KR101348757B1 - 유기 절연막용 수지 조성물 및 그 제조 방법, 상기 수지조성물을 포함하는 표시판 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 5 내지 35중량%, 스티렌계 화합물 5 내지 40중량%, 에폭시계 화합물 5 내지 40중량%, 이소보닐계 화합물 0.1 내지 10중량% 및 디시클로펜타디엔계 화합물 20 내지 40중량%을 중합하여 제조되는 유기 절연막용 수지 조성물 및 그 제조 방법과 상기 수지 조성물로 형성된 절연막을 포함하는 표시판에 대한 것이다.
공중합체 수지, 유기 절연막, 내열성, 가스분출, 잔상

Description

유기 절연막용 수지 조성물 및 그 제조 방법, 상기 수지 조성물을 포함하는 표시판{A RESIN COMPOSITION FOR ORGANIC INSULATING LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF AND ARRAY PANEL COMPRISING THE SAME}
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 2 및 도 3은 도 1의 박막 트랜지스터 표시판을 II-II 선 및 III-III 선을 따라 자른 단면도이고,
도 4, 도 7, 도 10 및 도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 차례로 도시한 배치도이고,
도 5 및 도 6은 도 4의 박막 트랜지스터 표시판을 V-V 선 및 VI-VI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 8 및 도 9는 도 7의 박막 트랜지스터 표시판을 VIII-VIII 선 및 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 11 및 도 12는 도 10의 박막 트랜지스터 표시판을 XI-XI 선 및 XII-XII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 14 및 도 15는 도 13의 박막 트랜지스터 표시판을 XIV-XIV 선 및 XV-XV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
110: 절연 기판 121: 게이트선
124: 게이트 전극 129: 게이트선의 끝 부분
140: 게이트 절연막 154: 반도체층
163, 165: 저항성 접촉층 164: 불순물 반도체층
171: 데이터선 81, 82: 접촉 보조 부재
173: 소스 전극 175: 드레인 전극
179: 데이터선의 끝 부분 180: 보호막
181, 182, 185: 접촉 구멍 191: 화소 전극
본 발명은 유기 절연막용 수지 조성물 및 그 제조 방법, 상기 수지 조성물을 포함하는 표시판에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD) 또는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display) 등의 평판 표시 장치는 복수의 도전층 또는 반도체층과 이들을 절연하기 위한 절연막을 포함한다.
절연막은 유기 또는 무기 물질로 이루어질 수 있으며, 이 중 유기 절연막은 무기 절연막보다 투과율을 높일 수 있어 표시 장치에서 시야각을 넓히고 휘도를 향상시킬 수 있다.
그러나 유기 절연막은 내열성이 약하다. 이에 따라 고온에서 수행되는 후속 공정에서 절연막의 투과율 및 접착성(adhesion)이 불량해질 뿐만 아니라 절연막에서 승화된 기체의 분출(outgassing)에 의해 잔상과 같은 표시 특성 불량이 나타날 수 있다. 뿐만 아니라 승화된 기체는 다른 층에 영향을 미칠 수 있으며, 악취 및 장비의 노후화를 일으킬 수도 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서 유기 절연막의 내열성을 강화하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 절연막용 수지 조성물은 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 5 내지 35중량%, 스티렌계 화합물 5 내지 40중량%, 에폭시계 화합물 5 내지 40중량%, 이소보닐계 화합물 0.1 내지 10중량% 및 디시클로펜타디엔계 화합물 20 내지 40중량%을 중합하여 제조된다.
