CN101097307A - 显示器件的像素电极结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供显示器件的像素电极结构。显示器件的像素电极结构处于被施加电场用于显示图像的第一和第二像素区域中，所述像素电极结构包括在第一像素区域中平行设置的第一子像素电极，其中，从第一与第二像素区域之间的边界开始，所述第一子像素电极具有逐渐增大的宽度，从第一与第二像素区域之间的边界开始，所述第二子像素电极具有逐渐增大的宽度。

Description

显示器件的像素电极结构
本申请要求2006年6月30日递交的韩国专利申请No.2006-060207的优先权，并在此引用其全文作为参考。
技术领域
本发明涉及显示器件的像素电极结构。更具体地说，本发明是涉及用于提高图像显示质量的像素电极结构。
背景技术
近年来，随着用于处理大量数据的信息处理设备的发展，用于将经信息处理设备处理的数据显示成图像的显示器件得到了极大的发展。目前，作为显示器件使用的主要是诸如以LCD(液晶显示)器件，等离子体显示板(PDP)和有机发光器件(OLED)为代表的平板显示器件。
作为LCD器件的一种，扭曲向列(TN)模式具有诸如响应速度快和驱动电压低的优点。然而，TN模式LCD器件具有因液晶的折射率各向异性引起的视角不够好的缺点，这是因为液晶分子沿着垂直施加给它们的电场取向。
为了克服TN模式LCD器件的缺点，近年来已经研究出共平面开关(IPS)模式LCD器件。
在IPS模式LCD器件中，由于将平行于基板的电场水平施加给液晶，与TN模式LCD器件相比，具有能够获得优异视角特性的优点。
为了形成平行于基板的水平电场，IPS模式LCD器件采用梳形像素电极。
图1为根据现有技术应用于IPS模式LCD器件的像素电极结构。
参照图1，在基板1上形成公共电极3。公共电极3为透明导电层。
尽管图中未示出，但是在公共电极3上设置有覆盖公共电极3的绝缘层，并且在绝缘层上设置像素电极5。在绝缘层的与公共电极3相应的位置上设置多个像素电极5，使它们彼此平行地排列。设置在绝缘层上的像素电极5例如可由透明导电材料形成。
在现有技术IPS模式LCD中，一对相邻像素电极5分别具有相同宽度W。将具有相同宽度W的相邻一对像素电极5设置在绝缘层上，使它们分隔相同间距L。
具有相同宽度W和间距L的像素电极5，普遍应用于IPS模式LCD器件和边缘场切换(FFS)模式LCD器件。
通常，在IPS模式LCD器件和FFS模式LCD器件中，图像的显示质量由像素电极5的间距L和宽度W决定。
如图1中的实线所示，如果在IPS模式LCD器件和FFS模式LCD器件中，相邻像素电极5同样地分隔间距L，并且基本上具有相同宽度W，可提高图像的显示质量。
相反，如果如图1中的虚线所示，在IPS模式LCD器件和FFS模式LCD器件中相邻像素电极5之间的间距L和宽度W不均匀，那么图像的显示质量会严重下降。
发明内容
因而，本发明涉及显示器件的像素电极结构，其基本上可消除由于现有技术的限制和缺陷而产生的一个或多个问题。
本发明的目的在于提供能够防止图像显示质量下降的显示器件的像素电极结构。
本发明的其它优点、目的和特征一部分将在随后的描述中给出，一部分是本领域普通技术人员根据后面的说明显然可以想到或者可由本发明的实践而获悉的。通过文字描述和权利要求以及附图中具体指出的结构，可实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点，根据本发明的目的，正如这里具体和广义描述的，本发明提供一种显示器件的像素电极结构，其设置在被施加电场以显示图像的第一和第二像素区域中，该像素电极结构包括：平行于第一像素区域设置的第一子像素电极，其中从第一与第二像素区域之间的边界开始，第一子像素电极具有逐渐增大的宽度和间距；和平行于第二像素区域设置的第二子像素电极，其中从第一与第二像素区域之间的边界开始，第二子像素电极具有逐渐增大的宽度和间距。
应当理解，本发明前面的概括描述和后面的详细描述是示例性和解释性的，意在提供对如所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
用于提供对本发明进一步理解且包含在本申请中并构成本申请一部分的附图用来说明本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1为根据现有技术应用于共平面开关(IPS)模式LCD器件的像素电极结构的平面图；
图2为根据本发明一个实施例的显示器件的像素电极结构的平面图；
图3为沿图2中线I-I’作出的剖面图；和
图4为根据本发明另一实施例的显示器件的像素电极结构的平面图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的优选实施例，在附图中表示出其示例。如果可能，在附图中尽量使用相同附图标记表示相同或相似部件。
图2为根据本发明一个实施例的显示器件的像素电极结构的平面图。图3为沿图2中线I-I’作出的剖面图。
参照图2和3，在基板10上形成公共电极30。公共电极30可包括透明导电层。公共电极可以设置在像素区域35中。
在公共电极30上可以设置覆盖公共电极30的绝缘层36。在绝缘层36的顶面上设置像素电极50。在本实施例中，像素电极50可包括多个子像素电极55。在像素区域35中沿彼此平行的方向并置子像素电极55。
可用作子像素电极55的材料的例子包括氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)或非晶氧化铟锡(a-ITO)等。或者，子像素电极55可包括铝或铝合金等。
在平面图中，处于绝缘层36上的子像素电极55基本上具有直线形状。
具体地说，可以将子像素电极55形成为弯曲成钝角的弯曲图案形状。例如，在平面图中，子像素电极55基本上具有‘V’形形状。或者，子像素电极55基本上可具有包含拐点的弯曲形状。或者，子像素电极55基本上可具有多种形状，诸如W形等。此外，可以对子像素电极55的弯曲角度作出多种改变。
下面，为了说明方便，将像素区域35的一侧和另一侧分别表示为附图标记32和34，其中像素区域35的一侧和另一侧彼此相对。
在本发明该实施例中，子像素电极35的宽度W1以及相邻两个子像素电极35之间的间距L1非常重要，因为图像的显示质量是由宽度W1和间距L1决定的。在本实施例中，确定子像素电极35的宽度W1以及相邻两个子像素电极35之间的间距L1以即使在子像素电极55具有不同宽度W1和间距L1情况下，图像的显示质量也不会下降。
在本实施例中，可依次改变各个子像素电极55的宽度W1。例如，随着子像素电极55离像素区域的一侧32的距离的增加，子像素电极55的宽度W1趋于逐渐增大。
在本实施例中，最窄的子像素电极55的宽度W1为大约3μm，最宽的子像素电极55的宽度W1为大约13μm。即，子像素电极55的宽度W1可以在大约3μm到大约13μm的范围内依次改变。
此外，从像素区域35的一侧32到另一侧34，包含在像素区域50中的相邻两个子像素电极55之间的间距L1可依次改变。
在本实施例中，子像素电极55之间的最窄间距L1为大约3μm，相邻子像素电极55之间的最宽间距L1为大约13μm。即，相邻子像素电极55之间的间距L1可以在大约3μm到大约13μm的范围内依次改变。
在本实施例中，由于包含在像素区域50中的子像素电极55的宽度W1和间距L1可以依次改变，即使子像素电极55的形成位置被意外改变，也能防止图像的显示质量下降。
根据本发明，子像素电极55的宽度W1和间距L1可以影响提高图像显示质量的光透射率，影响图像显示质量变差的图像显示不均匀性(mura)，薄膜晶体管的阈值电压Vth以及薄膜晶体管的驱动电压Vop。
当子像素电极55的宽度W1和间距L1依次增大时，光透射率和驱动电压Vop增大。而当子像素电极55的宽度W1和间距L1依次减小时，有可能发生诸如图像显示不均匀性的质量缺陷，并且光透射率和阈值电压Vth可能会进一步减小。
同时，将子像素电极55制造成在平面视图中弯曲成钝角的弯曲形状，从而本发明与形成多畴的情形具有同样的效果。即，可改善图像的视角性。
图4为根据本发明另一实施例的显示器件的像素电极结构的平面图。
参照图4，在基板10上形成公共电极30。公共电极30可包括透明导电层。公共电极30设置在包括第一和第二像素区域38和39的像素区域35上。在本实施例中，第一和第二像素区域38和39顺序设置。
在公共电极30上设置覆盖公共电极30的绝缘层(未示出)。在绝缘层上设置像素电极50。在另一实施例中，像素电极50包括多个在第一像素区域38上平行设置的第一子像素电极56，和多个在第二像素区域39上平行设置的第二子像素电极57。
设置在第一和第二像素区域38和39上的多个第一和第二子像素电极56和57，可包括氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)或非晶氧化铟锡(a-ITO)等。或者，第一和第二子像素电极56和57可包括铝或铝合金。
第一和第二子像素电极56和57可具有弯曲成钝角的弯曲形状。此外，第一和第二子像素电极56和57可具有多种形状和多种弯曲角度。或者，第一和第二子像素电极56和57可具有V形或W形。
在平面图中，第一子像素电极56的弯曲部分与第二子像素电极57的弯曲部分相对。第一子像素电极56与第二子像素电极57相对于第一和第二像素区域38和39之间的边界0是对称的。
随着第一和第二子像素电极56和57远离第一与第二像素区域38与39之间的边界0，它们具有逐渐增大的宽度W1。在本实施例中，在第一或第二子像素电极55中最窄的子像素电极55的宽度W1为大约3μm，第一或第二子像素电极55中最宽的子像素电极55的宽度W1为大约13μm。即，第一或第二子像素电极55可具有处于大约3μm到大约13μm范围内的宽度W1。
同时，随着远离边界0，两相邻的第一或第二子像素电极56或57之间的间距L1变大。在本实施例中，两相邻的第一或第二子像素电极56或57之间的最小间距L1为大约3μm，之间的最大间距为大约13μm。即，两相邻的第一或第二子电极56或57之间的间距L1处于大约3μm到大约13μm的范围内。
在本实施例中，具有最小宽度W1和间距L1的一个第一子像素电极56，处于边界0附近。同样，具有最小宽度W1和间距L1的一个第二子像素电极57处于边界0附近。随着子像素电极56和57远离边界0，第一或第二子像素电极56或57的宽度W1以及两相邻的第一或第二子像素电极56或57之间的间距L1变大。
如上所述，从边界0开始依次调整第一和第二子像素电极56和57的宽度W1和间距L1，从而可提高图像的显示质量。
换言之，由于包含在像素电极50中的第一和第二子像素电极56和57的宽度W1和间距L1依次改变，即使子像素电极55的形成位置被意外改变，也能防止图像的显示质量下降。
根据本实施例，第一和第二子像素电极56和57的宽度W1和间距L1影响提高图像显示质量的光透射率，影响图像显示质量变差的图像显示不均匀性(mura)，阈值电压Vth以及驱动电压Vop。
当第一和第二子像素电极56和57的宽度W1和间距L1依次增大时，可增大光透射率和驱动电压Vop。相反，当第一和第二子像素电极56和57的宽度W1和间距L1依次减小时，有可能发生诸如图像显示不均匀性的质量缺陷，并且可减小透射率和阈值电压Vth。
同时，将第一和第二子像素电极56和57制造成在平面视图中弯曲成钝角的弯曲形状，从而本发明与形成多畴的情形具有同样的效果。即，可改善图像的视角性。
根据上述说明，通过从第一与第二像素区域之间的边界开始，依次改变像素电极的间距和宽度，可任意改变像素电极的临界尺寸(CD)。从而，可防止图像的显示质量下降。
本领域技术人员易于想到对本发明作出多种修改和改进。因此，本发明旨在覆盖包括所有落入所附权利要求及其等效物范围内的对本发明进行的修改和改进。

Claims (17)

1、一种设置在显示器件的像素区域中的像素电极结构，其中所述像素区域被施加电场用以显示图像，所述像素电极结构包括：
在像素区域中平行设置的多个子像素电极，
其特征在于，从像素区域的一侧到另一侧，所述子像素电极具有逐渐增大的宽度和间距。
2、根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，在平面视图中所述子像素电极具有弯曲形状。
3、根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述子像素电极具有处于大约3μm到大约13μm范围内的宽度。
4、根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，相邻子像素电极之间的间距为大约3μm到大约131μm。
5、根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述子像素电极包括从氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)和非晶氧化铟锡(a-ITO)组成的组中选择出的一种材料。
6、根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述子像素电极包括从铝和铝合金组成的组中选择出的一种材料。
7、根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述宽度和间距是依次改变的。
8、根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述子像素电极具有V形或W形。
9、一种设置在显示器件的第一和第二像素区域中的像素电极结构，其中所述像素区域被施加电场用以显示图像，所述像素电极结构包括：
在第一像素区域中平行设置的第一子像素电极，其中，从第一与第二像素区域之间的边界开始，所述第一子像素电极具有逐渐增大的宽度和间距；以及
在第二像素区域中平行设置的第二子像素电极，其中，从第一与第二像素区域之间的边界开始，所述第二子像素电极具有逐渐增大的宽度和间距。
10、根据权利要求9所述的像素电极结构，其特征在于，在平面视图中所述第一和第二子像素电极具有弯曲形状。
11、根据权利要求10所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一和第二子像素电极弯曲成钝角。
12、根据权利要求10所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一子像素电极的弯曲部分与第二子像素电极的弯曲部分关于第一与第二像素区域之间的边界是相对的。
13、根据权利要求9所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一和第二子形素电极的宽度为大约3μm到大约13μm。
14、根据权利要求9所述的像素电极结构，其特征在于，相邻第一子像素电极之间的间距和相邻第二子像素电极之间的间距为大约3μm到大约13μm。
15、根据权利要求9所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一和第二子像素电极包括从氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)和非晶氧化铟锡(a-ITO)组成的组中选择出的一种材料。
16、根据权利要求9所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一和第二子像素电极包括从铝和铝合金组成的组中选择出的一种材料。
17、根据权利要求9所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一子像素电极与第二子像素电极相对于第一和第二像素区域之间的边界是对称的。
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