KR101149634B1 - 반도체 세라믹 재료 - Google Patents

반도체 세라믹 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR101149634B1
KR101149634B1 KR1020097026005A KR20097026005A KR101149634B1 KR 101149634 B1 KR101149634 B1 KR 101149634B1 KR 1020097026005 A KR1020097026005 A KR 1020097026005A KR 20097026005 A KR20097026005 A KR 20097026005A KR 101149634 B1 KR101149634 B1 KR 101149634B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
content
ceramic material
semiconductor ceramic
ptc
mol
Prior art date
Application number
KR1020097026005A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100009584A (ko
Inventor
하야토 가츠
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20100009584A publication Critical patent/KR20100009584A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101149634B1 publication Critical patent/KR101149634B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/022Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
    • H01C7/023Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
    • H01C7/025Perovskites, e.g. titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3201Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3227Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • C04B2235/3263Mn3O4
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3298Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/604Pressing at temperatures other than sintering temperatures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/78Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/785Submicron sized grains, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/78Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C04B2235/85Intergranular or grain boundary phases

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

Pb를 함유하지 않고 큐리점(Curie Point)이 높으며, 또한 비저항이 낮은 PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료를 제공한다. 일반식: ABO3으로 표시되는 PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료이며, A는 Ba, Ca, 알칼리 금속 원소, Bi 및 희토류 원소를 포함하고, B는 Ti를 포함한다. Ca는 Ti 100몰부에 대해서 5~20몰부, 바람직하게는 12.5~17.5몰부 포함한다. 알칼리 금속 원소의 함유량/(Bi의 함유량+희토류 원소의 함유량)은 1.0~1.06의 범위로 선택되는 것이 바람직하다. 또한, Mn을 Ti 100몰부에 대해서 0.01~0.2몰부 더 포함하는 것이 바람직하다.
큐리점, 정특성 서미스터, PTC 특성

Description

반도체 세라믹 재료{SEMICONDUCTOR CERAMIC MATERIAL}
본 발명은 PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료에 관한 것이다.
정특성 서미스터에 있어서 사용되는 반도체 세라믹 재료는 승온 과정에 있어서 소정의 온도(큐리점; Curie Point)에 도달했을 때, 급격히 저항이 높아진다는 PTC 특성을 가지고 있다. 이러한 PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료로서, 예를 들면 BaTiO3계의 것이 알려져 있다.
또한, 히터용 서미스터 등, 용도에 따라서는 반도체 세라믹 재료는 보다 높은 온도에서 사용할 수 있는 것이 요구되고 있고, 큐리점을 높이기 위해서 BaTiO3계에 있어서의 Ba의 일부를 Pb로 치환한 (Ba, Pb)TiO3계의 반도체 세라믹 재료도 알려져 있다.
그러나 상기와 같이 Pb를 첨가해서 큐리점을 높였을 경우, 예를 들면 일본국 공개특허공보 소56-169301호(특허문헌 1)에 있어서 종래 기술의 문제점으로서 기재되는 것과 같이, 저항 온도계수가 작고 전압 의존성이 있으므로, Pb를 포함하지 않는 조성이며, 높은 큐리점을 가지는 정특성 서미스터용의 반도체 세라믹 재료가 요구되고 있다.
그래서, 최근에는 높은 큐리점을 가지는 정특성 서미스터용의 반도체 세라믹 재료로서, 예를 들면 상기 특허문헌 1 또는 일본국 공개특허공보 2005-255493호(특허문헌 2)에 개시되어 있는 것과 같은 (Ba, Na, Bi, Ln)TiO3계의 반도체 세라믹 재료(Ln은 희토류 원소)가 알려져 있다.
그러나 큐리점이 높아지면 높아질수록 실온에 있어서의 전기 저항률이 높아진다는 경향이 있어, 상기 특허문헌 1 또는 2에 개시된 조성에서는 큐리점이 120℃ 이상으로 높게 되어 있기는 하나, 전기 저항률이 70Ω?cm 정도로 비교적 높아, 히터용 서미스터를 용도로 할 경우에는 보다 낮은 저항치를 가지는 것이 요망된다.
특허문헌 1:일본국 공개특허공보 소56-169301호
특허문헌 2: 일본국 공개특허공보 2005-255493호
그래서, 이 발명의 목적은 Pb를 포함하지 않고, 큐리점이 높으며, 또한 전기 저항률이 낮은 PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료를 제공하고자 하는 것이다.
이 발명은 일반식: ABO3으로 표시되며, PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료에 관한 것으로서, A는 Ba, Ca, 알칼리 금속 원소, Bi 및 희토류 원소를 포함하고, B는 Ti를 포함하고, Ca는 Ti 100몰부에 대해서 5~20몰부 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
바람직하게는 상기 Ca는 Ti 100몰부에 대해서 12.5~17.5몰부 포함한다.
알칼리 금속 원소, Bi 및 희토류 원소의 함유량은 알칼리 금속 원소의 함유량/(Bi의 함유량+희토류 원소의 함유량)으로 나타냈을 때, 1.0~1.06의 범위로 선택되는 것이 바람직하다.
이 발명에 따른 반도체 세라믹 재료는 또한 Mn을 Ti 100몰부에 대해서 0.01~0.2몰부 포함하는 것이 바람직하다.
<발명의 효과>
이 발명에 따른 반도체 세라믹 재료에 따르면, Ti 100몰부에 대해서 5~20몰부의 함유량이 되도록 A사이트(Ba사이트)의 일부가 Ca로 치환되어 있으므로, 후술하는 실험예로부터 명확하듯이 큐리점을 높게 유지하면서 전기 저항률을 낮게 할 수 있다. 따라서, 이 발명에 따른 반도체 세라믹 재료를 정특성 서미스터에 적용했을 때, 대(大)전류를 흘리는 것이 가능해져, 대전력의 PTC 히터를 얻을 수 있다.
Ca의 함유량이 Ti 100몰부에 대해서 12.5~17.5몰부와 같이, 보다 한정적인 범위로 선택되면 전기 저항률을 더욱 낮출 수 있다.
알칼리토류 금속 원소의 함유량/(Bi의 함유량+희토류 원소의 함유량)을 1.0~1.06의 범위로 선택하면, 양호한 캐리어 밸런스를 얻을 수 있는 동시에, 저항 변화율을 높여, PTC 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 이 발명에 따른 반도체 세리믹 재료가 또한 억셉터로서의 Mn을 Ti 100몰부에 대해서 0.01~0.2몰부 포함하고 있으면, 입계(粒界)에서의 억셉터 준위를 형성하고 저항 변화율을 높여, PTC 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 1은 실험예 1에 있어서 제작된 평가용 시료에 대해서 X선 회절에 의해 산 출한 세라믹 결정의 a축 및 c축의 각 축길이 및 축비(c/a 축비)를 Ca 함유량과의 관계로 나타내는 도이다.
도 2는 실험예 1에 있어서 얻어진 소결체의 시료에 대해서 화학 에칭한 연마면의 SEM 상에 나타난 세라믹 결정의 입계를 트레이싱(tracing)해서 작성한 도이다.
이 발명에 따른 PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료는 일반식: ABO3으로 표시되는 조성을 가진다. ABO3에 있어서, A는 Ba, Ca, 알칼리 금속 원소(Na, K, Li 등), Bi 및 도너로서의 희토류 원소(La 등)를 포함하고, B는 Ti를 포함한다. 그리고, 상기 Ca는 Ti 100몰부에 대해서 2~20몰부, 바람직하게는 12.5~17.5몰부 포함한다.
일반적으로 BaTiO3계의 반도체 세라믹 재료에 있어서 PTC 서미스터로서의 내(耐)전압을 향상시키기 위해 Ca를 첨가하는 경우가 있다. 이것은 Ca를 첨가할수록 미립(微粒)화가 진행되고, 그에 의해 내전압을 향상시키고자 하는 것이다. 바꿔 말하면, Ca를 첨가할수록 미립화가 진행되기 때문에 전기 저항률이 상승하는 경향이 있다. 따라서, 이 발명과 같이 Ca를 첨가함으로써 전기 저항률이 저하한다는 효과는 일반적으로는 통용되지 않는 것이다.
이 발명에 따른 반도체 세라믹 재료의 조성인 (Ba, Na, Bi, Ln) TiO3계(Na는 다른 알칼리 금속 원소로 치환되는 경우도 있다. Ln은 희토류 원소이다.)의 경우에 는, 원래 입자가 미립인 상태로 되어 있어서, 여기에 Ca를 첨가함으로써 입자가 입성장하는 것을 알 수 있었다(후술하는 실험예 참조).
또한 PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료에 있어서는 세라믹 결정의 입자 내의 자발 분극에 의해 입계 장벽을 없애서 저저항화하고 있다. 이 발명에 따라서 Ba의 일부를 Ca로 치환함으로써 결정의 정방정도(正方晶度; tetragonalinity)가 높아진다. 즉, 결정의 축비(c/a 축비)가 커지는 것을 알 수 있었다. 그 결과, 자발 분극이 커지고, 입계 장벽이 없어져, 저저항화된 것으로도 추측할 수 있다.
이 발명에 따른 반도체 세라믹 재료에 있어서, 알칼리 금속 원소, Bi 및 도너로서의 희토류 원소의 함유량은 알칼리 금속 원소의 함유량/(Bi의 함유량+희토류 원소의 함유량)으로 나타냈을 때, 1.0~1.06의 범위로 선택되는 것이 바람직하다. 이 범위에 있어서 캐리어 밸런스가 양호하고, 또한 높은 저항 변화율이 얻어져, PTC 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 이 발명에 따른 반도체 세라믹 재료는, 또한 억셉터가 되는 Mn을 Ti 100몰부에 대해서 0.01~0.2몰부 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 Mn의 첨가는 입계에서의 억셉터 준위를 형성하고 저항 변화율을 높여, PTC 특성을 보다 향상시킨다.
SiO2는 Bi나 Na와 유리 성분을 만들기 쉽다. 따라서, 예를 들면 주성분을 가소성하고, 나중에 SiO2를 첨가해서 소성하더라도, 가소성시에 반응하지 않고 남아 있었던 Na 및 Bi와 함께 소성시에 용이하게 유리 중에 포함된다. 그 결과 모(母) 결정의 조성이 어긋나서 저항이 상승하는 경우가 있다. 따라서, SiO2를 첨가할 경우는 Ti 100몰부에 대해서 0.2몰부 이하인 것이 바람직하다.
이하에 이 발명의 범위를 결정하기 위해서, 및 이 발명에 의한 효과를 확인하기 위해서 실시한 실험예에 대해서 설명한다.
[실험예 1]
원료가 되는 BaCO3, CaCO3, Na2CO3, Bi2O3, TiO2, 및 반도체화제인 La2O3의 각 분말을 소성 후에 있어서, 표 1에 나타내는 조성이 되도록 칭량해서 조합했다.
다음으로, 조합된 혼합 분말에 에탄올계 용제를 첨가해서 지르코니아 볼과 함께 24시간 혼합 분쇄해서 용제를 건조시켜서, #50 메쉬로 걸렀다. 다음으로 걸러진 혼합 분말을 800~1000℃의 온도 범위에서 2시간 열처리해서 가소 분말을 얻었다.
그리고, 이 가소 분말에 유기 바인더로서의 초산 비닐, 분산제로서의 폴리카르본산 암모늄 및 물을 첨가해서 지르코니아 볼과 함께 16시간 혼합 분쇄 처리했다. 분쇄 처리 후의 슬러리를 건조시켜서 #50 메쉬를 사용해서 거르고 프레스용의 원료를 얻었다.
이 원료를 1축 프레스로 1000kgf/cm2의 압력으로 원판 형상으로 성형해서, 원판 시료를 얻었다. 다음으로 이 원판 시료를 대기 중에서 탈지한 뒤, 톱 온도(top temperature)를 1250~1400℃로 하면서, 질소 분위기 중에서 2시간 소성했다. 이에 의해 원판 시료를 직경 12mm, 두께 2mm인 것으로 했다. 표 1에 나타낸 조 성은 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석법(ICP-AES)으로 분석해서 구한 것이다.
다음으로 상기와 같이 소성된 원판 시료의 양 주면(主面)을 샌드페이퍼로 연마하고, Ni/Ni-Cu 합금/Ag로 이루어지는 전극을 건식 도금에 의해 연마면 상에 형성함으로써 평가용 시료를 얻었다. 그리고, 이 평가용 시료를 사용해서 표 1에 나타내는 것과 같은 특성을 평가했다.
"전기 저항률"에 대해서는 실온(25℃)에 있어서 0.1V의 직류 전압을 평가용 시료에 인가해서 직류 4단자법에 의해 실온 저항치를 측정하고, 이 실온 저항치의 단위 길이당 저항을 계산해서 전기 저항률로 했다.
"PTC 자릿수(PTC digit)"에 대해서는 25℃에 있어서의 저항치(R25)와 250℃에 있어서의 저항치(R250)를 상기 실온 저항치의 경우와 같은 방법에 의해 측정하고, ΔR=log(R250/R25)의 식에서 구한 저항 변화율(ΔR)을 "PTC 자릿수"로 했다.
"Tc"(큐리점)에 대해서는 상기 전기 저항률이 2배가 되는 점의 온도를 큐리점으로 정의했다.
Figure 112009076884613-pct00001
표 1에서 알 수 있는 것과 같이, Ti 100몰부에 대한 Ca의 함유량이 5~20몰부의 범위에 있는 시료 4~9에 의하면, Tc가 150℃ 이상으로 높은 큐리점을 유지하면서 30Ω?cm 이하의 전기 저항률이 얻어져 있다. Ca의 함유량이 12.5~17.5몰부와 같이, 보다 한정된 범위에 있는 시료 6~8에 의하면 더욱 낮은 전기 저항률이 얻어져 있다.
이에 반해서, Ca의 함유량이 5몰부 미만 또는 20몰부를 넘는 시료 1~3 및 10~12에서는 30Ω?cm를 넘는 전기 저항률을 나타내고 있다.
이렇게 이 발명의 범위 내에 있는 시료 4~9에 있어서, 낮은 전기 저항률이 얻어진 것은 이하와 같이 추측할 수 있다.
도 1에는 X선 회절(XRD)에 의해 산출한 세라믹 결정의 a축 및 c축의 각 축길이 및 축비(c/a 축비)가 Ca 함유량과의 관계로 나타나고 있다. 도 1에 나타내는 것과 같이, Ca 함유량이 증가함에 따라 c/a 축비가 증가하는 경향이 있다. 즉, 세라믹 결정이 보다 높은 강(强)유전성을 가지는 것이 추측된다. 따라서, 자발 분극에 의해 저저항화되는 PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료에서는 이것이 유리하게 기여하고, Ca의 함유 및 이 함유량의 증가에 의해 저저항화된 것으로 생각된다. 또한, 표 1에 나타내는 것과 같이, Ca 함유량이 20몰부를 넘었을 때, 전기 저항률이 다시 상승하는 것은 Ca의 고용 한계를 넘었기 때문이라고 생각된다.
도 2(a), (b), (c) 및 (d)에는 Ca 함유량이 각각 0몰부, 5몰부, 20몰부 및 25몰부로 된 시료 1, 4, 9 및 11에 따른 각 소결체에 대해서 화학 에칭한 연마면의 SEM 상에 나타난 세라믹 결정의 입계를 트레이싱해서 작성한 도이다.
도 2로부터 Ca 함유량이 5몰부 이상으로 증가하여, 20몰부에 도달할 때까지 세라믹 결정의 입성장이 보이며, 입경이 보다 커져 있는 것을 알 수 있다. 이것으로부터, Ca 함유량을 5~20몰부의 범위로 선택함으로써 소결체의 단위 두께당 입계수를 줄일 수 있어서, 저저항화에 기여하는 것으로 생각된다.
도 2(d)에 나타낸 Ca 함유량 25몰부의 경우에도, 약간 입성장이 보여지나, 입계에 하얀 이상(heterophases; 도에 있어서 해칭을 한 부분으로 나타낸다.)이 석출하고 있다. 이것은 Ca가 세라믹 결정의 입계에 석출하여, 그 결과, 전기 저항률이 상승한 것으로 생각된다.
[실험예 2]
Mn3O4 분말을 더 준비해서 이것을 소성 후에 있어서 표 2에 나타내는 것과 같은 조성이 되도록 상술의 가소 분말에 첨가한 것을 제외하고, 실험예 1의 경우와 동일한 방법에 의해 평가용 시료를 제작하여, 동일한 평가를 실시했다.
Figure 112009076884613-pct00002
표 2에서 Mn 첨가에 의해, 전기 저항률이 약간 높아져 가는 경향이 보여지기는 하나, 시료 23~25와 같이 Mn 첨가량을 Ti 100몰부에 대해서 0.01~0.2몰부의 범위로 선택함으로써 전기 저항률의 상승을 그다지 초래하지 않고, 또한 Tc(큐리점)을 그다지 저하시키지 않고 PTC 자릿수를 4.0자릿수 이상으로 상승시킬 수 있다. 이렇게 PTC 특성이 향상한 것은 Mn을 소정량 첨가함으로써 세라믹 결정의 입계에 억셉터 준위가 형성되었기 때문이라고 생각된다.
[실험예 3]
표 3에 나타내는 것과 같이 소성 후의 조성에 있어서 "Na/(Bi+La)"의 비율을 다양하게 변경한 것을 제외하고 실험예 1의 경우와 동일한 방법에 의해 평가용 시료를 제작하여, 동일한 평가를 실시했다.
Figure 112009076884613-pct00003
표 3에 나타내는 것과 같이, "Na/(Bi+La)" 가 1.0~1.06의 범위에 있는 시료 33~36에 의하면, 이 범위를 벗어난 시료 31, 32 및 37에 비해서 PTC 자릿수를 보다 크게 할 수 있어, PTC 특성의 향상을 도모할 수 있다.
[실험예 4]
Mn3O4 분말 및 SiO2 분말을 더 준비해서 이것을 소성 후에 있어서 표 4에 나타내는 것과 같은 조성이 되도록 상술의 가소 분말에 첨가한 것을 제외하고, 실험예 1의 경우와 동일한 방법에 의해 평가용 시료를 제작하여, 동일한 평가를 실시했다.
Figure 112009076884613-pct00004
표 4로부터 시료 56~62와 같이 SiO2의 첨가량이 Ti 100몰부에 대해서 0몰부 또는 0.2몰부 이하일 경우, 전기 저항률이 낮고, PTC 자릿수가 크고, Tc가 높은 것을 알 수 있다. 한편, SiO2가 Ti 100몰부에 대해서 0.3몰부 첨가된 시료 63의 경우, 전기 저항률이 높아지고, PTC 자릿수가 작아졌다.

Claims (4)

  1. 일반식: ABO3으로 표시되며, PTC 특성을 가지는 반도체 세라믹 재료로서,
    A는 Ba, Ca 알칼리 금속 원소, Bi 및 희토류 원소를 포함하고, B는 Ti를 포함하고, 상기 Ca는 상기 Ti 100몰부에 대해서 5~20몰부 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세라믹 재료.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 Ca는 상기 Ti 100몰부에 대해서 12.5~17.5몰부 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세라믹 재료.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리 금속 원소, 상기 Bi 및 상기 희토류 원소의 함유량은 알칼리 금속 원소의 함유량/(Bi의 함유량+희토류 원소의 함유량)으로 나타냈을 때, 1.0~1.06의 범위로 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 세라믹 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    또한 Mn을 Ti 100몰부에 대해서 0.01~0.2몰부 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세라믹 재료.
KR1020097026005A 2007-06-14 2008-06-06 반도체 세라믹 재료 KR101149634B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-157420 2007-06-14
JP2007157420 2007-06-14
PCT/JP2008/060424 WO2008152976A1 (ja) 2007-06-14 2008-06-06 半導体セラミック材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100009584A KR20100009584A (ko) 2010-01-27
KR101149634B1 true KR101149634B1 (ko) 2012-05-25

Family

ID=40129581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097026005A KR101149634B1 (ko) 2007-06-14 2008-06-06 반도체 세라믹 재료

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8093170B2 (ko)
EP (1) EP2159207B1 (ko)
JP (1) JP5152182B2 (ko)
KR (1) KR101149634B1 (ko)
CN (1) CN101687714B (ko)
WO (1) WO2008152976A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5223927B2 (ja) * 2008-09-30 2013-06-26 株式会社村田製作所 チタン酸バリウム系半導体磁器組成物及びptcサーミスタ
JP5263668B2 (ja) * 2008-10-02 2013-08-14 日立金属株式会社 半導体磁器組成物
JP5327556B2 (ja) 2008-12-12 2013-10-30 株式会社村田製作所 半導体セラミック及び正特性サーミスタ
JP5327554B2 (ja) * 2008-12-12 2013-10-30 株式会社村田製作所 半導体セラミック及び正特性サーミスタ
WO2010067867A1 (ja) 2008-12-12 2010-06-17 株式会社 村田製作所 半導体セラミック及び正特性サーミスタ
EP2371788A4 (en) * 2008-12-12 2012-07-04 Murata Manufacturing Co SEMICONDUCTOR CERAMICS AND THERMISTOR WITH POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT
JP5765611B2 (ja) * 2011-02-16 2015-08-19 日立金属株式会社 Ptc素子および発熱モジュール
CN103403814B (zh) * 2011-02-24 2016-08-10 株式会社村田制作所 正特性热敏电阻元件
CN103459350B (zh) * 2011-03-30 2016-01-06 株式会社村田制作所 半导体陶瓷及正温度系数热敏电阻
DE112014001227B4 (de) 2013-03-11 2019-10-10 Tdk Corporation PTC-Thermistorkeramikzusammensetzung und PTC-Thermistorelement
JP6337689B2 (ja) 2013-10-03 2018-06-06 Tdk株式会社 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ
JP6365126B2 (ja) * 2014-08-29 2018-08-01 Tdk株式会社 圧電組成物および圧電素子
JP2017143090A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 Tdk株式会社 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ
JP2021522673A (ja) 2018-04-17 2021-08-30 エイブイエックス コーポレイション 高温用途のためのバリスタ
WO2020008731A1 (ja) * 2018-07-05 2020-01-09 株式会社村田製作所 セラミック部材及び電子素子

