KR101189326B1 - Display and method of fabricating wavelength conversion member - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A display device and a method for manufacturing a wavelength converting member are provided to prevent light from being leaked upward or downward and make more light to be incident on a light guide plate. CONSTITUTION: A wavelength converting member is adjacent to a light source. The wavelength converting member includes wavelength converting particles(430), a tube(410), and a reflection unit. The wavelength converting particles convert the wavelength of light emitted from the light source. The tube receives the wavelength converting particles. The reflection unit is formed on at least one side of the tube.

Description

표시장치 및 파장 변환 부재의 제조방법{DISPLAY AND METHOD OF FABRICATING WAVELENGTH CONVERSION MEMBER}DISPLAY AND METHOD OF FABRICATING WAVELENGTH CONVERSION MEMBER}

실시예는 표시장치 및 파장 변환 부재의 제조방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a method of manufacturing a display device and a wavelength conversion member.

발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등에 사용되고 있다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor devices that convert electricity into ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays by using the characteristics of compound semiconductors. They are mainly used in home appliances, remote controllers, and large electric sign boards.

고휘도의 LED 광원은 조명등으로 사용되고 있으며, 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길어 교체 비용이 적으며 진동이나 충격에도 강하고 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 기존의 백열전구나 형광등을 대체하고 있다.The high-intensity LED light source is used as an illumination light. It has high energy efficiency, long life and low replacement cost. It is resistant to vibration and shock, and it does not require the use of toxic substances such as mercury. It is replacing incandescent lamps and fluorescent lamps.

또한, LED는 중대형 LCD TV, 모니터 등의 광원으로서도 매우 유리하다. 현재 LCD(Liquid Crystal Display)에 주로 사용되고 있는 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)에 비하여 색순수도가 우수하고 소비전력이 적으며 소형화가 용이하여 이를 적용한 시제품이 양산되고 있으며, 더욱 활발한 연구가 진행되고 있는 상태이다.Also, the LED is very advantageous as a light source such as a medium and large-sized LCD TV and a monitor. Compared to CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp), which is mainly used in LCD (Liquid Crystal Display), it has excellent color purity, low power consumption, and easy miniaturization, Is in progress.

실시예는 향상된 휘도 및 신뢰성을 가지는 표시장치 및 파장 변환 부재의 제조방법을 제공하고자 한다.The embodiment provides a method of manufacturing a display device and a wavelength conversion member having improved luminance and reliability.

실시예에 따른 표시장치는 광원; 및 상기 광원에 인접하여 배치되는 파장 변환 부재를 포함하고, 상기 파장 변환 부재는 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 파장 변환 입자들; 상기 파장 변환 입자들을 수용하는 튜브; 및 상기 튜브의 일 면에 형성되는 반사부를 포함한다.A display device according to an embodiment includes a light source; And a wavelength conversion member disposed adjacent to the light source, wherein the wavelength conversion member comprises: wavelength conversion particles for converting a wavelength of light emitted from the light source; A tube containing the wavelength conversion particles; And a reflector formed on one surface of the tube.

실시예에 따른 파장 변환 부재의 제조방법은 다수 개의 튜브들에 반사부를 형성하고, 상기 튜브들 내에 다수 개의 파장 변환 입자들을 배치시키는 것을 포함한다.A method of manufacturing a wavelength converting member according to an embodiment includes forming a reflecting portion in a plurality of tubes and disposing a plurality of wavelength converting particles in the tubes.

실시예에 따른 표시장치는 상기 튜브의 일 면에 형성되는 반사부를 포함한다. 이에 따라서, 상기 광원으로부터 출사되어, 상기 파장 변환 부재에 의해서 변환된 광은 도광판에 효과적으로 입사될 수 있다.The display device according to the embodiment includes a reflector formed on one surface of the tube. Accordingly, the light emitted from the light source and converted by the wavelength converting member can be effectively incident on the light guide plate.

즉, 상기 반사부는 상기 파장 변환 부재를 통과하는 광을 반사시켜서, 상기 도광판에 입사시킨다. 또한, 상기 반사부는 상기 파장 변환 부재에 의해서 변환된 광을 반사시켜, 상기 도광판에 입사시킨다.That is, the reflector reflects light passing through the wavelength conversion member and enters the light guide plate. The reflector reflects the light converted by the wavelength conversion member and enters the light guide plate.

이에 따라서, 상기 반사부는 광이 상방 또는 하방으로 새는 것을 방지하고, 보다 많은 광을 상기 도광판에 입사시킨다. 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 향상된 휘도를 가질 수 있다.Accordingly, the reflector prevents light from leaking upwards or downwards, and causes more light to enter the light guide plate. Thus, the display device according to the embodiment can have improved luminance.

또한, 상기 반사부는 열전도율이 높은 금속으로 이루어질 수 있다. 이에 따라서, 상기 반사부는 상기 광원으로부터 발생되는 열을 효과적으로 전달하여, 이를 방출시킬 수 있다.In addition, the reflector may be made of a metal having high thermal conductivity. Accordingly, the reflector may effectively transmit heat generated from the light source and emit the heat.

따라서, 실시예에 따른 표시장치는 향상된 내구성 및 신뢰성을 가질 수 있다.Thus, the display device according to the embodiment can have improved durability and reliability.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 공정을 도시한 도면들이다.
도 9는 제 2 실시예에 따른 발광다이오드, 파장 변환 부재 및 도광판을 도시한 사시도이다.
도 10은 발광다이오드, 파장 변환 부재 및 도광판의 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면이다.1 is an exploded perspective view of a liquid crystal display according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a section cut along AA 'in FIG. 1; FIG.
3 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a section cut along BB 'in FIG. 3; FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along CC ′ in FIG. 3.
6 to 8 are views illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion member according to the embodiment.
9 is a perspective view illustrating a light emitting diode, a wavelength conversion member, and a light guide plate according to the second embodiment.
10 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light emitting diode, the wavelength conversion member, and the light guide plate.
11 is a view illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion member according to the second embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern, etc., is formed on or "under" of each substrate, frame, sheet, layer or pattern, etc. In the case, “on” and “under” include both being formed “directly” or “indirectly” through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 5는 도 3에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 6 내지 도 8은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 공정을 도시한 도면들이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line AA ′ in FIG. 1. 3 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member. Fig. 4 is a cross-sectional view showing a section cut along the line B-B 'in Fig. 3; Fig. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line CC ′ in FIG. 3. 6 to 8 are views illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion member according to the embodiment.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 몰드 프레임(10), 백라이트 어셈블리(20) 및 액정패널(30)을 포함한다.1 to 4, a liquid crystal display device according to an embodiment includes a mold frame 10, a backlight assembly 20, and a liquid crystal panel 30.

상기 몰드 프레임(10)은 상기 백라이트 어셈블리(20) 및 상기 액정패널(30)을 수용한다. 상기 몰드 프레임(10)은 사각 틀 형상을 가지며, 상기 몰드 프레임(10)으로 사용하는 물질의 예로서는 플라스틱 또는 강화 플라스틱 등을 들 수 있다.The mold frame 10 receives the backlight assembly 20 and the liquid crystal panel 30. The mold frame 10 has a rectangular frame shape. Examples of the material used for the mold frame 10 include plastic or reinforced plastic.

또한, 상기 몰드 프레임(10) 아래에는 상기 몰드 프레임(10)을 감싸며, 상기 백라이트 어셈블리(20)를 지지하는 샤시가 배치될 수 있다. 상기 샤시는 상기 몰드 프레임(10)의 측면에도 배치될 수 있다.In addition, a chassis supporting the mold frame 10 and supporting the backlight assembly 20 may be disposed below the mold frame 10. The chassis may be disposed on a side surface of the mold frame 10.

상기 백라이트 어셈블리(20)는 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되며, 광을 발생시켜 상기 액정패널(30)을 향하여 출사한다. 상기 백라이트 어셈블리(20)는 반사시트(100), 도광판(200), 광원, 예를 들어, 발광다이오드(300), 파장 변환 부재(400), 다수 개의 광학 시트들(500) 및 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board;FPCB)(600)을 포함한다.The backlight assembly 20 is disposed inside the mold frame 10 and emits light toward the liquid crystal panel 30. The backlight assembly 20 may include a reflective sheet 100, a light guide plate 200, a light source, for example, a light emitting diode 300, a wavelength conversion member 400, a plurality of optical sheets 500, and a flexible printed circuit board. and a flexible printed circuit board (FPCB) 600.

상기 반사시트(100)는 상기 발광다이오드(300)로부터 발생하는 광을 상방으로 반사시킨다.The reflective sheet 100 reflects light emitted from the light emitting diode 300 upward.

상기 도광판(200)은 상기 반사시트(100) 상에 배치되며, 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 반사, 굴절 및 산란 등을 통해서 상방으로 반사시킨다.The light guide plate 200 is disposed on the reflective sheet 100 and receives light emitted from the light emitting diode 300 and reflects the light upward through reflection, refraction, scattering, or the like.

상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드(300)를 향하는 입사면을 포함한다. 즉, 상기 도광판(200)의 측면들 중 상기 발광다이오드(300)를 향하는 면이 입사면이다. 상기 발광다이오드(300)는 상기 도광판(200)의 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드(300)는 상기 도광판(200)의 입사면에 배치된다. 상기 발광다이오드(300)는 광을 발생시키는 광원이다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드(300)는 상기 파장 변환 부재(400)를 향하여 광을 출사한다.The light guide plate 200 includes an incident surface facing the light emitting diode 300. That is, one side of the light guide plate 200 facing the light emitting diode 300 is an incident surface. The light emitting diodes 300 are disposed on side surfaces of the light guide plate 200. In more detail, the light emitting diodes 300 are disposed on the incident surface of the light guide plate 200. The light emitting diode 300 is a light source for generating light. In more detail, the light emitting diodes 300 emit light toward the wavelength conversion member 400.

상기 발광다이오드(300)는 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드(300)는 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.The light emitting diodes 300 may be blue light emitting diodes generating blue light or UV light emitting diodes generating ultraviolet light. That is, the light emitting diodes 300 may generate blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm or ultraviolet rays having a wavelength band between about 300 nm and about 400 nm.

상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 실장된다. 상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting diode 300 is mounted on the flexible printed circuit board 600. The light emitting diode 300 is disposed under the flexible printed circuit board 600. The light emitting diode 300 is driven by receiving a drive signal through the flexible printed circuit board 600.

상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 측면에 접착된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 입사면에 부착된다. 또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)에 접착될 수 있다.The wavelength conversion member 400 is interposed between the light emitting diodes 300 and the light guide plate 200. The wavelength conversion member 400 is attached to the side surface of the light guide plate 200. In more detail, the wavelength conversion member 400 is attached to the incident surface of the light guide plate 200. In addition, the wavelength conversion member 400 may be attached to the light emitting diodes 300.

상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength conversion member 400 receives light emitted from the light emitting diodes 300 to convert wavelengths. For example, the wavelength conversion member 400 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 300 into green light and red light. That is, the wavelength conversion member 400 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm, and another part of the blue light has a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm. Can be converted to red light.

또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.In addition, the wavelength conversion member 400 may convert ultraviolet light emitted from the light emitting diodes 300 into blue light, green light, and red light. That is, the wavelength conversion member 400 converts a part of the ultraviolet light into blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm, and another part of the ultraviolet light has a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm. Green light, and another portion of the ultraviolet light to red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(400)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(400)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, the light passing through the wavelength conversion member 400 and the light converted by the wavelength conversion member 400 may form white light. That is, the blue light, the green light, and the red light may be combined, and the white light may be incident on the light guide plate 200.

도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(400)는 튜브(410), 밀봉부(420), 다수 개의 파장 변환 입자들(430), 호스트(440) 및 반사부(460)를 포함한다.2 to 5, the wavelength conversion member 400 may include a tube 410, a seal 420, a plurality of wavelength conversion particles 430, a host 440, and a reflector 460. It includes.

상기 튜브(410)는 상기 밀봉부(420), 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 호스트(440)를 수용한다. 즉, 상기 튜브(410)는 상기 밀봉부(420), 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 호스트(440)를 수용하는 용기이다. 또한, 상기 튜브(410)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가진다.The tube 410 accommodates the seal 420, the wavelength converting particles 430, and the host 440. That is, the tube 410 is a container for receiving the seal 420, the wavelength conversion particles 430, and the host 440. In addition, the tube 410 has a shape elongated in one direction.

상기 튜브(410)는 사각 튜브(410) 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)의 길이 방향에 대하여 수직한 단면은 직사각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 튜브(410)의 폭은 약 0.6㎜이고, 상기 튜브(410)의 높이는 약 0.2㎜일 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 모세관일 수 있다.The tube 410 may have the shape of a rectangular tube 410. That is, the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the tube 410 may have a rectangular shape. Further, the width of the tube 410 may be about 0.6 mm, and the height of the tube 410 may be about 0.2 mm. That is, the tube 410 may be a capillary tube.

상기 튜브(410)는 입사면(411) 및 출사면(412)를 포함한다. 더 자세하게, 상기 튜브(410)의 외부 표면은 상기 입사면(411) 및 상기 출사면(412)을 포함한다. 상기 입사면(411) 및 상기 출사면(412)은 서로 대향한다.The tube 410 includes an entrance face 411 and an exit face 412. More specifically, the outer surface of the tube 410 includes the entrance face 411 and the exit face 412. The entrance face 411 and the exit face 412 face each other.

상기 입사면(411)는 상기 발광다이오드(300)와 마주본다. 더 자세하게, 상기 입사면(411)는 상기 발광다이오드(300)의 출사면에 대향된다. 즉, 상기 입사면(411)는 상기 출사면(412)보다 상기 발광다이오드(300)에 더 가깝다.The incident surface 411 faces the light emitting diodes 300. In more detail, the incident surface 411 is opposite to the emitting surface of the light emitting diode 300. That is, the incident surface 411 is closer to the light emitting diodes 300 than the emitting surface 412.

상기 출사면(412)는 상기 도광판(200)과 마주본다. 더 자세하게, 상기 출사면(412)는 상기 도광판(200)의 측면에 대향된다. 즉, 상기 출사면(412)는 상기 입사면(411)보다 상기 도광판(200)에 더 가깝다.The exit surface 412 faces the light guide plate 200. In more detail, the exit surface 412 is opposite to the side of the light guide plate 200. That is, the emission surface 412 is closer to the light guide plate 200 than the entrance surface 411.

상기 입사면(411) 및 상기 출사면(412)는 상기 호스트(440)를 사이에 두고 서로 마주본다. 즉, 상기 호스트(440)는 상기 입사면(411) 및 상기 출사면(412) 사이에 개재된다.The entrance face 411 and the exit face 412 face each other with the host 440 therebetween. That is, the host 440 is interposed between the incident surface 411 and the exit surface 412.

또한, 상기 튜브(410)는 상면(413) 및 하면(414)을 포함한다. 즉, 상기 튜브(410)의 외부 표면은 상기 상면(413) 및 상기 하면(414)을 포함한다.In addition, the tube 410 includes an upper surface 413 and a lower surface 414. That is, the outer surface of the tube 410 includes the top surface 413 and the bottom surface 414.

상기 튜브(410)의 상면(413)은 상기 입사면(411)으로부터 상기 출사면(412)으로 연장된다. 상기 튜브(410)의 하면(414)은 상기 입사면(411)으로부터 상기 출사면(412)으로 연장된다. 상기 튜브(410)의 상면(413) 및 상기 튜브(410)의 하면(414)은 서로 대향한다. 더 자세하게, 상기 튜브(410)의 상면(413) 및 상기 튜브(410)의 하면(414)은 상기 호스트(440) 및 상기 파장 변환 입자들(430)을 사이에 두고 서로 마주볼 수 있다.An upper surface 413 of the tube 410 extends from the incident surface 411 to the exit surface 412. The lower surface 414 of the tube 410 extends from the incident surface 411 to the exit surface 412. The upper surface 413 of the tube 410 and the lower surface 414 of the tube 410 face each other. In more detail, the upper surface 413 of the tube 410 and the lower surface 414 of the tube 410 may face each other with the host 440 and the wavelength conversion particles 430 interposed therebetween.

상기 튜브(410)의 상면(413) 및 상기 튜브(410)의 하면(414)은 상기 튜브(410)가 연장되는 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 튜브(410)의 입사면(411), 출사면(412), 상면(413) 및 하면(414)은 상기 호스트(440) 및 상기 파장 변환 입자들(430)을 둘러쌀 수 있다.An upper surface 413 of the tube 410 and a lower surface 414 of the tube 410 may extend in a direction in which the tube 410 extends. In addition, the entrance surface 411, the emission surface 412, the upper surface 413, and the lower surface 414 of the tube 410 may surround the host 440 and the wavelength conversion particles 430.

또한, 상기 튜브(410)의 상면(413)은 상기 발광다이오드(300)보다 더 높은 위치에 배치되고, 상기 튜브(410)의 하면(414)은 상기 발광다이오드(300)보다 더 낮은 위치에 배치될 수 있다.In addition, an upper surface 413 of the tube 410 is disposed at a higher position than the light emitting diodes 300, and a lower surface 414 of the tube 410 is disposed at a lower position than the light emitting diodes 300. Can be.

상기 튜브(410)는 투명하다. 상기 튜브(410)로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등을 들 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 유리 모세관일 수 있다.The tube 410 is transparent. Examples of the material used for the tube 410 include glass and the like. That is, the tube 410 may be a glass capillary tube.

상기 밀봉부(420)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 상기 밀봉부(420)는 상기 튜브(410)의 끝단에 배치된다. 상기 밀봉부(420)는 상기 튜브(410)의 내부를 밀봉한다. 상기 밀봉부(420)는 에폭시계 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다.The seal 420 is disposed inside the tube 410. The seal 420 is disposed at the end of the tube 410. The seal 420 seals the inside of the tube 410. The seal 420 may include an epoxy resin.

상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 호스트(440)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트(440)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다.The wavelength converting particles 430 are disposed in the tube 410. In more detail, the wavelength conversion particles 430 are uniformly dispersed in the host 440, and the host 440 is disposed inside the tube 410.

상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength conversion particles 430 convert the wavelength of light emitted from the light emitting diodes 300. The wavelength converting particles 430 receive light emitted from the light emitting diodes 300 to convert wavelengths. For example, the wavelength conversion particles 430 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 300 into green light and red light. That is, some of the wavelength converting particles 430 convert the blue light into green light having a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm, and another part of the wavelength converting particles 430 converts the blue light about 630. It can be converted into red light having a wavelength band between nm and about 660 nm.

이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.Alternatively, the wavelength conversion particles 430 may convert ultraviolet light emitted from the light emitting diodes 300 into blue light, green light, and red light. That is, some of the wavelength converting particles 430 convert the ultraviolet light into blue light having a wavelength band of about 430 nm to about 470 nm, and another of the wavelength converting particles 430 converts the ultraviolet light to about 520. It can be converted into green light having a wavelength band between nm and about 560 nm. In addition, another portion of the wavelength conversion particles 430 may convert the ultraviolet light into red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

즉, 상기 발광다이오드(300)가 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(430)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드(300)가 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(430)이 사용될 수 있다.That is, when the light emitting diodes 300 are blue light emitting diodes for generating blue light, wavelength converting particles 430 for converting blue light into green light and red light may be used. Alternatively, when the light emitting diodes 300 are UV light emitting diodes that generate ultraviolet rays, wavelength converting particles 430 for converting ultraviolet rays into blue light, green light, and red light may be used.

상기 파장 변환 입자들(430)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The wavelength converting particles 430 may be a plurality of quantum dots (QDs). The quantum dot may include a core nanocrystal and a shell nanocrystal surrounding the core nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. More specifically, the core nanocrystals may include Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. In addition, the shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The diameter of the quantum dot may be 1 nm to 10 nm.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.The wavelength of the light emitted from the quantum dot can be adjusted according to the size of the quantum dot. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike general fluorescent dyes, the quantum dots vary in fluorescence wavelength depending on the particle size. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher than that of a general dye, and the quantum yield is also high, it produces very high fluorescence.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

상기 호스트(440)는 상기 파장 변환 입자들(430)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트(440)는 상기 파장 변환 입자들(430)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트(440)는 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트(440)는 투명하다. 즉, 상기 호스트(440)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.The host 440 surrounds the wavelength conversion particles 430. That is, the host 440 uniformly disperses the wavelength conversion particles 430 therein. The host 440 may be comprised of a polymer. The host 440 is transparent. That is, the host 440 may be formed of a transparent polymer.

상기 호스트(440)는 상기 튜브(410) 내부에 배치된다. 즉, 상기 호스트(440)는 전체적으로 상기 튜브(410) 내부에 채워진다. 상기 호스트(440)는 상기 튜브(410)의 내면에 밀착될 수 있다.The host 440 is disposed within the tube 410. That is, the host 440 is entirely filled in the tube 410. The host 440 may be in close contact with the inner surface of the tube 410.

상기 밀봉부(420) 및 상기 호스트(440) 사이에는 공기층(450)이 형성된다. 상기 공기층(450)에는 질소로 채워진다. 상기 공기층(450)은 상기 밀봉부(420) 및 상기 호스트(440) 사이에서 완충 기능을 수행한다.An air layer 450 is formed between the sealing part 420 and the host 440. The air layer 450 is filled with nitrogen. The air layer 450 performs a buffer function between the seal 420 and the host 440.

상기 반사부(460)는 상기 튜브(410)의 외부 표면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사부(460)는 상기 튜브(410)의 표면에 코팅된다. 상기 반사부(460)는 상기 튜브(410)의 외부 표면의 일부를 덮고, 일부를 노출시킬 수 있다.The reflector 460 is disposed on an outer surface of the tube 410. In more detail, the reflector 460 is coated on the surface of the tube 410. The reflector 460 may cover a portion of the outer surface of the tube 410 and may expose a portion.

상기 반사부(460)는 높은 반사율을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사부(460)로 사용되는 물질의 예로서는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 등과 같은 금속 등을 들 수 있다. 상기 반사부(460)의 두께는 약 0.5㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다.The reflector 460 may be formed of a material having a high reflectance. Examples of the material used as the reflector 460 include a metal such as silver (Ag) or aluminum (Al). The reflector 460 may have a thickness of about 0.5 μm to about 10 μm.

또한, 상기 반사부(460)는 높은 열 전도율을 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 반사부(460)는 상기 발광다이오드(300)로부터 발생되는 열을 용이하게 방출시킬 수 있다. 상기 반사부(460)는 제 1 반사부(461), 제 2 반사부(462) 및 제 3 반사부(463)를 포함한다.In addition, the reflector 460 may have a high thermal conductivity. Accordingly, the reflector 460 may easily emit heat generated from the light emitting diodes 300. The reflector 460 includes a first reflector 461, a second reflector 462, and a third reflector 463.

상기 제 1 반사부(461)는 상기 튜브(410)의 외부 표면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 반사부(461)는 상기 입사면(411)에 배치된다. 상기 제 1 반사부(461)는 상기 튜브(410) 및 상기 발광다이오드(300) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 반사부(461)는 상기 입사면(411)에 코팅된다.The first reflecting portion 461 is disposed on an outer surface of the tube 410. In more detail, the first reflecting unit 461 is disposed on the incident surface 411. The first reflector 461 is disposed between the tube 410 and the light emitting diodes 300. In more detail, the first reflecting portion 461 is coated on the incident surface 411.

상기 제 1 반사부(461)는 상기 발광다이오드(300)에 각각 대응되는 오픈 영역들(OR)을 포함한다. 상기 오픈 영역들(OR)의 상기 발광다이오드(300)의 출사면에 각각 대응된다. 상기 오픈 영역들(OR)의 면적은 상기 발광다이오드(300)의 출사면의 면적보다 더 클 수 있다. 상기 오픈 영역들(OR)은 상기 튜브(410)의 입사면(411)을 노출시킨다. 즉, 상기 오픈 영역들(OR)은 상기 제 1 반사부(461)를 관통한다.The first reflector 461 includes open regions OR corresponding to the light emitting diodes 300, respectively. Corresponding to the exit surfaces of the light emitting diodes 300 in the open areas OR, respectively. Areas of the open areas OR may be larger than areas of the emission surface of the light emitting diodes 300. The open regions OR expose the incident surface 411 of the tube 410. That is, the open regions OR penetrate the first reflecting portion 461.

상기 제 2 반사부(462)는 상기 튜브(410)의 외부 표면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 반사부(462)는 상기 튜브(410)의 상면(413)에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 반사부(462)는 상기 튜브(410)의 상면(413)에 코팅된다. 상기 제 2 반사부(462)는 상기 튜브(410)의 상면(413) 전체를 덮을 수 있다.The second reflector 462 is disposed on an outer surface of the tube 410. In more detail, the second reflector 462 is disposed on the top surface 413 of the tube 410. In more detail, the second reflector 462 is coated on the top surface 413 of the tube 410. The second reflector 462 may cover the entire upper surface 413 of the tube 410.

상기 제 3 반사부(463)는 상기 튜브(410)의 외부 표면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 3 반사부(463)는 상기 튜브(410)의 하면(414)에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 3 반사부(463)는 상기 튜브(410)의 하면(414)에 코팅된다. 상기 제 3 반사부(463)는 상기 튜브(410)의 하면(414) 전체를 덮을 수 있다.The third reflector 463 is disposed on an outer surface of the tube 410. In more detail, the third reflector 463 is disposed on the bottom surface 414 of the tube 410. In more detail, the third reflector 463 is coated on the bottom surface 414 of the tube 410. The third reflector 463 may cover the entire lower surface 414 of the tube 410.

상기 제 1 반사부(461), 상기 제 2 반사부(462) 및 상기 제 3 반사부(463)는 일체로 형성될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 제 1 반사부(461), 상기 제 2 반사부(462) 및 상기 제 3 반사부(463)는 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.The first reflecting unit 461, the second reflecting unit 462, and the third reflecting unit 463 may be integrally formed. Alternatively, the first reflector 461, the second reflector 462, and the third reflector 463 may be formed of different materials.

상기 반사부(460)는 상기 호스트(440) 및 튜브(410)로부터 상방, 하방 또는 상기 발광다이오드(300) 방향으로 출사되는 광을 반사시킨다. 이에 따라서, 상기 반사부(460)에 의해서, 상기 파장 변환 부재(400)로부터 새는 광이 감소될 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)로부터 상기 도광판(200)으로 입사되는 광의 양이 상기 반사부(460)에 의해서 증가될 수 있다.The reflector 460 reflects light emitted from the host 440 and the tube 410 upwards, downwards, or toward the light emitting diodes 300. Accordingly, light leaking from the wavelength conversion member 400 may be reduced by the reflector 460. That is, the amount of light incident from the wavelength conversion member 400 to the light guide plate 200 may be increased by the reflector 460.

상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)에 접착된다. 상기 파장 변환 부재(400) 및 상기 발광다이오드(300) 사이에는 제 1 접착층(101)이 개재된다. 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 제 1 접착층(101)을 통하여, 상기 발광다이오드(300)의 출사면에 접착될 수 있다.The wavelength conversion member 400 is attached to the light emitting diodes 300. A first adhesive layer 101 is interposed between the wavelength conversion member 400 and the light emitting diodes 300. The wavelength conversion member 400 may be attached to an emission surface of the light emitting diode 300 through the first adhesive layer 101.

또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)에 접착된다. 상기 파장 변환 부재(400) 및 상기 도광판(200) 사이에는 제 2 접착층(201)이 개재되고, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 제 2 접착층(201)을 통하여, 상기 도광판(200)의 입사면에 접착된다.In addition, the wavelength conversion member 400 is adhered to the light guide plate 200. A second adhesive layer 201 is interposed between the wavelength conversion member 400 and the light guide plate 200, and the wavelength conversion member 400 enters the light guide plate 200 through the second adhesive layer 201. Adheres to cotton.

상기 제 1 접착층(101) 및 상기 제 2 접착층(201)에 의해서, 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광은 공기층을 통과하지 않고, 상기 파장 변환 부재(400)를 통과하여, 상기 도광판(200)에 입사될 수 있다.By the first adhesive layer 101 and the second adhesive layer 201, the light emitted from the light emitting diodes 300 does not pass through the air layer, but passes through the wavelength conversion member 400, thereby providing the light guide plate 200. May be incident on

상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 통과하는 광의 특성을 향상시킨다.The optical sheets 500 are disposed on the light guide plate 200. The optical sheets 500 improve the characteristics of light passing therethrough.

상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 발광다이오드(300)에 전기적으로 연결된다. 상기 발광다이오드(300)를 실장할 수 있다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 연성인쇄회로기판이며, 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치된다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다.The flexible printed circuit board 600 is electrically connected to the light emitting diode 300. The light emitting diode 300 can be mounted. The flexible printed circuit board 600 is a flexible printed circuit board, and is disposed inside the mold frame 10. The flexible printed circuit board 600 is disposed on the light guide plate 200.

상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)에 의해서 백라이트 유닛이 구성된다. 즉, 상기 백라이트 유닛은 상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)를 포함한다.The mold frame 10 and the backlight assembly 20 constitute a backlight unit. That is, the backlight unit includes the mold frame 10 and the backlight assembly 20.

상기 액정패널(30)은 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되고, 상기 광학시트들(500)상에 배치된다.The liquid crystal panel 30 is disposed inside the mold frame 10 and disposed on the optical sheets 500.

상기 액정패널(30)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(300)은 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(30)은 TFT기판, 컬러필터기판, 두 기판들 사이에 개재되는 액정층 및 편광필터들을 포함한다.The liquid crystal panel 30 displays an image by adjusting the intensity of light passing through the liquid crystal panel 30. That is, the liquid crystal panel 300 is a display panel for displaying an image. The liquid crystal panel 30 includes a TFT substrate, a color filter substrate, a liquid crystal layer interposed between the two substrates, and polarizing filters.

도 6 내지 도 8은 실시예에 따른 파장 변환 부재(400)를 제조하는 공정을 도시한 도면들이다. 상기 파장 변환 부재(400)는 다음과 같은 방법에 의해서 형성될 수 있다.6 to 8 are views illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion member 400 according to the embodiment. The wavelength conversion member 400 may be formed by the following method.

도 6을 참조하면, 다수 개의 튜브들(410)이 서로 접촉된다. 이때, 상기 튜브들(410)의 입사면(411) 및 출사면(412)이 서로 접촉된다. 상기 튜브들(410)은 서로 밀착될 수 있다. 또한, 상기 튜브들(410) 중 최외곽에 배치되는 튜브들(410)에는 제 1 지지 부재(41) 및 제 2 지지 부재(42)가 각각 접촉될 수 있다.Referring to FIG. 6, a plurality of tubes 410 are in contact with each other. In this case, the incident surface 411 and the exit surface 412 of the tubes 410 are in contact with each other. The tubes 410 may be in close contact with each other. In addition, the first support member 41 and the second support member 42 may be in contact with the tubes 410 disposed at the outermost of the tubes 410, respectively.

도 7을 참조하면, 상기 튜브들(410)의 상면(413) 및 하면(414)에 은 또는 알루미늄 등과 같은 금속이 증착된다. 상기 금속은 스퍼터링 공정에 의해서 증착될 수 있다. 이에 따라서, 제 2 반사부(462) 및 제 3 반사부(463)가 상기 튜브들(410)의 상면(413) 및 하면(414)에 각각 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7, metals such as silver or aluminum are deposited on the top and bottom surfaces 413 and 414 of the tubes 410. The metal may be deposited by a sputtering process. Accordingly, the second reflector 462 and the third reflector 463 may be formed on the upper surface 413 and the lower surface 414 of the tubes 410, respectively.

도 8을 참조하면, 상기 튜브들(410)의 입사면(411)에 은 또는 알루미늄 등의 금속이 증착된다. 이때, 상기 금속은 마스크(50)를 통하여, 증착된다. 이에 따라서, 상기 튜브들(410)의 입사면(411)에는 제 1 반사부(461)가 형성된다. 상기 마스크(50)는 오픈 영역들(OR)이 형성되도록, 발광다이오드(300)에 대응되는 영역에는 상기 금속이 증착되지 않게 할 수 있다.Referring to FIG. 8, metal such as silver or aluminum is deposited on the incident surface 411 of the tubes 410. In this case, the metal is deposited through the mask 50. Accordingly, a first reflecting portion 461 is formed on the incident surface 411 of the tubes 410. The mask 50 may prevent the metal from being deposited in a region corresponding to the light emitting diode 300 so that open regions OR are formed.

이후, 수지 조성물에 상기 파장 변환 입자들(430)이 균일하게 분산된다. 상기 수지 조성물은 투명하다. 상기 수지 조성물은 광 경화성을 가질 수 있다.Thereafter, the wavelength conversion particles 430 are uniformly dispersed in the resin composition. The said resin composition is transparent. The resin composition may have photocurability.

이후, 상기 튜브(410)의 내부는 감압되고, 상기 파장 변환 입자들(430)이 분산된 수지 조성물에 상기 튜브(410)의 입구가 잠기고, 주위의 압력이 상승된다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 입자들(430)이 분산된 수지 조성물은 상기 튜브(410) 내부로 유입된다.Thereafter, the inside of the tube 410 is depressurized, the inlet of the tube 410 is immersed in the resin composition in which the wavelength conversion particles 430 are dispersed, and the pressure around it is raised. Accordingly, the resin composition in which the wavelength conversion particles 430 are dispersed is introduced into the tube 410.

상기 튜브(410) 내로 유입된 수지 조성물의 일부가 제거되고, 상기 튜브(410)의 입구 부분이 비워진다. 이후, 상기 튜브(410) 내로 유입된 수지 조성물은 자외선 등에 의해서 경화되고, 상기 호스트(440)가 형성된다.A portion of the resin composition introduced into the tube 410 is removed, and the inlet portion of the tube 410 is empty. Thereafter, the resin composition introduced into the tube 410 is cured by ultraviolet rays, and the host 440 is formed.

상기 튜브(410)의 입구 부분에 에폭시계 수지 조성물이 유입된다. 이후, 유입된 에폭시계 수지 조성물은 경화되고, 상기 밀봉부(420)가 형성된다. 상기 밀봉부(420)가 형성되는 공정은 질소 분위기에서 진행되고, 이에 따라서, 질소를 포함하는 공기층(450)이 상기 밀봉부(420) 및 상기 호스트(440) 사이에 형성될 수 있다.An epoxy resin composition flows into the inlet portion of the tube 410. Thereafter, the introduced epoxy resin composition is cured, and the sealing part 420 is formed. The process of forming the seal 420 is performed in a nitrogen atmosphere. Accordingly, an air layer 450 including nitrogen may be formed between the seal 420 and the host 440.

상기 튜브(410)에 반사부(460)가 형성된 후, 상기 수지 조성물이 상기 튜브(410)에 주입되는 것으로 기술하였지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 상기 튜브(410) 내에 상기 호스트(440) 및 상기 밀봉부(420)가 형성된 후, 상기 반사부(460)가 상기 튜브(410)의 외부 표면에 형성될 수 있다.After the reflective part 460 is formed in the tube 410, the resin composition is described as being injected into the tube 410, but the present invention is not limited thereto. That is, after the host 440 and the sealing part 420 are formed in the tube 410, the reflecting part 460 may be formed on the outer surface of the tube 410.

이와 같은 방식으로, 상기 파장 변환 부재(400)가 형성될 수 있다.In this manner, the wavelength conversion member 400 may be formed.

앞서 설명한 바와 같이, 상기 반사부(460)는 상기 파장 변환 부재(400)를 통과한 광을 반사시켜서, 상기 도광판(200)에 입사시킨다. 또한, 상기 반사부(460)는 상기 파장 변환 부재(400)에 의해서 변환된 광을 반사시켜, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.As described above, the reflector 460 reflects the light passing through the wavelength conversion member 400 and enters the light guide plate 200. In addition, the reflector 460 reflects the light converted by the wavelength conversion member 400 and enters the light guide plate 200.

이에 따라서, 상기 반사부(460)는 광이 상방, 하방 및/또는 상기 발광다이오드(300) 방향으로 새는 것을 방지하고, 보다 많은 광을 상기 도광판(200)에 입사시킨다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 휘도를 가질 수 있다.Accordingly, the reflector 460 prevents light from leaking upwards, downwards, and / or toward the light emitting diodes 300, and causes more light to enter the light guide plate 200. Thus, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved luminance.

또한, 상기 반사부(460)는 열전도율이 높은 금속으로 이루어질 수 있다. 이에 따라서, 상기 반사부(460)는 상기 발광다이오드(300)로부터 발생되는 열을 효과적으로 전달하여, 이를 방출시킬 수 있다.In addition, the reflector 460 may be formed of a metal having high thermal conductivity. Accordingly, the reflector 460 may effectively transfer heat generated from the light emitting diodes 300 to emit the heat.

따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 내구성 및 신뢰성을 가질 수 있다.
Therefore, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved durability and reliability.

도 9는 제 2 실시예에 따른 발광다이오드, 파장 변환 부재 및 도광판을 도시한 사시도이다. 도 10은 발광다이오드, 파장 변환 부재 및 도광판의 단면을 도시한 단면도이다. 도 11은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면이다. 본 실시예에서는 앞선 실시예에 대한 설명을 참조하고, 파장 변환 부재에 대해서 추가적으로 설명한다. 즉, 앞선 실시예에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.9 is a perspective view illustrating a light emitting diode, a wavelength conversion member, and a light guide plate according to the second embodiment. 10 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light emitting diode, the wavelength conversion member, and the light guide plate. 11 is a view illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion member according to the second embodiment. In this embodiment, referring to the description of the foregoing embodiment, the wavelength conversion member will be further described. That is, the description of the foregoing embodiment may be essentially combined with the description of the present embodiment except for the changed part.

도 9 및 도 10을 참조하면, 튜브(410)의 상면(413) 및 하면(414)은 상기 튜브(410)의 입사면(411) 및 출사면(412)에 대하여 경사진다. 특히, 상기 튜브(410)의 상면(413) 및 상기 튜브(410)의 하면(414) 사이의 거리는 상기 입사면(411)으로부터 멀어질수록 점점 더 커질 수 있다. 이에 따라서, 상기 입사면(411)의 폭은 상기 출사면(412)의 폭보다 더 작을 수 있다.9 and 10, the upper surface 413 and the lower surface 414 of the tube 410 are inclined with respect to the entrance surface 411 and the exit surface 412 of the tube 410. In particular, the distance between the upper surface 413 of the tube 410 and the lower surface 414 of the tube 410 may become larger as the distance from the incident surface 411. Accordingly, the width of the incident surface 411 may be smaller than the width of the exit surface 412.

상기 반사부(460)는 상기 상면(413) 및 상기 하면(414)에 배치된다. 이에 따라서, 상기 반사부(460)는 상기 튜브(410)의 입사면(411)에 대하여 경사질 수 있다.The reflector 460 is disposed on the upper surface 413 and the lower surface 414. Accordingly, the reflector 460 may be inclined with respect to the incident surface 411 of the tube 410.

도 11을 참조하면, 서로 인접하는 튜브들의 입사면이 서로 접촉되고, 서로 인접하는 튜브들의 출사면이 서로 접촉된다. 즉, 입사면끼러 서로 접촉되고, 출사면끼리 서로 접촉된다.Referring to FIG. 11, entrance surfaces of tubes adjacent to each other are in contact with each other, and exit surfaces of tubes adjacent to each other are in contact with each other. That is, the entrance surfaces are in contact with each other, and the emission surfaces are in contact with each other.

이후, 상기 튜브(410)의 상면(413) 및 하면(414)에 금속이 증착되어, 제 2 반사부(462) 및 제 3 반사부(463)가 형성된다. 이후, 호스트(440) 및 밀봉부(420)가 형성될 수 있다.Subsequently, metal is deposited on the upper surface 413 and the lower surface 414 of the tube 410 to form a second reflector 462 and a third reflector 463. Thereafter, the host 440 and the seal 420 may be formed.

상기 파장 변환 부재(400)는 방사형 구조를 가지고, 경사지는 면에 상기 반사부(460)가 형성된다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(400)는 도광판(200)에 효과적으로 광을 입사시킬 수 있고, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 휘도 및 휘도 균일성을 가질 수 있다.The wavelength conversion member 400 has a radial structure, and the reflector 460 is formed on an inclined surface. Accordingly, the wavelength conversion member 400 may effectively inject light into the light guide plate 200, and the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment may have improved luminance and luminance uniformity.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (11)

광원; 및
상기 광원에 인접하여 배치되는 파장 변환 부재를 포함하고,
상기 파장 변환 부재는
상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 파장 변환 입자들;
상기 파장 변환 입자들을 수용하는 튜브; 및
상기 튜브의 적어도 일 면에 형성되는 반사부를 포함하는 표시장치.Light source; And
A wavelength conversion member disposed adjacent to the light source,
The wavelength conversion member
Wavelength converting particles for converting wavelengths of light emitted from the light source;
A tube containing the wavelength conversion particles; And
And a reflector formed on at least one surface of the tube. 제 1 항에 있어서, 상기 반사부는 금속을 포함하는 표시장치.The display device of claim 1, wherein the reflector comprises a metal. 제 1 항에 있어서, 상기 광원으로부터 출사되는 광이 입사되는 도광판; 및
상기 도광판 상에 배치되는 표시패널을 더 포함하고,
상기 튜브는
상기 광원에 대향하는 제 1 면;
상기 도광판에 대향하는 제 2 면;
상기 제 1 면으로부터 상기 제 2 면까지 연장되는 제 3 면; 및
상기 제 1 면으로부터 상기 제 2 면까지 연장되고, 상기 제 3 면에 대향하는 제 4 면을 포함하는 표시장치.The light source of claim 1, further comprising: a light guide plate on which light emitted from the light source is incident; And
The display panel may further include a display panel on the light guide plate.
The tube is
A first surface opposite the light source;
A second surface facing the light guide plate;
A third surface extending from the first surface to the second surface; And
And a fourth surface extending from the first surface to the second surface and opposing the third surface. 제 3 항에 있어서, 상기 반사부는 상기 제 3 면 및 상기 제 4 면에 배치되는 표시장치.The display device of claim 3, wherein the reflector is disposed on the third and fourth surfaces. 제 3 항에 있어서, 상기 제 3 면 및 상기 제 4 면은 상기 제 1 면에 대하여 경사지고,
상기 반사부는 상기 제 3 면 및 상기 제 4 면에 배치되는 표시장치.The method of claim 3, wherein the third surface and the fourth surface is inclined with respect to the first surface,
The display unit is disposed on the third surface and the fourth surface. 제 3 항에 있어서, 상기 반사부는 상기 제 1 면에 배치되고,
상기 반사부는 상기 제 1 면을 노출시키는 오픈 영역을 포함하고,
상기 오픈 영역은 상기 광원에 대응하는 표시장치.The method of claim 3, wherein the reflecting portion is disposed on the first surface,
The reflector includes an open area exposing the first surface,
And the open area corresponds to the light source. 제 1 항에 있어서, 상기 반사부는 은 또는 알루미늄을 포함하는 표시장치.The display device of claim 1, wherein the reflector comprises silver or aluminum. 다수 개의 튜브들에 반사부를 형성하고,
상기 튜브들 내에 다수 개의 파장 변환 입자들을 배치시키는 것을 포함하는 파장 변환 부재의 제조방법.Forming a reflector in the plurality of tubes,
Disposing a plurality of wavelength converting particles in the tubes. 제 8 항에 있어서, 상기 튜브들을 서로 접촉시키고,
상기 튜브들이 접촉된 상태에서, 금속이 증착되어, 상기 반사부가 형성되는 파장 변환 부재의 제조방법.The method of claim 8, wherein the tubes are brought into contact with each other,
In the state in which the tubes are in contact with the metal, the method of manufacturing a wavelength conversion member is formed by depositing a metal. 제 9 항에 있어서, 상기 튜브들은
서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면;
상기 제 1 면으로부터 상기 제 2 면으로 연장되는 제 3 면; 및
상기 제 1 면으로부터 상기 제 2 면으로 연장되는 제 4 면을 포함하고,
상기 제 3 면 및 상기 제 4 면은 상기 제 1 면에 대하여 경사지고,
서로 인접하는 튜브들의 제 1 면들이 서로 접촉되고, 서로 인접하는 튜브들의 제 2 면들이 서로 접촉되는 파장 변환 부재의 제조방법.10. The method of claim 9, wherein the tubes
First and second sides opposing each other;
A third face extending from the first face to the second face; And
A fourth face extending from the first face to the second face,
The third and fourth surfaces are inclined with respect to the first surface,
A method of manufacturing a wavelength conversion member in which first surfaces of tubes adjacent to each other are in contact with each other, and second surfaces of tubes adjacent to each other are in contact with each other. 제 8 항에 있어서, 상기 튜브들에 마스크가 배치되고,
상기 마스크를 통하여 상기 튜브들에 금속이 증착되어, 상기 반사부가 형성되는 파장 변환 부재의 제조방법.The method of claim 8, wherein a mask is disposed in the tubes,
The metal is deposited on the tubes through the mask, the method of manufacturing a wavelength conversion member is formed.
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