TWI497771B - 發光二極體元件與發光二極體元件的製造方法 - Google Patents

Description

發光二極體元件與發光二極體元件的製造方法

本揭露是有關於一種發光元件與發光元件的製造方法，且特別是有關於一種發光二極體元件與發光二極體元件的製造方法。

近年來，由於發光二極體(light emitting diode，LED)具有省電、使用壽命長、環保、啟動快速、體積小等多種優點，而使發光二極體元件取代傳統光源而能廣泛應用於需配置發光源的電子裝置或光學裝置上。

一般的發光二極體元件能在發光二極體晶片上塗佈螢光粉而改變光線的顏色，例如是在藍光發光二極體晶片上塗佈黃色螢光粉而使發光二極體元件的光線變為白光。傳統的發光二極體晶片搭配螢光粉的封裝方式例如是將螢光粉所製成螢光板貼附於發光二極體晶片的表面，但製作程序較為複雜且其貼附方式需要高精度的對準。另外，發光二極體晶片搭配螢光粉的封裝方式還包括在發光二極體晶片的表面上噴灑螢光粉，或者將螢光粉混合 膠材例如是環氧樹酯或矽膠後塗佈於發光二極體晶片以形成覆蓋發光二極體晶片的螢光透鏡，但這些方法不易控制螢光粉的厚度，使得發光二極體元件所提供的光線的顏色不均勻。

本揭露提出一種發光二極體元件，包括一基板、一發光二極體晶片、一第一表面處理層以及一螢光材料。發光二極體晶片配置於基板上並與基板電性連接。第一表面處理層配置於發光二極體晶片上並包覆發光二極體晶片的一出光面。螢光材料配置於第一表面處理層上並對應於出光面，其中第一表面處理層與螢光材料屬相同性質材料，以使螢光材料均勻分佈在第一表面處理層上。

本揭露再提出一種發光二極體元件，包括一基板、一發光二極體晶片以及一螢光材料。發光二極體晶片配置於基板上並與基板電性連接。螢光材料位在發光二極體晶片的一出光面，且發光二極體晶片與螢光材料具有同一表面性質，以使螢光材料均勻分佈在發光二極體晶片的表面。

本揭露更提出一種發光二極體元件，包括一基板、一發光二極體晶片、一第一表面處理層、一封裝材料層以及一螢光材料。發光二極體晶片配置於基板上並與基板電性連接。第一表面處理層配置於發光二極體晶片上並包覆發光二極體晶片的一出光面。封裝材料層配置於第一表面處理層上。螢光材料混合於封裝 材料層內，以使螢光材料位於第一表面處理層上並對應於出光面，其中第一表面處理層與封裝材料層屬相同性質的材料，以使螢光材料與封裝材料層分佈在第一表面處理層上。

本揭露另提出一種發光二極體元件的製造方法，包括下列步驟。提供一基板與一發光二極體晶片，其中發光二極體晶片配置於基板上並與基板電性連接。塗佈一表面處理材料於基板與發光二極體晶片上。對表面處理材料進行一曝光處理程序，以使位於發光二極體晶片上的表面處理材料形成一第一表面處理層，並且使位於基板上的表面處理材料形成一第二表面處理層，其中第一表面處理層包覆發光二極體晶片的一出光面，且第二表面處理層與第一表面處理層的表面性質相異。塗佈一螢光材料於第一表面處理層上，其中第一表面處理層與螢光材料屬相同性質材料，以使螢光材料均勻分佈在第一表面處理層上。

基於上述，本揭露之發光二極體元件的第一表面處理層或發光二極體元件的表面與螢光材料屬相同性質材料，以使螢光材料均勻分佈在第一表面處理層或發光二極體元件的表面上並對應於出光面。因此，當發光二極體晶片從出光面透過位在出光面的螢光材料而往外發射出具有顏色的光線時，均勻分佈在第一表面處理層或發光二極體元件的表面上的螢光材料能減少光線的色度座標的偏差。

為讓本揭露之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

50‧‧‧曝光裝置

52、54‧‧‧光罩

60‧‧‧塗佈裝置

100、100a、100b‧‧‧發光二極體元件

110、110a‧‧‧基板

112a‧‧‧第二表面處理面

120、120a‧‧‧發光二極體晶片

122‧‧‧出光面

124‧‧‧頂面

126‧‧‧側面

128a‧‧‧第一表面處理面

130、130b‧‧‧螢光材料

140、140b‧‧‧封裝材料層

150‧‧‧第一表面處理層

160‧‧‧第二表面處理層

M1、M2‧‧‧表面處理材料

θ1、θ2‧‧‧接觸角

圖1是本揭露一實施例之發光二極體元件的示意圖。

圖2是圖1之螢光材料塗佈於第一表面處理層與第二表面處理層的表面差異圖。

圖3是圖1之發光二極體元件的製造方法的流程圖。

圖4A至圖4E是圖3之發光二極體元件的製造流程示意圖。

圖5是根據一實施例之表面處理材料進行曝光處理程序的流程示意圖。

圖6是根據另一實施例之表面處理材料進行曝光處理程序的流程示意圖。

圖7是本揭露另一實施例之發光二極體元件的示意圖。

圖8是本揭露又一實施例之發光二極體元件的示意圖。

本揭露提供一種發光二極體元件，能提供色度座標一致與均勻的光線，以及提供一種發光二極體元件的製造方法，能降低發光二極體元件所發出之光線的色度座標的偏差。

圖1是本揭露一實施例之發光二極體元件的示意圖。請參考圖1，在本實施例中，發光二極體元件100包括基板110、發光二極體晶片120、螢光材料130、封裝材料層140、第一表面處 理層150以及第二表面處理層160。發光二極體晶片120配置於基板110上並與基板110電性連接。本實施例是以基板110上配置一個發光二極體晶片120為例，但在其他未繪示之實施例中，發光二極體晶片120的數量可為多個，依據實際需求而依序排列或任意排列並配置於基板110上而與基板110電性連接，本揭露不限制發光二極體晶片120的數量與排列方式。

另一方面，發光二極體晶片120具有出光面122，出光面122背向基板110，以使發光二極體晶片120所發出的光線能從出光面122朝向遠離基板110的方向射出。在本實施例中，發光二極體晶片120為片狀晶片，使得發光二極體晶片120的光線能從發光二極體晶片120的頂面124與四個側面126往外發射。因此，發光二極體晶片120的出光面122實際上包括發光二極體晶片120的頂面124與四個側面126，但本揭露不以此為限制。

在本實施例中，第一表面處理層150配置於發光二極體晶片120上並包覆發光二極體晶片120的出光面122，而第二表面處理層160配置於基板110上。更進一步地說，第二表面處理層160配置於基板110上並鄰近第一表面處理層150。第一表面處理層150與第二表面處理層160的厚度各自為5nm至500μm，但本揭露不以此為限制。

另一方面，螢光材料130配置於第一表面處理層150上並對應於出光面122。在本實施例中，配置於第一表面處理層150上的螢光材料130是以一層為例，但在其他未繪示之實施例中， 配置於第一表面處理層150上的螢光材料130包括多層螢光材料130，依序層疊於第一表面處理層150上。換言之，在其他實施例中，螢光材料130可依序層疊於第一表面處理層150上，以使位在第一表面處理層150上的螢光材料130更為均勻。此外，封裝材料層140配置於螢光材料130與部分基板110上，但在其他實施例中，封裝材料層140能僅配置於螢光材料130上，本揭露不以此為限制。

在本實施例中，螢光材料130是以配置於發光二極體晶片120的頂面124為例。然而，在其他未繪示之實施例中，螢光材料130亦可配置於發光二極體晶片120的側面126。由於發光二極體晶片120的側面126通常僅提供微量的發光效能，因此本揭露並不限制螢光材料130是否配置於發光二極體晶片120的側面126。由此可知，發光二極體晶片120所發出的光線從出光面122經由配置於第一表面處理層150上的螢光材料130往外發射，使得發光二極體元件100能提供具有顏色的光線。

在本實施例中，第一表面處理層150與螢光材料130屬相同性質材料，以使螢光材料130均勻分佈在第一表面處理層150上。更進一步地說，第一表面處理層150與螢光材料130的表面性質相同，使得螢光材料130易於均勻地附著在第一表面處理層150上。此時，第二表面處理層160與第一表面處理層150屬相異性質材料，亦即第二表面處理層160與第一表面處理層150的表面性質相異。此時，第二表面處理層160與螢光材料的表面性質 相異，使得能均勻分佈在第一表面處理層150上的螢光材料不易附著在第二表面處理層160上。

具體而言，在本實施例中，第一表面處理層150與螢光材料130為親水材質，且第二表面處理層160為疏水材質。在其他實施例中，第一表面處理層150與螢光材料130可為疏水材質，且第二表面處理層160為親水材質，本揭露並不以此為限制。

圖2是圖1之螢光材料塗佈於第一表面處理層與第二表面處理層的表面差異圖。請參考圖1與圖2，更進一步定義前述之表面性質。在本實施例中，前述之第一表面處理層150與螢光材料130的表面性質相同，亦即當螢光材料130塗佈在第一表面處理層150時，螢光材料130與第一表面處理層150之間的接觸角θ1較小，使得螢光材料130能均勻地攤平在第一表面處理層150上。相對地，前述之第二表面處理層160與第一表面處理層150的表面性質相異，亦即當螢光材料130塗佈在第二表面處理層160時，螢光材料130與第二表面處理層160之間的接觸角θ2較大。此處所述之接觸角的大小，僅為螢光材料130在第一表面處理層150或第二表面處理層160的比較，本揭露不以此為限制。

具體而言，在本實施例中，第一表面處理層150的表面性質為當螢光材料130塗佈在第一表面處理層150時的接觸角θ1小於30°，且第二表面處理層160的表面性質為當螢光材料130塗佈在第二表面處理層160時的接觸角θ2為100°至180°。此外，前述之第二表面處理層160與第一表面處理層150的表面性質相 異，可進一步定義為當螢光材料130塗佈在第二表面處理層160時的接觸角θ2與當螢光材料130塗佈在第一表面處理層150時的接觸角θ1相差10°至90°。因此，相較於第二表面處理層160，螢光材料130更容易均勻分佈在第一表面處理層150上。

據此，發光二極體元件100經由在發光二極體晶片120的出光面122上配置與螢光材料130屬相同性質材料的第一表面處理層150，能使螢光材料130均勻分佈在第一表面處理層150上並對應於出光面122。因此，當發光二極體晶片120從出光面122透過位在出光面122的螢光材料130而往外發射出具有顏色的光線時，均勻分佈在第一表面處理層150上的螢光材料130能減少光線的色度座標的偏差，進而提高發光二極體元件100的光線的均勻度。

圖3是圖1之發光二極體元件的製造方法的流程圖。圖4A至圖4E是圖3之發光二極體元件的製造流程示意圖。發光二極體元件100的製造方法，包括下列步驟。在步驟S110中，提供基板110與發光二極體晶片120。在步驟S120中，塗佈表面處理材料M1於基板110與發光二極體晶片120上。在步驟S130中，對表面處理材料M1進行曝光處理程序，以使位於發光二極體晶片120上的表面處理材料M1形成第一表面處理層150，並且使位於基板110上的表面處理材料M1形成第二表面處理層160。在步驟S140中，塗佈螢光材料130於第一表面處理層150上。在步驟S150中，形成封裝材料層140於螢光材料130上。以下將藉由圖3以 及圖4A至圖4E搭配文字說明發光二極體元件100的製造方法。

首先，請參考圖3與圖4A，在步驟S110中，提供基板110與發光二極體晶片120。在本實施例中，發光二極體晶片120配置於基板110上並與基板110電性連接。然而，在其他實施例中，步驟S110還包括提供多個發光二極體晶片120，排列並配置於基板110上而與基板110電性連接，本揭露不限制發光二極體晶片120的數量。

接著，請參考圖3與圖4B，在步驟S120中，塗佈表面處理材料M1於基板110與發光二極體晶片120上。在本實施例中，發光二極體晶片120具有出光面122，且發光二極體晶片120具有頂面124與側面126，而出光面122實際上包括頂面124與側面126。因此，表面處理材料M1實際上是塗佈於基板110以及發光二極體晶片120的頂面124與側面126而包覆發光二極體晶片120的出光面122，其中表面處理材料M1的厚度為5nm至500μm，可依據使用需求以及表面處理材料M1的種類進行調整，此厚度不是限制範圍條件。

接著，請參考圖3與圖4C，在步驟S130中，對表面處理材料M1進行曝光處理程序，以使位於發光二極體晶片120上的表面處理材料M1形成第一表面處理層150，並且使位於基板110上的表面處理材料M1形成第二表面處理層160。在本實施例中，在表面處理材料M1塗佈於基板110與發光二極體晶片120上之後，能針對表面處理材料M1進行曝光處理程序，以使位於發光二 極體晶片120上的表面處理材料M1形成第一表面處理層150，並且使位於基板110上的表面處理材料M1形成第二表面處理層160，其中第一表面處理層150包覆發光二極體晶片120的出光面122，且第二表面處理層160與第一表面處理層150的表面性質相異。

上述圖4C之曝光處理程序可以利用下列兩種實施方式(如圖5以及圖6所示)來達成。以下將分別說明圖5以及圖6所示之曝光處理程序。

圖5是根據一實施例之表面處理材料進行曝光處理程序的流程示意圖。在此實施例中，於圖4B所示之步驟中所塗佈的表面處理材料M1為疏水材質，例如是光敏材料但本揭露不限於此。接著，請參考圖4C與圖5，將光罩52配置於表面處理材料M1的上方並對應於基板110而暴露出發光二極體晶片120，而本揭露不限制光罩52的種類以及光罩52是否接觸表面處理材料M1。之後，利用光罩52作為曝光遮罩並使用曝光裝置50對位於發光二極體晶片120上的表面處理材料M1進行曝光，以使表面處理材料M1形成表面性質相異的第一表面處理層150與第二表面處理層160，其中位於發光二極體晶片120上並進行曝光的表面處理材料M1所形成的第一表面處理層150改變表面性質而成為親水材質，而位於基板110上且未曝光的表面處理材料M1所形成的第二表面處理層160維持原來的表面性質而為疏水材質。

基於上述，曝光裝置50能曝光未被光罩52遮蔽的位於 發光二極體晶片120之出光面122上的表面處理材料M1，以使位於發光二極體晶片120上的表面處理材料M1所形成的第一表面處理層150成為親水材質。另外，被光罩52遮蔽而未曝光的位於基板110上的表面處理材料M1所形成的第二表面處理層160為疏水材質。在完成曝光處理程序之後，將曝光裝置50與光罩52移除，如圖4C所示，並能繼續執行後續步驟以完成發光二極體元件100。

圖6是根據另一實施例之表面處理材料進行曝光處理程序的流程示意圖。在此實施例中，於圖4B所示之步驟中所塗佈的表面處理材料M2為親水材質，例如是光敏材料，但本揭露不限於此。接著，請參考圖4C與圖6，將光罩54配置於表面處理材料M2的上方並對應於發光二極體晶片120而曝露出位在基板110的其他區域的表面處理材料M2，而本揭露不限制光罩54的種類以及光罩54是否接觸表面處理材料M2。之後，利用光罩54作為曝光遮罩並使用曝光裝置50曝露的表面處理材料M2進行曝光，以使表面處理材料M2形成表面性質相異的第一表面處理層150與第二表面處理層160，其中位於發光二極體晶片120上且未曝光的表面處理材料M2所形成的第一表面處理層150維持原來的表面性質而為親水材質，而位於基板110的其他區域並進行曝光的表面處理材料M2所形成的第二表面處理層160改變表面性質而成為疏水材質。

基於上述，曝光裝置50能曝光未被光罩54遮蔽的位於基板110上的表面處理材料M2，以使位於基板110上的表面處理 材料M2所形成的第二表面處理層160成為疏水材質。此時，被光罩54遮蔽而未曝光的位於發光二極體晶片120之出光面122上的表面處理材料M2所形成的第一表面處理層150成為親水材質。在完成曝光處理程序之後，將曝光裝置50與光罩54移除，如圖4C所示，並能繼續執行後續步驟以完成發光二極體元件100。

接著，請參考圖3與圖4D，在步驟S140中，塗佈螢光材料130於第一表面處理層150上。在本實施例中，螢光材料130可經由例如是塗佈裝置60而塗佈於第一表面處理層150上，其中第一表面處理層150與螢光材料130的表面性質相同，以使螢光材料130均勻分佈在第一表面處理層150上，但不易均勻分佈在與第一表面處理層150的表面性質相異的第二表面處理層160上。

具體而言，有關第一表面處理層150與第二表面處理層160的表面性質在前面已經介紹，在此不多加贅述。在本實施例中，塗佈螢光材料130於第一表面處理層150上的步驟包括浸泡塗佈(dip coating)、狹縫塗佈(slot coating)、噴霧塗佈(spray coating)、旋轉塗佈(spin coating)、噴墨印刷(injet printing)或其他未列出之塗佈方法，本揭露不限制螢光材料130的塗佈方法。另外，本實施例之螢光材料130是以塗佈於位在發光二極體晶片120的頂面124的第一表面處理層150為例，而在其他實施例中，螢光材料130能塗佈於位在發光二極體晶片120的頂面124與側面126的第一表面處理層150而包覆發光二極體晶片120的出光面122。

因此，當螢光材料130塗佈在第一表面處理層150時，螢光材料130與第一表面處理層150的表面性質相同而易於均勻分佈在第一表面處理層150上。

在螢光材料130塗佈在第一表面處理層150上之後，螢光材料130可在製程溫度85℃的條件下進行厚度的量測。若螢光材料130的厚度或者螢光材料130於第一表面處理層150上的均勻程度未達需求時，螢光材料130可再次塗佈於第一表面處理層150上而層疊於前次塗佈的螢光材料130上。如此反覆的量測與塗佈，可使螢光材料130的厚度以及均勻程度符合設計標準。

最後，在步驟S150中，形成封裝材料層140於螢光材料130上。請參考圖3與圖4E，在本實施例中，封裝材料層140形成於螢光材料130上而包覆螢光材料130。更進一步地說，封裝材料層140形成於螢光材料130與部分基板110上，本揭露不以此為限制。至此，即可完成發光二極體元件100。當發光二極體晶片120從出光面122透過螢光材料130而往外發射出時，均勻分佈在第一表面處理層150上的螢光材料130能減少光線於色度座標上的偏差。據此，發光二極體元件100的製造方法能使螢光材料130均勻分佈在第一表面處理層150上，而能降低發光二極體元件100所發出之光線於色度座標上的偏差。

圖7是本揭露另一實施例之發光二極體元件的示意圖。請參考圖7，在本實施例中，發光二極體元件100a與發光二極體元件100的主要差異在於，發光二極體元件100a的發光二極體晶 片120a的表面，例如是第一表面處理面128a，即可作為前述的第一表面處理層150，而基板110a的表面，例如是第二表面處理面112a，即可作為前述的第二表面處理層160。因此，發光二極體元件100a不需額外配置第一表面處理層150與第二表面處理層160。以下將藉由文字搭配圖7說明本實施例之發光二極體元件100a，而有關發光二極體元件100a的敘述以及圖式中標號與前一實施例之發光二極體元件100相同或類似的構件則具有相似的功能，在此不多加贅述。

具體而言，在本實施例中，發光二極體元件100a的發光二極體晶片120a具有出光面122。螢光材料130配置於發光二極體晶片120a的出光面122，其中發光二極體晶片120a的表面，例如是第一表面處理面128a，與螢光材料130具有同一表面性質，而基板110a的表面，例如是第二表面處理面112a，與第一表面處理面128a屬相異性質材料，以使螢光材料130均勻分佈在第一表面處理面128a上，但不易分佈在第二表面處理面112a上。

另一方面，在本實施例中，第一表面處理面128a與螢光材料130具有親水性質，使得發光二極體晶片120a可視為是親水發光二極體晶片。第二表面處理面112a具有疏水性質，使得基板110a可視為是疏水基板。然而，在其他實施例中，第一表面處理面128a與螢光材料130為疏水性質，且第二表面處理面112a為親水性質，本揭露不限於此。

在本實施例中，第一表面處理面128a的表面性質為當螢 光材料130塗佈在第一表面處理面128a時的接觸角小於30°，且第二表面處理面112a的表面性質為當螢光材料130塗佈在第二表面處理面112a時的接觸角為100°至180°，其中當螢光材料130塗佈在第二表面處理面112a時的接觸角與螢光材料130塗佈在第一表面處理面128a時的接觸角相差10°至90°。在一實施例中，可藉由對第一表面處理面128a或第二表面處理面112a進行一表面處理，例如電漿處理，而使第一表面處理面128a和第二表面處理面112a具有相異的表面性質。其餘有關第一表面處理面128a與第二表面處理面112a的性質可參照前一實施例之第一表面處理層150與第二表面處理層160。因此，當發光二極體晶片120a從出光面122透過位在出光面122的螢光材料130而往外發射時，均勻分佈在第一表面處理面128a上的螢光材料130能減少光線於色度座標上的偏差，進而提高發光二極體元件100a的光線均勻度。

圖8是本揭露又一實施例之發光二極體元件的示意圖。請參考圖8，在本實施例中，發光二極體元件100b與發光二極體元件100的主要差異在於，發光二極體元件100b的螢光材料130b混合於封裝材料層140b內。以下將藉由文字搭配圖8說明本實施例之發光二極體元件100b，而有關發光二極體元件100b的敘述以及圖式中標號與前一實施例之發光二極體元件100相同或類似的構件則具有相似的功能，在此不多加贅述。

具體而言，在本實施例中，發光二極體元件100b的封裝材料層140b配置於第一表面處理層150與部分基板110上，但在 其他實施例中，封裝材料層140b能僅配置於第一表面處理層150上，本揭露不以此為限制。另外，螢光材料130b混合於封裝材料層140b內，以使螢光材料130b位於第一表面處理層150上並對應於出光面122，其中第一表面處理層150與具有螢光材料130b的封裝材料層140b屬相同性質材料，而第二表面處理層160與第一表面處理層150屬相異性質材料，以使混合於封裝材料層140b的螢光材料130b與封裝材料層140b能均勻分佈在第一表面處理層150上，但不易分佈在第二表面處理層160上。

另外，其餘的相關構件與其連接關係可參照前述之實施例。據此，分佈在第一表面處理層150上的螢光材料130b能減少光線於色度座標上的偏差，進而提高發光二極體元件100b的光線均勻度。由此可知，當發光二極體晶片120從出光面122透過位在出光面122上且混合於封裝材料層140b的螢光材料130b而往外發射時，均勻分佈在第一表面處理層150上的螢光材料130b能減少光線於色度座標上的偏差，進而提高發光二極體元件100b的光線均勻度。

綜上所述，本揭露之發光二極體元件的第一表面處理層與螢光材料的表面性質相同，而第二表面處理層與第一表面處理層的表面性質相異，使得螢光材料能均勻分佈在第一表面處理層上並對應於出光面，但不易分佈在第二表面處理層上。因此，當發光二極體晶片從出光面透過位在\出光面的螢光材料而往外發射時，均勻分佈在第一表面處理層上的螢光材料能減少光線於色度 座標上的偏差。據此，發光二極體元件能提供顏色均勻的光線，而發光二極體元件的製造方法能降低發光二極體元件所發出之光線於色度座標上的偏差。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧發光二極體元件

110‧‧‧基板

120‧‧‧發光二極體晶片

122‧‧‧出光面

124‧‧‧頂面

126‧‧‧側面

130‧‧‧螢光材料

140‧‧‧封裝材料層

150‧‧‧第一表面處理層

160‧‧‧第二表面處理層

Claims (24)

1. 一種發光二極體元件，包括：一基板；一發光二極體晶片，配置於該基板上並與該基板電性連接；一第一表面處理層，配置於該發光二極體晶片上並包覆該發光二極體晶片的一出光面；一第二表面處理層，配置於該基板上，其中該第二表面處理層與該第一表面處理層屬相異性質材料；以及一螢光材料，配置於該第一表面處理層上並對應於該出光面，其中該第一表面處理層與該螢光材料屬相同性質材料，以使該螢光材料均勻分佈在該第一表面處理層上。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，更包括：一封裝材料層，配置於該螢光材料上。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，其中該第一表面處理層的表面性質為當該螢光材料塗佈在該第一表面處理層時的接觸角小於30°，且該第二表面處理層的表面性質為當該螢光材料塗佈在該第二表面處理層時的接觸角為100°至180°。
4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，其中該第一表面處理層與該第二表面處理層的厚度各自為5nm至500μm。
5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，其中該發光二極體晶片的數量為多個，排列並配置於該基板上而與該基板 電性連接。
6. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體元件，其中該封裝材料層配置於該螢光材料與部分該基板上。
7. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，其中配置於該第一表面處理層上的該螢光材料包括多層螢光材料，依序層疊於該第一表面處理層上。
8. 一種發光二極體元件，包括：一基板；一發光二極體晶片，配置於該基板上並與該基板電性連接；以及一螢光材料，位在該發光二極體晶片的一出光面，且該發光二極體晶片與該螢光材料具有同一表面性質，以使該螢光材料均勻分佈在該發光二極體晶片的表面，其中該基板的表面與該發光二極體晶片的表面屬相異性質材料。
9. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體元件，更包括：一封裝材料層，配置於該螢光材料上。
10. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體元件，其中該發光二極體晶片的表面性質為當該螢光材料塗佈在該發光二極體晶片的表面時的接觸角小於30°，且該基板的表面性質為當該螢光材料塗佈在該基板的表面時的接觸角為100°至180°。
11. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體元件，其中該發光二極體晶片的數量為多個，排列並配置於該基板上而與該基 板電性連接。
12. 如申請專利範圍第9項所述的發光二極體元件，其中該封裝材料層配置於該螢光材料與部分該基板上。
13. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體元件，其中配置於該發光二極體晶片的表面上的該螢光材料包括多層螢光材料，依序層疊於該發光二極體晶片的表面上。
14. 一種發光二極體元件，包括：一基板；一發光二極體晶片，配置於該基板上並與該基板電性連接；一第一表面處理層，配置於該發光二極體晶片上並包覆該發光二極體晶片的一出光面；一第二表面處理層，配置於該基板上，其中該第二表面處理層與該第一表面處理層屬相異性質材料；一封裝材料層，配置於該第一表面處理層上；以及一螢光材料，混合於該封裝材料層內，以使該螢光材料位於該第一表面處理層上並對應於該出光面，其中該第一表面處理層與該封裝材料層屬相同性質材料，以使該螢光材料與該封裝材料層分佈在該第一表面處理層上。
15. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體元件，其中該第一表面處理層的表面性質為當該螢光材料塗佈在該第一表面處理層時的接觸角小於30°，且該第二表面處理層的表面性質為當該螢光材料塗佈在該第二表面處理層時的接觸角為100°至180°。
16. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體元件，其中該第一表面處理層與該第二表面處理層的厚度各自為5nm至500μm。
17. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體元件，其中該發光二極體晶片的數量為多個，排列並配置於該基板上而與該基板電性連接。
18. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體元件，其中該封裝材料層配置於該螢光材料與部分該基板上。
19. 一種發光二極體元件的製造方法，包括：提供一基板與一發光二極體晶片，其中該發光二極體晶片配置於該基板上並與該基板電性連接；塗佈一表面處理材料於該基板與該發光二極體晶片上；對該表面處理材料進行一曝光處理程序，以使位於該發光二極體晶片上的該表面處理材料形成一第一表面處理層，並且使位於該基板上的該表面處理材料形成一第二表面處理層，其中該第一表面處理層包覆該發光二極體晶片的一出光面，且該第二表面處理層與該第一表面處理層的表面性質相異；以及塗佈一螢光材料於該第一表面處理層上，其中該第一表面處理層與該螢光材料屬相同性質材料，以使該螢光材料均勻分佈在該第一表面處理層上。
20. 如申請專利範圍第19項所述的發光二極體元件的製造方法，更包括： 在塗佈該螢光材料於該第一表面處理層上的步驟之後，形成一封裝材料層於該螢光材料上。
21. 如申請專利範圍第19項所述的發光二極體元件的製造方法，其中該曝光處理程序包括對位於該發光二極體晶片上的該表面處理材料或者對位於該基板上的該表面處理材料進行曝光，以使該第一表面處理層成為親水材質，且使該第二表面處理層成為疏水材質。
22. 如申請專利範圍第19項所述的發光二極體元件的製造方法，其中該第一表面處理層的表面性質為當該螢光材料塗佈在該第一表面處理層時的接觸角小於30°，且該第二表面處理層的表面性質為當該螢光材料塗佈在該第二表面處理層時的接觸角為100°至180°。
23. 如申請專利範圍第19項所述的發光二極體元件的製造方法，其中當該螢光材料塗佈在該第二表面處理層時的接觸角與當該螢光材料塗佈在該第一表面處理層時的接觸角相差10°至90°。
24. 如申請專利範圍第19項所述的發光二極體元件的製造方法，其中提供該基板與該發光二極體晶片的步驟包括提供多個發光二極體晶片，其中該些發光二極體晶片排列並配置於該基板上而與該基板電性連接。