KR101697205B1 - Horizontal type chamber assembly for treating substrate - Google Patents

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장연숙
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(주)펨토사이언스
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Abstract

The present invention relates to a horizontal type chamber assembly for treating a substrate, comprising: a chamber housing having an inlet and an outlet of process gas, which are arranged in a horizontal direction, and gas moving holes formed on one side thereof to move the process gas supplied from a gas supply unit installed on the outside; a chamber door formed to open and close the inlet of the chamber housing; and a gas spray unit installed on the chamber door to spray the process gas toward the outlet when the chamber door is closed and having a gas flow path formed along the inside of the chamber door such that the process gas is moved and a gas outlet formed on one surface of the chamber door to communicate with the internal space of the gas flow path and the chamber housing. The gas spray unit further includes gas connection holes which has one end connected to the gas flow path and the other end installed to be exposed to one surface of the chamber door and is formed to guide the process gas to the gas flow path by allowing the other end to be coupled with the gas moving holes when the chamber door is closed.

Description

기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리{HORIZONTAL TYPE CHAMBER ASSEMBLY FOR TREATING SUBSTRATE}HORIZONTAL TYPE CHAMBER ASSEMBLY FOR TREATING SUBSTRATE BACKGROUND OF THE INVENTION [0001]

본 발명은 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리에 관한 것이다.The present invention relates to a horizontal chamber assembly for substrate processing.

일반적으로, 반도체 원료인 웨이퍼는 가공막을 증착하는 증착(Deposition)공정에서 부터 포토리소그래피(Photolithography), 식각(Etching) 공정을 통해 반도체 소자인 칩(Chip)으로 제조될 수 있다.In general, a wafer as a semiconductor raw material can be manufactured from a deposition process for depositing a processed film, a chip as a semiconductor device through a photolithography process and an etching process.

이렇게 웨이퍼를 반도체 소자로 변환시키기 위한 공정들은 웨이퍼를 진공 챔버 내부에 배치하고 고주파 또는 마이크로웨이브 전력 등을 인가하여 반응가스를 플라스마 상태의 가스로 변환시켜 에칭 또는 증착을 실시한다. Processes for converting wafers into semiconductor devices include arranging wafers in a vacuum chamber, applying high-frequency or microwave power, etc., and converting reaction gas into plasma gas to perform etching or vapor deposition.

이때 이용되는 진공 챔버는 내부 가스를 배출시키는 구조에 따라 종형 챔버 및 횡형 챔버로 구분할 수 있다. 종형 챔버는 가스를 분사하는 분사 장치와 가스를 배출하는 배출 장치가 수직 방향으로 배치되는 구조를 가질 수 있다. 횡형 챔버는 챔버의 상부면에 가스 분사 장치가 설치되고, 챔버의 측면에 배출 장치가 배치되는 구조를 가진다.The vacuum chamber used may be divided into a vertical chamber and a horizontal chamber according to a structure for discharging the inner gas. The vertical chamber may have a structure in which a jetting device for jetting the gas and a discharging device for discharging the gas are arranged in the vertical direction. The horizontal chamber has a structure in which a gas injection device is installed on the upper surface of the chamber and a discharge device is arranged on the side surface of the chamber.

이 중, 기존 횡형 챔버는 가스의 유입과 배출 방향이 직각 방향으로 형성됨에 따라, 챔버의 중앙에 위치하는 웨이퍼에 대하여 균일하게 가스 반응이 이루어질 수 없는 문제점이 있다.The conventional horizontal chamber has a problem that the gas can not be uniformly reacted with the wafer positioned at the center of the chamber because the gas is introduced and discharged in a direction perpendicular to the chamber.

본 발명의 목적은 웨이퍼에 대하여 보다 균일한 가스 반응이 이루어질 수 있는 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a horizontal chamber assembly for substrate processing that allows a more uniform gas response to be made to the wafer.

상기한 과제를 실현하기 위한 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리는, 수평 방향으로 배치되는 공정가스의 유입구 및 배출구와, 외부에 설치되는 가스 공급부로부터 제공되는 상기 공정가스를 이동시키도록 일측에 형성되는 가스 이동구를 구비하는 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징의 유입구를 개폐하도록 형성되는 챔버 도어; 및 상기 챔버 도어의 폐쇄 시, 상기 배출구를 향해 상기 공정가스를 분사하도록 상기 챔버 도어에 설치되며, 상기 공정가스가 이동되도록 상기 챔버 도어의 내부를 따라 형성되는 가스 유로 및 상기 가스 유로와 상기 챔버 하우징의 내부 공간을 연통하도록 상기 챔버 도어의 일면에 형성되는 가스 토출부를 구비하는 가스 분사유닛;을 포함하며, 상기 가스 분사유닛은, 상기 가스 유로와 연결되는 일단과 상기 챔버 도어의 일면에 노출되도록 설치되는 타단을 가지고, 상기 챔버 도어의 폐쇄 시 상기 타단이 상기 가스 이동구와 결합되어 상기 공정가스를 상기 가스 유로로 안내하도록 형성되는 가스 연결구를 더 포함할 수 있다.The horizontal chamber assembly for substrate processing for realizing the above-mentioned object has an inlet and an outlet for the process gas disposed in the horizontal direction, and a gas transfer formed on one side for transferring the process gas provided from an external gas supply unit A chamber housing having a sphere; A chamber door configured to open and close an inlet of the chamber housing; And a gas flow path provided in the chamber door to inject the process gas toward the discharge port when the chamber door is closed, the gas flow path being formed along the inside of the chamber door so that the process gas is moved, And a gas discharge unit formed on one surface of the chamber door so as to communicate with an inner space of the chamber door, wherein the gas injection unit is installed to one side of the chamber door, And a gas connection port formed at the other end of the chamber door to be coupled with the gas flow port to guide the process gas into the gas flow path when the chamber door is closed.