또한, 상기 불포화 카르복실산은 아크릴산(acrylic acid), 메타크릴산(metacrylic acid), 크로톤산(crotonic acid), 이타콘산(itaconic acid), 말레산(maleic acid), 푸마르산(fumaric acid), 시트라콘산(citraconic acid) 및 메사콘산(mesaconic acid) 또는 계피산(cinnamic acid)에서 선택된 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 상기 스티렌계 화합물은 스티렌(styrene), α-메틸 스티렌(α-methyl styrene), m-메틸 스티렌(m-methyl styrene), p-메틸 스티렌(p-methyl styrene) 및 비닐 톨루엔(vinyl styrene)에서 선택된 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 상기 에폭시계 화합물은 글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜(메타)아크릴레이트, β-에틸글리시딜(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메타)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메타)아크릴레이트, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르 및 p-비닐벤질글리시딜에테르에서 선택된 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 상기 이소보닐계 화합물은 이소보닐(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 및 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트에서 선택된 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 상기 디시클로펜타디엔계 화합물은 디시클로펜테닐 옥시에틸아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 트리스-2-아크릴로 옥시에틸이소시아누레이트, 펜타메틸 피퍼리딜(메타)크릴레이트 및 에틸렌 옥사이드 비스페놀A(메타)크릴레이트에서 선택된 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 상기 수지 조성물은 총 고형분에 대하여 0.01 내지 15중량%의 중합 개시제를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 중합 개시제는 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-시아노발레릭산) 및 디메틸 2,2'-아조비스 이소부틸레 이트에서 선택된 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 절연막용 수지 조성물의 제조 방법은 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 5 내지 40중량%, 스티렌계 화합물 5 내지 40중량%, 에폭시계 화합물 5 내지 40중량%, 이소보닐계 화합물 0.1 내지 10중량%, 디시클로펜타디엔계 화합물 20 내지 40중량%, 그리고 중합 개시제 0.01 내지 15중량%를 중합하여 공중합체 용액을 제조하는 단계, 그리고 상기 공중합체 용액을 정제하여 공중합체 수지를 제조하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 공중합체 용액을 제조하는 단계는 상기 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물, 상기 스티렌계 화합물, 상기 에폭시계 화합물, 상기 이소보닐계 화합물, 상기 디시클로펜타디엔계 화합물 및 상기 중합 개시제를 함유한 용액을 제조하는 단계, 그리고 상기 용액을 가온하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 용액을 가온하는 단계는 40 내지 80℃에서 수행할 수 있다.
또한, 상기 용액을 가온하는 단계는 4 내지 48시간 동안 100 내지 500rpm의 속도로 수행할 수 있다.
또한, 상기 용액을 가온하는 단계 후에 중합 금지제 0.001 내지 1중량%를 첨가하여 상기 중합을 완료하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 중합 금지제는 페놀기를 가지지 않는 락톤, 포스파이트 및 포스포나이트에서 선택된 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 상기 공중합체 수지를 제조하는 단계 후에 상기 공중합체 수지를 용제 에 용해하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 용제는 프로피오네이트, 메탄올, 프로필렌글리콜 모노에틸아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸프로피오네이트, 부틸아세테이트, 에틸락테이트, 카비톨 및 프로필렌글리콜 메틸에틸에테르에서 선택된 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시판은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 박막 패턴 및 상기 박막 패턴 위에 형성되어 있는 절연막을 포함하며, 상기 절연막은 총 고형분에 대하여 5 내지 35중량%의 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물, 5 내지 40중량%의 스티렌계 화합물, 5 내지 40중량%의 에폭시계 화합물, 0.1 내지 10중량%의 이소보닐계 화합물 및 20 내지 40중량%의 디시클로펜타디엔계 화합물을 중합하여 형성된 공중합체 수지를 포함한다.
또한, 상기 박막 패턴은 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위의 소정 영역에 형성되어 있는 반도체층, 상기 게이트 절연막 및 반도체층 위에 형성되어 있으며 소스 전극을 포함하는 데이터선, 및 상기 소스 전극과 소정 간격으로 마주하고 있는 드레인 전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 절연막 위에 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 절연막용 수지 조성물에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 수지 조성물은 아크릴계 공중합체 수지를 포함한다.
아크릴계 공중합체 수지는 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물; 스티렌계 화합물; 에폭시계 화합물; 이소보닐계 화합물; 및 디시클로펜타디엔계 화합물을 중합하여 얻을 수 있다.
이들 중에서 불포화 카르복실산 또는 불포화 카르복실산 무수물에는 아크릴산(acrylic acid), 메타크릴산(metacrylic acid), 크로톤산(crotonic acid), 이타콘산(itaconic acid), 말레산(maleic acid), 푸마르산(fumaric acid), 시트라콘산(citraconic acid), 메사콘산(mesaconic acid) 및 계피산(cinnamic acid)이 포함되며, 이 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이 중에서 아크릴산, 메타크릴산 또는 무수말레인산을 사용하는 것이 바람직하다.
불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물은 고형분의 총 함량에 대하여 5 내지 35중량%로 함유되는 경우 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성 측면에서 바람직하다.
또 다른 성분인 스티렌계 화합물에는 스티렌(styrene), α-메틸스티렌(α-methyl styrene), m-메틸스티렌(m-methyl styrene), p-메틸스티렌(p-methyl styrene) 및 비닐 톨루엔(vinyl styrene) 등이 포함되며, 이 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
스티렌계 화합물은 고형분의 총 함량에 대하여 5 내지 40중량%로 함유되는 경우 공중합 반응성 측면에서 바람직하다.
또 다른 성분인 에폭시계 화합물에는 글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜(메타)아크릴레이트, β-에틸글리시딜(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메타)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메타)아크릴레이트, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르 및 p-비닐벤질글리시딜에테르 등이 포함되며, 이 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
에폭시계 화합물은 고형분의 총 함량에 대하여 5 내지 40중량%로 함유되는 경우 공중합 반응성과 패턴의 접착성 및 내열성을 높일 수 있다.
또 다른 성분인 이소보닐계 화합물에는 이소보닐(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 및 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트 등이 포함되며, 이 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이소보닐계 화합물은 고형분의 총 함량에 대하여 0.1 내지 10중량%로 함유되는 것이 바람직하며, 10중량%를 초과하는 경우 온도 상승에 의해 다량의 승화물이 발생할 수 있다.
또 다른 성분인 디시클로펜타디엔계 화합물에는 디시클로펜테닐 옥시에틸아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 트리스-2-아크릴로 옥시에틸이소시아누레이트, 펜타메틸 피퍼리딜(메타)크릴레이트 및 에틸렌 옥사이드 비스페놀A( 메타)크릴레이트에서 선택된 적어도 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
디시클로펜타디엔계 화합물은 고형분의 총 함량에 대하여 20 내지 40중량%로 함유되는 경우 내열성을 높일 수 있어서 바람직하다.
상술한 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물; 스티렌계 화합물; 에폭시계 화합물; 이소보닐계 화합물; 및 디시클로펜타디엔계 화합물은 중합 개시제에 의해 중합을 개시한다.
중합 개시제에는 과산화물 또는 아조계 화합물이 포함되며, 이 중 아조계 화합물에는 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 및 2,2'-아조비스(4-시아노발레릭산) 및 디메틸 2,2'-아조비스 이소부틸레이트가 포함될 수 있다.
중합 개시제는 고형분의 총 함량에 대하여 0.01 내지 15중량%로 함유되는 것이 바람직하며, 0.01중량% 미만인 경우 분자량이 지나치게 커지며 15중량%를 초과하는 경우 분자량이 지나치게 작아져서 패턴 형상이 불량하며 현상성 및 잔막율이 저하될 수 있다.
상술한 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물, 스티렌계 화합물, 에폭시계 화합물, 이소보닐계 화합물, 디시클로펜타디엔계 화합물 및 중합 개시제는 용매에 용해된 용액 상태로 제조한다.
이 때 사용할 수 있는 용매에는, 예컨대 메탄올, 테트라히드로퓨란, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 프로필에테르, 프로필렌글리콜 부틸에테르, 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 메틸에틸프로피오네이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르프로피오네이트, 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시 4-메틸 2-펜타논, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 2-히드록시 프로피온산에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산메틸, 2-히드록시-2-메틸 프로피온산에틸, 히드록시 아세트산메틸, 히드록시 아세트산에틸, 히드록시 아세트산부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산프로필, 락트산부틸, 3-히드록시 프로피온산메틸, 3-히드록시 프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산 프로필, 3-히드록시 프로피온산 부틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 메톡시아세트산메틸, 메톡시아세트산에틸, 메톡시아세트산프로필, 메톡시아세트산부틸, 에톡시아세트산메틸, 에톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산프로필, 에톡시아세트산부틸, 프로폭시아세트산메틸, 프로폭시아세트산에틸, 프로폭시아세트산 프로필, 프로폭시아세트산 부틸, 부톡시아세트산 메틸, 부톡시아세트산 에틸, 부톡시아세트산프로필, 부톡시아세트산부틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산프로필, 2-메톡시프로피온산부틸, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산프로필, 2-에톡시프로피온산부틸, 2-부톡시프로피온산메틸, 2-부톡시프로피온산에틸, 2-부톡시프로피온산프로필, 2-부톡시프로피온산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산프로필, 3-메톡시프로피온산부틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산프로필, 3-에톡시프로피온산부틸, 3-프로폭시프로피온산메틸, 3-프로폭시프로피온산에틸, 3-프로폭시프로피온산프로필, 3-프로폭시프로피온산부틸, 3-부톡시프로피온산메틸, 3-부톡시프로피온산에틸, 3-부톡시프로피온산프로필, 3-부톡시프로피온산부틸 등이 포함되며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 용매의 함량은 특별히 한정되지는 않으나, 고형분의 총 함량에 대하여 1 내지 10배 정도 함유될 수 있다.
상기 용액은 소정 온도에서 용액 중합하여 아크릴계 공중합체 용액을 얻을 수 있다.
용액 중합은 개시제인 아조계 화합물의 10시간 반감기 온도보다 높은 온도에서 실시하는 경우 높은 수율을 얻을 수 있으며, 바람직하게는 40 내지 80℃, 더욱 바람직하게는 45 내지 70℃에서 수행할 수 있다. 이 때 용액 중합은 4 내지 48시간 동안, 바람직하게는 100 내지 500rpm, 더욱 바람직하게는 150 내지 400rpm의 반응 속도로 수행할 수 있다.
용액 중합은 중합 금지제(inhibitor)의 첨가에 의해 종료될 수 있다. 중합 금지제는 페놀기를 가지지 않는 락톤(lactone), 포스파이트(phosphite) 또는 포스포나이트(phosphonite) 등에서 선택될 수 있으며, 고형분의 총 함량에 대하여 0.001 내지 1 중량% 정도 첨가하는 경우 변색성, 열 안정성 및 보관 안정성 측면에서 바람직하다.
상기 조건에서 용액 중합시 아크릴계 공중합체 용액의 중합 전환율은 45 내지 80중량% 정도일 수 있다.
상기와 같이 중합된 아크릴계 공중합체 용액은 정제하여 최종 아크릴계 공중합체 수지로 제조될 수 있다.
정제는 아크릴계 공중합체 용액 중에 미반응 단량체, 중합 개시제 및 유기 용매 등을 고진공 하에서 휘발시키는 방법, 유기산화물계 라디칼 개시제와 반응시키는 방법 또는 다량의 불용성 용매 중에 공중합체 용액을 적하하여 석출하는 방법 등으로 수행할 수 있다. 이 중 다량의 불용성 용매 중에 공중합체 용액을 적하하여 석출하는 방법이 바람직하며, 이는 공중합체 용액을 헥산, 헵탄, 메탄올, 물 등과 같은 불용성 용매에 적하하여 중합체를 석출하는 단계, 여과 분별하는 단계 및 필요에 따라 용제에 용해하는 단계로 수행할 수 있다. 이와 같은 정제에 의해 아크릴계 공중합체 용액 중에 잔류하는 미반응 단량체 및 중합 개시제 등을 제거하여 수율을 높일 수 있다.
아크릴계 공중합체 수지는 예컨대 프로피오네이트, 메탄올, 프로필렌글리콜 모노에틸아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸프로피오네이트, 부틸아세테이트, 에 틸락테이트, 카비톨 및 프로필렌글리콜 메틸에틸에테르에서 선택된 하나 이상의 용제에 용해하여 용액 상태의 아크릴계 공중합체 수지를 완성한다.
이하 본 발명의 이해를 돕기 위하여 실험예 및 실시예를 제시하나, 이는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.
[실험예]
[실험예 1]
반응기와 냉각기를 가지는 1L의 용기에 메타크릴산 35중량%, 스티렌 5중량%, 글리시딜메타크릴레이트 30중량%, 이소보닐메타크릴레이트 1중량%, 디시클로펜테닐 옥시에틸 아크릴레이트 29중량% 및 상기 고형분 100중량부에 대하여 400중량부의 테트라하이드로퓨란(용매)을 포함한 용액을 투입하였다. 상기 용액을 용기에서 400rpm의 속도로 충분히 혼합한 후, 여기에 개시제로 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)를 상기 고형분 총 함량 대비 15중량%를 첨가하였다.
상기 혼합 용액이 담긴 용기를 58℃까지 천천히 승온시키고 이 온도를 28시간 동안 유지하면서 공중합체 용액을 제조하였다.
다음, 중합금지제로 포스파이트 500ppm을 첨가하여 중합을 완료하였다.
이어서, 상기 공중합체 용액에 헥산 5,000중량부를 적하하여 석출하고 여과 분리한 다음, 여기에 프로피오네이트 100중량부를 넣고 30℃까지 가열하여 아크릴계 공중합체 수지를 제조하였다.
유리 기판 위에 상기에서 제조된 아크릴계 공중합체 수지를 도포하고 100℃에서 1분간 선경화(prebake)하여 용매를 제거하였다. 이어서 소정 패턴의 마스크 를 이용하여 365㎚에서의 조도 파워(power)가 15㎽/㎠인 자외선을 15초간 조사하고, 220℃에서 60분간 오븐에서 가열처리하여 절연막을 얻었다.
[실험예 2]
실험예 1의 조성물에서 이소보닐메타크릴레이트 5중량% 및 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트 25중량% 함유한 것 외에는, 실험예 1과 동일한 방법으로 아크릴계 공중합체 수지를 제조하고 절연막을 얻었다.
[실험예 3]
실험예 1의 조성물에서 이소보닐메타크릴레이트 15중량% 및 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트 15중량% 함유한 것 외에는, 실험예 1과 동일한 방법으로 아크릴계 공중합체 수지를 제조하고 절연막을 얻었다.
[실험예 4]
실험예 1의 조성물에서 이소보닐메타크릴레이트 20중량% 및 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트 10중량% 함유한 것 외에는, 실험예 1과 동일한 방법으로 아크릴계 공중합체 수지를 제조하고 절연막을 얻었다.
[실험예 5]
실험예 1의 조성물에서 이소보닐메타크릴레이트 25중량% 및 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트 5중량% 함유한 것 외에는, 실험예 1과 동일한 방법으로 아크릴계 공중합체 수지를 제조하고 절연막을 얻었다.
[실험예 6]
실험예 1의 조성물에서 이소보닐메타크릴레이트 30중량%을 포함하고 디시클 로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트를 제외한 것 외에는, 실험예 1과 동일한 방법으로 아크릴계 공중합체 수지를 제조하고 절연막을 얻었다.
상술한 실험예 1 내지 6에서 각 성분의 함량비는 표 1과 같다:
Figure 112006008215950-pat00001
상술한 실험예 1 및 2는 본 발명에 따른 수지 조성물을 포함하는 절연막이고, 실험예 3 내지 6은 비교예이다.
실험예 1 내지 6에서 형성된 절연막의 기체분출(outgassing) 양을 다음과 같은 방법으로 측정하였다.
먼저, 실험예 1 내지 6에서 형성된 각각의 최종 막을 칼로 벗겨내어 30mg씩 시료를 얻었다. 얻어진 시료를 열중량분석장비(TGA)를 사용하여 220℃에서 60분 동안 등온 조건으로 무게 감량을 측정하였다. 이 때 발생된 무게감량이 0.5 중량% 미만인 경우를 ○, 0.5 내지 1.5중량%인 경우를 △, 1.5중량%를 초과하는 경우를 ×로 표시하였다.
결과는 표 2와 같다:
Figure 112006008215950-pat00002
표 2에서 보는 바와 같이, 실험예 1 및 2에 따른 수지 조성물은 기체분출 정도가 양호하고, 실험예 3 내지 6에 따른 수지 조성물은 기체분출 정도가 큰 것으로 확인되었다.
또한, 상술한 실험예 1, 3 및 5에 따라 제조된 절연막을 포함하는 표시판을 하기 실시예에 따라 형성하고, 이 표시판에서 발생하는 잔상을 측정하였다.
잔상은 다음과 같은 방법으로 시험한다. 먼저 실험예 1, 3 및 5에 따라 제조된 절연막을 포함하는 시험용 표시판을 준비한다. 시험용 표시판에는 복수의 화소가 바둑판 모양으로 배치되어 있다. 먼저 시험용 표시판에 화이트(white) 또는 블랙(black)이 아닌 중간 계조의 데이터 전압을 인가하여 화면의 휘도를 측정하고, 이어서 복수의 화소 중 가로 및 세로로 교대로 배치된 일부 화소에는 블랙을 표시하고 나머지 화소에는 화이트를 표시한 후 10시간 정도 둔다. 이어서, 처음에 인가한 중간 계조의 데이터 전압을 인가하여 화면의 휘도를 측정하여 잔상 정도를 확인하였다.
이러한 시간에 따른 잔상의 발현 정도는 소정의 공식에 대입하여 수치를 얻을 수 있으며, 그 결과는 표 3과 같다:
Figure 112006008215950-pat00003
상기 수치가 낮을수록 가스분출(outgassing) 양이 적은 것으로, 절연막으로서 유리한 것을 나타낸다. 따라서, 표 3에 따르면, 본 발명에 따른 실험예 1이 적합한 것으로 확인되었다.
[실시예]
이하에서는, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 실시예에서는 상술한 수지 조성물로 이루어진 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 대하여 도 1 내지 도 15를 참조하여 예시적으로 설명한다.
먼저 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 구조에 대하여 간단하게 살펴본다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 2 및 도 3은 도 1의 박막 트랜지스터 표시판을 II-II 선 및 III-III 선을 따라 자른 단면도이다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 아래로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며, 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗은 줄기선과 이로부터 갈라진 복수 쌍의 유지 전극(133a, 133b)을 포함한다. 유지 전극선(131) 각각은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 줄기선은 두 게이트선(121) 중 아래쪽에 가깝다. 유지 전극(133a, 133b) 각각은 줄기선과 연결된 고정단과 그 반대쪽의 자유단을 가지고 있다. 한 쪽 유지 전극(133b)의 고정단은 면적이 넓으며, 그 자유단은 직선 부분과 굽은 부분의 두 갈래로 갈라진다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80° 인 것이 바람직하다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(poly silicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함한다. 선형 반도체(151)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 부근에서 너비가 넓어져 이들을 폭넓게 덮고 있다.
반도체(151) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.
반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30° 내지 80° 정도이다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 또한 유지 전극선(131)과 교차하며 인접한 유지 전극(133a, 133b) 집합 사이에 형성된다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다.
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다. 각 드레인 전극(175)은 면적이 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 가지고 있다. 넓은 끝 부분은 유지 전극선(131)과 중첩하며, 막대형 끝 부분은 U자형으로 구부러진 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 게이트선(121)과 마찬가지로 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(154) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다.
보호막(180)은 상술한 아크릴계 공중합체 수지로 만들어지며, 보호막(180)의 표면은 평탄할 수 있다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(151) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181), 유지 전극(133b) 고정단 부근의 유지 전극선(131) 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(184)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 연결 다리(overpass)(83) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.
화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적·전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.
화소 전극(191)은 유지 전극(133a, 133b)을 비롯한 유지 전극선(131)과 중첩한다. 화소 전극(191) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)이 유지 전극선(131)과 중첩하여 이루는 축전기를 유지 축전기(storage capacitor)라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 데이터선(171) 및 게이트선(121)의 끝 부분(179, 129)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
연결 다리(83)는 게이트선(121)을 가로지르며, 게이트선(121)을 사이에 두고 반대쪽에 위치하는 접촉 구멍(183a, 183b)을 통하여 유지 전극선(131)의 노출된 부분과 유지 전극(133b) 자유단의 노출된 끝 부분에 연결되어 있다. 유지 전극(133a, 133b)을 비롯한 유지 전극선(131)은 연결 다리(83)와 함께 게이트선(121)이나 데이터선(171) 또는 박막 트랜지스터의 결함을 수리하는 데 사용할 수 있다.
그러면 도 1 내지 도 3에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법에 대하여 도 4 내지 도 15를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 4, 도 7, 도 10 및 도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 차례로 도시한 배치도이고, 도 5 및 도 6은 도 4의 박막 트랜지스터 표시판을 V-V 선 및 VI-VI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 8 및 도 9는 도 7의 박막 트랜지스터 표시판을 VIII-VIII 선 및 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 11 및 도 12는 도 10의 박막 트랜지스터 표시판을 XI-XI 선 및 XII-XII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 14 및 도 15는 도 13의 박막 트랜지스터 표시판을 XIV-XIV 선 및 XV-XV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
먼저, 도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 스퍼터링(sputtering)으로 금속층을 적층하고 사진 식각하여 게이트 전극(124) 및 끝 부분(129)을 포함하는 게이트선(121) 및 유지 전극(133a, 133b)을 포함하는 유지 전극선(131)을 형성한다.
다음, 도 7 내지 도 9에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(124) 및 끝 부분(129)을 포함하는 게이트선(121) 및 유지 전극(133a, 133b) 위에 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소(a-Si)층 및 불순물이 도핑된 비정질 규소(n+ a-Si)층을 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 연속 증착한 후 건식 식각하여 반도체층(154) 및 불순물이 도핑된 반도체층(164)을 형성한다.
다음, 도 10 내지 도 12에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(140) 및 불순물이 도핑된 반도체층(164) 위에 스퍼터링으로 금속층을 형성하고 사진 식각하여 소스 전극(173) 및 끝 부분(179)을 포함하는 데이터선(171), 드레인 전극(175)을 형성한다.
다음, 도 13 내지 도 15에 도시한 바와 같이, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)으로 덮이지 않고 노출된 불순물 반도체층(164)을 제거하여 복수의 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉층(161)과 복수의 섬형 저항성 접촉층(165)을 완성하는 한편, 그 아래의 진성 반도체(154) 부분을 노출시킨다. 이 경우, 노출된 진성 반도체(154) 부분의 표면을 안정화시키기 위하여 산소(O2) 플라스마를 실시한다.
이어서, 상술한 아크릴계 공중합체 수지 용액을 도포하여 보호막(180)을 형성하고, 이를 노광 및 현상하여 복수의 접촉 구멍(181, 182, 183a, 183b, 185)을 형성한다.
마지막으로, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 ITO 따위의 투명 도전층을 형성하고 사진 식각하여 화소 전극(191), 접촉 보조 부재(81, 82) 및 연결 다리(83)를 형성한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
유기 절연막의 내열성을 강화하여 후속 공정에서 절연막이 손상되는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 유기 절연막의 투과율 및 접착성을 강화하고 절연막에서 승화된 기체의 분출(outgassing)에 의해 발생하는 잔상과 같은 표시 특성 불량이 방지할 수 있다.

Claims (19)

  1. 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 5 내지 35중량%,
    스티렌계 화합물 5 내지 40중량%,
    에폭시계 화합물 5 내지 40중량%,
    이소보닐메타아크릴레이트 0.1 내지 1중량%, 그리고
    디시클로펜타디엔계 화합물 20 내지 40중량%을 중합하여 제조되며,
    상기 에폭시계화합물은 글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜(메타)아크릴레이트, β-에틸글리시딜(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메타)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메타)아크릴레이트, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르 및 p-비닐벤질글리시딜에테르에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물.
  2. 제1항에서,
    상기 불포화 카르복실산은 아크릴산(acrylic acid), 메타크릴산(metacrylic acid), 크로톤산(crotonic acid), 이타콘산(itaconic acid), 말레산(maleic acid), 푸마르산(fumaric acid), 시트라콘산(citraconic acid) 및 메사콘산(mesaconic acid) 또는 계피산(cinnamic acid)에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물.
  3. 제1항에서,
    상기 스티렌계 화합물은 스티렌(styrene), α-메틸 스티렌(α-methyl styrene), m-메틸 스티렌(m-methyl styrene), p-메틸 스티렌(p-methyl styrene) 및 비닐 톨루엔(vinyl styrene)에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에서,
    상기 디시클로펜타디엔계 화합물은 디시클로펜테닐 옥시에틸아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 트리스-2-아크릴로 옥시에틸이소시아누레이트, 펜타메틸 피퍼리딜(메타)크릴레이트 및 에틸렌 옥사이드 비스페놀A(메타)크릴레이트에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물.
  7. 제1항에서,
    상기 수지 조성물은 총 고형분에 대하여 0.01 내지 15중량%의 중합 개시제를 더 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물.
  8. 제7항에서,
    상기 중합 개시제는 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-시아노발레릭산) 및 디메틸 2,2'-아조비스 이소부틸레이트에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물.
  9. 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 5 내지 40중량%, 스티렌계 화합물 5 내지 40중량%, 에폭시계 화합물 5 내지 40중량%, 이소보닐메타아크릴레이트 0.1 내지 1중량%, 디시클로펜타디엔계 화합물 20 내지 40중량%, 그리고 중합 개시제 0.01 내지 15중량%를 중합하여 공중합체 용액을 제조하는 단계, 그리고
    상기 공중합체 용액을 정제하여 공중합체 수지를 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 에폭시계 화합물은 글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜(메타)아크릴레이트, β-에틸글리시딜(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메타)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메타)아크릴레이트, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르 및 p-비닐벤질글리시딜에테르에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물의 제조 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 공중합체 용액을 제조하는 단계는
    상기 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물, 상기 스티렌계 화합물, 상기 에폭시계 화합물, 상기 이소보닐메타아크릴레이트, 상기 디시클로펜타디엔계 화합물 및 상기 중합 개시제를 함유한 용액을 제조하는 단계, 그리고
    상기 용액을 가온하는 단계
    를 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물의 제조 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 용액을 가온하는 단계는 40 내지 80℃에서 수행하는 유기 절연막용 수지 조성물의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 용액을 가온하는 단계는 4 내지 48시간 동안 100 내지 500rpm의 속도로 수행하는 유기 절연막용 수지 조성물의 제조 방법.
  13. 제10항에서,
    상기 용액을 가온하는 단계 후에
    중합 금지제 0.001 내지 1중량%를 첨가하여 상기 중합을 완료하는 단계
    를 더 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물의 제조 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 중합 금지제는 페놀기를 가지지 않는 락톤, 포스파이트 및 포스포나이트에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물의 제조 방법.
  15. 제9항에서,
    상기 공중합체 수지를 제조하는 단계 후에 상기 공중합체 수지를 용제에 용해하는 단계를 더 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물의 제조 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 용제는 프로피오네이트, 메탄올, 프로필렌글리콜 모노에틸아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸프로피오네이트, 부틸아세테이트, 에틸락테이트, 카비톨 및 프로필렌글리콜 메틸에틸에테르에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 유기 절연막용 수지 조성물의 제조 방법.
  17. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 박막 패턴, 그리고
    상기 박막 패턴 위에 형성되어 있는 절연막
    을 포함하며,
    상기 절연막은 총 고형분에 대하여 5 내지 35중량%의 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물, 5 내지 40중량%의 스티렌계 화합물, 5 내지 40중량%의 에폭시계 화합물, 0.1 내지 1중량%의 이소보닐메타아크릴레이트 및 20 내지 40중량%의 디시클로펜타디엔계 화합물을 중합하여 형성되고,
    상기 에폭시계 화합물은 글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜(메타)아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜(메타)아크릴레이트, β-에틸글리시딜(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메타)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메타)아크릴레이트, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르 및 p-비닐벤질글리시딜에테르에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 공중합체 수지를 포함하는 표시판.
  18. 제17항에서,
    상기 박막 패턴은 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위의 소정 영역에 형성되어 있는 반도체층, 상기 게이트 절연막 및 반도체층 위에 형성되어 있으며 소스 전극을 포함하는 데이터선, 및 상기 소스 전극과 소정 간격으로 마주하고 있는 드레인 전극을 포함하는 표시판.
  19. 제18항에서,
    상기 절연막 위에 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 더 포함하는 표시판.
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