KR101413764B1 - Susceptor assembly - Google Patents

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Abstract

본 발명은 서셉터 어셈블리에 관한 것으로, 복수의 층으로 구성된 서셉터; 상기 복수의 층을 관통하여 형성되는 하나 이상의 포트; 및 상기 포트의 테두리영역에 구비되는 절연체를 포함하며, 상기 절연체는 상기 복수의 층의 경계면에 대응하는 경계영역의 두께가 비경계영역 보다 두껍게 구비되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 서셉터의 경계면으로 유입된 고주파에 의해 포트 주변에서 발생되는 아킹을 최소화할 수 있다. The present invention relates to a susceptor assembly, comprising: a susceptor comprising a plurality of layers; At least one port formed through the plurality of layers; And an insulator provided in an edge region of the port, wherein the insulator has a thickness of a boundary region corresponding to an interface between the plurality of layers, the thickness of the boundary region being thicker than the non-boundary region. Thus, arcing generated around the port can be minimized by the high frequency introduced into the interface of the susceptor.

서셉터, 정전척, 포트, 아킹, 이상방전 Susceptor, electrostatic chuck, port, arcing, abnormal discharge

Description

서셉터 어셈블리{SUSCEPTOR ASSEMBLY}Susceptor assembly {SUSCEPTOR ASSEMBLY}

본 발명은 서셉터 어셈블리에 관한 것으로, 구체적으로는 반도체 제조공정에서 피처리 기판을 지지하기 위해 사용되는 서셉터 어셈블리에 관한 것이다.The present invention relates to a susceptor assembly, and more particularly, to a susceptor assembly used to support a substrate to be processed in a semiconductor manufacturing process.

서셉터는 반도체 웨이퍼 기판이나 LCD 유리 기판의 가공을 위한 플라즈마 처리 챔버에 사용된다. 서셉터 어셈블리는 플라즈마 처리 챔버의 내부에 구비되어 피처리 기판이 처리되는 동안 피처리 기판을 클램핑하기 위해 사용된다. The susceptor is used in a plasma processing chamber for processing a semiconductor wafer substrate or an LCD glass substrate. The susceptor assembly is provided inside the plasma processing chamber and is used for clamping the substrate to be processed while the substrate to be processed is being processed.

종래 서셉터는 기판을 지지하는 정전척과, 정전척의 하부에 마련되는 도전성 바디와, 도전성 바디를 플라즈마 처리 챔버와 상호 절연시키는 절연층의 세 층으로 구비된다. 그리고 서셉터 어셈블리는 세 층을 관통하여 리프트핀, 직류전극, He가스 공급을 위한 복수의 포트가 관통 형성된다. Conventional susceptors are provided with three layers of an electrostatic chuck for supporting a substrate, a conductive body provided under the electrostatic chuck, and an insulating layer for insulating the conductive body from the plasma processing chamber. Then, the susceptor assembly passes through three layers, and a plurality of ports for supplying a lift pin, a DC electrode, and a He gas are formed.

그런데 기판 처리를 위한 플라즈마 발생을 위해 플라즈마 처리 챔버 내부에 고주파가 공급되면 플라즈마 챔버 내부의 고주파가 서셉터를 구성하는 복수의 층 사이의 계면으로 유입되는 경우가 있었다. 그리고, 이렇게 유입된 고주파가 서셉터를 관통하여 형성된 포트와 그 주변에서 아킹(이상방전)을 일으키는 여지가 있었다. However, when a high frequency is supplied to the inside of the plasma processing chamber for plasma generation for substrate processing, high frequency waves in the plasma chamber may flow into the interface between a plurality of layers constituting the susceptor. In addition, there is a room for causing such high frequency waves to cause arcing (abnormal discharge) in a port formed through the susceptor and around the port.

특히, 피처리 기판의 크기가 대면적화 되고, 플라즈마 처리 밀도의 향상을 위해 플라즈마 처리 챔버로 인가되는 고주파 값이 높아짐에 따라 복수의 층간 계면과 포트 주변에서 아킹이 발생할 확률은 더욱 높아진다. Particularly, as the size of the substrate to be processed is increased, and the high frequency value applied to the plasma processing chamber is increased for the purpose of improving plasma processing density, the probability of occurrence of arcing at a plurality of interlayer interfaces and ports becomes higher.

아킹이 발생되면 플라즈마에 영향을 미쳐 플라즈마처리 공정에 영향을 미치고, 아킹이 발생된 포트를 손상시키며 정전척에 피처리기판이 안정적으로 흡착되지 못하는 등의 다수의 문제를 발생시킨다.Arcing affects the plasma, affects the plasma processing process, damages the arcing port, and causes the substrate to be stuck to the electrostatic chuck in a stable manner.

한편, 다층으로 구성된 서셉터를 관통하여 리프트핀 포트, 직류전극 포트, He 가스 공급포트 등이 삽입될 경우, 포트를 삽입하는 압력에 의해 최상부의 정전척에 손상이 발생하는 경우가 있었다. 특히, 정전척이 세라믹과 같은 취성 재료로 구비되는 경우 포트의 삽입압력에 의해 정전척이 깨져버리는 경우 정전척 전체를 교체해야 하는 불편함이 있었다.On the other hand, when the lift pin port, the DC electrode port, the He gas supply port, and the like are inserted through the multi-layered susceptor, damage to the uppermost electrostatic chuck may occur due to the pressure for inserting the port. Particularly, when the electrostatic chuck is made of a brittle material such as ceramic, it is inconvenient to replace the entire electrostatic chuck when the electrostatic chuck is broken by the insertion pressure of the port.

본 발명의 목적은 서셉터를 이루는 복수의 층의 계면, 나사 체결부위 등으로 고주파가 유입되어 포트 주변영역에서 아킹이 발생되는 여지를 최소화할 수 있는 서셉터 어셈블리를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a susceptor assembly capable of minimizing the space in which arcing is generated in the vicinity of a port by introducing a high frequency into an interface of a plurality of layers constituting a susceptor,

본 발명의 다른 목적은 서셉터를 관통하여 포트를 조립할 때 서셉터를 구성하는 복수의 층을 상호 안전하고 견고하게 조립할 수 있는 어셉터 어셈블리를 제공하는 것이다. It is another object of the present invention to provide an acceptor assembly which can securely and firmly assemble a plurality of layers constituting a susceptor when the port is assembled through the susceptor.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 서셉터 어셈블리에 관한 것이다. 본 발명의 서셉터 어셈블리는 복수의 층으로 구성된 서셉터; 상기 복수의 층을 관통하여 형성되는 하나 이상의 포트; 및 상기 포트의 테두리영역에 구비되는 절연체를 포함하며, 상기 절연체는 상기 복수의 층의 경계면에 대응하는 경계영역의 두께가 비경계영역 보다 두껍게 구비되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a susceptor assembly. A susceptor assembly of the present invention includes: a susceptor comprising a plurality of layers; At least one port formed through the plurality of layers; And an insulator provided in an edge region of the port, wherein the insulator has a thickness of a boundary region corresponding to an interface between the plurality of layers, the thickness of the boundary region being thicker than the non-boundary region.

여기서, 상기 경계영역의 절연체에 결합되어 상기 경계영역의 절연체의 두께를 보강하는 경계영역절연체를 더 포함할 수 있다. The boundary region insulator may further include a boundary region insulator coupled to the insulator of the boundary region to reinforce the thickness of the insulator of the boundary region.

그리고, 상기 서셉터의 경계면이 복수개인 경우, 상기 경계영역절연체는 상기 복수개의 경계면에 대응되게 각각 구비될 수 있다.If the susceptor has a plurality of boundary surfaces, the boundary region insulator may be provided corresponding to the plurality of boundary surfaces.

또한, 상기 경계영역의 절연체와 상기 서셉터의 경계면 사이에 개재되어 상기 경계면을 통해 유입된 고주파의 상기 포트로의 유입을 차단하는 차단부재를 더 포함할 수 있다. The susceptor may further include a blocking member interposed between the insulator of the boundary region and the susceptor to block inflow of the high frequency introduced through the interface into the port.

여기서, 상기 차단부재는 상기 절연체의 반경방향 외측에 결합될 수 있다. Here, the blocking member may be coupled radially outward of the insulator.

또한, 상기 차단부재는 상기 절연체의 반경방향 내측에 결합될 수 있다. Further, the blocking member may be coupled radially inward of the insulator.

그리고, 상기 차단부재는 내부에 절연재질을 포함할 수 있다.In addition, the blocking member may include an insulating material therein.

한편, 상기 복수의 층 중 적어도 어느 하나는 외주연에 결합되어 외주연으로의 고주파의 유입을 방지하는 보조절연체를 포함할 수 있다. At least one of the plurality of layers may include an auxiliary insulator coupled to the outer periphery to prevent inflow of high frequency waves to the outer periphery.

한편, 상기 서셉터에는 냉각수가 유동하는 냉각유로가 구비되며, 상기 냉각유로는 단면형상이 적어도 하나의 요철을 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the susceptor is provided with a cooling channel through which cooling water flows, and the cooling channel includes at least one uneven surface in a cross-sectional shape.

그리고, 상기 냉각유로는 상기 서셉터의 중심영역에서 최외곽영역으로 배치 되는 것이 바람직하다.It is preferable that the cooling passage is disposed in the outermost region from the central region of the susceptor.

한편, 본 발명의 목적은 복수의 층으로 구성된 서셉터; 상기 복수의 층을 관통하여 형성되는 하나 이상의 포트; 상기 포트의 테두리영역에 구비되는 절연체; 및 상기 복수의 층의 경계면과 상기 경계면에 대응하는 절연체의 경계영역 사이에 개재되어 경계면으로부터 유입된 고주파의 상기 포트로의 유입을 차단하는 차단부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리에 의해 달성될 수 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is, therefore, an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus comprising: a susceptor comprising a plurality of layers; At least one port formed through the plurality of layers; An insulator provided in an edge region of the port; And a blocking member interposed between the interface between the plurality of layers and the boundary region of the insulator corresponding to the interface to block inflow of the high frequency introduced into the interface from the interface into the port. .

본 발명의 서셉터 어셈블리에 의하면, 포트 주변에 구비된 절연체가 경계영역과 비경계영역의 두께가 상이하게 구비되어 경계영역을 통해 유입되는 고주파가 포트로 유입되는 것을 미연에 방지할 수 있다. According to the susceptor assembly of the present invention, the insulator provided around the port is provided with the thicknesses of the boundary region and the non-boundary region so that the high frequency introduced through the boundary region can be prevented from flowing into the port.

또한, 경계영역의 절연체에 고주파의 유입을 차단하는 차단부재를 삽입하여 고주파의 유입을 이중으로 방지할 수 있다. In addition, it is possible to prevent the inflow of the high frequency by inserting the blocking member for blocking the inflow of the high frequency into the insulator of the boundary region.

이에 의하여 포트 주변에서의 아킹 발생을 최소화할 수 있다. Thus, arcing around the port can be minimized.

그리고, 절연체의 두께를 상이하게 구비함에 따라 절연체에 단차영역이 존재하고, 단차영역이 서셉터 내에 절연체의 위치를 지지하게 되어 조립시 정전척에 손상을 주지 않고 안정적으로 조립될 수 있다. Since the insulator has a thickness different from that of the insulator, a step region exists in the insulator, and the step difference region supports the position of the insulator in the susceptor, so that the assembly can be stably assembled without damaging the electrostatic chuck during assembly.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서 는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.For a better understanding of the present invention, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings can be exaggeratedly expressed to emphasize a clearer description. It should be noted that in the drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and constructions which may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention are omitted.

도1은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리(10)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다. 1 is a schematic view schematically showing a configuration of a susceptor assembly 10 according to the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리(10)는 정전척(110), 바디(130), 절연층(150)의 세 층으로 구성되는 서셉터(100)와, 서셉터(100) 상에 구비되며 피처리 기판의 지지를 위해 서셉터 상을 승강하는 리프트핀(미도시)을 수용하는 리프트핀부(200)와, 직류전극(320, 도8참조)을 수용하는 직류 전극부(300)와, 기판을 냉각하는 He 가스를 정전척(110)으로 공급하는 He 가스 공급부(400)를 포함한다.The susceptor assembly 10 according to the present invention includes a susceptor 100 having three layers of an electrostatic chuck 110, a body 130 and an insulating layer 150, A lift pin unit 200 for receiving a lift pin (not shown) for lifting and lowering the susceptor to support a substrate to be processed, a DC electrode unit 300 for receiving the DC electrode 320 (see FIG. 8) And a He gas supply unit 400 for supplying He gas for cooling the substrate to the electrostatic chuck 110.

서셉터(100)는 플라즈마 처리 공정 동안 기판을 안정적으로 지지한다. 정전척(110)은 서셉터(100)의 상부에 구비되며 기판을 흡착하여 고정시키기 위한 정전기력을 발생시킨다. 정전척(110)은 세라믹 플레이트로 구비될 수 있으며 정전척(110)의 상부영역은 유전체로서 기능한다. 정전척(110)에는 가스 샤워 헤드로 구성되는 상부전극(미도시)과 쌍을 이루어 플라즈마를 발생시키는 하부전극(111)이 구비된다. 상부 전극과 하부전극은 고주파 공급원(미도시)에 전기적으로 연결되어 플라즈마 발생을 위한 기전력을 플라즈마 처리 챔버 내부로 공급하여 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마가 발생될 경우 기판은 플라즈마에 의해 자기 바이어싱 되고 정전척(110)은 직류전극(320)에 의해 바이어싱된다. 이에 따라 정전척(110)과 피처리 기판 사이의 전위차로 인하여 반대로 극성화된 전하가 피처리 기판의 후면에 축적되고, 축적된 전하는 피처리 기판이 정전척에 밀착되도록 하는 흡착력을 제공한다.The susceptor 100 stably supports the substrate during the plasma processing process. The electrostatic chuck 110 is provided on the susceptor 100 and generates an electrostatic force for attracting and fixing the substrate. The electrostatic chuck 110 may be provided with a ceramic plate and the upper region of the electrostatic chuck 110 functions as a dielectric. The electrostatic chuck 110 is provided with a lower electrode 111 for generating a plasma in a pair with an upper electrode (not shown) constituted by a gas showerhead. The upper electrode and the lower electrode are electrically connected to a high frequency supply source (not shown) to supply electromotive force for plasma generation into the plasma processing chamber to generate plasma. When a plasma is generated, the substrate is self-biased by the plasma and the electrostatic chuck 110 is biased by the DC electrode 320. Accordingly, the polarized charge is accumulated on the rear surface of the substrate to be processed due to the potential difference between the electrostatic chuck 110 and the substrate to be processed, and the accumulated electric charge provides an attraction force for bringing the substrate to be processed into close contact with the electrostatic chuck.

정전척(110)에는 처리 후 기판을 냉각하기 위한 He 가스 유로(113)는 후술할 He 가스 공급부(400)로부터 공급된 He 가스가 유동하며 기판을 냉각시킬 수 있도록 정전척(110) 전영역에 걸쳐 고르게 구비된다. He 가스 유로(113)는 정전척(110)의 중심영역과 주변영역으로 구분되어 배치될 수 있다. 또한, 정전척(110)에는 기판의 가열을 위한 히터가 구비될 수 있다. In the electrostatic chuck 110, a He gas flow path 113 for cooling the post-processing substrate is formed in the entire region of the electrostatic chuck 110 so that He gas supplied from a He gas supply unit 400, which will be described later, . The He gas flow path 113 may be divided into a central region and a peripheral region of the electrostatic chuck 110. Further, the electrostatic chuck 110 may be provided with a heater for heating the substrate.

바디(130)는 정전척(110)의 하부에 구비되어 정전척(110)을 지지한다. 바디(130)는 도전성재료로 구비되며, 통상 알루미늄 재질로 구비될 수 있다. 바디(130)에는 기판을 냉각하기 위한 냉각수가 유동하는 냉각유로(131)가 형성된다. 냉각유로(131)는 도2에 도시된 바와 같이 정전척(110)과 인접한 바디(130)의 상부영역에 마련된다. 냉각유로(131)는 바디(130) 및 정전척(110)과의 접촉면적을 넓혀 열전달률을 높이기 위해 단면형상이 요철(131a)을 포함하게 마련된다. 도2에 도시된 냉각유로(131)는 요철(131a)이 가운데 한 개가 있는 것으로 도시되었으나 도3a에 도시된 바와 같이 복수개의 요철이 있게 구비되거나 도3b에 도시된 바와 같이 상부영역 및 하부영역에 요철이 있도록 구비될 수도 있다. The body 130 is provided below the electrostatic chuck 110 to support the electrostatic chuck 110. The body 130 is made of a conductive material, and may be generally made of aluminum. The body 130 is provided with a cooling passage 131 through which cooling water for cooling the substrate flows. The cooling channel 131 is provided in an upper region of the body 130 adjacent to the electrostatic chuck 110 as shown in FIG. The cooling passage 131 is provided to include the concavities and convexities 131a in cross-sectional shape in order to increase the contact area with the body 130 and the electrostatic chuck 110 to increase the heat transfer rate. Although the cooling passage 131 shown in FIG. 2 is shown as having one of the concavities and convexities 131a, as shown in FIG. 3A, the cooling passage 131 may have a plurality of concavities and convexities, It may be provided so as to have irregularities.

또한, 냉각유로(131)는 바디(130)의 중심영역으로부터 외곽영역으로 동심원상으로 배치되며 바디(130)의 외곽영역에 인접하게 배치된다. 이에 의해 냉각수가 바디(130)의 전영역에 걸쳐 유동하며 균일하게 기판의 온도를 냉각시킬 수 있다. The cooling passage 131 is concentrically arranged from the central region of the body 130 to the outer peripheral region and is disposed adjacent to the outer peripheral region of the body 130. Whereby the cooling water can flow over the entire area of the body 130 and uniformly cool the temperature of the substrate.

여기서, 바디(130)와 정전척(110)은 본딩에 의해 상호 결합될 수 있다. Here, the body 130 and the electrostatic chuck 110 may be coupled to each other by bonding.

절연층(150)은 플라즈마 처리 챔버(미도시)와 바디(130) 사이에 개재된다. 절연층(150)은 도전성인 바디(130)와 플라즈마 처리 챔버(미도시)를 상호 절연한다. 절연층(150)은 세라믹과 같은 절연재료로 구비된다. The insulating layer 150 is interposed between the plasma processing chamber (not shown) and the body 130. The insulating layer 150 insulates the body 130, which is electrically conductive, from the plasma processing chamber (not shown). The insulating layer 150 is formed of an insulating material such as ceramic.

절연층(150)에는 도1에 도시된 바와 같이 절연층(150)의 외주연에 결합되어 절연층(150)의 절연성을 보강하는 보조절연체(151)가 구비된다. 보조절연체(151)는 절연층(150)의 테두리를 따라 결합되어 절연층(150)의 측면 절연성을 보강한다. 이에 의해 고주파가 바디(130)와 절연층(150)으로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 보조절연체(151)는 강화 테프론(PTFE) 재질로 구비될 수 있다.The insulating layer 150 is provided with an auxiliary insulator 151 coupled to the outer periphery of the insulating layer 150 to reinforce the insulating property of the insulating layer 150, as shown in FIG. The auxiliary insulator 151 is joined along the rim of the insulating layer 150 to reinforce the lateral insulation of the insulating layer 150. Accordingly, it is possible to minimize the introduction of the high frequency into the body 130 and the insulating layer 150. The auxiliary insulator 151 may be made of a reinforced Teflon (PTFE) material.

여기서, 절연층(150)과 바디(130)는 나사체결에 의해 상호 결합될 수 있다.Here, the insulating layer 150 and the body 130 may be coupled to each other by screwing.

(리프트핀부_제1실시예-절연체의 두께가 상이하게 마련된 경우 )(Lift pin part_first embodiment-when the thickness of the insulator is different)

도4는 본 발명의 제1실시예에 따른 리프트핀부(200)의 구성을 도시한 단면개략도이다. 도시된 바와 같이 리프트핀부(200)는 리프트핀(미도시)이 이동하는 리프트핀포트(210)와, 리프트핀포트(210)의 테두리영역에 마련되며 바디(130)와 절연층(150) 사이의 하부경계면(a)에 대응하는 경계영역(233)의 두께(d2)가 비경계영역(231)의 두께(d1) 보다 두껍게 마련된 리프트핀절연체(230)를 포함한다. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the lift pin portion 200 according to the first embodiment of the present invention. The lift pin unit 200 includes a lift pin port 210 on which a lift pin (not shown) moves and a lift pin unit 210 provided on an edge region of the lift pin port 210 and between the body 130 and the insulating layer 150 The lift pin insulator 230 is provided such that the thickness d2 of the boundary region 233 corresponding to the lower interface face a of the non-boundary region 231 is greater than the thickness d1 of the non-

리프트핀포트(210)는 다층으로 구성된 서셉터(100)를 관통 형성하여 리프트 핀(미도시)을 승강가능하게 수용한다. 리프트핀포트(210)는 리프트핀(미도시)의 단면적보다 소정 너비 크게 구비되어 리프트핀(미도시)이 원활하게 이동할 수 있도록 한다. The lift pin port 210 penetrates through the susceptor 100 composed of a plurality of layers to accommodate a lift pin (not shown) so as to be able to lift. The lift pin port 210 is provided by a predetermined width larger than the cross-sectional area of the lift pin (not shown) so that the lift pin (not shown) can smoothly move.

리프트핀절연체(230)는 리프트핀포트(210)의 테두리영역에 구비되어 리프트핀(미도시)과 바디(130) 사이를 절연한다. 본 발명의 제1실시예에 따른 리프트핀절연체(230)는 서셉터(100)의 하부경계면(a)과 접하는 경계영역(233)과 하부경계면(a)과 접하지 않는 비경계영역(231)의 두께가 서로 상이하게 구비된다. 즉, 경계영역(233)의 두께(d2)가 비경계영역(231)의 두께(d1) 보다 두껍게 구비된다. 또한, 경계영역(233)이 절연층(150) 내부에 수용되도록 구비된다. 이를 통해 플라즈마 처리 챔버(미도시) 내에 고주파가 인가되어 하부경계면(a)을 따라 유입된 고주파와 리프트핀포트(210) 사이의 이동거리를 길게 할 수 있다. 즉, 경계영역(233)의 두께가 두꺼워짐에 따라 리프트핀절연체(230) 경계길이가 길어지므로 고주파가 이동하는 거리도 길어진다. 따라서, 고주파가 리프트핀포트(210)까지 도달하지 못하고 리프트핀포트(210) 주변에서 아킹이 발생되던 여지를 줄일 수 있다. The lift pin insulator 230 is provided in an edge region of the lift pin port 210 to insulate the lift pin (not shown) from the body 130. The lift pin insulator 230 according to the first embodiment of the present invention includes a boundary region 233 contacting the lower interface a of the susceptor 100 and a non-border region 231 not contacting the lower interface a. Are different from each other in thickness. That is, the thickness d2 of the boundary region 233 is thicker than the thickness d1 of the non-boundary region 231. [ Also, a boundary region 233 is provided so as to be accommodated in the insulating layer 150. Accordingly, a high frequency is applied to the plasma processing chamber (not shown), so that the moving distance between the high frequency waves flowing along the lower interface a and the lift pin port 210 can be extended. That is, as the thickness of the boundary region 233 becomes thicker, the boundary length of the lift pin insulator 230 becomes longer, and the distance of movement of the high frequency becomes longer. Therefore, it is possible to reduce the space in which arcing occurs around the lift pin port 210 because the high frequency can not reach the lift pin port 210.

여기서, 경계영역(233)과 비경계영역(231)의 두께차가 클수록 고주파의 이동거리가 길어지므로 아킹 발생여지를 최소화할 수 있다. 리프트핀절연체(230)는 고무 또는 세라믹과 같은 절연재질로 구비된다. The larger the thickness difference between the boundary region 233 and the non-boundary region 231, the longer the moving distance of the high frequency wave, so that the arcing occurrence space can be minimized. The lift pin insulator 230 is made of an insulating material such as rubber or ceramic.

또한, 리프트핀절연체(230)의 경계영역(233)과 비경계영역(231)의 두께를 상이하게 구비하게 되면 리프트핀절연체(230)에는 두께가 변화되는 단차영역(b)이 존재한다. 단차영역(b)은 리프트핀포트(210)의 주변영역으로 리프트핀절연체(230)를 삽입할 때 바디(130) 내에의 리프트핀절연체(230)의 위치를 고정하는 기능을 한다. 즉, 리프트핀절연체(230)에 압력을 가해 바디(130) 내에 삽입 할 때 단차영역(b)이 바디(130) 내에 고정되어 리프트핀절연체(230)가 삽입되는 거리를 제한하게 되므로 리프트핀절연체(230)가 과이동하여 정전척(110)에 손상을 입히는 것을 방지할 수 있다. When the thicknesses of the boundary region 233 and the non-boundary region 231 of the lift pin insulator 230 are different from each other, the lift pin insulator 230 has a step difference region b varying in thickness. The step difference region b serves to fix the position of the lift pin insulator 230 in the body 130 when inserting the lift pin insulator 230 into the peripheral region of the lift pin port 210. That is, when the lift pin insulator 230 is pressurized and inserted into the body 130, the step difference region b is fixed within the body 130 to limit the distance at which the lift pin insulator 230 is inserted, It is possible to prevent the electrostatic chuck 110 from being damaged due to movement of the electrostatic chuck 230.

도5는 본 발명의 제2실시예에 따른 리프트핀부(200a)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다. 본 발명의 제1실시예에 따른 리프트핀부(200)와 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다. 본 발명의 제2실시예에 따른 리프트핀부(200a)는 동일한 두께(d3)를 갖는 리프트핀절연체(230a)와, 리프트핀절연체(230a)의 경계영역에 대응하는 부분에 구비되어 리프트핀포트(210) 주변의 아킹발생을 줄이는 경계영역절연체(240)를 포함한다.5 is a schematic view schematically showing a configuration of a lift pin portion 200a according to a second embodiment of the present invention. The description of the structure overlapping with the lift pin portion 200 according to the first embodiment of the present invention will be omitted. The lift pin portion 200a according to the second embodiment of the present invention includes a lift pin insulator 230a having the same thickness d3 and a lift pin insulator 230b provided at a portion corresponding to the boundary region of the lift pin insulator 230a, 210 to reduce the occurrence of arcing.

경계영역절연체(240)는 리프트핀절연체(230a)와 동일 또는 상이한 재질로 구비되며 바디(130)와 절연층(150)에 걸쳐 삽입될 수 있도록 소정길이로 구비된다. 경계영역절연체(240)는 하부경계면(a)에 대응되게 결합되어 하부경계면(a)에 대응하는 리프트핀절연체(230a)의 두께가 비경계영역에 비해 두꺼워지도록 한다. 이에 의해 하부경계면(a)을 따라 유입된 고주파가 이동되는 경로를 길게하여 고주파가 리프트핀포트(210)로 유입되는 것을 최소화한다. The boundary region insulator 240 is formed of the same or different material as the lift pin insulator 230a and has a predetermined length so as to be inserted over the body 130 and the insulating layer 150. [ The boundary region insulator 240 is correspondingly coupled to the lower interface a so that the thickness of the lift fin insulator 230a corresponding to the lower interface a is thicker than the unbounded region. Thus, the path through which the high frequency waves flowing along the lower interface a is lengthened to minimize the introduction of the high frequency waves into the lift pin port 210.

도6a와 도6b는 본 발명의 제3실시예에 따른 리프트핀부(200b)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다. 본 발명의 제3실시예에 따른 리프트핀부(200b)는 동일한 두께(d5)를 가지며 바디(130)와 동일한 길이를 갖는 리프트핀절연체(230b)와, 리프트핀절연체(230b)의 경계영역의 반경방향 내측에 삽입되는 차단부재(250)를 포함한다. 6A and 6B are schematic views schematically showing the structure of a lift pin portion 200b according to a third embodiment of the present invention. The lift pin portion 200b according to the third embodiment of the present invention has a lift pin insulator 230b having the same thickness d5 and having the same length as the body 130 and a lift pin insulator 230b having a radius of the boundary region of the lift pin insulator 230b And a blocking member (250) inserted in the direction.

차단부재(250)는 리프트핀절연체(230b)의 반경방향 내측에 삽입되며 바디(130)와 절연층(150)의 하부경계면(a)에 걸쳐지게 구비된다. 차단부재(250)는 도6b에 도시된 바와 같이 외벽면(251)과 내벽면(253) 사이에 절연부재가 삽입된다. 이에 의해 하부경계면(a)을 따라 유입된 고주파는 차단부재(250) 벽면사이의 절연부재에 의해 전달되지 못하므로 리프트핀포트(210)로 유입되지 못한다. 또한, 하부경계면(a)을 따라 유입된 고주파가 리프트핀포트(210)로 유입되기 위해서는 차단부재(250)의 외곽영역을 따라 이동해야 하나 이 경우 고주파의 이동경로가 길어져 리프트핀포트(210)까지 고주파가 도달하지 못한다. 따라서, 리프트핀포트(210) 주변의 아킹 발생여지를 최소화할 수 있다. 여기서, 차단부재(250)는 외벽면(251)과 내벽면(253)도 제1절연재질, 외벽면(251)과 내벽면(253) 사이는 제2절연재질로 서로 상이한 절연재질로 마련될 수 있다. 이에 의해 2중으로 고주파의 유입을 차단할 수 있다. The blocking member 250 is inserted radially inward of the lift pin insulator 230b and extends over the body 130 and the lower interface a of the insulating layer 150. [ The blocking member 250 has an insulating member inserted between the outer wall surface 251 and the inner wall surface 253 as shown in FIG. 6B. As a result, the high frequency waves flowing along the lower interface (a) can not be transmitted to the lift pin port 210 because they can not be transmitted by the insulating member between the wall surfaces of the blocking member 250. In order to allow the high frequency waves flowing along the lower interface a to flow into the lift pin port 210, it is necessary to move along the outer area of the blocking member 250. In this case, the movement path of the high- The high frequency can not reach. Accordingly, it is possible to minimize the occurrence of arcing around the lift pin port 210. The shielding member 250 is formed of a first insulating material for the outer wall surface 251 and the inner wall surface 253 and an insulating material for the second insulating material between the outer wall surface 251 and the inner wall surface 253 . As a result, the inflow of high frequency waves can be cut off.

도7은 본 발명의 제4실시예에 따른 리프트핀부(200c)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다. 본 발명의 제4실시예에 따른 리프트핀부(200c)는 경계영역(233c)과 비경계영역(231c)이 서로 상이한 두께를 갖는 갖는 리프트핀절연체(230c)와, 리프트핀절연체(230c)의 경계영역(233c)의 반경방향 내측에 삽입되는 차단부재(250a)를 포함한다. 7 is a schematic view schematically showing the configuration of a lift pin portion 200c according to a fourth embodiment of the present invention. The lift pin portion 200c according to the fourth embodiment of the present invention has a lift pin insulator 230c having a thickness that is different from that of the boundary region 233c and the non-boundary region 231c, and a boundary between the lift pin insulator 230c And a blocking member 250a which is inserted radially inward of the area 233c.

리프트핀절연체(230c)는 리프트핀포트(210)로부터의 경계영역(233c)의 직경 이 비경계영역(231c) 보다 크게 구비되어 고주파의 이동경도를 길게하여 하부경계면(a)으로부터 리프트핀포트(210)로 유입되는 고주파를 차단한다. 또한, 단차영역(b)에 의해 정전척(110)에 대한 조립 안정성을 확보할 수 있다. The lift pin insulator 230c is formed such that the diameter of the boundary region 233c from the lift pin port 210 is larger than the diameter of the unconstrained region 231c to lengthen the moving hardness of the high frequency, 210). In addition, the stability of the electrostatic chuck 110 can be secured by the step difference region (b).

차단부재(250a)는 제3실시예에서와 같이 2중 절연부재로 구비되어 고주파가 리프트핀포트(210)로 유입되는 것을 차단한다. The blocking member 250a is provided as a double insulation member as in the third embodiment to block high frequency waves from entering the lift pin port 210. [

본 발명의 제4실시예에 따른 리프트핀부(200c)는 제1실시예와 제3실시예가 복합적으로 구현된 형태로 하부경계면(a)에서 리프트핀절연체(230c)와 차단부재(250a)가 중첩적으로 고주파의 유입을 차단하므로 리프트핀포트(210)에서의 아킹발생을 최소화할 수 있다.The lift pin portion 200c according to the fourth embodiment of the present invention is a combination of the first and third embodiments and the lift pin insulator 230c and the blocking member 250a are overlapped at the lower interface a The occurrence of arcing at the lift pin port 210 can be minimized.

한편, 상술한 제3실시예와 제4실시예에 따른 리프트핀부(200b,200c)는 차단부재(250,250a)가 리프트핀절연체(230b,230c)의 반경방행 내측에 삽입된 형태로 구현되었으나, 경우에 따라 도5의 경계영역절연체(240)의 위치와 같이 리프트핀절연체(230b,230c)의 반경방향 외측에 구비될 수도 있다.The lift pin portions 200b and 200c according to the third and fourth embodiments described above are formed such that the blocking members 250 and 250a are inserted into the radial inside of the lift pin insulators 230b and 230c, May optionally be provided radially outwardly of the lift pin insulators 230b and 230c, such as the position of the boundary region insulator 240 of FIG.

한편, 도8은 본 발명의 제1실시예에 따른 직류전극부(300)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다. 도시된 바와 같이 본 발명의 제1실시예에 따른 직류전극부(300)는 정전척(110), 바디(130), 절연층(150)을 관통하여 형성된 직류전극포트(310)와, 직류전극포트(310) 내에 수용되는 직류전극(320)과, 직류전극(320)의 테두리영역에 구비되는 직류전극절연체(330)와, 정전척(110)과 바디(130) 사이의 상부경계면(c)에 대응하는 경계영역에 구비되는 상부경계영역절연체(340)와, 바디(130)와 절연층(150) 사이의 하부경계면(a)에 대응하는 경계영역에 구비되는 직 류전극차단부재(350)를 포함한다. 8 is a schematic view schematically showing the configuration of the DC electrode unit 300 according to the first embodiment of the present invention. The DC electrode unit 300 according to the first embodiment of the present invention includes an electrostatic chuck 110, a body 130, a DC electrode port 310 formed through the insulating layer 150, A direct current electrode insulator 330 provided in a peripheral region of the direct current electrode 320 and an upper boundary surface c between the electrostatic chuck 110 and the body 130. [ And a direct current electrode blocking member 350 provided in a boundary region corresponding to a lower boundary surface (a) between the body 130 and the insulating layer 150, .

직류전극포트(310)는 서셉터(100)를 관통하여 직류전극(320)이 정전척(110)의 하부전극(111)과 접촉하도록 직류전극(320)을 수용한다. 직류전극(320)은 직류전극포트(310) 내에 수용되며 하부전극(111)과 접촉하며 기판을 흡착할 수 있는 바이어스 전압을 공급한다. 직류전극(320)은 전원공급부(도1의 380)로부터 직류전원을 공급받는다. The DC electrode port 310 passes through the susceptor 100 and receives the DC electrode 320 so that the DC electrode 320 contacts the lower electrode 111 of the electrostatic chuck 110. The DC electrode 320 is accommodated in the DC electrode port 310 and contacts the lower electrode 111 to supply a bias voltage capable of adsorbing the substrate. The DC electrode 320 is supplied with DC power from a power supply unit (380 in FIG. 1).

직류전극절연체(330)는 직류전극(320)을 감싸도록 직류전극(320)의 테두리부에 마련되며 바디(130) 내에 삽입된다. 직류전극절연체(330)는 도전체로 구성되는 바디(130)와 도전체인 직류전극(320) 사이를 상호 절연한다. The DC electrode insulator 330 is provided at the rim of the DC electrode 320 so as to surround the DC electrode 320 and is inserted into the body 130. The DC electrode insulator 330 inter-insulates the body 130 made of a conductor and the DC electrode 320 as a conductor.

상부경계영역절연체(340)는 정전척(110)과 바디(130)의 상부경계면(c)에 대응하게 정전척(110) 내부에 삽입된다. 이에 의해 상부경계면(c)을 따라 유입된 고주파가 직류전극포트(310)로 유입되는 이동경로를 길게 하므로 고주파의 직류전극포트(310)로의 유입여지를 줄일 수 있다. 상부경계영역절연체(340)는 도시된 바와 같이 정전척(110) 내부에 마련되거나 정전척(110)과 바디(130)에 걸쳐지게 구비될 수 있다. The upper boundary region insulator 340 is inserted into the electrostatic chuck 110 corresponding to the upper interface c of the electrostatic chuck 110 and the body 130. As a result, the high frequency flowing into the DC electrode port 310 is lengthened, thereby reducing the inflow space to the high-frequency DC electrode port 310. The upper boundary region insulator 340 may be provided inside the electrostatic chuck 110 as shown or may extend across the electrostatic chuck 110 and the body 130.

직류전극차단부재(350)는 바디(130)와 절연층(150) 사이의 하부경계면(a)에 대응하는 경계영역에 구비되어 하부경계면(a)을 통해 유입되는 고주파가 직류전극포트(310)로 유입되는 것을 차단한다. 직류전극차단부재(350)는 직류전극절연체(330)의 하부영역에 접촉되도록 구비된다. 직류전극차단부재(350)는 직류전극절연체(330)와 동일한 두께로 구비되거나 직류전극절연체(330) 보다 두껍게 마련될 수 있다. 직류전극차단부재(350)는 앞서 설명한 리프트핀부(200)의 차단부재(250)와 그 형상과 기능이 동일하므로 자세한 설명은 생략한다. The DC electrode blocking member 350 is provided in a boundary region corresponding to the lower boundary surface a between the body 130 and the insulating layer 150 so that a high frequency introduced through the lower boundary surface ' . The DC electrode blocking member 350 is provided to be in contact with the lower region of the DC electrode insulator 330. The DC electrode blocking member 350 may have the same thickness as the DC electrode insulator 330 or may be thicker than the DC electrode insulator 330. The DC electrode blocking member 350 is the same in shape and function as the blocking member 250 of the lift pin unit 200 described above, and a detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 제1실시예에 따른 직류전극부(300)는 직류전극차단부재(350)에 의해 바디(130)와 절연층(150) 사이의 하부경계면(a)으로 유입된 고주파가 직류전극포트(310)로 유입되는 것을 차단한다. 그리고, 상부경계영역절연체(340)가 정전척(110)과 바디(130) 사이의 상부경계면(c)을 통해 유입된 고주파가 직류전극포트(310)로 유입되는 것을 차단한다. 따라서, 상부경계면(c)과 하부경계면(a)에서의 고주파 유입에 의한 직류전극포트(310) 주변에서의 아킹발생 여지를 최소화할 수 있다. The direct current electrode unit 300 according to the first embodiment of the present invention is configured such that a high frequency wave introduced into the lower interface a between the body 130 and the insulating layer 150 by the direct current electrode blocking member 350 is applied to the direct current electrode port (310). The upper boundary region insulator 340 blocks the high frequency waves flowing through the upper interface c between the electrostatic chuck 110 and the body 130 from flowing into the DC electrode port 310. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of arcing in the vicinity of the DC electrode port 310 due to high frequency inflow at the upper interface (c) and the lower interface (a).

도9는 본 발명의 제2실시예에 따른 직류전극부(300a)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다. 제2실시예에 따른 직류전극부(300a)는 직류전극절연체(330a)가 하부경계면(a)에 대응되는 길이, 즉 바디(130)의 길이에 대응하게 구비되고 직류전극차단부재(350a)가 직류전극절연체(330a)의 경계영역에 삽입된다. 이에 의해 제1실시예에서 보다 하부경계면(a)에서 직류전극차단부재(350a)와 직류전극절연체(330a)가 중첩해서 고주파의 유입을 차단하므로 직류전극포트(310) 주변에서의 아킹발생 여지를 더 줄일 수 있다. 9 is a schematic view schematically showing the configuration of the DC electrode unit 300a according to the second embodiment of the present invention. The DC electrode unit 300a according to the second embodiment is provided such that the DC electrode insulator 330a corresponds to the length of the body 130 corresponding to the lower interface a, And inserted in the boundary region of the DC electrode insulator 330a. As a result, the DC electrode blocking member 350a and the DC electrode insulator 330a are overlapped with each other at the lower interface (a) in the first embodiment to prevent the inflow of high frequency waves, Can be further reduced.

도10은 본 발명의 제3실시예에 따른 직류전극부(300b)의 구성을 간략히 도시한 개략도이다. 10 is a schematic view briefly showing a configuration of a DC electrode unit 300b according to a third embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명의 제3실시예에 따른 직류전극부(300b)는 경계영역과 비경계영역의 두께가 상이하게 구비되는 직류전극절연체(330b)와, 직류전극절연 체(330b)의 경계영역에 삽입되는 직류전극차단부재(350b)를 포함한다. 직류전극절연체(330b)는 경계영역과 비경계영역의 두께가 상이하므로 두께가 변화되는 부분에 단차영역(b)이 존재한다. 단차영역(b)에 의해 직류전극절연체(330b)를 서셉터(100)에 조립할 때 안정적으로 조립되며 정전척(110)의 손상을 방지할 수 있다. As shown in the drawing, the DC electrode unit 300b according to the third embodiment of the present invention includes a DC electrode insulator 330b having different thicknesses between the boundary region and the non-boundary region, a boundary between the DC electrode insulator 330b And a DC electrode blocking member 350b inserted into the region. In the DC electrode insulator 330b, since the thicknesses of the boundary region and the non-boundary region are different, a step region b exists in a portion where the thickness is changed. When assembling the DC electrode insulator 330b to the susceptor 100 by the step difference region b, the electrostatic chuck 110 can be prevented from being damaged by being stably assembled.

제3실시예에 따른 직류전극차단부재(350b)는 2중 절연재질로 구비되는 차단부재본체(351)와, 차단부재본체(351)의 반경방향 외측으로 연장 형성된 차단날개(353)와, 차단날개(353)의 일단부에 마련되어 직류전극차단부재(350b)의 위치를 고정하는 지지리브(355)를 포함한다. 차단날개(353)는 차단부재본체(351)의 반경방향 외측으로 소정 간격 연장형성된다. 도면에는 차단날개(353)가 대향되게 한 쌍이 구비된 것으로 나타내었으나 경우에 따라 90ㅀ간격으로 4개가 구비될 수도 있다. 지지리브(355)는 차단날개(353)의 일단부영역에 돌출형성되어 차단부재본체(351)의 위치를 고정한다. The DC electrode interrupting member 350b according to the third embodiment includes a shielding member main body 351 formed of a double insulation material, a shielding blade 353 extending radially outwardly of the shielding member main body 351, And a support rib 355 provided at one end of the blade 353 for fixing the position of the DC electrode blocking member 350b. The blocking blade 353 is formed extending radially outwardly of the blocking member body 351 by a predetermined distance. Although the pair of blocking blades 353 are shown as being opposed to each other in the drawing, four blocking blades 353 may be provided at intervals of 90 ° in some cases. The supporting rib 355 is protruded from one end region of the blocking blade 353 to fix the position of the blocking member body 351.

차단부재본체(351)는 직류전극절연체(330b) 내에 삽입이 완료되면 소정각도 회전된다. 이 때, 지지리브(355)는 회전압력에 의해 직류전극절연체(330b) 내에 고정되어 직류전극차단부재(350b)의 위치를 고정한다. The shielding member main body 351 is rotated by a predetermined angle when insertion into the DC electrode insulator 330b is completed. At this time, the supporting rib 355 is fixed in the DC electrode insulator 330b by the rotational pressure to fix the position of the DC electrode blocking member 350b.

조립이 완료된 제3실시예에 따른 직류전극부(300b)는 하부경계면(a)으로 유입된 고주파가 차단날개(353), 차단부재본체(351), 직류전극절연체(330b)의 3중 절연구조에 의해 직류전극포트(310)로 유입되는 것을 최소화될 수 있다. 이에 따라 직류전극포트(310) 주변에서의 아킹발생을 방지할 수 있다. The DC electrode unit 300b according to the third embodiment of the present invention has the triple insulation structure of the shielding vane 353, the shielding member main body 351, and the DC electrode insulator 330b. To the DC electrode port 310 can be minimized. Accordingly, it is possible to prevent occurrence of arcing in the vicinity of the DC electrode port 310.

도11은 본 발명의 제1실시예에 따른 He 가스 공급부(400)의 구조를 개략적으 로 도시한 개략도이다. 11 is a schematic view schematically showing a structure of a He gas supply unit 400 according to the first embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명의 제1실시예에 따른 He 가스 공급부(400)는 He 가스가 유동하는 He 가스 공급포트(410)와, He 가스 공급포트(410)의 테두리영역에 구비되어 바디(130)와 He 가스 공급포트(410)를 상호 절연시키는 He 포트 절연체(420)를 포함한다. He 가스 공급포트(410)는 서셉터(100)를 관통하여 형성되며 정전척(110)의 He 가스 유로(113)와 연결된다. He 포트 절연체(420)는 도전성 재료로 구비되는 바디(130)와, 도전성을 띄는 He 가스를 상호 절연시킨다. He 포트 절연체(420)는 도시된 바와 같이 하부경계면(a)으로부터 절연층(150)으로 소정길이(l) 연장형성된다. 따라서, 하부경계면(a)으로 유입된 고주파가 He 가스 공급포트(410)로 이동하는 경로가 연장되므로 고주파가 He 가스 공급포트(410)로 유입되는 양을 최소화할 수 있다. 따라서, He 가스 공급포트(410) 주변에서의 아킹발생을 최소화할 수 있다. The He gas supply unit 400 according to the first embodiment of the present invention includes a He gas supply port 410 through which a He gas flows and a He gas supply port 410, And a He port insulator 420 for insulating the He gas supply port 410 from each other. The He gas supply port 410 is formed through the susceptor 100 and is connected to the He gas flow path 113 of the electrostatic chuck 110. The He port insulator 420 mutually insulates the body 130 made of a conductive material and the He gas having conductivity. The He port insulator 420 is extended from the lower interface a to the insulating layer 150 by a predetermined length l as shown. Therefore, since the path for moving the high frequency wave introduced into the lower interface (a) to the He gas supply port 410 is extended, the amount of the high frequency introduced into the He gas supply port 410 can be minimized. Therefore, occurrence of arcing around the He gas supply port 410 can be minimized.

도12는 본 발명의 제2실시예에 따른 He 가스 공급부(400a)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다. 본 발명의 제2실시예에 따른 He 가스 공급부(400a)는 경계영역(423)과 비경계영역(421)에서의 두께가 상이한 He 포트 절연체(420a)를 포함한다. 제1실시예에서의 He 포트 절연체(420)와 비교할 때 제2실시예에 따른 He 포트 절연체(420a)는 경계영역(423)의 두께가 두꺼우므로 고주파의 이동경로가 제1실시예에 비해 더 길어진다. 따라서, 제2실시예에 따른 He 포트 공급부(400a)는 제1실시예보다 고주파의 유입량을 차단하는 확률이 높아지므로, 아킹 발생 확률은 낮아질 수 있다.12 is a schematic view schematically showing a configuration of a He gas supply unit 400a according to a second embodiment of the present invention. The He gas supply part 400a according to the second embodiment of the present invention includes a He port insulator 420a having a thickness different from that of the boundary area 423 and the non-boundary area 421. [ The He port insulator 420a according to the second embodiment is thicker than the He port insulator 420 according to the first embodiment in that the thickness of the boundary region 423 is larger than that of the He port insulator 420 according to the first embodiment, It grows longer. Therefore, since the He port supplying unit 400a according to the second embodiment increases the probability of blocking the inflow amount of the high frequency wave than the first embodiment, the arcing occurrence probability can be lowered.

한편, 본 실시예에서는 경계영역(423)과 비경계영역(421)이 상호 일체로 형성되어 두께가 상이하게 구비되었으나, 경우에 따라 앞서 설명한 도5의 리프트핀부(200a)에서와 같이 별도의 경계영역절연체에 의해 비경계영역(421)의 두께를 보강할 수 있다. In the present embodiment, the boundary region 423 and the non-boundary region 421 are integrally formed to have different thicknesses. However, as in the case of the lift pin portion 200a of FIG. 5 described above, The thickness of the non-boundary region 421 can be reinforced by the region insulator.

도13은 본 발명의 제3실시예에 따른 He 가스 공급부(400b)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다. 본 발명의 제3실시예에 따른 He 가스 공급부(400b)는 경계영역과 비경계영역에 걸쳐 동일한 두께를 갖는 He 가스 절연체(420b)와, 하부경계면(a)에 대응되게 He 가스 절연체(420b)의 반경방향 외측에 구비되는 He 포트 차단부재(430)를 포함한다. 13 is a schematic view schematically showing a configuration of a He gas supply unit 400b according to the third embodiment of the present invention. The He gas supply unit 400b according to the third embodiment of the present invention includes an He gas insulator 420b having the same thickness over the boundary region and the non-boundary region and a He gas insulator 420b corresponding to the lower interface a, And a He port shut-off member 430 provided radially outward of the He port shut-off member 430.

여기서, He 가스 절연체(420b)는 바디(130)와 동일한 길이를 갖도록 구비되며, He 포트 차단부재(430)가 He 가스 절연체(420b)의 외측에 구비되어 하부경계면(a)을 따라 유입된 고주파의 He 가스 공급포트(410)로의 유입을 차단한다. He 포트 차단부재(430)의 구성은 상술한 리프트핀부(200)의 차단부재(250)의 구성과 동일하므로 자세한 설명은 생략한다. Here, the He gas insulator 420b is provided to have the same length as the body 130, and the He port shutoff member 430 is provided outside the He gas insulator 420b and has a high frequency To the He gas supply port (410). The construction of the He port blocking member 430 is the same as that of the blocking member 250 of the lift pin unit 200 described above, and thus a detailed description thereof will be omitted.

도14는 본 발명의 제4실시예에 따른 He 가스 공급부(400c)의 구성을 간략히 도시한 개략도이다. 도시된 바와 같이 제4실시예에 따른 He 가스 공급부(400c)는 경계영역(423c)과 비경계영역(421c)의 두께가 상이하게 구비된 He 포트 절연체(420c)와, He 포트 절연체(420c)의 경계영역(423c)의 내부에 삽입되는 He 포트 차단부재(430c)를 포함한다. FIG. 14 is a schematic view briefly showing a configuration of a He gas supply unit 400c according to a fourth embodiment of the present invention. The He gas supply unit 400c according to the fourth embodiment includes a He port insulator 420c and a He port insulator 420c having different thicknesses of the boundary region 423c and the non-boundary region 421c, And a He port shut-off member 430c inserted into the boundary region 423c.

제4실시예에 따른 He 가스 공급부(400c)는 하부경계면(a)을 따라 유입된 고 주파가 He 포트 절연체(420c)의 경계영역(423c)과 He 포트 차단부재(430c)를 중첩적으로 경유하게 되므로 이동경로가 길어져 He 가스 공급포트(410)로 유입되기가 희박하다. 따라서, He 가스 공급포트(410)에서의 아킹발생 여지가 최소화될 수 있다. The He gas supply unit 400c according to the fourth embodiment is configured such that the high frequency wave flowing along the lower interface a is formed by overlapping the boundary region 423c of the He port insulator 420c and the He port blocking member 430c So that the movement path becomes long and it is rare to flow into the He gas supply port 410. Therefore, the arcing occurrence space in the He gas supply port 410 can be minimized.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리는 서셉터를 관통 형성된 각 포트 주변에 두께를 상이하게 마련된 절연체를 개재하거나, 절연체에 차단부재를 결합시켜 고주파가 이동하는 경로를 길게 하여 포트 내부로 고주파가 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 이에 의해 포트 주변에서의 아킹 발생 여지를 최소화할 수 있다. As described above, in the susceptor assembly according to the present invention, an insulator having different thicknesses is provided around each port formed through the susceptor, or a path for moving the high frequency is made longer by inserting a blocking member into the insulator, Can be minimized. As a result, it is possible to minimize the occurrence of arcing around the port.

이상에서 설명된 본 발명의 서셉터 어셈블리의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments of the susceptor assembly of the present invention described above are merely illustrative and those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments are possible without departing from the scope of the present invention. It will be possible. Accordingly, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

도 1은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 개략적인 구성을 도시한 개략도,1 is a schematic view showing a schematic configuration of a susceptor assembly according to the present invention,

도 2은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 바디의 개략적인 구성을 도시한 개략도,2 is a schematic view showing a schematic configuration of a body of a susceptor assembly according to the present invention,

도 3a와 도3b는 도2의 냉각유로의 다른 실시예를 도시한 예시도,Figs. 3A and 3B are views showing another embodiment of the cooling passage of Fig. 2, Fig.

도 4는 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 리프트핀부의 제1실시예를 도시한 개략도,4 is a schematic view showing a first embodiment of a lift pin portion of a susceptor assembly according to the present invention,

도 5은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 리프트핀부의 제2실시예를 도시한 개략도,Figure 5 is a schematic view showing a second embodiment of a lift pin portion of a susceptor assembly according to the present invention,

도 6a와 도6b는 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 리프트핀부의 제3실시예를 도시한 개략도,6A and 6B are schematic views showing a third embodiment of a lift pin portion of a susceptor assembly according to the present invention,

도 7은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 리프트핀부의 제4실시예를 도시한 개략도,7 is a schematic view showing a fourth embodiment of a lift pin portion of a susceptor assembly according to the present invention,

도 8은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 직류전극부의 제1실시예를 도시한 개략도,8 is a schematic view showing a first embodiment of a DC electrode portion of a susceptor assembly according to the present invention,

도 9은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 직류전극부의 제2실시예를 도시한 개략도,9 is a schematic view showing a second embodiment of a DC electrode portion of a susceptor assembly according to the present invention,

도 10은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 직류전극부의 제3실시예를 도시한 개략도,10 is a schematic view showing a third embodiment of a DC electrode portion of a susceptor assembly according to the present invention,

도 11은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 He 가스 공급부의 제1실시예를 도시한 개략도,11 is a schematic view showing a first embodiment of a He gas supply part of a susceptor assembly according to the present invention,

도 12는 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 He 가스 공급부의 제2실시예를 도시한 개략도,12 is a schematic view showing a second embodiment of a He gas supply part of a susceptor assembly according to the present invention,

도 13은 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 He 가스 공급부의 제3실시예를 도시한 개략도,13 is a schematic view showing a third embodiment of the He gas supply portion of the susceptor assembly according to the present invention,

도 14는 본 발명에 따른 서셉터 어셈블리의 He 가스 공급부의 제4실시예를 도시한 개략도,14 is a schematic view showing a fourth embodiment of a He gas supply part of a susceptor assembly according to the present invention,

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]

10 : 서셉터 어셈블리 100: 서셉터10: susceptor assembly 100: susceptor

110 : 정전척 111: 하부전극110: electrostatic chuck 111: lower electrode

113: He 가스 유로 130: 바디113: He gas channel 130: Body

131, 133, 135 : 냉각유로 150: 절연층131, 133, 135: Cooling channel 150: Insulating layer

151: 보조절연체 200, 200a, 200b, 200c: 리프트핀부151: auxiliary insulator 200, 200a, 200b, 200c: lift pin

210: 리프트핀포트 230: 절연체210: lift pin port 230: insulator

231: 비경계영역 233: 경계영역231: non-border area 233: border area

240: 경계영역절연체 250: 차단부재240: boundary region insulator 250: blocking member

280: 리프트핀구동부 300, 300a, 300b : 직류전극부280: Lift pin driving unit 300, 300a, 300b: DC electrode unit

310: 직류전극포트 320: 직류전극310: DC electrode port 320: DC electrode

321: 제1전극 323: 제2전극321: first electrode 323: second electrode

325: 커넥터수용부 330: 전극절연체325: connector housing part 330: electrode insulator

340: 상부경계영역절연체 350: 직류전극차단부재340: upper boundary region insulator 350: DC electrode blocking member

351: 차단부재본체 353: 차단날개351: blocking member body 353: blocking blade

355: 지지리브 380: 전원공급부355: Support rib 380: Power supply

400,400a,400b: He 가스 공급부 410: He 가스 공급포트400, 400a, 400b: He gas supply unit 410: He gas supply port

420: He 포트 절연체 430: He 포트 차단부재420: He port insulator 430: He port port member

Claims (10)

복수의 층으로 구성된 서셉터;A susceptor comprising a plurality of layers; 상기 복수의 층을 관통하여 형성되는 하나 이상의 포트; 및At least one port formed through the plurality of layers; And 상기 포트의 테두리영역에 구비되는 절연체를 포함하며,And an insulator provided in an edge region of the port, 상기 절연체는 상기 복수의 층의 경계면에 대응하는 경계영역의 두께가 비경계영역 보다 두껍게 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리.Wherein the insulator is provided such that a thickness of a boundary region corresponding to an interface of the plurality of layers is thicker than a non-boundary region. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 경계영역의 절연체에 결합되어 상기 경계영역의 절연체의 두께를 보강하는 경계영역절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리.And a boundary region insulator coupled to the insulator of the boundary region to reinforce the thickness of the insulator of the boundary region. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 서셉터의 경계면이 복수개인 경우, 상기 경계영역절연체는 상기 복수개의 경계면에 대응되게 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리.Wherein when a plurality of interfacial surfaces of the susceptor are provided, the boundary region insulators are provided corresponding to the plurality of interfacial surfaces, respectively. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,4. The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 경계영역의 절연체와 상기 서셉터의 경계면 사이에 개재되어 상기 경계면을 통해 유입된 고주파의 상기 포트로의 유입을 차단하는 차단부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리. Further comprising: a blocking member interposed between the interface of the insulator of the boundary region and the susceptor to block inflow of high frequency introduced into the interface through the interface into the port. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 차단부재는 상기 절연체의 반경방향 외측에 결합되는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리.Wherein the blocking member is coupled radially outward of the insulator. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 차단부재는 상기 절연체의 반경방향 내측에 결합되는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리.And the blocking member is coupled radially inward of the insulator. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 차단부재는 내부에 절연재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리.Wherein the barrier member comprises an insulating material therein. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 복수의 층 중 적어도 어느 하나는 외주연에 결합되어 외주연으로의 고주파의 유입을 방지하는 보조절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리. Wherein at least one of the plurality of layers includes an auxiliary insulator coupled to an outer periphery to prevent inflow of a high frequency wave into the outer periphery of the susceptor. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 서셉터에는 냉각수가 유동하는 냉각유로가 구비되며,The susceptor is provided with a cooling passage through which cooling water flows, 상기 냉각유로는 단면형상이 적어도 하나의 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리.Wherein the cooling channel includes at least one concavo-convex shape in cross-sectional shape. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 냉각유로는 상기 서셉터의 중심영역에서 최외곽영역에 걸쳐 배치되는 것을 특징으로 하는 서셉터 어셈블리.Wherein the cooling passage is arranged from a central region to an outermost region of the susceptor.
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