KR101156355B1 - Method of forming graphene layer using si layer solved carbon - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자 제작용 기판 상에 직접 그래핀을 형성할 수 있는 그래핀 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 제조방법은 금속 박막과 금속 박막의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성된 탄소(C)가 용해된 실리콘 박막을 포함하여 이루어진 제1 적층 구조물을 형성한다. 그리고 제1 적층 구조물을 열처리하여, 기판 상에 제1 그래핀층, 금속 실리사이드(silicide) 박막 및 제2 그래핀층이 순차적으로 적층된 제2 적층 구조물을 형성한다.The present invention relates to a graphene manufacturing method that can form graphene directly on the device manufacturing substrate. The graphene manufacturing method according to the present invention forms a first laminate structure including a metal thin film and a silicon thin film in which carbon (C) formed on at least one of upper and lower portions of the metal thin film is dissolved. The first stacked structure is heat-treated to form a second stacked structure in which a first graphene layer, a metal silicide thin film, and a second graphene layer are sequentially stacked on a substrate.

Description

탄소가 용해된 실리콘 박막을 이용한 그래핀 제조방법{Method of forming graphene layer using Si layer solved carbon}Graphene manufacturing method using silicon thin film dissolving carbon {Method of forming graphene layer using Si layer solved carbon}

본 발명은 그래핀 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소가 용해된 실리콘 박막을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 직접 그래핀을 형성할 수 있는 그래핀 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a graphene manufacturing method, and more particularly to a graphene manufacturing method capable of forming graphene directly on the substrate for device fabrication using a carbon thin film of silicon.

그래핀(graphene)은 탄소 원자들이 그라파이트(graphite)와 같이 2차원으로 결합되어 구성된 물질이며, 그라파이트와는 달리 단층 또는 2 ~ 3층으로 아주 얇게 형성되어 있다. 이러한 그래핀은 유연하고 전기 전도도가 매우 높으며 투명하기 때문에, 투명하고 휘어지는 전극으로 사용하거나 전자 소자에서 전자 수송층과 같은 전자 전송 물질로 활용하려는 연구가 진행되고 있다. Graphene (graphene) is a material composed of carbon atoms bonded in two dimensions, such as graphite (graphite), unlike graphite is formed very thin in a single layer or two to three layers. Since graphene is flexible, very high in electrical conductivity, and transparent, studies are being conducted to use it as a transparent and curved electrode or to use it as an electron transport material such as an electron transport layer in an electronic device.

그래핀은 특히 태양 전지 또는 광검출기와 같이 빛을 받아 이를 전기로 전환하는 광기전력(photovoltaic) 원리를 이용하는 전자 소자의 전자 수송층 및 투명 전극으로서 크게 주목 받고 있다. 전자 소자의 투명 전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide)가 가장 널리 사용되고 있으나, 주재료인 인듐(In)의 가격 상승 및 고갈 가능성으로 인해 제조비용이 높아지고 있으며, 유연성이 없기 때문에 휘어지는 소자 에 적용하기 곤란한 점이 있다. Graphene has attracted much attention as an electron transport layer and a transparent electrode of an electronic device, in particular, using a photovoltaic principle of receiving light and converting it into electricity, such as a solar cell or a photodetector. Indium Tin Oxide (ITO) is the most widely used transparent electrode of electronic devices, but the manufacturing cost is increasing due to the price rise and depletion of indium (In), which is a main material. have.

기존에 그래핀을 얻는 방법에는 미세 기계적(micromechanical) 방법과 SiC 결정 열분해 방법이 있다. 미세 기계적 방법은 그라파이트 시료에 스카치테이프를 붙인 다음 이를 떼어내어, 스카치테이프 표면에 그라파이트로부터 떨어져 나온 시트(sheet) 형태의 그래핀을 얻는 방식이다. 이 경우 떼어져 나온 그래핀 시트는 그 층의 수가 일정하지 않으며, 모양도 종이가 찢긴 형상으로 일정하지가 않다. 더욱이 대면적으로 그래핀 시트를 얻는 것은 지극히 곤란하다는 단점이 있다. 그리고 SiC 결정 열분해 방법은 SiC 단결정을 가열하게 되면 표면의 SiC는 분해되어 Si은 제거되고 남아 있는 탄소(C)에 의하여 그래핀이 생성되는 원리를 이용한다. 이 방법의 경우 출발물질로 사용하는 SiC 단결정이 매우 고가이며, 그래핀을 대면적으로 얻기가 매우 어렵다는 문제가 있다.Conventional methods of obtaining graphene include a micromechanical method and a SiC crystal pyrolysis method. The micromechanical method is to attach a scotch tape to a graphite sample and then peel it off to obtain graphene in the form of sheets separated from graphite on the scotch tape surface. In this case, the peeled off graphene sheet has a constant number of layers, and its shape is not constant due to the tearing of paper. Moreover, there is a disadvantage in that it is extremely difficult to obtain a graphene sheet in a large area. In the SiC crystal pyrolysis method, when SiC single crystal is heated, SiC on the surface is decomposed to remove Si and graphene is generated by the remaining carbon (C). In this method, SiC single crystals used as starting materials are very expensive, and graphene is very difficult to obtain in large areas.

