KR101679131B1 - 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법 - Google Patents

웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101679131B1
KR101679131B1 KR1020140191612A KR20140191612A KR101679131B1 KR 101679131 B1 KR101679131 B1 KR 101679131B1 KR 1020140191612 A KR1020140191612 A KR 1020140191612A KR 20140191612 A KR20140191612 A KR 20140191612A KR 101679131 B1 KR101679131 B1 KR 101679131B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
drive ring
head assembly
wafer
polishing
head
Prior art date
Application number
KR1020140191612A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160080155A (ko
Inventor
안진우
한기윤
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020140191612A priority Critical patent/KR101679131B1/ko
Priority to DE102015113315.6A priority patent/DE102015113315A1/de
Priority to JP2015164366A priority patent/JP6633868B2/ja
Priority to CN201510527325.XA priority patent/CN105729294B/zh
Priority to US14/834,519 priority patent/US10062574B2/en
Publication of KR20160080155A publication Critical patent/KR20160080155A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101679131B1 publication Critical patent/KR101679131B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

본 발명은 자동으로 드라이브 링을 평평한 상태로 유지할 수 있는 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법은 헤드 어셈블리를 헤드 승강수단에 의해 최초의 하강 위치로 이동시키면, 헤드 어셈블리 내측의 드라이브 링 형상을 센서에 의해 측정하고, 그에 따라 헤드 어셈블리의 하강 위치를 헤드 보조 승강수단에 의해 자동으로 조절하여 드라이브 링을 평평한 상태로 유지한 다음, 연마 공정을 진행할 수 있다.
따라서, 드라이브 링에 의해 웨이퍼 장착부의 밸런스를 자동으로 조절한 상태에서 웨이퍼의 연마 공정을 진행하기 때문에 웨이퍼의 연마 품질을 균일하게 유지할 뿐 아니라 연마 성능을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Description

웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법 {Wafer's final polishing apparatus and final polishing method by it}
본 발명은 자동으로 드라이브 링을 평평한 상태로 유지할 수 있는 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼 제조공정에서는 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위하여 경면 연마공정을 수행하고 있는데, 이러한 평탄화 기술 중 가장 중요한 기술은 화학적/기계적 연마(CMP : Chemical Mechanical Polishing)이다.
화학적/기계적 연마는 화학적 연마제인 슬러리(slurry)를 연마 패드 등의 연마면 상에 공급하면서 반도체 웨이퍼를 연마면에 접촉시켜 연마를 행하는 것이다.
이러한 폴리싱장치는, 연마 패드로 이루어지는 연마면을 가지는 연마테이블과, 반도체 웨이퍼를 가압하기 위한 가압 헤드를 구비하고 있다. 이와 같은 폴리싱 장치를 사용하여 반도체 웨이퍼를 연마하는 경우에는 가압 헤드에 의하여 반도체 웨이퍼를 가압하면서 반도체 웨이퍼를 연마테이블의 연마 패드와 접촉되도록 소정의 압력으로 가압한다. 이때, 연마테이블과 가압 헤드를 상대 운동시킴으로써 반도체 웨이퍼가 연마면에 접촉하여 반도체 웨이퍼의 표면이 평탄화되어 경면으로 연마된다.
일본공개특허 제2001-105305호에는 기판의 지지가 용이하도록 스핀들 축 하측에 소정의 압력을 가할 수 있는 가압실을 형성하기 위하여 하우징과 가연성 드라이브 링이 구비되고, 상기 드라이브 링 하측에 구비된 다양한 구성들을 통하여 그 하면에 웨이퍼를 흡착시킬 수 있는 연마장치의 헤드 어셈블리 구조가 개시되고 있다.
도 1a 내지 도 1b는 종래 기술에 따른 헤드 어셈블리의 드라이브 링 변형 일예가 도시된 도면이다.
종래의 헤드 어셈블리는 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 웨이퍼가 흡착된 상태에서 정반에 올려진 연마패드까지 하강한 다음, 웨이퍼와 연마패드가 서로 반대 방향으로 회전하면서 연마 공정이 이루어진다.
보통, 파이널 폴리싱(Final polishing) 공정에 사용되는 연마패드는 Nap 층과, 부직포의 기재 패드로 구성되는데, 연마 공정이 진행될수록 Nap 층을 비롯하여 기재 패드가 모두 그 두께가 감소된다.
한편, 파이널 폴리싱 공정을 진행하기 위하여 헤드 어셈블리가 설정된 위치만큼 하강한 다음, 웨이퍼를 연마패드와 접촉시키는데, 헤드 어셈블리 내측의 드라이브 링이 초기에 평평한 형상을 유지하지만, 연마패드의 두께가 가변됨에 따라 헤드 어셈블리 내측의 드라이브 링의 형태가 가변된다.
