KR101214134B1 - 발광 소자 - Google Patents

발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101214134B1
KR101214134B1 KR1020077009205A KR20077009205A KR101214134B1 KR 101214134 B1 KR101214134 B1 KR 101214134B1 KR 1020077009205 A KR1020077009205 A KR 1020077009205A KR 20077009205 A KR20077009205 A KR 20077009205A KR 101214134 B1 KR101214134 B1 KR 101214134B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light emitting
layer
light source
contact layer
Prior art date
Application number
KR1020077009205A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070053816A (ko
Inventor
루카스 제이. 에이. 엠. 베커스
코넬리스 지. 비세르
고데프리두스 제이. 베르획스
Original Assignee
코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Publication of KR20070053816A publication Critical patent/KR20070053816A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101214134B1 publication Critical patent/KR101214134B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

빛을 방출하는 광원, 및 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 배치된 제1 재료를 포함한 발광 소자가 개시된다. 제1 재료는 세라믹 재료를 포함하고, 상기 광원을 상기 제1 재료와 접속하도록 상기 광원 상에 접촉층이 배열된다. 또한, 이와 같은 소자를 제조하기 위한 방법이 개시된다.
광원, 발광 소자, 세라믹 재료, LED, LD

Description

발광 소자{LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은, 빛을 방출하는 광원, 및 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 배치된 제1 재료를 포함한 발광 소자에 관한 것이다.
LED(light-emitting diode)와 LD(laser diode)와 같은, 반도체 발광 소자는 현재 이용할 수 있는 가장 효율적이고 강건한 광원 중 하나이다.
빛 추출은 조명 응용을 위한 고전력 무기(inorganic) LED에 있어서 중요한 문제 중 하나이다. 통상의 반도체 발광 소자가 갖고 있는 공통적인 문제는, 이와 같은 소자에서 빛을 추출할 수 있는 효율이 소자와 이 소자를 둘러싸는 환경 간의 계면에서 내부 전반사(total internal reflection)에 의해, 그 다음에, 소자에서 반사된 빛의 재흡수에 의해, 감소한다는 것이다. 이와 같은 내부 전반사는, 소자의 방출 파장에서 소자가 형성되는 반도체 재료의 굴절률 nd가, 소자를 패키지하거나 캡슐화하기 위한, 통상, 에폭시나 실리콘인, 재료의 굴절률보다 크기 때문에 발생한다. 따라서, 이들 캡슐화용 재료의 결점은 nd 정합이 제한되고, 또한 고온과 광자 밀도에 대한 내구성이 제한된다는 것이다.
내부 전반사로 인한 손실은 소자 외부에 대한 소자 내부의 굴절률의 비에 따 라 빠르게 증가한다. 예를 들어, Al2O3(sapphire) LED 재료의 높은 nd는 공기로 전송되는 빛의 양을 상당히 제한한다.
반도체 발광 소자에서는 인광체(phosphor)를 이용하여, 반도체 발광 소자의 방출 스펙트럼을 넓히거나 이동시킨다. 이 접근법은 반도체 발광 소자의 방출을 이용하여 인광체를 여기시키는 것을 필요로 한다.
EP 1 369 935는 반도체 발광 소자에서 빛 추출이 감소하는 문제를 다루고, 크기가 감소한 인광체 입자를 이용하는 반도체 발광 소자를 제안한다. 이로 인해, 통상의 인광체 변환된 발광 소자의 효율을 감소시키는, 인광체 입자에 의한 산란이 감소하고, 빛 추출이 개선된다.
또한, EP 1 369 935에서는, 인광체 입자의 굴절률과 더 가깝게 정합시키기 위해 임베딩되는 매체의 굴절률을 증가시킴으로써, 인광체 입자에 의한 빛 산란을 감소시키는 것도 제안되었다.
EP 1 369 935에서 제안된 해결책의 하나의 결점은, 인광체 입자가 임베딩되는 매체가 발광 소자의 사파이어와 접촉해야 한다는 것이다. 따라서, 높은 공정 온도는 LED의 n/p 층을 손상시킬 수 있다.
또한, 더 높은 온도, 즉, 200℃보다 높은 온도에서, 인광체를 포함한 매체의 열 팽창은 매우 중요하다. EP 1 369 935에 따르면, 에폭시, 아크릴 폴리머, 폴리카보네이트 및 실리콘 폴리머는 150℃보다 높은 온도에서 장시간 동안 견디지 못할 것이다. 동작 중인 LED의 온도가 250℃까지 상승할 수 있는, 고전력 LED의 경우, 고전력 LED(칩당 5W/㎟)를 위한 응용에서는 EP 1 369 935에서 언급된 모든 유기 매체가 타서 없어질 것이므로, 고장이 나게 된다.
따라서, 높은 공정 온도에 덜 민감하고, 빛 추출 특성이 개선된, 새로운 발광 소자를 얻기 위한 요구가 존재한다.
본 발명이 갖고 있는 목적은, 높은 공정 온도에 덜 민감하고, 빛 추출이 개선된, 발광 소자를 얻기 위한 것이다.
본 발명의 목적은,
빛을 방출하는 광원, 및
상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 배치된 제1 재료를 포함하고,
상기 제1 재료는 세라믹 재료를 포함하고, 상기 광원을 상기 제1 재료와 접속하도록 상기 광원 상에 접촉층이 배열되는 발광 소자에 의해 달성된다.
접촉층은 칼코겐화합물(chalcogenide) 유리로 이루어질 수 있고, 그 두께는 2 내지 3 미크론의 범위일 수 있다.
접촉층을 이용함으로써, 제1 재료와 광원 간의 직접적인 접촉을 방지한다. 따라서, 높은 공정 온도에서 광원의 손상에 대한 위험을 최소화한다.
상기 제1 재료는 예를 들어, Al2O3(다결정 알루미나; polycrystallin alumina), YAG(이트륨-알루미늄-가닛; yttrium-aluminium-garnet, Y3Al5O12), Y2O3(산화이트륨; yttria), MgAl2O4, MgAlON, AlN(질화 알루미늄; aluminum nitride), AlON, 및 TiO2(티타니아; titania) 도핑된 ZrO2(지르코니아; zirconia), 또는 그 혼합물을 포함할 수 있고, 상기 광원의 적어도 일부 상에 배치된다. 제1 재료는 1.75보다 큰 굴절률을 갖는 것이 바람직하다.
광원은 1.75보다 큰 굴절률을 갖는 제2 무기 재료를 포함한 LED(light-emitting diode)일 수 있다. 예를 들어, 제2 재료는 사파이어(Al2O3)일 수 있다.
본 발명에 따르면, 광원과, 빛을 수광하도록 배열된 세라믹 재료 간의 굴절률 정합이 얻어진다. 또한, 세라믹 재료는 광원(즉, 사파이어)과 거의 같은 팽창 계수를 갖고, 매우 장시간 동안 250℃까지의 동작 온도를 견딜 수 있다. 이는, 종래 발광 소자에 비해 상당히 개선된 빛 추출 특성을 제공하고, 수광(light receiving) 재료로서 유기 재료를 이용하는 경우 관찰된, 저하(degradation) 문제를 회피한다.
본 발명에 따른 발광 소자는 발광 재료를 더 포함할 수 있다. 발광 재료는 제1 재료 내에 균일하게 분산되는 입자, 즉, 인광체의 형태일 수 있다.
세라믹을 이용함으로써, 인광체 입자의 매우 균일한 분포를 가능케 한다.
또한, 발광 재료는 상기 제1 재료 내의 한 층으로서 배치될 수 있고, 그 층은 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 배치된다. 발광 재료는 예를 들어, 청색광을 백색광으로 변환하는 YAG:Ce일 수 있다.
본 발명에 따른 발광 소자는 상기 제1 재료를 적어도 일부 둘러싸는 반사형 코팅을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은, 빛을 방출하는 광원을 제공하는 단계; 상기 광원 상에 접촉층을 배치하는 단계; 및 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 세라믹 재료를 포함한 제1 재료에 소결 공정을 적용하는 단계를 포함한, 발광 소자를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법은 상기 제1 재료를 동시 소결(co-sintering)함으로써 균일하게 분산된 입자의 형태로 발광 재료를 도포하는 것을 더 포함할 수 있다. 다른 방법으로는, 본 발명의 방법은 상기 제1 재료 내의 한 층으로서 발광 재료를 도포하는 것을 더 포함할 수 있고, 그 층은 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 배치된다.
도 1은 빛 변환을 위한 인광체 입자를 갖는, 본 발명에 따른 발광 소자를 도시한 도면.
도 2는 빛을 변환하는 인광체층이 통합된, 본 발명에 따른 발광 소자를 도시한 도면.
본 발명을 달성하기 위한 연구에서, 놀랍게도, 발명자들은, (nd가 높은) 세라믹 재료를 포함한 추출 본체(body), 및 추출 본체의 재료와 광원의 재료를 접속하는 접촉층을 갖는 발광 소자가 높은 공정 온도에 덜 민감한 것을 발견하였다. 또한, 이와 같은 장치는 개선된 빛 추출 특성도 갖는다.
발광 소자(1)는 본체를 형성하는 제1 재료(2)를 포함한다. 상기 제1 재료는 세라믹 재료를 포함한다. 세라믹은 결정 구조가 재료 내에 단결정 형태나 다결정 형태로 존재하는 재료이다. 단결정은 멜드(meld)에서 성장되고, 필요한 형상으로 연마된다. 다결정 세라믹은 파우더 라우트(powder route)에 의해 형상이 정해지고, 고밀도화(densification)를 위해 소결된다.
제1 재료는 적당히 투명하고, 1.75보다 큰 굴절률을 갖는다. 다른 방법으로는, 제1 재료는 2.2보다 큰 굴절률을 갖는다.
본체에서 이용되는 세라믹 재료의 예로는 Al2O3(polycrystallin alumina), YAG(yttrium-aluminium-garnet, Y3Al5O12), Y2O3(yttria), MgAl2O4, MgAlON, AlN(aluminum nitride), AlON, 및 TiO2(titania) 도핑된 ZrO2(zirconia)가 있다. 그러나, 본 발명에 따라 높은 nd를 보장하는 임의의 세라믹 재료를 이용할 수도 있다. 또한, 상술한 세라믹 재료의 혼합물을 이용할 수도 있다.
본체는 소자의 광원(3)에 의해 생성되는 빛의 적어도 일부를 수광한다. 본체가 빛을 효율적으로 추출하고, 이를 외부에 전달하는 것이 중요하다. 전체 빛 출력은 최적화되어야 한다.
본체 상부는 필요한 빛 방출 패턴을 생성하는 방법으로 형상이 정해진다. 도 1 및 도 2에는 본 발명에 따른 발광 소자에 이용되는 형상의 일 예가 도시되어 있다.
접촉층(7)은 LED 상에 배치되어, LED와 본체를 접속한다. 이로 인해, LED 재료와 본체 간의 직접적인 접촉은 없다. 접촉층은 유리질층인 것이 바람직하고, 예를 들어, 칼코겐화합물 유리로 이루어질 수 있다. 접촉층은 예를 들어, 약 2 내지 3 미크론의 두께를 가질 수 있다. 이 채색된 타입의 유리(황색, 주황색 또는 적색)의 필터 계수는 매우 얇은 층을 이용하는 경우에 매우 낮아질 것이다.
본체에는 빛의 변환을 위한 발광 재료(즉, 인광체)가 제공된다. 본원에서 이용되는, "발광 재료"는 한 파장의 빛을 흡수하고 다른 파장의 빛을 방출하는 재료를 지칭한다. 본 발명에서 함께 이용되는 인광체의 일 예로는 YAG:Ce가 있다. YAG:Ce는 인광체 가공을 위해 세륨 3+로 도핑된, Y3Al5O12(yttrium aluminium garnet, 또는 yttriumaluminate)에 관련된다.
YAG:Ce-인광체는 그 인광체(발광) 활성도를 잃지 않으면서 YAG와 알루미나와 함께 소결될 수 있다. 그 결과, YAG 또는 알루미나가 빛 추출 본체인 경우, 알루미나에 임베딩된 YAG:Ce의 혼합물은 동시 소결된다(co-fired). YAG:Ce의 굴절률은 알루미나와 YAG의 굴절률과 거의 같다.
인광체는 본체에서 균일하게 분산되는 입자(4)의 형태일 수 있다. 그러나, 예를 들어, 본체에 인광체층(5)을 제공하는 것과 같은, 다른 구성도 가능하다. 빛 추출을 위해 본체에 인광체를 통합하면, 빛의 확산이 발생하여, 반투명 재료에 적합하게 된다.
본체와 광원은 기판(8) 상에 장착된다.
본체의 외부는 반사(거울 또는 확산)형으로 시준(collimate)한다. 도 1과 도 2에서, 반사층(6)이 통합되지만, 외부 반사기도 가능하다.
반사층(6)이 재료(2) 내부의 빛을 반사하고 있으므로, 빛을 모으고 있다. 확산형 코팅(예를 들어, 고밀도화되지 않으므로 전체 반사율의 99%로 백색 확산되는 알루미나 파우더층)의 경우, 빛이 모아질 것이다. 거울 반사형 코팅(알루미늄 또는 은)의 경우, 빛이 반사될 것이다.
빛이 거울에서 반투명한 매체로 반사되면, 빛이 다시 시준될 것이다. 도 2에서는, 매체가 반투명이고, 거울 반사형층이 실제 반사기로서 기능을 할 것이다.
반사형 코팅(6) 또는 외부 반사기는 본체의 적어도 일부를 둘러싼다. 본 문맥에서, "적어도 일부는"이란 광 빔을 정의하는 상부 측에 어떤 코팅도 없고, 얇은 유리층(7)이 빛 추출 본체를 발광 소자(3)의 사파이어에 접촉시키는 어떤 코팅도 없음을 의미한다.
본 발명에 따른 발광 소자에서 광원은 LED인 것이 바람직하다. 그러나, 또한 LD를 이용할 수도 있다.
LED는 1.75보다 큰 굴절률을 갖는 제2 무기 재료를 포함한다. 다른 방법으로는, LED는 2.2보다 큰 굴절률을 갖는 무기 재료를 포함한다. LED에서 이용되는 제2 무기 재료의 일 예로는 사파이어가 있다.
청색 LED는 사파이어(단결정 알루미나) 기판상에 (InGaN-기반) n/p 발광층을 성장시킴으로써 구성된다("플립 칩 변형(flip chip modification)"은, 전극 접속이 LED의 하부 측에 있으므로, 어떤 배선 접합도 상부 측에 존재하지 않음을 의미한다).
LED의 굴절률과 본체의 굴절률은 거의 같을 수 있다. 예를 들어, LED의 굴절률과 본체의 굴절률 간의 차는 "0"과 가깝거나, "0"일 수 있다. 그러나, 일부 재료 조합의 경우, 굴절률 간에 차이가 존재할 수 있다. 더 높은 본체의 굴절률은 시준을 개선한다.
본원에서 이용되는, 굴절률 nd는 nd = c/(vphase)를 지칭한다.
여기서, c는 빛의 속도이고, vphase는 위상 속도이다. 이는 한 매체에서 다른 매체로 전달되는 빛에 대해 발생하는 굴절의 양을 나타낸다.
본체는 소자의 광원, 즉, LED의 적어도 일부 상에 직접 배치될 수 있다. 예를 들어, 본체는 광원의 전체 외부면 상에 배치된다. 본체는 디-바인드(de-bind)와 소결보다는 주입 몰딩(injection moulding)에 의해 제조될 수 있다. 또한, 주입 몰딩 외에, 본체는 젤캐스팅(gelcasting) 또는 슬립캐스팅(slipcasting)에 의해 제조될 수 있다.
본 발명은 LED를 이용하는 모든 빛 응용에 적용될 수 있다. 특히, 동작 중인 LED의 온도가 250℃까지 상승할 수 있는 고전력 LED에 잘 적응된다.
본 발명에 따른 발광 소자는 빛을 방출하는 광원을 제공하는 단계; 상기 광원 상에 접촉층을 배치하는 단계; 및 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 세라믹 재료를 포함한 제1 재료에 소결 공정을 적용하는 단계에 의해 제조될 수 있다.
본 발명의 방법은 상기 제1 재료를 동시 소결함으로써 균일하게 분산된 입자의 형태로 발광 재료를 도포하는 것을 더 포함할 수 있다. 다른 방법으로는, 본 발명의 방법은 상기 제1 재료 내의 한 층으로서 발광 재료를 도포하는 것을 더 포함하고, 그 층은 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 배치된다.
본 발명의 소자는 당업자에게 널리 공지되어 있는 통상의 방법에 의해 제조될 수 있다.

Claims (19)

  1. 발광 소자로서,
    빛을 방출하는 광원; 및
    본체를 형성하며 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 배치된 제1 재료 - 상기 본체는 발광 재료를 가지고 있음 - ;
    를 포함하고,
    상기 제1 재료는 세라믹 재료를 포함하고,
    상기 광원을 상기 제1 재료에 접속시키도록 상기 광원 상에 접촉층이 배치되며,
    상기 접촉층은 유리질층인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접촉층은 2 내지 3 미크론(microns)의 범위의 두께를 갖는 발광 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접촉층은 칼코겐화합물 유리로 이루어지는 발광 소자.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 재료는, 다결정 알루미나(polycrystalline alumina, Al2O3), 이트륨-알루미늄-가닛(YAG, Y3Al5O12), 산화 이트륨(yttria, Y2O3), MgAl2O4, MgAlON, 질화 알루미늄(aluminum nitride, AlN), AlON, 및 티타니아(titania, TiO2) 도핑된 지르코니아(zirconia, ZrO2), 또는 이들의 혼합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는 발광 소자.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 광원은 LED(light-emitting diode)인 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 LED는 1.75보다 큰 굴절률을 갖는 무기질의 제2 재료를 포함하는 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 재료는 사파이어인 발광 소자.
  8. 삭제
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광 재료는 입자들의 형태인 발광 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 입자들은 상기 제1 재료에서 균일하게 분산되는 발광 소자.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광 재료는 상기 제1 재료 내의 한 층으로서 배열되며, 이 층은 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 배치되는 발광 소자.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광 재료는 YAG:Ce인 발광 소자.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    반사형 코팅을 더 포함하며, 이 코팅은 상기 제1 재료를 적어도 부분적으로 둘러싸는 발광 소자.
  14. 발광 소자를 제조하는 방법으로서,
    빛을 방출하는 광원을 제공하는 단계;
    상기 광원 상에 접촉층을 배열하는 단계 - 상기 접촉층은 유리질층임 -; 및
    소결 공정을 통해, 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 세라믹 재료를 포함하는 제1 재료를 도포하는 단계 - 상기 제1 재료는 본체를 형성하며, 상기 본체는 발광 재료를 가지고 있음 - ;
    를 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 재료와 동시 소결(co-sintering)함으로써, 균일하게 분산된 입자들의 형태로 발광 재료를 도포하는 단계를 더 포함하는 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1 재료 내의 한 층으로서 발광 재료를 도포하는 단계를 더 포함하며, 이 층은 상기 빛의 적어도 일부를 수광하도록 배치되는 방법.
  17. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 재료는 세라믹 재료인 발광 소자.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 접촉층은 칼코겐화합물 유리로 이루어지는 방법.
  19. 제14항 또는 제18항에 있어서,
    상기 제1 재료는 세라믹 재료인 방법.
KR1020077009205A 2004-09-23 2005-09-14 발광 소자 KR101214134B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04104632 2004-09-23
EP04104632.7 2004-09-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070053816A KR20070053816A (ko) 2007-05-25
KR101214134B1 true KR101214134B1 (ko) 2012-12-21

Family

ID=35455913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077009205A KR101214134B1 (ko) 2004-09-23 2005-09-14 발광 소자

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080093976A1 (ko)
EP (1) EP1794814A1 (ko)
JP (1) JP2008513992A (ko)
KR (1) KR101214134B1 (ko)
CN (1) CN101027789B (ko)
TW (1) TW200625693A (ko)
WO (1) WO2006033057A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101484461B1 (ko) * 2006-12-21 2015-01-20 코닌클리케 필립스 엔.브이. 성형된 파장 변환기를 가지는 발광 장치
WO2010061592A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
US8358085B2 (en) 2009-01-13 2013-01-22 Terralux, Inc. Method and device for remote sensing and control of LED lights
JP6372394B2 (ja) * 2015-02-27 2018-08-15 豊田合成株式会社 発光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111981A (ja) * 1996-06-26 2004-04-08 Siemens Ag 半導体発光素子及び半導体発光素子の使用
JP2004146835A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ｌｅｄおよび発光変換体を有する光源、および発光変換体の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3709813A (en) * 1971-04-30 1973-01-09 Texas Instruments Inc Ion-selective electrochemical sensor
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP3503131B2 (ja) * 1999-06-03 2004-03-02 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP2002141556A (ja) * 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
JP2002118292A (ja) * 2000-10-11 2002-04-19 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
DE60137972D1 (de) * 2001-04-12 2009-04-23 Matsushita Electric Works Ltd Lichtquellenbauelement mit led und verfahren zu seiner herstellung
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP4122791B2 (ja) * 2002-02-14 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置
AU2003261181A1 (en) * 2002-07-19 2004-02-09 Microsemi Corporation Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound
CN1738781A (zh) * 2003-01-20 2006-02-22 宇部兴产株式会社 用于光转化的陶瓷复合材料及其应用
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111981A (ja) * 1996-06-26 2004-04-08 Siemens Ag 半導体発光素子及び半導体発光素子の使用
JP2004146835A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ｌｅｄおよび発光変換体を有する光源、および発光変換体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101027789B (zh) 2012-07-04
US20080093976A1 (en) 2008-04-24
JP2008513992A (ja) 2008-05-01
KR20070053816A (ko) 2007-05-25
EP1794814A1 (en) 2007-06-13
CN101027789A (zh) 2007-08-29
TW200625693A (en) 2006-07-16
WO2006033057A1 (en) 2006-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101370362B1 (ko) 다결정 세라믹 구조 내의 인광체 및 이를 포함하는 발광 요소
CN101939854B (zh) 具有高效率荧光结构的光发射器件
KR101170407B1 (ko) 무기 하우징을 갖는 발광 소자
JP5009788B2 (ja) 発光装置用の発光セラミック
US7521862B2 (en) Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
US9842972B2 (en) Radiation-emitting semiconductor component
KR101402190B1 (ko) 전계발광 장치
US20090154137A1 (en) Illumination Device Including Collimating Optics
JP6183486B2 (ja) 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法
WO2008018002A2 (en) Illumination device with wavelength converting element side holding heat sink
KR101214134B1 (ko) 발광 소자
US20200395512A1 (en) Light emitting device with porous structure to enhance color point shift as a function of drive current
JP5368913B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
EP2067182B1 (en) Light emitting device with tension relaxation
KR101679758B1 (ko) 발광소자 패키지
WO2020028350A1 (en) Light emitting device with porous phosphor structure to enhance color point shift as a function of drive current

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee