KR101651086B1 - 단조 성형을 이용한 led 반사경 제조 방법 - Google Patents

단조 성형을 이용한 led 반사경 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고성능 LED 반사경 및 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 800만 화소 이상 카메라에서 고해상도 사진을 촬영할 수 있는 고휘도 LED 모듈에 사용할 수 있는 소형 반사경(Reflctor)과 그 제조 방법에 대한 것이다.
본 발명에 따른 LED 리플렉터는 금속을 이용하여 단조 성형된 LED 리플렉터 부재; 및 상기 LED 리플렉터의 표면에 형성된 도금층을 포함한다.
본 발명에 따른 리플렉터에 의해서 1300만화소로 진보된 휴대폰의 플래시 모듈에 사용될 수 있는 3.5x3.5mm이하 크기의 리플렉터가 제공되었다. 본 발명에 따른 리플렉터는 반사면이 표면이 균일하고 실장되는 LED의 광학특성에 맞추어 곡면 가공되어, 180 LUX 이상의 광량을 발휘할 수 있다. 또한, 본 발명은 리플렉터를 새로운 제조 공정인 단조 성형 공정을 통해서 대량으로 생산할 수 있는 방법을 제공하였다.

Description

단조 성형을 이용한 LED 반사경 제조 방법{LED REFLECTOR USING FORGING MOLDING PROCESS}
본 발명은 고성능 LED 반사경 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고해상도 사진을 촬영할 수 있는 800만 화소 이상 카메라에서 요구되는 고휘도 LED 모듈용 초소형 반사경(Reflctor)과 그 제조 방법에 대한 것이다.
휴대폰의 카메라 해상도가 2백만 화소 5백만 화소 8백만 화소로 급격히 고도화됨에 따라 이를 구현하기 위한 플래시 성능의 고도화가 동반 요구되고 있다. 플래시 성능의 고도화를 위해서는 동일한 광량의 LED에서 발생되는 빛과 열을 효과적으로 처리할 수 있는 고성능 LED 플래쉬 모듈이 필요하다. 플래쉬 모듈은 크게 LED와 리플렉터와 렌즈로 구성되는데, 고성능 플래쉬 모듈을 위해서는 LED 자체의 성능 개선과 함께 직광 및 배광의 비율의 조절 기능을 가지는 리플렉터의 고성능화가 중요하다.
리플렉터는 현재 절삭 공법, 다이캐스팅, 사출 공법 등을 통해서 제조되고 있는데, 800 화소 이상의 LED 플래쉬 모듈에서 요구되는 고성능 리플렉터의 경우, 4.0x4.0 ㎟의 크기에서 3.5x3.5 ㎟ 크기로의 크기 소형화와 함께, 60~65 LUX 의 LED를 이용해서 110~130 LUX의 광을 표현할 수 있는 광 반사성의 성능이 요구되고 있다.
그러나, 기존의 절삭 공법은 제조한 반사면의 거칠기가 0.02~0.03mm로 소형화하는 추세에 적합하지 않고, 가공 특성상 원형의 반사경만 가능하다는 점에서 문제가 있다.
또한, 사출 가공 방법은 정밀도가 떨어지고, 조도, 온도에 약하며, 방열기능이 떨어지므로 제품 고도화를 위한 공법에서는 사용되기 어렵고, 다이캐스팅 공법의 경우도 정밀도가 떨어지며, 사상 등의 후 공정이 필요하다는 문제가 있다.
이에 따라, 배광 및 집광의 조절을 위해서 사각형, 원형, 타원형 등 다양한 형상이 가능하고, 표면 거칠기가 낮으면서도, 방열에 의한 문제를 해결할 수 있는 새로운 고성능 LED 반사경 및 그 제조 방법에 관한 요구가 계속되고 있다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 800만 화소 이상의 카메라를 가지는 휴대용 기기에 사용할 수 있는 고성능 LED 플래쉬 모듈용 반사경을 제공하는 것이다.
본 발명에서 해결하고자 하는 다른 과제는 800만 화소 이상의 카메라를 가지는 휴대용 기기에 사용할 수 있는 고성능 LED 플래쉬 모듈용 반사경을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 800만 화소 이상의 카메라를 가지는 휴대용 기기에 사용할 수 있는 고성능 LED 플래쉬 모듈용 반사경을 포함하는 카메라 모듈과 이를 이용한 모바일 기기를 제공하는 것이다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은
금속을 이용하여 단조 성형된 LED 리플렉터 부재; 및
상기 LED 리플렉터 부재의 표면 도금층
을 포함하는 LED 리플렉터를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 리플렉터 부재는 높이가 지름(타원일 경우 평균지름, 다각형일 경우 동일 면적의 원으로 환산시 지름)보다 작은 부재, 예를 들어, 원기둥, 타원기둥, 다각 기둥, 일 예로 사각기둥의 중심부에 상광하협 형태의 천공부가 형성된 부재이며, LED가 천공부의 중심부에 실장되고, 천공된 내부 경사면은 반사면을 이루게 되는 통상의 리플렉터 부재이다.
본 발명에 있어서, 상기 리플렉터 부재는 가격이 저렴하면서도 상부 도금층에 친화력이 좋고, 방열효과를 높은 동(Cu) 계열의 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 동 계열의 금속 중, 단조 특성을 고려하여 순동을 사용할 수 있으며, 단조특성과 함께 원가를 고려할 경우 황동을 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 이론적으로 한정된 것은 아니지만, 상기 리플렉터는 단조 공정으로 성형되어 종래 절삭 가공시 발생하는 내부 반사면의 가공 흔적을 없앨 수 있으며, 또한 반사면의 거칠기를 낮추어 실장되는 LED의 광학설계에 적합한 다양한 형상의 반사면, 예를 들어 천공부의 상하가 정사각형이며, 내부 경사면이 곡면을 이루는 복합한 반사면을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시에 있어서, 상기 LED 리플렉터는 3.5 x 3.5 ㎟ 이하의 넓이를 가지는 정사각형 형태의 리플렉터일 수 있으며, 단조성형에 의해서 바람직하게는 표면의 거칠기는 Ra가 0.1 마이크로미터, 더욱 바람직하게는 0.05 마이크로미터, 가장 바람직하게는 0.025 마이크로미터 이하인 고성능 LED 리플렉터이다.
본 발명에 있어서, 상기 도금층은 반사율이 높은 금속 도금층, 일 예로 Ag 도금층을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 금속 LED 리플렉터 부재, 바람직하게는 동 또는 황동 리플렉터 부재의 표면에 도금시, 염수, 온도 변화 등에 환경 변화에 내성을 가지는 안정된 도금층을 형성할 수 있도록, 하부 도금층을 형성한 후, 상기 하부도금층에 표면 도금층을 형성하는 것이 바람직하다.
발명의 바람직한 실시에 있어서, 순동 또는 황동의 표면에 계면이 뚜렷하고, 상호 확산층이 없는 균일한 도금층을 형성하기 위해서, Ni-P로 이루어진 하부도금층을 형성하고, 상부에 Ag를 도금층을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 리플렉터의 단조 성형은 길게 연장된 금속편을 이송시키면서 리플렉터 성형부의 주변부 천공 단계; 리플렉터 성형부의 중심부를 상광 하협 형태로 천공하는 중심부 천공 단계; 반사면을 가공하는 반사면 가공 단계; 및 리플렉터의 경계면을 절취하는 경계면 절취 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 있어서, 상기 길게 연장된 금속편은 띠 형태로 가공된 금속편이며, 리플렉터 성형부의 주변부를 천공하는 금형, 리플렉터 성형부의 중심부를 천공하는 금형, 반사면을 가공하는 금형, 및 상기 성형부에서 리플렉터의 경계면을 절취하는 금형이 연속적으로 배치된 고속 프레스에 연속적으로 공급되어 연속 공정으로 가공될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단조성형은 금속편에 이송용 피치 구멍을 천공하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 고속 프레스에는 피치용 천공 금형이 더 포함된다.
본 발명에 있어서, 상기 '리플렉터 성형부'는 리플렉터를 제조하기 위해서 천공, 압착, 또는 절취가 이루어지는 영역을 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명에 있어서, 상기 리플렉터 성형부는 주변부의 천공에 의해서 금속편에서 탈락하지 않도록 성형부와 금속편을 잇는 다수의 브릿지를 제외한 부분이 천공된다.
본 발명에 있어서, 상기 리플렉터 성형부는 하면 중앙에 기둥형태의 돌기가 있는 기둥 형태의 금형을 이용하여 리플렉터 성형부의 중심부를 상부에서 압착하여 상광하협 형태의 천공부가 형성된다.
본 발명에 있어서, 상기 중심부가 천공된 리플렉터 성형부는 곡면의 돌기가 형성된 금형을 이용해서 천공부의 내면을 곡면 형태로 가공하여, LED의 광학 특성에 적합한 곡률을 가지는 반사면을 형성한다.
본 발명에 있어서, 상기 중심부에 반사면이 형성된 리플렉터 성형부는 리플렉터의 외면 경계를 따라 절취가 이루어진다.
본 발명에 있어서, 절취된 리플렉터 부재의 도금은 통상의 전해 도금 방법을 이용해서 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 도금 시간을 조절하여 하부 도금층은 5~10 마이크로미터, 상부 도금층은 1~5 마이크로미터의 두께로 이루어질 수 있다.
휴대폰의 카메라 해상도가 2백만 5백만 8백만 1300만화소로 진보하면서, 휴대폰은 더욱 슬림화 되고 있어, 여기에 장착되는 플래시 모듈도 슬림화, 소형화되고 있는 추세에 맞추어, 본 발명을 통해 3.5x3.5mm이하 크기의 리플렉터가 제공되었다.
본 발명에 따른 리플렉터는 반사면이 표면이 균일하고 실장되는 LED의 광학특성에 맞추어 곡면 가공되어, 180 LUX 이상의 광량을 발휘할 수 있다.
또한, 본 발명은 리플렉터를 새로운 제조 공정인 단조 성형 공정을 통해서 대량으로 생산할 수 있는 방법을 제공하였다.
도 1은 본 발명의 실시에 따른 리플렉터 부재 가공을 위한 금속편의 가공 순서를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시에 따른 주변부 천공단계의 가공을 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시에 따른 중심부 천공단계의 가공을 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시에 따른 중심부 천공단계의 후가공 단계를 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시에 따른 반사면 가공단계를 설명하는 도면이다.
도 6는 본 발명의 실시에 따른 경계면 절취 단계를 설명하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시에 따른 리플렉터 부재의 사시도이다.
도 8은 본 발명의 실시에 따른 반사도 측정 시편의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시에 따른 리플렉터 부재의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 실시에 따른 황동 재질의 리플렉터 부재(좌)와 도금된 리플렉터(우)의 실물 사진이다.
도 11은 본 발명의 실시에 따른 리플렉터의 염수 분무 시험 전후 결과를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 고온 고습 시험 장비 및 시험 후의 시편의 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 실시예를 통해서 본 발명을 상세하게 설명한다. 상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여, 더욱 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
실시예
리플렉트 부재의 단조 성형
도 1에서 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 리플렉터는 길게 연장된 황동의 금속편(100)을 이용해서 단조 가공된다. 금속편은 화살표로 표시된 진행 방향을 따라서 이동하면서, 이송용 피치의 형성 단계(10)를 통해서 금속편의 양측에 일정 간격으로 이송용 천공(11)들이 형성된다. 이송용 천공(11)들이 형성되면, 3개씩 가공이 이루어지도록 3 피치(1개의 천공이 1피치) 간격으로 이송되면서 차례로 가공이 이루어진다.
도 1 및 도 2에서 도시된 바와 같이, 이송용 천공(11)들이 천공된 금속편은 전진하여 주변부 천공 단계(20)를 거치게 된다. 주변부 천공 단계(20)에서는 금속편(100)이 세 피치 전진하여 중앙에 정사각형의 영역이 형성되도록 주변을 대향하는 사다리꼴로 1차 천공하고, 다시 세 피치 전진하여 다시 대향하는 사다리꼴로 2차 천공하여 정사각형의 리플렉터 성형부(21)가 금속편(100)에 네 개의 브릿지(23)로 연결되도록 가공된다.
도 1, 도 3 및 도 4에서 도시된 바와 같이, 리플렉터 성형부(21)가 형성된 금속편(100)은 다시 전진하여 중심부 천공 단계(30)을 거치게 된다. 3 피치를 전진하여, 도 3에서 도시된 바와 같이, 먼저 중앙에 사각 기둥 돌기(31)가 돌출된 사각 기둥(32)이 형성된 상부 금형(33)을 하강시키고, 중앙에 사각 홀(34)이 형성된 하부 금형(35)을 상승시켜, 리플렉터 성형부(21)를 프레스 압착하여, 상하 홀의 지름이 상이한 다단 홀(36)을 형성한다. 다음, 3피치를 전진하여, 도 4에서 도시한 바와 같이, 리플렉터 성형부(21)의 하단에서 하단 돌출부(36')을 절단하여 상광 하협 형태의 사각 천공부(37)를 형성한다.
도 1 및 도 5에서 도시된 바와 같이, 사각 천공부(37)가 형성된 금속편(100)은 다시 전진하여 반사면 가공 단계(40)를 거치게 된다. 먼저 3피치를 전진하여, 도 5에서 도시된 바와 같이, 하부가 곡면처리된 상부 금형(43)을 하강시키고 중앙에 사각홀(44)이 형성된 하부 금형(45)을 상승시켜 압착하여 반사면을 곡면으로 성형한다. 한 번의 금형 압착으로 곡면 성형이 어려운 경우에는 다시 3피치를 전진하여, 원하는 곡면을 가진 천공부(38)가 형성될 때까지 반복된다.
도 6에서 도시된 바와 같이, 곡면을 가진 천공부(38)가 형성된 금속편(100)은 다시 전진하여 경계면 절취 단계(50)을 거치게 된다. 먼저 3피치를 전진하여, 도 6에서 도시된 바와 같이, 상부 절취 금형(53)과 하부 절취 금형(55)를 상하로 압착하여 도 7과 같은 얇은 테두리의 리플렉터 부재(200)을 얻게 된다.
도금 시험
동 또는 황동판에 Ni-P 하부 도금층을 형성하고, 상부에 Ag도금층을 형성하여 균일한 도금층이 형성되고 상호 확산층이 없는지를 확인하였다. 결과를 도 8에 나타내었다. 각 시편의 반사도를 측정하였다.
표 1. 각 시편의 반사율
Figure 112014092750563-pat00001

도금 성형
제조된 황동 리플렉터 부재에 Ni-P 하부 도금층을 형성하고, 상부에 Ag도금층을 형성하였다. 단면을 촬영하여 계면이 균일하고 상호 확산층이 없은 양호한 도금층이 형성된 것을 확인하였다. 결과를 도 9에 나타내었다. 도 10에서는 도금 전 황동을 이용해서 성형된 리플렉터 부재(좌)와 도금된 리플렉터(우)를 각각 촬영한 사진을 나타내었다.
성능 평가
제품 크기 평가
개발한 리플렉터의 크기는 접촉식 3차원 측정기(Carl Zeiss, Contura 7)를 이용하여 측정하였음. 이 측정기는 측정범위가 (X, Y, Z) 700x1000x600 mm, 정밀도(MPE_E) (2.0 + L/300)㎛, 스케일의 최소 분해 눈금 0.2㎛, 프로빙 에러(MPE_P) 2.0㎛이며, 금형, 정밀부품 등의 정밀측정에 사용되는 장비이며, 측정 결과 3.36x3.36mm, 1.24mm t로 측정되었다.
제품의 거칠기 평가
본 발명에서 개발한 제품의 표면 거칠기 평가는 Taylor Hobson사의 Taylsurf PGI 120으로 실시하였음. 이 측정기는 측정 길이 10mm, 이송길이 120mm, 정밀도 2% ±0.4nm, 분해능 12.8nm, 촉침 1.5~2.5 ㎛, 촉침 압력 70~100mgf (가변)이며, 최대 120,000 데이터 포인트 분석이 가능하고, 곡면의 조도측정 가능한 장비이며, 측정 결과 Ra가 0.0235 ㎛ 이하로 측정되었다.
제품의 광량 평가
본 실시예에서는 기존의 500만 화소 휴대폰 카메라에 장착되는 LED 리플렉터로, 그 성능이 110 LUX 기준으로 장착되고 있으나 800만 화소 이상 카메라의 고해상도 사진을 효과적으로 얻을 수 있도록 130 LUX 이상의 더욱 소형화된 LED 리플렉터의 개발을 목표로 하고 있으며, 측정방법은 발광 시간 0.5~1초, 측정거리 1m, 측정전압 4V, 1A, FOV 72(거리 87.7cm)의 조건으로 측정하였다. 표 중앙에서 130 LUX 이상, 0.7F에서 78 LUX 이상, 1.0F에서 39 LUX 이상으로 나타났다.
표 2. 리플렉터의 광량평가
Figure 112014092750563-pat00002

리플렉터의 신뢰성 평가
본 시험에서는 개발한 LED 리플렉터 제품의 품질 신뢰성 확보를 위해, 염수분무, 고온고습, RoHS 평가를 실시하였다.
염수분무 평가
본 발명에서 개발한 리플렉터는 주로 스마트폰에 장착하는 제품이므로, 그에 상응할 수 있는 신뢰성을 확보해야함. 따라서 염수분무 시험을 통해 제품의 내부식성을 평가하고자 하였음. 특히 적색부식이 발생하는 경우, 조도에 민감한 영향을 줄 수 있다. 시험기는 Weiss사의 SC 450이며, 시험 조건은 5%의 염용액을 이용하여, 챔버(35℃)내에서 pH농도 6.5~7.2%, 0.5~3ml/80cm2/hr로 분무하여 48시간 시험하였음. 도 11에 시험 전, 후의 제품 외관을 나타내었으며, 시험결과, 적색부식이 발생하지 않은 것으로 판별되었다.
고온 고습 평가
전자기기에 있어 고온고습 평가는 필수항목이며 리플렉터의 경우, 도금의 산화로 인한 변색으로 조도에 영향을 줄 수 있으므로 이를 측정하였다. 고온고습 평가 중 가혹한 조건 중에 하나인 85, 85%RH에서 120시간 방치하여 평가하였다. 시험기는 Weiss사의 C-180/40이며, 특이사항이 없는 것으로 판단되어 본 개발품이 고온고습 분위기에서 우수한 내산화성을 가짐을 알 수 있었다. 결과를 도 12에 나타내었다.
RoHS 평가
EU는 2006년 7월부터 모든 전기, 전자제품에 납(Pb), 수은(Hg), 카드뮴(Cd), 6가 크롬(Cr6 +)과 같은 중금속 4개 원소와 2종의 브롬계 난연제인 PBB (polybrominated-biphenyl)와 PBDE(polybrominated diphenyls ethers) 물질에 대해 사용을 금지하는 특정 유해물질 사용제한 지침(Restriction of Hazardous Substances Directive, RoHS)을 발효하였으며, 이들 물질은 무게기준으로 0.1% 또는 1000ppm 미만으로 함유되어 있어야 하며, 카드뮴은 0.01% 또는 100ppm 미만으로 함유되어 있어야 하며, 이들 물질의 함량을 표기해야 함. RoHS는 세계 각국에서도 자국의 법률로 제정된 상황이어서, 함유량을 초과하거나 표시를 하지 않을 경우, 실질적으로 수출 및 내수가 불가능한 실정임. 따라서 본 발며에서는 이들 물질의 함유상태를 조사하였음. 그 결과 납, 수은, 카드뮴, 6가크롬과 PBB, PBDE 모두 기준치 이하로 검출되어 RoHS의 규정을 통과하였다.

Claims (13)

  1. 금속을 이용하여 단조 성형된 LED 리플렉터 부재; 및 상기 LED리플렉터 부재의 표면에 형성된 도금층을 포함하는 LED 리플렉터에 있어서,
    상기 LED 리플렉터 부재는 정사각형의 넓이와 소정의 높이로 이루어진 직육면체 외관과, 상하 천공부가 정사각형이면서, 내부 경사면이 곡면을 이루는 천공부를 가지며,
    상기 정사각형의 넓이는 3.5x3.5mm2이하이며,
    표면의 거칠기는 0.025 마이크로미터 이하이며,
    황동으로 이루어지며,
    상기 도금층은 Ni-P로 이루어진 하부 도금층과, Ag 상부 도금층이 형성되며,
    상기 리플렉터는 130 Lux 이상의 반사 광량을 가지는 것을 특징으로 하는 고휘도 LED 모듈용 리플렉터.
  2. 삭제
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  7. 리플렉터 부재를 단조 가공하는 단계; 및 상기 단조 가공된 리플렉터 부재를 도금하는 단계를 포함하고 LED 리플렉터 제조 방법에 있어서,
    상기 단조 가공은 금속 편에 이송용 피치 구멍을 천공하고, 여러 개씩 한꺼번에 가공되도록 복수의 피치 간격으로 이송하는 단계;
    길게 연장된 금속편을 이송시키면서 리플렉터 성형부의 주변부를 천공하는 주변부 천공단계,
    여기서, 주변부 천공 단계는 중앙에 정사각형 영역이 형성되도록 주변을 대향하는 사다리꼴로 천공하여, 리플렉터 성형부가 4개의 브릿지로 금속편에 연결되도록 천공하며;
    리플렉터 성형부의 중심부를 상광하협 형태로 천공하는 중심부 천공단계,
    여기서, 상기 중심부는 중앙에 사각 기둥 돌기가 돌출된 사각 기둥이 형성된 상부금형을 하강시키고, 중앙에 사각홀이 형성된 하부 금형을 상승시켜 지름이 상이한 다단홀을 형성하고, 하단 돌출부를 절단하여 상광하협 형태의 사각 천공부를 형성하며;
    천공된 반사면을 가공하는 반사면 가공단계,
    여기서, 반사면 가공단계는 하부가 곡면처리된 상부 금형을 하강시키고, 중앙에 사각홀이 형성된 하부금형을 상승시켜 반사면을 곡면으로 성형하며;
    경계면 절취단계,
    여기서, 상부 절취 금형과 하부 절취 금형을 상하로 압착하여 얇은 테두리의 리플렉터 부재를 얻으며;
    를 포함하여 이루어지는 고휘도 LED 모듈용 리플렉터 제조 방법.
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  12. 제7항에 있어서, 리플렉터 부재의 도금은 하부 도금층은 1~5 마이크로미터, 표면 도금층은 5~10 마이크로미터의 두께로 이루어지는 것을 특징으로 하는 LED 리플렉터 제조 방법.
  13. 제1항에 따른 LED 리플렉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101132353B1 (ko) * 2011-11-08 2012-04-05 대린전자(주) 카메라 리플렉터 제조장치 및 방법, 이를 통해 형성된 카메라 리플렉터
KR101444919B1 (ko) * 2014-05-22 2014-09-26 (주)네오빛 Led 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법

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