KR101623464B1 - Light emitting device and lighting unit using the same - Google Patents
Light emitting device and lighting unit using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101623464B1 KR101623464B1 KR1020100033023A KR20100033023A KR101623464B1 KR 101623464 B1 KR101623464 B1 KR 101623464B1 KR 1020100033023 A KR1020100033023 A KR 1020100033023A KR 20100033023 A KR20100033023 A KR 20100033023A KR 101623464 B1 KR101623464 B1 KR 101623464B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin layer
- light emitting
- light
- phosphor
- matrix resin
- Prior art date
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 78
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- -1 sulfide Sulfide series Chemical class 0.000 abstract description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 12
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 8
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
실시 형태에 따른 발광 소자는 발광 칩; 및 상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름을 포함하며, 상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가지며, 형광체는 설파이드 (Sulfide) 계열의 물질을 포함하고, 상기 광학 필름은, 베이스 필름; 상기 베이스 필름 상에 배치되고, 3000cp 이상의 점도를 갖고, 상기 형광체를 포함하는 매트릭스 수지층; 상기 매트릭스 수지층 상에 배치되고, 상기 베이스 필름과 동일한 재질인 보호 필름; 및 상기 매트릭스 수지층과 상기 보호 필름 사이에 배치되고, 상기 보호 필름을 상기 매트릭스 수지층에 접착시키기 위한 보호수지층;을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting chip; And an optical film including at least one kind of phosphor excited by light emitted from the light emitting chip, wherein light passing through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85 to 100, and the phosphor is a sulfide Sulfide series material, wherein the optical film comprises: a base film; A matrix resin layer disposed on the base film and having a viscosity of 3000 cp or more and including the phosphor; A protective film disposed on the matrix resin layer and made of the same material as the base film; And a protective resin layer disposed between the matrix resin layer and the protective film and for adhering the protective film to the matrix resin layer.
Description
실시 형태는 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛에 관한 것이다.The embodiments relate to a light emitting device and a light unit using the same.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 디스플레이 장치, 전광판, 가로등 등의 라이트 유닛의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Therefore, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source of a light unit such as a lamp, a display device, a display board, a streetlight,
한편, 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 파장을 변화시켜 원하는 파장의 빛을 방출시키기 위한 많은 연구가 진행되고 있다.On the other hand, much research has been conducted to change the wavelength of light emitted from the light emitting diode to emit light of a desired wavelength.
실시 형태는 연색 지수가 향상된 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device having improved color rendering index and a light unit using the same.
실시 형태는 간단한 구조를 갖는 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device having a simple structure and a light unit using the same.
실시 형태에 따른 발광 소자는 발광 칩; 및 상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름을 포함하며, 상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가지며, 형광체는 설파이드 (Sulfide) 계열의 물질을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting chip; And an optical film including at least one kind of phosphor excited by light emitted from the light emitting chip, wherein light passing through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85 to 100, and the phosphor is a sulfide Sulfide series materials.
실시 형태에 따른 라이트 유닛은 발광 칩; 상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름; 및 상기 광학 필름을 통과한 빛을 확산시키는 광확산부를 포함하며, 상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가진다.A light unit according to an embodiment includes a light emitting chip; An optical film including at least one kind of phosphor excited by light emitted from the light emitting chip; And a light diffusing unit for diffusing light passing through the optical film, wherein the light passing through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85-100.
실시 형태는 연색 지수가 향상된 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공할 수 있다.Embodiments can provide a light emitting device with improved color rendering index and a light unit using the same.
실시 형태는 간단한 구조를 갖는 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공할 수 있다.Embodiments can provide a light emitting device having a simple structure and a light unit using the same.
도 1은 실시 형태에 따른 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 2는 실시 형태에 따른 광학 필름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 발광 칩의 색 온도에 따라 실시 형태에 따른 광학 필름 내에 포함되는 형광체의 종류 및 양을 나타내는 표이다.
도 4 내지 도 9는 실시 형태에 따른 광학 필름을 적용하는 경우 실시 형태에 따른 발광 소자의 연색지수(CRI) 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10은 실시 형태에 따른 광학 필름의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 형태에 따른 발광 소자를 포함하는 라이트 유닛을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a light emitting element according to an embodiment.
2 is a view showing an example of an optical film according to the embodiment.
3 is a table showing kinds and amounts of phosphors contained in the optical film according to the embodiment according to the color temperature of the light emitting chip.
FIGS. 4 to 9 are graphs showing changes in color rendering index (CRI) of the light emitting device according to the embodiment when the optical film according to the embodiment is applied.
10 is a view showing another example of the optical film according to the embodiment.
11 is a view showing a light unit including a light emitting element according to the embodiment.
