KR101293927B1 - 스크리닝 전극을 가진 반도체 장치 및 방법 - Google Patents

스크리닝 전극을 가진 반도체 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101293927B1
KR101293927B1 KR1020060037060A KR20060037060A KR101293927B1 KR 101293927 B1 KR101293927 B1 KR 101293927B1 KR 1020060037060 A KR1020060037060 A KR 1020060037060A KR 20060037060 A KR20060037060 A KR 20060037060A KR 101293927 B1 KR101293927 B1 KR 101293927B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
region
major surface
forming
body region
Prior art date
Application number
KR1020060037060A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060111859A (ko
Inventor
게리 에이치. 로체르트
피터 제이. 즈데벨
Original Assignee
세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨 filed Critical 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨
Publication of KR20060111859A publication Critical patent/KR20060111859A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101293927B1 publication Critical patent/KR101293927B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
    • H01L21/28123—Lithography-related aspects, e.g. sub-lithography lengths; Isolation-related aspects, e.g. to solve problems arising at the crossing with the side of the device isolation; Planarisation aspects
    • H01L21/2815—Lithography-related aspects, e.g. sub-lithography lengths; Isolation-related aspects, e.g. to solve problems arising at the crossing with the side of the device isolation; Planarisation aspects part or whole of the electrode is a sidewall spacer or made by a similar technique, e.g. transformation under mask, plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41766—Source or drain electrodes for field effect devices with at least part of the source or drain electrode having contact below the semiconductor surface, e.g. the source or drain electrode formed at least partially in a groove or with inclusions of conductor inside the semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/66719—With a step of forming an insulating sidewall spacer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/66727—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the source electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
    • H01L29/0873—Drain regions
    • H01L29/0878—Impurity concentration or distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
    • H01L29/42376—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the length or the sectional shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

일 실시예에서, 반도체 장치는 반도체 재료의 바디 내에 형성된다. 반도체 장치는 채널 영역으로부터 이격된 스크리닝 전극을 포함한다.
Figure R1020060037060
스크리닝 전극, 항복 전압, 드레인 포화 전류, 스크린 전극 바이어스, 게이트 유전체층

Description

스크리닝 전극을 가진 반도체 장치 및 방법{Semiconductor device having screening electrode and method}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 구조의 확대 부분 단면도.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예들에 있어서 스크린 전극 바이어스(VOS)의 함수로서 드레인 포화 전류(IDSat)를 도시한 그래프.
도 3은 본 발명의 다양한 실시예들에 있어서 스크린 전극 바이어스(VOS)의 함수로서 항복 전압(BVDss)을 도시한 그래프.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예들에 있어서 도 2 및 도 3의 다양한 스크린 전극 바이어스들에서 IDSat 및 BVDSS간의 상관관계를 도시한 그래프.
도 5는 초기 제조 단계에서 본 발명의 실시예에 대한 확대 부분 단면도.
도 6은 후기 제조 단계에서 본 발명의 실시예에 대한 확대 부분 단면도.
도 7은 다른 후기 제조 단계에서 본 발명의 실시예에 대한 확대 부분 단면도.
도 8은 추가 제조 단계에서 본 발명의 실시예에 대한 확대 부분 단면도.
도 9는 다른 추가 제조 단계에서 본 발명의 실시예에 대한 부분 확대 단면 도.
도 10은 부가의 제조 단계후 본 발명의 실시예에 대한 부분 확대 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10: 스위칭 장치 11: 반도체 재료
12: n-형 실리콘 기판 14: 반도체층
17: n-형 영역 18: 주표면
24: 게이트 유전체층 43: 게이트 유전체층
본 발명은 일반적으로 반도체 장치들, 특히 RF 전력 증폭기들과 같은 고속 장치들을 포함하는 전력 스위칭 장치들 및 이의 제조 방법들에 관한 것이다.
금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터들(MOSFETs)은 공통 타입의 전력 스위칭 장치이다. MOSFET 장치는 소스 영역, 드레인 영역, 소스 및 드레인 영역들사이에서 연장하는 채널 영역, 및 채널 영역에 인접하여 제공된 게이트 구조를 포함한다. 게이트 구조는 박막 유전체층에 인접하여 배치되고 박막 유전체층에 의하여 채널 영역으로부터 분리된 도전성 게이트 전극층을 포함한다.
MOSFET 장치가 온-상태에 있을때, 전압은 소스 및 드레인 영역들사이의 도전성 채널 영역을 형성하기 위하여 게이트 구조에 공급되며, 이는 장치를 통해 전류가 흐르도록 한다. 오프-상태에서, 게이트 구조에 공급된 임의의 전압은 도전성 채널이 형성되지 않아서 전류가 흐르지 않도록 충분히 낮다. 오프-상태동안, 장치는 소스 및 드레인 영역들간에 고전압을 유지해야 한다.
MOSFET 장치들의 성능을 최적화할때, 설계자들은 종종 장치 파라미터 성능과의 상충관계에 직면한다. 특히, 이용가능한 장치 구조 또는 제조 공정의 선택은 하나의 장치 파라미터를 개선시킬 수 있으나, 동시에 이러한 선택은 하나 이상의 다른 장치 파라미터들을 저하시킬 수 있다. 예컨대, 출력 또는 구동 전류(IDS) 특성 및 MOSFET 장치의 저항을 개선시키는 이용가능한 구조들 및 공정들은 MOSFET 장치의 항복 전압(BVDSS) 특성을 저하시키고 게이트 대 드레인 커패시턴스를 증가시킨다.
따라서, 본 발명의 목적은 앞서 언급된 문제점 뿐만아니라 다른 문제점들을 개선한 반도체 장치 구조물들 및 이의 제조 방법들을 제공하는데 있다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에 도시된 엘리먼트들은 반드시 실제 크기로 도시되지 않으며 유사한 도면 부호들은 다양한 도면들 전반에 걸쳐 유사한 엘리먼트들을 나타낸다. 이하의 논의가 n-채널 장치를 기술하는 반면에, 본 발명은 또한 기술된 층들 및 영역들의 도전 타입을 반전시킴으로서 형성될 수 있는 p-채널 장치들과 관련되어 있다.
더욱이, 본 발명의 장치는 셀룰라 설계(여기서, 바디 영역들이 복수의 셀룰라 영역들임) 또는 단일 바디 설계(여기서, 바디 영역은 연장된 패턴, 전형적으로 뱀모양 패턴으로 형성된 단일 영역으로 이루어짐)를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 장치는 이해를 보다 용이하게 하기 위하여 상세한 설명 전반에 걸쳐 셀룰라 설계로서 기술될 것이다. 본 발명이 셀룰라 설계 및 단일 바디 설계를 포함한다는 것이 이해되어야 한다. 부가적으로, 비록 본 발명의 장치가 MOSFET 장치로서 기술될지라도, 본 발명은 바이폴라 트랜지스터들 및 절연된 게이트 바이폴라 트랜지스터들 뿐만아니라 입력 단자, 출력 단자 및 제어 전극을 포함하는 다른 장치들에 적용한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 절연된 게이트 전계효과 트랜지스터(IGFET), MOSFET, 전력 트랜지스터, 또는 스위칭 장치 또는 셀(10)의 확대 부분 단면도를 도시한다. 예로서, 장치(10)는 전력 집적회로의 일부분으로서 반도체 칩 내로 논리 및/또는 다른 소자들이 집적된 많은 장치들중 하나이다. 선택적으로, 장치(10)는 개별 트랜지스터 장치를 형성하기 위하여 함께 집적된 많은 장치들중 하나이다.
장치(10)는 대략 0.001 내지 약 0.005 ohm-cm의 범위 내의 고유저항을 가진 n-형 실리콘 기판(12)을 포함하고 비소로 도핑될 수 있는 반도체 재료(11)의 영역을 포함한다. 기술된 실시예에서, 기판(12)은 드레인 접촉부 또는 제 1 전류 전달 접촉부를 제공한다. 반도체층 또는 연장된 드레인 영역(14)은 기판(12) 내 또는 기판(12)상에 형성된다. 일 실시예에서, 반도체층(14)은 종래의 에피택셜 성정 기술들을 사용하여 형성된다. 선택적으로, 반도체층(14)은 종래의 도핑 및 확산 기술들을 사용하여 형성된다. 50 볼트 장치에 적합한 실시예에서, 반도체층(14)은 약 1.0x1015 원자/cm3의 도펀트 농도를 가진 n-타입이며, 약 3 마이크론 내지 약 5 마이크론 정도의 두께를 가진다. 반도체층(14)의 두께 및 도펀트 농도는 장치(10)의 적정 BVDSS 레이팅에 따라 증가 또는 감소된다. 다른 재료들은 실리콘-게르마늄, 실리콘-게르마늄-탄소, 탄소 도핑된 실리콘, 실리콘 카바이드 등을 포함하는 반도체 재료(11) 또는 부분들이 바디를 위하여 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 선택적으로, 대안 실시예에서, 기판(12)의 도전형은 절연된 게이트 바이폴라 트랜지스터(10)를 형성하기 위하여 반도체층(14)의 도전형의 반대 도전형으로 스위칭된다.
장치(10)는 또한 반도체 재료(11) 영역의 상부 표면 또는 주표면(18)에 또는 이에 인접하여 형성된 n-형 영역 또는 블랭킷층(17)을 포함한다. n-형 영역(17)은 장치(10)에 대한 저저항 전류 경로를 제공한다. 전형적인 실시예에서, n-형 영역(17)은 약 6.0x1016 원자/cm3 정도의 최대 농도 및 약 0.4 마이크론의 깊이를 가진다.
바디, 베이스 또는 도핑된 영역(31)은 반도체층(14) 내에 형성되며 주표면(18)으로부터 연장된다. 예로서, 바디 영역(31)은 p-도전형을 포함하며, 장치(10)의 도전성 채널(45)로서 동작하는 반전층을 형성하기에 적합한 도펀트 농도를 가진다. 바디 영역(31)은 주표면(18)으로부터 약 0.5 마이크론 내지 약 3.0 마이크론의 깊이로 연장된다. n-형 소스 영역 또는 전류 전달 영역(33)은 바디 영역(31) 내에 형성되며 주표면(18)에 있는 바디 영역(31)에 저접촉 저항을 제공한다. p-형 바디 접촉부 또는 접촉 영역(36)은 바디 영역(31)에 형성되고 주표면(18)에 있는 바디 영역(31)에 낮은 접촉저항을 제공한다. 더욱이, 접촉 영역(36)은 소스 영역(33) 아래의 바디 영역(31)의 시트 저항을 낮추며, 이는 와류 바이폴라 현상들을 억제한다.
제 1 유전체층(41)은 주표면(18)의 부분들 위에 또는 이 부분들에 인접하여 형성된다. 예컨대, 유전체층(41)은 약 0.05 마이크론 내지 약 0.2 마이크론의 두께를 가진 열적 산화물층을 포함한다. 제 2 유전체층(42)은 유전체층(41) 위에 형성된다. 일 실시예에서, 제 2 유전체층(42)은 실리콘 질화물을 포함하며, 약 0.05 마이크론 내지 약 0.1 마이크론의 두께를 가진다.
본 발명에 따르면, 트렌치 전극들, 스크리닝 전극들, 스크리닝 단자들 또는 제 2 제어 단자 구조들(21)은 바디 영역(31)에 인접하거나 또는 이격된 관계로 또는 바디 영역(31)에 근접하게 형성된다. 일 실시예에서, 구조들(21)의 각각은 반도체층(14)의 부분들에 형성된 트렌치 또는 홈(23)을 포함한다. 구조들(21)은 제 3 유전체층들, 전극 절연층들, 또는 게이트 유전체층들(24)을 더 포함하며, 이들 층은 트렌치들(23)의 표면들 위에 형성된다. 제 3 유전체층들(24)은 예컨대 약 0.03 마이크론 내지 약 0.1 마이크론의 두께를 가진 실리콘 산화물을 포함한다. 대안 실시예들에서, 제 3 유전체층(24)은 실리콘 질화물, 오산화 탄탈, 이산화 티타늄, 바륨 스트론튬 티탄산염, 또는 실리콘 산화물 등과의 조합물들을 포함하는 상기 성분의 조합물들을 포함한다.
도핑된 다결정 반도체층들 또는 도전층들(46)은 제 3 유전체층들(24) 및 제 2 유전체층(42) 위에 형성된다. 일 실시예에서, 도전층들(46)은 약 5.0x1020 원자/cm3의 도핑 농도를 가진 도핑된 폴리실리콘을 포함하며, 약 0.1 마이크론의 두께를 가진다. 대안 실시예에서, 도전층들(46)은 p-형 도전율을 포함한다. 예로서, 트렌치들(23)은 바디 영역(31)으로부터 약 0.5 마이크론 내지 약 3.0 마이크론의 거리(26)로 이격된다. 추가 예로서, 트렌치들(23)은 주표면(18)으로부터 약 0.5 마이크론 내지 약 1.5 마이크론까지의 거리(27) 정도 연장된다.
제 4 유전체층(48)은 도전층(46) 위에 형성되며, 제 5 유전체층(51)은 제 4 유전체층(48) 위에 형성된다. 예로서, 유전체층(48)은 실리콘 질화물(예컨대, 약 0.05 마이크론 두께)을 포함하며, 유전체층(51)은 증착된 실리콘 산화물(예컨대, 약 0.7 마이크론 두께)을 포함한다. 일 실시예에서, 유전체층(51)은 트렌치들(23)의 존재를 보상하기 위하여 평탄화된 유전체를 포함한다. 예컨대, 유전체층(51)은 증착후에 화학-기계적 폴리싱 기술들을 사용하여 평탄화된다. 도전층(53)은 유전체층(51) 위에 형성되며, 예컨대 n-형 다결정 실리콘 또는 폴리실리콘(예컨대, 약 0.3 마이크론 두께)를 포함한다.
게이트 유전체층(43)은 바디 영역(31)에 인접한 주표면(18)의 다른 부분들 위에 또는 이 부분들에 인접하여 형성된다. 게이트 유전체층들(43)은 예컨대 실리콘 산화물을 포함하며 약 0.01 마이크론 내지 약 0.1 마이크론의 두께를 가진다. 대안 실시예들에서, 게이트 유전체층들(43)은 실리콘 질화물, 오산화 탄탈, 이산화 티타늄, 바륨 스트론튬 티탄산염 또는 실리콘 산화물 등과의 조합물들을 포함하는 상기 성분의 조합물들을 포함한다.
도전 스페이서 게이트 영역들, 수직 스페이서 게이트 영역들, 또는 스페이서 한정 게이트 영역들 또는 도전성 전극들(57)은 유전체 스페이서들(59)에 의하여 도전층들(46)로부터 절연된다. 게이트 유전체층들(43)과 함께 도전 스페이서 게이트 영역들(57)은 제어 전극들, 게이트 구조들 또는 제 1 제어 단자 구조들(58)을 형성한다. 도전 스페이서 게이트 영역들(57)은 예컨대 n-형 다결정 실리콘 또는 폴리실리콘을 포함하며 약 0.2 마이크론 내지 약 0.8 마이크론의 두께를 가진다. 전형적인 실시예에서, 유전체 스페이서들(59)은 실리콘 질화물을 포함하며 약 0.1 마이크론의 두께를 가진다. 스페이서 게이트 영역들(57)은 도전 게이트 구조를 제공하기 위하여 도전층(53)에 접속되며, 이는 장치(10) 내에 채널들(45)의 형성 및 전류의 도전성을 제어한다.
기술된 실시예에서, 도전 접속 부분(77)은 도전층들(53)에 스페이서 게이트 영역들(57)을 접속한다. 도전 접속 부분들(77)은 예컨대 n-형 폴리실리콘을 포함한다. 스페이서 한정 게이트 영역은 다른 주변 표면상에 형성된 채널을 제어하기 위하여 한 표면상에 증착된 게이트 재료로 형성된 제어 표면을 언급한다. 장치(10)의 경우에, 채널들(45)은 수평표면으로 고려된 주표면(18)에 형성된다. 스페이서 게이트 영역들(57)을 형성하기 위하여 사용된 제어 전극막은 표면(18)에 수직한 수직 표면들(68)을 따라 증착된다.
도전 스페이서 게이트 영역들(57)은 종래의 장치들과 비교하여 드레인 중첩부분에 최소 게이트를 제공하며, 이에 따라 게이트 전하가 상당히 감소된다. 부가적으로, 장치(10)에서는 게이트에 대한 전기적 라우팅이 주표면(18) 위에서 상승되는 도전층(53)에 의하여 제공되며, 이에 따라 게이트 전하가 감소된다. 게다가, 도전층(46)은 게이트 대 드레인 커패시턴스를 더 감소시키기 위하여 특히 게이트 및 드레인 영역들사이에 삽입된 접지면 또는 차폐층으로서 기능을 한다. 이들 특징들은 강화된 스위칭 속도 및 감소된 입력 전하 요건들을 제공한다.
제 6 유전체층(61)은 장치(10)의 부분들 위에 형성되며, 예컨대 약 0.05 마이크론의 두께를 가진 실리콘 질화물을 포함한다. 층간 유전체(ILD)층(62)은 장치(10)의 부분들 위에 형성되며, 예컨대 약 0.8 마이크론의 두께를 가진 증착된 실리콘 산화물을 포함한다. 개구부는 소스 접촉층(63)에 대한 접촉부를 장치(10)에 제공하기 위하여 유전체층들 내에 형성된다. 도시된 바와같이 주표면(18)의 부분은 소스 접촉층(63)이 소스 영역들(33) 및 바디 영역(36) 둘다에 접촉을 형성한다. 일 실시예에서, 소스 접촉층(63)은 알루미늄 실리콘 합금 등을 포함한다. 드레인 접촉층 또는 도전성 전극(66)은 반도체 재료(11) 영역의 반대 표면상에 형성되며, 예컨대 티타늄-니켈-은, 크롬-니켈-금 등과 같은 땜납가능한 금속 구조를 포함한다.
장치(10)의 동작은 다음과 같이 수행된다. 소스 또는 입력 단자(63)는 0전압의 전위 VS에서 동작하며, 스페이서 게이트 영역들(57)은 장치(10)의 도전 임계치보다 큰 제어 전압 VG = 2.5 볼트를 수신하며, 드레인 또는 출력 단자(66)는 드레인 전위 VD = 5.0 볼트에서 동작한다. VG 및 VS의 값들은 소스 영역들(33)을 층(17)에 전기적으로 접속하는 채널(45)들을 형성하기 위하여 바디 영역(31)이 하부 스페이서 게이트 영역들(57)을 반전시키도록 한다. 장치 전류 IDS는 소스 단자(63)로부터 흐르며, 소스 영역들(33), 채널들(45), 층(17) 및 반도체층(14)을 통해 드레인 단자(66)에 라우팅된다. 일 실시예에서, IDS = 1.0 암페어이다. 장치(10)를 오프 상태로 스위칭하기 위하여, 장치의 도전 임계치 이하의 제어 전압 VG는 스페이서 게이트들(57)에 공급된다(예컨대, VG < 2.5 볼트이다). 이는 채널들(45)을 제거하며, IDS는 장치(10)를 통해 더이상 흐르지 않는다.
스크리닝 전극들(21)은 공급전압, 중간전압, 독립전압, 전압 신호 또는 접지와 동일한 전위 VO에 고정, 결합 또는 접속된다. 오프 상태에서, 스크리닝 전극들(21)은 게이트 제어 전극들(58) 및 드레인 또는 출력 전극(66)으로서 동작한다. 즉, 스크리닝 전극들(21)은 정전기 전위를 평탄화하는 기능을 하며, 장치(10)가 오프 또는 차단 상태에 있을때 바디 영역(31) 및 반도체층(14)의 코너들에서 발생하는 굴곡 현상들의 반경을 감소시킨다.
특히, 스크리닝 전극들(21)은 장치(10)의 입력 및 출력간의 큰 전위차를 두개의 부분들로 분할하며, 큰 전위차는 스크리닝 전극들(21) 및 출력 단자(예컨대, 드레인 단자(66))사이에 있으며, 작은 전위차는 스크리닝 전극들(21) 및 게이트 구조들(58) 및 입력 단자(예컨대, 소스 단자(63))사이에 있다. 이러한 전압차는 여 러 결과들을 발생시킨다.
첫째, 통상적인 고전압 기술들은 스크리닝 전극(21) 및 출력 단자사이의 전위차의 큰 부분을 수용하기 위하여 사용될 수 있으며, 이는 장치(10)로 하여금 기존의 고전압 기술들과 더 호환가능하게 한다. 이러한 기술들은 주어진 항복 전압 요건을 충족시키기 위하여 반도체층(14)의 두께 및 도펀트 농도와 유전체층(24)의 두께를 조절하는 단계를 포함한다. 스크리닝 전극들(21)의 전압 스크리닝 현상들 때문에, 게이트 산화물(43)의 두께 또는 층(17)의 도펀트 농도와 같은 장치(10)의 다른 부분들은 전압 스크리닝 현상없이 다른 방식으로 실행할 수 없는 값들로 스케일링될 수 있다. 이는 현재의 능력 및 스위칭 속도를 개선하는 것을 포함하여 장치(10)의 전체 성능을 개선한다.
부가적으로, 스크리닝 전극들(21)이 출력 단자(66) 및 최종 부하(VD)로부터 제어 전극들(58)을 분리시키기 때문에, 더 이상적인 출력 특징들이 달성될 수 있다. 예컨대, 이와같은 전극들의 분리는 출력전압(VD)의 변화에 더 무감각한 출력 전류들(IDS)을 야기하며, 따라서 단지 제어 전압(VG)의 변화에만 따른다.
최종적으로, 스크리닝 전극들(21)은 장치(10)가 온 상태에 있을때 트렌치들(23)의 표면들에 전하 축적을 생성하고 온 상태 저항을 감소시키며, 장치(10)가 온 상태에 있을때 드레인 전류(IDS)가 증가한다.
도 2는 VGS 바이어스 5.0 볼트를 가진 스크리닝 전극(21)에 공급된 소스 전 압(VOS = VO - VS)에 독립 스크린의 함수로서 장치(10)에 대한 드레인 전류 IDS 성능을 도시한 그래프이다. 부가적으로, 도 2는 p-형 도전층(46)(데이터 3A) 및 n-형 도전층(46)(데이터 4A)을 가진 장치(10)를 비교한다. 이들 두개의 구조들은 p-형 전극(데이터 1A)을 가진 평면 또는 비-트랜치 구조를 가진 장치 및 n-형 전극(데이터 2A)을 가진 평면 또는 비-트렌치 구조를 가진 장치와 더 비교된다.
도 3은 스크리닝 전극(21)에 공급된 소스 전압(VOS)에 대한 독립 스크린의 함수로서 항복 전압(BVDSS)을 도시한 그래프이다. 부가적으로, 도 3은 p-타입 도전층(46)(데이터 3B) 및 n-형 도전층(46)(데이터 4B)을 비교한다. 이들 두개의 구조들은 p-형 전극(데이터 1B)을 가진 평면 또는 비-트렌치 구조를 가진 장치 및 n-형 전극(데이터 2B)을 가진 평면 또는 비-트렌치 구조를 가진 장치에 비교된다.
도 4는 도 2 및 도 3의 합성 또는 상관관계와 같은 BVDSS의 함수로서 IDSAT)를 도시한 그래프이다. 데이터 엘리먼트들(1C)은 p-형 전극을 가진 평면 구조에 대응하며, 데이터 엘리먼트들(2C)은 n-형 전극을 가진 평면 구조에 대응하며, 데이터 엘리먼트들(3C)은 p-형 도전층(46)을 가진 장치(10)에 대응하며, 데이터 엘리먼트들(4C)은 n-형 도전층(46)을 가진 장치(10)에 대응한다. 도 4에 도시된 바와같이, 본 발명에 따른 스크리닝 전극(21)을 가진 장치(10)는 우수한 IDSAT 특징들을 달성하면서 강화된 BVDSS 성능을 제공한다.
도 5 내지 도 10을 지금 참조하면, 본 발명에 따른 장치(10)를 형성하는 공정이 기술된다. 도 5는 초기 제조 단계에서 장치(10)의 확대 부분 단면도를 도시한다. 반도체 재료(11)의 바디에는 반도체층(14)에 형성된 n-형 층(17)이 제공된다. 일 실시예에서, n-형 층(17)을 형성하기 위하여 약 2.0x1012 원자/cm2 량 및 600 KeV의 주입 에너지로 인이 주입된다. 제 1 유전체층(14)은 주표면(18) 위에 형성되며, 예컨대 약 0.05 마이크론 내지 약 0.2 마이크론 두께의 실리콘 산화물을 포함한다. 약 900 도 열적 산화물은 약 섭씨 900도로 성장된 열적 산화물이 적절하다. 제 2 유전체층(42)은 제 1 유전체층(41) 위에 증착되며, 예컨대 약 0.05 마이크론 내지 약 0.1 마이크론의 실리콘 질화물을 포함한다. 다음으로, 종래의 포토리소그라피 및 에칭 단계는 주표면(18)의 부분들을 노출시키기 위하여 제 1 및 제 2 유전체층들(41, 42)에 개구부들을 형성하기 위하여 사용된다. 다음에, 트렌치들(23)은 반도체층(14)에 형성되며 주표면(18)으로부터 연장한다. 예로서, 트렌치들(23)은 화학적 성질들에 기초하여 플루오르 또는 염소를 사용하여 건식 에칭 시스템에서 에칭된다. 트렌치들(23)은 단일 연속 트렌치 또는 접속 트렌치 매트릭스를 포함한다. 선택적으로, 트렌치들(23)은 폐쇄 단부들을 가지고 반도체 재료(11)의 바디의 부분들에 의하여 분리된 복수의 개별 트렌치들을 포함한다. 그 다음에, 제 3 유전체층들(24)은 트렌치들(23)의 표면들 위에 형성되며, 예컨대 약 0.03 마이크론 내지 약 0.1 마이크론의 두께를 가진 실리콘 산화물을 포함한다.
도 6은 후기 제조 단계에서 장치(10)의 실시예에 대한 확대 부분 단면도를 도시한다. 그 다음에, 도전층(46)은 제 3 유전층(24) 및 제 2 유전층(24)의 나머 지 부분들 위에 형성된다. 일 실시예에서, 도전층(46)은 약 0.1 마이크론의 폴리실리콘을 포함하며, 도핑 또는 비도핑 증착된다. 만일 도전층(46)이 초기에 비도핑 증착되면, 도전층(46)은 예컨대 이온 주입 기술들을 사용하여 도핑된다. 일 실시예에서, 도전층(46)은 n-형이며, 인으로 도핑된다. 약 60 KeV의 주입 에너지와 함께 약 5.0x1015 내지 약 1.0x1016 원자/cm2의 인 이온 주입량은 도전층(46)을 도핑하기에 충분하다. 대안 실시예에서, 도전층들(46)은 p-형 도전율을 포함하며, 약 30 keV의 주입 에너지와 함께 약 5.0x1015 내지 약 1.0x1016 원자/cm2의 붕소 인 주입량은 도전층(46)을 도핑시키기에 충분하다.
다음으로, 제 4 유전체층(48)은 도전층(46) 위에 형성되며, 제 5 유전체층(51)은 제 4 유전체층(48) 위에 형성된다. 제 4 유전체층(48)은 예컨대 실리콘 질화물(예컨대, 약 0.05 마이크론 두께)을 포함하며, 유전체층(51)은 증착된 산화물(예컨대, 약 0.7 마이크론 두께)을 포함한다. 일 실시예에서, 제 5 유전체층(51)의 상부면은 예컨대 화학 기계 폴리싱 프로세스들 등을 사용하여 평탄화된다.
그 다음에, 도전층(53)은 제 5 유전체층(51) 위에 형성되며, 예컨대 n-형 폴리실리콘(예컨대, 약 0.3 마이크론 두께)을 포함한다. 보호층(54)은 도전층(53) 위에 형성되며, 예컨대 약 0.15 마이크론의 실리콘 질화물을 포함한다.
포토리소그라피 및 에칭 단계는 개구부(70)를 제공하기 위하여 층들(54, 53, 51, 48, 46, 42)의 스로우 부분들을 에칭하도록 수행된다. 이는 층들(42, 46, 48, 51, 53, 54)의 남아 있는(remaining) 부분들로 구성된 페데스탈 스택 구조들(56)을 형성한다. 일 실시예에서, 개구부(70)는 약 5.0 마이크론 내지 약 8.0 마이크론 정도의 폭(73)을 가진다.
도 7은 유전체 스페이서들(59)를 형성하는 추가 처리 단계들후에 장치(10)의 확대 부분 단면도를 도시한다. 일 실시예에서, 실리콘 질화물막은 페데스탈 스택 구조들(56) 및 제 1 유전체층(41) 위에 증착된다. 예로서, 약 0.1 마이크론 두께의 실리콘 질화물막은 화학 기상증착 기술들을 사용하여 증착된다. 다음으로, 종래의 이방성 에칭 백 단계는 유전체 스페이서들(59)을 형성하기 위하여 측벽 또는 수직면들(68)상에 실리콘 질화물층의 부분들을 남기면서 페데스탈 스택 구조들(56) 및 제 1 유전체층(41)위의 실리콘 질화물층의 부분들을 제거한다.
추가 단계에서, 실리콘 산화물 습식 에칭은 개방부(70) 내의 유전체층(41)의 부분들을 제거하기 위하여 사용된다. 예로서, 희석된 하이드로플루오르 산(예컨대, 50:1)은 유전체층(41)을 에칭하기 위하여 사용된다. 예시적인 실시예에서, 에칭 시간은 하부 유전체 스페이서들(59)로부터 유전체층(41)을 언더컷하거나 또는 제거하여 리세스된 부분들(74)을 형성하기 위하여 연장된다(예컨대, 8 내지 15분). 이러한 방식에 있어서 리세싱 유전체층(41)은 채널 전류가 더 효율적으로 흐르도록 바디 영역(31) 내에 형성된 채널들(45)(도 1에 도시됨)이 반도체층(14) 내로 연장하도록 한다. 전형적인 실시예에서, 부분들(74)은 약 0.1 이하의 마이크론의 거리로 유전체 스페이서들(59) 아래에서 리세스된다. 열적 실리콘 산화물은 게이트 유전체층(43)을 형성하기 위하여 약 0.0125 마이크론의 두께로 개구부(70) 내에서 주표면(18)상에서 성장된다.
도 8은 추가 처리후에 장치(10)의 확대 부분 단면도를 도시한다. 반도체 재료(571)의 등각층은 약 0.1 마이크론 내지 약 0.15 마이크론의 두께로 장치(10) 위에 증착된다. 붕소 도펀트는 바디 영역(31)에 p-형 도펀트를 제공하기 위하여 반도체 재료(571)의 등각층 및 개구부(70)를 통해 주표면(18)으로 유입된다. 예로서, 반도체 재료(571)의 등각층은 비도핑된 폴리실리콘을 포함하며, 붕소는 비도핑된 폴리실리콘을 통해 반도체층(14) 내로 주입된다. 약 1.0x1013 원자/cm2의 이온 주입량 및 약 120 KeV의 주입 에너지는 50 볼트 장치에 대하여 적절하다.
도 9는 추가 처리후에 장치(10)의 확대 부분 단면도를 도시한다. 반도체 재료의 제 2 등각층은 반도체 재료(571)의 등각층 위에 증착되며, 양 층들은 스페이서 게이트들(57)을 제공하기 위하여 에칭된다. 예로서, 반도체 재료의 제 2 등각층은 이온 주입 또는 다른 도핑 기술들을 사용하여 도핑되거나 또는 증착공정동안 도핑될 수 있는 약 0.1 마이크론의 n-형 폴리실리콘을 포함한다. 스페이서 게이트들(57)이 형성된후에, 추가 0.015 마이크론의 게이트 유전체(예컨대, 실리콘 산화물)는 스페이서 게이트들(57)의 표면 및 게이트 산화물(43)의 노출된 부분들에 추가된다.
일 실시예에서, 스페이서 게이트들(57)을 형성하는 에칭단계는 보호층(54) 및 유전체 스페이서들(59)의 상부 부분들을 노출된다. 그 다음에, 보호층(54) 및 유전체 스페이서들(59)의 상부 부분들은 보호층(54)이 제거되도록 에칭되며, 유전체 스페이서들(59)의 상부 부분들은 스페이서 게이트들(57) 및 도전층들(53)사이에 서 제거된다. 이는 도전층들(53) 및 스페이서 게이트들(57)사이의 갭을 남긴다.
추가 단계에서, 폴리실리콘과 같은 도전성 재료는 접속 도전 부분들(77)을 제공하기 위하여 증착된다. 접속 도전 부분들(77)은 보호층(54) 및 유전체 스페이서들(59)의 부분들의 제거동안 형성된 갭을 충진하며, 도전층들(53)에 스페이서 게이트들(57)을 전기적으로 접속한다. 그 다음에, n-형 도핑 단계는 접속 도전부분들(77)을 도핑하고 소스 영역들(33)에 도펀트를 제공하기 위하여 수행된다. 전형적인 실시예에서, 80 KeV의 주입 에너지와 함께 3.0x1015 원자/cm2의 비소 주입량은 이러한 도핑 단계동안 사용된다. 일 실시예에서, 주입된 도펀트들은 이러한 제조 단계에서 활성화 및 확산된다. 선택적으로 또는 부가적으로, 도펀트들은 이하의 도 10에 기술된 단계들후에 활성화 및 확산된다.
도 10은 추가 제조 단계들후에 장치(10)의 확대 부분 단면도를 도시한다. 제 6 유전체층(61)은 증착되며 예컨대 약 0.05 마이크론의 실리콘 질화물을 포함한다. 그 다음에, ILO 층(62)은 제 6 유전체층(61) 위에 증착된다. 전형적인 실시예에서, ILD 층(62)은 약 0.8 마이크론 두께의 증착된 실리콘 산화물을 포함한다. 선택적 ILD 테이퍼 에치는 이후에 형성된 층들에 대한 단계 커버리지에 도움을 주는 ILD 층(62)의 부분들(62a)을 테이퍼지도록 하기 위하여 사용된다.
다음에, 종래의 포토리소그라피 및 에칭 단계가 주표면(18)의 부분을 노출시키는 접촉 개구부(81)를 형성하기 위하여 사용된다. 그 다음에, 접촉 영역(36)은 p-형 이온 주입 단계를 사용하여 개구부(81)를 통해 형성된다. 예로서, 3.0x1014 원자/cm2및 80 KeV의 주입 에너지의 붕소 이온 주입량이 사용된다. 그 다음에, 등각 스페이서 층은 스페이서들(82)을 형성하기 위하여 증착 및 에칭된다. 전형적인 실시예에서, 실리콘 질화물의 0.3 마이크론 층은 스페이서들(82)을 형성하기 위하여 증착 및 에칭된다. 고속 어닐링 단계는 다양한 이온 주입물들을 활성화 및 확산시키기 위하여 이 시점에 사용된다. 예컨대, 장치(10)는 약 45초동안 약 섭씨 1030도의 온도에 노출된다.
그 다음에, 에칭단계는 리세스된 부분(84)을 형성하기 위하여 주표면(18)의 부분을 제거하도록 사용된다. 이는 소스 접촉층(63)이 소스 영역들(33) 및 접촉 영역(36)을 접촉시키도록 하며, 결국 이들 영역들을 함께 단락시킨다. 그 다음에, 스페이서(82)가 제거된다. 다음 처리에서, 소스 접촉층(63)은 증착 및 패터닝된다. 그 다음에, 기판(12)은 선택적으로 얇게 되며 , 드레인 접촉층(66)은 도 1에 도시된 구조를 제공하기 위하여 증착된다. 실리사이드 층들과 같은 다른 도전층들이 소스 접촉층(63)을 증착하기전에 형성될 수 있다는 것이 더 이해된다.
전술한 바와 같이, 신규한 장치 및 이의 제조 방법이 기술되었다. 특히, 항복 전압 성능을 강화시키는 장치의 채널 영역들에 근접하게 형성된 스크리닝 전극 또는 전극들을 가진 반도체 장치가 포함된다. 스크리닝 전극들은 채널 영역들 및 스크리닝 전극들간의 n-도핑된 영역을 사용할 수 있도록 하며, 이는 스위칭 성능에 영향을 미치지 않고 드레인 전류 및 저항을 개선시킨다.
비록 본 발명이 특정 실시예들과 관련하여 기술 및 설명되었을지라도, 본 발 명은 이들 예시적인 실시예들에 제한되지 않는다는 것이 인식되어야 한다. 당업자는 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 수정들 및 변형들이 이루어질 수 있다는 것을 인식해야 한다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위 내에 속하는 모든 변형들 및 수정들을 포함한다.
본 발명은 MOSFET 장치의 항복 전압(BVDSS) 특성을 저하시키지 않을 뿐만아니라 게이트 대 드레인 커패시턴스를 증가시키지 않는 반도체 장치 구조물들 및 이의 제조 방법들을 제공할 수 있는 효과를 가진다.

Claims (5)

  1. 반도체 장치에 있어서,
    반도체층을 포함하는 기판으로서, 상기 반도체층은 주표면을 갖는, 상기 기판;
    상기 주표면의 일부분 위에 형성된 페데스탈 구조(pedestal structure);
    상기 반도체 장치의 제어 전극을 형성하기 위하여 상기 페데스탈 구조의 측면을 따라 배치된 도전성 재료;
    상기 제어 전극에 인접한 상기 반도체층 내에 형성된 제 1 도전형의 바디 영역으로서, 상기 반도체 장치가 동작중일 때 상기 바디 영역의 일부분은 채널 영역을 형성하는, 상기 바디 영역;
    상기 바디 영역 내에 형성된 제 2 도전형의 전류 전달 영역; 및
    상기 주표면에 인접하고 상기 바디 영역에 가깝게 형성된 스크리닝 전극(screening electrode)을 포함하고, 상기 스크리닝 전극은:
    상기 주표면 내에 형성된 트렌치;
    상기 트렌치의 표면들 위에 형성된 유전체층; 및
    상기 유전체층 위에 형성된 도전층을 포함하는, 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 주표면에서의 상기 바디 영역과 상기 스크리닝 전극 사이에 제 2 도전형 영역을 더 포함하고, 상기 제 2 도전형 영역은 상기 반도체 장치에 대한 저저항 전류 경로를 제공하도록 구성되는, 반도체 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스크리닝 전극은 독립전압에 고정되도록 구성되는, 반도체 장치.
  4. 반도체 장치를 형성하는 방법에 있어서,
    제 1 도전형의 반도체층을 갖는 반도체 기판을 제공하는 단계로서, 상기 반도체층은 주표면을 갖는, 상기 반도체 기판 제공 단계;
    상기 반도체 장치의 채널을 형성하기 위하여 반도체층 내에 증착된 제 2 도전형의 바디 영역을 형성하는 단계;
    상기 바디 영역 내에 상기 제 1 도전형의 제 1 전류 전달 영역을 형성하는 단계;
    상기 채널에 인접한 상기 주표면에 인접하게 게이트 구조를 형성하는 단계; 및
    상기 바디 영역에 가깝게 상기 반도체층 내에 스크리닝 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 반도체층의 일부분은 상기 주표면에서의 상기 스크리닝 전극과 상기 바디 영역 사이에 있고, 상기 스크리닝 전극을 형성하는 단계는:
    상기 주표면 내에 트렌치를 형성하는 단계;
    상기 트렌치 내에 형성되는 유전체층을 형성하는 단계; 및
    상기 유전체층 위에 도전성 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 장치 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반도체층에 제 1 도전형 영역을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제 1 도전형 영역은 상기 반도체 장치에 대한 저저항 전류 경로를 제공하도록 구성되는, 반도체 장치 형성 방법.
KR1020060037060A 2005-04-25 2006-04-25 스크리닝 전극을 가진 반도체 장치 및 방법 KR101293927B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/112,570 US7276747B2 (en) 2005-04-25 2005-04-25 Semiconductor device having screening electrode and method
US11/112570 2005-04-25

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130037703A Division KR20130038896A (ko) 2005-04-25 2013-04-05 스크리닝 전극을 가진 반도체 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060111859A KR20060111859A (ko) 2006-10-30
KR101293927B1 true KR101293927B1 (ko) 2013-08-08

Family

ID=37185967

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060037060A KR101293927B1 (ko) 2005-04-25 2006-04-25 스크리닝 전극을 가진 반도체 장치 및 방법
KR1020130037703A KR20130038896A (ko) 2005-04-25 2013-04-05 스크리닝 전극을 가진 반도체 장치 및 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130037703A KR20130038896A (ko) 2005-04-25 2013-04-05 스크리닝 전극을 가진 반도체 장치 및 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7276747B2 (ko)
KR (2) KR101293927B1 (ko)
CN (1) CN1855544B (ko)
HK (1) HK1097098A1 (ko)
TW (1) TWI420675B (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010050374A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Seiko Instruments Inc 半導体装置
US7915672B2 (en) * 2008-11-14 2011-03-29 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor device having trench shield electrode structure
US7902017B2 (en) * 2008-12-17 2011-03-08 Semiconductor Components Industries, Llc Process of forming an electronic device including a trench and a conductive structure therein
US7868379B2 (en) 2008-12-17 2011-01-11 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device including a trench and a conductive structure therein
US7989857B2 (en) * 2008-12-17 2011-08-02 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device including an insulating layer having different thicknesses and a conductive electrode and a process of forming the same
US8124468B2 (en) 2009-06-30 2012-02-28 Semiconductor Components Industries, Llc Process of forming an electronic device including a well region
US8222695B2 (en) 2009-06-30 2012-07-17 Semiconductor Components Industries, Llc Process of forming an electronic device including an integrated circuit with transistors coupled to each other
US8299560B2 (en) * 2010-02-08 2012-10-30 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device including a buried insulating layer and a vertical conductive structure extending therethrough and a process of forming the same
US8389369B2 (en) * 2010-02-08 2013-03-05 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device including a doped region disposed under and having a higher dopant concentration than a channel region and a process of forming the same
US8298886B2 (en) * 2010-02-08 2012-10-30 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device including doped regions between channel and drain regions and a process of forming the same
US9673283B2 (en) 2011-05-06 2017-06-06 Cree, Inc. Power module for supporting high current densities
US9029945B2 (en) * 2011-05-06 2015-05-12 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9142662B2 (en) 2011-05-06 2015-09-22 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
CN102263133B (zh) * 2011-08-22 2012-11-07 无锡新洁能功率半导体有限公司 低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率mosfet器件及其制造方法
US9373617B2 (en) 2011-09-11 2016-06-21 Cree, Inc. High current, low switching loss SiC power module
US9640617B2 (en) 2011-09-11 2017-05-02 Cree, Inc. High performance power module
US8592279B2 (en) 2011-12-15 2013-11-26 Semicondcutor Components Industries, LLC Electronic device including a tapered trench and a conductive structure therein and a process of forming the same
US8679919B2 (en) 2011-12-15 2014-03-25 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device comprising a conductive structure and an insulating layer within a trench and a process of forming the same
US8541302B2 (en) 2011-12-15 2013-09-24 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device including a trench with a facet and a conductive structure therein and a process of forming the same
US8647970B2 (en) 2011-12-15 2014-02-11 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device comprising conductive structures and an insulating layer between the conductive structures and within a trench
US9818831B2 (en) 2013-03-11 2017-11-14 Semiconductor Components Industreis, Llc DMOS transistor including a gate dielectric having a non-uniform thickness
US9520390B2 (en) 2013-03-15 2016-12-13 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device including a capacitor structure and a process of forming the same
US9195132B2 (en) * 2014-01-30 2015-11-24 Globalfoundries Inc. Mask structures and methods of manufacturing
US9524960B2 (en) 2014-04-01 2016-12-20 Empire Technoogy Development Llc Vertical transistor with flashover protection
US9406750B2 (en) 2014-11-19 2016-08-02 Empire Technology Development Llc Output capacitance reduction in power transistors

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000051294A (ko) * 1999-01-20 2000-08-16 김덕중 전기적 특성이 향상된 디모스 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
US6303961B1 (en) * 1998-04-29 2001-10-16 Aqere Systems Guardian Corp. Complementary semiconductor devices
WO2004017419A1 (en) * 2002-08-16 2004-02-26 Semiconductor Components Industries L.L.C. Vertical gate semiconductor device with a self-aligned structure
KR20050042161A (ko) * 2002-08-16 2005-05-04 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨 수직 게이트 반도체 디바이스를 제조하는 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE456291B (sv) * 1980-02-22 1988-09-19 Rca Corp Vertikal mosfet-anordning innefattande en over kollektoromradet belegen skermelektrod for minimering av miller- kapacitansen och stromfortrengningen
JP2002151686A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002299609A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
DE10317381B4 (de) * 2003-04-15 2005-04-14 Infineon Technologies Ag Vertikaler Leistungstransistor mit niedriger Gate-Drain-Kapazität und Verfahren zu dessen Herstellung
US7397084B2 (en) * 2005-04-01 2008-07-08 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor device having enhanced performance and method
US7446354B2 (en) * 2005-04-25 2008-11-04 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Power semiconductor device having improved performance and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303961B1 (en) * 1998-04-29 2001-10-16 Aqere Systems Guardian Corp. Complementary semiconductor devices
KR20000051294A (ko) * 1999-01-20 2000-08-16 김덕중 전기적 특성이 향상된 디모스 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
WO2004017419A1 (en) * 2002-08-16 2004-02-26 Semiconductor Components Industries L.L.C. Vertical gate semiconductor device with a self-aligned structure
KR20050042161A (ko) * 2002-08-16 2005-05-04 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨 수직 게이트 반도체 디바이스를 제조하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW200727498A (en) 2007-07-16
KR20130038896A (ko) 2013-04-18
CN1855544B (zh) 2010-05-12
CN1855544A (zh) 2006-11-01
US7276747B2 (en) 2007-10-02
KR20060111859A (ko) 2006-10-30
TWI420675B (zh) 2013-12-21
HK1097098A1 (en) 2007-06-15
US20060237780A1 (en) 2006-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101293927B1 (ko) 스크리닝 전극을 가진 반도체 장치 및 방법
TWI591789B (zh) 用於製造具有一屏蔽電極結構之一絕緣閘極半導體裝置之方法
US8021947B2 (en) Method of forming an insulated gate field effect transistor device having a shield electrode structure
US7446354B2 (en) Power semiconductor device having improved performance and method
USRE45365E1 (en) Semiconductor device having a vertically-oriented conductive region that electrically connects a transistor structure to a substrate
TWI500114B (zh) 半導體組件及製造方法
US7285823B2 (en) Superjunction semiconductor device structure
US7126166B2 (en) High voltage lateral FET structure with improved on resistance performance
US7397084B2 (en) Semiconductor device having enhanced performance and method
US7732862B2 (en) Power semiconductor device having improved performance and method
US8921184B2 (en) Method of making an electrode contact structure and structure therefor
US20100163988A1 (en) High voltage (&gt;100v) lateral trench power mosfet with low specific-on-resistance
EP1535344B1 (en) Vertical gate semiconductor device with a self-aligned structure
US8035161B2 (en) Semiconductor component
US9419128B2 (en) Bidirectional trench FET with gate-based resurf
US9754839B2 (en) MOS transistor structure and method
US20120306010A1 (en) Dmos transistor having an increased breakdown voltage and method for production

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160629

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180801

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190801

Year of fee payment: 7