KR101241256B1 - 저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판 - Google Patents

저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판 Download PDF

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Abstract

외부 도체막(4)을 구비한 다층 세라믹 기판(1)의 세라믹층(2)을 구성하는 저온 소결 세라믹 소결체로서 그 저온 소결 세라믹 소결체는 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소결하여 이루어지고, 석영(Quartz), 알루미나(Alumina) 및 프레스노이트(Fresnoite)의 각 결정상을 석출하고 있다. 세라믹층(2)은 비유리계의 저온 소결 세라믹 소결체이기 때문에 조성 변동이 적고, 저렴하고 용이하게 다층 세라믹 기판(1)을 제조할 수 있다. 또한, 세라믹층(2)은 상술의 각 결정상을 석출하고 있기 때문에 외부 도체막(4)과의 접합 강도가 높고, 또한 소결체의 파괴 인성값이 크다.

Description

저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판{SINTERED BODY OF LOW TEMPERATURE COFIRED CERAMIC AND MULTILAYER CERAMIC SUBSTRATE}
본 발명은 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소성해서 얻어지는 저온 소결 세라믹 소결체 및 이 저온 소결 세라믹 소결체를 사용해서 구성되는 다층 세라믹 기판에 관한 것이다.
저온 소결 세라믹(LTCC: Low Temperature Cofired Ceramic) 소결체는 저온 소결 세라믹 재료를 소정 형상으로 성형하고, 이것을 소결해서 이루어지는 것이다.
저온 소결 세라믹 재료는 비저항이 비교적 작은 은이나 구리 등의 저융점 금속 재료와 동시 소성할 수 있으므로 고주파 특성이 뛰어난 다층 세라믹 기판을 형성할 수 있고, 예를 들면 정보 통신 단말에 있어서의 고주파 모듈용의 기판 재료로서 다용되고 있다.
저온 소결 세라믹 재료로서는 Al2O3 등의 세라믹 재료에 B2O3-SiO2계 유리 재료를 혼합한 소위 유리 세라믹 복합계가 일반적이지만, 이 계에서는 출발 원료로서 비교적 고가인 유리 재료를 사용할 필요가 있고, 또한 소성시에 휘발하기 쉬운 붕소가 포함되어 있기 때문에 얻어지는 기판의 조성이 변동되기 쉽고, 그 때문에, 붕소의 휘발량을 컨트롤하기 위한 특수한 세터를 사용하지 않으면 안 되는 등 그 제조 프로세스가 번잡하다.
그래서, 예를 들면 일본 특허공개 2002-173362호 공보(특허문헌 1), 일본 특허공개 2008-044829호 공보(특허문헌 2) 및 일본 특허공개 2008-053525호 공보(특허문헌 3) 등에 기재된 저온 소결 세라믹 재료가 제안되어 있다. 이들 문헌에 기재된 저온 소결 세라믹 재료는 출발 원료에 유리가 포함되어 있지 않고, 또한 붕소를 포함하지 않는 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료이기 때문에 상술한 바와 같은 문제에 조우하지 않는다.
그러나, 이들 문헌에 기재된 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 저온 소결 세라믹 소결체는 이 표면에 형성되는 도체막과의 접합 강도가 충분하지 않은 경우가 있고, 또한 소결체 그 자체의 파괴 인성값이 작기 때문에 바람직한 강도 특성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
일본 특허공개 2002-173362호 공보 일본 특허공개 2008-044829호 공보 일본 특허공개 2008-053525호 공보
본 발명은 상술한 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 출발 원료에 유리를 사용하지 않고, 저렴하고 용이하게 제조할 수 있는 비유리계의 저온 소결 세라믹 소결체이며, 도체막과의 접합 강도가 높고, 또한 파괴 인성값이 큰 저온 소결 세라믹 소결체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 상술의 저온 소결 세라믹 소결체로 이루어지는 복수의 세라믹층을 구비한 신뢰성이 높은 다층 세라믹 기판을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 소결체는 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 것으로 석영(Quartz), 알루미나(Alumina) 및 프레스노이트(Fresnoite)의 각 결정상을 석출하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명은 복수의 세라믹층을 적층해서 이루어지는 적층체와, 이 적층체의 표층 및 내층에 설치된 금, 은 또는 구리를 주성분으로 하는 도체 패턴을 구비하는 다층 세라믹 기판도 겨냥할 수 있다. 본 발명에 의한 다층 세라믹 기판은 상기 세라믹층이 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 것으로 석영, 알루미나 및 프레스노이트의 각 결정상을 석출하고 있는 저온 소결 세라믹 소결체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
(발명의 효과)
본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체는 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 것이기 때문에 조성 변동이 적고, 저렴하며, 또한 특수한 세터를 사용하지 않아도 소성할 수 있기 때문에 그 제조 프로세스가 용이하다. 또한, 석영, 알루미나 및 프레스노이트의 각 결정상을 석출하고 있기 때문에 그 표면에 형성되는 도체막과의 접합 강도가 높고, 또한 소결체 그 차체의 파괴 인성값이 크기 때문에 강도 특성이 뛰어나다.
마찬가지로, 본 발명의 다층 세라믹 기판은 이것을 구성하는 세라믹층이 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 것이기 때문에 조성 변동이 적고, 저렴하며, 또한 특수한 세터를 사용하지 않아도 소성할 수 있기 때문에 용이하게 제조할 수 있다. 또한, 세라믹층이 석영, 알루미나 및 프레스노이트의 각 결정상을 석출하고 있기 때문에 표면에 형성되는 외부 도체막과의 접합 강도가 높고, 또한 소결체 그 자체의 파괴 인성값이 크기 때문에 이 세라믹층을 구비하는 다층 세라믹 기판을 강도 특성이 뛰어나고 신뢰성이 높은 것으로 할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 소결체를 사용해서 구성되는 다층 세라믹 기판(1)을 도해적으로 나타내는 단면도이다.
본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체는 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 것으로 석영(Quartz: SiO2), 알루미나(Alumina: Al2O3) 및 프레스노이트(Fresnoite: Ba2TiSi2O8)의 각 결정상을 석출하고 있다. 여기서, 「저온 소결 세라믹 소결체」는 비저항이 작은 금, 은이나 구리 등의 저융점 금속 재료와 동시 소성할 수 있는 저온 소결 세라믹 재료를, 예를 들면 1050℃ 이하의 소성 온도에서 소결시킨 것이다. 그리고, 출발 원료에는 실질적으로 유리 성분을 포함하고 있지 않지만, 이 소결체 자체는 전술의 각 결정상 이외에 비정질 부분을 갖고 있다. 이것은 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소성하면 그 출발 원료의 일부가 유리화하기 때문이다.
본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체는 상술의 결정상을 주결정상으로 하고 있으므로 비유전률(εr)이 10 이하로 작아 고주파용 기판을 구성하는 세라믹층에 적합한 저온 소결 세라믹 소결체를 얻을 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 외부 도체막과의 접합 강도가 높기 때문에 전극 필 강도가 향상되어 탑재되는 표면 실장 부품이 탈락하는 등의 문제가 일어나기 어려워진다. 또한, 파괴 인성값이 큰 세라믹층을 형성할 수 있기 때문에 신뢰성이 뛰어난 다층 세라믹 기판을 얻을 수 있다.
본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체는 산보르나이트(Sanbornite: BaSi2O5) 및 셀시안(Celsian: BaAl2Si2O8) 중 적어도 한쪽의 결정상을 더 석출하고 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, 산보르나이트나 셀시안의 결정상을 석출하고 있으면 다종의 결정상이 다수 존재하게 되고, 그 결과 소결체의 결정 구조가 불균일화되어 비록 소결체에 크랙이 들어갔다고 해도 그 신장을 억제할 수 있다. 산보르나이트 및 셀시안의 각 결정상은 양쪽 모두 석출하고 있는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체에 있어서, 프레스노이트 결정상은 1~20중량%의 비율로 포함되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, 프레스노이트 결정상의 석출량을 적정화함으로써 결정상의 편석을 억제하여 외부 도체막의 접합 강도를 더욱 향상시킬 수 있고, 전극 필 강도를 보다 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체에 있어서, 프레스노이트 결정상의 평균 결정 입경은 5㎛ 이하인 것이 바람직하다. 즉, 이러한 미세한 결정상이 소정 비율로 존재하고 있으면 결정입계가 늘어나서, 비록 소결체에 크랙이 들어갔다고 할지라도 그 신장을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체를 구성하는 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료는 Si 산화물, Ba 산화물 및 Al 산화물을 포함하는 주성분 세라믹 재료와, Mn 산화물 및 Ti 산화물을 포함하는 부성분 세라믹 재료를 포함하고, 실질적으로 Cr 산화물 및 B 산화물의 어느 것도 포함하지 않는 것이 바람직하다. 여기서, 「실질적으로」라는 것은 불순물로서 Cr 산화물 및 B 산화물을 0.1중량% 미만으로 포함할 수 있는 것을 의미한다. 즉, Cr 산화물 및 B 산화물이 불순물로서 혼입되어도 0.1중량% 미만이면 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
보다 특정적으로 말하면, 이 저온 소결 세라믹 재료는 Si를 SiO2로 환산해서 48~75중량%, Ba를 BaO로 환산해서 20~40중량% 및 Al을 Al2O3으로 환산해서 5~20중량% 함유하는 주성분 세라믹 재료와, 이 주성분 세라믹 재료 100중량부에 대하여 Mn을 MnO로 환산해서 2~10중량부 및 Ti을 TiO2로 환산해서 0.1~10중량부 함유하는 부성분 세라믹 재료를 포함하고, 실질적으로 Cr 산화물 및 B 산화물의 어느 것도 포함하지 않는 것이 바람직하다.
이 저온 소결 세라믹 재료는 출발 원료에 유리를 사용하지 않고, 붕소를 포함하지 않는 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료이므로 얻어지는 소결체의 조성은 변동되기 어려워 그 소성 프로세스의 관리가 용이하다. 또한, 얻어지는 소결체는 230MPa 이상의 굴곡 강도를 가지고 있어서 소결체 그 자체의 강도가 높은데다가 이것을 기판으로서 사용할 경우 높은 필 강도를 가지고 있어 외부 도체막과의 접합 강도가 높아 신뢰성이 높은 기판으로 된다. 또한, 결정화가 촉진되어 있으므로 고온, 고습 등에 대한 내환경성을 향상시킬 수 있고, 도금액으로의 기판 성분의 용출을 억제할 수 있는 바와 같이 기판의 내약품성도 향상시킬 수 있다. 또한, 결정화가 촉진되기 때문에 비정질 부분이 적고 Qf값이 높은 다층 세라믹 기판이 얻어진다.
여기서, Si를 SiO2로 환산해서 48~75중량%, Ba를 BaO로 환산해서 20~40중량% 및 Al을 Al2O3으로 환산해서 5~20중량% 함유하는 주성분 세라믹 재료는 얻어지는 소결체의 기본 성분으로서 절연 저항이 크고 비유전률(εr)이 작고 유전체 손실이 작은 소결체를 얻는데에 크게 기여하고 있다.
한편, 부성분 세라믹 재료인 Mn(특히 MnO)은 SiO2-BaO-Al2O3계 주성분 세라믹 재료와 반응해서 액상 성분을 만들기 쉽고, 소성시에 출발 원료의 점성을 낮춤으로써 소결 조제로서 작용하지만, 휘발성은 같은 소결 조제로서 작용하는 B2O3에 비해서 훨씬 작다. 따라서, 소성의 불균일을 저감하고, 그 소성 프로세스의 관리를 용이하게 함과 아울러 양산성 향상에 기여한다.
또한, 부성분 세라믹 재료인 Ti(특히 TiO2)는 상세한 메커니즘은 불분명하지만, 저온 소결 세라믹 재료로 이루어지는 세라믹층과 구리 등의 저융점 금속 재료로 이루어지는 외부 도체막의 반응성을 높일 수 있고, 그 동시 소성 프로세스에 의해 소결체와 도체막의 접합 강도, 즉 세라믹층과 외부 도체막의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 그 결과, 다층 세라믹 기판에 탑재되는 반도체 디바이스 등의 능동소자나 칩 콘덴서 등의 수동소자와 다층 세라믹 기판의 사이에서 강고한 땜납 접합이 형성되어, 그 낙하 등의 충격에 의한 접합 파괴를 억제할 수 있다.
또한, 이 저온 소결 세라믹 재료는 부성분 세라믹 재료로서 상술한 Ti 대신에 또는 Ti에 추가하여 Fe(특히 Fe2O3)를 더 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 그 함유량은 Ti 산화물과의 합계량으로 주성분 세라믹 재료 100중량부에 대하여 0.1~10중량부인 것이 바람직하다. 이 Fe도 세라믹층과 외부 도체막의 반응성을 높일 수 있고, 그 동시 소성 프로세스에 의해 소결체와 도체막의 접합 강도, 즉 세라믹층과 외부 도체막의 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
또한, 이 저온 소결 세라믹 재료는 B 산화물(특히 B2O3)을 실질적으로 포함하고 있지 않으므로 그 소성시의 조성 변동을 작게 할 수 있고, 특수한 세터를 사용하지 않아도 좋거나 하는 등, 그 소성 프로세스의 관리를 용이하게 할 수 있다. 또한, Cr 산화물(특히 Cr2O3)을 실질적으로 포함하고 있지 않으므로 마이크로파 대역을 대표로 하는 고주파 대역에서의 Qf값의 저하를 억제하여, 예를 들면 3GHz에서 1000 이상의 Qf값을 얻을 수 있다.
이 저온 소결 세라믹 재료는 Li2O나 Na2O 등의 알칼리 금속 산화물을 포함하고 있지 않은 것이 바람직하다. 이들의 알칼리 금속 산화물도 B2O3과 같이 소성시에 휘발하기 쉽고, 얻어지는 기판의 조성 변동의 원인이 되는 경우가 있기 때문이다. 또한, 이들의 알칼리 금속 산화물을 포함하고 있지 않으면 고온, 고습 등에 대한 내환경성이 향상되고, 도금액에의 용출을 억제할 수 있다는 내약품성도 향상시킬 수 있다.
이 저온 소결 세라믹 재료에 있어서는 부성분 세라믹 재료로서 주성분 세라믹 재료 100중량부에 대하여 Mg이 MgO으로 환산해서 0.1~5중량부 더 함유되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, Mg(특히 MgO)이 함유되어 있으면 소성시의 저온 소결 세라믹 재료의 결정화가 촉진되고, 그 결과 기판 강도 저하의 원인이 되는 액상 부분의 체적량을 절감할 수 있고, 얻어지는 소결체의 굴곡 강도를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 이 저온 소결 세라믹 재료에 있어서는 부성분 세라믹 재료로서 주성분 세라믹 재료 100중량부에 대하여, Nb, Ce, Zr 및 Zn에서 선택되는 적어도 1종이 각각 Nb2O5, CeO2, ZrO2 및 ZnO로 환산해서 0.1~6중량부 더 함유되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, Nb, Ce, Zr 및 Zn에서 선택되는 적어도 1종(특히 Nb2O5, CeO2, ZrO2, ZnO에서 선택되는 적어도 1종의 산화물)이 함유되어 있으면 비정질 성분으로서 잔존하기 쉬운 Mn(특히 MnO)의 첨가량을 절감할 수 있고, 결과적으로 기판 강도의 저하의 원인이 되는 액상 부분의 체적량을 절감할 수 있고, 얻어지는 다층 세라믹 기판의 굴곡 강도를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 이 저온 소결 세라믹 재료는 부성분 세라믹 재료로서 주성분 세라믹 재료 100중량부에 대하여 Co 및/또는 V를 각각 CoO 및 V2O5로 환산해서 0.1~5.0중량부 더 포함하고 있어도 상관없다. 이들 성분은 얻어지는 다층 세라믹 기판의 굴곡 강도를 더욱 향상시킬 수 있음과 아울러 착색료로서도 기능을 한다.
본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체는 SiO2, BaCO3 및 Al2O3의 각 세라믹 분말에 MnCO3의 세라믹 분말과, TiO2 및 Fe2O3 중 적어도 한쪽의 세라믹 분말을 첨가·혼합한 저온 소결 세라믹 재료를 소정 형상으로 성형하고, 또한 이 성형체를 소성함으로써 제조할 수 있다. 바람직하게는 SiO2, BaCO3 및 Al2O3의 각 세라믹 분말에 TiO2 및 Fe2O3 중 적어도 한쪽의 세라믹 분말을 첨가해서 이루어지는 혼합물을 하소하고, 그것에 의해서 하소분을 제작하는 공정과, 상기 하소분으로 하소되어 있지 않은 MnCO3의 세라믹 분말을 첨가하는 공정을 거쳐서 제조된다.
따라서, 상술의 저온 소결 세라믹 재료를 포함하는 세라믹 그린시트는 바람직하게는 SiO2, BaCO3 및 Al2O3의 각 세라믹 분말에 TiO2 및 Fe2O3 중 적어도 한쪽의 세라믹 분말을 첨가해서 이루어지는 혼합물을 하소하고 그것에 의해서 하소분을 제작하는 공정과, 상기 하소분으로 하소되어 있지 않은 MnCO3의 세라믹 분말을 첨가함과 아울러 바인더를 첨가하고 그것에 의해서 세라믹 슬러리를 제작하는 공정과, 이 세라믹 슬러리를 성형하고 그것에 의해서 세라믹 그린시트를 형성하는 공정을 거쳐서 제조된다.
상술과 같이, 저온 소결 세라믹 재료 또는 세라믹 그린시트를 제조함에 있어서, Si 성분, Ba 성분, Al 성분 및 Ti/Fe 성분을 하소해서 이루어지는 하소분을 얻고나서 하소되어 있지 않은 Mn 성분을 상기 하소분에 첨가하도록 하면 하소시에 하소 합성의 반응이 억제되기 때문에 하소분의 입경을 미소화할 수 있다. 따라서, 하소분의 분쇄 공정을 간략화할 수 있음과 아울러 이것을 사용해서 제작되는 세라믹 그린시트의 박층화를 용이하게 진행시킬 수 있다. 또한, 하소분의 색이 다크 브라운으로 변색되는 것을 방지할 수 있고, 따라서 특히 구리를 주성분으로 하는 도전성 페이스트를 인쇄할 때에 이러한 하소분을 사용해서 제작된 세라믹 그린시트의 화상 인식성을 향상시킬 수 있다.
이어서, 도시한 실시형태에 의거하여 본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체를 사용해서 구성되는 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 소결체를 사용해서 구성되는 다층 세라믹 기판(1)을 도해적으로 나타내는 단면도이다.
다층 세라믹 기판(1)은 적층된 복수의 세라믹층(2)으로 구성되는 적층체(3)를 구비하고 있다. 적층체(3)에 구비된 세라믹층(2)은 본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 소결체로 구성된다. 이 적층체(3)에 있어서 세라믹층(2)의 특정한 것에 관련되어서 여러가지 도체 패턴이 형성되어 있다.
상술한 도체 패턴으로서는 적층체(3)의 적층 방향에 있어서의 끝면 상에 형성되는 몇 개의 외부 도체막(4 및 5), 세라믹층(2) 사이의 특정 계면을 따라 형성되는 몇 개의 내부 도체막(6), 및 세라믹층(2)의 특정한 것을 관통하도록 형성되어 층간 접속 도체로서 기능하는 비아홀 도체(7) 등이 있다.
적층체(3)의 표면에 설치된 외부 도체막(4)은 적층체(3)의 외표면 상에 탑재되어야 할 전자 부품(8 및 9)으로의 접속을 위해서 사용된다. 도 1에서는, 예를 들면 반도체 디바이스와 같이 범프 전극(10)을 구비하는 전자 부품(8), 및 예를 들면 칩 콘덴서와 같이 면형상의 단자 전극(11)을 구비하는 전자 부품(9)이 도시되어 있다. 또한, 적층체(3)의 이면에 설치된 외부 도체막(5)은 이 다층 세라믹 기판(1)을 실장하는 마더보드(도시 생략)에의 접속을 위해서 사용된다.
이러한 다층 세라믹 기판(1)에 구비된 적층체(3)는 세라믹층(2)이 되어야 할 복수의 적층된 세라믹 그린층과 도전성 페이스트에 의해 형성된 내부 도체막(6) 및 비아홀 도체(7)를 구비하고, 경우에 따라서는 도전성 페이스트에 의해 형성된 외부 도체막(4 및 5)을 더 구비한 생(生)의 적층체를 소성함으로써 얻어지는 것이다.
상술한 생의 적층체에 있어서의 세라믹 그린층의 적층 구조는 전형적으로는 세라믹 슬러리를 성형해서 얻어진 복수장의 세라믹 그린시트를 적층함으로써 주어지고, 도체 패턴, 특히 내부의 도체 패턴은 적층 전의 세라믹 그린시트에 설치된다.
세라믹 슬러리는 상술한 저온 소결 세라믹 재료에 폴리비닐부티랄과 같은 유기 바인더, 톨루엔 및 이소프로필알콜과 같은 용제, 디-n-부틸프탈레이트와 같은 가소제, 기타 필요에 따라 분산제 등의 첨가물을 첨가하여 슬러리화 함으로써 얻을 수 있다.
세라믹 슬러리를 사용해서 세라믹 그린시트를 얻기 위한 성형에 있어서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 유기수지로 이루어지는 캐리어 필름상에서 닥터 블레이드법을 적용해서 세라믹 슬러리를 시트 형상으로 성형하는 것이 행해진다.
도체 패턴을 세라믹 그린시트에 설치하는 것에 있어서는 금, 은 또는 구리와 같은 저융점 금속 재료를 도전 성분의 주성분으로서 포함하는 도전성 페이스트가 사용되고, 세라믹 그린시트에 비아홀 도체(7)를 위한 관통 구멍이 형성되고, 관통 구멍에 도전성 페이스트가 충전됨과 아울러 내부 도체막(6)을 위한 도전성 페이스트막 및 외부 도체막(4 및 5)을 위한 도전성 페이스트막이, 예를 들면 스크린 인쇄법에 의해 형성된다. 또한, 본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체는 금, 은 또는 구리의 저융점 금속 재료 중에서도 특히 구리를 주성분으로 하는 도전성 페이스트와의 동시 소결성이 우수하다.
이러한 세라믹 그린시트는 소정 순서로 적층되고, 적층 방향으로, 예를 들면 1000~1500kgf/㎠의 압력으로 압착됨으로써 생의 적층체가 얻어진다. 이 생의 적층체에는, 도시하지 않지만 다른 전자 부품을 수용하기 위한 캐비티나, 전자 부품(8 및 9) 등을 덮는 커버를 고정하기 위한 접합 부분이 설치되어도 좋다.
생의 적층체는 세라믹 그린층에 포함되는 세라믹 재료가 소결 가능한 온도 이상, 예를 들면 850℃ 이상이고 도체 패턴에 포함되는 금속의 융점 이하, 예를 들면 구리이면 1050℃ 이하의 온도역에서 소성된다. 이것에 의해, 세라믹 그린층이 소결됨과 아울러 도전성 페이스트도 소결되고, 소결된 도체막에 의한 회로 패턴이 형성된다.
또한, 특히 도체 패턴에 포함되는 주성분 금속이 구리일 경우, 소성은 질소분위기와 같은 비산화성 분위기 중에서 행해져, 예를 들면 900℃ 이하의 온도에서 탈바인더를 완료시키고, 또한 강온시에는 산소 분압을 낮게 해서 소성 완료시에 구리가 실질적으로 산화되지 않도록 된다. 또한, 소성 온도가, 예를 들면 980℃ 이상이면 도체 패턴에 포함되는 금속으로서 은을 사용하는 것이 어렵지만, 예를 들면 팔라듐이 20중량% 이상인 Ag-Pd계 합금이면 사용하는 것이 가능하다. 이 경우에는, 소성을 공기 중에서 실시할 수 있다. 소성 온도가, 예를 들면 950℃ 이하이면 도체 패턴에 포함되는 금속으로서 은을 사용할 수 있다.
이상과 같이, 소성 공정을 마쳤을 때, 도 1에 나타낸 적층체(3)가 얻어진다.
그 후, 전자 부품(8 및 9)이 실장되고, 그것에 의해서 도 1에 나타낸 다층 세라믹 기판(1)이 완성된다.
상술한 다층 세라믹 기판(1)에 있어서의 세라믹층(2)은 상술과 같이 출발 성분으로서 유리를 포함하고 있지 않지만, 그 소성 사이클 중에 비정질 성분인 유리가 생성되어 소성 후의 세라믹층(2)에는 유리를 포함한다. 따라서, 고가인 유리를 사용하지 않고 안정적으로 다층 세라믹 기판(1)을 제작할 수 있다.
또한, 본 발명의 저온 소결 세라믹 소결체는 상술한 바와 같은 적층 구조를 갖는 적층체를 구비한 다층 세라믹 기판에 적용하는 것이 바람직하지만, 단지 1개의 세라믹층을 구비하는 단층 구조의 세라믹 기판에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 소결체는 상기 저온 소결 세라믹 소결체로 이루어지는 저유전율 세라믹층과 비유전률(εr)이 비교적 높은(예를 들면, εr이 15 이상인) 별도의 저온 소결 세라믹 소결체로 이루어지는 고유전율 세라믹층을 구비하는 복합형의 다층 세라믹 기판에도 적용할 수 있다.
실험예
이어서, 본 발명에 의한 효과를 확인하기 위해서 실시한 실험예에 대해서 설명한다.
우선, 출발 원료로서 모두 입경 2.0㎛ 이하의 SiO2, BaCO3, Al2O3, MnCO3, TiO2 및 Mg(OH)2의 각 세라믹 분말을 준비했다. 이어서, 이들 출발 원료 분말을 소성 후에 표 1에 나타낸 조성 비율이 되도록 칭량하고, 습식 혼합 분쇄한 후 건조하고 얻어진 혼합물을 750~1000℃에서 1~3시간 하소해서 원료 분말을 얻었다. 상기 BaCO3은 소성 후에 BaO가 되고, 상기 MnCO3은 소성 후에 MnO가 되고, 상기 Mg(OH)2는 소성 후에 MgO가 되는 것이다.
또한, 표 1에 있어서 SiO2, BaO 및 Al2O3의 주성분 세라믹 재료는 중량%(wt%)를 단위로 해서 나타내고, 이들의 합계는 100중량%이다. 한편, MnO, TiO2 및 MgO의 부성분 세라믹 재료는 주성분 세라믹 100중량부에 대한 비율을 중량부를 단위로 해서 나타내고 있다.
Figure 112011056663372-pct00001
이어서, 상술의 각 시료에 의한 원료 분말에 적당량의 유기 바인더, 분산제 및 가소제를 첨가해서 세라믹 슬러리를 제작하고, 이어서 슬러리 중의 원료 분말의 평균 입경(D50)이 1.5㎛ 이하가 되도록 혼합 분쇄했다.
이어서, 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 시트 형상으로 성형하고 건조해서 적당한 크기로 잘라서 두께 50㎛의 세라믹 그린시트를 얻었다.
이어서, 소정의 세라믹 그린시트에 구리를 주성분으로 하는 도전성 페이스트를 스크린 인쇄법에 의해 인쇄하여 외부 도체막이 되는 도체 패턴을 형성했다.
이어서, 얻어진 세라믹 그린시트를 소정의 크기로 자른 후 복수장을 적층 하고, 이어서 온도 60~80℃ 및 압력 1000~1500kg/㎠의 조건으로 열압착하여 생의 적층체를 얻었다.
이어서, 생의 적층체를 질소-수소의 비산화성 분위기 중에서 900~1050℃의 온도로 소성하여 세라믹 그린시트와 도체 패턴을 동시 소결시켜서 이루어지는 판형상의 세라믹 소결체 시료를 얻었다.
이어서, 얻어진 시료에 대해서 그 표면에 비커스 압자에 의한 압흔을 500gf×15초의 조건으로 가하고, 그 크기와 균열의 길이로부터 파괴 인성값(KIC)을 산출했다. 또한, 얻어진 시료에 대해서 그 표면의 1변 2mm의 각형 전극에 L자상의 리드 선을 납땜하고, 시료 표면에 대하여 수직 방향의 인장 시험에 의해 시료와 전극의 접합 강도(전극 필 강도)를 측정했다. 또한, 시료를 분말화하고 회절 X선 스펙트럼에 의한 석출 결정의 동정을 행함과 아울러 회절 피크 강도로부터 프레스노이트 결정상의 중량 비율(석출량)을 산출했다. 또한, 주사형 현미경 및 투과형 현미경에 의해 프레스노이트 결정상의 평균 입경을 산출했다. 또한, 섭동법에 의해 3GHz에 있어서의 비유전률(εr)을 측정했다.
이상의 결과를 표 2에 나타내고 있다.
Figure 112011056663372-pct00002
시료 No.1~4 및 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 세라믹 소결체에 석영, 알루미나 및 프레스노이트의 각 결정상이 석출하고 있으면 전극 필 강도가 20N/2㎟를 초과하고, 파괴 인성값(KIC)이 1.2Pa·m1/2를 초과하고, 비유전률(εr)이 10 이하인 것이 얻어졌다.
또한, 시료 No.1~4 사이에서의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이 TiO2 양을 증가시킴으로써 소결체에 있어서의 프레스노이트 결정상의 상대 석출량이 많아지고, 파괴 인성값(KIC)은 모두 1.3Pa·m1/2를 초과했다. 즉, 이들 시료에서는 균열의 진전이 일어나기 어려워져서 기판 강도가 뛰어난 것을 알 수 있었다. 또한, 그 결과 전극 접합 계면에서의 균열의 발생, 신전(伸展)이 일어나기 어려워져서 내충격성이 높아지는 것을 알 수 있었다.
또한, 시료 No.5와 같이 프레스노이트 결정상이 생기지 않을 경우에 있어서는 파괴 인성값(KIC)이 낮고, 전극 필 강도도 낮은 것을 알 수 있었다.
또한, 시료 No.6에 있어서와 같이 저온 소결 세라믹 재료에 있어서의 주성분 세라믹 재료 100중량부에 대해서 TiO2의 비율이 10중량부를 초과하면 프레스노이트 결정상의 석출이 늘어나서 상대적으로 산보르나이트나 셀시안 등의 다른 결정상의 석출량이 적어지고, 결정 구조가 균질화되는 경향이 있었다. 이 경우, 균열의 신전을 방해하는 응력 분포가 감소하고, 파괴 인성값(KIC)이 저하하는 경향이 있었다. 또한, 프레스노이트 결정상의 평균 입경이 커진 결과 결정입계가 감소해서 파괴 인성값(KIC)이 저하하고 있다고도 생각된다.
1: 다층 세라믹 기판 2: 세라믹층
3: 적층체 4, 5: 외부 도체막
6: 내부 도체막 7: 비아홀 도체

Claims (6)

  1. 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 것으로 석영, 알루미나 및 프레스노이트의 각 결정상을 석출하고 있는 것을 특징으로 하는 저온 소결 세라믹 소결체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    산보르나이트 및 셀시안 중 한쪽 이상의 결정상을 더 석출하고 있는 것을 특징으로 하는 저온 소결 세라믹 소결체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 프레스노이트 결정상은 1~20중량%의 비율로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 저온 소결 세라믹 소결체.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 프레스노이트 결정상의 평균 결정 입경은 5㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 저온 소결 세라믹 소결체.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료는 Si 산화물, Ba 산화물 및 Al 산화물을 포함하는 주성분 세라믹 재료와, Mn 산화물 및 Ti 산화물을 포함하는 부성분 세라믹 재료만을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 소결 세라믹 소결체.
  6. 복수의 세라믹층을 적층해서 이루어지는 적층체와, 상기 적층체의 표층 및 내층에 형성된 금, 은 또는 구리를 주성분으로 하는 도체 패턴을 구비하는 다층 세라믹 기판으로서: 상기 세라믹층은 비유리계의 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 것으로 석영, 알루미나 및 프레스노이트의 각 결정상을 석출하고 있는 저온 소결 세라믹 소결체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009025156A1 (ja) * 2007-08-17 2009-02-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. セラミック組成物およびその製造方法、セラミック基板、ならびにセラミックグリーン層の製造方法
JP4883224B2 (ja) * 2009-01-07 2012-02-22 株式会社村田製作所 低温焼結セラミック材料およびセラミック基板
JP5582150B2 (ja) * 2010-02-10 2014-09-03 株式会社村田製作所 セラミック焼結体およびその製造方法
JP5263226B2 (ja) * 2010-07-05 2013-08-14 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
JP5195876B2 (ja) * 2010-11-10 2013-05-15 Ｔｄｋ株式会社 コイル部品及びその製造方法
WO2014113020A1 (en) 2013-01-18 2014-07-24 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Fuel separation method
WO2017002434A1 (ja) * 2015-06-29 2017-01-05 株式会社村田製作所 多層セラミック基板および多層セラミック基板の製造方法
CN115119394A (zh) * 2016-01-13 2022-09-27 株式会社村田制作所 层叠体以及电子部件
WO2017163931A1 (ja) 2016-03-22 2017-09-28 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法
JP6766515B2 (ja) * 2016-08-09 2020-10-14 株式会社村田製作所 セラミック電子部品および誘電体磁器組成物
CN106747357B (zh) * 2016-12-22 2019-12-06 广东风华高新科技股份有限公司 低温共烧陶瓷及其制备方法
DE102017118490A1 (de) * 2017-08-14 2019-02-14 Tdk Electronics Ag LED Modul
CN109626974B (zh) * 2018-12-12 2021-08-27 苏州研资工业技术有限公司 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
US20220073430A1 (en) * 2019-01-30 2022-03-10 Kyocera Corporation Heat-resistant member
JP7053527B2 (ja) * 2019-03-29 2022-04-12 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 導電性ペースト
CN111517771A (zh) * 2020-04-03 2020-08-11 电子科技大学 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006001755A (ja) 2004-06-15 2006-01-05 Hitachi Metals Ltd 高強度低温焼成セラミック組成物並びにこれを用いた積層電子部品

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5417160B2 (ko) * 1971-10-23 1979-06-27
US6447888B2 (en) 2000-01-31 2002-09-10 Kyocera Corporation Ceramic wiring board
JP2002020163A (ja) 2000-06-29 2002-01-23 Kyocera Corp ガラスセラミック焼結体及びそれを用いた多層配線基板
JP3466561B2 (ja) 2000-11-29 2003-11-10 京セラ株式会社 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びにそれを用いた配線基板
JP4714986B2 (ja) 2000-12-06 2011-07-06 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物及びそれを用いた多層基板
JP2003221277A (ja) * 2001-11-21 2003-08-05 Asahi Glass Co Ltd 誘電体形成用ガラス粉末、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物および誘電体
JP4045127B2 (ja) 2002-05-28 2008-02-13 京セラ株式会社 セラミック基板
JP4736342B2 (ja) * 2004-04-09 2011-07-27 株式会社村田製作所 ガラスセラミック原料組成物、ガラスセラミック焼結体およびガラスセラミック多層基板
WO2006059492A1 (ja) * 2004-11-30 2006-06-08 Asahi Glass Company, Limited フィールドエミッションディスプレイ用結晶化ガラススペーサーおよびその製造方法
CN101384952B (zh) * 2006-02-09 2010-08-25 旭硝子株式会社 光学部件及其制造方法
JP5040243B2 (ja) * 2006-07-19 2012-10-03 株式会社村田製作所 セラミック基板
JP2008053525A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板およびその製造方法
WO2009025156A1 (ja) * 2007-08-17 2009-02-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. セラミック組成物およびその製造方法、セラミック基板、ならびにセラミックグリーン層の製造方法
JP4883224B2 (ja) * 2009-01-07 2012-02-22 株式会社村田製作所 低温焼結セラミック材料およびセラミック基板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006001755A (ja) 2004-06-15 2006-01-05 Hitachi Metals Ltd 高強度低温焼成セラミック組成物並びにこれを用いた積層電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
CN102307825B (zh) 2014-07-30
JP4883228B2 (ja) 2012-02-22
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KR20110104533A (ko) 2011-09-22
US8173565B2 (en) 2012-05-08
EP2397452A4 (en) 2013-05-01
CN102307825A (zh) 2012-01-04
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WO2010092970A1 (ja) 2010-08-19
US20110300355A1 (en) 2011-12-08

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