이에 최근에는 그라파이트화 촉매를 이용하여 그래핀을 형성하는 방법이 연구되고 있다. 이를 도 1에 나타내었다.Recently, a method of forming graphene using a graphitization catalyst has been studied. This is shown in FIG.

그라파이트화 촉매를 이용한 그래핀 형성방법은 우선, 기판(110) 상에 그라파이트화 촉매(120)를 형성한다. 기판(110)은 실리콘(Si) 기판 또는 산화 실리콘(SiO2) 기판이 이용되고, 그라파이트화 촉매(120)는 니켈(Ni) 박막이 이용된다. 다음으로, 그라파이트화 촉매(120) 상에 기상 탄소 공급원을 공급하며 열처리하여 그라파이트화 촉매(120) 상에 그래핀(130)이 형성된다. 이때, 기상 탄소 공급원은 아세틸렌(C2H2) 또는 메탄(CH4) 등이 이용된다. 그리고 그래핀(130)이 형성되어 있 는 기판(110)을 자연 냉각하여 그래핀(130)을 일정한 배열로 성장시킨다.In the graphene forming method using the graphitization catalyst, first, the graphitization catalyst 120 is formed on the substrate 110. The substrate 110 is a silicon (Si) substrate or a silicon oxide (SiO 2 ) substrate, and the graphite catalyst 120 is a nickel (Ni) thin film. Next, graphene 130 is formed on the graphitization catalyst 120 by heat treatment while supplying a gaseous carbon source on the graphitization catalyst 120. At this time, acetylene (C 2 H 2 ) or methane (CH 4 ) and the like are used as the gaseous carbon source. The graphene 130 is naturally cooled to grow the graphene 130 in a constant arrangement in which the graphene 130 is formed.

다음으로, 그래핀(130)이 형성된 기판(110)을 그라파이트화 촉매(120) 식각 용액에 담그어 그래핀 시트(140)를 분리한다. 그라파이트화 촉매(120)로 니켈 박막이 사용되는 경우, 식각 용액은 0.1M의 HCl 수용액이 이용된다. 그리고 분리된 그래핀 시트(140)를 별도의 소자 제작용 기판(미도시) 상에 전사하여, 그래핀이 형성된 기판을 제조할 수 있게 된다.Next, the graphene sheet 140 is separated by immersing the substrate 110 on which the graphene 130 is formed in an etching solution of the graphitization catalyst 120. When the nickel thin film is used as the graphitization catalyst 120, 0.1M HCl aqueous solution is used as an etching solution. The separated graphene sheet 140 may be transferred onto a separate device fabrication substrate (not shown), thereby manufacturing a substrate on which graphene is formed.

그러나 이와 같은 방법으로 그래핀이 형성된 기판을 제조하게 되면, 그래핀을 형성시키는 기판과 소자 제작용 기판이 별도로 분리되어 있으므로, 공정이 복잡해진다. 그리고 그래핀을 기판에서 분리한 후, 소자 제작용 기판의 원하는 위치에 그래핀을 위치시키는 것이 용이치 않고, 그래핀을 옮기는 과정에서 그래핀이 손상될 우려가 있다. 또한, 그래핀을 형성하기 위해서 CVD(chemical vapor deposition)방법을 이용해야 하므로, 공정이 복잡하게 된다.However, when manufacturing a substrate on which graphene is formed in this manner, the substrate for forming graphene and the substrate for device fabrication are separated separately, which makes the process complicated. After the graphene is separated from the substrate, it is not easy to place the graphene at a desired position of the substrate for device fabrication, and the graphene may be damaged during the transfer of the graphene. In addition, since the CVD (chemical vapor deposition) method must be used to form graphene, the process is complicated.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 소자 제작용 기판 상에 직접 그래핀을 형성할 수 있는 그래핀 제조방법을 제공하는 데에 있다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a graphene manufacturing method that can form graphene directly on the substrate for device fabrication.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 그래핀 제조방법은 금속 박막과 상기 금속 박막의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성된 탄소(C)가 용해된 실리콘 박막을 포함하여 이루어진 제1 적층 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 제1 적층 구조물을 열처리하여, 상기 기판 상에 제1 그래핀층, 금속 실리사이드(silicide) 박막 및 제2 그래핀층이 순차적으로 적층된 제2 적층 구조물을 형성하는 단계;를 갖는다.In order to solve the above technical problem, the graphene manufacturing method according to the present invention comprises a first laminated structure comprising a metal thin film and a silicon thin film in which carbon (C) formed on at least one of the upper and lower portions of the metal thin film is dissolved. Forming a; And heat treating the first stacked structure to form a second stacked structure in which a first graphene layer, a metal silicide thin film, and a second graphene layer are sequentially stacked on the substrate.

상기 제2 적층 구조물을 형성하는 단계 이후에, 상기 금속 실리사이드 박막 및 제2 그래핀층을 제거하는 단계를 더 포함한다. 그리고 상기 기판과 상기 탄소가 용해된 실리콘 박막 사이에는 SiO2, TiN, Al2O3, TiO2 및 SiN로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 박막이 형성되어 있을 수 있다.After forming the second stacked structure, the method may further include removing the metal silicide thin film and the second graphene layer. A thin film made of at least one selected from the group consisting of SiO 2 , TiN, Al 2 O 3 , TiO 2, and SiN may be formed between the substrate and the silicon thin film in which the carbon is dissolved.

상기 열처리를 통해 상기 제1 적층 구조물이 상기 제2 적층 구조물로 변환되도록, 상기 금속 박막과 탄소가 용해된 실리콘 박막의 두께, 상기 탄소가 용해된 실리콘 박막 내의 탄소의 농도 및 열처리 조건 중 적어도 하나를 조절할 수 있다.At least one of the thickness of the metal thin film and the carbon thin film, the concentration of carbon in the carbon thin film and the heat treatment conditions, so that the first laminated structure is converted into the second laminated structure through the heat treatment I can regulate it.

상기 금속 박막은 금속 실리사이드는 형성하고 금속 카바이드(carbide)는 형 성하지 않는 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 물질은 Ni, Co, Cu, Ru, Ir 및 Rh로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.The metal thin film may be formed of a metal material that forms metal silicide and does not form metal carbide, and the metal material may be at least one selected from the group consisting of Ni, Co, Cu, Ru, Ir, and Rh. .

상기 금속 박막을 형성하는 단계와 상기 열처리를 수행하여 제2 적층 구조물을 형성하는 단계 사이에, 상기 금속 박막 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 제2 적층 구조물을 형성하는 단계 이후에, 상기 절연막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming an insulating film on the metal thin film between forming the metal thin film and performing the heat treatment to form a second laminated structure. Thereafter, the method may further include removing the insulating layer.

상기 열처리는 300 내지 1200℃ 온도 범위에서 수행될 수 있다.The heat treatment may be carried out in a temperature range from 300 to 1200 ℃.

본 발명에 따르면, 소자 제작용 기판 상에 직접 그래핀을 형성할 수 있다. 이에 따라, 그래핀을 별도로 제작하여 그래핀을 분리시킨 후, 소자 제작용 기판에 옮기는 과정이 필요 없게 되어, 공정이 간단해지고, 그래핀을 옮기는 과정에서 발생할 그래핀의 손상의 우려가 없다. 또한, 탄소가 용해된 실리콘 박막과 금속 박막을 스퍼터링법(sputtering)이나 증발법(evaporation)과 같은 PVD(physical vapor depositon) 방법을 이용하여 형성할 수 있으므로, 공정이 간단하게 된다.According to the present invention, it is possible to form graphene directly on the substrate for device fabrication. Accordingly, after the graphene is manufactured separately, the graphene is separated, and the process of transferring the graphene is not necessary, thereby simplifying the process, and there is no fear of damaging the graphene in the process of transferring the graphene. In addition, since the silicon thin film and the metal thin film in which carbon is dissolved can be formed using a physical vapor depositon (PVD) method such as sputtering or evaporation, the process is simplified.

이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 탄소가 용해된 실리콘 박막을 이용한 그래핀 제조방법의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이 다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the graphene manufacturing method using a carbon thin film silicon dissolved according to the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you.

도 2는 본 발명에 따른 그래핀 제조방법에 대한 제1 실시예의 수행과정을 나타내는 도면들이다.2 is a view showing the performance of the first embodiment of the graphene manufacturing method according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 그래핀 제조방법에 대한 제1 실시예는 우선, 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 기판(210) 상에 블록층(220)을 형성한다. 기판(210)은 반도체 제조 공정에 이용되는 모든 형태의 기판이 사용될 수 있으며, 특히 실리콘(Si) 기판, 글래스(glass) 기판, 쿼쯔(quartz) 기판, 사파이어(sapphire) 기판 등이 사용될 수 있다. 블록층(220)은 SiO2, TiN, Al2O3, TiO2 및 SiN로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 2, the first embodiment of the graphene manufacturing method according to the present invention first forms a block layer 220 on the substrate 210, as shown in FIG. 2 (a). The substrate 210 may be any type of substrate used in a semiconductor manufacturing process, and in particular, a silicon (Si) substrate, a glass substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, or the like may be used. The block layer 220 may be formed of one or more selected from the group consisting of SiO 2 , TiN, Al 2 O 3 , TiO 2, and SiN.

다음으로, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 블록층(220) 상에 탄소(C)가 용해된 실리콘(Si) 박막(230)을 형성한다. 탄소가 용해된 실리콘 박막(230)은 스퍼터링(sputtering)법 등을 이용하여 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 2B, a silicon (Si) thin film 230 in which carbon (C) is dissolved is formed on the block layer 220. The silicon thin film 230 in which carbon is dissolved may be formed using a sputtering method or the like.

다음으로, 도 2(c)에 도시된 바와 같이, 탄소가 용해된 실리콘 박막(230) 상에 금속 박막(240)을 형성한다. 금속 박막(240)은 탄소가 용해될 수 있되, 금속 카바이드(carbide)는 형성하지 않으며, 금속 실리사이드(silicide)는 형성할 수 있는 금속 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 금속 박막(240)을 이루는 금속 물질은 탄소와 반응하여 금속 카바이드를 형성하지 않고, 실리콘과 반응하여 금속 실리사이드는 형성할 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 이를 위해, 금속 박막(240)은 Ni, Co, Cu, Ru, Ir 및 Rh로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다. Next, as shown in FIG. 2C, the metal thin film 240 is formed on the silicon thin film 230 in which carbon is dissolved. The metal thin film 240 may be formed of a metal material in which carbon may be dissolved, but metal carbide is not formed, and metal silicide may be formed. That is, the metal material constituting the metal thin film 240 may be formed of a material capable of forming metal silicide by reacting with silicon without forming metal carbide. To this end, the metal thin film 240 may be formed of one or more selected from the group consisting of Ni, Co, Cu, Ru, Ir, and Rh.

다음으로, 도 2(d)에 도시된 바와 같이, 금속 박막(240) 상에 절연막(250)을 형성한다. 절연막(250)은 SiO2, SiN 및 SiON으로 형성될 수 있다. 절연막(250)은 후술할 열처리 과정에서 금속 박막(240) 또는 금속 실리사이드 박막(260)이 응집(agglomeration)되는 것을 방지하고, 금속 실리사이드 박막(260)의 상부 및 하부의 결합 형태를 유사하게 하여, 금속 실리사이드 박막(260)의 상부 뿐만 아니라, 금속 실리사이드 박막(260)과 블록층(220) 사이에도 그래핀이 형성되는 것을 용이하게 하기 위한 것이다. 따라서 절연막(250)이 형성되어 있지 않아도 열처리 과정시 금속 박막(240) 또는 금속 실리사이드 박막(260)이 응집되지 않고, 금속 실리사이드 박막(260)과 블록층(220) 사이에 그래핀이 형성되는 것이 용이하다면, 절연막(250) 형성 과정은 생략할 수 있다.Next, as shown in FIG. 2 (d), an insulating film 250 is formed on the metal thin film 240. The insulating film 250 may be formed of SiO 2 , SiN, and SiON. The insulating film 250 prevents the agglomeration of the metal thin film 240 or the metal silicide thin film 260 during the heat treatment to be described later, and similarly forms the bonding of the upper and lower portions of the metal silicide thin film 260. In order to facilitate the formation of graphene between the metal silicide thin film 260 and the block layer 220 as well as the top of the metal silicide thin film 260. Therefore, even though the insulating layer 250 is not formed, the metal thin film 240 or the metal silicide thin film 260 does not aggregate during the heat treatment process, and graphene is formed between the metal silicide thin film 260 and the block layer 220. If it is easy, the process of forming the insulating film 250 can be omitted.

다음으로, 도 2(e)에 도시된 바와 같이, 도 2(d)에 도시된 적층 구조물을 열처리한다. 열처리는 300 내지 1200 ℃ 정도의 온도에서 수행할 수 있으며, 열처리 과정은 고온 급속 열처리(rapid thermal annealing, RTA) 장비를 통해 이루어질 수 있다. 그리고 열처리 후, 결과물을 냉각시킨다. 냉각 과정은 자연 냉각을 통해 이루어질 수 있다. 열처리 과정과 냉각 과정을 거치게 되면, 도 2(f)에 도시된 바와 같이, 블록층(220) 상에 제1 그래핀층(273), 금속 실리사이드 박막(260), 제2 그래핀층(275) 및 절연막(250)이 순차적으로 적층되어 있는 적층 구조물이 형성된다.Next, as shown in FIG. 2 (e), the laminated structure shown in FIG. 2 (d) is heat treated. Heat treatment may be carried out at a temperature of about 300 to 1200 ℃, the heat treatment process may be performed through a rapid thermal annealing (RTA) equipment. After the heat treatment, the resultant is cooled. The cooling process may be through natural cooling. When the heat treatment process and the cooling process are performed, as illustrated in FIG. 2F, the first graphene layer 273, the metal silicide thin film 260, the second graphene layer 275 and the block layer 220 are disposed on the block layer 220. A stack structure in which the insulating film 250 is sequentially stacked is formed.

열처리 과정에서 금속 박막(240)과 탄소가 용해된 실리콘 박막(230)이 반응하여 금속 실리사이드 박막(260)을 형성하게 된다. 그리고 실리콘 박막(230)에 용 해되어 있던 탄소 원자 중 일부는 열처리 과정과 냉각 과정을 통해 금속 실리사이드 박막(260)과 블록층(220) 사이에 석출(precipitation)되고 재배열되어 제1 그래핀층(273)을 형성하게 된다. 그리고 실리콘 박막(230)에 용해되어 있던 나머지 탄소 원자는 금속 실리사이드 박막(260)과 절연막(250) 사이에 석출되고 재배열되어 제2 그래핀층(275)을 형성하게 된다. In the heat treatment process, the metal thin film 240 and the silicon thin film 230 in which carbon is dissolved react to form the metal silicide thin film 260. Some of the carbon atoms dissolved in the silicon thin film 230 are precipitated and rearranged between the metal silicide thin film 260 and the block layer 220 through a heat treatment process and a cooling process to form a first graphene layer ( 273). The remaining carbon atoms dissolved in the silicon thin film 230 are precipitated and rearranged between the metal silicide thin film 260 and the insulating film 250 to form the second graphene layer 275.

열처리 과정에서 금속 박막(240)은 탄소가 용해된 실리콘 박막(230)과 반응하여 금속 카바이드가 형성되지 않고 금속 실리사이드가 형성되어야, 블록층(220) 상에 제1 그래핀층(273), 금속 실리사이드 박막(260), 제2 그래핀층(275) 및 절연막(250)이 순차적으로 적층되어 있는 적층 구조물이 형성된다. 따라서 금속 박막(240)은 상술한 바와 같이 금속 카바이드는 형성하지 않고, 금속 실리사이드를 형성할 수 있는 금속 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. In the heat treatment process, the metal thin film 240 must react with the silicon thin film 230 in which carbon is dissolved to form metal silicide without forming metal carbide. Thus, the first graphene layer 273 and the metal silicide are formed on the block layer 220. A stack structure in which the thin film 260, the second graphene layer 275, and the insulating layer 250 are sequentially stacked is formed. Therefore, the metal thin film 240 is preferably made of a metal material capable of forming metal silicide without forming metal carbide as described above.

열처리 과정을 통해 도 2(f)에 도시된 바와 같이, 탄소가 용해된 실리콘 박막(230)과 금속 박막(240)이 반응하여 모두 금속 실리사이드 박막(260)으로 변환되고, 금속 실리사이드 박막(260) 상,하부에 그래핀층(273, 275)이 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 금속 박막(240)과 탄소가 용해된 실리콘 박막(240)의 두께, 탄소가 용해된 실리콘 박막(230) 내의 탄소의 농도 및 열처리 조건을 조절할 수 있다.As shown in FIG. 2 (f) through the heat treatment process, the silicon thin film 230 and the metal thin film 240 in which carbon is dissolved react with each other to be converted into the metal silicide thin film 260, and the metal silicide thin film 260. It is preferable to form graphene layers 273 and 275 on the upper and lower portions. To this end, the thickness of the metal thin film 240 and the silicon thin film 240 in which carbon is dissolved, the concentration of carbon in the silicon thin film 230 in which carbon is dissolved, and heat treatment conditions may be adjusted.

다음으로, 도 2(g)에 도시된 바와 같이, 절연막(250)을 제거한다. 절연막(250)의 제거는 절연막(250)을 식각할 수 있는 식각 용액을 이용하면 손쉽게 제거할 수 있다. 절연막(250)을 제거하게 되면, 기판(210) 상에 제1 그래핀층(273), 금속 실리사이드 박막(260) 및 제2 그래핀층(275)이 순차적으로 적층된 형태의 구조물이 된다. 금속 실리사이드 박막(260)이 금속 전극 물질로 사용할 수 있는 물질로 이루어진 경우, 이러한 과정을 통해 금속 전극의 상,하부에 그래핀이 형성되어 있는 형태의 적층 구조물을 얻을 수 있다. Next, as shown in FIG. 2 (g), the insulating film 250 is removed. Removal of the insulating layer 250 can be easily performed by using an etching solution capable of etching the insulating layer 250. When the insulating layer 250 is removed, the first graphene layer 273, the metal silicide thin film 260, and the second graphene layer 275 are sequentially stacked on the substrate 210. When the metal silicide thin film 260 is made of a material which can be used as a metal electrode material, a stack structure in which graphene is formed on the upper and lower portions of the metal electrode may be obtained through this process.

다음으로, 도 2(h)에 도시된 바와 같이, 제2 그래핀층(275)과 금속 실리사이드 박막(260)을 제거한다. 제2 그래핀층(275)과 금속 실리사이드 박막(260)을 제거하면, 기판(210) 상에 그래핀을 형성할 수 있게 된다.Next, as shown in FIG. 2 (h), the second graphene layer 275 and the metal silicide thin film 260 are removed. If the second graphene layer 275 and the metal silicide thin film 260 are removed, graphene may be formed on the substrate 210.

이와 같은 방법을 통해 그래핀을 제조하면, 스퍼터링과 같은 PVD 방법만을 이용하여 그래핀을 기판 상에 형성하는 것이 가능하므로, 간단한 공정을 통해 대면적의 그래핀을 제조할 수 있게 된다. 또한, 그래핀을 별도로 제작하여 그래핀을 분리시킨 후, 소자 제작용 기판에 옮기는 과정이 필요 없게 되어, 공정이 간단해지고, 그래핀을 옮기는 과정에서 발생할 그래핀의 손상의 우려가 없어지게 된다.When the graphene is manufactured through the above method, it is possible to form graphene on the substrate using only a PVD method such as sputtering, and thus a large area graphene can be manufactured through a simple process. In addition, after the graphene is manufactured separately to separate the graphene, it is not necessary to transfer the process to the substrate for device fabrication, thereby simplifying the process and eliminating the risk of damage to the graphene that occurs in the process of transferring the graphene.

도 3은 본 발명에 따른 그래핀 제조방법에 대한 제2 실시예의 수행과정을 나타내는 도면들이다.3 is a view showing the performance of the second embodiment of the graphene manufacturing method according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 그래핀 제조방법에 대한 제2 실시예는 우선, 도 3(a)에 도시한 바와 같이 기판(310) 상에 블록층(320)을 형성한다. 기판(310)과 블록층(320)은 제1 실시예의 기판(210)과 블록층(220)에 대응된다.Referring to FIG. 3, the second embodiment of the graphene manufacturing method according to the present invention first forms a block layer 320 on the substrate 310 as shown in FIG. 3 (a). The substrate 310 and the block layer 320 correspond to the substrate 210 and the block layer 220 of the first embodiment.

다음으로, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 블록층(320) 상에 금속 박막(340)을 형성한다. 금속 박막(340)은 탄소가 용해될 수 있되, 금속 카바이드는 형성하지 않으며, 금속 실리사이드는 형성할 수 있는 금속 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 금속 박막(340)을 이루는 금속 물질은 탄소와 반응하여 금속 카바이드를 형성하지 않고, 실리콘과 반응하여 금속 실리사이드는 형성할 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 이를 위해, 금속 박막(340)은 Ni, Co, Cu, Ru, Ir 및 Rh로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다. Next, as shown in FIG. 3B, a metal thin film 340 is formed on the block layer 320. The metal thin film 340 may dissolve carbon, but do not form metal carbide, and the metal silicide may be formed of a metal material that may form. That is, the metal material forming the metal thin film 340 may be formed of a material capable of forming metal silicide by reacting with silicon without forming metal carbide by reacting with carbon. To this end, the metal thin film 340 may be made of one or more selected from the group consisting of Ni, Co, Cu, Ru, Ir, and Rh.

다음으로, 도 3(c)에 도시된 바와 같이, 금속 박막(340) 상에 탄소가 용해된 실리콘 박막(330)을 형성한다. 탄소가 용해된 실리콘 박막(330)은 스퍼터링법 등을 이용하여 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 3 (c), the silicon thin film 330 in which carbon is dissolved is formed on the metal thin film 340. The silicon thin film 330 in which carbon is dissolved may be formed using a sputtering method or the like.

다음으로, 도 3(d)에 도시된 바와 같이, 탄소가 용해된 실리콘 박막(330) 상에 절연막(350)을 형성한다. 절연막(350)은 후술할 열처리 과정에서 형성되는 금속 실리사이드 박막(360)이 응집되는 것을 방지하고, 금속 실리사이드 박막(360)의 상부 및 하부의 결합 형태를 유사하게 하여, 금속 실리사이드 박막(360)의 상부 뿐만 아니라, 금속 실리사이드 박막(360)과 블록층(320) 사이에도 그래핀이 형성되는 것을 용이하게 하기 위한 것이다. 따라서 절연막(350)이 형성되어 있지 않아도 열처리 과정시 금속 실리사이드 박막(360)이 응집되지 않고, 금속 실리사이드 박막(360)과 블록층(320) 사이에 그래핀이 형성되는 것이 용이하다면, 절연막(350) 형성 과정은 생략할 수 있다.. Next, as shown in FIG. 3 (d), an insulating film 350 is formed on the silicon thin film 330 in which carbon is dissolved. The insulating film 350 prevents agglomeration of the metal silicide thin film 360 formed during the heat treatment process to be described later, and similarly forms a coupling form between the upper and lower portions of the metal silicide thin film 360, thereby forming the metal silicide thin film 360. In addition to the top, it is to facilitate the formation of graphene between the metal silicide thin film 360 and the block layer 320. Therefore, even if the insulating film 350 is not formed, if the metal silicide thin film 360 does not aggregate during the heat treatment process and it is easy to form graphene between the metal silicide thin film 360 and the block layer 320, the insulating film 350 The formation process can be omitted.

다음으로, 도 3(e)에 도시된 바와 같이, 도 3(d)에 도시된 적층 구조물을 열처리한 후, 결과물을 냉각시킨다. 제2 실시예의 열처리 과정과 냉각 과정은 제1 실시예의 열처리 과정과 냉각 과정에 대응된다. Next, as shown in Figure 3 (e), after the heat treatment of the laminate structure shown in Figure 3 (d), the resultant is cooled. The heat treatment process and the cooling process of the second embodiment correspond to the heat treatment process and the cooling process of the first embodiment.

열처리 과정과 냉각 과정을 거치게 되면, 도 3(f)에 도시된 바와 같이, 블록 층(320) 상에 제1 그래핀층(373), 금속 실리사이드 박막(360), 제2 그래핀층(375) 및 절연막(350)이 순차적으로 적층되어 있는 적층 구조물이 형성된다. 이와 같은 적층 구조물이 형성되는 이유는 제1 실시예에서 설명한 이유와 유사하다. 즉, 열처리 과정에서 금속 박막(340)과 탄소가 용해된 실리콘 박막(330)은 반응하여 금속 실리사이드 박막(360)을 형성하게 되고, 실리콘 박막(330)에 용해되어 있던 탄소 원자 는 열처리 과정과 냉각 과정을 통해 금속 실리사이드 박막(360)의 상, 하부에 석출되고 재배열되어 그래핀층(373, 375)을 형성하게 된다.When the heat treatment process and the cooling process are performed, as shown in FIG. 3 (f), the first graphene layer 373, the metal silicide thin film 360, the second graphene layer 375 and the block layer 320 are disposed on the block layer 320. A stack structure in which the insulating film 350 is sequentially stacked is formed. The reason why such a laminated structure is formed is similar to the reason described in the first embodiment. That is, in the heat treatment process, the metal thin film 340 and the silicon thin film 330 in which carbon is dissolved react to form the metal silicide thin film 360, and the carbon atoms dissolved in the silicon thin film 330 are heat treated and cooled. Through the process, precipitated and rearranged on the upper and lower portions of the metal silicide thin film 360 to form the graphene layers 373 and 375.

다음으로, 도 3(g)에 도시된 바와 같이, 절연막(350)을 제거한다. 제2 실시예의 절연막(350) 제거 과정은 제1 실시예의 절연막(250) 제거 과정에 대응된다. 절연막(350)을 제거하게 되면, 기판(310) 상에 제1 그래핀층(373), 금속 실리사이드 박막(360) 및 제2 그래핀층(375)이 순차적으로 적층된 형태의 구조물이 된다. 금속 실리사이드 박막(360)이 금속 전극 물질로 사용할 수 있는 물질로 이루어진 경우, 이러한 과정을 통해 금속 전극의 상,하부에 그래핀이 형성되어 있는 형태의 적층 구조물을 얻을 수 있다. Next, as shown in FIG. 3 (g), the insulating film 350 is removed. The process of removing the insulating film 350 of the second embodiment corresponds to the process of removing the insulating film 250 of the first embodiment. When the insulating layer 350 is removed, the first graphene layer 373, the metal silicide thin film 360, and the second graphene layer 375 are sequentially stacked on the substrate 310. When the metal silicide thin film 360 is made of a material which can be used as a metal electrode material, a stack structure in which graphene is formed on upper and lower portions of the metal electrode may be obtained through this process.

다음으로, 도 3(h)에 도시된 바와 같이, 제2 그래핀층(375)과 금속 실리사이드 박막(360)을 제거한다. 제2 그래핀층(375)과 금속 실리사이드 박막(360)을 제거하면, 기판(310) 상에 그래핀을 형성할 수 있게 된다.Next, as shown in FIG. 3 (h), the second graphene layer 375 and the metal silicide thin film 360 are removed. When the second graphene layer 375 and the metal silicide thin film 360 are removed, the graphene may be formed on the substrate 310.

제1 실시예 및 제2 실시예에 나타낸 방법을 이용하여 그래핀을 제조하면, 간단한 공정을 통해 대면적의 그래핀을 제조할 수 있게 된다. 또한, 그래핀을 별도로 제작하여 그래핀을 분리시킨 후, 소자 제작용 기판에 옮기는 과정이 필요 없게 되 어, 공정이 간단해지고, 그래핀을 옮기는 과정에서 발생할 그래핀의 손상의 우려가 없어지게 된다. If graphene is manufactured using the method shown in the first and second embodiments, it is possible to produce large areas of graphene through a simple process. In addition, since the graphene is manufactured separately to separate the graphene and then transferred to the substrate for device fabrication, the process is not required, and thus, the process is simplified, and there is no fear of damaging the graphene in the process of transferring the graphene. .

이상에서 기판 상에 탄소가 용해된 실리콘 박막과 금속 박막이 순차적으로 적층되어 있는 경우(제1 실시예)와 기판 상에 금속 박막과 탄소가 용해된 실리콘 박막이 순차적으로 적층되어 있는 경우(제2 실시예)의 그래핀을 제조하는 방법에 대해 도시하고 설명하였으나, 금속 박막의 상부 및 하부 모두에 탄소가 용해된 실리콘 박막이 형성된 경우도 제1 실시예 및 제2 실시예와 마찬가지로 열처리, 냉각 과정을 통해 대면적의 그래핀을 제조할 수 있다.In the above, when the silicon thin film and the carbon thin film in which the carbon is dissolved are sequentially laminated on the substrate (first embodiment), and the metal thin film and the silicon thin film in which the carbon is dissolved are sequentially stacked on the substrate (second embodiment). Although the method of manufacturing the graphene of the embodiment) is illustrated and described, the case where the silicon thin film in which carbon is dissolved is formed on both the upper and lower portions of the metal thin film, as in the first and second embodiments, and the heat treatment and cooling processes are performed. Through the large-area graphene can be prepared.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.

도 1은 종래의 그라파이트화 촉매를 이용한 그래핀 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a graphene manufacturing method using a conventional graphitization catalyst.

도 2는 본 발명에 따른 그래핀 제조방법에 대한 제1 실시예의 수행과정을 나타내는 도면들이다.2 is a view showing the performance of the first embodiment of the graphene manufacturing method according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 그래핀 제조방밥에 대한 제2 실시예의 수행과정을 나타내는 도면들이다.3 is a view showing a process of performing a second embodiment for the graphene manufacturing Bangbab according to the present invention.

Claims (9)

기판 상에 금속 박막과 상기 금속 박막의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성된 탄소(C)가 용해된 실리콘 박막을 포함하여 이루어진 제1 적층 구조물을 형성하는 단계; Forming a first stacked structure including a metal thin film and a silicon thin film on which carbon (C) formed on at least one of upper and lower portions of the metal thin film is dissolved, on a substrate; 상기 제1 적층 구조물 상에 절연막을 형성하는 단계;및Forming an insulating film on the first stacked structure; and 상기 제1 적층 구조물을 열처리하여, 상기 기판 상에 제1 그래핀층, 금속 실리사이드(silicide) 박막 및 제2 그래핀층이 순차적으로 적층된 제2 적층 구조물을 형성하는 단계;를 포함하고,And heat treating the first stacked structure to form a second stacked structure in which a first graphene layer, a metal silicide thin film, and a second graphene layer are sequentially stacked on the substrate. 상기 열처리를 통해 상기 제1 적층 구조물이 상기 제2 적층 구조물로 변환되도록, 상기 금속 박막과 탄소가 용해된 실리콘 박막의 두께, 상기 탄소가 용해된 실리콘 박막 내의 탄소의 농도 및 열처리 조건 중 적어도 하나를 조절하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법.At least one of the thickness of the metal thin film and the carbon thin film, the concentration of carbon in the carbon thin film and the heat treatment conditions, so that the first laminated structure is converted into the second laminated structure through the heat treatment Graphene manufacturing method characterized in that to adjust. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 적층 구조물을 형성하는 단계 이후에,After forming the second laminated structure, 상기 금속 실리사이드 박막 및 제2 그래핀층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법.Graphene manufacturing method further comprises the step of removing the metal silicide thin film and the second graphene layer. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판과 상기 탄소가 용해된 실리콘 박막 사이에는 SiO2, TiN, Al2O3, TiO2 및 SiN로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 박막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법.Graphene manufacturing method characterized in that the thin film made of one or more selected from the group consisting of SiO 2 , TiN, Al 2 O 3 , TiO 2 and SiN is formed between the substrate and the silicon thin film dissolved carbon. 제1항, 제2항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 2 or 4, 상기 금속 박막은 금속 실리사이드는 형성하고 금속 카바이드(carbide)는 형성하지 않는 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법.The metal thin film is graphene manufacturing method characterized in that the metal silicide is formed of a metal material that does not form a metal carbide (carbide). 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 금속 물질은 Ni, Co, Cu, Ru, Ir 및 Rh로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법.The metal material is graphene manufacturing method characterized in that at least one selected from the group consisting of Ni, Co, Cu, Ru, Ir and Rh. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 적층 구조물을 형성하는 단계 이후에,After forming the second laminated structure, 상기 절연막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법.Graphene manufacturing method further comprises the step of removing the insulating film. 제1항, 제2항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 2 or 4, 상기 열처리는 300 내지 1200℃ 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법.The heat treatment is a graphene manufacturing method, characterized in that carried out in a temperature range from 300 to 1200 ℃.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101401893B1 (en) * 2012-07-11 2014-06-19 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Carbon Layer and Method of Manufacture
KR20140085113A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 삼성전자주식회사 Method of transferring graphene and method of manufacturing device using the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103219089B (en) * 2012-01-18 2016-01-06 中国科学院上海硅酸盐研究所 Porous graphene or Graphene/porous composite ceramics electric conducting material and preparation method thereof
DE102012015263A1 (en) * 2012-08-01 2014-02-06 Forschungszentrum Jülich GmbH Process for the preparation of graphene
KR101984697B1 (en) * 2012-12-21 2019-05-31 삼성전자주식회사 The manufacturing for graphene structure, graphene structure and the device comprising the same
CN105745173B (en) * 2013-09-16 2019-01-18 悉尼科技大学 Method for forming graphene layer on sic

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090029621A (en) * 2007-09-18 2009-03-23 삼성전자주식회사 Graphene pattern and process for preparing the same
JP2009200177A (en) 2008-02-20 2009-09-03 Denso Corp Graphene substrate, and manufacturing method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090029621A (en) * 2007-09-18 2009-03-23 삼성전자주식회사 Graphene pattern and process for preparing the same
JP2009200177A (en) 2008-02-20 2009-09-03 Denso Corp Graphene substrate, and manufacturing method thereof

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
논문; CARBON 47(2009) *
논문; CARBON 47(2009)*
논문;MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 114(2009) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101401893B1 (en) * 2012-07-11 2014-06-19 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Carbon Layer and Method of Manufacture
US9117667B2 (en) 2012-07-11 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Carbon layer and method of manufacture
US9384991B2 (en) 2012-07-11 2016-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Carbon layer and method of manufacture
KR20140085113A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 삼성전자주식회사 Method of transferring graphene and method of manufacturing device using the same

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