반복적인 연마 공정으로 인하여 연마패드의 두께가 얇아지면, 도 1a에 도시된 바와 같이 드라이브 링(12)의 중심부가 오목한 형태로 변형되고, 이로 인하여 웨이퍼 장착부(13)을 구성하는 슬리브와 플랜지 사이에 유격이 발생할 뿐 아니라 연마 공정 시에 웨이퍼 장착부(13)의 중심축이 좌우로 변동될 수 있다.
반면, 연마패드의 신규 교체로 인하여 연마패드의 두께가 두꺼워지면, 도 1b에 도시된 바와 같이 드라이브 링(12)의 중심부가 볼록한 형태로 변형되고, 이로 인하여 웨이퍼 장착부(13)의 에지 부분에 하중이 집중됨에 따라 웨이퍼의 에지 부분에서 연마량이 증가될 수 있다.
상기와 같이, 종래 기술에 따른 웨이퍼 연마장치는 연마패드의 두께가 변형되면, 웨이퍼 장착부(13)의 밸런스를 맞춰주는 드라이브 링(12)의 형상이 변경되기 때문에 웨이퍼의 연마 품질을 균일하게 유지하기 어려울 뿐 아니라 연마 성능을 저하시키는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 드라이브 링의 형상이 변경되는 것을 감지하고, 그에 따라 헤드 어셈블리의 승/하강 위치를 자동으로 조절하여 드라이브 링의 형상을 평평한 상태로 유지할 수 있는 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 하측에 소정의 압력 공간을 형성하는 하우징과, 상기 하우징의 하측에 평평하게 결합되고, 중심부 형태가 상하 방향으로 가변될 수 있는 드라이브 링과, 상기 드라이브 링 하측에 구비되고, 하면에 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부로 이루어진 헤드 어셈블리; 상기 하우징 상측에 구비되고, 제어 압력에 따라 상기 헤드 어셈블리를 상하 방향으로 승강시키는 헤드 승강수단; 상기 드라이브 링의 중심부에 구비되고, 상기 드라이브 링의 중심부 높낮이를 측정하는 센서; 및 상기 헤드 승강수단에 구비되고, 상기 센서의 측정값에 따라 상기 드라이브 링의 중심부가 평평해지도록 상기 헤드 어셈블리의 높낮이를 조절하는 헤드 보조승강수단;을 포함하는 웨이퍼 연마장치를 제공한다.
한편, 본 발명은 드라이브 링의 평평한 형상에 따라 밸런스가 맞춰지는 웨이퍼 장착부를 구비하는 헤드 어셈블리에 흡착된 웨이퍼를 정반에 올려진 연마패드에 의해 연마시키는 웨이퍼 연마방법에 있어서, 소정의 압력이 제공됨에 따라 상기 헤드 어셈블리를 하강시키면, 상기 웨이퍼가 상기 연마패드와 접촉하는 제1단계; 상기 드라이브 링의 중심부 형상을 측정하는 제2단계; 및 상기 드라이브 링의 중심부 형상에 따라 상기 헤드 어셈블리의 높낮이를 조절하는 제3단계;를 포함하는 웨이퍼 연마방법을 제공한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법은 헤드 어셈블리를 헤드 승강수단에 의해 최초의 하강 위치로 이동시키면, 헤드 어셈블리 내측의 드라이브 링 형상을 센서에 의해 측정하고, 그에 따라 헤드 어셈블리의 하강 위치를 헤드 보조 승강수단에 의해 자동으로 조절하여 드라이브 링을 평평한 상태로 유지한 다음, 연마 공정을 진행할 수 있다.
따라서, 드라이브 링에 의해 웨이퍼 장착부의 밸런스를 자동으로 조절한 상태에서 웨이퍼의 연마 공정을 진행하기 때문에 웨이퍼의 연마 품질을 균일하게 유지할 뿐 아니라 연마 성능을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1a 내지 도 1b는 종래 기술에 따른 헤드 어셈블리의 드라이브 링 변형 일예가 도시된 도면.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 일예가 도시된 도면.
도 3은 도 2에 적용된 헤드 어셈블리의 일예가 도시된 도면.
도 4는 도 2에 적용된 헤드 승강수단의 일예가 도시된 도면.
도 5는 도 3에 적용된 드라이브 링의 변형을 감지하는 센서 일예가 도시된 도면.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마방법이 도시된 순서도.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 일예가 도시된 도면이다.
본 발명의 웨이퍼 연마장치는 도 2에 도시된 바와 같이 연마패드(P)가 올려지는 정반(101)과, 웨이퍼(W)가 흡착되는 헤드 어셈블리(110)로 구성되며, 상기 정반(101)과 헤드 어셈블리(110)는 회전 가능하게 장착된다.
상기 정반(101)은 원판 형상으로써, 상기 정반(101)의 하면 중심에 구동축(102)이 구비되고, 상기 구동축(102)을 회전시키기 위하여 상기 구동축(102) 일측에 별도의 구동모터(103)가 구비된다.
상기 헤드 어셈블리(110)는 헤드 회전수단(120)에 의해 회전 가능하게 설치되고, 헤드 승강수단(130)에 의해 상하 방향으로 승강 가능하게 설치되며, 헤드 보조승강수단(150)에 의해 자동으로 상하 높낮이가 미세하게 조정될 수 있다.
상기 헤드 어셈블리(110)는 하측에 웨이퍼(W)를 진공 흡착시키도록 구성되며, 하기에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
상기 헤드 회전수단(120)은 상기 헤드 어셈블리(110) 상측에 구비된 회전축(121)과, 상기 회전축(121)에 회전력을 제공하는 회전모터(122)와, 상기 회전모터(122)의 동력을 상기 회전축(121)으로 전달하는 풀리 및 벨트(123)로 구성된다.
그런데, 하기에서 상세하게 설명될 헤드 승강수단(130)에 포함된 승강축(131)이 상기 헤드 어셈블리(110)의 상측에 직접 연결되고, 상기 승강축(131)을 감싸도록 상기 회전축(121)이 구비된다.
이때, 상기 회전축(121) 내측에 상기 승강축(131)이 승강 가능하게 설치되고, 상기 회전축(121)과 함께 상기 승강축(131)이 회전 가능하게 설치된다.
도 3은 도 2에 적용된 헤드 어셈블리의 일예가 도시된 도면이다.
상기 헤드 어셈블리(110)는 웨이퍼를 진공 흡착할 수 있는 형태로써, 도 3에 도시된 바와 같이 하우징(111)과, 상기 하우징(111)의 하면을 막아주도록 텐션 슬리브(112a)와 플랜지(113a)에 의해 고정된 드라이브 링(112)과, 상기 드라이브 링(112) 하측에 적층되도록 구비된 웨이퍼 장착부로 구성된다.
상기 하우징(111)은 하측에 소정의 압력 공간(111a)을 형성하도록 구성되고, 하측이 개방된 형태로써, 하단 둘레가 단차진 형태로 구성된다.
물론, 상기 하우징(111) 내측에 소정의 압력을 제공할 수 있는 압력 제공수단이 별도로 연결되며, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 텐션 슬리브(112a)는 상기 하우징(111)의 하단에 단차진 부분에 맞물리도록 장착되고, 상기 플랜지(113a)는 상기 텐션 슬리브(112a)의 외둘레와 하측과 맞물리도록 장착되며, 상기 드라이브 링(112)의 외주단이 상기 텐션 슬리브(112a)와 플랜지(113a) 사이에 고정된다.
상기 드라이브 링(112)은 상기 하우징(111)의 개방된 하측을 막아주도록 설치되는데, 원판 형상으로 소정의 압력을 전달할 수 있는 복수개의 홀이 구비되고, 그 중심부가 상하 방향으로 승강될 수 있는 연성 재질로 구성된다.
상기 웨이퍼 장착부는 슬리브(113)와, 세라믹 블록(114)과, 템플레이트 어셈블리(115) 및 가이드부(116)로 구성되는데, 상기 하우징(111)과 드라이브 링(112) 사이의 진공 압력을 전달하는 유로가 상기 슬리브(113)와 세라믹 블록(114) 내부에 구비된다.
상기 슬리브(113)는 상기 드라이브 링(112)의 하면과 맞닿고, 상기 플랜지(113a)의 내주면과 하측과 맞물리도록 장착된다.
상기 세라믹 블록(114)은 강도를 보강하기 위하여 상기 슬리브(113) 하측에 구비된다.
상기 템플레이트 어셈블리(115)는 폴리 우레탄 등과 같은 소재의 넌 슬립 패드의 일종으로써, 웨이퍼(W)를 흡착 또는 가압하도록 상기 세라믹 블록 하측에 구비된다.
상기 가이드부(116)는 상기 템플레이트 어셈블리(115)의 하면 둘레에 구비되고, 웨이퍼(W)의 둘레 부분을 가이드한다.
따라서, 상기 하우징(111)의 압력 공간(111a)에 진공 압력이 제공되면, 상기 드라이브 링(112)을 통하여 상기 웨이퍼 장착부로 압력이 전달되고, 상기 템플레이트 어셈블리(115)의 하면에 웨이퍼(W)가 흡착된다.
