공정가스(G)의 압력이 높은 영역(가스 유로(151)와 인접한 영역)에는 가스홀(155b)의 설치밀도를 낮게하고, 가스 유로(151)로부터 멀어지는 영역에서는 가스홀(155b)의 설치밀도를 높여 챔버 하우징(110) 내부 공간(I)으로 분사되는 공정가스(G)의 유동 흐름을 균일하게 제어할 수 있다.
또한, 본 도면에서는 도시하지 않았으나, 가스홀(155b)의 크기 또는 형상을 통해 다르게 형성하여 공정가스(G)의 분사 균일도를 향상시킬 수 있다. 다시 말해, 가스 유로(151)와 인접한 영역의 가스홀(155b)은 좁은 직경을 갖도록 형성하고, 가스 유로(151)에서 멀어질수록 보다 큰 직경을 갖게 형성될 수도 있다. 뿐만아니라, 가스 유로(151)에서 멀어질수록 다른 형상의 가스홀(155b)을 배치할 수도 있다. 예컨데, 가스 유로(151)와 근접한 영역에서는 삼각형의 가스홀(155b)을 형성하고, 가스 유로(151)에서 멀어질수록 모서리가 점점 늘어나는 도형인, 사각형, 오각형, 육각형으로 순차적으로 다른 형상을 가질 수 있으며, 가장 멀리 떨어진 가스홀(155b)은 원형으로 구성될 수도 있다.
이와 같은 가스홀(155b)의 설치밀도를 의하면, 공정가스(G)의 유입 압력에 의해 발생될 수 있는 유동 흐름을 보다 균일하게 제어할 수 있다.
도 5 내지 도 7은 도 1의 구획부(170)를 설명하기 위한 도면이다.
먼저 도 5에서처럼 구획부(170)는 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)에서 유입구(111)와 배출구(113) 사이에 배치되어 내부 공간(I)을 구획할 수 있다. 보다 구체적으로, 챔버 하우징(110)의 일단에 결합되는 배출구(113)의 배출구 돌출부(113a-2)에 결합되어, 배출구(113)와의 결합에 의해 형성되는 공간인 버퍼 공간(B)과,반응 공간(유입구(111)와 구획부(170) 사이의 공간으로 웨이퍼가 배치되는 공간)으로 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 구획할 수 있다.
배출구 돌출부(113a-2)는 상술한 바와 같이, 배출구 하우징(113a)에서 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 향해 둘레가 돌출되는 구조를 가질 수 있다. 따라서, 배출구 돌출부(113a-2)는 도 2에서처럼 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 향하는 일면이 개방되고 타면은 배출구 하우징(113a)에 결합되는 육면체로 형성될 수 있다. 이때, 배출구 돌출부(113a-2)의 형상은 육면체로 한정된 것은 아니면 챔버 하우징(110)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 배출구 돌출부(113a-2)의 개방 영역(171a)에 구획부(170)가 결합됨으로써, 챔버 하우징(110)의 반응 공간과 구분되는 버퍼 공간(B)을 가질 수 있다.
여기서, 구획부(170)는 배출구(113) 방향으로 관통되는 복수의 관통홀(173)이 형성되는 타공판(171)으로 형성될 수 있다. 따라서, 유입구(111)를 통해 공정가스(G)가 챔버 하우징(110)의 반응 공간으로 유입되면, 유입된 공정가스(G)는 타공판(171)의 관통홀(173)을 통해 배출구(113)로 이동될 수 있다.
타공판(171)에 형성되는 관통홀(173)은 도 6에서와 같이 가장자리에서 중심부를 향해 설치밀도가 낮아지도록 형성될 수 있다. 다시 말해, 타공판(171)은 관통홀(173)이 복수로 위치하는 개방 영역(171a)과 개방 영역(171a)에 둘러싸이는 닫힘 영역(171b)이 존재할 수 있다. 닫힘 영역(171b)은 개방 영역(171a) 대비 관통홀(173)이 적게 형성되거나 없는 영역일 수 있다.
이는, 도 3 및 도 4에서 가스홀(도 3, 155b)의 설치밀도를 다르게 적용한 것과 동일한 방식을 적용한 구조일 수 있다. 다시 말해, 고정가스의 배출 흐름을 균일하게 하기 위한 것으로, 도 5에서처럼 공정가스(G)를 직접적으로 흡입 및 배출하는 배출관(113b)은 배출 하우징의 중앙 영역에 배치됨에 따라 내부 공간(I)에 위치하는 공정가스(G)는 배출관(113b)을 향해 집중하는 배출 흐름을 가질 수 있다.
이와 같이, 도 7(a)에서 처럼 구획부(170)가 존재하지 않는 경우에는 공정가스(G)가 배출관(113b)을 향해 집중되어 배출됨으로써, 수평 방향의 가스 흐름이 깨뜨려져 웨이퍼에 대한 균일한 작업이 곤란할 수 있다. 이에 대하여, 도 7(b)와 같이, 타공판(171)이 유입구(111)와 배출구(113) 사이에 배치되는 경우, 유입구(111)에서 타공판(171) 사이까지는 수평 방향의 가스 흐름이 유지되고, 타공판(171)과 배출구 사이에서는 배출구(113)로 집중하는 가스 흐름이 발생될 수 있다. 따라서, 웨이퍼를 유입구(111)와 타공판(171) 사이에 배치하는 경우, 해당 영역 안에서는 공정가스(G)가 수평 방향으로 이동되는 가스 흐름을 가질 수 있으므로 웨이퍼에 대한 균일한 작업이 실시될 수 있다.
상기와 같은 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.
100: 횡형 챔버 어셈블리 170: 구획부
110: 챔버 하우징 G: 공정가스
130: 챔버 도어 I: 내부 공간
150: 가스 분사유닛 O: 외부 공간

Claims (11)

  1. 수평 방향으로 배치되는 공정가스의 유입구 및 배출구와, 외부에 설치되는 가스 공급부로부터 제공되는 상기 공정가스를 이동시키도록 일측에 형성되는 가스 이동구를 구비하는 챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징의 유입구를 개폐하도록 형성되는 챔버 도어; 및
    상기 챔버 도어의 폐쇄 시, 상기 배출구를 향해 상기 공정가스를 분사하도록 상기 챔버 도어에 설치되며, 상기 공정가스가 이동되도록 상기 챔버 도어의 내부를 따라 형성되는 가스 유로 및 상기 가스 유로와 상기 챔버 하우징의 내부 공간을 연통하도록 상기 챔버 도어의 일면에 형성되는 가스 토출부를 구비하는 가스 분사유닛;을 포함하며,
    상기 가스 분사유닛은, 상기 가스 유로와 연결되는 일단과 상기 챔버 도어의 일면에 노출되도록 설치되는 타단을 가지고, 상기 챔버 도어의 폐쇄 시 상기 타단이 상기 가스 이동구와 결합되어 상기 공정가스를 상기 가스 유로로 안내하도록 형성되는 가스 연결구를 더 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가스 토출부는,
    상기 가스 유로와 연통되어 상기 공정가스가 인입되도록 상기 챔버 도어에 형성되는 가스 수용 공간; 및
    상기 가스 수용 공간에서 상기 배출구를 향하는 상기 챔버 도어의 일면을 관통하도록 형성되는 복수의 가스홀;을 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.

  4. 제3항에 있어서,
    상기 챔버 도어는,
    중앙 영역에서 일면과 타면을 관통하도록 형성되는 도어 개방구를 포함하고,
    상기 가스 수용 공간은,
    상기 개방구의 둘레를 따라 오목하게 형성되는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 챔버 도어는,
    상기 일면과 결합되어 상기 가스 수용 공간 및 상기 도어 개방구를 폐쇄 시키도록 형성되는 윈도우를 더 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
  6. 삭제
  7. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 가스홀은,
    상기 가스 연결구에서 멀어질수록 설치밀도가 높게 형성되는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 내부 공간을 웨이퍼가 배치되는 반응 공간과 상기 반응 공간에서 이동되는 상기 공정가스의 흐름을 제어하기 위한 버퍼 공간으로 각각 구획하도록 형성되는 구획부를 더 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 구획부는,
    상기 유입구에서 상기 배출구 방향으로 관통된 관통홀이 형성되는 타공판을 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 관통홀은 복수로 형성되고,
    상기 타공판은,
    가장자리에서 중심부를 향해 상기 관통홀의 설치밀도가 낮아지도록 형성되는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 타공판은,
    상기 관통홀이 복수로 모두 위치하는 개방 영역; 및
    상기 개방 영역에 둘러싸이는 닫힘 영역;을 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
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