KR101522695B1 - 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

Abstract

횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액처리부와, 상기 액처리부에 대하여 공용화되고 액처리부의 배열 방향을 따라 설치된 복수의 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판으로의 처리액의 낙하를 억제하여 수율의 저하를 방지할 수 있는 액처리 장치를 제공하는 것이다. 처리액 노즐의 하방에서 상기 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고 판정 신호를 출력하는 수단과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비하도록 장치를 구성한다. 각 처리액 노즐이 횡방향으로 배열된 각 액처리부 상을 이동함에 있어서, 기판 또는 기판 보지부에 처리액이 적하하여 정상적인 처리가 방해받거나 파티클이 되는 것이 억제된다.

Description

액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

반도체 제조 공정 중 하나인 포토레지스트 공정에서는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 행하는 도포 현상 장치 에 노광 장치를 접속시킨 시스템을 이용하여 행해진다.

이 도포 현상 장치에는 웨이퍼로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 각종 액처리 모듈이 설치되어 있다. 이 액처리 모듈로서는 웨이퍼에, 예를 들면 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 모듈(레지스트 도포 장치)이 있다. 레지스트 도포 모듈은 웨이퍼를 보지(保持)하는 스핀 척과, 이 스핀 척에 보지된 웨이퍼를 둘러싸도록 설치된 배액 수단 및 배기 수단을 구비한 컵으로 이루어지는 도포 처리부를 구비한다. 또한, 레지스트 도포 모듈은 웨이퍼에 레지스트를 토출하기 위한 레지스트 토출 노즐과, 상기 레지스트 공급 전에 웨이퍼에 처리액, 예를 들면 시너를 토출하여 상기 레지스트의 습윤성 을 향상시키기 위한 시너 토출 노즐을 구비하고 있다. 이들 레지스트 토출 노즐 및 시너 토출 노즐은 이들을 지지하는 암에 장착되고, 상기 컵 상과 각 노즐을 대기시키기 위하여 컵의 외측에 설치된 노즐 배스(bath) 와의 사이를 이동한다.

그런데, 근래에는 다품종 소량 생산의 요청으로 농도 또는 성분이 상이한 복수 종류의 레지스트를 구분하여 사용하는 경우가 있다. 레지스트를 이와 같이 구분하여 사용하기 때문에, 서로 상이한 종류의 레지스트를 각각 공급하기 위한 복수의 라인에 각각 접속된 복수의 레지스트 토출 노즐을 상기 암이 처리를 전환할 때마다 바꾸는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 장치 구성을 간소화하는 목적으로 이들 복수의 레지스트 토출 노즐과 시너 토출 노즐을 하나로 합친 집합 노즐을 하나의 암에 장착하여 구동시키는 구조로 하는 경우가 있다.

또한, 장치 구성을 간소화하기 위하여 단일의 레지스트 도포 모듈 내에서는, 예를 들면 상기 컵을 구비한 도포 처리부가 나란히 복수 개 설치되는 경우가 있다. 이 경우, 이들 각 도포 처리부와 노즐 배스는, 예를 들면 직선 상에 배설되고, 각 도포 처리부에 대하여 공통화된 상기 암이 노즐 배스와 컵 사이를 이동하면서 레지스트 도포 처리를 행한다. 스루풋 향상을 위하여 상기 암이 이동 개시점으로부터 종료점까지를 최단 거리로 이동하는 것이 요구되므로, 도포 처리부 및 노즐 배스의 배열 방향과 평행하게 직선 형상으로 이동한다. 따라서, 이와 같이 구성된 레지스트 도포 모듈에서는 그 구조상 각 노즐이 컵 상을 가로지르게 된다.

그런데, 각 노즐을 웨이퍼 상에 이동시키고 나서 바로 레지스트 및 시너의 토출을 개시하기 위해서는 노즐의 선단 근처까지 이들 액을 채워 둘 필요가 있다. 그러나, 이와 같이 액이 채워진 상태로 상기와 같이 구성된 레지스트 도포 모듈의 노즐을 이동시키면, 암 구동 시에 발생하는 진동, 또는 레지스트 및 시너를 공급하는 라인의 내압 변동 등에 의해 이동 도중 목적 외의 위치에서 각 노즐의 선단으로부터 액 맺힘, 나아가서는 액적(液適) 낙하가 발생할 우려가 있다. 그리고, 상기와 같이 각 노즐이 컵 상을 가로지를 때에 스핀 척이나 처리 전 또는 처리 완료된 웨이퍼 상에 액적이 낙하하면, 스핀 척의 오염에 의해 파티클이 발생하거나 제품 웨이퍼의 도포 불량을 일으켜 수율이 저하될 우려가 있다.

특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에는 도포 시에 이동 중인 노즐로부터 토출되는 약액 상태를 광학 센서, 카메라 방식으로 각각 감시하는 것이 기재되어 있다. 단, 이들은 약액의 토출 상태 또는 토출 타이밍의 이상을 검지하는 것이 목적이며, 또한 약액 상태의 감시 구역은 약액 토출 중 및 그 전후로 한정된다. 따라서, 이들 광학 센서 및 카메라는 컵 외에서 이동 중인 노즐을 감시하는 것은 아니다. 또한, 특허 문헌 1 및 2에는 이상 발생 시에서의 상기 액적 낙하의 회피 수단에 대하여 기재되어 있지 않다. 따라서, 이들 특허 문헌 1 및 2는 상기 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다. 한편, 특허 문헌 3은 노즐이 컵 사이를 이동하는 경우에 일어나는 문제에 대해서는 기재하고 있지 않아 기술한 문제를 해결하기에는 불충분하다. 한편, 특허 문헌 4는 상기 문제를 해결하기 위하여 상시 카메라에 의한 해석을 행해야 하므로, 프로그램에 부하가 걸릴 우려가 있다.

일본특허공개공보 2008-307465 일본특허공개공보 2002-316080 일본특허공개공보 2008-313822 일본특허공개공보 2008-135679

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액처리부와, 이들 액처리부에 대하여 공용화되고 액처리부의 배열 방향을 따라 설치된 복수의 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판으로의 처리액의 낙하를 억제하여 수율의 저하를 방지할 수 있는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 액처리 장치는, 각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부와, 상기 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고 기판에 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하기 위하여 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위하여 설치된 노즐 배스와, 상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 지지체 구동 기구와, 각 처리액 노즐의 하방에서 상기 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고 판정 신호를 출력하는 수단과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.

상기 대처 수단은, 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단하는 판단 수단을 구비하고, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해져도 좋고, 이 경우, 상기 대처 수단은, 상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역과, 상기 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어 수단을 구비하고 있어도 좋다.

예를 들면, 상기 대처 수단은, 각 처리액 노즐로부터의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 액받이 부재와, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에 상기 액받이 부재를 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 이동 수단을 구비하고 있어도 좋고, 상기 대처 수단은, 지지체 구동 기구의 이동 및 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지시키는 정지 수단을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 상기 대처 수단은, 알람 발생 수단을 구비하고 있어도 좋다. 상기 지지체 구동 기구는 상기 지지체를 승강시키도록 구성되고, 상기 광 센서는 예를 들면 상기 지지체 구동 기구에 대하여 고정된 고정부에 설치되어 있다.

본 발명의 기판 처리 방법은, 각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 구비하고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고, 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐로부터 기판으로 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하는 공정과, 노즐 배스에 처리액 노즐을 대기시키는 공정과, 지지체 구동 기구에 의해 상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스와의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키는 공정과, 광 센서에 의해 각 처리액 노즐의 하방에서 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 공정과, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고, 판정 신호를 출력하는 공정과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

예를 들면, 상기 대처 동작을 행하는 공정은, 촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과, 상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단 수단에 의해 판단하는 공정과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 공정을 포함하고 있어도 좋고, 상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 일어났다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하는 공정과, 상기 처리액의 토출을 행하기 위하여 제어 수단으로부터 제어 신호를 출력하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.

또한, 상기 대처 동작을 행하는 공정은, 액받이 부재에 의해 각 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 공정과, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에 상기 액받이 부재를 이동 수단에 의해 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 공정을 포함하고 있어도 좋다.

본 발명의 기억 매체는, 기판에 대한 액처리를 행하는 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은 상술한 액처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 액처리부의 배열 방향을 따라 설치된 처리액 노즐의 하방에서 당해 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때 처리액의 액 맺힘 또는 적하(適下)가 발생했다고 판정하여 판정 신호를 출력하는 수단과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비하고 있다. 따라서, 각 처리액 노즐이 횡방향으로 배열된 각 액처리부 상을 이동함에 있어서, 기판 또는 기판 보지부에 처리액이 적하하여 정상적인 처리를 방해 받거나 파티클이 되는 것이 억제된다. 이 결과로서 수율의 저하가 억제된다.

도 1은 본 발명에 따른 레지스트 도포 장치의 사시도이다.
도 2는 상기 레지스트 도포 장치의 평면도이다.
도 3은 상기 레지스트 도포 장치의 도포 처리부의 구성도이다.
도 4는 상기 레지스트 도포 장치의 레지스트 공급부의 사시도이다.
도 5a 및 5b는 상기 레지스트 공급부의 암의 선단측의 평면도이다.
도 6은 상기 암의 이면측의 사시도이다.
도 7은 상기 암의 집합 노즐로부터 액 맺힘이 발생한 상태를 도시한 설명도이다.
도 8a 및 8b는 레지스트가 웨이퍼에 도포되는 공정을 도시한 공정도이다.
도 9는 상기 레지스트 도포 장치의 제어부의 구성도이다.
도 10은 노즐 배스(bath)로의 약액 토출이 행해지는 모습을 도시한 설명도이다.
도 11은 이상(異常)시에서의 암의 위치와 암이 이동하는 노즐 배스와의 관계를 도시한 설명도이다.
도 12는 이상시에서의 동작을 나타낸 순서도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 레지스트 공급부를 도시한 사시도이다.
도 14a 및 14b는 상기 레지스트 공급부의 측면도이다.
도 15는 상기 레지스트 도포 장치를 구비한 도포 현상 장치의 평면도이다.
도 16은 상기 도포 현상 장치의 사시도이다.
도 17은 상기 도포 현상 장치의 종단 평면도이다.

(제 1 실시예)

본 발명의 액처리 장치의 일례인 레지스트 도포 장치(1)에 대하여 그 사시도 및 상면도인 도 1 및 도 2를 각각 참조하여 설명한다. 레지스트 도포 장치(1)는 3 개의 도포 처리부(11a, 11b, 11c)와 레지스트 공급부(3)와 레지스트막의 주연부 제거 기구(61a, 61b, 61c)와 레지스트 공급부(3)의 각 노즐을 대기시키기 위한 노즐 배스(bath)(30)를 구비하고 있다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상에는 하방을 향하여 가스를 공급하고, 하방을 향하는 기류(다운 플로우)를 발생시키기 위한 가스 공급부가 설치되어 있다.

도포 처리부(11a ~ 11c)는 횡방향으로 일렬로 배열되어 있다. 각 도포 처리부(11a ~ 11c)는 각각 동일하게 구성되어 있고, 여기서는 도포 처리부(11a)를 예로 들어 그 종단 측면을 도시한 도 3을 함께 참조하여 설명한다. 도포 처리부(11a)는 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부인 스핀 척(12a)을 구비하고, 스핀 척(12a)은 회전축(13a)을 개재하여 회전 구동 기구(14a)와 접속되어 있다. 스핀 척(12a)은 회전 구동 기구(14a)에 의해 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 수직축을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구(14a)는 후술하는 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 스핀 척(12a)의 회전 속도를 제어한다.

스핀 척(12a)의 주위에는 스핀 척(12a) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부(20a)를 구비한 컵(21a)이 설치되어 있고, 컵(21a)의 측주면 상단측은 내측으로 경사진 경사부(22a)를 형성하고 있다. 컵(21a)의 저부측에는, 예를 들면 오목부 형상을 이루는 액받이부(23a)가 형성되어 있다. 액받이부(23a)는 격벽(24a)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부 하방측에 전체 둘레에 걸쳐 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 저장된 레지스트 등의 드레인을 배출하기 위한 배액구(25a)가 형성되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(26a, 26a)가 형성되어 있다.

배기구(26a, 26a)에는 배기관(27a)의 일단이 접속되어 있고, 배기관(27a)의 타단은 배기 댐퍼(damper)(28a)를 개재하여, 예를 들면 레지스트 도포 장치(1)가 설치된 공장의 배기로에 접속되어 있다. 배기 댐퍼(28a)는 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 컵(21a) 내의 배기량을 제어한다.

도면 중 15a는 승강 가능하게 구성된 승강 핀이며, 컵(21a) 내에 3 개 설치되어 있다(도 1 및 도 3에서는 편의상 2 개만 표시하고 있다). 레지스트 도포 장치(1)로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 수단의 동작에 따라, 제어부(7)로부터 출력된 제어 신호에 따라 승강 기구(16a)가 승강 핀(15a)을 승강시키고, 이 기판 반송 수단과 스핀 척(12a) 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.

도포 처리부(11b, 11c)에 대하여 도포 처리부(11a)의 각 부에 대응하는 부분에 대해서는 도포 처리부(11a)의 설명에 이용한 숫자와 동일한 숫자를 이용하고, 또한 a 대신에 b 및 c를 각각 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다. 또한, 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 각 컵은, 후술한 바와 같이, 액 맺힘 발생 시에 각 컵 간에 이 액 맺힘을 일으키고 있는 노즐로부터 액의 토출 처리를 행하고, 액 맺힘 제거를 행하기 위하여 간격을 두고 배열되어 있다.

이어서, 레지스트 공급부(3)의 구성에 대하여 도 4를 함께 참조하여 설명한다. 레지스트 공급부(3)는 구동 기구(지지체 구동 기구)(32)와 구동 기구(32)로부터 수평 방향으로 연장되는 지지체인 암(33)과 집합 노즐(40)과 고정 부재인 브라켓(50)을 구비하고 있다. 도 1 중 3A는 구동 기구(32)를 지지하는 기대(基臺)이며, 도포 처리부(11a ~ 11c)의 배열 방향으로 연장된 가이드(31)를 구비하고 있다. 구동 기구(32)는 가이드(31)의 길이 방향을 따라 이동한다. 집합 노즐(40)은 암(33)의 선단부를 이루는 노즐 헤드(34)의 하측에 지지되어 있고, 농도 또는 성분이 상이한 10 종류의 레지스트를 각각 공급하는 10 개의 레지스트 토출 노즐(41)과, 웨이퍼(W) 상에서 레지스트를 쉽게 퍼지도록 하기 위한 처리액, 예를 들면 시너를 공급하는 시너 토출 노즐(42)로 이루어진다. 여기서는 레지스트 및 시너를 총칭하여 약액이라고 한다. 각 노즐(41, 42)은 암(33)에 의한 이들 노즐(41, 42)의 이동 방향과 병행하여 배열되어 있다.

또한, 암(33)은 구동 기구(32)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있고, 도 5a 및 도 5b는 암(33)이 각각 상승 위치 및 하강 위치에 있는 상태를 도시하고 있다. 각 도포 처리부(11a ~ 11c), 주연부 제거 기구(61a ~ 61c) 및 노즐 배스(30)와의 간섭을 방지하기 위하여 암(33)은 이와 같이 상승된 상태로 횡방향으로 이동하고, 집합 노즐(40)로부터 약액을 웨이퍼(W)로 공급할 때에는 미스트의 발생을 억제하기 위하여 웨이퍼(W)와 노즐(41, 42) 간의 거리가 소정의 크기가 되도록 하강 위치로 이동한다.

각 노즐(41, 42)은 수직 하방으로 개구된 약액의 토출구를 구비하고 있다. 각 노즐(41, 42)은 구동 기구(32)의 횡방향의 이동에 따라 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동할 수 있고, 수직축 중심으로 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 각 토출구로부터 약액을 토출한다. 토출된 약액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 확산되는 이른바 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W) 표면 전체에 도포된다.

도 3 중 43은 약액 공급 유닛이다. 약액 공급 유닛(43)은 각 노즐(41, 42)로 각각 공급되는 약액이 저장된 탱크와, 탱크 내를 가압하여 당해 탱크 내의 약액을 노즐로 송액하기 위한 송액 수단을 구비한 약액 공급 기구(44)에 의해 구성되어 있고, 약액 공급 기구(44)는 노즐(41, 42)과 동일한 수인 11 대 설치되어 있다. 도 3 중 45는 노즐(41, 42)과 각 약액 공급 기구(44)를 접속시키는 약액 공급 라인이며, 각 약액 공급 라인(45)에는 밸브(46)를 포함하는 유량 제어부(47)가 설치되어 있다. 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 각 밸브(46)의 개폐가 제어되고 10 종류의 레지스트와 시너를 전환하여 웨이퍼(W)로 공급할 수 있도록 되어 있다.

도 6은 암(33)의 이면을 도시하고 있고, 당해 암(33)의 이면측에는 화상을 취득하기 위한 이미지 센서(촬상 수단)인 카메라(35)와 광원(36)이 설치되어 있다. 카메라(35)는, 예를 들면 광각 렌즈를 구비하고, 노즐(41, 42)의 배열 방향과 대략 직교하는 방향으로부터 이들 노즐(41, 42)의 선단부를 촬상하여, 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으킨 노즐을 특정할 수 있도록 되어 있다. 촬상을 행할 때에 광원(36)은 노즐(41, 42)을 비춘다. 카메라(35)는 레지스트 도포 처리 중에 제어부(7)로 상시 화상을 송신하고 있는데, 이 화상 데이터의 해석은 후술하는 해석 프로그램을 실행함에 따른 CPU(74)의 부하를 억제하기 위하여 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에만 행해진다.

여기서, 액 맺힘이란 노즐의 선단으로부터 하방으로 액적이 노출된 상태를 의미하고, 액적 낙하(처리액의 적하)란 상기 액 맺힘이 성장한 결과, 상기 선단으로부터 약액이 분리된 상태를 의미한다. 또한, 제어부(7)는, 예를 들면 암(33)의 선단측에서 봤을 때 왼쪽으로부터 차례로 No.1, No.2 … No.11과 같이 노즐 번호를 부여하고, 그 번호마다 후술하는 바와 같이 이상 발생 상황을 관리하고 있다.

이어서, 브라켓(50)에 대하여 설명한다. 브라켓(50)의 기부측은 구동 기구(32)에 고정되어 있고, 브라켓(50)의 선단측은 암(33)을 따라 연장되어 있다. 브라켓(50)의 선단부(51)는, 도 5a 및 도 5b 에 도시하는 바와 같이, 암(33)의 선단측에서 봤을 때 노즐 헤드(34)를 좌우에서 샌드위치하는 측판(52a, 52b)을 구비하고 있다. 측판(52a, 52b)에는 서로 쌍이 되는 투광부(投光部)(53a), 수광부(53b)에 의해 구성된 투과형의 광학 센서(광 센서)(53)가 설치되어 있다. 따라서, 암(33)이 상기와 같이 도 1 중 Y 방향(도포 처리부(11a ~ 11b)의 배열 방향) 및 높이 방향(Z 방향)으로 이동할 수 있는데 반해, 광학 센서(53)는 구동 기구(32)의 이동에 따라 Y 방향으로 암(33)과 일체로 이동하지만 Z 방향으로는 이동하지 않는다. 약액을 웨이퍼(W)에 토출할 때에 광학 센서(53)도 암(33)과 함께 하강하여 웨이퍼(W)와의 거리가 가까워지면, 약액의 튐에 의해 투광부(53a, 53b)가 오염되어, 투광량 및 수광량이 저하될 우려가 있다. 따라서, 이와 같이 암(33)의 하강에 상관없이 광학 센서(53)가 하강하지 않는 구성으로 함으로써, 액 맺힘 및 액적 낙하의 오(誤)검지가 될 리스크가 저하되기 때문에 바람직하다.

암(33)이 상승 위치에 위치하고 있을 때 투광부(53a) 및 수광부(53b)는 노즐(41, 42)보다 하방에 위치하고 있고, 도 5a 중 쇄선의 화살표로 도시한 바와 같이, 투광부(53a)로부터 수광부(53b)로 노즐(41, 42)의 배열 방향을 따라 이들 노즐(41, 42)의 선단의 하방을 통과하도록 빛이 조사되고, 도면 중에 쇄선의 화살표로 도시한 광축(L1)이 형성된다. 투광부(53a)로서는 레지스트가 감광되는 리스크를 억제하기 위하여 가시광 등 장파장 영역의 광을 조사하는 것이 바람직하다. 또한, 이와 같이 조사되는 광으로서는 레이저와 같이 지향성이 높은 것이면 더욱 좋다. 광축(L1)과 노즐(41, 42)의 하단 간의 거리(L)는, 예를 들면 0.5 mm ~ 1.5 mm이다.

수광부(53b)는 이 수광하는 광량에 따른 출력 신호를 제어부(7)로 송신한다. 도 5a 에 도시한 바와 같이, 암(33)이 상승 위치에 위치할 때에 액 맺힘(D)이 발생하거나 액적 낙하가 일어나면, 이 액적이 투광부(53a)로부터 수광부(53b)로 조사된 광을 차단하여 수광부(53b)가 수광하는 광량이 저하되고, 이 저하에 따라 수광부(53b)가 출력하는 상기 신호가 변화된다.

이어서, 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)에 대하여 설명한다. 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)는 도포 처리부(11a ~ 11c)의 각각의 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 주연부를 제거하여 당해 주연부의 막의 박리를 방지하기 위하여 설치되어 있다. 각 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)는 레지스트의 용제인 시너를 웨이퍼(W) 주연부로 공급하는 시너 토출 노즐(62)과, 당해 시너 토출 노즐(62)을 보지하는 암(63)과, 암(63)을 보지하는 구동 기구(64)를 구비하고 있다. 구동 기구(64)는 암(63)을 승강시키고 또한 가이드(65)를 따라 Y 방향으로 이동한다. 도면 중 66a ~ 66c는 상측이 개구된 컵 형상으로 형성된 노즐 배스이며, 도포 처리부(11a ~ 11c)의 열을 따라 설치되어 있다. 각 시너 토출 노즐(62)은 처리를 행하지 않을 때에 각각 노즐 배스(66a ~ 66c) 내에 수납되어 대기하고, 처리를 행할 때에 대응되는 도포 처리부(11a ~ 11c)의 웨이퍼(W)의 주연부 상으로 이동한다.

노즐 배스(30)는 집합 노즐(40)이 이동하는 Y 방향의 일단측에 설치되어 있고, 상측이 개구된 컵 형상으로 형성되어 있다. 집합 노즐(40)은 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 상기 노즐 배스(30) 내에 수납되어 대기한다. 또한, 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에는 배액 영역을 이루는 이들 노즐 배스(30, 66a ~ 66c) 내로 약액이 토출되는 경우가 있어, 노즐 배스(30, 66a ~ 66c) 내에는 그 토출된 약액을 배액하는 도시하지 않은 배액로가 형성되어 있다.

이어서, 레지스트 도포 장치(1)에 의해 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하는 공정에 대하여 설명한다. 도포 장치(1)의 외부의 반송 수단에 의해, 예를 들면 도포 처리부(11a)로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 핀(15a)에 의해 스핀 척(12a)으로 전달된다. 그 후, 노즐 배스(30)에서 대기하고 있는 집합 노즐(40)이 암(33)에 의해 상승하여 당해 노즐 배스(30)로부터 나온 후, Y 방향으로 이동하여 시너 토출 노즐(42)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치하면(도 8a), 암(33)이 하강한다. 이 암(33)의 이동 동작과 병행하여 스핀 척(12a)을 회전시키고, 이 회전 중인 웨이퍼(W) 상으로 시너를 공급한다. 시너가 스핀 코팅된 후, 당해 처리에서 이용되는 레지스트 토출 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치하도록 암(33)이 Y 방향으로 이동한다. 이 이동 동작과 병행하여 웨이퍼(W)의 회전 수가 상승하여 웨이퍼(W) 상으로 레지스트(R)가 공급되고, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W) 표면 전체에 레지스트(R)가 도포된다(도 8b).

상기 레지스트(R) 공급 정지 후, 웨이퍼(W)의 회전 수를 저하시켜 레지스트(R)의 두께를 균일하게 하고, 이어서 재차 회전 수를 상승시킴으로써 코팅된 레지스트(R)를 털어 건조하여 레지스트막을 형성한다. 그 동안 암(33)이 상승 위치로 이동한 후 노즐 배스(30) 상으로 횡방향으로 이동하고, 그 후에 하강하여 당해 노즐 배스(30) 내에서 대기한다. 한편, 회전 건조가 완료된 웨이퍼(W)에 대해서는 그 웨이퍼(W)가 회전하는 상태로 시너 토출 노즐(2)로부터 시너가 공급되어 웨이퍼(W) 주연부에 도포된 레지스트막이 제거된다. 그 후, 레지스트막의 경우와 마찬가지로 시너의 회전 건조를 행하여 일련의 액처리를 완료한다.

시너 토출 노즐(2)을 주연부 제거 기구(61a)의 노즐 배스(66a)까지 퇴피시킨 후, 웨이퍼(W)는 승강 핀(15a)에 의해 장치(1) 외부의 반송 수단으로 전달되어 레지스트 도포 장치(1)로부터 반출된다. 이리하여 각 도포 처리부(11a ~ 11c)에는, 예를 들면 미리 설정된 웨이퍼(W)의 반송 사이클에 따라 상기 반송 수단에 의해 웨이퍼(W)가 소정의 간격으로 차례로 반송되고, 암(33)은 도포 처리부(11a)로 이동했을 때와 마찬가지로 다른 도포 처리부로도 이동하여 동일한 처리가 행해진다.

이 예에서, 암(33)은 노즐 배스(30)로부터 먼저 웨이퍼(W)가 반송된 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동하여 거기서 액처리를 끝낸 후, 일단 노즐 배스(30)로 돌아오고, 나중에 웨이퍼(W)가 반송된 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한다. 하지만, 노즐 배스(30)로부터 하나의 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한 후, 노즐 배스(30)로 돌아오지 않고 다른 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동하여 처리를 행하고, 예를 들면 복수 회 도포 처리부(11a ~ 11c) 간을 이동한 후 노즐 배스(30)로 돌아오도록 암(33)을 동작시켜도 좋다.

이 레지스트 도포 장치(1)에는, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 대처 수단을 구성하는 제어부(7)가 설치되어 있다. 제어부(7)의 구성에 대하여 도 9 를 참조하여 설명한다. 도면 중 70은 버스이며, 제어부(7)는 이들 버스(70)에 접속된 처리 프로그램(71), 해석 프로그램(7A), 제 1 메모리(72), 제 2 메모리(73), CPU(74), 조작부(75), 표시부(76)를 구비하고 있다. 판단 수단을 구성하는 해석 프로그램(7A)은 이상 발생 시에 카메라(35)로부터 송신된 화상의 해석 처리를 행하고, 처리 프로그램(71)은 그 이외의 처리를 행한다.

제 1 메모리(72)에는 처리 온도, 처리 시간, 각 약액의 공급량 또는 전력치등의 처리 파라미터 값이 기입되는 영역을 구비하고 있고, CPU(74)가 처리 프로그램(71)의 각 명령을 실행할 때에 이들 처리 파라미터가 독출되고, 이 파라미터치에 따른 제어 신호가 이 레지스트 도포 장치(1)의 각 부로 보내진다. 처리 프로그램(71)의 작용으로서는 이들 처리 파라미터의 입력 조작 또는 표시에 관한 동작도 포함된다. 처리 프로그램(71) 및 해석 프로그램(7A)은, 예를 들면 플렉서블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리 카드 등의 컴퓨터 기억 매체에 의해 구성된 프로그램 저장부(77)에 저장되어 제어부(7)에 인스톨된다.

제 2 메모리(73)에는 카메라(35)로부터 송신되는 집합 노즐(40) 선단의 화상 데이터와, 유저가 메인터넌스를 위하여 이용하는 후술하는 각종의 데이터가 기억된다. 기억된 상기 화상 데이터에 대해서는 제 2 메모리(73)의 사용 용량을 억제하기 위하여 처리 프로그램(71)에 의해, 예를 들면 소정의 시간 경과 후에 당해 제 2 메모리(73)로부터 소거된다. 조작부(75)로서는 마우스, 키보드 등에 의해 구성되어 있고, 예를 들면 기술한 처리 파라미터의 설정은 이 조작부(75)에 의해 행해진다. 또한, 유저는 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에 취하는 대처 처치로서, 약액의 노즐 배스로의 도포 처리를 목적으로 하지 않는 토출 처리(더미 디스펜스), 레지스트 도포 장치(1)에서의 처리의 정지 중 어느 하나를 행하거나, 조작부(75)로부터 선택할 수 있도록 되어 있다. 표시부(76)는, 예를 들면 디스플레이로서 구성된다.

또한, 제어부(7)에는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 반송을 제어하는 상위 컴퓨터로부터 레지스트 도포 장치(1)로 반송되는 웨이퍼(W)의 ID와, 이 웨이퍼(W)가 반송되는 타이밍 및 반송처인 도포 처리부와, 도포되어야 할 레지스트의 종류 데이터가 송신되고, 이 데이터에 기초하여 처리 프로그램(71)은 집합 노즐(40)을 각 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동시키고, 웨이퍼(W)에 따른 노즐에 의해 레지스트 도포 처리를 행한다.

버스(70)에는 알람 발생부(79)가 접속되어 있다. 이 알람 발생부(79)는 액 맺힘 발생 및 액적 낙하를 검출했을 때, 장치의 이상을 검출했을 때, 메인터넌스 추천 시기가 왔을 때에 각각 알람을 출력한다. 또한, 버스(70)에는 기술하는 카메라(35), 광원(36), 구동 기구(32), 약액 공급 유닛(43), 유량 제어부(47) 등이 접속되어 있고, 웨이퍼(W)로의 레지스트 도포 처리와 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생에 따른 소정의 대처 동작을 실행할 수 있도록 되어 있다.

여기서, 액 맺힘 발생 및 액적 낙하 및 장치 이상의 각각의 검출 동작과 이들에 대응하는 알람이 발생될 때까지의 공정에 대하여 설명한다. 기술한 바와 같이, 투광부(53a)로부터 조사되는 광이 차단되어 수광부(53b)가 수광하는 광량이 저하되었을 때에, 이에 따른 신호(편의상 광량 감소 신호라고 함)가 수광부(53b)로부터 출력된다. 또한, 도 5b에 도시한 바와 같이, 암(33)이 하강 위치에 있을 때에는 처리 프로그램(71)에 의해 암(33)을 이 하강 위치에 위치시키는 신호(편의상 하강 신호라고 함)가 출력되고, 상기 광량 감소 신호가 제어부(7)에 출력된다. 이 때, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 일어났다고는 판정하지 않는다.

그리고, 도 7에 도시한 바와 같이, 암(33)이 상승 위치에 있을 때에는 처리 프로그램(71)에 의해 암(33)을 이 상승 위치에 위치시키는 신호(편의상 상승 신호라고 함)가 출력된다. 이와 같이 상승 신호를 출력하고 있을 때 광량 감소 신호가 출력되면, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 일어났다고 판정하고, 알람 발생부(79)에 의해 그 취지를 나타내는 알람을 발생시킨다. 암(33)이 상승 위치에 있는 것은 노즐 배스(30)와 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 사이에서 횡방향으로 이동하는 동안 및 도포 처리부(11a ~ 11c), 노즐 배스(30) 상으로 각각 이동 후 하강하기까지 대기하고 있는 동안이다. 따라서, 이들 구간에서 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 감시된다. 그리고, 이와 같이 상승 위치에서 횡방향으로 이동하고 있는 동안 및 상승 위치에서 대기하고 있는 동안 노즐(41, 42)은 미사용이다. 그리고, 하강 신호가 출력되었을 때에 광량 감소 신호가 출력되지 않을 경우, 처리 프로그램(71)은 장치(1) 이상으로 판정하고, 알람 발생부(79)에 의해 그 취지를 나타내는 알람을 발생시킨다.

또한, 상기와 같이 액 맺힘 및 액적 낙하(이상)의 발생을 검출했을 때에, 처리 프로그램(71)은 후에 구체적으로 설명하는 바와 같이 이상을 일으키고 있다고 특정된 노즐(41, 42)에 대하여, 그 노즐 번호와 그 시각을 대응시켜 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 그리고, 처리 프로그램(71)은 노즐마다 과거에 이상이 일어난 시각에 대하여, 예를 들면 이들 시각의 간격의 평균을 산출하고, 이 평균을 액 맺힘 및 액적 낙하가 발생하는 주기로서 제 2 메모리(73)에 기억시키고 표시부(76)에 표시한다. 그리고, 처리 프로그램(71)은 최근의 이상이 일어난 시각에 이 주기를 추가하여 다음에 이상이 발생할 것으로 예상되는 타이밍을 노즐마다 산출하고, 이 산출된 타이밍을 제 2 메모리(73)에 기억시키고 또한 표시부(76)에 표시한다. 또한, 처리 프로그램(71)은 이와 같이 산출된 타이밍이 가까워지면, 메인터넌스 추천 시기가 온 것으로서 판단하고 통지용 알람을 알람 발생부(79)에 의해 발생시킨다. 유저는 이 알람에 기초하여 장치(1)의 메인터넌스를 행할 수 있다.

또한, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생을 검출했을 때에, 이 때의 암(33)의 위치 및 암(33)의 동작 방향에 대한 데이터를 이상을 일으킨 노즐의 번호에 대응시켜 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 그리고, 예를 들면 표시부(76)에는 노즐마다 과거에 액 맺힘 및 액적 낙하가 일어난 위치와 이 때의 상기 동작 방향이 표시되고, 유저는 상기 메인터넌스를 행할 때에 이 표시를 참고로 하여 암을 동작시키면서 노즐 상태를 체크할 수 있다.

또한, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하 검출 시에 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 스핀 척(12a ~ 12c)에 재치되어 있던 웨이퍼의 ID를 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 상기 기억된 ID에 대해서도 상기 표시부(76)에 표시되고, 유저는 예를 들면 레지스트 도포 후에 행해지는 검사 공정에서 이 표시에 기초하여 웨이퍼(W)를 선택하여 검사한다.

이어서, 상기와 같이 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에, 유저의 선택에 의해 행해지는 약액의 노즐 배스로의 토출 처리(더미 디스펜스)에 대하여 설명한다. 이 토출 처리는 촬상에 의해 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐을 특정하고, 이 노즐로부터 액적을 토출시켜 토출구 내의 약액을 일단 제거하여 액적 낙하를 방지하고, 또한 액 맺힘을 흘려 보내어 제거하는 처리이다. 이 처리를 행함에 있어서는, 약액의 토출을 행하기까지 액적이 낙하하는 것을 방지하기 위하여, 이 노즐은 액 맺힘이 검출된 위치로부터 최단 거리에 있는 노즐 배스 상으로 이동하고 노즐 배스로부터 소정의 높이로 하강하여, 도 10에 도시한 바와 같이, 약액의 토출을 행한다. 구체적으로, 예를 들면 도 11 중의 쇄선으로 둘러싼 영역(T1, T2, T3, T4)에 암이 위치하고 있을 때에 노즐에 이상이 검출되었을 경우, 암(33)은 이 노즐이 각각 노즐 배스(30, 66a, 66b, 66c) 상에 위치하도록 이동한다. 도 10에서는 노즐 배스(66a)에 약액이 토출되는 모습을 도시하고 있지만, 다른 노즐 배스에서도 마찬가지로 약액이 토출된다.

이어서, 상기와 같이 웨이퍼(W)에 대한 도포 처리가 행해지고 있을 때, 액 맺힘 및 액적 낙하가 발생했을 경우의 동작에 대하여 도 12의 순서도를 참조하여 설명한다. 이 때, 유저에 의해 상기 노즐 배스로의 토출 처리를 행하도록 설정되고, 레지스트 도포 장치(1)에서의 처리의 정지는 설정되지 않은 것으로 한다. 그리고, 예를 들면 상기한 바와 같이 노즐 배스(30)로부터 도포 처리부(11b)로 암(33)이 향할 때, No. 3의 노즐에 액 맺힘이 발생한 것으로 하고, 이동처인 도포 처리부(11b)에서는 No. 5의 노즐에서 레지스트의 공급이 행해지는 것으로 한다. 상기한 바와 같이, 액 맺힘에 의해 수광부(53b)가 수광하는 광량이 저하되고, 이 수광부(53b)로부터의 출력 신호에 기초하여 처리 프로그램(71)이 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 일어났다고 판정하고(단계(S1)), 알람 발생부(79) 에 의해 알람을 발생시킨다(단계(S2)).

그리고, 알람의 발생과 병행하여 처리 프로그램(71)에 의한 이상 발생의 판정이 트리거(trigger)가 되어 해석 프로그램(7A)이 기동되고(단계(S3)), 당해 해석 프로그램(7A)은 카메라(35)로부터 제어부(7)로 송신되어 제 2 메모리(73)에 기억된 화상에 기초하여 어느 노즐에 이상이 일어나고 있는지 판정한다(단계(S4)). 판정 후, 해석 프로그램(7A)의 동작이 정지하고, 이 판정 결과에 기초하여, 처리 프로그램(71)이 이 이상 검출 시의 암(33) 위치와 암(33)의 동작 방향과 이상 검출시의 시각에 대한 데이터를, 이상이 일어났다고 판정된 No. 3의 노즐에 대응시켜 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 또한, 이 이상 검출 시에 레지스트 도포 장치(1)로 반송되어 있는 웨이퍼(W)의 ID에 대해서도 제 2 메모리(73)에 기억된다(단계(S5)).

이 처리 프로그램(71)은 이번에 기억된 이상 검출 시의 시각과 그 때까지 제 2 메모리(73)에 기억된 No. 3의 노즐의 이상 검출 시의 시각에 기초하여, 이 No. 3의 노즐이 이상을 일으키는 주기 및 다음에 이상이 일어날 타이밍을 연산하여 이 연산 결과를 표시부(76)에 표시하고, 이 이상이 일어난 No. 3의 노즐이 이상 검출 직후의 도포 처리에 사용될 노즐인지의 여부를 판정한다(단계(S6)).

이 경우에는 집합 노즐(40)의 이동처인 도포 처리부(11b)에서 No. 5의 노즐이 사용되므로, 단계(S6)에서 이상 검출 직후의 도포 처리에 사용되는 노즐이 아니라고 판정된다. 그리고, 암(33)은 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때의 위치에 대응하는 노즐 배스 상으로 이동한다. 예를 들면, 액 맺힘 및 액적 낙하 검출 시에 도 11의 영역(T3)에 암(33)이 위치하고 있다고 하면, 암(33)은 이 영역(T3)에 대응하는 노즐 배스(66b) 상에 이상을 일으킨 No. 3의 노즐이 위치하도록 이동한다. 그리고, 노즐 배스(66b)를 향하여 암(33)이 하강하고, 그 후, 이상이 일어난 No. 3의 노즐로부터 노즐 배스(66b)에 약액이 토출된다(단계(S7)). 약액 토출 후, 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하여 단계(S1) 실행 전의 동작이 재개되고, 암(33)은 재차 도포 처리부(11b)로 이동하여 도포 처리가 행해진다.

한편, 상기 단계(S6)에서 이상 검출 직후의 도포 처리에 사용되는 노즐이라고 판정되었을 경우에는, 도포 처리부(11b)로의 이동 및 통상의 레지스트의 도포 처리가 행해지고(단계(S8)), 이 도포 처리에서 이상이 일어난 노즐로부터 약액이 토출됨으로써, 액 맺힘이 제거되고 또한 액적 낙하가 쉽게 일어나지 않는 상태가 된다. 이 약액 토출 후, 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하고, 계속하여 도포 처리가 행해진다. 이와 같이 단계(S7, S8)가 각각 실행되고 도포 처리가 계속되어, 예를 들면 소정 매수의 웨이퍼(W)를 처리한 후, 유저가 예를 들면 조작부(75)에 의해 장치(1)를 정지시키고 메인터넌스를 행한다. 메인터넌스 후, 예를 들면 유저는 조작부(75)를 통해 소정의 처리를 행하여 알람의 발생을 정지시키고 도포 처리를 재개시킨다.

유저가 노즐 배스로의 약액 토출을 행하도록 선택한 경우에 대하여 설명했다. 하지만, 이와 같이 선택하는 대신에 장치(1)의 처리 정지가 행해지도록 선택되어 있는 경우에는, 상기의 단계(S1 ~ S5)가 실행된 후, 제어부(7)가 레지스트 도포 장치(1)의 각 부로 제어 신호를 송신하여, 구동 기구(32)의 이동이 정지하고 도포 처리부(11a ~ 11c)에서 행해지고 있는 각 처리가 정지한다. 또한, 기판 반송 수단의 동작을 제어하는 제어부로 제어 신호를 송신하여, 레지스트 도포 장치(1)로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킨다. 그리고, 유저가 장치(1)의 메인터넌스를 행한 후, 예를 들면 조작부(75)를 통해 소정의 처리를 행함으로써 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하여, 알람의 발생이 정지하고 도포 처리가 재개된다.

상기의 실시예에 따르면, 집합 노즐(40)의 하방에서 당해 집합 노즐(40)을 구성하는 노즐(41, 42)의 배열 방향을 따라 광을 조사하는 투광부(53a)와, 이 광을 수광하는 수광부(53b)를 구비한 광학 센서(53)와, 광학 센서(53)의 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는 약액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하는 제어부(7)를 구비하고, 제어부(7)는 이 판정 결과에 기초하여 알람의 발생과 노즐 배스로의 약액 토출이나 혹은 구동 기구(32)의 정지에 따른 레지스트 도포 처리의 정지를 행하고 있다. 따라서, 집합 노즐(40)이 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상을 이동함에 있어서, 웨이퍼(W) 또는 스핀 척(12a ~ 12c)에 약액이 적하하여 정상적인 처리를 방해받거나 파티클이 되는 것이 억제된다. 이 결과로서 제품의 수율의 저하를 억제할 수 있다.

또한, 상기의 실시예에서는 액 맺힘 및 액적의 낙하가 일어났다고 판정되었을 때에만 해석 프로그램(7A)이 동작하여 카메라(35)로부터 제어부(7)로 송신된 화상의 해석이 행해지므로, 해석 프로그램(7A)의 부하를 억제할 수 있으므로 바람직하다. 카메라(35)에 대해서는, 상기의 예에서는 이상 발생 시에 신속하게 촬상을 행하기 위하여 레지스트 도포 처리 중에는 항상 전원이 온(on)으로 되어 있어 화상 데이터는 상시 제어부(7)로 송신되고 있다. 하지만, 상기의 액 맺힘 및 액적의 낙하가 일어났다고 판정되었을 때에만 전원이 온이 되어 제어부(7)로의 화상 데이터의 송신이 행해져도 좋다.

또한, 상기의 실시예에서는 집합 노즐(40)을 구성하는 각 노즐의 선단을 광학 센서(53)에 의해 일괄적으로 감시하고, 액 맺힘 및 약액의 낙하를 검지하여 알람을 출력한다. 그리고, 통상의 레지스트 도포 처리 시에 집합 노즐(40)을 지지하는 암(33)의 움직임은 이 광학 센서(53)에 의한 감시에 따른 영향을 받지 않기 때문에, 이러한 감시를 행하는 것에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 한 쌍의 투광부(53a) 및 수광부(53b)로 이루어지는 광학 센서(53)로 집합 노즐(40)을 횡단적으로 일괄 감시하고 있다. 이와 같이 복수의 노즐을 하나의 센서로 감시하는 구성으로 함으로써, 장치의 구성 부품 수의 증가를 억제할 수 있다. 또한, 상기 실시예에서는 광학 센서(53)의 장착 후에 처리에 사용되는 노즐 및 약액 공급 라인(45)의 개수 가 변경되어도 감시 대상이 되는 공간은 변화하지 않으므로, 광학 센서(53)의 장착 위치의 변경 또는 조정 작업을 행할 필요가 없으므로 바람직하다. 또한, 노즐마다 이상이 일어나는 주기를 산출하고, 이 주기에 기초하여 알람을 출력하여 유저에게 알리므로, 유저는 적정한 메인터넌스의 타이밍을 알 수 있고, 이 결과로서 보다 확실히 수율의 저하를 억제할 수 있다.

(제 2 실시예)

이어서, 레지스트 도포 장치(1)의 다른 실시예에 대하여 제 1 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 13은 제 2 실시예에서의 레지스트 공급부(3)의 사시도이며, 브라켓(50)의 선단부(51)에는, 예를 들면 실린더(82)를 구비한 구동 기구(81)가 설치되어 있고, 실린더(82)에는 기립판 형상의 지지부(83)가 접속되고, 이 지지부(83)에는 액받이 부재를 구성하는 받이 접시(84)가 수평으로 설치되어 있다.

구동 기구(81)는 브라켓(50)에 대하여 고정되어 있고, 받이 접시(84)는 Y 방향으로 암(33)과 일체로 움직이지만, Z 방향(상하 방향)으로는 움직이지 않는다. 이와 같이 받이 접시(84)를 암(33)과 함께 하강시키지 않도록 함으로써, 받이 접시(84)가 웨이퍼(W)의 직상(直上)에서 레지스트 도포 장치(1)의 다운 플로우를 차단하여 웨이퍼(W) 상의 도포 막두께 또는 파티클 발생 수에 영향을 미치는 것을 방지하고 있다. 그리고, 받이 접시(84)는 구동 기구(81)에 의해 X 방향(암(33)의 연장 방향)으로 이동 가능하게 구성되고, 도 14a에 도시한 집합 노즐(40) 직하(直下)로부터 떨어진 퇴피 위치와, 도 14b에 도시한 집합 노즐(40) 직하의 액받이 위치의 사이에서 이동한다. 통상적으로, 받이 접시(84)는 퇴피 위치에서 대기하여, 암(33)에 의한 집합 노즐(40)의 승강을 방해하지 않도록 되어 있다.

상기한 이 제 2 실시예에서, 액 맺힘 및 액적 낙하가 발생했을 경우의 처리 공정에 대하여 설명한다. 제 1 실시예와 마찬가지로 단계(S1, S2)가 행해진 후, 받이 접시(84)가 액받이 위치로 이동하고 단계(S3 ~ S6)가 동일하게 실시된다. 그리고, 단계(S6)에서 이상이 일어난 노즐이 다음의 도포 처리에 이용되는 노즐이 아니라고 판정되었을 경우, 받이 접시(84)가 액받이 위치에 위치한 채로 암(33)이 단계(S1)에서 이상이 검출된 위치에 대응하는 노즐 배스 상으로 이동한다. 그리고, 이상이 일어난 노즐이 노즐 배스 상에 위치하면, 받이 접시(84)가 액받이 위치로부터 퇴피 위치로 이동하고, 그 후 암(33)이 하강하여 단계(S7)의 노즐 배스로의 약액의 토출이 행해진다. 이 약액 토출 후, 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하고, 받이 접시(84)가 퇴피 위치에 위치한 채로 계속해서 도포 처리가 행해진다.

또한, 단계(S6)에서 이상이 일어난 노즐이 다음의 도포 처리에 이용되는 노즐이라고 판정되었을 경우, 받이 접시(84)가 액받이 위치에 위치한 채로 암(33)이 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한다. 그리고, 이상이 일어난 노즐이 이 도포 처리부(11a ~ 11c)의 웨이퍼(W) 상에 위치하면, 받이 접시(84)가 액받이 위치로부터 퇴피 위치로 이동하고, 단계(S8)의 웨이퍼(W)에 대한 통상 처리가 행해져 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하고, 받이 접시(84)가 퇴피 위치에 위치한 채로 계속해서 다음의 웨이퍼(W)의 도포 처리가 행해진다.

이 제 2 실시예에서는 알람의 출력 및 받이 접시(84)의 이동에 따른 액적 낙하의 물리적 회피가 행해지므로, 제 1 실시예와 동일한 효과가 있다. 또한, 이와 같이 이상 검출 시에만 액받이 위치에 받이 접시(84)를 위치시킴으로써, 통상의 처리 시에는 암(33)이 승강할 때마다 받이 접시(84)가 이 암(33)을 회피하기 위하여 이동할 필요가 없어, 이 받이 접시(84)의 이동에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 집합 노즐(40) 선단에서 액 맺힘이 형성된 단계에서 광학 센서(53)에 의해 노즐의 이상이 검출되고, 액적이 낙하할 때까지의 동안에 받이 접시(84)가 노즐 직하로 이동되어 있으면 문제는 없으므로, 이와 같이 받이 접시(84)를 통상은 퇴피 위치에 위치시키는 구성으로 함으로써 충분한 효과가 얻어진다. 또한, 제 2 실시예에서는 받이 접시(84) 및 이를 동작시키는 기구가 장치에 하나 설치되어 있으므로, 예를 들면 노즐마다 액 맺힘을 방지하는 수단을 설치하는 경우에 비해 장치의 부품 수를 억제한다는 관점에서 바람직하다.

또한, 제 2 실시예에서 알람 발생 후, 예를 들면 노즐 배스로의 약액의 토출을 행하지 않고, 암이 상승 위치에 있는 동안은 액받이 위치에, 하강 위치에 있는 동안은 퇴피 위치에 각각 위치하고 있도록, 암(33)이 승강할 때마다 받이 접시(84)를 이동시켜 도포 처리를 행하도록 해도 좋다. 이 경우, 예를 들면 소정의 웨이퍼 매수를 처리한 후에 유저가 메인터넌스 작업을 행하여 노즐을 정상적인 상태로 되돌리고, 이러한 받이 접시(84)의 이동 동작을 해제하도록 설정해도 좋다. 이 경우에도 노즐이 횡방향으로 이동하여 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상을 통과함에 있어서, 웨이퍼(W) 및 스핀 척(12)으로의 액적 낙하를 방지할 수 있기 때문에 유효하다. 이와 같이, 제 2 실시예에서는 노즐 배스로의 약액의 토출이나 메인터넌스 작업을 행하여 노즐(41, 42)이 이상 상태로부터 정상 상태로 회복할 때까지 받이 접시(84)의 이동이 행해지는데, 정상 상태로의 회복 후에는 받이 접시(84)를 재차 퇴피 위치로 이동시키고 계속해서 도포 처리를 행함으로써, 이 받이 접시(84)의 이동에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있으므로 바람직하다. 또한, 각 실시예에서 각 노즐 배스 및 도포 처리부는 상기와 같이 직선 방향이 아닌 둘레 방향으로 배열되어 집합 노즐(40)을 지지한 암(33)이 이 배열 방향으로 이동하는 구성이어도 좋다. 또한, 광학 센서로서는 투과형(透過型)인 것에 한정되지 않고 반사형인 것을 이용하여 광축을 형성해도 좋다.

이하, 상기의 레지스트 도포 장치(1)가 탑재된 도포 현상 장치(110)에 대하여 설명한다. 도 15는 도포 현상 장치(110)에 노광 장치(C4)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 16은 이 시스템의 사시도이다. 또한, 도 17은 도포 현상 장치(110)의 종단면도이다. 이 도포 현상 장치(110)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 이 재치대(111) 상에 재치된 밀폐형인 캐리어(C)로부터 전달 암(112)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)으로 전달하고, 처리 블록(C2)으로부터 전달 암(112)이 처리 완료 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C)로 되돌리도록 구성되어 있다. 캐리어(C)는 다수 매의 웨이퍼(W)를 포함하고 각 웨이퍼(W)는 차례로 처리 블록(C2)으로 반송된다.

상기 처리 블록(C2)은, 도 16에 도시한 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제 1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제 3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 보호막 의 형성을 행하기 위한 제 4 블록(ITC층)(B4)을 아래로부터 차례로 적층하여 구성되어 있다.

처리 블록(C2)의 각 층은 평면에서 봤을 때 동일하게 구성되어 있다. 제 3 블록(COT층)(B3)을 예로 들어 설명하면, COT층(B3)은 도포막으로서 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트 도포 모듈(113)과, 이 레지스트 도포 모듈(113)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)과, 상기 레지스트 도포 모듈과 가열·냉각계의 처리 모듈군의 사이에 설치되고 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 암(A3)에 의해 구성되어 있다. 이 레지스트 도포 모듈(113)이 기술한 레지스트 도포 장치(1)에, 반송 암(A3)이 기술한 기판 반송 수단에 상당한다.

상기 선반 유닛(U1 ~ U4)은 반송 암(A3)이 이동하는 반송 영역(R1)을 따라 배열되고, 각각 상기한 가열 모듈, 냉각 모듈이 적층됨으로써 구성된다. 가열 모듈은 재치된 웨이퍼를 가열하기 위한 가열판을 구비하고 있고, 냉각 모듈은 재치된 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각판을 구비하고 있다.

제 2 블록(BCT층)(B2), 제 4 블록(ITC층)(B4)에 대해서는, 상기 레지스트 도포 모듈에 상당하는 반사 방지막 형성 모듈, 보호막 형성 모듈이 각각 설치되고, 이들 모듈에서 레지스트 대신에 도포액으로서 반사 방지막 형성용의 약액, 보호막 형성용의 약액이 각각 웨이퍼(W)로 공급되는 것을 제외하면 COT층(B3)과 동일한 구성이다.

제 1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 하나의 DEV층(B1) 내에 레지스트 도포 모듈에 대응하는 현상 모듈이 2 단으로 적층되어 있고, 공통의 케이스 내에 3 대의 현상 처리부 또는 기술한 각 노즐을 포함하고 있다. 또한, DEV층(B1)에는 이 현상 모듈 의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)이 설치되어 있다. 그리고, DEV층(B1) 내에는 이들 2 단의 현상 모듈과 상기 가열·냉각계의 처리 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 암(A1)이 설치되어 있다. 즉, 2 단의 현상 모듈에 대하여 반송 암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다.

또한, 처리 블록(C2)에는, 도 15 및 도 17에 도시한 바와 같이, 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(C1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5) 중 하나의 전달 유닛, 예를 들면 제 2 블록(BCT층)(B2)에 대응하는 전달 유닛(CPL2)으로 차례로 반송된다. 제 2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 암(A2)은 이 전달 유닛(CPL2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 형성 모듈 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)으로 반송하고, 이들 유닛에서 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.

그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 전달 암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3)으로 반송되고, 거기서 예를 들면 23℃로 온도 조정된 후, 반송 암(A3)에 의해 제 3 블록(COT층)(B3)으로 반입되고 레지스트 도포 모듈에서 레지스트막이 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)는 반송 암(A3) → 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3) → 전달 암(D1)을 거쳐 선반 유닛(U5)에서의 전달 유닛(BF3)으로 전달된다. 또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 제 4 블록(ITC층)(B4)에서 추가로 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우에, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 거쳐 반송 암(A4)으로 전달되고, 보호막이 형성된 후 반송 암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)으로 전달된다.

한편, DEV층(B1) 내의 상부에는 선반 유닛(U5)에 설치된 전달부(115)로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달부(116)로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀(117)이 설치되어 있다. 레지스트막 또는 추가로 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 암(D1)에 의해 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 전달부(115)로 전달되고, 이로부터 셔틀(117)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달부(116)로 직접 반송되어 인터페이스 블록(C3)으로 도입되게 된다. 또한, 도 17 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용의 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 유닛은 복수 매의 웨이퍼(W)가 재치 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.

이어서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(118)에 의해 노광 장치(C4)로 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 재치되어 처리 블록(C2)으로 되돌려진다. 되돌려진 웨이퍼(W)는 제 1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(TRS1)으로 전달된다. 그 후, 전달 암(112)에 의해 캐리어(C)로 되돌려진다.

본 발명의 액처리 장치를 상기한 예에서는 레지스트 도포 장치로서 구성하고 있지만, 예를 들면 이 도포 현상 장치(1)에 설치된 현상 모듈, 반사 방지막 형성 모듈로서 구성하고, 레지스트 대신에 각 모듈에 대응하는 약액을 토출하는 것이어도 좋고, 그 외의 처리액을 기판으로 공급하는 장치로서 본 발명을 구성해도 좋다.

1 레지스트 도포 장치
11a ~ 11c 도포 처리부
12a ~ 12c 스핀 척
21a ~ 21c 컵
3 레지스트 공급부
30 노즐 배스
33 암
40 집합 노즐
41 레지스트 토출 노즐
42 시너 토출 노즐
50 브라켓
53 광학 센서
66a ~ 66c 노즐 배스
7 제어부
71 처리 프로그램
7A 해석 프로그램

Claims (14)

1. 각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부와,
   상기 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고 기판에 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하기 위하여 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐과,
   상기 처리액 노즐을 대기시키기 위하여 설치된 노즐 배스(bath)와,
   상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 지지체 구동 기구와,
   각 처리액 노즐의 하방에서 상기 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와,
   각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축 방향으로 광이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하여 판정 신호를 출력하는 수단과,
   상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단
   을 구비하고,
   상기 대처 수단은, 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과,
   상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 액 맺힘 또는 처리액의 적하가 발생했는지를 판단하는 판단 수단
   을 구비하고, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 대처 수단은, 상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역과,
   상기 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 액 맺힘 또는 처리액의 적하가 발생했다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어 수단
   을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
   
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 배액 영역은 상기 노즐 배스에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
   
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 대처 수단은, 각 처리액 노즐로부터의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 액받이 부재와,
   액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에, 상기 액받이 부재를 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 이동 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
   
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 대처 수단은, 지지체 구동 기구의 이동 및 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지시키는 정지 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
   
6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 대처 수단은, 알람 발생 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
   
7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 지지체 구동 기구는 상기 지지체를 승강시키도록 구성되고, 상기 광 센서는 상기 지지체 구동 기구에 대하여 고정된 고정부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
   
8. 각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 구비하고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고, 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐로부터 기판으로 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하는 공정과,
   노즐 배스에 처리액 노즐을 대기시키는 공정과,
   지지체 구동 기구에 의해 상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키는 공정과,
   광 센서에 의해 각 처리액 노즐의 하방에서 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 공정과,
   각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축 방향으로 광이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고 판정 신호를 출력하는 공정과,
   상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 공정
   을 구비하고,
   상기 대처 동작을 행하는 공정은, 촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과,
   상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 액 맺힘 또는 처리액의 적하가 발생했는지를 판단 수단에 의해 판단하는 공정과,
   상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 공정
   을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
   
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 액 맺힘 또는 처리액의 적하가 일어났다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하는 공정과,
   상기 처리액의 토출을 행하기 위하여 제어 수단으로부터 제어 신호를 출력하는 공정
   을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
   
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 대처 동작을 행하는 공정은,
    촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과,
    판단 수단에 의해 상기 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에만 상기 촬상 수단에 의한 촬상에 기초하여 어느 처리액 노즐에 액 맺힘 또는 처리액의 적하가 발생했는지를 판단하는 공정과,
    액 맺힘 또는 처리액의 적하가 일어났다고 판단된 처리액 노즐로부터 상기 배액 영역에 처리액을 토출하도록 제어 수단에 의해 제어 신호를 출력하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
    
11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대처 동작을 행하는 공정은,
    액받이 부재에 의해 각 처리액 노즐로부터의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 공정과, 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에 상기 액받이 부재를 이동 수단에 의해 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
    
12. 기판에 대한 액처리를 행하는 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 액처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는 기억 매체.
    
13. 삭제
14. 삭제

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