KR101485659B1 - Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박리성이 뛰어난 반도체 장치 제조용 접착 시트를 제공한다.
기재와 상기 기재의 한쪽 면에 설치된, 불소를 함유하는 첨가제를 함유하는 접착제층을 구비하며, 반도체 장치의 리드 프레임(20) 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 반도체 장치 제조용 접착 시트(10)에 있어서, 상기 접착제층은 하기 식 (I)으로 구해지는 표면 불소 복원율이 70% 이상이다.
표면 불소 복원율(%) = 복원 후 표면 불소 함유율α ÷ 초기 표면 불소 함유율β × 100 … (I)The present invention provides an adhesive sheet for semiconductor device production with excellent peelability.
An adhesive sheet (10) for semiconductor device production, which comprises a substrate and an adhesive layer containing a fluorine-containing additive provided on one side of the substrate and is adhered to the lead frame (20) , Wherein the adhesive layer has a surface fluorine recovery of 70% or more as determined by the following formula (I).
Surface fluorine recovery (%) = Surface fluorine content after restoration α ÷ Initial surface fluorine content β × 100 ... (I)

Description

반도체 장치 제조용 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법{ADHESIVE SHEET FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an adhesive sheet for semiconductor device manufacturing and a method of manufacturing the same. More particularly,

본 발명은 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device.

최근, 휴대형 PC, 휴대전화 등의 전자기기의 소형화, 다기능화에 수반해, 전자기기를 구성하는 전자 부품의 소형화, 고집적화 외에, 전자 부품의 고밀도 실장 기술이 필요하게 되었다. 이러한 배경 하에서, QFP(Quad Flat Package)나 SOP(Small Outline Package) 등의 주변 실장형의 반도체 장치 대신, 고밀도 실장이 가능한 CSP(Chip Scale Package) 등의 면실장형의 반도체 장치가 주목받고 있다. 또한, CSP 중에서도 특히, QFN(Quad Flat Non-leaded) 패키지는 종래의 반도체 장치의 제조 기술을 적용하여 제조할 수 있기 때문에 매우 적합하고, 주로 100 핀 이하의 소단자형의 반도체 장치로서 이용되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization and multifunctionalization of electronic devices such as portable PCs and mobile phones, there has been a need for a high-density mounting technology for electronic components in addition to miniaturization and high integration of electronic components constituting electronic devices. Under such circumstances, a semiconductor device such as a CSP (Chip Scale Package) capable of high-density mounting has been attracting attention in place of peripheral mounting type semiconductor devices such as QFP (Quad Flat Package) and SOP (Small Outline Package). Among the CSPs, QFN (Quad Flat Non-leaded) packages are particularly suitable because they can be manufactured by applying conventional semiconductor device fabrication techniques, and they are mainly used as small-terminal type semiconductor devices of less than 100 pins .

QFN 패키지의 제조 방법으로서 개략적으로 아래와 같은 방법이 알려져 있다. 먼저, 첩착(貼着) 공정에서 리드 프레임의 한쪽 면에 접착 시트를 첩착시킨 다음, 다이아터치 공정에서 리드 프레임에 복수 개 형성된 반도체소자 탑재부(다이 패드부)에 IC 칩 등의 반도체소자를 각각 탑재한다. 다음으로, 와이어본딩 공정에서 리드 프레임의 각 반도체소자 탑재부의 외주를 따라 배설(配設)된 복수 개의 리드와 반도체소자를 본딩와이어에 의해 전기적으로 연결한다. 다음으로, 봉지 공정에서 리드 프레임에 탑재된 반도체소자를 봉지 수지에 의해 봉지한다. 그 후, 박리 공정에서 접착 시트를 리드 프레임으로부터 박리함으로써, 복수 개의 QFN 패키지가 배열된 QFN 유닛을 형성할 수 있다. 마지막으로, 다이싱 공정에서 이 QFN 유닛을 각 QFN 패키지의 외주를 따라 다이싱함으로써 복수 개의 QFN 패키지를 제조할 수 있다.As a method of manufacturing a QFN package, the following method is known roughly. First, an adhesive sheet is adhered to one surface of a lead frame in an adhering (sticking) step, and then a semiconductor element such as an IC chip is mounted on a semiconductor element mounting portion (die pad portion) do. Next, in the wire bonding step, a plurality of leads (arranged) along the periphery of each semiconductor element mounting portion of the lead frame and the semiconductor element are electrically connected by a bonding wire. Next, in the sealing step, the semiconductor element mounted on the lead frame is sealed with a sealing resin. Thereafter, in the peeling step, the adhesive sheet is peeled from the lead frame to form a QFN unit in which a plurality of QFN packages are arranged. Finally, in the dicing process, a plurality of QFN packages can be manufactured by dicing the QFN unit along the periphery of each QFN package.

종래, QFN 패키지의 제조 방법에서는 실리콘 점착제나 아크릴 점착제를 사용한 반도체 장치 제조용 접착 시트가 사용되어 왔지만, 이러한 반도체 장치 제조용 접착 시트를 이용하면 봉지 공정에서 수지 누설(몰드 플래시)이 발생할 우려가 있었다.Conventionally, an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device using a silicone adhesive or an acrylic adhesive has been used in a manufacturing method of a QFN package. However, when such an adhesive sheet for semiconductor device production is used, resin leakage (mold flash) may occur in the sealing process.

더욱이, 와이어본딩 공정 전에 플라즈마를 처리하는 공정(플라즈마 클리닝 공정)을 마련하여, 반도체소자 및 예를 들어, 리드 프레임의 표면에 부착된 불순물을 제거함으로써, 와이어본딩 특성을 한층 더 높이는 것이 일반화되고 있다. 종래의 반도체 장치 제조용 접착 시트를 이용한 경우, 반도체 장치 제조용 접착 시트의 접착제 노출면표층이 플라즈마 클리닝에 의해 거칠어지게 되어 반도체 제조용 접착 시트의 박리 시에 반도체 장치의 접속 단자, 봉지 수지면에 접착제 이행(移行)(이하, 「접착제 잔류」라고 표기한다)이 발생하는 경우가 있다. 이와 같이, 접착제 잔류가 발생한 경우에 봉지 수지에 의해 봉지된 부분이나 그 근방의 리드의 외부 접속 단자 부분에 접착제가 부착되기 때문에, 제조된 반도체 장치를 배선 기판 등에 실장할 때, 접속 불량이 발생할 우려가 있다.Furthermore, it has become common to provide a process (plasma cleaning process) for treating the plasma before the wire bonding process to further improve the wire bonding property by removing impurities attached to the surface of the semiconductor device and, for example, the lead frame . In the case of using the conventional adhesive sheet for semiconductor device fabrication, the surface of the adhesive-exposed surface of the adhesive sheet for semiconductor device fabrication becomes rough by plasma cleaning, so that when the adhesive sheet for semiconductor manufacturing is peeled off, ) (Hereinafter referred to as " residual adhesive ") may occur. As described above, in the case where the adhesive residue is generated, the adhesive is adhered to the portion sealed by the sealing resin or the external connection terminal portion of the lead in the vicinity thereof, so that when the manufactured semiconductor device is mounted on a wiring board or the like, .

이러한 문제에 대해, 열경화성 수지 성분, 열가소성 수지 성분 및 불소계 첨가제를 함유 한 접착제층을 구비한 반도체 장치 제조용 접착 시트가 제안되고 있다(예, 특허 문헌 1). 특허 문헌 1의 발명에 의하면, 플라즈마를 처리하지 않아도 와이어본딩 특성이 뛰어나기 때문에, 플라즈마 처리에 의한 접착제 잔류를 줄일 수 있다.
To solve this problem, there has been proposed an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device having an adhesive layer containing a thermosetting resin component, a thermoplastic resin component and a fluorine-based additive (for example, Patent Document 1). According to the invention of Patent Document 1, since the wire bonding property is excellent even when the plasma is not treated, the residual adhesive by the plasma treatment can be reduced.

[특허 문헌 1] 특개2007-123710호 공보
[Patent Document 1] JP-A-2007-123710

그러나, 특허 문헌 1의 발명에서는, 접착제 잔류를 줄일 수 있지만, 봉지 수지에의 접착 강도가 강하고, 박리하기 어렵다는 문제가 있었다. 더욱이, 반도체 장치 제조용 접착 시트는 플라즈마 클리닝 공정을 마련한 제조 방법에서는 보다 작은 박리력으로 벗길 수 있을 정도의 박리성이 요구되고 있다.However, in the invention of Patent Document 1, there is a problem that although the adhesive residue can be reduced, the adhesive strength to the sealing resin is strong and it is difficult to peel off. Moreover, the adhesive sheet for manufacturing semiconductor devices is required to have a releasability such that it can be peeled off with a smaller peeling force in a manufacturing method provided with a plasma cleaning process.

따라서, 본 발명은, 박리성이 뛰어난 반도체 장치 제조용 접착 시트를 목적으로 한다.
Therefore, the object of the present invention is to provide an adhesive sheet for semiconductor device production which is excellent in peelability.

본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트는 기재와 상기 기재의 한쪽 면에 설치된, 불소를 함유하는 첨가제를 함유하는 접착제층을 구비하며, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서, 상기 접착제층은 하기 식 (I)으로 구해지는 표면 불소 복원율이 70% 이상인 것을 특징으로 한다.The adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device of the present invention comprises a base material and an adhesive layer containing a fluorine-containing additive, provided on one side of the base material, for producing a semiconductor device which is adhered to a lead frame or a wiring substrate of the semiconductor device in a releasable manner. In the adhesive sheet, the adhesive layer has a surface fluorine recovery of 70% or more as determined by the following formula (I).

표면 불소 복원율(%) = 복원 후 표면 불소 함유율α ÷ 초기 표면 불소 함유율β × 100 … (I)Surface fluorine recovery (%) = Surface fluorine content after restoration α ÷ Initial surface fluorine content β × 100 ... (I)

[식 (I)에서, 복원 후 표면 불소 함유율α은 아르곤 가스 분위기 하에서, 접착제층에 450 W의 출력 조건으로 1분간 플라즈마를 처리한 다음, 접착제층을 220℃에서 15분간 가열한 후의 접착제층 표면의 불소 함유율(atom%)이다. 초기 표면 불소 함유율β은 상기 플라즈마를 처리하기 전의 접착제층 표면의 불소 함유율(atom%)이다.]In the formula (I), the surface fluorine content after restoration? Is a value obtained by treating the adhesive layer with plasma at an output condition of 450 W for 1 minute under an argon gas atmosphere and then heating the adhesive layer at 220 占 폚 for 15 minutes Of fluorine (atom%). The initial surface fluorine content ratio? Is the fluorine content (atom%) of the surface of the adhesive layer before the plasma treatment.

상기 복원 후 표면 불소 함유율α은 18 atom% 이상인 것이 바람직하다.The surface fluorine content after restoration? Is preferably 18 atomic% or more.

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이며, 상기 리드 프레임 또는 상기 배선 기판에 상기 반도체 장치 제조용 접착 시트를 첩착하는 첩착 공정, 상기 리드 프레임 또는 상기 배선 기판에 플라즈마를 처리하는 플라즈마 클리닝 공정, 상기 플라즈마 클리닝 공정 후, 상기 접착제층을 가열하는 가열 공정, 및 상기 가열 공정 후, 상기 반도체 장치 제조용 접착 시트를 상기 리드 프레임 또는 상기 배선 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device according to the present invention described above and is characterized by comprising an adhesion step of attaching the adhesive sheet for semiconductor device production to the lead frame or the wiring board, A step of heating the adhesive layer after the plasma cleaning step, and a step of heating the adhesive sheet for semiconductor device manufacturing from the lead frame or the wiring board after the plasma cleaning step, the heating step of heating the adhesive layer after the plasma cleaning step, And a peeling step of peeling off the substrate.

본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트에 의하면, 박리성이 우수하다.
According to the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the peelability is excellent.

도 1은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 이용되는 리드 프레임의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.1 is a plan view showing an example of a lead frame used in a method of manufacturing a semiconductor device of the present invention.
2 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the semiconductor device of the present invention.

본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트(이하, 간단히 접착 시트라고 한다)는 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리가능하게 첩착되는 것이다. The adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device of the present invention (hereinafter simply referred to as an adhesive sheet) is peelably adhered to a lead frame or a wiring board of a semiconductor device.

리드 프레임이란 금속판을 에칭 또는 프레스 등으로 도체 패턴을 형성한 것이고, 배선 기판이란 전기절연성 기판의 표면(또는 내면을 포함한다)에 도체 패턴을 도전성 재료로 형성한 것이다.A lead frame is a metal plate formed by etching or pressing a conductor pattern. A wiring board is a conductor pattern formed on a surface (or an inner surface) of an electrically insulating substrate by a conductive material.

본 발명의 접착 시트는 기재와 상기 기재의 한쪽 면에 설치된 접착제층을 구비한다.The adhesive sheet of the present invention comprises a substrate and an adhesive layer provided on one side of the substrate.

기재로는 내열성이 있는 것, 예를 들어, 내열성 수지 필름이나 금속박 등을 들 수 있다.Examples of the base material include those having heat resistance, for example, heat-resistant resin films and metal foils.

접착 시트를 이용하여 QFN 패키지 등의 반도체 장치를 제조할 때, 접착 시트는, 다이아터치 공정, 와이어본딩 공정, 봉지 공정에서, 150~250℃의 고온에 노출된다. 내열성 수지 필름을 기재로 이용하는 경우, 유리 전이 온도(Tg) 이상이 되면 상기 내열성 필름의 열팽창 계수는 급격히 증가하여, 금속제의 리드 프레임과의 열팽창 차이가 커진다. 이 때문에, 실온으로 되돌렸을 때, 내열성 필름과 리드 프레임이 변형이 발생할 우려가 있다. 그리고, 내열성 필름과 리드 프레임에 변형이 발생한 경우에는 봉지 공정에서 금형의 위치 결정 핀에 리드 프레임을 장착하지 못하고, 위치 차이 불량을 일으킬 우려가 있다.When a semiconductor device such as a QFN package is manufactured using an adhesive sheet, the adhesive sheet is exposed to a high temperature of 150 to 250 DEG C in a diazep process, a wire bonding process, and a sealing process. When the heat-resistant resin film is used as a substrate, the thermal expansion coefficient of the heat-resistant film sharply increases when the glass transition temperature (Tg) is higher than the glass transition temperature (Tg). Therefore, when the temperature is returned to room temperature, the heat resistant film and the lead frame may be deformed. When the heat-resistant film and the lead frame are deformed, the lead frame can not be mounted on the positioning pin of the mold in the sealing process, and there is a fear that the position difference may be defective.

따라서, 내열성 필름을 기재로 이용하는 경우, 유리 전이 온도가 150℃ 이상인 내열성 필름인 것이 바람직하고, 180℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.Therefore, when a heat resistant film is used as a substrate, it is preferably a heat resistant film having a glass transition temperature of 150 DEG C or higher, more preferably 180 DEG C or higher.

또한, 150~250℃에서의 내열성 필름의 열팽창 계수가 5~50 ppm/℃인 것이 바람직하고, 10~30 ppm/℃인 것이 보다 바람직하다. 이에 해당하는 특성을 가지는 내열성 필름으로는, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 트리아세틸셀룰로스, 폴리에테르이미드 등으로 이루어지는 필름을 예시할 수가 있다.The coefficient of thermal expansion of the heat-resistant film at 150 to 250 ° C is preferably 5 to 50 ppm / ° C, more preferably 10 to 30 ppm / ° C. Examples of the heat resistant film having such characteristics include films made of polyimide, polyamide, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyether ketone, polyether ether ketone, triacetyl cellulose, polyether imide and the like have.

또한, 금속박을 기재로 이용하는 경우에도, 상기 내열성 필름과 같은 이유로 150~250℃에서의 금속박의 열팽창 계수가 5~50 ppm/℃인 것이 바람직하고, 10~30 ppm/℃인 것이 보다 바람직하다. 금속으로는, 금, 은, 구리, 백금, 알루미늄, 마그네슘, 티타늄, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 아연, 팔라듐, 인듐, 주석으로 이루어지는 박(箔)이나, 이러한 금속을 주성분으로 하는 합금박 또는 도금박을 들 수 있다.Also, when the metal foil is used as the substrate, the coefficient of thermal expansion of the metal foil at 150 to 250 ° C is preferably 5 to 50 ppm / ° C, more preferably 10 to 30 ppm / ° C, for the same reason as the heat resistant film. As the metal, a foil made of gold, silver, copper, platinum, aluminum, magnesium, titanium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, zinc, palladium, indium and tin, A foil or a plated foil.

본 발명의 접착 시트를 이용하여 반도체 장치를 제조할 때, 후술하는 박리 공정에서의 접착제 잔류를 방지하기 위해서는, 기재와 접착제층의 접착 강도 Sa와, 봉지 수지, 리드 프레임 또는 배선 기판과 접착제층의 접착 강도 Sb의 비(접착 강도비) Sa/Sb가 1.5 이상인 것이 바람직하다. Sa/Sb가 1.5 미만의 경우에서는, 접착 시트 박리 공정에서 접착제 잔류가 발생하기 쉬워진다. 더욱이, 접착 강도비 Sa/Sb를 1.5 이상으로 하기 위해서는, 내열성 필름의 경우, 접착제층을 형성하기 전에, 내열성 필름의 접착제층을 형성하는 쪽의 표면에 코로나 처리, 플라즈마 처리, 프라이머 처리, 샌드 블레스트 등과 같이 내열성 필름과 접착제층의 접착 강도 Sa를 높이는 처리를 미리 해 두는 것이 바람직하다. 또한, 금속박의 경우에는 그 제법에 따라 압연 금속박과 전해 금속박과에 분류되지만, 접착 강도비Sa/Sb를 1.5 이상으로 하기 위해서, 전해 금속박을 이용함과 동시에 조면화된 쪽의 면에 접착제층을 마련하여 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 전해 금속박 중에서도 특히 전해 구리박을 이용하는 것이 바람직하다.In order to prevent the adhesive residue in the peeling step, which will be described later, when the semiconductor device is manufactured using the adhesive sheet of the present invention, the adhesive strength Sa between the substrate and the adhesive layer and the adhesive strength Sa between the sealing resin, The ratio (adhesion strength ratio) Sa / Sb of the adhesion strength Sb is preferably 1.5 or more. When Sa / Sb is less than 1.5, adhesive residue tends to occur in the adhesive sheet peeling step. Further, in order to make the adhesive strength ratio Sa / Sb to 1.5 or more, in the case of the heat-resistant film, the surface of the heat-resistant film on which the adhesive layer is formed is subjected to corona treatment, plasma treatment, primer treatment, It is preferable that the adhesive strength Sa between the heat-resistant film and the adhesive layer, such as an adhesive, is increased. In the case of a metal foil, the metal foil is classified into a rolled metal foil and an electrolytic metal foil according to the production method. However, in order to make the adhesive strength ratio Sa / Sb 1.5 or more, an adhesive layer is provided on the surface of the electrolytic metal foil, . Among electrolytic metal foils, electrolytic copper foil is preferably used.

기재의 두께는 재질 등을 감안해 결정되고, 예를 들어, 10~100 ㎛로 된다.The thickness of the base material is determined in consideration of the material and the like, and is, for example, 10 to 100 mu m.

접착제층은 불소를 함유하는 첨가제를 함유하고, 후술하는 표면 불소 복원율이 70% 이상인 것이다. 표면 불소 복원율이 70% 이상이면 우수한 박리성을 나타낼 수 있다.The adhesive layer contains a fluorine-containing additive and has a surface fluorine recovery rate of 70% or more, which will be described later. When the surface fluorine recovery ratio is 70% or more, excellent peelability can be exhibited.

접착제층은 불소를 함유하는 첨가제를 함유하고, 리드 프레임 또는 배선 기판에 대해 임의의 접착 강도를 가지는 것이면 좋고, 예를 들어, 불소를 함유하는 첨가제와 수지를 함유하는 것일 수 있다.The adhesive layer may contain an additive containing fluorine, and may have any bonding strength to the lead frame or the wiring board, and may contain, for example, a fluorine-containing additive and a resin.

불소를 함유하는 첨가제로는, 예를 들어, 퍼플루오로 알킬기를 함유하는 설폰산염, 퍼플루오로 알킬기를 함유하는 카르본산염 등의 음이온 계면활성제, 퍼플루오로 알킬 알킬렌 옥사이드 부가물, 함불소기·친유성기함유 올리고머, 함불소기·친수성기함유 올리고머, 함불소기·친수성기·친유성기함유 올리고머 등의 비이온 계면활성제 등의 불소함유 계면활성제 등을 들 수 있고, 그 중에서 비이온 계면활성제가 바람직하고, 함불소기·친유성기함유 올리고머가 보다 바람직하다. 음이온 계면활성제는 이온화하는 관능기가 수지 중에서 정전기적인 상호작용을 받는 것으로, 계면활성제의 자유도가 낮아 표면에 노출되지 않게 된다. 친유성기의 예로서는, 알킬기, 알릴기, 비닐기, 알킬에테르기, 알킬에스테르기, 아크릴레이트기 등을 들 수 있다. 이러한 불소를 함유하는 첨가제는 1종 단독으로 이용될 수 있고, 2종 이상이 혼합되어 이용될 수 있다.The fluorine-containing additives include, for example, sulfonate salts containing perfluoroalkyl groups, anionic surfactants such as carboxylates containing perfluoroalkyl groups, perfluoroalkyl alkylene oxide adducts, fluorine Fluorine-containing surfactants such as fluorine-containing hydrophilic group-containing oligomers, fluorine group-containing hydrophilic group-containing oligomers, fluorine group-containing hydrophilic group-lipophilic group-containing oligomer, and the like. Of these, nonionic surfactants And a fluorine group-lipophilic group-containing oligomer is more preferable. The anionic surfactant is a compound in which ionizing functional groups undergo electrostatic interaction in the resin, and the degree of freedom of the surfactant is low and the surface is not exposed. Examples of the lipophilic group include an alkyl group, an allyl group, a vinyl group, an alkyl ether group, an alkyl ester group, and an acrylate group. These fluorine-containing additives may be used alone or in combination of two or more.

배합되는 불소를 함유하는 첨가제는 액체일 수 있고, 고체일 수도 있으나, 접착제층의 표면 불소 복원율을 높여 박리성을 보다 높이는 관점에서, 25℃에서 액체인 것이 바람직하다.The fluorine-containing additive to be incorporated may be a liquid or a solid, but it is preferably liquid at 25 占 폚 in view of increasing the surface fluorine recovery rate of the adhesive layer and further improving the peelability.

매우 적합한 불소를 함유하는 첨가제로는, 25℃에서 액체인 함불소기·친유성기함유 올리고머인, 메가팩(MEGAFAC) F-552, F-554, F-558(DIC 주식회사 제) 등을 들 수 있다.Examples of highly suitable fluorine-containing additives include MEGAFAC F-552, F-554 and F-558 (manufactured by DIC Co., Ltd.), which are oligomers containing a fluorine group and a lipophilic group which are liquid at 25 ° C have.

접착제층 내의 불소를 함유하는 첨가제의 함유량은 불소를 함유하는 첨가제의 종류, 수지의 종류나 양 등을 감안해 적절히 결정되고, 예를 들어, 접착제 층 중 0.5~20 질량%가 바람직하고, 1~10 질량%가 보다 바람직하고, 2.5~5.0 질량%가 보다 더 바람직하다. 상기 하한치 미만에서는 박리성이 저하할 우려가 있고, 상기 상한치 초과에서는 접착 강도가 불충분하게 되어 몰드 플래시 특성이 저하하거나 후술하는 경화 전 접착 강도가 불충분하게 될 우려가 있다.The content of the fluorine-containing additive in the adhesive layer is appropriately determined in consideration of the kind of the fluorine-containing additive, the kind and amount of the resin, and is, for example, preferably from 0.5 to 20 mass% By mass, more preferably 2.5% by mass to 5.0% by mass. If it is less than the above lower limit, there is a fear that the peelability is lowered. If it exceeds the upper limit value, the adhesive strength becomes insufficient and the mold flash property is lowered or there is a fear that the adhesive strength before curing described below becomes insufficient.

접착제층 내의 수지로는, 열가소성 수지나 열강화성 수지를 들 수 있다.Examples of the resin in the adhesive layer include thermoplastic resins and thermosetting resins.

열가소성 수지로는, 폴리부타디엔, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐부티랄, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 아크릴 고무 등을 들 수 있고, 그 중에서 주쇄에 반응점을 가지는 반응성 엘라스토머가 바람직하다.Examples of the thermoplastic resin include polybutadiene, polyacrylonitrile, polyvinyl butyral, polyamide, polyamideimide, polyimide, polyester, polyurethane, acrylic rubber and the like. Among them, reactive Elastomers are preferred.

반응성 엘라스토머는 카르복시기, 아미노기, 비닐기, 에폭시기 등의 관능기를 가지거나 또는 산무수물을 측쇄에 가지는 것으로, 반응성을 가진다. 반응성 엘라스토머는 탄성 수지를 제조할 때 관능기를 가지는 모노머를 공중합시킴으로써 제조할 수 있다. 또한, 비닐 결합 등의 불포화 결합을 가지는 탄성 수지를 제조한 후, 이 비닐기 등의 불포화 결합에 에폭시기 등의 관능기를 도입함으로써 제조할 수 있다. 더욱이, 관능기를 가지는 모노머로는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산 등의 비닐 결합과 관능기를 가지는 모노머를 들 수 있다.The reactive elastomer has a functional group such as a carboxyl group, an amino group, a vinyl group and an epoxy group, or has an acid anhydride on its side chain, and thus has a reactivity. The reactive elastomer can be produced by copolymerizing a monomer having a functional group when the elastic resin is produced. Further, it can be produced by preparing an elastic resin having an unsaturated bond such as a vinyl bond and then introducing a functional group such as an epoxy group into an unsaturated bond such as a vinyl group. Examples of the monomer having a functional group include monomers having a vinyl bond and a functional group such as acrylic acid and methacrylic acid.

반응성 엘라스토머로는, 예를 들어, 카르복시기함유 스틸렌 에틸렌 부틸렌 스틸렌 공중합체, 무수말레산함유 스틸렌 에틸렌 부틸렌 스틸렌 공중합체 등의 스틸렌 에틸렌 부틸렌 스틸렌 공중합체(SEBS), 카르복시기함유 스틸렌 부타디엔 공중합체, 무수말레산함유 스틸렌 부타디엔 공중합체, 카르복시기함유 스틸렌 부타디엔 포화 공중합체 등의 스틸렌 부타디엔 공중합체, 카르복시기함유 스틸렌 이소프렌 공중합체, 카르복시기함유 스틸렌 이소프렌 포화 공중합체등의 스틸렌 이소프렌 공중합체, 에폭시기 함유 스틸렌계 블록 공중합체, 무수말레산함유 스틸렌 에틸렌 부틸렌 공중합체등의 스틸렌계 열가소성 엘라스토머; 카르복시기함유 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 아미노기 변성 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 수소 첨가 카르복시기함유 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체등의 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체(NBR); 아미노기 변성 폴리올 수지, 아미노기 변성 페녹시 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 폴리비닐 아세탈 수지, 카르복시기함유 아크릴 고무, 히드록시기 말단 포화 공중합 폴리에스테르 수지, 카르복시기 말단 포화 공중합체 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있고, 그 중에서 내열성 등의 관점에서 스틸렌계 열가소성 엘라스토머가 바람직하고, SEBS가 보다 바람직하다. 덧붙여, 「무수말레산함유」란, 측쇄에 산무수물을 가지는 것을 나타낸다. 이러한 열가소성 수지는, 1종 단독으로 이용될 수 있고, 2종 이상이 혼합되어 이용될 수도 있다.Examples of the reactive elastomer include styrene ethylene butylene styrene copolymer (SEBS) such as a carboxy group-containing styrene ethylene butylene styrene copolymer and a maleic anhydride-containing styrene ethylene butylene styrene copolymer, a carboxy group-containing styrene butadiene copolymer, Styrene-butadiene copolymers such as maleic anhydride-containing styrene butadiene copolymer and carboxy group-containing styrene butadiene saturated copolymer, styrene isoprene copolymers such as carboxy group-containing styrene isoprene copolymer and carboxy group-containing styrene isoprene copolymer, epoxy group- Styrene-based thermoplastic elastomers such as styrene-butadiene copolymer, styrene-butylene copolymer containing maleic anhydride; Acrylonitrile butadiene copolymer (NBR) such as acrylonitrile butadiene copolymer containing carboxyl group, acrylonitrile butadiene copolymer modified with amino group, and acrylonitrile butadiene copolymer containing hydrogenated carboxyl group; An amino group-modified polyol resin, an amino group-modified phenoxy resin, a polyvinyl butyral resin, a polyvinyl acetal resin, a carboxyl group-containing acrylic rubber, a hydroxy group terminal saturated copolymer resin polyester resin and a carboxyl group terminal saturated copolymer polyester resin. A styrene thermoplastic elastomer is preferable from the standpoint of heat resistance and the like, and SEBS is more preferable. Incidentally, "containing maleic anhydride" means having an acid anhydride in the side chain. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.

또한, 열가소성 수지로 불소를 함유하는 열가소성 수지(불소함유 열가소성 수지)를 이용할 수 있다.Further, a thermoplastic resin containing fluorine (fluorine-containing thermoplastic resin) can be used as the thermoplastic resin.

열강화성 수지로는 종래 접착제층에 이용되는 것을 들 수 있고, 예를 들어, 요소수지, 멜라민수지, 벤조구아나민수지, 아세토구아나민수지, 페놀수지, 레조르시놀수지, 크실렌수지, 퓨란수지, 불포화 폴리에스테르수지, 디알릴프탈레이트수지, 이소시아네이트수지, 에폭시수지, 말레이미드수지, 나디이미드수지 등을 들 수 있다. 이러한 열강화성 수지는 1종 단독으로 이용될 수 있고, 2종 이상이 혼합되어 이용될 수도 있다.Examples of the thermosetting resin include those used in conventional adhesive layers. Examples of the thermosetting resin include urea resin, melamine resin, benzoguanamine resin, acetoguanamine resin, phenol resin, resorcinol resin, xylene resin, furan resin, Unsaturated polyester resins, diallyl phthalate resins, isocyanate resins, epoxy resins, maleimide resins, and nadimide resins. These thermosetting resins may be used alone or in combination of two or more.

또한, 열강화성 수지로 불소를 함유하는 열강화성 수지(불소함유 열강화성 수지)를 이용할 수도 있다.Further, a thermosetting resin containing fluorine (a fluorine-containing thermosetting resin) may be used as the thermosetting resin.

접착제층 내의 수지로는 반응성 엘라스토머, 열강화성 수지가 바람직하고, 반응성 엘라스토머가 보다 바람직하다. 이러한 수지를 경화제와 병용함으로써 박리성을 보다 높이고, 몰드 플래시 특성을 높일 수 있다.As the resin in the adhesive layer, a reactive elastomer and a thermosetting resin are preferable, and a reactive elastomer is more preferable. By using such a resin in combination with a curing agent, the peelability can be further improved and the mold flash characteristics can be enhanced.

접착제층 내의 수지의 함유량은 수지의 종류 등을 감안해 결정되고, 예를 들어, 80~98 질량%가 바람직하고, 85~95 질량%가 보다 바람직하다. 상기 하한치 미만에서는 접착 강도가 불충분해져서 몰드 플래시 특성이 저하될 우려가 있고, 상기 상한치 초과에서는 불소를 함유하는 첨가제의 함유량이 너무 적게되어 박리성이 저하될 우려가 있다.The content of the resin in the adhesive layer is determined in consideration of the type of resin and the like. For example, it is preferably 80 to 98% by mass, and more preferably 85 to 95% by mass. If the content is less than the above lower limit, the adhesive strength may become insufficient and the mold flash characteristics may deteriorate. If the content exceeds the upper limit value, the content of the fluorine-containing additive becomes too small and the peelability may deteriorate.

수지 중의 반응성 엘라스토머의 함유량은, 예를 들어, 50 질량% 이상이 바람직하고, 80 질량% 이상이 바람직하다.The content of the reactive elastomer in the resin is, for example, preferably 50% by mass or more, and more preferably 80% by mass or more.

반응성 엘라스토머나 열강화성 수지를 수지로 이용하는 경우 접착제층에는 경화제가 배합될 수 있다.When a reactive elastomer or a thermosetting resin is used as the resin, a curing agent may be added to the adhesive layer.

경화제로는 반응성 엘라스토머나 열강화성 수지의 종류에 따라 적절히 결정되고, 예를 들어, 폴리이소시아네이트 등일 수 있다.The curing agent is appropriately determined depending on the kind of the reactive elastomer or the thermosetting resin, and may be, for example, polyisocyanate.

접착제층 내의 경화제의 함유량은 경화제, 반응성 엘라스토머 또는 열강화성 수지의 종류를 감안해 적절히 결정되고, 예를 들어, 수지 100 질량부에 대해 0. 5~10 질량부가 바람직하다.The content of the curing agent in the adhesive layer is appropriately determined in consideration of the kinds of the curing agent, the reactive elastomer or the thermosetting resin, and is preferably 0.5 to 10 parts by mass per 100 parts by mass of the resin.

또한, 접착제층은 본 발명의 효과를 해하지 않는 범위에서 경화촉진제나 산화 방지제 등의 임의 성분을 함유할 수 있다.The adhesive layer may contain an optional component such as a curing accelerator or an antioxidant within a range that does not adversely affect the effect of the present invention.

접착제층은 하기와 같이 식 (I)에서 구해지는 표면 불소 복원율이 70% 이상의 것이다.The adhesive layer has a surface fluorine recovery of 70% or more as determined by the formula (I) as described below.

접착제층의 표면 불소 복원율은 80% 이상이 바람직하고, 90% 이상이 보다 바람직하고, 100% 이상일 수도 있다. 표면 불소 복원율이 상기 하한치 이상이면 우수한 박리성을 나타낼 수 있다. 또한, 표면 불소 복원율이 상기 하한치 이상이면, 접착제층에 대해 과잉의 함불소 첨가물을 배합할 필요가 없기 때문에, 경화 전 접착 강도가 적절하게 되고, 첩착 공정에서 리드 프레임 또는 배선 기판에의 첩착성이 충분하게 되어, 작업성이 양호해진다.The surface fluorine recovery rate of the adhesive layer is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, and may be 100% or more. When the surface fluorine recovery rate is not less than the above lower limit value, excellent peelability can be exhibited. If the surface fluorine recovery rate is not lower than the lower limit value described above, it is not necessary to add an excessive fluorinated additive to the adhesive layer, so that the adhesive strength before curing becomes appropriate, and the adhesiveness to the lead frame or the wiring board So that the workability is improved.

아울러, 표면 불소 복원율은 불소를 함유하는 첨가제의 종류나 양, 수지의 종류나 양을 조합함으로써 조절된다.In addition, the surface fluorine recovery rate is controlled by combining the kind or amount of the fluorine-containing additive and the kind or amount of the resin.

표면 불소 복원율(%) = 복원 후 표면 불소 함유율α ÷ 초기 표면 불소 함유율β × 100 ···(I)Surface fluorine recovery rate (%) = surface fluorine content after recovery? / Initial surface fluorine content rate 占 100 (I)

[식 (I)에서, 복원 후 표면 불소 함유율α은 아르곤 가스 분위기 하에서, 접착제층에 450 W의 출력 조건으로 1분간 플라즈마를 처리한 다음, 접착제층을 220℃에서 15분간 가열한 후의 접착제층 표면의 불소 함유율(atom%)이다. 초기 표면 불소 함유율β은 상기 플라즈마를 처리하기 전의 접착제층 표면의 불소 함유율(atom%)이다.]In the formula (I), the surface fluorine content after restoration? Is a value obtained by treating the adhesive layer with plasma at an output condition of 450 W for 1 minute under an argon gas atmosphere and then heating the adhesive layer at 220 占 폚 for 15 minutes Of fluorine (atom%). The initial surface fluorine content ratio? Is the fluorine content (atom%) of the surface of the adhesive layer before the plasma treatment.

복원 후 표면 불소 함유율α은 18 atom% 이상이 바람직하고, 20 atom% 이상이 보다 바람직하다. 상기 하한치 미만에서는 접착 시트의 박리성이 저하될 우려가 있다.The surface fluorine content? After the restoration is preferably 18 atomic% or more, more preferably 20 atomic% or more. Below the lower limit, there is a fear that the peelability of the adhesive sheet is lowered.

초기 표면 불소 함유율β은 50 atom% 이하가 바람직하고, 30 atom% 이하가 보다 바람직하다. 상기 상한치 초과에서는 경화 전 접착 강도가 불충분해지고, 후술하는 첩착 공정에서 리드 프레임이나 배선 기판에의 첩착성이 저하된다.The initial surface fluorine content β is preferably 50 atom% or less, more preferably 30 atom% or less. If the upper limit is exceeded, the adhesive strength before curing becomes insufficient, and the adhesiveness to the lead frame or the wiring board is deteriorated in an adhering step to be described later.

반응성 엘라스토머, 열강화성 수지 및 경화제를 함유하는 열경화형의 접착제층을 구비한 접착 시트에서, 리드 프레임 또는 배선 기판에 대한 열경화 전 접착제층의 25℃에서의 접착 강도(경화 전 접착 강도)는 0.05N/20mm 이상이 바람직하다. 경화 전접착 강도가 상기 하한치 이상이면 접착제층을 열경화시키지 않아도 리드 프레임 또는 배선 기판에 대해 적당한 접착 강도로 첩착된다. 이 때문에 후술하는 첩착 공정에서 접착제층을 가열할 필요가 없고, 첩착 공정을 간편화할 수 있다. 리드 프레임 또는 배선 기판에 대한 25℃에서의 접착 강도의 상한은 특별히 한정되지 아니한다.In the adhesive sheet having the thermosetting adhesive layer containing the reactive elastomer, the thermosetting resin and the curing agent, the adhesive strength of the adhesive layer before the thermosetting to the lead frame or the wiring board at 25 캜 (adhesive strength before curing) was 0.05 N / 20 mm or more is preferable. If the adhesive strength before curing is the lower limit value or more, the adhesive layer is adhered to the lead frame or the wiring board with an appropriate bonding strength without thermosetting. Therefore, it is not necessary to heat the adhesive layer in the adhesion step described later, and the adhesion step can be simplified. The upper limit of the bonding strength at 25 캜 to the lead frame or the wiring board is not particularly limited.

접착제층의 열팽창 계수, 열전도율, 표면 주름, 접착성 등을 조정하기 위해, 접착제층에 무기 또는 유기 필러를 첨가할 수도 있다. 무기 필러로는 분쇄형 실리카, 용해형 실리카, 알루미나, 산화 티타늄, 산화 베릴륨, 산화 마그네슘, 탄산칼슘, 질화 티타늄, 질화 규소, 질화 붕소, 붕소화 티타늄, 붕소화 텅스텐, 탄화 규소, 탄화 티타늄, 탄화 지르코늄, 탄화 몰리브덴, 운모(mica), 산화 아연, 카본 블랙, 수산화 알루미늄, 수산화 칼슘, 수산화 마그네슘, 삼산화 안티몬 등으로부터 구성되는 필러, 또는 이러한 것들 표면에 트리메틸실록실기 등을 도입한 것 등을 예로 들 수 있다. 또한, 유기 필러로는 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드, 나일론, 실리콘수지 등으로 이루어지는 필러를 예로 들 수 있다.An inorganic or organic filler may be added to the adhesive layer in order to adjust the thermal expansion coefficient, thermal conductivity, surface wrinkle, adhesiveness, etc. of the adhesive layer. Examples of the inorganic filler include pulverized silica, soluble silica, alumina, titanium oxide, beryllium oxide, magnesium oxide, calcium carbonate, titanium nitride, silicon nitride, boron nitride, titanium boride, tungsten boride, silicon carbide, titanium carbide A filler composed of zirconium, molybdenum carbide, mica, zinc oxide, carbon black, aluminum hydroxide, calcium hydroxide, magnesium hydroxide, antimony trioxide or the like or a material obtained by introducing a trimethylsiloxane group into the surface of these materials . Examples of the organic filler include fillers composed of polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyetherimide, polyesterimide, nylon, silicone resin and the like.

접착제층의 두께는 특별히 한정되지 아니하지만, 예를 들어, 2~20 ㎛이다.The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but is, for example, 2 to 20 占 퐉.

접착 시트는 접착제층 상에 박리가능한 보호 필름이 첩착되어, 리드 프레임 또는 배선 기판 등에 첩착되기 직전에 보호 필름을 박리하도록 구성될 수 있다. 이 경우에는 접착 시트가 제조되고 나서 사용될 때까지 접착제층이 손상되는 것이 방지된다. 보호 필름으로는 이형성(離型性)을 가지는 것이면 좋고, 예를 들어, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 필름이나, 이런 필름의 표면을 실리콘수지 또는 불소 화합물로 이형처리(離型處理)한 필름 등일 수 있다.The adhesive sheet can be configured so that a peelable protective film is adhered on the adhesive layer and the protective film is peeled off immediately before being adhered to the lead frame, the wiring substrate, or the like. In this case, the adhesive layer is prevented from being damaged until the adhesive sheet is manufactured and then used. The protective film may be any film having a releasing property, and examples thereof include films such as polyester, polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate, and films obtained by subjecting the surface of such films to a releasing treatment with a silicone resin or a fluorine compound Type processed film) or the like.

접착 시트의 제조 방법으로는 기재 상에 접착제를 도포하여 건조시키는 캐스팅법이나, 접착제를 이형성 필름 상에 일단 도포하고, 건조시킨 후, 기재 상에 전사시키는 라미네이트법 등이 매우 적합하다. 더욱이, 접착제층을 구성하는 성분을 유기용제, 예를 들어, 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠 등의 방향족계, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤계, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 비양성자성극성 용제, 테트라히드로퓨란 등의 단독 또는 혼합물에 용해해 접착제 도포액으로 이용하는 것이 바람직하다.Examples of the method for producing the adhesive sheet include a casting method in which an adhesive is applied and dried on a substrate, a lamination method in which an adhesive is once coated on a releasable film, dried, and then transferred onto a substrate. Furthermore, the components constituting the adhesive layer may be dissolved in an organic solvent such as an aromatic solvent such as toluene, xylene and chlorobenzene, a ketone solvent such as acetone, methyl ethyl ketone or methyl isobutyl ketone, a dimethylformamide, dimethylacetamide, Methylpyrrolidone, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, or the like, or as a solution for applying an adhesive.

본 발명의 접착 시트를 이용한 반도체의 제조 방법은 리드 프레임 또는 배선 기판에 접착 시트를 첩착하는 첩착 공정, 리드 프레임 또는 배선 기판에 플라즈마를 처리하는 플라즈마 클리닝 공정, 플라즈마 클리닝 공정 후 접착제층을 가열하는 가열 공정 및 가열 공정 후 접착 시트를 상기 리드 프레임 또는 상기 배선 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 구비한다.The method for manufacturing a semiconductor using the adhesive sheet of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor using an adhesive sheet comprising a bonding step of bonding an adhesive sheet to a lead frame or a wiring board, a plasma cleaning step of treating the lead frame or the wiring substrate with plasma, And a peeling step of peeling the adhesive sheet from the lead frame or the wiring board after the heating step and the heating step.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다. 도 1은 반도체소자를 탑재하는 쪽에서 본 리드 프레임의 평면도이고, 도 2(a)~(f)는 도 1에 나타낸 리드 프레임을 이용해 QFN 패키지를 제조하는 방법을 나타내는 공정도이며, 도 1의 리드 프레임의 A-A’단면도이다.Hereinafter, an example of a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet of the present invention will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig. Fig. 1 is a plan view of a lead frame viewed from a side where semiconductor elements are mounted. Fig. 2 (a) - (f) are process drawings showing a method of manufacturing a QFN package using the lead frame shown in Fig. Sectional view taken along line A-A 'of FIG.

또한, 이하의 설명에서는 불소를 함유하는 첨가제, 반응성 엘라스토머 및 경화제를 함유하는 열경화형의 접착제층을 구비하는 접착 시트를 이용하여, 리드 프레임을 첩착 대상으로 하는 QFN 패키지를 제조하는 경우를 예로 들어 설명한다.In the following description, an example is described in which a QFN package to which a lead frame is adhered is manufactured by using an adhesive sheet having a thermosetting adhesive layer containing a fluorine-containing additive, a reactive elastomer and a curing agent do.

본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법은 리드 프레임에 접착 시트를 첩착하는 첩착 공정, 리드 프레임에 반도체소자를 탑재하는 다이아터치 공정, 리드 프레임에 플라즈마를 처리하는 플라즈마 클리닝 공정, 반도체소자와 리드 프레임의 리드를 전기적으로 접속하는 와이어본딩 공정, 접착 시트의 접착제층을 가열하는 가열 공정, 봉지 수지로 반도체소자를 봉지하는 봉지 공정, 리드 프레임으로부터 접착 시트를 박리하여 QFN 유닛을 얻는 박리 공정 및 QFN 유닛을 분할하여 QFN 패키지를 얻는 다이싱 공정을 구비한다. 더욱이 접착 시트의 접착제층을 가열하는 가열 공정은 와이어본딩 공정에 포함될 수 있다.The semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment is characterized in that the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment includes a bonding step of bonding an adhesive sheet to a lead frame, a diamond touch step of mounting a semiconductor element on a lead frame, a plasma cleaning step of treating the lead frame with a plasma, A heating step of heating the adhesive layer of the adhesive sheet, a sealing step of sealing the semiconductor element with the sealing resin, a peeling step of peeling the adhesive sheet from the lead frame to obtain a QFN unit, and a QFN unit And a dicing step of obtaining a QFN package. Further, the heating process for heating the adhesive layer of the adhesive sheet may be included in the wire bonding process.

먼저, 도 1에 나타낸 개략적인 구성의 리드 프레임(20)을 준비한다. 리드 프레임(20)은 IC 칩 등의 반도체소자를 탑재하는 복수 개의 반도체소자 탑재부(다이 패드부)(21)가 매트릭스 형태로 형성되어, 각 반도체소자 탑재부(21)의 외주를 따라 다수의 리드(22)가 형성된 것이다.First, a lead frame 20 having a schematic configuration shown in Fig. 1 is prepared. The lead frame 20 includes a plurality of semiconductor element mounting portions (die pad portions) 21 on which semiconductor elements such as IC chips are mounted in a matrix form, and a plurality of leads 22).

리드 프레임(20)의 재질로는 종래 공지된 것을 들 수 있고, 예를 들어, 구리판의 표면에 니켈 도금층, 팔라듐 도금층 및 금 도금층이 순차적으로 설치된 것일 수 있다.As the material of the lead frame 20, conventionally known materials may be used, and for example, a nickel plating layer, a palladium plating layer and a gold plating layer may be successively provided on the surface of the copper plate.

도 2(a)에 도시된 바와 같이, 접착제층(미도시)이 리드 프레임(20)에 당접(

Figure 112013026022156-pat00001
)하도록 리드 프레임(20)의 한쪽 면(아래쪽 면)에 접착 시트(10)를 첩착한다(첩착 공정). 접착 시트(10)를 리드 프레임(20)에 첩착하는 방법으로는 라미네이트법 등이 매우 적합하다. 이 때, 리드 프레임(20)에 접착제층이 당접한 상태로 접착제층을 임의의 온도로 가열할 수도 있다. 이 가열에 의해 접착제층이 경화되고, 리드 프레임(20)에 접착 시트(10)가 보다 강고하게 첩착된다. 또한, 접착제층의 경화 전 접착 강도가 충분한 경우에는 첩착 공정으로 접착제층을 가열하는 대신, 후술하는 다이아터치 공정으로 가열 처리함으로써 접착제층을 경화할 수도 있다. 반도체 장치의 생산성을 높이는 관점에서는, 다이아터치 공정으로 접착제층을 경화하는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 2 (a), an adhesive layer (not shown) contacts the lead frame 20
Figure 112013026022156-pat00001
The adhesive sheet 10 is attached to one side (lower surface) of the lead frame 20 (adhesion step). As a method of attaching the adhesive sheet 10 to the lead frame 20, a lamination method and the like are very suitable. At this time, the adhesive layer may be heated to an arbitrary temperature in a state in which the adhesive layer is in contact with the lead frame 20. By this heating, the adhesive layer is hardened, and the adhesive sheet 10 is adhered to the lead frame 20 more firmly. When the adhesive strength before curing of the adhesive layer is sufficient, the adhesive layer may be cured by heat treatment in a later-described die-touch process, instead of heating the adhesive layer in the adhesive process. From the viewpoint of enhancing the productivity of the semiconductor device, it is preferable to cure the adhesive layer by a diapot process.

도 2(b)에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(20)의 반도체소자 탑재부(21)에서 접착 시트(10)가 첩착되어 있지 않은 쪽에, 다이아터치제(미도시)를 개입시켜 IC 칩 등의 반도체소자(30)를 재치(載置)한다. 그 후, 100~200℃ 정도로 가열하여, 다이아터치제를 경화하고, 반도체소자(30)를 반도체소자 탑재부(21)에 고정하여 탑재한다(다이아터치제 경화처리. 이상, 다이아터치 공정.). 여기서, 접착제층 내의 불소를 함유하는 첨가제는 첩착 공정 또는 다이아 터치 공정으로 가열되어 접착제층의 표면에 편재하게 된다.An IC chip or the like is attached to the semiconductor element mounting portion 21 of the lead frame 20 on the side where the adhesive sheet 10 is not adhered, And the semiconductor element 30 is placed thereon. Thereafter, the diaphragm is hardened by heating at about 100 to 200 ° C, and the semiconductor element 30 is fixed to the semiconductor element mounting portion 21 (diamond touch-hardening treatment or more, diamond touch step). Here, the fluorine-containing additive in the adhesive layer is heated on the surface of the adhesive layer by the adhesion process or the diap touch process.

접착 시트(10)나 다이아터치제 등으로부터 발생하는 아웃 가스 성분이 리드 프레임(20)이나 반도체소자(30)에 부착되어 있으면, 와이어본딩 공정에서 와이어의 접합 불량에 의한 보류저하를 일으키기 쉽다. 그래서, 다이아 터치 공정 후, 와이어본딩 공정 전에, 리드 프레임(20)이나 반도체소자(30)에 플라즈마를 처리한다(플라즈마 클리닝 공정). 플라즈마 처리로는, 예를 들어, 접착 시트(10)가 첩착되고, 반도체소자(30)가 탑재된 리드 프레임(20)(이하, 제작 중 제품이라 한다)을 아르곤 가스, 또는 아르곤 가스와 수소 가스의 혼합 가스 등의 분위기로 플라즈마 조사하는 방법일 수 있다. 플라즈마 처리에서의 플라즈마의 조사 출력은, 예를 들어, 150~600 W이다. 또한, 플라즈마 처리의 시간은, 예를 들어, 0.01~5분간이다.If an outgas component generated from the adhesive sheet 10 or the diazotizer is adhered to the lead frame 20 or the semiconductor element 30, it is likely to cause reduction in hold due to wire bonding failure in the wire bonding step. Thus, after the diamond touch process and before the wire bonding process, the lead frame 20 and the semiconductor element 30 are subjected to plasma treatment (plasma cleaning process). As the plasma processing, for example, a lead frame 20 (hereinafter referred to as a product under production) on which an adhesive sheet 10 is adhered and on which a semiconductor element 30 is mounted is filled with argon gas or argon gas and hydrogen gas A mixed gas of argon gas and argon gas. The output power of the plasma in the plasma treatment is, for example, 150 to 600 W. The time of the plasma treatment is, for example, 0.01 to 5 minutes.

플라즈마가 처리되면, 접착제층은 불소를 함유하는 첨가제가 편재되어 있던 표면층이 절삭되고, 접착제층 표면의 불소를 함유하는 첨가제의 양이 감소한다. 이 때, 접착제층의 표면에서는 박리성을 높이기 위한 불소를 함유하는 첨가제의 양이 불충분해지고, 접착 시트(10)의 박리성이 저하된다.When the plasma is treated, the adhesive layer cuts the surface layer in which the fluorine-containing additive is localized, and the amount of the fluorine-containing additive on the surface of the adhesive layer decreases. At this time, on the surface of the adhesive layer, the amount of the fluorine-containing additive for improving the peelability becomes insufficient, and the peelability of the adhesive sheet 10 is lowered.

도 2(c)에 도시된 바와 같이, 반도체소자(30)와 리드 프레임(20)의 리드(22)를 금 와이어 등의 본딩와이어(31)로 전기적으로 연결한다(와이어본딩 공정). 본 공정은 히터 블록 상에서 제작 중 제품을 150~250℃ 정도로 가열함으로써 수행된다. 본 공정에서의 가열 시간은, 예를 들어, 5~30분이다. 본 실시 형태에서는 와이어본딩 공정이 접착제층을 가열하는 가열 공정을 겸하고 있다.The semiconductor element 30 and the lead 22 of the lead frame 20 are electrically connected to each other by a bonding wire 31 such as a gold wire as shown in Fig. 2 (c) (wire bonding step). This process is performed by heating the product to 150 to 250 ° C on the heater block. The heating time in this step is, for example, 5 to 30 minutes. In the present embodiment, the wire bonding process also serves as a heating process for heating the adhesive layer.

와이어본딩 공정으로 제작 중 제품이 가열되면, 접착제층 내에 분산되어 있는 불소를 함유하는 첨가제가 접착제층의 표면으로 이행한다. 여기서, 접착제층의 표면 불소 복원율이 70% 이상이기 때문에 접착제층의 표면의 불소를 함유하는 첨가제의 양은 박리성을 높이는데 충분한 양이 된다. 그리고, 후술되는 박리 공정에서 접착 시트(10)는 리드 프레임(20) 및 봉지 수지(40)로부터 박리되기 용이해진다.When the product is heated during the wire bonding process, the fluorine-containing additive dispersed in the adhesive layer migrates to the surface of the adhesive layer. Here, since the surface fluorine recovery ratio of the adhesive layer is 70% or more, the amount of the fluorine-containing additive on the surface of the adhesive layer is sufficient to increase the peelability. In the peeling step to be described later, the adhesive sheet 10 is easily peeled off from the lead frame 20 and the sealing resin 40.

도 2(d)에 도시된 바와 같이, 도 2(c)에 도시된 제작 중 제품을 금형 내에 재치하고, 봉지 수지(몰딩 재료)를 이용하여 트랜스퍼 몰딩(금형 성형)함으로써, 반도체소자(30)를 봉지 수지(40)로 봉지한다(봉지 공정). 봉지 수지로는 종래 공지된 것이 이용되고, 예를 들어, 에폭시 수지 및 무기 필러 등의 혼합물일 수 있다.As shown in Fig. 2 (d), the product during the production shown in Fig. 2 (c) is placed in a metal mold and transfer molding (mold molding) is performed using an encapsulating resin (molding material) Is sealed with a sealing resin 40 (sealing step). As the encapsulating resin, conventionally known ones may be used, for example, a mixture of an epoxy resin and an inorganic filler.

도 2(e)에 도시된 바와 같이, 접착 시트(10)를 봉지 수지(40) 및 리드 프레임(20)으로부터 박리함으로써, 복수 개의 QFN 패키지(50)가 배열된 QFN 유닛(60)을 얻는다(박리 공정). 이 때, 접착제층의 표면에 충분한 양의 불소를 함유하는 첨가제가 존재하기 때문에, 리드 프레임(20) 및 봉지 수지(40)로부터 접착 시트(10)를 용이하게 박리할 수 있다.The adhesive sheet 10 is peeled from the sealing resin 40 and the lead frame 20 to obtain a QFN unit 60 in which a plurality of QFN packages 50 are arranged as shown in Figure 2 (e) Peeling process). At this time, since the additive containing fluorine is present in a sufficient amount on the surface of the adhesive layer, the adhesive sheet 10 can be easily peeled off from the lead frame 20 and the sealing resin 40.

도 2(f)에 도시된 바와 같이, QFN 유닛(60)을 각 QFN 패키지(50)의 외주를 따라 다이싱함으로써, 복수 개의 QFN 패키지(50)를 얻는다(다이싱 공정).As shown in Fig. 2 (f), the QFN unit 60 is diced along the outer periphery of each QFN package 50 to obtain a plurality of QFN packages 50 (dicing step).

상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 접착 시트(10)를 이용하여 QFN 패키지 등의 반도체 장치를 제조함으로써, 플라즈마 클리닝 공정을 수행함에도, 접착 시트(10)가 리드 프레임(20) 및 봉지 수지(40)로부터 용이하게 박리된다. 이 때문에, 작업 효율을 높여 반도체 장치의 생산성을 높일 수 있고, 접착제 잔류에 의한 반도체 장치의 불량품화를 방지할 수 있다.As described above, the semiconductor device such as the QFN package is manufactured by using the adhesive sheet 10 of the present embodiment, so that the adhesive sheet 10 is prevented from adhering to the lead frame 20 and the sealing resin 40 ). Therefore, the productivity of the semiconductor device can be increased by increasing the working efficiency, and the defect of the semiconductor device due to the residual adhesive can be prevented.

추가적으로, 상술한 실시 형태에서는 리드 프레임을 이용한 QFN 패키지의 제조 방법을 예로 들어 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 리드 프레임을 이용한 QFN 패키지 이외의 반도체 장치의 제조 방법, 배선 기판을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에도 적용될 수 있다.Further, in the above-described embodiments, a method of manufacturing a QFN package using a lead frame is described as an example. However, the present invention is not limited to this, and a semiconductor device manufacturing method other than a QFN package using a lead frame, Can also be applied.

상술한 실시 형태에서는 와이어본딩 공정이 가열 공정을 겸하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 예를 들어, 접착제층을 가열하는 가열 공정이 플라즈마 클리닝 공정과 와이어본딩 공정의 사이, 또는 와이어본딩 공정과 봉지 공정의 사이에 독립적으로 수행될 수도 있다.For example, the heating process for heating the adhesive layer may be performed between the plasma cleaning process and the wire bonding process, or between the wire bonding process and the wire bonding process. And may be performed independently during the sealing process.

가열 공정에 있어서의 가열 온도는 불소 화합물 등의 종류 등에 따라 결정되고, 예를 들어, 150~250℃ 정도이다. 또한, 가열 공정에서의 가열 시간은 함불소 화합물의 종류 등에 따라 결정되고, 예를 들어, 5~30분이다.
The heating temperature in the heating step is determined depending on the kind of the fluorine compound or the like and is, for example, about 150 to 250 캜. The heating time in the heating step is determined depending on the kind of the fluorinated compound, and is, for example, 5 to 30 minutes.

[실시예][Example]

이하에서 실시예를 이용하여 본 발명을 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

(사용 원료)(Raw materials used)

＜불소를 함유하는 첨가제＞≪ Additive containing fluorine >

메가팩(MEGAFAC) F-554 : 함불소기·친유성기함유 올리고머인 비이온 계면활성제, 25℃에서 액체, DIC 주식회사 제.MEGAFAC F-554: Nonionic surfactant which is an oligomer containing fluorine group and lipophilic group, liquid at 25 占 폚, manufactured by DIC Corporation.

모디퍼(MODIPER) F600 : 메타크릴산 에스테르와 아크릴산 불화알킬의 블록 코폴리머, 25℃에서 고체(분체), 일유 주식회사 제.MODIPER F600: a block copolymer of methacrylic acid ester and alkyl acrylate fluoride, solid at 25 占 폚, powder;

＜반응성 엘라스토머＞≪ Reactive elastomer &

터프텍(TUFTEC) M-1943 : 무수말레산함유 SEBS, S/EB 비=20/80, 산가=10mg CH3ONa/g, 욱화성 케미컬즈 주식회사 제.S / EB ratio = 20/80, acid value = 10 mg CH 3 ONa / g, manufactured by Ushiku Chemical Industries Co., Ltd., TUFTEC M-1943: SEBS containing maleic anhydride, S / EB ratio =

터프텍 M-1911 : 무수말레산함유 SEBS, S/EB 비=30/70, 산가=2mg CH3ONa/g, 욱화성 케미컬즈 주식회사 제.Tuftec M-1911: SEBS containing maleic anhydride, S / EB ratio = 30/70, acid value = 2 mg CH 3 ONa / g, manufactured by Ukika Chemicals Corporation.

＜그 외의 수지＞<Other Resins>

루미플론(LUMIFLON) LF200F : 불소 함유 열경화성 수지, 욱초자 주식회사 제.LUMIFLON LF200F: fluorine-containing thermosetting resin, manufactured by Wako Co., Ltd.

＜경화제＞<Curing agent>

듀라네이트(DURANATE) TSA-100 : 이소시아네이트, 욱화성 케미컬즈 주식회사 제.DURANATE TSA-100: Isocyanate, manufactured by Ukika Chemicals & Co., Ltd.

＜산화 방지제＞<Antioxidant>

IRGANOX 1010FF : BASF사 제.IRGANOX 1010FF: manufactured by BASF.

수밀라이저(SUMILIZER) GS(F) : 주우화학 주식회사 제.SUMILIZER GS (F): manufactured by ZU Chemical Co., Ltd.

(실시예 1~3, 비교예 1~4)(Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4)

표 1의 조성에 따라, 각 원료를 적당량의 톨루엔에 분산시켜 접착제 도포액을 조제하였다.According to the composition shown in Table 1, each raw material was dispersed in an appropriate amount of toluene to prepare an adhesive coating liquid.

다음으로, 폴리이미드 수지 필름(토레이·듀퐁 주식회사 제, 상품명 : 캡톤(KAPTON) 100 EN, 두께 25 ㎛, 유리 전이 온도 300℃ 이상, 열팽창 계수 16 ppm/℃)을 내열성기재로 이용하여, 그 위에 건조 후의 두께가 5 ㎛가 되도록 상기 접착제 도포액을 도포하였다. 접착제 도포액을 도포한 후 150℃로 3분간 건조시켜, 각 예의 접착 시트를 수득하였다. 수득한 접착 시트에 대해, 표면 불소 함유율 및 접착 강도를 측정하고, 몰드 플래시의 유무 및 접착제 잔류의 유무를 평가하였다.Next, a polyimide resin film (trade name: KAPTON 100 EN, thickness 25 占 퐉, glass transition temperature 300 占 폚 or higher, thermal expansion coefficient 16 ppm / 占 폚 manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) The above-mentioned adhesive coating liquid was applied so that the thickness after drying was 5 占 퐉. The adhesive coating liquid was applied and then dried at 150 DEG C for 3 minutes to obtain an adhesive sheet of each example. On the obtained adhesive sheet, the surface fluorine content and the adhesive strength were measured, and the presence or absence of the mold flash and the residual adhesive were evaluated.

(측정 방법)(How to measure)

＜표면 불소 함유율의 측정＞&Lt; Measurement of surface fluorine content &gt;

접착제층을 위로하여, 각 예의 접착 시트를 항온기(퍼펙트 오븐 PHH-201, 에스펙(ESPEC) 주식회사 제)에 넣고, 175℃에서 1시간 가열하여 접착제층을 경화시켰다. 경화시킨 접착제층의 표면 불소 함유율을 후술하는 《표면 불소 함유율의 측정 방법》에 따라 측정하여 초기 표면 불소 함유율β로 하였다.The adhesive sheet of each example was placed in a thermostat (Perfect Oven PHH-201, manufactured by ESPEC) and heated at 175 占 폚 for 1 hour to cure the adhesive layer. The surface fluorine content of the cured adhesive layer was measured according to the &quot; method for measuring the surface fluorine content &quot;

다음으로, 접착제층을 위로하여, 접착 시트를 플라즈마 클리너 장치(YES-G1000, YIELD ENGINEERING SYSTEM사 제)에 배치하고, 아르곤 가스 분위기(아르곤 가스 100 질량% 분위기) 하에서, 450 W의 출력 조건으로 접착제층에 1분간의 플라즈마를 처리하였다. 플라즈마가 처리된 직후의 접착제층의 표면 불소 함유율을 후술하는 《표면 불소 함유율의 측정 방법》에 따라 측정하여 플라즈마 처리 후의 표면 불소 함유율로 하였다.Next, the adhesive sheet was placed in a plasma cleaner (YES-G1000, manufactured by YIELD ENGINEERING SYSTEM) with the adhesive layer facing up. Under an argon gas atmosphere (atmosphere of argon gas 100 mass% The layer was treated with plasma for 1 minute. The surface fluorine content of the adhesive layer immediately after the plasma treatment was measured in accordance with the &quot; Method of measuring the surface fluorine content &quot; described later, and the surface fluorine content after the plasma treatment was determined.

플라즈마가 처리된 접착제층을 위로하여, 접착 시트를 핫 플레이트(EC-1200, 정내성영당 제)에 넣고, 220℃에서 15분간 가열하였다. 가열 종료 후, 25℃에서 24시간 정치한 후, 접착제층의 표면 불소 함유율을 후술하는 《표면 불소 함유율의 측정 방법》에 따라 측정하여 복원 후 표면 불소 함유율α로 하였다.The adhesive sheet was placed on a hot plate (EC-1200, made by Nippon Kayaku Co., Ltd.) with the plasma-treated adhesive layer facing up, and heated at 220 占 폚 for 15 minutes. After the completion of the heating, the substrate was allowed to stand at 25 占 폚 for 24 hours, and then the surface fluorine content of the adhesive layer was measured according to the &quot; method for measuring the surface fluorine content &quot;

《표면 불소 함유율의 측정 방법》&Quot; Method of measuring surface fluorine content &quot;

주사형 X선 광전자 분광 분석 장치(XPS/ESCA, Quantera SXM, ULVAC·PHI 주식회사 제)를 이용하여 하기와 같은 조건으로 접착제층의 표면을 측정하였다. 표면 불소 함유율(atom%)은 탄소, 질소, 산소, 불소, 규소 및 금의 합계 100 atom%에 대한 함유율로서 표현된 것이다. 아울러, 각 예에서의 표면 불소 함유율의 측정에서는 모두 규소 및 돈이 검출되지 않았다.The surface of the adhesive layer was measured under the following conditions using a scanning X-ray photoelectron spectroscopic analyzer (XPS / ESCA, Quantera SXM, manufactured by ULVAC · PHI Co., Ltd.). The surface fluorine content (atom%) is expressed as a content ratio of 100 atom% of the total of carbon, nitrogen, oxygen, fluorine, silicon and gold. In addition, no silicon or money was detected in the measurement of the surface fluorine content in each example.

측정 조건Measuring conditions

X선원 : 단색화 AlKαX-ray source: monochromatic AlK alpha

X선 출력 : 25. 0WX-ray output: 25. 0W

X선 조사 지름 : φ100 ㎛X-ray irradiation diameter: φ100 μm

측정 영역 : Point100 ㎛Measurement area: Point 100 탆

광전자 혼잡각 : 45degOptoelectronic Congestion Angle: 45deg

WideScan : 280.0e ; 1.000eV/StepWideScan: 280.0e; 1.000eV / Step

＜접착 강도의 측정＞<Measurement of Adhesive Strength>

구리판에 니켈 도금층, 팔라듐 도금층 및 금 도금층을 순차적으로 배치한 하기와 같은 사양의 제품(32 QFN(CD194, 도금; PD2L+Au) 32 LQFNPADSIZE3. 0 SQMM, 신광전기공업 주식회사 제)을 리드 프레임으로서 이용하였다. 페이퍼 커터(지압기(紙押機) NS형, 내전양행사 제)를 이용하여, 각 예의 접착 시트를 50mm×60mm로 재단하였다. 탁상 라미네이터(MAII-700, 대성라미네이타 주식회사 제)를 이용하여, 25℃, 속도=1.0m/min, 압력=0.37N/mm의 조건으로 재단된 접착 시트를 리드 프레임에 첩착하였다(첩착 공정). 아울러, 실시예 3, 비교예 1 및 비교예 4에 대해서는 25℃에서의 첩착성이 부족했기 때문에 80℃로 리드 프레임에 첩착하였다.(32 QFN (CD194, plated; PD2L + Au) 32 LQFNPADSIZE 3.0 SQMM, manufactured by Shin Kwang Electric Industry Co., Ltd.) having a nickel plating layer, a palladium plating layer and a gold plating layer sequentially arranged on a copper plate was used as a lead frame Respectively. Each example of the adhesive sheet was cut into a size of 50 mm x 60 mm by using a paper cutter (paper press NS type, an abrasion-inducing agent). The adhesive sheet cut at 25 DEG C at a speed of 1.0 m / min and at a pressure of 0.37 N / mm was adhered to a lead frame using a tablet laminator (MAII-700, manufactured by DASON LAMINATE CO., LTD. ). In addition, in Example 3, Comparative Example 1, and Comparative Example 4, adhesion to a lead frame was carried out at 80 占 폚 because adhesion at 25 占 폚 was insufficient.

접착 시트가 첩착된 리드 프레임을 항온기(퍼펙트 오븐 PHH-201, 에스펙 주식회사 제)에 넣고, 175℃로 1시간 가열하여 접착제층을 경화시켰다(다이아터치 공정에서의 다이아터치제 경화 처리에 해당).The lead frame to which the adhesive sheet was adhered was placed in a thermostat (Perfect Oven PHH-201, manufactured by Espec Co., Ltd.) and heated at 175 占 폚 for 1 hour to cure the adhesive layer (corresponding to the diaphragm- .

그런 다음, 접착제층을 위로하여, 접착 시트를 플라즈마 클리너 장치(YES-G1000, YIELD ENGINEERING SYSTEM사 제)에 배치하고, 아르곤 가스 분위기 하에서, 450 W의 출력 조건으로 접착제층에 1분간의 플라즈마를 처리하였다(플라즈마 클리닝 공정).Then, the adhesive sheet was placed in a plasma cleaner (YES-G1000, manufactured by YIELD ENGINEERING SYSTEM) with the adhesive layer facing up, and the adhesive layer was subjected to a plasma treatment for 1 minute under an output condition of 450 W under an argon gas atmosphere (Plasma cleaning process).

플라즈마 클리닝 공정 후, 접착 시트를 아래쪽으로 하여, 접착 시트가 첩착된 리드 프레임을 핫 플레이트(EC-1200, 정내성영당 제)에 넣고, 220℃로 15분간 가열하였다(와이어본딩 공정에 상당).After the plasma cleaning process, the lead frame to which the adhesive sheet was adhered was placed in a hot plate (EC-1200, made by Nippon Kayaku Co., Ltd.) with the adhesive sheet facing downward and heated at 220 占 폚 for 15 minutes (equivalent to the wire bonding process).

와이어본딩 공정 종료 후, 트랜스퍼 몰딩 프레스(TEP12-16, 등화정밀기계 주식회사 제)를 이용하여 가열 온도 175℃, 수지 압력 69 MPa, 금형 압력 14 MPa의 조건으로 접착 시트가 첩착된 리드 프레임을 봉지 수지(KMC-3520 L, 신활화학공업 주식회사 제)로 봉지하였다(봉지 공정). 봉지 공정 후, 25℃에서 24시간 정치시킨 후, 후술하는 《수지 봉지 후 리드 프레임과의 접착 강도의 측정 방법》에 따라 수지 봉지 후 리드 프레임과의 접착 강도를 측정하였다.After completion of the wire bonding process, the lead frame, to which the adhesive sheet was adhered, was bonded to the sealing resin using a transfer molding press (TEP12-16, manufactured by Kyowa Precision Machinery Co., Ltd.) at a heating temperature of 175 占 폚, a resin pressure of 69 MPa, (KMC-3520 L, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (sealing process). After the sealing step, the sample was allowed to stand at 25 占 폚 for 24 hours, and then the bonding strength with the lead frame was measured after resin sealing according to the &quot; method of measuring the bonding strength with the lead frame after resin sealing &quot;

리드 프레임의 사양Lead frame specification

외부 치수 : 55mm × 58mmOutside dimension: 55mm × 58mm

용도 : QFN 용Application: For QFN

QFN의 배열 : 8×8개(합계 64개)의 매트릭스 배열Array of QFNs: 8 × 8 (64 total) matrix arrays

패키지 사이즈 : 5mm × 5mmPackage size: 5mm × 5mm

핀 수 : 32Number of Pins: 32

《수지 봉지 후 리드 프레임과의 접착 강도의 측정 방법》&Quot; Method of measuring bonding strength with lead frame after resin sealing &quot;

만능 인장 시험기(AGS-100 B, 주식회사 도진제작소 제)를 이용하여 측정 온도 25℃, 박리 각도 90°, 박리 속도 50 mm/min로 인장 시험을 실시하여, 수지 봉지 후 리드 프레임과의 접착 강도를 측정하였다.A tensile test was carried out at a measuring temperature of 25 DEG C, a peeling angle of 90 DEG and a peeling rate of 50 mm / min using a universal tensile tester (AGS-100B, manufactured by Tojin Co., Ltd.) Respectively.

＜경화 전 접착 강도의 측정 방법＞<Method of Measuring Adhesive Strength before Curing>

각 예의 접착 시트(20 mm 폭)를 구리판(구리스트라이크도금판 ELA601, 25mm × 100mm, 신광전기공업 주식회사 제)에, 탁상 라미네이터(MAII-700, 대성 라미네이터 주식회사 제)를 이용하여, 25℃, 속도=1.0m/min, 압력=0.37N/mm로 첩착하여 측정 시료로 삼았다. 이 측정 시료에 대해, 만능 인장 시험기(AGS-100B, 주식회사 도진제작소 제)를 이용하여 측정 온도 25℃, 박리 각도 90°, 박리 속도 50 mm/min로 인장 시험을 실시하여, 경화 전 접착 강도를 측정하였다. 아울러, 실시예 3에 대해서는 25℃에서의 첩착성이 부족했기 때문에 80℃으로 구리판에 첩착한 것을 측정 시료로 삼았다.(20 mm in width) was laminated on a copper plate (copper strike or gold plate ELA601, 25 mm x 100 mm, manufactured by Shin Kwang Denki Kogyo K.K.) using a tabletop laminator (MAII-700, Daesung Laminator Co., Ltd.) = 1.0 m / min, and the pressure was 0.37 N / mm, and used as a measurement sample. The tensile test was carried out on this measured sample using a universal tensile tester (AGS-100B, manufactured by TOJIN CO., LTD.) At a measuring temperature of 25 DEG C, a peeling angle of 90 DEG and a peeling rate of 50 mm / Respectively. In addition, for Example 3, a sample which was attached to a copper plate at 80 占 폚 was used as a measurement sample since the adhesiveness at 25 占 폚 was insufficient.

＜몰드 플래시 발생의 유무＞<Presence of mold flash generation>

상기 ＜접착 강도의 측정＞에서, 접착 강도를 측정한 후, 리드 프레임에서의 접착 시트의 첩착면을 광학 현미경(디지털 현미경 VHX-500, 주식회사 KEYENCE 제)으로 관찰하여, 몰드 플래시 발생의 유무를 판단하였다. 표 중, 1개의 리드 프레임(64개의 QFN 패키지) 중에서 몰드 플래시가 인정된 QFN 패키지의 수를 기재하였다.After measuring the adhesive strength, the adhesion surface of the adhesive sheet in the lead frame was observed with an optical microscope (digital microscope VHX-500, manufactured by KEYENCE Co., Ltd.) to determine whether or not the mold flash occurred Respectively. In the table, the number of QFN packages for which the mold flash is recognized among one lead frame (64 QFN packages) is described.

＜접착제 잔류의 유무＞<Presence of adhesive residue>

상기 ＜접착 강도의 측정＞에서, 접착 강도를 측정한 다음, 수지 봉지 후 리드 프레임에의 접착제 잔류의 유무를 광학 현미경(디지털 현미경 VHX-500, 주식회사 KEYENCE 제)으로 확인하였다. 표 중, 1개의 리드 프레임(64개의 QFN 패키지) 중에서 접착제 잔류가 인정된 QFN 패키지의 수를 기재하였다.In the &quot; Measurement of Adhesive Strength &quot;, the adhesive strength was measured, and after the resin sealing, the presence or absence of the adhesive remained on the lead frame was confirmed by an optical microscope (digital microscope VHX-500, manufactured by KEYENCE CORPORATION). In the table, the number of QFN packages in which adhesive residue is recognized among one lead frame (64 QFN packages) is described.

Figure 112014070519023-pat00005
Figure 112014070519023-pat00005

표 1에 나타난 바와 같이, 각 예 모두 표면 불소 함유율은 플라즈마 클리닝 공정을 거침으로써 감소하는 것이 확인할 수 있었다.As shown in Table 1, it was confirmed that the surface fluorine content in each example decreased by the plasma cleaning process.

본 발명을 적용한 실시예 1~3은 수지 봉지 후 리드 프레임과의 접착 강도가 15N/50mm 이하이며, 용이하게 박리할 수 있는 것이었다. 더욱이, 실시예 1~3은 모두 몰드 플래시의 발생 및 접착제 잔류가 없었다.Examples 1 to 3 in which the present invention was applied showed that the adhesive strength to the lead frame after resin sealing was 15 N / 50 mm or less, and that the peeling was easily possible. Furthermore, in all of Examples 1 to 3, mold flash generation and adhesive remnants were not observed.

한편, 표면 불소 복원율이 70% 미만인 비교예 1~4는 수지 봉지 후 리드 프레임과의 접착 강도가 15N/50mm보다 크며, 박리하기 어려운 것이었다.On the other hand, in Comparative Examples 1 to 4, in which the surface fluorine recovery ratio was less than 70%, the bonding strength with the lead frame after resin sealing was larger than 15 N / 50 mm and was difficult to peel off.

이러한 결과로부터, 본 발명을 적용함으로써 박리 공정에서 우수한 박리성을 나타낼 수 있음이 확인되었다.
From these results, it was confirmed that the present invention can exert excellent releasability in the peeling process.

10 : 반도체 장치 제조용 접착 시트
20 : 리드 프레임
30 : 반도체소자
31 : 본딩와이어
40 : 봉지 수지
50 : QFN 패키지10: Adhesive sheet for semiconductor device manufacturing
20: Lead frame
30: Semiconductor device
31: Bonding wire
40: sealing resin
50: QFN package

Claims (3)

기재; 및 상기 기재의 한쪽 면에 설치된, 불소를 함유하는 첨가제를 함유하는 접착제층;을 구비하며, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착(貼着)되는 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서,
상기 접착제층은 하기 식 (I)으로 구해지는 표면 불소 복원율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트.
표면 불소 복원율(%) = 복원 후 표면 불소 함유율α ÷ 초기 표면 불소 함유율β × 100 … (I)
[식 (I)에서, 복원 후 표면 불소 함유율α은 아르곤 가스 분위기 하에서, 접착제층에 450 W의 출력 조건으로 1분간 플라즈마를 처리한 다음, 접착제층을 220℃에서 15분간 가열한 후의 접착제층 표면의 불소 함유율(atom%)이다. 초기 표면 불소 함유율β은 상기 플라즈마를 처리하기 전의 접착제층 표면의 불소 함유율(atom%)이다.]
materials; And an adhesive layer containing a fluorine-containing additive provided on one side of the substrate, wherein the adhesive sheet is peelably adhered to (adhered to) a lead frame or a wiring board of a semiconductor device,
Wherein the adhesive layer has a surface fluorine recovery of 70% or more as determined by the following formula (I).
Surface fluorine recovery (%) = Surface fluorine content after restoration α ÷ Initial surface fluorine content β × 100 ... (I)
In the formula (I), the surface fluorine content after restoration? Was treated in an argon gas atmosphere under an output condition of 450 W for 1 minute under an argon gas atmosphere, and then the adhesive layer was heated at 220 占 폚 for 15 minutes to form an adhesive layer surface Of fluorine (atom%). The initial surface fluorine content ratio? Is the fluorine content (atom%) of the surface of the adhesive layer before the plasma treatment.
청구항 1에 있어서, 상기 복원 후 표면 불소 함유율α은 18 atom% ~ 50 atom%인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트.
The adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the surface fluorine content after restoration α is 18 atom% to 50 atom%.
청구항 1 또는 청구항 2의 반도체 장치 제조용 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 리드 프레임 또는 상기 배선 기판에 상기 반도체 장치 제조용 접착 시트를 첩착(貼着)하는 첩착 공정;
상기 리드 프레임 또는 상기 배선 기판에 플라즈마를 처리하는 플라즈마 클리닝 공정;
상기 플라즈마 클리닝 공정 후, 상기 접착제층을 가열하는 가열 공정; 및
상기 가열 공정 후, 상기 반도체 장치 제조용 접착 시트를 상기 리드 프레임 또는 전기 배선 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device using an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device according to claim 1 or 2,
A bonding step of bonding the adhesive sheet for semiconductor device production to the lead frame or the wiring board;
A plasma cleaning process for treating the lead frame or the wiring board with plasma;
A heating step of heating the adhesive layer after the plasma cleaning step; And
And a peeling step of peeling off the adhesive sheet for manufacturing the semiconductor device from the lead frame or the electric wiring substrate after the heating step.
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