여기서, 상기 가스 토출부는, 상기 가스 유로와 연통되어 상기 공정가스가 인입되도록 상기 챔버 도어에 형성되는 가스 수용 공간; 및 상기 가스 수용 공간에서 상기 배출구를 향하는 상기 챔버 도어의 일면을 관통하도록 형성되는 복수의 가스홀;을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 챔버 도어는, 중앙 영역에서 일면과 타면을 관통하도록 형성되는 도어 개방구를 포함하고, 상기 가스 수용 공간은, 상기 개방구의 둘레를 따라 오목하게 형성될 수 있다.
여기서, 상기 챔버 도어는, 상기 일면과 결합되어 상기 가스 수용 공간 및 상기 도어 개방구를 폐쇄 시키도록 형성되는 윈도우를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 복수의 가스홀은, 상기 가스 연결구에서 멀어질수록 설치밀도가 높게 형성될 수 있다.
여기서, 상기 내부 공간을 웨이퍼가 배치되는 반응 공간과 상기 반응 공간에서 이동되는 상기 공정가스의 흐름을 제어하기 위한 버퍼 공간으로 각각 구획하도록 형성되는 구획부를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 구획부는, 상기 유입구에서 상기 배출구 방향으로 관통된 관통홀이 형성되는 타공판을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 관통홀은 복수로 형성되고, 상기 타공판은, 가장자리에서 중심부를 향해 상기 관통홀의 설치밀도가 낮아지도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 타공판은, 상기 관통홀이 복수로 모두 위치하는 개방 영역; 및 상기 개방 영역에 둘러싸이는 닫힘 영역;을 포함할 수 있다.Here, the gas discharging portion may include: a gas receiving space formed in the chamber door to communicate with the gas flow path to draw the process gas; And a plurality of gas holes formed to pass through one surface of the chamber door toward the discharge port in the gas accommodation space.
Here, the chamber door may include a door opening formed to penetrate through one surface and the other surface in a central region, and the gas accommodation space may be recessed along the circumference of the opening.
The chamber door may further include a window coupled with the one surface to close the gas receiving space and the door opening.
Here, the plurality of gas holes may be formed to have a higher installation density as the distance from the gas connection port increases.
The internal space may be divided into a reaction space in which the wafer is disposed and a buffer space for controlling the flow of the process gas moving in the reaction space.
Here, the partition may include a perforated plate formed with a through hole penetrating from the inlet toward the outlet.
Here, a plurality of the through holes may be formed, and the perforated plate may be formed so that the mounting density of the through holes from the edge toward the center is lowered.
Here, the perforated plate may include an open region where a plurality of the through holes are located; And a closed region surrounded by the open region.

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상기와 같이 구성되는 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리에 의하면 기판에 대해 공정가스를 수평방향으로 이동시킴으로써 기판 처리에 대한 균일성을 보다 향상시킬 수 있다.According to the horizontal chamber assembly for processing a substrate configured as described above, the uniformity of the substrate processing can be further improved by moving the process gas horizontally relative to the substrate.

또한, 분사 압력차이에 따른 공정가스의 분사 비율을 최적화시킬 수 있다.In addition, it is possible to optimize the injection ratio of the process gas due to the difference in injection pressure.

또한, 인입된 공정가스를 수평 방향으로 배출시키는 구조를 통해 가스 유동 방향을 균일하게 유지시킬 수 있다.In addition, the gas flow direction can be uniformly maintained through a structure for discharging the introduced process gas in the horizontal direction.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 횡형 챔버 어셈블리(100)의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 챔버 어셈블리(100) 구성들의 결합 관계를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 가스 토출부(153)를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도7은 도 1의 구획부(170)를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a structure of a lateral chamber assembly 100 according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view for explaining the coupling relationship of the chamber assembly 100 configurations of FIG.
Figs. 3 and 4 are views for explaining the gas discharger 153 of Fig.
5 to 7 are views for explaining the partition 170 of FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.Hereinafter, a horizontal chamber assembly for substrate processing according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification, the same or similar reference numerals are given to different embodiments in the same or similar configurations.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 횡형 챔버 어셈블리(100)의 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 도 1의 챔버 어셈블리(100) 구성들의 결합 관계를 설명하기 위한 분해 사시도이다.FIG. 1 is a view for explaining the structure of a lateral chamber assembly 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view for explaining a coupling relationship of the chamber assembly 100 configurations of FIG.

먼저 도 1에 도시된 바와 같이, 횡형 챔버 어셈블리(100)(이하, 챔버 어셈블리)는 수평 방향으로 유입구(111) 및 배출구(113) 배치되고, 챔버 도어(130)에 공정가스(G)가 배출구(113)를 향해 분사될 수 있다. 따라서, 챔버 어셈블리(100) 내부에 공정 대상인 웨이퍼가 수평 배치되는 경우, 챔버 하우징(110) 내부에서 공정가스(G)가 수평 방향으로 유동되어 웨이퍼에 대한 보다 균일한 식각, 증착, 클리닝 등의 반도체 제조 공정이 이루어질 수 있다. 여기서, 공정가스(G)는 SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, GeH4, B2H6, BBr3, BCl3, AsH3, PH3, TeH2, SnCl4, GeCl4, WF6, NH3, CH4, Cl2, MoF6, SiF4, CF4, C3F8, C2F6, CHF3, CClF3, O2, HCl, HF, HBr, SF6, NF3 등의 특수가스를 플라즈마화한 기체일 수 있다.1, a horizontal chamber assembly 100 (hereinafter referred to as a chamber assembly) is provided with an inlet 111 and an outlet 113 in the horizontal direction, and a process gas G is supplied to the chamber door 130 through a discharge port 0.0 > 113 < / RTI > Accordingly, when the wafer to be processed is horizontally disposed within the chamber assembly 100, the process gas G flows in the horizontal direction inside the chamber housing 110 to perform a more uniform etching, deposition, A manufacturing process can be performed. The process gas G may be a gas such as SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, GeH4, B2H6, BBr3, BCl3, AsH3, PH3, TeH2, SnCl4, GeCl4, WF6, NH3, CH4, Cl2, MoF6, SiF4, CF4, The plasma may be a gas made of a special gas such as C2F6, CHF3, CClF3, O2, HCl, HF, HBr, SF6, NF3.

