KR101473091B1 - 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법 - Google Patents

기판 검사 장치 및 기판 검사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101473091B1
KR101473091B1 KR1020130022758A KR20130022758A KR101473091B1 KR 101473091 B1 KR101473091 B1 KR 101473091B1 KR 1020130022758 A KR1020130022758 A KR 1020130022758A KR 20130022758 A KR20130022758 A KR 20130022758A KR 101473091 B1 KR101473091 B1 KR 101473091B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
substrate
inspection
simulation
data
Prior art date
Application number
KR1020130022758A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130135037A (ko
Inventor
사토루 야사카
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20130135037A publication Critical patent/KR20130135037A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101473091B1 publication Critical patent/KR101473091B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95638Inspecting patterns on the surface of objects for PCB's

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

[과제] 에칭 시뮬레이션을 이용하여 오검출이 적은 결함 검사를 행하고, 또한, 에칭 정보의 측정을 위해 복수의 장치 사이에서 기판을 이동시킬 필요가 없는 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법을 제공한다.
[해결 수단] 이 기판 검사 장치는, 기판의 표면에 형성된 측정용 패턴으로부터 에칭 곡선을 측정하고, 상기 에칭 곡선을 이용하여 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성한다. 그리고 상기 검사 데이터와, 기판의 표면에 형성된 배선 패턴의 화상 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출한다. 이로 인해, 에칭 곡선에 따라 생성된 검사 데이터에 기초하여, 오검출이 적은 결함 검사를 행할 수 있다. 또, 단일 기판 검사 장치에 있어서, 에칭 곡선의 측정, 에칭 시뮬레이션, 및 결함의 검출이 행해진다. 이로 인해, 복수의 장치의 사이에서 기판을 이동시킬 필요가 없다.

Description

기판 검사 장치 및 기판 검사 방법{APPARATUS FOR AND METHOD OF INSPECTING SUBSTRATE}
본 발명은, 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법에 관한 것이다.
종래, 프린트 기판, 반도체 웨이퍼, 포토 마스크용 유리 기판, 액정 표시 장치용 유리 기판, PDP용 유리 기판, 칼라 필터용 기판, 태양 전지용 기판 등의 정밀 전자 장치용 기판의 제조 공정에서는, 기판의 표면에, 에칭에 의해 배선 패턴이 형성된다. 그리고 형성된 배선 패턴의 품질을 보증하기 위해, 배선 패턴의 결함 검사가 행해진다. 결함 검사에 있어서는, 예를 들어, 검사용의 패턴 데이터와, 기판으로부터 읽어낸 화상 데이터를 대조하여, 양 데이터의 차분(差分)이 큰 개소를 결함으로서 검출한다. 이러한 결함 검사를 행하는 종래의 기판 검사 장치에 대해서는, 예를 들어, 특허 문헌 1에 개시되어 있다.
일본국 특허공개 평7-325044호 공보
그런데 에칭 공정에서는, 배선 패턴의 형상이나 간격에 의해, 에칭액에 따른 부식의 정도가 바뀐다. 이는, 각 패턴의 주위에 있어서의 에칭액의 흐름의 용이가, 패턴의 형상이나 간격에 의해, 변화되기 때문이다. 예를 들어, 라인 패턴의 선폭이나 간격, 원형 패턴의 직경 등이, 부식의 정도에 영향을 끼친다. 이로 인해, 설계상의 패턴 데이터와 실제 기판으로부터 읽어낸 화상 데이터를, 단순하게 대조한 것 만으로는, 에칭에 의해 형상이 변화되기 쉬운 개소에 있어서, 많은 오검출이 발생해 버린다. 오검출이 많으면, 결함의 검출 처리에 시간이 걸리는 것뿐만 아니라, 검출된 결함의 확인 작업에도 시간이 걸린다.
그런데 종래에서는, 에칭에 의해 형상이 변화되기 쉬운 개소를 검사 영역으로부터 제외하거나, 상기 개소에 있어서의 검사 감도(感度)를 저하시키거나 하여, 결함 검사를 행하고 있었다. 그러나 그러한 검사 방법으로는, 검출해야 할 결함의 간과가 발생할 우려가 있다.
한편, 설계상의 패턴 데이터를, 에칭 시뮬레이션을 이용하여 변환하면, 패턴 데이터의 형상을 실제 기판상의 배선 패턴의 형상에, 가깝게 할 수 있다. 이로 인해, 상기 패턴 데이터를 사용하여, 오검출이 적은 결함 검사를 행할 수 있다. 그러나 에칭 시뮬레이션을 행하기 위해서는, 실제 기판의 에칭의 정도를 나타내는 에칭 곡선을 측정할 필요가 있다. 종래에서는, 이 에칭 곡선의 측정을 위해, 기판 검사 장치와는 다른 장치에 기판을 반송하고, 패턴의 측장(測長)을 행할 필요가 있었다. 또, 기판의 전면에 대해 에칭 시뮬레이션을 행하면, 에칭 시뮬레이션 자체가 장시간의 처리가 되기 때문에, 전체적으로 공정을 단축하는 것이 어려워진다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 에칭 시뮬레이션을 이용하여 오검출이 적은 결함 검사를 행하고, 또한, 에칭 정보의 측정을 위해 복수의 장치 사이에서 기판을 이동시킬 필요가 없는 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본원의 제1 발명은, 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 장치로서, 기판의 표면에 형성된 측정용 패턴으로부터 에칭 정보를 측정하는 정보 측정 수단과, 상기 에칭 정보를 이용하여, 설계 데이터에 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성하는 시뮬레이션 수단과, 기판의 표면에 형성된 배선 패턴을 촬영하여, 얻어진 화상 데이터와 상기 검사 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출하는 결함 검출 수단을 구비한다.
본원의 제2 발명은, 제1 발명의 기판 검사 장치로서, 상기 배선 패턴은, 복수의 개편(個片) 패턴을 포함하고, 상기 시뮬레이션 수단은, 일부의 개편 패턴의 설계 데이터에 대해, 상기 에칭 시뮬레이션을 행함과 더불어, 상기 에칭 시뮬레이션의 결과를 다면화(imposition)함으로써, 상기 검사 데이터를 생성한다.
본원의 제3 발명은, 제1 발명의 기판 검사 장치로서, 기판의 표면에, 복수의 검사 영역이 설정되고, 복수의 상기 검사 영역의 각각에, 상기 측정용 패턴이 설치되며, 상기 정보 측정 수단은, 복수의 상기 측정용 패턴의 각각에 대해, 에칭 정보를 측정하고, 상기 시뮬레이션 수단은, 각 검사 영역에 포함되는 측정용 패턴으로부터 얻어진 에칭 정보를 이용하여, 상기 검사 영역마다 에칭 시뮬레이션을 행한다.
본원의 제4 발명은, 제3 발명의 기판 검사 장치로서, 상기 검사 영역 내에, 복수의 개편 패턴이 포함되고, 상기 시뮬레이션 수단은, 일부의 개편 패턴의 설계 데이터에 대해, 상기 에칭 시뮬레이션을 행함과 더불어, 상기 에칭 시뮬레이션의 결과를 다면화함으로써, 상기 검사 데이터를 생성한다.
본원의 제5 발명은, 제3 발명 또는 제4 발명의 기판 검사 장치로서, 사용자의 조작에 의해, 복수의 상기 검사 영역을 설정하는 영역 설정 수단을 더 구비한다.
본원의 제6 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명의 기판 검사 장치로서, 상기 배선 패턴과 상기 측정용 패턴이, 단일 기판의 표면에 형성되어 있다.
본원의 제7 발명은, 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 방법으로서, a) 기판의 표면에 형성된 측정용 패턴으로부터 에칭 정보를 측정하는 공정과, b) 상기 에칭 정보를 이용하여, 설계 데이터에 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성하는 공정과, c) 기판의 표면에 형성된 배선 패턴을 촬영하여, 얻어진 화상 데이터와 상기 검사 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출하는 공정을 단일 장치에 있어서 행한다.
본원의 제8 발명은, 제7 발명의 기판 검사 방법으로서, 상기 공정 b)에 있어서는, 상기 배선 패턴을 구성하는 복수의 개편 패턴 중, 일부의 개편 패턴의 설계 데이터에 대해, 상기 에칭 시뮬레이션을 행함과 더불어, 상기 에칭 시뮬레이션의 결과를 다면화함으로써, 상기 검사 데이터를 생성한다.
본원의 제9 발명은, 제7 발명의 기판 검사 방법으로서, 상기 공정 a)에 있어서는, 기판의 표면에 설정된 복수의 검사 영역의 각각에 설치된 복수의 상기 측정용 패턴의 각각에 대해, 에칭 정보를 측정하고, 상기 공정 b)에 있어서는, 각 검사 영역에 포함되는 측정용 패턴으로부터 얻어진 에칭 정보를 이용하여, 상기 검사 영역마다 에칭 시뮬레이션을 행한다.
본원의 제10 발명은, 제9 발명의 기판 검사 방법으로서, 상기 공정 b)에 있어서는, 상기 검사 영역을 구성하는 복수의 개편 패턴 중, 일부의 개편 패턴의 설계 데이터에 대해, 상기 에칭 시뮬레이션을 행함과 더불어, 상기 에칭 시뮬레이션의 결과를 다면화함으로써, 상기 검사 데이터를 생성한다.
본원의 제1 발명에 의하면, 에칭 정보에 따라 생성된 검사 데이터에 기초하여, 오검출이 적은 결함 검사를 행할 수 있다. 또, 단일 기판 검사 장치에 있어서, 에칭 정보의 측정, 에칭 시뮬레이션 및 결함의 검출이 행해진다. 이로 인해, 복수의 장치 사이에서 기판을 이동시킬 필요가 없다.
특히, 본원의 제2 발명에 의하면, 에칭 시뮬레이션에 걸리는 시간을 단축할 수 있다. 이로 인해, 단일 기판 검사 장치에 있어서 에칭 시뮬레이션과 결함의 검출을 행하면서, 처리 전체의 장시간화를 억제할 수 있다.
특히, 본원의 제3 발명에 의하면, 각 검사 영역에 있어서의 에칭의 정도를 더 정확하게 반영한 검사 데이터를 작성할 수 있다. 따라서, 각 검사 영역에 있어서의 오검출을, 더욱 저감할 수 있다.
특히, 본원의 제4 발명에 의하면, 에칭 시뮬레이션에 걸리는 시간을 단축할 수 있다. 이로 인해, 단일 기판 검사 장치에 있어서 에칭 시뮬레이션과 결함의 검출을 행하면서, 처리 전체의 장시간화를 억제할 수 있다.
특히, 본원의 제5 발명에 의하면, 기판 검사 장치의 사용자가, 에칭 처리의 경향이나 검사의 상황에 따라, 검사 영역을 설정할 수 있다.
특히, 본원의 제6 발명에 의하면, 실제 기판과는 별도로 에칭 정보 측정용의 기판을 준비하는 일 없이, 실제 기판에 대해, 에칭 정보의 측정으로부터 결함의 검출까지를 일관되게 행할 수 있다.
또, 본원의 제7 발명에 의하면, 에칭 정보에 따라 생성된 검사 데이터에 기초하여, 오검출이 적은 결함 검사를 행할 수 있다. 또, 단일 장치에 있어서, 에칭 정보의 측정, 에칭 시뮬레이션 및 결함의 검출이 행해진다. 이로 인해, 복수의 장치 사이에서 기판을 이동시킬 필요가 없다.
특히, 본원의 제8 발명에 의하면, 에칭 시뮬레이션에 걸리는 시간을 단축할 수 있다. 이로 인해, 단일 장치에 있어서 에칭 시뮬레이션과 결함의 검출을 행하면서, 처리 전체의 장시간화를 억제할 수 있다.
특히, 본원의 제9 발명에 의하면, 각 검사 영역에 있어서의 에칭의 정도를 더 정확하게 반영한 검사 데이터를 작성할 수 있다. 따라서, 각 검사 영역에 있어서의 오검출을, 더욱 저감할 수 있다.
특히, 본원의 제10 발명에 의하면, 에칭 시뮬레이션에 걸리는 시간을 단축할 수 있다. 이로 인해, 단일 장치에 있어서 에칭 시뮬레이션과 결함의 검출을 행하면서, 처리 전체의 장시간화를 억제할 수 있다.
도 1은 프린트 기판의 사시도이다.
도 2는 측정용 패턴의 예를 도시한 도이다.
도 3은 기판 검사 시스템의 구성을 도시한 도이다.
도 4는 기판 검사 장치의 상면도이다.
도 5는 기판 검사 장치의 측면도이다.
도 6은 결함 검사의 순서를 도시한 플로차트이다.
도 7은 검사 데이터의 생성 순서를 도시한 플로차트이다.
도 8은 제어부에 있어서의 데이터 처리의 모습을, 개념적으로 도시한 블럭도이다.
도 9는 한 쌍의 라인 패턴에 있어서, 에칭 곡선의 측정에 사용되는 파라미터의 예를 도시한 도이다.
도 10은 에칭 곡선의 예를 도시한 도이다.
도 11은 원형 패턴에 있어서, 에칭 곡선의 측정에 사용되는 파라미터의 예를 도시한 도이다.
도 12는 에칭 곡선의 예를 도시한 도이다.
이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.
〈1. 프린트 기판에 대해〉
먼저, 후술하는 기판 검사 장치(30)에 있어서 검사되는 프린트 기판에 대해, 설명한다. 도 1은, 프린트 기판(9)의 일례를 도시한 도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 프린트 기판(9)은, 베이스판부(91)와, 베이스판부(91)의 상면에 형성된 배선 패턴(92)을 가진다. 베이스판부(91)는, 유리 에폭시나 종이 페놀 등의 절연 재료로부터 형성된다. 배선 패턴(92)은, 포토 리소그래피 공정에 있어서, 동박(銅箔) 등의 도체를 에칭함으로써, 형성된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 배선 패턴(92)은, 격자형상으로 배열된 복수의 개편 패턴(921)을 포함하고 있다. 도 1의 예에서는, 개편 패턴(921)의 수는 24개이다. 각 개편 패턴(921)은, 서로 동일한 전자 회로를 구성한다. 즉, 각 개편 패턴(921)은, 설계상에는 동일한 패턴으로 되어 있다. 도 1에 도시하는 프린트 기판(9)은, 그 후의 제조 공정에 있어서, 개편 패턴(921)마다 복수의 기판에 분할된다.
또, 후술하는 기판 검사 시스템(1)에 있어서는, 프린트 기판(9)의 상면에, 복수의 검사 영역(93)이 설정된다. 도 1의 예에서는, 프린트 기판(9)의 상면이, 4개의 검사 영역(93)으로 분할되고, 각 검사 영역(93)에, 6개의 개편 패턴(921)이 포함되어 있다. 또, 프린트 기판(9)의 상면에는, 후술하는 에칭 곡선의 측정에 이용하기 위한 측정용 패턴(94)이, 다수 형성되어 있다. 도 1의 예에서는, 측정용 패턴(94)의 수는, 4개이다. 측정용 패턴(94)은, 각 검사 영역(93)에 1개씩 포함된다. 또한, 측정용 패턴(94)은, 동박 등의 도체를 에칭함으로써, 배선 패턴(92)과 동시에 형성된다.
도 2는, 측정용 패턴(94)의 예를 도시한 도이다. 도 2의 측정용 패턴(94)은, 한 쌍의 라인 패턴에 의해 구성되는 패턴조(941)와, 원형 패턴(942)을, 각각 복수 가지고 있다. 한 쌍의 라인 패턴의 간격은, 패턴조(941)마다 상이하다. 또, 복수의 원형 패턴(942)은, 서로 상이한 직경을 가지고 있다.
또한, 측정용 패턴(94)의 디자인은, 도 2의 예로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 패턴조(941)마다, 라인 패턴의 선폭이 변경되어 있어도 된다. 또, 패턴조(941)의 수나 원형 패턴(942)의 수는, 도 2와는 상이한 수여도 된다. 또, 측정용 패턴(94)에, 라인 패턴이나 원형 패턴 이외의 패턴이, 포함되어 있어도 된다. 또, 측정용 패턴은, 도 1과 같이 배선 패턴(92)의 주위에 배치되어 있어도 되고, 복수의 개편 패턴(921)의 간극에 배치되어 있어도 된다.
〈2. 기판 검사 시스템의 구성〉
이어서, 본 발명의 일실시 형태에 따른 기판 검사 장치(30)를 구비한 기판 검사 시스템(1)에 대해, 설명한다. 도 3은, 기판 검사 시스템(1)의 구성을 도시한 도이다. 이 기판 검사 시스템(1)은, 프린트 기판(9)의 제조 공정에 있어서, 배선 패턴(92)의 결함 검사를 행하기 위한 시스템이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 검사 시스템(1)은, 데이터 서버(10), CAM 편집기(20), 기판 검사 장치(30), 및 검증 장치(verification equipment)(40)를 구비하고 있다.
데이터 서버(10)와 CAM 편집기(20)는, HUB(51)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 또, CAM 편집기(20), 기판 검사 장치(30), 및 검증 장치(40)는, HUB(52)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 또, CAM 편집기는, HUB(53)를 통해 기판 검사 시스템(1)의 외부에 위치하는 묘화 장치(60)에도, 전기적으로 접속되어 있다. 각 HUB(51, 52, 53)를 통해 접속된 복수의 장치 사이에서는, 다양한 데이터를 송수신하는 것이 가능해져 있다.
데이터 서버(10)에는, 프린트 기판(9)상에 배열되는 각각의 개편 패턴(921)의 설계 데이터가, 기억되어 있다. 이하에서는, 각각의 개편 패턴(921)의 설계 데이터를 「개편 설계 데이터(D1)」라고 칭한다. 데이터 서버(10)는, CAM 편집기(20)로부터의 요구에 따라, 개편 설계 데이터(D1)를 CAM 편집기(20)에 출력한다. 데이터 서버(10)는, 예를 들어, 하드 디스크 등의 기억부와, 기억부에 대해 데이터의 읽고 쓰기를 행하는 CPU 등의 연산 처리부를 가지는 컴퓨터에 의해 구성된다.
CAM 편집기(20)는, 프린트 기판(9) 전체의 설계 데이터를 작성하기 위한 장치이다. 이하에서는, 프린트 기판(9) 전체의 설계 데이터를 「전체 설계 데이터(D2)」라고 칭한다. CAM 편집기(20)는, 데이터 서버(10)로부터 개편 설계 데이터(D1)를 읽어내고, 읽어낸 개편 설계 데이터(D1)를 배열함과 더불어, 측정용 패턴(94)의 설계 데이터를, 소정의 위치에 편입한다. 이에 의해, 전체 설계 데이터(D2)가 작성된다. CAM 편집기(20)는, 예를 들어, CPU 등의 연산 처리부나 메모리를 가지는 컴퓨터에 의해 구성된다.
여기서, 측정용 패턴(94)은, 프린트 기판(9)상의 검사 영역(93)마다, 예를 들어 1개씩 배치된다. 검사 영역(93)은, CAM 편집기(20)에 있어서 설정하여 전체 설계 데이터(D2)에 편입되도록 되어 있어도 되고, 혹은, 기판 검사 장치(30)의 제어부(35)에 있어서, 설정 또는 변경할 수 있도록 되어 있어도 된다.
묘화 장치(60)는, 프린트 기판(9)의 상면에 형성된 레지스터막을, 선택적으로 노광시키기 위한 장치이다. 묘화 장치(60)는, CAM 편집기(20)로부터 전체 설계 데이터(D2)를 수신하고, 상기 전체 설계 데이터(D2)에 기초하여, 프린트 기판(9)의 상면을 선택적으로 노광시키는 묘화 처리를 행한다. 묘화 처리 후의 프린트 기판(9)은, 도시되지 않은 에칭 장치로 반송되어, 에칭 처리된다. 그 후, 세정 장치에 있어서 레지스터막이 제거됨으로써, 프린트 기판(9)의 상면에, 배선 패턴(92)과 복수의 측정용 패턴(94)이 형성된다.
기판 검사 장치(30)는, 프린트 기판(9)의 표면에 형성된 배선 패턴(92)의 결함 검사를 행하는 장치이다. 기판 검사 장치(30)는, CAM 편집기(20)로부터 수신된 전체 설계 데이터(D2)에 기초하여, 검사 데이터(D5)(도 8 참조)를 작성한다. 또, 기판 검사 장치(30)는, 프린트 기판(9)의 상면을 촬영하여, 화상 데이터(D3)(도 8 참조)를 취득한다. 그리고 검사 데이터(D5)와 화상 데이터(D3)를 대조함으로써, 배선 패턴(92)의 결함을 검출한다. 검사 결과의 데이터는, 기판 검사 장치(30)로부터 검증 장치(40)에 송신된다. 기판 검사 장치(30)의 더욱 상세한 구성에 대해서는, 후술한다.
검증 장치(40)는, 기판 검사 장치(30)가 결함으로서 검출한 프린트 기판(9)상의 개소를, 목측에 의해 확인하기 위한 장치이다. 검증 장치(40)는, 기판 검사 장치(30)로부터 검사 결과의 데이터를 수신하면, 검사 결과에 있어서 지정된 개소를 작업자에게 보여준다. 작업자는, 프린트 기판(9)상의 상기 개소를, 목측 관찰에 의해 확인한다. 이에 의해, 오검출과 실결함의 분류나, 결함의 종류의 판정을 행한다. 결함의 종류에는, 예를 들어 단선, 깨짐, 돌기 등이 있다.
〈3. 기판 검사 장치의 구성〉
이어서, 기판 검사 장치(30)의 더욱 상세한 구성에 대해, 설명한다.
도 4는, 기판 검사 장치(30)의 상면도이다. 도 5는, 기판 검사 장치(30)의 측면도이다. 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 기판 검사 장치(30)는, 하우징(31), 테이블(32), 테이블 이동 기구(33), 촬상부(34), 및 제어부(35)를 구비하고 있다. 또한, 도 4 및 도 5에서는, 하우징(31)의 내부를 명시하기 위해, 하우징(31)의 일부분을 파단하여 도시하고 있다.
하우징(31)은, 기대(基台)부(311)와 커버부(312)를 가지고 있다. 기대부(311)는, 복수의 각(脚)부(313)를 가진다. 복수의 각부(313)는, 공장 내의 바닥면에 접촉하여 기판 검사 장치(30)의 전체를 지지한다. 커버부(312)는, 기대부(311)의 상부를 덮고 있다. 테이블(32), 테이블 이동 기구(33), 촬상부(34), 및 제어부(35)는, 기대부(311)와 커버부(312)로 구성되는 케이스형상의 하우징(31)의 내부에, 수용되어 있다.
테이블(32)은, 프린트 기판(9)을 올려놓는 판형상의 유지부이다. 테이블(32)은, 기대부(311)의 상부 개구 부근에, 수평 자세로 배치되어 있다. 테이블(32)은, 직사각형형상의 프레임부(321)와, 프레임부(321)의 내측에 끼워 넣어진 유리제의 광투과부(322)를 가지고 있다. 프레임부(321)의 하면에는, 후술하는 볼 나사(332)에 맞춰지는 너트부(323)가 설치되어 있다. 프린트 기판(9)은, 배선 패턴(92) 및 측정용 패턴(94)이 형성된 면이 상측이 되는 수평 자세로, 광투과부(322)의 상면에 올려 놓여진다.
테이블 이동 기구(33)는, 한 쌍의 가이드 레일(331), 볼 나사(332), 및 모터(333)를 가진다. 한 쌍의 가이드 레일(331)과 볼 나사(332)는, 주주사 방향에 따라, 서로 평행하고 수평으로 늘어나 있다. 테이블(32)의 프레임부(321)는, 가이드 레일(331)에 대해, 슬라이드 이동 가능하도록 부착되어 있다. 또, 볼 나사(332)에는, 테이블(32)의 너트부(323)가 맞춰져 있다. 모터(333)를 구동시키면, 볼 나사(332)는, 그 축심을 중심으로 회전한다. 그러자, 볼 나사(332) 및 가이드 레일(331)에 따라, 테이블(32)이 주주사 방향으로 이동한다.
촬상부(34)는, 프린트 기판(9)의 상면을 촬영하기 위한 기구이다. 촬상부(34)는, 커버부(312)의 내부에 배치되어 있다. 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 촬상부(34)는, 복수의 롤러 기구(341), 복수의 광학 헤드(342), 헤드 지지부(343), 및 헤드 이동 기구(344)를 가지고 있다. 복수의 롤러 기구(341)는, 광학 헤드(342)의 주주사 방향의 전후에 있어서, 프린트 기판(9)의 상면을 압압한다. 이에 의해, 광학 헤드(342)의 하방에 있어서, 프린트 기판(9)의 위치 어긋남과 휘어짐이, 억제된다.
복수의 광학 헤드(342)는, 부주사 방향으로 등간격으로 배열되어 있다. 부주사 방향은, 주주사 방향에 직교하는 수평 방향이다. 각 광학 헤드(342)에는, 렌즈 등의 광학계와, CCD나 CMOS 등의 촬상 소자가 탑재되어 있다. 또, 복수의 광학 헤드(342)는, 헤드 지지부(343)에 고정되어 일체화되어 있다. 헤드 지지부(343)에 접속된 헤드 이동 기구(344)를 구동시키면, 헤드 지지부(343)와 더불어 복수의 광학 헤드(342)가, 부주사 방향으로 이동한다. 헤드 이동 기구(344)는, 예를 들어, 테이블 이동 기구(33)와 마찬가지로 가이드 레일, 볼 나사, 및 모터를 가지는 기구에 의해, 실현될 수 있다.
또, 촬상부(34)는, 도시하지 않은 복수의 광원을 가진다. 광원은, 촬영시의 프린트 기판(9)의 상방 위치 및 하방 위치에, 각각 배치되어 있다. 촬상부(34)는, 이들 광원의 ON/OFF를 전환함으로써, 투과광 및 반사광에 따른 프린트 기판(9)의 촬영을 행한다.
제어부(35)는, 커버부(312)의 내부에 배치되어 있다. 제어부(35)는, 모터(333), 롤러 기구(341), 광학 헤드(342), 및 헤드 이동 기구(344)와, 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(35)는, 예를 들어, CPU 등의 연산 처리부, 하드 디스크 등의 기억부, 및 데이터를 일시적으로 기억하는 메모리 등을 가지는 컴퓨터에 의해 구성된다. 제어부(35)는, 사용자의 조작, 각종 입력 신호, 또는 미리 설정된 프로그램에 따라, 기판 검사 장치(30) 내의 각 부를 제어함과 더불어, 다양한 데이터 처리를 행한다. 이에 의해, 기판 검사 장치(30)에 있어서의 프린트 기판(9)의 검사가 진행된다.
〈4. 결함 검사에 대해〉
도 6은, 상기 서술한 기판 검사 장치(30)에 있어서의 결함 검사의 순서를 도시한 플로차트이다. 도 7은, 도 6 중의 단계 S3에 있어서의 검사 데이터의 생성 순서를 도시한 플로차트이다. 도 8은, 제어부(35)에 있어서의 데이터 처리의 모습을, 개념적으로 도시한 블럭도이다. 이하에서는, 도 6, 도 7, 및 도 8을 참조하면서, 기판 검사 장치(30)에 있어서의 결함 검사에 대해, 설명한다. 또한, 도 8 중의 화상 취득부(351), 정보 측정부(352), 시뮬레이션부(353), 및 데이터 대조부(354)는, 예를 들어 컴퓨터의 CPU가, 메모리 등에 기억된 데이터를 참조하면서 동작함으로써, 실현된다.
기판 검사 장치(30)에 있어서 결함 검사를 행할 때에는, 먼저, 에칭 공정을 거쳐 배선 패턴(92) 및 복수의 측정용 패턴(94)이 형성된 프린트 기판(9)을, 테이블(32)의 상면에 올려놓는다. 다음에, 제어부(35)에 검사를 개시한다는 취지의 신호가 입력된다. 그러자, 제어부(35)가, 모터(333), 롤러 기구(341), 광학 헤드(342), 및 헤드 이동 기구(344)를 제어함으로써, 프린트 기판(9)의 화상을 읽어내는 처리가 행해진다(단계 S1).
단계 S1에서는, 먼저, 모터(333)가 순방향으로 구동한다. 이에 의해, 테이블(32) 및 프린트 기판(9)이, 주주사 방향으로 이동한다. 또, 프린트 기판(9)이 촬상부(34)의 하방을 통과하는 경우에, 복수의 광학 헤드(342)가, 프린트 기판(9)의 상면의 화상을 읽어낸다. 즉, 왕로(往路)의 주주사 스캔이 행해진다.
왕로의 주주사 스캔이 완료되면, 다음에, 헤드 이동 기구(344)가 동작한다. 이에 의해, 헤드 지지부(343) 및 복수의 광학 헤드(342)가, 부주사 방향으로 이동한다. 여기서의 부주사 방향의 이동량은, 예를 들어, 광학 헤드(342)의 간격의 절반이다.
그 후, 모터(333)가 역방향으로 구동한다. 이에 의해, 테이블(32) 및 프린트 기판(9)이, 왕로의 주주사 스캔과는 역방향으로 이동한다. 또, 프린트 기판(9)이 촬상부(34)의 하방을 통과하는 경우에, 복수의 광학 헤드(342)가, 프린트 기판(9)의 상면의 화상을 읽어낸다. 즉, 귀로의 주주사 스캔이 행해진다.
이와 같이, 이 기판 검사 장치(30)에서는, 왕로 및 귀로의 주주사 스캔에 의해, 복수의 광학 헤드(342)가, 프린트 기판(9)의 상면 전역에 걸치는 화상을 촬영한다. 복수의 광학 헤드(342)의 출력 신호는, 화상 취득부(351)에 있어서 통합되고 디지털화된다. 이에 의해, 화상 데이터(D3)가 취득된다. 이 화상 데이터(D3)에는, 배선 패턴(92)의 화상과, 복수의 측정용 패턴(94)의 화상이 포함된다.
다음에, 정보 측정부(352)가, 화상 데이터(D3)에 기초하여, 에칭의 강약의 정도를 나타내는 에칭 곡선(D4)을, 에칭 정보로서 측정한다(단계 S2). 여기에서는, 먼저, 정보 측정부(352)가, 화상 데이터(D3)에 포함되는 복수의 측정용 패턴(94)의 화상과 전체 설계 데이터(D2)에 포함되는 복수의 측정용 패턴(94)의 화상의 각각에 대해, 엣지 추출 처리를 행한다. 그리고 엣지 추출 후의 윤곽선의 차분에 기초하여, 에칭 곡선(D4)을 측정한다.
에칭 곡선(D4)은, 예를 들어, 라인 패턴의 간격이나 원형 패턴의 직경과, 라인 패턴 및 원형 패턴의 에칭량과의 관계를 나타내는 데이터로서, 산출된다. 또, 에칭 곡선(D4)은, 측정용 패턴(94)마다, 개별적으로 산출된다. 즉, 에칭 곡선(D4)은, 검사 영역(93)마다, 개별적으로 산출된다.
상기 서술한 대로, 측정용 패턴(94)은, 한 쌍의 라인 패턴에 의해 구성되는 패턴조(941)를, 복수 가지고 있다. 도 9는, 측정용 패턴(94) 내의 패턴조(941)에 있어서, 에칭 곡선(D4)의 측정에 사용되는 파라미터 x1, y1의 예를 도시한 도이다. 도 9에서는, 전체 설계 데이터(D2)에 포함되는 설계상의 라인 패턴(941a)이 파선으로 도시되고, 화상 데이터(D3)에 포함되는 에칭 후의 라인 패턴(941b)이 실선으로 도시되어 있다. 에칭 곡선(D4)을 측정할 때에는, 복수의 패턴조(941)에 대해, 설계상의 라인 패턴(941a) 및 에칭 후의 라인 패턴(941b)의 각 윤곽선의 차분을, 에칭량 yl로서 측정한다. 그리고 설계상의 한 쌍의 라인 패턴(941a)의 간격 x1과, 에칭량 y1의 관계를 나타내는 에칭 곡선(D4)을 산출한다. 도 10은, 이와 같이 하여 얻어진 에칭 곡선(D4)의 예를 도시한 도이다.
도 11은, 측정용 패턴(94) 내의 원형 패턴(942)에 있어서, 에칭 곡선(D4)의 측정에 사용되는 파라미터 x2, y2의 예를 도시한 도이다. 도 11에서는, 전체 설계 데이터(D2)에 포함되는 설계상의 원형 패턴(942a)이 파선으로 도시되고, 화상 데이터(D3)에 포함되는 에칭 후의 원형 패턴(942b)이 실선으로 도시되어 있다. 에칭 곡선(D4)을 측정할 때에는, 복수의 원형 패턴(942)에 대해, 설계상의 원형 패턴(942a) 및 에칭 후의 원형 패턴(942b)의 각 윤곽선의 차분을, 에칭량 y2로서 측정한다. 그리고 설계상의 원형 패턴(942a)의 직경 x2와, 에칭량 y2의 관계를 나타내는 에칭 곡선(D4)을 산출한다. 도 12는, 이와 같이 하여 얻어지는 에칭 곡선(D4)의 예를 도시한 도이다.
도 6, 도 7, 및 도 8로 돌아온다. 이어서, 시뮬레이션부(353)가, 에칭 곡선(D4)을 이용하여, 전체 설계 데이터(D2)로부터 검사 데이터(D5)를 생성한다(단계 S3).
도 7에 도시한 바와 같이, 단계 S3에서는, 먼저, 시뮬레이션부(353)는, 전체 설계 데이터(D2)로부터, 각 검사 영역(93)의 1개의 개편 설계 데이터(D1)를 추출한다. 그리고 상기 개편 설계 데이터(D1)에 대해, 에칭 시뮬레이션을 행한다(단계 S31). 에칭 시뮬레이션에는, 상기 검사 영역(93)에 대응하는 에칭 곡선(D4)이 사용된다. 즉, 에칭 시뮬레이션에는, 상기 검사 영역(93)에 포함되는 측정용 패턴(94)으로부터 측정된 에칭 곡선이 사용된다. 그리고 시뮬레이션부(353)는, 상기 에칭 곡선(D4)에 따른 강도로, 개편 설계 데이터(D1) 내의 패턴을 변형시킨다.
또한, 에칭 정보를 이용한 에칭 시뮬레이션에는, 예를 들어, 특허 공개 2005-202949호 공보에 기재된 시뮬레이션 방법을, 적용할 수 있다. 다만, 본 발명의 에칭 시뮬레이션에는, 상기 공보의 시뮬레이션 방법뿐만 아니라, 에칭량에 기초하여 시뮬레이션을 행하는 다른 여러 가지의 시뮬레이션 방법을, 적용하는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 에칭 정보에는, 본 실시 형태와 같은 에칭 곡선뿐만 아니라, 에칭 레이트 등의 에칭량을 나타내는 정보도 포함된다.
다음에, 시뮬레이션부(353)는, 개편 설계 테이터(D1)의 에칭 시뮬레이션의 결과를, 전체 설계 데이터(D2)에 되돌린다(단계 S32). 이때, 검사 영역(93) 내의 모든 개편 설계 데이터(D1)를, 1개의 개편 설계 데이터(D1)의 에칭 시뮬레이션의 결과로, 치환한다. 즉, 각 검사 영역(93)에 있어서, 1개의 개편 설계 데이터(D1)의 에칭 시뮬레이션의 결과를, 다면화(imposition)한다. 이에 의해, 에칭 시뮬레이션의 시간이, 큰 폭으로 단축된다. 상기 처리의 결과, 검사 데이터(D5)가 생성된다.
그 후, 데이터 대조부(354)가, 화상 데이터(D3)와 검사 데이터(D5)를 대조함으로써, 배선 패턴(92)의 결함을 검출한다(단계 S4). 여기에서는, 화상 데이터(D3) 내의 패턴과 검사 데이터(D5) 내의 패턴의 차분이, 소정의 역치보다 큰 개소를, 결함으로서 검출한다. 즉, 본 실시 형태에서는, 촬상부(34)와, 제어부(35) 내의 데이터 대조부(354)가, 결함 검출 수단을 구성하고 있다. 검사 결과는, 제어부(35)에 접속된 표시부(355)에 표시됨과 더불어, 검증 장치(40)에 송신된다.
이와 같이, 이 기판 검사 장치(30)에서는, 에칭 곡선(D4)에 따라 생성된 검사 데이터(D5)에 기초하여, 프린트 기판(9)의 결함 검사를 행한다. 이에 의해, 오검출이 적은 결함 검사를 행할 수 있다. 또, 상기 서술한 단계 S1, 단계 S2, 단계 S3, 및 단계 S4는, 단일 기판 검사 장치(30)에 있어서 행해진다. 이로 인해, 에칭 곡선(D4)의 측정이나 에칭 시뮬레이션을 위해, 복수의 장치 사이에서 기판(9)을 이동시킬 필요가 없다. 이에 의해, 프린트 기판(9)의 검사를, 효율적으로 행할 수 있다.
특히, 본 실시 형태에서는, 배선 패턴(92)과 측정용 패턴(94)이, 단일 프린트 기판(9)의 표면에, 형성되어 있다. 이로 인해, 제품이 되는 프린트 기판(9)인 실제 기판과는 별도로, 에칭 곡선 측정용 기판을 준비할 필요는 없다. 기판 검사 장치(30)는, 실제 기판에 대해, 단계 S1, 단계 S2, 단계 S3, 및 단계 S4의 처리를 일관하여 행할 수 있다.
또, 본 실시 형태에서는, 각 검사 영역(93) 내의 일부의 개편 설계 데이터(D1)에 대해, 에칭 시뮬레이션을 행하고, 상기 에칭 시뮬레이션의 결과를 다면화함으로써, 검사 데이터(D5)가 생성된다. 이와 같이 하면, 에칭 시뮬레이션에 걸리는 시간이 단축된다. 따라서, 단일 기판 검사 장치(30)에 있어서, 단계 S1, 단계 S2, 단계 S3, 및 단계 S4의 처리를 행하면서, 처리 전체의 장시간화가 억제된다.
또, 본 실시 형태에서는, 검사 영역(93)마다 측정된 에칭 곡선(D4)을 이용하여, 상기 검사 영역(93)의 에칭 시뮬레이션을 행한다. 이와 같이 하면, 각 검사 영역(93)에 있어서의 에칭의 정도를 더 정확하게 반영한 검사 데이터(D5)를 작성할 수 있다. 따라서, 각 검사 영역(93)에 있어서의 오검출을, 더욱 저감할 수 있다.
또한, 프린트 기판(9)상의 복수의 검사 영역(93)은, 기판 검사 장치(30)의 제어부(35)에 있어서, 설정 또는 변경할 수 있도록 되어 있어도 된다. 예를 들어, 제어부(35)와 전기적으로 접속된 입력부(356)로부터, 각 검사 영역(93)의 형태나 크기, 혹은, 검사 영역(93)의 수를, 임의로 설정할 수 있도록 되어 있어도 된다. 즉, 기판 검사 장치(30)가, 사용자의 조작에 기초하여 복수의 검사 영역(93)을 설정하는 영역 설정 수단을 가지고 있어도 된다. 이와 같이 하면, 기판 검사 장치(30)의 사용자가, 에칭 처리의 경향이나 검사의 상황에 따라, 더 적절한 검사 영역(93)을 설정할 수 있다.
〈5. 변형예〉
이상, 본 발명의 일실시 형태에 대해 설명했으나, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
상기의 실시 형태에서는, 프린트 기판(9)의 상면에, 배선 패턴(92) 및 측정용 패턴(94)이 형성되어 있으나, 배선 패턴(92) 및 측정용 패턴(94)은, 프린트 기판(9)의 상면 및 하면의 양방에 형성되어 있어도 된다. 또, 기판 검사 장치(30)의 촬상부(34)는, 프린트 기판(9)의 상면 및 하면의 양방을 촬영할 수 있도록, 구성되어 있어도 된다.
또, 상기의 실시 형태에서는, 프린트 기판(9)의 각 검사 영역(93)에, 측정용 패턴(94)이 1개씩 배치되어 있었으나, 1개의 검사 영역(93)에, 복수의 측정용 패턴(94)이 배치되어 있어도 된다. 또, 도 1의 예에서는, 프린트 기판(9)에 4개의 검사 영역(93)이 설정되어 있으나, 프린트 기판(9)에 설정되는 검사 영역(93)의 수는 1개, 2개, 또는 3개 여도 되고, 5개 이상이어도 된다. 검사 영역(93)의 수나 형상은, 프린트 기판(9)의 크기, 요구되는 검사 정도, 에칭액이 흐르는 방향 등에 따라, 설정하면 된다.
또, 배선 패턴이 형성된 실제 기판과는 별도로, 측정용 패턴만이 형성된 에칭 곡선 측정용의 기판을, 준비해도 된다. 그 경우에는, 먼저, 기판 검사 장치(30)에 에칭 곡선 측정용의 기판을 준비하여, 상기 기판의 화상 데이터로부터, 에칭 곡선을 측정한다. 그 후, 기판 검사 장치(30)에 실제 기판을 준비하여, 결함의 검출을 행한다. 이 경우에도, 에칭 곡선의 측정을 위해, 복수의 장치 사이에서 기판을 이동시킬 필요는 없다.
또, 상기의 기판 검사 시스템(1)은, 기판 검사 장치(30)와는 별도로, 검증 장치(40)를 구비하고 있었으나, 검증 장치(40)를 생략하고, 기판 검사 장치(30) 자체에, 결함을 목측으로 확인할 수 있는 기능을 탑재해도 된다.
또, 상기의 기판 검사 장치(30)는, 프린트 기판(9)을 검사 대상으로 하고 있었으나, 본 발명의 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법은, 반도체 웨이퍼, 포토 마스크용 유리 기판, 액정 표시 장치용 유리 기판, PDP용 유리 기판, 칼라 필터용 기판, 태양 전지용 기판 등의 다른 정밀 전자 장치용 기판을, 검사 대상으로 하는 것이어도 된다.
또, 기판 검사 장치의 세부의 구성에 대해서는, 본원의 각 도에 도시된 구성과 상위하고 있어도 된다. 또, 상기의 실시 형태나 변형예로 등장한 각 요소를, 모순이 발생하지 않는 범위에서, 적당하게 해도 된다.
1: 기판 검사 시스템 9: 프린트 기판
10: 데이터 서버 20: CAM 편집기
30: 기판 검사 장치 31: 하우징
32: 테이블 33: 테이블 이동 기구
34: 촬상부 35: 제어부
40: 검증 장치 51, 52, 53: HUB
60: 묘화 장치 91: 베이스판부
92: 배선 패턴 93: 검사 영역
94: 측정용 패턴 351: 화상 취득부
352: 정보 측정부 353: 시뮬레이션부
354: 데이터 대조부 355: 표시부
356: 입력부 921: 개편 패턴
D1: 개편 설계 데이터 D2: 전체 설계 데이터
D3: 화상 데이터 D4: 에칭 곡선
D5: 검사 데이터

Claims (10)

  1. 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 장치로서,
    기판의 표면에 형성된 측정용 패턴으로부터 에칭 정보를 측정하는 정보 측정 수단과,
    상기 에칭 정보를 이용하여, 설계 데이터에 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성하는 시뮬레이션 수단과,
    기판의 표면에 형성된 배선 패턴을 촬영하여, 얻어진 화상 데이터와 상기 검사 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출하는 결함 검출 수단을 구비하고,
    상기 배선 패턴은, 복수의 개편(個片) 패턴을 포함하고,
    상기 시뮬레이션 수단은, 일부의 개편 패턴의 설계 데이터에 대해, 상기 에칭 시뮬레이션을 행함과 더불어, 상기 에칭 시뮬레이션의 결과를 다면화(imposition)함으로써, 상기 검사 데이터를 생성하는, 기판 검사 장치.
  2. 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 장치로서,
    기판의 표면에 형성된 측정용 패턴으로부터 에칭 정보를 측정하는 정보 측정 수단과,
    상기 에칭 정보를 이용하여, 설계 데이터에 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성하는 시뮬레이션 수단과,
    기판의 표면에 형성된 배선 패턴을 촬영하여, 얻어진 화상 데이터와 상기 검사 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출하는 결함 검출 수단을 구비하고,
    기판의 표면에, 복수의 검사 영역이 설정되고,
    복수의 상기 검사 영역의 각각에, 상기 측정용 패턴이 설치되며,
    상기 정보 측정 수단은, 복수의 상기 측정용 패턴의 각각에 대해, 에칭 정보를 측정하고,
    상기 시뮬레이션 수단은, 각 검사 영역에 포함되는 측정용 패턴으로부터 얻어진 에칭 정보를 이용하여, 상기 검사 영역마다 에칭 시뮬레이션을 행하는, 기판 검사 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 검사 영역 내에, 복수의 개편 패턴이 포함되고,
    상기 시뮬레이션 수단은, 일부의 개편 패턴의 설계 데이터에 대해, 상기 에칭 시뮬레이션을 행함과 더불어, 상기 에칭 시뮬레이션의 결과를 다면화함으로써, 상기 검사 데이터를 생성하는, 기판 검사 장치.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    사용자의 조작에 의해, 복수의 상기 검사 영역을 설정하는 영역 설정 수단을 더 구비하는, 기판 검사 장치.
  5. 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 장치로서,
    기판의 표면에 형성된 측정용 패턴으로부터 에칭 정보를 측정하는 정보 측정 수단과,
    상기 에칭 정보를 이용하여, 설계 데이터에 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성하는 시뮬레이션 수단과,
    기판의 표면에 형성된 배선 패턴을 촬영하여, 얻어진 화상 데이터와 상기 검사 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출하는 결함 검출 수단을 구비하고,
    상기 배선 패턴과 상기 측정용 패턴이, 단일 기판의 표면에 형성되어 있는, 기판 검사 장치.
  6. 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 방법으로서,
    a) 기판의 표면에 형성된 측정용 패턴으로부터 에칭 정보를 측정하는 공정과,
    b) 상기 에칭 정보를 이용하여, 설계 데이터에 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성하는 공정과,
    c) 기판의 표면에 형성된 배선 패턴을 촬영하여, 얻어진 화상 데이터와 상기 검사 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출하는 공정을 단일의 장치에 있어서 행하고,
    상기 공정 b)에 있어서는, 상기 배선 패턴을 구성하는 복수의 개편 패턴 중, 일부의 개편 패턴의 설계 데이터에 대해, 상기 에칭 시뮬레이션을 행함과 더불어, 상기 에칭 시뮬레이션의 결과를 다면화함으로써, 상기 검사 데이터를 생성하는, 기판 검사 방법.
  7. 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 방법으로서,
    a) 기판의 표면에 형성된 측정용 패턴으로부터 에칭 정보를 측정하는 공정과,
    b) 상기 에칭 정보를 이용하여, 설계 데이터에 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성하는 공정과,
    c) 기판의 표면에 형성된 배선 패턴을 촬영하여, 얻어진 화상 데이터와 상기 검사 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출하는 공정을 단일의 장치에 있어서 행하고,
    상기 공정 a)에 있어서는, 기판의 표면에 설정된 복수의 검사 영역의 각각에 설치된 복수의 상기 측정용 패턴의 각각에 대해, 에칭 정보를 측정하고,
    상기 공정 b)에 있어서는, 각 검사 영역에 포함되는 측정용 패턴으로부터 얻어진 에칭 정보를 이용하여, 상기 검사 영역마다 에칭 시뮬레이션을 행하는, 기판 검사 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 공정 b)에 있어서는, 상기 검사 영역을 구성하는 복수의 개편 패턴 중, 일부의 개편 패턴의 설계 데이터에 대해, 상기 에칭 시뮬레이션을 행함과 더불어, 상기 에칭 시뮬레이션의 결과를 다면화함으로써, 상기 검사 데이터를 생성하는, 기판 검사 방법.
  9. 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 장치로서,
    기판의 표면에 형성된 측정용 패턴을 촬영하여 얻어진 화상 데이터에 기초하여 에칭의 강약의 정도를 나타내는 에칭 정보를 측정하는 정보 측정 수단과,
    상기 에칭 정보를 이용하여, 설계 데이터에 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성하는 시뮬레이션 수단과,
    기판의 표면에 형성된 배선 패턴을 촬영하여, 얻어진 화상 데이터와 상기 검사 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출하는 결함 검출 수단을 구비하는, 기판 검사 장치.
  10. 기판의 표면에 에칭에 의해 형성된 배선 패턴의 결함 검사를 행하는 기판 검사 방법으로서,
    a) 기판의 표면에 형성된 측정용 패턴을 촬영하여 얻어진 화상 데이터에 기초하여 에칭의 강약의 정도를 나타내는 에칭 정보를 측정하는 공정과,
    b) 상기 에칭 정보를 이용하여, 설계 데이터에 에칭 시뮬레이션을 행함으로써, 검사 데이터를 생성하는 공정과,
    c) 기판의 표면에 형성된 배선 패턴을 촬영하여, 얻어진 화상 데이터와 상기 검사 데이터를 대조시킴으로써, 결함을 검출하는 공정을 단일의 장치에 있어서 행하는, 기판 검사 방법.
KR1020130022758A 2012-05-31 2013-03-04 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법 KR101473091B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012123842A JP5826707B2 (ja) 2012-05-31 2012-05-31 基板検査装置および基板検査方法
JPJP-P-2012-123842 2012-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130135037A KR20130135037A (ko) 2013-12-10
KR101473091B1 true KR101473091B1 (ko) 2014-12-15

Family

ID=49736893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130022758A KR101473091B1 (ko) 2012-05-31 2013-03-04 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5826707B2 (ko)
KR (1) KR101473091B1 (ko)
CN (1) CN103454286B (ko)
TW (1) TWI612294B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6342738B2 (ja) * 2014-07-24 2018-06-13 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
JP2016070730A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Screenホールディングス 画像取得装置および画像取得方法
JP2016072335A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Screenホールディングス プロセス監視装置およびプロセス監視方法
JP6342304B2 (ja) * 2014-11-12 2018-06-13 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
JP6496159B2 (ja) * 2015-02-23 2019-04-03 株式会社Screenホールディングス パターン検査装置およびパターン検査方法
CN106019851B (zh) * 2015-03-30 2018-05-25 株式会社思可林集团 基准位置获取方法、基准位置获取装置、图案描绘方法、图案描绘装置、以及记录程序的记录媒体
JP6466797B2 (ja) * 2015-07-24 2019-02-06 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
JP6466277B2 (ja) * 2015-07-27 2019-02-06 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
KR102595300B1 (ko) * 2016-07-04 2023-10-31 삼성전자주식회사 검사 방법 및 시스템, 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
JP7280068B2 (ja) * 2019-03-12 2023-05-23 株式会社Screenホールディングス 検査装置および検査方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06109446A (ja) * 1992-09-30 1994-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線パターン検査装置
US20020131040A1 (en) * 2001-01-26 2002-09-19 Xinhui Niu System and method for characterizing macro-grating test patterns in advanced lithography and etch processes
JP2006265641A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Furukawa Electric Co Ltd:The エッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置
JP2011203343A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp パターン検査方法及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2942171B2 (ja) * 1995-06-09 1999-08-30 大日本スクリーン製造株式会社 プリント基板のパターン検査装置
JP4274784B2 (ja) * 2002-05-28 2009-06-10 新光電気工業株式会社 配線形成システムおよびその方法
US7053355B2 (en) * 2003-03-18 2006-05-30 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7488933B2 (en) * 2005-08-05 2009-02-10 Brion Technologies, Inc. Method for lithography model calibration
WO2008047422A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Casio Micronics Co., Ltd. Procédé pour inspecter un schéma de câblages et système conçu à cet effet
US8103979B2 (en) * 2008-10-20 2012-01-24 Advanced Micro Devices, Inc. System for generating and optimizing mask assist features based on hybrid (model and rules) methodology
WO2010117626A2 (en) * 2009-03-31 2010-10-14 Christophe Pierrat Lithography modelling and applications
JP5297930B2 (ja) * 2009-07-29 2013-09-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置およびその方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06109446A (ja) * 1992-09-30 1994-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線パターン検査装置
US20020131040A1 (en) * 2001-01-26 2002-09-19 Xinhui Niu System and method for characterizing macro-grating test patterns in advanced lithography and etch processes
JP2006265641A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Furukawa Electric Co Ltd:The エッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置
JP2011203343A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp パターン検査方法及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103454286B (zh) 2016-08-03
TWI612294B (zh) 2018-01-21
TW201348696A (zh) 2013-12-01
KR20130135037A (ko) 2013-12-10
CN103454286A (zh) 2013-12-18
JP2013250101A (ja) 2013-12-12
JP5826707B2 (ja) 2015-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101473091B1 (ko) 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
JP5325807B2 (ja) 平板ガラス表面の異物検出装置
WO2009090871A1 (ja) 被検査体の検査装置
JP6296477B2 (ja) 対象物の三次元座標を決定する方法および装置
JP6606441B2 (ja) 検査システムおよび検査方法
KR101183179B1 (ko) 레이저 3차원 측정기를 이용한 cof 외관검사방법
JP5832909B2 (ja) 赤外カメラを具備する配線欠陥検出装置、および当該赤外カメラの異常を検知する異常検知方法
JP5178781B2 (ja) センサ出力データの補正装置及びセンサ出力データの補正方法
KR102427648B1 (ko) 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치
US6407804B1 (en) Assembly for detecting the superficial structures of fingers and/or palms
KR102227341B1 (ko) 위치 어긋남량 취득 장치, 검사 장치, 위치 어긋남량 취득 방법 및 검사 방법
JP2011196728A (ja) 検査装置および検査方法
JP2008046012A (ja) 欠陥検出装置および欠陥検出方法
JP2007078356A (ja) 欠陥検査装置
JP5758474B2 (ja) 半導体パッケージテスト用着座姿勢判定装置
JP2009168580A (ja) 被検査体の検査装置
KR101217858B1 (ko) 일반 도화 제작을 위한 수치 도화기 안정대
CN109115782B (zh) 基于多分辨率图像的光学式瑕疵检测装置
JP2009216411A (ja) 試料検査装置及び試料検査方法
JP4496149B2 (ja) 寸法測定装置
JP2008151568A (ja) フォトマスクの検査方法及びフォトマスクの検査装置
JP2009229159A (ja) レチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法
KR200176165Y1 (ko) 3디센서를 이용한 아이시 및 패턴드 웨이퍼의 3차원 외관및 대미지 검사장치
JP2009150782A (ja) 被検査体の検査装置
KR200176154Y1 (ko) 3디센서를 이용한 아이시 및 패턴드 웨이퍼의 3차원 외관검사장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171114

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181121

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191120

Year of fee payment: 6