KR101286545B1 - 세정 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내화학성이 우수하고 기판의 스크래치를 방지할 수 있는 세정 장치에 관한 것으로, 외부로부터의 기판을 올바른 방향으로 진입시키기 위한 기판 진입 안내부; 상기 기판 진입 안내부로부터 기판을 공급받아 상기 기판에 형성된 이물질을 제거하는 이물질 제거부; 상기 이물질 제거부로부터 상기 기판을 공급받아 상기 기판에 남아있는 이물질을 세정하여 제거하는 이물질 세정부; 및, 상기 이물질 세정부로부터 반출되는 기판의 위치를 제어하기 위한 위치 제어부를 포함하며; 상기 기판 진입 안내부, 이물질 제거부, 이물질 세정부 및 위치 제어부가 금속 재질의 다공성 소재인 것을 특징으로 한다.
Figure R1020080093191
세정 장치, 액정표시장치, 다공성 재질, 기판

Description

세정 장치{WASHING DEVICE}
본 발명은 세정 장치에 관한 것으로, 특히 내화학성이 우수하고 기판의 스크래치를 방지할 수 있는 세정 장치에 대한 것이다.
액정표시장치는 비디오신호에 따라 액정셀들의 광투과율을 조절하여 화상을 표시하게 된다. 액티브 매트릭스(Active Matrix) 타입의 액정표시장치는 화소셀마다 스위칭소자가 형성되어 동영상을 표시하기에 유리하다. 스위칭소자로는 주로 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 함)가 이용되고 있다.
이러한 액정표시장치는 서로 마주보는 두 개의 기판과, 이 기판 사이에 형성된 액정층을 포함한다. 어느 하나의 기판에는 상술된 스위칭소자와 같은 박막트랜지스터들이 형성되며, 다른 하나의 기판에는 컬러필터가 형성되는데, 이러한 공정 전후에 각 기판은 세정 공정을 거치게 된다.
세정 공정에 사용되는 기존의 공정 장치는 경도가 낮기 때문에 내화학성이 떨어지고, 이에 따라 세정시 사용되는 세정액에 의해 손상을 입는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 세정 장치를 내화학성이 강한 금속 재질의 다공성 소재로 형성하여 세정액에 의한 세정 장치의 손상을 방지함과 아울러, 상기 세정 장치와 기판이 접촉 하더라도 상기 기판에 손상이 가는 것을 방지할 수 있는 세정 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 세정 장치는, 외부로부터의 기판을 올바른 방향으로 진입시키기 위한 기판 진입 안내부; 상기 기판 진입 안내부로부터 기판을 공급받아 상기 기판에 형성된 이물질을 제거하는 이물질 제거부; 상기 이물질 제거부로부터 상기 기판을 공급받아 상기 기판에 남아있는 이물질을 세정하여 제거하는 이물질 세정부; 및, 상기 이물질 세정부로부터 반출되는 기판의 위치를 제어하기 위한 위치 제어부를 포함하며; 상기 기판 진입 안내부, 이물질 제거부, 이물질 세정부 및 위치 제어부가 금속 재질의 다공성 소재인 것을 그 특징으로 한다.
상기 기판 진입 안내부, 이물질 제거부, 및 이물질 세정부가 서로 다른 금속 재질의 다공성 소재인 것을 특징으로 한다.
상기 기판 진입 안내부, 이물질 제거부, 및 이물질 세정부는 스테인리스 스틸(Stainless Steel), 알루미늄, 알루미늄 합금, 황동, 하스탈로이(hastelloy) 및 지르코늄 중 어느 하나의 재질을 갖는 다공성 소재로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 기판 진입 안내부, 이물질 제거부, 및 이물질 세정부가 서로 다른 금속 재질의 다공성 소재인 것을 특징으로 한다.
상기 기판 진입 안내부는 외부로부터 인입되는 기판이 상기 이물질 제거부에 정확하게 진입되도록 안내하는 진입 안내로를 포함하며; 그리고, 상기 진입 안내로는 외부로부터 상기 이물질 제거부를 향해 갈수록 그 폭이 점차로 좁아짐을 특징으로 한다.
상기 기판 진입 안내부는, 상기 진입 안내로가 형성되도록 서로 이격되어 마주보는 상부 구조물 및 하부 구조물을 포함하며; 상기 상부 구조물은 상기 진입 안내로를 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입하고, 상기 하부 구조물은 상기 진입 안내로를 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 진입 안내로에 진입한 기판을 플로팅 상태로 유지하며; 상기 상부 구조물과 하부 구조물간의 서로 마주보는 면들 중 상기 상부 구조물의 한 면이 상기 기판의 상부면에 대하여 기울어진 경사면이며; 상기 상부 구조물과 하부 구조물간의 서로 마주보는 면들 중 상기 하부 구조물의 한 면이 상기 기판의 하부면에 대하여 기울어진 경사면이며; 그리고, 상기 각 경사면 사이의 공간에 진입 안내로가 형성됨을 특징으로 한다.
외부로부터 공급된 공기가 상기 상부 구조물 및 하부 구조물 자체를 통과하여 상기 기판에 분사되도록 금속 재질의 다공성 소재인 것을 특징으로 한다.
상기 상부 구조물 및 하부 구조물 각각에는 상기 공기를 흡입하기 위한 다수의 흡입홀들이 형성되어 있으며; 상기 상부 구조물에 형성된 흡입홀들은 상기 상부 구조물을 관통하여 상기 진입 안내로를 향해 있으며; 그리고, 상기 하부 구조물에 형성된 흡입홀들은 상기 하부 구조물을 관통하여 상기 진입 안내로를 향해 있는 것을 특징으로 한다.
상기 이물질 제거부는, 상기 기판이 지나갈 수 있는 이동 공간이 형성되도록 서로 이격되어 마주보는 상부 이물질 제거부 및 하부 이물질 제거부를 포함하며; 상기 상부 이물질 제거부는 상기 기판의 상부면에 형성된 이물질과 물리적인 접촉을 통해 상기 이물질을 제거하며; 그리고, 상기 하부 이물질 제거부는 상기 기판의 하부면에 형성된 이물질과 물리적인 접촉을 통해 상기 이물질을 제거함을 특징으로 한다.
상기 상부 이물질 제거부 및 하부 이물질 제거부는 금속 재질로 형성됨을 특징으로 한다.
상기 상부 이물질 제거부 및 하부 이물질 제거부가 진동하는 것을 특징으로 한다.
상기 상부 이물질 제거부가 상기 기판의 상부면과 닿지 않을 정도로 상기 기판의 상부면을 향해 상하로 반복운동하며; 그리고, 상기 하부 이물질 제거부가 상기 기판의 하부면과 닿지 않을 정도로 상기 기판의 하부면을 향해 상하로 반복 운동하는 것을 특징으로 한다.
상기 상부 이물질 제거부가 상기 기판의 상부면에 대하여 평행하게 앞뒤 또 는 좌우로 반복운동하며; 그리고, 상기 하부 이물질 제거부가 상기 기판의 하부면에 대하여 평행하게 앞뒤 또는 좌우로 반복 운동하는 것을 특징으로 한다.
상기 세정부는, 상기 기판이 지나갈 수 있는 이동 공간이 형성되도록 서로 이격되어 마주보는 상부 이물질 세정부 및 하부 이물질 세정부를 포함하며; 상기 이물질 세정부는 상기 이동 공간을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입하고, 상기 하부 이물질 세정부는 상기 이동 공간을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 기판을 플로팅 상태로 유지하며; 상기 상부 이물질 세정부는 상기 이동 공간을 향해 상기 세정액을 분사하여 이 세정액과 상기 분사된 공기를 이용하여 거품을 발생시킴으로써 상기 이동 공간을 지나는 기판의 상부면에 형성된 이물질을 제거하며; 상기 하부 이물질 세정부는 상기 이동 공간을 향해 세정액을 분사하여 이 세정액과 상기 분사된 공기를 이용하여 거품을 발생시킴으로써 상기 이동 공간을 지나는 기판의 하부면에 형성된 이물질을 제거하며; 상기 상부 이물질 세정부 및 하측 이물질 세정부는 상기 흡입되는 공기를 이용하여 상기 세정액을 외부로 배출시킴을 특징으로 한다.
외부로부터 공급된 공기가 상기 상부 이물질 세정부 및 하측 이물질 세정부 자체를 통과하여 상기 이동 공간에 분사되도록 금속 재질의 다공성 소재인 것을 특징으로 한다.
상기 상부 이물질 세정부 및 하부 이물질 세정부 각각에는 상기 공기를 흡입하기 위한 다수의 흡입홀들과, 상기 세정액을 분사하기 위한 다수의 분사홀들이 형성되어 있으며; 상기 상부 이물질 세정부에 형성된 흡입홀들 및 분사홀들은 상기 상부 이물질 세정부를 관통하여 상기 이동 공간을 향해 있으며; 그리고, 상기 하부 이물질 세정부에 형성된 흡입홀들 및 분사홀들은 상기 하부 이물질 세정부를 관통하여 상기 이동 공간을 향해 있는 것을 특징으로 한다.
상기 상부 이물질 세정부는 다수의 트랜치들을 더 포함하며; 상기 다수의 흡입홀들은 상기 트랜치들 중 어느 하나의 트랜치에 공통으로 연결되어 상기 트랜치를 통해 상기 공기를 흡입하거나 또는 상기 세정액을 흡입하며; 상기 다수의 분사홀들은 상기 트랜치들 중 다른 어느 하나의 트랜치에 공통으로 연결되어 상기 트랜치를 통해 상기 세정액을 분사하는 것을 특징으로 한다.
상기 위치 제어부는 상기 반출되는 기판의 하부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 기판을 플로팅 상태로 유지하는 것을 특징으로 한다.
삭제
본 발명에 따른 세정 장치에는 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 금속 재질의 다공성 소재를 사용하여 세정 장치를 형성함으로써 세정 장치의 내화학성을 높일 수 있다.
더불어, 상기 금속 재질의 다공성 소재의 경도는 세정하고자 하는 피세정물, 즉 기판의 경도보다는 낮기 때문에, 이를 사용하여 세정 장치를 형성하면 세정 공정 중 기판과 세정 장치가 서로 접촉하더라도 기판의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 분말 야금을 이용하여 세정 장치의 각 구성요소의 유닛을 형성하기 때문에, 이 유닛의 제조 과정에서 다공성 pore가 막히는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세정 장치를 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 세정 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 외부로부 터의 기판(SUB)을 올바른 방향으로 진입시키기 위한 기판 진입 안내부(100)와, 상기 기판 진입 안내부(100)로부터 기판(SUB)을 공급받아 상기 기판(SUB)에 형성된 이물질을 제거하는 이물질 제거부(200)와, 상기 이물질 제거부(200)로부터 상기 기판(SUB)을 공급받아 상기 기판(SUB)에 남아있는 이물질을 세정하여 제거하는 이물질 세정부(300)와, 그리고 상기 이물질 세정부(300)로부터 반출되는 기판(SUB)의 위치를 제어하기 위한 위치 제어부(400)를 포함한다.
상기 기판 진입 안내부(100), 이물질 제거부(200), 이물질 세정부(300) 및 위치 제어부(400)가 금속 재질의 다공성 소재로 이루어진다. 예를 들어, 상기 기판 진입 안내부(100), 이물질 제거부(200), 및 이물질 세정부(300)는 스테인리스 스틸(Stainless Steel), 알루미늄, 알루미늄 합금, 황동, 하스탈로이(hastelloy) 및 지르코늄 중 어느 하나의 재질을 갖는 다공성 소재로 이루어 질 수 있다.
특히, 상기 기판 진입 안내부(100), 이물질 제거부(200), 및 이물질 세정부(300) 및 위치 제어부(400)는 서로 다른 금속 재질의 다공성 소재로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판 진입 안내부(100)는 스테인리스 스틸 재질로 이루어지고, 상기 이물질 제거부(200)는 알루미늄으로 이루어지고, 상기 이물질 세정부(300)는 알루미늄 합금으로 이루어지고, 그리고 상기 위치 제어부(400)는 황동으로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 스테인리스 스틸(Stainless Steel), 알루미늄, 알루미늄 합금, 황동, 하스탈로이(hastelloy) 및 지르코늄은 경도가 높은 금속으로서, 이를 사용하여 기판 진입 안내부(100), 이물질 제거부(200), 이물질 세정부(300) 및 위치 제어 부(400)를 형성하면 세정 장치의 내화학성을 높일 수 있다.
또한, 상기 나열된 금속의 경도는 세정하고자 하는 피세정물, 즉 기판의 경도보다는 낮기 때문에, 이를 사용하여 세정 장치를 형성하면 세정 공정 중 기판과 세정 장치가 서로 접촉하더라도 기판의 손상을 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 기판의 경도는 6~7 mohs이고, 상기 스테인리스 스틸의 경도는 5.5~6.3 mohs이고, 상기 알루미늄 합금의 경도는 2.4~2.8 mohs 가 될 수 있다.
상술된 각 구성요소를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
기판 진입 안내부
기판 진입 안내부(100)는 외부로부터 롤러에 의해 인입되는 기판(SUB)이 상기 이물질 제거부(200)에 정확하게 진입되도록 안내하는 진입 안내로(35)를 포함한다. 상기 진입 안내로(35)는 외부로부터 상기 이물질 제거부(200)를 향해 갈수록 그 폭이 점차로 좁아지는 형태를 갖는다. 이와 같은 형태의 진입 안내로(35)에 의해, 기판(SUB)이 진입 안내로(35)의 정 중앙에 정확히 정렬된 상태로 공급되지 않더라도 기판(SUB)이 자동적으로 진입 안내로(35)의 정 중앙을 향해 이동하게 된다.
기판 진입 안내부(100)는 서로 마주보는 상부 구조물(100a)과 하부 구조물(100b)을 포함한다. 상기 상부 구조물(100a)과 하부 구조물(100b)은 서로 소정 간격 이격되어 있으며, 이 이격된 두 구조물(100a, 100b) 사이의 공간에 상술된 진입 안내로(35)가 형성된다.
상부 구조물(100a)은 상기 진입 안내로(35)를 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입한다. 마찬가지로, 상기 하부 구조물(100b)도 상기 진입 안내로(35)를 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입한다. 이에 따라, 상기 진입 안내로(35)에 진입한 기판(SUB)이 진입 안내로(35)의 공간상에 떠 있는 상태가 된다. 다시 말해, 상기 상부 구조물(100a)은 상기 진입 안내로(35)에 진입된 기판(SUB)의 상부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입하고, 상기 하부 구조물(100b)은 상기 진입 안내로(35)에 진입된 기판(SUB)의 하부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 기판(SUB)을 공중에 떠 있는 플로팅(floating) 상태로 유지시킨다. 이때, 분사력이 흡입력보다 더 강하게 작용한다.
상부 구조물(100a)과 하부 구조물(100b)간의 서로 마주보는 두 면은 소정 각도의 경사도를 갖는 경사면이다. 구체적으로, 상기 상부 구조물(100a)의 경사면은 상기 기판(SUB)의 상부면에 대하여 소정 각도로 기울어진 경사면이고, 상기 하부 구조물(100b)의 경사면은 상기 기판(SUB)의 하부면에 대하여 소정 각도로 기울어진 경사면이다. 이 두 경사면 사이의 공간이 바로 진입 안내로(35)이다. 이 진입 안내로(35)의 간격은 상기 상부 구조물(100a)과 하부 구조물(100b)간의 간격을 조절함으로써 변화시킬 수 있다.
외부로부터 공급된 공기가 상기 상부 구조물(100a) 및 하부 구조물(100b) 자체를 통과하여 상기 기판(SUB)에 분사될 수 있도록, 상기 상부 구조물(100a) 및 하부 구조물(100b) 자체는 금속 재질의 다공성 소재로 이루어진다. 즉, 외부로부터 상기 상부 구조물(100a)의 상부를 향해 분사된 공기는 상기 상부 구조물(100a)을 통과하여 상기 진입 안내로(35)에 공급되며, 그리고 외부로부터 상기 하부 구조물(100b)의 하부를 향해 분사된 공기는 상기 하부 구조물(100b)을 통과하여 상기 진입 안내로(35)에 공급된다.
상부 구조물(100a) 및 하부 구조물(100b) 각각에는 상기 공기를 흡입하기 위한 다수의 흡입홀(101)들이 형성되어 있다. 상기 상부 구조물(100a)에 형성된 흡입홀들은 상기 상부 구조물(100a)을 관통하여 상기 진입 안내로(35)를 향해 있으며, 그리고 상기 하부 구조물(100b)에 형성된 흡입홀(101)들은 상기 하부 구조물(100b)을 관통하여 상기 진입 안내로(35)를 향해 있다.
이물질 제거부
이물질 제거부(200)는 서로 마주보는 상부 이물질 제거부(200a)와 하부 이물질 제거부(200b)를 포함한다. 상기 상부 이물질 제거부(200a)와 하부 이물질 제거부(200b)는 서로 소정 간격 이격되어 있으며, 이 이격된 두 구조물 사이의 공간에 기판(SUB)이 이동할 수 있는 이동 공간(36)이 형성된다.
상부 이물질 제거부(200a)는 상기 기판(SUB)의 상부면에 형성된 이물질과 물리적인 접촉을 통해 상기 이물질을 제거하며, 그리고 상기 하부 이물질 제거부(200b)는 상기 기판(SUB)의 하부면에 형성된 이물질과 물리적인 접촉을 통해 상기 이물질을 제거한다.
상부 이물질 제거부(200a)와 하부 이물질 제거부(200b) 사이의 이동 공 간(36)상에 기판(SUB)이 위치할 때, 상기 상부 이물질 제거부(200a)와 상기 기판(SUB)의 상부면간의 간격은 약 20um이고, 상기 하부 이물질 제거부(200b)와 상기 기판(SUB)의 하부면간의 간격도 약 20um이다. 이와 같이 기판(SUB)과 상부 및 하부 이물질 제거부(200a, 200b)가 상당히 근접하여 위치하고 있기 때문에, 이 기판(SUB)이 이동 공간(36)을 통해 이동할 때 상기 기판(SUB)의 상부면에 형성되어 상측으로 돌출된 이물질은 상기 상부 이물질 제거부(200a)에 충돌하면서 제거되고, 상기 기판(SUB)의 하부면에 형성되어 하측으로 돌출된 이물질은 상기 하부 이물질 제거부(200b)에 충돌하면서 제거된다. 상기 상부 이물질 제거부(200a)와 하부 이물질 제거부(200b)간의 간격은 기판(SUB) 두께에 따라 조절될 수 있다.
상부 이물질 제거부(200a) 및 하부 이물질 제거부(200b)는 금속 재질의 다공성 소재로 이루어지거나, 또는 금속 소재로 형성될 수 도 있다.
다른 실시예로서, 상기 상부 이물질 제거부(200a) 및 하부 이물질 제거부(200b)는 도 2에 도시된 바와 같은 구조를 가질 수 있다.
도 2는 도 1의 상부 이물질 제거부(200a)에 대한 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
상부 이물질 제거부(200a)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 몸체(601) 및 상기 몸체(601)의 외측면에 형성된 제거부(602)를 포함한다.
몸체(601)는 외부로부터 공급된 공기가 몸체(601) 자체를 통과하여 상기 기판(SUB)에 분사될 수 있도록 다공성 재질로 이루어지며, 그리고 제거부(602)는 공기가 공급되는 면 및 공기가 분사되는 면을 제외한 몸체(601)의 외측면에 형성된 다. 여기서, 제거부(602)가 금속 재질이며, 그리고 상부 이물질 제거부(200a)의 몸체(601)에는 상기 기판(SUB)의 상부면으로부터 공기를 흡입하기 위한 다수의 흡입홀(666)들이 형성되어 있다.
도시하지 않았지만 하부 이물질 제거부(200b)도, 도 2에 도시된 바와 같은 상부 이물질 제거부(200a)와 동일한 구성을 가질 수 있다. 즉, 상기 하부 이물질 제거부(200b)도 몸체, 제거부 및 다수의 흡입홀들을 포함한다.
상부 이물질 제거부(200a) 및 하부 이물질 제거부(200b)의 흡입홀들은 상술된 바와 같이 기판(SUB)을 플로팅 상태로 유지시키는 역할을 한다.
이와 같은 상부 이물질 제거부(200a) 및 하부 이물질 제거부(200b)는 진동할 수 있다. 이 진동에 의해 기판(SUB)에 형성된 이물질이 더 효과적으로 제거된다.
상부 이물질 제거부(200a) 및 하부 이물질 제거부(200b)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상하로 반복 운동한다. 이때, 상기 상부 이물질 제거부(200a)가 상기 기판(SUB)의 상부면과 닿지 않을 정도로 상기 기판(SUB)의 상부면을 향해 상하로 반복운동하며, 그리고 상기 하부 이물질 제거부(200b)가 상기 기판(SUB)의 하부면과 닿지 않을 정도로 상기 기판(SUB)의 하부면을 향해 상하로 반복 운동한다.
또한, 상기 상부 이물질 제거부(200a)가 상기 기판(SUB)의 상부면에 대하여 평행하게 앞뒤 또는 좌우로 반복 운동할 수 도 있으며, 그리고 상기 하부 이물질 제거부(200b)가 상기 기판(SUB)의 하부면에 대하여 평행하게 앞뒤 또는 좌우로 반복 운동할 수 있다.
이물질 세정부
도 3은 도 1의 세정부에 대한 사시도이고, 도 4는 도 3의 상부 이물질 세정부(300a)의 배면을 나타낸 도면이다.
이물질 세정부(300)는, 도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 서로 마주보는 상부 이물질 세정부(300a)와 하부 이물질 세정부(300b)를 포함한다. 상기 상부 이물질 세정부 (300a)와 하부 이물질 세정부(300b)는 서로 소정 간격 이격되어 있으며, 이 이격된 두 구조물(300a, 300b) 사이의 공간에 기판(SUB)이 이동할 수 있는 이동 공간(36)이 형성된다.
상부 이물질 세정부 (300a)는 상기 이동 공간(36)을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입한다. 마찬가지로, 상기 하부 이물질 세정부(300b)는 상기 이동 공간(36)을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입한다. 이에 따라, 상기 이동 공간(36)에 진입한 기판(SUB)이 이동 공간(36)상에 떠 있는 상태가 된다. 다시 말해, 상기 상부 이물질 세정부 (300a)는 상기 이동 공간(36)에 진입된 기판(SUB)의 상부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입하고, 상기 하부 이물질 세정부(300b)는 상기 이동 공간(36)에 진입된 기판(SUB)의 하부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 기판(SUB)을 이동 공간(36)상에 떠 있는 플로팅(floating) 상태로 유지시킨다. 이때, 분사력이 흡입력보다 더 강하게 작용한다.
상기 상부 이물질 세정부 (300a)는 상기 이동 공간(36)을 향해 상기 세정액을 분사하여 이 세정액과 상기 분사된 공기를 이용하여 거품을 발생시킴으로써 상 기 이동 공간(36)을 지나는 기판(SUB)의 상부면에 형성된 이물질을 제거하며, 그리고 상기 하부 이물질 세정부(300b)는 상기 이동 공간(36)을 향해 세정액을 분사하여 이 세정액과 상기 분사된 공기를 이용하여 거품을 발생시킴으로써 상기 이동 공간(36)을 지나는 기판(SUB)의 하부면에 형성된 이물질을 제거한다. 또한, 상부 이물질 세정부 (300a) 및 하부 이물질 세정부(300b)는 상기 흡입되는 공기를 이용하여 상기 세정액을 외부로 배출시킨다. 상기 세정액은 순수(Deionized water) 또는 케미칼(chemical) 용액 또는 순수와 케미칼의 혼합 용액이 사용될 수 있다.
외부로부터 공급된 공기가 상기 상부 이물질 세정부 (300a) 및 하부 이물질 세정부(300b) 자체를 통과하여 상기 이동 공간(36)에 분사될 수 있도록, 상기 상부 이물질 세정부 (300a) 및 하부 이물질 세정부(300b) 자체는 금속 재질의 다공성 소재로 이루어진다. 즉, 외부로부터 상기 상부 이물질 세정부 (300a)의 상부를 향해 분사된 공기는 상기 상부 이물질 세정부(300a)를 통과하여 상기 이동 공간(36)에 공급되며, 그리고 외부로부터 상기 하부 이물질 세정부(300b)의 하부를 향해 분사된 공기는 상기 하부 이물질 세정부(300b)를 통과하여 상기 이동 공간(36)에 공급된다.
상부 이물질 세정부(300a) 및 하부 이물질 세정부(300b) 각각에는 상기 공기를 흡입하기 위한 다수의 흡입홀(103)들이 형성되어 있다. 상기 상부 이물질 세정부 (300a)에 형성된 흡입홀(103)들은 상기 상부 이물질 세정부 (300a)를 관통하여 상기 이동 공간(36)을 향해 있으며, 그리고 상기 하부 이물질 세정부(300b)에 형성된 흡입홀(103)들은 상기 하부 이물질 세정부(300b)를 관통하여 상기 이동 공 간(36)을 향해 있다.
상부 이물질 세정부 (300a)는 다수의 트랜치(123)들을 더 포함한다. 상기 다수의 흡입홀(103)들은 상기 트랜치(123)들 중 어느 하나의 트랜치(123)에 공통으로 연결되어 상기 트랜치(123)를 통해 상기 공기를 흡입하거나 또는 상기 세정액을 흡입하며, 그리고 상기 다수의 분사홀(113)들은 상기 트랜치(123)들 중 다른 어느 하나의 트랜치(123)에 공통으로 연결되어 상기 트랜치(123)를 통해 상기 세정액을 분사한다.
각 트랜치(123)는 기판(SUB) 진행방향에 대하여 수직한 방향으로 길이를 가지며, 이 트랜치(123)들은 기판(SUB) 진행방향을 따라 배열되어 있다. 이 트랜치(123)들에는 세정액이 채워지는데, 이로 인해 기판(SUB)의 세정 효과를 높일 수 있다.
상부 이물질 세정부 (300a)와 상기 기판(SUB)의 상부면간의 간격은 약 20um이고, 상기 하부 이물질 세정부(300b)와 상기 기판(SUB)의 하부면간의 간격도 약 20um이다. 상부 이물질 세정부 (300a)와 하부 이물질 세정부(300b)간의 간격은 기판(SUB)의 두께에 따라 조절될 수 있다.
위치 제어부
상기 위치 제어부(400)는 상기 반출되는 기판(SUB)의 하부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 기판(SUB)을 플로팅 상태로 유지한다. 이 위치 제어부(400)로부터의 기판은 롤러(60)를 통해 다음 공정 장 비로 이동된다.
도 5는 기판(SUB)에 형성된 이물질이 제거되는 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판(SUB)의 상부면에 이물질(900)이 형성되어 있는데, 이러한 고착형 이물질(900)은 상부 이물질 제거부(200a)와 물리적으로 접촉하면서 제거된다. 한편, 상기 상부 이물질 제거부(200a)에 의해 제거되고 남은 이물질 또는 상기 상부 이물질 제거부(200a)에 의해 제거되지 못하는 응고형 이물질은 이물질 세정부(300)에 의해 제거된다. 즉, 상기 잔류 이물질 또는 응고형 이물질은 이물질 세정부(300)로부터 분사되는 세정액(888) 및 거품에 의해서 제거된다. 이 거품은 공기를 세정액(888)에 분사함으로써 발생된다.
여기서, 상부 구조물(100a), 하부 구조물(100b), 상부 이물질 제거부(200a), 하부 이물질 제거부(200b), 상부 이물질 세정부(300a), 하부 이물질 세정부(300b) 및 위치 제어부(400) 각각은 다수의 유닛으로 이루어진다. 하나의 구성요소를 이루는 다수의 유닛들은 그 구성요소와 동일한 형태를 이룬다. 이 유닛들이 서로 연결되어 하나의 구성요소를 이룬다.
상기 상부 구조물(100a), 하부 구조물(100b), 상부 이물질 제거부(200a), 하부 이물질 제거부(200b), 상부 이물질 세정부(300a), 하부 이물질 세정부(300b) 및 위치 제어부(400) 중 어느 하나에 포함된 유닛의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 세정 장치를 구성하는 하나의 유닛을 제조하는 방법을 나타낸 도면이다.
먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 유닛(900)의 형상을 갖는 금형(700)을 준비하고, 이 금형(700)에 금속성 재질의 분말 야금(600)을 채운다. 여기서, 상기 금속성 재질의 분말 야금(600)은 상술된 스테인리스 스틸(Stainless Steel), 알루미늄, 알루미늄 합금, 황동, 하스탈로이(hastelloy) 및 지르코늄 중 어느 하나의 분말 야금(600)이 될 수 있다. 이후, 압축기(800)를 이용하여 상기 금형(700) 내부의 분말 야금(600)에 압력을 가한다.
그러면, 도 6b에 도시된 바와 같이, 분말 야금(600)이 압력에 의해 뭉쳐져서 유닛(900)이 완성된다.
이후, 도 6c에 도시된 바와 같이, 드릴을 이용하여 상기 유닛(900)에 다수의 분사홀들(777) 및 다수의 흡입홀들(778)을 형성한다.
이어서, 도 6a 내지 도 6c의 과정을 반복하여 다수의 유닛(900)들을 제조한다.
이후, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 다수의 유닛(900)들을 서로 연결하여 하나의 구성요소를 완성한다. 여기서, 상기 다수의 유닛(900)들은 용접 또는 나사에 의해 결합될 수 있다.
이 완성된 구성요소는 상술된 상부 구조물(100a), 하부 구조물(100b), 상부 이물질 제거부(200a), 하부 이물질 제거부(200b), 상부 이물질 세정부(300a), 하부 이물질 세정부(300b) 및 위치 제어부(400) 중 어느 하나를 의미한다.
이와 같이 본 발명에서는 분말 야금을 이용하여 세정 장치의 각 구성요소의 유닛을 형성하기 때문에, 이 유닛의 제조 과정에서 다공성 pore가 막히는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세정 장치를 나타낸 도면
도 2는 도 1의 상부 이물질 제거부에 대한 다른 실시예를 나타낸 도면
도 3은 도 1의 세정부에 대한 사시도이고, 도 4는 도 3의 상부 이물질 세정부 의 배면을 나타낸 도면
도 5는 기판에 형성된 이물질이 제거되는 효과를 설명하기 위한 도면
* 도면의 주요부에 대한 설명:
100: 기판 진입 안내부 200: 이물질 제거부
300: 이물질 세정부 400: 위치 제어부
50, 60: 롤러 100a: 상부 구조물
100b: 하부 구조물 200a: 상부 이물질 제거부
200b: 하부 이물질 제거부 300a: 상부 이물질 세정부
300b: 하부 이물질 세정부 SUB: 기판
101, 103, 104: 흡입홀 113: 분사홀
123: 트랜치 35: 기판 안내로
36: 이동 공간

Claims (19)

  1. 외부로부터의 기판을 올바른 방향으로 진입시키기 위한 기판 진입 안내부;
    상기 기판 진입 안내부로부터 기판을 공급받아 상기 기판에 형성된 이물질을 제거하는 이물질 제거부;
    상기 이물질 제거부로부터 상기 기판을 공급받아 상기 기판에 남아있는 이물질을 세정하여 제거하는 이물질 세정부; 및,
    상기 이물질 세정부로부터 반출되는 기판의 위치를 제어하기 위한 위치 제어부를 포함하며;
    상기 기판 진입 안내부, 이물질 제거부, 이물질 세정부 및 위치 제어부가 상기 기판보다 낮은 경도를 갖는 금속 재질의 다공성 소재이며;
    상기 세정부는,
    상기 기판이 지나갈 수 있는 이동 공간이 형성되도록 서로 이격되어 마주보는 상부 이물질 세정부 및 하부 이물질 세정부를 포함하며;
    상기 상부 이물질 세정부는 상기 이동 공간을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입하고, 상기 하부 이물질 세정부는 상기 이동 공간을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 기판을 플로팅 상태로 유지하며;
    상기 상부 이물질 세정부는 상기 이동 공간을 향해 세정액을 분사하여 이 세정액과 상기 분사된 공기를 이용하여 거품을 발생시킴으로써 상기 이동 공간을 지나는 기판의 상부면에 형성된 이물질을 제거하며;
    상기 하부 이물질 세정부는 상기 이동 공간을 향해 세정액을 분사하여 이 세정액과 상기 분사된 공기를 이용하여 거품을 발생시킴으로써 상기 이동 공간을 지나는 기판의 하부면에 형성된 이물질을 제거하며;
    상기 상부 이물질 세정부 및 하부 이물질 세정부는 상기 흡입되는 공기를 이용하여 상기 세정액을 외부로 배출시킴을 특징으로 하는 세정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 진입 안내부, 이물질 제거부, 및 이물질 세정부가 서로 다른 금속 재질의 다공성 소재인 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 진입 안내부, 이물질 제거부, 및 이물질 세정부는 스테인리스 스틸(Stainless Steel), 알루미늄, 알루미늄 합금, 황동, 하스탈로이(hastelloy) 및 지르코늄 중 어느 하나의 재질을 갖는 다공성 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 진입 안내부, 이물질 제거부, 및 이물질 세정부가 서로 다른 금속 재질의 다공성 소재인 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 진입 안내부는 외부로부터 인입되는 기판이 상기 이물질 제거부에 정확하게 진입되도록 안내하는 진입 안내로를 포함하며; 그리고,
    상기 진입 안내로는 외부로부터 상기 이물질 제거부를 향해 갈수록 그 폭이 점차로 좁아짐을 특징으로 하는 세정장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 진입 안내부는, 상기 진입 안내로가 형성되도록 서로 이격되어 마주보는 상부 구조물 및 하부 구조물을 포함하며;
    상기 상부 구조물은 상기 진입 안내로를 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입하고, 상기 하부 구조물은 상기 진입 안내로를 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 진입 안내로에 진입한 기판을 플로팅 상태로 유지하며;
    상기 상부 구조물과 하부 구조물간의 서로 마주보는 면들 중 상기 상부 구조 물의 한 면이 상기 기판의 상부면에 대하여 기울어진 경사면이며;
    상기 상부 구조물과 하부 구조물간의 서로 마주보는 면들 중 상기 하부 구조물의 한 면이 상기 기판의 하부면에 대하여 기울어진 경사면이며; 그리고,
    상기 각 경사면 사이의 공간에 진입 안내로가 형성됨을 특징으로 하는 세정 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    외부로부터 공급된 공기가 상기 상부 구조물 및 하부 구조물 자체를 통과하여 상기 기판에 분사되도록, 상기 상부 구조물 및 하부 구조물이 상기 기판보다 낮은 경도를 갖는 금속 재질의 다공성 소재인 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 상부 구조물 및 하부 구조물 각각에는 상기 공기를 흡입하기 위한 다수의 흡입홀들이 형성되어 있으며;
    상기 상부 구조물에 형성된 흡입홀들은 상기 상부 구조물을 관통하여 상기 진입 안내로를 향해 있으며; 그리고,
    상기 하부 구조물에 형성된 흡입홀들은 상기 하부 구조물을 관통하여 상기 진입 안내로를 향해 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 이물질 제거부는,
    상기 기판이 지나갈 수 있는 이동 공간이 형성되도록 서로 이격되어 마주보는 상부 이물질 제거부 및 하부 이물질 제거부를 포함하며;
    상기 상부 이물질 제거부는 상기 기판의 상부면에 형성된 이물질과 물리적인 접촉을 통해 상기 이물질을 제거하며; 그리고,
    상기 하부 이물질 제거부는 상기 기판의 하부면에 형성된 이물질과 물리적인 접촉을 통해 상기 이물질을 제거함을 특징으로 하는 세정 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 상부 이물질 제거부 및 하부 이물질 제거부는 상기 기판보다 낮은 경도를 갖는 금속 재질로 형성됨을 특징으로 하는 세정 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 상부 이물질 제거부 및 하부 이물질 제거부가 진동하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부 이물질 제거부가 상기 기판의 상부면과 닿지 않을 정도로 상기 기판의 상부면을 향해 상하로 반복운동하며; 그리고,
    상기 하부 이물질 제거부가 상기 기판의 하부면과 닿지 않을 정도로 상기 기 판의 하부면을 향해 상하로 반복 운동하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부 이물질 제거부가 상기 기판의 상부면에 대하여 평행하게 앞뒤 또는 좌우로 반복운동하며; 그리고,
    상기 하부 이물질 제거부가 상기 기판의 하부면에 대하여 평행하게 앞뒤 또는 좌우로 반복 운동하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  14. 삭제
  15. 제 1 항에 있어서,
    외부로부터 공급된 공기가 상기 상부 이물질 세정부 및 하부 이물질 세정부 자체를 통과하여 상기 이동 공간에 분사되도록, 상기 상부 이물질 세정부 및 하부 이물질 세정부가 상기 기판보다 낮은 경도를 갖는 금속 재질의 다공성 소재인 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 상부 이물질 세정부 및 하부 이물질 세정부 각각에는 상기 공기를 흡입하기 위한 다수의 흡입홀들과, 상기 세정액을 분사하기 위한 다수의 분사홀들이 형성되어 있으며;
    상기 상부 이물질 세정부에 형성된 흡입홀들 및 분사홀들은 상기 상부 이물질 세정부를 관통하여 상기 이동 공간을 향해 있으며; 그리고,
    상기 하부 이물질 세정부에 형성된 흡입홀들 및 분사홀들은 상기 하부 이물질 세정부를 관통하여 상기 이동 공간을 향해 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 상부 이물질 세정부는 다수의 트랜치들을 더 포함하며;
    상기 다수의 흡입홀들은 상기 트랜치들 중 어느 하나의 트랜치에 공통으로 연결되어 상기 트랜치를 통해 상기 공기를 흡입하거나 또는 상기 세정액을 흡입하며;
    상기 다수의 분사홀들은 상기 트랜치들 중 다른 어느 하나의 트랜치에 공통으로 연결되어 상기 트랜치를 통해 상기 세정액을 분사하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 위치 제어부는 상기 반출되는 기판의 하부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 기판을 플로팅 상태로 유지하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  19. 삭제
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY177061A (en) * 2014-02-14 2020-09-03 Tokuyama Corp Device for producing cleaned crushed product of polycrystalline silicon blocks, and method for producing cleaning crushed product of polycrystalline silicone blocks using same
KR102272661B1 (ko) * 2014-10-02 2021-07-06 삼성디스플레이 주식회사 기판 세정 장치
EP3208236A4 (en) 2014-10-14 2017-09-06 Tokuyama Corporation Polycrystalline silicon fragment, method for manufacturing polycrystalline silicon fragment, and polycrystalline silicon block fracture device
CN111014178A (zh) * 2019-12-09 2020-04-17 安徽科杰粮保仓储设备有限公司 一种智能环保粮食除尘方法及装备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050025621A (ko) * 2002-07-18 2005-03-14 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2005325416A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Jfe Steel Kk 粉末冶金用原料粉末の加圧成形方法
KR20050111860A (ko) * 2004-05-24 2005-11-29 이부락 반도체 제조장치용 이송장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5063951A (en) * 1990-07-19 1991-11-12 International Business Machines Corporation Fluid treatment device
JP3101075B2 (ja) * 1992-05-28 2000-10-23 株式会社トーキン スケールの除去装置
US5746234A (en) * 1994-11-18 1998-05-05 Advanced Chemill Systems Method and apparatus for cleaning thin substrates
DE69732392T8 (de) * 1996-06-24 2006-04-27 Interuniversitair Microelectronica Centrum Vzw Vorrichtung und Verfahren zur Nassreinigung oder zum Ätzen eines flachen Substrats
US5885363A (en) * 1996-08-12 1999-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning a glass substrate
JP3166851B2 (ja) * 1999-06-08 2001-05-14 株式会社今井製作所 カレット除去装置
US7908885B2 (en) * 2004-11-08 2011-03-22 New Way Machine Components, Inc. Non-contact porous air bearing and glass flattening device
US8795769B2 (en) * 2005-08-02 2014-08-05 New Way Machine Components, Inc. Method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050025621A (ko) * 2002-07-18 2005-03-14 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2005325416A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Jfe Steel Kk 粉末冶金用原料粉末の加圧成形方法
KR20050111860A (ko) * 2004-05-24 2005-11-29 이부락 반도체 제조장치용 이송장치

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