도 4는 도 2에 적용된 헤드 승강수단의 일예가 도시된 도면이다.
상기 헤드 승강수단(130)은 일종의 실린더로써, 도 4에 도시된 바와 같이 승강축(131)이 실린더 하우징(132) 내측에 승강 가능하도록 설치된다.
상기 승강축(131)은 상기 헤드 어셈블리(110 : 도 2에 도시) 상측에 직접 연결되며, 상기에서 설명한 바와 같이 회전축(121 : 도 2에 도시)과 같이 회전될 수 있다.
상기 실린더 하우징(132)은 내부에 소정의 압력 공간이 구비되고, 별도의 압력을 압력 공간에 제공할 수 있다.
이때, 상기 승강축(131)의 상단이 상기 실린더 하우징(132)의 내부에 수용되는데, 상기 승강축(131) 둘레에 구비된 적어도 하나 이상의 실링부(133)가 상기 실린더 하우징(131)의 내벽과 맞물리도록 설치된다.
물론, 상기 실링부(133)가 상기 승강축(131)과 실린더 하우징(132) 사이에 개재되더라도 상기 승강축(131)의 상단이 상기 실린더 하우징(132) 내측에서 승강될 수 있도록 구성된다.
한편, 상기 실린더 하우징(132)의 하측에는 상기 승강축(131)과 맞물리도록 구비된 수동조절부재(134)가 구비되고, 수동으로 상기 수동조절부재(134)를 조절하여 상기 승강축(131)의 높낮이를 조절할 수 있다.
나아가, 상기 실린더 하우징(132)의 일측에는 헤드 보조승강수단(150)이 구비되고, 자동으로 상기 헤드 보조승강수단(150)에 의해 상기 승강축(131)의 높낮이를 조절할 수 있다.
보다 상세하게, 상기 헤드 보조승강수단(150)은 상기 실린더 하우징(132) 내부에 압력을 제공하는 상/하부 노즐(151,152)과, 상기 상/하부 노즐(151,152)로 공급되는 압력을 조절하는 압력 제어부(153)로 구성되며, 상기에서 설명한 드라이브 링(112 : 도 3에 도시)의 형상을 측정할 수 있는 센서(140)로부터 입력된 값에 의해 그 작동이 제어된다.
상기 상부 노즐(151)은 상기 실린더 하우징(132)의 일측 상부에 구비되고, 상기 실링부(133)보다 상측에 위치하도록 설치된다. 따라서, 상기 상부 노즐(151)에서 압력이 제공되면, 상기 실링부(133)를 기준으로 상기 실린더 하우징(132)의 상측 공간에 압력이 상대적으로 높아짐에 따라 상기 승강축(131)을 하강시킨다.
상기 하부 노즐(152)은 상기 실린더 하우징(132)의 일측 하부에 구비되고, 상기 실링부(133)보다 하측에 위치하도록 설치된다. 따라서, 상기 하부 노즐(152)에서 압력이 제공되면, 상기 실링부(133)를 기준으로 상기 실린더 하우징(132)의 하측 공간에 압력이 상대적으로 높아짐에 따라 상기 승강축(131)을 상승시킨다.
상기 압력 제어부(153)는 상기 센서(140)로부터 입력받은 값에 따라 상기 상/하부 노즐(151,152)로 공급되는 압력을 제어하도록 구성된다.
구체적으로, 상기 센서(140)에 의해 측정된 드라이브 링의 형상이 concave하면, 상기 압력 제어부(153)는 상기 상부 노즐(151)에 압력을 제공하도록 제어하고, 상기 센서(140)에 의해 측정된 드라이브 링의 형상이 convex하면, 상기 압력 제어부(153)는 상기 하부 노즐(152)에 압력을 제공하도록 제어한다.
도 5는 도 3에 적용된 드라이브 링의 변형을 감지하는 센서 일예가 도시된 도면이다.
상기 센서(140)는 광학식 리니어 스케일 타입으로 구성되는데, 도 3과 도 5에 도시된 바와 같이 발광부(141)와, 수광부(142)와, 리니어 스케일(143)과, 증폭기(144)를 포함한다.
물론, 상기 센서(140)는 상기 드라이브 링(112)의 중심부 상측에 구비된 슬리브에 장착될 수 있다.
상기 발광부(141)와 수광부(142)는 수평 방향으로 소정 간격을 두고 위치하는데, 상기 발광부(141)는 빛을 발생시키는 LED가 사용될 수 있고, 상기 수광부(142)는 빛을 감지하는 포토다이오드가 사용될 수 있다.
상기 리니어 스케일(143)은 상기 발광부(141)와 수광부(142) 사이에 상하 방향으로 이동 가능하게 구비되며, 빛이 통과되는 인덱스 스케일이 구비된다.
이때, 상기 리니어 스케일(143)은 상기 하우징(111)과 접촉한 형태로써, 상기 드라이브링(112)의 중심부가 승강됨에 따라 상기 하우징(111)의 내측 상면과 사이의 간격을 측정할 수 있도록 구비된다.
상기 증폭기(144)는 미세한 움직임까지도 측정할 수 있도록 상기 수광부(143)에 전달된 데이터를 검출하고, 증폭시킨다.
따라서, 상기 드라이브 링(112)의 중심부가 승/하강하면, 상기 리니어 스케일(143)이 상기 하우징(111)의 내측 상면을 기준으로 이동함에 따라 인덱스 스케일을 통과하는 빛의 정도가 끊임없이 변화하고, 그에 따라 상기 하우징(111)을 기준으로 상기 드라이브 링(112)의 높낮이를 측정할 수 있으며, 상기 드라이브 링(112)의 중심부 형상을 감지할 수 있다.
이때, 상기 드라이브 링(112)의 중심부가 승강하여 concave한 형상이면, 상기 하우징(111)과 드라이브 링(112) 사이의 간격이 기준값보다 작게 측정되는 반면, 상기 드라이브 링(112)의 중심부가 하강하여 convex한 형상이면, 상기 하우징(111)과 드라이브 링(112) 사이의 간격이 기준값보다 크게 측정된다.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마방법이 도시된 순서도이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 연마방법은 연마공정이 진행되기 직전에 헤드 어셈블리(110)의 웨이퍼(W)가 정반(101)의 연마패드(P)와 맞닿는 시점에 적용되는데, 헤드 어셈블리(110)의 드라이브 링(112)이 평평한 상태를 유지하도록 헤드 어셈블리(110)의 높낮이를 자동으로 조절하게 되는 과정을 도 2와 도 3 및 도 6을 참조하여 살펴보면, 다음과 같다.
상기 헤드 승강수단(130)에 설정 압력(Po)이 인가되면, 상기 헤드 어셈블리(110)가 최초 설정위치까지 하강한다.(S1,S2 참조)
물론, 상기 헤드 어셈블리(110)의 웨이퍼(W)가 최초 위치까지 하강하면, 상기 정반(101)의 연마패드(P)와 접촉하는 것이 바람직하다.
그러나, 반복적인 사용으로 인하여 연마패드(P)의 두께가 얇아지는 경우, 상기 헤드 어셈블리(110)의 웨이퍼(W)가 최초 위치까지 하강하더라도 상기 정반(101)의 연마패드(P)와 접촉하지 않게 되며, 상기 헤드 어셈블리(110) 내측의 드라이브 링(112)이 convex 형상으로 변형될 수 있다.
또한, 신규 교체로 인하여 연마패드(P)의 두께가 두꺼워지는 경우, 상기 헤드 어셈블리(110)의 웨이퍼(W)가 최초 위치까지 하강하여 상기 정반(101)의 연마패드(P)와 과도하게 접촉하며, 상기 헤드 어셈블리(110)의 둘레 부분에 과도한 하중이 가해짐에 따라 상기 헤드 어셈블리(110) 내측의 드라이브 링(112)이 concave 형상으로 변형될 수 있다.
상기 센서(140)에 의해 상기 드라이브 링(112)의 중심부 높낮이를 측정한다.(S3 참조)
이때, 상기 센서(140)는 광학식 리니어 스케일 타입으로써, 상기에서 설명한 바와 같이 발광부와 수광부가 상기 드라이브 링(112)의 중심부와 같이 승/하강하는 반면, 리니어 스케일이 상기 하우징(111)에 접촉되도록 설치된다.
따라서, 상기 드라이브 링(112)의 중심부가 승/하강하면, 상기 리니어 스케일에 대해 상기 발광부와 수광부가 승/하강함에 따라 상기 리니어 스케일을 통과하는 빛이 변화하고, 상기 리니어 스케일을 통과하는 빛의 변화에 따라 상기 드라이브 링의 높낮이를 측정할 수 있다.
상기 드라이브 링(112)의 높낮이(h)가 기준치(ho)와 일치하면, 연마 공정이 시작된다.(S4,S5 참조)
물론, 상기 드라이브 링(112)이 평평한 상태에서 상기 드라이브 링(112)의 높낮이(h)를 기준치(ho)로 미리 입력해 두고, 상기 센서(140)에서 측정된 드라이브 링(112)의 높낮이(h)를 기준치(ho)와 비교한다.
