KR101594636B1 - 고주파 안테나 유닛 및 플라즈마 처리장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 진공용기 속에 고밀도의 방전 플라즈마를 생성할 수 있는 고주파 안테나 유닛을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛은, 고주파 전류를 흐르게 하기 위한 고주파 안테나(11)와, 고주파 안테나 중 진공용기 속에 존재하는 부분의 주위에 설치된 절연체제(製) 보호관(12)과, 상기 고주파 안테나(11)와 상기 보호관(12) 사이의 완충영역(13)을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. 여기서 「완충영역」이란 전자의 가속을 억제하는 영역을 의미하며, 예컨대 진공 혹은 절연체에 의하여 형성할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하여, 안테나(11)와 보호관(12) 사이에서 방전이 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 진공용기 속에 고밀도의 방전 플라즈마를 생성할 수 있다.
본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛은, 고주파 전류를 흐르게 하기 위한 고주파 안테나(11)와, 고주파 안테나 중 진공용기 속에 존재하는 부분의 주위에 설치된 절연체제(製) 보호관(12)과, 상기 고주파 안테나(11)와 상기 보호관(12) 사이의 완충영역(13)을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. 여기서 「완충영역」이란 전자의 가속을 억제하는 영역을 의미하며, 예컨대 진공 혹은 절연체에 의하여 형성할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하여, 안테나(11)와 보호관(12) 사이에서 방전이 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 진공용기 속에 고밀도의 방전 플라즈마를 생성할 수 있다.
Description
본 발명은, 유도결합형 고주파 안테나 및 이 고주파 안테나를 이용한 기판 표면 처리장치에 관한 것이다.
최근, 진공용기 속에 고주파 안테나를 배치한 내부안테나 방식의 플라즈마 처리장치가 개발되어, 실용화되고 있다. 이 플라즈마 처리장치에서는, 고주파 안테나에 고주파 전류를 흐르게 하여 고주파 안테나 주변에 유도전계를 형성함으로써, 진공용기 속에 방전 플라즈마가 유도된다. 이 방전 플라즈마를 이용하여, 피처리체 표면에 원하는 박막을 형성한다거나, 피처리체 표면을 에칭 처리한다거나 할 수 있다.
내부안테나 방식의 플라즈마 처리장치에서는, 고주파 안테나와 방전 플라즈마 사이에 정전계(靜電界)가 형성되기 때문에, 고주파 안테나에는 플라즈마에 대하여 마이너스의 직류 셀프 바이어스가 발생한다. 이 바이어스 전압에 의하여, 플라즈마 속의 이온이 가속되어 고주파 안테나에 입사하여, 고주파 안테나 자신이 스퍼터링된다. 이와 같이 스퍼터된 고주파 안테나의 재료의 원자나 이온이 방전 플라즈마 속에 혼입되기 때문에, 이들이 직접, 또는 일단 진공용기의 내벽 등에 부착된 후에, 피처리체의 표면에 부착된다는 문제가 발생한다.
이와 같은 고주파 안테나의 스퍼터링을 방지하기 위하여, 종래부터, 고주파 안테나의 외주를 절연체로 만든, 예컨대 석영(石英)제의 보호관으로 덮는 것이 행하여지고 있다. 예컨대, 특허문헌 1에는, 직경 6㎜의 동파이프의 고주파 안테나의 주위를 직경 15㎜의 석영제 보호관으로 덮은 내부안테나가 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 구성에서는 고주파 안테나와 보호관 사이의 공간에 있어서의 압력이 프로세스 가스압과 같은 압력이 된다. 그 때문에, 그 공간 내에서도 방전이 발생되어 버리고, 그 결과, 고주파 안테나로부터 방사되는 유도전계는 상기 공간에서의 방전에 소비되어, 목적으로 하는 진공용기 속에서의 플라즈마 생성이 곤란하게 된다는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기 문제를 해결하기 위하여, 고주파 안테나와 보호관 사이에서의 방전 발생을 억제하여, 진공용기 속에 고밀도의 방전 플라즈마를 생성하는 고주파 안테나 유닛을 제공하는 것을 과제로 하고 있다. 또한, 이들 고주파 안테나 유닛을 이용한 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 과제로 하고 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛은, 진공용기 속에 플라즈마를 발생시키기 위한 장치에서 이용되는 고주파 안테나 유닛에 있어서,
a) 고주파 전류를 흐르게 하기 위한 고주파 안테나와,
b) 상기 고주파 안테나 중 진공용기 속에 존재하는 부분의 주위에 설치된 절연체로 제조된 보호관과,
c) 상기 고주파 안테나와 상기 보호관 사이의 완충영역
을 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서 「완충영역」이란 전자의 가속을 억제하는 영역을 의미하며, 예컨대 진공 혹은 절연체에 의하여 형성할 수 있다. 여기서 절연체는 고체, 액체, 기체 중 어느 상태이더라도 좋다. 또한, 완충영역은 섬유 형상이나 분말 형상 등, 간극을 가지는 절연체에 의하여 형성할 수도 있다. 예컨대, 시판되는 글라스 울은, 각각의 유리섬유는 절연체이고, 유리섬유 사이에는 수십∼수백 ㎛(압축하지 않고 그대로 이용한 경우)의 간극을 가진다. 가령 이와 같은 간극에 프로세스 가스가 들어온다 하더라도, 유리섬유가 존재함으로써, 고주파 전계에 의한 전자의 가속 및 그에 의하여 발생하는 프로세스 가스의 이온화를 억제할 수 있다.
이와 같이 완충영역에 있어서 전자의 가속을 억제함으로써, 이 영역에 있어서 지속적인 방전이 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 고주파 안테나에 의하여 생성되는 전자파의 에너지가 쓸데없이 소비되는 것을 방지할 수 있다. 이에 의하여, 진공용기 속에 플라즈마를 고효율로 생성할 수 있다.
본 발명에 있어서는 상술한 바와 같이 완충영역 내에 프로세스 가스가 침입하는 경우도 있을 수 있지만, 방전을 한층 더 억제하기 위하여, 상기 보호관과 상기 진공용기 사이에 가스 시일(seal)을 구비하는 것이 바람직하다. 이와 같은 가스 시일을 이용함으로써, 완충영역 내의 가스의 압력을 진공용기 속과는 독립적으로 조정할 수 있다. 완충영역을 진공으로 하면 완충영역 내에서의 방전을 보다 완벽에 가까운 상태로 방지할 수 있다. 한편, 완충영역을 진공용기 바깥과 연통(連通)시켜, 완충영역 속을 대기압(大氣壓)으로 하여도 좋다. 대기압에서는, 통상의 플라즈마 처리에 있어서의 프로세스 가스보다도 압력이 높으므로, 보다 높은 빈도로 전자가 가스 분자에 충돌한다. 그 때문에, 전자가 충분히는 가속되지 않아, 지속적 방전을 방지할 수 있다.
상기 보호관에는, 베이스가 되는 관의 표면에 상기 베이스 관의 재료보다도 플라즈마에 대한 내성이 높은 재료로 이루어지는 고내성 피복이 실시된 것을 이용할 수 있다. 이에 의하여, 고내성 피복에 의하여 높은 내(耐)플라즈마성을 확보하면서, 내플라즈마성 이외의 관점에서 베이스 관의 재료를 선택할 수 있다.
예컨대, 할로겐계의 플라즈마를 생성하는 경우에 있어서, 베이스 관의 재료로는 할로겐계 플라즈마에 대한 내성이 비교적 낮지만 가공성이 뛰어난 석영을 이용하고, 고내성 피복의 재료로는 산화물 세라믹스(알루미나, 이트리아 등), 불화물 세라믹스(불화 마그네슘이나 불화 이트륨 등), 질화물 세라믹스(질화 규소, 질화 알루미늄 등), 탄화물 세라믹스(탄화 규소 등), 실리콘 중 어느 하나 또는 그들의 2가지 이상의 혼합물을 이용할 수 있다.
상기 고주파 안테나에는, 베이스가 되는 금속부재의 표면에 상기 베이스 금속부재의 재료보다도 도전성이 높은 금속으로 이루어지는 고도전성 피복이 실시된 것을 이용할 수 있다. 고주파 전류가 도체를 흐를 때에 도체 표면에 집중(표피효과)되므로, 이와 같은 고도전성 피복이 실시된 고주파 안테나는 베이스 금속부재의 재료에 관계없이 높은 도전성을 가진다. 그 때문에, 베이스 금속부재의 재료로는 도전성 이외의 장점(내부식성, 가공의 용이성, 가격 등)을 가지는 것을 이용할 수 있다.
상기 고주파 안테나는 냉매를 통과시키는 관 형상의 것인 것이 바람직하다. 이에 의하여, 고주파 안테나의 온도가 상승하여 전기저항이 높아지는 것을 방지할 수 있다.
이와 같은 관 형상의 고주파 안테나로서, 상기 냉매에 대한 내식성이 구리보다도 높은 고내식성 금속으로 이루어지는 관(상기 베이스 금속부재)의 표면에, 상기 내식성 금속보다도 도전성이 높은 금속으로 이루어지는 고도전성 피복이 실시되어 있는 것을 이용할 수 있다. 구리는 도전성이 높으면서도 비교적 저렴하다는 장점을 가지지만, 물 등의 냉매와 반응하여 부식될 우려가 있다. 그래서, 상기 고내식성 금속으로 이루어지는 관을 이용함으로써, 냉매와의 반응에 의한 부식을 방지할 수 있다. 또한, 상기 고도전성 피복에 의하여, 고내식성 금속으로 이루어지는 관만을 이용한 경우보다도 도전성을 높일 수 있다. 상기 고내식성 금속으로는 스테인리스강을, 상기 고도전성 피복으로는 금 또는 백금을 적절히 이용할 수 있다.
상기 고주파 안테나는 개방 루프형인 것인 것이 바람직하다. 개방 루프형 고주파 안테나는 권수(卷數)가 1회 미만인 코일에 상당하며, 인덕턴스가 낮고 큰 전류를 흐르게 할 수 있다는 장점을 가진다. 개방 루프형 고주파 안테나에는, 직사각형의 것, U자형의 것, 반원형의 것, 원호의 일부를 잘라낸 형상의 것 등이 포함된다.
상기 고주파 안테나 유닛에 있어서, 상기 개방 루프형 고주파 안테나를 상기 진공용기에 장착하기 위한 것으로서 이 개방 루프형 고주파 안테나의 양단을 지지하는 장착구를 가지며, 이 장착구에 상기 완충영역과 연통하는 연통구멍이 마련되어 있는 구성을 취할 수 있다. 연통구멍은 완충영역 속을 진공흡입하기 위한 배기구로서 이용할 수도 있고, 완충영역 속을 대기압으로 하기 위한 공기의 도입구로 할 수도 있다.
본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛에 의하여, 고주파 안테나와 보호관 사이에서의 방전의 발생을 억제할 수 있다. 이에 의하여, 진공용기 속에 고밀도의 방전 플라즈마를 효율적으로 생성할 수 있어, 생산성이 높은 플라즈마 처리장치를 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제1 실시예를 나타내는 단면도.
도 2는, 본 발명에 관한 플라즈마 처리장치의 일 실시예를 나타내는 개략 구성도.
도 3은, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제2 실시예를 나타내는 단면도.
도 4는, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제3 실시예를 나타내는 단면도.
도 5는, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제4 실시예를 나타내는 단면도.
도 6은, 제4 실시예의 고주파 안테나 유닛을 이용한 경우와, 보호관이 석영으로 제조된 관으로만 이루어지는 고주파 안테나 유닛을 이용한 경우에 대하여, 불소 플라즈마를 생성하였을 때의 보호관의 직경의 시간 변화를 측정한 결과를 나타내는 그래프.
도 7은, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제5 실시예를 나타내는 단면도.
도 8은, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제6 실시예를 나타내는 단면도.
도 2는, 본 발명에 관한 플라즈마 처리장치의 일 실시예를 나타내는 개략 구성도.
도 3은, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제2 실시예를 나타내는 단면도.
도 4는, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제3 실시예를 나타내는 단면도.
도 5는, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제4 실시예를 나타내는 단면도.
도 6은, 제4 실시예의 고주파 안테나 유닛을 이용한 경우와, 보호관이 석영으로 제조된 관으로만 이루어지는 고주파 안테나 유닛을 이용한 경우에 대하여, 불소 플라즈마를 생성하였을 때의 보호관의 직경의 시간 변화를 측정한 결과를 나타내는 그래프.
도 7은, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제5 실시예를 나타내는 단면도.
도 8은, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제6 실시예를 나타내는 단면도.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다.
[실시예 1]
도 1을 이용하여, 본 발명에 관한 고주파 안테나 유닛의 제1 실시예를 설명한다. 본 실시예의 고주파 안테나 유닛은, 고주파 안테나(11)와, 고주파 안테나(11)를 덮는 보호관(12)과, 고주파 안테나(11)와 보호관(12) 사이의 완충영역(13)을 가진다. 본 실시예에서는, 이들 3개의 구성요소로 이루어지는 것을 협의의 고주파 안테나 유닛(10A)이라 정의한다. 협의의 고주파 안테나 유닛(10A)은, 필드 스루(14)를 통하여 장착구(진공 플랜지)(15)에 장착되어 있다. 장착구(15)는, 진공용기(21)(도 2)의 벽에 설치된 상대측 플랜지(도시하지 않음)와 접속된다. 본 실시예에서는, 협의의 고주파 안테나 유닛(10A), 필드 스루(14) 및 장착구(15)를 합쳐, (광의의) 고주파 안테나 유닛(10)이라 정의한다.
고주파 안테나(11)는 동으로 제조된 파이프로 이루어지며, 파이프의 내부에는 냉각수(도시하지 않음)를 흐르게 할 수 있다. 고주파 안테나(11)의 형상은 직사각형이며, 진공용기 속으로의 돌출 부분의 길이는 10㎝, 진공용기 벽과 평행한 부분의 길이는 12㎝, 외경은 6㎜이다. 고주파 안테나(11)의 한쪽 단은 고주파 전원(16)에 접속되고, 또 다른 쪽의 단은 접지된다.
보호관(12)은 유전율 약 9.0의 알루미나 파이프제이며, 그 내경은 16㎜이다. 따라서, 보호관(12)의 내벽면과 고주파 안테나(11)의 외벽면 사이의 거리, 즉 완충영역(13)의 두께는 5㎜이다. 완충영역(13)에는 실질적인 유전율이 1.1∼1.3인 글라스 울이 충전되어 있다. 충전된 상태에서의 글라스 울의 섬유의 평균 간격은 수십 ㎛∼수백 ㎛이다.
도 2를 이용하여, 제1 실시예의 고주파 안테나 유닛(10)을 가지는 플라즈마 처리장치의 일례를 설명한다. 이 플라즈마 처리장치(20)는, 진공용기(21)의 측벽에 고주파 안테나 유닛(10)을 장착하는 구멍(고주파 안테나 유닛 장착 구멍)(22)을 복수 가진다. 고주파 안테나 유닛(10)은, 진공용기(21)의 외측으로부터 고주파 안테나 유닛 장착구멍(22)에 삽입하고, 장착구(15)와 진공용기(21) 사이에 진공 시일을 끼우고 장착구(15)를 고정함으로써 진공용기(21)에 장착한다. 각 고주파 안테나 유닛(10)의 고주파 안테나(11)는, 한쪽 단이 정합기(23)를 통하여 고주파 전원(16)에 접속되며, 다른 쪽 단이 접지된다. 1개의 고주파 전원(16)에는 복수 개의 고주파 안테나(11)가 접속된다.
도 2에는 고주파 안테나 유닛(10)을 진공용기의 측벽에 설치한 예를 나타냈지만, 천정에 설치하는 것이나, 측벽과 천정의 쌍방에 설치하는 것도 가능하다. 또한, 후술하는 제2 및 제3 실시예의 고주파 안테나 유닛(30 및 40)을 이용했을 경우에도 제1 실시예와 마찬가지의 플라즈마 처리장치를 구성할 수 있다.
본 실시예의 고주파 안테나 유닛(10)을 이용하여 행한 실험의 결과에 대하여 서술한다. 이 실험에서는, 고주파 안테나 유닛(10)을 진공용기의 천정에 장착하고, 고주파 안테나의 일단을 정합기(도시하지 않음)를 통하여 주파수 13.56㎒의 고주파 전원(16)에 접속하고 타단을 접지하며, 진공용기 속에 아르곤과 수소의 혼합가스를 도입한 다음, 가스압력을 0.5∼30㎩의 범위로 변화시키면서 진공용기 속에 방전 플라즈마를 발생시켰다. 그 결과, 가스압력이 어떤 값인 경우에도, 완충영역(13)에 방전이 유기되지는 않고, 투입된 고주파 전력이 유효하게 진공용기 속의 방전 플라즈마 생성에 소비되고 있는 것이 확인되었다. 이는, 완충영역(13) 내에 존재하는 글라스 울의 섬유에 의하여 전자의 가속이 억제되기 때문에, 가스가 이온화되기까지는 이르지 않는 것에 의한다고 생각된다.
[실시예 2]
도 3을 이용하여, 본 발명에 관한 제2 실시예의 고주파 안테나 유닛(30)을 설명한다. 고주파 안테나(31) 및 보호관(32)의 형상 및 치수는 제1 실시예와 마찬가지이다. 또한, 고주파 안테나(31)와 보호관(32) 사이에 글라스 울이 충전되어 있는 점도 제1 실시예와 마찬가지이다. 본 실시예에서는, 보호관(32)의 끝 면은 진공 시일(37)을 사이에 두고 장착구(35)에 고정되어 있다. 완충영역(33)은, 장착구(35)에 마련된 연통구멍(381)과 연통하고, 연통구멍(381)에 접속된 배기수단(38)에 의하여 내부를 배기하여 0.1㎩ 이하의 고진공으로 할 수 있다.
본 실시예의 (광의의) 고주파 안테나 유닛(30)을 진공용기의 천정에 장착하여, 제1 실시예와 마찬가지로 고주파 전원으로의 접속 및 접지를 행하고, 진공용기 속에 아르곤과 수소의 혼합가스를 도입한 다음, 진공용기 속에 방전 플라즈마를 발생시켰다. 본 실시예에서는 완충영역(33)의 압력을 0.05㎩ 이하로 유지하였다. 진공용기 속의 압력을 0.5∼30㎩의 범위로 변화시키면서 실험을 행하였는데, 가스압력이 어떤 값인 경우에도, 완충영역(33)에 방전이 유기되지는 않고, 투입된 고주파 전력이 유효하게 진공용기 속의 방전 플라즈마 생성에 소비되고 있는 것이 확인되었다.
[실시예 3]
도 4를 이용하여, 본 발명에 관한 제3 실시예의 고주파 안테나 유닛(40)을 설명한다. 본 실시예의 고주파 안테나 유닛(40)은, 연통구멍(381)을 대기에 개방하고 있는 점을 제외하고 제2 실시예의 고주파 안테나 유닛(30)과 같은 구성을 가진다.
공간을 두고 배치된 2개의 전극 사이에서 방전이 생길 때의 최저전압(불꽃전압)(Vs)은 파센의 법칙을 따른다. 파센의 법칙에 의하면, 제2 실시예와 같이 공간(완충영역(33))을 진공 배기하여 가스압력을 충분히 작게 했을 경우에는, 불꽃전압(Vs)이 높아져서, 방전이 생기기 어렵게 된다. 한편, 가스압력(p)을 충분히 크게 한 경우에도, 불꽃전압(Vs)이 높아진다. 이는, 가스압력(p)이 커질수록, 전자가 가스 분자에 충돌하기 쉽게 되어 충분히 가속화되지 않는 것에 의한다. 다만, 방전의 발생 어려움은 가스압력(p)뿐만 아니라 전극 간의 거리에도 의존한다.
내부안테나 방식의 플라즈마 처리장치에서는, 고주파 안테나와 진공용기의 벽(통상은 이 벽이 접지되어 있음) 사이, 특히 양자의 거리가 최단이 되는 고주파 안테나의 근원과 이 벽 사이에서의 방전 전압이 문제가 되지만, 이 최단 거리는 일반적으로는 수 ㎜∼수 ㎝이다. 이와 같은 거리 범위에서는, 완충영역을 대기압으로 하면 상기 가스압력(p)이 충분히 높다는 조건을 만족시켜, 방전의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 제3 실시예와 같이, 연통구멍(381)을 대기에 개방한다는 간단한 구성에 의하여, 방전의 발생을 억제할 수 있다.
[실시예 4]
도 5를 이용하여, 본 발명에 관한 제4 실시예의 고주파 안테나 유닛(50)을 설명한다. 본 실시예의 고주파 안테나 유닛(50)은, 제1 실시예의 고주파 안테나 유닛(10)에 있어서의 알루미나제 보호관(12) 대신에, 석영제 베이스 관(521)의 표면에 알루미나제의 고내성 피복(522)을 실시한 보호관(52)을 이용한 것이다. 고주파 안테나(11), 보호관(52) 및 완충영역(13)에 의하여, 협의의 고주파 안테나 유닛(50A)이 구성된다. 그 이외의 고주파 안테나 유닛(50)의 구성은 제1 실시예의 고주파 안테나 유닛(10)과 마찬가지이다.
석영은 알루미나보다도 가공성이 뛰어나기 때문에, 석영제 베이스 관(521)을 이용함으로써 그 형상을 고주파 안테나(11)의 U자형 형상에 맞추는 것이 용이하게 된다. 또한, 알루미나는 석영보다도 할로겐계의 플라즈마에 대한 내성이 높기 때문에, 알루미나제의 고내성 피복(522)을 이용함으로써, 그와 같은 플라즈마에서 보호관(52)이 에칭되는 것을 억제할 수 있다.
제4 실시예의 고주파 안테나 유닛(50)을 이용한 경우와, 보호관이 석영제의 베이스 관(521)으로만 이루어지는 고주파 안테나 유닛을 이용한 경우에 대하여, 고주파 안테나 유닛의 주위에 불소 플라즈마를 생성하였을 때의 보호관의 직경의 시간 변화를 측정하였다. 이 실험에서는, 진공용기 속에 고주파 안테나 유닛을 1개 설치하고, 진공용기 속에 CF4 가스와 O2 가스를 유량비 1:5, 압력 1.0㎩이 되도록 공급하며, 고주파 안테나에 1000W의 고주파 전력을 40분간 계속 투입하였다. 그 결과, 도 6에 나타내는 바와 같이, 보호관이 석영제의 관으로만 이루어지는 고주파 안테나 유닛을 이용한 경우에는, 시간의 경과와 함께 보호관의 직경이 서서히 작아져 감에 대하여, 제4 실시예의 고주파 안테나 유닛(50)에서는 보호관(52)의 직경은 거의 변화되지 않아, 불소 플라즈마에 대하여 보호관(52)이 높은 내성을 가지는 것이 확인되었다.
[실시예 5]
도 7을 이용하여, 본 발명에 관한 제5 실시예의 고주파 안테나 유닛(60)을 설명한다. 본 실시예의 고주파 안테나 유닛(60)은, 제4 실시예의 고주파 안테나 유닛(50)에 있어서의 알루미나제 고내성 피복(522) 대신에 실리콘제 고내성 피복(622)을 실시한 보호관(62)을 이용한 것이다. 그 이외의 구성은 제4 실시예의 고주파 안테나 유닛(50)과 마찬가지이다. 본 실시예의 고주파 안테나 유닛(60)은, 실리콘제 기체(基體)의 에칭이나 실리콘 박막의 퇴적 등, 실리콘에 관한 플라즈마 처리를 행할 때에, 보호관의 재료가 피처리물에 불순물로서 혼입되는 것을 방지하기 위하여 적절하게 이용할 수 있다.
[실시예 6]
도 8을 이용하여, 본 발명에 관한 제6 실시예의 고주파 안테나 유닛(70)을 설명한다. 본 실시예의 고주파 안테나 유닛(70)은, 제1 실시예의 고주파 안테나 유닛(10)에 있어서의 동파이프제 고주파 안테나(11) 대신에, 스테인리스제 고내식성 관(711)의 표면에 금(金)제 고도전성 피복(712)이 실시되어 있는 것을 이용한 것이다. 그 이외의 구성은 제1 실시예의 고주파 안테나 유닛(10)과 마찬가지이다. 본 실시예의 고주파 안테나 유닛(70)은, 냉각수와 접하는 것이 스테인리스제 고내식성 관(711)이기 때문에, 동(銅)제의 관을 이용한 고주파 안테나의 경우보다도 부식되기 어렵다. 또한, 금제 고도전성 피복(712)이 실시되어 있음으로써, 높은 도전성을 확보할 수 있다.
제6 실시예의 고주파 안테나 유닛(70)과, 동제 관의 표면에 금제 피복을 실시한 고주파 안테나를 이용한 점을 제외하고 제6 실시예와 마찬가지의 구성을 가지는 고주파 안테나 유닛에 대하여, 이하의 실험을 행하였다. 먼저, 스테인리스제 고내식성 관(711) 및 동제 관의 두께를 1㎜로 하고, 금제 피복의 두께를 양자 모두 40㎛로 하였다. 이들 고주파 안테나 유닛을 각각 진공용기 속에 1개씩 장착하였다. 그리고, 진공용기 속에 수소 가스를 1.3㎩ 공급하고, 이들의 관 속에 냉각수를 공급하면서, 고주파 안테나에 2000W의 고주파 전력을 1000시간에 걸쳐 계속 투입하였다. 그 후, 스테인리스제 고내식성 관(711) 및 동제 관의 두께를 측정한 바, 동제의 관에서는 0.82㎜로 감소되어 있었음에 대하여, 스테인리스제 고내식성 관(711)에서는 1㎜ 그대로였다.
제1∼제6 실시예에서는 완충영역을 채우는 절연체로서 글라스 울을 이용하였지만, 이에 한정되는 것이 아니며, 예컨대 유전체 미소구(微小球), 유전체 미립자 등으로 충전하여도 마찬가지의 효과를 보인다. 또한, 완충영역을 절연성 액체 또는 기체, 예컨대 절연유로 충전함으로써, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있으며, 이들 절연성 액체 또는 기체를 순환시킴으로써, 고주파 안테나를 냉각할 수도 있다.
제1∼제6 실시예에서는 직사각형의 고주파 안테나를 이용하는 예를 나타냈지만, 고주파 안테나는 U자형, 반원형, 원형, 직선 형상 등, 임의의 형상을 취할 수 있다.
10, 30, 40, 50, 60, 70…고주파 안테나 유닛
10A, 30A, 50A, 60A, 70A…(협의의) 고주파 안테나 유닛
11, 31…고주파 안테나
12, 32, 52, 62…보호관
13, 33…완충영역
14, 34…필드 스루
15, 35…장착구
16…고주파 전원
20…플라즈마 처리장치
21…진공용기
22…고주파 안테나 유닛 장착구멍
23…정합기
37…진공 시일
38…배기수단
381…연통구멍
521…베이스 관
522, 622…고내성 피복
711…고내식성 관
712…고도전성 피복
10A, 30A, 50A, 60A, 70A…(협의의) 고주파 안테나 유닛
11, 31…고주파 안테나
12, 32, 52, 62…보호관
13, 33…완충영역
14, 34…필드 스루
15, 35…장착구
16…고주파 전원
20…플라즈마 처리장치
21…진공용기
22…고주파 안테나 유닛 장착구멍
23…정합기
37…진공 시일
38…배기수단
381…연통구멍
521…베이스 관
522, 622…고내성 피복
711…고내식성 관
712…고도전성 피복
Claims (13)
- 진공용기 속에 플라즈마를 발생시키기 위한 장치에서 이용되는 고주파 안테나 유닛에 있어서,
a) 고주파 전류를 흐르게 하기 위한 고주파 안테나와,
b) 상기 고주파 안테나 중 진공용기 속에 존재하는 부분의 주위에 설치된 절연체제(製)의 보호관과,
c) 상기 고주파 안테나와 상기 보호관 사이의 완충영역과,
d) 상기 완충영역과 진공용기의 밖을 연통(連通)하는 연통구멍
을 구비하고,
진공용기 내의 공간과 완충영역의 사이에, 보호관과는 별도로 설치된 가스 시일(seal) 구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 완충영역이 진공인 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 1에 있어서,
상기 완충영역 내의 압력이 대기압인 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 1, 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
상기 보호관이, 베이스가 되는 관의 표면에 상기 베이스 관의 재료보다도 플라즈마에 대한 내성이 높은 재료로 이루어지는 고내성 피복이 실시된 것인 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 5에 있어서,
상기 베이스 관의 재료가 석영이며, 상기 고내성 피복의 재료가 산화물 세라믹스, 불화물 세라믹스, 질화물 세라믹스, 탄화물 세라믹스, 실리콘 중 어느 하나 또는 그들의 2가지 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 1, 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
상기 고주파 안테나가, 베이스가 되는 금속부재의 표면에 상기 베이스 금속부재의 재료보다도 도전성이 높은 금속으로 이루어지는 고도전성 피복이 실시된 것인 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 1, 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
상기 고주파 안테나가 냉매를 통과시키는 관 형상의 것인 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 8에 있어서,
상기 고주파 안테나가, 상기 냉매에 대한 내식성이 구리보다도 높은 고내식성 금속으로 이루어지는 관의 표면에, 상기 고내식성 금속보다도 도전성이 높은 금속으로 이루어지는 고도전성 피복이 실시되어 있는 것인 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 9에 있어서,
상기 고내식성 금속이 스테인리스강이며, 상기 고도전성 피복이 금 또는 백금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 1, 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
상기 고주파 안테나가 개방 루프형의 것인 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 11에 있어서,
상기 개방 루프형 고주파 안테나를 상기 진공용기에 장착하기 위한, 상기 개방 루프형 고주파 안테나의 양단을 지지하는 장착구를 가지며, 상기 장착구에 상기 연통구멍이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 안테나 유닛. - 청구항 1, 청구항 3 또는 청구항 4에 기재된 고주파 안테나 유닛을 적어도 1개 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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