실시 형태들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 형태에 따른 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment and a light unit using the same will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 실시 형태에 따른 발광 소자를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a light emitting element according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 상기 발광 소자는 발광 칩(100), 상기 발광 칩(100)에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름(1)을 포함할 수 있다.1, the light emitting device may include a
상기 발광 칩(100)은 예를 들어, 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)를 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 생성하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드일 수 있다.The light emitting diode may be, for example, a red, green, blue or white light emitting diode which generates red, green, blue or white light.
일반적으로, 발광 다이오드(LED)는 질화물 반도체층들 사이의 에너지 밴드 갭 차이에 따라 빛을 생성하는 반도체 소자이다. 그런데, 이러한 발광 다이오드는 에너지 밴드 갭 차이에 따른 소정의 파장대의 빛만을 생성하므로 연색지수(CRI : Color Rendering Index)가 낮아서 고 품질의 빛이 요구되는 환경에는 적용되기 힘든 문제점이 있다.2. Description of the Related Art Generally, a light emitting diode (LED) is a semiconductor device that generates light according to an energy bandgap difference between nitride semiconductor layers. However, since such a light emitting diode generates light of a predetermined wavelength range corresponding to a difference in energy band gap, it has a low color rendering index (CRI) and is difficult to apply to an environment requiring high quality light.
따라서, 실시 형태에서는 상기 발광 칩(100)에서 출사되는 빛이 상기 광학 필름(1)을 통과하도록 함으로써, 85 내지 100의 높은 연색 지수(CRI)를 확보한다. Therefore, in the embodiment, light emitted from the
즉, 상기 광학 필름(1)을 통과하는 빛은 상기 광학 필름(1) 내에 포함된 적어도 한 종류의 형광체를 여기시켜 여기광이 생성되며, 상기 여기광에 의해 상기 발광 칩(100)에서 출사된 빛의 연색 지수(CRI)가 향상될 수 있다.That is, light passing through the optical film (1) excites at least one kind of fluorescent substance contained in the optical film (1) to generate excitation light, and excitation light emitted from the light emitting chip The color rendering index (CRI) of light can be improved.
한편, 상기 광학 필름(1) 내에 포함되는 상기 형광체의 종류 및 양은 상기 발광 칩(100)에서 생성되는 빛의 색 온도(Color Temperature)에 따라 선택될 수 있다. Meanwhile, the type and amount of the phosphor included in the optical film (1) may be selected according to the color temperature of light generated in the light emitting chip (100).
이하, 상기 광학 필름(1)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the optical film (1) will be described in detail.
도 2는 상기 광학 필름(1)의 일례를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an example of the optical film (1).
도 2를 참조하면, 상기 광학 필름(1)은 베이스 필름(10), 상기 베이스 필름(10) 상에 매트릭스 수지층(20), 상기 매트릭스 수지층(20) 상에 보호수지층(30), 상기 보호수지층(30) 상에 보호 필름(40), 상기 보호 필름(40) 상에 접착부재(50) 및 상기 접착부재(50) 상에 이형 필름(60)을 포함할 수 있다. 2, the
상기 베이스 필름(10)은 양호한 광 투과성 및 내열성을 가지는 수지 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate : PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphthalate : PEN), 아크릴 수지, 폴리카보네이트(Polycarbonate : PC), 폴리스틸렌(Polystyrene : PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate : PMMA) 등으로 이루어진 군에서 선택적으로 형성될 수 있다. The
구체적으로는, 상기 베이스 필름(10)의 재질은 상기 광학 필름(1)의 용도에 따라 선택될 수 있는데, 예를 들어, 높은 광 투과성이 요구되는 경우에는 90% 이상의 광 투과율을 가지는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 사용할 수 있다. 또한 내열성, 내화학성이 요구되는 경우에는, 상기 베이스 필름(10)은 폴리카보네이트(Polycarbonate)로 형성될 수 있다. 다만, 상기 베이스 필름(10)의 재질에 대해 한정하지는 않는다.Specifically, the material of the
상기 베이스 필름(10)의 두께는 예를 들어, 10μm 내지 500μm 일 수 있으며, 바람직하게는 20μm 내지 30μm일 수 있다. 10μm 이하의 필름은 취급이 난해하고, 500μm 이상의 필름은 광 투과율이 떨어질 수 있기 때문이다. 다만, 이에 대해 한정하지는 않는다.The thickness of the
상기 베이스 필름(10) 상에는 상기 매트릭스 수지층(20)이 형성될 수 있다. The
상기 매트릭스 수지층(20)은 양호한 광 투과율, 점도, 경화 온도 등을 가지는 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 광학 필름(1)은 고온에서 빛을 방출하는 광원에 적용될 수 있으므로, 고온에서도 양호한 광 투과율과 점도 및 경도를 유지할 수 있어야 하기 때문이다.The
구체적으로는, 상기 매트릭스 수지층(20)은 85% 이상의 광 투과율을 가지며, 120℃ 이하에서 경화되며, 3000cp 이상의 점도를 가져 상기 베이스 필름(10)과의 접착성이 양호한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 매트릭스 수지층(20)은 수지 재질 및 실리콘 재질 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 실리콘 수지(Silicone Resin)로 형성될 수 있다. Specifically, the
상기 매트릭스 수지층(20)의 두께는 20μm 내지 500μm 일 수 있으며, 바람직하게는 30μm 내지 50μm 일 수 있다. 이러한 두께 범위의 상기 매트릭스 수지층(20)은, 후술할 형광체, 확산제, 소포제 등이 용이하게 혼합될 수 있고, 빛이 안정적으로 투과될 수 있으며, 상기 베이스 필름(10) 상에 용이하게 도포될 수 있다. The thickness of the
상기 매트릭스 수지층(20)은 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 예를 들어, 액상의 매트릭스 수지층(20)에 혼합되어 교반기를 이용하여 교반함으로써 상기 매트릭스 수지층(20) 내에 포함될 수 있다.The
상기 형광체는 상기 발광 칩(100)에 의해 방출되는 빛에 의해 여기되어 여기광을 방출하며, 예를 들어, 실리케이트(Silicate) 계열, 설파이드(Sulfide ; 황화물) 계열, YAG 계열 및 TAG 계열 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다.The phosphor is excited by the light emitted by the
상기 형광체는 상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛에 의해 여기되어 황색, 적색, 녹색 및 청색의 여기광을 방출하는 황색, 적색, 녹색 및 청색 형광체 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 상기 형광체의 종류에 대해 한정하지는 않는다.The phosphor may include at least one of yellow, red, green, and blue phosphors that are excited by light emitted from the
상기 형광체는 상기 광학 필름(1)이 적용되는 상기 발광 칩(100)의 색 온도(Color Temperature)에 따라 상이한 종류 및 양이 상기 매트릭스 수지층(20)에 포함될 수 있다. 상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛의 색 온도에 따라 상기 형광체의 여기광의 세기가 상이하게 결정되기 때문이다.Different types and amounts of the phosphor may be included in the
상기 형광체는 상기 발광 칩(100)의 연색지수(CRI)를 향상시킴으로써, 상기 발광 소자가 고 품질의 빛을 제공할 수 있도록 한다.The phosphor improves the CRI of the
도 3은 상기 발광 칩(100)의 색 온도에 따른 상기 광학 필름(1) 내에 포함되는 형광체의 종류 및 양을 나타내는 표이고, 도 4 내지 도 9는 상기 광학 필름(1)을 적용하는 경우 상기 발광 소자의 연색지수(CRI) 변화를 나타낸 그래프이다.3 is a table showing the types and amounts of phosphors contained in the
도 3, 도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 발광 칩(100)의 색 온도가 3000K인 경우, 상기 광학 필름(1)에는 상기 매트릭스 수지층(20) 100 중량부(wt%)에 대해 주 파장이 650nm인 적색(R) 형광체 30 내지 40 중량부 및 주 파장이 515nm인 녹색(G) 형광체 30 내지 40 중량부가 포함될 수 있다.3, 4 and 5, when the color temperature of the
상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛은 도 4에 도시된 바와 같이, 515nm 부근 및 650nm 부근의 빛의 세기가 상대적으로 낮으며 이에 따라 낮은 연색지수(CRI)를 가진다. 따라서, 상기 광학 필름(1) 내에 515nm 및 650nm의 주 파장을 가지는 상기 적색(R) 및 녹색(G) 형광체를 포함함으로써 상기 발광 소자가 도 5와 같이 대략 92의 연색지수(CRI)를 가지도록 할 수 있다. As shown in FIG. 4, the light emitted from the
도 3, 도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 발광 칩(100)의 색 온도가 4000K인 경우, 상기 광학 필름(1)에는 상기 매트릭스 수지층(20) 100 중량부(wt%)에 대해 주 파장이 650nm인 적색(R) 형광체 15 내지 25 중량부 및 주 파장이 515nm인 녹색(G) 형광체 15 내지 25 중량부가 포함될 수 있다.3, 6, and 7, when the color temperature of the
상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛은 도 6에 도시된 바와 같이, 515nm 부근 및 650nm 부근의 빛의 세기가 상대적으로 낮으며 이에 따라 낮은 연색지수(CRI)를 가진다. 따라서, 상기 광학 필름(1) 내에 515nm 및 650nm의 주 파장을 가지는 상기 적색(R) 및 녹색(G) 형광체를 포함함으로써 상기 발광 소자가 도 7과 같이 대략 90의 연색지수(CRI)를 가지도록 할 수 있다.As shown in FIG. 6, light emitted from the
도 3, 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 발광 칩(100)의 색 온도가 5000K인 경우, 상기 광학 필름(1)에는 상기 매트릭스 수지층(20) 100 중량부(wt%)에 대해 주 파장이 650nm인 적색(R) 형광체 5 내지 15 중량부 및 주 파장이 515nm인 녹색(G) 형광체 8 내지 18 중량부가 포함될 수 있다.3, 8, and 9, when the color temperature of the
상기 발광 칩(100)에서 방출되는 빛은 도 8에 도시된 바와 같이, 515nm 부근 및 650nm 부근의 빛의 세기가 상대적으로 낮으며 이에 따라 낮은 연색지수(CRI)를 가진다. 따라서, 상기 광학 필름(1) 내에 515nm 및 650nm의 주 파장을 가지는 상기 적색(R) 및 녹색(G) 형광체를 포함함으로써 상기 발광 소자가 도 9와 같이 대략 92의 연색지수(CRI)를 가지도록 할 수 있다.As shown in FIG. 8, the light emitted from the
다만, 상기 발광 칩(100)의 종류 및 색 온도에 따라 상기 형광체의 종류 및 양은 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.However, the type and amount of the phosphor may vary depending on the type of the
한편, 상기 매트릭스 수지층(20)에는 확산제, 소포제, 첨가제, 경화제 중 적어도 하나가 더 포함될 수도 있다. The
상기 확산제는 상기 매트릭스 수지층(20)에 입사되는 빛을 산란시킴으로써 확산시킬 수 있다. 상기 확산제는 예를 들어, 산화실리콘(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 황산바륨(BaSO4), 탄산칼슘(CaSO4), 탄산마그네슘(MgCO3), 수산화알루미늄(Al(OH)3), 합성실리카, 글래스비드, 다이아몬드 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. The diffusing agent can diffuse the light incident on the
상기 확산제의 입자 크기는 빛의 확산에 적합한 크기로 선택될 수 있으며, 예를 들어 5~7μm의 지름을 가지도록 형성될 수 있다.The particle size of the diffusing agent may be selected to a size suitable for light diffusion, and may be formed to have a diameter of, for example, 5 to 7 μm.
상기 소포제(antifoaming agent)는 상기 매트릭스 수지층(20) 내의 기포를 제거함으로써, 상기 광학 필름(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상기 매트릭스 수지층(20)을 상기 베이스 필름(10) 상에 스크린 인쇄 방식에 의해 도포할 때 문제가 되는 기포문제를 해결할 수 있다.The antifoaming agent can improve the reliability of the optical film (1) by removing bubbles in the matrix resin layer (20). Particularly, it is possible to solve the bubble problem which is a problem when the
상기 소포제는 옥탄올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜 또는 각종 계면활성제 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The defoaming agent may include at least one of octanol, cyclohexanol, ethylene glycol, and various surfactants, but is not limited thereto.
상기 경화제는 상기 매트릭스 수지층(20)을 경화시킬 수 있으며, 상기 첨가제는 상기 형광체를 상기 매트릭스 수지층(20) 내에 고르게 분산하기 위해 사용될 수 있다.The curing agent may cure the
상기 매트릭스 수지층(20) 상에는 상기 보호수지층(30)이 형성될 수 있다. The protective resin layer (30) may be formed on the matrix resin layer (20).
상기 보호수지층(30)은 양호한 광 투과율, 내열성 및 접착성을 가지는 수지 재질 또는/및 실리콘 재질로 형성될 수 있다. The
특히, 상기 보호수지층(30) 상에 형성되는 상기 보호 필름(40)과의 접착성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직한데, 예를 들어, 상기 보호수지층(30)은 광 투과율이 85% 이상이며, 내열성 및 접착성이 뛰어난 실리콘 수지로 형성될 수 있다. For example, the
상기 보호수지층(30)의 두께는 예를 들어 20μm 내지 50μm 일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The thickness of the
상기 매트릭스 수지층(20) 상에 바로 상기 보호 필름(40)을 형성하는 경우, 상기 매트릭스 수지층(20)과 상기 보호 필름(40) 사이의 접착력이 부족하여, 두 층 사이가 벌어지고, 두 층 사이에 수분이 침투하는 등의 현상이 발생하여 광학 필름의 신뢰성을 저해하는 요인이 될 수 있다. When the protective film 40 is directly formed on the
따라서, 실시 형태에서는 상기 매트릭스 수지층(20) 및 상기 보호 필름(40) 사이에 상기 보호수지층(30)을 형성함으로써, 상기 보호 필름(40)과의 접착을 견고히 하여 상기 광학 필름(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Therefore, in the embodiment, the
구체적으로는, 먼저 상기 매트릭스 수지층(20) 상에 반경화(B-stage) 상태의 상기 보호수지층(30)을 도포하고, 반경화 상태의 상기 보호수지층(30) 상에 상기 보호 필름(40)을 부착한 다음에 상기 보호수지층(30)을 경화시킴으로써, 상기 보호 필름(40)을 상기 보호수지층(30) 상에 견고히 접착하고, 상기 광학 필름(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Specifically, the
또한, 실시 형태와 같이 상기 보호수지층(30)을 형성하는 경우, 상기 매트릭스 수지층(20)에 포함되는 형광체를 보호하는 효과가 있다. 즉, 상기 보호수지층(30)이 상기 발광 칩(100)으로부터 발생되는 열이 상기 형광체에 전달되는 것을 완충하는 효과를 하여, 상기 형광체가 열에 의해 열화되는 현상을 감소시킬 수 있다. 특히, 일반적으로 적색 형광체의 경우 열에 취약한 특성을 가지므로, 상기 보호수지층(30)에 의한 형광체 보호 효과가 더욱 뚜렷이 나타날 수 있다.In addition, when the
상기 보호수지층(30) 상에는 상기 보호 필름(40)이 형성될 수 있다. 상기 보호 필름(40)은 상기 매트릭스 수지층(20)을 보호하여, 상기 광학 필름(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The protective film 40 may be formed on the
상기 보호 필름(40)은 상기 베이스 필름(10)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate : PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphthalate : PEN), 아크릴 수지, 폴리카보네이트(Polycarbonate : PC), 폴리스틸렌(Polystyrene : PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate : PMMA) 등으로 이루어진 군에서 선택적으로 형성될 수 있다. The protective film 40 may be made of the same material as the
또한, 상기 보호 필름(40)의 두께는 예를 들어, 10μm 내지 500μm 일 수 있으며, 바람직하게는 25μm 일 수 있다. The thickness of the protective film 40 may be, for example, 10 μm to 500 μm, and preferably 25 μm.
상기 보호 필름(40) 상에는 상기 접착부재(50)가 형성될 수 있다. The
상기 접착부재(50)는 몸체층(51)과, 상기 몸체층(51)의 양면에 제1 접착층(52a) 및 제2 접착층(52b)을 포함할 수 있다. The
상기 제2 접착층(52b)은 상기 몸체층(51) 및 상기 보호 필름(40) 사이에 형성되어 두 층을 서로 접착시킨다. The second adhesive layer 52b is formed between the body layer 51 and the protective film 40 to bond the two layers together.
또한, 상기 제1 접착층(52a)은 상기 몸체층(51) 상에 형성되어, 상기 발광 칩(100)에 상기 광학 필름(1)을 부착시킬 수 있다. The first
상기 접착부재(50)는 별도로 준비되어, 상기 보호 필름(40) 상에 부착되거나, 상기 보호 필름(40) 상에 순차적으로 적층됨으로써 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 상기 접착부재(50)는 필요하지 않은 경우에는, 형성되지 않을 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The
도 10은 상기 광학 필름(1)의 다른 예를 나타낸 도면이다.10 is a view showing another example of the optical film (1).
도 10을 참조하면, 상기 광학 필름(1)은 베이스 필름(10), 상기 베이스 필름(10) 상에 매트릭스 수지층(20) 및 상기 매트릭스 수지층(20) 상에 점착성 수지층(30)을 포함할 수 있다. 10, the
상기 베이스 필름(10) 및 상기 매트릭스 수지층(20)에 대한 설명은 앞에서 설명한 것과 중복되므로 생략한다.The description of the
상기 점착성 수지층(30)은 양호한 광 투과율, 내열성을 가지며, 특히 뛰어난 점착성을 가지는 수지 재질 또는/및 실리콘 재질로 형성될 수 있다.The
예를 들어, 상기 점착성 수지층(30)은 실리콘 수지, 바람직하게는 톨루엔(Toluene)을 포함하는 용제 타입의 실리콘 수지로 형성될 수 있다. 상기 톨루엔을 포함하는 실리콘 수지는 뛰어난 점착성을 가지는 동시에 높은 광 투과율을 가지므로, 상기 광학 필름(1)을 상기 발광 칩(100)에 부착하기 위한 별도의 접착부재를 형성할 필요가 없다.For example, the
즉, 상기 점착성 수지층(30)을 형성함으로써, 상기 광학 필름(1)의 제조공정이 간소화될 뿐만 아니라, 상기 광학 필름(1)의 두께가 얇아지고, 이에 따라 상기 광학 필름(1)을 투과하는 빛의 광 손실량도 줄어들 수 있다.That is, by forming the
상기 톨루엔을 포함하는 실리콘 수지의 광 투과율은 적어도 90% 이상일 수 있으며, 점성은 2000 내지 10000cp(centipoise)일 수 있다. The light transmittance of the silicone resin containing toluene may be at least 90%, and the viscosity may be 2000 to 10000 cp (centipoise).
한편, 상기 점착성 수지층(30)의 두께는 예를 들어 20μm 내지 100μm 로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, the thickness of the
이러한 두께의 상기 점착성 수지층(30)은, 상기 발광 칩(100)으로부터 발생되는 열이 상기 매트릭스 수지층(20) 내에 포함된 형광체에 전달되는 것을 완충하는 효과를 하여, 상기 형광체가 열에 의해 열화되는 현상을 감소시킬 수 있다. 특히, 적색 형광체의 경우 열에 취약한 특성을 가지므로, 상기 점착성 수지층(30)에 의한 형광체 보호 효과가 더욱 뚜렷이 나타날 수 있다.The
상기 점착성 수지층(30)이 휘발성을 가지는 톨루엔을 포함하는 경우, 상기 매트릭스 수지층(20) 상에 반경화(B-stage) 상태로 형성한 후, 별도의 경화제를 사용하지 않고 전기 오븐, 적외선 건조기 등에 의해 열을 가하여 건조함으로써 경화시킬 수 있다. 다만, 상기 점착성 수지층(30)은 경화제를 첨가하여 경화시킬 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
When the
도 11은 상기 발광 소자를 포함하는 라이트 유닛을 나타내는 도면이다.11 is a view showing a light unit including the light emitting element.
도 11을 참조하면, 상기 라이트 유닛은 상기 발광 칩(100), 상기 발광 칩(100)에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름(1), 상기 광학 필름(1)을 통과한 빛을 확산시키는 광확산부를 포함할 수 있다.11, the light unit includes the
이때, 상기 광확산부는 상기 광학 필름(1)을 통과한 빛을 면광원화 시키는 도광판(200), 상기 도광판(200) 상에 형성되어 빛을 확산시키는 확산 시트(400) 및 상기 도광판(200) 아래에 설치되어 상기 도광판(200)의 출사면을 향해 빛을 반사시키는 반사 시트(300)를 포함할 수 있다. The light diffusing unit includes a
상기 광학 필름(1)은, 도시된 것처럼, 상기 발광 칩(100) 및 상기 도광판(200) 사이에 형성될 수 있다. 이때, 상기 광학 필름(1)은 상기 발광 칩(100)의 출사면에 부착되거나, 상기 도광판(200)에 부착될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
한편, 상기 라이트 유닛은 엣지(Edge) 방식으로 빛이 제공되는 것에 한정되지는 않으며, 직하(Top View) 방식으로 빛이 제공될 수도 있다. Meanwhile, the light unit is not limited to being provided with light in an edge manner, and light may be provided in a top view manner.
상기 라이트 유닛은 상기 발광 칩(100) 및 상기 광학 필름(1)을 포함함으로써, 높은 연색지수(CRI)를 가지는 고 품질의 빛을 제공할 수 있다. 또한, 상기 광학 필름(1)을 이용함으로써 높은 연색지수(CRI)를 구현하는데에 있어서 필요한 상기 발광 칩(100)의 수량을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
By including the
이상에서 실시 형태들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 형태에 포함되며, 반드시 하나의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 형태에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 형태들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 형태들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be appreciated that many variations and applications not illustrated are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
1 : 광학 필름
100 : 발광 칩1: Optical film
100: Light emitting chip
Claims (18)
상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름을 포함하며,
상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가지고,
상기 형광체는 설파이드 (Sulfide) 계열의 물질을 포함하고,
상기 광학 필름은,
베이스 필름;
상기 베이스 필름 상에 배치되고, 3000cp 이상의 점도를 갖고, 상기 형광체를 포함하는 매트릭스 수지층;
상기 매트릭스 수지층 상에 배치되고, 상기 베이스 필름과 동일한 재질인 보호 필름; 및
상기 매트릭스 수지층과 상기 보호 필름 사이에 배치되고, 상기 보호 필름을 상기 매트릭스 수지층에 접착시키기 위한 보호수지층;을 포함하는, 발광 소자.A light emitting chip; And
And an optical film including at least one kind of phosphor excited by light emitted from the light emitting chip,
Light having passed through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85 to 100,
The phosphor includes a sulfide-based material,
In the optical film,
A base film;
A matrix resin layer disposed on the base film and having a viscosity of 3000 cp or more and including the phosphor;
A protective film disposed on the matrix resin layer and made of the same material as the base film; And
And a protective resin layer disposed between the matrix resin layer and the protective film and for adhering the protective film to the matrix resin layer.