이때, 상기 드라이브 링(112)의 높낮이(h)가 기준치(ho)와 일치하면, 상기 드라이브 링(112)이 평평하여 상기 헤드 어셈블리(110)의 밸런스가 맞춰진 것으로 보고, 별도의 상기 헤드 어셈블리(110)의 위치를 조절하지 않은 상태에서 연마 공정을 진행한다.
반면, 상기 드라이브 링(112)의 높낮이(h)가 기준치(ho)와 일치하지 않으면, 상기 헤드 보조승강수단(150)에 의해 상기 헤드 어셈블리(110)의 승/하강을 조절한다.(S4,S6 참조)
이때, 상기 드라이브 링(112)의 높낮이(h)가 기준치(ho)와 일치하지 않으면, 상기 드라이브 링(112)이 볼록 또는 오목하여 상기 헤드 어셈블리(110)의 밸런스가 맞춰지지 않은 것으로 보고, 상기 헤드 어셈블리(110)의 위치를 자동으로 조절한다.
구체적으로, 상기 드라이브 링(112)의 높낮이(h)가 기준치(ho)보다 작으면, 상기 드라이브 링(112)의 중심부가 상승하여 concave한 형태인 것으로 판단하고, 상기 헤드 보조승강수단(150)이 상기 헤드 어셈블리(110)의 최초 하강 위치를 미세하게 상승시키도록 조절한다.
한편, 상기 드라이브 링(112)의 높낮이(ho)가 기준치(ho)보다 크면, 상기 드라이브 링(112)의 중심부가 하강하여 convex한 형태인 것으로 판단하고, 상기 헤드 보조승강수단(150)이 상기 헤드 어셈블리(110)의 최초 하강 위치를 미세하게 하강시키도록 조절한다.
이와 같은 과정을 반복하면, 상기 헤드 어셈블리(110)의 최초 하강 위치에서 상기 헤드 어셈블리(110)의 밸런스를 자동으로 맞출 수 있어 작업자의 편의를 증대시킬 수 있고, 상기 헤드 어셈블리(110)의 웨이퍼(W)가 상기 정반(101)의 연마패드(P)와 균일한 압력으로 접촉한 상태에서 연마 공정이 진행될 수 있어 연마 품질을 균일하게 유지할 뿐 아니라 연마 성능을 향상시킬 수 있다.
110 : 헤드 어셈블리 120 : 헤드 회전수단
130 : 헤드 승강수단 140 : 센서
150 : 헤드 보조승강수단

Claims (12)

  1. 하측에 소정의 압력 공간을 형성하는 하우징과,
    상기 하우징의 하측에 평평하게 결합되고, 중심부 형태가 상하 방향으로 가변될 수 있는 드라이브 링과,
    상기 드라이브 링 하측에 구비되고, 하면에 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부로 이루어진 헤드 어셈블리;
    상기 하우징 상측에 구비되고, 제어 압력에 따라 상기 헤드 어셈블리를 상하 방향으로 승강시키는 헤드 승강수단;
    상기 드라이브 링의 중심부에 구비되고, 상기 드라이브 링의 중심부 높낮이를 측정하는 센서; 및
    상기 헤드 승강수단에 구비되고, 상기 센서의 측정값에 따라 상기 드라이브 링의 중심부가 평평해지도록 상기 헤드 어셈블리의 높낮이를 조절하는 헤드 보조승강수단;을 포함하는 웨이퍼 연마장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 헤드 어셈블리는 상기 드라이브 링의 중심부 상측에 구비된 슬리브를 더 포함하고,
    상기 센서는 상기 슬리브 상측에 구비된 광학식 리니어 스케일 타입으로 구성되는 웨이퍼 연마장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 센서는,
    상기 슬리브 상측에 구비된 발광부와,
    상기 발광부와 수평 방향으로 소정 간격을 두고 설치된 수광부와,
    상기 드라이브 링의 중심부가 승강됨에 따라 상기 발광부와 수광부 사이에 승강될 수 있고, 빛이 통과되도록 구비된 리니어 스케일을 포함하고,
    상기 하우징과 리니어 스케일 사이의 간격을 측정하는 웨이퍼 연마장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 센서는,
    상기 수광부에 전달된 데이터를 검출하여 증폭시키는 증폭기를 더 포함하는 웨이퍼 연마장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 헤드 승강수단은,
    상기 하우징 상측에 연결되는 승강축과,
    상기 승강축의 상단에 연결되고, 압력이 제공됨에 따라 상기 승강축을 승강시키는 실린더 하우징과,
    상기 승강축 둘레에 구비되고, 상기 실린더 하우징의 내벽과 맞물리는 적어도 하나 이상의 실링부를 포함하는 웨이퍼 연마장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 헤드 보조승강수단은,
    상기 실링부를 기준으로 상측에서 상기 실린더 하우징 내부에 압력을 제공하는 상부 노즐을 포함하는 웨이퍼 연마장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 헤드 보조승강수단은,
    상기 실링부를 기준으로 하측에서 상기 실린더 하우징 내부에 압력을 제공하는 하부 노즐을 포함하는 웨이퍼 연마장치.