이를 위해 챔버 어셈블리(100)는, 챔버 하우징(110), 챔버 도어(130), 가스 분사유닛(150), 및 구획부(170)를 포함할 수 있다.To this end, the chamber assembly 100 may include a chamber housing 110, a chamber door 130, a gas injection unit 150, and a compartment 170.

챔버 하우징(110)은, 내부에 웨이퍼를 수용하기 위한 수단으로 내부 공간(I)을 구비하여, 공정가스(G)를 유입 및 배출시킬 수 있다. 예를 들어, 도 1에서처럼 육면체로 구성되어 일측면 및 타측면이 선택적으로 개방되는 구조를 가질 수 있다. 이를 위해, 챔버 하우징(110)은 유입구(111), 배출구, 및 가스 이동구(115)를 포함할 수 있다.The chamber housing 110 is provided with an internal space I as a means for accommodating a wafer therein, so as to allow the process gas G to flow in and out. For example, as shown in FIG. 1, it may have a hexahedron structure in which one side surface and the other side surface are selectively opened. To this end, the chamber housing 110 may include an inlet 111, an outlet, and a gas port 115.

유입구(111)는, 공정가스(G)가 유입되기 위한 수단으로 챔버 하우징(110)의 일측에서 개방된 영역으로 구성될 수 있다. 이때, 유입구(111)는 후술하는 챔버 도어(130)와의 결합을 위해 챔버 하우징(110)에서 일측 개방구 둘레를 따라 연장되는 테두리를 가질 수 있다.The inlet 111 may be configured as an open area at one side of the chamber housing 110 as a means for introducing the process gas G. At this time, the inlet 111 may have a rim extending along one side of the opening of the chamber housing 110 for coupling with the chamber door 130, which will be described later.

배출구(113)는, 공정가스(G)를 배출하기 위한 수단으로, 도시되지 않은 흡입 펌프와 연결되어 공정가스(G)를 챔버 하우징(110) 외부로 배출시킬 수 있다. 이를 위해 배출구(113)는 배출구 하우징(113a) 및 배출관(113b)을 포함할 수 있다.The discharge port 113 is connected to a suction pump (not shown) as a means for discharging the process gas G and can discharge the process gas G to the outside of the chamber housing 110. For this purpose, the discharge port 113 may include a discharge port housing 113a and a discharge pipe 113b.

배출구 하우징(113a)은, 도 2에서처럼 유입구(111)의 반대측에 위치하는 챔버 하우징(110)의 개방구와 결합되기 위한 수단으로, 배출구 결합부(113a-1) 및 배출구 돌출부(113a-2)를 포함할 수 있다.The outlet housing 113a is a means for engaging with an opening of the chamber housing 110 located on the opposite side of the inlet 111 as shown in Figure 2 and includes an outlet coupling portion 113a-1 and an outlet projection 113a-2 .

배출구 결합부(113a-1)는, 챔버 하우징(110)의 개방구와 결합되는 구조로, 개방구에 대응되도록 형성될 수 있으며 나사 결합 등의 방식에 의해 챔버 하우징(110)과 결합될 수 있다.The outlet coupling portion 113a-1 may be formed to correspond to the opening of the chamber housing 110, and may be coupled with the chamber housing 110 by a screw connection or the like.

배출구 돌출부(113a-2)는, 배출구 결합부(113a-1)에서 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 향해 돌출되도록 형성될 수 있다. 다시 말해, 도 2에서처럼 배출구 돌출부(113a-2)는 내부 공간(I)에 대응되는 돌출 구조를 가짐으로써, 배출구(113)가 챔버 하우징(110)과 결합되도록 할 수 있다. 또한, 배출구 돌출부(113a-2)는 돌출된 구조에 의해 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)보다 더 좁은 공간인 버퍼 공간(B)을 형성할 수 있다. 버퍼 공간(B)에 대해서는 도 5 내지 도 7에서 보다 상세히 후술하도록 한다.The discharge port projection 113a-2 may be formed to protrude from the discharge port coupling portion 113a-1 toward the inner space I of the chamber housing 110. [ In other words, as shown in FIG. 2, the discharge protrusion 113a-2 has a protruding structure corresponding to the inner space I, so that the discharge port 113 can be coupled with the chamber housing 110. Further, the discharge port projection 113a-2 can form the buffer space B which is a space narrower than the internal space I of the chamber housing 110 by the protruding structure. The buffer space B will be described later in more detail with reference to FIGS. 5 to 7. FIG.

배출관(113b)은, 공정가스(G)를 흡입하기 위한 관으로, 배출구 하우징(113a)과 흡입 펌프를 연결할 수 있다. 도 2에서처럼 배출관(113b)은 그 끝단인 개방구가 배출구 결합부(113a-1)의 중앙 영역에 설치될 수 있다. 본 실시예에서는 배출관(113b)의 개방구가 원형으로 형성되었으나 이는 한정된 것은 아니며 다양한 형상으로 적용될 수 있다.The discharge pipe 113b is a pipe for sucking the process gas G, and can connect the discharge port housing 113a and the suction pump. As shown in FIG. 2, the discharge pipe 113b may have an open mouth at its end in a central region of the discharge mouth engaging portion 113a-1. Although the opening of the discharge pipe 113b is formed in a circular shape in the present embodiment, the shape is not limited and can be applied in various shapes.

가스 이동구(115)는, 외부에서 설치되는 가스 공급부로부터 제공되는 공정가스(G)를 후술하는 가스 분사유닛(150)으로 이동시키기 위한 수단으로 챔버 하우징(110)의 일측, 보다 구체적으로는 유입구(111)의 테두리 영역에 설치될 수 있다. 예를 들어, 가스 이동구(115)는 관으로 형성되어 챔버 하우징(110) 내부에 삽입되며, 외부의 가스 공급부와 연결되는 일단과, 유입구(111)의 테두리 영역에 노출되는 타단을 구비할 수 있다.The gas moving port 115 is provided at one side of the chamber housing 110 as a means for moving the process gas G provided from an externally installed gas supply unit to the gas injection unit 150 to be described later, (Not shown). For example, the gas moving port 115 may be formed as a tube and inserted into the chamber housing 110, and may have one end connected to the external gas supply unit and the other end exposed to the edge region of the inlet 111 have.

챔버 도어(130)는, 챔버 하우징(110)의 유입구(111)를 개폐하기 위한 수단으로 유입구(111)의 일측과 흰지 등의 결합 구조를 가지며 수평 방향으로 유입구(111)를 개폐시킬 수 있다. 또한, 챔버 도어(130)는 손잡이와 같은 개폐 부재가 설치될 수 있다. 이러한 챔버 도어(130)는, 도어 개방구(131) 및 윈도우(133)를 포함할 수 있다.The chamber door 130 is a means for opening and closing the inlet 111 of the chamber housing 110 and has a structure such as a white paper or the like connected to one side of the inlet 111 and can open and close the inlet 111 in the horizontal direction. In addition, the chamber door 130 may be provided with an opening / closing member such as a handle. The chamber door 130 may include a door opening 131 and a window 133.

도어 개방구(131)는, 챔버 하우징(110)의 중앙 영역에서 일면과 타면을 관통하여 형성될 수 있다. 다시 말해, 도 2에서처럼 도어 개방구(131)는 챔버 도어(130)가 챔버 하우징(110)의 폐쇄하는 경우, 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)과 외부 공간(O)을 연결하는 빈 공간으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 도어 개방구(131)가 원형으로 형성되었으나, 본 발명에 한정된 것은 아니며 다른 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 도어 개방구(131)에는 투명판(도 4, 131a 이하 생략)이 배치될 수 있다. 투명판은 외부 공간(O)에서 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 시각적으로 확인할 수 있는 모니터링 기능을 제공할 수 있다.The door opening 131 may be formed through one side and the other side in the central region of the chamber housing 110. 2, the door opening 131 is opened so as to connect the inner space I of the chamber housing 110 with the outer space O when the chamber door 110 closes the chamber housing 110. In other words, Can be formed as a space. Although the door opening 131 is formed in a circular shape in the present embodiment, the door opening 131 is not limited to the present invention and may be formed in another shape. Further, a transparent plate (not shown in FIG. 4, 131a) may be disposed in the door opening 131. The transparent plate may provide a monitoring function to visually confirm the internal space I of the chamber housing 110 in the external space (O).

윈도우(133)는, 챔버 도어(130)의 일면을 덮기 위한 수단일 수 있다. 다시 말해, 윈도우(133)는 외부 공간(O)을 향하는 챔버 도어(130)의 일면에서 후술하는 가스 수용 공간(155a)과 도어 개방구(131)를 폐쇄 시키도록 형성될 수 있다. 도 2에서처럼 윈도우(133)는 도어 개방구(131)에 대응되는 개방홀(133a)이 형성될 수 있다. 따라서, 윈도우(133)가 챔버 도어(130)에 결합되는 경우에도, 개방홀(133a)과 도어 개방구(131)이 서로 대응되는 위치에 배치됨으로써, 사용자는 개방홀(133a) - 도어 개방구(131)(투명판)으로 연속되는 개방형 구조를 통해 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 시각적으로 확인할 수 있다. 또한, 윈도우(133)는 챔버 도어(130)와 나사 결합 등의 방식을 통해 결합될 수 있다.The window 133 may be a means for covering one side of the chamber door 130. In other words, the window 133 may be formed to close the gas receiving space 155a and the door opening 131, which will be described later, on one side of the chamber door 130 facing the outer space O. [ As shown in FIG. 2, the window 133 may have an opening 133a corresponding to the door opening 131. Therefore, even when the window 133 is coupled to the chamber door 130, since the opening 133a and the door opening 131 are disposed at positions corresponding to each other, the user can open the opening 133a- The inner space I of the chamber housing 110 can be visually confirmed through the continuous open structure of the chamber housing 110 (transparent plate). In addition, the window 133 may be coupled to the chamber door 130 through a method such as a screw connection.

가스 분사유닛(150)은, 챔버 도어(130)의 폐쇄 시, 배출구(113)를 향해 공정가스(G)를 분사하기 위한 수단으로 챔버 도어(130)에 설치될 수 있다. 이러한 가스 분사유닛(150)은, 가스 유로(151), 가스 연결구(153), 및 가스 토출부(155)를 포함할 수 있다.The gas injection unit 150 may be installed in the chamber door 130 as a means for injecting the process gas G toward the discharge port 113 when the chamber door 130 is closed. The gas injection unit 150 may include a gas passage 151, a gas passage 153, and a gas discharge portion 155.

가스 유로(151)는, 가스 이동구(115)에서 제공되는 공정가스(G)를 가스 토출부(155)로 이동시키기 위한 수단으로, 챔버 도어(130)의 내부를 따라 설치될 수 있다.The gas flow path 151 may be installed along the inside of the chamber door 130 as a means for moving the process gas G provided from the gas moving port 115 to the gas discharge portion 155.

가스 연결구(153)는, 가스 유로(151)와 가스 이동구(115)를 서로 연결하기 위한 수단으로, 가스 유로(151)와 연결되는 일단과, 챔버 도어(130)의 일면에 노출되도록 설치되는 타단을 가질 수 있다. 이때, 챔버 도어(130)에 노출되는 가스 연결구(153)의 타단은 챔버 도어(130)의 폐쇄 시 가스 이동구(115)와 결합될 수 있는 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 챔버 도어(130)의 폐쇄 시, 가스 연결구(153)의 타단이 가스 이동구(115)와 결합됨으로써 가스 이동구(115)로부터 제공되는 공정가스(G)가 가스 유로(151)로 이동될 수 있다. 이와 같은 가스 연결구(153)는 O-링과 같은 실링 부재를 구비하여 가스 이동구(115)와의 결합 시, 공정가스(G)가 누설되는 것을 방지할 수 있다.The gas connection port 153 is a means for connecting the gas flow path 151 and the gas moving port 115 to each other and has one end connected to the gas flow path 151 and the other end exposed to one surface of the chamber door 130 It can have the other end. At this time, the other end of the gas connection port 153 exposed to the chamber door 130 may be disposed at a position where the gas port 153 can be engaged with the chamber door 130 when the chamber door 130 is closed. When the chamber door 130 is closed, the other end of the gas connection port 153 is coupled with the gas port 115 to move the process gas G supplied from the gas port 115 to the gas port 151 . The gas connection port 153 may include a sealing member such as an O-ring to prevent the process gas G from leaking when the gas connection port 153 is coupled with the gas port 115.

가스 토출부(155)는, 공정가스(G)를 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 분사시키기 위한 수단으로, 가스 유로(151)와 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 연통시키도록 챔버 도어(130)의 일면에 형성될 수 있다. 이를 위해 가스 토출부(155)는 가스 수용 공간(155a) 및 가스홀(155b)을 포함할 수 있다.The gas discharging unit 155 is a means for spraying the process gas G into the inner space I of the chamber housing 110. The gas discharging unit 155 includes a gas passage 151 and an inner space I of the chamber housing 110, And may be formed on one side of the chamber door 130 to communicate therewith. For this purpose, the gas discharging portion 155 may include a gas receiving space 155a and a gas hole 155b.

가스 수용 공간(155a)은, 상기 가스 유로(151)와 연통되어 상기 공정가스(G)가 인입되도록 챔버 도어(130)에 형성되는 공간으로, 챔버 하우징(110)과 결합 시 외부로 노출되는 챔버 도어(130)의 일면에서 소정 깊이로 오목하게 형성될 수 있다. 다시 말해, 가스 수용 공간(155a)은 가스 유로(151)와 연통되는 챔버 도어(130)의 홈 구조로 형성될 수 있다. 또한, 도 2에서처럼 챔버 도어(130)의 중앙 영역에는 도어 개방부(131)가 관통 형성됨에 따라, 가스 수용 공간(155a)은 도어 개방부(131)의 둘레를 따라 오목하게 형성될 수 있다.The gas accommodation space 155a is a space formed in the chamber door 130 to communicate with the gas passage 151 to allow the process gas G to be drawn in. And may be recessed to a predetermined depth on one side of the door 130. In other words, the gas accommodation space 155a may be formed by a groove structure of the chamber door 130 communicating with the gas passage 151. [ 2, the door opening portion 131 is formed in the center region of the chamber door 130, so that the gas receiving space 155a may be recessed along the periphery of the door opening portion 131. As shown in FIG.

가스홀(155b)은, 가스 수용 공간(155a)에 위치하는 공정가스(G)를 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 유입시키기 위한 수단으로, 가스 수용 공간(155a)에서 배출구를 향하는 챔버 도어(130)의 일면을 관통하는 복수로 형성될 수 있다. 따라서, 가스 유로(151)를 따라 가스 수용 공간(155a)으로 인입된 공정가스(G)는 복수의 가스홀(155b)을 통해 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 이동될 수 있다.The gas hole 155b is a means for introducing the process gas G located in the gas accommodation space 155a into the internal space I of the chamber housing 110 and is provided in the gas accommodation space 155a toward the discharge port And may be formed as a plurality of through holes extending through one side of the chamber door 130. The process gas G introduced into the gas accommodation space 155a along the gas flow channel 151 can be moved to the internal space I of the chamber housing 110 through the plurality of gas holes 155b.

구획부(170)는, 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)에 유입되는 공정가스(G)가 배출 흐름을 제어하기 위한 수단으로 유입구(111) 및 배출구(113) 사이에 설치되어 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 구획시킬 수 있다. 구획부(170)에 대한 구체적인 설명은 도 5 내지 도 7에서 후술하도록 한다.The partitioning part 170 is provided between the inlet 111 and the outlet 113 as a means for controlling the discharge flow of the process gas G flowing into the inner space I of the chamber housing 110, So that the inner space I of the heat exchanger 110 can be partitioned. A detailed description of the partition 170 will be given later with reference to FIG. 5 to FIG.

이와 같은 구성을 같는 횡형 챔버 어셈블리(100)에 의하면, 유입구(111)와 배출구(113)가 서로 수평 방향으로 배치되고, 유입구(111)에 위치하는 챔버 도어(130)를 통해 공정가스(G)가 분사될 수 있다. 따라서, 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)에 배치되는 웨이퍼를 향해 수평 방향으로 공정가스(G)를 이동시킴으로써, 보다 균일한 기판 제조 공정이 이루어질 수 있다.According to the horizontal chamber assembly 100 having the above-described structure, the inlet 111 and the outlet 113 are arranged horizontally with respect to each other, and the process gas G flows through the chamber door 130 located at the inlet 111, Can be injected. Therefore, by moving the process gas G in the horizontal direction toward the wafer placed in the inner space I of the chamber housing 110, a more uniform substrate manufacturing process can be achieved.

도 3 및 도 4는 도 1의 가스 토출부(155)를 설명하기 위한 도면이다.Figs. 3 and 4 are views for explaining the gas discharging unit 155 of Fig.

도시된 바와 같이, 가스 토출부(155)의 가스 수용 공간(155a)은 투명판(131a)이 설치된 도어 개방구(131)의 둘레를 따라 형성되는 오목한 홈부, 다시 말해, 도넛 구조의 홈부로 형성될 수 있다. 이러한 가스 수용 공간(155a)은 도 4에서처럼 가스 유로(151)의 일단과 연통됨으로써, 가스 유로(151)로부터 이동되는 공정가스(G)가 인입될 수 있다. 또한, 외부로 개방된 영역은 윈도우(133)에 의해 폐쇄됨으로써, 인입된 공정가스(G)의 외부 노출을 방지할 수 있다.The gas receiving space 155a of the gas discharging unit 155 is formed with a recessed groove formed along the periphery of the door opening 131 provided with the transparent plate 131a, . The gas receiving space 155a communicates with one end of the gas flow path 151 as shown in FIG. 4, so that the process gas G to be moved from the gas flow path 151 can be introduced. Further, the region that is open to the outside can be closed by the window 133, thereby preventing external exposure of the introduced process gas (G).

여기서, 가스 토출부(155)의 가스홀(155b)은 도 4에서처럼 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 향해 챔버 도어(130)를 관통하여 형성될 수 있다. 가스홀(155b)은 복수로 형성될 수 있으며, 도 3에서와 같이 가스 연결구(153)에서 멀어질수록 설치밀도가 높아지도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 가스홀(155b)은 공정가스(G)를 챔버 하우징(110) 내부 공간(I)으로 인입시키기 위한 수단으로, 가스홀(155b)의 설치밀도(면적당 설치 개수)가 높은 경우 해당 영역에서는 보다 많은 양의 공정가스(G)가 배출될 수 있다. 반면, 설치밀도가 낮은 경우 타 영역 대비 보다 적은 양의 공정가스(G)가 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 유입될 수 있다. The gas hole 155b of the gas discharging unit 155 may be formed through the chamber door 130 toward the inner space I of the chamber housing 110 as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the gas holes 155b may be formed to have a higher installation density as the distance from the gas connection port 153 increases. More specifically, the gas hole 155b is a means for drawing the process gas G into the inner space I of the chamber housing 110. When the installation density of the gas hole 155b is high, A larger amount of the process gas G can be discharged. On the other hand, when the installation density is low, a smaller amount of the process gas G than the other regions can be introduced into the inner space I of the chamber housing 110.

공정가스(G)는 외부의 가스 공급부로부터 제공되는데, 가스 공급부는 에어 펌프와 같은 구동수단을 통해 공정가스(G)를 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 최초 공정가스(G)가 가스 수용 공간(155a)으로 유입되는 영역은 다른 영역보다 높은 압력을 유지할 수 있다. 때문에, 가스홀(155b)이 동일한 설치밀도를 갖도록 챔버 도어(130)에 설치되는 경우, 가스 연결구(153)와 가까운 영역(가스 유로(151)와 연통되는 영역)의 공정가스(G)는 타 영역 대비 높은 압력을 유지함에 따라 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 분사되는 분사량 및 분사 압력이 상이할 수 있다. 이와 같은 경우, 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)으로 서로 다른 압력 또는 양으로 공정가스(G)가 분사되면, 공정가스(G)의 유동 흐름이 불규칙해짐에 따라 웨이퍼 표면에 대한 균일한 작업이 이루어지기 어려울 수 있다. 특히, 분사 압력차가 과도하게 발생되는 경우, 챔버 하우징(110) 내부에서 와류와 같은 현상들이 발생될 수 있다.The process gas (G) is supplied from an external gas supply unit, which can move the process gas (G) through a driving means such as an air pump. Accordingly, the region where the initial process gas G is introduced into the gas accommodation space 155a can maintain a higher pressure than other regions. When the gas holes 155b are provided in the chamber door 130 so as to have the same installation density, the process gas G in the region close to the gas connection port 153 (the region communicating with the gas flow passage 151) The injection amount injected into the inner space I of the chamber housing 110 and the injection pressure may be different. In this case, if the process gas G is injected at different pressures or amounts into the inner space I of the chamber housing 110, the flow of the process gas G becomes irregular, The work may be difficult to be performed. Particularly, when the jet pressure difference is excessively generated, phenomena such as vortices can be generated inside the chamber housing 110. [

상술한 이유에 따라, 공정가스(G)의 압력이 높은 영역(가스 유로(151)와 인접한 영역)에는 가스홀(155b)의 설치밀도를 낮게하고, 가스 유로(151)로부터 멀어지는 영역에서는 가스홀(155b)의 설치밀도를 높여 챔버 하우징(110) 내부 공간(I)으로 분사되는 공정가스(G)의 유동 흐름을 균일하게 제어할 수 있다.The installation density of the gas holes 155b is set low in the region where the process gas G is high in pressure (the region adjacent to the gas passage 151), and in the region away from the gas passage 151, The flow density of the process gas G injected into the inner space I of the chamber housing 110 can be uniformly controlled by increasing the installation density of the process chamber 155b.

또한, 본 도면에서는 도시하지 않았으나, 가스홀(155b)의 크기 또는 형상을 통해 다르게 형성하여 공정가스(G)의 분사 균일도를 향상시킬 수 있다. 다시 말해, 가스 유로(151)와 인접한 영역의 가스홀(155b)은 좁은 직경을 갖도록 형성하고, 가스 유로(151)에서 멀어질수록 보다 큰 직경을 갖게 형성될 수도 있다. 뿐만아니라, 가스 유로(151)에서 멀어질수록 다른 형상의 가스홀(155b)을 배치할 수도 있다. 예컨데, 가스 유로(151)와 근접한 영역에서는 삼각형의 가스홀(155b)을 형성하고, 가스 유로(151)에서 멀어질수록 모서리가 점점 늘어나는 도형인, 사각형, 오각형, 육각형으로 순차적으로 다른 형상을 가질 수 있으며, 가장 멀리 떨어진 가스홀(155b)은 원형으로 구성될 수도 있다.In addition, although not shown in the drawing, it is possible to improve the uniformity of spraying of the process gas G by forming the gas holes 155b differently depending on the size or shape of the gas holes 155b. In other words, the gas hole 155b in the region adjacent to the gas channel 151 may be formed to have a narrow diameter, and may be formed to have a larger diameter as the gas channel 151 is further away from the gas channel 151. [ In addition, a gas hole 155b having a different shape may be disposed further from the gas channel 151. For example, a triangular gas hole 155b is formed in a region close to the gas flow path 151, and a different shape is sequentially formed in a rectangular, pentagonal, or hexagonal shape, And the farthest gas hole 155b may be formed in a circular shape.

이와 같은 가스홀(155b)의 설치밀도를 의하면, 공정가스(G)의 유입 압력에 의해 발생될 수 있는 유동 흐름을 보다 균일하게 제어할 수 있다. Such an installation density of the gas holes 155b makes it possible to more evenly control the flow flow which can be generated by the inflow pressure of the process gas G. [

도 5 내지 도 7은 도 1의 구획부(170)를 설명하기 위한 도면이다.5 to 7 are views for explaining the partition 170 of FIG.

먼저 도 5에서처럼 구획부(170)는 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)에서 유입구(111)와 배출구(113) 사이에 배치되어 내부 공간(I)을 구획할 수 있다. 보다 구체적으로, 챔버 하우징(110)의 일단에 결합되는 배출구(113)의 배출구 돌출부(113a-2)에 결합되어, 배출구(113)와의 결합에 의해 형성되는 공간인 버퍼 공간(B)과,반응 공간(유입구(111)와 구획부(170) 사이의 공간으로 웨이퍼가 배치되는 공간)으로 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 구획할 수 있다.5, the partition 170 may be disposed between the inlet 111 and the outlet 113 in the inner space I of the chamber housing 110 to divide the internal space I. More specifically, a buffer space B, which is a space formed by coupling with the discharge port 113, coupled to the discharge port projection 113a-2 of the discharge port 113 coupled to one end of the chamber housing 110, It is possible to partition the internal space I of the chamber housing 110 into a space (a space in which the wafer is arranged in a space between the inlet 111 and the partition 170).

배출구 돌출부(113a-2)는 상술한 바와 같이, 배출구 하우징(113a)에서 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 향해 둘레가 돌출되는 구조를 가질 수 있다. 따라서, 배출구 돌출부(113a-2)는 도 2에서처럼 챔버 하우징(110)의 내부 공간(I)을 향하는 일면이 개방되고 타면은 배출구 하우징(113a)에 결합되는 육면체로 형성될 수 있다. 이때, 배출구 돌출부(113a-2)의 형상은 육면체로 한정된 것은 아니면 챔버 하우징(110)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 배출구 돌출부(113a-2)의 개방 영역(171a)에 구획부(170)가 결합됨으로써, 챔버 하우징(110)의 반응 공간과 구분되는 버퍼 공간(B)을 가질 수 있다.The outlet protrusion 113a-2 may have a structure in which the periphery protrudes from the outlet housing 113a toward the inner space I of the chamber housing 110, as described above. 2, the outlet protrusion 113a-2 may be formed in a hexahedron having one side facing the inner space I of the chamber housing 110 and the other side coupled to the outlet housing 113a, as shown in FIG. At this time, the shape of the discharge port projection 113a-2 may be formed in a shape corresponding to the chamber housing 110, unless it is limited to a hexahedron. The partition 170 may be coupled to the open area 171a of the discharge port projection 113a-2 to have a buffer space B different from the reaction space of the chamber housing 110.

여기서, 구획부(170)는 배출구(113) 방향으로 관통되는 복수의 관통홀(173)이 형성되는 타공판(171)으로 형성될 수 있다. 따라서, 유입구(111)를 통해 공정가스(G)가 챔버 하우징(110)의 반응 공간으로 유입되면, 유입된 공정가스(G)는 타공판(171)의 관통홀(173)을 통해 배출구(113)로 이동될 수 있다.The partition 170 may be formed as a perforated plate 171 having a plurality of through holes 173 extending in the direction of the discharge port 113. Thus, when the process gas G flows into the reaction space of the chamber housing 110 through the inlet 111, the introduced process gas G flows into the outlet 113 through the through hole 173 of the perforated plate 171, Lt; / RTI >

타공판(171)에 형성되는 관통홀(173)은 도 6에서와 같이 가장자리에서 중심부를 향해 설치밀도가 낮아지도록 형성될 수 있다. 다시 말해, 타공판(171)은 관통홀(173)이 복수로 위치하는 개방 영역(171a)과 개방 영역(171a)에 둘러싸이는 닫힘 영역(171b)이 존재할 수 있다. 닫힘 영역(171b)은 개방 영역(171a) 대비 관통홀(173)이 적게 형성되거나 없는 영역일 수 있다.The through holes 173 formed in the perforated plate 171 may be formed so that the mounting density decreases from the edge toward the center as shown in FIG. In other words, the perforated plate 171 may have an open area 171a where a plurality of through holes 173 are located and a closed area 171b surrounded by the open area 171a. The closed region 171b may be an area in which the through hole 173 is less than or equal to the open area 171a.

이는, 도 3 및 도 4에서 가스홀(도 3, 155b)의 설치밀도를 다르게 적용한 것과 동일한 방식을 적용한 구조일 수 있다. 다시 말해, 고정가스의 배출 흐름을 균일하게 하기 위한 것으로, 도 5에서처럼 공정가스(G)를 직접적으로 흡입 및 배출하는 배출관(113b)은 배출 하우징의 중앙 영역에 배치됨에 따라 내부 공간(I)에 위치하는 공정가스(G)는 배출관(113b)을 향해 집중하는 배출 흐름을 가질 수 있다.This can be a structure in which the same method as applied to the installation density of the gas holes (Figs. 3 and 155b) in Figs. 3 and 4 is applied. 5, the discharge tube 113b, which directly sucks and discharges the process gas G, is disposed in the central region of the discharge housing, The process gas G to be positioned may have a discharge flow concentrating toward the discharge pipe 113b.

이와 같이, 도 7(a)에서 처럼 구획부(170)가 존재하지 않는 경우에는 공정가스(G)가 배출관(113b)을 향해 집중되어 배출됨으로써, 수평 방향의 가스 흐름이 깨뜨려져 웨이퍼에 대한 균일한 작업이 곤란할 수 있다. 이에 대하여, 도 7(b)와 같이, 타공판(171)이 유입구(111)와 배출구(113) 사이에 배치되는 경우, 유입구(111)에서 타공판(171) 사이까지는 수평 방향의 가스 흐름이 유지되고, 타공판(171)과 배출구 사이에서는 배출구(113)로 집중하는 가스 흐름이 발생될 수 있다. 따라서, 웨이퍼를 유입구(111)와 타공판(171) 사이에 배치하는 경우, 해당 영역 안에서는 공정가스(G)가 수평 방향으로 이동되는 가스 흐름을 가질 수 있으므로 웨이퍼에 대한 균일한 작업이 실시될 수 있다.7A, when the partition 170 is not present, the process gas G is concentrated and discharged toward the discharge pipe 113b, so that the gas flow in the horizontal direction is broken, One task can be difficult. 7 (b), when the perforated plate 171 is disposed between the inlet 111 and the outlet 113, a horizontal gas flow is maintained between the inlet 111 and the perforated plate 171 A gas flow concentrating at the discharge port 113 may be generated between the perforated plate 171 and the discharge port. Accordingly, when a wafer is disposed between the inlet port 111 and the perforated plate 171, a uniform operation can be performed on the wafer since the process gas G can be horizontally moved in the corresponding region .

상기와 같은 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다. The above-described lateral chamber assembly for substrate processing is not limited to the construction and operation of the embodiments described above. The embodiments may be configured so that all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made.

100: 횡형 챔버 어셈블리 170: 구획부
110: 챔버 하우징 G: 공정가스
130: 챔버 도어 I: 내부 공간
150: 가스 분사유닛 O: 외부 공간100: Horizontal chamber assembly 170:
110: chamber housing G: process gas
130: chamber door I: interior space
150: gas injection unit O: outer space

Claims (11)

수평 방향으로 배치되는 공정가스의 유입구 및 배출구와, 외부에 설치되는 가스 공급부로부터 제공되는 상기 공정가스를 이동시키도록 일측에 형성되는 가스 이동구를 구비하는 챔버 하우징;
상기 챔버 하우징의 유입구를 개폐하도록 형성되는 챔버 도어; 및
상기 챔버 도어의 폐쇄 시, 상기 배출구를 향해 상기 공정가스를 분사하도록 상기 챔버 도어에 설치되며, 상기 공정가스가 이동되도록 상기 챔버 도어의 내부를 따라 형성되는 가스 유로 및 상기 가스 유로와 상기 챔버 하우징의 내부 공간을 연통하도록 상기 챔버 도어의 일면에 형성되는 가스 토출부를 구비하는 가스 분사유닛;을 포함하며,
상기 가스 분사유닛은, 상기 가스 유로와 연결되는 일단과 상기 챔버 도어의 일면에 노출되도록 설치되는 타단을 가지고, 상기 챔버 도어의 폐쇄 시 상기 타단이 상기 가스 이동구와 결합되어 상기 공정가스를 상기 가스 유로로 안내하도록 형성되는 가스 연결구를 더 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
A chamber housing having an inlet and an outlet of a process gas disposed in a horizontal direction and a gas transfer port formed at one side for transferring the process gas provided from an external gas supply unit;
A chamber door configured to open and close an inlet of the chamber housing; And
A gas flow path formed in the chamber door for spraying the process gas toward the discharge port when the chamber door is closed, the gas flow path being formed along the inside of the chamber door to move the process gas, And a gas discharge unit having a gas discharge portion formed on one surface of the chamber door so as to communicate with the internal space,
Wherein the gas injection unit has one end connected to the gas flow path and the other end configured to be exposed on one surface of the chamber door, and the other end of the chamber is coupled with the gas transfer port when the chamber door is closed, Further comprising a gas connection formed to guide the gas into the chamber.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가스 토출부는,
상기 가스 유로와 연통되어 상기 공정가스가 인입되도록 상기 챔버 도어에 형성되는 가스 수용 공간; 및
상기 가스 수용 공간에서 상기 배출구를 향하는 상기 챔버 도어의 일면을 관통하도록 형성되는 복수의 가스홀;을 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.

The method according to claim 1,
The gas-
A gas receiving space formed in the chamber door to communicate with the gas flow path to draw the process gas into the chamber door; And
And a plurality of gas holes formed through the one side of the chamber door toward the discharge port in the gas receiving space.

제3항에 있어서,
상기 챔버 도어는,
중앙 영역에서 일면과 타면을 관통하도록 형성되는 도어 개방구를 포함하고,
상기 가스 수용 공간은,
상기 개방구의 둘레를 따라 오목하게 형성되는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
The method of claim 3,
Wherein the chamber door comprises:
And a door opening formed to penetrate the one surface and the other surface in the central region,
The gas-
And is recessed along the periphery of the opening.
제4항에 있어서,
상기 챔버 도어는,
상기 일면과 결합되어 상기 가스 수용 공간 및 상기 도어 개방구를 폐쇄 시키도록 형성되는 윈도우를 더 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
5. The method of claim 4,
Wherein the chamber door comprises:
And a window formed in association with said one surface to close said gas receiving space and said door opening. ≪ Desc / Clms Page number 19 >
삭제delete 제3항에 있어서,
상기 복수의 가스홀은,
상기 가스 연결구에서 멀어질수록 설치밀도가 높게 형성되는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
The method of claim 3,
Wherein the plurality of gas holes
And a mounting density is set higher as the distance from the gas connection port increases.
제1항에 있어서,
상기 내부 공간을 웨이퍼가 배치되는 반응 공간과 상기 반응 공간에서 이동되는 상기 공정가스의 흐름을 제어하기 위한 버퍼 공간으로 각각 구획하도록 형성되는 구획부를 더 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
The method according to claim 1,
Further comprising a partition formed to partition the internal space into a reaction space in which the wafer is disposed and a buffer space for controlling the flow of the process gas moving in the reaction space.
제8항에 있어서,
상기 구획부는,
상기 유입구에서 상기 배출구 방향으로 관통된 관통홀이 형성되는 타공판을 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
9. The method of claim 8,
[0028]
And a perforated plate through which a through hole penetrating from the inlet to the outlet is formed.
제9항에 있어서,
상기 관통홀은 복수로 형성되고,
상기 타공판은,
가장자리에서 중심부를 향해 상기 관통홀의 설치밀도가 낮아지도록 형성되는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
10. The method of claim 9,
The plurality of through holes are formed,
The above-
Wherein the through hole is formed so that the mounting density of the through hole from the edge toward the center is lowered.
제9항에 있어서,
상기 타공판은,
상기 관통홀이 복수로 모두 위치하는 개방 영역; 및
상기 개방 영역에 둘러싸이는 닫힘 영역;을 포함하는, 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리.
10. The method of claim 9,
The above-
An open region where a plurality of the through holes are located; And
And a closed region surrounding the open region.
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