KR101464271B1 - 열경화성 실리콘 수지 조성물 및 이를 이용한 전자장치 - Google Patents

열경화성 실리콘 수지 조성물 및 이를 이용한 전자장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101464271B1
KR101464271B1 KR1020120104205A KR20120104205A KR101464271B1 KR 101464271 B1 KR101464271 B1 KR 101464271B1 KR 1020120104205 A KR1020120104205 A KR 1020120104205A KR 20120104205 A KR20120104205 A KR 20120104205A KR 101464271 B1 KR101464271 B1 KR 101464271B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
sio
resin composition
silicone resin
thermosetting silicone
Prior art date
Application number
KR1020120104205A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140038045A (ko
Inventor
아리마카쥬야
사와 기요타카
유일혁
Original Assignee
주식회사 케이씨씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨씨 filed Critical 주식회사 케이씨씨
Priority to KR1020120104205A priority Critical patent/KR101464271B1/ko
Publication of KR20140038045A publication Critical patent/KR20140038045A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101464271B1 publication Critical patent/KR101464271B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 일측면은 높은 투명성을 가지고 광학기능과 봉지기능을 동시에 할 수 있는 열경화성 실리콘 수지 조성물을 제공하는 것으로서, 알케닐기 함유 오르가노 폴리실록산; 오르가노 폴리하이드로젠 실록산; 흄드 실리카; 및 백금착물을 포함한다.

Description

열경화성 실리콘 수지 조성물 및 이를 이용한 전자장치{Heat Curable silicone composition and the light emitting device using the same }
본 발명은 지지구조체 상에 형성된 발광소자의 피복 및 봉지를 동시에 할 수 있는 열경화성 실리콘 수지 조성물에 관한 것이다.
LED (Light Emitting Diode : 발광 다이오드)은 고효율 및 장수명의 고체 광원으로서 기존의 백열등, 형광등, HID 램프 (High Intension Discharge Lamp : 고압 방전 램프) 또는 휘도와 수명의 트레이드 오프(trade off) 관계가 아직도 해결되지 않은 OLED(유기 발광 다이오드) 보다 널리 사용되고 있다.
LED발광소자는 일반적으로 수 밀리미터 이하의 크기로, 이러한 소자 단일 또는 복수개를, 각종 기판에 실장한 후, 보호 및 광제어를 위해 수지를 봉지재로 사용하여 광원으로 사용된다.
과거 LED의 개발 초기에 있어서는 봉지용 수지로 에폭시 수지가 사용되고 현재는 LED의 고출력화와 신뢰성 향상에 대한 요구가 증가함에 따라 더 견고한 실리콘 수지가 주류를 차지하고 있다.
LED에 렌즈를 형성하는 방법으로 지금까지 포팅(potting) 등의 방법으로 저점도의 수지를 사용하여 LED 봉지 공정만을 수행한 후 다른 공정에서 만든 렌즈를 접착시키는 방법이 존재하고, 이 경우 프라이머와 접착제를 사용하여 접착성을 향상시키고 수 있지만, LED의 빛과 열을 방출에 따라 렌즈의 박리나 접착제 및 프라이머 층의 변색 등의 문제를 일으킬 수 있다.
더욱이 최근의 고출력 대면적 저비용 LED 어레이에 대한 요청으로 LED 소자를 렌즈와 일괄 봉지하는 공법이 요구되고 있지만, 기존의 방법인 주입 성형을 비롯하여, 트랜스퍼 성형, 오버 몰드 성형, 압축 성형 등의 각종 성형기를 이용한 공법은 대형 장비뿐만 아니라 성형용의 주형이 필요하며 비용의 문제가 있다. 이에 LED소자의 수지봉지와 렌즈 형성을 일괄적으로 실시하는 간편한 공법으로 Glob top COB (Chip On Board) 봉지가 있다.
Glob top 방법은 칙소성 (thixotrophy)있는 경화성 재료를 기판에 실장된 LED 칩에 떨어뜨려 높은 점성과 표면 장력에 의해 구형 렌즈를 얻은 후 소정의 온도 조건에서 경화하여 수지 봉지와 동시에 구형 내지 비구면 형상의 렌즈를 제공할 수 있으며, 발광 소자의 방열성이나 비용면 및 대면적 구현 용도면에서의 우수하였다.
그러나 지금까지의 고칙소성을 가진 실리콘 재료는 투명성, 칙소성, 및 접착력 사이에 트리레마(trilemma) 관계가 존재하고 이러한 조건을 만족하는 가시광 LED의 발광 파장 영역 (400 ~ 700nm)에서 고투명하고 고접착성 재료는 지금까지 존재하지 않았다.
현재까지 이러한 COB 재료에 사용되는 실리콘 수지에 폴리 메틸 실록산 계의 재료를 선택하면 만족한 투명성을 확보하지 못하고 실용화되지 않았다.
한편, 폴리메틸페닐 실록산계 또는 디메틸 디페닐 실록산 공중합체를 선택하면 해당 재료 계에 있어서는 필러에 대한 굴절률의 조정은 쉽게 구현할 수 있지만, 고온 환경에 있는 경화 도중에 칙소성의 저하에 의해 렌즈 형상의 변화가 생기는 문제가 있어, 기존 재료에서는 렌즈의 두께와 직경 등을 LED의 사양에 맞추어 자유롭게 선택하는 것이 곤란하며, 대량 주문시 광학 특성의 안정성의 관점에서도 어려움이 있었다.
또한, 이 칙소성 페닐계 실리콘 수지를 고출력 LED의 봉지에 사용하면 원래 다른 비칙소성 실리콘 봉지 재료에 비해 투명성이 떨어질 뿐만 아니라, 발광 소자에서 방출되는 높은 밀도 열 · 빛 에너지에 의해 재료의 변색이나 투명성이 감소하여 LED의 발광 효율을 더욱 저하시킨다.
이러한 페닐실리콘 재료는 앞서 높은 발광 효율과 수명이 긴 장점을 퇴색시켜, 백색 LED 조명 용도에 사용되지 못하였다. 따라서 이상과 같은 이러한 문제점을 해결하는 고투명 · 높은 칙소성 ·접착성 실리콘 COB 봉지 재료와 그들에 봉인되는 발광소자에 대한 연구가 필요하다.
이에 전술한 문제등을 해결하기 위해 본 발명자들은 예의 연구한 결과, 표면처리 흄드실리카, 알케닐기를 각각 함유하는 직쇄상 오르가노 폴리디메틸실록산 및 가지 구조를 가지는 오르가노 폴리디메틸실록산과 직쇄상 오르가노하이드로젠메틸실록산 또는 가지상의 오르가노하이드로젠실록산을 특이적으로 결합하여 이러한 과제를 해결할 방법을 발견하고 본 발명에 이르렀다.
일본특허 공개공보 2009-235265 일본특허 공개공보 2005-093724 일본특허 공개공보 2004-339450 일본특허 공개공보 2009-39985
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 본 발명의 일측면은 높은 투명성을 가지고 광학기능과 봉지기능을 동시에 할 수 있는 열경화성 실리콘 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일측면에 따른 열경화성 실리콘 수지 조성물은,
하기 화학식 1의 알케닐기 함유 오르가노 폴리실록산;
하기 화학식 2의 오르가노 폴리하이드로젠 실록산;
흄드 실리카; 및
백금착물을 포함한다.
[화학식 1]
（R1R2R3SiO1/2）L（R4R5SiO2/2）M（R6SiO3/2）N（SiO4/2）O (이 때, L, M, N, O는 각각 0보다 크거나 같고 1 보다 작은 수이고, L + M + N + O = 1이며, Ｒ1 ,Ｒ2 ,Ｒ3 ,Ｒ4 ,Ｒ5 ,Ｒ6은 서로 동일하거나 서로 다른 지방족 포화기를 가지는 치환 또는 비치환된 일가 탄화수소기이고, 상기 탄화수소기들의 적어도 어느 하나에는 1 개 또는 2 개 이상의 불포화기를 분자의 말단 또는 측쇄에 가진다.)
[화학식 2]
（R7R8R9SiO1/2）p（R10R11SiO2/2）Q（R12SiO3/2）R（SiO4/2）S
(이 때, P, Q, R, S는 각각 0보다 크거나 같고 1보다 작은 수이고 P + Q + R + S = 1이고, R7, R8, R9, R10, R11, R12는 서로 동일하거나 서로 다른 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환 일가 탄화수소기이며, 상기 탄화수소기들의 적어도 하나에는 1개 또는 2개 이상 활성 수소원자를 분자의 말단 또는 측쇄에 포함한다. )
이 때, 상기 L 은 0.01 ~ 0.3, 상기 M은 0.3 ~ 0.6, 상기 N은 0.05 ~ 0.3, 및 상기 O는 0.4 ~ 0.8 로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 P는 0.01 ~ 0.2, 상기 Q는 0.3 ~ 0.9, 상기 R은 0.05 ~ 0.3, 상기 S는 0.1 ~ 0.8로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 알케닐기 함유 오르가노 폴리실록산은 1 ~ 80 중량부, 상기 오르가노 폴리하이드로젠 실록산은 1 ~ 80 중량 부, 및 흄드 실리카는 1 ~20중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 O와 상기 M은, O / M = 0.3 ~ 0.9의 범위에 있는 것이 바람직하다.
또한, 접착신뢰성을 향상시키기 위한 하기 화학식 3의 실란계 커플링제를 1 종 또는 2 종 이상 포함하거나, 이들의 가수 분해 축합물을 더 포함하는 것이 바람직하다.
[화학식 3]
R13 XR14 YSi(R15)(4-X-Y)(이 때 R13 ~ R14 는 독립적으로 수소원자 또는 반응치환기가 1 개 이상 결합한 탄소원자 1 ~ 30, 바람직하게는 2 ~ 20의 알킬기를 나타내고, 낸다. R15는 염소원자, 수산기 또는 탄소원자 1 ~ 30의 비치환 또는 치환 알콕시기 또는 아릴옥시기를 나타낸다. X는 1 ~ 2의 정수이며, Y는 0에서 1 사이의 정수이며, X + Y는 1 또는 2의 정수이다. )
또한, 상기 흄드 실리카는 비표면적(BET) 100 ~ 300m2/g 인 것이 바람직하다. 또한, 상기 트리 아릴 이소시아누레이트, 디알릴모노디글리시딜 이소시아누레이트, 모노알릴디글리시딜 이소시아누레이트, 트리글리시딜이소시아누테이트(TEPIC), 이소시아눌릭산로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 1종이상의 제1첨가제, 또는 상기 제1첨가제의 합성 가능한 유도체를 더 포함할 수 있다.
또한, 희토류 원소를 도프한 YAG(yttrium Aluminum GARNET) 계, TAG(Terbium aluminium garnet) 계, 오르토 실리케이트계, 알칼리 토류 금속계, α-및 β-SiAlON(사이알론) 계, CaAlSi3N3(카즌) 계, La(란탄)를 함유한 산질화물계의 무기 형광체, 및 Ir, Pt, Eu를 착체 중심으로 가지는 유기금속착체로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 제2첨가제를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 백금착물은 전체 실리콘 조성물에 대해서 1 내지 120ppm로 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 열경화성 실리콘 수지 조성물을 경화시킨 두께 1mm인 경화도막의 광 투과율이 420 ~ 700nm의 범위에서 영역에서 90 % 이상이 되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 열경화성 실리콘 수지 조성물에 전단력을 인가할 때 초기 점도(1/s=1)가 90000 내지 650000 cp이고, 전단력 인가 후의 점도(1/s=10)가 14000 내지 45000 cp의 범위에 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 측며은 전술한 본 발명의 일측면에 따른 열경화성 실리콘 수지 조성물의 경화물이 기판상에 구비되는 발광소자의 봉지재로 포함된 전자장치를 제공한다.
본 발명의 일측면에 따른 열경화성 실리콘 수지 조성물은 오르가노 폴리 디메틸실록산계의 칙소성 실리콘을 사용함으로써, LED 열화의 원인이 되는 페닐기를 함유한 실리콘 재료 및 유기 칙소성 부여제에 의존하지 않고 점도 및 칙소성과 경화물 경도를 폭넓게 조절 가능하게 되며, 고투명성으로 접착 신뢰성이 있고 빛이나 열에 높은 내구성의 봉지 성능을 가지는 봉지 겸용 렌즈에 적용될 수 있다.
또한 본 발명의 열경화성 실리콘 수지 조성물을 이용하여 도포 공정에서 안정된 렌즈 형상을 신속하게 대량으로 만들 수 있으며, 경화 전에서도 렌즈 모양의 변화는 안정되게 할 수 있다. 열강 공정에서도 경화반응 종료에 이르기까지 렌즈 형상은 중대한 변화를 내지 않으며, 기존의 페닐기를 함유 수지보다 봉지 수지 부위의 광선 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 은, PPA, 알루미늄 등의 기판 재료에 대해서 접착성이 높다. 또한, 수지 봉지재는 폴리 디메틸 실록산 고유의 화학적, 물리적 안정성을 가지고 있기 때문에 소자 구동시 발생하는 고온 광조사 조건에서 수지 봉지층은 고도의 내변색성을 비롯한 신뢰성이 있다.
이로써 생산성이 높고 안정적인 공정으로 고성능 고수명 · 저비용의 발광소자를 제조할 수 있게 되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 조성물이 적용되어 형성한 봉지재를 도시한 구조도.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한, 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 상용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히, 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다.
열경화성 실리콘 수지 조성물
1. 알케닐기 함유 오르가노 폴리실록산
일반적인 폴리 오르가노 실록산의 구조와 관용명 관계는 다음과 같다.
（R1 3SiO1/2）a 단위　：　M단위
　　(R2 2SiO2/2）b 단위　：　D단위
　　(R3 1SiO3/2）c 단위　：　T단위
　　（SiO4/2）d 단위 ：　Q단위
본 명세서에서는 해당 기술 분야에서는 관용적으로 사용되는 M 단위 D 단위, T 단위, Q 단위의 명칭을 사용하기로 한다.
본 발명의 열경화성 실리콘 수지 조성물을 제조하는 데 있어 사용되는 알케닐기 함유 오르가노 폴리실록산은 하기 화학식 1의 구조를 가진다.
[화학식 1]
（R1R2R3SiO1/2）L（R4R5SiO2/2）M（R6SiO3/2）N（SiO4/2）O
이 때, L, M, N, O는 각각 0보다 크거나 같고 1 보다 작은 수이고 L + M + N + O = 1이며, 바람직하게는 L 값이 0.01 ~ 0.3, M 값이 0.3 ~ 0.6, N 값이 0.05 ~ 0.3, O 값이 0.4 ~ 0.8 사이이다.
Ｒ1 ,Ｒ2 ,Ｒ3 ,Ｒ4 ,Ｒ5 ,Ｒ6은 수소원자 또는 서로 동일하거나 서로 다른 지방족 포화기를 가지는 치환 또는 비치환된 일가 탄화수소기이고, 상기 탄화수소기들의 적어도 어느 하나에는 1 개 또는 2 개 이상의 불포화기를 분자의 말단 또는 측쇄에 가지며 직쇄 또는 가지상의 골격을 가진다.
이 때, Q단위의 갯수인 O와 D단위의 개수인 M은, O / M = 0.3 ~ 0.9의 범위에 있는 것이 바람직하다. 상기 범위에서 점도 및 칙소성과 경화물 경도를 폭넓게 조절 가능하게 되며, 고투명성으로 접착 신뢰성이 있고 빛이나 열에 높은 내구성에 유리하다.
2. 오르가노 폴리하이드로젠 실록산
본 발명의 열경화성 실리콘 수지 조성물을 제조하는 데 있어 사용되는 오르가노 폴리하이드로젠 실록산은 하기 화학식 2의 구조를 가진다.
[화학식 2]
（R7R8R9SiO1/2）p（R10R11SiO2/2）Q（R12SiO3/2）R（SiO4/2）S
이 때, P, Q, R, S는 각각 0보다 크거나 같고 1보다 작은 수이고 P + Q + R + S = 1이다. R7, R8, R9, R10, R11, R12 는 수소원자 또는 서로 동일하거나 서로 다른 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환 일가 탄화수소기이다.
이 때, 오르가노 폴리하이드로젠 실록산은 선호 P 값이 0.01 ~ 0.2, Q 값이 0.3 ~ 0.9, R 값이 0.05 ~ 0.3, S 값이 0.1 ~ 0.8 사이이지만, 상기 화학식 2에 설명된 MDTQ 수지의 알케닐기 대신 1개 이상의 활성수소를 함유하는 결합뿐만 아니라, 예를 들면, DT 수지, MT 수지, MDT 수지, DTQ 수지 및 MTQ 수지 및 DQ 수지, MQ 수지, DTQ 수지, MTQ 수지 또는 MDQ 수지 등에 대해 1 개 또는 복수의 활성 수소를 함유하는 조합도 가능하다. 여기서 M, D, T, Q는 전술한 관용명 단위이다.
한편, 전술한 화학식 1, 2의 관능기 R1 ~ R12의 탄화수소기는 알킬기인 경우 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소 프로필기, 부틸기 등의 탄소수 1 ~ 18의 알킬기가 적합하고, 아릴기인 경우 페닐기, 플루오르 페닐기, β - 나프틸기(naphthyl), β-안트라닐(anthranil)기 등의 탄소수 6 ~ 18의 아릴기가 적합하다. 알케닐기인 경우 비닐기, 아릴기, β- 부테틸기, γ - 부테닐기등의 탄소수 2 ~ 6 알케닐기가 적합하다.
또한, 에폭시기, 옥세타닐(Oxetanyl), 아크릴로일옥시기(acryloyloxy)기, 메타크릴로일옥시(Methacryloyl oxy)기, 메르캅토기, 아미노기, 혹은 시아노기를 가지는 치환기를 가지는 경우, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬기가 적합하다.
특히 탄소수 3 내지 6의 시클로알킬기를 가지는 탄소수 1 내지 6의 알킬기에 전술한 치환기가 치환된 것이 매우 적합하다.
상기 에폭시기는, 그리시질기, 글리시독시 에틸기,α-글리시독시 프로필기, β -글리시독시 프로필기, γ-글리시독시 프로필기, α-글리시독시 부틸기, β -글리시독시 부틸기, γ-글리시독시 부틸기, δ -글리시독시 부틸기, α- (3, 4 - 에폭시 시클로 헥실) 메틸기, β - (3, 4 -에폭시 시클로 헥실) 에틸기, γ - (3, 4 -에폭시 시클로 헥실) 프로필기, δ - (3, 4 -에폭시 시클로 헥실) 부틸기등을 들 수 있다.
옥세타닐(Oxetanyl)를 가진 치환기로서는, (3- 에틸옥세탄-3-일) 프로필기등을 들 수 있고, 아크릴로일옥시기(acryloyloxy)기를 가지는 치환기로서는, 아크릴로일 옥시 메틸기, β-아크릴로일 옥시에틸기, β -아크릴로일 옥시 프로필기, γ -아크릴로일 옥시 프로필기등을 들 수 있다.
또한, 메타크릴로일옥시(Methacryloyl oxy)기를 가지는 치환기로서는, 메타크릴로일옥시메틸기, β -메타크릴로일옥시에틸기, β -메타크릴로일옥시프로필기, γ -메타크릴로일옥시프로필기등을 들 수 있다.
또, 메르캅토기를 가지는 치환기로서는, 메르캅토 메틸기, β -메르캅토 에틸기, β -메르캅토 프로필기, γ -메르캅토 프로필기등을 들 수 있고, 아미노기를 가지는 치환기로서는, 아미노 메틸기, β-아미노 에틸기, β -아미노 프로필기, γ - 아미노 프로필기, N-(β- (아미노 에틸), γ-아미노 프로필기등을 들 수 있으며, 시아노기를 가지는 치환기로서는, 시아노메틸기, β -시아노에틸기, β -시아노프로필기, γ-시아노프로필기등을 들 수 있다. 이소시아노기를 가지는 치환기로서는, 이소시아노메틸기, β -이소시아노에틸기, β-이소시아노프로필기, γ-이소시아노프로필기등을 들 수 있다.
3. 흄드 실리카
흄드 실리카는 칙소성을 부여하기 위한 성분으로서, 비표면적은 100 ~ 300m2/g (BET법) 을 사용하며, 사용시 실란, 실리콘 오일, 실리콘 수지, 알칸, 지방산, 저분자 화합물은 물리 흡착 또는 화학 반응을 이용하여 그 표면을 코팅 처리하여 사용하는 것이 바람직하다.
4. 백금착물
백금착물은 실리콘의 열경화반응을 촉발시키는 촉매로 사용되며, 전체 조성물에서 1 내지 120ppm의 범위로 포함하는 것이 바람직하다.
5. 커플링제
본 발명의 열경화성 실리콘 수지 조성물의 접착 신뢰성을 향상시키기 위해, 첨가되는 실란 커플링 제로서는 하기 화학식 3의 구조를 사용하는 것이 가능하다.
[화학식 3]
R13 XR14 YSi(R15)(4-X-Y)이 때 R13 ~ R14 는 독립적으로 수소원자 또는 반응치환기가 1 개 이상 결합한 탄소원자 1 ~ 30, 바람직하게는 2 ~ 20의 알킬기를 나타낸다. R15는 염소원자, 수산기 또는 탄소원자 1 ~ 30의 비치환 또는 치환 알콕시기 또는 아릴옥시기를 나타낸다. X는 1 ~ 2의 정수이며, Y는 0에서 1 사이의 정수이며, X + Y는 1 또는 2의 정수이다. )로 표시되는 1 종 또는 2 종 이상의 실란 화합물 및 / 또는 이들의 부분 가수 분해 축합물이다. 단, R13 ~ R14 는 동시에 수소원자로 되지 않는 것이 바람직하다.화학식 3에서, R13 ~ R14 의 알킬기는, 바람직하게는 메틸, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기 등일 수 있고, 보다 바람직하게는 탄소 원자수 1 ~ 18의 알킬기를 들 수 있다. 화학식 3에서, R13 ~ R14 에 의해 나타내지는 알킬기는 반응성 치환기를 한 개 이상 가질수 있다. 여기서 반응성 치환기로 예를 들어, 에폭시기, 옥세타닐(Oxetanyl), 아크릴로일옥시기(acryloyloxy)기, 메타크릴로일옥시(Methacryloyl oxy)기, 메르캅토기, 아미노기, 혹은 시아노기, 이소시아노기를 들 수 있다.보다 구체적으로는 에폭시기 또는 에폭시기를 갖는 알킬기로, 예를 들어, 글리시딜기, β-글리시독시에틸기, α-글리시독시 프로필기, β-글리시독시 프로필기, γ-글리 시독시 프로필기, α-글리시독시 부틸기, β-글리시독시 부틸기, γ-글리시독시 부틸기, δ-글리시독시 부틸기, (3, 4 - 에폭시 시클로헥실)메틸기, β- (3,4 - 에폭시 시클로헥실) 에틸기, γ-(3,4 - 에폭시 시클로헥실) 프로필기, δ-(3,4 - 에폭시 시클로 헥 실) 부틸기 등을 들 수 있다.
옥세타닐(Oxetanyl)기를 가지는 알킬기로서는, (3-에치르오키세탄 -3-일) 프로필기등을 들 수 있다.
아크릴로일 옥시기를 가지는 알킬기로서는, 예를 들면, 아크릴로일 옥시 메틸기, β-아크릴로일 옥시에틸기, β-아크릴로일 옥시프로필기, γ-아크릴로일 옥시 프로필기등을 들 수 있다.
메타크릴로일옥시(Methacryloyl oxy)기를 가지는 알킬기로서는, 메타크릴로일옥시메틸기, β-메타크릴로일옥시에틸기, β-메타크릴로일옥시프로필기, γ-메타크릴로일옥시프로필기 등을 들 수 있다.
메르캅토기를 가지는 알킬기로서는, 예를 들면, 메르캅토 메틸기, β-메르캅토 에틸기, β-메르캅토 프로필기, γ-메르캅토 프로필기등을 들 수 있고, 아미노기를 가지는 치환기로서는, 아미노 메틸기, β -아미노 에틸기, β -아미노 프로필기, γ - 아미노 프로필기, N-(β - (아미노에틸), γ -아미노 프로필기, N-페닐-γ-아미노 프로필기등을 들 수 있다.
시아노기를 가지는 치환기로서는, 시아노메틸기, β-시아노에틸기, β -시아노프로필기, γ -시아노프로필기등을 들 수 있다. 이소시아노기를 가지는 치환기로서는, 이소시아노메틸기, β -이소시아노에틸기, β -이소시아노프로필기, γ -이소시아노프로필기등을 들 수 있다.
화학식 3에서, R15가 탄소원자수 1 내지 30의 비치환 혹은 치환의 알콕시기인 경우, 탄소 원자수 1 내지 10, 특히 탄소 원자수 1 내지 6 정도의 저급 알콕시가 매우 적합하고, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기(ISOPROPOXY), ISO 프로폭시기(ISOPROPOXY), 부톡시기, iso-부톡시기, tert-부톡시기, 시클로헥실 옥시기등의 비치환의 알콕시기일 수 있다.
또한 반응성 치환기를 한 개 이상 가지는 치환 알콕시기 일 수 있다. 여기서 반응성 치환기는 알콕시기, 에폭시기, 옥세타닐(Oxetanyl), 아크릴로일옥시기(acryloyloxy)기, 메타크릴로일옥시(Methacryloyl oxy)기, 메르캅토기, 아미노기, 혹은 시아노기, 이소시아노기일 수 있고, 예를 들면, 메톡시 메톡시기, 메톡시 에톡시기, 에톡시 메톡시기, 에톡시 에톡시기등의 알콕시 치환의 알콕시기 일 수 있다.
화학식 3에서, R15가 탄소 원자수 1 내지 30의 비치환 혹은 치환의 아릴 옥시기인 경우, 탄소 원자수 6 내지 18, 특히 탄소 원자수 6 내지 12 정도의, 방향족 고리를 1개 또는 2개 가지는 것이 매우 적합하고, 예를 들면, 페닐 옥시기, o,m,p 토릴(tolyloxy) 옥시기, 디메틸 페닐 옥시기, o,m,p 에틸 페닐 옥시기, 벤질 옥시기, 페닐 에틸 옥시기, 나프틸옥시기(naphthyloxy), 비페닐옥시기(biphenyloxy), 안트라닐(anthranilic)옥시기 등을 들 수 있다. 한편, 반응성 치환기를 한 개 이상 가질 수 있으며, 치환기의 예로서, 알콕시기, 에폭시기, 옥세타닐(Oxetanyl), 아크릴로일옥시기(acryloyloxy)기, 메타크릴로일옥시(Methacryloyl oxy)기, 메르캅토기, 아미노기, 혹은 시아노기, 이소시아노기를 들 수 있다.
6. 기타 첨가제
본 발명의 실시예에 따른 열경화성 실리콘 수지 조성물이 피착되는 LED 구성 부재 (기판, 발광소자, 금속 전극, 리플렉터 패키지)에 대한 접착 신뢰성을 향상시키는 추가적인 수단으로 극성 구조를 가지면서 내변색 및 내열성, 접착성을 부여하는 것이 가능한 제1첨가제를 더 포함할 수 있다.
예를 들면, 트리 아릴 이소시아누레이트 및 디알릴모노디글리시딜 이소시아누레이트와 모노알릴디글리시딜 이소시아누레이트, 트리글리시딜이소시아누테이트(TEPIC), 이소시아눌릭산 또는 그 합성 가능한 유도체 등을 꼽을 수 있다. 전술한 첨가제는 단독 또는 조합하면서 임의의 농도와 비율에서 해당 조성물 중에 용해 또는 분산시켜 사용 가능하다.
또한 발광소자에서 방출되는 290 내지 450 nm영역의 파장을 변환하기 위해서 제공되는 형광체인 제2첨가제로는 희토류 원소를 도프한 YAG(yttrium Aluminum GARNET) 계, TAG(Terbium aluminium garnet) 계, 오르토 실리케이트ㅇ알칼리 토류 금속계, α-및 β-SiAlON(사이알론) 계, CaAlSi3N3(카즌) 계, La산질화물계계의 무기 형광체, 또는 Ir, Pt, Eu를 착체 중심으로 가지는 유기 금속 착체등의 유기 형광체를 단독 또는 복수 선택하여 본 발명의 열경화성 실리콘 수지 조성물에 분산 또는 용해해 사용하는 것이 가능하고, 본 발명의 수지조성물의 칙소성에 의해 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능하다
한편, 본 발명에 따른 열경화성 실리콘 수지 조성물을 구성함에 있어서, 알케닐기 함유 오르가노 폴리실록산은 1 ~ 80 중량부, 오르가노 폴리하이드로젠 실록산은 1 ~ 80 중량 부, 흄드 실리카는 1 ~20중량부(바람직하게는 7 ~ 19 중량부, 더욱 바람직하게는 9 ~ 12중량부로 첨가될 수 있다.)로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 범위 내에서 투명하면서도 접착력 및 칙소성이 우수한 효과를 나타내기 때문이다.
한편, 도 1은 전술한 열경화성 실리콘 수지 조성물가 COB방식으로 실장된 발광소자의 봉지재로 사용되는 구조를 도시한다. 본 발명에 다른 조성물이 경화되어 형성하는 렌즈(1)는 발광소자(2)에서 발산하는 광을 조절하는 광학기능과 봉지기능을 동시에 수행할 수 있다.
실시예
실시예 1
흄드 실리카 (트크 야마 제품, KS-30SC) 12 부, 비닐기 함유 MQ 레진 (비닐 당량 0.74mmol/g) 100 부를 120 ℃, 진공에서 유성 믹서를 사용하여 혼합하여 마스터 배치 1 ( 이하에서 MB1이라고 부른다)을 제조했다.
(1) 조성물 A의 조제
미리 만든 MB1 112 부와 백금 착체 0.1 부, γ-글리시독시 프로필기와 비닐기를 포함하는 폴리 디메틸 실록산 0.5 부, γ-글리시독시 트리메톡시 실란 (KBM-403 : 신에츠 화학 공업 제품 ) 0.5 부를 실온에서 1 시간 유성 믹서로 혼합하여 그 수지 조성물A를 얻었다.
(2) 조성물 B의 조제
유리 용기에 오르가노 수소 폴리 실록산 (H 당량 7.3mmol / g) 19.2부 및 비닐 기 함유 폴리 디메틸 실록산 비닐 당량 0.25mmol / g)의 PBO (2-phenyl-3-butyn-2-ol : 시그마 알드리치) 0.1 % 용해품을 1.0 부 첨가하여 혼합하여 해당 수지 조성물 B를 얻었다.
(3) 조성물 A, B의 혼합
상기 수지 혼합물 A 50 부와 B 20.1 부를 용기에 칭량해서 주걱을 사용하여 예련한 다음 자전 공전 믹서 (ARE-310 : 주식 회사 신키 제품) 1 분간 교반 탈포를 실시하여 진공 아래 탈포하여 해당 수지 조성물을 얻었다.
실시예 2
(1) 조성물 A의 조제
미리 제조한 MB1, 112부와 백금 착체 0.1부,γ-글리시독시 프로필기 및, 비닐기 함유 폴리 디메틸 실록산을 0.5부,γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403：신에츠 화학공업제) 0.5부, TAIC(트리 아릴 이소시아누레이트) 1부, DAMGIC(디아릴모노글리시딜이소시아누레이트) 2부를 실온하에서 2시간 planetary-믹서로 혼합하는 것으로 해당 수지 조성물 A를 얻었다.
(2) 조성물 B의 조제
폴리프로필렌 용기에 오르가노하이드로젠폴리실록산(H당량 7.3 mmol/g) 26.1부 및 비닐기 함유 폴리 디메틸 실록산(비닐 당량 0.25 mmol/g)의 PBO(2-phenyl-3-butyn-2-ol：시그마 알도리치) 0.1 중량% 용해품을 1.0부 더해 용기를 손으로 흔드는 것으로 해당 수지 조성물 B를 얻었다.
(3) 조성물 A, B의 혼합
상기 수지 혼합물 A 50부와 B 13.1부를 용기에 칭량 해, 주걱을 이용해 예련한 다음, 자전 공전 믹서(ARE-310：주식회사 싱키-제)로 1분간 교반탈포를 실시해, 진공하에서 탈포 하는 것으로, 해당 수지 조성물을 얻었다.
비교예 1
흄드시리카(트크야마제, DM-30) 25부, 비닐기 함유 폴리 디메틸 실록산(비닐 당량 0.09 mmol/g) 100부를 1시간, 계속하여 120℃으로 2시간, 진공하에서 planetary-믹서를 이용해 혼합하는 것으로 마스터 배치 2(MB2)를 제조했다.
(1) 조성물 A의 조제
미리 작성한 MB2 40부와 비닐기 함유 MQ레진(비닐 당량 0.45 mmol/g) 58.9부, 백금 착체 0.1부,γ-글리시독시 프로필기 및 비닐기 함유 폴리 디메틸 실록산을 0.5부, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403：신에츠 화학공업제) 0.5부를 실온하에서 1시간, 계속하여 120℃에서 2시간, 진공하에서 planetary-믹서로 혼합하는 것으로 해당 수지 조성물 A를 얻었다.
(2) 조성물 B의 조제
폴리프로필렌 용기에 오르가노하이드로젠폴리실록산(H당량 7.3 mmol/g) 7.7부 및, 비닐기 함유 MQ레진(비닐 당량 0.45 mmol/g) 1.3부, 비닐기 함유 폴리 디메틸 실록산 용액(비닐 당량 0.25 mmol/g, KCC제)의 PBO(2-phenyl-3-butyn-2-ol：시그마 알도리치) 0.1 중량% 용해품을 1.0부 더해 혼합하는 것으로 해당 수지 조성물 B를 얻었다.
(3) 조성물 A, B의 혼합
상기 수지 혼합물 A 50부와 B 5부를 용기에 칭량 해, 주걱을 이용해 예련한 다음, 자전 공전 믹서(ARE-310：주식회사 싱키-제)로 1분간 교반탈포를 실시해, 더욱 진공하에서 탈포 하는 것으로, 해당 수지 조성물을 얻었다.
비교예 2
흄드실리카(트크야마제, KS-30 SC) 25부, 비닐기 폴리 디메틸 실록산(비닐 당량 0.09 mmol/g) 100부를 1시간, 계속 되어 120℃으로 2시간, 진공하에서 planetary-믹서를 이용해 혼합하는 것으로써 마스터 배치 3(MB3)을 작성했다.
(1) 조성물 A의 조제
미리 제조한 MB3 50부와 백금 착체 0.1부, γ-글리시독시 프로필기 및 비닐기 함유 폴리 디메틸 실록산을 0.5부, γ-그리시독시프로필트리메톡시실란 (KBM-403：신에츠 화학공업제) 0.5부를 1시간, 계속 되어 120℃으로 2시간, 진공하에서 planetary-믹서로 혼합하는 것으로 해당 수지 조성물 A를 얻었다.
(2) 조성물 B의 조제
폴리프로필렌 용기에 MHBP073(오르가노하이드로젠폴리실록산, H당량 7.3 mmol/g) 10.6부 및, 비닐기 함유 폴리 디메틸 실록산 용액(비닐 당량 0.25 mmol/g)의 PBO(2-phenyl-3-butyn-2-ol：시그마 알도 리치) 0.1 중량% 용해품을 1.0부 더해 혼합하는 것으로 해당 수지 조성물 B를 얻었다.
(3) 조성물 A, B의 혼합
상기 수지 혼합물 A 50부와 B 5.8부를 용기에 칭량 해, 주걱을 이용해 예련한 다음, 자전 공전 믹서(ARE-310：주식회사 싱키-제)로 1분간 교반탈포를 실시해, 더욱 진공하에서 탈포 하는 것으로, 해당 수지 조성물을 얻었다.
시험평가방법
본 실시예 및 비교예에 의해서 얻을 수 있던 수지 조성물을, 각종 기판 재료에 도포 후, 이하에 기술하는 평가방법을 이용해 여러 가지 물성의 측정을 실시했다.
(1) 투명성의 측정 시험
본 발명의 봉지 수지 조성물 또는, 비교예를 현미경 관찰용 슬라이드 글라스(이와키 유리)에 끼워, 150℃, 2시간 경화 반응을 실시했다. 실온까지 제랭 후, UV-Vis 분광계(히타치 하이테크제：U-3900)를 이용해 투과율의 측정을 실시했다(슬라이드 글라스의 흡수는 블랭크 샘플의 흡수로부터 보정). 결과를 이하의 항목에서 판정했다.
(A) 150℃, 2시간 경화 후의 투과율이, 420 내지 700 nm의 범위에서 99%이상.
(B) 150℃, 2시간 경화 후의 투과율이, 420 내지 700 nm의 범위에서 90%이상.
(C) 150℃, 2시간 경화 후의 투과율이, 420 내지 700 nm의 범위에서 80%미만.
(2) 칙소성의 측정 시험
본 발명 에 있어서 경화 반응전의 수지 조성물의 칙소성에 대해서, 레오 미터(전단 속도/응력 제어식 레오 미터：블룩 필드 사제 R/S-CPS+)를 이용해 측정했다.
(A) 수지 조성물에 전단력을 인가할 때의 초기 점도(1/s=1)의 값이 90000 내지650000 cp의 범위에 있는 것으로 동시에, 수지 조성물에 전단 인가 후의 점도(1/s=10)가 14000 내지 45000 cp의 범위에 있는 것.
(B) 수지 조성물에 전단력을 인가할 때의 초기 점도(1/s=1)의 값이 90000 내지650000 cp의 범위외에 있는지, 수지 조성물에 전단 인가 후의 점도(1/s=10)가 14000 내지 45000 cp의 범위외에 있는지, 혹은 양쪽 모두 범위외의 결과.
(3) COB 렌즈 형성 시험
봉지 수지의 렌즈 형성 및 박리 시험 표면을 IPA 함침포로 마찰 후, 톨루엔으로 세정 및 그 후의 바람에 의한 건조를 실시한 알루미늄 기판 및, 동기재 은도금 기판, 상기 같은 세정 공정을 거친 후에 150℃, 1시간 건조한 PPA(polyphthalamide aModel ：솔베이어드밴스드폴리머즈주식회사)의 기판상(형상：W20mm×50mm×1mm)에, 실시예의 조성물 또는, 비교예의 조성물을 EFD 社제 10 CC주사통에 충전ㅇ진공탈기ㅇ탈포 해, 20 G 니들을 장착한 후에 액제 토출 장치(SDP-400：산에이 테크널로지)를 이용해 수지 렌즈의 도포 형성을 실시했다. PPA 기판 및 알루미늄 기판, 동기재은도금 기판에 수지를 각각의 토출 시간에 도포(0.5, 1.0, 2.0sec)해, 대응하는 3종의 렌즈군을 각 12개 작성했다. 그대로 1시간 실온에서 방치 후에, 100℃에서 1시간, 다음에 150℃에서 1시간 경화 반응을 실시했다. 그 후 실온까지 제랭 후에 현미경 관찰을 실시했다. 경화 전후의 렌즈 형상에 대해서, 이하의 판정을 실시했다.
스티링기니스(Stringiness)
(A) 상기 3종의 기판상에 도포한 수지 렌즈가, 도포시의 수지의 Stringiness 에 의해서 발생하는 돌기의 발생이 1 분후에는 소실하고 있는 것.
(B) 상기 3종의 기판상에 도포한 수지 렌즈가, 도포시의 수지의 Stringiness 에 의해서 발생하는 돌기의 발생이 1 분후에 잔존하고 있는 것.
렌즈 형상 안정성
(A) 상기 3종의 기판상에 도포 형성한 수지 렌즈가, 실온 하, 1시간 방치 후에 유동하는 것 없고 렌즈 형상을 유지하고 있다.
(B) 상기 3종의 기판상에 도포 형성한 수지 렌즈가, 실온하, 1시간 방치 후에 유동해 버리고 있다.
(4) 접착 강도 측정 시험
알루미늄판(JIS 규격 H4000 상당품, W100mm×D25mm×H1.5 mm) 및 PPA(polyphthalamide aModel ：솔베이어드밴스드폴리머즈주식회사)의 기판(형상：W100mm×D25mm×2mm) 2매에, 본 실시예의 조성물와 비교예를 도포해, 각각 접착면이 W25mm×D10mm×H0.2mm가 되도록 중첩하여 대면시킨 다음 클립으로 고정했다. n수 4로 각각 시험편을 작성한 다음, 오븐중에서 150℃, 2시간, 경화 반응을 실시했다. 경화 후, 오븐으로부터 꺼내 실온까지 냉각 후, 인장 시험기(주식회사 A&D 제 RTG1310)를 이용해 단위면적당 접착 강도를 측정했다.
시험 재료 평가 결과
투명성 렌즈부돌기 칙소성 렌즈형상안정성 접착강도
실시예 1 A A A A 1.6
실시예 2 B A A A 2.3
비교예 1 C B A A 1.1
비교예 2 B A B B 0.7
이에 따르면 본 발명의 실시예들이 종합적으로 투명성, 칙소성, 접착성 모두 좋은 것으로 나타난다.
이상에서는 본 발명의 실시예에 따른 열경화성 실리콘 수지 조성물에 대해 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 개념을 벗어나지 않고 변형이 가능하고 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.
전술한 발명에 대한 권리범위는 이하의 청구범위에서 정해지는 것으로서, 명세서 본문의 기재에 구속되지 않으며, 청구범위의 균등범위에 속하는 변형과 변경은 모두 본 발명의 범위에 속할 것이다.

Claims (13)

  1. 하기 화학식 1의 알케닐기 함유 오르가노 폴리실록산;
    하기 화학식 2의 오르가노 폴리하이드로젠 실록산;
    흄드 실리카; 및
    백금착물을 포함하는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
    [화학식 1]
    （R1R2R3SiO1/2）L（R4R5SiO2/2）M（R6SiO3/2）N（SiO4/2）O (이 때, L, M, N, O는 각각 0보다 크거나 같고 1 보다 작은 수이고, L 값이 0.01~0.3, M 값이 0.3~0.6, N 값이 0.05~0.3, O 값이 0.4~0.8이고, L, M, N, O 중 적어도 3개는 0이 아니며, L + M + N + O = 1이며, Ｒ1 ,Ｒ2 ,Ｒ3 ,Ｒ4 ,Ｒ5 ,Ｒ6은 서로 동일하거나 서로 다른 지방족 포화기를 가지는 치환 또는 비치환된 일가 탄화수소기이고, 상기 탄화수소기들의 적어도 어느 하나에는 1 개 또는 2 개 이상의 불포화기를 분자의 말단 또는 측쇄에 가진다.)
    [화학식 2]
    （R7R8R9SiO1/2）p（R10R11SiO2/2）Q（R12SiO3/2）R（SiO4/2）S
    (이 때, P, Q, R, S는 각각 0보다 크거나 같고 1보다 작은 수이고 P + Q + R + S = 1이고, R7, R8, R9, R10, R11, R12는 서로 동일하거나 서로 다른 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환 일가 탄화수소기이며, 상기 탄화수소기들의 적어도 하나에는 1개 또는 2개 이상 활성 수소원자를 분자의 말단 또는 측쇄에 포함한다. )
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 P는 0.01 ~ 0.2, 상기 Q는 0.3 ~ 0.9, 상기 R은 0.05 ~ 0.3, 상기 S는 0.1 ~ 0.8로 이루어지는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 알케닐기 함유 오르가노 폴리실록산은 1 ~ 80 중량부, 상기 오르가노 폴리하이드로젠 실록산은 1 ~ 80 중량 부, 및 흄드 실리카는 1 ~20중량부로 포함되는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 O와 상기 M은, O / M = 0.3 ~ 0.9의 범위에 있는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    접착신뢰성을 향상시키기 위한 하기 화학식 3의 실란계 커플링제를 1 종 또는 2 종 이상 포함하거나, 이들의 가수 분해 축합물을 더 포함하는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
    [화학식 3]
    R13 XR14 YSi(R15)(4-X-Y)(이 때 R13 ~ R14 는 독립적으로 수소원자 또는 반응치환기가 1 개 이상 결합한 탄소원자 2 ~ 20의 알킬기를 나타내고, 낸다. R15는 염소원자, 수산기 또는 탄소원자 1 ~ 30의 비치환 또는 치환 알콕시기 또는 아릴옥시기를 나타낸다. X는 1 ~ 2의 정수이며, Y는 0에서 1 사이의 정수이며, X + Y는 1 또는 2의 정수이다. )
  7. 제6항에 있어서,
    상기 흄드 실리카는 비표면적(BET) 100 ~ 300m2/g 인 열경화성 실리콘 수지 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    트리 아릴 이소시아누레이트, 디알릴모노디글리시딜 이소시아누레이트, 모노알릴디글리시딜 이소시아누레이트, 트리글리시딜이소시아누테이트(TEPIC), 이소시아눌릭산로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 1종이상의 제1첨가제를 더 포함하는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    희토류 원소를 도프한 YAG(yttrium Aluminum GARNET) 계, TAG(Terbium aluminium garnet) 계, 오르토 실리케이트계, 알칼리 토류 금속계, α-및 β-SiAlON(사이알론) 계, CaAlSi3N3(카즌) 계, La를 함유한 산질화물계의 무기 형광체, 및 Ir, Pt, Eu를 착체 중심으로 가지는 유기금속착체로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 제2첨가제를 더 포함하는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 백금착물은 전체 실리콘 조성물에 대해서 1 내지 120ppm로 포함되는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 열경화성 실리콘 수지 조성물을 경화시킨 두께 1mm인 경화도막의 광 투과율이 420 ~ 700nm의 범위에서 영역에서 90 % 이상이 되는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 열경화성 실리콘 수지 조성물에 전단력을 인가할 때 초기 점도(1/s=1)가 90000 내지 650000 cp이고, 전단력 인가 후의 점도(1/s=10)가 14000 내지 45000 cp의 범위에 있는 열경화성 실리콘 수지 조성물.
  13. 제1항 및 제3항 내지 제12항 중 어느 한 항의 열경화성 실리콘 수지 조성물의 경화물이 기판상에 구비되는 발광소자의 봉지재로 포함된 전자장치.
KR1020120104205A 2012-09-19 2012-09-19 열경화성 실리콘 수지 조성물 및 이를 이용한 전자장치 KR101464271B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120104205A KR101464271B1 (ko) 2012-09-19 2012-09-19 열경화성 실리콘 수지 조성물 및 이를 이용한 전자장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120104205A KR101464271B1 (ko) 2012-09-19 2012-09-19 열경화성 실리콘 수지 조성물 및 이를 이용한 전자장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140038045A KR20140038045A (ko) 2014-03-28
KR101464271B1 true KR101464271B1 (ko) 2014-11-24

Family

ID=50646561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120104205A KR101464271B1 (ko) 2012-09-19 2012-09-19 열경화성 실리콘 수지 조성물 및 이를 이용한 전자장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101464271B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017069382A1 (ko) * 2015-10-23 2017-04-27 동우 화인켐 주식회사 실리콘 점착제 조성물

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101695316B1 (ko) 2015-08-13 2017-01-11 주식회사 케이씨씨 경화성 오르가노폴리실록산 조성물 및 이를 이용한 광반도체 장치
KR101804047B1 (ko) * 2016-04-19 2017-12-01 주식회사 케이씨씨 금속 함유 유기-규소 복합체 및 이를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산 조성물
CN111404063B (zh) * 2020-04-27 2021-01-22 浙江港通科技有限公司 一种配电柜

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006089675A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Dow Corning Toray Co Ltd 熱伝導性シリコーンエラストマーおよび熱伝導性シリコーンエラストマー組成物
KR20080104279A (ko) * 2006-02-24 2008-12-02 다우 코닝 코포레이션 실리콘으로 캡슐화된 발광 장치 및 실리콘 제조용의 경화성실리콘 조성물
WO2011078239A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 三菱化学株式会社 半導体発光装置用樹脂成形体用材料
KR101271584B1 (ko) * 2008-09-11 2013-06-11 주식회사 엘지화학 발광 다이오드 소자의 봉지재 또는 렌즈용 실록산 고분자 및 이를 포함하는 고분자 조성물

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006089675A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Dow Corning Toray Co Ltd 熱伝導性シリコーンエラストマーおよび熱伝導性シリコーンエラストマー組成物
KR20080104279A (ko) * 2006-02-24 2008-12-02 다우 코닝 코포레이션 실리콘으로 캡슐화된 발광 장치 및 실리콘 제조용의 경화성실리콘 조성물
KR101271584B1 (ko) * 2008-09-11 2013-06-11 주식회사 엘지화학 발광 다이오드 소자의 봉지재 또는 렌즈용 실록산 고분자 및 이를 포함하는 고분자 조성물
WO2011078239A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 三菱化学株式会社 半導体発光装置用樹脂成形体用材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017069382A1 (ko) * 2015-10-23 2017-04-27 동우 화인켐 주식회사 실리콘 점착제 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140038045A (ko) 2014-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2014702B1 (en) LED device comprising a polyborosiloxane
TWI487747B (zh) 透明密封材組合物及光半導體元件
WO2003091338A1 (en) Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product
KR101560062B1 (ko) 발광 다이오드
KR20160035581A (ko) 발광다이오드를 위한 봉지재
JP2004359933A (ja) 光素子用封止材
JP6323086B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いた物品
WO2012117822A1 (ja) 加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体パッケージ
EP2662410A2 (en) Curable composition
KR101464271B1 (ko) 열경화성 실리콘 수지 조성물 및 이를 이용한 전자장치
TWI401270B (zh) Epoxy. A polysiloxane mixed resin composition, and a light emitting semiconductor device
US9371447B2 (en) Curable silicone resin composition
CN107001769B (zh) 加热固化型硅氧组合物、该组合物构成的固晶材料及用该固晶材料的固化物的光半导体装置
EP2163568A1 (en) Thermosetting composition
CN109476920B (zh) 固化性树脂组合物、其固化物、及半导体装置
US10344131B2 (en) Method of manufacturing condensation-curable silicone resin composition sheet, and method of manufacturing light-emitting apparatus
TWI577737B (zh) 可固化組成物
TWI519604B (zh) 可固化組成物
EP2662412A2 (en) Curable composition
JP5407258B2 (ja) 接着性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体封止体
KR101546299B1 (ko) 발광소자 봉지재용 조성물 및 발광소자
KR20170119505A (ko) 금속 함유 유기-규소 복합체 및 이를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산 조성물
TW201425477A (zh) 可固化組成物
KR101486566B1 (ko) 봉지재 조성물, 봉지재 및 전자 소자
WO2015083446A1 (ja) 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、付加硬化型シリコーン樹脂硬化物、及び、光半導体素子封止体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171030

Year of fee payment: 6