KR101406401B1 - 선형성 성능이 개선된 콤팩트 저손실 고주파수 스위치 - Google Patents

선형성 성능이 개선된 콤팩트 저손실 고주파수 스위치 Download PDF

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Abstract

스위치 소자는, 드레인, 소스 및 복수의 게이트를 갖는 스위치 디바이스, 및 상기 복수의 게이트 사이에 위치한 적어도 하나의 부가적인 상호접속부를 포함하고, 상기 부가적인 상호접속부는 적어도 2개의 게이트 사이에 정전위를 구축하도록 동작한다.
Figure R1020097011879
스위치, 선형성, 상호접속부, 정전위, 드레인, 소스, 게이트

Description

선형성 성능이 개선된 콤팩트 저손실 고주파수 스위치{COMPACT LOW LOSS HIGH FREQUENCY SWITCH WITH IMPROVED LINEARITY PERFORMANCE}
<관련 출원에 대한 상호 참조>
본 출원은, 2006년 11월 10일자 출원된, 일련번호 60/858,228을 갖는, 동시 계속중인 미국 가출원, 명칭 "COMPACT LOW LOSS HIGH FREQUENCY SWITCH WITH IMPROVED LINEARITY PERFORMANCE"을 우선권 주장하며, 이것은 완전히 본원에서 참조로서 포함된다.
<배경기술>
셀룰러 전화기들과 같은 휴대형 통신 디바이스들은 통상적으로 다수의 상이한 통신 대역을 거쳐 동작하도록 요구된다. 이들 소위 "멀티 대역(multi-band)" 통신 디바이스들은 송신 및 수신 신호들을 생성하고 증폭하기 위해 하나 이상의 경우의 송신 및 수신 회로를 이용한다. 그러나, 이들 통신 디바이스들은 보통 단일 안테나를 채용하여 다양한 통신 대역을 거쳐 신호들을 송신 및 수신한다.
이러한 통신 디바이스들에서의 안테나는 통상적으로, 때때로 "송신/수신 스위치" 또는 "안테나 스위치"라고 불리는, 듀플렉서 또는 다이플렉서와 같은 스위칭 회로를 통해, 또는 분리된 스위치 소자를 통해 송신 및 수신 회로에 접속된다. 스위칭 회로 또는 분리된 스위치 소자는 수신 신호로부터 송신 신호를 효과적으로 분 리해야 한다. 수신 신호로부터 송신 신호를 분리하는 것은, 하나의 통신 대역의 송신 주파수가 상이한 통신 대역의 수신 주파수와 중첩될 수 있는 다중 대역 통신 디바이스에서 더 문제가 된다.
도 1은 수신 신호와 간섭하는 차단 신호를 도시하는 종래 기술의 송수신기(10)의 일부분을 예시하는 개략도이다. 송수신기(10)는 접속부(14)를 통해 안테나 스위치(16)에 연결된 안테나(12)를 포함한다. 안테나 스위치(16)는 접속부(17)를 통해 위상 천이기(phase shifter)(18)에 연결된다. 위상 천이기(18)는 양방향 접속부(19)를 통해 송신 필터(21) 및 수신 필터(22)에 연결된다. 안테나 스위치(16), 위상 천이기(18), 송신 필터(21), 및 수신 필터(22)는 듀플렉서를 형성한다. 송신 필터(21)는 접속부(24)를 통해 전력 증폭기(25)의 증폭된 출력을 수신한다. 수신 필터(22)는 접속부(27)를 통해 저잡음 증폭기(18)에 수신 신호를 전달한다. 송신 회로의 나머지, 수신 회로의 나머지, 및 기저대역 프로세싱 소자들은 단순함을 위해 도 1에서 생략된다.
안테나 스위치(16)는 수신 신호로부터 송신 신호를 분리한다. 2G 또는 3G 송수신기를 구현할 때, 안테나 스위치의 선형성(linearity) 및 물리적 크기는 중요한 설계 인자들이다. 선형성(linearity)은 보통, IMD3으로 불리는, 3차 상호변조 곱(third order intermodulation product)이라고 불리는 것에 의해 정의된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이 효과의 성질은, 그래픽 설명도(41) 및 구체적으로 벡터(46)를 이용하여 도시된 바와 같이, 외측 차단기 신호(outside blocker signal)와 TX 신호의 혼합 곱(mixing products)이 RX 대역 내에 있다는 것이다. IMD 신호 는 안테나 스위치(18)가 충분히 높은 IMD 신호를 허용하는 경우 수신기의 민감도를 저하시킬 수 있다.
안테나 스위치(18)의 IMD 성능에 있어서 최대 인자는 스위치의 오프 브랜치들(off branches)의 비선형 용량이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 안테나 스위치(18)는 다수의 브랜치(22, 24, 26 및 28)를 포함하며, 다수의 브랜치는 송수신기에 구현된 주파수 대역의 수에 의존한다. 이 예에서, 브랜치들(24, 26 및 28)은 "오프(off)"이고, 브랜치(22)는 "온(on)"이다. 이 예에서, 브랜치들(22, 24, 26 및 28)은 전계 효과 트랜지스터(FET)를 이용하여 구현되며, 게이트, 소스 및 드레인 접속부들은 도 2에 도시되어 있다. 오프 브랜치들(24, 26 및 28)의 기생 용량들은 더 많은 마이너스 Vgs(Vds) 전압에서 더 선형이 된다. 이것은 종래의 2G/3G 해결책들이 충전 펌프들을 이용하여 구현되는 하나의 이유이다. 도 3A 및 도 3B는 도 2의 개략도에 대한 통상적인 소스/게이트/드레인 레이아웃을 도시한다. 종래의 디바이스들에서의 드레인 및 소스 옴 접촉(ohmic contact)은 큰 구역을 차지하여 다이 크기 및 기생 용량을 둘다 증가시킨다. 도 3A는 120×547=65640㎛2 정도의 구역을 갖는 3개의 단일 게이트 FET 디바이스(32, 34 및 36)의 통상적인 상호접속을 도시한다. 도 3B는 도 3A의 레이아웃의 개략도이다. 저항 Rlin은 각 FET 디바이스의 드레인과 소스 간의 저항이다.
따라서, 작은 구역에서 고 선형성 및 저 손실을 제공하는 안테나 스위치를 갖는 것이 요망된다.
본 발명의 실시예들은, 드레인, 소스 및 복수의 게이트를 갖는 스위치 디바이스와, 복수의 게이트 사이에 위치한 적어도 하나의 부가적인 상호접속부(interconnect)를 포함하는, 스위치 소자를 포함하며, 부가적인 상호접속부는 적어도 2개의 게이트 사이에 정전위를 구축하도록 동작한다.
다른 실시예들이 또한 제공된다. 본 발명의 다른 시스템, 방법, 특징, 및 이점들이 다음의 도면 및 상세한 설명을 검토한 이 기술분야의 전문가에게 명백하거나 명백해질 것이다. 모든 이러한 부가적인 시스템, 방법, 특징 및 이점들은 본 설명 내에 포함되고, 본 발명의 범위 내에 있고, 첨부된 특허청구범위에 의해 보호되는 것이 의도된다.
본 발명은 다음의 도면들을 참조하여 더 잘 이해될 수 있다. 도면들 내의 컴포넌트들은 반드시 축척으로 그려질 필요는 없고, 본 발명의 원리들을 명확하게 예시하는 데에 중점을 둔다. 또한, 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 상이한 도면들에 걸쳐 대응하는 부분들을 나타낸다.
도 1은 수신된 신호와 간섭하는 차단 신호를 도시하는 종래 기술의 송수신기의 일부분을 예시하는 개략도.
도 2는 종래 기술의 안테나 스위치를 예시하는 개략도.
도 3A는 종래 기술의 안테나 스위치의 레이아웃도.
도 3B는 도 3A의 안테나 스위치의 일부분을 예시하는 개략도.
도 4는 콤팩트 저손실 스위치의 실시예를 포함하는 송수신기의 일부분을 예시하는 개략도.
도 5A는 도 4의 콤팩트 저손실 스위치에 이용하는 데 적합한 3 게이트 FET 디바이스의 레이아웃도.
도 5B는 도 5A의 디바이스의 일부분을 더 상세하게 도시하는 레이아웃도.
도 6A는 옴 접촉을 이용하여 구현될 때 도 5A 및 도 5B의 3 게이트 디바이스의 실시예를 예시하는 개략도.
도 6B는 쇼트키 접촉을 이용하여 구현될 때 도 5A 및 도 5B의 3 게이트 디바이스의 실시예를 예시하는 개략도.
도 7A는 7 게이트 구조로부터 형성되는 2개의 3-게이트 디바이스를 예시하는 개략도.
도 7B는 5 게이트 구조로부터 형성되는 2개의 2-게이트 디바이스를 예시하는 개략도.
도 8은 스위치 소자들에 대해 전술한 구조를 이용하는 4-브랜치 안테나 스위치의 IMD3 성능에 있어서의 개선을 도시하는 그래픽 설명도.
도 9는 콤팩트 저손실 스위치의 실시예를 만드는 예를 예시하는 흐름도.
휴대형 송수신기를 특정하게 참조하여 설명되었지만, 선형성 성능이 개선된 콤팩트 저손실 고주파수 스위치(본원에서 "콤팩트 저손실 스위치"라고도 불림)는 송신 신호 및 차단 신호의 조합이 수신 대역에 중첩될 수 있고 조합된 신호가 수신 기 성능을 손상시킬 수 있는 임의의 송수신기 디바이스에서 구현될 수 있다.
콤팩트 저손실 스위치는 일반적으로 하드웨어로 구현된다. 그러나, 콤팩트 저손실 스위치를 제어하는 신호들 중 하나 이상은 소프트웨어, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합으로 구현될 수 있다. 하드웨어로 구현될 때, 콤팩트 저손실 스위치는 특수화된 하드웨어 소자들을 이용하여 구현될 수 있다. 콤팩트 저손실 스위치를 위한 제어 신호들의 하나 이상이 적어도 부분적으로 소프트웨어로 생성될 때, 소프트웨어 부분은 콤팩트 저손실 스위치의 다양한 컴포넌트의 동작 양태들을 정확하게 제어하는 데 이용될 수 있다. 소프트웨어는 메모리에 저장되어 적절한 명령어 실행 시스템(마이크로프로세서)에 의해 실행될 수 있다. 콤팩트 저손실 스위치의 하드웨어 구현은, 모두 이 기술분야에 잘 알려져 있는 다음 기술들 중 임의의 것 또는 그의 조합을 포함할 수 있다: 개별 전자 컴포넌트들, 데이터 신호들에 대해 논리 함수들을 구현하기 위한 논리 게이트들을 갖는 개별 논리 회로(들), 적절한 논리 게이트들을 갖는 애플리케이션 특정 집적 회로, PGA(programmable gate array(s)), FPGA(field programmable gate array), 바이어싱 목적들을 위한 별도의 특수 설계된 집적 회로 등.
콤팩트 저손실 스위치를 위한 소프트웨어는, 논리 기능들을 구현하기 위한 실행가능한 명령어들의 정렬된 목록을 포함하며, 명령어 실행 시스템, 장치 또는 디바이스(예를 들어, 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 포함 시스템, 또는 명령어 실행 시스템, 장치 또는 디바이스로부터 명령어들을 인출하고 그 명령어들을 실행할 수 있는 다른 시스템 등)에 의해 또는 그와 관련하여 이용하기 위한 임의의 컴퓨터 판독 가능한 매체에 구체화될 수 있다.
도 4는 콤팩트 저손실 스위치(200)의 실시예를 포함하는 송수신기(100)의 일부분을 예시하는 개략도이다. 송수신기(100)는 접속부(connection)(114)를 통해 콤팩트 저손실 안테나 스위치(200)에 연결되는 안테나(112)를 포함한다. 콤팩트 저손실 안테나 스위치(200)는 접속부(117)를 통해 위상 천이 소자(118)에 연결된다. 위상 천이 소자(118)는 양방향 접속부(119)를 통해 송신 필터(121) 및 수신 필터(122)에 연결된다. 송신 필터(121)는 접속부(124)를 통해 전력 증폭기(125)의 증폭된 출력을 수신한다. 송신기(131)는 접속부(126)를 통해 전력 증폭기(125)에 송신 신호를 공급한다.
수신 필터(122)는 접속부(127)를 통해 저잡음 증폭기(128)에 수신 신호를 전달한다. 저잡음 증폭기(128)의 출력은 접속부(129)를 통해 수신기(134)에 공급된다. 송신기(131) 및 수신기(134)는 예시의 목적으로만 도시되어 있다. 송신기 및 수신기의 다양한 구성 및 구현은 이 기술분야의 전문가에게 공지되어 있으며, 모든 이러한 구현들은 본원에서 고려된다. 송수신기(100)는 또한 접속부(136)를 통해 송신기(131)에 연결되고 접속부(137)를 통해 수신기(134)에 연결되는 기저대역 프로세싱 회로(132)를 포함한다. 기저대역 프로세싱 회로는 이 기술분야에 공지되어 있는 바와 같이 송신 신호 및 수신 신호에 대한 기저대역 신호 프로세싱을 수행한다. 콤팩트 저손실 스위치(200)의 하나 이상의 부분들 또는 양태들이 소프트웨어로 구현된다면, 기저대역 프로세싱 회로는 콤팩트 저손실 스위치 소프트웨어(155)를 포함한다.
기저대역 프로세싱 회로(132)는 접속부(138)를 통해 입출력 소자(141)에 연결된다. 셀룰러 타입 전화기와 같이 송수신기(100)가 휴대형 통신 디바이스의 일부인 예에서, 입출력 소자(141)는 마이크로폰, 스피커, 키보드, 지시 장치, 또는 다른 인터페이스 소자들을 포함한다.
3 게이트 구조를 갖는 콤팩트 저손실 스위치의 예시적인 레이아웃이 도 5A 및 도 5B에 개략적으로 도시되어 있고, 도 6A 및 도 6B에 도식적으로 도시되어 있다.
도 5A는 도 4의 콤팩트 저손실 스위치(200)에서 사용하는 데 적합한 3 게이트 FET 디바이스(200)의 레이아웃도이다. 디바이스(200)는 드레인(218) 및 소스(222)를 포함한다. 바이어스 전압(224)이 바이어스 저항(202)을 통해 인가된다. 본 실시예에서, 3개의 게이트(234, 236 및 238)는 3개의 게이트 저항(204, 206 및 208)과 각각 연관된다. 선형 저항들(212, 214 및 216)은 게이트 저항들(204, 206 및 208)과 각각 연관된다. 실시예에서, 부가적인 상호접속부 "A"(260)가 게이트들(234 및 236) 사이에 생성되고, 부가적인 상호접속부 "B"(265)가 이 멀티 게이트 디바이스의 게이트들(236 및 238) 사이에 생성된다. 상호접속부 A(260) 및 B(265)는 인접 게이트들(234, 236 및 238) 사이에 정전위를 구축하는 노드들을 형성함으로써, 종래의 멀티 게이트 디바이스에서의 게이트들의 '부동' 노드 성질을 없앨 수 있다. 부가적인 멀티 게이트 디바이스들은 X 차원에 더 많은 "노드 게이트들"을 넣거나, 또는 Y 차원에 이들 디바이스들을 쌓아 올림으로써 생성된다. 도 5A는 220×240=52800㎛2 정도의 구역을 갖는 3 게이트 FET 디바이스의 상호접속을 도시한다.
도 5B는 도 5A의 디바이스의 일부분을 더 상세하게 도시하는 레이아웃도이다. 구역(250)은 게이트들(234, 236 및 238)에 대해서 인터리브되어 위치한 부가적인 상호접속부 A(260) 및 B(265)를 갖는 게이트들(234, 236 및 238)을 도시한다. 실시예에서, 게이트들(234, 236 및 238) 및 부가적인 상호접속부 A(260) 및 B(265)을 형성하는 트레이스들의 두께는 0.5㎛ 정도이다. 이 예에서, 부가적인 상호접속부 A(260) 및 B(265)는 FET 디바이스를 위한 2개의 부가적인 게이트들을 형성한다. 실시예에서, 게이트들(234, 236 및 238) 간의 간격은 제조 허용오차를 받는 약 1.2마이크로미터(㎛)이다. 그러나, 게이트들 간의 간격은 프로세싱 기술이 향상됨에 따라 더 작아질 수 있다. 게이트들(234, 236 및 238)을 형성하는 접속부들은 쇼트키 다이오드 접속부들을 형성하고, 쇼트키 다이오드 접속부들은 인접 디바이스들의 드레인/소스 접속부들과 연관된 대응하는 옴 접속부들보다 작다.
도 6A는 옴 접촉을 이용하여 구현될 때 도 5A 및 도 5B의 3 게이트 디바이스(200)의 실시예를 예시하는 개략도이다. 옴 접촉은 디바이스의 전류-전압(I-V) 곡선이 선형이고 대칭이 되도록 준비된 반도체 디바이스 상의 영역이다. 디바이스(270)는 바이어스 저항(202), 게이트 저항들(204, 206 및 208) 및 게이트들(234, 236 및 238)을 포함한다. 부가적인 상호접속부 A는 게이트들(234 및 236) 사이에 예시되어 있고, 부가적인 상호접속부 B는 게이트들(236 및 238) 사이에 예시되어 있다.
도 6B는 쇼트키 접촉을 이용하여 구현될 때 도 5A 및 도 5B의 3 게이트 디바이스(200)의 실시예를 예시하는 개략도이다. 쇼트키 접촉은 디바이스의 전류-전압(I-V) 곡선이 비선형이고 비대칭이 되도록 준비된 반도체 디바이스 상의 영역이다. 디바이스(280)는 바이어스 저항(202), 게이트 저항들(204, 206 및 208) 및 FET 디바이스들(282, 284 및 286)을 포함한다. 부가적인 상호접속부 A(260)는 게이트들(282 및 284) 사이에 FET 디바이스(288)로서 예시되어 있고, 부가적인 상호접속부 B는 게이트들(284 및 286) 사이에 FET 디바이스(292)로서 예시되어 있다.
실시예에 따르면, 멀티 게이트 디바이스들은 각각의 디바이스와 연관된 저항 Rlin에 접촉하기 위해 쇼트키 접촉들로서 형성되는 게이트 접속부들로 형성된다. 이것은 드레인/소스 옴 접촉들과 비교할 때 게이트-대-게이트 피치를 줄이고, 이에 따라 게이트 접속부들의 물리적 크기가 옴 접촉들과 비교할 때 현저하게 감소한다.
도 6A 및 도 6B에 도시된 예에서, 종래의 멀티 게이트 디바이스에서의 게이트들의 '부동' 노드 성질을 없애기 위해, 부가적인 게이트들(260 및 265)을 각각 형성하는 2개의 부가적인 상호접속부 A 및 B를 갖고, 소량의 구역을 차지하는 이점을 갖는 트리플 게이트 디바이스가 도 6A 및 도 6B에 도시된 5개의 게이트로부터 제조된다.
본 발명의 다른 양태는, 3 게이트 구조들이 부가적인 멀티 게이트 디바이스들을 만들기 위한 개시점으로서 이용된다는 점이다. 예를 들어, 전술한 3-게이트 디바이스들을 이용해서, 소스-게이트, 드레인-게이트 및 트리플-게이트 구조들을 실현하기 위해 저항 Rlin에 이러한 디바이스들의 내부 게이트들을 접속함으로써 부가적인 게이트들을 갖는 다른 디바이스들이 형성될 수 있다.
도 7A는 7 게이트 구조로부터 형성되는 2개의 3-게이트 디바이스를 예시하는 개략도이다. 3 게이트 디바이스(310)는 게이트(311, 312 및 313)를 포함한다. 3 게이트 디바이스(320)는 게이트(321, 322 및 323)를 포함한다. 부가적인 상호접속부 C(330)가 Rlin(335)와 접촉하여 게이트들(313 및 321) 사이에 형성됨으로써, 하나의 게이트만이 Rlin(335)에 접속된 2개의 3-게이트 디바이스들을 실현한다.
도 7B는 5 게이트 구조로부터 형성되는 2개의 2-게이트 디바이스를 예시하는 계략도이다. 2 게이트 디바이스(360)는 게이트(361 및 362)를 포함한다. 2 게이트 디바이스(370)는 게이트(371 및 372)를 더 포함한다. 부가적인 상호접속부 E(380)가 Rlin(395)와 접촉하여 게이트들(362 및 371) 사이에 형성됨으로써, 하나의 게이트만이 Rlin(395)에 접속된 2개의 2-게이트 디바이스들을 실현한다.
도 7A 및 도 7B의 구조들은 본원에 설명된 게이트들의 인터리브된 접속의 이용 때문에 가능하다. 적어도 하나의 게이트가 Rlin에 접속되어야 하며, Rlin에 접속될 수 있는 게이트들의 최대 개수는 게이트의 총 개수/2-1이다.
도 8은 스위치 소자들에 대해 전술한 구조를 이용하여 4-브랜치 안테나 스위치의 IMD3 성능의 개선을 도시한 그래픽 설명도(400)이다. 수평 축은 위상을 나타내고, 수직 축은 dBm의 IMD3을 나타낸다.
도 9는 콤팩트 저손실 스위치의 실시예를 만드는 예를 예시하는 흐름도(500)이다. 흐름도(500)의 블록들은 도시된 순서로 또는 그 순서를 벗어나서 수행될 수 있으며, 단지 예시적인 것을 의미한다. 블록(502)에서, 드레인, 소스 및 복수의 게이트를 갖는 스위치 디바이스가 형성된다. 반도체 디바이스 프로세싱 분야의 전문가들은 다양한 프로세싱 방법을 이용하여 이러한 소자가 형성될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 블록(504)에서, 복수의 게이트 사이에 적어도 하나의 부가적인 상호접속부가 형성된다. 부가적인 상호접속부는 복수의 게이트 사이에 정전위를 구축하는 동작을 한다. 실시예에서, 복수의 부가적인 상호접속부가 복수의 게이트와 인터리브된다.
모든 동일한 금속 층들은 동일한 단계 동안에 제조된다. 모든 옴 접촉은 동일한 마스크 레벨에서 제조되며, 모든 쇼트키 게이트 접촉은 동일한 마스킹 프로세스 동안 제조된다. 또한, 블록들(502 및 504)의 단계들은 그것들이 동일한 일련의 제조 동작들에서 동시에 행해지도록 통합될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들이 설명되었지만, 본 발명의 범위 내에 있는 더 많은 실시예들 및 구현들이 가능하다는 것이 이 기술분야의 전문가에게 명백할 것이다.

Claims (21)

  1. 스위치 소자로서,
    드레인, 소스 및 복수의 게이트를 갖는 스위치 디바이스; 및
    상기 복수의 게이트 사이에 위치한 적어도 하나의 부가적인 상호접속부
    를 포함하고,
    상기 부가적인 상호접속부는 적어도 2개의 게이트 사이에 정전위를 구축하도록 동작하는 스위치 소자.
  2. 제1항에 있어서, 적어도 3개의 게이트, 및 상기 적어도 3개의 게이트와 인터리브되는 적어도 2개의 부가적인 상호접속부를 더 포함하는 스위치 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 게이트는 옴 접촉들(ohmic contacts)로서 구성되는 스위치 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 게이트는 쇼트키 접촉들(Schottky contacts)로서 구성되는 스위치 소자.
  5. 제1항에 있어서, 스위치 디바이스들의 쌍이 함께 연결되는 스위치 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상호접속부는 0.5㎛의 선폭을 갖는 스위치 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상호접속부는 0.5㎛의 선폭을 갖고, 상기 복수의 게이트 각각은 0.5㎛의 선폭을 갖는 스위치 소자.
  8. 안테나 스위치를 갖는 휴대형 송수신기로서,
    수신기에 동작가능하게 연결된 송신기;
    상기 송신기 및 상기 수신기에 동작가능하게 연결되며, 드레인, 소스 및 복수의 게이트를 갖는 스위치 디바이스; 및
    상기 복수의 게이트 사이에 위치한 적어도 하나의 부가적인 상호접속부
    를 포함하고,
    상기 부가적인 상호접속부는 적어도 2개의 게이트 사이에 정전위를 구축하도록 동작하는 휴대형 송수신기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 스위치 디바이스는, 적어도 3개의 게이트, 및 상기 적어도 3개의 게이트와 인터리브되는 적어도 2개의 부가적인 상호접속부를 더 포함하는 휴대형 송수신기.
  10. 제8항에 있어서, 상기 복수의 게이트는 옴 접촉들로서 구성되는 휴대형 송수 신기.
  11. 제8항에 있어서, 상기 복수의 게이트는 쇼트키 접촉들로서 구성되는 휴대형 송수신기.
  12. 제8항에 있어서, 스위치 디바이스들의 쌍이 함께 연결되는 휴대형 송수신기.
  13. 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상호접속부는 0.5㎛의 선폭을 갖는 휴대형 송수신기.
  14. 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상호접속부는 0.5㎛의 선폭을 갖고, 상기 복수의 게이트 각각은 0.5㎛의 선폭을 갖는 휴대형 송수신기.
  15. 스위치 소자를 형성하는 방법으로서,
    드레인, 소스 및 복수의 게이트를 갖는 스위치 디바이스를 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 게이트 사이에 위치한 적어도 하나의 부가적인 상호접속부를 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 부가적인 상호접속부는 상기 복수의 게이트 사이에 정전위를 구축하도 록 동작하는 스위치 소자 형성 방법.
  16. 제15항에 있어서, 적어도 3개의 게이트, 및 상기 적어도 3개의 게이트와 인터리브되는 적어도 2개의 부가적인 상호접속부를 형성하는 단계를 더 포함하는 스위치 소자 형성 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 복수의 게이트를 옴 접촉들로서 형성하는 단계를 더 포함하는 스위치 소자 형성 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 복수의 게이트를 쇼트키 접촉들로서 형성하는 단계를 더 포함하는 스위치 소자 형성 방법.
  19. 제15항에 있어서, 함께 연결된 스위치 디바이스들의 쌍을 형성하는 단계를 더 포함하는 스위치 소자 형성 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상호접속부가 0.5㎛의 선폭을 갖도록 형성하는 단계를 더 포함하는 스위치 소자 형성 방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상호접속부가 0.5㎛의 선폭을 갖도록 형성하는 단계와, 상기 복수의 게이트 각각이 0.5㎛의 선폭을 갖도록 형성하는 단계를 더 포함하는 스위치 소자 형성 방법.
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