KR101335921B1 - 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101335921B1
KR101335921B1 KR1020110101741A KR20110101741A KR101335921B1 KR 101335921 B1 KR101335921 B1 KR 101335921B1 KR 1020110101741 A KR1020110101741 A KR 1020110101741A KR 20110101741 A KR20110101741 A KR 20110101741A KR 101335921 B1 KR101335921 B1 KR 101335921B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
package
pattern
seed layer
Prior art date
Application number
KR1020110101741A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130037367A (ko
Inventor
김한형
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020110101741A priority Critical patent/KR101335921B1/ko
Priority to US13/647,099 priority patent/US8907361B2/en
Priority to CN2012103765129A priority patent/CN103035825A/zh
Publication of KR20130037367A publication Critical patent/KR20130037367A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101335921B1 publication Critical patent/KR101335921B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 패키지 본체; 상기 패키지 본체 상에 탑재되는 발광 다이오드 칩; 상기 패키지 본체 상에, 상기 발광 다이오드 칩과 간격을 두고 형성된 소수성 패턴 및 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하며, 상기 소수성 패턴에 의해 정의되는 수지부를 포함하며, 생산비용이 절감되며, 다양한 패턴을 손쉽게 형성할 수 있으며, 조도가 향상되는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전기에너지를 이용하여 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 접합된 반도체의 전자와 정공이 재결합하며 발생하는 에너지를 광으로 변환하여 방출한다. 이러한 발광 다이오드는 현재 조명, 표시장치 및 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
특히, 최근 그 개발 및 사용이 활성화된 질화갈륨(GaN)계 발광 다이오드를 이용한 휴대폰 키패드, 사이드 뷰어, 카메라 플래쉬 등의 상용화에 힘입어, 최근 발광 다이오드를 이용한 일반 조명 개발이 활기를 띠고 있다. 대형 TV의 백라이트 유닛 및 자동차 전조등, 일반 조명 등 그의 응용제품과 같이, 발광 다이오드의 용도가 점차 대형화, 고출력화, 고효율화된 제품으로 진행하고 있으므로 이와 같은 용도에 사용되는 발광 다이오드의 특성도 이를 충족하는 높은 수준이 요청되고 있다.
종래의 발광 다이오드는 패키지 본체에 댐을 형성한 후 발광 다이오드 칩을 봉지하게 되는데, 이러한 댐의 패턴은 형성가능한 종류가 한정되어, 다양한 종류의 광추출면 패턴을 갖는 발광 다이오드를 제작하기 어려운 문제점이 있었다.
본 발명의 일실시 형태의 목적 중의 하나는 생산비용이 절감되며, 다양한 패턴의 광추출면을 형성할 수 있으며, 조도가 향상되는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일실시 형태의 목적 중의 하나는 상기와 같은 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일실시예에 의한 발광 다이오드 패키지는 패키지 본체; 상기 패키지 본체 상에 탑재되는 발광 다이오드 칩; 상기 패키지 본체 상에, 상기 발광 다이오드 칩과 간격을 두고 형성된 소수성 패턴; 및 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하며, 상기 소수성 패턴에 의해 정의되는 수지부를 포함한다.
상기 소수성 패턴은 복수의 나노구조물을 포함할 수 있으며, 상기 소수성 패턴은, 상기 패키지 본체 상에 형성된 시드층 패턴; 및 상기 시드층 패턴 상에 성장된 복수의 나노구조물을 포함할 수도 있다.
상기 수지부는 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 패키지 본체와 이루는 접촉각이 90° 이상이 되도록 할 수도 있다.
또한, 상기 소수성 패턴은 원형, 삼각형, 사각형 및 이들의 조합으로 구성된 도형일 수 있으며, 둘 이상의 패턴이 중첩되도록 할 수도 있다.
상기 수지부를 봉지하며, 상기 소수성 패턴에 의해 정의되는 렌즈부를 더 포함할 수도 있으며, 상기 렌즈부는 상기 패키지 본체와 이루는 접촉각이 90° 이상이 되도록 할 수도 있다.
또한, 상기 소수성 패턴은 O2 플라즈마, H2 플라즈마 또는 fluoro-carbon 처리할 수도 있다.
상기 나노구조물은 아연 산화물(ZnO)계 화합물로 형성될 수 있다.
상기 시드층 패턴은 Au, Cu 또는 이들의 합금일 수 있으며, ZnO일 수도 있다.
또한, 시드층 패턴는 Au와 Cu가 교대로 적층된 다층 구조를 갖을 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지는 패키지 본체; 상기 패키지 본체 상에 탑재되는 발광 다이오드 칩; 상기 패키지 본체 상에, 상기 발광 다이오드 칩과 간격을 두고 형성된 친수성 패턴; 및 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하며, 상기 친수성 패턴에 의해 정의되는 수지부를 포함한다.
상기 친수성 패턴은 복수의 나노구조물을 포함할 수 있으며, O2 플라즈마 처리될 수도 있다.
본 발명의 일실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조방법은 패키지 본체 상에 소수성 패턴을 형성하는 단계; 상기 소수성 패턴이 형성하는 영역 상에 발광 다이오드 칩을 탑재하는 단계; 및 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 수지부를 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 소수성 패턴은 복수의 나노구조물로 형성될 수 있으며, 상기 나노구조물은 상기 패키지 본체에 시드층 패턴을 형성하고, 상기 시드층 패턴 상에 성장될 수도 있다.
상기 시드층 패턴은 (Zn(NO3)2 · 6H2O)에 침지시켜, 상기 시드층 패턴 상에 ZnO 나노구조물이 형성되게 할 수 있다.
상기 시드층 패턴은 Au, Cu 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, ZnO으로 형성될 수도 있다.
상기 시드층 패턴는 Au와 Cu가 교대로 적층된 다층으로 형성될 수도 있다.
상기 소수성 패턴을 O2 플라즈마, H2 플라즈마 또는 fluoro-carbon 처리하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 수지부를 형성하는 단계 후에 상기 수지부 상에 렌즈부를 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
이때, 상기 나노구조물은 아연 산화물(ZnO)계 화합물로 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조방법은 패키지 표면 상에 소수성 패턴을 형성하는 단계; 상기 소수성 패턴이 형성된 패키지 표면을 친수성으로 개질하는 단계; 상기 패키지 표면의 일 영역에 발광 다이오드 칩을 탑재하는 단계; 및 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 수지부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 소수성 패턴은 복수의 나노구조물로 형성될 수 있으며, 상기 패키지 본체의 표면을 친수성으로 개질하는 단계는 H2 플라즈마 또는 fluoro-carbon 처리하는 단계일 수도 있다.
본 발명에 일실시 형태의 목적 중의 하나는 생산비용이 절감되며, 다양한 패턴을 형성할 수 있으며, 조도가 향상되는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데에 있다.
본 발명에 일실시 형태의 목적 중의 하나는 생산비용이 절감되며, 다양한 패턴을 형성할 수 있으며, 조도가 향상되는 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
도 1a은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1b는 도 1a의 B를 확대한 도면이다.
도 2는 도 1a에 도시된 발광 다이오드 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면의 형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 제1 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 14(a) 내지 도 14(c)는 발광 다이오드 패키지의 형태 변화를 도시한 도면이다.
도 15는 나노구조물을 촬영한 SEM사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.
이러한 실시예는 본 발명에 대하여 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범위를 예시하기 위해 제공되는 것이다. 그러므로 본 발명은 이하의 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 특허청구범위가 제시하는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 따라서, 도면에 도시된 구성요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 도면 상에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 참조부호를 사용할 것이다.
먼저, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 대해 설명한 후, 그 다음으로 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조방법에 대해 설명한다.
도 1a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 1b는 도 1a의 B부분을 확대한 도면이고, 도 2는 도 1a에 도시된 발광 다이오드 패키지를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면의 형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1a 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(100)는 패키지 본체(110), 발광 다이오드 칩(120), 소수성 패턴(130) 및 수지부(140)를 포함한다.
상기 패키지 본체(110)는 일측면에 상기 발광 다이오드 칩(120)이 실장되며, 상기 발광 다이오드 칩(120)이 실장되는 면은 둘레가 경사면을 이루도록 오목하게 형성된 요면을 형성할 수도 있다.
상기 발광 다이오드 칩(120)은 상기 패키지 본체(110)의 일측면에 실장되며, 성장 기판 상에 반도체층을 에피택셜 성장시켜 얻어질 수 있다. 이 경우, 성장기판은 사파이어가 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 스피넬, SiC, GaN, GaAs 등과 같은 공지된 성장용 기판을 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 발광 다이오드 칩(120)은 BN, SiC, ZnSe, GaN, InGaN, InAlGaN, AlGaN, BAlGaN, BInAlGaN 등으로 이루어질 수 있으며, Si 또는 Zn 등으로 도핑할 수 있다. 다만, 본 실시 형태에서는 발광 다이오드(LED)를 예로 들었으나, 이 외에도 전기 신호 인가시 빛을 방출하는 광전 소자라면 어느 것이나 이용 가능하다. 예를 들어, 레이저 다이오드, 포토 다이오드, 유기발광 다이오드 등도 이용할 수 있을 것이다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩(120)의 발광층은 InxAlyGa1 -x-y(0≤X≤1, 0≤Y≤1, 0≤X+Y≤1)로 이루어진 질화물 반도체로 구성될 수 있으며, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 이루어져 출력을 향상시킬 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(120)의 상면에 형성된 전극(미도시)은 패키지 본체(110) 상의 리드프레임(미도시)과 와이어(W) 본딩되어 외부로부터 전기 신호를 인가받을 수 있다. 본 실시예의 경우, 상기 발광 다이오드 칩(120) 상면에 형성된 양 전극을 통해 각각 와이어 본딩되는 형태로 도시되어 있으나, 이와는 달리, 발광 다이오드 칩의 실장 영역으로 제공되는 리드프레임과는 와이어를 이용하지 않고 직접 전기적으로 연결되고 실장 영역으로 제공되지 않은 리드프레임만 도전성 와이어로 연결되는 등 구체적인 연결 방식은 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 상기 패키지 본체(110) 내에 하나의 발광 다이오드 칩(120)이 도시되어 있으나, 2개 이상의 발광 다이오드 칩이 구비될 수도 있을 것이다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 본체(110) 상에는 상기 발광 다이오드 칩(120)과 간격을 두고 소수성 패턴(130)이 형성된다. 상기 소수성 패턴(130)은 상기 발광 다이오드 칩(120)의 주위를 완전히 둘러싸도록 연속적인 패턴으로 형성할 수 있으며, 일정한 간격을 가지고 형성되는 단속적인 패턴으로 형성할 수도 있다.