  8. 하측에 소정의 압력 공간을 형성하는 하우징과, 상기 하우징의 하측에 평평하게 결합되고, 중심부 형태가 상하 방향으로 가변될 수 있는 드라이브 링과, 상기 드라이브 링 하측에 구비되고, 하면에 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부로 이루어진 헤드 어셈블리에 웨이퍼를 흡착시키고, 상기 헤드 어셈블리에 흡착된 웨이퍼를 정반에 올려진 연마패드에 의해 연마시키는 웨이퍼 연마방법에 있어서,
    소정의 압력이 제공됨에 따라 상기 헤드 어셈블리를 하강시키면, 상기 웨이퍼가 상기 연마패드와 접촉하는 제1단계;
    상기 제1단계에서 웨이퍼가 상기 연마패드와 접촉한 상태에서 상기 드라이브 링의 중심부 형상을 측정하는 제2단계; 및
    상기 제2단계에서 측정된 값에 따라 상기 드라이브 링의 중심부 형상이 평평한 상태가 되도록 상기 헤드 어셈블리의 높낮이를 조절하는 제3단계;를 포함하는 웨이퍼 연마방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1단계는 상기 드라이브 링이 평평한 상태를 기준값으로 상기 헤드 어셈블리의 하강 위치가 설정되는 웨이퍼 연마방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2단계는 상기 드라이브 링의 중심부 높낮이를 기준값과 비교하는 과정을 포함하는 웨이퍼 연마방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제3단계는,
    상기 드라이브 링의 중심부 높낮이가 기준값보다 크면, 상기 헤드 어셈블리의 높낮이를 낮아지도록 조절하고,
    상기 드라이브 링의 중심부 높낮이가 기준값보다 작으면, 상기 헤드 어셈블리의 높낮이를 높게 조절하는 웨이퍼 연마방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제3단계는
    상기 드라이브 링의 중심부 높낮이가 기준값과 일치하도록 상기 헤드 어셈블리의 높낮이를 조절하는 웨이퍼 연마방법.
KR1020140191612A 2014-12-29 2014-12-29 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법 KR101679131B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140191612A KR101679131B1 (ko) 2014-12-29 2014-12-29 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법
DE102015113315.6A DE102015113315A1 (de) 2014-12-29 2015-08-12 Waferpoliervorrichtung und -verfahren
JP2015164366A JP6633868B2 (ja) 2014-12-29 2015-08-24 ウェハー研磨装置およびその研磨方法
CN201510527325.XA CN105729294B (zh) 2014-12-29 2015-08-25 晶片抛光设备和方法
US14/834,519 US10062574B2 (en) 2014-12-29 2015-08-25 Wafer polishing apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140191612A KR101679131B1 (ko) 2014-12-29 2014-12-29 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160080155A KR20160080155A (ko) 2016-07-07
KR101679131B1 true KR101679131B1 (ko) 2016-11-23

Family

ID=56117046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140191612A KR101679131B1 (ko) 2014-12-29 2014-12-29 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10062574B2 (ko)
JP (1) JP6633868B2 (ko)
KR (1) KR101679131B1 (ko)
CN (1) CN105729294B (ko)
DE (1) DE102015113315A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101616464B1 (ko) * 2014-11-18 2016-04-29 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마장비의 웨이퍼 로딩장치 및 웨이퍼 로딩위치 조정 방법
JP6394569B2 (ja) * 2015-11-06 2018-09-26 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法及び研磨装置
KR101870701B1 (ko) 2016-08-01 2018-06-25 에스케이실트론 주식회사 폴리싱 측정 장치 및 그의 연마 시간 제어 방법, 및 그를 포함한 폴리싱 제어 시스템
CN106826510A (zh) * 2016-12-30 2017-06-13 郑州晶润光电技术有限公司 一种晶片扫光工艺
CN109623541B (zh) * 2018-10-16 2020-07-17 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） Bga封装器件焊球去除设备及其方法
CN110666688A (zh) * 2019-07-30 2020-01-10 黄瑞良 一种用于矿石机械履带垫块的高度固定打磨抛光装置
CN110666678B (zh) * 2019-09-23 2021-06-15 黄建中 一种化学机械平坦化设备
CN111085931A (zh) * 2019-12-31 2020-05-01 浙江芯晖装备技术有限公司 一种抛光头驱动装置及抛光设备
CN111993268A (zh) * 2020-08-24 2020-11-27 台州市老林装饰有限公司 一种晶圆研磨头装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343754A (ja) 2001-05-15 2002-11-29 Nikon Corp 研磨装置、研磨方法およびこの研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法
JP2007152498A (ja) 2005-12-06 2007-06-21 Nikon Corp 研磨装置、研磨方法、この研磨方法を用いた半導体デバイスの製造方法及びこの半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6029416Y2 (ja) * 1980-10-28 1985-09-05 スピ−ドフアム株式会社 平面研摩装置
FR2677292B1 (fr) * 1991-06-04 1995-12-08 Seva Machine de polissage a regulation pneumatique de l'effort de l'outil de la piece a polir.
JP2000167767A (ja) * 1998-12-07 2000-06-20 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ研磨装置およびそれを用いたウェーハ製造方法
US6171513B1 (en) * 1999-04-30 2001-01-09 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical polishing system having a bi-material wafer backing film and two-piece wafer carrier
JP2001105305A (ja) 1999-10-05 2001-04-17 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研磨装置における基板キャリアのヘッド構造
JP2002264005A (ja) * 2001-03-09 2002-09-18 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェーハの研磨方法及びその研磨装置
KR100470227B1 (ko) * 2001-06-07 2005-02-05 두산디앤디 주식회사 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드
US7235488B2 (en) * 2002-08-28 2007-06-26 Micron Technology, Inc. In-situ chemical-mechanical planarization pad metrology using ultrasonic imaging
TWI368555B (en) * 2004-11-01 2012-07-21 Ebara Corp Polishing apparatus
DE102009048436B4 (de) * 2009-10-07 2012-12-20 Siltronic Ag Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe
KR20110056976A (ko) * 2009-11-23 2011-05-31 삼성전자주식회사 휠 팁의 높이를 조절할 수 있는 웨이퍼 연마 장치
US8190285B2 (en) * 2010-05-17 2012-05-29 Applied Materials, Inc. Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing
DE102010063179B4 (de) * 2010-12-15 2012-10-04 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen Material abtragenden Bearbeitung beider Seiten mindestens dreier Halbleiterscheiben
JP5730048B2 (ja) * 2011-02-04 2015-06-03 株式会社ディスコ 加工装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343754A (ja) 2001-05-15 2002-11-29 Nikon Corp 研磨装置、研磨方法およびこの研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法
JP2007152498A (ja) 2005-12-06 2007-06-21 Nikon Corp 研磨装置、研磨方法、この研磨方法を用いた半導体デバイスの製造方法及びこの半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015113315A1 (de) 2016-06-30
KR20160080155A (ko) 2016-07-07
CN105729294B (zh) 2019-06-28
US20160189972A1 (en) 2016-06-30
JP2016124097A (ja) 2016-07-11
US10062574B2 (en) 2018-08-28
JP6633868B2 (ja) 2020-01-22
CN105729294A (zh) 2016-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101679131B1 (ko) 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법
TWI617389B (zh) 下環構件
KR100939096B1 (ko) 폴리싱장치, 폴리싱방법 및 기판캐리어 시스템
US9999956B2 (en) Polishing device and polishing method
TWI485040B (zh) 修整裝置、及修整方法
US11075085B2 (en) Wafer polishing method
US9017138B2 (en) Retaining ring monitoring and control of pressure
JP2012076157A (ja) 研磨装置および方法
KR102038768B1 (ko) 웨이퍼 연마장치
KR20080041408A (ko) 화학적 기계적 연마장치 및 방법
JP2000127024A (ja) ポリッシング装置及び研磨加工方法
KR101583816B1 (ko) 화학 기계적 연마장치용 캐리어 헤드 및 화학 기계적 연마 장치의 제어 방법
KR20170089672A (ko) 웨이퍼 연마장치 및 그 제어방법
JP5455190B2 (ja) 研磨装置
KR101799495B1 (ko) 화학 기계적 연마 시스템의 기판 로딩 장치 및 그 제어방법
KR20180118896A (ko) 기판 처리 장치
KR102670164B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101559278B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치의 저압 컨디셔너
KR101249858B1 (ko) 상정반 가압 유닛 및 이를 포함한 양면 연마 장치
JP2020040188A (ja) リテーナリング、これを有する研磨ヘッド及び研磨加工装置
KR102108298B1 (ko) Cmp 설비의 패드 교체장치 및 방법
JP2024060805A (ja) チャックテーブル、研削装置及び保持面形成方法
KR20140027643A (ko) 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드용 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드
JP2008066761A (ja) 基板保持装置
JP2022146881A (ja) ワーク研磨装置およびワーク研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant