TWI401270B - Epoxy. A polysiloxane mixed resin composition, and a light emitting semiconductor device - Google Patents
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Description
本發明係關於一種維持透明、無表面黏著性來作為基本性能並且在重熔試驗呈有效地作為透明性良好之發光半導體被覆保護材的環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物以及使用該環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物而被覆發光半導體元件的發光半導體裝置。
作為發光半導體(LED)等之發光半導體元件的被覆保護用樹脂組成物係要求其硬化物具有透明性,一般係使用雙酚A型環氧樹脂或脂環式環氧樹脂等之環氧樹脂和酸酐系硬化物所得到者(參考專利文獻1:日本專利第3241338號公報、專利文獻2:日本特開平7-25987號公報)。
但是,即使是在此種透明環氧樹脂,也由於樹脂之吸水率高,因此,耐濕耐久性低,特別是對於短波長光之光線透過率低,所以,有所謂耐光耐久性低或者是由於光惡化而進行著色之缺點發生。
因此,有提議:由在一分子中含有至少2個之SiH基和具有反應性之碳-碳雙鍵之有機化合物、及在一分子中含有至少2個之SiH基之矽化合物以及氫甲矽烷基化觸媒所構成之光半導體元件的被覆保護用樹脂組成物(參考專利文獻3:日本特開2002-327126號公報、專利文獻4:日本特開2002-338833號公報)。
但是,此種聚矽氧烷系硬化物係在企圖改良耐破裂性之時,一般有在硬化物之表面殘留黏著物、容易附著塵埃而損害光透過性之缺點發生。
因此,提議高純度聚矽氧烷樹脂使用於保護被覆用者(參考專利文獻5:日本特開2002-314139號公報、專利文獻6:日本特開2002-314143號公報)。
但是,在這些高純度聚矽氧烷樹脂,還缺乏接著性,在陶瓷及/或塑膠框體內,配置發光元件,在藉由聚矽氧烷樹脂而填充該框體內部之箱盒型發光半導體裝置,於-40~120℃之熱撞擊試驗,發生聚矽氧烷樹脂由框體之陶瓷或塑膠來剝離之問題點。
此外,作為具有可彌補這些缺點之可能性之組成物係即使是關於日本特開昭52-107049號公報(參考專利文獻7)之環氧和聚矽氧烷之組成物而言,發生接著力、變色之問題。
在近年來,由於光半導體元件封裝之小型化.薄型化.環境對應等之市場之要求而要求無鉛銲錫所造成之構裝對應,需要高度之構裝可靠性、特別是在高溫之耐重熔可靠性。特別是在光半導體用途,於重熔試驗時來維持透明性係變得重要。
另一方面,關於成為包含矽之網路型寡聚物之倍半矽氧烷(Silsesquioxane)而言,知道例如對於含有環氧基及/或氧雜環丁烷基之倍半矽氧烷(Silsesquioxane)進行陽離子硬化而構成之發光二極體用封裝樹脂(參考專利文獻8:日本特開2004-238589號公報)。
但是,藉由陽離子性硬化劑所造成之硬化物係缺乏可彎曲性,在此種樹脂成為發光二極體之封裝材之狀態下,於加熱或冷卻時,在發光元件和封裝樹脂等之間,產生大應力,激發樹脂破裂之發生、來自框體之封裝樹脂之剝離、打線斷裂等,成為發光二極體之輸出降低或不良之原因。
此外,揭示由具有至少2個環氧環之倍半矽氧烷(Silsesquioxane)、環氧樹脂、酸酐系硬化物及硬化觸媒所構成而進行B階段化之光半導體封裝用樹脂組成物(專利文獻9:日本特開2005-263869號公報),但是,關於其硬化觸媒之選擇,關於重熔試驗時之著色可能性而言,也並無任何之揭示或啓發。
〔專利文獻1〕日本專利第3241338號公報〔專利文獻2〕日本特開平7-25987號公報〔專利文獻3〕日本特開2002-327126號公報〔專利文獻4〕日本特開2002-338833號公報〔專利文獻5〕日本特開2002-314139號公報〔專利文獻6〕日本特開2002-314143號公報〔專利文獻7〕日本特開昭52-107049號公報〔專利文獻8〕日本特開2004-238589號公報〔專利文獻9〕日本特開2005-263869號公報
本發明係有鑑於前述之狀況而完成的;其目的係提供一種透明、無表面黏著性且重熔試驗時之透明性良好來成為表面性能而適合作為發光半導體被覆保護材的環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物以及使用該環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物而進行被覆的發光半導體裝置。
本發明人係為了達成前述之目的,因此,全心地進行檢討,結果發現:在以(A)在一分子中具有至少2個之環氧官能性基或氧雜環丁烷基之有機聚倍半矽氧烷(Silsesquioxane)樹脂、(B)在一分子中具有至少2個之環氧官能性基之環氧樹脂、(C)硬化劑以及(D)硬化觸媒來作為必要成分之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物,藉由以使用季鏻鹽之1種以上來作為硬化觸媒之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物、特別是含有下式(1)所表示之化合物及/或下式(2)所表示之化合物來作為季鏻鹽之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物,來進行封閉保護,而得到可靠性良好的發光半導體裝置。
因此,本發明係提供一種環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物,係以(A)在一分子中具有至少2個之環氧官能性基或氧雜環丁烷基之有機聚倍半矽氧烷(Silsesquioxane)樹脂、(B)在一分子中具有至少2個之環氧官能性基之環氧樹脂、(C)硬化劑以及(D)硬化觸媒來作為必要成分之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物,其特徵為:硬化觸媒係包含季鏻鹽之1種以上。在該狀態下,季鏻鹽係最好是包含前述式(1)所表示之化合物及/或前述式(2)所表示之化合物。此外,其硬化物之玻璃轉化溫度係最好是130℃以上。
此外,本發明係提供一種發光半導體裝置,其發光半導體元件係被前述環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物之透明硬化物所封閉保護。
本發明之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物係藉由以其硬化物,來被覆及保護發光半導體元件,而也無由於重熔試驗所造成之變色發生,因此,可以提供一種構裝可靠性良好之發光半導體裝置,產業上之優點變得極大。此外,在該狀態下,玻璃轉化溫度130℃以上之硬化物係特別是於硬化物表面完全無塵埃附著,在耐熱試驗,具有良好之耐破裂性。
適合使用於被覆及保護本發明之發光半導體之被覆保護材之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物係以(A)在一分子中具有至少2個之環氧官能性基或氧雜環丁烷基之有機聚倍半矽氧烷(Silsesquioxane)樹脂、(B)在一分子中具有至少2個之環氧官能性基之環氧樹脂、(C)硬化劑以及(D)硬化觸媒,來作為必要成分。
在此,就作為(A)成分之在一分子中具有至少2個之環氧官能性基或氧雜環丁烷基之有機聚倍半矽氧烷(Silsesquioxane)樹脂而進行說明。
所謂有機聚倍半矽氧烷(Silsesquioxane)樹脂(在以下,有僅記載為倍半矽氧烷之狀態發生)係通常以藉由RSiX3
單位(R係碳數1~20之非取代之烷基、芳基、鏈烯基、芳烷基等之非取代之1價烴基、或者是該非取代之1價烴基之氫原子之至少1個以環氧基、環氧丙氧基等之環氧官能性基、氧雜環丁烷基或三有機甲矽烷氧基所取代之取代1價烴基,但是,至少R中之2個係以環氧官能性基或氧雜環丁烷基所取代之取代1價烴基,X係鹵素、烷氧基等之水解性基)所表示之3官能性有機矽化合物之水解、縮(聚)合而合成之RSiO1.5
單位來作為基本構成單位的聚矽氧烷樹脂。有機聚倍半矽氧烷(Silsesquioxane)樹脂之分子配列之形狀係代表性地知道無定形構造(三次元網狀構造)、舵型構造、籃籠型(完全縮合箱籠型)構造或其部分開裂構造體(由籃籠型構造開始至矽原子中之一部分欠缺之構造或者是切斷籃籠型構造之一部分之矽-氧鍵之構造)等。此外,所謂基本構成單位係通常表示構成(A)成分之有機聚倍半矽氧烷(Silsesquioxane)樹脂中之80莫爾%以上(80~100莫爾%)、最好是90莫爾%以上(90~100莫爾%)、更加理想是95莫爾%以上(95~100莫爾%)、甚至最好是98莫爾%以上(98~100莫爾%)成為前述之RSiO1.5
單位。此外,作為有機聚倍半矽氧烷(Silsesquioxane)樹脂中之該基本構成單位以外之剩餘單位係可以適當地含有R3
SiO1/2
單位、R2
SiO2/2
單位、SiO4/2
單位、(OH)R2
SiO1/2
單位、(OH)2
RSiO1/2
單位、(OH)RSiO2/2
單位等。
使用於本發明之倍半矽氧烷係可以是這些倍半矽氧烷化合物中之任何一種構造,並且,也可以是這些之混合物。
在本發明,其特徵為:倍半矽氧烷係在換算成為(RSiO1.5
)8
構造之狀態下,8個有機基R之至少2個為包含環氧官能性基或氧雜環丁烷基之有機基(也就是以前述之環氧官能性基或氧雜環丁烷基所取代之1價烴基)。如果殘留之有機基R之種類無化學反應性或者是低化學反應性的話,則並無特別限定,可以是相同,也可以是不同。作為殘留6個以下之有機基R係最好是由碳數1~20之烷基、碳數5~12之環烷基、苯基等之碳數6~12之芳基及含有三有機甲矽烷氧基之碳數1~12之烴基所構成之群組而選出之至少1種。
在此,作為以環氧官能性基或氧雜環丁烷基所取代之1價烴基係列舉例如以環氧甲基、2-環氧乙基、環氧丙氧基甲基、γ-環氧丙氧基丙基、β-(3,4-環氧基環己基)乙基、2-氧雜環丁烷基丁基、γ-(2-氧雜環丁烷基丁羥基)丙基等之環氧官能性基或氧雜環丁烷基所取代且可以含有氧原子之碳數1~10之烷基等。
此外,作為碳數1~20之烷基係列舉甲基、乙基、丙基、丁基等。
作為碳數5~12之環烷基係列舉環戊基、環己基、降冰片基等。
作為含有三有機甲矽烷氧基之碳數1~12之烴基係列舉例如在亞甲基、乙烯基、丙烯基、丁烯基等之通常之碳數1~12、最好是碳數1~6程度之直鏈狀、環狀或支化狀之亞烷基來結合三有機甲矽烷氧基(例如R1 3
SiO基,但是R1
係前述R中之三有機甲矽烷氧基取代1價烴基以外之碳數1~20之1價烴基、以環氧官能性基或氧雜環丁烷基所取代之取代1價烴基)之三有機甲矽烷氧基取代烷基等。
(A)成分係聚苯乙烯換算之重量平均分子量2×103
以上、典型是2×103
~1×105
、更加典型是4×103
~1×104
。在未滿2×103
時,引起結晶化,有在摻合時來需要再熔融製程之狀態發生。此外,在超過1×105
時,和環氧樹脂之相溶性變低,恐怕無法得到透明硬化物。所謂「聚苯乙烯換算之重量平均分子量」係藉由凝膠滲透色譜分析所造成之分子量分布之重量平均分子量,在該分子量分布來顯示2個以上波峰之分布形狀之狀態下,表示關於該分布形狀之最大分子量之波峰之重量平均值。
接著,成為(B)成分之在一分子中具有至少2個之環氧官能性基的環氧樹脂係可以列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等之芳香族系環氧樹脂、對於前述各種環氧樹脂之芳香環來添加氫之添水型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、三環氧丙基異氰酸酯等之非芳香族系環氧樹脂等,但是,如果是在一分子中具有至少2個之環氧官能性基的話,則並無限定在前述之樹脂。這些環氧樹脂係可以單獨或者是使用2種以上。
即使是在其中,也為了防止由於光所造成之惡化,因此,適合使用添水型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂或三環氧丙基異氰酸酯等之非芳香族系環氧樹脂。
前述環氧樹脂之摻合量(也就是(A)成分及(B)成分之合計之所佔有之(B)成分之比例)係最好是5~80質量%。在未滿5質量%,無法充分地得到環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物之硬化物強度,在以該種材料來封閉發光半導體裝置之狀態下,恐怕容易在溫度循環等之試驗,發生破裂,或者是產生接著不良。另一方面,在超過80質量%時,環氧樹脂成分變多,在發光元件企圖發出紫外線等之狀態下,恐怕環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物之硬化物係由於紫外線而惡化。因此,更加理想是10~70質量%、特別希望是20~60質量%。
在本發明,為了藉由環氧官能性基及/或氧雜環丁烷基之反應而形成交聯物,因此,可以使用硬化劑((C)成分)。作為此種硬化劑係可以使用環氧樹脂所使用之硬化劑,可以使用胺系硬化劑、苯酚系硬化劑、酸酐系硬化劑之任何一種,但是,可以適合使用環氧官能性基和酸酐之組合。
作為此種硬化劑係可以列舉苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、偏苯三酸酐、均苯四甲酸酐、六氫化苯二甲酸酐、3-甲基-六氫化苯二甲酸酐、4-甲基-六氫化苯二甲酸酐、或者是3-甲基-六氫化苯二甲酸酐和4-甲基-六氫化苯二甲酸酐之混合物、四氫化苯二甲酸酐、納迪克酸酐(nadic acid anhydride)、甲基納迪克酸酐(nadic methyl anhydride)、原菠烷-2,3-二羧酸酐、甲基原菠烷-2,3-二羧酸酐等。硬化劑之摻合量係相對於(A)成分中之環氧官能性基及氧雜環丁烷基和(B)成分中之環氧官能性基之合計1莫爾而最好是0.5~1.5莫爾、更加理想是0.8~1.2莫爾。
在本發明,作為硬化觸媒((D)成分)係使用包含季鏻鹽之1種或2種以上、特別是下式(1)所表示之化合物及/或下式(2)所表示之化合物之季鏻鹽中之1種或2種以上。可以藉此而得到透明、無表面黏著性、無重熔試驗時之變色、高度之構裝可靠性來作為基本性能。作為下式(1)及(2)所表示之化合物以外之季鏻鹽之具體例係可以列舉成為季鏻鹽之溴化物鹽之SAN-APRO公司製「U-CAT5003」。
此外,作為硬化觸媒係可以使用前述式(1)所表示之化合物、前述式(2)所表示之化合物、這些化合物以外之季鏻鹽中之至少1種以上,並且,也可以使用其他之硬化觸媒。作為此種其他之硬化觸媒係可以列舉三苯基膦、二苯基膦等之有機膦系硬化觸媒、1,8-二氮二環(5,4,0)十一碳烯-7、三乙醇胺、苄基二甲胺等之叔胺系硬化觸媒、2-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑等之咪唑類等。
此種(D)成分之硬化觸媒之摻合量係最好是相對於前述(A)、(B)、(C)成分之合計量100質量份而成為0.05~3質量份。在硬化觸媒之摻合量少於0.05質量份時,恐怕無法充分地得到促進環氧樹脂和硬化劑之反應之效果。相反地,在硬化觸媒之摻合量多於3質量份時,恐怕會成為硬化時或重熔試驗時之變色原因。
本發明之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物係可以藉由混合(A)、(B)、(C)及(D)成分等而容易製造。此外,也可以添加例如用以在本發明之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物來改變波長之螢光體或氧化鈦微粉末等之光散亂劑等。
此外,在不脫離本發明目的之範圍內,可以配合於需要而倂用氧化防止劑、變色防止劑、惡化防止劑、二氧化矽等之無機填充劑、矽烷系偶合劑、變性劑、可塑劑、稀釋劑等,來作為其他成分。
在用以被覆及保護本發明之發光半導體且以(A)、(B)、(C)及(D)成分作為必要成分之被覆保護材來使用於封裝或噴射等之狀態下,最好是液體狀,25℃之黏度係最好是作為藉由旋轉黏度計所造成之測定值而成為10~1,000,000mPa.s、特別是100~1,000,000mPa.s程度。另一方面,在藉由傳輸成型而製造發光半導體裝置之狀態下,也可以使用前述之液體狀樹脂,但是,也可以藉由增黏液體狀樹脂,進行固態化,在顆粒化之後,進行成型而進行製造。
本發明之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物係適合使用作為用以被覆及保護發光半導體之被覆保護材。在該狀態下,作為發光半導體係可以列舉發光二極體(LED)、有機電場發光元件(有機EL)、雷射二極體、LED陣列等。被覆及保護發光半導體之形態係並無特別限制,但是,可以採用:將配置在具有開口部之框體內之發光半導體予以覆蓋,在框體內,填充被覆保護材而進行硬化等之方法。此外,也可以藉由印刷法、傳輸成型、噴射成型等而製造在矩陣化之基板上搭載LED者。
此外,在本發明,被覆保護材之硬化條件係在25℃、72小時~200℃、3分鐘,任意地配合於其作業條件,能夠由生產性和發光元件或框體耐熱性之間之平衡而適當地選定。在傳輸成型或噴射成型之狀態下,能夠以150~180℃之溫度、20~50kgf/cm2
之壓力,來進行1~5分鐘之成型而容易製造。此外,能夠以150~200℃、1~4小時之條件,來進行後硬化(二次硬化或後固化)。
本發明之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物係最好是其硬化物之玻璃轉化溫度130℃以上、通常是130~180℃、特別是135~165℃。在該狀態下,該玻璃轉化溫度係定義成為熱機械分析(TMA)測定法之熱膨脹係數之彎曲點之值(溫度)。
在此,作為本發明組成物之硬化物之玻璃轉化溫度成為130℃以上之具體裝置係可以藉由調整環氧樹脂、特別是二環戊二烯型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、或者是三環氧丙基異氰酸酯等之非芳香族系環氧樹脂之摻合量(也就是(A)成分及(B)成分之合計之所佔有之(B)成分之比例)成為10~70質量%、特別是20~60質量%而達成。在前述之摻合比例未滿足10質量%之時,有玻璃轉化溫度未達到130℃以上之狀態發生,恐怕會在溫度循環試驗,容易發生破裂或者是產生結合不良。在超過70質量%時,有惡化於硬化物之耐紫外線性之狀態發生。
在以下,顯示實施例及比較例,具體地說明本發明,但是,本發明係並非限制於下列之實施例。
首先,顯示實施例及比較例之被覆保護材之評價方法。
樹脂組成物成為厚度5mm之棒狀或者是配置LED晶片及引線框架之砲彈型發光半導體裝置之封裝材係在100℃、2小時接著150℃、4小時之條件下,進行硬化而進行下列項目之評價。
表面黏著性觸診棒狀硬化物而評價有無表面黏著性。
硬化物外觀在棒狀硬化物及製作之發光半導體裝置,以目視來評價有無變色。
耐重熔性在製作之發光半導體裝置,進行5次之260℃波峰之重熔測試處理,以目視來評價有無變色。
硬度對於棒狀硬化物,按照JIS K6301而進行測定(蕭氏硬度D)。
玻璃轉化溫度切出幅寬4mm、長度10mm之棒狀硬化物,藉由熱機械分析(TMA)測定法而使得膨脹係數之彎曲點,成為玻璃轉化溫度(Tg)。
熱撞擊試驗在製作之發光半導體裝置,進行200次循環之低溫側-40℃、高溫側120℃之熱撞擊試驗,測定在外觀產生破裂之次數。
在一分子中具有至少2個之環氧官能性基或氧雜環丁烷基之倍半矽氧烷(成分(A))係藉由下列顯示之方法而進行製造。
在加入異丙醇900g、氫氧化四甲銨之25%水溶液13g、水91g之後,添加255g之γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM403),在室溫,攪拌20小時。
在反應結束後,於系統內,加入甲苯1,200g,在減壓下,除去異丙醇等。使用分液漏斗,以熱水來洗淨殘渣。在進行洗淨而一直到水層成為中性為止之後,以硫酸鈉酐來對於甲苯層,進行脫水。過濾硫酸鈉酐,在減壓下,除去甲苯,得到目的之樹脂(樹脂1)。環氧當量係185g/莫爾。
此外,作為在一分子中具有至少2個之環氧官能性基之環氧樹脂(成分(B))係使用成為脂環式環氧樹脂之Daicel化學工業公司製「CELLOXIDE 2021P」。
此外,作為硬化劑(成分(C))係使用成為甲基六氫苯二甲酸酐之新日本理化公司製「MH」。
此外,作為硬化觸媒(成分D)係使用成為以前述式(1)所表示之化合物之日本化學工業公司製「HISHICOLIN PX-4MP」、成為以前述式(2)所表示之化合物之日本化學工業公司製「HISHICOLIN PX-4ET」、成為季鏻鹽之SAN-APRO公司製「U-CAT5003」、2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ)及2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑(TBZ)(皆為四國化成工業公司製)。
以下列之表1所示之摻合量,來摻合成分(A)、(B)、(C)及(D),以前述之條件,來製作硬化物及發光半導體裝置,按照前述之評價方法而測定表面黏著性、硬化物外觀及耐重熔性。將結果倂述於表1。
接著,按照前述之評價方法而測定以前述實施例1和下列比較例3、4所得到之硬化物之性狀(表面黏著性、硬度、玻璃轉化溫度)及發光半導體裝置(熱撞擊試驗)。
以YX-8000(50質量份)、MH(40質量份)、PX-4MP(1質量份)來進行摻合,以前述之條件,來製作硬化物及發光半導體裝置。
[YX-8000:添加氫雙酚A型環氧樹脂(日本環氧樹脂公司製)MH:甲基六氫苯二甲酸酐(新日本理化公司製)PX-4MP:有機鏻鹽(日本化學工業公司製)]
使用KJR-632,以前述之條件,來製作硬化物及發光半導體裝置。
[KJR-632:聚矽氧烷樹脂(信越化學工業公司製)]
Claims (5)
- 聚矽氧烷混成樹脂組成物,係以(A)在一分子中具有至少2個之環氧官能性基或氧雜環丁烷基之有機聚倍半矽氧烷(Silsesquioxane)樹脂、(B)在一分子中具有至少2個之環氧官能性基之環氧樹脂、(C)硬化劑以及(D)硬化觸媒來作為必要成分之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物,其特徵為:硬化觸媒係包含季鏻鹽之1種以上,且上述季鏻鹽係包含下式(1)所表示之化合物及/或下式(2)所表示之化合物;
- 如申請專利範圍第1項所記載之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物,其中,在一分子中具有至少2個之環氧官能性基或氧雜環丁烷基之有機聚倍半矽氧烷( Silsesquioxane)樹脂(A)係藉由水解及縮合以下式:RSiX3 (但是,R係正如前面之敘述,X係表示水解性基)所表示之3官能性有機矽化合物而得到。
- 如申請專利範圍第1或2項所記載之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物,其中,硬化觸媒(D)係酸酐。
- 如申請專利範圍第1或2所記載之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物,其中,硬化物之玻璃轉化溫度係130℃以上。
- 一種發光半導體裝置,其特徵為:發光半導體元件係被如申請專利範圍第1至4項中任一項所記載之環氧.聚矽氧烷混成樹脂組成物之透明硬化物所封閉保護。
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040067366A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-08 | General Electric Company | Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040067366A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-08 | General Electric Company | Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9617411B2 (en) | 2014-01-15 | 2017-04-11 | Industrial Technology Research Institute | Organic-inorganic hybrid resin, molding composition, and photoelectric device employing the same |
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