상기 소수성 패턴(130)은 친수성 성질을 가지는 수지부(140)가 상기 소수성 패턴(130)이 정의하는 영역 내에만 형성되도록 하기 위한 댐(dam)으로서 작용한다.
이러한 소수성 패턴(130)의 소수성 성질은 연잎효과(Lotus effect)에 의해 구현될 수 있다. 연잎효과란 연잎의 표면에 형성된 미세한 돌기로 인해 연잎의 표면이 초소수성 성질을 띠게 되어, 연잎의 표면에 물방울이 부착되지 못하는 것을 말한다.
본 발명의 실시예에서는 발광 다이오드(100)의 패키지 본체(110) 상에 형성된 소수성 패턴(130)이 소수성 성질을 띠게 하기 위해 도 1b 및 도 15에 도시된 바와 같은 복수의 나노구조물(130b)을 포함할 수 있다.
상기 나노구조물(130b)은 나노단위의 미세한 패턴의 집합이다. 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 나노구조물(130b)은 원형, 사각형 및 육각형을 포함하는 다각형 중 하나의 수평 단면 형상을 갖는 다양한 형태의 나노 크기의 기둥형상, 바늘형상, 튜브형상, 판형상 등으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 나노구조물(130b)의 길이, 크기, 간격과 같은 구조에 따라 소수성 패턴(130)의 소수성 특성이 변화될 수 있다. 상기 나노구조물(130b)의 길이는 나노구조물의 성장 시에 반응시간을 조절함에 따라 제어할 수 있다.
상기 소수성 패턴(130)의 나노구조물(130b)은 아연 산화물(ZnO)계 화합물로 형성될 수 있다.
상기 나노구조물(130b)은 상기 패키지 본체(110) 상에 화학기상성장 (chemical vapor deposition: CVD) 법과 같은 방법에 의해 성장될 수 있으나, Au, Cu 또는 이들의 합금으로 구성된 시드층 패턴을 형성하고 (Zn(NO3)2· 6H2O)과 HMT가 혼합된 용액에 침지시켜 형성하면 생산공정이 간편하고, 생산비용이 낮은 이점이 있다.
또한, 상기 나노구조물(130b)의 빛투과도 및 전기전도성을 향상시키기 위해서 산소(O2), 질소(N2),수소(H2), 아르곤(Ar), 공기 및 진공 분위기에서 800℃ 이하의 온도에서 열처리할 수도 있다.
또한, 상기 소수성 패턴(130)의 소수성 및 친수성 성질을 필요에 따라 조절하기 위하여, 800℃ 이하의 온도에서 산소(O2), 또는 수소(H2) 이온을 이용한 플라즈마 처리(plasma treatment)를 할 수 있으며, fluoro-carbon 처리할 수도 있다.
상기 나노구조물(130b)의 표면을 수소(H2) 플라즈마 처리 또는 fluoro-carbon 처리하면 소수성이 강화되고, 산소(O2) 플라즈마 처리를 하면 소수성이 약화되어 친수성을 띠게 할 수도 있다. 상기 나노구조물(130b)의 소수성을 강화하여 초소수성(super-hydrophobic)을 띠게 되면, 상기 소수성 패턴(130)이 정의하는 영역 내에 형성되는 상기 수지부(140)를 물방울 형상(droplet)으로 형성하는 것도 가능하다.
구체적으로, 도 14(a) 내지 도 14(c)에 도시된 바와 같이, 상기 나노구조물(130b)의 소수성을 강화하면, 더 많은 양의 액적의 수지부를 형성할 수 있다.
도 14(c)에 도시된 바와 같이, 나노구조물(130b)의 소수성을 강화하여 초소수성을 띠게 하면, 상기 패키지 본체(110)와 수지부(140)가 이루는 접촉각이 90° 이상인 물방울(droplet) 형상의 수지부(140'')를 형성할 수 있다.
이와 같이, 수지부(140'')의 접촉각이 90°이상인 경우에는 반지름(R) 보다 높이(H3)가 크게 되므로, 접촉각이 상대적으로 낮은 도 14(a) 또는 도 14(b)의 수지부(140, 140')에 비해 조도가 개선되는 효과가 있다.
또한, 상기 소수성 패턴(130)은 둘 이상의 패턴이 중첩된 형상으로 형성하여, 상기 소수성 패턴(130)에 의해 형성된 영역에 정의되는 수지부(140)를 여러 겹으로 형성하게 하게 할 수도 있으며, 후술할 렌즈부(350)가 상기 수지부(140)와 다른 크기를 가지도록 형성되게 할 수도 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 소수성 패턴(130)은 패키징과정에서 상기 발광 다이오드 칩(120)을 봉지하는 수지부(140)가 일정한 형태를 유지하며 형성될 수 있도록 하는 댐(dam)으로서 작용할 수 있으므로, 제작하고자하는 광방출면의 형상에 따라, 다양한 패턴으로 형성할 수 있는 장점이 있다.
또한, 수지부를 형성하기 위하여 일반적인 댐(dam) 패턴을 형성하고, 여기에 수지부를 형성하면, 제조공정 상의 공차에 의해 댐 패턴의 넓이에 차이가 생겨, 수지부가 넘치는 일이 발생할 수 있는데, 본 실시예와 같이 소수성 패턴(130)을 사용하게 되면 친수성의 수지부가 소수성의 패턴에 의해 한정되므로 디스펜싱 과정에서 수지부가 넘치는 경우가 방지된다.
상기 소수성 패턴(130)에 의해 정의되는 영역에는, 상기 발광 다이오드 칩(120)을 봉지하는 수지부(140)가 형성된다.
상기 수지부(140)를 구성하는 재료는 광 투과성이면 그 성분은 특별히 제한되지 않으며, 실리콘 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 에폭시 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 아크릴수지 조성물 등의 투광성을 갖는 절연 수지가 적용될 수 있다. 또한, 실리콘, 에폭시, 불소 수지 중 적어도 하나 이상을 포함하는 하이브리드 수지 등 내후성이 뛰어난 수지를 이용할 수도 있다.
이때, 상기 수지부(140)를 형성하는 투명 액상 수지에는 적어도 1종의 형광체를 함유할 수 있다.
상기 형광체는 황색(yellow), 적색(red) 및 녹색(green) 중 어느 하나로 파장을 변환시키는 형광체로 이루어질 수 있으며, 상기 형광체의 종류는, 상기 발광 다이오드 칩(120)의 활성층으로부터 방출되는 파장에 의해 결정될 수 있다. 구체적으로, 상기 형광체는 YAG계, TAG계, 실리케이트(Silicate)계, 설파이드(Sulfide)계 또는 나이트라이드(Nitride)계 중 어느 하나의 형광물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 청색 발광 다이오드 칩에 황색으로 파장 변환시키는 형광체를 적용하는 경우, 백색광이 방출되는 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제2 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(200)에 대해 설명한다. 본 발명의 제2 실시예에 발광 다이오드 패키지(200)는 상기 제1 실시예에 렌즈부(250)가 더 형성된 예이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(200)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(200)는 패키지 본체(210), 발광 다이오드 칩(220), 소수성 패턴(230), 수지부(240) 및 렌즈부(250)를 포함한다.
앞서 설명한 바와 마찬가지로, 상기 패키지 본체(210)는 일측면에 상기 발광 다이오드 칩(220)이 실장되며, 상기 발광 다이오드 칩(220)이 실장되는 면은 둘레가 경사면을 이루도록 오목하게 형성된 요면을 형성할 수도 있다. 상기 패키지 본체(210) 상에는 상기 발광 다이오드 칩(220)을 둘러싸도록 소수성 패턴(230)이 형성되며, 상기 소수성 패턴(230)은 친수성 성질을 가지는 수지부(240)를 정의하기 위한 댐(dam)으로서의 작용할 수 있도록 소수성을 가지도록 형성된다. 상기 소수성 패턴(230)에 의해 정의되는 영역에는, 상기 발광 다이오드 칩(220)을 봉지하는 수지부(240)가 형성되며, 상기 수지부(240)를 구성하는 재료는 광 투과성이면 그 성분은 특별히 제한되지 않는다.
상기 렌즈부(250)는 상기 수지부(240)를 봉지하며, 상기 소수성 패턴(230)에 의해 정의되도록 형성된다.
상기 렌즈부(250)는 앞서 설명한 상기 수지부(240)와 같이, 상기 소수성 패턴(230)의 소수성에 의해 그 형상이 정의되며, 상기 렌즈부(250)를 구성하는 재료는 광 투과성이면 그 성분은 특별히 제한되지 않으며, 실리콘 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 에폭시 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 아크릴수지 조성물 등의 투광성을 갖는 절연 수지가 적용될 수 있다. 또한, 실리콘, 에폭시, 불소 수지 중 적어도 하나 이상을 포함하는 하이브리드 수지 등 내후성이 뛰어난 수지를 이용할 수도 있다.
또한, 상기 렌즈부(250)의 표면 형상을 조절하여 배광분포를 제어하도록 할 수 있으며, 구체적으로, 볼록 렌즈, 오목렌즈, 타원 등의 형상을 갖도록 하여, 배광 분포를 제어할 수 있다. 상기 렌즈부(250)는 상기 수지부(240) 상에 droplet 공정을 통하여 물방울 형상으로 형성할 수도 있으며, 이와 같이 상기 렌즈부(250)를 물방울 형상으로 형성하면, 조도가 개선되는 효과가 있다.
다음으로, 본 발명의 제3 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(300)에 대해 설명한다. 본 발명의 제3 실시예에 발광 다이오드 패키지(300)는 둘 이상의 소수성 패턴(330, 330')이 중첩되게 형성된 실시예이다. 도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(300)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(300)는 패키지 본체(310), 발광 다이오드 칩(320), 소수성 패턴(330, 330'), 수지부(340) 및 렌즈부(350)를 포함한다.
앞서 설명한 바와 마찬가지로, 상기 패키지 본체(310)는 일측면에 상기 발광 다이오드 칩(320)이 실장되며, 상기 발광 다이오드 칩(320)이 실장되는 면은 둘레가 경사면을 이루도록 오목하게 형성된 요면을 형성할 수도 있다.
상기 패키지 본체(310) 상에는 상기 발광 다이오드 칩(320)을 둘러싸도록 둘 이상의 소수성 패턴(330, 330')이 중첩되도록 형성되며, 상기 소수성 패턴(330, 330')은 친수성 성질을 가지는 수지부(340)를 정의하기 위한 댐(dam)으로서의 작용할 수 있도록 소수성을 가지도록 형성된다. 상기 중첩된 소수성 패턴 중 내측의 소수성 패턴(330)에 의해 정의되는 영역에는, 상기 발광 다이오드 칩(320)을 봉지하는 수지부(340)가 형성되며, 상기 중첩된 소수성 패턴 중 외측의 소수성 패턴(330')에 의해 정의되는 영역에는, 상기 수지부(340)를 봉지하는 렌즈부(350)가 형성된다. 상기 수지부(340)과 상기 렌즈부(350)를 구성하는 재료는 광 투과성이면 그 성분은 특별히 제한되지 않는다.
이와 같이 상기 소수성 패턴(330, 330')을 중첩적으로 형성하면, 상기 수지부(340)를 정의하는 내측의 소수성 패턴(330)과 상기 렌즈부(350)를 정의하는 외측의 소수성 패턴(330')을 서로 다르게 형성하여, 상기 수지부(340)와 렌즈부(350)를 서로 다른 형상으로 형성할 수도 있다.
제4 실시예는 도 5에 도시된 바와 같이, 소수성 패턴(430)을 사각형으로 형성한 예이며, 제5 실시예는 도 6에 도시된 바와 같이, 소수성 패턴(530)을 별모양으로 형성한 예이며, 제6 실시예는 도 7에 도시된 바와 같이, 소수성 패턴(630)을 십자형으로 형성한 예이다.
다음으로, 본 발명의 제7 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(700)에 대해 설명한다. 본 발명의 제7 실시예에 발광 다이오드 패키지(700)는 소수성 패턴의 표면을 친수성 성질로 개질하여, 디스펜싱 과정에서 발광 다이오드 칩(720)을 봉지한 수지부(740) 중의 일부가 전극(750, 760)으로 누수되는 것을 방지한 예이다.
도 8은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(700)를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제7 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(700)는 패키지 본체(710), 상기 패키지 본체(710) 상에 탑재되는 발광 다이오드 칩(720), 친수성 패턴(730) 및 상기 친수성 패턴(730)과 간격을 두고 형성된 수지부(740)를 포함한다.
앞서 설명한 바와 마찬가지로, 상기 패키지 본체(710)는 일측면에 상기 발광 다이오드 칩(720)이 실장되며, 상기 발광 다이오드 칩(720)이 실장되는 면은 둘레가 경사면을 이루도록 오목하게 형성된 요면을 형성할 수도 있다. 상기 발광 다이오드 칩(720)은 전기 신호 인가시 빛을 방출하는 광전 소자라면 어느 것이나 이용 가능하다. 상기 발광 다이오드 칩(720)은 수지부(740)에 의해 봉지되며, 상기 수지부(740)은 댐(미도시)에 의해 그 둘레면이 정의될 수 있다.
상기 친수성 패턴(730)은, 앞서 설명한 바와 같이, 소수성 패턴의 표면을 산소(O2) 플라즈마 처리하여 친수성을 띠도록 개질한 것으로, 상기 수지부(740)와 상기 전극(750, 760)의 사이에 개재되도록 형성된다. 상기 친수성 패턴(730)은 친수성 성질로 인해, 디스펜싱 단계에서 누수된 액상의 수지부(740)를 흡착하여 상기 수지부(740)가 상기 전극(750, 760) 상에 형성되는 것을 방지한다.
상기 전극(750, 760) 상에 수지부(740)가 형성되면 상기 전극(750, 760)에 와이어가 본딩되는 것을 방해하여, 상기 발광 다이오드 칩(720)에 전원이 공급되지 못하므로, 상기 발광 다이오드 패키지(700)가 불량이 되는 원인이 된다. 상기 친수성 패턴(730)은 수지부(740)와 전극(750, 760)의 사이에 개재되어 디스펜싱 단계에 발생할 수 있는 발광 다이오드 패키지의 불량을 효과적으로 방지할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제1 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(100)의 제조방법에 대해서 설명한다.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 제1 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
상기 발광 다이오드 패키지(100)의 제조방법은 패키지 본체(110) 상에 소수성 패턴(130)을 형성하는 단계, 상기 소수성 패턴(130)으로 둘러싸여진 영역 상에 발광 다이오드 칩(120)을 탑재하는 단계 및 상기 발광 다이오드 칩(120)을 봉지하는 수지부(140)를 형성하는 단계를 포함한다.
먼저, 도 9에 도시된 바와 같이, 패키지 본체(110)를 준비한 후, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 본체(110) 상에 시드층 패턴(130a)을 형성한다.
상기 시드층 패턴(130a)은 Au, Cu 또는 이들의 합금으로 구성된 박막층을 상기 패키지 본체(110)의 발광 다이오드 칩(120)이 실장될 면에 증착하여 형성한다.
상기 시드층(130a)는 한 층으로 형성할 수 있으나, Au, Cu 또는 이들의 합금으로 구성된 박막층을 다층으로 증착하여 형성할 수도 있으며, ZnO로 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 시드층 패턴(130a)이 형성된 상기 패키지 본체(110)를 ZnO용액에 침지시켜, 상기 시드층 패턴(130a)에 나노구조물(130b)을 형성한다. 상기 ZnO용액은 (Zn(NO3)2 · 6H2O) 0.01M과 HMT(Hexamethylene tetramine ; C6H12N4) 0.25M이 1:1로 혼합된 용액에 ZnO 필름이 용해된 용액일 수 있다.
그 다음으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 소수성 패턴(130)으로 둘러싸여진 영역에 상기 발광 다이오드 칩(120)을 실장한다.
상기 발광 다이오드 칩(120)의 실장은 상기 발광 다이오드 칩(120)의 상면에 형성된 전극(미도시)과 패키지 본체(110) 상의 리드프레임(미도시)을 와이어(W) 본딩하는 공정을 통하여 수행될 수 있다.
그 다음으로, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 소수성 패턴(130)에 의해 그 둘레가 정의되는 영역에, 상기 발광 다이오드 칩(120)을 봉지하는 수지부(140)를 형성하여 발광 다이오드 패키지(100)를 제조한다.
다음으로, 본 발명의 제7 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(700)의 제조방법에 대해서 설명한다.
상기 발광 다이오드 패키지(700)의 제조방법은 패키지 본체(710)의 표면 상에 소수성 패턴을 형성하는 단계, 상기 소수성 패턴이 형성된 패키지 본체(710)의 표면을 친수성으로 개질하는 단계, 발광 다이오드 칩(720)을 탑재하는 단계 및 수지부(740)를 형성하는 단계를 포함한다.
먼저, 앞서 제1 실시예에서 설명한 바와 마찬가지로, 패키지 본체(710)를 준비한 후, 상기 패키지 본체(710) 상에 소수성 패턴을 형성한다.
그 다음으로, 상기 소수성 패턴의 표면을 산소(O2) 플라즈마 처리하여 상기 친수성 패턴(730)을 형성한다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 소수성 패턴은 복수의 나노구조물로 형성될 수 있으므로, 상기 소수성 패턴으로 형성한 친수성 패턴(730)은 넓은 접촉면적에 의해 강한 친수성 흡착력을 가질 수 있다. 이와 같이 상기 친수성 패턴(730)은 강한 친수성 흡착력을 가지므로, 액상의 친수성 물질을 효과적으로 흡착할 수 있는 것이다.
그 다음으로, 상기 패키지 본체(710)에 상기 발광 다이오드 칩(720)을 탑재하고, 상기 발광 다이오드 칩(720)을 봉지하도록 수지부(740)를 형성한다.
상기 친수성 패턴(730)은 발광 다이오드 칩(720)에 디스펜싱하는 과정에서 누수되는 액상의 수지부를 흡착하여, 전극(750, 760)에 상기 수지부(740)가 형성되는 것을 방지한다.
110, 210, 310, 410, 510, 610, 710: 패키지 본체
120, 220, 320, 420, 520, 620, 720: 발광 다이오드 칩
130, 230, 330, 330', 430, 530, 630: 소수성 패턴
730: 친수성 패턴
130a: 시드층 패턴
130b: 나노구조물
140, 240, 340, 440, 540, 640, 740: 수지부
250, 350: 렌즈부
750, 760: 전극
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700: 발광 다이오드 패키지
W: 와이어

Claims (30)

  1. 패키지 본체;
    상기 패키지 본체 상에 탑재되는 발광 다이오드 칩;
    상기 패키지 본체 상에, 상기 발광 다이오드 칩과 간격을 두고 형성되며 나노단위의 미세패턴인 복수의 나노구조물을 포함하는 소수성 패턴; 및
    상기 발광 다이오드 칩을 봉지하며, 상기 소수성 패턴에 의해 정의되는 수지부를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소수성 패턴은, 상기 패키지 본체 상에 형성된 시드층 패턴을 포함하며,
    상기 나노구조물은 상기 시드층 패턴 상에 성장되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 수지부는 형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 수지부는 상기 패키지 본체와 이루는 접촉각이 90° 이상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 소수성 패턴은 원형, 삼각형, 사각형 또는 이들의 조합으로 구성된 도형 인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 소수성 패턴은 둘 이상의 패턴이 중첩된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 수지부를 봉지하며, 상기 소수성 패턴에 의해 정의되는 렌즈부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제8항에 있어서
    상기 렌즈부는 상기 패키지 본체와 이루는 접촉각이 90° 이상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 소수성 패턴은 H2 플라즈마 또는 플루오르-카본(fluoro-carbon) 처리된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 나노구조물은 아연 산화물(ZnO)계 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  12. 제3항에 있어서,
    상기 시드층 패턴은 Au, Cu 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  13. 제3항에 있어서,
    상기 시드층 패턴은 ZnO인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  14. 제3항에 있어서,
    상기 시드층 패턴는 Au와 Cu가 교대로 적층된 다층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  15. 패키지 본체;
    상기 패키지 본체 상에 탑재되는 발광 다이오드 칩;
    상기 패키지 본체 상에, 상기 발광 다이오드 칩과 간격을 두고 형성되며, 표면이 O2 플라즈마 처리된 나노단위의 미세 패턴인 복수의 나노구조물을 포함하는 친수성 패턴; 및
    상기 발광 다이오드 칩을 봉지하며, 상기 친수성 패턴에 의해 정의되는 수지부를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 패키지 본체 상에 나노단위의 미세 패턴인 복수의 나노구조물로 형성된 소수성 패턴을 형성하는 단계;
    상기 소수성 패턴이 형성하는 영역 상에 발광 다이오드 칩을 탑재하는 단계; 및
    상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 수지부를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  19. 삭제
  20. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제18항에 있어서,
    상기 나노구조물은 상기 패키지 본체에 시드층 패턴을 형성하고, 상기 시드층 패턴 상에 성장된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  21. 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제20항에 있어서,
    상기 시드층 패턴은 (Zn(NO3)2 · 6H2O)에 침지시켜, 상기 시드층 패턴 상에 ZnO 나노구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  22. 청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제20항에 있어서,
    상기 시드층 패턴은 Au, Cu 또는 이들의 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  23. 청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제20항에 있어서,
    상기 시드층 패턴은 ZnO으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  24. 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제20항에 있어서,
    상기 시드층 패턴는 Au와 Cu가 교대로 적층된 다층으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  25. 청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제18항에 있어서,
    상기 소수성 패턴을 H2 플라즈마 또는 플루오르-카본(fluoro-carbon) 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  26. 청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제18항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 수지부를 형성하는 단계 후에 상기 수지부 상에 렌즈부를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  27. 청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제18항에 있어서,
    상기 나노구조물은 아연 산화물(ZnO)계 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
  28. 패키지 본체의 표면 상에 나노단위의 미세 패턴인 복수의 나노구조물로 형성된 소수성 패턴을 형성하는 단계;
    상기 소수성 패턴의 표면을 O2 플라즈마 처리하여 친수성으로 개질하는 단계;
    상기 패키지 본체 표면의 일 영역에 상기 친수성으로 개질된 소수성 패턴과 간격을 두고 발광 다이오드 칩을 탑재하는 단계; 및
    상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 수지부를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  29. 삭제
  30. 삭제
KR1020110101741A 2011-10-06 2011-10-06 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법 KR101335921B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101741A KR101335921B1 (ko) 2011-10-06 2011-10-06 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법
US13/647,099 US8907361B2 (en) 2011-10-06 2012-10-08 Light emitting diode package and fabrication method thereof
CN2012103765129A CN103035825A (zh) 2011-10-06 2012-10-08 发光二极管封装件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101741A KR101335921B1 (ko) 2011-10-06 2011-10-06 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130037367A KR20130037367A (ko) 2013-04-16
KR101335921B1 true KR101335921B1 (ko) 2013-12-03

Family

ID=48022509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110101741A KR101335921B1 (ko) 2011-10-06 2011-10-06 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8907361B2 (ko)
KR (1) KR101335921B1 (ko)
CN (1) CN103035825A (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
USD738832S1 (en) * 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
CN103375736A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 Ge医疗***环球技术有限公司 Led灯及包括led灯的限束器和x射线设备
TWI497771B (zh) * 2013-04-10 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 發光二極體元件與發光二極體元件的製造方法
US10698256B2 (en) 2014-11-14 2020-06-30 Lg Electronics Inc. Display device
CN105990492A (zh) 2015-02-12 2016-10-05 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装体及其制造方法
DE102015107516A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Linse für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung
JP2017045807A (ja) * 2015-08-25 2017-03-02 デクセリアルズ株式会社 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP6281577B2 (ja) 2016-01-19 2018-02-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2019514157A (ja) 2016-04-05 2019-05-30 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ 疎水性ナノ構造体を備える波長変換層を有する光変換デバイス
US9978674B2 (en) 2016-04-05 2018-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip-on-film semiconductor packages and display apparatus including the same
WO2017209143A1 (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 シチズン電子株式会社 発光装置およびその製造方法
NL2017198B1 (en) * 2016-07-20 2018-01-26 Jiaco Instr Holding B V Decapsulation of electronic devices
CN106297578A (zh) * 2016-10-26 2017-01-04 上海得倍电子技术有限公司 胶球封装式显示屏模块
US10782002B2 (en) * 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
CN107170771B (zh) 2017-05-23 2019-12-24 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管阵列基板的封装结构及其封装方法
KR102051616B1 (ko) * 2017-08-21 2019-12-03 주식회사 옵티맥 발광 다이오드 패키지
JP7016639B2 (ja) * 2017-08-21 2022-02-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
JP6512316B2 (ja) * 2018-01-19 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
FR3091006B1 (fr) * 2018-12-20 2021-01-15 Commissariat Energie Atomique Procede de remplissage selectif, par un liquide de remplissage, d’un groupe de cavites parmi une pluralite de cavites
DE112020000921A5 (de) * 2019-02-25 2021-11-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Kontrollierte benetzung bei der herstellung von elektronischen bauteilen
JP7295437B2 (ja) * 2019-11-29 2023-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN111025757B (zh) * 2019-12-25 2022-06-21 业成科技（成都）有限公司 电子装置及其制造方法
CN111211209B (zh) * 2020-01-16 2021-09-28 江西新正耀光学研究院有限公司 紫外光发光二极管及其制作方法
CN111833268B (zh) * 2020-07-10 2023-09-26 中国海洋大学 一种基于条件生成对抗网络的水下图像增强方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010238846A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Nichia Corp 発光装置
KR101054769B1 (ko) * 2010-09-24 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그를 이용한 조명장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003344640A (ja) 2002-05-29 2003-12-03 Canon Inc 光学素子とその製造方法
US7192802B2 (en) * 2004-10-29 2007-03-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. ALD ZnO seed layer for deposition of ZnO nanostructures on a silicon substrate
JP2006173536A (ja) 2004-12-20 2006-06-29 Nec Lighting Ltd 表面実装型ｌｅｄ及びその製造方法
KR100799553B1 (ko) 2006-07-11 2008-01-31 주식회사 우리이티아이 댐 인캡 식 엘이디 패키지 및 그의 제조방법
JP5212777B2 (ja) * 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置
US8143778B2 (en) * 2009-05-11 2012-03-27 National Taiwan University Organic-inorganic lighting device and a method for fabricating the same
US8575646B1 (en) * 2009-06-11 2013-11-05 Applied Lighting Solutions, LLC Creating an LED package with optical elements by using controlled wetting
US20120074434A1 (en) 2010-09-24 2012-03-29 Jun Seok Park Light emitting device package and lighting apparatus using the same
US10147853B2 (en) * 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010238846A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Nichia Corp 発光装置
KR101054769B1 (ko) * 2010-09-24 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그를 이용한 조명장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN103035825A (zh) 2013-04-10
KR20130037367A (ko) 2013-04-16
US8907361B2 (en) 2014-12-09
US20130087822A1 (en) 2013-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101335921B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법
JP6697033B2 (ja) ナノ構造蛍光体を有する発光装置
JP6827263B2 (ja) 発光素子
US10734547B2 (en) Semiconductor device and semiconductor device package comprising same
US9099624B2 (en) Semiconductor light emitting device and package
CN102760812B (zh) 具有纳米图案化衬底的led的方法和结构
KR102188500B1 (ko) 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
KR102252994B1 (ko) 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
KR102227774B1 (ko) 발광다이오드 패키지 제조방법
KR20160054712A (ko) 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 패키지
EP2953175B1 (en) Light emitting device module
US8049227B2 (en) Group III nitride semiconductor light emitting device, method for producing the same, and lamp thereof
US9178109B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
CN109328400A (zh) 发光器件封装和光源设备
KR102318355B1 (ko) 반사성 측벽을 갖는 발광 디바이스
JP7500434B2 (ja) 発光素子パッケージ
KR101288367B1 (ko) 백색광 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20130136260A (ko) 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP6255872B2 (ja) 発光装置とその製造方法
KR20170120878A (ko) 발광모듈 및 의료기기
US10707375B2 (en) Light emitting device
KR20130008376A (ko) 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법
JPWO2019212254A5 (ko)
KR20120013759A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20140098520A (ko) 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181031

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191031

Year of fee payment: 7