KR101538825B1 - 극자외선 리소그래피 장치 내의 오염 물질의 검출 - Google Patents

극자외선 리소그래피 장치 내의 오염 물질의 검출 Download PDF

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Abstract

본 발명은 인테리어(15)를 둘러싸는 하우징(1a)과, 상기 인테리어(15) 내에 배열되는 하나 이상의 반사 광학 요소(5, 6, 8, 9, 10, 14.1 내지 14.6)와, 상기 인테리어(15) 내의 잔류 가스 분위기를 생성하는 진공 생성 유닛(1b)과, 상기 잔류 가스 분위기에서 하나 이상의 오염 물질(17a)을 검출하는 잔류 가스 분석기(18a, 18b)를 포함하는 EUV 리소그래피 장치(1)에 관한 것이다. 상기 잔류 가스 분석기(18a)는 상기 오염 물질(17a)을 저장하는 저장 장치(21)를 구비한다. 또한 본 발명은 하나 이상의 반사 광학 요소(5, 6, 8, 9, 10, 14.1 내지 14.6)가 배열되는 인테리어(15)를 갖는 하우징(1a)을 구비하는 EUV 리소그래피 장치(1)의 잔류 가스 분위기의 잔류 가스 분석에 의해 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법에 관한 것이고, 상기 오염 물질(17a)은 상기 잔류 가스 분석을 수행하기 위해 저장 장치(21)에 저장된다.

Description

극자외선 리소그래피 장치 내의 오염 물질의 검출{DETECTION OF CONTAMINATING SUBSTANCES IN AN EUV LITHOGRAPHY APPARATUS}
본 발명은 인테리어를 둘러싸는 하우징과, 상기 인테리어 내에 배열되는 하나 이상의 반사 광학 요소와, 상기 인테리어 내의 잔류 가스 분위기를 생성하는 진공 생성 유닛과, 상기 잔류 가스 분위기에서 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 잔류 가스 분석기를 포함하는 EUV 리소그래피 장치에 관한 것이다. 또한 본 발명은 인테리어를 갖는 하우징을 구비하는 EUV 리소그래피 장치의 잔류 가스 분위기의 잔류 가스 분석에 의해 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법에 관한 것이다.
EUV 리소그래피 장치에서 사용되는 대략 13.5㎚의 파장에서 충분히 높은 수준의 투과성을 갖는 광학 물질이 없기 때문에 광학 요소로서 반사 요소, 특히 미러가 전형적으로 사용된다. 다층 미러의 수명은 오염 물질에 의해 제한되기 때문에 이러한 투영 노광 장치에서는 전형적으로 (전체) 압력이 10-9mbar에서 10-1mbar 사이인 진공 조건 하에서의 미러의 작동이 필요하다. 오염 물질은, 그 중에서도, 기체 상태의 중탄화수소(heavy hydrocarbons)이고, EUV 광 조사 하에서 고체 탄소로 미러 표면 상에 적층되며, 그것에 의해 미러의 반사율이 감소한다.
광학 요소가 배열되는 EUV 리소그래피 장치의 인테리어 내의 오염 물질 잔류량은 EUV 리소그래피 장치에서 노광 공정이 시작될 수 있는 시점을 특정 지을 수 있도록 가능한 한 정확하게 실시간으로 결정되어야 한다. 이 시점에서, 인테리어 내의 오염 물질 비율은 미리 결정된 한계값 아래에 놓여야만 한다. 기체 상태의 오염 물질을 미러의 표면 상에 가능한 최소의 정도로 적층하기 위해 잔류량이 과도하게 많은 경우에, 적절하다면, 적합한 대응책을 개시할 수 있도록, 예컨대 퍼지 가스(purge gas)의 펌핑을 강화할 수 있도록 오염 물질의 잔류량이 노광 작동 중에 감시될 수도 있음은 당연하다.
기체 상태의 오염 또는 오염 물질을 검출하기 위해, 미국 특허 제7,212,273호로부터 사중극자 질량 분광계를 사용하여 40에서 200 사이의 원자량 단위의 가스 물질에 대한 EUV 리소그래피 장치의 잔류 가스의 질량 스펙트럼을 기록하는 것이 알려져 있다. 그러나, 당해 명세서에서 보여지는 잔류 가스 스펙트럼의 이온 전류는 정규화되어 있지 않아, 극단적으로 낮은 분압(<10-14mbar)을 갖는 개개의 오염 물질이나 상기 오염 물질의 개개의 이온은 당해 명세서에서 설명되는 질량 분광계에 의해 검출될 수 없다.
본 출원인의 국제 공개 특허 제WO2008/034582호는 EUV 리소그래피 장비의 잔류 가스 분석기의 교정을 위한 교정 리크의 사용을 개시하고, 리크에 의해 내부 가스 인테리어로의 일정한 유입이 발생한다. 교정 리크의 누출률에 비례하여, 잔류 가스 분석기는 교정될 수 있고, 그 기능이 체크될 수 있다. 정밀한 교정을 위해서는 불활성 가스가 검출될 오염 물질의 질량-전하 비에 근접한 질량-전하 비를 갖는 것이 편리하다. 특히 현저하게 서로 다른 질량-전하 비를 갖는 복수의 오염 물질을 검출하고자 하는 경우라면, 교정을 위해 복수의 서로 다른 불활성 가스를 사용하는 것이 필요할 수 있다.
특히 높은 잔류 가스 압력을 포함하는 극소량의 오염 물질도 검출할 수 있도록 하는 EUV 리소그래피 장치 및 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
이러한 목적은 잔류 가스 분석기가 오염 물질을 저장하는 저장 장치를 구비하는 도입부에서 언급된 종류의 EUV 리소그래피 장치에 의하여 달성된다. 선행 기술로부터 알려지고 이온화된 오염 물질이 사중극자 질량 분석기의 전자기장을 순간적으로만 통과하여 상기 필드에 저장되지 않는 잔여 가스 분석기와 대조적으로, 저장 장치의 제공은 오염 물질이 오랫동안 측정 가능하도록 하므로 잔류 가스 분석기의 검출 감도를 향상시킬 수 있다. 이 경우에, 잔류 가스 분석기 또는 저장 셀은 EUV 리소그래피 장치의 하우징 내에 제공되거나 상기 하우징에 플랜지될 수 있다.
바람직한 일실시예에서, 저장 장치는 오염 물질을 축적하도록 구성된다. 저장 시간 동안의 축적은 여분의 오염 물질 또는 남은 잔류 가스와 비교하여 조사될 오염 물질의 신호대잡음비, 소음 문제 및/또는 잔류 가스 분석기에 사용되는 검출기의 검출 한계값(threshold)을 증가시킬 수 있다.
다른 바람직한 실시예에서, 저장 장치는 오염 물질을 잔류 가스 분위기에 포함된 다른 물질로부터 격리하도록 구성된다. 축적에 추가하여 또는 대안으로, 저장 시간 동안 오염 물질을 마련할 수 있으므로, 다시 말해 오염 물질은 필수적으로 요구되는 축적 없이도 잔류 가스 분위기 내의 다른 물질로부터 격리되고 그것에 의해 검출될 수 있다.
바람직하게, 잔류 가스 분석기는 오염 물질을 이온화하는 이온화 장치, 특히 전자총 또는 레이저와 저장 장치로서 이온 트랩을 구비한다. 오염 물질을 검출할 수 있도록 이온 트랩 내에서 질량 분광법이 수행될 수 있다. 이온 트랩 질량 분석기는 오염 물질의 극히 낮은 농도의 검출에도 적합하다. 이온화 장치로는 가열 요소가 일반적으로 사용되나, 충돌 이온화, 예를 들어 전자총 또는 레이저 시스템에 의해 이온을 생성하는 것도 가능하다. 이온화 장치는 이온 트랩 내에 배열되거나 분리된 구조적 유닛으로 구현될 수 있다. 이온 트랩 질량 분석기는 일반적으로 불연속적으로 작동되어, 다시 말해 이온 넘버 분석은 미리 결정된 축적 시간 후에 이루어진다. 뿐만 아니라 이온 트랩 질량 분석기는 추가적인 어셈블리를 필요로 함이 없이, 이온 여기 및 질량 선택의 반복이 가능하게 한다. 특히, 이온 트랩에서, 적절하다면, 오염 물질의 축적 및 잔류 가스 분위기 내의 여분의 물질로부터의 오염 물질의 분리를 동시에 수행할 수 있다.
하나의 유리한 개선책으로, 오염 물질을 검출할 수 있도록 이온 트랩이 구성된다. 전기 및/또는 자기 (교번) 필드를 생성하기 위해 제공되는 이온 트랩의 전극은 동시에 이온 트랩 내에 존재하는 이온에 의한 교번 필드의 변화의 결정에 의해 특정한 원자량 번호를 갖는 이온을 검출한다.
특히 바람직한 실시예에서, 잔류 가스 분석기는 오염 물질을 잔류 가스 분위기 내의 다른 물질로부터 분리하는 질량 필터를 구비한다. 질량 필터는 종래 질량 분리를 위한 사중극자 필터일 수 있으나, 대안적으로 서로 다른 질량 번호를 갖는 이온의 (공간적) 분리를 위한 이온 트랩을 사용할 수도 있다.
이온 트랩은 바람직하게는 퓨리에 변환 이온 싸이클로트론 공명(FT-ICR) 트랩, 페닝 트랩, 사중극자 이온 트랩, 폴 트랩, 선형 트랩, 오비트랩, EBIT 및 RF 번처를 포함하는 그룹으로부터 선택된다. FT-ICR 트랩은 이온이 교번 전자 필드 및 정적 자기 필드로 주입되는 페닝 트랩의 변형이다. FT-ICR 트랩에서, 질량 분광법은 사이클로트론 공명 여기에 의해 작동된다. 그 변형에서, 페닝 트랩은 추가적인 버퍼 가스로 작동될 수 있고, 버퍼 가스와 함께 전기 쌍극자 필드에 의한 마그네트론 여기 및 전기 사중극자 필드에 의한 사이클로트론 여기에 의해 이온의 공간적 분리에 의한 질량 선택을 생성할 수 있어, 페닝 트랩은 오염 물질을 다른 물질로부터 분리하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 종류의 트랩의 버퍼 가스는 포획된 이온에 대한 운동-감쇄 및 그에 따른 "냉각" 효과를 가지므로, 이러한 종류의 트랩은 "냉각 트랩"으로도 불리운다. 선형 트랩은 이온 트랩의 저장 용량을 늘리기 위해 추가적인 에지 필드(edge field)에 의해 전자가 삼차원 사중극자 필드가 아닌 이차원 사중극자 필드에 갖히게 되는 사중극자 트랩 또는 폴 트랩의 변형이다. 오비트랩은 전기적 인력에 의해 주위로 이온들이 오비탈 경로를 유지하는 중심, 방추형 전극을 구비하고, 이온의 분산 주입은 검출기 플레이트 내에서 FT-ICR 트랩의 경우에서와 유사한 방법으로 검출될 수 있는 신호를 생성하는 중심 전극의 축을 따르는 진동을 형성한다. EBIT(전자빔 이온 트랩)은 이온건에 의한 충돌 이온화에 의해 이온을 생성하는 이온 트랩이고, 이러한 방법으로 생성된 이온들이 전자빔에 의해 이끌려 후자에 의해 포획된다. 이온은 RF(라디오 주파수) 번처, 예를 들어 소위 RFQ (사중극자) 번처 내에도 저장될 수 있다, 예컨대, Nuemayr, Juergen Benno (2004) : "The buffer gas cell and the extraction RFQ for SHIPTRAP", 학술논문, LMU Munich: Faculty of Physics 참조. 위에서 나타난 종류의 트랩뿐만 아니라, 잔류 가스 분석을 위한 다른 종류의 이온 트랩을 사용할 수 있음은 당연하다
다른 바람직한 실시예에서, 저장 장치는 오염 물질을 얼리거나 응축하는 표면을 냉각하는 냉각 유닛과 바람직하게는 뒤따라서 상기 표면으로부터 오염 물질을 탈착시키는 가열 유닛을 구비한다. 오염 물질의 열 축적은 이러한 방법으로 이루어지고, 검출은 가열 유닛에 의한 오염 물질의 급속 해동 또는 증발과 함께 뒤따르는 증발된 또는 분해된 시료(분자 조각)의 온도-제어된 탈착 분광 방법에 의해 검출이 이루어질 수 있다. 이 경우에, 냉각 파인더에 의해, 예를 들어 목표로 한 방법으로 얼거나 응축된 가스 시료가 급속 탈착될 수 있고, 검출될 오염 물질에 관한 주어진 정상 잔류 가스 밀도에서 EUV 리소그래피 장치의 작동 중에 주어지는 우세한 분압보다 높은 크기의 차원을 갖는 분압을 생성한다. 냉각 핑거의 해동뿐만 아니라, 얼려지거나 응축된 오염 물질을 검출을 위해 기체 상태로 전환할 수 있도록 전자총(E-gun) 또는 레이저를 사용하여 충격을 가하는 것도 가능하다.
다른 유리한 실시예에서, 냉각 유닛 및/또는 가열 유닛은 상기 표면의 온도를 세팅하는 제어 장치로 연결된다. 예를 들어, 제어 장치는 냉각 핑거 상에 형성되는 상기 표면의 온도를, 오염 물질, 예를 들어 중탄화수소가 어는 온도로, 그러나 백그라운드 가스 자체는 얼지 않도록 세팅한다. 백그라운드 가스가 얼거나 응축되는 온도는 사용되는 백그라운드 가스의 응축 온도에 의존하고, 헬륨의 경우에는 대략 4.2K, 수소의 경우에는 대략 20.3K, 아르곤의 경우에는 대략 87.2K이고 크립톤의 경우에는 대략 120K이다. 이러한 값을 초과하는 온도를 선택함으로써, 백그라운드 가스를 통한 손상 없이 오염 물질의 선택적 축적을 수행할 수 있다. 예를 들어 비가열 EUV 리소그래피 장치에서 가능한 물과 같은 물질에 의한 문제를 방지할 수 있도록, 해동 곡선을 대응하도록 조정하고 예를 들어 물의 알려진 탈착 온도에서 길게 대기하기 위해 제어 또는 조절이 사용될 수 있다.
다른 바람직한 실시예에서, 오염 물질을 축적하는 저장 장치는 가스-결합 물질을 포함한다. 가스-결합 물질은 오염 물질을 수동적으로 포획하는 흡수재 또는 필터일 수 있다. 위에서 설명된 것과 유사한 방법으로, 오염 물질 또는 그 분해물, 다시 말해 검출될 오염 물질의 분자 조각은 강력한 기체 방출로 분석되기 위해 (열적 또는 조사에 의해) 촉진된 탈착에 의해 가스-결합 물질로부터 놓아진다. 그 후 가스-결합 물질은 예를 들어, 고온에서 [분리 (진공) 영역에서], 순환적으로 재생산될 수 있다. 적절하다면, 오염 물질을 검출하기 위해 탈착 대신에 가스-결합 물질 또는 냉각된 표면의 직접적인 표면-물리 분석이 가능함은 당연하다. 가스-결합 물질은 축적을 가속화하기 위해 냉각될 수도 있다.
EUV 리소그래피 장치는 바람직하게는 가스-결합 물질을 통해 오염 물질을 펌핑하는 펌프 장치를 포함한다. 이 경우에, 필터로서의 가스-결합 물질을 통해 잔류 가스를 응축함으로써 능동 축적이 수행되고, 특히 가스-결합 물질은 바람직하게는 넓은 표면적을 갖고 다공성이다. 이러한 요구를 만족하는 물질의 한 종류로는 예를 들어, 제올라이트가 있다.
특히 유리한 실시예에서, EUV 리소그래피 장치는 오염 물질을 가스-결합 물질 및/또는 냉각가능한 표면으로부터 탈착하는 조사 장치, 특히 전자총 또는 레이저를 포함한다. 특히, 적합한 조사 장치는 광원 또는 전자원을 포함하고 그것에 의해 오염 물질이 비열적 또는, 적절하다면, 열적 탈착에 의해 가스-결합 물질 및/또는 냉각가능한 표면으로부터 제거될 수 있다. 탈착이 수행되는 방법과 무관하게, 축적에 의해 뒤따르는 오염 물질의 검출은, 예를 들어 종래의 사중극자 질량 분광계에 의한 종래의 잔류 가스 분석에 의해 수행될 수 있다.
특히 바람직하게는, 저장 장치가 인테리어 외부의 펌프 채널에 배열된다. 펌프 채널은 하우징 또는 인테리어를 비우거나 퍼지 가스가 흐르는 배출 채널로 작용할 수 있다. 그러나, 펌프 채널은 EUV 리소그래피 장치의 잔류가스가 정화 루프를 통과하는 펌프 회로의 일부일 수도 있다.
특히 바람직하게는, 잔류 가스 분석기가 오염 물질을 저장 장치로 펄스 리드하는 제어가능한 주입구를 구비한다. 이 경우에, 제어가능한 주입구는 펄스 시퀀스에서 오염 물질의 검출을 수행할 수 있고/있거나 미리 결정가능한 시간적 간격에서 오염 물질의 축적 및 탈착을 수행할 수 있도록 하는 제어 신호에 의존하는 방법으로 열리거나 닫힐 수 있는 주입구를 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
일실시예에서 인테리어 내의 잔류 가스의 전체 압력은 10-5mbar를 초과하고, 특히 10-4mbar를 초과한다. EUV 리소그래피 장치는 전형적으로 백그라운드 가스, 예를 들어 노블 가스 또는 수소에 의해 생성된 비교적 높은 잔류 가스 압력에서 작동된다. 이러한 백그라운드 압력에서, 종래의 잔류 가스 분석기는 소량의 여분 잔류 가스를 검출하고자 하는 경우 실패한다. 저장 장치에 의해, 높은 전체 압력에서도, 매우 작은 분압을 갖는 오염 물질이라고 검출을 수행할 수 있다.
다른 실시예에서, 인테리어 내의 오염 물질의 분압은 10-9mbar 미만이고, 바람직하게는 10-12mbar 미만이며, 특히 10-14mbar 미만이다. 이러한 낮은 분압(단위 cm2 당 단지 수백 개의 입자)을 갖는 오염 물질의 검출은 위에서 설명된 방법으로도 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 측면은 잔류 가스 분석을 수행하기 위해 오염 물질이 저장 장치에 저장되는 도입부에서 언급된 종류의 방법에서 실현된다. 위에서 설명된 바와 같이, 오염 물질은 저장 장치에 축적 및/또는 마련될 수 있고, 다시 말해 잔류 가스 분위기 내의 다른 물질로부터 격리될 수 있는 방법으로 저장된다.
유리한 일변형예에서, 오염 물질은 먼저 저장 장치의 냉각된 표면 상에 축적되고 뒤따라서 검출을 위해 냉각된 표면으로부터 탈착되고, 표면의 온도는 냉각된 표면 상에 오염 물질이 배타적으로 포획될 수 있도록 세팅된다. 냉각된 표면의 온도는 가능한 한 단지 하나 또는 복수의 오염 물질이 검출될 수 있는 방법으로, 예를 들어 높은 질량수(>44amu)를 갖는 탄화수소가 냉각된 표면 상에 포획되는 반면, 오염을 형성하지 않고 일반적으로 현저히 높은 분압을 갖는 잔류 가스 부분은 냉각된 표면 상에 얼지 않도록 이상적으로 선택된다.
바람직한 일변형예에서, 오염 물질은 가스-결합 물질에 축적되고 뒤따라서 검출을 위해 가스-결합 물질로부터 탈착된다. 이 경우에도, 가스-결합 물질 자체 또는 이러한 물질의 성질, 예를 들어 온도는 검출될 오염 물질이 다른 물질에 비해 훨씬 높은 정도로 포획되도록 선택될 수 있다.
유리한 일변형예에서, 오염 물질은 레이저 및/또는 전자총 조사에 의해 냉각된 표면 및/또는 가스-결합 물질로부터 탈착된다. 특히, 조사를 위해서는 광원 또는 전자원이 적합하며, 그것에 의해 오염 물질은 비열적 탈착에 의해 가스-결합 물질 및/또는 냉각된 표면으로부터 제거될 수 있다.
유리한 일변형예에서, 오염 물질을 기체방출하는 하나 이상의 성분이 인테리어 내에 배열되고, 상기 성분의 기체방출률은 잔류 가스 분석에 의해 결정되는 오염 물질의 양으로부터 결정된다. 특정한 물질, 예를 들어 납땜 조인트 또는 접착 조인트로 구성되는 성분은 오염 물질을 기체방출할 수 있고, 오염 물질은 일반적으로 이러한 물질에 분명하게 할당될 수 있다. 오염 물질의 양을 결정함으로써, 동일한 물질로 구성되는 하나 또는 복수의 성분의 기체방출률에 대한 결론을 도출할 수 있다. 이 경우에, 오염 물질의 검출은 바람직하게 EUV 리소그래피 장치의 동작 중에 잠시 인테리어 내에 EUV 조사가 없는 경우, 특히 EUV 광원이 켜지거나 노광 작동이 시작되기 전에 수행된다. 잔류 가스 구성 또한 EUV 조사의 영향 하에 오염 물질의 분해(크래킹)의 결과로 변화한다.
특히 유리한 변형예에서, 잔류 가스 분석을 수행하기 위해, EUV 리소그래피 장치의 잔류 가스의 일부가 EUV 리소그래피 장치로부터 공간적으로 분리되는 잔류 가스 분석기의 저장 장치로 공급된다. 이 경우에, 공간적으로 분리된 잔류 가스 분석기는 가스-기밀 커넥션, 예를 들어 호스를 통해 EUV 리소그래피 장치로 연결될 필요가 없고, 대신 인테리어로부터의 잔류 가스는 먼저 EUV 리소그래피 장치의 분리된 챔버에 바로 저장되며 뒤따라서 잔류 가스가 저장된 챔버가 EUV 리소그래피 장치로부터 분리되고 잔류 가스 분석기로 공급된다. 이러한 방법으로, 잔류 가스 분석은 임의의 원하는 시간, 특히 EUV 리소그래피 장치의 작동 중단 중(다시 말해 오프라인)을 포함하는 시간에 수행될 수 있다.
유리한 일변형예에서, 오염 물질은 바람직하게는 저장 장치에 저장되기 전에 레이저 조사에 의해 이온화된다. 오염 물질이 이온 트랩에 저장되고자 하는 경우 이온화가 필요하고, 이온화를 위한 가열 와이어를 제거할 수 있으므로 레이저 또는, 적절하다면 전자총에 의한 오염 물질의 이온화가 편리하다.
본 발명의 다른 특징 및 장점은 본 발명의 상세한 본질을 도시하는 도면을 참조하여 아래의 본 발명의 예시적 실시예의 설명 및 청구항으로부터 명백하다. 각각의 특징은 그 자체로 개별적으로나 본 발명의 변형예에서 임의의 원하는 조합의 복수로 이해될 수 있다.
예시적 실시예는 개략적으로 도시되고 아래의 상세한 설명에서 설명된다.
도 1은 두 개의 잔류 가스 분석기를 구비하는 EUV 리소그래피 장치의 실시예를 개략적으로 도시한다.
도 2는 잔류 가스 분석기의 저장 장치인 FT-ICR 트랩을 개략적으로 도시한다.
도 3은 질량-선택 버퍼 가스 냉각 방법을 수행하는 저장 장치인 페닝 트랩을 개략적으로 도시한다.
도 4a 내지 도 4c는 냉각 핑거를 구비하는 저장 장치(a), 오염 물질의 수착 및 뒤따르는 탈착을 위한 가스-결합 물질을 구비하는 저장 장치(b, c)를 개략적으로 도시한다.
도 1은 진공 생성 유닛(1b)(진공 펌프)이 부여된 하우징(1a)을 구비하는 EUV 리소그래피 장치(1)를 개략적으로 도시한다. 하우징(1a)은 그에 배열된 구성성분의 광학적 기능에 따라 세 개의 하우징부(도 1에는 도시되지 않음)로, 더 정확히 말하면 먼저 예컨대 플라즈마 광원(도시되지 않음)을 포함하는 광 생성 유닛(2) 및 광 조사를 포커싱하는 EUV 수집 미러(2a)를 구비하는 제1 하우징부로 세분된다.
제2 하우징부에 인접하게 배열되는 것은 광 경로를 따라 광 혼합 장치로서 필드 래스터 요소를 구비하는 미러(5)와 퓨필 래스터 요소를 구비하는 미러(6)를 구비하는 조명 시스템(3)이다. 망원 물체(7)로 동작하는 세 개의 미러의 하류 그룹은 정상 입사 하에서 작동되는 제1 및 제2 미러(8, 9) 및 스침 입사(grazing incidence) 하에서 광이 부딪히는 제3 미러(10)를 구비한다. 조명 시스템(3)은 물체 평면(11)에 축소된 방식으로 결상될 구조(도시되지 않음)를 구비하는 레티클(12)이 배열된 가능한 한 균질한 이미지 필드를 생성한다.
물체 평면(11)의 레티클(12) 상에 배열되는 구조는 제3 하우징부 내에 배열되는 하류 투영 시스템(4)에 의해 이미지 평면(13) 상에 결상된다. 투영 시스템(4)은 축소 결상을 위한 반사 광학 요소로서 여섯 개의 추가적인 미러(14.1 내지 14.6)를 구비한다.
EUV 리소그래피 장치의 작동 중에, 진공 생성 유닛(1b)은 하우징(1a) 내에 전형적으로 10-5mbar를 초과하는 전체 압력과 대략 10-12mbar 또는 그 미만인 중탄화수소(대략 40 질량 단위 초과)의 탄화수소 분압을 갖는 진공을 생성한다. 중탄화수소는 광학 요소(2a, 5, 6, 8 내지 10, 14.1 내지 14.6)의 광학 표면 상에 고체로 적층되고 따라서 이하에서 오염 물질로 불리운다. 중탄화수소 뿐만 아니라, 하우징(1a)의 인테리어(15) 내에서 다른 오염 가스가 발생할 수 있고, 오염 가스 역시 아래에서 더 설명되는 방법으로 검출될 수 있다.
오염 물질은 하우징(1a)의 인테리어(15) 내에서 광경로(16) 상에 또는 외부에 그리고 EUV 조사가 부딪히는 예컨대 이미지 평면(13) 내의 웨이퍼를 통하는 부분에 배열된 구성성분으로부터 전형적으로 가스로 방출된다. 하우징(2)의 벽의 일부 영역에 설비되고 오염물질(17a)로서 중탄화수소를 방출하는 구성성분(17)(예컨대 솔더 조인트)이 도 1에서 예로서 도시된다. 하우징(1b)에서 오염 물질(17a)을 기체방출하는 이러한 구성성분(17)의 설비는 EUV 리소그래피 장치에서 사용되는 많은 물질들은 지나치게 가열될 수 없으므로 완전하게 방지될 수 없다.
전체로 또는 각각의 오염 물질에 대해 개별적으로 인테리어(15)의 잔류 가스 분위기 내의 상기 구성성분(17)에 의해 생성되는 오염 물질(17a)의 비율을 결정하기 위해서, 제1 잔류 가스 분석기(18a)가 하우징(1a)에 플랜지되고 제2 잔류 가스 분석기(18b)가 인테리어(15) 외부의 펌프 채널(19) 내에 배열된다. EUV 리소그래피 장치(1)에서 단일 잔류 가스 분석기(18a, 18b)의 공급으로도 일반적으로 충분하나, 적절하다면, 서로 다른 종류의 오염을 보다 잘 검출하기 위해서 서로 다른 종류의 두 잔류 가스 분석기(18a, 18b)가 제공될 수 있음은 당연하다.
제1 잔류 가스 분석기(18a)는 아래에서 아주 상세하게 설명된다; 이는 오염 물질(17a)을 이온화하는 글로 와이어(필라멘트) 형태의 이온화 장치(20), 오염 물질(17a)을 저장하는 이온 트랩 형태의 저장 장치(21) 및 저장 장치(21)로 이온을 공급하는 공급 장치(22)를 구비한다. 이온화 장치(20)는 인테리어(15) 내의 주어진 압력에서 이온을 생성하기 위해 요구되는 전류에 의해 백열하게 되고 예컨대 펄스 방식으로 작동될 수도 있다. 대안으로 또는 추가로, 이온화 장치(20)가 집중된 레이저 빔에 의해 이온을 생성하는, 특히 펄스형의, 레이저를 구비할 수도 있음은 당연하다.
공급 장치(22)는 이온화 장치(20)에 직접 인접하여 배열되고 글로 와이어에서 생성된 이온이 펄스 방식으로 저장 장치(21)로 공급되도록 하는 이온 광학 장치(도시되지 않음)를 구비하는 진공 튜브(22a)를 구비한다. 공급 장치는 예컨대 노광 공정 중에 두드러지는 것과 같이 인테리어(15) 내의 0.5에서 2mbar 사이의 고압에서도 잔류 가스 분석이 수행될 수 있음을 보장하는 인테리어를 향하는 제1 제어가능한 스크린(22b)을 구비한다. 스크린(22b) 및, 적절하다면, 추가적인 단면 및/또는 차동 펌프 스테이지가 잔류 가스 분석을 위해 종래의 잔류 가스 분석기가 사용될 수 있도록 저장 장치(21) 쪽으로의 잔류 가스 압력이 대략 10-5mbar까지 감소하는 것을 보장한다. 저장 장치(21) 내의 압력 역시 이러한 이유로 저장 장치 내의 입자 흐름을 유지하기 위해 인테리어(15) 내의 압력보다 현저하게 아래에 놓여야 한다. 제2 스크린(22c)는 진공 튜브(22a)의 저장 장치(21) 쪽으로의 출구에 배치되고, 상기 제2 스크린은 저장 장치(21) 내에 이온이 축적되는 경우에만 개방된다. 따라서 공급 장치(22)는 이온이 저장 장치(21) 내에 시간에 따르는 펄스 방식으로 축적될 수 있도록 하고, 도 2를 참조하여 아래에서 상세하게 도시되듯이 잔류 가스 분석 동안 측정 감도를 현저하게 향상시키는 것이 가능하다.
도 2는 FT-ICR 셀로서 구현되고 이온(23)이 XYZ 좌표계의 Z 방향을 따라 형성되는 균일한 자기장 B 내에 포획되며 FT-ICR 트랩(21)으로 주입된 이온(23)을 질량에 의존하는 순환 주파수를 갖는 Z 방향의 오비탈 경로 상에 속박하는 저장 장치(21)의 측정 원리를 도시한다. 또한 FT-ICR 트랩은 자기장 B에 수직인 교번 전기장이 인가되는 여섯 개의 전극(24)을 포함하고, 이러한 방법으로 사이클로트론 공명이 생성된다. 교번 필드의 주파수가 조사되고 사이클로트론 각주파수가 일치하면, 공명 상태가 발생하고 교번 필드로부터 흡수되는 에너지의 결과로 상응하는 이온의 사이클로트론 반경이 증가한다. 이러한 변화는 FT-ICR 트랩(21)의 전극(24)에서 측정가능한 신호를 유도하여, 증폭기(25)를 통해 FFT(Fast Fourier Transform) 분광계(26)로 공급되는 전류 흐름 I를 유도한다. 분광계(26)에 수신된 시간에 의존하는 전류 I는 주파수 f에 따르는 질량 스펙트럼을 얻기 위해 퓨리에 변환되고, 질량 스펙트럼은 도 2의 우측 하부에 도시된다.
FT-ICR 셀(21) 내의 이온(23)의 축적에 의한 오염 물질 검출의 대안으로서, 오염 물질을 직접적으로, 다시 말해 이온 트랩 형태의 저장 셀(21a)에서의 축적 없이 검출하는 것도 가능하고, 도 3을 참조하여 아래에서 설명된다. 도 3은 Cern의 "ISOLTRAP" 실험 셋업(http://isoltrap.web.cern.ch/isoltrap/)에서 사용되는 것과 같은 페닝 타입의 콜드 트랩 형태의 이온 트랩(21a)를 도시한다. 초전도 자석(도시되지 않음)에 의해 일시적으로 일정한 자기장이 생성된다. 중심 환형 전극(27)과 이온 트랩(21a)의 대칭축을 따르는 방향으로 배치되는 복수의 개개의 전극(28)에 의해 일정한 전기장이 생성되고, 전기장은 안정되며, Z 방향의 전위 프로파일(29)이 도 3의 우측에 도시되고 이는 외부 및 내부의 전위 우물을 갖는다. 냉각 가스, 예컨대 헬륨이 이온 트랩(21a)으로 주입되는 소위 질량-선택 버퍼 가스 냉각 방법에 의해, 전기 쌍극자 필드에 의한 마그네트론 여기와 전기 사중극자 필드에 의한 사이클로트론 여기의 조합에 의해 EUV 리소그래피 장치(1)의 인테리어(15) 내의 높은 잔류 가스 압력에서도 서로 다른 질량-전하비를 갖는 이온의 공간적 분리를 수행할 수 있고, 이는 예컨대 본 출원 내용에 참조로 포함된 Dr. Alexander Kohl의 학술논문 "Direkte Massenbestimmung in der Bleigegend und Untersuchung eines Starkeffekts in der Penningfalle" [Direct mass determination in the vicinity of lead and examination of a Stark effect in the Penning trap"], University of Heidelberg, 1999에서 보다 이해하기 쉽게 설명된다. 따라서 저장 셀(21a)은 오염 물질을 잔류 가스 분위기의 여분의 물질로부터 공간적으로 분리하는 질량 필터로 작용한다.
이온 트랩(21, 21a)의 경우에 이온이 가열 요소에 의해 생성될 필요가 없고, 대신 이온화는 예컨대, 전자원에 의한 충돌 이온화에 의해 수행될 수 있음은 당연하다. 위에서 설명된 이온 트랩(21, 21a)뿐만 아니라, 예컨대 페닝 트랩, 사중극자 이온 트랩 또는 폴 트랩, 선형 트랩, 오비트랩, EBIT 또는 오염 물질의 검출을 위한 다른 종류의 이온 트랩을 사용할 수도 있다. 더욱이, 적절하다면, 미리 결정된 질량-전하비를 갖는 이온만이 상기 트랩에 들어갈 수 있도록 하기 위해 질량 필터, 예컨대 사중극자 질량 필터를 이온 트랩(21, 21a) 상류에 배열하는 것이 가능하다.
도 4a 내지 도 4c는 펌프 채널(19) 내에 배열된 도 1의 잔류 가스 분석기(18b)의 실시예를 도시하고, 여기서 오염 물질(17a)은 이온화되지 않고, 대신 축적을 위해 흡착되어 뒤따르는 탈착으로 오염 물질의 비교적 많은 양이 검출에 이용되도록 한다.
도 4a에서, 제어가능한 밸브(도시되지 않음)에 의해 펌프 채널(19)로부터 분리가능하고 냉각 핑거(31)가 저장 장치로서 설비되는 챔버(30)가 잔류 가스 분석기 내에 배열된다. 냉각 핑거(31)는 냉각 핑거(31)의 표면(31')의 온도를 하나 이상의 오염 물질이 상기 표면에서 얼고 이러한 방법으로 축적될 수 있도록 세팅하기 위해 결합된 냉각/가열 요소(33)를 구동하는 제어 장치(32)에 연결된다. 이 경우에, 냉각 핑거(31)의 온도는 오염 물질만이, 특히 44를 초과하는 질량수를 갖는 탄화수소가 표면(31') 상에 응축되지만, 광학 요소를 오염시키지 않는 백그라운드 가스, 전형적으로 헬륨, 적절하다면 수소는 응축되지 않도록 세팅될 수 있다. 이러한 목적으로, 냉각 핑거(31)의 온도는 각각의 백그라운드 가스의 응축 온도보다 높게 유지될 필요가 있고, 다시 말해 헬륨의 경우에는 대략 4.2K 초과, 수소의 경우에는 대략 20.3K 초과이다.
오염 물질의 축적 후에, 챔버(30)와 펌프 채널(19) 사이의 밸브는 폐쇄되고, 작은 챔버 용량에서, 냉각 핑거(31)는 온도-제어 방법으로 빠르게 해동 또는 가열되어, 오염 물질이 표면(31')으로부터 탈착되고 적절하다면 냉각 핑거에 축적된 여분의 물질과 함께 축적된 오염 물질을 검출하는 종래의 질량 분광계(34)로 공급될 수 있다. 결합된 냉각/가열 요소에 의한 냉각 핑거(31)의 가열에 추가하여 또는 대안으로, 표면(31')을 특히 펄스 방식으로 작동될 수 있는 레이저(37)로부터의 집중된 조사에 노출시킴으로써 오염 물질 또는 물질들을 표면(31')으로부터 탈착시키는 것도 가능하다.
이에 대한 대안으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 챔버(30) 내에서의 축적은 저장 또는 흡수 장치로서 가스-결합 물질(31a), 예컨대 제오라이트에서 수행될 수도 있다. 오염 물질의 가스-결합 물질(31a)로부터의 탈착을 위해, 가스-결합 물질(31a)은 전자총(35)에 의해 [및/또는 레이저(도시되지 않음)에 의해] 충격이 가해진다. 전자총(35)은 축적을 위한 충분히 긴 기간이 경과하자마자 제어 장치(32)에 의해 활성화된다. 그 후 챔버(30)는 질량 분광계(34)에서 탈착된 오염 물질을 검출하기 위해 위에서 설명된 방법으로 펌프 채널(19)로부터 분리된다.
도 4b의 가스-결합 물질(31a)에서 수동적으로 축적이 일어나는 동안, 필터링을 가능케 할만큼 충분히 다공성이어서 필터로 작용하고 마찬가지로 제오라이트로 구성될 수 있는 가스-결합 물질(31b)을 통해 펌프 장치(36)에 의하여 잔류 가스를 펌핑함으로써 오염 물질의 능동 축적이 수행될 수도 있다(도 4c 참조). 펌프 장치(36)는 가스-결합 물질로부터 오염 물질을 방출하기 위해 마찬가지로 사용될 수 있고, 상기 펌프 장치는 반대 방향으로 작동되고 탈착을 위한 보다 높은 용량을 가지므로, 오염 물질은 챔버(30)로 펌핑되어 도 4a 및 도 4b와 관련하여 위에서 설명된 방법으로 검출될 수 있다.
오염 물질을 포획하고 뒤따라서 탈착하기 위한 도 4a 내지 도 4c에 도시된 가능한 것들이 조합될 수도 있음은 당연하다. 특히, 예컨대 흡착/탈착은 가스-결합 물질(31a, 31b)의 냉각/가열에 의해 지원될 수도 있다. 뿐만 아니라, 적절하다면, 예컨대 X-레이 광전자 분광법(XPS) 또는 비행시간 이차 이온 질량 분광법(TOF-SIMS)에 의한 가스-결합 물질(31a, 31b) 또는 냉각 핑거(31)의 직접적인, 정량 표면 분석이 수행될 수 있다면 탈착은 완전히 생략될 수 있다.
잔류 가스 분석기(18a, 18b)는 오염 물질, 특히 중탄화수소의 분압이 사양 범위에 놓이는지, 다시 말해 전형적인 EUV 리소그래피 장치(1)에서 p(CxHy)<10-10mbar 또는 그 미만인지 확인하기 위해 사용될 수 있다. 그 결과, 스위치-온 공정 중에, 다시 말해 하우징(2)의 인테리어(15) 내에서 진공이 생성되는 동안, 그리고 EUV 광 생성 유닛(2)이 노광 작동을 위해 실제로 켜지기 전에, 오염량에 따라 1에서 100초 사이, 전형적으로 30에서 60초 사이인 가능한 가장 짧은 시간 간격으로 인테리어(15) 내의 잔류 가스 분석을 수행할 수 있다. 광 생성 유닛(2)은 오염이 선택된 사양 내에, 다시 말해 임계적 한계값 미만에 놓이자마자 활성화된다.
잔류 가스 분석기(18a, 18b) 내의 잔류 가스 분석의 결과, 인테리어(15) 내의 오염 물질(17a)의 양 또는 분압을 추론할 수 있다. 오염 물질의 양으로부터, 대응하는 물질을 기체방출하는 물질을 구비하는 구성성분(17)의 기체방출률에 대해 진술할 수도 있으며, 이러한 심사를 수행하는 잔류 가스 분석은 일반적으로 노광 작동이 진행 중이지 않은 경우에 수행된다.
잔류 분석기(18a)가 EUV 리소그래피 장치에 설비될 필요가 없고, 대신, 적절하다면, 상기 장치로부터 공간적으로 멀리 떨어져서 배열되고 예컨대, 적절하다면 가열될 수 있는 호스를 통해 인테리어(15)에 연결될 수 있음은 당연하다. 더욱이, EUV 리소그래피 장치의 인테리어로부터 잔류 가스 시료가 잔류 가스의 오프라인 분석이 가능하게 하도록 잔류 가스 분석기로 이송되는 가스-기밀 컨테이너로 주입될 수 있으므로 잔류 가스 분석기가 EUV 리소그래피 장치에 연결될 필요가 없다.
또한 오염 물질의 축적을 위한 저장 장치(31, 31a, 31b) 내에 사용되는 물질이 흡착 물질처럼 넓은 비표면적을 갖거나 게터링(gettering) 작용제로 사용될 수 있는 물질임은 당연하다. 이러한 물질은 흡착 펌프 또는 게터 펌프를 위한 ISO3529/II에 따라 사용될 수도 있는 알려진 물질이다. 그러므로 위에서 언급된 제오라이트 외에도 탄탈(tantalum), 니오브(niobium), 티타늄(titanium), 지르코늄(zirconium) 및 토륨(thorium)과 같은 금속 및 특수한 지르코늄 합금과 같은 합금이 저장 장치(31, 31a, 31b)를 위한 바람직한 물질이다.
요약하면, 위에서 설명된 방법으로, 스위치-온 상태 중 및 투영 노광 장치의 노광 작동 중의 두 경우 모두에서 인테리어(15) 내의 오염 물질의 양을 검출하고 결정하는 잔류 가스 분석을 수행할 수 있고, 다시 말해 0.5mbar 또는 이를 초과하는 높은 백그라운드 압력에서도 특히 10-14mbar 또는 그 미만의 극히 낮은 분압을 갖는 오염 물질이라도 검출될 수 있다.

Claims (26)

  1. EUV 리소그래피 장치(1)이며,
    인테리어(15)를 둘러싸는 하우징(1a)과,
    상기 인테리어(15) 내에 배열되는 하나 이상의 반사 광학 요소(5, 6, 8, 9, 10, 14.1 내지 14.6)와,
    상기 인테리어(15) 내의 잔류 가스 분위기를 생성하는 진공 생성 유닛(1b)과, 상기 잔류 가스 분위기에서 하나 이상의 오염 물질(17a)을 검출하는 잔류 가스 분석기(18a, 18b)를 포함하고,
    상기 잔류 가스 분석기(18a, 18b)는
    이온 트랩으로 일정 시간 구간 동안 연속적으로 상기 오염 물질(17a)을 축적 및 저장하는 저장 장치(21, 21a; 31, 31a, 31b)와,
    저장 장치 내에 저장된 오염 물질(17a)을 상기 시간 구간 동안 또는 그 이후에 오직 간헐적으로 검출하도록 구성된 질량 분광계(34)를 포함하며,
    상기 잔류 가스 분석기(18a, 18b)는 상기 오염 물질(17a)을 상기 저장 장치(21)로 펄스 공급하는 제어가능한 주입구(22)를 구비하고,
    상기 인테리어(15) 내의 상기 잔류 가스의 전체 압력은 10-5mbar를 초과하고, 상기 인테리어(15) 내의 상기 오염 물질(17a)의 분압은 10-9mbar 미만인 EUV 리소그래피 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 저장 장치(21a, 31, 31a, 31b)는 상기 오염 물질을 상기 잔류 가스 분위기에 포함된 다른 물질로부터 격리하도록 구성되는 EUV 리소그래피 장치.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 잔류 가스 분석기(18a)는 상기 오염 물질(17a)을 이온화하는 이온화 장치(20)를 구비하고, 상기 저장 장치는 이온 트랩(21, 21a)인 EUV 리소그래피 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이온 트랩(21, 21a)은 상기 오염 물질을 검출하도록 구성되는 EUV 리소그래피 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 잔류 가스 분석기(18a)는 상기 오염 물질(17a)을 상기 잔류 가스 분위기 내의 다른 물질로부터 분리하는 질량 필터(21a)를 구비하는 EUV 리소그래피 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 이온 트랩은 퓨리에 변환 이온 싸이클로트론 공명 트랩, 페닝 트랩, 사중극자 이온 트랩, 폴 트랩, 선형 트랩, 오비트랩, EBIT 및 RF 번처를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 EUV 리소그래피 장치.
  8. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 저장 장치(31)는 상기 오염 물질(17a)을 얼리거나 응축하는 표면(31')을 냉각하는 냉각 유닛(33) 및 뒤따라서 상기 표면(31')으로부터 상기 오염 물질(17a)을 탈착시키는 가열 유닛(33)을 구비하는 EUV 리소그래피 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 냉각 유닛(33) 및 가열 유닛(33) 중 하나 또는 양자는 상기 표면(31')의 온도를 세팅하는 제어 장치(32)에 연결되는 EUV 리소그래피 장치.
  10. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 오염 물질을 축적하는 상기 저장 장치는 가스-결합 물질(31a, 31b)을 포함하는 EUV 리소그래피 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 가스-결합 물질(31b)을 통해 상기 오염 물질을 펌핑하는 펌프 장치(36)를 더 포함하는 EUV 리소그래피 장치.
  12. 제8항에 있어서, 상기 오염 물질(17a)을 가스-결합 물질(31a) 및 상기 냉각가능 표면(31') 중 하나 또는 양자로부터 탈착시키는 조사 장치(35)를 더 포함하는 EUV 리소그래피 장치.
  13. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 저장 장치(31, 31a, 31b)는 상기 인테리어(15) 외부의 펌프 채널(19)에 배열되는 EUV 리소그래피 장치.
  14. 삭제
  15. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 인테리어(15) 내의 상기 잔류 가스의 전체 압력은 10-4mbar를 초과하는 EUV 리소그래피 장치.
  16. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 인테리어(15) 내의 상기 오염 물질(17a)의 분압은 10-12mbar 미만인 EUV 리소그래피 장치.
  17. 하나 이상의 반사 광학 요소(5, 6, 8, 9, 10, 14.1 내지 14.6)가 배열되는 인테리어(15)를 갖는 하우징(1a)을 구비하는 EUV 리소그래피 장치(1)의 잔류 가스 분위기의 잔류 가스 분석에 의해 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법이며,
    연속적인 일정 시간 구간 동안 이온 트랩을 갖는 저장 장치(21, 21a; 31, 31a, 31b) 내에 상기 오염 물질(17a)을 축적 및 저장하는 단계와,
    저장된 오염 물질(17a)을 상기 시간 구간 동안 또는 그 이후에 간헐적으로 질량 분광계(34)로 검출하여 잔류 가스 분석을 실시하는 단계를 포함하며,
    제어가능한 주입구(22)를 통해 상기 오염 물질(17a)을 상기 저장 장치(21)로 펄스 공급하는 단계를 포함하며,
    상기 인테리어(15) 내의 상기 잔류 가스의 전체 압력은 10-5mbar를 초과하고, 상기 인테리어(15) 내의 상기 오염 물질(17a)의 분압은 10-9mbar 미만인 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 오염 물질은 상기 저장 장치(21, 31, 31a, 31b)에 축적되는 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 오염 물질은 상기 저장 장치(21a, 31, 31a, 31b) 내의 상기 잔류 가스 분위기에 포함된 다른 물질로부터 격리되는 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
  20. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 오염 물질(17a)은 먼저 상기 저장 장치(31)의 냉각된 표면(31') 상에 축적되고 뒤따라서 검출을 위해 상기 냉각된 표면(31')으로부터 탈착되는 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 표면(31')의 온도는 상기 오염 물질(17a)이 상기 냉각된 표면(31') 상에 배타적으로 포획될 수 있도록 세팅되는 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
  22. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 오염 물질(17a)은 가스-결합 물질(31a, 31b) 내에 축적되고 뒤따라서 검출을 위해 상기 가스-결합 물질(31a, 31b)로부터 탈착되는 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
  23. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 오염 물질(17a)을 기체방출하는 하나 이상의 구성성분(17)이 상기 인테리어(15) 내에 배열되고, 상기 구성성분(17)의 기체방출률은 상기 잔류 가스 분석에 의해 결정되는 상기 오염 물질(17a)의 양으로부터 결정되는 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
  24. 제20항에 있어서, 상기 오염 물질(17a)은 레이저(37) 및 전자총(35) 중 하나 또는 양자의 조사에 의해 상기 냉각된 표면(31') 및 가스-결합 물질(31a, 31b) 중 하나 또는 양자로부터 탈착되는 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
  25. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 잔류 가스 분석을 수행하기 위해 상기 EUV 리소그래피 장치(1)의 잔류 가스 일부가 상기 EUV 리소그래피 장치(1)로부터 공간적으로 분리되는 잔류 가스 분석기(18a)의 저장 장치(21)로 공급되는 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
  26. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 오염 물질은 상기 저장 장치(21)에 저장되기 전에 레이저 조사에 의해 이온화되는 하나 이상의 오염 물질을 검출하는 방법.
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