KR101291347B1 - 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 장치 및 그를위한 방법 - Google Patents

기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 장치 및 그를위한 방법 Download PDF

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Abstract

기판으로부터 불소계 폴리머를 제거하기 위한 플라즈마를 생성하는 장치를 개시한다. 실시형태는 전력 공급 전극, 제 1 유전체층, 및 전력 공급 전극과 제 1 유전체층 간에 배치되는 제 1 와이어 메쉬를 포함하는 전력 공급 전극 어셈블리를 포함한다. 또한, 실시형태는 플라즈마가 생성되는 캐비티를 형성하도록 전력 공급 전극 어셈블리에 대향 배치되는 접지 전극 어셈블리를 포함하고, 제 1 와이어 메쉬는, 플라즈마가 캐비티 내에 존재할 때, 제 1 유전체층에 의해 플라즈마로부터 차폐되며, 캐비티는 플라즈마를 제공하여 불소계 폴리머를 제거하는 출구를 일 단에 갖는다.
Figure R1020087009237
전력 공급 전극, 접지 전극, 와이어 메쉬, 유전체층, 불소계 폴리머

Description

기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 장치 및 그를 위한 방법{APPARATUS FOR THE REMOVAL OF A FLUORINATED POLYMER FROM A SUBSTRATE AND METHODS THEREFOR}
배경
본 발명은 일반적으로 기판 제조 기술에 관한 것으로, 특히 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
기판, 예를 들어 반도체 기판 또는 평판 패널 디스플레이 제조 시에 사용되는 유리 패널에 대한 프로세싱에서는, 플라즈마가 자주 사용된다. 기판의 프로세싱의 일부로서, 예를 들어, 기판은 각각 집적 회로가 될 복수의 다이 (die) 또는 장방형 영역들로 분할된다. 다음으로, 기판은 물질이 선택적으로 제거 (에칭) 되고 퇴적되는 일련의 단계로 프로세싱된다. 타깃 게이트 길이로부터의 각 나노미터 편차가 이들 디바이스의 동작 속도로 직접 전환할 수 있기 때문에, 대략 수 나노미터인 트랜지스터 게이트의 임계 치수 (CD) 의 제어가 최우선이다.
이후, 경화 유제의 영역은 선택 제거되어 하부층의 구성 요소가 노출되도록 한다. 다음으로, 기판은 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 척 또는 페디스탈이라 불리는, 단극 전극 또는 쌍극 전극을 포함한 기판 지지 구조체 상에 놓인다. 이후, 적절한 에천트 가스가 챔버 내로 유입되고 플라즈마를 형성토록 충돌되어 기판의 노출된 영역을 에칭한다.
에칭 프로세스 동안, 폴리머 부산물 (예를 들어, 불소계 폴리머 등) 이 기판 상에 형성되는 것이 일반적이다. 불소계 폴리머는 일반적으로 에칭 화학제에 이미 노출된 포토레지스트 물질 또는, 플루오로카본 (fluorocarbon) 에칭 프로세스 동안 퇴적된 폴리머 부산물을 포함한다. 일반적으로, 불소계 폴리머는 CxHyFz 의 화학식을 갖는 물질이며, x, z 는 1 이상의 정수이고, y 는 0 이상의 정수이다 (예를 들어, CF4, C2F6, CH2F2, C4F8, C5F8 등).
여러 다른 에칭 프로세스의 결과로서 연속한 폴리머층이 퇴적됨에 따라, 보통 강하게 접착되는 유기 본딩은 결국 약해지고 이송 중에 자주 다른 기판상으로 박리 또는 박피된다. 예를 들어, 기판은 종종 카셋트라 불리는 사실상 깨끗한 컨테이너를 통해 플라즈마 프로세싱 시스템 간의 세트 내로 통상 이동된다. 컨테이너 내의 상위에 위치된 기판이 재위치됨에 따라, 폴리머층의 일부는 다이가 존재하는 하위 기판 상에 떨어져 디바이스 수율에 잠재적으로 영향을 미칠 수도 있다.
통상의 폴리머 제거 방법은 습식 케미컬에 의한 것이다. 그러나, 포토레지스트 제거에는 효과적이더라도, 습식 세정 프로세스는 측벽 폴리머 제거에선 효과적이지 못하다. 통상 사용되는 다른 방법은 진공 상태 (약 1 Torr 미만의 압력 범위) 하에서 O2 플라즈마를 사용한다. 그러나, 포토레지스트와 측벽 폴리머의 제거에는 효과적이라도, O2 플라즈마는 또한 일반적으로 진공 상태를 유지하기 위해 고가의 플라즈마 프로세싱 장치를 요구할 뿐만 아니라, 불소계 폴리머를 제거하기 위해 통상 기판 프로세싱 스테이션을 개별적으로 설치해야 하기 때문에 시간 소모적이다.
또한, 통상적으로 알려지고, 상대적으로 단순하며, 저-비용인 다른 불소계 폴리머 제거 방법은 대기압 (또는 고압) 플라즈마 제트 (AtmosPheric Plasma Jet: APPJ) 의 사용이며, 이는 일반적으로 플라즈마가 기판 상의 특정 위치에 집중되게 하여, 이로써 기판 상의 다이에 대한 손상 가능성을 최소화할 수도 있다. 일반적으로, APPJ 디바이스는 (소스의 종축 방향의) RF-전력 공급 전극 (RF-powered electrode) 과 접지 전극 간에 형성된 환형 체적 (예를 들어, 튜브, 실리더 등) 내에 소량의 반응 가스 (예를 들어, CF4, H2, O2 등) 에 다량의 불활성 가스 (예를 들어, He 등) 를 혼합한다. 다음으로, 생성된 플라즈마는 가스의 유입 (가스 유입) 에 의해 생긴 압력으로 인해 환형 체적의 일 단으로 강제로 방출될 수도 있다 (플라즈마 방출). 플라즈마 방출의 형상 및 크기뿐만 아니라, APPJ 디바이스 상의 방출 오리피스의 형상 및 크기는 가스 유입 압력을 조정함으로써 제어할 수도 있다.
또한, APPJ 는 불소계 폴리머를 제거하기 위해 반응성 이온 에칭 (RIE) 과 결합될 수도 있다. 일반적으로, RIE 는 기판으로부터 물질을 제거하도록 화학 프로세스와 이온 프로세스 둘 다를 결합한다. 플라즈마 내의 이온들은 일반적으로 기판 표면을 가격하고, 그 이온들이 화학 프로세스의 분자와 반응하기 더 쉽게 하기 위해 기판 표면 상의 원자의 화학 결합을 파괴함으로써 화학 프로세스를 강화한다. 대기압 플라즈마는 주위 압력 조건에서 작동하므로, 거의 진공 상태에서 동작하도록 하는 복잡한 펌핑 시스템을 요구하는 저압 플라즈마와 비교하면 상대적으로 저렴한 편이다. 그러나, APPJ 디바이스는 또한 아크 발생 (arcing) 에 민감한 편이다.
아크는 일반적으로 소형 폭발의 효력을 가지는 고 전력 밀도 단락 회로이다. 아크가 타겟 물질의 표면 또는 챔버 설치물 근처에서 발생하는 경우, 국부 용해와 같은 실질적인 손상이 발생할 수 있다. 일반적으로, 플라즈마 아크는 서서히 증가하는 전류 흐름을 발생하는 저 플라즈마 임피던스에 의해 야기된다. 저항이 충분히 낮으면, 전류가 무한히 증가 (전원과 임피던스에 의해서만 제어됨) 하여 모든 에너지 전이가 발생하는 단락 회로를 만든다. 이는 기판뿐만 아니라 플라즈마 챔버에 손상을 야기할 수도 있다. 일반적으로, 아크를 방지하기 위하여, 상대적으로 고 플라즈마 임피던스가 유지되어야 한다. 통상의 해결책은 상대적으로 고 유속 (flow rate) 의 대용량 불활성 가스를 이용하여 플라즈마 내의 이온화 속도를 제한하는 것일 수도 있다. 다른 해결책은 아크의 가능성을 감소시키기 위하여 동일한 전위로 전력 공급 전극의 종축 방향으로 슬롯을 배치시킬 수도 있다.
예를 들어, 통상 대기압 플라즈마 구성에서, RF 전력은 O2 와 같은 프로세스 가스가 이온화하는, 접지 전극 세트와 전력 공급 전극 간의 전기적 방전을 발생시킨다. 그러나, 플라즈마 내의 전하 종들 (즉, 이온 등) 의 밀도가 증가 (통상 2% 초과) 함에 따라, 노출된 전극에서 파괴적 아크의 가능성도 증가한다. 따라서, 대부분의 대기압 플라즈마 프로세스는 통상 이온화를 제한하는 He 과 같은 대부분의 비-하전 (불활성) 가스를 포함할 수도 있다. 불소계 폴리머 부산물 제거 애플리케이션에서, 대용량 (고 유동) 의 불활성 가스는 대기압 플라즈마의 사용을 경제적이지 못하게 할 수도 있다. 예를 들어, 기판 상의 단지 5 ㎟ 표면적으로부터 불소계 폴리머에 대한 실질적 제거는 10 slm (Standard Liters per Minute) 이상의 불활성 가스를 요구할 수도 있다. 이것은 통상 단일 300 ㎜ 기판에 대해 100 리터 이상의 불활성 가스의 소비에 대응할 수도 있다. 대용량의 반도체 등급 불활성 가스를 얻는 비용을 제쳐놓고 라도, 기판 제조 설비 내에 이러한 용량의 저장은 불가능할 수도 있다. 또한, 장치 비용 때문에, 불활성 가스의 세정 및 재활용은 경제적으로도 실용적이지 못하다.
이하 도 1 을 참조하면, 전력 공급 전극과 접지 전극 양쪽이 각각 일 캐비티 벽 상에 구성되는 대기압 플라즈마 제트 디바이스의 개략도를 도시한다. 일반적으로, 불활성 가스 (118, 예를 들어, He 등) 와 프로세스 가스 (116, 예를 들어, CF4, H2, O2 등) 는 가압을 위해 밀폐 박스 (114) 내로 유입된다. 다음으로, 불활성 가스 (118) 와 프로세스 가스 (116) 는 가스 유입 (115) 을 통해 방전 챔버 캐비티 (110) 로 공급되고, 이 시점에서 플라즈마는 RF 전원 (108) 에 의해 스트라이킹되어 캐비티 (110) 의 일 단의 방출 오리피스 (117) 로부터 플라즈마 방출 (104) 을 일으켜 기판 (102) 을 세정한다. 일반적으로, 방출 오리피스 (117) 의 형상 및 직경은 횡축과 종축 둘 다에 따라 플라즈마 방출 (104) 의 대응 형상 (예를 들어, 횡축으로 좁고 종축으로 깊음, 횡축으로 넓고 종축으로 얕음 등) 에 영향을 미칠 수도 있다. 그러나, 상술한 바와 같이, 대용량의 불활성 가스는 전력 공급 전극 (106) 과 접지 전극 (112) 간의 아크 (105) 의 생성을 방지하기 위해 요구될 수도 있다.
이하 도 2 를 참조하면, 전력 공급 전극이 중심 로드로서 구성되고 접지 전극이 캐비티 내부 표면 상에 구성되는 대기압 플라즈마 제트 디바이스의 개략도를 도시한다. 종전과 같이, 일반적으로, 불활성 가스 (118, 예를 들어, He 등) 와 프로세스 가스 (116, 예를 들어, CF4, H2, O2 등) 는 가압을 위해 밀폐 박스 (114) 내로 유입된다. 이후, 불활성 가스 (118) 와 프로세스 가스 (116) 는 가스 유입부 (115) 를 통해 방전 챔버 캐비티 (110) 로 공급되고, 이 시점에서 플라즈마는 RF 전원 (108) 에 의해 스트라이킹되어 캐비티 (110) 의 일 단에서의 방출 오리피스 (117) 로부터 플라즈마 방출 (104) 을 일으켜 기판 (102) 을 세정한다. 일반적으로, 방출 오리피스 (117) 의 형상 및 직경은 횡축과 종축 둘 다에 따라 플라즈마 방출 (104) 의 대응 형상 (예를 들어, 횡축으로 좁고 종축으로 깊음, 횡축으로 넓고 종축으로 얕음 등) 에 영향을 미칠 수도 있다. 그러나, 상술한 바와 같이, 대용량의 불활성 가스는 전력 공급 전극 (106) 과 접지 전극 (112) 간의 아크 (105) 의 생성을 방지하기 위해 요구될 수도 있다.
앞서 말한 관점에서, 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 장치와 불소계 폴리머 제거 방법이 요구된다.
개요
본 발명은, 일 실시형태에서, 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 장치에 관한 것이다. 본 실시형태는 전력 공급 전극, 제 1 유전체층, 및 전력 공급 전극과 제 1 유전체층 간에 배치된 제 1 와이어 메쉬를 포함하는 전력 공급 전극 어셈블리를 포함한다. 또한, 실시형태는 플라즈마가 생성되는 캐비티를 형성하도록 전력 공급 전극 어셈블리에 대향하여 배치된 접지 전극 어셈블리를 포함하고, 제 1 와이어 메쉬는 플라즈마가 캐비티 내에 존재 시, 제 1 유전체층에 의해 플라즈마로부터 차폐되며, 캐비티는 플라즈마를 제공하여 불소계 폴리머를 제거하는 출구를 일 단에 갖는다.
본 발명은, 일 실시형태에서, 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 플라즈마를 생성하는 방법에 관한 것이다. 본 방법은 전력 공급 전극 어셈블리를 제공하는 단계를 포함하며, 전력 공급 전극 어셈블리는 전력 공급 전극, 제 1 유전체층, 및 전력 공급 전극과 제 1 유전체층 간에 배치된 제 1 와이어 메쉬를 포함한다. 또한, 방법은 플라즈마가 생성되는 캐비티를 형성하도록 전력 공급 전극 어셈블리에 대향하여 배치된 접지 전극 어셈블리를 제공하는 단계를 포함하고, 제 1 와이어 메쉬는 플라즈마가 캐비티 내에 존재 시, 제 1 유전체층에 의해 플라즈마로부터 차폐되며, 캐비티는 플라즈마를 제공하여 불소계 폴리머를 제거하는 출구를 일 단에 갖는다. 또한, 방법은 적어도 하나의 불활성 가스와 적어도 하나의 프로세스 가스를 캐비티 내로 도입하는 단계와, 전력 공급 전극을 이용하여 캐비티로 RF 전계를 인가함으로써 적어도 하나의 불활성 가스와 적어도 하나의 프로세스 가스로부터 플라즈마를 생성하는 단계를 포함한다.
본 발명은, 일 실시형태에서, 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 플라즈마를 생성하는 방법에 관한 것이다. 본 방법은 전력 공급 전극 어셈블리를 제공하는 단계를 포함하며, 전력 공급 전극 어셈블리는 전력 공급 전극, 제 1 유전체층, 및 전력 공급 전극과 제 1 유전체층 간에 배치된 제 1 와이어 메쉬를 포함한다. 또한, 방법은 플라즈마가 생성되는 캐비티를 형성하도록 전력 공급 전극 어셈블리에 대향되게 배치된 접지 전극 어셈블리를 제공하는 단계를 포함하고, 제 1 와이어 메쉬는 플라즈마가 캐비티 내에 존재 시, 제 1 유전체층에 의해 플라즈마로부터 차폐되며, 캐비티는 플라즈마를 제공하여 불소계 폴리머를 제거하는 출구를 일 단에 갖는다. 또한, 방법은 전력 공급 전극을 이용하여 캐비티로 RF 전계를 인가함으로써 적어도 하나의 불활성 가스와 적어도 하나의 프로세스 가스로부터 플라즈마를 생성하는 단계를 포함한다.
이하에서는 다음 도면을 참조하여 본 발명의 상세한 설명으로 본 발명의 이들 특징 및 다른 특징을 더욱 상세히 설명한다.
도면의 간단한 설명
본 발명은 첨부된 도면의 형태에서 예시로 설명하나 이에 제한되지 않으며, 동일한 참조 부호는 유사한 요소로 참조된다.
도 1 은 전력 공급 전극과 접지 전극 둘 다가 각각 일 캐비티 벽 상에 구성되는 대기압 플라즈마 제트 디바이스의 개략도를 도시한다.
도 2 는 전력 공급 전극이 중심 로드로서 구성되고 접지 전극이 캐비티 내부 표면 상에 구성되는 대기압 플라즈마 제트 디바이스의 개략도를 도시한다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따라, 전력 공급 전극과 접지 전극 둘 다가 각각 일 캐비티 벽 상에 구성되는 DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 전력 공급 전극이 중심 로드로서 구성되고 접지 전극이 캐비티 내부 표면 상에 구성되는 DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 대기압 플라즈마 커튼을 생성하도록 구성된 DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다.
도 6a 는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 플라즈마 커튼을 생성하도록 구성된 DWM-APPJ 디바이스 세트의 개략도를 도시한다.
도 6b 는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 플라즈마 커튼을 생성하도록 구성된 오프셋 DWM-APPJ 디바이스 세트의 개략도를 도시한다.
도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따라, 기판 로드 락 장치와 커플링된 DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다.
도 8 은 본 발명의 일 실시형태에 따라, 와이어 메쉬-유전체 슬리브 세트가 변경가능한 DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다.
도 9 는 본 발명의 일 실시형태에 따라, DWM-APPJ 디바이스에 의해 기판에서 불소계 폴리머를 최적으로 제거하는 개략적 방법을 도시한다.
바람직한 실시형태의 상세한 설명
이하에서는 첨부된 도면으로 서술되는 바와 같이 많은 바람직한 실시형태를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 다음 설명에서는, 본 발명의 완전한 이 해를 제공하기 위해 다수의 특정 사례를 상세히 설명한다. 그러나, 당업자에게는 본 발명이 이들 특정 사례의 일부 또는 전부 없이도 실행될 수도 있다는 것이 명확하다. 다른 사례에서는, 본 발명을 불필요하게 불명확하게 하지 않도록 하기 위해 잘 알려진 프로세스 단계 및/또는 구조를 상세히 설명하지 않았다.
본 발명자는 이론에 의해 한정되는 것을 바라지 않으면서, 유전체　배리어와 와이어 메쉬가 적어도 하나의 전극과 플라즈마 (DWM-APPJ) 간에 배치되는, 대기압 플라즈마 제트 디바이스가 상대적으로 낮은 (1 slm 미만) 불활성 가스 유량에서 아크를 최소화하고 기판으로부터 불소계 폴리머를 효과적으로 감소시킬 수도 있다고 확인한다.
일반적으로, 과전압이 전극 간의 방전 갭에 인가될 때 아크가 발생하여 전자 사태 (electron avalanche) 가 매우 빠른 스트리머 전파가 가능한 임계 단계에 도달한다. 그 결과, 마이크로 방전 채널이 형성된다. 그러나, 유전체　배리어는 또한 일렉트릿 (일반적으로 표면 상에 전하를 축적하는 물질) 으로 작용하는 경향이 있기 때문에, 마이크로 방전 채널은 유전체　배리어를 통해 원래 채널 직경보다 훨씬 큰 영역을 커버하는 표면 방전으로 확산된다. 유전체　배리어 표면 상의 전하 빌드-업에 때문에, 파괴 (breakdown) 후 수 나노 초 내에 마이크로 방전의 위치에서의 전계가 붕괴되어, 이 위치에서의 전류 흐름을 중단시킨다. 그러나, 종종 이러한 파괴는 또한 플라즈마 자체의 붕괴를 초래할 수도 있다. 바람직한 방식에서는 와이어 메쉬가 이러한 붕괴를 방지한다.
일반적으로, RF 생성기에 의해 생성된 것과 같은 전자기파는 파장 직경 미만인, 와이어 메쉬와 같은 도전 표면 내의 홀을 통과하지 못한다. 생성된 RF 전계는 와이어 메쉬 홀의 직경을 변경함으로써 다른 정도와 다른 양으로 감소될 수도 있다. 적절한 크기의 홀을 갖는 와이어 메쉬에 의해 유전체　배리어의 표면 상에 생성되는 2차 전계는 사실상 보다 적은 불활성 가스 유량에서 아크 없이 플라즈마를 유지하도록 돕는다. 따라서, 상대적으로 적은 불활성 가스 유량 (1 slm 미만) 에서, DWM-APPJ 의 전극과 유전체　배리어 간의 적어도 하나의 와이어 메쉬의 부가는 특정 기판 위치에서의 불소계 폴리머 부산물을 실질적으로 제거할 수도 있는 플라즈마 제트가 발생되게 한다. 또한, 이전 APPJ 구성과 다르게, DWM-APPJ 는 전력 공급 전극의 종축을 따르는 슬롯을 요구하지 않는다. 일반적으로 슬롯은 APPJ 의 크기, 복잡성 및 비용을 증가시킨다.
일반적으로, RF 전계에 대한 일 파장의 공차는 충분한 성능과 불충분한 성능 간의 대략 교차점이 되도록 취해진다. 그러나, 일반적으로, 와이어 메쉬 내의 홀 변화 또는 표면 변화는 용인할 수 없는 성능 열화를 부과하지 않도록 통상 파장 직경의 일부보다 작아야 한다. 또한, 와이어 메쉬는 RF 전계가 플라즈마 내를 통과하도록 허용하기 위해 일반적으로 접지되지 않는다.
일 실시형태에서, 유전체　배리어는 단일 전극과 플라즈마 간에 배치된다. 일 실시형태에서, 유전체　배리어는 모든 전극과 플라즈마 간에 배치된다. 일 실시형태에서, 유전체　배리어는 전력 공급 전극과 플라즈마 간에 배치된다. 일 실시형태에서, 유전체　배리어는 접지 전극과 플라즈마 간에 배치된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 유전체　배리어와 전극 간에 배치된다. 일 실시 형태에서, 와이어 메쉬는 각 유전체　배리어와 전극 간에 배치된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 유전체　배리어와 전력 공급 전극 간에 배치된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 유전체　배리어와 접지 전극 간에 배치된다. 일 실시형태에서, 프로세스 가스는 H2 이다. 일 실시형태에서, 프로세스 가스는 O2 이다. 일　실시형태에서，프로세스 가스는 CF4　이다.
일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 구리 (Cu) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 스테인레스 스틸을 포함한다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 황동을 포함한다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 아연 도금된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 모노필라멘트이다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 장방형 위브 (rectangular weave) 를 갖는다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 6 각형 위브를 갖는다. 일 실시형태에서, 유전체　배리어는 마일라 (Mylar) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 유전체　배리어는 세라믹을 포함한다. 일 실시형태에서, 유전체　배리어는 테플론 (Teflon) 을 포함한다.
이하 도 3 를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 전력 공급 전극과 접지 전극 양자가 캐비티 벽 상에 구성되는 DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다. 또한, 종래 기술과 다르게, 전력 공급 전극 (306) 과 유전체 배리어 (305a) 간에 배치된 와이어 메쉬 (307a), 그리고 접지 전극 (332) 과 유전체 배리어 (305b) 간에 배치된 와이어 메쉬 (307b) 는 통상 요구되는 불활성 가스 유량 (예를 들어, 약 10 slm 등) 보다 사실상 적은 불활성 가스 유량 (1 slm 미만) 에서 아크 없이 플라즈마가 유지되게 허용할 수도 있다. 일반적으로, 불활성 가스 (318) 와 프로세스 가스 (316) 는 가압을 위해 밀폐 박스 (314) 내로 유입된다. 다음으로, 불활성 가스 (318) 와 프로세스 가스 (316) 는 가스 유입부 (315) 를 통해 플라즈마가 RF 전원 (308) 에 의해 충돌하는 방전 챔버 캐비티 (310) 로 공급되고, 캐비티 (310) 의 일 단에서의 방출 오리피스 (317) 로부터 플라즈마 방출 (304) 을 일으켜 기판 (302) 을 세정한다. 또한, 본 실시형태에서 각 전극이 와이어 메쉬를 이용하여 구성되나, 다른 실시형태에서는 전력 공급 전극 (306) 이나 접지 전극 (332) 중 어느 하나에만 단일 와이어 메쉬를 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서, 직경 (331) 은 약 0.5 mm 내지 약 6 mm 이다. 본 실시형태의 장점은 상대적으로 적은 불활성 가스 유량 (약 1 slm 미만) 으로 불소계 폴리머 부산물을 사실상 제거하는 플라즈마 제트를 생성하는 능력을 포함하여 대용량 반도체 등급 불활성 가스를 얻거나 고가의 불활성 가스 재활용 장비를 구매하는 비용을 막는다.
이하 도 4 를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 전력 공급 전극이 중심 로드로서 구성되고 접지 전극(들)이 캐비티 내부 표면 상에 구성되는 DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다. 또한, 종래 기술과 다르게, 전력 공급 전극 (406) 과 유전체 배리어 (405b) 간에 배치된 와이어 메쉬 (407b), 그리고 접지 전극 (432a, 432b) 과 유전체 배리어 (405a) 간에 배치된 와이어 메쉬 (407a) 는, 통상 요구되는 불활성 가스 유량 (예를 들어, 약 10 slm 등) 보다 사실상 적은 불활성 가스 유량 (약 1 slm 미만) 에서 아크 없이 플라즈마가 유지되게 허용할 수도 있다. 일반적으로, 이전과 같이, 불활성 가스 (418) 와 프로세스 가스 (416) 는 가압을 위해 밀폐 박스 (414) 내로 유입된다. 다음으로, 불활성 가스 (418) 와 프로세스 가스 (416) 는 가스 유입부 (415) 를 통해 플라즈마가 RF 전원 (408) 에 의해 충돌하는 방전 챔버 캐비티 (410) 로 공급되고, 캐비티 (410) 의 일 단에서의 방출 오리피스 (417) 로부터 플라즈마 방출 (404) 을 일으켜 기판 (402) 을 에칭하거나 세정한다. 일 실시형태에서, 직경 (431) 은 약 0.5 mm 내지 약 6 mm 이다. 본 실시형태의 장점은 상대적으로 적은 불활성 가스 유량 (약 1 slm 미만) 으로 불소계 폴리머 부산물을 사실상 제거하는 플라즈마 제트를 생성하는 능력을 포함하여, 대용량 반도체 등급 불활성 가스를 얻거나 고가의 불활성 가스 재활용 장비를 구매하는 비용을 방지한다.
예를 들어, 약 2 MHz 내지 약 13.56 MHz 인 주파수와 1 - 20W RF 파워의 파워 세팅에서 불소계 폴리머를 제거하기 위해 DWM-APPJ 디바이스를 사용할 때 1 slm 미만인 He 흐름은, 약 100 sccm 내지 약 500 sccm 인 O2 흐름에서 아크를 방지하는데 요구될 수도 있다. 이것은 통상 사용되는 APPJ 디바이스와 동등한 동작에 보통 요구되는 약 10 slm 의 He 보다 사실상 적다.
이하 도 5 를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 대기압 플라즈마 커튼을 생성하도록 구성된 DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다. 일반적으로, APPJ 디바이스는 기판의 직경과 비교할 때 상대적으로 작은 직경을 갖는 경향이 있다. 전체 기판을 프로세싱하기 위하여, APPJ 디바이스 자체나 기판은 일반적으로 회전되어 플라즈마 방출을 기판 표면의 주요 부분과 접촉되는 것을 보장해야 하며, 이것은 잠재적 시간 소모 프로세스이다. 그러나, 혁신적 방식에서, DWM-APPJ (504) 는 방출 오리피스 폭 (506) 이 적어도 기판 (502) 의 직경 (508) 만큼 넓도록 구성될 수도 있다. 그 결과적 플라즈마 방출은 기판 (502) 의 (오리피스 폭 (506) 과 평행한) 전체 슬라이스를 동시에 담당 (contract) 할 수도 있는 플라즈마 커튼을 생성하여, 대체로 추가 프로세싱 시간없이 플라즈마 프로세싱 스테이션 (510, 예를 들어, PVD, CVD, 에칭 등) 내로 기판을 삽입함에 따라 불소계 폴리머가 제거되게 함으로써, 사실상 제조 수율을 향상시킨다.
이하 도 6a 를 참조하면, DWM-APPJ 디바이스 세트의 개략도는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 플라즈마 커튼을 생성하도록 구성된다. 상술한 바와 같이, APPJ 디바이스가 기판의 직경과 비교할 때 상대적으로 작은 직경을 갖는 경향이 있기 때문에, APPJ 디바이스 자체 또는 기판은 일반적으로 회전되어 플라즈마 방출이 전체 기판 표면과 접촉되는 것을 보장한다. 그러나, 혁신적 방식에서, DWM-APPJ 디바이스 (604) 의 세트는 총 방출 오리피스 폭이 적어도 기판 (602) 의 직경 만큼 넓도록 구성될 수도 있다. 이것은 여러 양태에서 유용할 수도 있다. 상대적으로 보다 작은 DWM-APPJ 디바이스 (604) 에 대한 보다 적은 가스 유량의 세트는 제어와 조정하기에 보다 용이할 수도 있다. 또한, 다른 DWM-APPJ 디바이스는 위치 (예를 들어, 기판 에지와 대조적으로 기판의 중심), 시간 (프로세스의 중반 또는 종반과 대조적으로 초반의 기판과 대기압 플라즈마 접촉), 기판 타입 등에 대한 관계에서 상이한 유량 및/또는 비율로 구성될 수도 있다. 도 5 에서와 같이, 그 결과적 플라즈마 방출은 기판 (602) 의 (오리피스 폭 (606) 에 평행한) 전체 슬라이스를 동시에 담당할 수도 있는 플라즈마 커튼을 생성하여, 대체로 추가 프로세싱 시간없이 플라즈마 프로세싱 스테이션 (610, 예를 들어, PVD, CVD, 에칭 등) 내로 기판을 삽입함에 따라 불소계 폴리머가 제거되게 함으로써, 사실상 제조 수율을 향상시킨다.
이하 도 6b 를 참조하면, 오프셋 DWM-APPJ 디바이스의 세트에 대한 개략도는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 플라즈마 커튼을 생성하도록 구성된다. 상술한 바와 같이, APPJ 디바이스가 기판의 직경과 비교할 때 상대적으로 작은 직경을 갖는 경향이 있기 때문에, APPJ 디바이스 자체 또는 기판은 일반적으로 회전되어 플라즈마 방출이 전체 기판 표면과 접촉되는 것을 보장한다. 그러나, 혁신적 방식에서, 오프셋 DWM-APPJ 디바이스 (612) 의 세트는 총 방출 오리피스 폭이 적어도 기판 (602) 의 직경 만큼 넓도록 구성될 수도 있다. 이것은 여러 양태에서 유용할 수도 있다. 상술한 바와 같이, 상대적으로 보다 작은 DWM-APPJ 디바이스 (604) 에 대한 보다 적은 가스 유량의 세트는 제어와 조정하기에 보다 용이할 수도 있다.
또한, 다른 DWM-APPJ 디바이스는 위치 (예를 들어, 기판 에지와 대조적으로 기판의 중심), 시간 (프로세스의 중반 또는 종반과 대조적으로 초반의 기판과 대기압 플라즈마 접촉), 기판 타입 등에 대한 관계에서 상이한 유량 및/또는 비율로 구성될 수도 있다. 또한, 개별 플라즈마 방출은 서로 이격되어 잠재적 교차-유동 간섭을 감소시킴으로써, 잠재적으로 불소계 폴리머 제거 효율을 향상시킬 수도 있다. 도 5 에서와 같이, 그 결과적 플라즈마 방출은 기판 (602) 의 전체 슬라이스를 동시에 담당할 수도 있는 플라즈마 커튼을 생성하여, 대체로 추가 프로세싱 시간없이 플라즈마 프로세싱 스테이션 (610, 예를 들어, PVD, CVD, 에칭 등) 내로 기판을 삽입함에 따라 불소계 폴리머가 제거되게 함으로써, 사실상 제조 수율을 향상시킨다.
이하 도 7 을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 기판 로드 락 장치와 커플링된 DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다. 일반적으로, 플라즈마 챔버에 계속해서 가스를 압입하고 플라즈마 챔버를 배기시킬 필요 없이 진공에 가까운 상태에서 플라즈마 프로세싱 시스템이 동작되게 하기 위해서는, (기판이 이송될 수도 있는) 상압에서 (기판이 프로세싱될 수도 있는) 진공 근처까지 기판을 삽입하고 제거하기 위해 몇몇 압력 전이 메커니즘 유형이 필요하다. 압력 전이 메커니즘은 통상 로드 락 (702) 라 불린다.
일반적으로, 수용되어야 하는 3 가지의 압력 영역이 있다: 상압 영역 (718, 기판 이송 장치 (708) 포함), 전이 영역 (716, 로드 락 (702) 포함), 및 진공 영역 (714, 플라즈마 챔버 (706) 포함). 오염을 저감하기 위해 상압 불활성 가스 (예를 들어, N2 등) 에서 기판을 일반적으로 유지하는 기판 이송 장치 (708) 를 통해 플라즈마 챔버 (706) 로 기판을 보통 이송한다. 도킹 포트 (709) 를 통해 로드 락 (702) 에 일단 도킹되면, 로드 락 (702) 은 또한 기판 이송 장치 (708) 내의 압력과 실질적으로 매칭하도록 상압의 불활성 가스로 환기될 수도 있다.
일단 전이 영역 (716) 과 상압 영역 (718) 간에 압력이 동등하게 되면, 도킹 포트 (709) 는 오픈되고, 이미 프로세싱된 기판 (602b) 이 삭탈되면서 프로세싱될 기판 (602a) 은 삽입된다. 다음으로, 도킹 포트 (709) 는 재봉인되고, 로드 락 (702) 내의 불활성 가스는 플라즈마 챔버 (706) 내의 진공 상태와 사실상 매칭하도록 펌프 (704) 를 통해 배출된다. 일단 전이 영역 (716) 과 진공 영역 (714) 간에 압력이 동등하게 되면, 플라즈마 챔버 포트 (707) 는 오픈되고, 프로세싱될 기판 (602a) 은 삽입된다.
그러나, 혁신적 방식에서, DWM-APPJ 디바이스 (712) 는 기판이 로드 락 (702) 으로 삽입되고 있을 때 기판에서 불소계 폴리머를 제거하도록 구성됨으로써, 보통 기판을 세정하기 위해 요구되는 추가 프로세스 시간만큼을 사실상 절감할 수도 있다. 즉, DWM-APPJ 디바이스 (712) 없이는 전용 세정 스테이션으로 기판을 이송하는 것이 필요하며, 이후 일단 프로세싱되면 플라즈마 챔버 (706) 로 재이송되는 것을 필요로 한다.
또한, DWM-APPJ 유출에 노출된 때 일반적으로 불소계 폴리머가 휘발하기 때문에, 임의의 생성된 부산물은 이미 상술한 프로세스 압력 등화 프로세스 동안 펌프 (704) 를 통해 로드 락 (702) 밖으로 안전하게 배출될 수도 있다. 또한, 본 실시형태는 프로세싱 직전 시점까지 세정을 연기하여, 로드 락 (702) 과 플라즈마 챔버 (706) 간의 수 인치까지 기판 오염이 발생할 수도 있는 윈도우를 사실상 감소시키는데 매우 유용하다.
이하 도 8 을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 와이어 메쉬-유전체 슬리브 세트가 변경 가능한, DWM-APPJ 디바이스의 개략도를 도시한다. 상술한 바와 같이, RF 전계는 와이어 메쉬 홀의 직경을 변경함으로써 다른 각도와 다른 양으로 약화될 수도 있다. 따라서, 각각 다른 와이어 메쉬 홀 직경을 갖는 다양한 와이어 메쉬-유전체 슬리브 (805a 및 805b) 는 DWM-APPJ 디바이스가 특정 구성 또는 방법에 대해 최적화되게 할 수도 있다. 즉, 와이어 메쉬-유전체 슬리브 (805a 및 805b) 각각은 아크를 최소화하기 위해 DWM-APPJ 내의 적절한 전극과 플라즈마 간에 배치될 수도 있다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬-유전체 슬리브 (805a 및 805b) 는 임의의 주어진 구성에 대해 동일한 홀 직경을 구비한다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬-유전체 슬리브 (805a 및 805b) 는 임의의 주어진 구성에 대해 상이한 홀 직경을 구비한다.
일 실시형태에서, 와이어 메쉬층은 유전체층 간에 개재된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬층은 실리콘 접착제와 같은 접착체로 유전체층과 접합된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬층은 (횡축을 따른) 압력을 이용하여 유전체층에 단단히 고정된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬층은 (종축을 따른) 마찰력을 이용하여 유전체층에 단단히 고정된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬-유전체 슬리브는 (횡축을 따른) 압력을 이용하여 전극에 단단히 고정된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬-유전체 슬리브는 (종축을 따른) 마찰력을 이용하여 유전체층에 단단히 고정된다.
예를 들어, 불활성 가스의 유량을 저감하는 것은 일반적으로 어떤 주어진 구성 (예를 들어, 프로세스 가스 유량, 프로세스 가스 타입, RF 파워 등) 에 대해 아크의 가능성을 증가시킬 것이다. 그러나, 각각 보다 작은 홀 직경을 갖는 와이어 메쉬 슬리브의 세트를 삽입하는 것은 아크 없이 보다 낮은 불활성 가스 유량에서 플라즈마를 유지시킬 수도 있다. 또한, 다른 와이어 메쉬 물질 (예를 들어, 복합 금속, 백금 등) 은 또한 DWM-APPJ 디바이스 자체의 재설계할 필요성 없이 사용될 수도 있다.
이하 도 9 를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따라, DWM-APPJ 디바이스에 의해 기판에서 불소계 폴리머를 최적으로 제거하는 개략적 방법을 도시한다. 처음으로, 902 에서는, 전력 공급 전극, 와이어 메쉬, 및 유전체층을 포함한 전력 공급 전극 어셈블리가 제공된다. 일 실시형태에서, 와이어 메쉬는 구리, 스테인레스 스틸, 황동, 및 아연 도금된 금속 중 하나를 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서, 유전체층은 이산화 실리콘, 질화 실리콘, 마일라 (Mylar), 세라믹, 또는 테플론 (Teflon) 중 하나를 포함할 수도 있다. 다음으로, 904 에서는, 접지 전극 어셈블리가 플라즈마가 생성되는 캐비티를 형성하도록 전력 공급 전극 어셈블리와 대향하여 배치된다. 일 실시형태에서, 캐비티는 환형 체적 (annular volume) 일 수도 있다. 일 실시형태에서, 전력 공급 전극은 캐비티 내에 구성된 종 방향 프로브이다. 그 다음, 906 에서는, 전력 공급 전극을 이용하여 캐비티에 RF 전계를 인가함으로써 적어도 하나의 불활성 가스와 적어도 하나의 프로세스 가스로부터 플라즈마를 생성한다.
본 발명은 사실상 여러 관점에서 종래 기술과 실질적으로 구별된다. 예를 들어, 본 발명은 상대적으로 작은 불활성 가스 유량 (약 1 slm 미만) 으로 특정 기판 위치에서 불소계 폴리머 부산물을 실질적으로 제거하는 플라즈마 제트를 생성하기 위해 적어도 하나의 유전체 배리어와 적어도 하나의 와이어 메쉬를 APPJ (DWM-APPJ) 와 결합한다. 또한, 통상 그리고 보다 복잡한 APPJ 디바이스 구성과 다르게, 본 발명은 슬롯, 고 유속, 및/또는 알루미나 캡을 사용하여 아크를 감소시키지 않는다. 게다가, 본 발명은 진공을 유지하도록 어떤 특정화 및/또는 장치를 요구하지 않고, 물리적으로 기판과 접촉하지 않아 스크래치 손상의 가능성을 최소화하며, 최소 장치 사양 때문에 현존 프로세스와 결합하는 것이 상대적으로 쉽다.
본 발명이 여러 바람직한 실시형태의 관점에서 기술되었지만, 본 발명의 범위 내에 포함되는 변경, 변환 및 균등물이 존재한다. 예를 들어, 본 발명이 램 리서치 플라즈마 프로세싱 시스템 (예를 들어, Exelan™, Exelan™ HP, Exelan™HPT, 2300™, Versys™ Star 등) 과 연계되어 기술되었더라도, 다른 플라즈마 프로세싱 시스템을 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명은 다양한 직경의 기판 (예를 들어, 200 mm, 300 mm, LCD 등) 을 가지고 사용될 수도 있다. 게다가, 여기서 사용된 바와 같은 세트라는 용어는 하나 이상의 명명된 소자 세트를 포함한다. 예를 들어, "X" 세트는 하나 이상의 "X" 를 의미한다.
본 발명의 장점은 최소 아크로 상대적으로 작은 (약 1 slm 미만) 불활성 가스 유량에서 기판으로부터 불소계 폴리머를 제거하는 것을 포함한다. 또한, 본 발명의 장점은 DWM-APPJ 세정 디바이스를 인-시투 습식 세정 프로세스와 쉽게 결합하기 위한 능력과, 기판 제조 프로세스에 대한 최적화를 포함한다.
예시적 실시형태와 최선예를 기술하였지만, 다음의 청구항에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 주제 및 사상 내에 유지되면서 개시된 실시형태에 변경 및 변화가 가능할 수도 있다.

Claims (18)

  1. 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 플라즈마를 생성하는 장치로서,
    전력 공급 전극 (powered electrode);
    제 1 유전체층;
    상기 전력 공급 전극과 상기 제 1 유전체층 간에 배치된 제 1 와이어 메쉬;
    접지 전극; 및
    상기 플라즈마를 제공하여 상기 불소계 폴리머를 제거하는 오리피스를 포함하고,
    상기 플라즈마는 상기 전력 공급 전극과 상기 접지 전극 간에 생성되며,
    상기 제 1 와이어 메쉬는 상기 플라즈마가 존재할 때, 상기 제 1 유전체층에 의해 상기 플라즈마로부터 차폐되며,
    상기 기판을 플라즈마 챔버 내에 배치하기 전에 상기 기판을 로드 락으로 삽입할 때 상기 제거를 위해 상기 플라즈마가 상기 기판에 인가되고,
    상기 로드 락은 상기 플라즈마 챔버 및 기판 이송 장치 사이에 배치된, 플라즈마 생성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마가 존재할 때, 상기 접지 전극과 상기 플라즈마 간에 배치되는 제 2 유전체층; 및
    상기 접지 전극과 상기 제 2 유전체층 간에 배치되는 제 2 와이어 메쉬를 더 포함하는, 플라즈마 생성 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 와이어 메쉬는 접지되지 않는, 플라즈마 생성 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 와이어 메쉬의 각 홀의 직경은 RF 전원에 의해 제공된 신호의 파장의 프랙션 (fraction) 보다 작은, 플라즈마 생성 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    가스 주입구를 더 포함하며,
    상기 가스 주입구는 1 slm 보다 적은 유량 (flow rate) 의 불활성 가스를 수용하도록 구성되는, 플라즈마 생성 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 오리피스는 횡축 방향의 오리피스 직경을 포함하며,
    상기 오리피스 직경은, 적어도, 상기 기판의 기판 직경만큼 긴, 플라즈마 생성 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 와이어 메쉬는 접지되지 않는, 플라즈마 생성 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 와이어 메쉬는 유전체층 간에 배치되는, 플라즈마 생성 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 와이어 메쉬는,
    제 1 레시피를 이용하여 상기 플라즈마 생성 장치를 동작시키도록 구성되고,
    제 2 레시피를 이용하여 상기 플라즈마 생성 장치를 동작시키기 위해 제 2 와이어 메쉬로 대체되도록 구성되는, 플라즈마 생성 장치.
  10. 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 플라즈마를 생성하는 방법으로서,
    전력 공급 전극을 제공하는 단계;
    제 1 유전체층을 제공하는 단계;
    상기 전력 공급 전극과 상기 제 1 유전체층 간에 제 1 와이어 메쉬를 삽입하는 단계;
    접지 전극을 제공하는 단계;
    상기 전력 공급 전극과 상기 접지 전극 간에 상기 플라즈마를 생성하는 단계;
    상기 제 1 유전체층을 이용하여 상기 플라즈마로부터 상기 제 1 와이어 메쉬를 차폐하는 단계; 및
    상기 기판을 플라즈마 챔버 내에 배치하기 전에 상기 기판을 로드 락으로 삽입할 때 상기 제거를 위해 상기 플라즈마를 상기 기판에 인가하는 단계를 포함하고,
    상기 로드 락은 상기 플라즈마 챔버 및 기판 이송 장치 사이에 배치된, 플라즈마 생성 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 플라즈마가 존재할 때, 상기 접지 전극과 상기 플라즈마 간에 배치되는 제 2 유전체층을 제공하는 단계; 및
    상기 접지 전극과 상기 제 2 유전체층 간에 제 2 와이어 메쉬를 삽입하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 생성 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 와이어 메쉬는 접지되지 않는, 플라즈마 생성 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 와이어 메쉬의 각 홀의 직경은 RF 전원에 의해 제공된 신호의 파장의 프랙션 보다 작은, 플라즈마 생성 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 플라즈마를 생성하기 위해 상기 전력 공급 전극과 상기 접지 전극 간에 1 slm 보다 적은 유량의 불활성 가스를 공급하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 생성 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    오리피스를 통해 상기 기판으로 상기 플라즈마를 공급하는 단계를 더 포함하고,
    상기 오리피스는 횡축 방향의 오리피스 직경을 포함하며,
    상기 오리피스 직경은, 적어도, 상기 기판의 기판 직경만큼 긴, 플라즈마 생성 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 와이어 메쉬는 접지되지 않는, 플라즈마 생성 방법.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 와이어 메쉬를 유전체층 간에 배치하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 생성 방법.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 와이어 메쉬를 제 2 와이어 메쉬로 대체하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제 2 와이어 메쉬는 제 2 플라즈마를 생성하도록 구성되고,
    상기 플라즈마는 제 1 레시피를 이용하여 생성되며,
    상기 제 2 플라즈마는 상기 제 1 레시피와 다른 제 2 레시피를 이용하여 생성되는, 플라즈마 생성 방법.
KR1020087009237A 2005-09-27 2006-09-15 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 장치 및 그를위한 방법 KR101291347B1 (ko)

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