KR101178504B1 - 기판 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 제조 방법에 관한 것으로, 기초 기판의 적어도 측면에 보호층을 형성하는 단계와, 기초 기판의 상면으로부터 질화물층을 성장시키는 단계와, 보호층을 제거하는 단계와, 기초 기판과 질화물층을 분리하여 질화물 기판을 제조하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 기판 제조 방법에 관한 것으로, 특히 프리 스탠딩(free standing) 질화물 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 반도체 공정 기술을 이용하여 소정의 기판 상에 파워 소자, 발광 소자, 수광 소자 등의 전자 소자를 구현한 전자 부품의 하나이다. 예를 들어, 파워 소자는 기판 상에 트랜지스터, MOSFET, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 숏트키 다이오드 등이 구현되고, 수광 소자는 기판 상에 태양 전지, 포토 센서 등이 구현된다.
특히, 갈륨질화물(GaN) 등의 질화물 반도체는 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. 질화물 반도체를 이용한 LED 또는 LD는 청색 또는 녹색 파장대의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 이러한 발광 소자는 전광판, 조명 장치 등의 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
이러한 GaN 등의 질화물 반도체를 이용한 발광 소자는 주로 사파이어를 기판으로 이용하고 사파이어 기판 상에 질화물층을 형성한다. 그러나, 사파이어와 질화물층은 격자 상수 및 열 팽창 계수가 차이나고, 그로 인해 사파이어 기판 상에 질화물층을 형성하면 결정성 결함이 발생하는 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 프리 스탠딩(free standing) 질화물 기판을 제조하고, 이를 이용하여 발광 소자를 제조하려고 시도되고 있다. 프리 스탠딩 질화물 기판은 사파이어 기판 상부에 질화물층을 성장시킨 후 사파이어 기판으로 레이저를 조사하여 레이저 광에 의한 열 에너지에 의해 사파이어 기판과 질화물층을 분리하여 제조하게 된다. 즉, 레이저 광에 의한 열 에너지가 질화물층과 사파이어 기판의 경계면에서 집중되고, 집중된 열 에너지에 의해 N2 분자가 외부로 토출됨으로써 질화물층과 사파이어 기판이 분리된다.
그러나, 사파이어 기판 상에 GaN 등의 질화물층 성장시키면 사파이어 기판의 상면에는 단결정 질화물층이 성장되고, 사파이어 기판의 측면에는 다결정 질화물층이 성장된다. 즉, 경면 처리된 사파이어 기판의 상면에는 시드층의 성장에 의해 단결정 질화물층이 성장되고, 경면 처리되지 않은 사파이어 기판의 측면에는 시드층이 성장되지 않아 다결정 질화물층이 성장된다. 이렇게 다결정 질화물층이 성장되면 레이저가 조사되어도 다결정 질화물층이 성장된 사파이어 기판의 측면 부분은 분리되지 않게 된다. 따라서, 단결정 질화물층과 사파이어 기판과의 계면에서 깨짐이 발생하거나, N2 분자가 외부로 원활히 빠져나오지 못하게 됨으로써 리프트 오프가 어렵게 되고, N2 분자의 부분압 상승으로 인하여 단결정 질화물층에서도 깨짐이 발생할 수 있다.
본 발명은 품질이 우수한 질화물 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 사파이어 기판의 측면에 다결정 질화물층이 성장되는 것을 억제하여 상기 문제점을 해결할 수 있는 기판 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 사파이어 기판의 측면에 보호층을 형성하고 질화물층을 성장시킨 후 보호층을 제거함으로써 보호층이 제거될 때 보호층 상에 성장되는 다결정 질화물층이 제거되도록 하는 기판 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따른 기판 제조 방법은 기초 기판의 적어도 측면에 보호층을 형성하는 단계; 상기 기초 기판의 상면으로부터 질화물층을 성장시키는 단계; 상기 보호층을 제거하는 단계; 및 상기 기초 기판과 질화물층을 분리하여 질화물 기판을 제조하는 단계를 포함한다.
상기 기초 기판은 사파이어, SiC 기판을 포함한다.
상기 보호층은 상기 기초 기판 및 상기 질화물층 각각과의 식각 선택비가 높은 물질로 형성하고, 상기 보호층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 포함한다.
상기 보호층은 상기 기초 기판의 상면의 적어도 일부에 더 형성하고, 상기 보호층은 상기 기초 기판의 후면에 더 형성한다.
상기 기초 기판은 상기 상면이 경면 처리되고, 상기 질화물층은 상기 경면 처리된 상기 상면 상에 단결정 질화물층이 형성되고, 상기 보호층 상에 다결정 질화물층이 형성된다.
상기 보호층 제거와 함께 상기 보호층 상에 형성된 상기 다결정 질화물층이 제거된다.
본 발명은 사파이어 기판 등의 기초 기판의 측면 및 일부 상면에 보호층을 형성하고 기초 기판의 상면 상에 단결정 질화물층을 성장시킨 후 보호층을 제거함으로써 기초 기판 측면의 보호층 상에 성장된 다결정 질화물층도 함께 제거시킨다.
따라서, 이후 레이저 조사를 이용한 분리 공정에서 기초 기판의 측면에 다결정 질화물층이 존재하지 않기 때문에 기초 기판과 질화물층을 용이하게 분리할 수 있고, 단결정 질화물층의 깨짐 현상을 방지할 수 있다. 또한, 결정 결함이 적은 단결정 질화물 기판을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 제조 방법에 이용되는 증착 장치의 개략도.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 제조 방법을 설명하기 위한 순서적으로 도시한 단면도.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 단면도.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 제조 방법을 설명하기 위한 순서적으로 도시한 단면도.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다. 또한, 층, 막, 영역 등의 부분이 다른 부분 “상부에” 또는 “상에” 있다고 표현되는 경우는 각 부분이 다른 부분의 “바로 상부” 또는 “바로 위에” 있는 경우뿐만 아니라 각 부분과 다른 부분의 사이에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 제조 방법에 이용되는 증착 장치의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 이용되는 증착 장치는 소정의 반응 공간을 마련하는 챔버(10)와, 챔버(10) 내에 마련되어 기초 기판(110)이 안착되는 서셉터(20)를 포함한다. 또한, 챔버(10)의 일 측면에는 증착하고자 하는 물질층에 따른 소오스 가스를 공급하기 위한 제 1 가스 공급관(30)과 제 2 가스 공급관(40)이 이격되어 마련되고, 타 측면에는 챔버(10) 내의 가스를 배출하기 위한 가스 배출관(50)이 마련된다. 그리고, 제 2 가스 공급관(40) 내에는 증착하고자 하는 물질층에 따른 갈륨 등의 원료 물질(70)이 수용되어 있는 보트(60)가 마련된다.
이러한 증착 장치를 이용하여 예를 들어 기초 기판(110) 상에 GaN층을 형성하기 위해서는 제 1 가스 공급관(30)을 통해 질소 함유 가스, 예를 들어 NH3 가스가 공급되고, 제 2 가스 공급관(40)을 통해 HCl 가스가 공급된다. 이때, HCl 가스가 제 2 가스 공급관(40)으로 공급될 때 보트(60) 내로부터 승화된 갈륨과 반응하여 GaCl 가스가 생성되어 챔버(10) 내부로 토출된다. 따라서, 제 1 가스 공급관(30)을 통해 공급되는 NH3 가스와 제 2 가스 공급관(40)을 통해 공급되는 GaCl 가스가 챔버(10) 내부에서 반응하여 기초 기판(110) 상에 GaN층이 성장된다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기초 기판(110)의 상면 및 측면에 보호층(120)을 형성한다. 기초 기판(110)은 서로 대향되는 상면 및 하면을 구비하고, 상면과 하면 사이에 마련된 측면을 구비한 소정 면적을 갖는 플레이트 형상을 갖는다. 이러한 기초 기판(110)은 사파이어, SiC 등의 기판을 이용할 수 있고, 적어도 일면이 경면 처리된다. 즉, 기초 기판(110)은 단결정 질화물층이 성장되도록 하기 위해 예를 들어 상면이 경면 처리된다. 또한, 보호층(120)은 기초 기판(110)의 경면 처리된 일면, 즉 상면에 형성되며, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4) 등의 물질을 이용할 수 있다. 물론, 보호층(120)은 이에 한정되지 않고 기초 기판(110)과 이후 형성될 질화물층과의 식각 선택비가 큰 물질을 이용할 수 있다. 예를 들어 소정의 에천트에 의해 보호층(120)과 기초 기판(110), 그리고 보호층(120)과 질화물층이 각각 적어도 10:1 이상의 식각 선택비를 갖는 물질을 보호층(120)으로 이용한다. 보호층(120)은 기초 기판(110) 상면에 측면보다 두껍게 증착된다. 또한, 기초 기판(110) 상에 보호층(120)을 형성하기 위해 화학기상증착 공정을 이용할 수 있는데, 예를 들어 실리콘 산화물을 형성하는 경우 SiH4 가스와 산소 가스를 이용하여 형성할 수 있다. 물론, 보호층(120)은 도 1에 제시된 증착 장치를 이용하여 형성할 수도 있는데, 이 경우 제 1 가스 유입관(30) 및 제 2 가스 유입관(40)으로 SiH4 가스와 산소 가스를 각각 공급하여 형성할 수 있다.
도 3을 참조하면, 보호층(120)의 선택된 영역을 제거하여 기초 기판(110)의 상면을 노출시킨다. 이를 위해 예를 들어 보호층(120) 상에 감광막(미도시)을 형성하고 소정의 마스크를 이용한 사진 및 현상 공정으로 감광막을 패터닝한 후 패터닝된 감광막을 식각 마스크로 보호층(120)을 식각할 수 있다. 이때, 보호층(120)은 기초 기판(110)의 가장자리와 측면에 잔류하게 되는데, 기초 기판(110)의 가장자리에 예를 들어 1㎛의 폭으로 잔류할 수 있다. 물론, 기초 기판(110)의 이용 면적, 즉 이후 성장될 질화물층의 면적을 증가시키기 위해 보호층(120)의 잔류 면적을 최소화하는 것이 바람직하고, 기초 기판(110)의 가장자리에 보호층(120)이 잔류하지 않도록 하는 것이 더욱 바람직하다.
도 4를 참조하면, 기초 기판(110)의 상면으로부터 질화물층(130)을 성장시킨다. 질화물층(130)은 예를 들어 GaN층으로 형성할 수 있다. 또한, 질화물층(130)은 도 1에 도시된 장치를 이용하여 형성할 수 있다. 즉, 질화물층(130)으로 GaN층을 형성하기 위해 제 2 가스 공급관(40) 내에 갈륨(70)이 수용된 보트(60)를 마련하고, 제 1 가스 공급관(30)을 통해 NH3 가스를 공급하며, 제 2 가스 공급관(40)을 통해 HCl 가스를 공급한다. 따라서, HCl 가스가 제 2 가스 공급관(40)을 흐를 때 승화된 갈륨과 반응하여 GaCl 가스가 생성되어 챔버(10) 내부로 공급되고, 제 1 가스 공급관(30)을 통해 공급되는 NH3 가스와 챔버(10) 내에서 반응하여 기초 기판(110) 상에 GaN층의 질화물층(130)이 성장된다. 물론, 질화물층(130)은 상기 도 1의 장치를 이용한 방법 이외에 다양한 방법을 이용하여 형성할 수도 있는데, 예를 들어 MOCVD 방법 등 CVD 방법을 이용하여 형성할 수도 있다. 여기서, 질화물층(130)은 기초 기판(110)의 상면으로부터 단결정 질화물층(130a)이 성장되고, 기초 기판(110)의 측면으로부터 다결정 질화물층(130b)이 성장된다. 즉, 경면 연마된 기초 기판(110)의 상면에는 시드(seed)가 형성되고 시드로부터 성장되기 때문에 단결정 질화물층(130a)이 형성된다. 반면, 기초 기판(110)의 측면, 즉 보호층(120) 상에는 시드가 형성되지 않기 때문에 다결정 질화물층(130b)이 형성된다. 이때, 기초 기판(110) 상면의 단결정 질화물층(130a)은 측면의 다결정 질화물층(130b)보다 두껍게 성장된다. 또한, 측면의 다결정 질화물층(130b)은 불규칙하게 형성된다. 한편, 기초 기판(110)의 상부에 잔류하는 보호층(120)으로부터 다결정 질화물층(130b)이 성장되지만, 경면 연마된 기초 기판(100)의 상면으로부터 성장되는 단결정 질화물층(130a)이 확장되어 기초 기판(110) 상면의 보호층(120) 상에는 적어도 일부의 단결정 질화물층(130a)이 형성된다. 또한, 질화물층(130)은 GaN층 이외에 예를 들어 AlN층, AlGaN층, InGaN층, AlInGaN층 등 다양한 물질층으로 형성할 수 있다.
도 5를 참조하면, 소정의 에천트를 이용하여 보호층(120)을 제거한다. 보호층(120)이 예를 들어 실리콘 산화물의 경우 에천트로서 BOE를 이용하여 보호층(120)을 제거할 수 있다. 이때, 보호층(120)을 제거함으로써 기초 기판(110) 측면의 보호층(120) 상에 형성된 다결정 질화물층(130b)도 함께 제거된다. 즉, 에천트가 기초 기판(110)의 후면으로부터 보호층(120)을 제거하고, 이에 따라 보호층(120) 상에 형성된 다결정 질화물층(130)도 제거된다. 따라서, 기초 기판(110)의 상면에 단결정 질화물층(130a)이 잔류하게 된다.
도 6을 참조하면, 기초 기판(110)의 하부면으로부터 레이저를 조사하여 기초 기판(110)과 질화물층(130)을 분리시킨다. 레이저는 기초 기판(110)이 광을 투과하고 질화물층(130)은 광을 흡수하는 파장의 광으로 조사된다. 즉, 기초 기판(110)을 투과한 광은 질화물층(130)에서 흡수되어 기초 기판(110)과 질화물층(130)의 계면에 열 에너지가 집중되고, 집중된 열 에너지에 의해 N2 분자가 외부로 토출됨으로써 질화물층(130)과 기초 기판(110)이 분리된다. 예를 들어 기초 기판(110)으로 SiC를 이용하는 경우 SiC는 대략 390nm 이하의 광을 흡수하고, 질화물층(130)으로 GaN이 성장된 경우 GaN층은 대략 360nm 이하의 파장을 흡수한다. 따라서, 레이저는 360nm 내지 390nm의 파장의 광을 방출하도록 한다. 또한, 기초 기판(110)으로 사파이어 기판을 이용하는 경우 예를 들어 200～600mJ/㎠의 빔 에너지를 갖는 248nm의 KrF 레이저를 조사할 수도 있다. 이때, 기초 기판(110)의 측면에 질화물층(130)이 존재하지 않기 때문에 분리 공정을 용이하게 실시할 수 있다.
한편, 상기 본 발명의 일 실시 예는 기초 기판(110)의 상면 및 측면에 보호층(120)을 형성한 후 상면의 보호층(120)을 패터닝하였으나, 기초 기판(110)의 측면에만 보호층(120)을 형성하는 것이 더욱 바람직하다. 이를 위해 예를 들어 기초 기판(110) 상에 감광막 등을 이용한 마스크를 형성한 후 보호층(120)을 형성하여 기초 기판(110)의 측면에만 보호층(120)이 형성되도록 할 수도 있다. 물론, 다양한 방법으로 기초 기판(110)의 측면에만 보호층(120)이 형성되도록 할 수도 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 제조 방법은 기초 기판(110)의 측면 및 상면의 일부에 보호층(120)을 형성하고 기초 기판(110) 상에 단결정 질화물층(130a)을 성장시킨 후 보호층(120)을 제거함으로써 기초 기판(110) 측면의 보호층(120) 상에 형성된 다결정 질화물층(130b)도 함께 제거된다. 따라서, 이후 레이저 조사를 이용한 분리 공정에서 기초 기판(110)과 질화물층(130)이 용이하게 분리되도록 한다.
한편, 도 1의 증착 장치의 챔버(10) 내의 서셉터(20) 상에 기초 기판(110)이 안착되면 서셉터(20)와 기초 기판(110) 사이의 미세한 틈이 발생하게 되고, 그 틈을 통해 원료 물질이 유입되어 기초 기판(110)의 후면에도 다결정 질화물층이 성장될 수 있다. 따라서, 기초 기판(110)의 후면에도 보호층(120)을 형성하여 이후 보호층(120)을 제거할 때 기초 기판(110) 후면에 성장되는 다결정 질화물층을 제거할 수도 있다. 이러한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 제조 방법을 도 7 내지 도 12을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 7 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 기초 기판(110)의 상면, 측면 및 후면에 보호층(120)을 형성한다. 보호층(120)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함하는 기초 기판(110)과 이후 형성될 질화물층과의 식각 선택비가 큰 물질을 이용할 수 있다. 또한, 기초 기판(110) 상에 보호층(120)을 형성하기 위해 화학기상증착 공정을 이용할 수 있고, 기초 기판(110)의 후면에도 보호층(120)을 형성하기 위해 예를 들어 기초 기판(110)을 수직으로 세워 챔버 내에 장착할 수 있다. 따라서, 예를 들어 실리콘 산화물을 형성하기 위해 SiH4 가스와 산소 가스를 챔버 내에 유입하면 기초 기판(110)의 상면, 측면 및 후면을 포함한 전체 면에 보호층(120)을 형성할 수 있다.
도 8을 참조하면, 보호층(120)의 선택된 영역을 제거하여 기초 기판(110)의 상면을 노출시킨다. 이를 위해 예를 들어 보호층(120) 상에 감광막(미도시)을 형성하고 소정의 마스크를 이용한 사진 및 현상 공정으로 감광막을 패터닝한 후 패터닝된 감광막을 식각 마스크로 보호층(120)을 식각할 수 있다. 이때, 보호층(120)은 기초 기판(110)의 상면 가장자리와 측면 및 후면에 잔류하게 되는데, 기초 기판(110)의 상면 가장자리에 예를 들어 1㎛의 폭으로 잔류할 수 있다.
도 9를 참조하면, 기초 기판(110)의 상면으로부터 질화물층(130)을 성장시킨다. 질화물층(130)은 예를 들어 GaN층으로 형성할 수 있다. 또한, 질화물층(130)은 기초 기판(110)을 챔버 내에 수평으로 장착하여 형성할 수도 있고, 수직으로 세워 장착하여 형성할 수도 있다. 기초 기판(110)을 수직으로 세워 챔버 내에 장착하는 경우 기초 기판(110)의 상면 뿐만 아니라 측면 및 후면에도 질화물층(130)이 성장된다. 또한, 기초 기판(110)을 수평으로 장착하는 경우에도 기초 기판(110)의 후면에 질화물층(130)이 성장될 수 있다. 이때, 질화물층(130)은 기초 기판(110)의 상면으로부터 단결정 질화물층(130a)이 성장되고, 기초 기판(110)의 측면 및 후면에는 다결정 질화물층(130b)이 성장된다. 즉, 경면 연마된 기초 기판(110)의 상면에는 시드(seed)가 형성되고 시드로부터 성장되기 때문에 단결정 질화물층(130a)이 형성된다. 반면, 기초 기판(110)의 측면 및 후면, 즉 보호층(120) 상에는 시드가 형성되지 않기 때문에 다결정 질화물층(130b)이 형성된다. 그런데, 기초 기판(110)의 상부에 잔류하는 보호층(120)으로부터 다결정 질화물층(130b)이 성장되지만, 경면 연마된 기초 기판(100)의 상면으로부터 성장되는 단결정 질화물층(130a)이 확장되어 보호층(120) 상에는 적어도 일부의 단결정 질화물층(130a)이 형성된다. 한편, 질화물층(130)은 GaN층 이외에 예를 들어 AlGaN층, InGaN층, AlInGaN층 등 다양한 물질층으로 형성할 수 있다.
도 10을 참조하면, 소정의 에천트를 이용하여 보호층(120)을 제거한다. 보호층(120)은 예를 들어 실리콘 산화물의 경우 BOE를 이용하여 제거할 수 있다. 이때, 보호층(120)을 제거함으로써 보호층(120) 상에 형성된 다결정 질화물층(130b)도 제거된다. 즉, 에천트가 보호층(120)을 제거하고, 이에 따라 보호층(120) 상에 형성된 다결정 질화물층(130b)도 함께 제거된다. 따라서, 기초 기판(110)의 상면에 단결정 질화물층(130a)만 잔류하게 된다.
도 11을 참조하면, 기초 기판(110)의 하부면으로부터 레이저를 조사하여 기초 기판(110)과 질화물층(130)을 분리한다. 레이저는 기초 기판(110)이 광을 투과하고 질화물층(130)은 광을 흡수하는 파장의 광을 조사한다. 기초 기판(110)을 투과한 광은 질화물층(130)에서 흡수되어 기초 기판(110)과 질화물층(130)의 계면에 열 에너지가 집중되고, 집중된 열 에너지에 의해 N2 분자가 외부로 토출됨으로써 질화물층(130)과 기초 기판(110)이 분리된다. 이때, 기초 기판(110)의 측면 및 후면에 질화물층(130)이 존재하지 않기 때문에 분리 공정이 용이하게 실시될 수 있다.
본 발명은 상기에서 서술된 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허청구범위에 의해서 이해되어야 한다.
110 : 기초 기판 120 : 보호층
130 : 질화물층 130a : 단결정 질화물층
130b : 다결정 질화물층
130 : 질화물층 130a : 단결정 질화물층
130b : 다결정 질화물층
Claims (8)
- 기초 기판의 적어도 측면에 보호층을 형성하는 단계;
상기 기초 기판의 상면으로부터 질화물층을 성장시키는 단계;
상기 보호층을 제거하는 단계; 및
상기 기초 기판과 질화물층을 분리하여 질화물 기판을 제조하는 단계를 포함하는 기판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기초 기판은 사파이어, SiC를 포함하고, 상기 질화물층은 GaN층, AlN층, AlGaN층, InGaN층, AlInGaN층을 포함하는 기판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보호층은 상기 기초 기판 및 상기 질화물층 각각보다 식각 선택비가 높은 물질로 형성하는 기판 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 보호층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 포함하는 기판 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 보호층은 상기 기초 기판의 상면의 적어도 일부에 더 형성하는 기판 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 보호층은 상기 기초 기판의 후면에 더 형성하는 기판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기초 기판은 상기 상면이 경면 처리되고, 상기 질화물층은 경면 처리된 상기 상면 상에 단결정 질화물층이 형성되고, 상기 보호층 상에 다결정 질화물층이 형성되는 기판 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 보호층 제거와 함께 상기 보호층 상에 형성된 상기 다결정 질화물층이 제거되는 기판 제조 방법.
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| US10094045B2 (en) | 2016-10-21 | 2018-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a gallium nitride substrate |
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| JP2002316893A (ja) | 2001-01-29 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体ウエハの製造方法 |
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