KR101390707B1 - Apparatus for processing semiconductor - Google Patents

Apparatus for processing semiconductor Download PDF

Info

Publication number
KR101390707B1
KR101390707B1 KR1020120067613A KR20120067613A KR101390707B1 KR 101390707 B1 KR101390707 B1 KR 101390707B1 KR 1020120067613 A KR1020120067613 A KR 1020120067613A KR 20120067613 A KR20120067613 A KR 20120067613A KR 101390707 B1 KR101390707 B1 KR 101390707B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chamber
chuck
cap
inner chamber
Prior art date
Application number
KR1020120067613A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140000502A (en
Inventor
이진우
Original Assignee
에스브이에스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스브이에스 주식회사 filed Critical 에스브이에스 주식회사
Priority to KR1020120067613A priority Critical patent/KR101390707B1/en
Priority to PCT/KR2013/005558 priority patent/WO2013191520A1/en
Priority to US14/410,190 priority patent/US10090175B2/en
Publication of KR20140000502A publication Critical patent/KR20140000502A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101390707B1 publication Critical patent/KR101390707B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 비아홀에 전도체 등을 채우기 위한 반도체 웨이퍼 제조장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 비아홀이 형성된 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척의 상측에서 승강 가능토록 설치되어, 상기 웨이퍼의 상면 외주부를 밀폐하여 저수부를 형성하는 밀폐립이 형성된 캡; 및 상기 반응챔버에 처리액을 주입 및 회수하는 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치를 제시한다.The present invention relates to a semiconductor wafer manufacturing apparatus for filling a via hole of a wafer with a conductor or the like. More particularly, the present invention relates to a wafer chuck for holding and fixing a rear surface of a wafer on which a via hole is formed; A cap provided on an upper side of the wafer chuck so as to be able to move up and down and having a sealing lip for sealing the outer peripheral portion of the upper surface of the wafer to form a bottom portion; And a nozzle for injecting and recovering the treatment liquid into the reaction chamber.

Description

반도체 웨이퍼 제조장치{Apparatus for processing semiconductor}[0001] Apparatus for processing semiconductor devices [0002]

본 발명은 웨이퍼의 비아홀에 전도체, 절연층 및 베리어층 등을 채우기 위한 반도체 웨이퍼 제조장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer manufacturing apparatus and method for filling a via hole of a wafer with a conductor, an insulating layer, a barrier layer, and the like.

전자제품이 소형화 및 대용량화로 인해, 반도체의 높은 집적도가 요구되어왔다. 이로 인해, 반도체의 직접도는 비약적인 발전을 하였으나, 최근들어 직접도만을 높이는 방법은 한계에 봉착하여, 복수개의 칩을 하나의 패키지에 적층하는 3D 패키지 방식이 개발되었다. 3D 패키징 방법으로 복수개의 칩을 적층한 후 모서리에서 와이어로 연결하는 방법이 있었다. 그러나, 이 방법은 약간의 면적이 늘어나는 문제점이 있을 뿐만 아니라, 칩들 사이의 중간층이 필요하다는 단점이 있다.Due to miniaturization and large capacity of electronic products, high integration density of semiconductors has been required. As a result, the directivity of the semiconductor has been remarkably developed. Recently, however, a method of increasing the directivity has been limited, and a 3D package method of stacking a plurality of chips in one package has been developed. There was a method of stacking a plurality of chips by a 3D packaging method and then connecting wires at corners. However, this method has a disadvantage in that it requires not only an increase in area but also an intermediate layer between the chips.

이와 같은 문제점을 해소하기 위해 칩내에 수직 전기연결부를 형성하여 적층하는 TSV(Through Silicon Via) 방법이 제시되었다. TSV 방식을 사용하기 위해서는 반도체 표면에 단순히 회로를 형성하는 것과 달리, 두께 방향으로 좁고 길게 형성된 비아홀에 전도체를 채워넣는 공정이 필요하다. 특히, 좁고 길게 형성된 비아홀에 전도체, 절연층 및 베리어층 등을 형성하는 것은 많은 문제점을 야기한다.In order to overcome such a problem, a through silicon via (TSV) method in which a vertical electrical connection portion is formed in a chip is proposed. In order to use the TSV method, a process for filling a conductor with a via hole formed in a narrow and long shape in a thickness direction is required, unlike a circuit simply forming a circuit on a semiconductor surface. In particular, forming a conductor, an insulating layer, a barrier layer, or the like in a narrow and long via hole causes many problems.

종래의 반도체 형성 공정에는 건식공정과 습식공정이 있다. 건식공정의 경우 습식공정에 비해, 좁고 길게 형성된 비아홀에 균일하게 전도체를 형성하는 데 어려움이 있었다.Conventional semiconductor forming processes include a dry process and a wet process. In the dry process, it is difficult to uniformly form a conductor in a narrow and long via hole compared with a wet process.

습식공정의 경우, 화학물질이 담겨진 탱크에 웨이퍼의 표면이 하향으로 향하도록 한 후 반응시킨 후 세정하는 공정이 일반적으로 알려져 있다. 그러나, 이러한 공정의 경우, 많은 양의 화학물질이 소요되어 낭비가 심할 뿐만 아니라, 웨이퍼의 배면 오염 및 웨이퍼의 표면에 화학물질이 도포된 상태에서 세정을 위해 별도의 장비로 웨이퍼를 이동시켜야 하는 등 많은 문제점이 있다.In the case of a wet process, a process is generally known in which a surface of a wafer is directed downward in a tank containing a chemical substance, reacted, and then cleaned. However, such a process requires a large amount of chemical substances, which is very wasteful. In addition, since the backside of the wafer and the chemical substance are coated on the surface of the wafer, the wafer must be moved to a separate apparatus for cleaning There are many problems.

본 발명의 실시예는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 화학물질의 사용량을 줄여줄 뿐만 아니라, 웨이퍼의 오염의 우려를 제거할 수 있으며, 공정을 위한 장비의 수를 줄여줄 수 있는 반도체 웨이퍼 제조장치를 제공하고자 한다. The embodiments of the present invention have been devised in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to reduce the amount of chemicals used, to eliminate the fear of contamination of wafers, To provide a semiconductor wafer manufacturing apparatus.

본 발명의 실시예는 상기와 같은 과제를 해결하고자, 비아홀이 형성된 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척의 상측에서 승강 가능토록 설치되어, 상기 웨이퍼의 상면 외주부를 밀폐하여 저수부를 형성하는 밀폐립이 형성된 캡; 및 상기 반응챔버에 처리액을 주입 및 회수하는 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치를 제공한다.In order to solve the above-mentioned problems, an embodiment of the present invention provides a wafer chuck for supporting and fixing a rear surface of a wafer on which a via hole is formed; A cap provided on an upper side of the wafer chuck so as to be able to move up and down and having a sealing lip for sealing the outer peripheral portion of the upper surface of the wafer to form a bottom portion; And a nozzle for injecting and recovering the treatment liquid into the reaction chamber.

또한, 상기 웨이퍼 척을 회동시키는 척 회동부; 및 상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼의 외주를 감싸도록 형성되며, 비산되는 처리액을 회수할 수 있도록 형성된 처리액 회수부;를 더 포함하는 것이 바람직하다.A chuck rotation unit for rotating the wafer chuck; And a treatment liquid recovery unit formed to surround the outer periphery of the wafer fixed to the wafer chuck and configured to recover the treatment liquid to be scattered.

그리고, 상기 노즐과 결합되어, 상기 처리액을 주입하는 처리액 공급부; 및 상기 노즐과 결합되어, 상기 처리액을 회수하는 이젝터;를 더 포함하는 것이 효과적이다.A processing liquid supply unit coupled to the nozzle to inject the processing liquid; And an ejector, coupled to the nozzle, for recovering the processing liquid.

또한, 상기 웨이퍼 척을 상하로 승강시키는 척 승강장치;를 더 포함하고, 상기 처리액 회수부는, 상기 척 승강장치에 의한 상기 웨이퍼 척의 하강 상태일 때 상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼를 둘러싸도록 형성되어 상기 웨이퍼 상에 공급된 처리액을 회수하는 내측 처리액 회수부; 상기 척 승강장치에 의해 상기 웨이퍼 척이 상기 내측 처리액 회수부 상측으로 승강된 상태일 때 상기 척 회동부에 의한 상기 웨이퍼 척의 회동시 상기 웨이퍼로부터 비산되는 처리액을 회수토록, 상기 내측 처리액 회수부의 외측에 상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼를 둘러싸도록 형성된 외측 처리액 회수부;를 포함한다.The process liquid recovery unit is configured to surround the wafer fixed to the wafer chuck when the wafer chuck is lowered by the chuck lifting and lowering device An inner processing liquid recovery unit for recovering the processing liquid supplied onto the wafer; Wherein the wafer chuck is lifted up by the chuck lifting and lowering device to the upper side of the inner process liquid collecting part to recover the treatment liquid scattered from the wafer when the wafer chuck is rotated by the chucking rotation part, And an outer processing solution recovery part formed to surround the wafer fixed to the wafer chuck on the outer side of the part.

상기 내측 처리액 회수부는 상기 캡의 하측에서 상기 캡의 상하 승강에 의해 상하 승강되거나 상하 길이 가변 가능토록 형성된다.The inner process liquid recovery unit is formed so as to be vertically lifted or lowered by vertically lifting and lowering the cap on the lower side of the cap, or vertically variable.

상기 내측 처리액 회수부는 하부 챔버와, 상기 하부 챔버의 상측에 상하 탄성변형되는 탄성부재에 의해 상하 승강 가능토록 설치된 상부 챔버를 포함할 수 있다.The inner process liquid recovery unit may include a lower chamber and an upper chamber installed up and down by an elastic member that is vertically resiliently deformed on the upper side of the lower chamber.

상기 탄성부재는 상기 하부 챔버의 내부에 설치되며, 상기 하부 챔버를 상하 승강 가능토록 관통하여 상기 탄성부재와 상기 상부 챔버 사이에 설치되는 연결부재를 더 포함하는 것이 바람직하다.The elastic member may further include a connection member installed in the lower chamber and extending between the elastic member and the upper chamber so as to allow the lower chamber to move up and down.

상기 상부 챔버는 상기 하부 챔버가 상하 삽입 가능토록 제1홈이 형성되며, 상기 제1홈으로부터 상측으로 연장되어 상기 연결부재가 끼워지는 제2홈이 형성된 것이 바람직하다.The upper chamber may be formed with a first groove to allow the lower chamber to be inserted up and down, and a second groove extending upward from the first groove to fit the connecting member.

상기 내측 처리액 회수부의 상측단은 상하방향에 대하여 상기 웨이퍼 척을 향해 경사진 것이 효과적이다.It is effective that the upper end of the inner process liquid collecting portion is inclined toward the wafer chuck with respect to the vertical direction.

상기 외측 처리액 회수부의 상측단은 상하방향에 대하여 상기 웨이퍼 척을 향해 경사진 것이 바람직하다.It is preferable that the upper end of the outer process liquid collecting portion is inclined toward the wafer chuck with respect to the vertical direction.

상기 캡은 상기 저수부에 저수된 처리액이 오버플로우되어 배출될 수 있도록 상기 저수부의 외주를 둘러싸는 배수부를 포함한다.The cap includes a drain portion surrounding the periphery of the reservoir portion so that the treatment liquid stored in the reservoir portion can be overflowed and discharged.

상기 캡은 상기 저수부를 형성하며 상기 처리액이 오버플로우될 수 있도록 형성된 내측챔버; 및 상기 내측챔버의 외주를 둘러싸며 상기 내측챔버와의 사이에 오버플로우된 처리액이 회수되는 회수공간을 형성하며 상기 회수공간의 일측에 배출구가 형성된 외측챔버;를 포함할 수 있다.Wherein the cap comprises an inner chamber forming the reservoir and formed so that the process liquid can overflow; And an outer chamber enclosing the outer periphery of the inner chamber and forming a recovery space in which the overflowed processing liquid is recovered between the inner chamber and an outlet formed at one side of the recovery space.

여기서, 상기 내측챔버는 상기 외측챔버보다 낮게 형성되고 상측부에 상기 외측챔버의 회수공간과 연결되는 회수홀이 형성되며; 상기 캡은 상기 내측챔버와 거리를 두고 상기 내측챔버에 의해 둘러싸이며, 상기 내측챔버의 하단보다 위에 위치되고 상단이 상기 내측챔버의 상단보다 높게 위치되도록 설치된 환형의 스커트를 더 포함하는 것이 바람직하다.Here, the inner chamber is formed lower than the outer chamber and the upper portion is formed with a recovery hole connected to the recovery space of the outer chamber; The cap preferably further comprises an annular skirt disposed at a distance from the inner chamber, the annular skirt being surrounded by the inner chamber, positioned above the lower end of the inner chamber and positioned higher than the upper end of the inner chamber.

상기 내측챔버의 회수홀은 상기 외측챔버 측 크기가 상기 내측챔버 측 크기보다 큰 것이 효과적이다.It is effective that the size of the recovery chamber of the inner chamber is larger than that of the inner chamber.

상기 내측챔버의 상측단은 내측면이 상하 수직하고, 상측으로 갈수록 뾰족하도록 외측면이 경사진 것이 바람직하다.It is preferable that the upper end of the inner chamber has an inner side surface vertically and vertically, and an outer surface thereof has a tapered shape toward the upper side.

상기 내측챔버의 상측단은 둘레방향을 따라 톱니형으로 형성될 수 있다.The upper end of the inner chamber may be serrated along the circumferential direction.

상기 내측챔버는 상기 회수홀보다 낮은 위치의 하측부에 상기 회수공간과 연결된 드레인 홀이 더 형성된다.The inner chamber is further formed with a drain hole connected to the collection space at a lower portion lower than the collection hole.

상기 드레인 홀은 상기 내측챔버에서 상기 외측챔버를 향해 하향 경사진 것이 바람직하다.And the drain hole is inclined downward from the inner chamber toward the outer chamber.

상기 외측챔버는 돔형으로 형성될 수 있다.The outer chamber may be formed in a dome shape.

상기 외측챔버는 돔형으로 형성되며, 상기 환형 스커트는 상기 외측챔버에 의해 지지되고, 상기 웨이퍼 척에 설치된 제1전극 및 상기 제1전극과 상호 작용되며 회전되어 상기 처리액을 교반할 수 있도록 상기 캡에 설치된 제2전극을 더 포함하는 것이 바람직하다.Wherein the outer chamber is formed in a dome shape, the annular skirt is supported by the outer chamber, and a first electrode provided on the wafer chuck and a second electrode provided on the wafer chuck so as to rotate with the first electrode, And a second electrode provided on the first electrode.

상기 이젝터는 고속으로 유입,배출되는 압축공기에 의해 작용하는 진공방식인 것이 효과적이다.It is effective that the ejector is a vacuum system which is operated by compressed air flowing in and out at a high speed.

상기 노즐은 상기 노즐의 상측에 착탈 가능토록 끼움 결합되는 연결관을 통해 상기 이젝터와 연결된다.And the nozzle is connected to the ejector through a connection pipe which is fitted on the upper side of the nozzle so as to be detachable.

상기 이젝터와 연결되어 상기 공급, 회수되는 처리액이 저장되는 탱크;를 더 포함하고, 상기 처리액 공급부는, 상기 탱크의 처리액이 상기 노즐로 압송되어 공급될 수 있도록 가압 가스를 공급하며, 상기 처리액의 공급시 상기 탱크와 상기 공급부를 연결하고, 상기 처리액의 회수시 상기 탱크와 상기 이젝터를 연결시키는 밸브;를 더 포함하는 것이 바람직하다.And a tank connected to the ejector and storing the process liquid to be supplied and recovered, wherein the process liquid supply unit supplies the pressurized gas so that the process liquid of the tank can be fed and fed by the nozzle, And a valve connecting the tank and the supply unit when supplying the treatment liquid and connecting the tank and the ejector when the treatment liquid is recovered.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명의 과제해결 수단에 의하면 다음과 같은 사항을 포함하는 다양한 효과를 기대할 수 있다. 다만, 본 발명이 하기와 같은 효과를 모두 발휘해야 성립되는 것은 아니다.As described above, according to the present invention, various effects including the following can be expected. However, the present invention does not necessarily achieve the following effects.

먼저, 상기와 같이, 밀폐립이 형성된 캡을 웨이퍼의 상면에 위치함으로써 처리액을 소량만 사용해서 반응시킬 수 있어, 처리액의 사용량을 줄여줄 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼의 배면 및 장비의 다른 부분이 오염되는 것을 방지할 수 있다.As described above, by positioning the cap on which the sealing lips are formed on the upper surface of the wafer, the reaction can be performed using only a small amount of the processing liquid, thereby reducing the amount of the processing liquid used, Can be prevented from being contaminated.

또한, 웨이퍼에 잔존하는 처리액을 웨이퍼 척을 회동함으로써, 제거할 수 있어, 타 공정의 장비로 이동없이 진행할 수 있다는 장점이 있다.Further, the treatment liquid remaining on the wafer can be removed by rotating the wafer chuck, and the wafer can be processed without moving to other equipment.

그리고, 처리액 공급부 및 이젝터를 구비함으로써, 처리액의 재활용 정도를 높일 수 있다는 장점도 있다.By providing the processing liquid supply unit and the ejector, there is an advantage that the degree of recycling of the processing liquid can be increased.

또한, 처리액 회수부로 인해서 웨이퍼로부터 비산되는 처리액이 장비의 다른 부위로 스며드는 것을 방지할 수 있다. 특히, 처리액 회수부가 내측 처리액 회수부와 외측 처리액 회수부로 구성되며 웨이퍼 척이 척 승강장치에 의해 승강 가능하기 때문에, 각 단계마다 공급된 처리액이 분리되어 회수될 수 있다.In addition, it is possible to prevent the processing liquid scattered from the wafer from permeating to other parts of the equipment due to the processing liquid recovery unit. Particularly, since the process liquid recovery section is composed of the inner process liquid recovery section and the outer process liquid recovery section and the wafer chuck can be moved up and down by the chuck lift device, the process liquid supplied for each step can be separated and recovered.

또한, 캡이 내측 처리액 회수부를 누르면서 하강하고 캡의 승강시 내측 처리액 회수부가 탄성 복원력에 의해 높이 복귀되거나 승강될 수 있기 때문에 캡과 내측 처리액 회수부의 구조적 간섭이 방지될 수 있다.In addition, the cap can be lowered while pressing the inner process liquid recovery portion, and the inner process liquid recovery portion can be restored or lifted by the elastic restoring force when the cap is lifted or lowered, thereby preventing structural interference between the cap and the inner process liquid recovery portion.

또한, 제2전극에 의해 처리액을 교반시킴으로써 처리액을 보다 활성화시킬 수 있어 웨이퍼가 고르고 균일하게 처리될 수 있으며, 처리액의 교반을 위한 별도의 구성요소를 추가하지 않아도 된다.Further, by agitating the treatment liquid with the second electrode, the treatment liquid can be activated more, and the wafer can be treated uniformly and uniformly, without the need of adding a separate component for agitating the treatment liquid.

또한, 웨이퍼의 비아홀 처리공정과 세정, 건조를 하나의 장비로 해결할 수 있어, 효과적이다.In addition, the via hole treatment process of the wafer, cleaning and drying can be solved by a single apparatus, which is effective.

도 1은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치의 개념단면도(캡 하강및 웨이퍼 척 하강).
도 2는 도 1의 일부분 확대도.
도 3은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치의 개념단면도(캡 승강 및 웨이퍼 척 하강).
도 4는 도 3의 일부분 확대도.
도 5는 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치의 개념단면도(캡 승강 및 웨이퍼 척 승강).
도 6은 도 5의 일부분 확대도.
도 7은 도 7은 도 1의 노즐과 연결된 처리액 공급부 및 이젝터의 개념도.
도 8은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조방법을 도시한 순서도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a conceptual cross-sectional view (cap descent and wafer chuck descent) of a semiconductor wafer production apparatus of one embodiment of the present invention.
2 is a partially enlarged view of Fig. 1; Fig.
3 is a conceptual cross-sectional view (cap lifting and wafer chucking) of a semiconductor wafer manufacturing apparatus of one embodiment of the present invention.
4 is a partially enlarged view of Fig.
5 is a conceptual cross-sectional view (cap lifting and wafer chuck lifting) of an apparatus for manufacturing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
6 is a partially enlarged view of Fig.
FIG. 7 is a conceptual view of a process liquid supply unit and an ejector connected to the nozzle of FIG. 1;
8 is a flowchart showing a method of manufacturing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치의 개념단면도(캡 하강및 웨이퍼 척 하강)이고, 도 2는 도 1의 일부분 확대도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치의 개념단면도(캡 승강 및 웨이퍼 척 하강)이고, 도 4는 도 3의 일부분 확대도이고, 도 5는 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치의 개념단면도(캡 승강 및 웨이퍼 척 승강)이고, 도 6은 도 5의 일부분 확대도이다.1 is a conceptual cross-sectional view (cap descent and wafer chuck descent) of an apparatus for manufacturing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a partial enlarged view of Fig. 1, (Cap lifting and wafer chuck lifting), Fig. 4 is a partial enlarged view of Fig. 3, Fig. 5 is a conceptual sectional view (cap lifting and wafer chuck lifting) of the semiconductor wafer manufacturing apparatus of one embodiment of the present invention, FIG. 6 is an enlarged view of a part of FIG. 5; FIG.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치는 비아홀이 형성된 웨이퍼(100)의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척(200)과, 웨이퍼 척(200)을 회동시키는 척 회동부(210)와, 웨이퍼 척(200)을 상하로 승강시키는 척 승강장치(217)와, 상기 웨이퍼 척(200)의 상측에서 승강 가능토록 설치되어 상기 웨이퍼(100)의 상면 외주부를 밀폐하여 저수부(310a)를 형성하는 밀폐립(319)이 형성된 캡(300)과, 웨이퍼 척(200)에 고정된 웨이퍼(100)의 외주를 감싸도록 형성되어 비산되는 처리액(110)을 회수하는 처리액 회수부(400)를 포함할 수 있다.As shown in these figures, the semiconductor wafer manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a wafer chuck 200 for holding and fixing the backside of a wafer 100 having a via-hole, a chuck rotation unit The wafer chuck 200 is mounted on the upper surface of the wafer chuck 200 so as to be able to move up and down so that the upper surface of the wafer 100 is closed. A cap 300 having a sealing lip 319 for forming a wafer 310 on the wafer chuck 200 and a processing liquid recovery unit 310 for collecting the processing liquid 110 which is formed so as to surround the periphery of the wafer 100 fixed to the wafer chuck 200, (400). ≪ / RTI >

웨이퍼 척(200)은 하측 중앙에 척 회동부(210)의 구동축(212)이 일체로 결합되어 회전력을 전달받아 회동될 수 있다. 척 회동부(210)는 모터(214) 등이 될 수 있으며, 이때 모터는 회전 속도 조절이 가능토록 서보모터가 적용될 수 있다. 한편, 웨이퍼 척(200)은 척 승강장치(217)에 의해 상하 승강될 수 있다. 척 승강장치는 솔레노이드, 공압 실린더 등으로 다양하게 구현될 수 있으며 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.The wafer chuck 200 is rotatably coupled to the driving shaft 212 of the chuck rotating unit 210 at a lower center thereof by receiving a rotational force. The chuck rotation unit 210 may be a motor 214 or the like, and a servo motor may be applied so that the rotation speed of the motor can be adjusted. On the other hand, the wafer chuck 200 can be raised and lowered by the chuck lifting device 217. The chuck lift device can be variously implemented as a solenoid, a pneumatic cylinder, etc., and a detailed description thereof will be omitted.

캡(300)은 웨이퍼 척(200)에 웨이퍼(100)가 로딩,언로딩(loading,unloading)될 수 있도록, 캡 승강장치(350)에 의해 웨이퍼 척(200) 상측에서 상하 승강 가능토록 설치될 수 있으며, 캡 승강장치(350)는 랙, 피니언으로 구현되거나, 실린더 등 다양한 형태로 구현될 수 있으며 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.The cap 300 is installed up and down by the cap lifting device 350 from above the wafer chuck 200 so that the wafer 100 can be loaded and unloaded onto the wafer chuck 200 And the cap lifting device 350 may be implemented as a rack or a pinion, or may be implemented in various forms such as a cylinder, and a detailed description thereof will be omitted.

캡(300)은 전체적으로 돔(dome) 구조로 형성되며, 웨이퍼(100) 상에 공급되는 처리액(110)이 저수되고 저수된 처리액(110)이 오버플로우(overflow)되어 배출될 수 있도록 형성된 하부 캡(310)과, 하부 캡(310)의 상측에 구비된 상부 캡(320)을 포함할 수 있다.The cap 300 is formed in a dome structure as a whole and is formed so that the process liquid 110 supplied on the wafer 100 is stored and the process liquid 110 stored therein is overflowed and discharged And may include a lower cap 310 and an upper cap 320 disposed on the upper side of the lower cap 310.

하부 캡(310)은 웨이퍼 척(200)에 고정된 웨이퍼(100)의 외주를 둘러싸며 처리액(110)이 저수되는 저수부(310a)와, 저수부(310a)의 외주를 둘러싸며 저수부(310a)에서 오버플로우된 처리액(110)을 배출시키는 배수부(310b)를 포함할 수 있다. 즉, 하부 캡(310)은 저수부(310a)를 형성하며 처리액(110)이 오버플로우될 수 있도록 형성된 내측챔버(312)와, 내측챔버(312)의 외주를 둘러싸며 내측챔버(312)와의 사이에 오버플로우된 처리액(110)이 회수되는 회수공간인 배수부(310b)를 형성하며 배수부의 일측에 배출구(314a)가 형성된 외측챔버(314)를 포함할 수 있다.The lower cap 310 includes a reservoir 310a surrounding the periphery of the wafer 100 fixed to the wafer chuck 200 and storing the processing solution 110 therein and a reservoir 310a surrounding the periphery of the reservoir 310a, And a drain portion 310b for discharging the overflowed process liquid 110 from the drain portion 310a. That is, the lower cap 310 includes an inner chamber 312 forming a reservoir 310a and allowing the process liquid 110 to overflow, an inner chamber 312 surrounding the outer periphery of the inner chamber 312, And an outer chamber 314 formed with a discharge port 310b which is a recovery space in which the overflowed process liquid 110 is recovered and an outlet 314a is formed at one side of the discharge port.

내측챔버(312)는 처리액(110)이 저수부(310a)에서 배수부(310b)로 오버플로우될 수 있도록 상측부(즉, 내측챔버(312)의 상하 중간 위치보다 더 높은 위치)에 내측챔버(312)를 관통하여 외측챔버(314)의 회수공간과 연결되는 회수홀(312a)이 형성될 수 있다. 회수홀(312a)은 처리액(110)이 유동 저항없이 용이하게 오버플로우될 수 있도록 그 관통방향을 따라 점진적으로 또는 계단구조처럼 단계적으로 외측챔버(314) 측 크기가 내측챔버(312) 측 크기보다 크게 형성될 수 있다. 또한, 내측챔버(312)는 과잉 공급된 처리액(110)이 원활하게 저수부(310a)에서 배수부(310b)로 오버플로우될 수 있도록 외측챔버(314)보다 높이가 낮은 환형으로 형성될 수 있다. 이때, 내측챔버(312)의 상측단(312b)은 오버플로우 처리액(110)이 보다 용이하게 내측챔버(312)의 상측단(312b)을 타고 저수부(310a)에서 배수부(310b)로 타고 넘어갈 수 있도록 상측으로 갈수록 뾰족하되, 내측면이 상하 수직하고 외측면이 경사지게 형성될 수 있다. 또한, 내측챔버(312)의 상측단(312b)은 처리액(110)이 내측챔버(312)의 둘레방향을 따라 길 들여진 부분으로만 한정되지 않고 균일하고 고르게 타고 넘어갈 수 있도록, 내측단의 둘레방향(즉, 원의 원주방향)을 따라 요철이 반복되는 톱니형으로 형성될 수 있다. 또한, 내측챔버(312)는 회수홀(312a)보다 낮은 위치의 하측부, 바람직하게는 내측챔버(312)의 하단에 근접한 위치에 외측챔버(314)의 회수공간과 연결된 드레인 홀(312c)이 더 형성될 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼(100)의 처리공정진행이 끝난 후 저수부(310a)의 처리액(110)이 저수위로 낮아진 경우에도 드레인 홀(312c)을 통해 배수부(310b)로 용이하게 배출될 수 있다. 내측챔버(312)의 드레인 홀(312c)은 처리액(110)을 저수부(310a)에서 배수부(310b)로 용이하게 안내할 수 있도록 내측챔버(312)에서 외측챔버(314)를 향해 하향 경사지게 형성될 수 있다. 외측챔버(314)는 하면이 개방된 내부공간을 갖는 돔형으로 형성될 수 있다.The inner chamber 312 is located at an upper side (i.e., a position higher than the upper and lower intermediate positions of the inner chamber 312) so that the process liquid 110 can overflow from the reservoir 310a to the drainage 310b. A recovery hole 312a may be formed through the chamber 312 to be connected to the recovery space of the outer chamber 314. The recovery hole 312a is formed so that the size of the side of the outer chamber 314 gradually increases along the passing direction of the processing liquid 110 such that the processing liquid 110 can easily overflow without flowing resistance, Can be formed larger. The inner chamber 312 may be formed in an annular shape having a height lower than that of the outer chamber 314 so that the over-supplied processing liquid 110 can smoothly flow from the reservoir 310a to the drainage 310b. have. At this time, the upper end 312b of the inner chamber 312 allows the overflow treatment liquid 110 to flow from the lower portion 310a to the drainage portion 310b more easily on the upper end 312b of the inner chamber 312 In order to allow the user to ride over the vehicle, the vehicle is pointed toward the upper side, and the inner side is vertically upright and the outer side is inclined. The upper end 312b of the inner chamber 312 is connected to the inner circumference of the inner chamber 312 in such a manner that the processing liquid 110 is not limited to the portion extended along the circumferential direction of the inner chamber 312, (I.e., the circumferential direction of the circle). The inner chamber 312 has a drain hole 312c connected to the recovery space of the outer chamber 314 at a position lower than the recovery hole 312a and preferably close to the lower end of the inner chamber 312 Even if the processing solution 110 of the reservoir 310a is lowered to the low water level after the process of the processing of the wafer 100 is finished, the drainage of the processing solution 110 to the drainage portion 310b through the drain hole 312c . The drain hole 312c of the inner chamber 312 is moved downward from the inner chamber 312 toward the outer chamber 314 so as to easily guide the process liquid 110 from the reservoir portion 310a to the drain portion 310b It can be formed obliquely. The outer chamber 314 may be formed in a dome shape having an inner space with a lower surface opened.

또한, 하부 캡(310)은 공급된 처리액(110)이 내측챔버(312)에서 충분히 정체된 후 배출될 수 있도록, 환형의 스커트(skirt)(316)를 더 포함할 수 있다. 스커트(316)는 내측챔버(312)에 의해 둘러싸이도록 내측챔버(312)의 내부에 구성되며, 내측챔버(312)와의 사이에 처리액(110)이 오버플로우될 수 있는 공간이 확보될 수 있도록 원의 반경방향을 따라 내측챔버(312)와 소정의 거리를 두도록 구성될 수 있다. 또한, 스커트(316)는 처리액(110)이 외측챔버(314)로 오버플로우될 수 있도록 내측챔버(312)의 하단보다 위에 위치되고 스커트(316)의 상단이 내측챔버(312)의 상단보다 높게 위치되도록 설치될 수 있다. 스커트(316)는 외측챔버(314)에 의해 지지될 수 있도록 스커트(316)의 상단이 외측챔버(314)에 연결될 수 있다.The lower cap 310 may further include an annular skirt 316 so that the supplied processing liquid 110 can be sufficiently discharged in the inner chamber 312 before being discharged. The skirt 316 is formed inside the inner chamber 312 so as to be surrounded by the inner chamber 312 so that a space in which the processing liquid 110 can overflow between the inner chamber 312 and the inner chamber 312 can be secured And may be configured to have a predetermined distance from the inner chamber 312 along the radial direction of the circle. The skirt 316 is located above the lower end of the inner chamber 312 so that the treatment liquid 110 can overflow to the outer chamber 314 and the upper end of the skirt 316 is positioned above the upper end of the inner chamber 312 And can be installed so as to be positioned high. The upper end of the skirt 316 may be connected to the outer chamber 314 so that the skirt 316 can be supported by the outer chamber 314.

한편, 캡(300)에는 처리액(110)의 공급, 회수를 위해 처리액(110)을 안내하는 노즐(360)이 설치될 수 있다. 노즐(360)은 상부캡(300)의 내부에 설치된 노즐승강장치에 의해 승강 가능토록 설치될 수 있으며, 노즐(360) 승강장치는 랙, 피니언으로 구현되거나, 실린더 등 다양한 형태로 구현될 수 있으며 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. 노즐(360)은 특히 공급된 처리액(110)의 회수를 위해 진공이젝터와 연결될 수 있다.The cap 300 may be provided with a nozzle 360 for guiding the treatment liquid 110 to supply and recover the treatment liquid 110. The nozzle 360 may be installed to be elevated by a nozzle elevating device installed inside the upper cap 300. The nozzle lifting and lowering device may be implemented as a rack or a pinion or may be implemented in various forms such as a cylinder, A detailed description thereof will be omitted. The nozzle 360 may be connected to the vacuum ejector for recovery of the supplied processing liquid 110 in particular.

처리액 회수부(400)는 처리액(110)의 종류에 따라 분리하여 회수할 수 있도록, 내측 처리액 회수부(410)와 외측 처리액 회수부(420) 이중 구조로 이루어질 수 있다.The treatment liquid recovery unit 400 may have a dual structure of an inner treatment liquid recovery unit 410 and an outer treatment liquid recovery unit 420 so that the treatment liquid recovery unit 400 can be separated and recovered according to the type of the treatment liquid 110.

내측 처리액 회수부(410)는 척 승강장치에 의한 웨이퍼 척(200)의 하강 상태일 때 웨이퍼 척(200)에 고정된 웨이퍼(100)를 둘러싸도록 형성되어 웨이퍼(100) 상에 공급된 처리액(110)을 회수할 수 있다. The inner processing liquid recovery unit 410 is formed to surround the wafer 100 fixed to the wafer chuck 200 when the wafer chuck 200 is lowered by the chuck lifting and lowering apparatus, The liquid 110 can be recovered.

특히, 내측 처리액 회수부(410)는 캡(300)의 하측에서 캡(300)의 상하 승강에 의해 상하 길이 가변 가능토록, 하부 챔버(412)와, 하부 챔버(412)의 상측에 상하 탄성변형되는 탄성부재(414)에 의해 상하 승강 가능토록 설치된 상부 챔버(416)를 포함할 수 있다. 즉, 하부 챔버(412)는 상면이 개방된 원통형으로 형성되어 웨이퍼 척(200)의 하강 위치보다 낮은 위치에 고정 설치될 수 있다. 하부 챔버(412)의 둘레면(412a)은 내부에 탄성부재(414)가 설치될 수 있도록 중공 구조로 이루어질 수 있다.Particularly, the inner treatment liquid recovery unit 410 is provided with a lower chamber 412 and a lower chamber 412 on the upper side and the lower side of the cap 300 so that the upper and lower lengths thereof can be changed by the vertical movement of the cap 300, And an upper chamber 416 provided so as to be vertically liftable by the elastic member 414 to be deformed. That is, the lower chamber 412 may be formed in a cylindrical shape having an opened upper surface and fixedly installed at a position lower than the lowered position of the wafer chuck 200. The peripheral surface 412a of the lower chamber 412 may have a hollow structure so that the elastic member 414 may be installed therein.

상부 챔버(416)는 환형으로 형성되어 하부 챔버(412)의 둘레면(412a) 상측에 설치될 수 있다. 상부 챔버(416)는 하부 챔버(412)와 상하방향으로 끼움 결합될 수 있도록 하부 챔버(412)의 둘레면(412a)이 상하 삽입 가능토록 제1홈(416a)이 형성될 수 있다. 상부 챔버(416)의 상측단, 즉 내측 처리액 회수부(410)의 상측단은 내측 처리액 회수부(410)로 회수되는 외측 처리액 회수부(420)로 유입되는 것을 방지함과 아울러 웨이퍼 척(200)의 회동에 의해 웨이퍼 척(200)으로부터 비산되는 처리액(110)이 내측 처리액 회수부(410)로 유입되지 않고 외측 처리액 회수부(420)로 용이하게 유입될 수 있도록 상하방향에 대하여 웨이퍼 척(200)을 향해 일정 각도로 경사질 수 있다. The upper chamber 416 may be formed in an annular shape and installed above the circumferential surface 412a of the lower chamber 412. The first groove 416a may be formed so that the circumferential surface 412a of the lower chamber 412 can be inserted up and down so that the upper chamber 416 can be fitted into the lower chamber 412 in the vertical direction. The upper end of the upper chamber 416, that is, the upper end of the inner process liquid collecting portion 410 is prevented from flowing into the outer process liquid collecting portion 420 recovered by the inner process liquid collecting portion 410, The processing liquid 110 scattered from the wafer chuck 200 by the rotation of the chuck 200 is supplied to the inner processing liquid collecting portion 410 without being flowed into the outer processing liquid collecting portion 420, The wafer chuck 200 may be tilted at an angle with respect to the wafer chuck 200.

탄성부재(414)는 상부 챔버(416)와 하부 챔버(412) 사이에 개재될 수 있다면 어떻게 구성되든 무방하며, 바람직하게는 하부 챔버(412)의 둘레면(412a) 내부에 설치됨으로써 뒤틀리지 않고 하부 챔버(412)에 의해 상하방향으로만 탄성 변형되도록 가이드될 수 있다. 탄성부재(414)는 상하 탄성 변형될 수 있다면 어떠한 소재, 구조이든 무방하며, 예컨대 코일 스프링으로 이루어질 수 있다. 탄성부재(414)는 하부 챔버(412)의 둘레방향을 따라 복수 설치될 수도 있고, 환형으로 1개 구성될 수도 있다. 아울러, 탄성부재(414)와 상부 챔버(416) 사이에는 하부 챔버(412)의 내부에 설치된 코일 스프링과 상부 챔버(416)의 연결이 용이토록 하부 챔버(412)를 상하 승강 가능토록 관통할 수 있도록 형성된 연결부재(418)가 설치될 수 있다. 연결부재(418)는 핀으로 형성되어 복수 구성될 수도 있고 환형으로 형성되어 1개 구성될 수 있으며, 상부 챔버(416)에 제1홈(416a)으로부터 상측으로 연장된 제2홈(416b)에 끼움 가능토록 형성될 수 있다.The elastic member 414 may be constructed as long as it can be interposed between the upper chamber 416 and the lower chamber 412 and is preferably installed inside the circumferential surface 412a of the lower chamber 412, And can be guided to be elastically deformed only in the vertical direction by the lower chamber 412. The elastic member 414 may be made of any material or structure, for example, a coil spring, as long as it can be deformed upward and downward. A plurality of elastic members 414 may be provided along the circumferential direction of the lower chamber 412, or one elastic member 414 may be formed annularly. The lower chamber 412 may be vertically movable between the elastic member 414 and the upper chamber 416 so that the connection between the coil spring installed in the lower chamber 412 and the upper chamber 416 can pass through the lower chamber 412 A connecting member 418 may be provided. The connecting member 418 may be formed as a plurality of pins and may be formed in a plurality of annular shapes and may be constituted by a single member. The connecting member 418 may be formed as a single piece with the second groove 416b extending upward from the first groove 416a in the upper chamber 416 And can be formed to be fittable.

한편, 다른 실시 예로서, 내측 처리액 회수부(410)는 하부 챔버(412)와 상부 챔버(416)로 분할 구성되지 않고, 상부 챔버(416)처럼 탄성력에 의해 전체적으로 캡(300)의 승강에 따라 승강 가능토록 구성될 수도 있다.In another embodiment, the inner process liquid recovery unit 410 is not divided into the lower chamber 412 and the upper chamber 416, but is divided into the upper chamber 416 and the upper chamber 416 by the elastic force, It can be configured to be able to move up and down.

외측 처리액 회수부(420)는 척 승강장치에 의해 웨이퍼 척(200)이 내측 처리액 회수부(410) 상측으로 승강된 상태일 때 척 회동부(210)에 의한 웨이퍼 척(200)의 회동시 웨이퍼(100)로부터 비산되는 처리액(110)을 회수토록, 내측 처리액 회수부(410)의 외측에 웨이퍼 척(200)에 고정된 웨이퍼(100)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 외측 처리액 회수부(420)는 내측 처리액 회수부(410)의 최대 높이보다 더 높은 원통형으로 형성될 수 있으며, 웨이퍼(100) 상에 잔존하는 처리액(110)이 외부로 비산되는 것을 방지할 수 있도록 외측 처리액 회수부(420)의 상측단이 상하방향에 대하여 웨이퍼(100)를 향해 소정 각도로 경사지게 형성될 수 있다.The outer process liquid recovery unit 420 is configured to rotate the wafer chuck 200 by the chuck rotation unit 210 when the wafer chuck 200 is lifted and raised above the inner process liquid recovery unit 410 by the chuck lifting / The wafer 100 may be formed so as to surround the wafer 100 fixed to the wafer chuck 200 on the outer side of the inner process liquid recovery unit 410 to recover the treatment liquid 110 scattered from the wafer 100. The outer process liquid recovery unit 420 may be formed in a cylindrical shape that is higher than the maximum height of the inner process liquid recovery unit 410 to prevent the process liquid 110 remaining on the wafer 100 from being scattered to the outside The upper end of the outer treatment liquid recovery unit 420 may be inclined at a predetermined angle toward the wafer 100 with respect to the vertical direction.

한편, 처리액(110)은 웨이퍼(100)의 비아 홀에 전도체를 채우기 위한 여러 공정 중 어느 공정에 해당되는지에 따라 결정될 수 있으며, 예컨대 웨이퍼(100)의 비아홀에 전도체층을 형성하기 위한 구리 등의 화학요소로 이루어질 수 있다. 또한, 처리액(110)은 웨이퍼(100)의 비아홀에 전도체층을 형성하기 위한 주 처리액(110)은 물론, 주 처리액(110)에 의한 처리공정 후 웨이퍼(100)의 세정을 위해 후 처리액(110)으로서 세정액이 있을 수 있다. Meanwhile, the processing liquid 110 may be determined depending on which process among the various processes for filling the via hole of the wafer 100. For example, the processing liquid 110 may be copper or the like for forming the conductor layer in the via hole of the wafer 100 Of the chemical elements. The treatment liquid 110 is used for cleaning the wafer 100 after the treatment process by the main treatment liquid 110 as well as the main treatment liquid 110 for forming the conductor layer in the via hole of the wafer 100 The treatment liquid 110 may be a cleaning liquid.

그리고, 전도체층 형성을 위한 처리액(110)의 도금을 위해 웨이퍼(100)를 사이에 두고 제1전극과 제2전극(250)이 상하 대향 설치될 수 있다. 제1전극은 웨이퍼 척(200)에 전기를 전도할 수 있도록 설치된다. 제2전극(250)은 제1전극과 반대극 즉 양극으로 이루어질 수 있다. 제2전극(250)은 제1전극과 상하 대향 설치될 수 있도록 웨이퍼 척(200)의 상측에 구성되는데, 캡(300)에 의해 지지될 수 있도록 외측챔버에 설치될 수 있다. 특히, 제2전극(250)은 웨이퍼(100)에 대응토록 환형 스커트에 의해 둘러싸도록 설치될 수 있다. 또한, 제2전극(250)은 웨이퍼(100) 상에 공급된 처리액(110)을 교반시킬 수 있도록 캡(300)에 상하방향을 중심으로 회전 가능토록 설치될 수 있다. 즉, 캡(300), 특히 상부캡(320)의 내부에는 제2전극(250)을 회전시키기 위한 제2전극용 모터(260)가 설치되며, 제2전극(250)은 제2전극용 모터(260)의 회전축(262)에 일체로 회전되도록 결합될 수 있다. 또한, 제2전극(250)은 상부캡(300)의 내부에 설치된 전극 승강장치(270)에 의해 승강 가능토록 설치될 수 있으며, 전극 승강장치(270)는 랙, 피니언으로 구현되거나, 실린더 등 다양한 형태로 구현될 수 있으며 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. The first electrode and the second electrode 250 may be vertically opposed to each other with the wafer 100 interposed therebetween for plating the treatment liquid 110 for forming a conductor layer. The first electrode is installed so as to conduct electricity to the wafer chuck 200. The second electrode 250 may be formed of a first electrode and an opposite electrode or anode. The second electrode 250 is disposed on the upper side of the wafer chuck 200 so as to be vertically opposed to the first electrode. The second electrode 250 may be installed in the outer chamber so as to be supported by the cap 300. In particular, the second electrode 250 may be provided so as to be surrounded by the annular skirt corresponding to the wafer 100. The second electrode 250 may be installed on the cap 300 so as to be rotatable about the vertical direction so that the process liquid 110 supplied on the wafer 100 may be stirred. In other words, a second electrode motor 260 for rotating the second electrode 250 is installed inside the cap 300, particularly, the upper cap 320, and the second electrode 250 is provided inside the cap 300, May be coupled to the rotation shaft 262 of the rotation shaft 260 integrally. The second electrode 250 may be installed to be elevated by the electrode elevating device 270 installed in the upper cap 300. The electrode elevating device 270 may be implemented as a rack or a pinion, And can be implemented in various forms, and a detailed description thereof will be omitted.

도 7은 도 1의 노즐과 연결된 처리액 공급부 및 이젝터의 개념도이다.FIG. 7 is a conceptual diagram of a process liquid supply unit and an ejector connected to the nozzle of FIG. 1;

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예는 상기 노즐(360)과 결합되어, 상기 처리액을 주입하는 처리액 공급부(520)와, 상기 노즐(360)과 결합되어, 상기 처리액을 회수하는 이젝터(500)를 더 포함한다.7, the embodiment of the present invention may include a processing liquid supply unit 520 coupled to the nozzle 360 to inject the processing liquid, and a processing liquid supply unit 520 coupled to the nozzle 360, And an ejector 500 for recovering the ink.

노즐(360)은 처리액이 공급, 회수 통로를 형성하거나, 처리액의 공급, 회수를 위한 연결관(530)이 노즐(360)의 상측에 끼움 결합되거나, 연결관(530)이 상하 관통 설치될 수 있도록 상하 관통된 내부통로를 갖도록 형성될 수 있다. 연결관(530)은 유동성이 좋도록 고무 호스 등으로 이루어질 수 있으며, 노즐(360)에 끼움 결합 등에 의해 착탈될 수 있다. The nozzle 360 may be formed by connecting a connection pipe 530 for supplying and recovering the treatment liquid to the upper side of the nozzle 360 or by connecting the connection pipe 530 through the upper and lower So as to have an internal passageway penetrating through it. The connection pipe 530 may be made of a rubber hose or the like so as to have a good fluidity, and may be attached to and detached from the nozzle 360 by fitting or the like.

이젝터(500)는 처리액의 안정적 회수를 위해 특히 고속으로 유입,배출되는 압축공기에 의해 작용하는 진공방식 이젝터로 구성되는 것이 바람직하다. It is preferable that the ejector 500 is constituted by a vacuum type ejector which is operated by compressed air which flows in and out at a high speed particularly for the stable recovery of the processing liquid.

이젝터(500)는 노즐(360)을 통한 처리액의 회수를 위해 노즐(360)과 연결관(530)을 통해 연결될 수 있다. 이젝터(500)는 공급, 회수되는 처리액이 저장되는 탱크(510)와 호스 등을 통해 연결될 수 있다. The ejector 500 may be connected to the nozzle 360 through the connection pipe 530 to recover the processing solution through the nozzle 360. The ejector 500 may be connected to a tank 510 through which a process liquid to be supplied and recovered is stored, through a hose or the like.

처리액 공급부(520)는 가압 가스에 의한 압송방식으로 이루어지는 것이 보다 유리할 수 있다. 즉, 처리액 공급부(520)는 탱크(510)에 가압가스를 압송함으로써, 탱크의 처리액이 탱크(520)로부터 배출되어 공급될 수 있다. 가압 가스는 처리액과 전혀 반응하지 않도록 처리액의 화학적 특성에 따라 선택될 수 있다. 예컨대, 가압 가스는 처리액이 니켈합금인 경우, 질소가스(N2)일 수 있다. It may be more advantageous that the treatment liquid supply unit 520 is formed by a pressure feeding method using a pressurized gas. That is, the treatment liquid supply unit 520 can pressurize the pressurized gas to the tank 510, so that the treatment liquid in the tank can be discharged from the tank 520 and supplied. The pressurized gas can be selected according to the chemical characteristics of the treatment liquid so as not to react with the treatment liquid at all. For example, the pressurized gas may be nitrogen gas (N 2 ) when the treatment liquid is a nickel alloy.

아울러, 탱크(510)와 처리액 공급부(520)의 연결부분, 그리고 탱크(510)와 이젝터(500)의 연결부분에는 개폐를 위한 밸브가 구성된다. 즉, 밸브는 처리액의 공급시 탱크(510)와 처리액 공급부(520)를 연결시키고 탱크(510)와 이젝터(500) 사이를 차단시키며, 처리액의 회수시 탱크(510)와 이젝터(500)를 연결시키고 탱크(510)와 처리액 공급부(520) 사이를 차단시킬 수 있다.In addition, a valve for opening and closing is constituted at a connection portion between the tank 510 and the process liquid supply portion 520, and a connection portion between the tank 510 and the ejector 500. That is, the valve connects the tank 510 and the process liquid supply unit 520 when the process liquid is supplied and blocks the gap between the tank 510 and the ejector 500, and when the process liquid is recovered, the tank 510 and the ejector 500 And shut off the communication between the tank 510 and the process liquid supply unit 520.

이하, 본 발명의 반도체 웨이퍼(100)의 비아홀에 전도체를 채우기 위한 처리 공정을 위한 제조방법을 도 8을 참조하여 기술하면서, 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술한 제조장치에 대한 동작을 함께 기술한다.Hereinafter, a manufacturing method for a processing process for filling a via hole in a via hole of the semiconductor wafer 100 of the present invention will be described with reference to Fig. 8, and the operation for the manufacturing apparatus described above with reference to Figs. 1 to 7 will be described together do.

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 제조방법은 크게 웨이퍼(100)의 비아홀에 전도체를 채워넣기 위한 복수 공정 중 일공정으로서 주 처리액(110)에 의해 도금하기 위한 비아홀 처리공정단계와, 그 다음의 후처리단계로 이루어질 수 있다.The method of manufacturing a semiconductor wafer according to the present invention is roughly divided into a via hole treatment process step for plating with a main treatment solution 110 as one of a plurality of processes for filling a via hole of a wafer 100 with a conductor, Step < / RTI >

비아홀 처리공정단계는 다음과 같이 이루어질 수 있다.The via hole treatment process step can be accomplished as follows.

먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 캡(300)이 위로 승강된 상태에서 웨이퍼 척(200)에 웨이퍼(100)를 로딩시킨 다음(S10), 척 승강장치에 의해 웨이퍼 척(200)이 하강된 상태에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 캡(300) 승강장치에 의해 캡(300)이 웨이퍼 척(200)을 향해 하강하여 외측 처리액 회수부(420)의 내부에 삽입됨과 아울러 웨이퍼 척(200)에 고정된 웨이퍼(100)를 둘러싼다(S20). 이때, 캡(300)의 하강에 의해 내측 처리액 회수부(410)의 상부 챔버(416)는 웨이퍼 척(200)에 고정된 웨이퍼(100) 하측으로 캡(300)에 의해 눌려지며, 탄성부재(414)는 압축된다. 또한, 도 2와 같이, 밀폐립(319)이 웨이퍼(100)의 외주 상면을 밀폐하게 되어, 저수부에 처리액이 저수되어도 웨이퍼의 하면으로 처리액이 누수되는 것을 방지할 수 있다.3, the wafer 100 is loaded on the wafer chuck 200 in a state where the cap 300 is lifted up (S10), and then the wafer chuck 200 is lowered The cap 300 is lowered toward the wafer chuck 200 by the lifting device 300 of the cap 300 and inserted into the inside of the outer treatment liquid recovery part 420 as shown in FIG. (Step S20). The upper chamber 416 of the inner process liquid recovery unit 410 is pressed by the cap 300 to the lower side of the wafer 100 fixed to the wafer chuck 200 by the descent of the cap 300, (414) is compressed. Further, as shown in FIG. 2, the sealing lips 319 seal the outer peripheral upper surface of the wafer 100, so that even when the processing liquid is stored in the reservoir, it is possible to prevent the processing liquid from leaking to the lower surface of the wafer.

이처럼 캡(300)이 하강하면, 처리액의 공급 과정이 다음과 같이 이루어진다(S30). 즉, 처리액 공급부(520)가 가스를 탱크(510)에 공급하게 되고, 그 압력으로 탱크(510)에 저장된 처리액이 캡(300)에 의해 둘러싸인 웨이퍼(100) 상에 공급된다. 이때, 처리액(110)의 공급 초기에는 처리액(110)이 저수부에 일정수위까지 채워지고, 이후 외측챔버를 통해 오버플로우 배출되며, 외측챔버의 배출구를 통해 내측 처리액 회수부(410)로 배출된다. 따라서, 처리액(110)이 캡(300)의 저수부에 충분히 정체된 후 배출될 수 있기 때문에 웨이퍼(100)의 비하홀에 전도체층이 안정적으로 형성될 수 있다. 이와 아울러, 제1전극과 제2전극(250)에 각각 전원을 연결시켜 구동시킴과 아울러 제2전극(250)을 회전시킬 수 있으며, 이에 따라 제1전극과 제2전극(250)의 상호 작용 및 처리액(110)의 교반에 의해 웨이퍼(100)의 전체 면에 걸쳐 고르고 균일하게 전도체층이 도금, 형성될 수 있다.When the cap 300 descends, the process of supplying the process liquid is performed as follows (S30). That is, the process liquid supply unit 520 supplies the gas to the tank 510, and the process liquid stored in the tank 510 is supplied onto the wafer 100 surrounded by the cap 300 by the pressure. At this time, the treatment liquid 110 is filled up to a predetermined level in the initial stage of the supply of the treatment liquid 110, then overflowed through the outer chamber, and the inner treatment liquid recovery unit 410 is discharged through the discharge port of the outer chamber. . Therefore, since the treatment liquid 110 can be sufficiently stagnated in the bottom portion of the cap 300 and then discharged, the conductor layer can be stably formed in the underhole of the wafer 100. In addition, a power source is connected to the first electrode and the second electrode 250 to drive the second electrode 250, and the interaction between the first electrode and the second electrode 250 And the treatment liquid 110, the conductor layer can be plated and formed evenly and uniformly over the entire surface of the wafer 100.

웨이퍼(100)의 비아홀의 처리공정이 끝나면, 이젝터(500)를 가동하여 노즐(360)을 통해 공급된 처리액(110)을 회수하고(S40), 캡(300)을 승강시키며(S50), 척 회동장치에 의해 웨이퍼 척(200)을 저속으로 회동시킨다(S60). 이때, 캡(300)이 승강하면, 내측 처리액 회수부(410)의 상부 챔버(416)는 탄성부재(414)의 탄성 복원력에 의해 웨이퍼 척(200)에 고정된 웨이퍼(100)보다 더 높은 위치로 승강한다. 따라서, 웨이퍼 척(200) 회동시 웨이퍼(100) 상 잔존한 처리액(110)이 외측 처리액 회수부(420)로 비산되지 않고 내측 처리액 회수부(410)로만 회수될 수 있다. When the process of treating the via hole of the wafer 100 is completed, the ejector 500 is operated to recover the process liquid 110 supplied through the nozzle 360 (S40), lift the cap 300 (S50) The wafer chuck 200 is rotated at a low speed by the chuck rotation device (S60). At this time, when the cap 300 is lifted and lowered, the upper chamber 416 of the inner process liquid recovery unit 410 is higher than the wafer 100 fixed to the wafer chuck 200 by the elastic restoring force of the elastic member 414 Position. Therefore, the treatment liquid 110 remaining on the wafer 100 when the wafer chuck 200 is rotated can be recovered only to the inner treatment liquid recovery unit 410 without being scattered by the outer treatment liquid recovery unit 420.

다음, 척 승강장치에 의해 웨이퍼 척(200)을 승강시켜 웨이퍼(100)가 내측 처리액 회수부(410) 보다 높게 위치되게 한 후(S70), 웨이퍼(100)를 고속으로 회전시키면서 웨이퍼(100) 상에 세정액을 도포한다(S80). 그러면, 웨이퍼(100)의 회전에 의해 세정액이 균일하고 고르게 웨이퍼(100) 상에 도포될 수 있으며, 세정액이 원심력에 의해 웨이퍼(100)를 보다 깨끗하게 세정할 수 있다. 그리고, 웨이퍼(100) 상에 도포된 세정액이 원심력에 의해 비산되어 외측 처리액 회수부(420)로 배출될 수 있다. 따라서, 웨이퍼(100)가 세정액에 세정됨과 아울러 웨이퍼(100)의 회전 바람에 의해 신속하게 건조될 수 있다. 이와 같이, 같이, 내측 처리액 회수부(410)를 통해서는 처리액을 회수하며, 외측 처리액 회수부(420)를 통해서는 세정액을 분리하여 회수할 수 있다. 그 결과, 고가의 처리액이 세정액으로 희석되는 것을 방지할 수 있다는 장점이 있다.Next, the wafer chuck 200 is raised and lowered by the chuck lifting and lowering apparatus so that the wafer 100 is positioned higher than the inner process liquid collecting portion 410 (S70), and the wafer 100 (S80). ≪ / RTI > Then, the cleaning liquid can be uniformly and uniformly applied onto the wafer 100 by the rotation of the wafer 100, and the cleaning liquid can clean the wafer 100 more cleanly by the centrifugal force. Then, the cleaning liquid applied on the wafer 100 may be scattered by the centrifugal force and be discharged to the outside processing solution collecting part 420. Therefore, the wafer 100 can be quickly dried by the rotating wind of the wafer 100 as well as being cleaned by the cleaning liquid. Likewise, the processing liquid can be recovered through the inside processing liquid recovery section 410, and the cleaning liquid can be separated and recovered through the outside processing liquid recovery section 420. As a result, there is an advantage that an expensive processing liquid can be prevented from being diluted with the cleaning liquid.

전술한 바와 같이 웨이퍼(100)는 비아홀 처리공정 및 세정, 건조 등의 후처리가 하나의 장비에 의해 연속적으로 이루어지고 나면, 웨이퍼 척(200)으로부터 언로딩한다(S90).As described above, the wafer 100 is unloaded from the wafer chuck 200 (S90) after the via hole treatment process and the post-treatment such as cleaning and drying are continuously performed by one equipment.

상기와 같이, 밀폐립이 형성된 캡을 웨이퍼의 상면에 위치시킴으로서, 처리액을 소량만 사용해서 반응시킬 수 있어, 처리액의 사용량을 줄여줄 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼의 배면 및 장비의 다른 부분이 오염되는 것을 방지할 수 있다.As described above, by placing the cap having the sealing lips on the upper surface of the wafer, the reaction liquid can be reacted using only a small amount, so that the amount of the processing liquid used can be reduced, It is possible to prevent contamination.

또한, 웨이퍼에 잔존하는 처리액을 웨이퍼 척을 회동함으로써, 제거할 수 있어, 타 공정으로 장비의 이동없이 진행할 수 있다는 장점이 있다.Further, the treatment liquid remaining on the wafer can be removed by rotating the wafer chuck, and the wafer can be processed without moving the equipment in another step.

그리고, 처리액 공급부 및 이젝터를 구비함으로써, 처리액의 재활용 정도를 높일 수 있다는 장점도 있다.By providing the processing liquid supply unit and the ejector, there is an advantage that the degree of recycling of the processing liquid can be increased.

또한, 내측 처리액 회수부(410)를 통해서는 처리액을 회수하며, 외측 처리액 회수부(420)를 통해서는 세정액을 분리하여 회수할 수 있다. 그 결과, 고가의 처리액이 세정액으로 희석되는 것을 방지할 수 있다는 장점이 있다.In addition, the treatment liquid can be recovered through the inside treatment liquid recovery unit 410, and the cleaning liquid can be separated and recovered through the outside treatment liquid recovery unit 420. As a result, there is an advantage that an expensive processing liquid can be prevented from being diluted with the cleaning liquid.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

100; 웨이퍼 110; 처리액
200; 웨이퍼 척 210; 척 회동부
250; 전극 300; 캡
310; 하부 캡 312; 내측챔버
314; 외측챔버 320; 상부 캡
400; 처리액 회수부 410; 내측 처리액 회수부
412; 하부 챔버 414; 탄성부재
416; 상부 챔버 420; 외측 처리액 회수부100; Wafer 110; Treatment liquid
200; Wafer chuck 210; Chuck rotation
250; Electrode 300; cap
310; A lower cap 312; Inner chamber
314; Outer chamber 320; Upper cap
400; A treatment liquid recovery unit 410; The inside-
412; A lower chamber 414; Elastic member
416; Upper chamber 420; The outside-

Claims (23)

비아홀이 형성된 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척;
상기 웨이퍼 척의 상측에서 승강 가능토록 설치되어, 상기 웨이퍼의 상면 외주부를 밀폐하여 저수부를 형성하는 밀폐립이 형성된 캡;
상기 저수부에 처리액을 주입 및 회수하는 노즐;
상기 웨이퍼 척을 회동시키는 척 회동부;
상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼의 외주를 감싸도록 형성되며, 비산되는 처리액을 회수할 수 있도록 형성된 처리액 회수부; 및
상기 웨이퍼 척을 상하로 승강시키는 척 승강장치;
를 포함하고,
상기 처리액 회수부는,
상기 척 승강장치에 의한 상기 웨이퍼 척의 하강 상태일 때 상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼를 둘러싸도록 형성되어 상기 웨이퍼 상에 공급된 처리액을 회수하는 내측 처리액 회수부;
상기 척 승강장치에 의해 상기 웨이퍼 척이 상기 내측 처리액 회수부 상측으로 승강된 상태일 때 상기 척 회동부에 의한 상기 웨이퍼 척의 회동시 상기 웨이퍼로부터 비산되는 처리액을 회수토록, 상기 내측 처리액 회수부의 외측에 상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼를 둘러싸도록 형성된 외측 처리액 회수부;
를 포함하며,
상기 내측 처리액 회수부는 상기 캡의 하측에서 상기 캡의 상하 승강에 의해 상하 승강되거나 상하 길이 가변 가능토록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
A wafer chuck for holding and fixing a back surface of a wafer on which a via hole is formed;
A cap provided on an upper side of the wafer chuck so as to be able to move up and down and having a sealing lip for sealing the outer peripheral portion of the upper surface of the wafer to form a bottom portion;
A nozzle for injecting and recovering the treatment liquid into the reservoir;
A chuck rotation unit for rotating the wafer chuck;
A processing liquid recovery unit formed to surround the outer periphery of the wafer fixed to the wafer chuck and configured to recover the processing liquid to be scattered; And
A chuck lifting device for lifting the wafer chuck up and down;
Lt; / RTI >
Wherein the processing-
An inner processing liquid recovery unit formed to surround the wafer fixed to the wafer chuck when the wafer chuck is lowered by the chuck lifting and lowering apparatus and to recover the processing liquid supplied onto the wafer;
Wherein the wafer chuck is lifted up by the chuck lifting and lowering device to the upper side of the inner process liquid collecting portion to recover the treatment liquid scattered from the wafer when the wafer chuck is rotated by the chucking rotation portion, An outer process liquid recovery unit formed to surround the wafer fixed to the wafer chuck on the outer side of the wafer;
/ RTI >
Wherein the inner process liquid recovery unit is formed so that the cap can be vertically lifted or lowered by vertically lifting and lowering the cap on the lower side of the cap.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 노즐과 결합되어, 상기 처리액을 주입하는 처리액 공급부; 및
상기 노즐과 결합되어, 상기 처리액을 회수하는 이젝터;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
The method according to claim 1,
A treatment liquid supply unit coupled to the nozzle to inject the treatment liquid; And
An ejector coupled to the nozzle to recover the process liquid;
Wherein the semiconductor wafer manufacturing apparatus further comprises:
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 내측 처리액 회수부는 하부 챔버와, 상기 하부 챔버의 상측에 상하 탄성변형되는 탄성부재에 의해 상하 승강 가능토록 설치된 상부 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
The method according to claim 1,
Wherein the inner process liquid recovery unit includes a lower chamber and an upper chamber installed vertically up and down by an elastic member which is vertically resiliently deformed on the upper side of the lower chamber.
제 6 항에 있어서,
상기 탄성부재는 상기 하부 챔버의 내부에 설치되며,
상기 하부 챔버를 상하 승강 가능토록 관통하여 상기 탄성부재와 상기 상부 챔버 사이에 설치되는 연결부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
The method according to claim 6,
Wherein the elastic member is installed inside the lower chamber,
Further comprising: a connection member that penetrates through the lower chamber so as to be vertically movable, and is provided between the elastic member and the upper chamber.
제 7 항에 있어서,
상기 상부 챔버는 상기 하부 챔버가 상하 삽입 가능토록 제1홈이 형성되며, 상기 제1홈으로부터 상측으로 연장되어 상기 연결부재가 끼워지는 제2홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the upper chamber is formed with a first groove so that the lower chamber can be inserted up and down, and a second groove extending upward from the first groove and fitted with the connecting member.
제 1 항에 있어서,
상기 내측 처리액 회수부의 상측단은 상하방향에 대하여 상기 웨이퍼 척을 향해 경사진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
The method according to claim 1,
And the upper end of the inner process liquid collecting portion is inclined toward the wafer chuck with respect to the vertical direction.
제 1 항에 있어서,
상기 외측 처리액 회수부의 상측단은 상하방향에 대하여 상기 웨이퍼 척을 향해 경사진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
The method according to claim 1,
Wherein an upper end of the outer process liquid collecting portion is inclined toward the wafer chuck with respect to the vertical direction.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 캡은 상기 저수부에 저수된 처리액이 오버플로우되어 배출될 수 있도록 상기 저수부의 외주를 둘러싸는 배수부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
The method according to claim 1 or 3,
Wherein the cap includes a drain portion surrounding the outer periphery of the reservoir portion so that the processing solution stored in the reservoir portion can overflow and be discharged.
삭제delete 비아홀이 형성된 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척;
상기 웨이퍼 척의 상측에서 승강 가능토록 설치되어, 상기 웨이퍼의 상면 외주부를 밀폐하여 저수부를 형성하는 밀폐립이 형성된 캡; 및
상기 저수부에 처리액을 주입 및 회수하는 노즐;
을 포함하고,
상기 캡은 상기 저수부를 형성하며 상기 처리액이 오버플로우될 수 있도록 형성된 내측챔버; 및
상기 내측챔버의 외주를 둘러싸며 상기 내측챔버와의 사이에 오버플로우된 처리액이 회수되는 회수공간을 형성하며 상기 회수공간의 일측에 배출구가 형성된 외측챔버;
를 포함하며,
상기 내측챔버는 상기 외측챔버보다 낮게 형성되고 상측부에 상기 외측챔버의 회수공간과 연결되는 회수홀이 형성되며;
상기 캡은 상기 내측챔버와 거리를 두고 상기 내측챔버에 의해 둘러싸이며, 상기 내측챔버의 하단보다 위에 위치되고 상단이 상기 내측챔버의 상단보다 높게 위치되도록 설치된 환형의 스커트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
A wafer chuck for holding and fixing a back surface of a wafer on which a via hole is formed;
A cap provided on an upper side of the wafer chuck so as to be able to move up and down and having a sealing lip for sealing the outer peripheral portion of the upper surface of the wafer to form a bottom portion; And
A nozzle for injecting and recovering the treatment liquid into the reservoir;
/ RTI >
Wherein the cap comprises an inner chamber forming the reservoir and formed so that the process liquid can overflow; And
An outer chamber which surrounds the outer periphery of the inner chamber and forms a recovery space in which the overflowed processing liquid is recovered between the inner chamber and the inner chamber and an outlet is formed at one side of the recovery space;
/ RTI >
Wherein the inner chamber is formed lower than the outer chamber and the upper portion is formed with a recovery hole connected to the recovery space of the outer chamber;
Characterized in that the cap further comprises an annular skirt enclosed by the inner chamber at a distance from the inner chamber, the annular skirt being positioned above the lower end of the inner chamber and positioned higher than the upper end of the inner chamber A semiconductor wafer manufacturing apparatus.
제 13 항에 있어서,
상기 내측챔버의 회수홀은 상기 외측챔버 측 크기가 상기 내측챔버 측 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the recovery chamber of the inner chamber is larger in size on the side of the outer chamber than on the side of the inner chamber.
제 13 항에 있어서,
상기 내측챔버의 상측단은 내측면이 상하 수직하고, 상측으로 갈수록 뾰족하도록 외측면이 경사진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
14. The method of claim 13,
Wherein an upper end of the inner chamber is vertically and vertically vertical to the inner side, and an outer side is inclined so as to be sharp toward the upper side.
제 13 항에 있어서,
상기 내측챔버의 상측단은 둘레방향을 따라 톱니형으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
14. The method of claim 13,
And the upper end of the inner chamber is formed in a saw-tooth shape along the circumferential direction.
제 13 항에 있어서,
상기 내측챔버는 상기 회수홀보다 낮은 위치의 하측부에 상기 회수공간과 연결된 드레인 홀이 더 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the inner chamber is further formed with a drain hole connected to the collection space at a lower portion lower than the collection hole.
제 17 항에 있어서,
상기 드레인 홀은 상기 내측챔버에서 상기 외측챔버를 향해 하향 경사진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
18. The method of claim 17,
Wherein the drain hole is inclined downward from the inner chamber toward the outer chamber.
삭제delete 제 13 항에 있어서,
상기 외측챔버는 돔형으로 형성되며, 상기 환형 스커트는 상기 외측챔버에 의해 지지되고,
상기 웨이퍼 척에 설치된 제1전극 및 상기 제1전극과 상호 작용되며 회전되어 상기 처리액을 교반할 수 있도록 상기 캡에 설치된 제2전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the outer chamber is formed in a dome shape, the annular skirt is supported by the outer chamber,
Further comprising: a first electrode provided on the wafer chuck; and a second electrode provided on the cap so as to be able to rotate with the rotation of the first electrode and stir the treatment liquid.
삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020120067613A 2012-06-22 2012-06-22 Apparatus for processing semiconductor KR101390707B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120067613A KR101390707B1 (en) 2012-06-22 2012-06-22 Apparatus for processing semiconductor
PCT/KR2013/005558 WO2013191520A1 (en) 2012-06-22 2013-06-24 Apparatus for manufacturing semiconductor wafer
US14/410,190 US10090175B2 (en) 2012-06-22 2013-06-24 Apparatus for manufacturing semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120067613A KR101390707B1 (en) 2012-06-22 2012-06-22 Apparatus for processing semiconductor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140000502A KR20140000502A (en) 2014-01-03
KR101390707B1 true KR101390707B1 (en) 2014-04-30

Family

ID=50138364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120067613A KR101390707B1 (en) 2012-06-22 2012-06-22 Apparatus for processing semiconductor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101390707B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000256897A (en) * 1999-03-11 2000-09-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for plating substrate
JP2004095706A (en) 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus
JP4010791B2 (en) * 2001-08-10 2007-11-21 株式会社荏原製作所 Electroless plating apparatus and electroless plating method
KR101043229B1 (en) * 2010-10-20 2011-06-21 주식회사 티케이씨 Apparatus for electroplating substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000256897A (en) * 1999-03-11 2000-09-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for plating substrate
JP4010791B2 (en) * 2001-08-10 2007-11-21 株式会社荏原製作所 Electroless plating apparatus and electroless plating method
JP2004095706A (en) 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus
KR101043229B1 (en) * 2010-10-20 2011-06-21 주식회사 티케이씨 Apparatus for electroplating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140000502A (en) 2014-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101678251B1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP6010398B2 (en) Substrate processing equipment
JP5978071B2 (en) Substrate processing equipment
US7241372B2 (en) Plating apparatus and plating liquid removing method
US20140034094A1 (en) Methods and Apparatus for Cleaning Semiconductor Wafers
JP6934732B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
WO2013133401A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN112997277B (en) Substrate processing apparatus and cleaning method for substrate processing apparatus
CN108701604B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR101390707B1 (en) Apparatus for processing semiconductor
US6926817B2 (en) Solution processing apparatus and solution processing method
KR101536619B1 (en) Apparatus for processing semiconductor
US20080035171A1 (en) Cleaning method and cleaning apparatus for porous member
KR101375633B1 (en) Apparatus and Method for processing semiconductor
US11201067B2 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
KR20220166201A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US10090175B2 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor wafer
KR101361527B1 (en) Apparatus and Method for processing semiconductor
KR101361526B1 (en) Apparatus and Method for processing semiconductor
KR101520048B1 (en) Apparatus for processing semiconductor
KR20140001278A (en) Apparatus and method for removing air in viahole of semiconductor
KR100784789B1 (en) Apparatus and method for treating substrates
JP2002249896A (en) Liquid treating apparatus and method
KR20140015650A (en) Apparatus and method for processing semiconductor
KR101294812B1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170421

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180419

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190329

Year of fee payment: 6