상기 발광 칩은 발광 다이오드를 포함하며, 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 생성하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting chip comprises at least one of a red, green, blue or white light emitting diode which generates red, green, blue or white light.
상기 베이스 필름의 두께는 10μm 내지 500μm 인, 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the base film is 10 占 퐉 to 500 占 퐉.
상기 광학 필름은, 상기 보호 필름 상에 배치된 접착부재 및 상기 접착부재 상에 배치된 이형필름;을 더 포함하고,
상기 접착부재는 몸체층 및 상기 몸체층의 양면에 배치된 제1 접착층과 제2 접착층을 포함하는, 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the optical film further comprises an adhesive member disposed on the protective film and a release film disposed on the adhesive member,
Wherein the adhesive member comprises a body layer and a first adhesive layer and a second adhesive layer disposed on both sides of the body layer.
상기 매트릭스 수지층은 적색 형광체 및 녹색 형광체를 포함하는, 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the matrix resin layer comprises a red phosphor and a green phosphor.
상기 적색 형광체의 주 파장은 650nm이고, 상기 녹색 형광체의 주 파장은 515nm 인 발광 소자.6. The method of claim 5,
Wherein the main wavelength of the red phosphor is 650 nm and the main wavelength of the green phosphor is 515 nm.
상기 발광 칩의 색 온도가 3000K 인 경우,
상기 매트릭스 수지층 100 중량부(wt%)에 대해 상기 적색 형광체 30 내지 40 중량부 및 상기 녹색 형광체 30 내지 40 중량부가 포함된 발광 소자.6. The method of claim 5,
When the color temperature of the light emitting chip is 3000K,
Wherein 30 to 40 parts by weight of the red phosphor and 30 to 40 parts by weight of the green phosphor are contained in 100 weight parts (wt%) of the matrix resin layer.
상기 발광 칩의 색 온도가 4000K 인 경우,
상기 매트릭스 수지층 100 중량부(wt%)에 대해 상기 적색 형광체 15 내지 25 중량부 및 상기 녹색 형광체 15 내지 25 중량부가 포함된 발광 소자.6. The method of claim 5,
When the color temperature of the light emitting chip is 4000K,
Wherein 15 to 25 parts by weight of the red phosphor and 15 to 25 parts by weight of the green phosphor are added to 100 parts by weight (wt%) of the matrix resin layer.
상기 발광 칩의 색 온도가 5000K 인 경우,
상기 매트릭스 수지층 100 중량부(wt%)에 대해 상기 적색 형광체 5 내지 15 중량부 및 상기 녹색 형광체 8 내지 18 중량부가 포함된 발광 소자.6. The method of claim 5,
When the color temperature of the light emitting chip is 5000K,
5 to 15 parts by weight of the red phosphor and 8 to 18 parts by weight of the green phosphor are added to 100 weight parts (wt%) of the matrix resin layer.
상기 매트릭스 수지층의 두께는 20μm 내지 500μm 인, 발광 소자.The method according to claim 1,
And the thickness of the matrix resin layer is 20 占 퐉 to 500 占 퐉.
상기 매트릭스 수지층과 상기 보호수지층은 실리콘 재질 및 수지 재질 중 적어도 하나를 포함하는, 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the matrix resin layer and the protective resin layer comprise at least one of a silicon material and a resin material.
상기 발광 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 광학 필름; 및
상기 광학 필름을 통과한 빛을 확산시키는 광확산부를 포함하며,
상기 광학 필름을 통과한 빛은 85 내지 100의 연색지수(CRI)를 가지고,
상기 형광체는 설파이드 (Sulfide) 계열의 물질을 포함하고,
상기 광학 필름은,
베이스 필름;
상기 베이스 필름 상에 배치되고, 3000cp 이상의 점도를 갖고, 상기 형광체를 포함하는 매트릭스 수지층;
상기 매트릭스 수지층 상에 배치되고, 상기 베이스 필름과 동일한 재질인 보호 필름; 및
상기 매트릭스 수지층과 상기 보호 필름 사이에 배치되고, 상기 보호 필름을 상기 매트릭스 수지층에 접착시키기 위한 보호수지층;을 포함하는, 라이트 유닛.A light emitting chip;
An optical film including at least one kind of phosphor excited by light emitted from the light emitting chip; And
And a light diffusing unit for diffusing light passing through the optical film,
Light having passed through the optical film has a color rendering index (CRI) of 85 to 100,
The phosphor includes a sulfide-based material,
In the optical film,
A base film;
A matrix resin layer disposed on the base film and having a viscosity of 3000 cp or more and including the phosphor;
A protective film disposed on the matrix resin layer and made of the same material as the base film; And
And a protective resin layer disposed between the matrix resin layer and the protective film and for adhering the protective film to the matrix resin layer.
상기 광확산부는 상기 광학 필름을 통과한 빛을 확산시키는 도광판 및 확산 시트 중 적어도 하나를 포함하는 라이트 유닛.14. The method of claim 13,
Wherein the light diffusing portion includes at least one of a light guide plate and a diffusion sheet for diffusing light passing through the optical film.
상기 광학 필름은 상기 발광 칩의 출사면에 부착되는 라이트 유닛.14. The method of claim 13,
Wherein the optical film is attached to an emitting surface of the light emitting chip.
상기 광학 필름은 상기 도광판에 부착되는 라이트 유닛.15. The method of claim 14,
Wherein the optical film is attached to the light guide plate.
상기 광학 필름은 적색 형광체 및 녹색 형광체를 포함하는 라이트 유닛.14. The method of claim 13,
Wherein the optical film comprises a red phosphor and a green phosphor.
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100033023A KR101623464B1 (en) | 2010-04-10 | 2010-04-10 | Light emitting device and lighting unit using the same |
| US12/906,572 US8517552B2 (en) | 2009-10-19 | 2010-10-18 | Optical film and light emitting device using the same |
| EP10187960A EP2312346B1 (en) | 2009-10-19 | 2010-10-18 | Optical film and a method for fabricating the same |
| EP13151380.6A EP2587284B1 (en) | 2009-10-19 | 2010-10-18 | Optical film and light unit |
| JP2010234732A JP5782246B2 (en) | 2009-10-19 | 2010-10-19 | Optical film and method for producing the same |
| CN201610204897.9A CN105911623B (en) | 2009-10-19 | 2010-10-19 | Optical film and the luminescent device including optical film |
| CN201010515815.5A CN102082224B (en) | 2009-10-19 | 2010-10-19 | Blooming and the luminescent device that comprises blooming |
| US13/956,589 US8727577B2 (en) | 2009-10-19 | 2013-08-01 | Optical film and lighting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100033023A KR101623464B1 (en) | 2010-04-10 | 2010-04-10 | Light emitting device and lighting unit using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110113688A KR20110113688A (en) | 2011-10-18 |
| KR101623464B1 true KR101623464B1 (en) | 2016-05-23 |
Family
ID=45028930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100033023A KR101623464B1 (en) | 2009-10-19 | 2010-04-10 | Light emitting device and lighting unit using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101623464B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100085727A1 (en) * | 2008-10-08 | 2010-04-08 | Sony Corporation | Lighting device and display device having the same |
-
2010
- 2010-04-10 KR KR1020100033023A patent/KR101623464B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100085727A1 (en) * | 2008-10-08 | 2010-04-08 | Sony Corporation | Lighting device and display device having the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110113688A (en) | 2011-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5782246B2 (en) | Optical film and method for producing the same | |
| TWI658121B (en) | Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor | |
| US9541695B2 (en) | Light source device | |
| US8310771B2 (en) | LED light converting resin composition and LED member using the same | |
| US9761769B2 (en) | Assembly that emits electromagnetic radiation and method of producing an assembly that emits electromagnetic radiation | |
| KR101592581B1 (en) | Optical film and method for fabricating the same | |
| KR101600945B1 (en) | Optical film and method for fabricating the same | |
| KR101742680B1 (en) | Optical film and method for fabricating the same | |
| KR101623464B1 (en) | Light emitting device and lighting unit using the same | |
| KR101637569B1 (en) | Light emitting device and lighting unit using the same | |
| KR101558598B1 (en) | Optical film and method for fabricating the same | |
| KR101180636B1 (en) | Optical film and method for fabricating the same | |
| CN103972366A (en) | Wavelength conversion substance, wavelength conversion colloid and light-emitting device | |
| JP2013222957A (en) | Light source module | |
| KR101781905B1 (en) | Complex-functional semi-curing phosphor sheet for able to bonding on silicone substrate and preparing method of the same | |
| KR101798569B1 (en) | Lighting device | |
| KR101761387B1 (en) | Phosphor coating matrix | |
| KR101717536B1 (en) | Complex-functional semi-curing phosphor sheet and preparing method of the same | |
| KR101847467B1 (en) | Complex light shift sheet with ligh shift funcation and adhesive layer | |
| KR101215385B1 (en) | Lighting device capable of transforming color coordinate using a photo-luminescent sheet | |
| KR101190768B1 (en) | Photo-luminescent sheet printed selectively and lighting device using it | |
| KR20120055194A (en) | Lighting device | |
| KR101791505B1 (en) | Phosphor coating matrix | |
| KR20120055196A (en) | Phosphor coating matrix | |
| KR20130050460A (en) | Phosphor coating matrix using globular pcm and lighting device using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |