KR101585232B1 - 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조 - Google Patents

인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조 Download PDF

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Abstract

인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조가 제공된다. 터치 패턴 구조는 다음을 포함하며: 제1 방향으로 연장되고 서로 절연되어 있는 복수의 구동 라인; 및 제2 방향으로 연장되고 서로 절연되어 있는 복수의 센싱 라인, 제1 방향은 제2 방향에 수직하고, 구동 라인은 센싱 라인과 절연되어 있으며, 또한 구동 라인과 센싱 라인의 대변 중 적어도 일부에는 공동-내장 구조가 제공된다. 본 발명에 의해 개시되는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 있어서, 공동-내장 구조가 구동 라인과 센싱 라인 사이에 형성됨으로써 구동 라인과 센싱 라인의 대변의 길이가 증가되고, 구동 라인과 센싱 라인 사이의 뮤추얼 캐패시턴스 효과가 강화되며, 또한 터치 감도가 더욱 향상된다.

Description

인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조{TOUCH PATTERN STRUCTURE OF IN-CELL CAPACITIVE TOUCH SCREEN}
본 발명은 터치 분야에 관한 것으로서, 구체적으로는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 관한 것이다.
본 출원은 중국 특허출원 NO. 201210265067.9(발명의 명칭은 "인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조(TOUCH PATTERN STRUCTURE OF IN-CELL CAPACITIVE TOUCH SCREEN)"이고, 출원일은 2012.7.27)에 대한 우선권을 주장하며, 이로써 중국 특허출원 NO. 201210265067.9 의 모든 내용은 본 출원에 합체된다.
1974년에 초기의 저항식 터치 스크린이 등장한 이래, 터치 기술은 빠르게 성장하였고; 현재에는 정전식 터치 스크린, 저항식 터치 스크린, 적외선 터치 스크린, 그리고 음향 터치 스크린(acoustic touch screen)과 같은 다양한 터치 원리를 갖는 제품들이 업계에서 개발되었다. 정전식 터치 스크린은 정확하고 감각적인 포지셔닝(positioning), 우수한 터치감, 긴 수명 및 멀티-터치 지원이 가능한 장점으로 인해 현재 시장에서 지배적이다.
정전식 터치 스크린은 서로 다른 원리에 따라 셀프 캐패시턴스 방식(self-capacitance) 및 뮤추얼 캐패시턴스 방식(mutual-capacitance)으로 분류된다. 뮤추얼 캐패시턴스 방식의 터치 스크린은 멀티-터치 기능을 얻을 수 있기 때문에, 뮤추얼 캐패시턴스 방식의 터치 스크린이 정전식 터치 스크린 시장의 주류가 되고 개발 경향이 되었다.
현재, 뮤추얼 캐패시턴스 방식의 터치 스키린의 대다수는 온-셀 구조를 채택하고 있다. 즉, 터치 스크린 패널이 디스플레이 패널의 외부에 부착된다. 이러한 온-셀 구조로 인해, 전체 디스플레이의 두께 및 중량은 불가피하게 증가되고, 광 투과율 또한 감소된다. 따라서, 통상적인 온-셀 구조는 더 얇고 더 밝은 디스플레이의 개발 경향에 대한 요구에 부합되지 않는다.
따라서, 인-셀 정전식 터치 스크린, 즉 정전식 터치 스크린 패턴이 디스플레이 패널 안쪽에 집적된 터치 스크린이 제안된다.
다만, 인-셀 정전식 터치 스크린은, 온-셀 정전식 터치 스크린과 비교하여 디스플레이 패널의 전극 층과 터치 스크린의 전극 층 사이의 거리가 더 가깝고, 이로 인해 그 사이의 신호 간섭이 더 심하므로 터치 스크린의 감도가 떨어진다. 결과적으로, 통상적인 온-셀 정전식 터치 스크린의 터치 스크린 패턴 구조(통상적인 터치 스크린 패턴 구조는 일반적으로 직선 측(straight sides)을 갖는 다각형 전극으로 이루어짐)로는 터치 감도에 대한 요구를 충족시킬 수 없다.
인-셀 정전식 터치 스크린에 통상적인 패턴 구조가 적용되는 경우 온-셀 정전식 터치 스크린의 통상적인 패턴 구조는 터치 감도에 대한 요구를 충족시킬 수 없다는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에 따라 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조가 제공된다.
본 발명에 따라 제공되는 터치 패턴 구조는 다음을 포함한다:
서로 절연되어 있고 제1 방향으로 연장된 복수의 구동 라인; 및
서로 절연되어 있고 제2 방향으로 연장된 복수의 센싱 라인; 그리고, 여기서
제1 방향은 제2 방향과 교차하고;
구동 라인은 각각 센싱 라인과 절연되어 있으며; 그리고
구동 라인과 센싱 라인의 대변(opposite sides) 중 적어도 일부에는 공동-내장 구조(mutually-embedded structure)가 제공된다.
선택적으로, 구동 라인은 다수의 반복적인 구동 전극을 전기적으로 연결함으로써 형성되고; 센싱 라인은 다수의 반복적인 센싱 전극을 전기적으로 연결함으로써 형성되며; 구동 전극과 인접한 센싱 전극 사이에는 공동-내장 구조가 형성되고, 이러한 공동-내장 구조는 적어도 세 개의 최소 반복 단위를 갖는다.
선택적으로, 각각의 구동 전극과 각각의 센싱 전극은 이빨(teeth)을 갖는 대변을 포함하고, 구동 전극의 대변 상의 이빨(tooth)은 센싱 전극의 대변 상의 이빨과 맞물려 공동-내장 구조를 형성하며, 맞물린 한 쌍의 이빨은 최소 반복 단위를 정의한다.
선택적으로, 각 이빨의 기하학적 구조는 삼각형, 직사각형, 가지-형태 또는 물결-형태이다.
선택적으로, 이빨을 제외한 구동 전극 또는 센싱 전극의 일부는 전극 본체에 해당하고, 센싱 전극의 전극 몸체는 마름모, 사각형, 육각형, 십자가 또는 가지 형태이다.
선택적으로, 센싱 전극의 전극 본체는 사각형 형태이고, 센싱 전극의 이빨은 직사각형 이빨에 해당하며, 센싱 전극의 면적은 Ss 이고, 구동 전극의 면적은 Sd 이며, 구동 전극과 센싱 전극의 대변의 길이는 L이고, 공동-내장 구조가 제공되는 경우의 (Sd×Ss)/L 의 값은 공동-내장 구조가 없는 경우의 (Sd×Ss)/L 값보다 작다.
선택적으로, 센싱 전극 중 사각-형태를 갖는 전극 본체의 길이는 X이고 센싱 전극 중 사각-형태를 갖는 전극 본체의 높이는 Y이다; 센싱 전극 중 사각-형태의 이빨 각각의 바닥 측 길이는 A이고 센싱 전극의 사각-형태를 갖는 이빨 각각의 높이는 B이며, 센싱 전극에 포함된 이빨의 개수는 L(Y-2A)/AB 보다 큰 값에 해당한다.
선택적으로, 센싱 전극 중 전극 본체는 사각형 형태이고, 센싱 전극의 이빨 각각은 삼각형 형태이다; 센싱 전극의 전극 본체 길이는 X이고, 센싱 전극의 전극 본체 높이는 Y이다; 삼각형 이빨 각각의 바닥 측 길이는 A이고, 삼각형 이빨의 높이는 B이다; 또한, A=0.2mm 이고 B=0.4mm 인 경우에 있어서, B는 최적의 값 0.8mm를 갖는다.
선택적으로, 센싱 단자의 전극 본체는 가지 형태이고, 각각의 전극 가지들의 폭은 0.2mm를 초과한다.
선택적으로, 구동 라인과 센싱 라인 사이에 구동 라인 및 센싱 라인 양쪽 모두와 절연된 가상 전극이 제공된다.
선택적으로, 구동 라인과 센싱 전극은 절연 층에 의해 커버되고; 센싱 라인은 도선을 포함하며, 도선은 센싱 전극을 연결하기 위해 절연 층을 가로지르고; 구동 전극과 센싱 전극 사이에는 가상 전극이 제공된다.
선택적으로, 구동 라인과 센싱 라인은 각각 절연 층의 상측과 하측에 위치하고, 가상 전극은 구동 라인과 센싱 라인을 제외한 절연 층의 상측과 하측 내에 있는 영역 상에 배치된다.
선택적으로, 가상 전극은 다각형, 원형 또는 타원형 형태이다.
선택적으로, 구동 라인과 센싱 라인은 투명한 전도성 재료, 또는 블랙 매트릭스(black matrix)로 커버된 메탈 그리드(metal grid), 또는 이들의 조합으로 이루어진다.
선택적으로, 투명한 전도성 재료는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 또는 이들의 조합에 해당한다.
본 발명은, 종래 기술과 비교하여 다음의 장점들을 갖는다.
본 발명에 의해 제공되는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 있어서, 구동 라인과 센싱 라인 사이에는 공동-내장 구조가 형성됨으로써 구동 라인과 센싱 라인의 대변의 길이를 증가시키고, 구동 라인과 센싱 라인 사이의 뮤추얼 케패시턴스 효과를 강화시키며, 터치 감도를 증가시킨다.
본 발명에 의해 제공되는 인-셀 정전식 터치 패널의 터치 패턴 구조에 대한 바람직한 설계에 있어서, 구동 전극의 면적과 센싱 전극의 면적 자체를 감소시키기 위해 가상 전극이 추가됨으로써 구동 전극의 기생 캐패시턴스와 센싱 전극의 기생 캐패시턴스 자체를 감소시키고, 터치 감지 시그널에 대한 검출을 용이하게 한다. 아울러, 가상 전극을 이용함으로써 모든 터치 패턴의 광학적 균일성이 향상되고, 이로써 터치 디바이스의 시각적 효과가 우수해진다.
본 발명에 따르면, 터치 감도가 증가되고, 모든 터치 패턴의 광학적 균일성이 향상된 인-셀 정전식 터치 패널의 터치 패턴 구조를 얻을 수 있다.
도 1은 뮤추얼 캐패시턴스 방식의 터치 패턴 구조의 작동 원리 모델에 대한 개략도이고;
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의해 제공되는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 대한 개략도이고;
도 3은 도 2에 도시된 터치 패턴 구조의 단면에 대한 제1 실시예를 나타내는 개략도이고;
도 4는 도 2에 도시된 터치 패턴 구조의 단면에 대한 제2 실시예를 나타내는 개략도이고;
도 5는 도 2에 도시된 터치 패턴 구조의 단면에 대한 제3 실시예를 나타내는 개략도이고;
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 의해 제공되는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 대한 개략도이고;
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 의해 제공되는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 대한 개략도이다.
도 1을 참조하면, 도 1은 뮤추얼 캐패시턴스 방식의 터치 패턴 구조의 작동 원리 모델에 대한 개략도이다. 도 1에 있어서, Gs는 접지 및 특정 주파수의 스캐닝 시그널 방출을 위한 하나의 저항 Rg를 구비하는 터치 스캐닝 시그널 발생장치를 나타낸다. Rd는 구동 전극의 등가저항을 나타내고, Rs는 센싱 전극의 등가저항을 나타내며, 구동 전극과 센싱 전극 사이에는 캐패시턴스 리액턴스(capacitive reactance)가 형성될 수 있고, 캐패시턴스 리액턴스의 등가저항은 Rds 이다. 구동 전극과 센싱 전극 사이에는 뮤추얼 캐패시턴스 Cm가 형성되고, 뮤추얼 캐패시턴스 방식의 터치 스크린은 뮤추얼 캐패시턴스를 이용함으로써 터치 기능을 얻게 된다. 구동 전극과 센싱 전극 사이에서 터치 동작이 발생되는 경우, 뮤추얼 캐패시턴스 Cm는 커플링 전류(coupling current) I를 형성하기 위해 달라지게 된다. 커플링 전류 I는 출력 시그널 전압 Vout을 갖는 터치 시그널을 출력하기 위해 비교 증폭기(comparison amplifier)에 의해 증폭된다.
도 1을 참조하면, 구동 전극 역시 대지간 커플링 캐패시턴스(coupling capacitance to ground)(셀프 캐패시턴스 또는 기생 캐패시턴스로도 불리움) Cd를 갖는다. 센싱 전극 역시 대지간 커플링 캐패시턴스(셀프 캐패시턴스 또는 기생 캐패시턴스로도 불리움) Cs를 갖는다. 본 발명자들은, 통상적인 터치 전극 패턴(직선 측을 갖는 마름모 형태와 같은 것)이 인-셀 터치 패널 구조 내에 집적되어 있을 때, Cd와 Cs는 터치 감지를 위한 뮤추얼 캐패시턴스 Cm보다 훨씬 더 커질 수 있다는 것을 알아냈다. 한편, 두 캐패시턴스 Cd와 Cs의 대지간 정전용량 리액턴스(capacitive reactance to ground)에 대한 등가저항 Re의 저항 값은 상대적으로 크다. 이 경우, 구동 전극과 센싱 전극 사이의 커플링 전류 I는 Cd와 Cs의 곱에 비례한다. Cd는 구동 전극의 면적 Sd에 비례하고, Cs는 센싱 전극의 면적 Ss에 비례하기 때문에, 커플링 전류 I는 Sd와 Ss의 곱에 비례한다. 아울러, 본 발명자들은, 구동 전극과 센싱 전극이 동일한 전극 재료 층을 에칭함으로써 형성된 것이고 또한 구동 전극이 오로지 에칭 그루브(etching groove)에 의해 센싱 전극으로부터 고립되어 있기 때문에 구동 전극과 센싱 전극이 동일한 길이를 갖는 대변(opposite sides)을 구비한다는 것을 알아냈다. 대변의 길이는 L로 표기될 수 있다. 구동 전극과 센싱 전극 사이의 뮤추얼 캐패시턴스 Cm은 대변의 길이 L에 비례한다.
본 발명자들은, 대지간 구동 전극의 커플링 캐패시턴스 Cd의 값은 구동 전극의 면적에 비례하고, 또한 대지간 센싱 전극의 커플링 캐패시턴스 Cs의 값은 센싱 전극의 면적에 비례한다는 것으로 결론을 내렸다. Cd와 Cs가 감소하는 경우, 그에 따라 구동 전극의 면적 Sd와 센싱 전극의 면적 Ss는 감소하게 된다. 구동 전극과 센싱 전극 사이의 뮤추얼 캐패시턴스 Cm는 구동 전극과 센싱 전극 사이의 대변의 길이 L에 비례한다. 구동 전극과 센싱 전극 사이의 뮤추얼 캐패시턴스 Cm이 증가되는 경우, 그에 따라 길이 L은 감소된다. 따라서, 대지간 커플링 캐패시턴스 Cd 및 대지간 커플링 캐패시턴스 Cs를 감소시키는 반면 구동 전극과 센싱 전극 사이의 뮤추얼 캐패시턴스 Cm은 증가시키기 위해서는 (Sd×Ss)/L의 값이 감소해야 한다. (Sd×Ss)/L의 값이 감소하면, 터치 시그널의 시그널-노이즈 비(signal-noise ratio)가 향상될 수 있고, 이로써 인-셀 터치 패널 구조의 터치 감도에 대한 요구가 충족될 수 있도록 터치 전극 패턴의 터치 감도가 향상될 수 있다.
따라서, 본 발명자들은 터치 패턴 구조의 시그널-노이즈 비를 향상시키고 터치 감도를 향상시키기 위해 인-셀 정전식 터치 스크린 터치 패턴 구조를 제안한다.
제1 실시예
도 2를 참조하면, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의해 제공되는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 대한 개략도이다. 도 2를 살펴보면, 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조는 제1 방향으로 연장되며 서로 절연되어 있는 복수의 구동 라인(2)을 포함하는 것을 알 수 있다. 각각의 구동 라인(2)은 복수의 구동 전극(21)을 포함하고, 구동 전극의 전체적인 기하학적 형태는 대략적으로 문자 "H"에 해당하며, 인접한 구동 전극(21)은 서로 전기적으로 연결된다. 또한, 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조는 제2 방향으로 연장되며 서로 절연되어 있는 복수의 센싱 라인(1)을 포함한다. 각각의 센싱 라인(1)은 복수의 센싱 전극(11) 및 인접한 센싱 전극(11)을 연결하는 도선(12)을 포함한다. 아울러, 구동 라인(2)과 센싱 라인(1) 사이에는 에칭 그루브가 있어 구동 라인(2)은 센싱 라인(1)으로부터 절연되어 있다. 또한, 도 2에 도시되어 있지는 않으나, 구동 라인(2)과 센싱 라인(1)은 모두 터치 콘트롤러에 연결된다.
실시예에 있어서, 제1 방향은 제2 방향에 수직(즉, 구동 라인(2)은 센싱 라인(1)에 수직)하다는 점에 유의해야 한다. 그러나, 다른 실시예에 있어서는, 구동 라인(2)은 센싱 라인(1)에 수직하지 않고 센싱 라인(1)과 특정 각을 이루며 교차할 수도 있다.
도선(12)의 개수는 하나 또는 복수개로 한정되지 않을 수 있다. 각 도선의 구조는 단층 또는 다층으로 한정되지 않을 수 있다. 도선(12)의 제조를 위한 재료는 금속, 도전성 금속 산화물 또는 이들의 조합에 해당할 수 있으며, 센싱 전극(11)에 대한 재료와 동일할 수도 있다.
다시 도 2를 참조하면, 동일한 형상을 갖는 직사각형의 이빨들이 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)의 대변 상에 형성될 수 있다. 구동 전극(21) 상의 직사각형의 이빨은 도면 참조부호 211로 표기되고, 센싱 전극 상의 직사각형의 이빨은 도면 참조부호 111로 표기된다. 대변 상에 있는 직사각형의 이빨들로 인해, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)의 대변 사이에 공동-내장 구조가 형성된다.
실시예에 있어서, 센싱 전극(11)의 이빨은 직사각형 이빨(111)에 해당한다. 다만, 다른 실시예에 있어서는 이빨의 기하학적 형상이 삼각형, 가지형, 물결형 또는 기타 이와 유사한 형태로 디자인될 수도 있다. 구동 전극(12)의 이빨들은 각각 센싱 전극(11)의 이빨들과 매칭된다.
실시예에 있어서, 센싱 전극(11)의 전극 몸체(전극 몸체는 이빨을 포함하지 않는 전극의 일부를 일컫는 것임)는 직사각형 형태이다. 다른 실시예에 있어서, 센싱 전극(11)의 전극 몸체는 마름모형, 직사각형, 융각형 또는 가지형과 같은 형태일 수도 있다.
다시 도 2를 참조하면, 센싱 전극(11)의 전극 몸체 길이는 X로 표기되고, 그 폭은 Y로 포기된다. 전극의 저항 값은 폭 Y에 따라 결정된다. 센싱 전극(11)의 저항이 시그널 전송의 요구를 만족하도록 하기 위해서 Y는 일정 값보다 더 커야 한다(여기서, 일정 값은 전극의 재료에 따라 결정되는 값에 해당함).
도 2를 참조하면, 센싱 전극(11) 상의 직사각형 이빨(111)의 바닥 측 길이는 A로 표기되고, 그 높이는 B로 표기된다. 센싱 전극(11)의 면적은 Ss로 표기되고, 구동 전극(21)의 면적은 Sd로 표기되며, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)의 대변의 길이는 L로 표기된다. 본 발명자들은 연구를 통해 Y≥2A 이고 센싱 전극(11) 상의 이빨의 개수가 L(Y-2A)/AB 인 경우, 이빨 맞물림 구조를 갖는 구동 전극(21)과 센싱 전극(11) 사이의 (Sd×Ss)/L 값은 작아지게 되며, 이로써 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 감도에 대한 요구를 충족시키게 된다.
실시예에 있어서, 센싱 전극(11)의 각 변 상에 열 두 개의 이빨(111)이 제공되는 경우, A=2mm 이고 B=3mm 이면 L=2(2+3×2)×12=96mm 가 된다. 이빨 맞물림 구조가 없는 경우라면 L=2×12=24mm 가 된다. 이빨 맞물림 구조가 제공되는 경우의 L 값은 이빨 맞물림 구조가 제공되는 경우의 L 값보다 4배 더 길다는 결론을 내릴 수 있다(Sd 와 Ss 값은 거의 동일하게 유지). 따라서, 직사각형 이빨(111)과 직사각형 이빨(211)이 있을 때의 (Sd×Ss)/L 값은 직사각형 이빨(111)과 직사각형 이빨(211)이 없을 때의 (Sd×Ss)/L 값의 1/4에 해당한다. 이때문에, 직사각형 이빨(111)과 직사각형 이빨(211)을 배치함으로써 터치 감도가 현저히 향상되는 것이다.
다시 도 2를 참조하면, 구동 라인(2)와 센싱 라인(1) 이외에, 실시예를 통해 제공되는 터치 패턴 구조는 가상 전극(3)도 포함한다. 본 실시예에 있어서, 가상 전극의 기하학적 형태는 직사각형이고, 인접한 구동 전극(21) 사이에 형성된다. 가상 전극(3)으로 인해 구동 전극(21)의 면적과 센싱 전극(11)의 면적 그 자체는 감소되고, 이로써 구동 전극(21) 또는 센싱 전극(11)의 셀프 캐패시턴스는 감소되며, 이에 따라 터치 감도를 더욱 향상기킨다. 반면, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)은 가상 전극(3)으로 인해 사람의 눈에 쉽게 인지되지 않을 수 있고, 터치 패턴 구조의 전체적인 패턴은 더 일정해지며, 터치 패턴의 시각적 효과는 더 우수해진다.
도 3을 참조하면, 도 3은 도 2에 도시된 터치 패턴 구조의 단면에 대한 제1 실시예를 나타내는 개략도이다. 본 실시예에 의해 제공된 터치 패턴 구조에 있어서, 구동 전극(21) 및 센싱 전극(11)은 기판(S)의 동일 면 상에 형성된다. 도 3을 살펴보면, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)이 절연 층(I)으로 커버되어 있다는 것 또한 알 수 있다. 본 실시예에 있어서, 절연 층(I)은 관통 홀을 포함한다. 도선(12)은 절연 층(I)을 가로지르며, 인접한 두 센싱 전극(11)을 절연 층(I) 내에 있는 관통 홀을 통해 연결시킴으로써 도 2의 센싱 라인(1)을 형성한다. 이 때, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)이 제공된 기판(S)의 표면 상에서, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)이 제공된 영역을 제외한 그 밖의 영역은 가상 전극에 의해 커버된다(이러한 구조에 대해서는 단면이 가상 전극을 지나지 않기 때문에 도 3에 도시되어 있지는 않지만, 이러한 구조는 도 2를 참조함으로써 이해될 수 있음). 즉, 가상 전극은 구동 전극(21)과 센싱 전극(11) 사이에 위치한다.
도 4를 참조하면, 도 4는 도 2에 도시된 터치 패턴 구조의 단면에 대한 제2 실시예를 나타내는 개략도이다. 도 3의 구조와 유사하게, 본 실시예에 의해 제공된 터치 패턴 구조 내에서, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)은 기판(S)의 동일 면 상에 형성된다. 다만, 본 실시예에 있어서, 절연 층(I)은 부분적으로 구동 층(21)을 커버하고, 절연 층(I) 내에는 관통 홀이 존재하지 않는다. 도선(12)은 절연 층(I)을 가로질러 인접한 두 센싱 전극(11)을 연결함으로써 도 2에 도시된 센싱 라인(1)을 형성한다.또한, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)이 구비된 기판(S)의 표면 상에서, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)이 제공된 영역을 제외한 그 밖의 영역은 가상 전극에 의해 커버된다(이러한 구조에 대해서는 단면이 가상 전극을 지나지 않기 때문에 도 4에 도시되어 있지는 않지만, 이러한 구조는 도 2를 참조함으로써 이해될 수 있음). 즉, 가상 전극은 구동 전극(21)과 센싱 전극(11) 사이에 위치한다.
도 5를 참조하면, 도 5는 도 2에 도시된 터치 패턴 구조의 단면에 대한 제3 실시예를 나타내는 개략도이다. 도 3 및 도 4에 도시된 구조와 유사하게, 본 발명에 의해 제공된 터치 패턴 구조 내에서, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)은 기판(S)의 동일 면 상에 형성된다. 다만, 차이점은 다음과 같다: 본 실시예에 있어서, 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)은 각각 절연 층(I)의 양 측에 위치한다. 즉, 센싱 전극(11)은 절연 층(I)의 하측에 위치하고, 구동 전극(21)은 절연 층(I)의 상측에 위치한다. 구동 전극(21)과 센싱 전극(11)으로 커버된 영역을 제외한 절연 층(I)의 양 측 상에 있는 그 밖의 영역은 가상 전극에 의해 커버된다(이러한 구조에 대해서는 단면이 가상 전극을 지나지 않기 때문에 도 5에 도시되어 있지는 않지만, 이러한 구조는 도 2를 참조함으로써 이해될 수 있음).
상술한 기판(S)은 절연성 기판이라는 점에 유의해야 한다. 아울러, 기판(S)은 액정 패널 내에 있는 칼라 필름 기판 또는 정렬 기판(array substrate)에 해당할 수 있고; 또는 OLED 내에 있는 절연성 기판일 수도 있다. 터치 패턴은 액정 패널 또는 OLED 내에 집적됨으로써 인-셀 정전식 터치 스크린을 형성할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 가상 전극의 기하학적 형태는 다각형, 원형 또는 타원형 등의 다른 형태로 디자인되거나, 또는 절연 층 영역 내에 구동 라인과 센싱 라인이 존재하지 않는 상태로 절연 층 영역 내에 채워진 집적 패턴일 수 있다.
제2 실시예
도 6을 참조하면, 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 의해 제공되는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 대한 개략도이다. 도 6을 살펴보면, 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조는 제1 방향으로 연장되며 서로 절연되어 있는 복수의 구동 라인(5)을 포함한다. 구동 라인(5)은 복수의 구동 전극(51)을 포함하고, 구동 전극의 전체적인 기하학적 형태는 대략 문자 "H"에 해당한다. 본 실시예에 있어서, 인접한 구동 전극(51)은 모든 구동 전극(51)이 통합(즉, 구동 라인(5))을 이루도록 서로 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조는 제2 방향으로 연장되며 서로 절연되어 있는 센싱 라인(4)을 포함한다. 센싱 라인(4)은 복수의 센싱 전극(41)을 포함하고, 인접한 센싱 전극(41)은 도선(42)에 의해 연결된다. 구동 라인(5)은 센싱 라인(4)과 절연되어 있다. 도 3에 도시되어 있지는 않지만, 구동 라인(5)과 센싱 라인(4) 모두는 터치 콘트롤러에 연결된다.
다시 도 6을 참조하면, 삼각형 이빨이 구동 전극(51)과 센싱 전극(41)의 대변 상에 형성되어 있다. 구동 전극(51)의 삼각형 이빨은 도면 참조부호 511로 표기되고, 센싱 전극(41)의 삼각형 이빨은 도면 참조부호 411로 표기된다. 삼각형 이빨(511)은 삼각형 이빨(411)과 맞물려 이빨 맞물림 구조(즉, 공동-내장 구조)를 형성한다. 삼각형 이빨은 그 폭이 팁에서부터 전극 몸체와 연결되는 바닥쪽으로 갈수록 점점 증가하는 형상을 갖는데, 이는 뮤추얼 캐패시턴스 시그널(mutual-capacitance signal)을 감지하는데 유리하다.
실시예에 있어서, 센싱 전극(41)의 전극 몸체 길이는 X로 표기되고 그 높이는 Y로 표기된다. 센싱 전극(41) 상의 삼각형 이빨(411)의 바닥부 길이는 A로 표기되고 그 높이는 B로 표기된다. 각각의 센싱 단자(41)의 면적은 Ss=(Y+B)X 에 해당한다. 피타고라스의 정리에 따라, 삼각형 이빨(411 또는 511)의 일 측의 길이는 [B2+(X/N)2]1/2 (단, N은 이빨의 개수에 해당함)이다. 따라서, 구동 전극(51)과 센싱 전극(41)의 대변의 길이는 L=[B2+(X/N)2]1/2×2N 에 해당한다(이러한 등식은 각각의 센싱 전극(41)이 두 개의 구동 전극(51) 각각에 대해 하나의 대응되는 대변을 갖는 경우에 따른 것임). N이 커질수록 L이 길어지지만, Ss 값은 실질적으로 일정하게 유지된다. 결과적으로, 허용 가능한 에칭 정확도 이내에서, 이빨이 많아질수록 더 좋은 것이다. 아울러, 구동 전극(51)의 전극 면적은 Sd이고, 구동 전극(51)과 센싱 전극(41)의 대변의 길이는 L=2(A2/4+B2)1/2 에 해당한다. 비 (Sd×Ss)/L 에 대한 극값이 존재한다. A=0.2mm 이고 Y=0.4mm 인 경우, B의 최적 값은 대략 0.8mm 이다. 이 때, 이빨이 있다면, (Sd×Ss)/L 값은 이빨이 없는 경우의 절반에 해당한다. 이러한 방식으로, 터치 패턴의 터치 감도가 현저히 향상된다.
다시 도 6을 참조하면, 구동 라인(5)와 센싱 라인(4) 이외에도, 본 실시예에 의해 제공된 터치 패턴 구조는 가상 전극(6)도 포함한다. 본 실시예에 있어서, 가상 전극(6)은 직사각형 형태이고, 두 인접한 구동 전극(51) 사이에 형성된다. 가상 전극(6)으로 인해, 구동 전극(51)과 센싱 전극(41)의 면적 그 자체는 감소되고, 이로써 구동 전극(51) 또는 센싱 전극(41)의 셀프 캐패시턴스가 감소되며, 이에 따라 터치 감도를 향상시킨다. 한편, 구동 전극(51)과 센싱 전극(41)은 가상 전극(6)으로 인해 사람의 눈에는 쉽게 인지되지 않을 수 있고, 터치 패턴 구조의 전체적인 패턴은 더욱 일정해지며, 터치 패턴의 시각적 효과는 더 우수해진다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 삼각형 이빨(411 또는 511)은 직각 삼각형 이빨로 디자인될 수 있다. 직각 삼각형 이빨의 제조는 용이하며, 이는 터치 패턴의 제작을 용이하게 한다.
본 발명의 제1 실시예와 유사하게, 본 실시예에 의해 제공된 터치 전극 패턴 구조에 있어서, 구동 라인(5)과 센싱 라인(4)은 동일한 절연 층의 같은 편 또는 다른 편에 위치할 수 있다. 대안적으로, 구동 라인(5)과 센싱 라인(4)이 서로 다른 절연 층에 위치할 수도 있다. 어떠한 경우든지, 대응되는 가상 전극은 구동 전극(5) 및 센싱 전극(4) 사이에서 대응되는 적절한 자리에 배치될 수 있고, 이로써 전극의 면적을 감소시킴으로써 전극의 셀프 캐패시턴스를 감소시킨다.
제3 실시예
도 7을 참조하면, 도 7은 본 발명의 제3 실시예에 의해 제공되는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 대한 개략도이다. 도 7을 살펴보면, 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조가 제1 방향으로 연장되며 서로 절연되어 있는 복수의 구동 라인(8)을 포함하는 것을 알 수 있다. 각각의 구동 라인(8)은 복수의 구동 전극(81)을 포함하고, 구동 전극(81)의 전체적인 기하학적 형태는 대략 중국 문자 "王"에 해당한다. 본 실시예에 있어서, 인접한 구동 전극(81)은 구동 전극(81)이 통합(즉, 구동 라인(8))을 이루도록 서로 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조는 제2 방향으로 연장되며 서로 절연되어 있는 복수의 센싱 라인(7)을 포함한다. 각각의 센싱 라인(7)은 복수의 센싱 전극(71)을 포함하고, 인접한 센싱 전극(7)은 도선(72)에 의해 연결되어 있다. 구동 라인(8)과 센싱 라인(7) 각각은 서로 절연되어 있다. 도 7에 도시되어 있지는 않지만, 구동 라인(8)과 센싱 라인(7) 모두는 터치 콘트롤러에 연결된다.
도 7을 참조하면, 센싱 단자(71)의 전극 몸체는 가지 형태이고, 각각의 센싱 전극(71)은 6 개의 가지를 구비한다. 본 실시예에 있어서, 각각의 전극 가지의 폭은 0.2mm 를 초과한다. 가지 형태의 센싱 전극(71)은 각각의 가지에 복수의 이빨(711)이 갖추고 있다. 또한, 구동 전극(81)은 이빨(711)과 매칭되는 이빨(811)을 갖추고 있다.
본 실시예에 있어서, 센싱 전극(71)의 각각의 가지 중 적어도 하나의 직접 측(direct side) 또는 굴곡 측(curved side)은 세 개를 초과하는 이빨(711)을 갖추고 있다. 본 실시예에 있어서, 이빨(711)의 기하학적 형태는 직사각형 또는 삼각형으로 디자인 될 수 있다. 다른 실시예에 있어서는, 이빨(711)의 기하학적 형상이 직사각형, 물결형 또는 가지형과 같이 디자인 될 수도 있다. 터치 감지를 위한 뮤추얼 캐패시턴스 시그널은 이빨(711)을 갖춤으로써 촉진될 수 있고, 이로써 인-셀 터치 디바이스의 시그널-노이즈 비를 증가시킨다. 아울러, 도 7에 도시되지는 않았으나, 가상 전극은 본 실시예의 터치 패턴 구조 내에 배치될 수도 있다. 가상 전극은 구동 라인(8)과 센싱 라인(7) 사이에 위치하도록 디자인 될 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예에 있어서, 구동 라인과 센싱 라인 모두는 투명 전도성 재료로 이루어질 수 있다. 투명 전도성 재료는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 또는 이들의 조합에 해당할 수 있다.
명세서의 개별적 부분들은 그것과 다른 부분의 차이를 바탕으로 단계적인 방식으로 기술되었으며; 이에, 동일하거나 유사한 부분에 있어서, 어느 하나는 다른 부분을 지칭할 수도 있는 것이다.
상기 기술된 내용은 본 발명의 특정 실시예에 불과하고, 이는 당업자가 본 발명의 사상을 더 잘 이해하도록 하기 위한 것이다. 다만, 본 발명의 보호범위는 상기 기술된 특정의 실시예에 대한 특정 설명에 국한되지 않으며, 당업자는 본 발명의 보호 범위를 벗어나지 않고 본 발명의 사상 내에서 본 발명의 특정 실시예에 대한 수정을 가할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 서로 절연되어 있고 제1 방향에 위치하는 복수의 구동 라인; 및
    서로 절연되어 있고 제2 방향에 위치하는 복수의 센싱 라인을 포함하는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조에 있어서,
    제1 방향은 제2 방향과 교차하고;
    구동 라인은 각각 센싱 라인과 절연되어 있으며; 그리고
    구동 라인과 센싱 라인의 대변(opposite sides) 중 적어도 일부에는 공동-내장 구조(mutually-embedded structure)가 제공되는 것을 특징으로 하는 인-셀 정전식 터치 스크린의 터치 패턴 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    구동 라인은 복수의 반복적인 구동 전극을 전기적으로 연결함으로써 형성되고; 센싱 라인은 복수의 반복적 센싱 라인을 전기적으로 연결함으로써 형성되며; 공동-내장 구조는 구동 전극과 인접한 센싱 전극 사이에 형성되고, 공동-내장 구조는 적어도 세 개의 최소 반복 단위를 갖는 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  3. 제2항에 있어서,
    각각의 구동 전극과 각각의 센싱 전극 모두는 이빨을 갖춘 대변을 포함하고, 구동 전극의 대변의 이빨은 센싱 전극의 대변의 이빨과 맞물림으로써 공동-내장 구조를 형성하며, 또한 한 쌍의 맞물린 이빨은 최소 반복 단위를 정의하는 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  4. 제3항에 있어서,
    각각의 이빨에 대한 기하학적 형태는 삼각형, 직사각형, 가지형 또는 물결형인 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  5. 제4항에 있어서,
    이빨을 제외한 구동 전극 또는 센싱 전극의 일부는 전극 몸체로 정의되고, 센싱 전극의 전극 몸체는 마름모형, 직사각형, 육각형, 십자가형 또는 가지형인 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  6. 제4항에 있어서,
    센싱 전극의 전극 몸체는 직사각형 형태이고, 센싱 전극의 각각의 이빨은 직사각형 형태이며, 센싱 전극의 면적은 Ss 이고, 구동 전극의 면적은 Sd 이며, 구동 전극과 센싱 전극의 대변 길이는 L이고, 공동-내장 구조가 제공된 경우의 (Sd×Ss)/L 값이 공동-내장 구조가 없는 경우의 (Sd×Ss)/L 값보다 더 작은 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  7. 제6항에 있어서,
    센싱 전극의 직사각형 형태의 전극 몸체의 길이는 X이고 센싱 전극의 직사각형 형태의 전극 몸체의 높이는 Y이며; 센싱 전극의 직사각형 형태의 각각의 이빨의 바닥측 길이는 A이고, 센싱 전극의 직사각형 형태의 각각의 이빨의 높이는 B이며, 또한 센싱 전극에 포함된 이빨의 개수는 L(Y-2A)/AB 값보다 더 큰 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  8. 제5항에 있어서,
    센싱 전극의 전극 몸체는 직사각형 형태이고, 센싱 전극의 각각의 이빨은 삼각형 형태이며, 센싱 전극의 전극 몸체 길이는 X이고, 센싱 전극의 전극 몸체 높이는 Y이며; 각각의 삼각형 이빨의 바닥측 길이는 A이고, 삼각형 이빨의 높이는 B이며; 또한 A=0.2mm 이고 Y=0.4mm 인 경우에 있어서 B는 최적 값 0.8mm를 갖는 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  9. 제5항에 있어서,
    센싱 전극의 전극 몸체는 가지형이고, 각각의 전극 가지의 폭은 0.2mm 초과인 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  10. 제2항에 있어서,
    구동 라인과 대응되는 센싱 라인 사이에 가상 전극이 제공되고, 가상 전극은 구동 라인과 센싱 라인 양 쪽 모두와 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  11. 제10항에 있어서,
    구동 라인과 센싱 라인은 절연 층에 의해 커버되고; 센싱 라인은 도선을 포함하며, 도선은 절연 층을 가로질러 센싱 전극을 연결하고; 또한 가상 전극은 구동 전극과 센싱 전극 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  12. 제10항에 있어서,
    구동 라인과 센싱 라인은 각각 절연 층의 상측과 하측에 위치하고, 가상 전극은 구동 라인과 센싱 라인을 제외한 절연 층의 상측과 하측 내에 있는 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  13. 제10항, 제11항 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    가상 전극의 기하학적 형태는 다각형, 원형 또는 타원형인 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  14. 제1항에 있어서,
    각각의 구동 라인 또는 센싱 라인은 투명 전도성 재료, 또는 블랙 매트릭스로 커버된 메탈 그리드, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 투명 전도성 재료는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 또는 이들의 조합에 해당하는 것을 특징으로 하는 터치 패턴 구조.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103699281A (zh) * 2013-12-12 2014-04-02 苏州维业达触控科技有限公司 一种电容式触控屏组件
CN105988613B (zh) * 2015-02-05 2019-06-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 触控感应电极层及显示装置
CN104777940B (zh) * 2015-04-30 2017-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种触控电极层以及触摸屏
US9671913B2 (en) 2015-05-11 2017-06-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Capacitive display device
CN105138198B (zh) * 2015-08-24 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 一种形成互电容触摸屏的电极图案的初始单元
CN105573549B (zh) * 2015-12-08 2018-12-25 上海天马微电子有限公司 阵列基板、触控屏和触控显示装置及其制作方法
KR102614070B1 (ko) * 2016-08-31 2023-12-14 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 및 터치 패널 일체형 유기 발광 표시 장치
TWI645688B (zh) * 2017-07-11 2018-12-21 巨擘科技股份有限公司 穿戴式裝置及其操作方法
CN108196736B (zh) * 2018-01-03 2021-10-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN109976592A (zh) * 2018-03-08 2019-07-05 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及其制造方法和显示装置
CN108717339A (zh) * 2018-05-17 2018-10-30 深圳市华星光电技术有限公司 电容式触摸屏
CN108874252A (zh) * 2018-07-02 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其驱动方法、触控显示装置
US11119612B2 (en) * 2019-02-27 2021-09-14 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Embedded touch panel with touch drive lines structure that improves sensitivity
CN109947288B (zh) * 2019-02-27 2020-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种内嵌式触控面板与制造方法
CN111007956A (zh) * 2019-11-12 2020-04-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN111752422B (zh) * 2020-05-08 2022-04-08 浙江鑫柔科技有限公司 用于触摸面板的电极、包括其的触摸面板及终端设备
KR20220001036A (ko) * 2020-06-26 2022-01-05 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
CN111596805B (zh) * 2020-07-27 2020-10-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示装置
CN112817487B (zh) * 2021-02-26 2022-08-02 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102221755A (zh) 2010-04-14 2011-10-19 上海天马微电子有限公司 内嵌式触摸屏及内嵌式触摸屏的形成方法
CN102223782A (zh) 2010-04-19 2011-10-19 富瑞精密组件（昆山）有限公司 散热器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6297811B1 (en) * 1999-06-02 2001-10-02 Elo Touchsystems, Inc. Projective capacitive touchscreen
US20070229470A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Warren Snyder Capacitive touch sense device having polygonal shaped sensor elements
US20090194344A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single Layer Mutual Capacitance Sensing Systems, Device, Components and Methods
CN103713771B (zh) * 2008-08-01 2017-09-08 3M创新有限公司 具有复合电极的触敏装置
CN101393502B (zh) * 2008-10-31 2012-03-07 敦泰科技有限公司 互电容式触摸屏及组合式互电容触摸屏
CN201336029Y (zh) * 2009-01-16 2009-10-28 汕头超声显示器（二厂）有限公司 电容式触摸屏
US8217913B2 (en) * 2009-02-02 2012-07-10 Apple Inc. Integrated touch screen
US20100214247A1 (en) * 2009-02-20 2010-08-26 Acrosense Technology Co., Ltd. Capacitive Touch Panel
CN101887333A (zh) * 2009-05-11 2010-11-17 智点科技（深圳）有限公司 一种数字式电容触控屏
US9075484B2 (en) * 2009-06-02 2015-07-07 Pixart Imaging Inc. Sensor patterns for mutual capacitance touchscreens
CN102236187B (zh) * 2010-04-20 2014-01-01 东莞万士达液晶显示器有限公司 触控显示面板
US20120153970A1 (en) * 2010-12-21 2012-06-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Capacitive touch sensing devices and methods of manufacturing thereof
CN102541334B (zh) * 2010-12-30 2016-09-28 上海天马微电子有限公司 触摸显示装置及其制造方法
KR101634424B1 (ko) * 2011-02-24 2016-06-28 후지필름 가부시키가이샤 도전 시트 및 터치 패널
CN102253782B (zh) * 2011-08-16 2013-05-08 深圳市宝明科技股份有限公司 Ito过桥一体式电容触摸屏及制造方法
CN102360260A (zh) * 2011-10-27 2012-02-22 汕头超声显示器（二厂）有限公司 一种用于投射式电容触摸屏的感测电极
US9128571B2 (en) * 2012-07-23 2015-09-08 Texas Instruments Incorporated Capacitive touch panel having improved response characteristics

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102221755A (zh) 2010-04-14 2011-10-19 上海天马微电子有限公司 内嵌式触摸屏及内嵌式触摸屏的形成方法
CN102223782A (zh) 2010-04-19 2011-10-19 富瑞精密组件（昆山）有限公司 散热器

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