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5595673A (en) * 1978-12-27 1980-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductive ceramic material and production thereof

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5932623B2 (ja) 1980-05-30 1984-08-09 フリ−工業株式会社 法面保護方法
JPS56169301A (en) 1980-06-02 1981-12-26 Tohoku Metal Ind Ltd Method of producing barium titanate semiconductor porcelain
JP2558489B2 (ja) * 1988-03-01 1996-11-27 株式会社クラベ 正特性半導体磁器
JPH02192456A (ja) 1989-01-21 1990-07-30 Chichibu Cement Co Ltd 半導体磁器
JPH06302402A (ja) 1993-04-14 1994-10-28 Komatsu Ltd 正特性サーミスタ
JPH08217536A (ja) * 1995-02-14 1996-08-27 Tdk Corp 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器組成物及びその製造方法
CN1052804C (zh) * 1995-06-02 2000-05-24 上海大地通信电子有限公司 正温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法
JPH09162004A (ja) * 1995-12-13 1997-06-20 Murata Mfg Co Ltd 正特性サーミスタ素子
JPH1070007A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 正特性サーミスタの製造方法
JP4765258B2 (ja) 2004-03-12 2011-09-07 日立金属株式会社 半導体磁器組成物
JP4419889B2 (ja) * 2005-03-25 2010-02-24 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物
EP1873130A4 (en) 2005-03-31 2012-01-04 Hitachi Metals Ltd METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR PORCELAIN COMPOSITION
JP4774511B2 (ja) 2005-06-24 2011-09-14 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 ジルコニア粉末、および該ジルコニア粉末を用いて得られるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物の製造方法
KR101118320B1 (ko) * 2005-08-11 2012-03-09 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 반도체 자기 조성물
WO2008038538A1 (fr) 2006-09-28 2008-04-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composition de porcelaine semiconductrice de titanate de baryum et dispositif ptc utilisant celle-ci

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5595673A (en) * 1978-12-27 1980-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductive ceramic material and production thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP5152182B2 (ja) 2013-02-27
EP2159207A1 (en) 2010-03-03
US20100084619A1 (en) 2010-04-08
EP2159207B1 (en) 2016-11-16
CN101687714B (zh) 2013-04-17
KR20100009584A (ko) 2010-01-27
CN101687714A (zh) 2010-03-31
WO2008152976A1 (ja) 2008-12-18
US8093170B2 (en) 2012-01-10
JPWO2008152976A1 (ja) 2010-08-26
EP2159207A4 (en) 2014-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101149634B1 (ko) 반도체 세라믹 재료
KR101089893B1 (ko) 티탄산바륨계 반도체 자기조성물과 그것을 이용한 ptc 소자
KR101178971B1 (ko) 반도체 세라믹 및 정특성 서미스터
JP5327554B2 (ja) 半導体セラミック及び正特性サーミスタ
JP5445640B2 (ja) 半導体磁器組成物の製造方法
CN101272998A (zh) 半导体瓷器组成物
JP2005255493A (ja) 半導体磁器組成物
KR20160004949A (ko) 반도체 자기 조성물 및 ptc 서미스터
EP3127889B1 (en) Semiconductor ceramic composition and ptc thermistor
KR20170094085A (ko) 반도체 자기 조성물 및 ptc 서미스터
JP5223927B2 (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器組成物及びptcサーミスタ
JP4423872B2 (ja) 圧電セラミックスおよびその製造方法
JP4370135B2 (ja) 圧電磁器組成物
JP3598177B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器
JPH11112050A (ja) 圧電磁器
JP2010138044A (ja) 半導体セラミック及び正特性サーミスタ
JP2012209292A (ja) 正特性サーミスタ
JP4099979B2 (ja) 圧電磁器組成物
JP4800956B2 (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器組成物
JP2012064840A (ja) 半導体セラミックの製造方法、半導体セラミック、及び正特性サーミスタ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150417

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160509

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170508

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180504

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee