KR101692142B1 - 탄화규소 잉곳의 열처리 방법 - Google Patents

탄화규소 잉곳의 열처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101692142B1
KR101692142B1 KR1020150043599A KR20150043599A KR101692142B1 KR 101692142 B1 KR101692142 B1 KR 101692142B1 KR 1020150043599 A KR1020150043599 A KR 1020150043599A KR 20150043599 A KR20150043599 A KR 20150043599A KR 101692142 B1 KR101692142 B1 KR 101692142B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon carbide
temperature
crucible
carbide ingot
heat treatment
Prior art date
Application number
KR1020150043599A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160049432A (ko
Inventor
전승안
정창원
이재석
송문호
Original Assignee
오씨아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오씨아이 주식회사 filed Critical 오씨아이 주식회사
Priority to PCT/KR2015/011307 priority Critical patent/WO2016068555A1/ko
Publication of KR20160049432A publication Critical patent/KR20160049432A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101692142B1 publication Critical patent/KR101692142B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 탄화규소 잉곳의 열처리 방법에 관한 것으로, 특히 성장이 완료된 탄화규소 잉곳의 열응력에 의한 크랙 방지를 위하여, 웨이퍼로 가공하기 전에 탄화규소 잉곳을 열처리하여 주는 방법에 관한 것이다.

Description

탄화규소 잉곳의 열처리 방법 {HEAT TREATING METHOD OF SiC INGOT}
본 발명은 탄화규소 잉곳의 열처리 방법에 관한 것으로, 특히 성장이 완료된 탄화규소 잉곳의 결정품질 향상, 후가공 과정에서 발생하는 크랙을 방지하기 위하여, 웨이퍼로 가공하기 전에 탄화규소 잉곳을 열처리하여 주는 방법에 관한 것이다.
실리콘 반도체가 갖는 열적 특성의 한계를 해결하기 위해 광역 에너지 금지대역을 갖는 새로운 반도체 재료에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이러한 차세대 반도체 소자 재료로서 SiC, GaN, AlN, ZnO 등이 있는데, 이중에서도 잉곳 성장 기술이 확보되고, 내열특성, 열전도특성, 내전압특성이 모두 우수한 탄화규소(SiC) 반도체가 주목 받고 있다.
탄화규소는 현재까지 다양한 단결정 성장기술이 확보되어 있는데, 특히 현재는 승화법(sublimation)이 가장 일반적으로 사용되고 있다.
승화법은 탄화규소 분말이나 다공성 탄화규소 소결체를 고온에서 승화시켜 상대적으로 저온 영역에 위치한 종자정(seed crystal) 위에 탄화규소를 응축하게 함으로써 결정을 성장시키는 방법으로 직경이 큰 결정을 제조할 수 있는 장점이 있다.
그러나, 승화법은 결정의 성장 속도 및 결정의 질 제어에 많은 영향 인자들이 존재하여 재현성 확보가 어렵다는 문제가 있다. 즉 사용재료의 순도, 도가니의 기하학적 구조, 종자정의 질 및 종자정 부착상태, 도가니 상/하부의 온도구배, 반응관 내 분위기 압력 등, 현재까지도 잘 알려지지 않은 수많은 인자들에 의해 결정성장의 양상이 변화하여 재현성 확보가 어려우며, 따라서 이로 인하여 제조된 탄화규소 잉곳의 품질이 고르지 않다는 문제가 존재한다.
그럼에도 불구하고 승화법은 탄화규소의 결정성장을 가장 효율적으로 진행할 수 있기 때문에, 고품질 탄화규소 잉곳을 얻기 위해 다양한 연구가 이루어지고 있다.
본 발명과 관련하여, 일본공개특허 제2002-274995호(2002.09.25 공개)에는 탄화규소의 결정성장시 분위기 압력을 저하시키면서 도가니 온도를 강하함으로써 잉곳 내부의 응력을 완화하고 결정품질을 향상시키는 내용이 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하고, 특히 성장이 완료된 탄화규소 잉곳의 결정 품질을 향상시키거나 가공 중에 발생할 수 있는 크랙을 방지하기 위해, 웨이퍼로 가공하기 전에 탄화규소 잉곳을 열처리하여 주는 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 위하여, 본 발명은 탄화규소 잉곳을 단열재로 감싸는 단계; 상기 단열재로 감싼 탄화규소 잉곳을 도가니에 장입하는 단계; 및 상기 도가니 내부 온도를 조절하여 상기 단열재로 감싼 탄화규소 잉곳을 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 열처리 단계는 승온, 온도 유지, 냉각의 순서로 열처리하되, 평균적인 승온 속도가 평균적인 냉각 속도보다 크며, 상기 열처리 단계에서 탄화규소 잉곳의 중심부의 온도를 t1, 표면부의 온도를 t2라고 할 때, ｜t1-t2｜≤ 10℃ 인 탄화규소 잉곳의 열처리 방법을 제공한다.
본 발명의 방법에 의하면, 결정성장이 완료된 탄화규소 잉곳 자체에 대하여 열처리하여 줌으로써 결정품질이 향상되고, 결정성장이 완료된 탄화규소 잉곳을 웨이퍼로 가공하는 도중에 발생할 수 있는 크랙을 방지하는 효과가 있다.
보다 구체적으로는, 제어가 어렵고 재현성이 떨어지는 탄화규소 결정성장 과정에서 결정품질을 향상시키기 위한 별도의 공정을 가하는 것이 아니기 때문에 반복재현성이 우수하고, 열처리가 탄화규소 결정 전반에 걸쳐 고르게 이루어지므로 내부에 존재하는 열응력이 효과적으로 해소되어, 열처리 과정 또는 그 이후의 잉곳에 대한 그라인딩 공정시 크랙이 발생되는 현상을 크게 감소시킬 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하는 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것인바, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이하, 본 발명에 따른 탄화규소 잉곳의 열처리 방법에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 탄화규소 잉곳의 열처리 방법은, 탄화규소 잉곳을 단열재로 감싸는 단계; 상기 단열재로 감싼 탄화규소 잉곳을 도가니에 장입하는 단계; 및 상기 도가니 내부 온도를 조절하여 상기 단열재로 감싼 탄화규소 잉곳을 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 열처리 단계는 승온, 온도 유지, 냉각의 순서로 열처리하되, 평균적인 승온 속도가 평균적인 냉각 속도보다 크며, 상기 열처리 단계에서 탄화규소 잉곳의 중심부의 온도를 t1, 표면부의 온도를 t2라고 할 때, ｜t1-t2｜≤ 10℃인 것을 특징으로 한다.
먼저, 탄화규소 잉곳을 단열재로 감싸는 단계에 대하여 설명한다.
본 발명에서 상기 탄화규소 잉곳은 결정성장이 완료되어 상온으로 식혀진, 웨이퍼로 가공 가능한 상태의 탄화규소 주괴를 의미한다. 이러한 탄화규소 잉곳은 배경기술에서 설명한 승화법 뿐만 아니라, 웨이퍼로 가공 가능한 상태의 직경과 부피를 갖도록 탄화규소 결정을 성장시킬 수 있는 방법이라면 어느 방법에 의하여도 제조되어도 무관하다.
상기 단열재는 탄화규소 잉곳에 대하여 열처리하여 줄 때, 탄화규소 잉곳의 중심부와 표면부 전반에 걸쳐 고른 열처리를 위한 목적으로 사용되는 것으로서, 열처리시 열응력을 해소하여 결정 품질을 향상시키고 크랙을 방지하는 역할을 한다.
즉, 단열재로 탄화규소 잉곳을 감싸준(wrapping) 후 열처리 함으로써, 이후 설명할 열처리 단계에서 탄화규소 잉곳의 중심부 온도와 표면부 온도의 차이(절대값)가 10℃ 이하가 되도록 하여, 열처리시 발생할 수 있는 내부의 열응력을 해소하기 때문에 크랙이 방지되는 효과가 있다. 더욱 바람직하게는 탄화규소 잉곳의 중심부 온도와 표면부 온도의 차이(절대값)가 1℃ 이하일 수 있다. 이 때, 열처리 단계는 승온, 유지, 냉각의 모든 과정을 포함한다.
여기에서, 탄화규소 잉곳의 중심부는 잉곳의 중심에서 주변부 방향으로 반경 10mm이내의 영역을 의미하며, 주변부는 잉곳의 최외면에서 중심부 방향으로 반경 10mm이내의 영역을 의미한다.
상기 단열재는 본 발명의 열처리 온도 범위, 즉 2000~2500℃에서 열전도도가 1~10W/mK인 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로 2000~2500℃에서 열전도도가 1~4W/mK인 탄소 펠트(소프트 펠트 또는 리지드 펠트)일 수 있으며, 열처리시 탄화규소 잉곳을 감싸주어야 하므로, 열처리 대상인 탄화규소 잉곳의 직경, 높이, 형상 등에 따라 단열재의 직경과 높이, 형상를 맞추어 설정한다.
상기 단열재의 밀도는 0.05~0.10g/㎝3, 상기 단열재의 두께는 0.5~1mm 사이일 수 있다. 이 때, 탄화규소 잉곳의 고른 열분포를 위하여 단열재는 2겹 이상으로 겹쳐서 사용할 수 있으며, 단열재의 두께는 총 50mm를 넘지 않는다.
상기 탄화규소 잉곳의 직경은 50~200mm, 특히 80~110mm, 두께 10~50mm일 수 있다.
다음으로, 단열재로 감싼 탄화규소 잉곳을 도가니에 장입하는 단계에 대하여 설명한다.
본 발명에서 상기 도가니는 흑연을 포함하는 재질로서, 불활성 기체 분위기에서 2500℃ 이상의 고온에서 견딜 수 있는 물질이어야 한다. 도가니의 형상은 특별히 제한되는 것은 아니나, 탄화규소 잉곳의 효과적인 열처리를 위해 원기둥 형상 또는 육면체 형상일 수 있다. 또한 잉곳의 온도 분포를 보다 균일하게 하기 위하여 부피가 더 큰 별도의 도가니를 마련하고, 그 내부에 상기 탄화규소 잉곳을 장입한 도가니를 넣어, 이른바 이중 도가니로 열처리를 할 수도 있다.
다음으로, 도가니 내부 온도를 조절하여 상기 단열재로 감싼 탄화규소 잉곳을 열처리하는 단계에 대하여 설명한다.
본 발명에서 열처리 공정온도는 매우 고온이기 때문에, 진공로를 이용하여 불활성 기체 분위기에서 진행한다. 이때 사용하는 불활성 기체는 아르곤, 질소 등일 수 있으며, 압력은 0.9~1.1 기압 사이일 수 있다.
여기에서 상기 열처리 단계는 승온, 온도 유지, 냉각의 순서로 열처리하되, 평균적인 승온 속도가 평균적인 냉각 속도보다 크다.
먼저, 본 발명에서 상기 도가니 내부 온도를 승온시키는 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 도가니 외부에 발열체를 마련하여 도가니 내부 온도를 승온시키는 것일 수 있다. 이 때, 발열체는 흑연재질로서 도가니 내부로 충분한 열이 잘 전달될 수 있도록 당업자에 의해 자유롭게 설계 가능하다.
상기 도가니 내부의 승온 후 온도는 2000~2500℃, 승온 속도는 0.5~10℃/min인 것이 바람직하다.
구체적으로 승온 후 온도와 승온 속도는 탄화규소 잉곳의 직경, 높이에 따라 다를 수 있다. 즉, 직경 75~85mm(3인치)인 탄화규소 잉곳의 경우, 승온 후 온도는 2000~2300℃, 승온 속도는 1~10℃/min, 직경 100~110mm(4인치)인 탄화규소 잉곳의 경우 승온 후 온도는 2200~2300℃, 승온 속도는 1~6℃/min, 직경 150~160mm(6인치)인 탄화규소 잉곳의 경우, 승온 후 온도는 2300~2400℃, 승온 속도는 0.5~4℃/min, 일 수 있다.
상기 승온 후 온도가 최소 온도 미만인 경우에는 결정열처리 효과가 떨어져 장시간 열처리 필요할 수 있으며, 열처리 시간이 부족할 경우 열처리가 충분히 되지 않아 잉곳 가공 중 크랙이 발생할 수 있다. 최대 온도를 초과하는 경우에는 열처리 도중 탄화규소 잉곳의 결정 손상이 발생할 수 있다. 특히 표면이 심하게 탄화되어 사용 가능한 단결정 웨이퍼를 제작하지 못할 수도 있다.
또한, 승온 속도가 최소값 미만인 경우에는 열처리 효과에는 큰 영향을 주지 않으나 공정 시간이 길어져 불필요하게 비용이 증가할 수 있다. 승온 속도가 최대값을 초과하는 경우에는 승온 도중 열충격에 의하여 탄화규소 잉곳에 크랙이 발생할 수 있다.
상기 도가니 내부의 승온 후 유지 시간은 10~72시간인 것이 바람직하다.
온도 유지 시간이 10시간 미만인 경우에는 열처리가 충분히 되지 않아 잉곳 가공 중 크랙이 발생하는 문제가 있고, 72시간을 초과하는 경우에는 결정표면의 손상이 심해지고, 불필요하게 비용이 증가하는 문제가 있다.
상기 도가니 내부의 냉각 속도는 0.5~2℃/min인 것이 바람직하다.
냉각 속도가 0.5℃/min 미만인 경우에는 열처리 효과에는 큰 영향을 주지 않으나 공정 시간이 길어져 불필요하게 비용이 증가하는 문제가 있고, 2℃/min을 초과하는 경우에는 냉각 도중 열충격에 의하여 탄화규소 잉곳에 크랙이 발생할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예 1
결정성장이 완료된 직경 80mm, 높이 30mm의 탄화규소 잉곳을 두께 30mm의 소프트 흑연 펠트로 완전히 감싸 도가니 내부에 넣은 후, 이 도가니를 진공로에 장입한다. 이후 진공 펌프를 이용하여 진공로 내부의 공기를 빼낸 다음 아르곤 가스를 채운다. 이후, 진공로 내의 도가니 주위에 마련된 흑연 발열체를 발열시킴으로써 1분당 2℃씩 약 19시간 동안 승온시켜 도가니 내부 온도가 2300℃가 될 때까지 가열하였다. 약 48시간 동안 2300℃를 유지한 후, 다시 1분당 1℃씩 약 38시간 동안 2300℃에서 상온까지 온도를 내려 탄화규소 잉곳에 대한 열처리를 완료하였다.
실시예 2
결정성장이 완료된 직경 105mm, 높이 30mm의 탄화규소 잉곳을 두께 30mm의 소프트 흑연 펠트로 완전히 감싸 도가니 내부에 넣은 후, 이 도가니를 진공로에 장입한다. 이후 진공 펌프를 이용하여 진공로 내부의 공기를 빼낸 다음 아르곤 가스를 채운다. 이후, 진공로 내의 도가니 주위에 마련된 흑연 발열체를 발열시킴으로써 1분당 2℃씩 약 19시간 동안 승온시켜 도가니 내부 온도가 2300℃가 될 때까지 가열하였다. 약 48시간 동안 2300℃를 유지한 후, 다시 1분당 1℃씩 약 38시간 동안 2300℃에서 상온까지 온도를 내려 탄화규소 잉곳에 대한 열처리를 완료하였다.
비교예 1
결정성장이 완료된 직경 80mm, 높이 30mm의 탄화규소 잉곳을 흑연 도가니 내부에 장입하였다. 이후 진공 펌프를 이용하여 진공로 내부의 공기를 빼낸 다음 아르곤 가스를 채운다. 이후, 진공로 내의 도가니 주위에 마련된 흑연 발열체를 발열시킴으로써 1분당 2℃씩 약 19시간 동안 승온시켜 도가니 내부 온도가 2300℃가 될 때까지 가열하였다. 약 48시간 동안 2300℃를 유지한 후, 다시 1분당 1℃씩 약 38시간 동안 2300℃에서 상온까지 온도를 내려 탄화규소 잉곳에 대한 열처리를 완료하였다.
비교예 2
승화법에 의하여 직경 80mm, 높이 30mm의 탄화규소 잉곳을 제조하고, 별도의 열처리를 하지 않았다.
평가
1. 열처리시 잉곳의 온도
상기 실시예 및 비교예의 열처리 단계에서 탄화규소 잉곳이 균일하게 열처리되는 것인지 확인하기 위하여, 각 실시예 및 비교예의 탄화규소 잉곳의 중심부의 온도(t1) 및 표면부의 온도(t2)를 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
이 때, 탄화규소 잉곳의 중심부 및 표면부의 온도는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 계산하였다.
중심부 온도(t1) 표면부 온도(t2)
실시예1 2299.1 2299.7
실시예2 2299.2 2299.6
비교예1 2285.3 2299.4
비교예2 - -
2. 잉곳의 깨짐현상 발생여부 실험
상기 실시예 및 비교예에 의해 제조된 탄화규소 잉곳을 웨이퍼 가공하기 위하여 외경 가공 장비를 이용하여 원통 형상으로 가공하였다. 각 조건 별로 10회 동일한 실험을 반복하고 이 때, 탄화규소 잉곳의 깨짐 현상이 발생하는지 관찰하여 그 횟수를 하기 표 2에 기록하였다.
깨짐 현상 발생 횟수(회)
실시예 1 2/10
실시예 2 3/10
비교예 1 8/10
비교예 2 10/10
상기 결과에서 확인할 수 있듯, 본 발명의 방법에 의하면, 결정성장이 완료된 탄화규소 잉곳 자체에 대하여 열처리하여 줌으로써 잉곳 가공 중 크랙 발생을 크게 줄이는 효과가 있었다.
즉, 열처리가 탄화규소 결정 전반에 걸쳐 결정 내부 온도 분포가 매우 고르게 이루어지므로 내부에 존재하는 열응력이 효과적으로 해소되어, 열처리 과정 또는 그 이후의 잉곳에 대한 그라인딩 공정시 크랙이 발생되는 현상을 크게 감소시킬 수 있었다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 결정성장이 완료된 탄화규소 잉곳을 단열재로 감싸는 단계;
    상기 단열재로 감싼 탄화규소 잉곳을 도가니에 장입하는 단계; 및
    상기 도가니 내부 온도를 조절하여 상기 단열재로 감싼 탄화규소 잉곳을 열처리하는 단계;를 포함하며,
    상기 열처리 단계는 승온, 온도 유지, 냉각의 순서로 열처리하되, 평균적인 승온 속도가 평균적인 냉각 속도보다 크며,
    상기 열처리 단계에서 상기 도가니 내부의 승온 후 유지 시간은 10~72시간이며,
    상기 열처리 단계에서 탄화규소 잉곳의 중심부의 온도를 t1, 표면부의 온도를 t2라고 할 때, ｜t1-t2｜≤ 10℃인 탄화규소 잉곳의 열처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단열재는 2000~2500℃에서 열전도도가 1~10W/mK인 것을 특징으로 하는 탄화규소 잉곳의 열처리 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단열재의 밀도는 0.05~0.10g/㎝3인 것을 특징으로 하는 탄화규소 잉곳의 열처리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 탄화규소 잉곳의 직경은 50~200mm인 것을 특징으로 하는 탄화규소 잉곳의 열처리 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 탄화규소 잉곳의 직경은 75~110mm인 것을 특징으로 하는 탄화규소 잉곳의 열처리 방법.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 도가니 외부에 발열체를 마련하여 도가니 내부 온도를 승온시키는 것을 특징으로 하는 탄화규소 잉곳의 열처리 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 도가니 내부의 승온 후 온도는 2000~2500℃, 승온 속도는 0.5~10℃/min인 것을 특징으로 하는 탄화규소 잉곳의 열처리 방법.
  9. 삭제
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 도가니 내부의 냉각 속도는 0.5~2℃/min인 것을 특징으로 하는 탄화규소 잉곳의 열처리 방법.
KR1020150043599A 2014-10-27 2015-03-27 탄화규소 잉곳의 열처리 방법 KR101692142B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2015/011307 WO2016068555A1 (ko) 2014-10-27 2015-10-26 탄화규소 잉곳의 열처리 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140146138 2014-10-27
KR1020140146138 2014-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160049432A KR20160049432A (ko) 2016-05-09
KR101692142B1 true KR101692142B1 (ko) 2017-01-04

Family

ID=56020444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150043599A KR101692142B1 (ko) 2014-10-27 2015-03-27 탄화규소 잉곳의 열처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101692142B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11466383B2 (en) 2019-10-22 2022-10-11 Senic Inc. Silicon carbide ingot, method of preparing the same, and method for preparing silicon carbide wafer

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102195325B1 (ko) 2020-06-16 2020-12-24 에스케이씨 주식회사 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7767022B1 (en) * 2006-04-19 2010-08-03 Ii-Vi Incorporated Method of annealing a sublimation grown crystal
KR101028116B1 (ko) * 2008-12-09 2011-04-08 한국전기연구원 다수의 탄화규소 단결정 성장을 위한 장치
KR20130033838A (ko) * 2011-09-27 2013-04-04 엘지이노텍 주식회사 잉곳 제조 장치
KR20130070479A (ko) * 2011-12-19 2013-06-27 엘지이노텍 주식회사 단결정 성장 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11466383B2 (en) 2019-10-22 2022-10-11 Senic Inc. Silicon carbide ingot, method of preparing the same, and method for preparing silicon carbide wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160049432A (ko) 2016-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101893278B1 (ko) SiC 종결정의 가공 변질층의 제거 방법, SiC 종결정, 및 SiC 기판의 제조 방법
JP5560862B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造装置
KR20210050858A (ko) 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법
CN104357913A (zh) 一种碳化硅晶体高温退火处理方法
CN111074348B (zh) 一种降低晶体内部应力的退火处理方法及装置
JP5124402B2 (ja) 炭化珪素単結晶材の焼鈍方法
US20160002820A1 (en) Crucible and method for producing single crystal
CN110284199B (zh) 一种晶体原位碳化退火装置及方法
KR102163489B1 (ko) 탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치
JP2015212207A (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
KR102195325B1 (ko) 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법
CN112553694A (zh) 一种碳化硅单晶高温退火的方法及装置
KR101692142B1 (ko) 탄화규소 잉곳의 열처리 방법
CN110863247A (zh) 一种碳化硅晶体二次退火方法
KR101724291B1 (ko) 역 승화법을 이용한 탄화규소 단결정 성장장치
US20140299048A1 (en) Method of manufacturing silicon carbide single crystal
TWI729926B (zh) 碳化矽晶錠的製造方法以及製造碳化矽晶錠的系統
JP7422479B2 (ja) ＳｉＣインゴット及びＳｉＣインゴットの製造方法
WO2019176447A1 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
JP6387895B2 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
KR20240080952A (ko) 대구경 단결정 및 대구경 단결정 성장 방법
KR102163488B1 (ko) SiC 단결정 성장 장치
CN211497869U (zh) 一种晶体的退火处理装置
KR102325007B1 (ko) 탄화규소 단결정 성장 장치
KR101543920B1 (ko) 인조흑연을 활용한 대구경 단결정 성장장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant