KR101410187B1

KR101410187B1 - Method for producing indium hydroxide or compound containing indium hydroxide

Info

Publication number: KR101410187B1
Application number: KR1020137009735A
Authority: KR
Inventors: 유이치로 신도; 고우이치 다케모토; 미츠유키 고나카
Original assignee: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2011-07-26
Filing date: 2012-06-12
Publication date: 2014-06-19
Also published as: CN105926022B; WO2013015032A1; CN105839130B; CN103857830A; CN105926022A; KR20130096733A; CN105839130A; TWI537423B; CN103857830B; TW201305389A

Abstract

수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해법에 의해 제조하는 방법으로서, 전해액의 전도도가 10 mS/cm 이상으로 하여 전해를 실시하고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키고, 또한 석출시킨 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 세정하고, 이 세정액의 전도도가 1 mS/cm 이하가 될 때까지 세정함으로써, 생산성의 저하나 품질의 저하를 억제하는 것을 목적으로 한다.A process for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by an electrolytic process comprising electrolyzing at a conductivity of 10 mS / cm or more and precipitating a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide in an electrolytic solution, And the compound containing indium hydroxide or indium hydroxide precipitated is washed and washed until the conductivity of the cleaning solution becomes 1 mS / cm or less, thereby suppressing a decrease in productivity and a deterioration in quality.

Description

수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING INDIUM HYDROXIDE OR COMPOUND CONTAINING INDIUM HYDROXIDE}METHOD FOR PRODUCING INDIUM HYDROXIDE OR COMPOUND CONTAINING INDIUM HYDROXIDE BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

이 발명은, 주로 ITO 막을 형성하는 스퍼터링용 ITO 타겟의 제조에 사용하는 산화인듐, 또는 산화인듐을 함유하는 화합물의 분말의 원료가 되는 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a process for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide which is a raw material of indium oxide or a compound containing indium oxide used for the production of a sputtering ITO target mainly forming an ITO film .

ITO (인듐-주석을 주성분으로 하는 복합 산화물) 막은 액정 디스플레이를 중심으로 하는 표시 디바이스의 투명 전극 (막) 으로서 널리 사용되고 있다. 이 ITO 막을 형성하는 방법으로서, 진공 증착법이나 스퍼터링법 등, 일반적으로 물리 증착법이라고 일컬어지고 있는 수단에 의해 실시되는 것이 보통이다. 특히, 조작성이나 막의 안정성에서 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 형성하는 것이 많다.ITO (complex oxide containing indium-tin as a main component) film is widely used as a transparent electrode (film) of a display device centered on a liquid crystal display. As a method of forming the ITO film, it is usually carried out by a means generally referred to as a physical vapor deposition method such as a vacuum evaporation method or a sputtering method. In particular, the magnetron sputtering method is often used for operability and film stability.

스퍼터링법에 의한 막의 형성은, 음극에 설치한 타겟에 Ar 이온 등의 정 (正) 이온을 물리적으로 충돌시키고, 그 충돌 에너지로 타겟을 구성하는 재료를 방출시켜, 대면하고 있는 양극측의 기판에 타겟 재료와 거의 동일 조성의 막을 적층함으로써 실시된다.The film formation by the sputtering method is carried out by physically colliding a positive ion such as Ar ions with a target provided on a negative electrode and emitting a material constituting the target by the collision energy, And laminating a film having almost the same composition as the target material.

스퍼터링법에 의한 피복법은 처리 시간이나 공급 전력 등을 조절함으로써, 안정적인 성막 속도로 옹스트롬 단위의 얇은 막으로부터 수십 ㎛ 의 두꺼운 막까지 형성할 수 있다는 특징을 가지고 있다.The coating method by the sputtering method is characterized in that it is possible to form a film from a thin film of angstrom to a thick film of several tens of microns at a stable film forming speed by controlling the processing time and the supply power.

일반적으로, ITO 소결체 타겟은, 산화인듐과 산화주석을 분쇄 혼합하여, 얻어진 혼합 분말을 성형, 소결함으로써 제조되고 있다. 산화인듐과 산화주석의 분쇄 혼합에는, 볼밀, V 형 혼합기, 혹은 리본형 혼합기에 의한 건식 또는 습식 혼합이 실시되고 있다.Generally, the ITO sintered body target is produced by pulverizing and mixing indium oxide and tin oxide, and molding and sintering the obtained mixed powder. For pulverization mixing of indium oxide and tin oxide, dry or wet mixing is performed by a ball mill, a V-type mixer, or a ribbon-type mixer.

ITO 소결체 타겟의 원료가 되는 산화인듐 분말은, 수산화인듐을 예비 소성함으로써 제조할 수 있다. 이 수산화인듐을 제조하는 방법의 대표적인 공지 기술이 특허문헌 1 에 개시되어 있다. 이 특허문헌 1 의 방법은, 인듐을 양극으로 하여 전해함으로써 수산화인듐을 제조하는 것으로, 이것을 예비 소성하여 산화인듐 분말을 얻고 있다. 또한, 이 특허문헌 1 은, 개칭에 의해 출원인명이 상이하지만, 본 출원인에 의한 출원이다.The indium oxide powder serving as a raw material of the ITO sintered body target can be produced by preliminarily firing indium hydroxide. A representative known technique for producing this indium hydroxide is disclosed in Patent Document 1. [ In the method of Patent Document 1, indium hydroxide is produced by electrolyzing indium as an anode, and this is prebaked to obtain indium oxide powder. The patent document 1 is different from the applicant by the name of the applicant but filed by the present applicant.

산화인듐의 제조 방법으로서 중화법도 고려된다. 그러나, 특허문헌 1 에도 기재되어 있는 바와 같이, 다음의 문제가 있으므로 전해법이 유효하다.A neutralization method is also considered as a production method of indium oxide. However, as described in Patent Document 1, the electrolysis method is effective because of the following problems.

a) 얻어지는 산화인듐 분말은 제특성 (평균 입경, 겉보기 밀도 등) 의 편차가 크고, 이것이 산화인듐계의 표시 재료, 형광체 등의 “품질 편차의 저감”혹은“고품질화”의 저해 요인이 되고 있다.a) The obtained indium oxide powder has a large variation in properties (average particle diameter, apparent density, etc.), and this is a factor of inhibiting "quality deviation reduction" or "high quality" of indium oxide-based display materials and phosphors.

b) 제조 조건 (액온, 반응 속도 등) 을 일정하게 제어하는 것이 반드시 용이하지는 않아, 이것을 안정시키기 위해서 설비 비용이 상승한다.b) It is not always easy to constantly control the manufacturing conditions (liquid temperature, reaction rate, etc.), and equipment costs increase in order to stabilize the conditions.

c) 종래와는 특성이 상이한 분말이 요구된 경우에, 이 요구에 대한 유연한 대응을 할 수 없다.c) When a powder having different characteristics from the conventional one is required, a flexible response to this demand can not be achieved.

d) 장치가 비교적 대규모가 되고, 그 때문에 제조 조건을 일정하게 제어하고자 하면, 상당한 노력을 필요로 하는 데다가, 증산에 대한 대응이 반드시 용이하다고는 할 수 없다.d) If the apparatus becomes relatively large, and therefore, if it is intended to control the manufacturing conditions constantly, a considerable effort is required, and it is not necessarily easy to cope with the increase in production.

e) 중화 폐액 (예를 들어 질산암모늄) 이 그때마다 발생하므로 그 처리가 필요하고, 이것이 런닝코스트를 높인다.e) Since a neutralized waste liquid (for example, ammonium nitrate) is generated each time, the treatment is required, which increases the running cost.

다음으로, 전해에 의한 수산화인듐의 제조의 대표예를 나타낸다.Next, representative examples of the production of indium hydroxide by electrolysis are shown.

질산암모늄 (NH₄NO₃), 농도 ： 0.2 ∼ 5 mol/ℓ, pH ： 4 ∼ 10, 온도 ： 10 ∼ 50 ℃ 의 수용액 중에 있어서, 인듐을 양극 (애노드) 으로 하여, 전류 밀도 100 ∼ 1800 A/㎡ 로 통전하여 전해를 실시한다. 그리고, 전해조 바닥의 침적물을 여과, 세정 및 건조시켜 수산화인듐을 얻는다.(Current density) of 100 to 1800 A (current density) in an aqueous solution of ammonium nitrate (NH ₄ NO ₃ ), concentration of 0.2 to 5 mol / l, pH of 4 to 10 and temperature of 10 to 50 ° C. / ㎡ and conduct electricity. Then, the deposit on the bottom of the electrolytic bath is filtered, washed and dried to obtain indium hydroxide.

이 수산화인듐을 원료로 하여, 산화인듐을 제조하는 경우에는, 1100 ℃ 정도의 온도에서 배소 (焙燒) 하면 된다. 이로써, 평균 입경 1 ∼ 5 ㎛ 의 산화인듐 분말을 얻을 수 있다.When indium oxide is produced using this indium hydroxide as a raw material, it may be roasted at a temperature of about 1100 ° C. Thus, indium oxide powder having an average particle diameter of 1 to 5 mu m can be obtained.

상기의 수산화인듐의 전해에 있어서는, 전해조 중에서 양극 (애노드) 으로서 인듐판을, 음극 (캐소드) 에는 통상적으로 스테인리스판을 배치하고, 이 사이에 전해액을 흘려서 전해를 실시한다. 그러나, 애노드의 표면에는 생성된 수산화인듐이 부착되고, 캐소드의 표면에는 인듐이 전착되어, 수지 (덴드라이트) 상으로 신장되고, 애노드와 캐소드가 쇼트되어, 장시간 전해를 할 수 없다는 문제가 생겼다.In the electrolysis of the above-mentioned indium hydroxide, an indium plate is disposed as an anode (anode) and a stainless steel plate is ordinarily disposed as a cathode in an electrolytic bath, and electrolysis is performed by flowing an electrolytic solution therebetween. However, the generated indium hydroxide adheres to the surface of the anode, and indium is electrodeposited on the surface of the cathode to elongate on the resin (dendrite), and the anode and the cathode are short-circuited, and the electrolysis can not be performed for a long time.

또, 전해를 연속해서 실시하면, 애노드의 표면에 In 보다 용출 전위가 높은 원소가 불순물로서 잔류하고, 결과적으로 표면에 농축된다는 문제가 있다. 이와 같은 상황에서 전해를 계속하면, 전해액 중에 불순물도 혼입되어, 먼저 석출된 수산화인듐의 순도가 악화된다. 또 애노드 표면이 국소적으로 인듐 금속이 없어져, 애노드 표면의 전류 밀도가 불균일해진다. 그 결과, 국부적으로 애노드 표면에 구멍이 생겨, 애노드 자체가 욕 중에 탈락된다는 이상도 발생했다.When the electrolysis is carried out continuously, an element having a higher dissolution potential than In is left on the surface of the anode as an impurity, resulting in the problem of concentration on the surface. If the electrolysis is continued under such a situation, impurities are also mixed in the electrolytic solution and the purity of the precipitated indium hydroxide deteriorates first. In addition, indium metal disappears locally on the surface of the anode, and the current density on the anode surface becomes non-uniform. As a result, there was a problem that a hole was formed locally on the surface of the anode, and the anode itself was dropped in the bath.

또한, 수산화인듐의 전해에 있어서, 애노드의 표면에, 생성된 수산화인듐이 부착되는 것, 캐소드의 표면에는 인듐이 전착되고, 수지 (덴드라이트) 상으로 신장되어, 애노드와 캐소드가 쇼트된다는 문제가 생겼다.In addition, in the electrolysis of indium hydroxide, there is a problem that the generated indium hydroxide adheres to the surface of the anode, indium is electrodeposited on the surface of the cathode and is stretched on the resin (dendrite), and the anode and the cathode are short-circuited I have.

종래 기술을 조사하면, 다음과 같은 특허문헌이 개시되어 있다.Examining the prior art, the following patent documents are disclosed.

특허문헌 2 는, 산화인듐 분말의 제조 방법으로, 인듐을 양극으로 하여, 전해액 중에 수산화인듐 침전을 현탁시킨 상태로 교반하여 전해하는 것이다. 구체적으로는, 교반을 실시하지 않는 경우에는, 전해조의 액면 부근에 있어서의 pH 는 8.5 정도이지만 조 바닥 부근의 pH 는 3.2 정도, 전해액을 교반함으로써 액면 부근과 조 바닥 부근의 전해액이 혼합되어 pH 가 균일화된다는 것이다.Patent Document 2 discloses a method for producing indium oxide powder in which indium is used as a positive electrode and stirred while being suspended in an indium hydroxide precipitation in an electrolytic solution. Concretely, when the stirring is not carried out, the pH near the liquid surface of the electrolytic bath is about 8.5, but the pH near the bottom of the bath is about 3.2. By stirring the electrolytic solution, .

교반은 전해에 의해 생긴 수산화인듐의 침전이 전해액 중에 현탁된 상태가 될 정도로 하고 있다. 이것보다 교반의 정도가 약하면 전해액의 pH 를 균일화하는 효과가 불충분해진다. 통상적인 전해에서는 전해액을 정류 (靜流) 상태로 하여 실시하는 것이 보통이며, 조 바닥의 슬라임이 말려올라가는 교반은 실시하지 않지만, 본 발명의 전해 공정에서는 침전이 현탁될 정도까지 적극적으로 전해액을 교반하여 전해를 실시하는 것을 특징으로 하는 것이다.Agitation is such that the precipitation of indium hydroxide formed by electrolysis is suspended in the electrolytic solution. If the degree of stirring is less than that, the effect of making the pH of the electrolytic solution uniform is insufficient. In general electrolysis, the electrolytic solution is usually in a static state. In the electrolytic process of the present invention, the electrolytic solution is agitated agitated to such an extent that the precipitation is suspended, And electrolysis is carried out.

전해액의 액온도 40 ∼ 80 ℃ (50 ∼ 70 ℃), 질산암모늄 또는 염화암모늄을 전해액으로서 사용한다. 전해액 중의 시약 농도 1 ∼ 3 mol/ℓ, 전압 2 ∼ 4 V, 전류 밀도 200 ∼ 900 A/㎡ (700 A/㎡ 정도), 극간 25 m/m ∼ 50 m/m, 캐소드의 재질은 카본이어도 되지만, 통상적으로는 인듐판을 사용한다. 예비 소성은, 통상적으로 공기 중에서 700 ∼ 1100 ℃ (800 ∼ 950 ℃ 정도) 로 하고 있다.The electrolyte solution temperature is 40 to 80 캜 (50 to 70 캜), and ammonium nitrate or ammonium chloride is used as the electrolytic solution. The material of the cathode may be a carbon material or a carbon material. The material of the cathode may be a carbon material or a carbon material. However, an indium plate is usually used. The preliminary firing is usually carried out at 700 to 1100 占 폚 (about 800 to 950 占 폚) in the air.

특허문헌 3 에는, 산화인듐-산화주석 분말의 제조 방법이 기재되고, 인듐과 주석을 별개의 양극으로서 동시에 전해 (PR 식의 펄스 통전) 하는 기술이 개시되어 있다. 전해액은 NH₄NO₃ 을 사용하고, 농도 0.2 ∼ 5 mol/ℓ, pH 4 ∼ 9.5, 욕 온도 0 ∼ 50 ℃, 전류 밀도 100 ∼ 1800 A/㎡ 로 전해하는 것이 개시되어 있다. 이로써 얻은 분말을 1100 ℃ 에서 배소하고, 평균 입경 20 ㎛, 겉보기 밀도 1.7 g/㎤ 의 ITO 분말을 제조하는 것이다. SnO₂ 함유 비율 10 wt％, 소결체 밀도 6.70 g/㎤ 나 4.78 g/㎤ 의 ITO 타겟을 얻는 것이다.Patent Literature 3 discloses a method for producing indium oxide-tin oxide powder, and discloses a technique for simultaneously conducting indium and tin as separate anodes (PR-type pulse energization). The electrolyte was NH ₄ NO ₃ And the electrolytic solution is electrolyzed at a concentration of 0.2 to 5 mol / l, a pH of 4 to 9.5, a bath temperature of 0 to 50 ° C and a current density of 100 to 1800 A / m 2. The powder thus obtained was roasted at 1100 占 폚 to produce an ITO powder having an average particle diameter of 20 占 퐉 and an apparent density of 1.7 g / cm3. A SnO ₂ content ratio of 10 wt%, and a sintered product density of 6.70 g / cm 3 or 4.78 g / cm 3.

특허문헌 4 에는, ITO 타겟의 제조 방법으로서, 수산화인듐을 전해법에 의해 제조하는 것이 개시되어 있다. 구체적으로는, 인듐을 양극으로서 전해함으로써 생긴 수산화인듐을 세정하여 순수 (純水) 에 분산시키는 방법이다. 전해액인 질산암모늄은, 비용 및 순도 유지의 점에서 부족함이 없는 것이지만, 전극 표면에 부도체인 메타주석산이 석출되기 때문에, 연속적으로 전해를 실시할 수 없다고 기재되어 있다. 수산화인듐의 입자경 10 ㎛ 이하, 10 ∼ 80 wt％ 의 수산화인듐을 분산시킨 분산 용액을 사용하고, 수산화인듐 분산 용액과 메타주석산 분산 용액을 혼합한 슬러리의 pH 는 5 이상 9 이하로 하는 것이 기재되어 있다.Patent Document 4 discloses that indium hydroxide is produced by an electrolytic method as a manufacturing method of an ITO target. Specifically, indium hydroxide produced by electrolyzing indium as an anode is washed and dispersed in pure water. Ammonium nitrate, which is an electrolytic solution, is not insufficient in terms of cost and purity, but it is described that electrolysis can not be performed continuously because meta-tartaric acid which is a nonconductor precipitates on the electrode surface. It is described that the slurry obtained by mixing indium hydroxide dispersion solution and meta-tartaric acid dispersion solution with a dispersion solution in which indium hydroxide is dispersed in an amount of 10 to 80 wt% have.

특허문헌 5 에는, 전해 제련에 있어서의 전해액의 농도를 균질화하는 방법 및 전해조가 기재되고, 전해조의 단부에 급액 (給液) 포켓이 배치되고, 그곳으로부터 양극판과 캐소드판을 향하여 급액할 때에, 급액 포켓은 위와 아래에 개구부가 있어, 상부 개구부로부터 급액하고, 하부 개구부로부터 새로운 전해액을 급액함과 함께, 그 급액 포켓의 상측의 측면에 구멍부를 형성하고, 그곳으로부터도 양극판과 캐소드판을 향하여 급액하도록 하여, 전해액의 농도를 균일화하는 방법이 개시되어 있다. 이 경우에는, 양극판과 캐소드판을 향하여 수직 방향의 급액으로 되어 있다.Patent Document 5 describes a method of homogenizing the concentration of the electrolytic solution in electrolytic smelting and an electrolytic cell, and when a liquid pouring pocket is disposed at the end of the electrolytic cell and the liquid is supplied from there to the cathode plate and the cathode plate, The pockets have upper and lower openings to supply liquid from the upper opening portion, to supply fresh electrolyte liquid from the lower opening portion, to form a hole portion on the upper side surface of the liquid supply pocket, and to supply the liquid to the positive electrode plate and the cathode plate Thereby making the concentration of the electrolytic solution uniform. In this case, the liquid is supplied in the vertical direction toward the positive electrode plate and the cathode plate.

특허문헌 6 에는, 전해 정제 또는 전해 채취용 전해조가 개시되어, 급액측 내벽에 다수의 급액공을 형성하고, 배액측 내벽에 동일한 다수의 배액공을 형성하여, 애노드와 캐소드간에 액류를 직진시키는 구조의 전해조가 기재되어 있다.Patent Literature 6 discloses an electrolytic cell for electrolytic refining or electrolytic collection, in which a large number of liquid supply holes are formed on the inner wall of the liquid supply side, a large number of liquid discharge holes are formed on the inner wall of the liquid discharge side, Of the electrolytic bath.

이상의 공지 문헌에는, 전해액 중의 전도도의 규정이 없고, 전류 효율이 악화된다는 문제 및 그 후의 공정 (석출된 수산화인듐 등의 세정) 이 소결시의 밀도에 영향을 준다는 인식이 전혀 없고, 또 이것을 해결하기 위한 구체적 방법의 개시는 없다.In the above-mentioned known literature, there is no definition of conductivity in the electrolytic solution, there is no recognition that the current efficiency is deteriorated and that the subsequent steps (cleaning of precipitated indium hydroxide and the like) affect the density at sintering. There is no disclosure of a specific method for

또, 수산화인듐의 전해에 있어서, 애노드의 표면에 불순물이 농축되는 것, 애노드가 탈락된다는 문제, 전해액 중한 수산화인듐 이외에 불순물 함유량이 높은 수산화물이 생성되고, 수산화인듐의 순도가 저하된다는 인식은 일절 개시되어 있지 않고, 또 이것을 해결하기 위한 구체적 방법의 개시는 없다.Further, there is a problem in that impurities are concentrated on the surface of the anode in the electrolysis of indium hydroxide, that the anode is removed, and that a hydroxide having a high impurity content is produced in addition to indium hydroxide in the electrolytic solution and the purity of the indium hydroxide is lowered. And there is no disclosure of a specific method for solving this problem.

또, 이상의 공지 문헌에는, 수산화인듐의 전해에 있어서, 애노드의 표면에, 생성된 수산화인듐이 부착되는 것, 캐소드의 표면에는 인듐이 전착되고, 수지 (덴드라이트) 상으로 신장되어, 애노드와 캐소드가 쇼트된다는 문제가 발생한다는 인식은 일절 개시되어 있지 않고, 또 이것을 해결하기 위한 구체적 방법의 개시는 없다.In addition, in the above-mentioned known documents, indium hydroxide is deposited on the surface of the anode, and the indium is electrodeposited on the surface of the cathode and elongated on the resin (dendrite) There is no disclosure of a specific method for solving this problem.

특허공보 제2829556호Patent Publication No. 2829556 일본 공개특허공보 평10－204669호Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-204669 특허공보 제2736492호Patent Publication No. 2736492 일본 공개특허공보 2001－303239호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-303239 일본 공개특허공보 2007－204779호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-204779 일본 공개실용신안공보 평3－89166호Japanese Utility Model Publication No. 3-89166

본 발명은, 전해에 의해 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하는 경우에 발생하는 문제, 즉 전류 효율이 매우 나쁘고, 또한 소결시에 소결 특성이 악화되어 밀도가 상승하지 않는 경우가 발생하고 있었다. 이와 같이, 생산성의 저하나 품질의 저하를 억제하는 것을 목적으로 하는 것이다.The present invention has a problem that occurs when a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is produced by electrolysis, that is, the current efficiency is very poor, and the sintering property is deteriorated at the time of sintering, . Thus, the object of the present invention is to suppress deterioration in productivity and deterioration in quality.

또, 전해조 중에, 양극 (애노드) 으로서 인듐판과, 음극 (캐소드) 판을 배치하고, 이 사이에 전해액을 흘려 전해를 실시할 때에, 애노드의 표면에 형성되는 산화층 및 이 산화층에 불순물이 농축된다는 문제, 애노드 자체가 도중에서 탈락된다는 문제, 수산화인듐 이외에 불순물 함유량이 높은 수산화인듐이 생성되고, 수산화인듐의 순도가 저하된다는 문제의 원인을 구명하는 동시에, 이것을 해결하기 위한 구체적인 방책을 제기하여, 생산성의 저하나 품질의 저하를 억제하는 것을 목적으로 하는 것이다.When an indium plate and a cathode (cathode) plate are disposed as an anode (anode) in an electrolytic bath and an electrolytic solution is flowed therebetween, an oxidation layer formed on the surface of the anode and impurities are concentrated in the oxide layer The problem is that the anode itself is lost on the way, the problem of indium hydroxide having a high impurity content in addition to the indium hydroxide is generated, and the purity of the indium hydroxide is lowered. At the same time, concrete measures for solving this problem are proposed, And the deterioration of the quality and the deterioration of the quality.

또한, 본 발명은, 전해에 의해 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하는 경우에 발생하는 문제, 즉 전해조 중에, 양극 (애노드) 으로서 인듐, 또는 인듐 합금판과, 음극 (캐소드) 판을 배치하고, 이 사이에 전해액을 흘려 전해를 실시할 때에, 애노드의 표면에, 생성된 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물이 부착되고, 캐소드의 표면에는 인듐, 또는 인듐 합금이 전착되고, 수지 (덴드라이트) 상으로 신장되어, 애노드와 캐소드가 쇼트된다는 문제의 원인을 구명하는 동시에, 이것을 해결하기 위한 구체적인 방책을 제기하여, 생산성의 저하나 품질의 저하를 억제하는 것을 목적으로 하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a process for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis, that is, a process for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide as an anode, A compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is adhered to the surface of the anode and indium or indium alloy is electrodeposited on the surface of the cathode, The object of the present invention is to clarify the cause of the problem that the anode and the cathode are short-circuited by stretching on a resin (dendrite), and to provide concrete measures for solving the problem, thereby suppressing a decrease in productivity and a decrease in quality.

본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해서, 이하의 방법을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention provides the following method.

1) 전해에 의해 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하는 방법으로서, 전해액의 전도도를 10 mS/cm 이상으로 하여 전해를 실시하고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키고, 또한 석출된 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 세정하고, 이 세정액의 전도도가 1 mS/cm 이하가 될 때까지 세정하는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.1) A method for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis, the method comprising electrolyzing at a conductivity of 10 mS / cm or more and precipitating a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide in an electrolytic solution , Or a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide precipitated is further washed and washed until the conductivity of the cleaning solution becomes 1 mS / cm or less. Gt;

2) 석출된 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 세정액의 전도도가 0.1 mS/cm 이하가 될 때까지 세정하는 것을 특징으로 하는 상기 1) 에 기재된 전해에 의한 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.2) The electrolytic indium hydroxide according to 1) above, wherein the cleaning is carried out until the conductivity of the cleaning liquid of the compound containing precipitated indium hydroxide or indium hydroxide is 0.1 mS / cm or less. &Lt; / RTI >

또, 본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해서, 이하의 방법을 제공하는 것이다.The present invention also provides the following method for solving the above problems.

3) 전해조 중에 캐소드판과 원료가 되는 인듐 금속의 애노드판을, 간격을 두고 교대로 배열하고, 그 캐소드판과 애노드판의 사이에 전해액을 공급하여, 전해에 의해 수산화인듐 분말을 제조하는 방법으로서, 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시키고, 애노드판의 중량이 애노드 초기 중량의 20 ％ ∼ 80 ％ 가 된 단계에서 전해를 중지하여 사용이 끝난 애노드판을 꺼내고, 이 사용이 끝난 애노드판과 함께 새로운 인듐 금속을 보충·주조하여 애노드판을 재제조하고, 이 재제조 애노드판을 사용하여, 전해를 개시하여 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시키는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 분말의 제조 방법.3) A method in which an anode plate of a cathode plate and an indium metal serving as a raw material are alternately arranged in an electrolytic cell at intervals and an electrolyte is supplied between the cathode plate and the anode plate to produce indium hydroxide powder by electrolysis , Precipitating indium hydroxide particles in the electrolyte, stopping the electrolysis at a stage where the weight of the anode plate is 20% to 80% of the initial weight of the anode, withdrawing the used anode plate, A method for producing an indium hydroxide powder by electrolysis, characterized by comprising the steps of replenishing and casting a metal to re-manufacture an anode plate, and using this remanufacturing anode plate to initiate electrolysis to precipitate indium hydroxide particles in the electrolytic solution.

4) 캐소드판으로서 스테인리스판 또는 티탄판을 사용하여 전해하는 것을 특징으로 하는 상기 3) 에 기재된 전해에 의한 수산화인듐 분말의 제조 방법.4) A method for producing an indium hydroxide powder by electrolysis as described in 3) above, wherein the cathode plate is electrolytically electrolyzed using a stainless steel plate or a titanium plate.

5) 전해액 중에 석출된 수산화인듐 슬러리를 취출하는 공정, 그 슬러리를 농축하여, 고형분 농축액과 고형분 희박액으로 분리하는 공정, 그 고형분 희박액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 공정을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 상기 3) ∼ 4) 중 어느 한 항에 기재된 전해에 의한 수산화인듐 분말의 제조 방법.5) a step of taking out the precipitated indium hydroxide slurry in the electrolytic solution, a step of concentrating the slurry into a solid concentrate and a solid component diluted solution, and a step of distributing the solid component diluted solution to the electrolytic solution supply nozzle And the amount of the indium hydroxide powder is in the range of 10 to 30% by weight.

6) 상기 고형분 농축액을 여과하고, 이 여과액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 공정과, 여과된 고형물을 건조시켜 수산화인듐 분말로 하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 상기 5) 에 기재된 전해에 의한 수산화인듐 분말의 제조 방법.6) a step of filtering the solid concentrate, distributing the filtrate to the electrolyte supply nozzle, and drying the filtered solid to obtain an indium hydroxide powder. &Lt; / RTI >

7) 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해법에 의해 제조하는 장치로서, 전해조 중에 캐소드판과 원료가 되는 인듐, 또는 인듐 합금의 애노드판을, 간격을 두고 교대로 배열하고, 그 캐소드판과 애노드판의 사이이며, 또한 각 캐소드판과 애노드판 사이의 일방의 측가장자리 근방 위치에, 캐소드판과 애노드판의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을 배치하고, 이 노즐 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시키고, 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 전해 제조 장치.7) An apparatus for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by an electrolytic method, comprising a cathode plate and an anode plate of indium or indium alloy serving as a raw material, which are arranged alternately with an interval, A nozzle for supplying an electrolyte solution toward the other side edge of the cathode plate and the anode plate is disposed between the plate and the anode plate at a position near one side edge between the cathode plate and the anode plate, The electrolytic solution flowing out is circulated between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath to precipitate a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide in the electrolytic solution or electrolytic production of a compound containing indium hydroxide Device.

8) 캐소드판이, 스테인리스판 또는 티탄판인 것을 특징으로 하는 상기 7) 에 기재된 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 전해 제조 장치.8) An apparatus for electrolytic production of a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide as described in 7) above, wherein the cathode plate is a stainless steel plate or a titanium plate.

9) 각 캐소드판과 애노드판 사이의, 일방의 측가장자리로부터 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을, 1 또는 복수개 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회 류시키고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 청구항 7 또는 8 에 기재된 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 전해 제조 장치.9) One or a plurality of nozzles for supplying an electrolyte solution from one side edge to the other side edge between each cathode plate and the anode plate are arranged, and the electrolytic solution flowing out from the openings of the nozzles is discharged to each cathode plate And the compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is caused to precipitate in the electrolytic solution. The apparatus for producing electrolytic solution of a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide according to claim 7 or 8, wherein the compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is precipitated in the electrolytic solution.

10) 전해액 중에 석출된 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 취출하는 장치, 그 수산화물을 농축하여, 고형분 농축액과 고형분 희박액으로 분리하는 장치, 그 고형분 희박액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 상기 7) ∼ 9) 중 어느 한 항에 기재된 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 전해 제조 장치.10) A device for extracting indium hydroxide or a compound containing indium hydroxide precipitated in an electrolytic solution, an apparatus for concentrating the hydroxide and separating the hydroxide into a solid concentrate and a solid component diluted solution, a method for distributing the solid component diluted solution to the electrolytic solution supply nozzle Wherein the indium hydroxide or indium hydroxide-containing compound according to any one of (7) to (9) above, which has an apparatus for producing an electrolytic solution.

11) 상기 고형분 농축액을 여과하고, 이 여과액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 장치와, 여과된 고형물을 건조시켜 수산화인듐 분말, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물 분말의 제조 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 상기 7) 에 기재된 수산화인듐 분말, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물 분말의 전해 제조 장치.11) a device for filtering the solid concentrate, distributing the filtrate to the electrolytic solution supply nozzle, and a device for producing a compound powder containing indium hydroxide powder or indium hydroxide by drying the filtered solid matter Or a compound powder containing indium hydroxide as described in 7) above.

12) 전해에 의해 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하는 방법으로서, 전해조 중에 캐소드판과 원료가 되는 인듐, 또는 인듐 합금의 애노드판을, 간격을 두고 교대로 배열하고, 그 캐소드판과 애노드판의 사이이며, 또한 각 캐소드판과 애노드판의 일방의 측가장자리의 근방 위치에, 캐소드판과 애노드판의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을 배치하고, 이 노즐로부터 유출시킨 전해액의 액류를 조절하여, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판의 사이에서 회류시키고, 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.12) A method for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis, comprising the steps of: alternately arranging a cathode plate and an anode plate of indium or indium alloy serving as a raw material in an electrolytic bath at intervals, A nozzle for supplying an electrolyte solution toward the other side edge of the cathode plate and the anode plate is disposed in the vicinity of one side edge of each cathode plate and the anode plate between the anode plate and the anode plate, Characterized in that the liquid flow of the electrolytic solution is regulated so as to be circulated between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath to deposit a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide in the electrolytic solution, &Lt; / RTI >

13) 캐소드판으로서 스테인리스판 또는 티탄판을 사용하여 전해하는 것을 특징으로 하는 상기 12) 에 기재된 전해에 의한 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.(13) A process for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis as described in (12) above, wherein the cathode plate is electrolytically electrolyzed using a stainless steel plate or a titanium plate.

14) 각 캐소드판과 애노드판 사이의, 일방의 측가장자리로부터 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을, 1 또는 복수개 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액의 각각의 액류를 조절하여, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시키고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 상기 12) 또는 13) 에 기재된 전해에 의한 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.14) One or a plurality of nozzles for supplying an electrolyte solution from one side edge to the other side edge between each cathode plate and the anode plate are arranged and the liquid flow of the electrolyte discharged from the openings of the nozzles is adjusted , Indium hydroxide by electrolysis described in the above 12) or 13), or indium hydroxide by the electrolytic solution described in the above 12) or 13), which is made to circulate between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath and the compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is precipitated in the electrolytic solution &Lt; / RTI >

15) 전해액 중에 석출된 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 취출하는 공정, 그 수산화물을 농축하여, 고형분 농축액과 고형분 희박액으로 분리하는 공정, 그 고형분 희박액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 공정을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 상기 12) ∼ 14) 중 어느 한 항에 기재된 전해에 의한 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.15) A process for producing an electrolyte solution comprising the steps of: extracting a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide precipitated in an electrolytic solution; concentrating the hydroxide to separate into a solid concentration concentrate and a solid component diluted solution; Wherein the indium hydroxide or indium hydroxide is produced by electrolysis according to any one of the above 12) to 14).

16) 상기 고형분 농축액을 여과하고, 이 여과액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 공정과, 여과된 고형물을 건조시켜 수산화인듐 분말, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물 분말로 하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 상기 15) 에 기재된 전해에 의한 수산화인듐 분말, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물 분말의 제조 방법.16) a step of filtering the solid concentrate, distributing the filtrate to the electrolyte supply nozzle, and drying the filtered solid to obtain a compound powder containing indium hydroxide powder or indium hydroxide A method for producing a compound powder containing indium hydroxide powder or indium hydroxide by electrolysis described in 15) above.

17) 전해액의 공급 속도가, 전류치, 전해 면적, 시간당 0.01 ∼ 100.0 ℓ·㎡/A·분이 되도록 전해액을 흘리는 것을 특징으로 하는 상기 12) ∼ 16) 에 기재된 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.17) A process for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide as described in 12) to 16) above, characterized in that the electrolytic solution is made to flow so that the supply rate of the electrolytic solution is 0.01 to 100.0 l · m 2 / &Lt; / RTI >

전해에 의해 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조할 때에, 효율적으로 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하고, 이로써 타겟 제조시의 소결성을 향상시킬 수 있는 우수한 효과를 갖는다.A compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is efficiently produced when a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is produced by electrolysis and thereby the sintering property at the time of the target production can be improved.

또, 전해조 중에, 양극 (애노드) 으로서 인듐판과 음극 (캐소드) 판을 배치하고, 이 사이에 전해액을 흘려 전해를 실시할 때에, 전해의 도중에서 전해 애노드를 재생함으로써, 애노드의 표면에 불순물이 농축되는 것, 애노드가 전해 도중에서 욕 중에 탈락되는 것, 전해액 중에 생성된 수산화인듐 이외에 불순물 함유량이 높은 수산화인듐 혹은 불순물이 혼입되어, 수산화인듐의 품질의 편차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.When the electrolytic anode is regenerated in the course of electrolysis when an electrolytic solution is formed by arranging an indium plate and a cathode (cathode) plate as an anode (anode) in the electrolytic bath and flowing an electrolytic solution therebetween, impurities It is possible to prevent concentration of the indium hydroxide from being detached from the bath during the electrolysis and to prevent the quality of the indium hydroxide from being varied due to the incorporation of the indium hydroxide or the impurity having a high impurity content in addition to the indium hydroxide produced in the electrolytic solution.

또한, 전해에 의해 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조할 때에, 애노드의 표면에 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 부착시키지 않고, 또 캐소드의 표면에 인듐, 또는 인듐 합금을 전착시키지 않고, 전해액을 회류시켜 효율적으로 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하고, 이로써 생산성을 향상시킬 수 있는 우수한 효과를 갖는다.When a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is produced by electrolysis, a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is not deposited on the surface of the anode, and indium or indium alloy is added to the surface of the cathode It is possible to efficiently produce a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolytic solution circulation without electrodeposition, thereby improving the productivity.

도 1 은, 인듐으로부터 수산화인듐을 제조하는 전해 공정의 플로우를 나타내는 도면이다.
도 2 는, 전해의 생산 효율을 높이기 위해서, 전류 밀도를 높인 경우에, 인듐 애노드 (양극) 판 표면에, 불순물이 농축되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 전해조에 애노드 (양극) 판과 캐소드 (음극) 판을 간격을 두고 배치하고, 전해액을 공급하는 노즐의 공급구를 전해조의 상부에 배치하고, 전해액을 전해조에 공급하는 종래의 전해 장치의 개략 설명도이다.
도 4 는, 전해조에 애노드 (양극) 판과 캐소드 (음극) 판을 간격을 두고 배치함과 함께, 전해액을 공급하는 노즐의 공급구를, 전해조 중의 하측이고, 또한 각 캐소드판과 애노드판 사이의, 일방의 측가장자리에 배치하여, 전해조 중에서 전해액을 회류시키는 전해 장치의 개략 설명도이다.
도 5 는, 도 4 의 장치를 사용한 경우의, 액류를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 6 은, 전해조에 애노드 (양극) 판과 캐소드 (음극) 판을 간격을 두고 배치함과 함께, 전해액을 공급하는 2 단의 노즐의 공급구를, 전해조 중의 하측과, 상측이며 또한 각 캐소드판과 애노드판 사이의, 일방의 측가장자리에 배치하여, 전해조 중에서 전해액을 회류시키는 전해 장치의 개략 설명도이다.
도 7 은, 도 6 의 장치를 사용한 경우의, 액류를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 8 은, 도 7 에 대해, 상부의 노즐의 위치를 변경한 장치를 사용한 경우의, 액류를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 9 는, 전해조에 애노드 (양극) 판과 캐소드 (음극) 판을, 간격을 두고 배치하고, 전해액을 공급하는 3 단의 노즐의 공급구를, 전해조 중의 하측, 중단 (中段) 위치, 상측이며 각 캐소드판과 애노드판 사이의, 일방의 측가장자리에 배치하여, 전해조 중에서 전해액을 회류시키는 전해 장치의 개략 설명도이다.
도 10 은, 도 9 의 장치를 사용한 경우의, 액류를 모식적으로 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a flow of an electrolysis process for producing indium hydroxide from indium. FIG.
2 is a diagram showing a state in which impurities are concentrated on the surface of an indium anode (anode) plate when the current density is increased in order to increase the production efficiency of electrolysis.
Fig. 3 is a schematic view showing a conventional electrolytic apparatus in which an anode (anode) plate and a cathode (cathode) plate are disposed at intervals in an electrolytic bath, a supply port of a nozzle for supplying an electrolytic solution is arranged in an upper part of the electrolytic bath, Fig.
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the distance between the anode (anode) plate and the cathode (cathode) plate in the electrolytic cell and the distance between the cathode plate and the anode plate , And disposed at one side edge of the electrolytic bath to electrolytically return the electrolytic solution in the electrolytic bath.
Fig. 5 is a diagram schematically showing the liquid flow when the apparatus of Fig. 4 is used.
6 is a view showing a state in which the anode (anode) plate and the cathode (cathode) plate are spaced apart from each other in the electrolytic cell and the supply port of the two- And an anode plate disposed at one side edge of the electrolytic bath to electrolytically return the electrolytic solution in the electrolytic bath.
Fig. 7 is a diagram schematically showing the liquid flow when the apparatus of Fig. 6 is used.
Fig. 8 is a diagram schematically showing the liquid flow in the case of using an apparatus in which the position of the upper nozzle is changed, with reference to Fig.
9 is a view showing a state in which the anode (anode) plate and the cathode (cathode) plate are arranged at intervals in the electrolytic bath and the supply port of the three- FIG. 2 is a schematic explanatory view of an electrolytic apparatus arranged at one side edge between each cathode plate and an anode plate, and electrolytic liquid is circulated in the electrolytic bath.
Fig. 10 is a diagram schematically showing the liquid flow when the apparatus of Fig. 9 is used.

인듐 (In) 으로부터 수산화인듐 (In(OH)₃) 을 제조하는 전해 공정의 플로우를 도 1 에 나타낸다. 이 도 1 에 나타내는 바와 같이, 원료가 되는 인듐을 주조하여 인듐으로 이루어지는 애노드판을 제조하고, 이것을 전해조에 배치한다.A flow of an electrolytic process for producing indium hydroxide (In (OH) ₃ ) from indium (In) is shown in Fig. As shown in Fig. 1, indium serving as a raw material is cast to produce an anode plate made of indium, which is placed in an electrolytic bath.

전해조에는, 스테인리스판 또는 티탄판으로 이루어지는 캐소드판을 교대로 평행하게 복수매 배치한다. 전해조에는 전해액을 공급한다. 전해액에는, 질산암모늄 수용액 (NH₄NO₃) 을 사용한다. 또한, 전해액에 대해서는, 특별히 지정되는 것이 아니고, 질산계 수용액, 황산계 수용액, 염산계 수용액 혹은 그 밖의 전해질 등의 어느 것을 사용해도 되지만, 비용이나 제품의 순도 유지의 면에서 질산암모늄 수용액이 바람직하다고 할 수 있다.In the electrolytic bath, a plurality of cathode plates made of a stainless steel plate or a titanium plate are alternately arranged in parallel. An electrolytic solution is supplied to the electrolytic bath. An aqueous solution of ammonium nitrate (NH ₄ NO ₃ ) is used for the electrolytic solution. The electrolytic solution is not particularly specified, and any of nitric acid aqueous solution, sulfuric acid aqueous solution, hydrochloric acid aqueous solution and other electrolytes may be used, but an aqueous solution of ammonium nitrate is preferable in terms of cost and maintaining the purity of the product can do.

이하의 설명에서는, 인듐 (In) 으로부터 수산화인듐 (In(OH)₃) 을 제조하는 예를 나타내지만, 인듐 합금의 애노드를 사용하여 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하는 경우에도 동일하게 적용할 수 있다. 인듐 합금의 대표예는, ITO 에 사용하는 인듐 주석 합금이나 인듐 아연 합금 등이 있다. 이들에 다른 원소를 첨가한 합금 등이 있고, 본원 발명의 대표예로서 나타내는 인듐 (In) 으로부터 수산화인듐 (In(OH)₃) 을 제조하는 예와, 동일한 현상을 발생하는 경우, 모두에 적용할 수 있다.In the following description, an example of producing indium hydroxide (In (OH) ₃ ) from indium (In) is shown, but the same can be applied to the case of producing a compound containing indium hydroxide by using an anode of indium alloy have. Typical examples of indium alloys include indium tin alloy and indium zinc alloy used for ITO. (In (OH) ₃ ) from indium (In), which is a representative example of the present invention, and an alloy in which indium (In .

첨가 원소로서는, 상기의 주석 (Sn), 아연 (Zn) 이외에, 구리 (Cu), 은 (Ag), 안티몬 (Sb), 텔루르 (Te), 비스무트 (Bi), 탈륨 (Tl), 갈륨 (Ga), 게르마늄 (Ge), 카드뮴 (Cd) 등을 들 수 있다. 전해시에, 이들 첨가 원소의 대부분은, 인듐과 동일하게 수산화물이 되지만, 첨가 원소의 산화물 혹은 첨가 원소의 단체 혹은 합금 또는 이들의 혼합물로서 존재하는 경우도 있다. 본원 발명은, 수산화인듐에 함유되는, 이들의 화합물 (혼합물을 포함한다) 모두를 포함하는 것이다.Examples of the additional element include copper (Cu), silver (Ag), antimony (Sb), tellurium (Te), bismuth (Bi), thallium (Tl), gallium (Ga) ), Germanium (Ge), cadmium (Cd), and the like. At the time of electrolysis, most of these added elements are hydroxides like indium, but they may exist as an oxide of an additive element or a single substance or an alloy of the additive element or a mixture thereof. The present invention includes all of these compounds (including mixtures) contained in indium hydroxide.

전해에 의해, 인듐이 용해되어, 수산화인듐의 미세 입자가 전해액 중에 석출된다. 이 전해액 중에 석출된 수산화인듐을 취출하고, 이것을 농축하여 고형분 농축액과 고형분 희박액으로 분리한다. 이 때, 고형분 농축액은 세정, 여과, 건조시켜 수산화인듐 분말을 얻는다. 한편, 고형분 희박액에 대해서는 전해액에 회류하여, 액조절을 하여 재이용한다. 또, 상기 고형분 농축액을 여과한 여과액에 대해서도 전해액에 회류하여, 액조절을 실시하여 재이용한다.By electrolysis, indium is dissolved, and fine particles of indium hydroxide are precipitated in the electrolytic solution. The precipitated indium hydroxide is taken out from the electrolytic solution, which is then concentrated to separate into a solid component concentrate and a solid component diluted solution. At this time, the solid concentrate is washed, filtered and dried to obtain indium hydroxide powder. On the other hand, with respect to the diluted solution of the solid component, it is refluxed in the electrolytic solution, and the solution is regulated and reused. The filtrate obtained by filtrating the above solid concentrate is also returned to the electrolytic solution and regulated to be reused.

여기서 문제가 되는 것은, 전해를 실시할 때에, 전류 효율이 매우 악화되는 것이었다. 또한, 고액 분리된 수산화인듐 또는 그 화합물을 소결할 때에, 소결 밀도가 오르지 않거나, 혹은 소결 밀도의 타겟 내의 불균일이 발생한다는 문제가 있었다.The problem here is that the current efficiency becomes very poor when electrolysis is performed. In addition, when sintering the solid-liquid separated indium hydroxide or the compound thereof, there is a problem that the sintered density is not increased or the sintered density is uneven in the target.

그래서, 각종 검토한 결과, 전해액 중의 전도도가 너무 낮으면 전류 효율이 매우 악화되고, 또 소결 밀도가 낮은 것은, 수산화인듐에 부착된 전해액이 원인인 것이 판명되었다.As a result of various investigations, it has been found that when the conductivity in the electrolytic solution is too low, the current efficiency is extremely deteriorated, and that the sintered density is low is caused by the electrolytic solution adhered to the indium hydroxide.

또, 전해가 진행됨에 따라, 인듐 애노드 (양극) 판의 불순물 원소가, 인듐 애노드 표면에 잔류 농축되어 가는 것이다. 그 상태를 도 2 에 나타낸다.Further, as the electrolysis progresses, the impurity element of the indium anode (anode) plate is concentrated on the surface of the indium anode. This state is shown in Fig.

인듐보다 높은 금속 원소는 표면에 남고, 인듐만이 이온화되어 용출된다. 애노드 표면에 불순물이 농축되어 오면, 그 불순물 특히 인듐보다 높은 금속 원소도 이온화, 용출되어 수산화인듐 슬러리에 혼입된다. 나아가서는, 불순물이 애노드 표면으로부터 탈락되어, 수산화인듐 슬러리 중에 혼입된다.Metal elements higher than indium remain on the surface, and only indium ionizes and elutes. When the impurities are concentrated on the surface of the anode, the impurities, especially the metal element higher than indium, are also ionized and eluted and incorporated into the indium hydroxide slurry. Further, the impurities are removed from the anode surface and incorporated into the indium hydroxide slurry.

본 발명은, 전해에 의해 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조할 때에, 전해액의 전도도를 10 mS/cm 이상, 보다 바람직한 상한은 500 mS/cm 에서 전해를 실시하고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시킨다. 이로써, 전류 효율을 거의 100 ％ 로 하는 것이 가능해졌다.The present invention relates to a process for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis by electrolytic electrolysis at a conductivity of 10 mS / cm or more, more preferably 500 mS / cm, Is precipitated in the electrolytic solution. As a result, the current efficiency can be made almost 100%.

또한, 본 발명은 석출된 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 세정하고, 이 세정액의 전도도가 1 mS/cm 이하가 될 때까지 세정하는 것을 요건으로 한다. 바람직하게는, 세정액의 전도도가 0.1 mS/cm 이하가 될 때까지 세정한다. 이로써 얻은 수산화물을 건조 또는 환원하고, 산화물의 소결 원료로 하여 추가로 소결했다. 이로써, 소결체의 상대 밀도를 99 ％ 이상으로 향상시키는 것이 가능해졌다.Further, the present invention is required to clean precipitated indium hydroxide or a compound containing indium hydroxide, and to clean the cleaning solution until the conductivity of the cleaning solution becomes 1 mS / cm or less. Preferably, the cleaning is performed until the conductivity of the cleaning liquid becomes 0.1 mS / cm or less. The thus obtained hydroxide was dried or reduced, and further sintered as a raw material for sintering the oxide. This makes it possible to increase the relative density of the sintered body to 99% or more.

또, 본원 발명에 있어서는, 상기의 점을 개량하여, 애노드판의 중량이 애노드 초기 중량의 20 ％ ∼ 80 ％ 가 된 단계에서 전해를 중지한다. 20 ％ 미만에서는, 애노드 표면에 다량의 불순물이 농축되어, 전술한 바와 같은 문제가 발생한다. 80 ％ 초과에서는 사용 효율이 나쁘고, 생산성이 악화된다. 그리고 사용이 끝난 애노드판을 꺼내어, 이 사용이 끝난 애노드판에, 신규의 인듐 금속을 보충·주조하여 애노드판을 재제조하는 것이지만, 이 용해·주조법은 특별히 제한은 없다. 신규의 인듐 금속을 보충하지 않고, 사용이 끝난 애노드판만의 주조여도 문제없다.In the present invention, the above points are improved so that the electrolysis is stopped at the stage where the weight of the anode plate becomes 20% to 80% of the initial weight of the anode. If it is less than 20%, a large amount of impurities are concentrated on the surface of the anode, and the above-described problems arise. If it exceeds 80%, the use efficiency is poor and the productivity is deteriorated. Then, the used anode plate is taken out, and the used anode plate is replenished and cast with new indium metal to reproduce the anode plate. However, this dissolving and casting method is not particularly limited. There is no problem in casting only the used anode plate without supplementing the new indium metal.

이 재제조된 인듐 금속 애노드판을 사용하여, 전해를 개시하고, 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시킬 수 있다. 이 재제조 애노드판은 동일한 공정을 거쳐, 애노드판의 중량이 애노드 초기 중량의 20 ％ ∼ 80 ％ 가 된 단계가 될 때까지 사용할 수 있다. 사용 후는, 동일한 방법에 의해 전해 애노드를 재생할 수 있다. 이 애노드의 재제조의 조작은 몇 번이나 반복해도 된다.By using the remanufactured indium metal anode plate, electrolysis can be started and the indium hydroxide particles can be precipitated in the electrolytic solution. The remanufacturing anode plate can be used through the same process until the weight of the anode plate becomes 20% to 80% of the initial weight of the anode. After use, the electrolytic anode can be regenerated by the same method. The operation of remanufacturing the anode may be repeated several times.

사용할 수 있는 애노드는 초기 중량의 20 ％ ∼ 80 ％ 로 광범위하게 되어 있지만, 이것은 주로 애노드의 순도의 편차에 의한 것이다. 일반적으로 유통되고 있는 인듐 원료는 불순물의 함유량이 크게 변동되는 경우가 있다. 또, 애노드의 제조 단계에서도, 상황에 따라 불순물의 혼입량이 변동된다. 불순물이 많으면, 전해되어 가면, 당연히 애노드 표면에 농축되는 불순물량이 많아져, 사용 효율은 저하된다. 한편, 불순물이 적으면, 애노드 표면에 농축되는 불순물량이 적기 때문에, 사용 효율은 높다.The available anodes are wide ranging from 20% to 80% of the initial weight, but this is mainly due to variations in the purity of the anode. In general, the content of impurities in the indium source which is in circulation may vary greatly. Also, in the anode manufacturing step, the amount of the impurities mixed varies depending on the situation. If the amount of impurities is large, the amount of impurities concentrated on the surface of the anode increases, and the efficiency of use lowers. On the other hand, if the amount of impurities is small, the amount of impurities to be concentrated on the surface of the anode is small, and the use efficiency is high.

전해도, 애노드 표면이 균일하게 소모되는 것이 아니라, 불순물이 많은 곳보다, 전류가 흐르기 쉬운 곳 (불순물이 적은 곳) 의 소모가 빠르고, 애노드 잉곳의 도중에서 탈락된다는 현상도 있다. 이상으로부터, 경향으로서는, 불순물 함유량이 적은 애노드는 사용 효율이 높고, 불순물 함유량이 많은 애노드는 사용 효율이 낮다고 할 수 있다.There is a phenomenon that the electrolytic surface and the anode surface are not uniformly consumed but the place where the current easily flows (where the impurities are few) is consumed more quickly than in the place where the impurity is large, and is dropped off in the middle of the anode ingot. From the above, it can be said that, as a tendency, an anode having a small content of impurities has a high use efficiency, and an anode having a large impurity content has a low use efficiency.

또, 전부 수산화인듐이 되는 것이 아니라, 캐소드에 일부 In 이 전착되고, 그것이 성장하여 쇼트되는 경우도 있다. 그 경우는, 전해를 중단해야 한다. 이 쇼트는 전압 변화로 판독할 수 있다. 이들 요인이 상기 20 ％ ∼ 80 ％ 로 범위가 넓은 이유이다.In addition, not all of indium hydroxide is formed, but some of In is electrodeposited on the cathode, and it is grown and short-circuited. In that case, the delivery must be stopped. This short can be read by a voltage change. These factors are the reason that the range is 20% to 80%.

여기서 문제가 되는 것은, 전해를 실시할 때에, 전해조 중의 인듐으로 이루어지는 애노드판의 표면에, 생성된 수산화인듐이 부착되고, 또 캐소드판의 표면에는 인듐이 전착되어, 전해를 계속할 수 없다는 문제가 있었다. 이 인듐은, 수지 (덴드라이트) 상으로 신장되어, 애노드와 캐소드가 쇼트된다는 문제도 발생했다.The problem here is that when the electrolysis is carried out, the generated indium hydroxide adheres to the surface of the anode plate made of indium in the electrolytic bath and the indium is electrodeposited on the surface of the cathode plate, so that the electrolysis can not be continued . This indium was stretched on the resin (dendrite), and the anode and the cathode were short-circuited.

이와 같은 문제는, 생산 효율을 올리기 위해서 전해 전류 밀도를 올리자, 수산화인듐의 부착이나 인듐의 전착이 현저하게 발생했다. 캐소드판에 대한 인듐의 전착이나 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착은, 그다지 강고한 것은 아니지만, 그 부착량이 많아지면, 점차 박리되기 어려워지는 경향을 갖는 것이었다. 이 때문에, 전해의 초기에 있어서, 애노드판과 캐소드판 각 사이에서, 전해액을 회류시켜 전해액의 회류에 의해, 캐소드에 대한 인듐의 전착이나 애노드에 대한 수산화인듐의 부착을 저지하는 방법 (테스트) 을 실시했다.Such a problem is that the deposition of indium hydroxide or indium electrodeposition occurs remarkably in order to increase the electrolytic current density in order to increase production efficiency. The deposition of indium on the cathode plate and the deposition of indium hydroxide on the anode plate are not so strong, but they tend to become increasingly difficult to peel off when the adhesion amount is increased. Therefore, a method (test) for preventing the deposition of indium on the cathode or the deposition of indium hydroxide on the anode by the electrolytic solution is regenerated by circulating the electrolytic solution between the anode plate and the cathode plate at the initial stage of electrolysis .

도 3 을 이용하여 종래의 전해 장치를 설명한다. 이 도 3 에 나타내는 좌측이 전해조의 상면도이고, 우측이 애노드판과 캐소드판의 중간 위치에서의 측면도이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 전해조 중에 애노드 (양극) 판과 캐소드 (음극) 판을, 10 ∼ 500 ㎜ 로 간격을 두고 배치하여, 전해액을 공급하는 노즐의 공급구를 전해조 상부에 배치한다.A conventional electrolytic apparatus will be described with reference to FIG. 3 is a top view of the electrolyzer and the right side is a side view at an intermediate position between the anode plate and the cathode plate. As shown in Fig. 3, an anode (anode) plate and a cathode (cathode) plate are placed in the electrolytic bath at intervals of 10 to 500 mm, and a supply port of a nozzle for supplying the electrolytic solution is arranged above the electrolytic bath.

그리고, 도 3 의 우측 도면의 화살표로 나타내는 방향으로, 전해액을 전해조 중에 공급한다. 공급 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 는, 0.5 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 는 애노드, 또는 캐소드의 어느 일방의 전류 밀도 (A/d㎡ 또는 A/㎡) 에 대한 유속 (ℓ/분) 을 나타낸다. 이하, 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 를 나타내는 경우에는, 동일한 의미로 사용한다.Then, the electrolytic solution is supplied into the electrolytic bath in the direction indicated by the arrow in the right drawing of Fig. The intensity of the supply electrolyte flow (electrolyte supply rate) was 0.5 l · m 2 / A · min. The intensity of the electrolyte flow (electrolyte supply rate) represents the flow rate (l / min) with respect to the current density (A / dm 2 or A / m 2) of either the anode or the cathode. Hereinafter, the same meaning is used when the intensity of the flow of the electrolytic solution (the supply rate of the electrolytic solution) is shown.

이 종래의 전해액의 공급 방법에서는, 캐소드판에 대한 인듐의 전착이나 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착이 발생했다. 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 를 상기보다 크게 해도, 동일한 결과가 되었다.In this conventional method of supplying the electrolyte, indium electrodeposition on the cathode plate and deposition of indium hydroxide on the anode plate occurred. The same result was obtained even when the intensity of the electrolytic solution flow (electrolyte supply rate) was larger than the above.

이 캐소드판에 대한 수산화인듐의 전착이나 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착의 발생을 억제하기 위해서, 액류의 방향을 조절하는 것을 생각하여, 몇가지 실험을 실시했다.In order to suppress the deposition of indium hydroxide on the cathode plate and the occurrence of adhesion of indium hydroxide to the anode plate, several experiments were conducted considering the direction of the liquid flow.

이 수산화인듐의 전해 제조 장치의 개략 설명도를 도 4 에 나타낸다. 도 4 의 좌측이 상방에서 본 개략 설명도 (상면도) 이며, 우측이 애노드판과 캐소드판의 중간 위치에서의 측면의 개략 설명도이다. 노즐의 배치 이외는, 도 3 에 나타내는 구조와 동일하다.A schematic explanatory diagram of the electrolytic production apparatus of the indium hydroxide is shown in Fig. 4 is a schematic explanatory view (top view) viewed from the upper left side and a schematic explanatory view of a side surface at an intermediate position between the anode plate and the cathode plate. Other than the arrangement of the nozzles, the structure is the same as that shown in Fig.

그리고, 도 4 의 우측 도면의 화살표로 나타내는 방향으로 전해액을 회류시켰다. 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 는 0.01 ∼ 100.0 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 액류를 각 애노드, 캐소드간의 아래에서 중앙으로 선회하는 흐름이 되었다.Then, the electrolytic solution was refluxed in the direction indicated by the arrow in the right drawing of Fig. The flow rate of the electrolytic solution (electrolyte supply rate) was set to 0.01 to 100.0 L · m 2 / A · min. As shown in Fig. 4, the flow of liquid flowed from bottom to center between the anode and the cathode.

또한, 전해액 공급 속도가 0.01 ℓ·㎡/A·분보다 낮으면 회류 방식으로도 상기의 문제점을 해결할 수 없었다. 100.0 ℓ·㎡/A·분보다 높으면 액의 순환 속도가 빨라져 액이 난류가 되고, 애노드 표면에 부착된 수산화인듐이 조대 (粗大) 입자인 채 박리, 탈락되거나 생성된 수산화물의 형상이 매우 미세하게 되어 사용 불가능했다. 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 는, 바람직하게는 0.1 ∼ 10.0 ℓ·㎡/A·분으로 하는 것이 좋다.In addition, if the electrolyte feed rate is lower than 0.01 l · m 2 / A · min, the above problem can not be solved even by the circulation method. If it is higher than 100.0 ℓ · m 2 / A · min, the circulation rate of the liquid becomes faster, the liquid becomes turbulent, and the indium hydroxide adhered to the anode surface is coarse particles and peeling off or coming off, It was unusable. It is preferable that the intensity of the flow of the electrolytic solution (electrolytic solution supply rate) is preferably 0.1 to 10.0 L · m 2 / A · min.

도 4 의 액류의 제어의 결과에서 알 수 있는 것은, 도 4 에 나타내는 바와 같은 노즐을 사용하면, 캐소드판에 대한 인듐의 전착이나 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착이 소실했다. 이 원인을 구명하기 위해서, 전해조 내의 전해액을 조사하여 확인한 결과, 도 5 의 액류의 모식도에 나타내는 바와 같이, 캐소드판과 애노드판의 중앙부에 충분한 전해액의 흐름이 생기고 있는 것을 알 수 있었다.As a result of the control of the liquid flow shown in Fig. 4, when the nozzle as shown in Fig. 4 was used, the deposition of indium on the cathode plate and the deposition of indium hydroxide on the anode plate were lost. In order to clarify this cause, it was confirmed that the electrolytic solution in the electrolytic cell was irradiated and confirmed, and as a result, as shown in the schematic diagram of the liquid flow in FIG. 5, sufficient electrolyte flow was generated in the central portion of the cathode and anode plates.

이 결과, 본 발명의 회류의 방법은 매우 효과적이며, 간단한 장치의 개량으로, 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착이나 캐소드판에 대한 인듐의 전착의 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 이 부착이나 전착은, 캐소드판과 애노드판의 모든 면에서 발생은 확인되지 않았다.As a result, the method of reflux of the present invention is very effective, and it is possible to effectively inhibit the deposition of indium hydroxide on the anode plate and the deposition of indium on the cathode plate by an improvement of a simple apparatus, , No occurrence was observed on all sides of the cathode plate and the anode plate.

이상으로부터, 각 캐소드판과 애노드판 사이에, 일방의 측가장자리로부터 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하고, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시키는 것이, 캐소드판에 대한 인듐의 전착이나 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착을 억제하는 유효한 수단이며, 본 발명은, 상기와 같은 실험 결과에 기초하는 것이다.It has been found from the above that electrolytic solution is supplied from one side edge to the other side edge between each cathode plate and the anode plate and is flowed between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath, Is an effective means for inhibiting the adhesion of indium hydroxide to the anode plate. The present invention is based on the above-described experimental results.

즉, 전해조 중에 캐소드판과 원료가 되는 인듐의 애노드판을 10 ∼ 500 ㎜ 의 간격을 두고 교대로 배열하고, 그 캐소드판과 애노드판 사이이며, 또한 각 캐소드판과 애노드판의 일방의 측가장자리의 근방 위치에, 캐소드판과 애노드판의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시켜, 수산화인듐을 전해액 중에 석출시키는 것이 유효한 것을 알 수 있었다.That is, a cathode plate and an anode plate of indium serving as a raw material are alternately arranged in the electrolytic cell at intervals of 10 to 500 mm, and between the cathode plate and the anode plate, and one side edge of each cathode plate and the anode plate A nozzle for supplying an electrolytic solution toward the other side edge of the cathode plate and the anode plate is disposed in the vicinity of the cathode plate and the anode plate and the electrolytic solution flowing out from the opening of the nozzle is circulated between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath, Is precipitated in the electrolytic solution.

또한, 전해액을 공급하는 노즐의 직경 (구경) 에 대해서는, 전해조의 크기, 각 캐소드판과 애노드판 간격의 크기, 전해액의 공급량, 노즐의 배치와 개수 등에 의해 적절히 조절한다. 따라서, 노즐의 직경 (구경) 은, 특별히 제한을 받는 것은 아니다.The diameter (diameter) of the nozzle for supplying the electrolytic solution is appropriately controlled by the size of the electrolytic cell, the size of each cathode plate and the anode plate, the supply amount of the electrolytic solution, the arrangement and number of the nozzles, and the like. Therefore, the diameter (diameter) of the nozzle is not particularly limited.

캐소드판과 애노드판 사이에 대해서는, 넓은 간극으로 할 수도 있지만, 이와 같은 경우에는 액류를 증가시키는 것도 가능하다. 즉, 캐소드판과 애노드판 사이의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐로서, 전해액을 공급하는 1 또는 복수개의 노즐을 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시켜 수산화인듐을 전해액 중에 석출시킬 수 있다.The gap between the cathode plate and the anode plate may be wide, but in such a case, it is also possible to increase the liquid flow. That is, one or a plurality of nozzles for supplying an electrolytic solution are arranged as a nozzle for supplying an electrolytic solution toward the other side edge between the cathode plate and the anode plate, and an electrolytic solution flowing out from the opening of the nozzle is supplied to each cathode plate And the anode plate to precipitate indium hydroxide in the electrolytic solution.

하부 노즐, 상부 노즐, 또는 중간 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액의 액류를 조절하여, 각각의 액류가, 캐소드판과 애노드판 사이에서, 각 캐소드판과 애노드판의 일방의 측가장자리로부터 타방의 측가장자리를 향하여, 호를 그리듯이 회류시키는 (선회시키는) 것이 유효하다. 이 경우, 전해액의 회류는, 각 캐소드판과 애노드판 사이에 균일하게 흘러, 그 흐름의 일부가, 캐소드판과 애노드판의 표면에 충접 (衝接) 하는 것이 필요하다고 생각된다. 그러나, 캐소드판과 애노드판 사이에서 캐소드판과 애노드판의 표면 전체에 회류할 수 있으면, 그 회류의 방향은 특별히 제한할 필요는 없다고 할 수 있다.The liquid flow of the electrolytic solution flowing out from the openings of the lower nozzle, the upper nozzle, or the intermediate nozzle is adjusted so that the liquid flows from the one side edge of each cathode plate and the anode plate to the other side edge It is effective to circulate (turn) the arc as it draws. In this case, it is considered that the flow of the electrolytic solution uniformly flows between each cathode plate and the anode plate, and a part of the flow of the electrolytic solution is required to collide with the surfaces of the cathode plate and the anode plate. However, the direction of the reflux is not particularly limited as long as it can flow back to the entire surface of the cathode plate and the anode plate between the cathode plate and the anode plate.

본 발명에 있어서는, 캐소드판으로서 스테인리스판, 또는 티탄판을 사용하는 것이 유효하지만, 전해액을 오염하지 않는 한, 다른 재료여도 된다.In the present invention, it is effective to use a stainless steel plate or a titanium plate as the cathode plate, but other materials may be used as long as the electrolyte is not contaminated.

전해액 중에 석출된 수산화인듐을 취출하는 장치, 그 수산화물을 농축하여, 고형분 농축액과 고형분 희박액으로 분리하는 장치, 그 고형분 희박액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 장치를 설치하고, 또 상기 고형분 농축액을 여과하고, 이 여과액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 장치와, 여과한 고형물을 수세하는 장치, 이것을 더욱 건조시켜 산화인듐 분말로 하는 산화인듐 분말 제조 장치를 갖는 전해 제조 장치로 할 수도 있다. 고액 분리 장치, 여과 장치, 여과액 분배 장치, 수세 장치, 분말 제조 장치 등은 제조 장치의 비용 저감을 위해서, 본 발명의 전해 장치에 수반시켜 설치할 수도 있다.There is provided an apparatus for extracting indium hydroxide precipitated in an electrolytic solution, an apparatus for concentrating the hydroxide to separate into a solid concentrate and a solid component diluted solution, and an apparatus for distributing the solid component diluted solution to the electrolytic solution supply nozzle, An apparatus for filtering the solution, a device for distributing the filtrate to the electrolytic solution supply nozzle, an apparatus for washing the filtered solid matter, and an indium oxide powder production apparatus for further drying the filtrated indium powder. A solid-liquid separator, a filtration apparatus, a filtrate distribution apparatus, a flushing apparatus, a powder production apparatus, and the like may be provided in association with the electrolytic apparatus of the present invention in order to reduce the cost of the production apparatus.

실시예Example

다음으로, 본 발명의 실시예에 대해 설명한다. 또한, 본 실시예는 어디까지나 일례이며, 이 예에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서, 실시예 이외의 양태 혹은 변형을 모두 포함하는 것이다.Next, an embodiment of the present invention will be described. The present embodiment is merely an example, and the present invention is not limited to this example. That is, the present invention includes all aspects or modifications other than the embodiment within the scope of the technical idea of the present invention.

(실시예 1)(Example 1)

애노드에 인듐판을 사용하고, 캐소드에 스테인리스판을 사용하고, 전해액으로서 질산암모늄 수용액을 사용하여 전해에 의해 수산화물을 석출시켰다. 이 경우의 전해액의 전도도를 10 mS/cm 로 하여 전해를 실시한 결과, 전류 효율은 95 ％ 였다.An anode was used for an indium plate, a cathode was used for a stainless steel plate, and an aqueous solution of ammonium nitrate was used as an electrolytic solution to precipitate hydroxides by electrolysis. In this case, when the conductivity of the electrolytic solution was 10 mS / cm, electrolysis was performed, and as a result, the current efficiency was 95%.

또한, 그 수산화물을 여과하고, 순수를 사용하여 세정을 실시하고, 세정액의 전도도가 0.1 mS/cm 가 될 때까지 세정했다. 그 후, 건조시켜 산화인듐으로 하고, 추가로 1500 ℃ 라는 조건에서 소결을 실시하여, 상대 밀도 98 ％ 의 인듐 소결체를 얻었다.The hydroxide was filtered, washed with pure water, and washed until the conductivity of the cleaning liquid reached 0.1 mS / cm. Thereafter, it was dried to be indium oxide, and further sintered under the condition of 1500 캜 to obtain an indium sintered body having a relative density of 98%.

또한, 이 경우 애노드에 인듐을 사용하고, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시킨 예를 나타냈지만, 인듐-주석 등의 인듐 합금을 사용하여 수산화인듐을 함유하는 화합물 (예를 들어, 수산화인듐과 수산화주석의 혼합물) 을 석출시킨 경우에도, 동일한 결과를 얻을 수 있었다.In this case, indium is used for the anode, and indium hydroxide is precipitated by electrolysis. However, a compound containing indium hydroxide (for example, indium hydroxide and tin hydroxide) using indium alloy such as indium- , The same result was obtained.

즉, 어느 것이나 얻어진 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 세정함으로써, 상대 밀도가 향상된다는 것, 그리고, 그 지표가 되어, 제어할 수 있는 조건이 세정액의 전도도인 것을 확인할 수 있었다.In other words, it was confirmed that the relative density was improved by cleaning the obtained compound containing indium hydroxide or indium hydroxide, and that the index was the controllable condition of the conductivity of the cleaning liquid.

(실시예 2)(Example 2)

실시예 1 의 전해액의 전도도를 100 mS/cm 로 변경하여 전해를 실시했다. 이 경우의 전류 효율은 99 ％ 였다. 그 후, 순수에서 리펄프 세정하여, 세정액의 전도도가 0.01 mS/cm 가 될 때까지 세정했다. 실시예 1 과 동일한 조건으로 소결한 결과, 소결체의 상대 밀도 99.5 ％ 의 고밀도 소결체를 얻었다.The conductivity of the electrolytic solution of Example 1 was changed to 100 mS / cm to conduct electrolysis. The current efficiency in this case was 99%. Thereafter, the wafer was repulped in pure water and cleaned until the conductivity of the cleaning liquid reached 0.01 mS / cm. As a result of sintering under the same conditions as in Example 1, a high-density sintered body having a relative density of 99.5% of the sintered body was obtained.

또한, 이 경우 애노드에 인듐을 사용하고, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시킨 예를 나타냈지만, 인듐-주석 등의 인듐 합금을 사용하여 수산화인듐을 함유하는 화합물 (예를 들어, 수산화인듐과 수산화주석의 혼합물) 을 석출시킨 경우에도 동일한 결과를 얻을 수 있었다.In this case, indium is used for the anode, and indium hydroxide is precipitated by electrolysis. However, a compound containing indium hydroxide (for example, indium hydroxide and tin hydroxide) using indium alloy such as indium- The same result was obtained.

실시예 1 과 마찬가지로, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 세정함으로써, 상대 밀도가 향상된다는 것, 그리고, 그 지표가 되어, 제어할 수 있는 조건이 세정액의 전도도인 것을 확인할 수 있었다.It was confirmed that the relative density was improved by cleaning the compound containing indium hydroxide or indium hydroxide in the same manner as in Example 1 and that the index was the controllable condition of the conductivity of the cleaning liquid.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

실시예 1 의 전해액의 전도도를 8.0 mS/cm 로 변경하여 전해를 실시했다. 이 결과, 애노드판으로부터 산소 가스, 캐소드판으로부터 수소 가스가 발생했으므로, 전류 효율이 약 80 ％ 로 나빴다. 소결 원료가 되는 레벨의 수산화인듐을 제조할 수 없었기 때문에, 그 후의 공정은 중지했다.The conductivity of the electrolytic solution of Example 1 was changed to 8.0 mS / cm to conduct electrolysis. As a result, since the oxygen gas was generated from the anode plate and the hydrogen gas was generated from the cathode plate, the current efficiency was as bad as about 80%. Since the level of indium hydroxide to be a sintering raw material could not be produced, the subsequent steps were stopped.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

실시예 1 의 전해액의 전도도를 50 mS/cm 로 변경하여 전해를 실시했다. 전류 효율은 99 ％ 로 좋았지만, 그 후, 수산화물을 순수에서 리펄프 세정하여, 세정액의 전도도가 2 mS/cm 가 될 때까지 세정했다. 실시예 1 과 동일한 조건으로 소결한 결과, 소결 밀도는 95 ％ 로 나쁘고, 일부 소결체의 균열이 발생했다. 이것은, 석출된 수산화인듐의 세정이 충분히 이루어지지 않은 결과라고 생각되었다.The conductivity of the electrolytic solution of Example 1 was changed to 50 mS / cm to conduct electrolysis. The current efficiency was good at 99%, but the hydroxide was then repulped in pure water and washed until the conductivity of the cleaning solution reached 2 mS / cm. As a result of sintering under the same conditions as in Example 1, the sintered density was as low as 95%, and some of the sintered bodies were cracked. This is thought to be a result of insufficient cleaning of precipitated indium hydroxide.

또한, 이 경우 애노드에 인듐을 사용하고, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시킨 예를 나타냈지만, 인듐-주석 등의 인듐 합금을 사용하여 수산화인듐을 함유하는 화합물 (예를 들어, 수산화인듐과 수산화주석의 혼합물) 을 석출시킨 경우에도 동일한 결과가 되었다.In this case, indium is used for the anode, and indium hydroxide is precipitated by electrolysis. However, a compound containing indium hydroxide (for example, indium hydroxide and tin hydroxide) using indium alloy such as indium- The same result was obtained.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

실시예 1 의 전해액의 전도도를 1 mS/cm 로 변경하여 전해를 실시했다. 이 결과, 전류 효율은 50 ％ 로 매우 나빴다. 그러나, 석출된 수산화물을 순수에서 리펄프 세정하여, 세정액의 전도도가 0.01 mS/cm 가 될 때까지 세정했다.The conductivity of the electrolytic solution of Example 1 was changed to 1 mS / cm to conduct electrolysis. As a result, the current efficiency was 50%, which was very bad. However, the precipitated hydroxides were repulped in pure water and washed until the conductivity of the cleaning solution became 0.01 mS / cm.

그리고, 실시예 1 과 동일한 조건으로 소결한 결과, 소결 밀도는 99 ％ 까지 달성할 수 있었다. 전해시의 전류 효율이 나쁘기 때문에, 실제 조업 상에서는 사용할 수 있는 조건은 아니지만, 수산화인듐의 세정이, 소결 밀도를 향상시키는 효과를 확인할 수 있었다.As a result of sintering under the same conditions as in Example 1, the sintered density could be attained up to 99%. Since the current efficiency at the time of electrolysis is poor, the effect of improving the sintering density can be confirmed by cleaning the indium hydroxide although it is not a condition that can be used in actual operation.

또한, 이 경우 애노드에 인듐을 사용하여, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시킨 예를 나타냈지만, 인듐-주석 등의 인듐 합금을 사용하여 수산화인듐을 함유하는 화합물 (예를 들어, 수산화인듐과 수산화주석의 혼합물) 을 석출시킨 경우에도 동일한 결과가 되었다.In this case, an example in which indium is used for the anode and the indium hydroxide is precipitated by electrolysis is shown. However, a compound containing indium hydroxide using indium alloy such as indium-tin (for example, indium hydroxide and tin hydroxide The same result was obtained.

(실시예 3)(Example 3)

금속 인듐 (In) 으로부터 수산화인듐 (In(OH)₃) 을 제조하는 전해 공정에 있어서, 원료가 되는 금속 인듐을 주조하여 금속 인듐으로 이루어지는 애노드판을 제조하고, 이것을 전해조에 배치한다. 전해조에는, 스테인리스판 또는 티탄판으로 이루어지는 캐소드판을 교대로 배치했다. 이들 애노드판과 캐소드판은 평행하게 복수매 배치했다. 전해조에는 전해액을 공급한다. 전해액에는, 질산암모늄 수용액 (NH₄NO₃) 을 사용하여 전해를 개시했다.In an electrolytic process for producing indium hydroxide (In (OH) ₃ ) from metal indium (In), an anode plate made of metal indium is cast by metal indium serving as a raw material, and this is placed in an electrolytic bath. A cathode plate made of a stainless steel plate or a titanium plate was alternately arranged in the electrolytic bath. A plurality of these anode plates and cathode plates were arranged in parallel. An electrolytic solution is supplied to the electrolytic bath. An electrolytic solution was started using an ammonium nitrate aqueous solution (NH ₄ NO ₃ ).

다음으로, 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시키고, 애노드판의 초기 중량의 80 ％ 가 된 단계에서 전해를 중지했다. 그리고 사용이 끝난 애노드판을 꺼내어, 이 사용이 끝난 애노드판을 용해했다. 이 용해시에는, 신규의 인듐 금속을 보충하고, 주조하여 애노드판을 재제조했다.Next, the indium hydroxide particles were precipitated in the electrolytic solution, and the electrolysis was stopped at the stage where the initial weight of the anode plate became 80%. Then, the used anode plate was taken out, and the used anode plate was dissolved. At the time of dissolving, a new indium metal was replenished and cast to produce an anode plate.

이 재제조된 인듐 금속 애노드판을 사용하고, 재차 전해를 개시하여, 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시킬 수 있다. 이 재제조 애노드판은 동일한 공정을 거쳐, 애노드 초기 중량의 20 ％ ∼ 80 ％ 가 된 단계가 될 때까지 사용할 수 있다. 사용 후는, 동일한 방법에 의해 전해 애노드를 재생할 수 있다.Using the remanufactured indium metal anode plate, electrolysis is started again, and the indium hydroxide particles can be precipitated in the electrolytic solution. This remanufacturing anode plate can be used through the same process until it is a step that is 20% to 80% of the initial weight of the anode. After use, the electrolytic anode can be regenerated by the same method.

전해 후, 전해액 중에 석출된 수산화인듐 슬러리를 적절히 취출하여, 이 슬러리를 농축하고, 고형분 농축액과 고형분 희박액으로 분리했다. 그리고, 그 고형분 희박액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배했다. 또, 상기 고형분 농축액을 여과하고, 이 여과액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하고, 한편 여과된 고형물을 건조시켜 수산화인듐 분말로 했다.After electrolysis, the precipitated indium hydroxide slurry in the electrolytic solution was appropriately taken out, and this slurry was concentrated and separated into a solid concentrate and a solid-diluted solution. Then, the solid-diluted solution was distributed to the electrolyte supply nozzle. The solid concentrate was filtered, the filtrate was distributed to the electrolyte supply nozzle, and the filtered solid was dried to obtain indium hydroxide powder.

(실시예 4)(Example 4)

실시예 1 과 마찬가지로, 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시키고, 애노드판의 초기 중량의 20 ％ 가 된 단계에서 전해를 중지했다. 실시예 1 과 마찬가지로 하여 재제조하고, 전해를 개시했다. 재제조 애노드판은, 애노드의 초기 중량의 50 ％ 가 될 때까지 사용했다. 사용 후는, 동일한 방법에 의해 전해 애노드를 재생했다.In the same manner as in Example 1, the indium hydroxide particles were precipitated in the electrolytic solution, and the electrolysis was stopped at the step of 20% of the initial weight of the anode plate. And then re-manufactured in the same manner as in Example 1 to start electrolysis. The remanufacturing anode plate was used until it was 50% of the initial weight of the anode. After use, the electrolytic anode was regenerated by the same method.

(실시예 5)(Example 5)

실시예 1 과 마찬가지로, 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시키고, 애노드판의 초기 중량의 60 ％ 가 된 단계에서 전해를 중지했다. 그리고, 사용이 끝난 애노드판을 꺼내어 용해했지만, 용해시에는 신규의 인듐 금속을 첨가했다.In the same manner as in Example 1, the indium hydroxide particles were precipitated in the electrolytic solution, and the electrolysis was stopped at the step of 60% of the initial weight of the anode plate. Then, the used anode plate was taken out and dissolved, but a new indium metal was added at the time of dissolution.

이 재제조한 애노드판을 사용하여 전해를 개시했다. 재제조 애노드판은, 애노드의 초기 중량의 30 ％ 가 될 때까지 사용했다. 사용 후는, 동일한 방법에 의해 전해 애노드를 재생했다.The electrolysis was started using this remanufactured anode plate. The remanufacturing anode plate was used until it was 30% of the initial weight of the anode. After use, the electrolytic anode was regenerated by the same method.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

금속 인듐 (In) 으로부터 수산화인듐 (In(OH)₃) 을 제조하는 전해 공정에 있어서, 원료가 되는 금속 인듐을 주조하여 금속 인듐으로 이루어지는 애노드판을 제조하고, 이것을 전해조에 배치한다. 전해조에는, 스테인리스판 또는 티탄판으로 이루어지는 캐소드판을 교대로 배치했다. 이들 애노드판과 캐소드판은, 평행하게 복수매 배치했다. 전해조에는 전해액을 공급한다. 전해액에는, 질산암모늄 수용액 (NH₄NO₃) 을 사용했다.In an electrolytic process for producing indium hydroxide (In (OH) ₃ ) from metal indium (In), an anode plate made of metal indium is cast by metal indium serving as a raw material, and this is placed in an electrolytic bath. A cathode plate made of a stainless steel plate or a titanium plate was alternately arranged in the electrolytic bath. A plurality of these anode plates and cathode plates were arranged in parallel. An electrolytic solution is supplied to the electrolytic bath. An aqueous solution of ammonium nitrate (NH ₄ NO ₃ ) was used as the electrolytic solution.

전해의 생산 효율을 높이기 위해서, 애노드 초기 중량의 15 ％ 정도가 될 때까지 속행하고자 했다. 이 전해의 도중에서, 인듐 애노드 (양극) 판과 스테인리스제의 캐소드 (음극) 판에, 대량의 인듐 조대 입자의 이물질이 발생하고, 이들 조대 입자의 이물질에 의해 애노드판과 캐소드판이 단락되어, 전해가 불능이 되었다.In order to increase electrolytic production efficiency, it was attempted to continue until it reached about 15% of the initial weight of the anode. In the course of this electrolysis, a large amount of foreign matter of the indium coarse particles is generated on the indium anode (anode) plate and the stainless steel cathode (cathode) plate, and the anode plate and the cathode plate are short- Became inoperable.

인듐 금속으로 이루어지는 애노드판에는, 불순물이 농축되었기 때문에 전압이 높아져, 그 불순물이 용출되었다. 이 결과, 수산화인듐에 불순물이 혼입되어, 전해액 중의 순도가 악화된다는 문제가 생겼다.In the anode plate made of indium metal, since the impurity was concentrated, the voltage was increased and the impurity was eluted. As a result, there arises a problem that impurities are mixed in the indium hydroxide and the purity in the electrolytic solution is deteriorated.

(비교예 5)(Comparative Example 5)

애노드의 불순물 농도가 높았기 때문에, 애노드 초기 중량의 85 ％ 정도가 된 시점에서 전해를 중지했다. 얻어진 수산화물의 순도 등에는 문제없었지만, 애노드 표면에 불순물이 많이 농축되어, 이 이상 전해를 계속하면, 수산화인듐의 품질에 편차가 생기기 때문이다.Since the impurity concentration of the anode was high, the electrolysis was stopped when the anode had reached about 85% of the initial weight. The purity of the obtained hydroxide and the like were not affected. However, if impurities are concentrated on the surface of the anode and the abnormal electrolysis is continued, the quality of the indium hydroxide will be varied.

(비교예 6)(Comparative Example 6)

전해의 생산 효율을 높이기 위해서, 애노드 초기 중량의 5 ％ 정도가 될 때까지 속행하고자 했다. 이 전해의 도중에서, 애노드판의 일부에 구멍이 생기고, 욕 중에 낙하하여, 장치의 수손(穗損)이 일어나 전해의 속행이 불가능해졌다.In order to increase electrolytic production efficiency, it was tried to continue until it was about 5% of the initial weight of the anode. During this electrolysis, a hole was formed in a part of the anode plate and dropped in the bath, causing a hand loss of the apparatus, making it impossible to continue the electrolysis.

또, 생성된 수산화물 중의 품질의 편차가 커 사용할 수 없었다.In addition, the quality of the produced hydroxides was large and could not be used.

(실시예 6)(Example 6)

상기 도 4 에 나타내는 장치를 사용하여, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시켰다. 구체적으로는, 전해조 중에 1000 ㎜ × 700 ㎜ × 5 ㎜t 의 스테인리스제 캐소드판 11 매와 원료가 되는 1000 ㎜ × 700 ㎜ × 50 ㎜t 의 인듐으로 이루어지는 애노드판 10 매를 교대로 10 세트 배열하고, 그 캐소드판과 애노드판 사이를 50 ㎜ 취하고, 또한 각 캐소드판과 애노드판 사이의 일방의 측가장자리의 하단 근방 위치 (액면으로부터 1000 ㎜ 의 위치) 에, 캐소드판과 애노드판의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을 배치했다.Using the apparatus shown in Fig. 4, indium hydroxide was precipitated by electrolysis. Specifically, ten stainless steel cathode plates of 1000 mm x 700 mm x 5 mm t and ten anode plates of 1000 mm x 700 mm x 50 mm t made of indium serving as raw materials were alternately arranged in the electrolytic bath , 50 mm between the cathode plate and the anode plate, and at the position near the lower end of one side edge between the cathode plate and the anode plate (at a position of 1000 mm from the liquid level), the other side edge of the cathode plate and the anode plate A nozzle for supplying an electrolyte solution was disposed.

그리고, 도 4 의 우측 도면의 화살표로 나타내는 방향으로 전해액을 회류시키고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시켜 수산화인듐을 전해액 중에 석출시켰다. 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 는 0.1 ℓ·㎡/A(암페어)·분으로 했다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 액류가 아래로부터 상방으로 선회하는 흐름이 되었다.The electrolytic solution was circulated in the direction indicated by the arrow in the right drawing of Fig. 4, and the electrolytic solution flowing out from the opening of the nozzle was circulated between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath to precipitate indium hydroxide in the electrolytic solution. The electrolyte flow rate (electrolyte supply rate) was 0.1 l · m 2 / A (amperes) · min. As shown in Fig. 4, the liquid flow turned upward from below.

도 4 에 나타내는 바와 같은 회류의 방향에 의해, 캐소드판과 애노드판 사이에 전해액의 흐름의 공백 부분이 발생하지 않고, 전체적으로 균일하게 회류 (선회류) 가 생기고 있는 것을 알 수 있었다. 이 결과, 이 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착이나 캐소드판에 대한 인듐의 전착을 억제할 수 있었다. 캐소드판과 애노드판의 모든 면에서 발생은 확인되지 않았다.It was found that a free portion of the flow of the electrolytic solution did not occur between the cathode plate and the anode plate due to the direction of the reflux as shown in Fig. 4, and uniformly swirling (swirling flow) was generated as a whole. As a result, deposition of indium hydroxide on the anode plate and deposition of indium on the cathode plate were suppressed. No occurrences were observed on all sides of the cathode and anode plates.

또한, 이 경우 애노드에 인듐을 사용하여, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시킨 예를 나타냈지만, 인듐-주석 등의 인듐 합금을 사용하여 인듐 수산화물을 함유하는 화합물을 석출시킨 경우에도, 동일한 현상을 얻을 수 있었다. 이하의 실시예에 있어서도 동일하였다.In this case, although indium hydroxide is used for the anode and the hydroxide is precipitated by electrolysis, the same phenomenon can be obtained even when a compound containing indium hydroxide is precipitated using an indium alloy such as indium-tin I could. The same was applied to the following examples.

(실시예 7)(Example 7)

실시예 1 과 동일한 방법으로, 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 를 10 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 이 경우, 실시예 1 과 마찬가지로, 이 캐소드판에 대한 인듐의 전착이나 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착을 억제할 수 있었다. 캐소드판과 애노드판의 모든 면에서 발생은 확인되지 않았다.In the same manner as in Example 1, the intensity of the flow of the electrolytic solution (electrolyte supply rate) was set to 10 L · m 2 / A · min. In this case, similarly to Example 1, deposition of indium on the cathode plate and deposition of indium hydroxide on the anode plate could be suppressed. No occurrences were observed on all sides of the cathode and anode plates.

(실시예 8)(Example 8)

실시예 1 과 동일한 방법으로, 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 를 0.01 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 이 경우, 캐소드판에 대한 인듐의 전착이나 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착이 일부 일어났지만, 사용할 수 없는 것은 없었다.In the same manner as in Example 1, the intensity of the flow of the electrolytic solution (electrolyte supply rate) was set to 0.01 L · m 2 / A · min. In this case, some of the indium electrodeposition on the cathode plate and the adhesion of the indium hydroxide to the anode plate occurred, but nothing could be used.

(실시예 9)(Example 9)

실시예 1 과 동일한 방법으로, 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 를 50 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 이 경우, 애노드로부터 수산화인듐 조대 입자가 약간 박리되었지만 사용 가능했다.In the same manner as in Example 1, the intensity of the flow of the electrolytic solution (electrolyte supply rate) was set to 50 L · m 2 / A · min. In this case, the indium hydroxide coarse particles were slightly removed from the anode, but they were usable.

(실시예 10)(Example 10)

실시예 1 과 동일한 방법으로, 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 를 100 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 이 경우, 애노드에 수산화인듐 조대 입자가 일부 박리되고, 나아가서는 미세한 수산화물 (1100 ℃ 에서 배소 후의 평균 입경이 0.5 ㎛ 이하) 이 약간 발생했다. 그러나, 이것 자체는 큰 문제가 아니고, 사용 가능했다.In the same manner as in Example 1, the intensity of the flow of the electrolytic solution (electrolyte supply rate) was set to 100 L · m 2 / A · min. In this case, some of the indium hydroxide coarse particles were peeled off to the anode, and further, a slight hydroxide (an average particle diameter after roasting at a temperature of 1100 占 폚 of 0.5 占 퐉 or less) was slightly generated. However, this itself was not a big problem and was usable.

(실시예 11)(Example 11)

도 6 에 나타내는 장치를 사용하여, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시켰다. 구체적으로는, 실시예 1 과 동일한 애노드, 캐소드를 사용하고, 그 캐소드판과 애노드판 사이이며, 또한 각 캐소드판과 애노드판 사이의 일방의 측가장자리의 하단 근방 위치 (액면으로부터 1000 ㎜ 의 위치) 와 액면으로부터 155 ㎜ 의 위치에, 캐소드판과 애노드판의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 하부 노즐과 상부 노즐을 배치했다.Using the apparatus shown in Fig. 6, indium hydroxide was precipitated by electrolysis. Specifically, the same anode and cathode as those in Example 1 were used, and the position between the cathode plate and the anode plate, and the position near the lower end of one side edge between each cathode plate and the anode plate (at a position of 1000 mm from the liquid surface) And the lower nozzle and the upper nozzle for supplying the electrolyte solution toward the other side edge of the cathode plate and the anode plate were disposed at a position of 155 mm from the liquid surface.

그리고, 도 6 의 우측 도면의 화살표로 나타내는 방향으로, 2 종의 전해액을 회류시키고, 이 하부 노즐과 상부 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시켜 수산화인듐을 전해액 중에 석출시켰다. 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 는 10 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 액류를 위에서 중앙으로 선회하는 흐름과, 아래에서 중앙으로 선회하는 흐름의, 2 종의 흐름이 되었다.6, the electrolytic solution flowed out from the openings of the lower nozzle and the upper nozzle is circulated between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath to form indium hydroxide Was precipitated in the electrolytic solution. The electrolyte flow rate (electrolyte supply rate) was 10 l · m 2 / A · min. As shown in Fig. 6, there were two kinds of flows, namely, the flow of turning the liquid flow from the top to the center and the flow turning from the bottom to the center.

도 6 에 나타내는 회류의 방향에 의해, 캐소드판과 애노드판의 특정 장소에 전해액의 흐름의 공백 부분이 발생하지 않고, 전체적으로 균일하게 회류 (선회류) 가 생기고 있는 것을 알 수 있었다. 실시예 1 과의 주된 차이는, 액면으로부터 155 ㎜ 의 위치에 상부 노즐을 설치한 점이다. 이 결과, 이 캐소드판에 대한 인듐의 전착이나 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착을 억제할 수 있었다. 캐소드판과 애노드판의 모든 면에서 발생은 확인되지 않았다.It was found that the empty portion of the flow of the electrolytic solution did not occur in the specific positions of the cathode plate and the anode plate due to the direction of the flow shown in Fig. 6, and uniformly circulated (swirling flow). The main difference from Embodiment 1 is that an upper nozzle is provided at a position of 155 mm from the liquid surface. As a result, it was possible to inhibit the deposition of indium on the cathode plate and the adhesion of indium hydroxide to the anode plate. No occurrences were observed on all sides of the cathode and anode plates.

또한, 도 8 의 액류의 모식도에 나타내는 바와 같이, 실시예 2 와 마찬가지로, 2 단으로 배치한 노즐을 사용하여, 상단의 노즐을 액면으로부터 322 ㎜ 의 위치에 배치하여, 실시예 2 와 동일한 실험을 실시한 결과, 실시예 2 와 동일한 결과를 얻을 수 있었다.As shown in the schematic view of the liquid flow in Fig. 8, the same experiment as in Example 2 was carried out by using nozzles arranged at two stages in the same manner as in Example 2, arranging the nozzle at the top at a position 322 mm from the liquid surface As a result, the same results as in Example 2 were obtained.

(실시예 12)(Example 12)

도 9 에 나타내는 장치를 사용하여, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시켰다. 구체적으로는, 실시예 1 과 동일한 애노드, 캐소드를 사용하고, 그 캐소드판과 애노드판 사이이며, 또한 각 캐소드판과 애노드판의 일방의 측가장자리의 하단 근방 위치 (액면으로부터 1000 ㎜ 의 위치) 와 액면으로부터 322 ㎜ 의 위치와 상단 근방 위치 (액면으로부터 155 ㎜ 의 위치) 에, 캐소드판과 애노드판의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 하부 노즐과 중간 노즐과 상부 노즐을 배치했다.Using the apparatus shown in Fig. 9, indium hydroxide was precipitated by electrolysis. Specifically, the same anode and cathode as those in Example 1 were used, and the position between the cathode plate and the anode plate, the position near the lower end of one side edge of each cathode plate and the anode plate (the position of 1000 mm from the liquid level) A lower nozzle, an intermediate nozzle, and an upper nozzle were arranged to supply the electrolyte solution toward the other side edge of the cathode plate and the anode plate at a position of 322 mm from the liquid surface and a position near the upper end (position of 155 mm from the liquid surface).

그리고, 도 9 의 우측의 화살표로 나타내는 방향으로, 3 종의 전해액을 회류시키고, 이 하부 노즐과 중간 노즐과 상부 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시켜 수산화인듐을 전해액 중에 석출시켰다. 이 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 는 10 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 상부 노즐로부터의 액류를 위에서 아래로 선회하는 흐름과, 중간 노즐로부터의 상하로 분기하여 선회하는 흐름과, 하부 노즐로부터의 아래에서 위로 선회하는 흐름의, 3 종의 흐름이 되었다.Then, three types of electrolytic solutions were refluxed in the direction indicated by the right arrow in Fig. 9, and the electrolytic solution flowing out from the openings of the lower nozzle, the intermediate nozzle and the upper nozzle was circulated between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath And indium hydroxide was precipitated in the electrolytic solution. The electrolyte flow rate (electrolyte supply rate) was 10 l · m 2 / A · min. There were three kinds of flows: a flow swirling the liquid from the upper nozzle upward and downward, a flow swirling upward and downward from the intermediate nozzle, and a flow swirling from the lower nozzle to the lower nozzle.

도 9 에 나타내는 회류의 방향에 의해, 캐소드판과 애노드판의 중앙부에 전해액의 흐름의 공백 부분이 발생하지 않고, 전체적으로 균일하게 회류 (선회류) 가 생기고 있는 것을 알 수 있었다. 실시예 2 와의 주된 차이는, 중간 노즐의 개구부를 액면으로부터 322 ㎜ 의 위치에 배치한 점이지만, 이 경우에서도, 이 캐소드판에 대한 인듐의 전착이나 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착을 억제할 수 있었다. 캐소드판과 애노드판의 모든 면에서 발생은 확인되지 않았다.9, it was found that a free portion of the flow of the electrolytic solution did not occur in the central portion of the cathode plate and the anode plate, and a uniform current flow (swirling flow) occurred as a whole. The main difference from Example 2 is that the opening of the intermediate nozzle is disposed at a position 322 mm from the liquid surface. In this case, however, it is possible to suppress the deposition of indium on the cathode plate and the adhesion of indium hydroxide to the anode plate there was. No occurrences were observed on all sides of the cathode and anode plates.

(비교예 7)(Comparative Example 7)

도 3 에 나타내는 장치를 사용하여, 전해조의 편측 액면 상으로부터 전해액을 도입하고, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시켰다. 구체적으로는, 실시예 1 과 동일한 애노드, 캐소드를 사용했다. 이 전해액의 전해액 공급 속도는 0.5 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 이 결과, 이 애노드판에 수산화인듐이 다량으로 부착되고, 또 캐소드판에 대한 인듐의 전착도 있어 전해가 곤란해졌다.Using the apparatus shown in Fig. 3, an electrolytic solution was introduced from the unilateral liquid surface of the electrolytic bath, and indium hydroxide was precipitated by electrolysis. Specifically, the same anode and cathode as in Example 1 were used. The supply rate of the electrolytic solution in this electrolytic solution was 0.5 l · m 2 / A · min. As a result, a large amount of indium hydroxide was adhered to the anode plate, and indium was electrodeposited on the cathode plate, making electrolysis difficult.

(비교예 8)(Comparative Example 8)

도 3 에 나타내는 장치를 사용하여, 전해액 공급 속도를 10 ℓ·㎡/A·분으로 하여 전해를 실시했다. 이 결과, 애노드판에 수산화인듐이 부착되고, 캐소드판에 인듐의 전착이 발생했다. 이 부착이나 전착은, 주로 캐소드판과 애노드판의 거의 중앙부와 하부에서 발생했다. 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 를 상기보다 크게 해도 동일한 결과가 되었다.Using the apparatus shown in Fig. 3, the electrolytic solution was supplied at an electrolytic solution supply rate of 10 l · m 2 / A · min. As a result, indium hydroxide adhered to the anode plate, and indium electrodeposition occurred on the cathode plate. This attachment or electrodeposition mainly occurred in the almost central portion and the lower portion of the cathode plate and the anode plate. The same result was obtained even when the intensity of the flow of the electrolytic solution (the supply rate of the electrolytic solution) was larger than the above.

(비교예 9)(Comparative Example 9)

전해 장치를 사용하여, 도 3 과는 대조적으로 전해조의 편측의 바닥 1 지점으로부터 전해액을 도입하여, 전해에 의해 수산화인듐을 석출시켰다. 이 경우, 각 캐소드판과 애노드판 사이에 노즐을 배치하고, 이들 판 사이에 전해액을 회류시키는 것이 아니라, 단순히 도 3 과 마찬가지로, 전해조의 바닥의 부분 (1 지점) 으로부터 전해액을 공급한 경우이다. 전해액 공급 속도를 0.5 ℓ·㎡/A·분으로 했다.Using an electrolytic apparatus, an electrolytic solution was introduced from one point on the bottom of one side of the electrolytic cell in contrast to FIG. 3, and indium hydroxide was precipitated by electrolysis. In this case, nozzles are arranged between each cathode plate and the anode plate, and the electrolytic solution is supplied from the bottom portion (one point) of the electrolytic bath, simply as in Fig. And the supply rate of the electrolytic solution was 0.5 l · m 2 / A · min.

이 결과, 애노드판에 수산화인듐이 부착되고, 캐소드판에 인듐의 전착이 발생했다. 이 부착이나 전착은, 주로 캐소드판과 애노드판의 거의 중앙부에서 발생했다. 전해액의 흐름의 세기 (전해액 공급 속도) 를 상기보다 크게 해도 동일한 결과가 되었다.As a result, indium hydroxide adhered to the anode plate, and indium electrodeposition occurred on the cathode plate. This attachment or electrodeposition mainly occurred at the almost central portion of the cathode plate and the anode plate. The same result was obtained even when the intensity of the flow of the electrolytic solution (the supply rate of the electrolytic solution) was larger than the above.

(비교예 10)(Comparative Example 10)

실시예 1 과 동일 조건에서, 전해액 공급 속도를 0.009 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 이 결과, 애노드판에 수산화인듐이 다량으로 부착되고, 캐소드판에 인듐이 전착되고, 애노드와 캐소드가 쇼트되어, 전해를 계속하는 것이 곤란해졌다. 이 부착이나 전착은, 주로 캐소드판과 애노드판의 거의 중앙부에서 발생했다.Under the same conditions as in Example 1, the electrolytic solution supply rate was 0.009 l · m 2 / A · min. As a result, a large amount of indium hydroxide was adhered to the anode plate, indium was deposited on the cathode plate, and the anode and the cathode were short-circuited, making it difficult to continue the electrolysis. This attachment or electrodeposition mainly occurred at the almost central portion of the cathode plate and the anode plate.

(비교예 11)(Comparative Example 11)

실시예 1 과 동일 조건에서, 전해액 공급 속도를 110 ℓ·㎡/A·분으로 했다. 이 결과, 애노드판에 대한 수산화인듐의 부착이나 캐소드판에 대한 인듐의 전착은 없었지만, 애노드로부터 인듐 조대 입자의 박리가 다량으로 일어나고, 나아가서는 미세한 수산화물 (1100 ℃ 에서 배소 후의 평균 입경이 0.5 ㎛ 이하) 이 다량으로 발생하여 사용할 수 없었다.Under the same conditions as in Example 1, the electrolytic solution supply rate was 110 l · m 2 / A · min. As a result, there was no adhesion of indium hydroxide to the anode plate or indium electrodeposition to the cathode plate, but a large amount of indium coarse particles was peeled off from the anode, and further, fine hydroxides (average particle diameter after roasting at 1100 deg. ) Was generated in large quantities and could not be used.

산업상 이용가능성Industrial availability

수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해법에 의해 제조하는 방법으로서, 전해액의 전도도를 10 mS/cm 이상으로 하여 전해를 실시하고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키고, 또한 석출시킨 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 세정하고, 세정액의 전도도가 1 mS/cm 이하가 될 때까지 세정함으로써, 생산성의 저하나 품질의 저하를 억제하는 우수한 효과를 가지므로, ITO 막 등을 형성하는 스퍼터링용 ITO 타겟 등의 제조에 유용하다.A method for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by an electrolytic method is a method of electrolyzing at a conductivity of 10 mS / cm or more and precipitating a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide in an electrolytic solution , And a compound containing precipitated indium hydroxide or indium hydroxide is washed and the cleaning liquid is washed until the conductivity of the cleaning liquid becomes 1 mS / cm or less, whereby the productivity and the deterioration of the quality are suppressed. And a sputtering ITO target for forming a film or the like.

또, 전해조 중에 캐소드판과 원료가 되는 인듐 금속의 애노드판을 간격을 두고 교대로 배열하고, 그 캐소드판과 애노드판 사이에 전해액을 공급하여, 전해에 의해 수산화인듐 분말을 제조하는 방법으로서, 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시키고, 전해액에 침지되어 있는 애노드판의 초기 중량의 20 ％ ∼ 80 ％ 가 된 단계에서 전해를 중지하여 사용이 끝난 애노드판을 꺼내고, 이 사용이 끝난 애노드판을 용해함과 함께 인듐 금속을 보충·주조하여 애노드판을 재제조하고, 이 재제조 애노드판을 사용하여, 전해를 개시하여 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시킨 결과, 전해에 의한 수산화인듐 분말의 제조 방법이 부착되는 것을 억제하고, 또한 캐소드의 표면에 인듐 메탈이 생성되는 것을 방지하고, 이로써 생산성의 저하를 억제할 수 있었다. 이 방법은, ITO 막을 형성하는 스퍼터링용 ITO 타겟의 제조에 유용하다.A method for producing indium hydroxide powder by electrolysis by alternately arranging a cathode plate and an anode plate of indium metal as a raw material in an electrolytic bath at intervals and feeding an electrolyte between the cathode plate and the anode plate, , The electrolytic solution was stopped at the step where the initial weight of the anode plate immersed in the electrolytic solution was 20% to 80%, the used anode plate was taken out, and the used anode plate was dissolved The anode plate was re-manufactured by replenishing and casting indium metal together, and the electrolytic solution was started using this remanufacturing anode plate to deposit indium hydroxide particles in the electrolytic solution. As a result, a method of manufacturing indium hydroxide powder by electrolysis was attached And the generation of indium metal on the surface of the cathode is prevented, thereby suppressing the deterioration of the productivity. This method is useful for manufacturing an ITO target for sputtering which forms an ITO film.

또한, 전해에 의해 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하는 방법에 있어서, 전해조 중에 캐소드판과 원료가 되는 인듐, 또는 인듐 합금의 애노드판을 간격을 두고 교대로 배열하고, 그 캐소드판과 애노드판의 사이이며, 또한 각 캐소드판과 애노드판의 일방의 측가장자리의 근방 위치에, 캐소드판과 애노드판의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액의 액류를 조절하여, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시켜 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법. 전해법에 의해 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하는데 있어서, 애노드의 표면에 수산화인듐, 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물이 부착되는 것을 억제하고, 또한 캐소드의 표면에 인듐 또는 인듐 합금이 생성되는 것을 방지하고, 이로써 생산성의 저하를 억제할 수 있는 우수한 효과를 가지므로, ITO 막을 형성하는 스퍼터링용 ITO 타겟의 제조에 유용하다.Further, in a method for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis, a cathode plate and an anode plate of indium or indium alloy to be a raw material are alternately arranged in the electrolytic bath at intervals, And a nozzle for supplying an electrolyte solution toward the other side edge of the cathode plate and the anode plate is disposed in the vicinity of one side edge of each of the cathode plate and the anode plate between the anode plate and the anode plate, Wherein the electrolytic solution is adjusted so as to regulate the liquid flow of the electrolyzed liquid to flow out between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath to deposit a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide in the electrolytic solution, &Lt; / RTI > In the production of a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by the electrolytic solution, it is possible to inhibit the adhesion of a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide to the surface of the anode and to prevent the surface of the cathode from being impregnated with indium or indium alloy And thus it is possible to suppress the deterioration of the productivity, so that it is useful for the production of the sputtering ITO target for forming the ITO film.

Claims

전해에 의해 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하는 방법으로서,
전해액의 전도도를 10 mS/cm 이상으로 하여 전해를 실시하고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키고, 또한 석출된 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 세정하고, 이 세정액의 전도도가 1 mS/cm 이하가 될 때까지 세정하는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.A method for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis,
Electrolysis is conducted at a conductivity of not less than 10 mS / cm, and a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is precipitated in an electrolytic solution and a compound containing precipitated indium hydroxide or indium hydroxide is washed, Wherein the cleaning is carried out until the conductivity becomes 1 mS / cm or less. 2. A method for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis.

제 1 항에 있어서,
석출된 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 세정액의 전도도가 0.1 mS/cm 이하가 될 때까지 세정하는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the cleaning is carried out until the conductivity of the cleaning liquid of the compound containing precipitated indium hydroxide or indium hydroxide becomes 0.1 mS / cm or less.

전해에 의해 수산화인듐 분말을 제조하는 방법으로서,
애노드로부터 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시키고, 애노드판의 중량이 애노드 초기 중량의 20 ％ ∼ 80 ％ 가 된 단계에서 전해를 중지하여 사용이 끝난 애노드판을 꺼내고, 이 사용이 끝난 애노드판을 용해함과 함께 인듐 금속을 보충·주조하여 애노드판을 재제조하고, 이 재제조 애노드판을 사용하여, 전해를 개시하여 전해액 중에 수산화인듐 입자를 석출시키는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 분말의 제조 방법.A method for producing an indium hydroxide powder by electrolysis,
The hydroxide was precipitated in the electrolyte solution from the anode, and the electrolysis was stopped at the step where the weight of the anode plate became 20% to 80% of the initial weight of the anode to take out the used anode plate and dissolve the used anode plate A method of manufacturing an indium hydroxide powder by electrolysis, characterized in that indium metal is replenished and cast to manufacture an anode plate, and electrolysis is started using this remanufacturing anode plate to precipitate indium hydroxide particles in the electrolytic solution .

제 3 항에 있어서,
캐소드판으로서 스테인리스판 또는 티탄판을 사용하여 전해하는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 분말의 제조 방법.The method of claim 3,
Wherein the electrolytic solution is electrolyzed using a stainless steel plate or a titanium plate as the cathode plate.

제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
전해액 중에 석출된 수산화인듐 슬러리를 취출하는 공정, 그 슬러리를 농축하여, 고형분 농축액과 고형분 희박액으로 분리하는 공정, 그 고형분 희박액을 전해액 공급 노즐에 분배하는 공정을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 분말의 제조 방법.The method according to claim 3 or 4,
A step of removing the precipitated indium hydroxide slurry in the electrolytic solution, a step of concentrating the slurry to separate into a solid concentrate and a solidified slurry, and a step of distributing the solidified slurry to the electrolytic solution supply nozzle &Lt; / RTI >

제 5 항에 있어서,
상기 고형분 농축액을 여과하고, 이 여과액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 공정과, 여과된 고형물을 건조시켜 수산화인듐 분말로 하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 분말의 제조 방법.6. The method of claim 5,
A step of filtering the solid concentrate, distributing the filtrate to the electrolyte supply nozzle, and a step of drying the filtered solid to obtain an indium hydroxide powder.

수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해법에 의해 제조하는 장치로서,
전해조 중에 캐소드판과 원료가 되는 인듐 또는 인듐 합금의 애노드판을, 간격을 두고 교대로 배열하고, 그 캐소드판과 애노드판의 사이이며, 또한 각 캐소드판과 애노드판의 일방의 측가장자리에, 캐소드판과 애노드판의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시키고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 전해 제조 장치.An apparatus for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis,
A cathode plate and an anode plate of an indium or indium alloy serving as a raw material are alternately arranged in the electrolytic cell at intervals and between the cathode plate and the anode plate and at one side edge of each cathode plate and the anode plate, A nozzle for supplying an electrolytic solution toward the other side edge of the plate and the anode plate is arranged and the electrolytic solution flowing out from the opening of the nozzle is circulated between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath to form a solution containing indium hydroxide or indium hydroxide Wherein the compound is precipitated in an electrolytic solution. 2. An electrolytic production apparatus for a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide.

제 7 항에 있어서,
캐소드판이, 스테인리스판 또는 티탄판인 것을 특징으로 하는 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 전해 제조 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the cathode plate is a stainless steel plate or a titanium plate.

제 7 항에 있어서,
각 캐소드판과 애노드판 사이의, 일방의 측가장자리로부터 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을, 1 또는 복수개 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시키고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 전해 제조 장치.8. The method of claim 7,
One or a plurality of nozzles for supplying an electrolyte solution from one side edge to the other side edge between each cathode plate and the anode plate are arranged and the electrolytic solution flowing out from the opening of the nozzle is connected to each cathode plate and the anode Wherein the solvent is distilled off between the plates, and a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is precipitated in the electrolytic solution, thereby producing an electrolytic solution of a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide.

제 8 항에 있어서,
각 캐소드판과 애노드판 사이의, 일방의 측가장자리로부터 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을, 1 또는 복수개 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액을, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시키고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 전해 제조 장치.9. The method of claim 8,
One or a plurality of nozzles for supplying an electrolyte solution from one side edge to the other side edge between each cathode plate and the anode plate are arranged and the electrolytic solution flowing out from the opening of the nozzle is connected to each cathode plate and the anode Wherein the solvent is distilled off between the plates, and a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is precipitated in the electrolytic solution, thereby producing an electrolytic solution of a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide.

제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
전해액 중에 석출된 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 취출하는 장치, 그 수산화물을 농축하여, 고형분 농축액과 고형분 희박액으로 분리하는 장치, 그 고형분 희박액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 전해 제조 장치.11. The method according to any one of claims 7 to 10,
An apparatus for extracting a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide precipitated in an electrolytic solution, an apparatus for concentrating the hydroxide to separate into a solid concentrate and a solid component diluted solution, and a device for distributing the solid component diluted solution to the electrolytic solution supply nozzle &Lt; / RTI > wherein the compound is indium hydroxide or indium hydroxide.

제 11 항에 있어서,
상기 고형분 농축액을 여과하고, 이 여과액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 장치와, 여과된 고형물을 건조시켜 수산화인듐 분말 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물 분말의 제조 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 수산화인듐 분말의 전해 제조 장치.12. The method of claim 11,
An apparatus for filtering the solid concentrate and distributing the filtrate to the electrolyte supply nozzle; and a device for producing a compound powder containing indium hydroxide powder or indium hydroxide by drying the filtered solid matter. An apparatus for electrolytic production of powder.

전해에 의해 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 제조하는 방법으로서,
전해조 중에 캐소드판과 원료가 되는 인듐 또는 인듐 합금의 애노드판을, 간격을 두고 교대로 배열하고, 그 캐소드판과 애노드판의 사이이며, 또한 각 캐소드판과 애노드판의 일방의 측가장자리의 하단에, 캐소드판과 애노드판의 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액의 액류를 조절하여, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판의 사이에서 회류시키고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.A method for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis,
A cathode plate and an anode plate of an indium or indium alloy serving as a raw material are alternately arranged in the electrolytic cell at intervals and arranged between the cathode plate and the anode plate and between the cathode plate and the anode plate at the lower end of one side edge of the anode plate And a nozzle for supplying an electrolytic solution toward the other side edge of the cathode plate and the anode plate is arranged so that liquid flow of the electrolytic solution flowing out from the opening of the nozzle is regulated so as to be circulated between each cathode plate and the anode plate in the electrolytic bath, A process for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis, which comprises precipitating a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide in an electrolytic solution.

제 13 항에 있어서,
캐소드판으로서 스테인리스판 또는 티탄판을 사용하여 전해하는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.14. The method of claim 13,
A method for producing a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide by electrolysis, characterized in that electrolysis is carried out using a stainless steel plate or a titanium plate as a cathode plate.

제 13 항에 있어서,
각 캐소드판과 애노드판 사이의, 일방의 측가장자리로부터 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을, 1 또는 복수개 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액의 각각의 액류를 조절하여, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시키고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.14. The method of claim 13,
One or a plurality of nozzles for supplying an electrolytic solution from one side edge to the other side edge between each cathode plate and the anode plate are arranged and the respective liquid flows out of the electrolytic solution flowing out from the openings of the nozzles are controlled, Wherein the solvent is distilled off between each of the cathode plates and the anode plate, and a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is precipitated in the electrolytic solution.

제 14 항에 있어서,
각 캐소드판과 애노드판 사이의, 일방의 측가장자리로부터 타방의 측가장자리를 향하여 전해액을 공급하는 노즐을, 1 또는 복수개 배치하고, 이 노즐의 개구부로부터 유출시킨 전해액의 각각의 액류를 조절하여, 전해조 중의 각 캐소드판과 애노드판 사이에서 회류시키고, 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 전해액 중에 석출시키는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.15. The method of claim 14,
One or a plurality of nozzles for supplying an electrolytic solution from one side edge to the other side edge between each cathode plate and the anode plate are arranged and the respective liquid flows out of the electrolytic solution flowing out from the openings of the nozzles are controlled, Wherein the solvent is distilled off between each of the cathode plates and the anode plate, and a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide is precipitated in the electrolytic solution.

제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
전해액 중에 석출된 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물을 취출하는 공정, 그 수산화물을 농축하여, 고형분 농축액과 고형분 희박액으로 분리하는 공정, 그 고형분 희박액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 공정을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.17. The method according to any one of claims 13 to 16,
A step of extracting a compound containing indium hydroxide or indium hydroxide precipitated in an electrolytic solution, a step of concentrating the hydroxide to separate into a solid component concentrate and a solid component diluted solution, and a step of distributing the solid component diluted solution to the electrolyte solution supply nozzle Wherein the indium hydroxide or indium hydroxide is produced by electrolysis.

제 17 항에 있어서,
상기 고형분 농축액을 여과하고, 이 여과액을 상기 전해액 공급 노즐에 분배하는 공정과, 여과된 고형물을 건조시켜 수산화인듐 분말 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물 분말로 하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전해에 의한 수산화인듐 분말 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물 분말의 제조 방법.18. The method of claim 17,
A step of filtering the solid concentration liquid and distributing the filtrate to the electrolyte supply nozzle; and a step of drying the filtered solid matter to obtain a compound powder containing indium hydroxide powder or indium hydroxide. A process for producing a compound powder containing indium hydroxide powder or indium hydroxide.

제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
전해액의 공급 속도가, 전류치, 전해 면적, 시간당 0.01 ∼ 100.0 ℓ·㎡/A·분이 되도록 전해액을 흘리는 것을 특징으로 하는 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.17. The method according to any one of claims 13 to 16,
Characterized in that the electrolytic solution is caused to flow so that the supply rate of the electrolytic solution is 0.01 to 100.0 ℓ · m 2 / A · min per a current value, an electrolytic area, and an hour.

제 17 항에 있어서,
전해액의 공급 속도가, 전류치, 전해 면적, 시간당 0.01 ∼ 100.0 ℓ·㎡/A·분이 되도록 전해액을 흘리는 것을 특징으로 하는 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.18. The method of claim 17,
Characterized in that the electrolytic solution is caused to flow so that the supply rate of the electrolytic solution is 0.01 to 100.0 ℓ · m 2 / A · min per a current value, an electrolytic area, and an hour.

제 18 항에 있어서,
전해액의 공급 속도가, 전류치, 전해 면적, 시간당 0.01 ∼ 100.0 ℓ·㎡/A·분이 되도록 전해액을 흘리는 것을 특징으로 하는 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법.19. The method of claim 18,
Characterized in that the electrolytic solution is caused to flow so that the supply rate of the electrolytic solution is 0.01 to 100.0 ℓ · m 2 / A · min per a current value, an electrolytic area, and an hour.