KR101570768B1 - Touch screen pannel - Google Patents

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KR101570768B1
KR101570768B1 KR1020120060929A KR20120060929A KR101570768B1 KR 101570768 B1 KR101570768 B1 KR 101570768B1 KR 1020120060929 A KR1020120060929 A KR 1020120060929A KR 20120060929 A KR20120060929 A KR 20120060929A KR 101570768 B1 KR101570768 B1 KR 101570768B1
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정우석
신재헌
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한국전자통신연구원
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    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract

본 발명은 터치 스크린 패널을 개시한다. 터치 스크린 패널은 기판 상에 제1 방향으로 배열된 제1 전극 셀들 및 상기 제1 전극 셀들을 상기 제1 방향으로 연결하는 제1 연결 전극들을 포함하는 제1 하이브리드 전극, 및 상기 기판 상에 상기 제1 하이브리드 전극과 이격되고 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 배열되고 상기 제1 연결 전극들 사이에 배치된 제2 전극 셀들 및 상기 제2 전극 셀들을 상기 제2 방향으로 연결하는 제2 연결 전극들을 포함하는 제2 하이브리드 전극을 포함하고, 상기 제1 하이브리드 전극은 순차적으로 적층된 제1 하부 투명막 및 제1 금속막을 포함하고, 상기 제2 하이브리드 전극은 순차적으로 적층된 제2 하부 투명막 및 제2 금속막을 포함한다. The present invention discloses a touch screen panel. The touch screen panel includes a first hybrid electrode including first electrode cells arranged in a first direction on a substrate and first connection electrodes connecting the first electrode cells in the first direction, 1 hybrid electrode and arranged in a second direction crossing the first direction and disposed between the first connection electrodes and a second connection for connecting the second electrode cells in the second direction, Wherein the first hybrid electrode comprises a first lower transparent film and a first metal film that are sequentially stacked, and the second hybrid electrode comprises a second lower transparent electrode And a second metal film.

Description

터치 스크린 패널{TOUCH SCREEN PANNEL}A touch screen panel {TOUCH SCREEN PANEL}

본 발명은 터치 스크린 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하이브리드 전그을 갖는 터치 스크린 패널에 관한 것이다The present invention relates to a touch screen panel, and more particularly, to a touch screen panel having a hybrid touch

최근, 컴퓨터, 휴대용 이동통신 단말기 등의 전자 장치들이 보편화되면서, 터치 스크린은 데이터를 입력하기 위한 수단으로써 널리 사용되고 있다. 터치 스크린은 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 및 적외선 방식으로 분류된다.2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices such as computers and portable mobile communication terminals have become popular, and touch screens are widely used as means for inputting data. Touch screens are classified as resistive, capacitive, ultrasonic, and infrared.

저항막 방식의 터치 스크린은 손가락 또는 펜을 이용하여 기판을 터치하면 하부 기판의 투명전극이 서로 접촉하면서 전기적 신호가 발생하며, 발생된 전기적 신호로 위치를 파악하여 데이터를 입력하는 장치이다. 저항막 방식의 터치 스크린은 가격이 저렴하고 높은 빛 투과성, 멀티터치, 및 반응속도가 빨라 소형화에 유리하여 PDA, PMP, 네이게이션, 및 해드셋 등에 주로 적용된다. 정전용량 방식의 터치 스크린은 투명 전극을 포함하는 기판을 손가락으로 터치하여 도전체가 닿을 경우 손가락에서 발생하는 정전기에 의해서 절연층에 일정한 정전용량이 형성된다. 정전용량이 형성된 부분을 통해 신호가 전달되어 신호의 크기를 계산하여 위치를 파악한다.초음파 방식(SAW)의 터치 스크린은 방출된 초음파가 장애물을 만나 파동의 크기가 줄어든 것을 감지하는 기술을 이용한다. 초음파 방식의 터치 스크린은 빛의 투과성이 높고, 정확성과 선명도가 높아 외부 장소에 설치된 무인 정보단말기 등에 사용된다. 반면, 센서의 오염과 액체에 약하다. 적외선 방식(IR)의 터치 스크린은 직진성과 장애물이 있으면 차단되는 적외선의 특성을 이용하며, 디스플레이 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 필름이나 유리기판이 필요 없이 유리 한 장으로 구현이 가능하여 투과율이 가장 우수하다.A resistive touch screen uses a finger or a pen to touch the substrate, and the transparent electrodes of the lower substrate touch each other to generate an electrical signal, and the position is detected by the generated electrical signal to input data. The resistance film type touch screen is mainly applied to PDA, PMP, navigation, and headset because it is inexpensive, high light permeability, multi-touch, and reaction speed are advantageous for miniaturization. In the capacitive touch screen, when a conductive material touches a substrate including a transparent electrode, a static capacitance is formed in the insulating layer by static electricity generated from the finger. The SAW touchscreen uses a technology that detects the reduction of the size of the waves as the emitted ultrasonic waves meet the obstacles. The ultrasonic touch screen has high transparency of light, high accuracy and sharpness, and is used in unmanned information terminals installed in an external place. On the other hand, it is susceptible to contamination and liquid in the sensor. Infrared (IR) touch screen utilizes the characteristics of infrared rays that are blocked when there is an obstacle, and it can be realized as a single glass without the need of ITO (Indium Tin Oxide) film or glass substrate. great.

이러한 다양한 터치 스크린 방식들 중 정전용량 방식은 감성터치의 기본인 멀티터치가 가능하며 고투과 센서의 제작이 가능하다. 따라서, 정전용량 방식 터치 스크린은 감성터치가 가능한 대면적 및 얇은 디스플레이에 적용이 가능하다.
본 발명의 배경이 되는 기술은,
1) 대한민국 등록특허공보 제10-1025023호 (2011.03.25)
2) 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0000985호 (2011.01.06)
3) 대한민국 공개특허공보 제10-2009-0059726호 (2009.06.11)
4) 대한민국 공개특허공보 제10-2010-0082514호 (2010.07.19)
에 개시되어 있다.Of these various touch screen methods, the capacitive type is capable of multi-touch which is the basis of emotional touch, and it is possible to manufacture a high-transmittance sensor. Accordingly, the capacitive touch screen can be applied to a large-area and thin display capable of emotional touch.
As a background of the present invention,
1) Korean Registered Patent No. 10-1025023 (Mar. 25, 2011)
2) Korean Published Patent Application No. 10-2011-0000985 (2011.01.06)
3) Korean Patent Publication No. 10-2009-0059726 (2009.06.11)
4) Korean Patent Publication No. 10-2010-0082514 (Jul. 19, 2010)
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본 발명은 제작 공정이 단순화되어 제작 비용이 저감된 터치 스크린 패널을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a touch screen panel in which the manufacturing process is simplified and the manufacturing cost is reduced.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 터치 스크린 패널을 제공한다. 상기 터치 스크린 패널은 기판; 상기 기판 상에 제1 방향으로 배열된 제1 전극 셀들, 및 상기 제1 전극 셀들을 상기 제1 방향으로 연결하는 제1 연결 전극들을 포함하는 제1 하이브리드 전극; 및 상기 기판 상에 상기 제1 하이브리드 전극과 이격되고, 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 배열되고 상기 제1 연결 전극들 사이에 배치된 제2 전극 셀들, 및 상기 제2 전극 셀들을 상기 제2 방향으로 연결하는 제2 연결 전극들을 포함하는 제2 하이브리드 전극을 포함한다. 상기 제1 하이브리드 전극은 순차적으로 적층된 제1 하부 투명막 및 제1 금속막을 포함하고, 상기 제2 하이브리드 전극은 순차적으로 적층된 제2 하부 투명막 및 제2 금속막을 포함한다.The present invention provides a touch screen panel. The touch screen panel includes a substrate; A first hybrid electrode including first electrode cells arranged in a first direction on the substrate, and first connection electrodes connecting the first electrode cells in the first direction; And second electrode cells spaced apart from the first hybrid electrode on the substrate and arranged in a second direction crossing the first direction and disposed between the first connection electrodes, And a second hybrid electrode including second connection electrodes connected in a second direction. The first hybrid electrode includes a first lower transparent film and a first metal film which are sequentially stacked, and the second hybrid electrode includes a second lower transparent film and a second metal film which are sequentially stacked.

상기 제2 연결 전극들은 상기 제1 연결 전극들 상으로 연장한다.The second connection electrodes extend on the first connection electrodes.

상기 제1 금속막은 상기 제2 하부 투명막과 직접 접촉할 수 있다.The first metal film may directly contact the second lower transparent film.

상기 제1 하부 투명막 및 상기 제2 하부 투명막은 1.9 ~ 2.65의 굴절율을 가질 수 있다.The first lower transparent film and the second lower transparent film may have a refractive index of 1.9 to 2.65.

상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막은 은 또는 은 합금을 포함할 수 있다.The first metal film and the second metal film may include silver or a silver alloy.

상기 제1 금속막 상의 제1 투명 금속 산화막; 및A first transparent metal oxide film on the first metal film; And

일 실시에에서, 상기 터치 스크린 패널은 상기 제2 금속막 상의 제2 투명 금속 산화막을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 투명 금속 산화막은 상기 제2 투명 절연막과 집적 접촉할 수 있다.In one embodiment, the touch screen panel may further include a second transparent metal oxide film on the second metal film. The first transparent metal oxide film may be in intensive contact with the second transparent insulating film.

상기 제1 투명 금속 산화막 및 상기 제2 투명 금속 산화막은 ITO, IZTO, IZO, AZO, 또는 GZO을 포함할 수 있다.The first transparent metal oxide film and the second transparent metal oxide film may include ITO, IZTO, IZO, AZO, or GZO.

일 실시에에서, 상기 터치 스크린 패널은 상기 기판과 상기 제1 전극 사이, 및 상기 기판과 상기 제2 전극 사이의 완충막을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the touch screen panel may further comprise a buffer film between the substrate and the first electrode, and between the substrate and the second electrode.

상기 완충막은 1.7 ~ 2.65의 굴절율을 갖고, 6 ~ 80nm의 두께를 가질 수 있다.The buffer layer has a refractive index of 1.7 to 2.65 and may have a thickness of 6 to 80 nm.

상기 완충막은 제1 완충막 및 상기 제1 완충막 상의 제2 완충막을 포함하고, 상기 제1 완충막은 상기 제2 완충막 보다 큰 굴절율을 가질 수 있다.The buffer film includes a first buffer film and a second buffer film on the first buffer film, and the first buffer film may have a refractive index larger than that of the second buffer film.

일 실시에에서, 상기 터치 스크린 패널은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상의 광접착막을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the touch screen panel may further include a light-adhesive film on the first electrode and the second electrode.

본 발명에 따르면, X-축 전극과 Y-축 전극 사이의 층간 절연막 없이 터치 스크린 패널을 제작할 수 있으므로, 제작 공정이 단순화되고 제작 비용을 저감할 수 있다.According to the present invention, since a touch screen panel can be manufactured without an interlayer insulating film between the X-axis electrode and the Y-axis electrode, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널의 평면도는 도시한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 설명하는 것으로, 각각 도 1의 A-A'선, B-B'선, C-C'선, D-D'선, 및 E-E'선에 따른 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 E-E'선에 따른 단면도이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 설명하는 것으로, 각각 도 1의 A-A'선, B-B'선, C-C'선, D-D'선, 및 E-E'선에 따른 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 E-E'선에 따른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널에 입사된 빛의 반사를 도시하는 것으로, 도 1의 E-E'선에 따른 단면도이다.1 is a plan view of a touch screen panel according to embodiments of the present invention.
2A to 2E illustrate a touch screen panel according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 2A to 2E, reference numeral A-A ', line B-B', line C-C ' And E-E ', respectively.
3 is a cross-sectional view taken along line E-E 'of a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.
4A to 4E illustrate a touch screen panel according to another exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 4A to 4E, reference numeral A-A ', line B-B', line C- And E-E ', respectively.
5 is a cross-sectional view taken along line E-E 'of a touch screen panel according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line E-E 'of FIG. 1, illustrating reflection of light incident on a touch screen panel according to embodiments of the present invention.

이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features, and advantages of the present invention will become more readily apparent from the following description of preferred embodiments with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 막(또는 층)이 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 막(또는 층)이 개재될 수도 있다 또한, 도면들에 있어서, 구성들의 크기 및 두께 등은 명확성을 위하여 과장된 것이다. 또한, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 영역, 막들(또는 층들) 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막(또는 층)을 다른 영역 또는 막(또는 층)과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 본 명세서에서 '및/또는' 이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.In this specification, when it is mentioned that a film (or layer) is on another film (or layer) or substrate, it may be formed directly on another film (or layer) or substrate, or a third film (Or layers) may be interposed. In the figures, the sizes and thicknesses of the structures and the like are exaggerated for the sake of clarity. It should also be understood that although the terms first, second, third, etc. have been used in various embodiments herein to describe various regions, films (or layers), etc., It should not be. These terms are merely used to distinguish any given region or film (or layer) from another region or film (or layer). Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. The expression " and / or " is used herein to mean including at least one of the elements listed before and after. Like numbers refer to like elements throughout the specification.

이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널의 평면도는 도시한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널은 기판(미도시) 상에 제1 방향으로 연장하는 제1 하이브리드 전극(20), 및 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제2 하이브리드 전극(30)을 포함한다. 제1 하이브리드 전극(20) 및 제2 하이브리드 전극(30)에 각각 연결되는 제1 배선(41) 및 제2 배선(42)이 제공된다. 제1 하이브리드 전극(20)은 X-축 전극, 제2 하이브리드 전극(30)은 Y-축 전극일 수 있다.1 is a plan view of a touch screen panel according to embodiments of the present invention. Referring to FIG. 1, a touch screen panel according to embodiments of the present invention includes a first hybrid electrode 20 extending in a first direction on a substrate (not shown), and a second hybrid electrode 20 extending in a second direction And a second hybrid electrode (30) extending therefrom. A first wiring 41 and a second wiring 42 connected to the first hybrid electrode 20 and the second hybrid electrode 30, respectively, are provided. The first hybrid electrode 20 may be an X-axis electrode, and the second hybrid electrode 30 may be a Y-axis electrode.

제1 하이브리드 전극(20) 제1 방향으로 배열된 제1 전극 셀들(20a), 및 제1 전극 셀들(20a)을 제1 방향으로 연결하는 제1 연결 전극들(20b)을 포함할 수 있다. 제1 전극 셀들(20a)은 마름모 모양을 가질 수 있다. 제1 전극 셀들(20a)은 각각의 꼭지점 부분이 상하좌우로 이웃하여 서로 마주보도록 형성될 수 있다. 제1 연결 전극들(20b)은 제1 방향으로 서로 이웃하고 있는 제1 전극 셀들(20a)의 꼭지점 부분을 연결하도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제1 전극 셀들(20a)은 마름모형, 직사각형, 정사각형, 및 다각형과 같은 다양한 모양으로 형성될 수 있다.The first hybrid electrode 20 may include first electrode cells 20a arranged in a first direction and first connection electrodes 20b connecting a first electrode cell 20a in a first direction. The first electrode cells 20a may have a rhombus shape. The first electrode cells 20a may be formed such that the vertexes of the first electrode cells 20a are adjacent to each other vertically and horizontally. The first connection electrodes 20b may be formed to connect the vertexes of the first electrode cells 20a adjacent to each other in the first direction. However, the present invention is not limited thereto, and the first electrode cells 20a may be formed in various shapes such as rhombic, rectangular, square, and polygonal.

제2 하이브리드 전극(30)은 제1 하이브리드 전극(20)과 이격되고, 제2 방향으로 배열되고 제1 연결 전극들(20b) 사이에 배치된 제2 전극 셀들(30a), 및 제2 전극 셀들(30a)을 제2 방향으로 연결하는 제2 연결 전극들(30b)을 포함할 수 있다. 제2 전극 셀들(30a)은 제1 하이브리드 전극(20)과 접하지 않도록 서로 이웃하는 제1 연결 전극들(20b) 사이에 위치하도록 형성될 수 있다. 제2 전극 셀들(30a)은 마름모 모양을 가질 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제1 전극 셀들(20a)은 마름모형, 직사각형, 정사각형, 및 다각형과 같은 다양한 모양으로 형성될 수 있다.The second hybrid electrode 30 includes second electrode cells 30a spaced apart from the first hybrid electrode 20 and arranged in the second direction and disposed between the first connection electrodes 20b, And second connection electrodes 30b connecting the first connection electrodes 30a in the second direction. The second electrode cells 30a may be positioned between the first connection electrodes 20b adjacent to each other so as not to contact the first hybrid electrode 20. [ The second electrode cells 30a may have a rhombus shape. However, the present invention is not limited thereto, and the first electrode cells 20a may be formed in various shapes such as rhombic, rectangular, square, and polygonal.

제2 연결 전극들(30b)은 제1 연결 전극들(20b) 상으로 연장할 수 있다.The second connection electrodes 30b may extend onto the first connection electrodes 20b.

제1 연결 전극들(20b)의 폭, 및 제2 연결 전극들(30b)의 폭은 대략 20 내지 2000㎛일 수 있다. 제1 전극 셀들(20a) 사이의 간격, 및 제2 전극 셀들(30a) 사이의 간격은 대략 20 내지 2000㎛일 수 있다. 제1 전극 셀들(20a)과 제2 전극 셀들(30a) 사이의 간격은 대략 10 내지 1000㎛일 수 있다.The width of the first connection electrodes 20b and the width of the second connection electrodes 30b may be approximately 20 to 2000 占 퐉. The distance between the first electrode cells 20a and the distance between the second electrode cells 30a may be approximately 20 to 2000 占 퐉. The distance between the first electrode cells 20a and the second electrode cells 30a may be approximately 10 to 1000 占 퐉.

제1 및 제2 배선들(41, 42)은 터치 스크린 패널의 가장자리에 제공된다. 제1 배선(41)은 제1 하이브리드 전극(20)과 연결되어, 전류신호를 전달하는 드라이빙 라인일 수 있다. 제2 배선(42)은 제2 하이브리드 전극(30)과 연결되어, 전류신호를 감지하는 센싱 라인일 수 있다. 제1 및 제2 배선들(41, 42)의 폭은 20㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다. 제1 배선들(41) 사이의 간격은 대략 20 내지 2000㎛일 수 있다. 제2 배선들(42) 사이의 간격은 대략 20 내지 2000㎛일 수 있다. 제1 및 제2 배선들(41, 42)의 두께는 대략 100 내지 1000㎚일 수 있으며, 제1 및 제2 배선들(41, 42)의 두께는 터치 스크린 패널의 크기와 제1 및 제2 배선들(41, 42)의 저항값에 의해 달라질 수 있다. 제1 및 제2 배선들(41, 42)은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, 및 Mo/Al/Mo 중 어느 하나의 물질로 이루어진 단층 및/또는 다층의 금속층일 수 있다. The first and second wires 41 and 42 are provided at the edges of the touch screen panel. The first wiring 41 may be a driving line connected to the first hybrid electrode 20 and transmitting a current signal. The second wiring 42 may be a sensing line connected to the second hybrid electrode 30 to sense a current signal. The widths of the first and second wirings 41 and 42 may be 20 탆 to 200 탆. The interval between the first wirings 41 may be approximately 20 to 2000 mu m. The distance between the second wirings 42 may be approximately 20 to 2000 mu m. The thickness of the first and second wirings 41 and 42 may be approximately 100 to 1000 nm and the thickness of the first and second wirings 41 and 42 may be determined by the size of the touch screen panel, And the resistance values of the wirings 41 and 42. The first and second wirings 41 and 42 are formed of Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti / Cu, Ti / Ag, Cr / Ag, Cr / Cu, Al / And may be a single layer and / or a multilayer metal layer made of any one material.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 설명하는 것으로, 각각 도 1의 A-A'선, B-B'선, C-C'선, D-D'선, 및 E-E'선에 따른 단면도들이다. 2A to 2E illustrate a touch screen panel according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 2A to 2E, reference numeral A-A ', line B-B', line C-C ' And E-E ', respectively.

기판(10)이 제공된다. 기판(10)은 화학적으로 강화 처리된 강화유리 기판, 강화된 플라스틱 기판, 강화필름이 코팅된 PC(Personal Computer) 기판, 및 P.E.T(Polyethylene terphthalate) 기판일 수 있다. A substrate 10 is provided. The substrate 10 may be a chemically reinforced tempered glass substrate, a reinforced plastic substrate, a PC (Personal Computer) substrate coated with a reinforcing film, and a PE (polyethylene terephthalate) substrate.

기판(10) 상에 완충막(11)이 형성된다. 완충 막(11)은 순차적으로 적층된 제1 완충막(12), 및 제2 완충막(13)을 포함할 수 있다. 제1 완충막(12)은 대략 2 내지 20㎚의 두께를 가질 수 있 있다. 제1 완충막(12)은 고 굴절률의 절연막일 수 있다. 제1 완충막(12)은 대략 1.8 내지 2.9의 굴절률을 갖는 투명 절연막일 수 있다. 제1 완충막(12)은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 및 HfO2 중 어느 하나의 물질일 수 있다. 제2 완충막(13)은 대략 20 내지 100nm의 두께를 가질 수 있다. 제2 완충막(13)은 저 굴절률의 절연막일 수 있다. 제2 완충막(13)은 제1 완충막(12) 보다 작은 굴절율을 가질 수 있다. 제2 완충막(13)은 대략 1.3 내지 1.8의 굴절률을 갖는 투명 절연막일 수 있다. 제2 완충막(13)은 SiO2, SiNx, MgF2, 및 SiOxNy 중 어느 하나의 물질일 수 있다. 제1 및 제2 완충막들(12, 13)은 스크린 프린팅 방법, 물리 기상 증착법, 화학 기상 증착법, 또는 원자 층 증착법에 의하여 형성될 수 있다. A buffer film 11 is formed on the substrate 10. The buffer film 11 may include a first buffer film 12 and a second buffer film 13 which are sequentially stacked. The first buffer film 12 may have a thickness of approximately 2 to 20 nm. The first buffer film 12 may be an insulating film having a high refractive index. The first buffer film 12 may be a transparent insulating film having a refractive index of approximately 1.8 to 2.9. The first buffer film 12 may be any one of TiO 2 , Nb 2 O 5 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , and HfO 2 . The second buffer film 13 may have a thickness of approximately 20 to 100 nm. The second buffer film 13 may be an insulating film having a low refractive index. The second buffer layer 13 may have a refractive index smaller than that of the first buffer layer 12. The second buffer film 13 may be a transparent insulating film having a refractive index of approximately 1.3 to 1.8. The second buffer film 13 may be any one of SiO 2 , SiN x, MgF 2 , and SiO x N y. The first and second buffer films 12 and 13 may be formed by a screen printing method, a physical vapor deposition method, a chemical vapor deposition method, or an atomic layer deposition method.

완충 막(11)은 제1 완충막(11) 또는 제2 완충막(13) 중 하나로 형성될 수 있다. 완충 막(11)은, 예를 들어, 1.7 ~ 2.65의 굴절율을 갖고, 6 ~ 80nm의 두께를 가지는 투명 절연막일 수 있다. 완충막(11)은, 예를 들어 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 및 HfO2 중 어느 하나의 물질일 수 있다.The buffer film 11 may be formed of one of the first buffer film 11 and the second buffer film 13. The buffer film 11 may be, for example, a transparent insulating film having a refractive index of 1.7 to 2.65 and a thickness of 6 to 80 nm. The buffer film 11 may be any one of TiO 2 , Nb 2 O 5 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , and HfO 2 , for example.

제1 하이브리드 전극(20)이 완충막(11) 상에 형성된다. 제1 하이브리드 전극(20)은 순차적으로 적층된 제1 하부 투명막(21), 제1 금속막(23) 및 제1 투명 금속 산화막(25)을 포함할 수 있다. 제1 하부 투명막(21), 제1 금속막(23) 및 제1 투명 금속 산화막(25)은 동시에 패터닝될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 하이브리드 전극(20)은 제1 방향으로 배열된 제1 전극 셀들(20a), 및 제1 전극 셀들(20a)을 제1 방향으로 연결하는 제1 연결 전극들(20b)을 포함할 수 있다. 제1 하부 투명막(21)은 1.9 ~ 2.65의 굴절율을 가질 수 있다. 제1 하부 투명막(21)은 10 ~ 30nm의 두께를 가질 수 있다. 제1 하부 투명막(21)은 ZnO, ZITO(ZnO+In2O3+SnO2), SiO2, SnO2, ZTO(ZnO+SnO2), TiO2, AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), SiNx, ITO(In2O3+SnO2), IZO(In2O3+ZnO) 또는 이들의 화합물일 수 있다. 제1 금속막(23)은 대략 6 내지 12nm의 두께를 가질 수 있다. 제1 금속막(23)은 Ag, 또는 Ag 합금일 수 있다. Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd, 및 Ag-Au-Cu 등의 2원계 또는 3원계 금속일 수 있다. 제1 투명 금속 산화막(25)은 대략 30 ~ 60nm의 두께를 가질 수 있다. 제1 투명 금속 산화막(25)은 ITO(In2O3+SnO2), IZTO(ZnO+In2O3+SnO2), IZO(In2O3+ZnO), AZO(Al-doped ZnO) 또는 GZO(Ga-doped ZnO)일 수 있다. The first hybrid electrode 20 is formed on the buffer film 11. The first hybrid electrode 20 may include a first lower transparent film 21, a first metal film 23, and a first transparent metal oxide film 25 which are sequentially stacked. The first lower transparent film 21, the first metal film 23, and the first transparent metal oxide film 25 can be simultaneously patterned. 1, the first hybrid electrode 20 includes first electrode cells 20a arranged in a first direction, first connection electrodes 20a connecting the first electrode cells 20a in a first direction, (20b). The first lower transparent film 21 may have a refractive index of 1.9 to 2.65. The first lower transparent film 21 may have a thickness of 10 to 30 nm. The first lower transparent film 21 may be formed of one selected from the group consisting of ZnO, ZITO (ZnO + In 2 O 3 + SnO 2 ), SiO 2 , SnO 2 , ZTO (ZnO + SnO 2 ), TiO 2 , AZO (Ga-doped ZnO), SiNx, ITO (In 2 O 3 + SnO 2 ), IZO (In 2 O 3 + ZnO), or a compound thereof. The first metal film 23 may have a thickness of approximately 6 to 12 nm. The first metal film 23 may be Ag or an Ag alloy. Ag alloy may be a binary or ternary metal such as Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd and Ag- . The first transparent metal oxide film 25 may have a thickness of approximately 30 to 60 nm. The first transparent metal oxide film 25 may be formed of ITO (In 2 O 3 + SnO 2 ), IZTO (ZnO + In 2 O 3 + SnO 2 ), IZO (In 2 O 3 + ZnO) Or GZO (Ga-doped ZnO).

제2 하이브리드 전극(30)은 순차적으로 적층된 제2 하부 투명막(31), 제2 금속막(33) 및 제2 투명 금속 산화막(35)을 포함할 수 있다. 제2 하부 투명막(31), 제2 금속막(33) 및 제2 투명 금속 산화막(35)은 동시에 패터닝될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 하이브리드 전극(30)은 제2 방향으로 배열된 제2 전극 셀들(30a), 및 제2 전극 셀들(30a)을 제2 방향으로 연결하는 제2 연결 전극들(30b)을 포함할 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 1.9 ~ 2.65의 굴절율을 가지는 절연막일 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 100 ~ 300nm의 두께를 가질 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 SiO2, SiNx, SiOxNy, 또는 Al2O3일 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 스텝 커비리지(step coverage)가 20% 이상일 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 IPVD(ionized physical vapor deposition), ALD, PECVD, 또는 solution process로 형성될 수 있다. 제2 금속막(33)은 대략 6 내지 12nm의 두께를 가질 수 있다. 제2 금속막(33)은 Ag, 또는 Ag 합금일 수 있다. Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd, 및 Ag-Au-Cu 등의 2원계 또는 3원계 금속일 수 있다. 제1 투명 금속 산화막(25)은 대략 30 ~ 60nm의 두께를 가질 수 있다. 제2 투명 금속 산화막(35)은 ITO(In2O3+SnO2), IZTO(ZnO+In2O3+SnO2), IZO(In2O3+ZnO), AZO(Al-doped ZnO) 또는 GZO(Ga-doped ZnO)일 수 있다. The second hybrid electrode 30 may include a second lower transparent film 31, a second metal film 33 and a second transparent metal oxide film 35 which are sequentially stacked. The second lower transparent film 31, the second metal film 33, and the second transparent metal oxide film 35 can be simultaneously patterned. 1, the second hybrid electrode 30 includes second electrode cells 30a arranged in a second direction and second connection electrodes 30a connecting the second electrode cells 30a in a second direction, (30b). The second lower transparent film 31 may be an insulating film having a refractive index of 1.9 to 2.65. The second lower transparent film 31 may have a thickness of 100 to 300 nm. The second lower transparent film 31 may be SiO 2 , SiN x, SiO x N y, or Al 2 O 3 . The step coverage of the second lower transparent film 31 may be 20% or more. The second lower transparent film 31 may be formed by ionized physical vapor deposition (IPVD), ALD, PECVD, or a solution process. The second metal film 33 may have a thickness of approximately 6 to 12 nm. The second metal film 33 may be Ag or an Ag alloy. Ag alloy may be a binary or ternary metal such as Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd and Ag- . The first transparent metal oxide film 25 may have a thickness of approximately 30 to 60 nm. The second transparent metal oxide film 35 may be formed of ITO (In 2 O 3 + SnO 2 ), IZTO (ZnO + In 2 O 3 + SnO 2 ), IZO (In 2 O 3 + ZnO) Or GZO (Ga-doped ZnO).

본 실시예에 따르면, 제1 투명 금속 산화막(25)과 제2 하부 투명막(31)은 직접 접촉한다. According to this embodiment, the first transparent metal oxide film 25 and the second lower transparent film 31 are in direct contact with each other.

도 3을 참조하여, 제1 및 제2 하이브리드 전극들(20, 30)과 제1 및 제2 배선들(41, 42) 상에, 광 접착필름(optically clear adhesive, 50)을 개재하여, 편광필름(60) 및 디스플레이 장치(70)가 형성될 수 있다. 디스플레이 장치(70)는 LCD, OLED 또는 전기영동 장치 등일 수 있다.3, an optically clear adhesive 50 is provided on the first and second hybrid electrodes 20 and 30 and the first and second wires 41 and 42, The film 60 and the display device 70 may be formed. The display device 70 may be an LCD, an OLED or an electrophoresis device or the like.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 설명하는 것으로, 각각 도 1의 A-A'선, B-B'선, C-C'선, D-D'선, 및 E-E'선에 따른 단면도들이다. 전술한 일 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다.4A to 4E illustrate a touch screen panel according to another exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 4A to 4E, reference numeral A-A ', line B-B', line C- And E-E ', respectively. The difference from the above-described embodiment will be mainly described.

도 4a 내지 도 4e을 참고하면, 완충막(11) 상에 제1 하이브리드 전극(20)이 형성된다. 제1 하이브리드 전극(20)은 순차적으로 적층된 제1 하부 투명막(21) 및 제1 금속막(23)을 포함할 수 있다. 제1 하부 투명막(21) 및 제1 금속막(23)은 동시에 패터닝될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 하이브리드 전극(20)은 제1 방향으로 배열된 제1 전극 셀들(20a), 및 제1 전극 셀들(20a)을 제1 방향으로 연결하는 제1 연결 전극들(20b)을 포함할 수 있다. 제1 하부 투명막(21)은 1.9 ~ 2.65의 굴절율을 가질 수 있다. 제1 하부 투명막(21)은 10 ~ 30 nm의 두께를 가질 수 있다. 제1 하부 투명막(21)은 ZnO, IZTO(ZnO+In2O3+SnO2), SiO2, SnO2, ZTO(ZnO+SnO2), TiO2, AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), SiNx, ITO(In2O3+SnO2), IZO(In2O3+ZnO) 또는 이들의 화합물일 수 있다. 제1 금속막(23)은 대략 6 내지 12nm의 두께를 가질 수 있다. 제1 금속막(23)은 Ag, 또는 Ag 합금일 수 있다. Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd, 및 Ag-Au-Cu 등의 2원계 또는 3원계 금속일 수 있다. Referring to Figs. 4A to 4E, a first hybrid electrode 20 is formed on a buffer film 11. The first hybrid electrode 20 may include a first lower transparent film 21 and a first metal film 23 which are sequentially stacked. The first lower transparent film 21 and the first metal film 23 can be simultaneously patterned. 1, the first hybrid electrode 20 includes first electrode cells 20a arranged in a first direction, first connection electrodes 20a connecting the first electrode cells 20a in a first direction, (20b). The first lower transparent film 21 may have a refractive index of 1.9 to 2.65. The first lower transparent film 21 may have a thickness of 10 to 30 nm. The first lower transparent film 21 may be formed of one selected from the group consisting of ZnO, IZTO (ZnO + In 2 O 3 + SnO 2 ), SiO 2 , SnO 2 , ZTO (ZnO + SnO 2 ), TiO 2 , AZO (Ga-doped ZnO), SiNx, ITO (In 2 O 3 + SnO 2 ), IZO (In 2 O 3 + ZnO), or a compound thereof. The first metal film 23 may have a thickness of approximately 6 to 12 nm. The first metal film 23 may be Ag or an Ag alloy. Ag alloy may be a binary or ternary metal such as Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd and Ag- .

제1 하이브리드 전극(20) 상에 제2 하이브리드 전극(30)이 형성된다. 제2 하이브리드 전극(30)은 순차적으로 적층된 제2 하부 투명막(31) 및 제2 금속막(33)을 포함할 수 있다. 제2 하부 투명막(31) 및 제2 금속막(33)은 동시에 패터닝될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 하이브리드 전극(30)은 제2 방향으로 배열된 제2 전극 셀들(30a), 및 제2 전극 셀들(30a)을 제2 방향으로 연결하는 제2 연결 전극들(30b)을 포함할 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 1.9 ~ 2.65의 굴절율을 가지는 절연막일 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 100 ~ 300nm의 두께를 가질 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 SiO2, SiNx, SiOxNy, 또는 Al2O3일 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 스텝 커비리지(step coverage)가 20% 이상일 수 있다. 제2 하부 투명막(31)은 IPVD(ionized physical vapor deposition), ALD, PECVD, 또는 solution process로 형성될 수 있다. 제2 금속막(33)은 대략 6 내지 12nm의 두께를 가질 수 있다. 제2 금속막(33)은 Ag, 또는 Ag 합금일 수 있다. Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd, 및 Ag-Au-Cu 등의 2원계 또는 3원계 금속일 수 있다. A second hybrid electrode 30 is formed on the first hybrid electrode 20. The second hybrid electrode 30 may include a second lower transparent film 31 and a second metal film 33 which are sequentially stacked. The second lower transparent film 31 and the second metal film 33 can be simultaneously patterned. 1, the second hybrid electrode 30 includes second electrode cells 30a arranged in a second direction and second connection electrodes 30a connecting the second electrode cells 30a in a second direction, (30b). The second lower transparent film 31 may be an insulating film having a refractive index of 1.9 to 2.65. The second lower transparent film 31 may have a thickness of 100 to 300 nm. The second lower transparent film 31 may be SiO 2 , SiN x, SiO x N y, or Al 2 O 3 . The step coverage of the second lower transparent film 31 may be 20% or more. The second lower transparent film 31 may be formed by ionized physical vapor deposition (IPVD), ALD, PECVD, or a solution process. The second metal film 33 may have a thickness of approximately 6 to 12 nm. The second metal film 33 may be Ag or an Ag alloy. Ag alloy may be a binary or ternary metal such as Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd and Ag- .

본 실시예에 따르면, 제1 금속막(23)과 제2 하부 투명막(31)은 직접 접촉한다. According to this embodiment, the first metal film 23 and the second lower transparent film 31 are in direct contact with each other.

도 5를 참조하여, 제1 및 제2 하이브리드 전극들(20, 30)과 제1 및 제2 배선들(41, 42) 상에, 광 접착필름(optically clear adhesive, 50)을 개재하여, 편광필름(60) 및 디스플레이 장치(70)가 형성될 수 있다. 디스플레이 장치(70)는 LCD, OLED 또는 전기영동 장치 등일 수 있다.5, on the first and second hybrid electrodes 20 and 30 and the first and second wires 41 and 42, an optically clear adhesive 50 is interposed between the first and second hybrid electrodes 20 and 30, The film 60 and the display device 70 may be formed. The display device 70 may be an LCD, an OLED or an electrophoresis device or the like.

본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 하이브리드 전극(20)과 제2 하이브리드 전극(30) 사이의 절연을 위하여, 별도의 공정 또는 별도의 층간 절연막을 필요로 하지 않는다. 제2 하이브리드 전극(30)의 절연성의 제2 하부 투명막(31)이 제1 하이브리드 전극(20)과 제2 하이브리드 전극(30) 사이의 절연 기능을 할 수 있다. 따라서, 증착 및 패터닝을 위한 공정을 줄일 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린 패널을 제작하기 위한 일반적인 방법에 따르면, 4개 이상의 마스크가 필요하지만, 본 발명의 실시예들에 따르면, 3개의 마스크로 줄이는 것이 가능하다. According to the embodiments of the present invention, a separate process or a separate interlayer insulating film is not required for the insulation between the first hybrid electrode 20 and the second hybrid electrode 30. The insulating second lower transparent film 31 of the second hybrid electrode 30 can perform an insulating function between the first hybrid electrode 20 and the second hybrid electrode 30. [ Thus, the process for deposition and patterning can be reduced. For example, according to a general method for producing a touch screen panel, four or more masks are required, but according to embodiments of the present invention, it is possible to reduce to three masks.

본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널의 인덱스 매칭을 설명한다.The index matching of the touch screen panel according to embodiments of the present invention will be described.

본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 하이브리드 전극(20)과 제2 하이브리드 전극(30)은 절연을 위하여, 대략 10 ~ 2000㎛의 간격으로 서로 이격되어 형성된다. 이들 사이의 간격에 의하여 이들 아래의 완충막(11)이 노출된다. 본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널은 제1 하이브리드 전극(20)의 제1 영역(R1), 제2 하이브리드 전극(30)의 제2 영역(R2), 및 제1 하이브리드 전극(20)과 제2 하이브리드 전극(30) 사이의 갭 영역(R3)을 포함한다. (도 1 및 도 6 참조) 제1 내지 제3 영역들(R1, R2, R3) 상에서, 물질의 굴절율 및 두께가 서로 다를 수 있다. 제1 내지 제3 영역들(R1, R2, R3)에서 각각 반사된 빛들(L1, L2, L3)의 스펙트럼이 서로 다를 수 있다. 때문에, 터치 스크린 패널은 얼룩 무늬를 가질 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first hybrid electrode 20 and the second hybrid electrode 30 are formed to be spaced apart from each other by an interval of about 10 to 2000 탆 for insulation. And the buffer film 11 below them is exposed by an interval therebetween. The touch screen panel according to the embodiments of the present invention includes the first region R1 of the first hybrid electrode 20, the second region R2 of the second hybrid electrode 30, and the first hybrid electrode 20, And a gap region R3 between the first hybrid electrode 30 and the second hybrid electrode 30. (See Figs. 1 and 6) On the first to third regions R1, R2 and R3, the refractive index and the thickness of the material may be different from each other. The spectrums of the lights L1, L2, and L3 reflected from the first to third regions R1, R2, and R3 may be different from each other. Therefore, the touch screen panel may have a speckle pattern.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에서, 제1 영역(R1), 제2 영역(R2) 및 제3 영역(R3)에서의 빛의 투과도 및 반사도를 시뮬레이션하였다. In the touch screen panel according to an embodiment of the present invention, light transmission and reflectivity in the first area R1, the second area R2, and the third area R3 are simulated.

아래의 표 1과 같은 최적의 조건에서, 550nm 파장에서의 반사도는 94% 이상이었다. 빛의 투과도 차이는 3.5% 이하이었다. 빛의 반사도 차이는 0.68% 이하이었다. Under the optimum conditions as shown in Table 1 below, the reflectance at a wavelength of 550 nm was 94% or more. The difference in transmittance of light was less than 3.5%. The difference in reflectivity of light was 0.68% or less.

Figure 112012045301066-pat00001
Figure 112012045301066-pat00001

아래의 표 2와 같은 조건에서, 550nm 파장에서의 반사도는 94% 이상이었다. 빛의 투과도 차이는 4% 이하이었다. 빛의 반사도 차이는 1% 이하이었다. Under the conditions shown in Table 2 below, the reflectance at a wavelength of 550 nm was 94% or more. The difference in transmittance of light was less than 4%. The difference in reflectance of light was less than 1%.

Figure 112012045301066-pat00002
Figure 112012045301066-pat00002

비슷하게, 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널에서, 제1 영역(R1), 제2 영역(R2) 및 제3 영역(R3)에서의 빛의 투과도 및 반사도를 시뮬레이션하였다. 아래의 표 3과 같은 조건에서, 550nm 파장에서의 반사도는 85% 이상이었다. 빛의 투과도 차이는 5% 이하이었다. 빛의 반사도 차이는 2% 이하이었다. Similarly, in the touch screen panel according to another embodiment of the present invention, light transmittance and reflectance in the first region R1, the second region R2, and the third region R3 are simulated. Under the conditions shown in Table 3 below, the reflectance at a wavelength of 550 nm was 85% or more. The difference in transmittance of light was less than 5%. The difference in reflectance of light was less than 2%.

Figure 112012045301066-pat00003
Figure 112012045301066-pat00003

전술한 시뮬레이션 결과와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면. 막들의 굴절율 및 두께를 조절함에 의하여 제1 영역(R1), 제2 영역(R2) 및 제3 영역(R3)에서의 반사도 차이를 2% 이하로 조절할 수 있다. 이와 같은 인덱스매칭 조건을 최적화함에 따라 터치 스크린 패널의 시인성을 확보할 수 있다.
As with the above-described simulation results, according to embodiments of the present invention. The difference in reflectivity in the first region R1, the second region R2 and the third region R3 can be adjusted to 2% or less by adjusting the refractive index and thickness of the films. By optimizing the index matching conditions, the visibility of the touch screen panel can be secured.

Claims (16)

기판;
상기 기판 상에 제1 방향으로 배열된 제1 전극 셀들, 및 상기 제1 전극 셀들을 상기 제1 방향으로 연결하는 제1 연결 전극들을 포함하는 제1 하이브리드 전극; 및
상기 기판 상에 상기 제1 하이브리드 전극과 이격되고, 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 배열되고 상기 제1 연결 전극들 사이에 배치된 제2 전극 셀들, 및 상기 제2 전극 셀들을 상기 제2 방향으로 연결하는 제2 연결 전극들을 포함하는 제2 하이브리드 전극을 포함하고,
상기 제1 하이브리드 전극은 순차적으로 적층된 제1 하부 투명막 및 제1 금속막을 포함하고, 상기 제2 하이브리드 전극은 순차적으로 적층된 제2 하부 투명막 및 제2 금속막을 포함하는 터치 스크린 패널.Board;
A first hybrid electrode including first electrode cells arranged in a first direction on the substrate, and first connection electrodes connecting the first electrode cells in the first direction; And
Second electrode cells spaced apart from the first hybrid electrode on the substrate and arranged in a second direction crossing the first direction and disposed between the first connection electrodes and second electrode cells spaced apart from the first hybrid electrode, And a second hybrid electrode including second connection electrodes connected in two directions,
Wherein the first hybrid electrode comprises a first lower transparent film and a first metal film which are sequentially stacked, and the second hybrid electrode comprises a second lower transparent film and a second metal film which are sequentially stacked. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 연결 전극들은 상기 제1 연결 전극들 상으로 연장하는 터치 스크린 패널.The method according to claim 1,
Wherein the second connection electrodes extend onto the first connection electrodes. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 금속막은 상기 제2 하부 투명막과 직접 접촉하는 터치 스크린 패널.The method of claim 2,
Wherein the first metal film is in direct contact with the second lower transparent film. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 하부 투명막 및 상기 제2 하부 투명막은 1.9 ~ 2.65의 굴절율을 갖는 터치 스크린 패널.The method of claim 2,
Wherein the first lower transparent film and the second lower transparent film have a refractive index of 1.9 to 2.65. 청구항 4에 있어서,
상기 제1 하부 투명막은 10 ~ 30 nm의 두께를 갖는 터치 스크린 패널.The method of claim 4,
Wherein the first lower transparent film has a thickness of 10-30 nm. 청구항 4에 있어서,
상기 제2 하부 투명막은 100 ~ 300 nm의 두께를 갖는 터치 스크린 패널.The method of claim 4,
And the second lower transparent film has a thickness of 100 to 300 nm. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막은 은 또는 은 합금을 포함하는 터치 스크린 패널.The method of claim 2,
Wherein the first metal film and the second metal film comprise silver or a silver alloy. 청구항 7에 있어서,
상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막은 6 ~ 12nm의 두께를 갖는 터치 스크린 패널.The method of claim 7,
Wherein the first metal film and the second metal film have a thickness of 6-12 nm. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 금속막 상의 제1 투명 금속 산화막; 및
상기 제2 금속막 상의 제2 투명 금속 산화막을 더 포함하는 터치 스크린 패널.The method of claim 2,
A first transparent metal oxide film on the first metal film; And
And a second transparent metal oxide film on the second metal film. 청구항 9에 있어서,
상기 제1 투명 금속 산화막은 상기 제2 투명 절연막과 집적 접촉하는 터치 스크린 패널.The method of claim 9,
Wherein the first transparent metal oxide film is in intensive contact with the second transparent insulating film. 청구항 9에 있어서,
상기 제1 투명 금속 산화막 및 상기 제2 투명 금속 산화막은 ITO, IZTO, IZO, AZO, 또는 GZO을 포함하는 터치 스크린 패널.The method of claim 9,
Wherein the first transparent metal oxide film and the second transparent metal oxide film include ITO, IZTO, IZO, AZO, or GZO. 청구항 11에 있어서,
상기 제1 투명 금속 산화막 및 상기 제2 투명 금속 산화막은 30 ~ 60nm의 두께를 갖는 터치 스크린 패널.The method of claim 11,
Wherein the first transparent metal oxide film and the second transparent metal oxide film have a thickness of 30 to 60 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 전극 사이, 및 상기 기판과 상기 제2 전극 사이의 완충막을 더 포함하는 터치 스크린 패널.The method according to claim 1,
Further comprising a buffer film between the substrate and the first electrode, and between the substrate and the second electrode. 청구항 13에 있어서,
상기 완충막은 1.7 ~ 2.65의 굴절율을 갖고, 6 ~ 80nm의 두께를 갖는 터치 스크린 패널.14. The method of claim 13,
Wherein the buffer layer has a refractive index of 1.7 to 2.65 and a thickness of 6 to 80 nm. 청구항 13에 있어서,
상기 완충막은 제1 완충막 및 상기 제1 완충막 상의 제2 완충막을 포함하고, 상기 제1 완충막은 상기 제2 완충막 보다 큰 굴절율을 갖는 터치 스크린 패널.14. The method of claim 13,
Wherein the buffer film includes a first buffer film and a second buffer film on the first buffer film, and the first buffer film has a refractive index larger than that of the second buffer film. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상의 광접착막을 더 포함하는 터치 스크린 패널.



The method according to claim 1,
Further comprising an optical bonding film on the first electrode and the second electrode.



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