KR101622211B1 - 에칭방법 및 에칭장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 케미토론
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Abstract

에칭액을 1유체 노즐(20)로부터 분사하여 에칭 대상물 1의 에칭 대상면에 부착시킴으로써 에칭 대상면을 에칭하는 제1 에칭 공정과, 에칭액과 기체를 혼합하여 2유체 노즐(30)로부터 분사하고, 제1 에칭 공정에서 에칭된 에칭 대상면에 에칭액을 부착시킴으로써 에칭 대상면을 더욱 에칭하는 제2 에칭 공정을 구비한다. 제2 에칭 공정에서는 제1 에칭 공정보다도 미소 액적인 에칭액을, 제1 에칭 공정보다도 강한 타력으로 에칭 대상면에 부착시킨다.

Description

에칭방법 및 에칭장치{ETCHING METHOD AND ETCHING SYSTEM}
본 발명은 에칭방법 및 에칭장치에 관한 것으로서, 특히 프린트 배선판을 제조하는 공정에 있어서, 기판상의 피(被)가공 도전층을 패턴 에칭하여 배선부를 패턴형성하는 에칭방법 및 에칭장치에 관한 것이다.
반도체 등의 부품이 실장되는 프린트 배선판(기판)의 표면에 미세한 패턴의 배선부를 형성하는 에칭방법으로서, 1유체(流體) 노즐로부터 기판 위에 에칭액을 분사하는 방법이 널리 이용되고 있다. 동박(銅箔) 위에는 미리 마스크층인 레지스트막이 패턴형성되어 있으며, 레지스트막으로 보호되어 있지 않은 동박에 에칭액이 접촉함으로써 동박이 패턴 가공된다.
그러나 1유체 노즐을 이용하는 방법에서는 에칭 액적(液滴)의 입경이 크고, 예를 들어 인접하는 배선부간의 간격이 50㎛ 이하인 미세화된 배선 패턴의 가공에 있어서는 에칭 액적이 피 에칭층 위의 레지스트막 패턴 내를 에칭할 수 없어서 E/F(에치팩터(etch factor))를 향상시키는 것은 어렵다.
이러한 불리함을 해소하는 방법으로서, 에칭액과 압축 공기를 혼합하여 분사하는 2유체 노즐을 이용하는 방법이 제안되고 있다. 2유체 노즐을 이용함으로써 1유체 노즐보다도 에칭액의 미소(微小) 액적화가 가능해 지고 분사 속도도 커진다. 예를 들면 50㎛ 이하로 미세화된 패턴의 에칭에 있어서도, 에칭액의 미소 액적을 고속으로 패턴 내에 밀어 넣어서 E/F를 향상시킬 수 있다.
일본국 공개특허공보 2002-256458호 일본국 공개특허공보 2010-287881호
그러나, 2유체 노즐을 이용하는 방법에서는 다량의 압축 공기를 소비하기 위해서 설비의 대형화나 비용의 상승을 초래한다.
그러므로 본 발명은 압축 공기의 소비량을 최소한으로 억제하면서, 적합한 E/F를 얻는 것이 가능한 에칭방법 및 에칭장치의 제공을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 양태에 따른 에칭방법은, 에칭액을 1유체 노즐로부터 분사하여 에칭 대상물의 에칭 대상면에 부착시킴으로써 에칭 대상면을 에칭하는 제1 에칭 공정과, 에칭액과 기체(氣體)를 혼합하여 2유체 노즐로부터 분사하여 제1 에칭 공정에서 에칭된 에칭 대상면에 에칭액을 부착시킴으로써 에칭 대상면을 더욱 에칭하는 제2 에칭 공정을 구비한다. 제2 에칭 공정에서는 제1 에칭 공정보다도 미소 액적인 에칭액을, 제1 에칭 공정보다도 강한 타력(打力)으로 에칭 대상면에 부착시킨다.
본 발명의 제1 양태에 따른 에칭장치는 반송 수단과, 1유체 노즐, 2유체 노즐을 구비한다. 반송 수단은 제1 에칭 처리부와 제2 에칭 처리부를 순서대로 지나가는 소정의 반송 경로를 따라서 에칭 대상물을 반송한다. 1유체 노즐은 제1 에칭 처리부에 배치되고, 반송 수단에 의해서 반송되는 에칭 대상물의 에칭 대상면에 에칭액을 분사하여 부착시킨다. 2유체 노즐은 제2 에칭 처리부에 배치되고, 반송 수단에 의해서 제1 에칭 처리부로부터 반송되는 에칭 대상물의 에칭 대상면에, 에칭액과 기체를 혼합하여 분사해서 부착시킨다. 2유체 노즐은 1유체 노즐보다도 미소 액적인 에칭액을, 1유체 노즐보다도 강한 타력으로 에칭 대상면에 부착시킨다.
상기 방법 및 장치에서는, 피 에칭층의 표면측에서는 우선 1유체 노즐로부터의 비교적 큰 액적인 에칭액에 의한 대략적인 에칭 처리가 실시된다. 다음으로 2유체 노즐로부터의 미소 액적인 에칭액에 의한 세밀한 에칭 처리가 실시되고, 미세화된 배선 패턴의 가공이어도 에칭 액적을 피 에칭층 위의 레지스트막 패턴 내에 밀어 넣을 수 있다. 이렇게 모든 에칭 처리에 2유체 노즐을 사용하지 않고 1유체 노즐과 2유체 노즐을 효과적으로 병용하므로, 압축 공기의 소비량을 최소한으로 억제하면서 적합한 E/F를 얻을 수 있다. 또한 E/F란, 피 에칭층의 가로방향의 에치(etch)량(언더컷(under cut)량)에 대한 에칭 깊이(피 에칭층의 두께)의 비율이며, 수치가 클수록 적합하다.
본 발명의 제2 양태에 따른 에칭방법은, 상기 제1 양태의 에칭방법으로서 에칭 대상면은 에칭 대상물의 상부면이며, 제1 에칭 공정은 1유체 노즐로부터 에칭 대상면에 부착된 에칭액을 흡인하여 제거하는 제1 흡인 공정을 포함한다. 또 제2 에칭 공정은 2유체 노즐로부터 에칭 대상면에 부착된 에칭액을 흡인하여 제거하는 제2 흡인 공정을 포함한다.
본 발명의 제2 양태에 따른 에칭장치는 상기 제1 양태의 에칭장치로서, 제1 에칭 처리부와 제2 에칭 처리부의 쌍방에 배치되는 흡인 수단을 구비한다. 반송 수단은 에칭 대상면이 상방을 향한 상태로 에칭 대상물을 대략 수평방향으로 반송한다. 흡인 수단은 1유체 노즐과 2유체 노즐로부터 에칭 대상면에 각각 부착된 에칭액을 흡인하여 제거한다.
상기 방법 및 장치에서는 1유체 노즐 및 2유체 노즐로부터 부착된 에칭액이 에칭 대상면으로부터 조기(早期)에 제거된다. 따라서 에칭액의 부착에 대하여 장애가 될 수 있는 에칭액의 체류 발생을 미연에 방지할 수 있어서, 면내 균일성이 높은 에칭을 실시할 수 있다.
또 상기 제2 양태에 따른 에칭방법이나 에칭장치에 있어서, 1유체 노즐 및 2유체 노즐로부터 에칭 대상면에의 에칭액의 총 부착량에 대한 2유체 노즐로부터 에칭 대상면에의 에칭액의 부착량 비율은 2% 이상 50% 이하가 적합하다.
본 발명에 따르면 압축 공기의 소비량을 최소한으로 억제하면서 적합한 E/F를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 에칭장치를 모식적으로 나타내는 개략 구성도이다.
도 2는 에칭 처리를 설명하기 위한 프린트 배선판의 확대 단면도이며, (a)는 에칭 처리전의 상태를 나타내고, (b)는 에칭 처리후의 이상적인 상태를 나타낸다.
도 3은 에칭 시험의 결과를 나타내는 표이다.
도 4는 에칭 시험의 결과를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 일실시형태를 도면에 기초하여 설명한다.
먼저, 본 실시형태의 에칭방법 및 에칭장치를 적용하는 프린트 배선판의 제조방법의 개요에 대해서 도 2의 단면도를 참조하여 설명한다.
도 2(a)에 도시하는 바와 같이 에폭시 수지 등의 열경화성 수지나 그 밖의 수지 등으로 이루어지는 절연성 기판(에칭 대상물)(1)의 양면에, 예를 들면 동박 등의 도전층(피 에칭층)(2)을 수~수10㎛의 막두께로 형성한다. 도전층(2)을 형성하는 방법은 접합, 도금, 기상(氣相)성장 등, 어떤 방법이어도 가능하고, 기판(1)의 양면이 에칭 대상면이 된다.
다음으로 도 2(b)에 도시하는 바와 같이 포토리소그래피 공정(드라이 필름 레지스트나 액상 레지스트 등)에 의해서 도전층(2)의 상층에 레지스트막(3)을 성막하고, 패턴 노광하여, 현상 처리를 실시함으로써 도전층(2)의 상층에 레지스트막(3)을 패턴형성한다. 레지스트막(3)의 형성 처리는 기판(1)의 양면에 대하여 각각 실시된다.
다음으로 도 2(c)에 도시하는 바와 같이 기판(1)의 양면 위의 도전층(2)에 대하여 레지스트막(3)을 마스크로 한 에칭 처리를 실시한다. 즉, 도전층(2)을 레지스트막(3)의 패턴을 따라서 에칭하고, 배선부(2a)를 패턴형성한다.
배선부(2a)를 패턴형성한 후, 예를 들면 강 알칼리 용액 또는 유기용제처리 등에 의해서 레지스트막(3)을 박리한다. 이로 인해 원하는 프린트 배선판이 형성된다.
상기의 레지스트막(3)을 마스크로 한 도전층(2)에 대한 에칭 처리는 본 실시형태에 따른 에칭장치 및 방법을 이용하여 실시된다. 도 1은 본 실시형태에 따른 에칭장치를 모식적으로 나타내는 개략 구성도이다.
에칭장치(10)의 에칭 처리실(11) 내에는 한쪽(도 1 중 왼쪽)의 입구(14)로부터 다른쪽(도 1 중 오른쪽)의 출구(15)를 향하여 수평직선상으로 연장되는 반송 경로가 설정되고, 이 반송 경로에 복수의 반송 롤러(반송 수단)(16)가 마련되어 있다. 반송 롤러(16)는 레지스트막(3)이 패턴형성된 기판(1)을, 한 면이 방향을 향하고 다른 면이 하부면을 향하는 대략 수평상으로 유지하여 반송 경로를 따라서 반송한다.
에칭 처리실(11) 내의 상부는, 제1 에칭 공정을 실시하는 제1 에칭 처리부(12)와, 제2 에칭 공정을 실시하는 제2 에칭 처리부(13)로 크게 나눠져 있고, 반송 경로는 입구(14)측의 제1 에칭 처리부(12)와 출구(15)측의 제2 에칭 처리부(13)를 순서대로 지난다. 제1 에칭 처리부(12)에는 복수개의 1유체 노즐(20)이, 제2 에칭 처리부(13)에는 복수개의 2유체 노즐(30)이 각각 배열되어서 마련되어 있다. 1유체 노즐(20) 및 2유체 노즐(30)은 반송 경로에 대하여 고정적(정치(靜置; standing))이어도 되고, 요동(搖動; oscillation)시켜도 된다.
반송 경로 아래쪽의 에칭 처리실(11) 내의 바닥부에는 염화 제2구리, 염화 제2철 또는 알칼리성 물질을 베이스로 한 에칭액(5)이 저류(貯留; storage)된다. 각 1유체 노즐(20)에는 에칭 처리실(11) 내에 저류한 에칭액(5)을 공급하는 제1 에칭액 공급관로(21)가 접속되어 있다. 제1 에칭액 공급관로(21)에는 제1 펌프(22)와, 필터(24), 압력계(23)가 마련되고, 에칭 처리실(11) 내의 에칭액(5)은 제1 펌프(22)로부터 필터(24)에 의해서 여과된 후, 소정압으로 각 1유체 노즐(20)에 공급된다. 1유체 노즐(20)에 대한 에칭액의 공급압은 압력계(23)에 의해서 계측된다.
각 2유체 노즐(30)에는 에칭 처리실(11) 내에 저류한 에칭액(5)을 공급하는 제2 에칭액 공급관로(31)가 접속되어 있다. 제2 에칭액 공급관로(31)에는 제2 펌프(32)와, 필터(34), 압력계(33)가 마련되고, 에칭 처리실(11) 내의 에칭액(5)은 제2 펌프(32)로부터 필터(34)에 의해서 여과된 후, 소정압으로 각 2유체 노즐(30)에 공급된다. 2유체 노즐(30)에 대한 에칭액의 공급압은 압력계(33)에 의해서 계측된다. 또한 2유체 노즐(30)에 대한 공급은 제2 펌프(32) 및 필터(34)를 사용하지 않고, 제1 펌프(22) 및 필터(24)를 공용해도 된다.
또 각 2유체 노즐(30)에는 기체공급원(41)이 생성한 압축 공기(가압 에어)를 공급하는 에어 공급관로(40)가 접속되어 있다. 에어 공급관로(40)에는 에어 필터(42)와, 유량계(流量計)(43), 압력계(44)가 마련되어 있다. 기체공급원(41)은 팬(fan)이나 컴프레서(compressor), 블로워(blower) 등이다. 2유체 노즐(30)에 대한 에어 공급량은 유량계(43)에 의해서 계측되고, 에어 공급압은 압력계(44)에 의해서 계측된다.
1유체 노즐(20)은 에칭액을 분사하여 기판(1)에 부착시킨다. 한편, 2유체 노즐(30)은 다른 경로에서 따로따로 공급된 에칭액과 공기(가압 에어)를 혼합하여 분사하고, 1유체 노즐(20)보다도 미소 액적인 에칭액을, 1유체 노즐(20)보다도 강한 타력으로 기판(1)에 부착시킨다.
1유체 노즐(20)과 2유체 노즐(30)은 반송 경로의 위쪽과 아래쪽에 각각 배치된다. 위쪽 및 아래쪽의 1유체 노즐(20)은 반송 롤러(16)에 의해서 반송되는 기판(1)의 상부면 및 하부면에 에칭액을 각각 분사하여 부착시킨다. 또 위쪽 및 아래쪽의 2유체 노즐(30)은 반송 롤러(16)에 의해서 반송되는 기판(1)의 상부면 및 하부면에 에칭액과 공기를 혼합하여 분사해서 부착시킨다.
제1 및 제2 에칭 처리부(12, 13)의 반송 경로 상방에는, 위쪽의 1유체 노즐(20) 및 2유체 노즐(30)로부터 기판(1)의 상부면에 각각 부착된 에칭액을 흡인하여 제거하는 복수개의 흡인 유닛(흡인 수단)(50)이 배열되어 마련되어 있다. 각 흡인 유닛(50)은 기판(1)의 전폭을 덮도록 반송 경로와 대략 직교하는 방향에 대략 수평상으로 연장되는 흡인 파이프(도시 생략)와, 흡인 파이프의 외주면(外周面)(본 실시형태에서는 하부면)에 형성되어 반송 경로를 향해서 개구(開口)하는 복수의 슬릿형상인 흡인 노즐(도시 생략)로 구성되며, 흡인 노즐은 1유체 노즐(20) 및 2유체 노즐(30)로부터 각각 분사되는 에칭액의 부착 영역 사이에 배치되고, 그 배치 영역에서 원하는 흡인 작용을 생기게 한다.
각 흡인 파이프는 순환 관로(54)의 도중에 마련된 이젝터(ejector)(52)의 흡인구(52a)에, 흡인 관로(51)를 통해서 접속되어 있다. 순환 관로(54)에는 양끝이 에칭 처리실(11) 내와 연이어 통하고, 도중에 순환 펌프(53)가 마련되어서 폐회로이다. 순환 펌프(53)는 에칭 처리실(11) 내의 에칭액(5)을 퍼내어서, 이젝터(52)로 압력을 더한 상태로 하여 다시 에칭 처리실(11)로 되돌린다. 순환 관로(54)를 순환하는 에칭액은 이젝터(52)를 통과할 때에 이젝터(52)의 흡인구(52a)를 부압(負壓)으로 하기 때문에, 기판(1)의 상부면에 부착된 에칭액은 흡인 노즐로부터 흡인 관로(51)를 지나서 흡인된다.
상기 에칭장치(1)를 이용하여 에칭 처리를 실시하면, 기판(1)(도전층(2))의 표면측에서는 제1 에칭 처리부(12)에 있어서 1유체 노즐(20)로부터의 비교적 큰 액적인 에칭액에 의한 대략적인 에칭 처리가 실시된다. 다음으로 제2 에칭 처리부(13)에 있어서 2유체 노즐(30)로부터의 미소 액적인 에칭액에 의한 세밀한 에칭 처리가 실시된다. 따라서, 미세화된 배선 패턴의 가공이어도 에칭 액적을 도전층(2) 위의 레지스트막(3) 패턴 내에 밀어 넣을 수 있다.
이렇게, 모든 에칭 처리에 2유체 노즐(30)을 사용하지 않고, 1유체 노즐(20)과 2유체 노즐(30)을 효과적으로 병용하므로, 압축 공기의 소비량을 최소한으로 억제하면서 적합한 E/F를 얻을 수 있다.
또 1유체 노즐(20) 및 2유체 노즐(30)로부터 부착된 에칭액이 기판(1)의 상부면으로부터 조기에 제거되므로, 에칭액의 부착에 대하여 장애가 될 수 있는 에칭액의 체류 발생을 미연에 방지할 수 있어서 면내 균일성이 높은 에칭을 실시할 수 있다.
다음으로 상기 에칭장치(1)를 이용하여 실시한 에칭 시험에 대해서 설명한다.
이 에칭 시험에서는 1유체 노즐(20) 및 2유체 노즐(30)로부터 에칭 대상면에의 에칭액의 총 부착량에 대한 2유체 노즐(30)로부터 에칭 대상면에의 에칭액의 부착량 비율을 0%, 2%, 5%, 11%, 23%, 43%, 100%로 변경한 경우의 가압 에어의 사용량(L/min)과, E/F(에치팩터)를 측정했다. E/F란, 피 에칭층의 가로방향의 에치량(언더컷량)에 대한 에칭 깊이(피 에칭층의 두께)의 비율이며, 수치가 클수록 적합하다.
에칭 대상면에는 다음 2종류의 패턴형성을 실시했다. 시료 1에서는 18㎛ 동박의 프린트 배선판에 L/S=20/20㎛의 패턴형성을 실시하고, 시료 2에서는 35㎛ 동박의 프린트 배선판에 L/S=50/50㎛의 패턴형성을 실시했다. 도 2(c)에 도시하는 바와 같이 L은 레지스트막(3)의 하층이 되는 배선 패턴(배선부(2a))의 폭이며, S는 인접하는 레지스트막(3) 각각의 하층이 되는 배선 패턴(인접하는 배선 패턴) 간의 거리이다. L/S=20/20㎛ 패턴형성의 경우, 배선 패턴의 폭과 인접하는 배선 패턴 간의 거리는 모두 20㎛이다.
시료 1 및 시료 2에 대한 에칭 조건은, 1유체 노즐(20)에서의 에칭액 압력을 0.2MPa로 설정하고, 2유체 노즐(30)에서의 에칭액 압력과 공기압을 모두 0.3MPa로 설정했다.
1유체 노즐수와 2유체 노즐수의 비율을 바꾸어서 실험을 실시한 결과, E/F는 도 3 및 도 4와 같이 되었다. 패턴형성할 때까지 프린트 배선판에 분사된 총 액량에 비교하여, 2유체 노즐(30)을 사용한 분사 액량이 많아질수록 E/F가 향상되는 것을 알 수 있었다(도 3 및 도 4 참조). 그러나, 2유체 노즐(30)로부터의 분사 액량이 일정량 이상이 되면 E/F에 큰 변화는 없어지고, 가압 에어의 사용량을 고려하면 1유체 노즐(20) 및 2유체 노즐(30)로부터의 총 부착량에 대한 2유체 노즐(30)로부터의 부착량 비율(2유체 노즐(30)을 사용한 에칭액량의 비율)은 50% 이하로 하는 것이 적합하다는 것을 알 수 있었다. 2유체 노즐(30)로부터의 에칭액량의 비율이 50%을 초과하면 가압 에어가 15,000L/min 이상 필요하게 된다. 일반적으로 사용되고 있는 오일프리 스크류 압축기를 사용하여 0.3MPa의 가압 에어를 15,000L/min 이상 공급하게 되면 압축기가 여러대 필요해지기 때문에 그 양 이하에서의 사용이 타당하다고 생각한다. 또 E/F의 향상을 고려하면, 2유체 노즐(30)을 사용한 에칭액량의 비율은 2% 이상으로 하는 것이 적합하다는 것을 알 수 있었다. 이상으로부터, 1유체 노즐(20) 및 2유체 노즐(30)로부터의 총 부착량에 대한 2유체 노즐(30)로부터의 부착량 비율은 2% 이상 50% 이하가 적합하다는 것을 알 수 있었다.
이상, 본 발명에 대해서 상기 실시형태에 기초하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태의 내용에 한정되는 것이 아니라, 당연히 본 발명을 벗어나지 않는 범위에서는 적절한 변경이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시형태에서는 1개의 에칭 처리실(11)에서 에칭 처리를 실시하는 예를 제시했지만, 연속하는 복수의 에칭 처리실에 의해서 에칭 처리를 실시해도 된다. 이 경우, 제1 에칭 처리부만이 마련된 상류측의 에칭 처리실이나 제2 에칭 처리부만이 마련된 하류측의 에칭 처리실이 존재해도 된다.
1: 기판(에칭 대상물)
2: 도전층(피 에칭층)
3: 레지스트막
10: 에칭장치
12: 제1 에칭 처리부
13: 제2 에칭 처리부
16: 반송 롤러(반송 수단)
20: 1유체 노즐
30: 2유체 노즐
50: 흡인 유닛(흡인 수단)

Claims (6)

  1. 에칭액을 1유체(流體) 노즐로부터 분사하여 에칭 대상물의 에칭 대상면에 부착시킴으로써 상기 에칭 대상면을 에칭하는 제1 에칭 공정과,
    에칭액과 기체(氣體)를 혼합하여 2유체 노즐로부터 분사하여, 상기 제1 에칭 공정에서 에칭된 상기 에칭 대상면에 에칭액을 부착시킴으로써 상기 에칭 대상면을 더욱 에칭하는 제2 에칭 공정을 구비하고,
    상기 제1 에칭 공정과 상기 제2 에칭 공정에 있어서, 에칭 속도가 동일한 에칭액을 상기 1유체 노즐과 상기 2유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에 각각 부착시킴과 함께, 상기 제2 에칭 공정에서는 상기 제1 에칭 공정보다도 미소(微小) 액적(液滴)인 에칭액을, 상기 제1 에칭 공정보다도 강한 충격력으로 상기 에칭 대상면에 부착시키고,
    상기 1유체 노즐 및 상기 2유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에의 에칭액의 총 부착량에 대한 상기 2유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에의 에칭액의 부착량 비율은 2% 이상 50% 이하이며,
    상기 에칭 대상면은 상기 에칭 대상물의 상부면이며,
    상기 제1 에칭 공정은, 상기 1유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에 부착된 에칭액을 흡인하여 제거하는 제1 흡인 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  2. 제1 에칭 처리부와 제2 에칭 처리부를 순서대로 지나는 소정의 반송 경로를 따라서 에칭 대상면을 반송하는 반송 수단과,
    상기 제1 에칭 처리부에 배치되고, 상기 반송 수단에 의해서 반송되는 에칭 대상물의 에칭 대상면에 에칭액을 분사하여 부착시키는 1유체 노즐과,
    상기 제2 에칭 처리부에 배치되고, 상기 반송 수단에 의해서 상기 제1 에칭 처리부로부터 반송도는 에칭 대상물의 상기 에칭 대상면에, 에칭액과 기체를 혼합하여 분사해서 부착시키는 2유체 노즐과,
    상기 제1 에칭 처리부에 배치되는 제1 흡인 수단을 구비하고,
    상기 제1 에칭 처리부와 상기 제2 에칭 처리부에 있어서, 에칭 속도가 동일한 에칭액을 상기 1유체 노즐과 상기 2유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에 각각 부착시킴과 함께, 상기 2유체 노즐은 상기 1유체 노즐보다도 미소 액적인 에칭액을, 상기 1유체 노즐보다도 강한 충격력으로 상기 에칭 대상면에 부착시키고,
    상기 1유체 노즐 및 상기 2유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에의 에칭액의 총 부착량에 대한 상기 2유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에의 에칭액의 부착량 비율은 2% 이상 50% 이하이며,
    상기 반송 수단은 상기 에칭 대상면이 상방을 향한 상태로 상기 에칭 대상물을 수평방향으로 반송하고,
    상기 제1 흡인 수단은 상기 1유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에 부착된 에칭액을 흡인하여 제거하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 에칭 공정은, 상기 2유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에 부착된 에칭액을 흡인하여 제거하는 제2 흡인 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2 에칭 처리부에 배치되는 제2 흡인 수단을 구비하고,
    상기 제2 흡인 수단은 상기 2유체 노즐로부터 상기 에칭 대상면에 부착된 에칭액을 흡인하여 제거하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
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  6. 삭제
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