KR101678162B1 - Interconnection structure for flexible devices and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유연성 소자용 접속 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 신축성을 갖는 유연성 소자용 접속 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
최근 웨어러블 장치(wearable device) 또는 플렉서블 장치를 구현하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 웨어러블 장치는, 인체에 부착하여 사용하기 위하여 유연성 기판 또는 플렉서블 기판에 실장된 집적회로 칩 및/또는 디스플레이 요소를 포함하도록 구성될 수 있다. 상기 집적회로 칩 내의 구성요소간의 전기적 연결을 위하여, 또는 상기 집적회로 및 상기 디스플레이 요소 사이의 전기적 연결을 위하여 전도성 접속 구조를 형성할 필요가 있으나, 이러한 전도성 접속 구조는 상대적으로 낮은 신축성(stretchability) 또는 가요성(flexibility)을 가진다. 따라서, 웨어러블 장치의 사용 과정에서, 상기 유연성 기판이 소정의 방향으로 신장되거나 압축될 때 상기 전도성 접속 구조가 이러한 신장 또는 압축에 의한 스트레인을 견디지 못하고 크랙(crack) 또는 이탈(detachment)이 발생할 수 있으며, 이 경우 상기 웨어러블 장치에 고장(failure)이 발생할 수 있다. 또한, 상기 전도성 접속 구조에 크랙 또는 이탈이 발생하지는 않더라도, 상기 전도성 접속 구조에 불균일한 변형이 발생하는 경우에 상기 전도성 접속 구조의 전기적 저항이 급격히 증가할 수 있으므로, 상기 웨어러블 장치의 성능이 현저히 저하될 수 있다.Recently, researches for implementing a wearable device or a flexible device have been actively conducted. Such a wearable device may be configured to include an integrated circuit chip and / or a display element mounted on a flexible substrate or a flexible substrate for use in attachment to a human body. It is necessary to form a conductive connection structure for electrical connection between the components in the integrated circuit chip or for electrical connection between the integrated circuit and the display element, but such a conductive connection structure has a relatively low stretchability And has flexibility. Thus, in the course of use of the wearable device, when the flexible substrate is stretched or compressed in a predetermined direction, the conductive connecting structure can not withstand such strain by stretching or compression, and cracking or detachment may occur In this case, a failure may occur in the wearable device. Further, even when cracks or breaks do not occur in the conductive connecting structure, the electrical resistance of the conductive connecting structure may increase sharply when uneven deformation occurs in the conductive connecting structure, so that the performance of the wearable device is significantly deteriorated .
"Epidermal Electronics", Dae-Hyeong Kim, et al., Science 333, 838 (2011)(DOI: 10.1126/science.1206157)."Epidermal Electronics", Dae-Hyeong Kim, et al., Science 333, 838 (2011) (DOI: 10.1126 / science.1206157).
본 발명의 기술적 과제는 우수한 신축성을 가지면서도 낮은 전기적 저항을 갖는 유연성 소자용 접속 구조물을 제공하는 데 있다. Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention provides a connection structure for a flexible device which has excellent elasticity and low electrical resistance.
본 발명의 기술적 과제는 상기 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method of manufacturing a connection structure for a flexible element.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 유연성 소자용 접속 구조물은, 유연성 기판(compliant substrate); 상기 유연성 기판 상에 형성되며, 상기 유연성 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 연장하는 복수의 도전성 칼럼들(conductive columns)을 포함하는 주상 도전층(columnar structured conductive layer);을 포함하고, 상기 유연성 기판이 상기 유연성 기판의 상기 상면에 평행한 제2 방향으로 신장될 때, 상기 주상 도전층은 상기 복수의 도전성 칼럼들에 의해 정의되는 복수의 개구들(openings)이 형성된 도전성 네트워크 구조를 갖는다.According to an aspect of the present invention, there is provided a connection structure for a flexible device, including: a compliant substrate; And a columnar structured conductive layer formed on the flexible substrate and including a plurality of conductive columns extending in a first direction perpendicular to an upper surface of the flexible substrate, When the substrate is elongated in a second direction parallel to the upper surface of the flexible substrate, the pillar-shaped conductive layer has a conductive network structure in which a plurality of openings defined by the plurality of conductive columns are formed.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 복수의 개구들이 확장되거나 이동하거나 생성되어, 상기 주상 도전층이 상기 제2 방향으로 신장될 수 있다.In exemplary embodiments, when the flexible substrate is elongated in the second direction, the plurality of openings may be expanded, moved or created such that the columnar conductive layer may be elongated in the second direction.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 복수의 개구들의 최대 폭이 5 마이크로미터보다 작을 수 있다.In exemplary embodiments, when the flexible substrate is stretched in the second direction, the maximum width of the plurality of openings may be less than 5 micrometers.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 복수의 도전성 칼럼들은 리가먼트 운동(ligament movement)에 의해 상기 제1 방향에 수직한 방향으로 회전함으로써 상기 복수의 개구들이 확장하거나 이동하거나 생성될 수 있다.In exemplary embodiments, when the flexible substrate is elongated in the second direction, the plurality of conductive columns are rotated in a direction perpendicular to the first direction by a ligament movement, The openings can be expanded, moved or created.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주상 도전층은 면심 입방(face centered cubic, FCC) 결정 구조를 갖는 금속 물질을 포함할 수 있다.In exemplary embodiments, the columnar conductive layer may comprise a metal material having a face centered cubic (FCC) crystal structure.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주상 도전층은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 철(γ-Fe), 니켈(Ni), 백금(Pt), 납(Pb), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 또는 이터븀(Yb)을 포함할 수 있다.In the exemplary embodiments, the pillar-shaped conductive layer may be formed of at least one of Cu, Au, Ag, Al, Fe, Ni, Pt, (Pb), rhodium (Rh), palladium (Pd), iridium (Ir) or ytterbium (Yb).
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수의 도전성 칼럼들은 상기 유연성 기판의 상면 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장하며, 상기 복수의 도전성 칼럼들은 상기 FCC 결정 구조의 결정학적 (111) 면을 따라 배열할 수 있다.In exemplary embodiments, the plurality of conductive columns extend along the first direction on an upper surface of the flexible substrate, and the plurality of conductive columns are arranged along a crystallographic (111) plane of the FCC crystal structure .
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주상 도전층은 X선 회절 분석 패턴에서 상기 FCC 결정 구조의 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크(diffraction peak)만을 가질 수 있다.In the exemplary embodiments, the columnar conductive layer may have only a diffraction peak derived from the (111) plane of the FCC crystal structure in an X-ray diffraction analysis pattern.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유연성 기판이 상기 유연성 기판의 상면에 평행한 제2 방향으로 신장될 때 상기 주상 도전층이 상기 제2 방향으로 신장되어 길이 d1을 가지며, 상기 주상 도전층이 초기 길이(d0)로부터 100% 신장될 때, 상기 주상 도전층은 수식 2에 따른 이론 저항값(Rth)으로부터 30% 이내의 편차를 갖는 신장 저항값(Rst)을 가지며, (Rst-Rth)/Rth ≤ 0.3, 여기서 d1=2d0 -[수식 1], Rth=R0 [d1/d0]2 -[수식 2], 이 때, Rth는 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 이론 저항값, R0는 상기 주상 도전층의 초기 저항값, d0은 상기 주상 도전층의 제2 방향에 따른 초기 길이, d1은 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 상기 제2 방향에 따른 길이일 수 있다.In the exemplary embodiments, when the flexible substrate is elongated in a second direction parallel to the upper surface of the flexible substrate, the columnar conductive layer is elongated in the second direction to have a length d 1 , and the columnar conductive layer when the initial length to be 100% elongation from (d 0), the pillar-shaped conductive layer has the elongation resistance value (R st) with a deviation of within 30% from the theoretical resistance value (R th) in accordance with
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수의 도전성 칼럼들 각각은 5 내지 100 나노미터의 폭을 가지며, 50 나노미터 내지 2 마이크로미터의 높이를 가질 수 있다.In exemplary embodiments, each of the plurality of conductive columns has a width of 5 to 100 nanometers and may have a height of 50 nanometers to 2 micrometers.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 유연성 소자용 접속 구조물은, 유연성 기판; 상기 유연성 기판 상에 형성되며, 상기 유연성 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 연장하는 복수의 도전성 칼럼들을 포함하는 주상 도전층;을 포함하고, 상기 주상 도전층은 면심 입방(FCC) 결정 구조를 갖는 금속 물질을 포함하며, 상기 복수의 도전성 칼럼들은 상기 FCC 결정 구조의 결정학적 (111) 면을 따라 배열한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a connection structure for a flexible device, including: a flexible substrate; And a pillar-shaped conductive layer formed on the flexible substrate and including a plurality of conductive columns extending in a first direction perpendicular to an upper surface of the flexible substrate, wherein the pillar-shaped conductive layer has a face-centered cubic (FCC) Wherein the plurality of conductive columns are arranged along a crystallographic (111) plane of the FCC crystal structure.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주상 도전층은 X선 회절 분석 패턴에서 상기 FCC 결정 구조의 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크(diffraction peak)만을 가질 수 있다.In the exemplary embodiments, the columnar conductive layer may have only a diffraction peak derived from the (111) plane of the FCC crystal structure in an X-ray diffraction analysis pattern.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주상 도전층이 구리(Cu)를 포함하고, 상기 주상 도전층의 상기 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크는 43.40˚ ± 0.25˚에서 나타날 수 있다.In the exemplary embodiments, the pillar-shaped conductive layer contains copper (Cu), and the diffraction peak derived from the (111) face of the pillar-shaped conductive layer may appear at 43.40 占 0.25 占
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유연성 기판이 상기 유연성 기판의 상기 상면에 평행한 제2 방향으로 신장될 때, 상기 주상 도전층은 상기 복수의 도전성 칼럼들에 의해 정의되는 복수의 개구들이 형성된 도전성 네트워크 구조를 가질 수 있다.In exemplary embodiments, when the flexible substrate is elongated in a second direction parallel to the top surface of the flexible substrate, the pillar-shaped conductive layer is formed of a conductive material having a plurality of openings defined by the plurality of conductive columns Network structure.
본 발명의 기술적 사상에 따른 유연성 소자용 접속 구조물은, 유연성 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 연장하는 복수의 도전성 칼럼들을 포함하는 주상 도전층을 구비하며, 상기 주상 도전층은 상기 복수의 도전성 칼럼들에 의해 정의되는 복수의 개구들이 형성된 도전성 네트워크 구조를 갖는다. 따라서, 유연성 기판이 신장될 때 상기 복수의 개구들이 확장되거나 이동하거나 생성됨에 의해 유연성 기판에 평행한 2차원 네트워크 구조를 형성할 수 있다. The connection structure for a flexible device according to the technical idea of the present invention includes a pillar-shaped conductive layer including a plurality of conductive columns extending in a first direction perpendicular to an upper surface of a flexible substrate, And has a conductive network structure in which a plurality of openings defined by columns are formed. Thus, when the flexible substrate is stretched, the plurality of openings can be expanded, moved or created to form a two-dimensional network structure parallel to the flexible substrate.
또한 상기 복수의 도전성 칼럼들은 FCC 구조의 결정학적 (111) 면을 따라 배열할 수 있고, 상기 복수의 도전성 칼럼들이 리가먼트 운동에 의하여 상기 제1 방향을 회전 축으로 하여 쉽게 회전하고 이동할 수 있다. 따라서, 유연성 기판이 신장될 때 상기 개구가 일 방향으로 급격히 전파됨에 의해 발생할 수 있는 균열, 크랙킹(cracking) 또는 스플리팅(splitting)이 방지될 수 있고, 상기 주상 도전층은 작은 폭을 갖는 복수의 개구들의 개수가 증가된 도전성 네트워크 구조를 가질 수 있다. 따라서, 유연성 소자용 접속 구조물은 우수한 신축성을 가지면서도 낮은 전기적 저항을 가질 수 있다.Also, the plurality of conductive columns may be arranged along the crystallographic (111) plane of the FCC structure, and the plurality of conductive columns may be easily rotated and moved about the first direction as the rotation axis by the ligament movement. Thus, cracking, cracking, or splitting that can occur when the flexible substrate is stretched due to rapid propagation of the opening in one direction can be prevented, and the pillar-shaped conductive layer can be prevented from cracking, cracking, Lt; / RTI > may have an increased number of openings in the conductive network structure. Therefore, the connection structure for a flexible element can have a low electrical resistance while having excellent stretchability.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물을 나타내는 사시도이다.
도 2는 일 방향으로 신장된 상태의 유연성 소자용 접속 구조물을 나타내는 사시도이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법에 따라 제조된 주상 도전층을 나타내는 이미지들이다.
도 5a는 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법에 따라 제조된 주상 도전층의 X선 회절 분석 패턴이며, 도 5b는 이러한 주상 도전층의 신장율에 따른 신장 저항값을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 접속 구조물의 개략적인 거동을 도시한 개략도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 접속 구조물의 개략적인 거동을 도시한 개략도이다.
도 8은 본 발명의 비교예와 실시예에 따른 접속 구조물들의 신장 상태에서의 SEM 이미지들을 나타낸다.1 is a perspective view showing a connection structure for a flexible element according to exemplary embodiments;
2 is a perspective view showing a connection structure for a flexible element in a state elongated in one direction.
3 is a flowchart showing a manufacturing method of a connection structure for a flexible element according to exemplary embodiments.
4 is an image showing a pillar-shaped conductive layer manufactured according to a manufacturing method of a connection structure for a flexible element according to exemplary embodiments.
5A is an X-ray diffraction pattern of a pillar-shaped conductive layer produced according to a manufacturing method of a connection structure for a flexible element according to exemplary embodiments, and FIG. 5B is a graph showing an extension resistance value according to the elongation percentage of the pillar- to be.
6 is a schematic view showing a schematic behavior of a connection structure according to a comparative example of the present invention.
Figure 7 is a schematic diagram illustrating the schematic behavior of a connection structure according to an embodiment of the present invention.
Figure 8 shows SEM images of the connecting structures in the stretched state according to comparative examples and embodiments of the present invention.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다. In order to fully understand the structure and effects of the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. It should be understood, however, that the description of the embodiments is provided to enable the disclosure of the invention to be complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. In the accompanying drawings, the components are enlarged for the sake of convenience of explanation, and the proportions of the components can be exaggerated or reduced.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "접하여" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 위에" 있다거나 "직접 접하여" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "～사이에"와 "직접 ～사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다. It is to be understood that when an element is referred to as being "on" or "tangent" to another element, it is to be understood that other elements may directly contact or be connected to the image, something to do. On the other hand, when an element is described as being "directly on" or "directly adjacent" another element, it can be understood that there is no other element in between. Other expressions that describe the relationship between components, for example, "between" and "directly between"
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms may only be used for the purpose of distinguishing one element from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다. The singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. The word "comprising" or "having ", when used in this specification, is intended to specify the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, A step, an operation, an element, a part, or a combination thereof.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.The terms used in the embodiments of the present invention may be construed as commonly known to those skilled in the art unless otherwise defined.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물(100)을 나타내는 사시도이다. 1 is a perspective view showing a
도 1을 참조하면, 유연성 소자용 접속 구조물(100)은 유연성 기판(110) 및 유연성 기판(110) 상에 형성된 주상 도전층(120)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the connection structure for a
유연성 기판(110)은 일 방향으로(예를 들어 도 1의 X 방향 또는 Y 방향으로) 신장되거나 압축될 수 있는 플렉서블 기판일 수 있다. 또한, 유연성 기판(110)은 일 방향으로(예를 들어 도 1의 Z 방향으로) 인가되는 벤딩 힘에 의해 벤딩될 수 있는 플렉서블 기판일 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유연성 기판(110)은 폴리에스테르(polyester), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 등의 플라스틱 기판, 실리콘 러버(silicone rubber) 기판, 금속 호일(foil) 기판 등을 포함할 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.The
주상 도전층(120)은 유연성 기판(110) 상면으로부터 제1 방향(예를 들어, 도 1의 Z 방향)을 따라 연장하는 복수의 도전성 칼럼들(122)을 포함할 수 있다. 그러나, 복수의 도전성 칼럼들(122)은 유연성 기판(110)의 상면으로부터 상기 상면에 대하여 소정의 각도로 기울어지도록 형성될 수도 있다. 복수의 도전성 칼럼들(122)은 각각의 측벽들이 서로 접촉하며 계면을 이루는 주상 구조(columnar structure)를 가질 수 있다. 도 1에 예시적으로 도시된 것과 같이, 복수의 도전성 칼럼들(122)은 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향(예를 들어, 도 1의 Y 방향 또는 Z 방향)을 따라 서로 인접하여 나란히 배열될 수 있다. 따라서, 복수의 도전성 칼럼들(122) 각각의 제1 높이(H1)는 주상 도전층(120)의 높이(또는 Z 방향에 따른 두께)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 복수의 도전성 칼럼들(122) 각각의 상면 또는 수평 방향 단면은 육각형, 타원형 또는 원형일 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. The columnar
예시적인 실시예들에 있어서, 복수의 도전성 칼럼들(122) 각각은 약 5 내지 100 나노미터의 제1 폭(W1)을 가질 수 있다. 또한, 복수의 도전성 칼럼들(122) 각각은 약 50 나노미터 내지 2 마이크로미터의 제1 높이(H1)를 가질 수 있다. 이에 따라, 복수의 도전성 칼럼들(122) 각각은 약 2 내지 100의 종횡비(aspect ratio)(즉, 제1 높이(H1)/제1 폭(W1))를 가질 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.In the exemplary embodiments, each of the plurality of
예시적인 실시예들에 있어서, 주상 도전층(120)은 복수의 개구들(124)을 더 포함할 수 있다. 복수의 개구들(124)은 복수의 도전성 칼럼들(122) 중 근접한 도전성 칼럼들(122) 사이의 공간들로 정의될 수 있다. 복수의 개구들(124)에 의해 도전성 칼럼들(122)의 측벽들이 노출될 수 있다. 복수의 개구들(124) 각각은 약 2 나노미터 내지 약 2 마이크로미터의 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 복수의 도전성 칼럼들(122)이 상기 제1 방향으로 연장하도록 배치됨에 따라 복수의 개구들(124) 또한 상기 제1 방향으로 연장하도록 배치될 수 있다. 이에 따라 복수의 개구들(124)의 높이는 복수의 도전성 칼럼들(122)의 제1 높이(H1)와 유사할 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니며, 주상 도전층(120)의 복수의 칼럼들(122)이 서로 치밀하게 인접하여 배치됨에 따라 복수의 개구들(124)이 거의 형성되지 않을 수도 있다.In the exemplary embodiments, the pillar-shaped
예시적인 실시예들에 있어서, 주상 도전층(120)은 면심 입방(face centered cubic, FCC) 결정 구조를 갖는 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 주상 도전층(120)은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 철(γ-Fe), 니켈(Ni), 백금(Pt), 납(Pb), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 또는 이터븀(Yb) 등의 단원소, 또는 이들의 합금 또는 조합을 포함할 수 있다. 그러나, 주상 도전층(120)의 물질이 이에 한정되는 것은 아니다. 복수의 도전성 칼럼들(122) 각각은 유연성 기판(110)의 상면 상에서 상기 FCC 결정 구조의 결정학적 (111) 면을 따라 배열할 수 있다. 여기서, 결정학적 (111) 면을 따라 배열한다는 것은 복수의 도전성 칼럼들(122)의 연장 방향에 수직한 면이 상기 FCC 결정 구조의 결정학적 (111) 면에 대응된다는 것을 의미한다. 예를 들어 복수의 도전성 칼럼들(122)이 상기 FCC 결정 구조의 결정학적 (111) 면에 따라 배열되는 경우, 수의 도전성 칼럼들(122) 내의 금속 원자들이 가장 조밀하게 충진될 수 있고, 예를 들어 복수의 도전성 칼럼들(122)은 육각형 형상의 수평 단면을 가질 수 있다.In the exemplary embodiments, the columnar
예시적인 실시예들에 있어서, 주상 도전층(120)은 X선 회절 분석 패턴에서 상기 FCC 결정 구조의 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크(diffraction peak)만을 가질 수 있다. 구리(Cu)를 예로 들 때, 일반적으로 구리(Cu)를 포함하는 물질층의 X선 회절 분석 패턴에서는 (111) 면에서 유래한 제1 피크(2θ1=43.40˚), (200) 면에서 유래한 제2 피크(2θ2=50.56˚) 및 (220) 면에서 유래한 제3 피크(2θ3=74.30˚)가 주로 관찰될 수 있다(JCPDS 카드 No. 4-0836 참조). 그러나, 주상 도전층(120)이 구리(Cu)를 포함하는 경우에, 주상 도전층(120)의 X선 회절 분석 패턴에서는 (111) 면에서 유래하는 제1 피크(2θ1=43.40˚ ± 0.25˚)만이 관찰될 수 있다. 이는 주상 도전층(120)이 (111) 면을 따라 배열하는 복수의 도전성 칼럼들(122)로 구성되었기 때문일 수 있다. 주상 도전층(120)의 X선 회절 분석 패턴에 대해서는 도 5a에서 다시 설명하도록 한다. In the exemplary embodiments, the columnar
도 2는 일 방향으로 신장된 상태의 유연성 소자용 접속 구조물(100a)을 나타내는 사시도이다. 도 2를 참조하면, 도 1에서의 유연성 소자 접속 구조물(100)을 유연성 기판(110)의 상면에 평행한 제2 방향(예를 들어 도 1의 Y 방향)으로 소정의 길이만큼 신장시킨 상태에서의 유연성 소자 접속 구조물(100a)의 구조가 도시된다. Fig. 2 is a perspective view showing the flexible
도 2를 참조하면, 신장된 유연성 기판(110a) 상에 복수의 도전성 칼럼들(122a)을 포함하는 신장된 주상 도전층(120a)이 배치될 수 있다. 복수의 도전성 칼럼들(122a)에 의하여 복수의 개구들(124a)이 정의될 수 있고, 신장된 주상 도전층(120a)은 복수의 개구들(124a)이 분산된 도전성 네트워크 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 신장된 주상 도전층(120a)은 신장된 유연성 기판(110a) 상에서 X 방향 및 Y 방향으로 복수의 개구들(124a)이 랜덤하게 분산된 2차원적인 도전성 네트워크를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2, an elongated pillar-shaped conductive layer 120a including a plurality of
예시적인 실시예들에 있어서, 복수의 개구들(124a) 각각은 약 2 나노미터 내지 약 5 마이크로미터의 제3 폭(W3)을 가질 수 있다. 복수의 개구들(124a)은 신장된 유연성 기판(110a) 상에서 그 폭이 더욱 확장되므로, 신장 상태에서의 복수의 개구들(124a)의 제3 폭(W3)은 신장되기 전의 복수의 개구들(124)의 제2 폭(W2)보다 더 클 수 있다. 또한, 유연성 기판(110a)이 신장됨에 따라 서로 접촉하고 있던 복수의 도전성 칼럼들(122a)의 측벽들이 서로 분리되고 이격되어 새로운 개구들(124a)이 생성될 수 있으며, 이에 따라 신장된 주상 도전층(120a)에서 복수의 개구들(124a)의 개수가 신장되기 전의 복수의 개구들(124)의 개수보다 증가될 수 있다. In the exemplary embodiments, each of the plurality of
예시적인 실시예들에 있어서, 복수의 도전성 칼럼들(122a)은 리가먼트 운동(ligament movement)에 의하여 복수의 도전성 칼럼들(122a)의 연장 방향을 회전 축으로 하여 용이하게 회전할 수 있다. 따라서 복수의 도전성 칼럼들(122a) 사이의 공간에서 개구(124a)가 일 방향으로 진행하거나 전파할 때, 도전성 칼럼(122a)의 상기 리가먼트 운동에 의하여 개구(124a)가 트랩되거나 개구(124a)의 전파 방향이 변화될 수 있다.In the exemplary embodiments, the plurality of
일반적으로 유연성 기판 상에 다결정질(polycrystalline) 도전층이 형성된 구조에서, 유연성 기판을 일 방향으로 신장시킬 때 상기 신장 방향에 수직한 방향으로 상기 도전층 내에 크랙이 전파할 수 있다. 특히 상기 크랙이 시작된 부분에 신장에 의한 인장 응력이 집중됨에 따라 상기 크랙 부분을 통해 더 샤프한 크랙이 더욱 급격히 발생하고 전파될 수 있다. 따라서, 크랙이 발생한 상기 도전층은 더 이상 전기적 연결 기능을 제공하지 못하거나, 전기적 연결 기능을 제공하더라도 급격히 감소된 접촉 단면적에 의해 높은 전기적 저항을 가질 수 있다. 그러나, 본 발명에 따른 복수의 도전성 칼럼들(122a)은 리가먼트 운동에 의하여 개구(124a)가 트랩되거나 전파 방향이 용이하게 바뀜에 따라 크랙의 일 방향 전파 발생이 방지될 수 있다. 이러한 리가먼트 운동에 대해서는 이후에 도 7을 참조로 다시 설명하도록 한다.Generally, in a structure in which a polycrystalline conductive layer is formed on a flexible substrate, cracks can propagate in the conductive layer in a direction perpendicular to the stretching direction when the flexible substrate is stretched in one direction. Particularly, tensile stress due to elongation is concentrated at the crack initiation part, so that a sharper crack can be generated more rapidly through the crack part and propagated. Therefore, the conductive layer in which cracks have occurred can no longer provide an electrical connection function, or can have a high electrical resistance due to a rapidly reduced contact cross-sectional area even if it provides an electrical connection function. However, the plurality of
도 2에 예시적으로 도시된 것과 같이, 주상 도전층(120a)은 복수의 개구들(124a)이 랜덤하게 분산된 도전성 네트워크 구조를 가지며, 복수의 개구들(124a)의 제3 폭(W3)은 상대적으로 작은 값으로 제한될 수 있다. 이에 따라서 유연성 기판(110a)의 신장율이 크더라도 주상 도전층(120a) 역시 균일한 도전성 네트워크 구조를 유지할 수 있으며, 주상 도전층(120a)은 현저히 높은 신장율을 가질 수 있다. 2, the pillar-shaped conductive layer 120a has a conductive network structure in which a plurality of
또한, 주상 도전층(120a)이 균일한 도전성 네트워크 구조를 유지함에 따라 주상 도전층(120a)은 낮은 전기적 저항을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유연성 기판(110a)의 신장율이 100% 이하일 때, 주상 도전층(120a)은 이론 저항값(Rth)으로부터 30% 이내의 편차를 갖는 낮은 신장 저항값(Rst)을 가질 수 있다. 예를 들어, 유연성 기판(110a)의 신장율이 50% 이하일 때, 주상 도전층(120a)은 이론 저항값(Rth)으로부터 10% 이내의 편차를 갖는 낮은 신장 저항값(Rst)을 가질 수 있다. Also, as the pillar-shaped conductive layer 120a maintains a uniform conductive network structure, the pillar-shaped conductive layer 120a can have a low electrical resistance. In the exemplary embodiments, when the elongation percentage of the
(Rst-Rth)/Rth = 0.3 (여기서, d1=2d0) - 수식 (1).(R st -R th ) / R th = 0.3 (where d 1 = 2d 0 ) - Equation (1).
또한, 이론 저항값은 푸와송비(Poisson's ratio)를 고려하여 수식 (2)과 같이 계산될 수 있다. In addition, the theoretical resistance value can be calculated as Equation (2) in consideration of the Poisson's ratio.
Rth=R0 [d1/d0]2 - 수식 (2).R th = R 0 [d 1 / d 0 ] 2 - Equation (2).
여기서, Rth는 신장 상태에서의 주상 도전층(120a)의 이론 저항값, R0는 주상 도전층(120a)의 초기 저항값, d0은 주상 도전층(120a)의 신장 방향에 따른 초기 길이, d1은 신장 상태에서의 주상 도전층(120a)의 신장 방향에 따른 길이이다.Here, R th is a theoretical resistance value of the columnar conductive layer 120a in an elongated state, R 0 is an initial resistance value of the columnar conductive layer 120a, d 0 is an initial value of an initial length of the columnar conductive layer 120a , and d 1 is the length along the extension direction of the columnar conductive layer 120a in the elongated state.
도 1 및 도 2를 참조로 설명한 본 발명에 따른 유연성 소자 구조물(100, 100a)은 복수의 도전성 칼럼들(122, 122a)을 포함하는 주상 도전층(120, 120a)을 구비하며, 주상 도전층(120, 120a)은 복수의 도전성 칼럼들(122, 122a)에 의해 정의되는 복수의 개구들(124, 124a)이 형성된 도전성 네트워크 구조를 갖는다. 따라서, 유연성 기판(110, 110a)이 신장될 때 복수의 개구들(124, 124a)이 확장되거나 이동하거나 생성됨에 의해 유연성 기판(110, 110a)에 평행한 2차원 네트워크 구조를 형성할 수 있다. The
또한 복수의 도전성 칼럼들(122, 122a)은 FCC 구조의 결정학적 (111) 면을 따라 배열할 수 있고, 복수의 도전성 칼럼들(122, 122a)이 리가먼트 운동에 의하여 상기 제1 방향을 회전 축으로 하여 쉽게 회전하고 이동할 수 있다. 따라서, 유연성 기판(110, 110a)이 신장될 때 상기 개구가 일 방향으로 급격히 전파됨에 의해 발생할 수 있는 균열, 크랙킹(cracking) 또는 스플리팅(splitting)이 방지될 수 있고, 주상 도전층(120, 120a)은 작은 폭을 갖는 복수의 개구들(124, 124a)의 개수가 증가된 도전성 네트워크 구조를 가질 수 있다. 따라서, 유연성 소자용 접속 구조물(100, 100a)은 우수한 신축성을 가지면서도 낮은 전기적 저항을 가질 수 있다.The plurality of conductive columns 122,122a may be arranged along the crystallographic (111) plane of the FCC structure and the plurality of conductive columns 122,122a may rotate in the first direction It can be easily rotated and moved by the shaft. Therefore, cracks, cracking, or splitting that may occur when the
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법을 나타내는 플로우차트이다.3 is a flowchart showing a manufacturing method of a connection structure for a flexible element according to exemplary embodiments.
도 3을 참조하면, 유연성 기판이 제공된다(단계 S10). 유연성 기판은 도 1 및 도 2를 참조로 설명한 것과 같이 플라스틱 기판, 실리콘 러버 기판, 금속 호일 기판 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 유연성 기판은 소정의 두께를 갖는 폴리이미드 기판일 수 있다.Referring to FIG. 3, a flexible substrate is provided (step S10). The flexible substrate may be, but not limited to, a plastic substrate, a silicon rubber substrate, a metal foil substrate, etc., as described with reference to FIGS. 1 and 2. For example, the flexible substrate may be a polyimide substrate having a predetermined thickness.
이후, 유연성 기판에 전처리를 수행할 수 있다(단계 S20). 상기 전처리는 유연성 기판의 표면을 세정하기 위한 세정 처리일 수 있고, 또한 유연성 기판의 표면 러프니스를 조절하기 위한 표면 처리일 수도 있다. 이와는 달리, 상기 전처리는 유연성 기판 표면의 접착성을 향상시키기 위한 표면 처리 또는 접착층 증착 처리일 수도 있다. 예를 들어, 상기 전처리는 폴리이미드 기판을 포함하는 유연성 기판 표면을 아세톤 등의 유기 용매를 사용하여 세정하고, 진공 분위기에서 소정의 시간 동안 보관하여 상기 유기 용매 또는 수분을 완전히 제거하기 위한 단계를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 전처리가 상기 예시한 바에 한정되는 것은 아니다. Thereafter, preprocessing can be performed on the flexible substrate (step S20). The pre-treatment may be a cleaning treatment for cleaning the surface of the flexible substrate, or may be a surface treatment for adjusting the surface roughness of the flexible substrate. Alternatively, the pretreatment may be a surface treatment or an adhesive layer deposition treatment for improving the adhesiveness of the flexible substrate surface. For example, the pretreatment may include a step of cleaning the surface of the flexible substrate including the polyimide substrate using an organic solvent such as acetone, and storing the substrate in a vacuum atmosphere for a predetermined time to completely remove the organic solvent or moisture can do. However, the above-mentioned pretreatment is not limited to the above example.
상기 전처리를 수행하는 단계(단계 S20)는 필수적인 것은 아니다. 상기 전처리는 유연성 기판의 종류 및 형성될 접속 구조물의 종류, 구조 및 기능에 따라 적절한 방법으로 선택될 수 있다. 또한, 유연성 기판의 종류 및 형성될 접속 구조물의 종류, 구조 및 기능에 따라 상기 전처리 단계가 생략되어도 무방하다.The step of performing the preprocessing (step S20) is not essential. The pre-treatment can be selected in an appropriate manner depending on the kind of the flexible substrate and the type, structure and function of the connection structure to be formed. In addition, the preprocessing step may be omitted depending on the type of the flexible substrate and the type, structure, and function of the connection structure to be formed.
이후, 유연성 기판 상에 복수의 도전성 칼럼들을 포함하는 구조를 갖도록 주상 도전층을 증착 형성할 수 있다 (단계 S30). Thereafter, the pillar-shaped conductive layer may be formed by evaporation so as to have a structure including a plurality of conductive columns on the flexible substrate (step S30).
상기 증착 형성 단계는 복수의 도전성 칼럼들이 FCC 결정 구조의 (111) 면에 따라 배열할 수 있도록 적절한 증착 공정 조건들을 선택하여 수행될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 증착 형성 단계는 스퍼터링(sputtering) 공정, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 공정, 저압 화학 기상 증착(low pressure CVD, LPCVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(plasma enhanced CVD, PECVD) 공정, 금속유기 화학 기상 증착(metal-organic CVD) 공정, 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 공정, 금속유기 원자층 증착(metal-organic ALD) 공정, 전자빔 증발(e-beam evaporation) 공정, 분자빔 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE) 공정 등일 수 있다. 그러나 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 도전성 칼럼들이 FCC 결정 구조의 (111) 면에 따라 배열할 수 있는 증착 방법이라면 어떠한 것이라도 가능하다.The deposition forming step may be performed by selecting appropriate deposition process conditions so that the plurality of conductive columns can be arranged along the (111) plane of the FCC crystal structure. In exemplary embodiments, the deposition forming step may include a sputtering process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a low pressure CVD (LPCVD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), metal-organic CVD, atomic layer deposition (ALD), metal-organic ALD processes, electron beam evaporation -beam evaporation process, a molecular beam epitaxy (MBE) process, and the like. However, the technical idea of the present invention is not limited to this, and any of the deposition methods in which a plurality of conductive columns can be arranged along the (111) plane of the FCC crystal structure are possible.
주상 도전층을 증착 형성하는 하나의 예시적인 공정에서, rf 마그네트론 스퍼터링 공정을 사용하여 유연성 기판 상에 복수의 도전성 칼럼들이 FCC 결정 구조의 (111) 면에 따라 배열하는 주상 도전층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 챔버 내부의 베이스 압력을 10-6 Torr 이하로 유지한 후, 아르곤 등의 불활성 기체를 공정 가스로 사용하여 약 2.5 × 10-2 Torr의 공정 압력을 유지하도록 상기 공정 가스를 소정의 유량으로 흘릴 수 있다. 구리(Cu) 타겟을 사용하여 13.56 MHz의 방사 주파수(radio frequency)에서 약 40 W 내지 약 100 W의 전력으로 약 20분 내지 약 60분 동안 스퍼터링 공정을 수행할 수 있다. 이에 따라 FCC 결정 구조의 (111) 면을 따라 성장한 복수의 도전성 칼럼들을 포함하는 주상 도전층이 형성될 수 있다. In one exemplary process for depositing a pillar-shaped conductive layer, a pillar-shaped conductive layer can be formed on the flexible substrate using a rf magnetron sputtering process, wherein a plurality of conductive columns are arranged along the (111) plane of the FCC crystal structure . For example, after the base pressure inside the chamber is maintained at 10 -6 Torr or less, the process gas is supplied to a predetermined position to maintain a process pressure of about 2.5 × 10 -2 Torr using an inert gas such as argon as a process gas Flow rate. A copper (Cu) target can be used to perform the sputtering process at a power of about 40 W to about 100 W at a radio frequency of 13.56 MHz for about 20 minutes to about 60 minutes. Accordingly, a columnar conductive layer including a plurality of conductive columns grown along the (111) plane of the FCC crystal structure may be formed.
그러나, 전술한 방법은 주상 도전층을 형성하기 위한 하나의 예시적인 방법에 불과하며, 이 외에도 적절한 증착 조건들을 선택하여 주상 도전층을 형성할 수 있다.However, the above-described method is only one exemplary method for forming the pillar-shaped conductive layer, and other suitable deposition conditions can be selected to form the pillar-shaped conductive layer.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법에 따라 제조된 주상 도전층을 나타내는 이미지들이다. 도 4의 (A)는 증착한 상태에서의 주상 도전층의 원자힘 현미경(atomic force microscopy, AFM) 이미지이며, 도 4의 (B) 및 (C)는 신장 상태에서의 주상 도전층의 주사 전자 현미경(scanning electron microscopy, SEM) 이미지들이다. 구체적으로, 도 4에서는 도 3을 참조로 설명한 예시적인 방법 중 100 W의 증착 전력을 사용하여 제조된 주상 도전층의 표면 이미지들을 도시하였다.4 is an image showing a pillar-shaped conductive layer manufactured according to a manufacturing method of a connection structure for a flexible element according to exemplary embodiments. 4A is an atomic force microscopy (AFM) image of the pillar-shaped conductive layer in the evaporated state, and FIGS. 4B and 4C are cross- These are scanning electron microscopy (SEM) images. Specifically, FIG. 4 shows surface images of the pillar-shaped conductive layer fabricated using the deposition power of 100 W of the exemplary method described with reference to FIG.
도 4를 참조하면, 증착한 상태에서 주상 도전층은 평균 결정립 크기 43.5 nm를 가지며, 표면 러프니스 약 0.829 nm를 나타내었다(도 4의 (A)). 앞서 설명한 방법에 의해 제조된 주상 도전층은 표면 러프니스가 약 1 nm 이하인 균일한 상면 모폴로지를 갖는 것을 확인할 수 있다. 또한, 신장 상태에서의 주상 도전층은 복수 개의 도전성 칼럼들이 각각 측벽을 접촉하며 서로 인접하게 나란히 배열됨을 확인할 수 있다. 또한, 복수 개의 도전성 칼럼들 사이에 복수 개의 개구들이 약 수 마이크로미터까지의 폭을 가지며 배치된 것을 확인할 수 있다(도 4의 (B)). Referring to FIG. 4, in the deposited state, the pillar-shaped conductive layer had an average grain size of 43.5 nm and a surface roughness of about 0.829 nm (FIG. 4 (A)). It can be confirmed that the pillar-shaped conductive layer produced by the above-described method has a uniform top surface morphology with a surface roughness of about 1 nm or less. In addition, it can be seen that the columnar conductive layer in the elongated state has a plurality of conductive columns arranged side-by-side adjacent to each other in contact with the side walls. Also, it can be seen that a plurality of openings are arranged between the plurality of conductive columns with a width of about several micrometers (FIG. 4 (B)).
도 5a는 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법에 따라 제조된 주상 도전층의 X선 회절 분석 패턴이며, 도 5b는 이러한 주상 도전층의 신장율에 따른 신장 저항값을 나타낸 그래프이다.5A is an X-ray diffraction pattern of a pillar-shaped conductive layer produced according to a manufacturing method of a connection structure for a flexible element according to exemplary embodiments, and FIG. 5B is a graph showing an extension resistance value according to the elongation percentage of the pillar- to be.
도 5a를 참조하면, 증착 공정에서의 전력을 변화시키면서 형성한 주상 도전층들의 X선 회절 분석 결과가 도시된다. 특히 증착 전력이 40 W 및 100 W인 실험예들의 경우, 약 43.40˚ ± 0.25˚에서만 회절 피크가 관찰됨을 확인할 수 있다. 이는, 도 5a에 표시한 것과도 같이 Cu를 포함하는 복수의 도전성 칼럼들의 (111) 면에서 유래하는 회절 피크임을 이해할 수 있다. 한편, 증착 전력이 200 W 및 300 W인 실험예들의 경우, 50.56˚ ± 0.25˚ 및 74.30˚ ± 0.25˚에서 회절 피크들이 더 관찰되었다. 이는 각각 Cu를 포함하는 복수의 도전성 칼럼들의 (200) 면 및 (220) 면에서 유래하는 회절 피크들임을 이해할 수 있을 것이다.Referring to FIG. 5A, X-ray diffraction analysis results of the pillar-shaped conductive layers formed by changing the electric power in the deposition process are shown. Particularly, in the case of the experimental examples in which the deposition power was 40 W and 100 W, it was confirmed that the diffraction peak was observed only at about 43.40 ° ± 0.25 °. It can be understood that this is a diffraction peak originating from the (111) plane of a plurality of conductive columns including Cu as shown in Fig. 5A. On the other hand, diffraction peaks were observed at 50.56 deg. 0.25 deg. And 74.30 deg. 0.25 deg. In the experimental examples in which the deposition power was 200 W and 300 W, respectively. It will be understood that these are diffraction peaks derived from the (200) and (220) planes of a plurality of conductive columns, each containing Cu.
도 5b를 참조하면, 증착 공정에서의 전력을 변화시키면서 형성한 주상 도전층들의 신장율(stretch, λ)에 따른 신장 저항값(Rst) / 초기 저항값(R0)이 도시된다. 주상 도전층의 신장율에 따른 이론 저항값(Rth) / 초기 저항값(R0)이 비교를 위하여 점선으로 도시된다. 특히, 증착 전력이 40 W 및 100 W인 실험예들의 경우 이론 저항값으로부터의 저항 편차가 상대적으로 작음을 확인할 수 있다. 특히, 증착 전력이 100 W인 실험예에서는 이론 저항값으로부터의 편차가 매우 적은 신장 저항값 결과를 보여준다. 이에 따르면 복수의 도전성 칼럼들이 (111) 면을 따라 선택적으로 배열된 주상 도전층은 100% 이상의 높은 신장율(λ=2.0)을 보일 수 있으며, 또한 100% 이상 신장되더라도 이론 저항값에 가까운 저항값을 가지므로, 본 발명에 따른 주상 도전층은 매우 우수한 전기 전도성 특징을 가짐을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5B, an extension resistance value R st / initial resistance value R 0 according to the elongation percentage (stretch,?) Of the pillar-shaped conductive layers formed by changing the electric power in the deposition process is shown. The theoretical resistance value R th / initial resistance value R 0 according to the elongation percentage of the pillar-shaped conductive layer is shown by a dotted line for comparison. In particular, in the experimental examples in which the deposition power is 40 W and 100 W, it can be confirmed that the resistance variation from the theoretical resistance value is relatively small. Particularly, in the experimental example in which the deposition power is 100 W, it shows the result of the extension resistance value having a very small deviation from the theoretical resistance value. According to this, the pillar-shaped conductive layer selectively arranged along the (111) plane of the plurality of conductive columns can exhibit a high elongation (? = 2.0) of 100% or more and a resistance value close to the theoretical resistance value It can be confirmed that the pillar-shaped conductive layer according to the present invention has very excellent electric conductivity characteristics.
이하에서는 도 6 내지 도 8을 참조로 하여 본 발명에 따른 유연성 소자용 접속 구조물을 일 방향으로 신장시킬 때의 개략적인 거동을 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to FIG. 6 to FIG. 8, a description will be given of a schematic operation of extending the flexible element connecting structure according to the present invention in one direction.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 접속 구조물의 개략적인 거동을 도시한 개략도이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 접속 구조물의 개략적인 거동을 도시한 개략도이다. FIG. 6 is a schematic view showing a schematic operation of a connection structure according to a comparative example of the present invention, and FIG. 7 is a schematic diagram showing a schematic operation of a connection structure according to an embodiment of the present invention.
도 6의 (A)를 참조하면, 상기 접속 구조물은 유연성 기판(610) 상에 형성된 다결정질 도전층(620)을 포함한다. 도전층(620)은 특정한 방향성을 갖지 않는 다결정질 입자들로 구성될 수 있고, 이와는 달리 주로 (111) 면, (200) 면 및 (222) 면을 따라 배열되는 다결정질 입자들로 구성될 수도 있다. 상기 유연성 기판(610)이 일 방향으로(예를 들어 화살표로 표시된 방향으로) 신장될 때, 도전층(620) 내에 미세 크랙들(도시되지 않음)이 발생할 수 있고, 이러한 미세 크랙 부위에 인장 응력이 더욱 집중될 수 있다. Referring to FIG. 6A, the connection structure includes a polycrystalline
도 6의 (B)를 참조하면, 유연성 기판(610)이 더욱 신장될 때, 도전층(620)은 초기 길이(L0(620))로부터 δL(620)만큼 신장될 수 있고, 이 때 미세 크랙 부위를 통해 크랙(620C)이 일 방향으로 진행하거나 전파할 수 있다. 유연성 기판(610)의 신장 방향과 수직하거나 실질적으로 수직한 방향을 따라 크랙(620C)이 진행함에 따라 도전층(620) 부분들이 크랙(620C)에 의하여 완전히 분리될 수도 있고, 또한 완전히 분리되지는 않더라도 도전층(620)의 전기적 저항이 급격히 증가할 수 있다. 6B, when the
도 7의 (A)를 참조하면, 상기 접속 구조물은 유연성 기판(710) 상에 형성된 주상 도전층(720)을 포함한다. 주상 도전층(720)은 결정학적 (111) 면을 따라 배열되는 복수의 도전성 칼럼들(722)로 구성될 수 있고, 복수의 도전성 칼럼들(722) 사이에 형성되는 복수의 개구들(724)을 포함할 수도 있다. 상기 유연성 기판(710)이 일 방향으로(예를 들어 화살표로 표시된 방향으로) 신장될 때, 주상 도전층(720) 내의 복수의 개구들(724)이 생성되거나 확장될 수 있다. Referring to FIG. 7A, the connection structure includes a columnar
구체적으로, 도 7의 (B-1)에 도시된 것과 같이, 복수의 도전성 칼럼들(722)이 유연성 기판(710) 상면 상에서 슬라이딩함에 의해 개구(724)가 확장될 수 있고, 새로운 개구(724)가 생성될 수도 있다. 또한 도 7의 (B-2)에 도시된 것과 같이, 개구(724)가 상당한 폭을 갖도록 확장될 때, 복수의 도전성 칼럼들(722) 중 리가먼트 회전 중심 칼럼(722b)에 의해 개구(724)가 트랩될 수 있고, 리가먼트 회전 중심 칼럼(722b)을 회전 축으로 하여 복수의 도전성 칼럼들(722)이 회전할 수 있다. 이러한 회전에 의하여 트랩된 개구(724)의 폭은 소정 길이 이하로 한정되며, 트랩된 개구(724)에 인접한 도전성 칼럼들(722) 부근에서 새로운 개구(724)가 생성되거나 활성화되어 확장될 수 있다. Specifically, as shown in FIG. 7B-1, the
도 7의 (C)를 참조하면, 유연성 기판(719)이 더욱 신장될 때 주상 도전층(720)은 초기 길이(L0(720))로부터 δL(720)만큼 신장될 수 있고, 주상 도전층(720)은 복수 개의 개구들(724)이 분산된 2차원 네트워크 구조를 가질 수 있다. 주상 도전층(720)에 일 방향으로 전파하는 크랙 등의 발생이 방지되고, 개구들(724)의 사이즈가 미세하게 한정되기 때문에 주상 도전층(720)은 높은 신장율에서도 우수한 전기적 저항을 가질 수 있다.7C, when the flexible substrate 719 is further elongated, the pillar-shaped
도 8a는 본 발명의 비교예에 따른 접속 구조물들의 신장 상태에서의 SEM 이미지들을 나타내고, 도 8b는 본 발명의 비교예에 따른 접속 구조물들의 신장 상태에서의 SEM 이미지들을 나타낸다. 도 8a를 참조하면, 다결정질 도전층의 경우 도 6을 참조로 설명한 것과 같이 20 마이크로미터 이상의 길이를 갖는 크랙들이 형성되었음을 확인할 수 있다. 대조적으로, 도 8b를 참조하면, 복수의 도전성 칼럼들을 포함하는 주상 도전층의 경우 도 7을 참조로 설명한 것과 같이 작은 사이즈를 갖는 복수의 개구들이 형성되며, 개구들의 폭은 약 5 나노미터 이하임을 확인할 수 있다. Figure 8a shows SEM images of the connecting structures according to the comparative example of the present invention in the stretched state and Figure 8b shows SEM images of the connecting structures according to the comparative example of the invention in the stretched state. Referring to FIG. 8A, it can be seen that cracks having a length of 20 micrometers or more are formed in the polycrystalline conductive layer as described with reference to FIG. In contrast, referring to FIG. 8B, in the case of the columnar conductive layer including a plurality of conductive columns, a plurality of openings having a small size are formed as described with reference to FIG. 7, and the width of the openings is about 5 nanometers or less Can be confirmed.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, This is possible.
100: 유연성 소자용 접속 구조물 110: 유연성 기판
120: 주상 도전층 122: 복수의 도전성 칼럼들
124: 복수의 개구들100: Flexible element connection structure 110: Flexible substrate
120: columnar conductive layer 122: a plurality of conductive columns
124: a plurality of openings
Claims (14)
상기 유연성 기판 상에 형성되며, 상기 유연성 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 연장하는 복수의 도전성 칼럼들(conductive columns)을 포함하는 주상 도전층(columnar structured conductive layer);을 포함하고,
상기 유연성 기판이 상기 유연성 기판의 상기 상면에 평행한 제2 방향으로 신장될 때, 상기 주상 도전층은 상기 복수의 도전성 칼럼들에 의해 정의되는 복수의 개구들이 형성된 도전성 네트워크 구조를 가지며, 상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 복수의 개구들이 확장되거나 이동하거나 생성되어, 상기 주상 도전층이 상기 제2 방향으로 신장되며,
상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때 상기 주상 도전층이 상기 제2 방향으로 신장되어 길이 d1을 가지며,
상기 주상 도전층이 초기 길이(d0)로부터 100% 신장될 때, 상기 주상 도전층은 수식 2에 따른 이론 저항값(Rth)으로부터 30% 이내의 편차를 갖는 신장 저항값(Rst)을 가지며,
(Rst-Rth)/Rth ≤ 0.3, 여기서 d1=2d0 -[수식 1],
Rth=R0 [d1/d0]2 -[수식 2],
이 때, Rth는 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 이론 저항값, R0는 상기 주상 도전층의 초기 저항값, d0은 상기 주상 도전층의 제2 방향에 따른 초기 길이, d1은 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 상기 제2 방향에 따른 길이인 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물(interconnection structure).A compliant substrate;
And a columnar structured conductive layer formed on the flexible substrate and including a plurality of conductive columns extending in a first direction perpendicular to the upper surface of the flexible substrate,
Wherein when the flexible substrate is elongated in a second direction parallel to the upper surface of the flexible substrate, the columnar conductive layer has a conductive network structure in which a plurality of openings defined by the plurality of conductive columns are formed, Wherein the plurality of openings are expanded, moved, or generated when the first pillar-shaped conductive layer is extended in the second direction, the pillar-shaped conductive layer is elongated in the second direction,
Wherein when the flexible substrate is elongated in the second direction, the columnar conductive layer is elongated in the second direction to have a length d 1 ,
When the pillar-shaped conductive layer is elongated 100% from the initial length (d 0 ), the pillar-shaped conductive layer has an elongation resistance value R st with a deviation within 30% from the theoretical resistance value (R th ) And,
(R st -R th ) / R th ? 0.3, where d 1 = 2d 0 - [Equation 1]
R th = R 0 [d 1 / d 0 ] 2 - [Equation 2]
At this time, R th is the pillar-shaped conductive layer in the stretched state theory resistance, R 0 is the initial resistance of the pillar-shaped conductive layer, d 0 is the initial length, d 1 according to the second direction of the pillar-shaped conductive layer has And a length along the second direction of the pillar-shaped conductive layer in a stretched state.
상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 복수의 개구들의 최대 폭이 5 마이크로미터보다 작은 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.The method according to claim 1,
Wherein when the flexible substrate is stretched in the second direction, the maximum width of the plurality of openings is less than 5 micrometers.
상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 복수의 도전성 칼럼들은 리가먼트 운동(ligament movement)에 의해 상기 제1 방향에 수직한 방향으로 회전함으로써 상기 복수의 개구들이 확장하거나 이동하거나 생성되는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.The method according to claim 1,
When the flexible substrate is elongated in the second direction, the plurality of conductive columns are rotated in a direction perpendicular to the first direction by a ligament movement so that the plurality of openings are expanded, moved or created Wherein the connecting structure for a flexible element is characterized in that:
상기 주상 도전층은 면심 입방(face centered cubic, FCC) 결정 구조를 갖는 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.The method according to claim 1,
Wherein the pillar-shaped conductive layer comprises a metal material having a face centered cubic (FCC) crystal structure.
상기 주상 도전층은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 철(γ-Fe), 니켈(Ni), 백금(Pt), 납(Pb), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 또는 이터븀(Yb)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.6. The method of claim 5,
Wherein the pillar-shaped conductive layer is formed of a material selected from the group consisting of copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), iron (y-Fe), nickel (Ni), platinum (Pt) ), Palladium (Pd), iridium (Ir), or ytterbium (Yb).
상기 복수의 도전성 칼럼들은 상기 유연성 기판의 상면 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장하며,
상기 복수의 도전성 칼럼들은 상기 FCC 결정 구조의 결정학적 (111) 면을 따라 배열하는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.6. The method of claim 5,
The plurality of conductive columns extending along the first direction on an upper surface of the flexible substrate,
Wherein the plurality of conductive columns are arranged along a crystallographic (111) plane of the FCC crystal structure.
상기 주상 도전층은 X선 회절 분석 패턴에서 상기 FCC 결정 구조의 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크(diffraction peak)만을 갖는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.6. The method of claim 5,
Wherein the pillar-shaped conductive layer has a diffraction peak derived from the (111) plane of the FCC crystal structure in an X-ray diffraction analysis pattern.
상기 복수의 도전성 칼럼들 각각은 5 내지 100 나노미터의 폭을 가지며, 50 나노미터 내지 2 마이크로미터의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.The method according to claim 1,
Wherein each of the plurality of conductive columns has a width of 5 to 100 nanometers and a height of 50 nanometers to 2 micrometers.
상기 유연성 기판 상에 형성되며, 상기 유연성 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 연장하는 복수의 도전성 칼럼들을 포함하는 주상 도전층;을 포함하고,
상기 주상 도전층은 면심 입방(FCC) 결정 구조를 갖는 금속 물질을 포함하며, 상기 복수의 도전성 칼럼들은 상기 FCC 결정 구조의 결정학적 (111) 면을 따라 배열하며,
상기 유연성 기판이 상기 유연성 기판의 상면에 평행한 제2 방향으로 신장될 때 상기 주상 도전층이 상기 제2 방향으로 신장되어 길이 d1을 가지며,
상기 주상 도전층이 초기 길이(d0)로부터 100% 신장될 때, 상기 주상 도전층은 수식 2에 따른 이론 저항값(Rth)으로부터 30% 이내의 편차를 갖는 신장 저항값(Rst)을 가지며,
(Rst-Rth)/Rth ≤ 0.3, 여기서 d1=2d0 -[수식 1],
Rth=R0 [d1/d0]2 -[수식 2],
이 때, Rth는 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 이론 저항값, R0는 상기 주상 도전층의 초기 저항값, d0은 상기 주상 도전층의 제2 방향에 따른 초기 길이, d1은 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 상기 제2 방향에 따른 길이인 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.A flexible substrate;
And a pillar-shaped conductive layer formed on the flexible substrate and including a plurality of conductive columns extending in a first direction perpendicular to an upper surface of the flexible substrate,
Wherein the columnar conductive layer comprises a metal material having a face centered cubic (FCC) crystal structure, the plurality of conductive columns arranged along a crystallographic (111) plane of the FCC crystal structure,
Wherein when the flexible substrate is elongated in a second direction parallel to the upper surface of the flexible substrate, the pillar-shaped conductive layer is elongated in the second direction to have a length d 1 ,
When the pillar-shaped conductive layer is elongated 100% from the initial length (d 0 ), the pillar-shaped conductive layer has an elongation resistance value R st with a deviation within 30% from the theoretical resistance value (R th ) And,
(R st -R th ) / R th ? 0.3, where d 1 = 2d 0 - [Equation 1]
R th = R 0 [d 1 / d 0 ] 2 - [Equation 2]
At this time, R th is the pillar-shaped conductive layer in the stretched state theory resistance, R 0 is the initial resistance of the pillar-shaped conductive layer, d 0 is the initial length, d 1 according to the second direction of the pillar-shaped conductive layer has Wherein the pillar-shaped conductive layer has a length along the second direction of the pillar-shaped conductive layer in a stretched state.
상기 주상 도전층은 X선 회절 분석 패턴에서 상기 FCC 결정 구조의 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크(diffraction peak)만을 갖는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.12. The method of claim 11,
Wherein the pillar-shaped conductive layer has a diffraction peak derived from the (111) plane of the FCC crystal structure in an X-ray diffraction analysis pattern.
상기 주상 도전층이 구리(Cu)를 포함하고,
상기 주상 도전층의 상기 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크는 43.40˚ ± 0.25˚에서 나타나는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.13. The method of claim 12,
Wherein the pillar-shaped conductive layer contains copper (Cu)
And the diffraction peak derived from the (111) face of the pillar-shaped conductive layer appears at 43.40 DEG +/- 0.25 DEG.
상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 주상 도전층은 상기 복수의 도전성 칼럼들에 의해 정의되는 복수의 개구들이 형성된 도전성 네트워크 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.13. The method of claim 12,
Wherein when the flexible substrate is extended in the second direction, the columnar conductive layer has a conductive network structure in which a plurality of openings defined by the plurality of conductive columns are formed.
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