KR101444919B1 - Led 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법 - Google Patents

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강백원
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Abstract

LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법이 개시된다. 개시된 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법은, 기판 위에 실장된 LED칩의 광을 외부로 반사시키는 금속재 리플렉터 제조방법에 있어서, (a) 금속 플레이트를 준비하는 단계와; (b) 하부바디와, 상기 하부바디 상부에 연장되며 상기 하부바디와 일체로 형성된 상부바디로 이루어지되, 상기 상부바디 및 상기 하부바디의 중앙에는 LED칩의 광을 외부로 반사되도록 일정 각도로 경사진 반사면이 형성되며, 상기 반사면의 하부는 상기 LED칩이 외부에 노출되도록 개구부가 형성되고, 상기 하부바디가 상기 LED칩이 장착되는 기판에 고정되도록 고정부가 형성되게 스템핑 가공하여 스템핑 리플렉터를 가공하는 단계와; (c) 상기 반사면 또는 스템핑 리플렉터의 표면에 Ni 도금 및 Ag 도금을 순차적으로 실시하는 단계와; 상기 스템핑 가공은, (b-1) 상기 스템핑 가공의 각 공정 진행을 위한 기초 홀을 상기 금속 플레이트의 길이 방향으로 상기 금속 플레이트의 상하 가장자리에 형성하는 피어싱 단계와; (b-2) 상기 기초 홀 사이의 상기 금속 플레이트에 상기 반사면을 형성시키는 드로잉 단계와; (b-3) 상기 금속 플레이트에서 스크랩을 제거하는 제1 노칭 단계와; (b-4) 상기 고정부를 형성시키는 하프 에칭 단계와; (b-5) 상기 개구부를 형성시키는 제2노칭 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.

Description

LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING METALLIC REFLECTOR FOR LED PACKAGE}
본 발명은 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제조 공정이 매우 단순하고, 제조비용이 저렴한 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 LED(Light Emitting Diode: 발광 다이오드)는 전류 인가에 의해 P-N 반도체 접합(P-N junction)에서 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 소자로서, LED는 저전압, 저 전류로 연속 발광이 가능하고 소비전력이 작은 이점 등 기존의 광원에 비해 많은 이점이 있다.
이러한 LED는 통상 패키지 구조로 제조되며, 도 1에 도시된 바와 같이, 제조된 LED 패키지(1)는, 제1,2리드프레임(12,13)과, 이 제1,2리드프레임(12,13)과 일체로 성형된 패키지 몸체(11)를 포함하여 구성된다.
또한 상기 패키지 몸체(11)는 제1,2리드프레임(12, 13)을 노출시키는 개구부(15)를 가지며, LED칩(14)이 개구부(15)의 바닥면에 실장된다. 상기 개구부(15)의 내부에는 상기 LED칩(14)을 밀폐하기 위한 봉지재(16)가 채워진다.
그리고 상기 LED칩(14)은 상기 제1리드프레임(12)상에 도전성 접착제에 의해 부착되며, 본딩와이어(W)를 통해 제2리드프레임(13)에 접속된다. 상기 개구부(15)의 내벽(111)은 LED칩(14)에서 방출된 빛이 외부로 반사되도록 일정한 경사면을 갖는다.
그러나, 상기 개구부(15)의 내벽(111)은 그 재질이 PPA 등과 같은 합성수지로 이루어졌기 때문에 LED칩(14)에서 발생된 빛과 열에 의해 변색됨에 따라, 반사율이 저하되어 원하는 광효율을 얻기 어려웠다.
상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여, LED칩을 둘러싸는 금속재 리플렉터(metallic reflector)를 기판상에 장착함으로써, LED칩에서 발생된 빛과 열에 의한 변색 및 반사율을 개선한 'LED 패키지'가 대한민국 공개특허 제10-2009-0103292호에 개시되어 있다.
상기한 개선 'LED 패키지'의 평면도가 도 2에 도시되어 있고, 도 3에는 도 2의 I-I를 따라 절개하여 나타내 보인 단면도가 도시되어 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, LED 패키지(2)는 기판(21)을 포함하되, 이 기판(21)은 한 쌍의 전극패턴(22,23)이 형성되고, 기판(21)의 상면에 LED칩(24)이 실장된다.
또한 상기 LED칩(24)은 본딩와이어(W)를 통해 타측 전극패턴(23)에 접속되고, 한 쌍의 전극패턴(22,23)에 전기적으로 연결된다.
그리고 상기 기판(21) 상에 예컨대, 접착제에 의해 접착되는 리플렉터(28)는 링 형태로 금속재로 이루어진다.
이러한 리플렉터(28)의 저면은 한 쌍의 전극패턴(22,23)에 절연성 접착제(미도시)에 의해 접착될 수 있고, 리플렉터(28)의 내벽(281)은 LED칩(24)에서 방출된 빛을 외부로 반사시키기 위한 일정한 경사면을 갖는다.
그리고 상기 내벽(281)에는 금속으로 코팅된 반사층(282)이 형성되고, 이 반사층(282)은 예컨대, 알루미늄 증착에 의해 형성된다.
또한 상기 리플렉터(28)의 내부에는 투광성 수지, 예컨대 실리콘 수지, 에폭시 수지로 된 봉지재(26)가 채워져 기판(21)에 실장된 LED칩(24) 상부를 밀폐한다.
상기와 같이 구성된 LED 패키지에 적용된 금속재의 리플렉터(28)는, 수지로 된 기존의 리플렉터에 비해 LED칩(24)에서 발생된 빛과 열에 의한 변색 및 반사율이 개선되었다.
그런데, 상기 금속재 리플렉터(28)의 반사층(282)은 알루미늄 증착에 의해 형성되는데, 이 알루미늄 증착이 금속재 표면에 바로 이루어져, 반사층(282)에 들뜸 현상이 생겨, 결국 반사층(282)의 반사 성능이 떨어뜨리고, 제품 성능을 떨어뜨리게 된다.
또한 기존의 리플렉터(28)가 기판(21)상에 절연성 접착제에 의해 접착되는 경우, 리플렉터(28)는 기판(21)에 접착되는 면적이 작기 때문에 접착력이 떨어져, LED 패키지의 내구성을 떨어뜨렸다.
그리고 상기 리플레터(28)가 나사 결합되는 경우에는, 리플렉터(28)의 크기가 작기 때문에 리플렉터(28)와 기판(21)에 나사 가공과 나사 결합이 용이하지 않는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 리플렉터를 수지 몰딩재로 몰딩하여 리플렉터를 고정한 '몰딩형 LED 패키지'의 일 실시예가 도 4에 도시되어 있다.
도 4를 참조하면, 몰딩형 LED 패키지(1a)는, 예컨대, PPA수지를 몰딩하여 형성된 하우징(10)과, 다수개의 리드로 이루어진 리드프레임(22a,24a)과, LED칩(미도시)이 수용되는 캐비티(12) 공간을 에폭시, 실리콘, 또는 이들의 혼합제로 채워 LED칩을 보호하는 투광성의 봉지재(30)와, 금속재로 형성되고 반사부(42)와 방열부(44)가 일체로 된 리플렉터(40)를 포함하여 구성된다.
상기와 같이 구성된 몰딩형 LED 패키지(1)에 방열부(44)를 갖는 금속재의 리플렉터(40)를 구비함으로써, 방열 문제를 해결하는 동시에 리플렉터(40)를 리드프레임(22a,24a)상에 고정할 수 있게 되었다.
하지만, 상기 리플렉터(40) 전체가 하우징(10)과 봉지재(30)로 밀봉되어 있기 때문에 여전히 LED칩의 열을 외부로 방출시키기에는 무리가 있어, LED 패키지(1)의 성능, 수명 및 신뢰성 저하가 야기된다.
그리고 상기 반사부(42)의 반사면에 형성된 도금층도 상기한 고열에 의해 상기한 들뜸 현상이 생길 수도 있다.
또한 상기한 금속재의 리플렉터(28,40)는, 다이캐스팅 성형에 의해 제조되었다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 우선, 상기 리플렉터(28,40) 재료가 되는 예컨대, Zn 재료를 준비하고, 준비된 재료를 용해로에서 녹인다.
그런 후, 용해된 재료를 다이캐스팅 금형(die) 내에 고압으로 밀어 넣은 후, 성형이 완료되면, 다이캐스팅 금형으로부터 리플렉터 성형품을 뽑아낸 후, 트리밍(trimming) 공정을 수행하여 완료된다.
