JP6934732B2 - Substrate processing equipment and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

基板処理装置は、例えば、半導体などの製造工程において、ウェーハや液晶パネル等の基板に回路パターンを形成する成膜プロセスやフォトプロセスを行う。これらのプロセスにおいて、主に処理液を使用するウェットプロセスでは、枚葉式の基板処理装置が用いられ、薬液処理や洗浄処理、乾燥処理等が基板に対して行われている。枚葉式の基板処理装置では、基板の外周面を把持し、基板の表面に直交する軸を回転軸として基板を回転させ、その回転する基板の表面に処理液（例えば、エッチング液や洗浄液、純水）を供給する。 The substrate processing apparatus performs, for example, a film forming process or a photo process for forming a circuit pattern on a substrate such as a wafer or a liquid crystal panel in a manufacturing process of a semiconductor or the like. In these processes, in the wet process mainly using the treatment liquid, a single-wafer type substrate processing apparatus is used, and the chemical liquid treatment, the cleaning treatment, the drying treatment and the like are performed on the substrate. In a single-wafer processing apparatus, the outer peripheral surface of the substrate is gripped, the substrate is rotated about an axis orthogonal to the surface of the substrate as a rotation axis, and a treatment liquid (for example, an etching liquid or a cleaning liquid, etc.) is applied to the surface of the rotating substrate. Pure water) is supplied.

基板処理装置では、基板の表面に処理液を供給した後、基板の回転と共に気体を基板の表面に供給しながら乾燥処理が行われる。この乾燥処理では、基板に対向配置されて基板全面を覆うことができる大きさの遮蔽板を基板の表面に近づけ、基板と遮蔽板との間に形成される空間に気体を供給することが行われる。 In the substrate processing apparatus, after the processing liquid is supplied to the surface of the substrate, the drying process is performed while supplying gas to the surface of the substrate as the substrate rotates. In this drying process, a shielding plate of a size that is arranged facing the substrate and can cover the entire surface of the substrate is brought close to the surface of the substrate, and gas is supplied to the space formed between the substrate and the shielding plate. Be struck.

特開２０００−１３３６２５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-133625

このような装置では、基板の表面に処理液を供給して処理しているときから、遮蔽板を基板に接近した位置に位置付けるようにしている。 In such a device, the shielding plate is positioned at a position close to the substrate from the time when the processing liquid is supplied to the surface of the substrate for processing.

ところで、基板の表面に供給された処理液が、基板の表面上で液跳ねが起きることがある。この現象が生じると、基板に接近している遮蔽板の基板と対向している面に、液跳ねした処理液が付着してしまう。この処理液が付着したまま遮蔽板を乾燥処理で使用すると、遮蔽板に付着していた処理液が基板の表面に落下し、ウォーターマークが発生してしまう原因になる。先に述べた特許文献１には、この課題認識がない。 By the way, the treatment liquid supplied to the surface of the substrate may splash on the surface of the substrate. When this phenomenon occurs, the splashed treatment liquid adheres to the surface of the shielding plate that is close to the substrate and faces the substrate. If the shielding plate is used in the drying treatment with the processing liquid attached, the treatment liquid adhering to the shielding plate falls on the surface of the substrate, which causes watermarks. Patent Document 1 described above does not recognize this problem.

本発明は、処理液を用いた基板に対する処理を、良好に行なえることを目的とする。 An object of the present invention is to be able to satisfactorily perform a treatment on a substrate using a treatment liquid.

実施形態に係る基板処理装置は、基板を回転させて洗浄処理する基板処理装置において、
処理室と、
前記処理室は、
基板を保持するスピン保持機構と、
前記スピン保持機構に保持される前記基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記スピン保持機構に保持された前記基板に対向して配置され、前記基板に対して接離方向に移動する遮蔽板と、
を有し、
前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転機構と、
前記遮蔽板を昇降させる遮蔽板昇降機構と、
制御装置と、
を有し、
前記制御装置は、
前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板が搬入される際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に、前記処理液が供給されていないときに前記遮蔽板を位置づけ、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中は、前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させるように前記遮蔽板回転機構を制御し、
前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記処理液供給ノズルによって、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液を供給するように制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to the embodiment is a substrate processing apparatus that rotates a substrate to perform cleaning processing.
Processing room and
The processing room
A spin holding mechanism that holds the substrate and
A processing liquid supply nozzle that supplies the processing liquid to the substrate held by the spin holding mechanism, and
A shielding plate that is arranged to face the substrate held by the spin holding mechanism and moves in the contacting / separating direction with respect to the substrate.
Have,
A shielding plate rotating mechanism that rotates the shielding plate, and
A shielding plate elevating mechanism that elevates and elevates the shielding plate, and
Control device and
Have,
The control device is
The processing liquid is supplied to a standby position above the position where the substrate is held by the spin holding mechanism and which does not hinder the loading of the substrate when the substrate is carried into the processing chamber. When not present, the shielding plate is positioned, and while the processing liquid is being supplied by the processing liquid supply nozzle , the shielding plate rotation mechanism is controlled so as to rotate the shielding plate without moving the shielding plate from the standby position. death,
A substrate processing apparatus characterized in that, after the substrate is carried out from the processing chamber, the processing liquid supply nozzle controls the processing liquid to be supplied toward the peripheral edge of the shielding plate.

実施形態に係る基板処理装置は、基板を回転させて洗浄処理する基板処理装置において、処理室と、前記処理室は、基板を保持するスピン保持機構と、前記基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記スピン保持機構に保持された前記基板に対向して配置され、前記基板に対して接離方向に移動する遮蔽板と、前記基板の裏面に前記処理液と気体をそれぞれ供給する裏面ノズルヘッドと、を有し、前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転機構と、前記遮蔽板を昇降させる遮蔽板昇降機構と、制御装置と、を有し、前記制御装置は、 前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板が搬入される際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に、前記処理液が供給されていないときに前記遮蔽板を位置づけるとともに、前記基板の処理枚数が予め設定した第１の設定枚数に達するごとに、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中に前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させるように前記遮蔽板回転機構を制御し、前記基板の処理枚数が予め設定した第２の設定枚数に達するごとに、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記裏面ノズルヘッドにより前記遮蔽板に前記処理液と前記気体がそれぞれ供給するように制御し、前記基板の処理枚数が予め設定した第３の設定枚数に達するごとに、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記処理液供給ノズルによって、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液を供給するように制御する。
The substrate processing apparatus according to the embodiment is a substrate processing apparatus that rotates a substrate to perform cleaning processing, wherein the processing chamber has a spin holding mechanism for holding the substrate, and a processing liquid for supplying the processing liquid to the substrate. The treatment liquid and the gas are supplied to the supply nozzle, the shielding plate which is arranged to face the substrate held by the spin holding mechanism and moves in the contacting / separating direction with respect to the substrate, and the back surface of the substrate. It has a back surface nozzle head, a shielding plate rotating mechanism for rotating the shielding plate, a shielding plate elevating mechanism for raising and lowering the shielding plate, and a control device, and the control device has the spin holding mechanism. When the processing liquid is not supplied to a standby position which is above the position where the substrate is held and does not hinder the loading of the substrate when the substrate is carried into the processing chamber. Rutotomoni positioning the shielding plate, each time the number of processed the substrate reaches a first predetermined number set in advance, without moving the shield plate from the standby position into the feed of the treatment liquid by the process liquid supply nozzle wherein the shielding plate controls the shield plate rotating mechanism to rotate, each time the number of processed the substrate reaches a second predetermined number set in advance, after which the substrate is unloaded from the processing chamber, the The back surface nozzle head controls the processing liquid and the gas to be supplied to the shielding plate, respectively, and each time the number of processed sheets of the substrate reaches a preset third set number , the substrate is carried out from the processing chamber. After that, the treatment liquid supply nozzle controls to supply the treatment liquid toward the peripheral edge of the shielding plate.

実施形態に係る基板処理方法は、処理室内で基板を回転させて洗浄処理する基板処理方法において、
前記基板を前記処理室に搬入、搬出する工程と、
前記処理室に搬入された前記基板をスピン保持機構に保持させる基板保持工程と、
前記保持された前記基板に処理液供給ノズルから処理液を供給する処理液供給工程と、
を有し、
前記処理液が供給されてないときに、前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板を搬入する際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に遮蔽板を位置づけ、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中は、前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転工程と、
前記基板が前記処理室から搬出された後、前記遮蔽板に向けて、前記処理液と気体をそれぞれ供給する遮蔽板洗浄工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to the embodiment is a substrate processing method in which the substrate is rotated and cleaned in the processing chamber.
The process of loading and unloading the substrate into the processing chamber and
A substrate holding step of holding the substrate carried into the processing chamber by a spin holding mechanism, and
A processing liquid supply step of supplying the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the held substrate, and
Have,
When the processing liquid is not supplied, the standby is above the position where the substrate is held by the spin holding mechanism and does not hinder the loading of the substrate when it is carried into the processing chamber. position the shield plate in position, the treatment liquid supply of the process liquid by the supply nozzle, a shield plate rotation step of rotating the shielding plate said shielding plate without moving from the standby position,
After the substrate is carried out from the processing chamber, a shielding plate cleaning step of supplying the processing liquid and the gas to the shielding plate, respectively,
A substrate processing method comprising.

本発明の実施形態によれば、処理液を用いた基板に対する処理を、良好に行なうことが可能となる。 According to the embodiment of the present invention, it is possible to satisfactorily perform the treatment on the substrate using the treatment liquid.

第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows the schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る処理室の概略構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the processing room which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る遮蔽板の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the shielding plate which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る一連の処理動作を示す図である。It is a figure which shows the series of processing operations which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施形態に係る処理動作を示す図である。It is a figure which shows the processing operation which concerns on 2nd Embodiment. 第３の実施形態に係る処理動作を示す図である。It is a figure which shows the processing operation which concerns on 3rd Embodiment.

［第１の実施形態］
第１の実施形態について図１から図４を参照して説明する。 [First Embodiment]
The first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、基板収納ケース２と、載置台３と、搬送ロボット４と、搬送ガイドレール５と、バッファ台６と、搬送ロボット７と、搬送ガイドレール８と、処理室９と、付帯ユニット１０とを備えている。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a substrate storage case 2, a mounting table 3, a transfer robot 4, a transfer guide rail 5, a buffer table 6, and a transfer robot 7. A transport guide rail 8, a processing chamber 9, and an accessory unit 10 are provided.

基板収納ケース２は、基板Ｗ（例えば、半導体ウェーハ）を収納する容器である。この基板収納ケース２には、基板Ｗが所定間隔で１枚ずつ積層されて収納されている。 The substrate storage case 2 is a container for accommodating the substrate W (for example, a semiconductor wafer). In the substrate storage case 2, the substrates W are stacked and stored one by one at predetermined intervals.

載置台３は、基板収納ケース２を置くための台である。図１のように、複数個の基板収納ケース２を所定間隔で一列に置くことが出来る。 The mounting table 3 is a table on which the board storage case 2 is placed. As shown in FIG. 1, a plurality of board storage cases 2 can be arranged in a row at predetermined intervals.

搬送ロボット４は、複数個の基板収納ケース２が並ぶ第１の搬送方向（図１に示す矢印Ａ方向）に沿って移動するように、基板収納ケース２の列の隣に設けられている。この搬送ロボット４は、基板収納ケース２に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。そして、搬送ロボット４は、必要に応じて矢印Ａ方向に移動してバッファ台６の付近で停止し、停止場所で旋回して、基板Ｗをバッファ台６に搬送する。また、搬送ロボット４は、バッファ台６から処理済みの基板Ｗを取り出し、必要に応じて矢印Ａ方向に移動して所望の基板収納ケース２に搬送する。なお、搬送ロボット４は、旋回だけ行い、未処理の基板Ｗをバッファ台６に、あるいは、処理済みの基板Ｗを所望の基板収納ケース２に搬送するように構成する場合もある。搬送ロボットとしては、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有する、公知のロボットを用いることが可能である。 The transfer robot 4 is provided next to the row of the board storage cases 2 so as to move along the first transfer direction (direction of arrow A shown in FIG. 1) in which the plurality of board storage cases 2 are lined up. The transfer robot 4 takes out the unprocessed substrate W stored in the substrate storage case 2. Then, the transfer robot 4 moves in the direction of arrow A as necessary, stops near the buffer base 6, turns at the stop location, and conveys the substrate W to the buffer base 6. Further, the transfer robot 4 takes out the processed substrate W from the buffer base 6 and moves it in the direction of arrow A as needed to convey it to the desired substrate storage case 2. The transfer robot 4 may be configured to rotate only and transfer the unprocessed substrate W to the buffer base 6 or the processed substrate W to a desired substrate storage case 2. As the transfer robot, for example, a known robot having a robot arm, a robot hand, a moving mechanism, or the like can be used.

搬送ガイドレール５は、搬送ロボット４を矢印Ａ方向に移動させる機構である。これにより、搬送ロボット４を移動させ、各基板収納ケース２とバッファ台６との間で基板Ｗを搬送することが出来る。この搬送ガイドレール５は、例えば、ＬＭガイド（Linear Motion Guide）である。 The transfer guide rail 5 is a mechanism for moving the transfer robot 4 in the direction of arrow A. As a result, the transfer robot 4 can be moved to transfer the board W between each board storage case 2 and the buffer stand 6. The transport guide rail 5 is, for example, an LM guide (Linear Motion Guide).

バッファ台６は、搬送ロボット４が移動する搬送ガイドレール５の中央付近で、かつ載置台３とは反対側に設けられている。このバッファ台６は、搬送ロボット４と搬送ロボット７の間で基板Ｗの持ち替えをするための載置台である。 The buffer base 6 is provided near the center of the transfer guide rail 5 on which the transfer robot 4 moves, and on the side opposite to the mounting table 3. The buffer stand 6 is a mounting stand for switching the substrate W between the transfer robot 4 and the transfer robot 7.

搬送ロボット７は、バッファ台６から、搬送ロボット４の搬送方向（矢印Ａ方向）に対して直交する第２の搬送方向（図１に示す矢印Ｂ方向）に移動するように設けられている。この搬送ロボット７は、バッファ台６に置かれた基板Ｗを取り出し、必要に応じて矢印Ｂ方向に移動して所望の処理室９の付近で停止し、停止場所で旋回して基板Ｗを所望の処理室９に搬送する。また、搬送ロボット７は、処理室９から処理済みの基板Ｗを取り出し、必要に応じて矢印Ｂ方向に移動してバッファ台６付近で停止し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗをバッファ台６へ搬送する。この搬送ロボット７としては、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有する、公知のロボットを用いることが可能である。 The transfer robot 7 is provided so as to move from the buffer base 6 in a second transfer direction (direction of arrow B shown in FIG. 1) orthogonal to the transfer direction (direction of arrow A) of the transfer robot 4. The transfer robot 7 takes out the substrate W placed on the buffer base 6, moves in the direction of arrow B as necessary, stops in the vicinity of the desired processing chamber 9, and turns at the stop location to obtain the substrate W. Is transported to the processing chamber 9 of. Further, the transfer robot 7 takes out the processed substrate W from the processing chamber 9, moves in the direction of arrow B as necessary, stops near the buffer base 6, and turns at the stop location to move the processed substrate W. Transport to the buffer stand 6. As the transfer robot 7, for example, a known robot having a robot arm, a robot hand, a moving mechanism, or the like can be used.

搬送ガイドレール８は、搬送ロボット７を矢印Ｂ方向に移動させる機構である。この機構により、搬送ロボット７を移動させ、各処理室９とバッファ台６との間で基板Ｗを搬送することが出来る。この搬送ガイドレール８は、例えば、ＬＭガイド（Linear Motion Guide）である。 The transfer guide rail 8 is a mechanism for moving the transfer robot 7 in the direction of arrow B. By this mechanism, the transfer robot 7 can be moved and the substrate W can be transferred between each processing chamber 9 and the buffer base 6. The transport guide rail 8 is, for example, an LM guide (Linear Motion Guide).

処理室９は、搬送ロボット７が移動する搬送ガイドレール８の両側に、例えば、二つずつ設けられている。本実施形態において、この処理室９は、搬送ロボット７によって搬送された基板Ｗに対して、処理液を供給して基板Ｗを洗浄処理する。また、洗浄処理が完了した基板Ｗを乾燥させる乾燥処理を行う。詳しくは、後述する。 Two processing chambers 9 are provided on both sides of the transport guide rail 8 on which the transport robot 7 moves, for example. In the present embodiment, the processing chamber 9 supplies the processing liquid to the substrate W conveyed by the transfer robot 7 to clean the substrate W. In addition, a drying process is performed to dry the substrate W for which the cleaning process has been completed. Details will be described later.

付帯ユニット１０は、搬送ガイドレール８の一端で、バッファ台６の反対側、つまり基板処理装置１の端に設けられている。この付帯ユニット１０は、気液供給ユニット１０ａと制御ユニット（制御装置）１０ｂを格納している。この気液供給ユニット１０ａは、各処理室９に各種の処理液（例えば、純水やＡＰＭ：アンモニア水と過酸化水素水の混合液、ＩＰＡ：イソプロピルアルコール）や気体（例えば、窒素ガス）を供給する。制御ユニット１０ｂは、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）を具備する。この制御ユニット１０ｂは、基板処理情報や各種プログラムに基づき、搬送ロボット４、搬送ロボット７、各処理室９等の各部を制御する。 The incidental unit 10 is provided at one end of the transport guide rail 8 and on the opposite side of the buffer base 6, that is, at the end of the substrate processing device 1. The incidental unit 10 houses a gas-liquid supply unit 10a and a control unit (control device) 10b. The gas-liquid supply unit 10a supplies various treatment liquids (for example, pure water or APM: a mixture of ammonia water and hydrogen peroxide water, IPA: isopropyl alcohol) or gas (for example, nitrogen gas) to each treatment chamber 9. Supply. The control unit 10b includes a microcomputer that centrally controls each unit, and a storage unit (none of which is shown) that stores substrate processing information and various programs related to substrate processing. The control unit 10b controls each part such as the transfer robot 4, the transfer robot 7, and each processing chamber 9 based on the substrate processing information and various programs.

次に処理室９内の構成について、図２及び図３を参照して説明する。 Next, the configuration in the processing chamber 9 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

図２に示すように、処理室９は、スピン保持機構２１と、カップ体３０と、裏面ノズルヘッド４０と、第１のノズル５２と、第１のノズル移動機構５３と、第２のノズル５４と、第２のノズル移動機構５５と、遮蔽機構６０とを有する。スピン保持機構２１、カップ体３０、裏面ノズルヘッド４０、第１のノズル５２、第１のノズル移動機構５３、第２のノズル５４、第２のノズル移動機構５５、遮蔽機構６０は、処理室９内に設けられている。 As shown in FIG. 2, the processing chamber 9 includes a spin holding mechanism 21, a cup body 30, a back surface nozzle head 40, a first nozzle 52, a first nozzle moving mechanism 53, and a second nozzle 54. And a second nozzle moving mechanism 55 and a shielding mechanism 60. The spin holding mechanism 21, the cup body 30, the back surface nozzle head 40, the first nozzle 52, the first nozzle moving mechanism 53, the second nozzle 54, the second nozzle moving mechanism 55, and the shielding mechanism 60 are the processing chamber 9. It is provided inside.

処理室９は、例えば直方体形状に形成され、シャッタ（図示せず）を有する。このシャッタは、処理室９における搬送ガイドレール８側の壁面に開閉可能に形成されている。シャッタは、基板Ｗを処理室９内に搬入、若しくは処理室９から搬出する時に開閉される。なお、処理室９内には、ダウンフロー（垂直層流）によって清浄に保たれている。 The processing chamber 9 is formed in a rectangular parallelepiped shape, for example, and has a shutter (not shown). This shutter is formed on the wall surface of the processing chamber 9 on the transport guide rail 8 side so as to be openable and closable. The shutter is opened and closed when the substrate W is carried in or out of the processing chamber 9. The inside of the processing chamber 9 is kept clean by downflow (vertical laminar flow).

スピン保持機構２１は、基板Ｗを水平状態に保持し、基板Ｗの被処理面に垂直な中心軸Ｒを回転中心として、基板Ｗを回転させる機構である。スピン保持機構２１には、ベースとなる回転体２２を有している。この回転体２２の周方向には、所定間隔、例えば、６０度間隔で６つの支持ピン２３が形成される。この支持ピン２３は、基板Ｗの端面に当接して、基板Ｗをカップ体３０内で水平状態に保持する。スピン保持機構２１は、回転体２２の下部に、回転軸やモータ等を有する回転機構２４を有する。この回転機構２４により、スピン保持機構２１は、基板Ｗを水平状態で保持したまま回転させることができる。なお、スピン保持機構２１は、制御ユニット１０ｂに電気的に接続される。制御ユニット１０ｂにより、スピン保持機構２１による基板Ｗの保持や回転が制御される。 The spin holding mechanism 21 is a mechanism that holds the substrate W in a horizontal state and rotates the substrate W with the central axis R perpendicular to the surface to be processed of the substrate W as the center of rotation. The spin holding mechanism 21 has a rotating body 22 as a base. Six support pins 23 are formed at predetermined intervals, for example, at intervals of 60 degrees in the circumferential direction of the rotating body 22. The support pin 23 comes into contact with the end surface of the substrate W and holds the substrate W in a horizontal state in the cup body 30. The spin holding mechanism 21 has a rotating mechanism 24 having a rotating shaft, a motor, and the like below the rotating body 22. With this rotation mechanism 24, the spin holding mechanism 21 can rotate while holding the substrate W in a horizontal state. The spin holding mechanism 21 is electrically connected to the control unit 10b. The control unit 10b controls the holding and rotation of the substrate W by the spin holding mechanism 21.

カップ体３０は、３つの上カップ３０ａ、３０ｂ、３０ｃと、３つの下カップ３１ａ、３１ｂ、３１ｃと、底部３３とを有する。この上カップ３０ａ〜３０ｃと、下カップ３１ａ〜３１ｃは、スピン保持機構２１により保持された基板Ｗを周囲から囲むように円筒形状に形成されている。カップ体３０の上部、つまり、この上カップ３０ａ〜３０ｃは、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面（上面）全体が露出するように開口されており、その各上部の周壁は径方向の内側に向かって傾斜している。 The cup body 30 has three upper cups 30a, 30b, 30c, three lower cups 31a, 31b, 31c, and a bottom 33. The upper cups 30a to 30c and the lower cups 31a to 31c are formed in a cylindrical shape so as to surround the substrate W held by the spin holding mechanism 21 from the periphery. The upper portion of the cup body 30, that is, the upper cups 30a to 30c is opened so that the entire surface (upper surface) of the substrate W held by the spin holding mechanism 21 is exposed, and the peripheral walls of the upper portions thereof are radially oriented. It is inclined toward the inside of.

上カップ３０ａと下カップ３１ａは、スピン保持機構２１の外周に配置されている。上カップ３０ｂと下カップ３１ｂは、上カップ３０ａと下カップ３１ａの外周に配置されている。上カップ３０ｃと下カップ３１ｃは、上カップ３０ｂと下カップ３１ｂの外周に配置されている。 The upper cup 30a and the lower cup 31a are arranged on the outer periphery of the spin holding mechanism 21. The upper cup 30b and the lower cup 31b are arranged on the outer periphery of the upper cup 30a and the lower cup 31a. The upper cup 30c and the lower cup 31c are arranged on the outer periphery of the upper cup 30b and the lower cup 31b.

下カップ３１ａ〜３１ｃは、底部３３に対して垂直に固定して形成され、それぞれ対応する上カップ３０ａ〜３０ｃの下部に形成された二重構造の周壁間にスライド自在に挿入されて、ラビリンス構造を成している。上カップ３０ａ〜３０ｃは、不図示の上下移動機構によって個別に上下駆動自在になっている。また、底部３３において、下カップ３１ａによって囲まれた領域には、排出口３２ａが形成され、下カップ３１ａと下カップ３１ｂによって囲まれた領域には、排出口３２ｂが形成され、下カップ３１ｂと下カップ３１ｃによって囲まれた領域には、排出口３２ｃが形成されている。各排出口３２ａ〜３２ｃは、それぞれ排出管と排液タンク、気液分離器を介して排気ポンプ（いずれも図示せず）に接続されている。それによって、基板Ｗから飛散した処理液を、各排出口３２ａ〜３２ｃを通じて分離回収することができる。なお、上下駆動機構は、制御ユニット１０ｂに電気的に接続される。制御ユニット１０ｂにより、上カップ３０ａ〜３０ｃの上下駆動を制御する。 The lower cups 31a to 31c are formed so as to be fixed perpendicularly to the bottom portion 33, and are slidably inserted between the peripheral walls of the double structure formed in the lower part of the corresponding upper cups 30a to 30c to form a labyrinth structure. Is made up of. The upper cups 30a to 30c can be individually driven up and down by a vertically moving mechanism (not shown). Further, in the bottom portion 33, a discharge port 32a is formed in the region surrounded by the lower cup 31a, and a discharge port 32b is formed in the region surrounded by the lower cup 31a and the lower cup 31b. A discharge port 32c is formed in the region surrounded by the lower cup 31c. Each of the discharge ports 32a to 32c is connected to an exhaust pump (none of which is shown) via a drain pipe, a drain tank, and a gas-liquid separator, respectively. As a result, the processing liquid scattered from the substrate W can be separated and recovered through the discharge ports 32a to 32c. The vertical drive mechanism is electrically connected to the control unit 10b. The control unit 10b controls the vertical drive of the upper cups 30a to 30c.

裏面ノズルヘッド４０は、固定軸４１の上端に固定状態で支持される。固定軸４１は、回転機構２４を非接触で貫通して処理室９内の底部３３に固定される。固定軸４１の上端に支持される裏面ノズルヘッド４０は、回転体２２との間に隙間を有している。これにより、裏面ノズルヘッド４０は固定された状態であって、回転体２２と共には回転しない構成になっている。この裏面ノズルヘッド４０は、回転体２２の上面側に突出しており、回転体２２の上面における、裏面ノズルヘッド４０の外周部に対応する位置には、上方に向けて環状壁４２が形成されている。一方、裏面ノズルヘッド４０の外周部には、環状壁４２を内部に収容する環状溝４３が下面に開放されて形成されている。つまり、環状壁４２と環状溝４３は、ラビリンス構造を形成し、回転体２２の上面側で飛散する処理液が、固定軸４１に沿ってカップ体３０の外部に流出することを阻止できる。 The back surface nozzle head 40 is supported in a fixed state on the upper end of the fixed shaft 41. The fixed shaft 41 penetrates the rotating mechanism 24 in a non-contact manner and is fixed to the bottom portion 33 in the processing chamber 9. The back surface nozzle head 40 supported on the upper end of the fixed shaft 41 has a gap between the back surface nozzle head 40 and the rotating body 22. As a result, the back surface nozzle head 40 is in a fixed state and does not rotate together with the rotating body 22. The back surface nozzle head 40 projects toward the upper surface side of the rotating body 22, and an annular wall 42 is formed upward on the upper surface of the rotating body 22 at a position corresponding to the outer peripheral portion of the back surface nozzle head 40. There is. On the other hand, an annular groove 43 for accommodating the annular wall 42 is formed on the outer peripheral portion of the back surface nozzle head 40 so as to be open to the lower surface. That is, the annular wall 42 and the annular groove 43 form a labyrinth structure, and the treatment liquid scattered on the upper surface side of the rotating body 22 can be prevented from flowing out to the outside of the cup body 30 along the fixed shaft 41.

裏面ノズルヘッド４０は、図２に示すように、上面を開放した凹部４４が形成されている。この凹部４４は、上部から下部にいくにつれて小径となる円錐形状に形成されている。裏面ノズルヘッド４０における上面の凹部４４の周辺部は、径方向外方に向かって低く傾斜した傾斜面４５が形成されている。 As shown in FIG. 2, the back surface nozzle head 40 is formed with a recess 44 having an open upper surface. The recess 44 is formed in a conical shape with a smaller diameter from the upper part to the lower part. A peripheral portion of the concave portion 44 on the upper surface of the back surface nozzle head 40 is formed with an inclined surface 45 inclined downward in the radial direction.

凹部４４の底部には、排液部を形成する排液口４６の一端が開口している。この排液口４６は、基板Ｗの裏面に噴射された処理液が基板Ｗで反射して、凹部４４内面に滴下した処理液を排出するためのものである。排液口４６の他端には、排液管４７の一端が接続されている。排液管４７の他端は、図示しないが、各排出口３２ａ〜３２ｃと同様に、気液分離器を介して排気ポンプに接続されている。 At the bottom of the recess 44, one end of a drainage port 46 forming a drainage portion is opened. The drainage port 46 is for discharging the treatment liquid that has been sprayed onto the back surface of the substrate W and reflected by the substrate W to discharge the treatment liquid that has been dropped onto the inner surface of the recess 44. One end of the drainage pipe 47 is connected to the other end of the drainage port 46. Although not shown, the other end of the drainage pipe 47 is connected to the exhaust pump via a gas-liquid separator, similarly to the discharge ports 32a to 32c.

凹部４４の面には、下部処理液ノズル４８と、下部気体用ノズル５０とが形成されている。下部処理液ノズル４８は、処理液供給管４９の一端に接続され、下部気体用ノズル５０は、気体供給管５１の一端に接続されている。処理液供給管４９と気体供給管５１の他端は、それぞれ、気液供給ユニット１０ａに接続されている。なお、凹部４４の面に、下部処理液ノズル４８と下部気体用ノズル５０が、それぞれ複数個、所定間隔で設置されても良い。本実施形態では、２つの下部処理液ノズル４８と、２つの下部気体用ノズル５０とが、凹部４４の周方向にほぼ９０度間隔で形成されている。 A lower treatment liquid nozzle 48 and a lower gas nozzle 50 are formed on the surface of the recess 44. The lower treatment liquid nozzle 48 is connected to one end of the treatment liquid supply pipe 49, and the lower gas nozzle 50 is connected to one end of the gas supply pipe 51. The other ends of the treatment liquid supply pipe 49 and the gas supply pipe 51 are connected to the gas-liquid supply unit 10a, respectively. A plurality of lower treatment liquid nozzles 48 and a plurality of lower gas nozzles 50 may be installed on the surface of the recess 44 at predetermined intervals. In the present embodiment, the two lower treatment liquid nozzles 48 and the two lower gas nozzles 50 are formed at intervals of approximately 90 degrees in the circumferential direction of the recess 44.

下部処理液ノズル４８からは、処理液供給管４９を通じて供給される処理液Ｓ（例えば、ＡＰＭ）や処理液Ｌ（例えば、純水）が、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの裏面に向けて噴射される。下部気体用ノズル５０からは、気体供給管５１を通じて供給される気体Ｇ（例えば、窒素）が、基板の裏面に向けて噴射されるようになっている。 From the lower treatment liquid nozzle 48, the treatment liquid S (for example, APM) and the treatment liquid L (for example, pure water) supplied through the treatment liquid supply pipe 49 are placed on the back surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21. It is sprayed toward. From the lower gas nozzle 50, the gas G (for example, nitrogen) supplied through the gas supply pipe 51 is injected toward the back surface of the substrate.

下部処理液ノズル４８と下部気体用ノズル５０の噴射方向は、中心軸Ｒに対して所定の角度傾斜していて、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの略回転中心に向けて、処理液Ｓ、Ｌ、気体Ｇを噴射するようになっている。 The injection directions of the lower treatment liquid nozzle 48 and the lower gas nozzle 50 are inclined at a predetermined angle with respect to the central axis R, and the treatment liquid is directed toward the substantially rotation center of the substrate W held by the spin holding mechanism 21. S, L, and gas G are injected.

回転する基板Ｗに供給された処理液Ｓ、Ｌは、遠心力によって基板Ｗの裏面のほぼ全体に分散するとともに、基板Ｗで跳ね返った処理液のほとんどが凹部４４内に滴下するようになっている。また、気体Ｇも処理液Ｓ、Ｌと同様に、基板Ｗの裏面ほぼ全体に作用するようになっている。 The treatment liquids S and L supplied to the rotating substrate W are dispersed almost entirely on the back surface of the substrate W by centrifugal force, and most of the treatment liquid bounced off by the substrate W drops into the recess 44. There is. Further, the gas G also acts on almost the entire back surface of the substrate W like the treatment liquids S and L.

処理液Ｓ、Ｌを基板Ｗの回転中心からずれた位置に向けて噴射するようにしてもよい。同様に、気体Ｇも基板Ｗの回転中心からずれた位置に向けて噴射するようにしてもよい。処理液Ｓ、Ｌや気体Ｇの供給は、制御ユニット１０ｂによって制御される。 The treatment liquids S and L may be sprayed toward a position deviated from the rotation center of the substrate W. Similarly, the gas G may be injected toward a position deviated from the rotation center of the substrate W. The supply of the treatment liquids S and L and the gas G is controlled by the control unit 10b.

第１のノズル５２は、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面に処理液Ｌ（例えば、純水）を供給する。この第１のノズル５２は、第１のノズル移動機構５３により、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面に沿って揺動可能に構成されている。第１のノズル５２には、処理液Ｌが気液供給ユニット１０ａから配管（図示せず）を介して供給される。 The first nozzle 52 supplies the treatment liquid L (for example, pure water) to the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21. The first nozzle 52 is configured to be swingable along the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21 by the first nozzle moving mechanism 53. The processing liquid L is supplied to the first nozzle 52 from the gas-liquid supply unit 10a via a pipe (not shown).

第１のノズル移動機構５３は、回転軸やモータなどにより構成されている。例えば、第１のノズル移動機構５３は、第１のノズル５２を液供給位置と、退避位置とに移動させる。液供給位置は、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面の中央付近に対向する位置であり、退避位置は、液供給位置から退避させて基板Ｗの搬入や搬出、基板Ｗに対する乾燥処理を可能とする位置である。 The first nozzle moving mechanism 53 is composed of a rotating shaft, a motor, and the like. For example, the first nozzle moving mechanism 53 moves the first nozzle 52 to the liquid supply position and the retracted position. The liquid supply position is a position facing the center of the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21, and the evacuation position is a position where the substrate W is retracted from the liquid supply position to carry in and out the substrate W, and a drying process for the substrate W. It is a position that enables.

第２のノズル５４は、スプレーノズルである。第２のノズル５４は、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面にミスト状の処理液Ｓを供給する。この第２のノズル５４は、第２のノズル移動機構５５により、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面に沿って揺動可能に構成されている。第２のノズル５４には、処理液Ｓが気液供給ユニット１０ａから配管（図示せず）を介して供給される。 The second nozzle 54 is a spray nozzle. The second nozzle 54 supplies the mist-like processing liquid S to the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21. The second nozzle 54 is configured to be swingable along the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21 by the second nozzle moving mechanism 55. The processing liquid S is supplied to the second nozzle 54 from the gas-liquid supply unit 10a via a pipe (not shown).

第２のノズル移動機構５５は、第１のノズル移動機構５３と同様に、回転軸やモータなどにより構成されている。例えば、第２のノズル移動機構５５は、第２のノズル５４を液供給位置と、退避位置とに移動させる。第１のノズル移動機構５３と第２のノズル移動機構５５は、制御ユニット１０ｂと電気的に接続される。制御ユニット１０ｂにより、各ノズルの移動や処理液の供給動作が制御される。 Like the first nozzle moving mechanism 53, the second nozzle moving mechanism 55 is composed of a rotating shaft, a motor, and the like. For example, the second nozzle moving mechanism 55 moves the second nozzle 54 to the liquid supply position and the retracted position. The first nozzle moving mechanism 53 and the second nozzle moving mechanism 55 are electrically connected to the control unit 10b. The control unit 10b controls the movement of each nozzle and the supply operation of the processing liquid.

遮蔽機構６０は、図２及び図３に示すように、遮蔽板昇降機構６１と、アーム６２と、遮蔽板６３と、遮蔽板回転機構６４と、遮蔽板保持機構６５とを有して構成されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the shielding mechanism 60 includes a shielding plate elevating mechanism 61, an arm 62, a shielding plate 63, a shielding plate rotating mechanism 64, and a shielding plate holding mechanism 65. ing.

遮蔽板昇降機構６１は、中心軸Ｒに対して直交する方向（紙面に直交する方向）を軸とする回動部材６１ａを有する。アーム６２の一端は、回動部材６１ａに固定されている。遮蔽板昇降機構６１が回動部材６１ａを所定の角度の範囲で回動させると、アーム６２は回動部材６１ａを軸にして円弧運動する。この遮蔽板昇降機構６１は、後述するように、アーム６２を円弧運動させることで、遮蔽板６３を接離方向（上下方向）に移動させることができる。 The shielding plate elevating mechanism 61 has a rotating member 61a about a direction orthogonal to the central axis R (a direction orthogonal to the paper surface). One end of the arm 62 is fixed to the rotating member 61a. When the shielding plate elevating mechanism 61 rotates the rotating member 61a within a range of a predetermined angle, the arm 62 makes an arc movement around the rotating member 61a. As will be described later, the shield plate elevating mechanism 61 can move the shield plate 63 in the contact / separation direction (vertical direction) by moving the arm 62 in an arc.

アーム６２の他端は、接続ピン６５ａを介して遮蔽板保持機構６５に接続されている。接続ピン６５ａは、上述した回動部材６１ａと同様に、中心軸Ｒに対して直交する方向に設けられている。なお、接続ピン６５ａとアーム６２との接続部、接続ピン６５ａと遮蔽板保持機構６５との接続部には、それぞれ、回転軸受け（図示せず）が介在されていて、遮蔽板昇降機構６１の作動により、アーム６２が揺動するとき、遮蔽板６３は水平状態を維持して上下動出来るようになっている。 The other end of the arm 62 is connected to the shielding plate holding mechanism 65 via the connecting pin 65a. The connection pin 65a is provided in a direction orthogonal to the central axis R, similarly to the rotating member 61a described above. A rotary bearing (not shown) is interposed at the connection portion between the connection pin 65a and the arm 62 and the connection portion between the connection pin 65a and the shielding plate holding mechanism 65, respectively, and the shielding plate elevating mechanism 61 When the arm 62 swings due to the operation, the shielding plate 63 can move up and down while maintaining a horizontal state.

図３に示すように、遮蔽板６３は、中央に中心軸Ｑを軸とする円形のノズル開口６３ａを有する円盤状の部材である。この遮蔽板６３の直径は、例えば、基板Ｗとほぼ同径の大きさとなっている。なお、基板Ｗの大きさよりやや大きくしても良いが、本実施形態において、遮蔽板６３の直径は、基板Ｗの直径よりやや小さくしている。これは、遮蔽板６３と基板Ｗとの距離を狭めたときに、遮蔽板６３が支持ピン２３に干渉するのを防止するためである。遮蔽板６３は、遮蔽板回転機構６４の下端部にある接続プレート６４ｄにネジ（図示せず）によって固定されている。 As shown in FIG. 3, the shielding plate 63 is a disk-shaped member having a circular nozzle opening 63a centered on the central axis Q. The diameter of the shielding plate 63 is, for example, substantially the same as the diameter of the substrate W. Although it may be slightly larger than the size of the substrate W, in the present embodiment, the diameter of the shielding plate 63 is slightly smaller than the diameter of the substrate W. This is to prevent the shielding plate 63 from interfering with the support pin 23 when the distance between the shielding plate 63 and the substrate W is narrowed. The shielding plate 63 is fixed to the connection plate 64d at the lower end of the shielding plate rotating mechanism 64 by a screw (not shown).

遮蔽板回転機構６４は、回転体６４ａと、本体６４ｂと、モータ部６４ｃと、接続プレート６４ｄを有して構成されている。回転体６４ａと本体６４ｂに内部には、中心軸Ｑを中心に、断面円形の気体供給ノズル７３が形成されている。この気体供給ノズル７３の一端は、ノズル開口６３ａに連通されている。本体６４ｂの側壁側には、気体供給口７０が設けられ、気体導入路７１の一端に接続される。気体導入路７１の他端は、気体供給ノズル７３に接続され、気体供給口７０から気体Ｇが供給されると、その気体Ｇは、ノズル開口６３ａから基板Ｗに向けて供給される。また、気体供給ノズル７３の内部には、処理液Ｐ（例えば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコール）を基板Ｗの表面に噴射する処理液供給ノズル６７が、中心軸Ｑに沿って形成されている。この処理液供給ノズル６７の一端は、遮蔽板保持機構６５を貫通し、処理液導入部６６に接続される。処理液供給ノズル６７の他端は、ノズル吐出口６８を形成する。このノズル吐出口６８は、ノズル開口６３ａの中央に位置している。また、処理液供給ノズル６７は、気体供給ノズル７３とノズル開口６３ａと同様に、中心軸Ｑを軸として断面は円形状に形成されている。回転体６４ａは、上部が凸状の形状になっており、中央には、開口部６４ｆが設けられている。この凸状の形状に対応するように、本体６４ｂの下部は凹状に形成されていて、凸状部分と凹状部分の対向面間には、隙間が形成されるようになっている。本体６４ｂの中央部は、気体供給ノズル７３を囲むように形成された突出部６４ｇが設けられている。この突出部６４ｇは、開口部６４ｆに挿入される。開口部６４ｆの内周面と突出部６４ｇの外周面との間には、隙間が形成されるようになっている。この隙間には、軸受け６４ｅが設けられ、回転体６４ａは、本体６４ｂによって非接触に支持されている。この軸受け６４ｅは、例えば、回転軸受けである。 The shielding plate rotating mechanism 64 includes a rotating body 64a, a main body 64b, a motor unit 64c, and a connection plate 64d. Inside the rotating body 64a and the main body 64b, a gas supply nozzle 73 having a circular cross section is formed around the central axis Q. One end of the gas supply nozzle 73 communicates with the nozzle opening 63a. A gas supply port 70 is provided on the side wall side of the main body 64b and is connected to one end of the gas introduction path 71. The other end of the gas introduction path 71 is connected to the gas supply nozzle 73, and when the gas G is supplied from the gas supply port 70, the gas G is supplied from the nozzle opening 63a toward the substrate W. Further, inside the gas supply nozzle 73, a treatment liquid supply nozzle 67 that injects the treatment liquid P (for example, IPA: isopropyl alcohol) onto the surface of the substrate W is formed along the central axis Q. One end of the treatment liquid supply nozzle 67 penetrates the shielding plate holding mechanism 65 and is connected to the treatment liquid introduction portion 66. The other end of the processing liquid supply nozzle 67 forms a nozzle discharge port 68. The nozzle discharge port 68 is located at the center of the nozzle opening 63a. Further, the treatment liquid supply nozzle 67 has a circular cross section with the central axis Q as the axis, similarly to the gas supply nozzle 73 and the nozzle opening 63a. The rotating body 64a has a convex shape at the upper part, and an opening 64f is provided at the center. The lower part of the main body 64b is formed in a concave shape so as to correspond to this convex shape, and a gap is formed between the convex portion and the facing surface of the concave portion. The central portion of the main body 64b is provided with a protruding portion 64g formed so as to surround the gas supply nozzle 73. The protrusion 64g is inserted into the opening 64f. A gap is formed between the inner peripheral surface of the opening 64f and the outer peripheral surface of the protruding portion 64g. A bearing 64e is provided in this gap, and the rotating body 64a is non-contactly supported by the main body 64b. The bearing 64e is, for example, a rotary bearing.

開口部６４ｆの内周面と突出部６４ｇの外周面との間に形成される隙間には、モータ部６４ｃが設置されている。例えば、突出部６４ｇの外周面には、モータ部６４ｃのステータに相当する複数のコイル６４ｈが固定して設けられ、開口部６４ｆの内周面には、モータ部６４ｃの回転子に相当する永久磁石６４ｉが固定して設けられる。永久磁石６４ｉは、所定角度毎に極性が反転するようにリング状を成し、しかもコイル６４ｈに対向して配置される。したがって、コイル６４ｈに電流を流すと、永久磁石６４ｉと一体に回転体６４ａ及び遮蔽板６３が中心軸Ｑを軸に回転する。 A motor portion 64c is installed in a gap formed between the inner peripheral surface of the opening 64f and the outer peripheral surface of the protruding portion 64g. For example, a plurality of coils 64h corresponding to the stator of the motor portion 64c are fixedly provided on the outer peripheral surface of the protruding portion 64g, and a permanent magnet corresponding to the rotor of the motor portion 64c is provided on the inner peripheral surface of the opening 64f. The magnet 64i is fixedly provided. The permanent magnet 64i has a ring shape so that the polarity is reversed at each predetermined angle, and is arranged so as to face the coil 64h. Therefore, when a current is passed through the coil 64h, the rotating body 64a and the shielding plate 63 rotate about the central axis Q integrally with the permanent magnet 64i.

遮蔽板保持機構６５は、アーム６２と本体６４ｂを繋ぐ部材であり、本体６４ｂの上部に固定して設けられている。この遮蔽板保持機構６５の中央には、接続ピン６５ａが挿入できる孔（図示せず）が設けられている。 The shielding plate holding mechanism 65 is a member that connects the arm 62 and the main body 64b, and is fixedly provided on the upper portion of the main body 64b. A hole (not shown) into which the connection pin 65a can be inserted is provided in the center of the shielding plate holding mechanism 65.

遮蔽板保持機構６５の上部には、処理液導入部６６が設けられている。この処理液導入部６６の一端は、遮蔽板保持機構６５の内部を貫通する処理液供給ノズル６７に接続されている。また、処理液導入部６６の他端には、気液供給ユニット１０ａから処理液Ｐを供給する供給管（図示せず）が接続されている。遮蔽板昇降機構６１と遮蔽板回転機構６４は、制御ユニット１０ｂに電気的に接続されている。制御ユニット１０ｂにより、遮蔽板６３の昇降及び回転が制御される。 A treatment liquid introduction portion 66 is provided above the shielding plate holding mechanism 65. One end of the treatment liquid introduction portion 66 is connected to a treatment liquid supply nozzle 67 penetrating the inside of the shielding plate holding mechanism 65. Further, a supply pipe (not shown) for supplying the treatment liquid P from the gas-liquid supply unit 10a is connected to the other end of the treatment liquid introduction unit 66. The shield plate elevating mechanism 61 and the shield plate rotation mechanism 64 are electrically connected to the control unit 10b. The control unit 10b controls the elevation and rotation of the shielding plate 63.

次に、基板処理動作を説明する。まず、基板Ｗが基板収納ケース２から搬送ロボット４により取り出される。搬送ロボット４は、必要に応じて搬送ガイドレール５に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗをバッファ台６に搬入する。あるいは、搬送ロボット４は、搬送ガイドレール５に沿って移動せずに旋回だけして基板Ｗをバッファ台６に搬入する。その後、バッファ台６に搬入された基板Ｗは、搬送ロボット７により取り出される。搬送ロボット７は、必要に応じて所望の処理室９の付近まで、搬送ガイドレール８に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗを所望の処理室９に搬入する。あるいは、搬送ロボット７は、搬送ガイドレール８に沿って移動せずに旋回だけして所望の処理室９に搬入する。このとき、処理室９のシャッタは開けられている。 Next, the substrate processing operation will be described. First, the substrate W is taken out from the substrate storage case 2 by the transfer robot 4. The transfer robot 4 moves along the transfer guide rail 5 as needed, turns at the stop location, and carries the substrate W into the buffer base 6. Alternatively, the transfer robot 4 does not move along the transfer guide rail 5 but only turns to carry the substrate W into the buffer base 6. After that, the substrate W carried into the buffer stand 6 is taken out by the transfer robot 7. The transfer robot 7 moves along the transfer guide rail 8 to the vicinity of the desired processing chamber 9 as needed, turns at the stop location, and carries the substrate W into the desired processing chamber 9. Alternatively, the transfer robot 7 does not move along the transfer guide rail 8 but only turns and carries it into the desired processing chamber 9. At this time, the shutter of the processing chamber 9 is opened.

処理室９に搬入された基板Ｗは、スピン保持機構２１により保持される。このとき、図４の（ａ）に示すように、上カップ３０ａ〜３０ｃは、下降された状態となっている。また、遮蔽機構６０の遮蔽板６３は、待機位置（図４中に符号Ｔ１で示す位置）に位置づけられる。この待機位置は、図４の（ａ）に示されるように、スピン保持機構２１の上方であって、搬送ロボット７により処理室９に基板Ｗを搬入する際、基板Ｗの搬入を妨げることがない位置のことである。その後、搬送ロボット７は、処理室９から退避し、シャッタが閉じられる。 The substrate W carried into the processing chamber 9 is held by the spin holding mechanism 21. At this time, as shown in FIG. 4A, the upper cups 30a to 30c are in a lowered state. Further, the shielding plate 63 of the shielding mechanism 60 is positioned at a standby position (position indicated by reference numeral T1 in FIG. 4). As shown in FIG. 4A, this standby position is above the spin holding mechanism 21 and may hinder the loading of the substrate W when the substrate W is loaded into the processing chamber 9 by the transfer robot 7. It is a position that does not exist. After that, the transfer robot 7 evacuates from the processing chamber 9 and the shutter is closed.

次に、図４の（ｂ）に示すように、上カップ３０ｂと上カップ３０ｃは、上下駆動機構により上昇する。スピン保持機構２１により保持された基板Ｗは、回転機構２４により低速（例えば、５００ｒｐｍ）に回転する。基板Ｗの回転と同時に、第１のノズル移動機構５３より第１のノズル５２が、基板Ｗの中央まで移動する。 Next, as shown in FIG. 4B, the upper cup 30b and the upper cup 30c are raised by the vertical drive mechanism. The substrate W held by the spin holding mechanism 21 is rotated at a low speed (for example, 500 rpm) by the rotating mechanism 24. At the same time as the rotation of the substrate W, the first nozzle 52 moves from the first nozzle moving mechanism 53 to the center of the substrate W.

気体供給口７０から気体Ｇが供給され、気体供給ノズル７３から気体Ｇが噴射される。この気体Ｇは、後述するように、基板Ｗの表面に供給される処理液Ｌや処理液Ｓが、基板Ｗの表面にて液跳ねすることによって、ノズル開口６３ａやノズル吐出口６８に入り込むのを阻止するために実行される。なお、気体の噴射量としては、例えば、毎分５０リットル程度である。また後述するように、この状態での気体供給ノズル７３からの気体Ｇの供給は、図４の（ｇ）の直前、つまり、遮蔽板６３が乾燥処理位置Ｔ３に位置付けられる直前まで継続される。 The gas G is supplied from the gas supply port 70, and the gas G is injected from the gas supply nozzle 73. As will be described later, the gas G enters the nozzle opening 63a and the nozzle discharge port 68 by the treatment liquid L and the treatment liquid S supplied to the surface of the substrate W splashing on the surface of the substrate W. Is executed to prevent. The amount of gas injected is, for example, about 50 liters per minute. Further, as will be described later, the supply of the gas G from the gas supply nozzle 73 in this state is continued until immediately before (g) in FIG. 4, that is, immediately before the shielding plate 63 is positioned at the drying processing position T3.

次に、第１のノズル５２から、基板Ｗの表面の中央に処理液Ｌが供給される。これにより、基板Ｗの表面に付着したパーティクルが除去される。この処理液Ｌは、回転する基板Ｗの遠心力によって基板Ｗの外周に向かって広がり、基板Ｗの外周から飛散する。基板Ｗから飛散した処理液Ｌは、上昇した上カップ３０ｂの内周面に衝突し、この内周面に沿って排出口３２ｂに向かって流れ落ちる。流れ落ちた処理液Ｌは、排出口３２ｂに接続された排出管を通じて回収される。 Next, the processing liquid L is supplied from the first nozzle 52 to the center of the surface of the substrate W. As a result, the particles adhering to the surface of the substrate W are removed. The treatment liquid L spreads toward the outer periphery of the substrate W due to the centrifugal force of the rotating substrate W and scatters from the outer periphery of the substrate W. The processing liquid L scattered from the substrate W collides with the ascending inner peripheral surface of the upper cup 30b, and flows down toward the discharge port 32b along the inner peripheral surface. The treated liquid L that has flowed down is collected through a discharge pipe connected to the discharge port 32b.

また、基板Ｗに表面に処理液Ｌが供給されているとき、遮蔽機構６０の遮蔽板６３は、待機位置Ｔ１に位置づけられたままで、遮蔽板回転機構６４により遮蔽板６３が回転する。遮蔽板６３の回転数は、固定された回転数（例えば、５００ｒｐｍ）である。回転方向は、基板Ｗと同じ方向で回転する。この遮蔽板６３の回転により、基板Ｗの表面における処理液Ｌの液跳ねによって、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に付着した処理液Ｌの液滴を、遠心力によって振り切って除去する。遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に付着した処理液Ｌの液滴を除去することで、遮蔽板６３から基板Ｗの表面に処理液Ｌの液滴が落下することを抑制できる。また、遮蔽板６３の基板Ｗに対する面に付着した処理液Ｌの液滴をそのままにしておくと、固化してパーティクルの原因となり得るが、これも阻止できる。 Further, when the processing liquid L is supplied to the surface of the substrate W, the shielding plate 63 of the shielding mechanism 60 remains positioned at the standby position T1, and the shielding plate 63 is rotated by the shielding plate rotating mechanism 64. The rotation speed of the shielding plate 63 is a fixed rotation speed (for example, 500 rpm). The rotation direction is the same as that of the substrate W. Due to the rotation of the shielding plate 63, the liquid droplets of the processing liquid L adhering to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W are shaken off by centrifugal force and removed by the liquid splashing of the processing liquid L on the surface of the substrate W. By removing the droplets of the treatment liquid L adhering to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W, it is possible to prevent the droplets of the treatment liquid L from falling from the shielding plate 63 onto the surface of the substrate W. Further, if the droplets of the treatment liquid L adhering to the surface of the shielding plate 63 with respect to the substrate W are left as they are, they may solidify and cause particles, which can also be prevented.

また、第１のノズル５２から基板Ｗの表面に処理液Ｌが供給されると同時に、基板Ｗの裏面に向けて、下部処理液ノズル４８から処理液Ｌが供給される。これにより、基板Ｗの裏面に付着したパーティクルが除去される。基板Ｗの裏面に供給された処理液Ｌは、基板Ｗの外周に広がり、基板Ｗの裏面の外周から飛散する。この基板Ｗの裏面の外周から飛散した処理液Ｌは、上昇した上カップ３０ｂの内周面に衝突し、この内周面に沿って排出口３２ｂに向かって流れ落ちる。滴下された処理液Ｌは、排出口３２ｂに接続された排出管を通じて回収される。なお、処理液Ｌの供給時間は、予め設定された時間であって、本実施形態では、例えば、１０秒である。 Further, at the same time that the treatment liquid L is supplied from the first nozzle 52 to the front surface of the substrate W, the treatment liquid L is supplied from the lower treatment liquid nozzle 48 toward the back surface of the substrate W. As a result, the particles adhering to the back surface of the substrate W are removed. The processing liquid L supplied to the back surface of the substrate W spreads to the outer periphery of the substrate W and scatters from the outer periphery of the back surface of the substrate W. The treatment liquid L scattered from the outer periphery of the back surface of the substrate W collides with the inner peripheral surface of the raised upper cup 30b and flows down toward the discharge port 32b along the inner peripheral surface. The dropped treatment liquid L is collected through a discharge pipe connected to the discharge port 32b. The supply time of the treatment liquid L is a preset time, and in the present embodiment, it is, for example, 10 seconds.

予め設置された時間が経過すると、第１のノズル５２及び下部処理液ノズル４８からの処理液Ｌの供給が停止される。第１のノズル移動機構５３により、第１のノズル５２を退避位置に移動させる。 When the preset time elapses, the supply of the treatment liquid L from the first nozzle 52 and the lower treatment liquid nozzle 48 is stopped. The first nozzle moving mechanism 53 moves the first nozzle 52 to the retracted position.

次に、図４の（ｃ）に示すように、上カップ３０ｃが上昇したまま、上カップ３０ｂが上下駆動機構により下降される。第２のノズル移動機構５５により、第２のノズル５４が基板Ｗの中央付近まで移動される。そして、第２のノズル５４からミスト状の処理液Ｓが基板Ｗの表面に供給されると同時に、第２のノズル移動機構５５によって、第２のノズル５４が基板Ｗの中心と基板Ｗの外周の間を往復しながら揺動する。また、基板Ｗの表面にミスト状の処理液Ｓが供給されると同時に、下部処理液ノズル４８から処理液Ｓが基板Ｗの裏面に向けて供給される。なお、下部処理液ノズル４８からは、液状の処理液Ｓが供給される。この処理液Ｓによって、基板Ｗに付着する酸化物を含むパーティクルが除去される。なお、ここでの処理液Ｓの供給は、予め設定された時間であって、本実施形態では、例えば、３０秒である。 Next, as shown in FIG. 4C, the upper cup 30b is lowered by the vertical drive mechanism while the upper cup 30c is raised. The second nozzle 54 is moved to the vicinity of the center of the substrate W by the second nozzle moving mechanism 55. Then, the mist-like processing liquid S is supplied from the second nozzle 54 to the surface of the substrate W, and at the same time, the second nozzle 54 moves the second nozzle 54 to the center of the substrate W and the outer periphery of the substrate W by the second nozzle moving mechanism 55. It swings while reciprocating between. Further, at the same time that the mist-like treatment liquid S is supplied to the front surface of the substrate W, the treatment liquid S is supplied from the lower treatment liquid nozzle 48 toward the back surface of the substrate W. The liquid treatment liquid S is supplied from the lower treatment liquid nozzle 48. The treatment liquid S removes particles containing oxides adhering to the substrate W. The supply of the treatment liquid S here is a preset time, for example, 30 seconds in the present embodiment.

また、基板Ｗの表面に処理液Ｓが供給されている時も、遮蔽板６３は、待機位置Ｔ１で回転している。これにより、基板Ｗの表面に供給された処理液Ｓの液跳ねによって、遮蔽板６３の基板Ｗに対向した面に付着した処理液Ｓの液滴を、遠心力によって振り切って、除去することができる。これにより、処理液Ｓの液滴が、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面から基板Ｗの表面に落下するのを阻止することが出来る。また、遮蔽板６３の基板Ｗに対する面に付着した処理液Ｓの液滴をそのままにしておくと、固化してパーティクルの原因となり得るが、これも阻止できる。 Further, even when the processing liquid S is supplied to the surface of the substrate W, the shielding plate 63 is rotating at the standby position T1. As a result, the droplets of the treatment liquid S adhering to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W can be shaken off by centrifugal force and removed by the liquid splash of the treatment liquid S supplied to the surface of the substrate W. can. As a result, it is possible to prevent the droplets of the treatment liquid S from falling from the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W to the surface of the substrate W. Further, if the droplets of the treatment liquid S adhering to the surface of the shielding plate 63 with respect to the substrate W are left as they are, they may solidify and cause particles, which can also be prevented.

基板Ｗに供給されたミスト状の処理液Ｓは、基板Ｗの回転により基板Ｗの外周から飛散する。飛散したミスト状の処理液Ｓは、上昇した上カップ３０ｃの内周面に衝突し、この内周面に沿って排出口３２ｃに向かって滴下される。滴下されたミスト状の処理液Ｓは、排出口３２ｃを通じて回収される。また、基板Ｗの裏面に供給された処理液Ｓも、基板Ｗの裏面の外周から飛散して、上昇した上カップ３０ｃに回収される。 The mist-like processing liquid S supplied to the substrate W scatters from the outer periphery of the substrate W due to the rotation of the substrate W. The scattered mist-like treatment liquid S collides with the inner peripheral surface of the raised upper cup 30c and is dropped toward the discharge port 32c along the inner peripheral surface. The dropped mist-like treatment liquid S is collected through the discharge port 32c. Further, the processing liquid S supplied to the back surface of the substrate W also scatters from the outer periphery of the back surface of the substrate W and is collected in the raised upper cup 30c.

予め設定された時間が経過すると、第２のノズル５４からのミスト状の処理液Ｓの供給と下部処理液ノズル４８からの処理液Ｓの供給が停止される。そして、第２のノズル５４は、第２のノズル移動機構５５により退避位置に移動される。 When the preset time elapses, the supply of the mist-like treatment liquid S from the second nozzle 54 and the supply of the treatment liquid S from the lower treatment liquid nozzle 48 are stopped. Then, the second nozzle 54 is moved to the retracted position by the second nozzle moving mechanism 55.

図４の（ｄ）に示すように、上カップ３０ｂと上カップ３０ｃは、図４の（ｃ）での処理と同様に下降し、上カップ３０ｃが上昇した状態である。第１のノズル移動機構５３により、退避位置から第１のノズル５２が基板Ｗの中央に移動される。さらに、基板Ｗの回転速度が高速（例えば、１０００ｒｐｍ）に回転する。そして、第１のノズル５２から基板Ｗの表面の中央に処理液Ｌが供給されると同時に、下部処理液ノズル４８から基板Ｗの裏面に向けて処理液Ｌが供給される。これにより、前工程で処理された基板Ｗの表面に付着したミスト状の処理液Ｓと基板Ｗの裏面に付着した処理液Ｓが、処理液Ｌによって洗い流される。また、基板Ｗの回転速度が高速になることで、処理液Ｓの排出を向上させることができる。 As shown in FIG. 4 (d), the upper cup 30b and the upper cup 30c are in a state of being lowered and the upper cup 30c is raised in the same manner as in the process of FIG. 4 (c). The first nozzle moving mechanism 53 moves the first nozzle 52 from the retracted position to the center of the substrate W. Further, the rotation speed of the substrate W rotates at a high speed (for example, 1000 rpm). Then, the treatment liquid L is supplied from the first nozzle 52 to the center of the surface of the substrate W, and at the same time, the treatment liquid L is supplied from the lower treatment liquid nozzle 48 toward the back surface of the substrate W. As a result, the mist-like treatment liquid S adhering to the surface of the substrate W treated in the previous step and the treatment liquid S adhering to the back surface of the substrate W are washed away by the treatment liquid L. Further, by increasing the rotation speed of the substrate W, it is possible to improve the discharge of the processing liquid S.

この処理液Ｌは、基板Ｗの表面の外周及び基板Ｗの裏面の外周から飛散して、上カップ３０ｃの内周面に衝突し、その内周面に沿って、排出口３２ｃに向かって滴下される。そして、排出管を通じて回収される。 This treatment liquid L scatters from the outer circumference of the front surface of the substrate W and the outer circumference of the back surface of the substrate W, collides with the inner peripheral surface of the upper cup 30c, and drops toward the discharge port 32c along the inner peripheral surface thereof. Will be done. Then, it is collected through the discharge pipe.

また、遮蔽板６３の回転も待機位置Ｔ１で継続されており、基板Ｗの表面に供給されている処理液Ｌの液跳ねによって、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に付着した処理液Ｌを、除去することができる。これにより、遮蔽板６３から基板Ｗの表面に処理液Ｌの液滴が落下することを抑制できる。また、遮蔽板６３の基板Ｗに対する面に付着した処理液Ｌの液滴をそのままにしておくと、固化してパーティクルの原因となり得るが、これも阻止できる。 Further, the rotation of the shielding plate 63 is also continued at the standby position T1, and the processing liquid L adhering to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W due to the splash of the processing liquid L supplied to the surface of the substrate W. Can be removed. As a result, it is possible to prevent droplets of the treatment liquid L from falling from the shielding plate 63 onto the surface of the substrate W. Further, if the droplets of the treatment liquid L adhering to the surface of the shielding plate 63 with respect to the substrate W are left as they are, they may solidify and cause particles, which can also be prevented.

なお、この処理液Ｌの供給時間は、予め設定された時間であって、本実施形態では、１０秒である。 The supply time of the treatment liquid L is a preset time, which is 10 seconds in the present embodiment.

次に、予め設定された時間が経過すると、第１のノズル５２及び下部処理液ノズル４８からの処理液Ｌの供給が停止される。そして、第１のノズル移動機構５３により、第１のノズル５２が退避位置に移動される。 Next, when the preset time elapses, the supply of the treatment liquid L from the first nozzle 52 and the lower treatment liquid nozzle 48 is stopped. Then, the first nozzle 52 is moved to the retracted position by the first nozzle moving mechanism 53.

図４の（ｅ）に示すように、上カップ３０ａ〜３０ｂが上下駆動機構により上昇し、基板Ｗの回転速度が低速（例えば、１０ｒｐｍ）に回転する。そして、遮蔽板６３が遮蔽板昇降機構６１によって処理液供給位置（図４の（ｆ）中に符号Ｔ２で示す位置）まで下降し、基板Ｗに近接する。この下降とともに、処理液供給ノズル６７から処理液Ｐが基板Ｗの表面に供給される。処理液Ｐの供給は、図４の（ｆ）に示されるように、遮蔽板６３の下降開始と同時に開始しても良いし、下降の途中段階から始めるようにしても良い。 As shown in FIG. 4 (e), the upper cups 30a to 30b are raised by the vertical drive mechanism, and the rotation speed of the substrate W rotates at a low speed (for example, 10 rpm). Then, the shielding plate 63 is lowered to the processing liquid supply position (the position indicated by the reference numeral T2 in (f) of FIG. 4) by the shielding plate elevating mechanism 61, and approaches the substrate W. Along with this descent, the processing liquid P is supplied to the surface of the substrate W from the processing liquid supply nozzle 67. As shown in FIG. 4 (f), the supply of the treatment liquid P may be started at the same time as the descent of the shielding plate 63 is started, or may be started from the middle stage of the descent.

次に、遮蔽機構６０の下降が終了（図４の（ｆ））する。なお、遮蔽機構６０が処理液供給位置Ｔ２に位置づけられた後も、処理液Ｐの供給は、予め設定した時間内（例えば、３秒）で継続される。処理液供給位置Ｔ２は、基板Ｗの表面から遮蔽板６３までの距離が、処理液供給ノズル６７から供給される処理液Ｐが基板Ｗの表面で跳ね返っても、カップ体３０を超えて飛散しない程度の距離となる位置である。なお、処理液Ｐを供給している間も気体供給ノズル７３から気体Ｇの供給が継続される。 Next, the lowering of the shielding mechanism 60 is completed ((f) in FIG. 4). Even after the shielding mechanism 60 is positioned at the processing liquid supply position T2, the supply of the processing liquid P is continued within a preset time (for example, 3 seconds). The treatment liquid supply position T2 does not scatter beyond the cup body 30 even if the distance from the surface of the substrate W to the shielding plate 63 is such that the treatment liquid P supplied from the treatment liquid supply nozzle 67 bounces off the surface of the substrate W. It is a position that is about a distance. The gas G is continuously supplied from the gas supply nozzle 73 while the treatment liquid P is being supplied.

基板Ｗに供給された処理液Ｐは、前工程で基板Ｗの表面に供給された処理液Ｌを押し流す。そして、基板Ｗの表面は、処理液Ｌから処理液Ｐに置換される。このとき、押し流された処理液Ｌとともに、供給された処理液Ｐは、回転する基板Ｗの遠心力により、基板Ｗの表面の外周から飛散し、上カップ３０ａの内周面に衝突し、上カップ３０ａの内周面に沿って、排出口３２ａに向けて滴下される。そして、排出管を通じて回収される。 The processing liquid P supplied to the substrate W flushes the processing liquid L supplied to the surface of the substrate W in the previous step. Then, the surface of the substrate W is replaced with the treatment liquid P from the treatment liquid L. At this time, the treated liquid P supplied together with the treated liquid L that has been swept away scatters from the outer periphery of the surface of the substrate W due to the centrifugal force of the rotating substrate W, collides with the inner peripheral surface of the upper cup 30a, and is above. Along the inner peripheral surface of the cup 30a, the liquid is dropped toward the discharge port 32a. Then, it is collected through the discharge pipe.

処理液供給位置Ｔ２においての処理液Ｐの供給が終了すると、図４の（ｇ）に示すように、遮蔽板６３は、乾燥処理位置（図４中に符号Ｔ３で示す位置）まで下降し、さらに基板Ｗに近接する。遮蔽板６３が乾燥処理位置Ｔ３に位置づけられると、気体供給ノズル７３から吐出される気体Ｇの流量が増量（例えば、毎分２５０リットル）し、遮蔽板６３と基板Ｗとの間の空間を気体Ｇで満たす。これにより、基板Ｗの表面付近の空気を少なくすることができるので、基板Ｗの表面付近におけるウォータマークの発生の原因となる酸素を遮断することができる。このときの基板Ｗの回転は、高速（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転する。これによって、基板Ｗの表面に存在する処理液Ｐが、高速回転により基板Ｗにかかる遠心力で振り切られる。このように基板Ｗの乾燥処理が実行される。基板Ｗの周辺から上カップ３０ａの内周面へ飛散した処理液Ｐは、上カップ３０ａの内周面に沿って、排出口３２ａに向けて滴下される。そして、排気管を通じて回収される。また、基板Ｗの表面に気体Ｇが供給されると同時に、基板Ｗの裏面に向けて、下部気体用ノズル５０から気体Ｇが供給される。乾燥処理は、予め設定された時間内で行われ、例えば、１０秒である。 When the supply of the treatment liquid P at the treatment liquid supply position T2 is completed, the shielding plate 63 descends to the drying treatment position (position indicated by reference numeral T3 in FIG. 4) as shown in FIG. 4 (g). Further, it is close to the substrate W. When the shielding plate 63 is positioned at the drying processing position T3, the flow rate of the gas G discharged from the gas supply nozzle 73 increases (for example, 250 liters per minute), and the space between the shielding plate 63 and the substrate W is filled with gas. Fill with G. As a result, the amount of air near the surface of the substrate W can be reduced, so that oxygen that causes the generation of watermarks near the surface of the substrate W can be blocked. The rotation of the substrate W at this time rotates at a high speed (for example, 1000 rpm). As a result, the processing liquid P existing on the surface of the substrate W is shaken off by the centrifugal force applied to the substrate W by high-speed rotation. In this way, the drying process of the substrate W is executed. The treatment liquid P scattered from the periphery of the substrate W to the inner peripheral surface of the upper cup 30a is dropped toward the discharge port 32a along the inner peripheral surface of the upper cup 30a. Then, it is collected through the exhaust pipe. Further, at the same time that the gas G is supplied to the front surface of the substrate W, the gas G is supplied from the lower gas nozzle 50 toward the back surface of the substrate W. The drying process is carried out within a preset time, for example, 10 seconds.

次に、設定された乾燥処理の時間が経過すると、基板Ｗの回転及び遮蔽板６３の回転が停止され、気体Ｇの供給も停止される。そして、図４の（ｈ）に示すように、上カップ３０ａ〜３０ｃが上下駆動機構により下降し、遮蔽板６３が遮蔽板昇降機構６１により、待機位置Ｔ１まで上昇する。 Next, when the set drying treatment time elapses, the rotation of the substrate W and the rotation of the shielding plate 63 are stopped, and the supply of the gas G is also stopped. Then, as shown in FIG. 4H, the upper cups 30a to 30c are lowered by the vertical drive mechanism, and the shield plate 63 is raised to the standby position T1 by the shield plate elevating mechanism 61.

次に、図４の（ｉ）に示すように、基板Ｗが支持ピン２３による保持が開放され、搬送ロボット７によって、処理室９から搬出される。 Next, as shown in FIG. 4 (i), the substrate W is released from being held by the support pin 23, and is carried out from the processing chamber 9 by the transfer robot 7.

以上説明したように、第１の実施形態によれば、基板Ｗの表面に処理液Ｌ及び処理液Ｓを供給しているとき、待機位置Ｔ１において、遮蔽機構６０の遮蔽板６３を回転させるようにした。これにより、基板Ｗの表面に供給された処理液Ｌ及び処理液Ｓが、基板Ｗの表面上での液跳ねにより液滴となって遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に付着しても、遮蔽板６３の回転による遠心力によって、遮蔽板６３が処理液供給位置Ｔ２に下降する前段階で、吹き飛ばして除去することができる。したがって、乾燥処理のために遮蔽板６３を基板Ｗに近接する時、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面から基板Ｗの表面に処理液Ｌや処理液Ｓの液滴が落下して付着することを抑制できるので、基板Ｗの品質不良を抑えることが出来る。特に、基板Ｗの被処理面におけるウォーターマークの発生を防止することが出来る。これにより、処理液を用いた基板に対する処理を、良好に行なえることができる。 As described above, according to the first embodiment, when the treatment liquid L and the treatment liquid S are supplied to the surface of the substrate W, the shielding plate 63 of the shielding mechanism 60 is rotated at the standby position T1. I made it. As a result, even if the treatment liquid L and the treatment liquid S supplied to the surface of the substrate W become droplets due to the liquid splashing on the surface of the substrate W and adhere to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W. By the centrifugal force due to the rotation of the shielding plate 63, the shielding plate 63 can be blown off and removed before the shielding plate 63 descends to the treatment liquid supply position T2. Therefore, when the shielding plate 63 is brought close to the substrate W for the drying treatment, droplets of the treatment liquid L or the treatment liquid S fall and adhere to the surface of the substrate W from the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W. Since this can be suppressed, the quality defect of the substrate W can be suppressed. In particular, it is possible to prevent the occurrence of watermarks on the surface to be processed of the substrate W. As a result, it is possible to satisfactorily perform the treatment on the substrate using the treatment liquid.

また、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に処理液ＬやＳが付着していない状態で、処理液供給ノズル６７から処理液Ｐ（ＩＰＡ等）が供給される。従って、基板Ｗ上の処理液Ｌを効率よくＩＰＡ等の処理液Ｐに置換処理することができる。 Further, the processing liquid P (IPA or the like) is supplied from the processing liquid supply nozzle 67 in a state where the processing liquid L or S does not adhere to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W. Therefore, the treatment liquid L on the substrate W can be efficiently replaced with the treatment liquid P such as IPA.

なお、乾燥処理のために遮蔽板６３を基板Ｗに接近させる時、遮蔽板６３の回転を停止しても良い。
［第２の実施形態］
第２の実施形態について図５を参照して説明する。 When the shielding plate 63 is brought close to the substrate W for the drying process, the rotation of the shielding plate 63 may be stopped.
[Second Embodiment]
The second embodiment will be described with reference to FIG.

図５の（ａ）〜（ｅ）に示すのは、遮蔽板６３を洗浄する遮蔽板洗浄工程である。この工程は、基板Ｗの処理が完了し、処理室９から基板Ｗが搬出された後であって、未処理の基板Ｗが処理室９に搬入される前までに行われる。この洗浄板洗浄工程を実施する装置としては、第１の実施形態と同じものを使用することができる。 (A) to (e) of FIG. 5 are a shielding plate cleaning step for cleaning the shielding plate 63. This step is performed after the processing of the substrate W is completed and the substrate W is carried out from the processing chamber 9 and before the untreated substrate W is carried into the processing chamber 9. As an apparatus for carrying out this cleaning plate cleaning step, the same apparatus as in the first embodiment can be used.

図５の（ａ）に示すのは、基板Ｗの処理が完了し、上カップ３０ａ〜３０ｃが下降し、遮蔽板６３が待機位置Ｔ１まで上昇し、基板Ｗが搬出される様子である（図４の（ｉ）に示した状態と同じ状態）。 FIG. 5A shows a state in which the processing of the substrate W is completed, the upper cups 30a to 30c are lowered, the shielding plate 63 is raised to the standby position T1, and the substrate W is carried out (FIG. 5). The same state as shown in (i) of 4).

基板Ｗが搬出された後、図５の（ｂ）に示すように、遮蔽板６３が乾燥処理位置Ｔ３まで下降される。その後、図５の（ｃ）に示すように、遮蔽板６３とスピン保持機構２１が回転する。ここで、上カップ３０ａ〜３０ｃが上下動機構に上昇する。下部処理液ノズル４８から、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面（下面）に向けて処理液Ｌが供給される。遮蔽板６３に供給された処理液Ｌは、遮蔽板６３の回転による遠心力により、遮蔽板６３の外周から上カップ３０ａの内周面に飛散し、回収される。 After the substrate W is carried out, the shielding plate 63 is lowered to the drying processing position T3 as shown in FIG. 5B. After that, as shown in FIG. 5C, the shielding plate 63 and the spin holding mechanism 21 rotate. Here, the upper cups 30a to 30c rise to the vertical movement mechanism. The treatment liquid L is supplied from the lower treatment liquid nozzle 48 toward the surface (lower surface) of the shielding plate 63 facing the substrate W. The treatment liquid L supplied to the shielding plate 63 is scattered from the outer periphery of the shielding plate 63 to the inner peripheral surface of the upper cup 30a by the centrifugal force due to the rotation of the shielding plate 63, and is recovered.

下部処理液ノズル４８からの処理液Ｌの供給が終了すると、図５の（ｄ）に示すように、下部気体用ノズル５０から気体Ｇが遮蔽板６３の下面に向けて供給される。そして、遮蔽板６３の下面に付着した処理液Ｌが、遮蔽板６３の回転と気体Ｇの供給により除去される。これにより、遮蔽板６３の下面を乾燥することが出来る。 When the supply of the treatment liquid L from the lower treatment liquid nozzle 48 is completed, the gas G is supplied from the lower gas nozzle 50 toward the lower surface of the shielding plate 63 as shown in FIG. 5D. Then, the treatment liquid L adhering to the lower surface of the shielding plate 63 is removed by the rotation of the shielding plate 63 and the supply of the gas G. As a result, the lower surface of the shielding plate 63 can be dried.

下部気体用ノズル５０からの気体Ｇの供給が終了すると、図５の（ｅ）に示すように、遮蔽板６３及びスピン保持機構２１の回転が停止する。さらに、遮蔽板６３が待機位置Ｔ１まで上昇し、上カップ３０ａ〜３０ｃが下降する。 When the supply of the gas G from the lower gas nozzle 50 is completed, the rotation of the shielding plate 63 and the spin holding mechanism 21 is stopped as shown in FIG. 5 (e). Further, the shielding plate 63 rises to the standby position T1, and the upper cups 30a to 30c descend.

以上説明したように、基板Ｗが処理室９から搬出された後、遮蔽板６３の下面が洗浄、乾燥される。これにより、第１の実施形態と同様な効果を有する。さらに、基板Ｗを処理している間に遮蔽板６３の下面に付着した各処理液の液滴を、洗浄して除去するようにしたので、遮蔽板６３の洗浄度を向上させることができ、処理液を用いた基板に対する処理を、さらに良好に行なえる。 As described above, after the substrate W is carried out from the processing chamber 9, the lower surface of the shielding plate 63 is washed and dried. This has the same effect as that of the first embodiment. Further, since the droplets of each treatment liquid adhering to the lower surface of the shielding plate 63 during the processing of the substrate W are cleaned and removed, the degree of cleaning of the shielding plate 63 can be improved. The treatment of the substrate using the treatment liquid can be performed even better.

また、本実施形態において、遮蔽板６３の下面の洗浄処理と乾燥処理では、基板Ｗの裏面処理に用いられる、下部処理液ノズル４８と下部気体用ノズル５０を兼用している。これにより、遮蔽板６３の洗浄や乾燥のために専用装置を設ける必要がないから、基板処理装置１の大型化を防止できる。 Further, in the present embodiment, in the cleaning treatment and the drying treatment of the lower surface of the shielding plate 63, the lower treatment liquid nozzle 48 and the lower gas nozzle 50 used for the back surface treatment of the substrate W are used in combination. As a result, it is not necessary to provide a dedicated device for cleaning and drying the shielding plate 63, so that it is possible to prevent the substrate processing device 1 from becoming large in size.

なお、遮蔽板６３を洗浄する工程は、基板Ｗの搬出ごとに実行するのではなく、所定枚数の基板を処理した後に実行しても良い。
［第３の実施形態］
第３の実施形態について、図６を参照して説明する。なお、第３の実施形態は、第２の実施形態との相違点について説明し、その他の説明を省略する。 The step of cleaning the shielding plate 63 may not be executed every time the substrate W is carried out, but may be executed after processing a predetermined number of substrates.
[Third Embodiment]
A third embodiment will be described with reference to FIG. The third embodiment will explain the differences from the second embodiment, and other description will be omitted.

図６の（ａ）〜（ｅ）は、第２の実施形態で説明した、遮蔽板６３を洗浄する工程に相当する。なお、第２の実施形態との違いは、図６の（ｃ）における工程において、遮蔽板６３の周縁における側面部の洗浄処理を追加していることである。 6 (a) to 6 (e) correspond to the steps of cleaning the shielding plate 63 described in the second embodiment. The difference from the second embodiment is that in the step of FIG. 6C, a cleaning process of a side surface portion on the peripheral edge of the shielding plate 63 is added.

図６の（ｃ）に示すように、遮蔽板６３の基板に対向する面（下面）に下部処理液ノズル４８から処理液Ｌが供給される際、制御ユニットは１０ｂは、第１のノズル５２が第１のノズル移動機構５３により、遮蔽板６３の周縁の上方に位置されるように制御する。そして、第１のノズル５２から処理液Ｌが、遮蔽板６３の周縁に向けて供給され、遮蔽板６３の周縁部分にあたる側面部が処理液Ｌにより洗浄される。 As shown in FIG. 6C, when the treatment liquid L is supplied from the lower treatment liquid nozzle 48 to the surface (lower surface) of the shielding plate 63 facing the substrate, the control unit 10b is set to the first nozzle 52. Is controlled by the first nozzle moving mechanism 53 so as to be located above the peripheral edge of the shielding plate 63. Then, the treatment liquid L is supplied from the first nozzle 52 toward the peripheral edge of the shielding plate 63, and the side surface portion corresponding to the peripheral edge portion of the shielding plate 63 is washed by the processing liquid L.

以上説明したように、第３の実施形態によれば、第２の実施形態と同様な効果を有する。さらに、処理液Ｌにより、遮蔽板６３の下面だけでなく、側面部も洗浄するようにしている。各処理液の液滴を遮蔽板６３に付着したままにすると、付着した各処理液の液滴の堆積物が析出して、基板Ｗの表面に落下することもある。本実施形態において、遮蔽板６３の側面部を洗浄することで、処理液やＩＰＡ等の堆積物の生成を抑制することができるので、基板Ｗの汚染等による製品不良の発生を抑えることができる。 As described above, according to the third embodiment, it has the same effect as that of the second embodiment. Further, not only the lower surface of the shielding plate 63 but also the side surface portion is cleaned by the treatment liquid L. If the droplets of each treatment liquid are left attached to the shielding plate 63, deposits of the adhered droplets of each treatment liquid may precipitate and fall on the surface of the substrate W. In the present embodiment, by cleaning the side surface portion of the shielding plate 63, it is possible to suppress the formation of deposits such as a treatment liquid and IPA, so that it is possible to suppress the occurrence of product defects due to contamination of the substrate W and the like. ..

また、本実施形態において、遮蔽板６３の側面部の洗浄処理では、基板Ｗの表面処理に用いられる第１のノズル５２を兼用している。これにより、遮蔽板６３の側面部の洗浄を行なう場合でも、基板理装置１の大型化を防止できる。 Further, in the present embodiment, in the cleaning treatment of the side surface portion of the shielding plate 63, the first nozzle 52 used for the surface treatment of the substrate W is also used. As a result, even when cleaning the side surface portion of the shielding plate 63, it is possible to prevent the substrate management device 1 from becoming large in size.

なお、第３の実施形態は、所定枚数の基板を処理した後に実行される。また、第１のノズル５２が遮蔽板６３の周縁の上方に位置して処理液Ｌを供給するだけでなく、第１のノズル５２を揺動させて、遮蔽板６３の上面を洗浄することも可能である。 The third embodiment is executed after processing a predetermined number of substrates. Further, not only the first nozzle 52 is located above the peripheral edge of the shielding plate 63 to supply the processing liquid L, but also the first nozzle 52 can be swung to clean the upper surface of the shielding plate 63. It is possible.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない程度で、様々な省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although some embodiments of the present invention have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other embodiments, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

例えば、第１の実施形態と第２の実施形態と第３の実施形態３とを組み合わせるようにしても良い。この場合、複数枚の基板Ｗの処理を継続的に行なう場合において、第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態のそれぞれを実行する基板Ｗの処理枚数（設定枚数）を、制御ユニット１０ｂの記憶部に予め設定しておく。そして、制御ユニット１０ｂは、基板Ｗの処理枚数がその設定された枚数に達したことを条件に、各実施形態の動作を実行させる。具体的には、１枚の基板Ｗの処理を行なうたびに第１の実施形態を実施し、第２の実施形態は１０枚ごと、第３の実施形態は１ロット毎に行なうといった態様である。３つの実施形態をすべて組み合わせるのでなく、第１の実施形態と第２の実施形態との組み合わせ、第１の実施形態と第３の実施形態との組み合わせとしても良い。また、設定枚数がゼロとは、実施しないことを意味する。 For example, the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment may be combined. In this case, when processing a plurality of substrates W continuously, the number of processed substrates W (set number) for executing each of the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment is set. , Set in advance in the storage unit of the control unit 10b. Then, the control unit 10b executes the operation of each embodiment on the condition that the number of processed sheets of the substrate W reaches the set number of sheets. Specifically, the first embodiment is carried out every time one substrate W is processed, the second embodiment is carried out every 10 sheets, and the third embodiment is carried out every one lot. .. Instead of combining all three embodiments, a combination of the first embodiment and the second embodiment, or a combination of the first embodiment and the third embodiment may be used. Moreover, when the set number of sheets is zero, it means that it is not carried out.

１…基板処理装置、２１…スピン保持機構、３０…カップ体、４０…裏面ノズルヘッド、５２…第１のノズル、５４…第２のノズル、６０…遮蔽機構、６１…遮蔽板昇降機構、６２…アーム、６３…遮蔽板、６３ａ…ノズル開口、６４…遮蔽板回転機構、６５…遮蔽板保持機構、Ｌ…処理液、Ｐ…処理液、Ｓ…処理液、Ｗ…基板。 1 ... Substrate processing device, 21 ... Spin holding mechanism, 30 ... Cup body, 40 ... Backside nozzle head, 52 ... First nozzle, 54 ... Second nozzle, 60 ... Shielding mechanism, 61 ... Shielding plate elevating mechanism, 62 ... Arm, 63 ... Shielding plate, 63a ... Nozzle opening, 64 ... Shielding plate rotation mechanism, 65 ... Shielding plate holding mechanism, L ... Treatment liquid, P ... Treatment liquid, S ... Treatment liquid, W ... Substrate.

Claims (8)

基板を回転させて洗浄処理する基板処理装置において、
処理室と、
前記処理室は、
基板を保持するスピン保持機構と、
前記スピン保持機構に保持される前記基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記スピン保持機構に保持された前記基板に対向して配置され、前記基板に対して接離方向に移動する遮蔽板と、
を有し、
前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転機構と、
前記遮蔽板を昇降させる遮蔽板昇降機構と、
制御装置と、
を有し、
前記制御装置は、
前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板が搬入される際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に、前記処理液が供給されていないときに前記遮蔽板を位置づけ、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中は、前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させるように前記遮蔽板回転機構を制御し、
前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記処理液供給ノズルによって、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液を供給するように制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing device that rotates a substrate for cleaning processing
Processing room and
The processing room
A spin holding mechanism that holds the substrate and
A processing liquid supply nozzle that supplies the processing liquid to the substrate held by the spin holding mechanism, and
A shielding plate that is arranged to face the substrate held by the spin holding mechanism and moves in the contacting / separating direction with respect to the substrate.
Have,
A shielding plate rotating mechanism that rotates the shielding plate, and
A shielding plate elevating mechanism that elevates and elevates the shielding plate, and
Control device and
Have,
The control device is
The processing liquid is supplied to a standby position above the position where the substrate is held by the spin holding mechanism and which does not hinder the loading of the substrate when the substrate is carried into the processing chamber. When not present, the shielding plate is positioned, and while the processing liquid is being supplied by the processing liquid supply nozzle , the shielding plate rotation mechanism is controlled so as to rotate the shielding plate without moving the shielding plate from the standby position. death,
A substrate processing apparatus characterized in that, after the substrate is carried out from the processing chamber, the processing liquid supply nozzle controls the processing liquid to be supplied toward the peripheral edge of the shielding plate. 前記遮蔽板は、前記基板に気体を供給する気体供給ノズルを有し、
さらに前記制御装置は、前記処理液による前記基板の処理が行われている間、前記気体を前記気体供給ノズルから吐出させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 The shielding plate has a gas supply nozzle that supplies gas to the substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control device discharges the gas from the gas supply nozzle while the substrate is being treated with the processing liquid. さらに前記制御装置は、前記基板を乾燥させる際に、前記待機位置より下方であって、前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置に近接した乾燥処理位置に前記遮蔽板を位置づけて、
前記気体供給ノズルから吐出させる前記気体の流量は、前記遮蔽板を前記待機位置に位置づけて前記気体供給ノズルから吐出させる前記気体の流量より前記乾燥処理位置の方を増量させることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。 Further, when the substrate is dried, the control device positions the shielding plate at a drying processing position below the standby position and close to a position where the substrate is held by the spin holding mechanism.
The flow rate of the gas discharged from the gas supply nozzle is characterized in that the shielding plate is positioned at the standby position and the drying processing position is increased from the flow rate of the gas discharged from the gas supply nozzle. Item 2. The substrate processing apparatus according to Item 2. 前記基板の裏面に前記処理液と気体をそれぞれ供給する裏面ノズルヘッドが設けられ、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記裏面ノズルヘッドにより前記遮蔽板に前記処理液と前記気体がそれぞれ供給されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。 A back surface nozzle head for supplying the treatment liquid and the gas is provided on the back surface of the substrate, and after the substrate is carried out from the processing chamber, the treatment liquid and the gas are respectively supplied to the shielding plate by the back surface nozzle head. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate processing apparatus is supplied. 基板を回転させて洗浄処理する基板処理装置において
処理室と、
前記処理室は、
基板を保持するスピン保持機構と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記スピン保持機構に保持された前記基板に対向して配置され、前記基板に対して接離方向に移動する遮蔽板と、
前記基板の裏面に前記処理液と気体をそれぞれ供給する裏面ノズルヘッドと、
を有し、
前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転機構と、
前記遮蔽板を昇降させる遮蔽板昇降機構と、
制御装置と、
を有し、
前記制御装置は、
前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板が搬入される際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に、前記処理液が供給されていないときに前記遮蔽板を位置づけるとともに、前記基板の処理枚数が予め設定した第１の設定枚数に達するごとに、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中に前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させるように前記遮蔽板回転機構を制御し、
前記基板の処理枚数が予め設定した第２の設定枚数に達するごとに、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記裏面ノズルヘッドにより前記遮蔽板に前記処理液と前記気体がそれぞれ供給するように制御し、
前記基板の処理枚数が予め設定した第３の設定枚数に達するごとに、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記処理液供給ノズルによって、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液を供給するように制御することを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus that rotates a substrate to perform cleaning processing, a processing chamber and
The processing room
A spin holding mechanism that holds the substrate and
A processing liquid supply nozzle that supplies the processing liquid to the substrate, and
A shielding plate that is arranged to face the substrate held by the spin holding mechanism and moves in the contacting / separating direction with respect to the substrate.
A back surface nozzle head that supplies the treatment liquid and gas to the back surface of the substrate, respectively.
Have,
A shielding plate rotating mechanism that rotates the shielding plate, and
A shielding plate elevating mechanism that elevates and elevates the shielding plate, and
Control device and
Have,
The control device is
The processing liquid is supplied to a standby position above the position where the substrate is held by the spin holding mechanism and which does not hinder the loading of the substrate when the substrate is carried into the processing chamber. When there is no such shielding plate, the shielding plate is positioned, and each time the number of processed sheets of the substrate reaches a preset first set number of sheets, the shielding plate is moved from the standby position while the processing liquid is being supplied by the processing liquid supply nozzle. The shield plate rotation mechanism is controlled so as to rotate the shield plate without moving it.
Each time the number of processed substrates reaches a preset second set number, the treated liquid and the gas are supplied to the shielding plate by the back surface nozzle head after the substrates are carried out from the processing chamber. Control and
Every time the number of processed substrates reaches a preset third set number of sheets, after the substrate is carried out from the processing chamber, the processing liquid is supplied toward the peripheral edge of the shielding plate by the processing liquid supply nozzle. A substrate processing apparatus characterized in that it is controlled to supply. 処理室内で基板を回転させて洗浄処理する基板処理方法において、
前記基板を前記処理室に搬入、搬出する工程と、
前記処理室に搬入された前記基板をスピン保持機構に保持させる基板保持工程と、
前記保持された前記基板に処理液供給ノズルから処理液を供給する処理液供給工程と、
を有し、
前記処理液が供給されてないときに、前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板を搬入する際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に遮蔽板を位置づけ、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中は、前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転工程と、
前記基板が前記処理室から搬出された後、前記遮蔽板に向けて、前記処理液と気体をそれぞれ供給する遮蔽板洗浄工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 In the substrate processing method in which the substrate is rotated and cleaned in the processing chamber,
The process of loading and unloading the substrate into the processing chamber and
A substrate holding step of holding the substrate carried into the processing chamber by a spin holding mechanism, and
A processing liquid supply step of supplying the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the held substrate, and
Have,
When the processing liquid is not supplied, the standby is above the position where the substrate is held by the spin holding mechanism and does not hinder the loading of the substrate when it is carried into the processing chamber. position the shield plate in position, the treatment liquid supply of the process liquid by the supply nozzle, a shield plate rotation step of rotating the shielding plate said shielding plate without moving from the standby position,
After the substrate is carried out from the processing chamber, a shielding plate cleaning step of supplying the processing liquid and the gas to the shielding plate, respectively,
A substrate processing method comprising. 前記処理液供給工程において、前記遮蔽板から前記基板に向かって気体を供給することを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 6 , wherein in the processing liquid supply step, gas is supplied from the shielding plate toward the substrate. 前記遮蔽板洗浄工程は、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液が供給されることを備えることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 7 , wherein the shielding plate cleaning step includes supplying the processing liquid toward the peripheral edge of the shielding plate.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7045867B2 (en) * 2018-01-26 2022-04-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board processing method
JP7149118B2 (en) * 2018-07-03 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment
FR3085603B1 (en) * 2018-09-11 2020-08-14 Soitec Silicon On Insulator PROCESS FOR THE TREATMENT OF A SUSBTRAT SELF IN A SINGLE-PLATE CLEANING EQUIPMENT
JP6979935B2 (en) * 2018-10-24 2021-12-15 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method
JP7353079B2 (en) * 2019-07-04 2023-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment
KR102376830B1 (en) * 2019-09-30 2022-03-21 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Substrate treatment device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3698567B2 (en) 1998-10-23 2005-09-21 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
US6402401B1 (en) * 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3808719B2 (en) * 2001-04-17 2006-08-16 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP4325831B2 (en) * 2001-07-26 2009-09-02 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus, rotating plate provided in substrate processing apparatus, and method for cleaning surrounding member
JP4074814B2 (en) * 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4494840B2 (en) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 Foreign matter removing apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP4762098B2 (en) * 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5242242B2 (en) * 2007-10-17 2013-07-24 株式会社荏原製作所 Substrate cleaning device
KR101783079B1 (en) * 2011-08-26 2017-09-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid-treatment device and liquid-treatment method
JP5666414B2 (en) * 2011-10-27 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP6017999B2 (en) * 2013-03-15 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment
KR101579507B1 (en) * 2013-05-08 2015-12-22 세메스 주식회사 Apparatus for Processing Substrate
JP6215748B2 (en) * 2014-03-28 2017-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment
KR101905289B1 (en) * 2014-03-28 2018-10-05 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device and substrate processing method
JP6626762B2 (en) * 2016-03-30 2019-12-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment

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