이렇게 다이캐스팅 성형된 리플렉터 성형품 전체 또는 상기 리플렉터(28)의 내벽(281) 및 반사부(42)에 도금을 실시하는데, 도금 공정은 다음과 같은 순서로 실시한다.
우선, 상기와 같이 기존 다이캐스팅 성형된 리플렉터 성형품에 묻은 이물질이나 기름을 제거하고, 바렐 연마 및 화학 연마, 그리고 Ag 도금을 순차적으로 실시하고, 산화방지 처리를 한다.
상기와 같은 기존 금속재의 리플렉터(28,40)의 다이캐스팅 성형은 복잡한 형상의 제품을 생산할 수 있는 장점이 있다.
하지만, 다이캐스팅 성형은 금속 용융물을 준비해야 하기 때문에 고가의 설비비가 소요되고, 다이캐스팅 금형 제작비가 고가인 문제점도 있다.
그리고 다이캐스팅 성형은 Mg, Zn, 또는 Al 등 용융점이 낮은 특정한 금속만이 적용될 수 있어, 금속재 리플렉터를 제조하는 데 있어 금속 종류가 한정된다.
또한 다이캐스팅 성형 때문에, 금속 용융, 다이캐스팅 성형, 트리밍 등 제조 공정이 어렵고, 다이캐스팅 성형 후에는 바렐 연마 및 화학 연마 공정을 반드시 수행해야 한다.
그리고 종래의 리플렉터가 다이캐스팅 성형에 의해 제조되었기 때문에, 용융점이 낮은 Zn 같은 비철금속으로 밖에 제조할 수 없기 때문에 재료비가 고가이며, 대량생산품에만 적용될 수밖에 없으며, 도금 같은 후가공이 용이하지 않은 문제점이 있다.
또한 다이캐스팅 성형된 상태로 제품이 사용되기 때문에 금속 내부 조직이 취약하여, 고열이나 외부 충격에 취약한 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 제조 공정이 매우 단순하고, 제조비용을 낮출 수 있도록 한 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
삭제
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법은, 기판 위에 실장된 LED칩 주변을 일정 높이로 둘러싸되, 상기 LED칩의 광을 외부로 반사하도록 일정 각도로 경사된 반사면이 형성된 금속재 리플렉터 제조방법에 있어서, (a) 일정 폭, 길이 및 두께를 가진 금속 플레이트를 준비하는 단계와; (b) 하부바디와, 상기 하부바디 상부에 연장되며 상기 하부바디와 일체로 형성된 상부바디로 이루어지되, 상기 상부바디 및 상기 하부바디의 중앙에는 LED칩의 광을 외부로 반사되도록 일정 각도로 경사진 반사면이 형성되며, 상기 반사면의 하부는 상기 LED칩이 외부에 노출되도록 개구부가 형성되고, 상기 하부바디가 상기 LED칩이 장착되는 기판에 고정되도록 고정부가 형성되게 스템핑 가공하여 스템핑 리플렉터를 가공하는 단계와; (c) 상기 반사면 또는 스템핑 리플렉터의 표면에 Ni 도금 및 Ag 도금을 순차적으로 실시하는 단계와;
상기 스템핑 가공은, (b-1) 상기 스템핑 가공의 각 공정 진행을 위한 기초 홀을 상기 금속 플레이트의 길이 방향으로 상기 금속 플레이트의 상하 가장자리에 형성하는 피어싱 단계와; (b-2) 상기 기초 홀 사이의 상기 금속 플레이트에 상기 반사면을 형성시키는 드로잉 단계와; (b-3) 상기 금속 플레이트에서 스크랩을 제거하는 제1 노칭 단계와; (b-4) 상기 고정부를 형성시키는 하프 에칭 단계와; (b-5) 상기 개구부를 형성시키는 제2노칭 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 금속재 리플렉터를 기판상에 고정할 수 있는 고정부가 리플렉터에 구비되어 있어, LED 패키지의 성능 및 내구성을 향상시킬 수 있다.
그리고 다층의 도금이 금속재 리플렉터 표면 또는 반사면에 실시되므로 도금층의 들뜸 현상을 방지할 수 있어, 리플렉터의 반사 성능을 유지할 수 있다.
또한 금속재 리플렉터를 스템핑 가공으로 제조할 수 있어, 다이캐스팅 성형시 준비해야 하는 금속 용융물을 필요 없어 고가의 설비와 다이캐스팅 금형이 필요 없다.
그리고 금속재 리플렉터를 스템핑 가공에 의해 제조되기 때문에, 금속 소재를 다양하게 선정하여 제조할 수 있고, 제조 공정이 매우 단순하며, 도금 등의 후가공이 매우 용이하게 실시할 수 있다.
따라서 금속재 리플렉터의 제조비용이 현저하게 낮출 수 있다.
또한 스템핑 가공을 하기 때문에 금속 내부 조직이 가공 중 개선되며, 고열이나 외부 충격에 강하다.
따라서 LED 패키지의 성능, 수명 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 기술에 따른 LED 패키지의 단면도.
도 2는 도 1의 종래의 기술을 개선한 기존의 LED 패키지의 평면도.
도 3은 도 2의 I-I선을 따라 절개하여 나타내 보인 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터의 정면 사시도.
도 6은 도 5의 정면도.
도 7은 도 5의 배면 사시도.
도 8은 도 5의 금속재 리플렉터가 적용된 LED 패키지의 일 실시예를 나타내 보인 단면도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속재 리플렉터의 정면 사시도.
도 10은 도 11의 배면 사시도.
도 11은 도 9의 금속재 리플렉터가 적용된 LED 패키지의 일 실시예를 나타내 보인 단면도.
도 12는 본 발명에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법을 순차적으로 나타내 보인 개략적인 순서도.
도 13은 본 발명에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터가 성형되는 금속 플레이트의 평면도.
도 14 내지 도 17은 도 13의 금속 플레이트에서 스템핑 가공을 나타내 보인 가공 공정도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 5에는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터의 정면 사시도가 도시되어 있으며, 도 6에는 도 5의 정면도가 도시되어 있고, 도 7에는 도 5의 배면 사시도가 도시되어 있다.
또한 도 8에는 도 5의 금속재 리플렉터가 적용된 LED 패키지의 일 실시예를 나타내 보인 단면도가 도시되어 있다.
설명에 앞서, 일반적인 LED 패키지의 구성은 전술한 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 것을 참조하기로 하고, 여기서는 본 발명의 특징적인 구성만을 상술하기로 한다.
도 5 내지 도 8을 각각 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터(130)는, 기판(110)상에 장착되어 기판(110) 위에 실장된 LED칩(120) 주변을 일정 높이로 둘러싸되, LED칩(120)의 광을 외부로 반사하도록 일정 각도로 경사된 반사면이 형성된다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명에 따른 금속재의 리플렉터(130)는, 저면이 기판(110)상에 접착되는 하부바디(134)와, 이 하부바디(134)의 상부에 연장 형성되되, 사방으로 돌출된 걸림턱(132a)이 형성된 상부바디(132)와, 이 상부바디(132) 가장자리 중 양측에 대향되며 형성되되, 하단부에는 안쪽으로 돌출된 후크부(hook part)(133a)가 형성되어 리플렉터(130)가 기판(110)상에 고정되도록 하는 걸림부(133)를 포함하여 구성된다.
또한 상기 걸림턱(132a) 하부의 하부바디(134)는 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 하부로 갈수록 그 폭이 좁아진 테이퍼(134a,134b)가 형성되어 있다.
따라서, 도 5 및 도 8에 도시된 바와 같이, 걸림턱(132a) 아래의 하부바디(134)의 테이퍼(134a,134b) 바깥쪽과 걸림부(133) 안쪽 사이(S)가 수지 몰딩재에 의해 몰딩이 됨으로써, 기판(110) 위에 금속재 리플렉터(130)가 단단히 고정된다.
그리고 상기 걸림부(133)에는 후크부(133a)가 형성되어 있기 때문에 금속재의 리플렉터(130)가 더욱더 단단하게 고정될 수 있다.
또한 상기 상부바디(132) 및 걸림부(133) 바깥쪽은 모두 노출되어 있기 때문에 몰당재에 매립되지 않기 때문에 LED칩(120)의 방열 문제도 해결된다.
그리고 상기 하부바디(134)와 상부바디(132) 내면에는, 기판(110)상의 LED칩(120)이 금속재 리플렉터(130) 외부로 노출되도록 관통공(160)이 형성되어 있으며, 이 관통공(160)의 내주면에는 반사면이 형성되어 있다.
이러한 반사면은 실질적으로 사각형 형태의 4개의 메인 반사면(131a,131b)과, 이 메인 반사면(131a,131b)의 각 모서리에 구비되되, 메인 반사면(131a,131b)보다 작은 면적으로 구비된 서브 반사면(131c)으로 이루어진다.
그리고 상기 메인 반사면(131a,131b) 중 서로 마주보는 2개의 반사면은 경사각도가 일정 높이에서 커지며 형성된 경사각 확대면(131b)으로 형성된다.
이와 같은 경사각 확대면(131b)은 스템핑 가공상, 걸림부(133)와 직교되는 면에 형성된 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이, 반사면 중, 메인 반사면(131a,131b) 사이마다 서브 반사면(131c)이 형성되어 있기 때문에 기존에 직각 모서리 형성으로 인한 반사면 사각지대(死角地帶)가 없어져, LED칩(120)의 반사 효율을 높일 수 있다.
또한 상기한 반사면 중 전후 또는 좌우 중 일측 메인 반사면(131a,131b)에 경사각 확대면(131b)을 형성하여, 예컨대, LED칩(120)의 형태(직사각형)나 실장 위치가 변경되는 경우, 메인 반사면(131a,131b)이 동일 폭으로 형성된 경우에 대처할 수 있다.
따라서, LED칩(120)의 형태나 실장 위치에 따라 대처할 수 있어, 반사 효율을 떨어뜨리지 않게 할 수 있다.
한편, 도 8에서 설명하지 않은 도면부호 150a 및 150b는 단자 리드를 나타내 보인 것이다.
그리고 상기한 LED칩(120)이 와이어본딩을 하는 경우에는 반사면 내의 빈 공간(또는 관통공(160))에 기존의 봉지재(미도시)가 채워진다.
도 9에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속재 리플렉터의 정면 사시도가 도시되어 있고, 도 10에는 도 9의 배면 사시도가 도시되어 있으며, 도 11에는 도 9의 금속재 리플렉터가 적용된 LED 패키지의 일 실시예를 나타내 보인 단면도가 도시되어 있다.
도 9 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속재 리플렉터(300)는, 상부바디(301)와, 이 상부바디(301)의 하부로 연장되며 상부바디(301)와 일체로 성형된 하부바디(302)를 포함하여 구성된다.
그리고 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 상부바디(301) 및 하부바디(302)의 중앙에는 소정 각도로 경사진 반사면(303)이 형성된 제1개구(303a)가 형성되어 있어, 상기 반사면(303)을 통해 기판(304) 위에 실장(또는 장착)된 LED칩(120)의 빛이 금속재 리플렉터(300) 외부로 반사된다.
특히, 상기 하부바디(302)의 하단부 내에는 제2개구(304)가 형성되어 있어, 상기 하부바디(302)는 기판(311)의 삽입홈(311a)에 삽입 고정된다. 즉, 도 5의 일 실시예 따른 금속재 리플렉터(130)나 도 9의 다른 실시예에 따른 금속재 리플렉터(300)의 하부바디(134,302)는 기판(110,304)에 고정되는 고정부 역할을 한다.
따라서 본 발명에 따른 금속재 리플렉터(130,300)는 기판(110,304)에 고정되기 때문에 기존의 나사 결합이나 접착제에 의한 접착보다 결합력이 떨어지지 않고, 조립 작업이 쉬우며, 금속재 리플렉터(130,300)의 구조가 보강된다.
더욱이 본 발명에 따른 금속재 리플렉터의 상기와 같은 하부바디의 고정 구조 때문에 상부바디 외부면 대부분은 대기 중에 노출시킬 수 있으며, 전술한 도 4와 같이 리플렉터(40) 전체가 하우징(10)과 봉지재(30)로 밀봉되지 않아도 된다.
따라서 LED칩(120)의 열을 외부로 방출시키는데 유리하며, LED 패키지(100)의 성능, 수명 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법을 설명한다.
도 12에는 본 발명에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법을 순차적으로 나타내 보인 개략적인 순서도가 도시되어 있다.
도면을 다시 참조하면, 본 발명에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법은, 우선, 도 13에 도시된 바와 같이, 일정 폭과 길이, 그리고 두께를 가진 금속 플레이트(예를 들어, Cu 플레이트)(200)를 준비한다.(단계 410)
이어서, 도 5 또는 도 9와 같은 금속재 리플렉터(130)를 스템핑 가공하여 성형한다.(단계 420)
즉, 하부바디(134,302)와, 이 하부바디(134,302) 상부에 연장되며 하부바디(134,302)와 일체로 형성된 상부바디(132,301)로 이루어지되, 상기 상부바디(132,301) 및 하부바디(134,302)의 중앙에는 LED칩(120)의 광을 외부로 반사되도록 일정 각도로 경사진 반사면(131a,131c,303)이 형성되며, 이 반사면(131a,131c,303)의 하부는 LED칩(120)이 외부에 노출되도록 개구부(160,303a)가 형성되고, 하부바디(134,302)가 LED칩(120)이 장착되는 기판(110,304)에 고정되도록 고정부가 형성된 리플렉터 성형품(130a)을 스템핑 가공한다.
이어서, 상기 반사면(131a,131c,303) 또는 리플렉터 성형품(130a)의 표면에 Ni 도금을 하며, 그리고 Ni 도금층 위에 Ag 도금을 순차적으로 실시한다.(단계 430)
한편, 상기한 Ni 도금 실시 전에 상기 반사면(131a,131c,303) 또는 리플렉터 성형품(130a) 표면에 도금의 신뢰성을 위해 짧은 시간 내에 박막(1~2㎛)으로 Cu 스트라이크 도금을 할 수도 있다.
따라서, 본 발명에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터(130,300)는 적어도 두 번에 걸쳐 도금되므로, 반사면(131a,131c,303) 또는 리플렉터 성형품(130a)의 표면 도금층의 들뜸 현상을 방지할 수 있다.
또한 상기와 같이 도금된 리플렉터 성형품(130a)의 표면에 산화 또는 변색 방지 처리를 한다.(단계 440)
한편, 기존 금속재 리플렉터의 경우에는 전술한 바와 같이, 다이캐스팅 성형으로 이루어졌기 때문에, 다이캐스팅 성형 후에 트리밍 공정을 실시하여야 했다.
따라서, 트리밍 공정이 필요 없는 본 발명에 따른 금속재 리플렉터(130)의 제조공정은 기존에 비해 단순하다.
그리고 상기 금속 플레이트(200)는 Cu 플레이트 이외에도 Zn 또는 Al 플레이트를 사용할 수 있다.
그러나, 상기 금속 플레이트(200)는 상기한 소재로 한정되지 않고, Fe, Al 또는 Au를 포함할 수 있다.
다른 한편으로, 상기한 단계 420의 스템핑 가공을 보다 상세하게 설명한다. 여기에서는 도 5의 일 실시예에 따른 금속재 리플렉터를 예를 들어 설명하기로 한다.
우선, 도 13과 같이, 스템핑 가공의 각 공정 진행을 위한 기초 홀(201)을 스템핑 금형의 피어싱 펀치(미도시)를 이용하여, 금속 플레이트(200)의 길이 방향으로 금속 플레이트의 상하 가장자리에 형성하는 피어싱(piercing)을 실시한다.(단계 420a)
이어서, 도 14에 도시된 바와 같이, 스템핑 금형의 드로잉 펀치(301b)를 이용하여, 상기 기초 홀(201) 사이의 금속 플레이트(200)에 반사면(131a,131c)을 형성시키는 드로잉을 실시한다.(단계 420b)
상기 420b 단계에서 상기 하부바디(134)와 상부바디(132)의 외부에는 하부바디(134)와 상부바디(132)를 구분하는 단차부(132a)가 형성된다.
그리고 스템핑 금형의 제1 노칭 펀치(미도시)를 이용하여, 상기 금속 플레이트에서 스크랩을 제거하는 제1 노칭(notching)을 실시한다.(단계 420c)
또한, 도 15에 도시된 바와 같이, 스템핑 금형의 하프 에칭 펀치(302b)를 이용하여, 상기 하부바디(134)와 같은 고정부 또는 걸림부(133)를 형성시키는 하프 에칭(half etching)을 실시한다.(단계 420d)
이어서, 도 16에 도시된 바와 같이, 스템핑 금형의 제2 노칭 펀치(303b)를 이용하여, 상기 개구부(160)를 형성시키는 제2 노칭을 실시한다.(단계 420e)
그리고 상기와 같은 스템핑 가공 중, 리플렉터 성형품(130a)에 기판(110)에 고정되도록 하는 걸림부(133)가 형성되는 경우, 도 17에 도시된 바와 같이, 스템핑 금형의 벤딩 펀치(350b)를 이용하여, 걸림부(133)를 형성시키는 밴딩을 실시한다.
그리고 상기 420e 단계 이후에, 도 18에 도시된 바와 같이, 스템핑 금형의 커팅 펀치(306b)를 이용하여, 리플렉터 성형품(130a)에서 불필요한 부분을 제거시키거나, 또는 금속 플레이트(200)에서 리플렉터 성형품(130a)만을 탈락시키는 커팅을 실시한다.(단계 420f)
또한 상기 단계 430에서, 상기 Ni 도금 및 Ag 도금은, 랙 도금 및 바렐 도금 중 어느 하나로 이루어진다. 즉, 본 발명에 따른 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법에서 실시되는 도금은, 도 13과 같은 리플렉터 성형품(130a)이 성형된 금속 플레이트(200) 자체를 도금하는 랙 도금을 할 수도 있고, 도 19와 같은 커팅 단계 후 리플렉터 성형품만을 모아 도금하는 바렐 도금을 할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
100. LED 패키지
110,304. 기판
120. LED칩
130,300. 금속재 리플렉터
131a,131b. 메인 반사면
131c. 서브 반사면
132,301. 상부바디
132a. 걸림턱
133. 걸림부
134,302. 하부바디

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 기판 위에 실장된 LED칩 주변을 일정 높이로 둘러싸되, 상기 LED칩의 광을 외부로 반사하도록 일정 각도로 경사된 반사면이 형성된 금속재 리플렉터 제조방법에 있어서,
    (a) 일정 폭, 길이 및 두께를 가진 금속 플레이트를 준비하는 단계와;
    (b) 하부바디와, 상기 하부바디 상부에 연장되며 상기 하부바디와 일체로 형성된 상부바디로 이루어지되, 상기 상부바디 및 상기 하부바디의 중앙에는 LED칩의 광을 외부로 반사되도록 일정 각도로 경사진 반사면이 형성되며, 상기 반사면의 하부는 상기 LED칩이 외부에 노출되도록 개구부가 형성되고, 상기 하부바디가 상기 LED칩이 장착되는 기판에 고정되도록 고정부가 형성되게 스템핑 가공하여 스템핑 리플렉터를 가공하는 단계와;
    (c) 상기 반사면 또는 스템핑 리플렉터의 표면에 Ni 도금 및 Ag 도금을 순차적으로 실시하는 단계와;
    상기 스템핑 가공은,
    (b-1) 상기 스템핑 가공의 각 공정 진행을 위한 기초 홀을 상기 금속 플레이트의 길이 방향으로 상기 금속 플레이트의 상하 가장자리에 형성하는 피어싱 단계와;
    (b-2) 상기 기초 홀 사이의 상기 금속 플레이트에 상기 반사면을 형성시키는 드로잉 단계와;
    (b-3) 상기 금속 플레이트에서 스크랩을 제거하는 제1 노칭 단계와;
    (b-4) 상기 고정부를 형성시키는 하프 에칭 단계와;
    (b-5) 상기 개구부를 형성시키는 제2노칭 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 스템핑 가공 중, 상기 스템핑 리플렉터에 상기 기판에 고정되도록 하는 걸림부가 형성되는 경우,
    상기 걸림부를 형성시키는 밴딩 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 (b-2) 단계에서, 상기 하부바디와 상기 상부바디의 외부에는 상기 하부바디와 상기 상부바디를 구분하는 단차부가 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 (b-5) 단계 이후에, 상기 스템핑 리플렉터에서 불필요한 부분을 제거시키는 커팅 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 단계 (c)에서, 상기 Ni 도금 및 상기 Ag 도금은, 랙 도금 및 바렐 도금 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 금속 플레이트는 Cu 플레이트를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법.
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