KR101133485B1

KR101133485B1 - 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법과 그 장치

Info

Publication number: KR101133485B1
Application number: KR1020097016518A
Authority: KR
Inventors: 다케오 미키; 다모츠 스기모토; 에이이치 사하시; 다카미치 혼마; 도모하루 마에세토
Original assignee: 가부시키가이샤 신꼬오 간쿄우 솔루션; 샤프 가부시키가이샤
Priority date: 2007-01-23
Filing date: 2007-11-19
Publication date: 2012-04-10
Also published as: US20100139457A1; KR20090100441A; CN101589164A; JP5068773B2; CN101589164B; US8480785B2; WO2008090672A1; JPWO2008090672A1

Abstract

수산화인듐의 상태에서 회수할 필요가 없고, 회수시에 있어서 핸들링이 나쁘지도 않고, 필터 등으로 용이하게 회수할 수 있고, 회수율이 현저하게 양호해지는 인듐의 회수 방법과 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 적어도 인듐과 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액에, 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜ 가 되는 입체로 형성된, 아연으로 이루어지는 석출용 금속을 침지시켜 정치하고, 아연과 인듐의 이온화 경향의 차이에 의해, 상기 에칭 폐액 중에 함유되는 인듐을 상기 석출용 금속의 표면에 석출시키고, 그 석출용 금속의 표면에 석출된 인듐을 박리하여 회수하는 것을 특징으로 한다.

에칭 폐액, 인듐 회수.

Description

인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법과 그 장치{METHOD AND APPARATUS FOR COLLECTION OF INDIUM FROM ETCHING WASTE SOLUTION CONTAINING INDIUM AND FERRIC CHLORIDE}

본 발명은, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터 인듐을 회수하는 인듐의 회수 방법과 그 장치, 더욱 상세하게는, 예를 들어 액정 디스플레이나 플라스마 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이의 제조 프로세스에서 발생하는 에칭 폐액으로부터, 유가물인 인듐(In)을 합금 혹은 금속 단체 등으로서 회수하는 방법과 장치에 관한 것이다.

액정 디스플레이나 플라스마 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)는, 최근에 컴퓨터의 표시 디바이스용이나 텔레비젼 수상기용, 휴대 전화의 표시부용 등, 각종 전자 기기에 다용되고 있다. 이와 같은 FPD 의 제조 프로세스에 있어서는, 당연히 폐액이 발생하고, 그러한 폐액을 처리해야 하는 점에 있어서는, 이와 같은 FPD 를 취급하는 액정 제조 공장뿐만 아니라, 예를 들어 반도체 제조 공장이나 도금 공장의 경우와 동일하다. 그리고, 이와 같은 FPD 의 제조 프로세스에서 발생하는 폐액의 하나로 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액이 있다.

일반적으로, 산업 폐액에는 각종 금속이 함유되어 있는 경우가 있고, 상기 FPD 의 제조 등을 실시하는 액정 제조 공장 폐액에는 In 등이 함유되고, 반도체 제조 공장 폐액에는 구리(Cu), 갈륨(Ga) 등이 함유되고, 도금 공장 폐액에는 니켈(Ni), Cu, 아연(Zn) 등이 함유되어, 그들을 유가물인 금속 단체로서 회수하는 것이 시도되고 있다. 이들을 금속 단체 혹은 합금으로서 회수할 수 있으면, 그들 금속을 재이용하거나 할 수도 있게 된다.

중금속류를 회수하는 폐액의 처리 기술로서, 종래에는 약제를 사용한 응집 침전 처리, 공침 처리 등이 일반적으로 채용되었고, 농도가 낮은 경우에는 흡착제를 사용하여 금속류를 제거하는 것도 실시되었다. 예를 들어 약제를 사용한 응집 침전 처리를 이용하는 기술로서 하기 특허문헌 1 에 관련된 발명이 있다.

그러나, 상기와 같은 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액에 상기와 같은 응집 침전 처리를 적용한 경우, 수산화인듐으로서 회수할 수는 있지만, 염화제2철도 수산화물로서 침전되게 되어, 전체적으로 수산화물의 슬러지 발생량이 많아진다는 문제가 있다. 게다가, 대부분이 철 함유 슬러지 상태로 되므로, 유가물이 되지 않는다는 문제도 있다.

한편, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 제거 방법 및 회수 방법에 관한 선행 기술로서 본 발명자들이 검색한 결과, 유일하게 하기 특허문헌 2 에 기재된 특허 출원이 존재하였다. 즉, 이 특허문헌 2 에 관련된 발명은, 청구항 1 에 기재되어 있는 바와 같이, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액에, 철, 니켈 화합물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 인듐의 제거, 회수 방법이다.

그리고, 구체적인 회수 수단에 대해서는, 당해 특허문헌 2 의 명세서 단락 [0022] 에 「당해 폐액에 니켈 화합물을 첨가하고, 철을 첨가하고, 교반 가열하여, 니켈을 석출시킴과 함께 인듐을 석출시킨다. 이런 점에서, 당해 폐액 중에서 인듐을 제거할 수 있다. 즉, 침전물로부터 인듐을 회수할 수 있고, …」라고 기재되어 있고, 또한 단락 [0023] 에는 「인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액에 철을 첨가하여 석출된 인듐 및 니켈 등으로 이루어지는 혼합물은, 철에 부착되어 있기 때문에 침전물로서 용액으로부터 간단히 분리할 수 있다. 당해 침전물의 분리 방법으로는, 중력식 침강, 여과나 사이클론 등의 원심력을 이용하는 방법을 들 수 있다.」라고 기재되어 있다.

이들 기재로부터 판단하면, 특허문헌 2 의 방법에 있어서는, 니켈 이온의 첨가에 의해 니켈의 석출 반응이 일어나고, 이 석출 반응에 부수적으로 인듐의 석출 반응을 일으키기 때문에, 회수된 인듐 합금은 인듐 농도가 매우 낮고, 니켈을 주체로 하는 합금으로서 회수된다. 그러나, 특허문헌 2 에는 회수한 인듐 합금의 분리 수단 등에 대해서는 기재되어 있지 않다. 따라서, 이 특허문헌 2 와 같은 방법은, 폐액으로부터 인듐을 제거하는 기술로서 이용할 수 있어도, 반드시 인듐을 유가물로서 회수하는 기술로서 유효하게 이용할 수 있다고는 볼 수 없는 것이다.

특허문헌 1 : 일본 공개특허공보 2005-342694호

특허문헌 2 : 일본 공개특허공보 2004-75463호

발명이 해결하고자 하는 과제

본 발명은, 이와 같은 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 종래와 같이 수산화인듐의 상태에서 회수할 필요가 없고, 회수시에 있어서 수산화인듐의 경우와 같이 핸들링이 나쁘지도 않고, 필터 등으로 용이하게 회수할 수 있고, 게다가 인듐의 회수율이 현저하게 양호해지는 인듐의 회수 방법과 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.

과제를 해결하기 위한 수단

본 발명은, 이와 같은 과제를 해결하기 위해, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법과 그 장치로서 이루어진 것으로, 인듐의 회수 방법으로서의 특징은, 적어도 인듐과 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터 인듐을 회수하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법으로서, 에칭 폐액에, 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜ 가 되는 입체로 형성된, 아연으로 이루어지는 석출용 금속을 침지시켜 정치(靜置)하고, 아연과 인듐의 이온화 경향의 차이에 의해, 상기 에칭 폐액 중에 함유되는 인듐을 상기 석출용 금속의 표면에 석출시키고, 그 석출용 금속의 표면에 석출된 인듐을 박리하여 회수하는 것이다.

또한 인듐의 회수 장치로서의 특징은, 적어도 인듐과 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터 인듐을 회수하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 장치로서, 에칭 폐액을 수용하고, 그 에칭 폐액에, 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜ 가 되는 입체로 형성된 아연으로 이루어지는 석출용 금속을 침지시켜 정치하고, 아연과 인듐의 이온화 경향의 차이에 의해, 상기 에칭 폐액 중에 함유되는 인듐을 상기 석출용 금속의 표면에 석출시키는 반응을 발생시키는 반응조(1)와, 상기 석출용 금속의 표면에 석출된 인듐을, 상기 석출용 금속으로부터 박리하는 박리 수단을 구비하는 것이다.

또한, 본 발명의 회수 대상물인 인듐은, 금속 단체로서 회수되는 것 외에, 합금으로서도 회수되고, 혹은 화합물 등으로서도 회수되는 경우가 있고, 또한 에칭 폐액에 함유되어 있는 인듐은, 통상적으로 이온, 화합물 등의 상태이므로, 이들을 전부 엄밀하고 또한 명확하게 구별하기는 곤란하고, 또한 반드시 전부를 명확하게 구별할 필요는 없다. 따라서, 본 발명에 있어서 단순히 「인듐」이라고 할 때에는, 금속 단체를 의미하는 경우 외에 합금이나 화합물인 경우 등도 포함하는 것이다.

석출용 금속은, 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 3 ～ 4 ㎜ 가 되는 입체로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.

또한, 인듐을 표면에 석출시킨 석출용 금속을, 예를 들어 유동 장치(2) 내의 액체 중에서 유동시키고, 그 후, 그 유동 장치(2)에 형성된 박리 수단에 의해 석출용 금속에 석출된 인듐을 박리하여 인듐을 회수할 수 있다.

또한, 인듐을 표면에 석출시킨 석출용 금속을 염산에 침지시킴으로써 인듐을 염산 용액 중에 용해시키고, 인듐이 용해된 염산 용액을 유동 장치(2)에 공급함과 함께, 상기 석출용 금속을 상기 유동 장치(2)에 공급하고, 유동 장치(2)내의 염산 용액 중에서 상기 석출용 금속을 유동시키고, 다음으로, 그 석출용 금속에 염산 용액 중의 인듐을 다시 석출시키고, 그 후, 그 유동 장치(2)에 형성된 박리 수단에 의해 상기 석출용 금속에 석출된 인듐을 박리하여 인듐을 회수할 수도 있다. 석출용 금속으로부터 그 석출용 금속에 석출된 인듐을 박리하는 수단으로는, 예를 들어 초음파에 의해 금속 입자를 진동시키는 수단과 같은 것이 채용된다.

발명의 효과

본 발명은, 상기 서술한 바와 같이, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액에, 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜ 가 되는 입체로 형성된, 아연으로 이루어지는 석출용 금속을 침지시켜 정치하고, 아연과 인듐의 이온화 경향의 차이에 의해, 상기 에칭 폐액 중에 함유되는 인듐을 상기 석출용 금속의 표면에 석출시키고, 그 석출용 금속의 표면에 석출된 인듐을 박리하여 회수하는 것이기 때문에, 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수에, 아연과 인듐의 이온화 경향의 차이를 이용한 시멘테이션 반응과 박리 기술을 조합하여, 즉 인듐보다 이온화 경향이 큰 아연을 석출용 금속으로서 원하는 크기로 형성하여 사용함으로써 금속 석출 반응을 위한 금속의 총표면적이 증가하고, 회수 효율이 높아진다. 또한, 어느 정도 성장한 석출 금속을 박리 수단으로 박리시킴으로써, 석출된 인듐을 필터 등에 의해 용이하게 회수할 수 있다. 또한 석출용 금속은, 인듐이 박리됨으로써 새로운 금속 표면을 노출시키므로, 재이용할 수 있다.

특히, 본 발명의 대상이 되는 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액의 경우에는, 통상적으로 염화제2철의 농도는 30 중량% 이상으로 매우 높고, 상기 이온화 경향을 이용한 시멘테이션 반응을 적용하고자 하면 석출용 금속의 용해 반응이 격렬하여, 환원 석출 반응을 제어하기가 곤란하다. 또한, 철과 인듐이 아연 표면에 석출되어, 아연의 용해 반응이 정지하기 전에 아연 입자가 전부 용해되게 되고, 그 결과, 석출된 인듐이 다시 용해되어 회수할 수 없다. 이에 대해, 본 발명에 있어서는, 상기 서술한 바와 같이 석출용 금속으로서, 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜ 가 되는 입체로 형성된 아연을 사용하고, 그것을 에칭 폐액 중에 침지시켜 정치하는 것으로 하였기 때문에, 석출용 금속의 용해 반응이 그만큼 격렬하지는 않고, 따라서, 환원 석출 반응을 제어하기가 곤란해지는 경우도 없고, 또한 석출용 금속이 필요 이상으로 용해되는 경우도 없는 것이다. 또한, 석출용 금속으로서 예를 들어 알루미늄을 이용하는 것도 생각할 수 있지만, 알루미늄은 용해에 의한 발열 반응에 의해 온도가 상승하기 때문에, 용해 속도가 크게 증가하고, 이 용해 속도의 증가에 의해 더욱 온도가 상승하고, 이와 같은 용해 속도의 증가와 온도 상승이 반복되어 가속도적으로 알루미늄이 용해되는 결과가 되어, 반응을 제어하기가 곤란하기 때문에 이용할 수 없다. 이에 대해, 아연은 알루미늄정도로는 용해 반응이 격렬하게 발생하는 경우가 없으므로, 반응을 제어하기 쉬워 본 발명의 석출용 금속으로서 바람직하게 사용할 수 있다.

석출용 금속을 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 3 ～ 4 ㎜ 가 되는 입체로 형성한 경우에는, 상기 서술한 바와 같은 효과가 한층 더 양호해진다.

또한, 종래의 방법과 같이 수산화인듐 등의 침전물 상태에서 회수할 필요가 없고, 또한 합금으로서 회수되는 경우에도, 석출용 금속으로부터 분리된 상태에서 회수할 수 있기 때문에, 회수시에 있어서 수산화인듐의 경우와 같이 핸들링이 나쁘지도 않고, 필터 등으로 용이하게 회수할 수 있다는 효과가 있다.

이상과 같이, 본 발명에 의해, 효율이 양호한 인듐의 회수 방법을 제공할 수 있기 때문에, 예를 들어 장래에 가전 리사이클법 또는 그에 상당하는 법률에서 FPD 등의 회수 리사이클이 의무시되게 된 경우에도, 액정 텔레비젼의 리사이클 공장에서의 리사이클 과정에 있어서의 인듐의 회수 방법으로서 본 발명을 적용할 수 있다는 실익이 있다.

도 1 은 일 실시형태로서의 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 장치의 개략 블록도이다.

도 2 는 동 인듐 회수 장치에 있어서의 유동 장치의 개략 정면도이다.

도 3 은 다른 실시형태의 유동 장치의 개략 정면도이다.

도 4 는 다른 실시형태의 인듐의 회수 장치의 개략 블록도이다.

도 5 는 실시예에 사용한 인듐의 회수 장치의 개략 블록도이다.

부호의 설명

1 반응조

2 유동 장치

4 용해조

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면에 따라 설명한다.

(실시형태 1)

본 실시형태의 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐(In)의 회수 장치는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 반응조(1)와, 유동 장치(2)와, 필터(3)를 구비한 것이다.

반응조(1)는, 에칭 폐액을 수용하고, 그 에칭 폐액에 석출용 금속을 침지시켜 정치하고, 후술하는 바와 같은, 석출용 금속과 인듐의 이온화 경향의 차이에 기초하는 시멘테이션 반응(금속 석출 반응)에 의해 폐액 중으로부터 In 을 석출시키는 반응을 발생시키기 위한 것이다. 석출용 금속으로서, 본 실시형태에서는, 직경이 3.5 ㎜ 이고 또한 길이가 3.5 ㎜ 인 원주 형상인 것으로서, 아연(Zn)으로 이루어지는 것이 사용된다.

유동 장치(2)는, In 을 석출시킨 석출용 금속을 액체 중에서 유동시키고, 석출용 금속에 석출된 In 을 박리하기 위한 것이고, 필터(3)는 상기 유동 장치(2)에서 박리된 In 을 분리, 회수하기 위한 것이다. 또한, 분리된 액체는 상기 유동 장치(2)에 반송할 수 있도록 구성할 수도 있다. 분리된 처리액을 유동 장치(2)에 반송할 수 있도록 구성하는 경우에는, 피처리액을 순환시키는 펌프 등이 필요하다. 본 실시형태에서는, 유동 장치(2)내에서 석출용 금속을 유동시키는 액체로는 특별히 한정되지 않지만, 핸들링의 관점에서 물을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, In 을 박리시킨 후의 석출용 금속은 반응조로 되돌려 재이용할 수 있다. 또한, 석출용 금속은 수 회 석출시키면 직경(또는 길이)이 작아져, 인듐을 석출, 회수할 수 없게 되기 때문에, 수 회 이용한 시점에서 새로운 석출용 금속과 교환하는 것이 바람직하다.

또한, 교환하는 경우에도 전부 교환할 필요는 없고, 진동 체 등을 이용하여 소정 크기(2.5 ㎜ 이상, 바람직하게는 3 ㎜ 이상)의 금속만을 체질하고, 이것에 새로운 석출용 금속을 첨가하여 반응조로 되돌리는 구성으로 해도 된다.

상기 유동 장치(2)의 장치 본체(5)는, 도 2 에 나타내는 바와 같이 세로로 긴 것으로서, 장치 상부(6), 장치 중간부(7) 및 장치 하부(8)로 이루어지고, 각각 연결 형성부(9, 10)를 개재하여 연이어 형성되어 있다. 장치 상부(6), 장치 중간부(7) 및 장치 하부(8)의 각각은 동일한 폭으로 형성되어 있는데, 장치 상부(6)의 단면적은 장치 중간부(7)의 단면적보다 크게 형성되고, 장치 중간부(7)의 단면적은 장치 하부(8)의 단면적보다 크게 형성되어 있다. 이 결과, 전체적으로 장치 본체(5)의 단면적이 상방을 향해 불연속적으로 증가하도록 구성되어 있다. 또한 연결 형성부(9, 10)는, 상향으로 폭넓은 테이퍼 형상으로 형성되어 있다.

장치 하부(8)의 하측에는, 석출용 금속을 유동시키기 위한 액인 물을 유입하기 위한 대략 원추형의 유입용 챔버(11)가 형성되고, 또한 그 하부에 유입관(12)이 형성되어 있다. 유입관(12)에는, 도시하지 않지만 역지 밸브가 형성되어 있다. 또한 장치 상부(6)의 상측에는 상부 챔버(13)가 형성되고, 그 측부에, 회수된 플레이크 형상이나 미립자 형상의 회수 대상 금속인 In 을 배출하기 위한 배출관(14)이 형성되어 있다.

상부 챔버(13)는, 이와 같은 배출관(14)에 의해 회수된 금속(In)을 배출하기 위한 부분임과 함께, 상기 반응조(1)에서, In 과의 이온화 경향의 차이에 기초하여 이른바 시멘테이션 반응(금속 석출 반응)을 발생시킴으로써 In 을 석출시킨, 석출용 금속인 Zn 을 투입하는 부분이기도 하다. 그리고, 유입관(12)으로부터 유입된 물이 배출관(14)에 이를 때까지 동안에, 그 물이 수직 방향으로 상승하면서 Zn 입자에 의한 유동 플로어를 형성하도록 구성되어 있다. 또한, 상기 반응조(1)에서 Zn 입자에 석출된 회수 대상 금속인 In 을 박리시키는 박리 수단으로서의 초음파 발진체(15a, 15b, 15c)가 장치 상부(6), 장치 중간부(7) 및 장치 하부(8)에 각각 형성되어 있다.

그리고, 이와 같은 구성으로 이루어지는 In 의 회수 장치에 의해 In 을 회수하는 방법에 대해 설명하면, 먼저 처리 대상인 폐액을 반응조(1)에 공급한다.

다음으로, 반응조(1)에 공급된 에칭 폐액에, 직경이 3.5 ㎜, 길이가 3.5 ㎜ 인 원주 형상이고, Zn 으로 이루어지는 석출용 금속(금속 입자)을 침지시켜 정치한다. 그리고 폐액 중에 함유되어 있는 In 과, 침지시켜 정치된 금속 입자인 Zn 의 이온화 경향의 차이에 기초하는, 이른바 시멘테이션 반응을 발생시킨다. 이를 보다 상세하게 설명하면, 각 금속 이온의 환원 반응은 다음 식 (1), (2) 와 같고, 각 금속 이온의 표준 전극 전위(E°)를 각각에 나타내었다. 또한, 폐액 중에는 염화제2철이 함유되고, Fe 도 시멘테이션 반응에 관여하므로, Fe 이온의 환원 반응을 다음 식(3)에 나타내고, 그 표준 전극 전위(E°)도 나타내었다.

In³⁺ + 3e → In …(1) - 0.34 V

Zn²⁺ + 2e → Zn …(2) - 0.76 V

Fe²⁺ + 2e → Fe …(3) - 0.44 V

상기 (1) ～ (3) 으로부터도 분명한 바와 같이, In³⁺ 나 Fe²⁺ 에 비해, Zn²⁺ 의 표준 환원 전위가 작다. 바꿔 말하면, In 이나 Fe 에 비해 Zn 의 이온화 경향이 크게 된다. 그 때문에, 상기와 같이 Zn 으로 이루어지는 석출용 금속이 침지, 정치된 상태에서, 이온화 경향이 큰 Zn 이 Zn²⁺ 로 되어 폐액 중에 용출되고, 그와 함께 폐액 중에 함유되어 있던 In³⁺ 가 In 으로 되고, Fe²⁺ 가 Fe 로 되어, Zn 의 입자 표면 상에 석출된다.

이 경우에 있어서, 에칭 폐액 중에는 염화제2철이 함유되어 있으므로, 염화제2철의 농도가 높으면, 상기 시멘테이션 반응이 발생하는 경우에, 석출용 금속의 입자의 용해 반응이 격렬하여 환원 석출 반응을 제어하기가 곤란해질 우려가 있다. 또한 석출용 금속의 입자가 전부 용해됨으로써, 인듐을 회수할 수 없게 된다. 예를 들어 알루미늄(Al)은 In 이나 Fe 에 비해 이온화 경향이 크기 때문에, 상기와 같은 시멘테이션 반응을 발생시켜 In 이나 Fe 를 석출시킬 수도 있으나, 입자의 용해 반응이 격렬하여 환원 석출 반응을 제어하기가 곤란해져, 실제로 석출용 금속으로서 사용할 수 없다.

그러나, 본 실시형태에 있어서는, Zn 을 석출용 금속으로서 사용하고 있고, 또한 그 Zn 으로 이루어지는 석출용 금속을 직경이 3.5 ㎜, 길이가 3.5 ㎜ 인 원주 형상으로 형성하고 있기 때문에, 그 석출용 금속의 용해 반응이 그만큼 격렬하지는 않고, 따라서 환원 석출 반응을 제어하기가 곤란해지는 경우도 없고, 또한 석출용 금속이 전부 용해되는 경우가 없기 때문에, In 을 회수할 수 있는 것이다. 또한 상기와 같은 시멘테이션 반응으로부터, 석출물은 Zn 입자 표면에 In 과 Fe 의 합금으로서 석출된 형태로 얻어지는데, 후술하는 바와 같은 분리 수단에 의해 Zn 입자 표면으로부터 In 합금을 박리할 수 있어, 용이하게 필터로 분리할 수 있다. 또한, 에칭 폐액 중의 In 을 90 중량% 이상 회수할 수 있다.

또한 본 실시형태에서는, 석출용 금속으로서, 직경이 3.5 ㎜, 길이가 3.5 ㎜ 인 작은 원주 형상인 것을 사용하고 있으므로, 예를 들어 Zn 의 스크랩을 반응조(1) 내에 투입하는 경우에 비하면, 시멘테이션 반응을 발생시키기 위한 Zn 의 표면적이 증가하고, In 의 석출 부위가 커지기 때문에, 회수 효율을 높일 수 있다. 그리고, 어느 정도 성장한 금속의 석출이 관찰된 후에, 유동 장치에 이동시키고, 후술하는 바와 같은 초음파의 진동에 의한 강제적인 박리에 의해 새로운 금속 표면(Zn 입자의 표면)을 노출시킬 수 있고, 박리 후의 석출용 금속을 반응조에 반송함으로써 다시 금속 표면(Zn 입자의 표면)에 In 을 석출시킬 수 있게 되어, 석출용 금속을 재이용할 수 있다. 또한 종래의 방법에 비하면, Zn 표면으로부터 In 합금을 용이하게 박리하여, 분리 회수할 수 있다.

다음으로, 물을, 유입관(12)으로부터 유입용 챔버(11)를 통해 유동 장치(2)의 장치 본체(5) 내에 유입시킨다. 한편으로, 상기 반응조(1)에 있어서 In 과 Fe 의 합금을 석출시킨 Zn 으로 이루어지는 석출용 금속을 상부 챔버(13)로부터 장치 본체(5) 내에 투입한다. 또한, In 과 Fe 의 합금을 석출시킨 Zn 으로 이루어지는 석출용 금속을 제거하고, 그에 의해 폐액 중으로부터 In 을 제거한 처리액 중의 염화제2철은, 예를 들어 응집제 등으로서 재이용된다.

장치 본체(5)내에 있어서는, 유입된 물이 수직 방향으로 상승하는 한편, 상부 챔버(13)로부터 투입된 석출용 금속이 유동 플로어를 형성하도록 유동 상태로 된다. 또한 석출용 금속은, 당초에는 상기 서술한 바와 같이 직경이 3.5 ㎜ 인 구 형상으로서 형성되어 있었으나, 침지시켜 정치된 상기 반응조(1) 내에서의 시멘테이션 반응에 의해 어느 정도 소비되었기 때문에, 유동 장치(2)의 장치 본체(5) 내에 유입되었을 때에는, 그 입경은 약 2 ～ 3 ㎜ 정도로 되어 있다.

그리고, 이와 같이 석출용 금속을 유동시키면서, 초음파 발진체(15a, 15b, 15c)를 작동시킨다. 이 초음파 발진체(15a, 15b, 15c)를 작동시킴으로써, 그 초음파 발진체(15a, 15b, 15c)로부터 발진되는 초음파가 상기 In 을 석출한 Zn 입자에 진동력 및 교반력을 부여하고, 그에 따라 석출된 In 이 Zn 입자로부터 강제적으로 박리되게 된다.

이와 같이 석출시킨 In 의 박리를 위해 초음파 발진을 이용한 경우에는, 처리 장치의 외관에서 리액터 부분에 초음파 발진체의 존재를 육안으로 확인할 수 있다. 또한, 육안으로 확인할 수 없는 경우에도, 처리 중에는 초음파 발진체가 리액터 내의 Zn 이나 Al 의 금속 입자를 접촉 진동시킬 때에 10 수 킬로헤르츠 정도의 고음이 발생하기 때문에, 초음파를 이용한 처리가 이루어져 있는 것을 용이하게 확인할 수 있다.

이와 같이 하여 박리된 In 을 함유하는 처리액은, 상부 챔버(13)로부터 배출관(14)을 거쳐 장치 본체(5)의 외부에 배출되고, 필터(3)에 의해 분리되어, 분리된 In 이 회수되게 되는 것이다.

또한, 장치 본체(5) 내로의 금속 입자의 투입 초기시에 있어서는, 그 금속 입자는, Zn 으로 이루어지는 석출용 금속에 In 이나 Fe 가 석출된 상태였으나, 그 금속 입자가 장치 본체(5) 내에서 유동하고 있는 중에 In 이나 Fe 가 서서히 박리되므로, 상부 챔버(13)에 투입된 금속 입자의 입경은, 반응조로의 투입 초기시에 비하면, 시간의 경과와 함께 아무래도 감소하게 된다. 이 결과, 본래라면 폐액이 거의 동일한 상향류의 속도로 장치 본체(5) 내를 상승하므로, 상부를 향할수록 입경이 감소하여 작아진 금속 입자가 장치 본체(5)로부터 부주의하게 넘쳐 흐를 우려가 있다.

그러나, 본 실시형태에 있어서는, 장치 본체(5)의 단면적이 상방을 향할수록 불연속적으로 커지도록 형성되어 있기 때문에, 장치 본체(5) 내에서의 폐액의 상향류의 속도는 서서히 감소하고, 따라서 상기와 같이 In 이나 Fe 의 박리에 의해 입경이 감소한 금속 입자는, 단면적이 증가해 나가는 장치 본체(5)의 상부에 있어서, 부주의하게 넘쳐 흐르지 않고 장치 본체(5) 내에 유지될 가능성이 높아진다.

또한, 장치 본체(5) 내에 투입된 금속 입자는 In 의 박리 후, 상부 챔버(13)로부터 취출하는 구조로 해도 되고, 장치의 하부에 석출용 금속의 취출구를 형성하거나, 유입관(12)을 이용하여 계 외로 꺼내는 구조로 해도 된다. 장치의 하부로부터 꺼냄으로써, 입경이 큰 석출용 금속을 취출할 수 있고, 이를 반응조로 되돌림으로써 바람직하게 재이용할 수 있다.

본 실시형태에 있어서의 분리 장치로는, Zn 입자로부터 In 합금을 박리하여 분리 회수할 수 있으면 되고, 분리 장치의 형상에 대해서도 상기 서술한 것에 한정되지 않는다.

또한 본 발명에 의하면, 에칭 폐액을 희석시키는 경우가 없기 때문에, 희석에 수반되는 폐산의 용적 증량에 의해 폐산 처리 비용이 증가하는 경우도 없어, 그러한 폐산 처리의 비용 상승을 억제할 수 있다.

(실시형태 2)

본 실시형태는, 장치 본체(5)의 구조가 상기 실시형태 1 과 상이하다. 즉, 본 실시형태에서는, 도 3 에 나타내는 바와 같이 장치 본체(5)의 둘레면 전체가 상향으로 테이퍼 형상이 되도록 형성되고, 장치 본체(5)의 단면적이 연속적으로 상방을 향해 증가하도록 구성되어 있다. 이 점에서, 장치 본체(5)의 단면적이 불연속적으로 상방을 향해 증가하고 있는 실시형태 1 의 경우와 상이하다. 불연속적이지 않고, 단면적이 연속적으로 상방을 향해 증가하도록 구성되어 있으므로, 본 실시형태에 있어서는 실시형태 1 과 같이 장치 상부(6), 장치 중간부(7), 장치 하부(8)와 같이 구분하여 구성되어 있지는 않다.

그러나, 초음파 발진체(15a, 15b, 15c)가 장치 본체(5)의 상부에서 하부에 걸친 3 지점에 형성되어 있는 점은 실시형태 1 과 공통적이다. 따라서, 본 실시형태에 있어서도, 실시형태 1 과 동일하게, 초음파 발진체(15a, 15b, 15c)로부터 발진되는 초음파에 의해, 석출용 금속의 금속 입자(Zn)에 석출된 회수 대상 금속인 In 을 강제적으로 박리할 수 있는 효과가 얻어진다.

또한, 불연속적인지 연속적인지의 차이는 있으나, 단면적이 상방을 향해 증가하도록 구성되어 있는 점에서는 실시형태 1 과는 공통적이므로, 본 실시형태에 있어서도, 입경이 감소한 미세한 금속 입자를 장치 본체(5)의 상부에서 유지하여, 부주의하게 넘쳐 흐르는 것을 방지하는 효과가 발생하게 되는 것이다.

(실시형태 3)

본 실시형태에서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 반응조(1)의 후단측으로서, 유동 장치(2)의 전단측에 용해조(4)를 형성하고 있고, 이 점에서 이러한 용해조(4)가 형성되어 있지 않은 상기 실시형태 1 과 상이하다.

즉, 본 실시형태에 있어서는, 반응조(1)에서 In 과 Fe 를 석출시킨 Zn 으로 이루어지는 석출용 금속을, 유동 장치(2)에 직접 공급하여 In 과 Fe 의 합금을 박리시키는 것이 아니라, 석출용 금속을 용해조(4)에 공급하고, 석출용 금속에 석출된 In 과 Fe 를 상기 용해조(4)에서 용해시키고, 용해된 In 과 Fe 를 유동 장치(2)에서 다시 석출시키고 있다. 이 때문에, 유동 장치(2)는, 본 실시형태에서는 단순히 석출용 금속을 유동시켜 In 과 Fe 의 합금을 박리시키는 기능을 가질 뿐만 아니라, 반응조(1)에서 실시하는 시멘테이션 반응에 의해, 용해조(4)에서 용해된 In 과 Fe 를 다시 석출용 금속에 석출시키는 리액터로서의 기능도 갖고 있다.

보다 구체적으로 설명하면, 본 실시형태의 In 의 회수 장치는 도 4 에 나타내는 바와 같이, 반응조(1)와, 용해조(4)와, 유동 장치(2)와, 필터(3)를 구비하여 구성되어 있다. 반응조(1), 유동 장치(2), 필터(3)의 구성은 실시형태 1 과 동일하다. 반응조(1) 내에서 석출용 금속에 In 과 Fe 가 석출되는 작용은 상기 실시형태 1 과 동일하지만, 그 석출용 금속은 용해조(4)에 공급되고, 석출용 금속에 석출된 In 과 Fe 가 용해조(4)에서 용해된다.

용해조(4)에는 미리 염산이 수용되어 있다. 이 염산으로는 고농도(예를 들어 20 중량% 의 농염산)의 염산이 사용되고, 당초에는 용해조(4)에 소량 수용하고, 그 고농도의 염산에 상기 석출용 금속을 침지시켜 그 고농도의 염산에 In 과 Fe 를 용해시키고, 그 후에 고농도의 염산을 희석시켜 pH 를 0.5 ～ 3.0 으로 조정한다.

이와 같이 하여 In 과 Fe 를 용해시키고, pH 가 조정된 염산 용액을 후단의 유동 장치(2)에 공급한다. 또한 In 과 Fe 를 염산에 용해시킨 결과, 석출용 금속은 원래의 Zn 만으로 이루어지는 것이 되고, 그 Zn 으로 이루어지는 석출용 금속도 유동 장치(2)에 공급한다. In 과 Fe 를 용해시킨 염산은, 유동 장치(2)의 장치 본체(5)의 유입관(12)으로부터 유입용 챔버(11)를 통해 그 장치 본체(5) 내에 유입된다. 또한 Zn 으로 이루어지는 석출용 금속은, 장치 본체(5)의 상부 챔버(13)로부터 장치 본체(5) 내에 투입된다.

그리고 석출용 금속은, 실시형태 1 과 동일하게, 장치 본체(5) 내에 있어서 염산 용액 중에서 유동 플로어를 형성하도록 유동 상태가 된다. 단, 본 실시형태에 있어서는, 염산 용액 중에 In 과 Fe 가 용해되어 있으므로, 반응조(1)에서 발생하는 것과 동일한 시멘테이션 반응이 유동 장치(2) 내에 있어서도 발생하게 된다. 그 시멘테이션 반응의 작용은, 상기 실시형태 1 의 반응조(1)에서 설명한 작용과 동일한 것으로서, 그 상세한 설명은 생략한다.

이와 같은 시멘테이션 반응에 의해, 염산 용액 중에 In 과 Fe 가 다시 석출용 금속에 석출된다. 그리고, 석출용 금속을 유동시키면서, 초음파 발진체(15a, 15b, 15c)에 의해, 석출된 In 과 Fe 와 합금을 Zn 입자로부터 강제적으로 박리하는 점은 실시형태 1 과 동일하다. 그리고, 박리된 In 을 함유하는 처리액을 장치 본체(5)의 외부에 배출하고, 필터(3)에 의해 분리하여, 분리된 In 을 회수하는 점도 실시형태 1 과 동일하다.

본 실시형태에 있어서는, 상기 서술한 바와 같이 반응조(1)에서 In 과 Fe 를 석출시킨 석출용 금속을 용해조(4)에 공급하여 고농도의 염산에 침지시키고, In 과 Fe 를 용해시켜, 유동 장치(2) 내에서 석출용 금속에 다시 석출시키므로, 합금 중에 있어서의 In 의 농도(함유율)를 높게 할 수 있어, 고농도 인듐 합금을 용이하게 얻을 수 있다는 효과가 있다.

또한, 본 실시형태에 있어서는 In 의 재용해 후에 잔존하는 Zn 입자를 후단의 유동 장치에 있어서의 석출용 금속으로서 이용하였으나, 이에 한정되지 않고, 별도 Zn 입자를 첨가해도 된다.

또한 본 실시형태에서는, 재용해시킨 후의 In 이 용해된 염산 용액으로부터 In 을 석출시키는 금속으로서 Zn 을 이용하였으나, 이에 한정되지 않고, Al 입자를 이용해도 된다. 이는, In 함유 염산 용액의 pH 를 0.5 ～ 3.0 으로 조정하고 있으므로, Al 을 이용해도 용해 반응을 억제할 수 있고, 그 결과, In 을 석출 회수할 수 있기 때문이다. 또한, Zn 입자 상에 석출된 In 과 Fe 를 재용해시키는 용액으로서 이용한 고농도의 염산으로는, 10 중량% 이상인 농도의 농염산을 이용할 수 있다. 또한, 염산 대신에 고농도의 황산을 이용해도 된다.

(그 밖의 실시형태)

또한 상기 실시형태에서는, 석출용 금속을 직경이 3.5 ㎜, 길이가 3.5 ㎜ 인 원주 형상으로 형성하였으나, 석출용 금속의 직경이나 길이는 그 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 요점은 2.5 ㎜～ 10 ㎜ 로 형성되어 있으면 된다. 석출용 금속의 직경이나 길이를 2.5 ㎜ 미만으로 하면, 상기와 같은 시멘테이션 반응에 의해 In 과 Fe 가 석출되기 전에, 석출용 금속인 Zn 이 용해되어 소비될 우려가 있기 때문이다. 이 관점에서는, 석출용 금속의 직경이나 길이는 3 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.

한편, 석출용 금속의 직경이나 길이가 10 ㎜ 를 초과하면, 반응조(1)나 유동 장치(2) 내에서 유지할 수 있는 석출용 금속 입자의 수가 감소하고, 결과적으로 석출용 금속 입자의 총표면적이 감소하여 석출 반응의 효율이 저하될 우려가 있는 데다, 10 ㎜ 를 초과하면 유동 장치(2) 내에서 석출용 금속이 잘 유동되지 않고, 그 결과 In 의 박리가 효과적으로 실시되지 않을 우려가 있기 때문이다. 이 관점에서는 4 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다. 따라서, 석출용 금속의 직경이나 길이는 2.5 ～ 10 ㎜, 보다 바람직하게는 3 ～ 4 ㎜ 이게 된다.

특히 실시형태 3 의 경우에는 상기 범위의 석출용 금속을 이용하는 것이 효 율적으로 유동 장치 내에서 In 의 석출과 박리를 실시하는 관점에서 바람직하다.

또한 상기 실시형태에서는, 석출용 금속으로서 원주 형상인 것을 사용하였으나, 석출용 금속의 형상도 그 실시형태의 원주 형상에 한정되지 않고, 예를 들어 구, 정육면체, 직육면체, 각기둥 등의 형상이어도 된다. 예를 들어 석출용 금속이 구 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 그 직경이 2.5 ～ 10 ㎜, 보다 바람직하게는 3 ～ 4 ㎜ 로 되고, 정육면체로 형성되어 있는 경우에는, 그 정육면체의 한 변의 직경이 2.5 ～ 10 ㎜, 보다 바람직하게는 3 ～ 4 ㎜ 로 되고, 예를 들어 각기둥 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 최소 단변의 직경이 2.5 ～ 10 ㎜, 보다 바람직하게는 3 ～ 4 ㎜ 로 되고, 또한 최대 장변의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜, 보다 바람직하게는 3 ～ 4 ㎜ 가 된다. 즉, 석출용 금속을 구성하는 입체의 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜ 가 되도록 형성되어 있을 필요가 있다.

여기서, 「석출용 금속을 구성하는 입체의 3 차원으로 현출되는 부분의 직경」이란, 그 석출용 금속을 구성하는 입체의 투영도를 작성하였을 때에 현출되는 평면적인 도형의 각 부분의 직경을 의미하고, 「3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜」가 되는 결과, 상기와 같은 투영도를 어떠한 각도에서 작성하였다고 해도, 그 투영도에 현출되는 평면적인 도형의 어느 부분의 치수도 2.5 ～ 10 ㎜ 의 범위 내가 된다. 따라서, 상기 각기둥 등, 세로, 가로, 높이의 3 차원에 있어서의 치수가 모두 상이한 입체의 경우, 가장 짧은 단변의 치수는 2.5 ㎜ 이상일 필요가 있고, 또한 가장 긴 장변의 치수는 10 ㎜ 이하일 필요가 있다.

또한 유동 장치(2)는, 상기 실시형태 1 과 같이 단순히 석출용 금속을 유동시키기 위해서만 사용되는 것이어도 되고, 또한 실시형태 3 과 같이, 석출용 금속을 유동시킬 뿐만 아니라, In 등을 석출용 금속에 석출시키기 위한 시멘테이션 반응을 발생시키는 기능을 구비시키도록 구성해도 된다.

또한, 이와 같이 유동 장치(2)를 사용함으로써, 석출된 In 등을 석출용 금속으로부터 바람직하게 박리시킬 수 있으나, 이와 같은 유동 장치(2)를 사용하는 것은 본 발명에 필수적인 조건은 아니다.

또한 상기 실시형태 1 내지 3 에서는, 유동 장치(2)의 장치 본체(5)의 단면적이 상부를 향할수록 커지도록 형성하였기 때문에, 상기와 같은 바람직한 효과가 얻어졌으나, 이와 같이 장치 본체(5)를 형성하는 것은 본 발명에 필수적인 조건은 아니다.

또한 금속 입자로부터 회수 대상 금속을 박리하는 수단도, 상기 실시형태 1 내지 3 의 초음파에 의한 수단에 한정되는 것은 아니며, 그 이외의 수단이어도 된다.

실시예 1

염화제2철 농도가 35 중량% 이고 In 을 220 ㎎/ℓ 함유하는 폐액 1 ℓ 에, 직경 3 ㎜, 길이 3 ㎜ 의 Zn 입자를 500 g 투입하고, 24 시간 정치, 침지시켰다. 처리 후의 염화제2철 폐액 중의 In 농도는 4 ㎎/ℓ 로서, 98 중량% 이상의 In 을 에칭 폐액으로부터 제거할 수 있었다.

이와 같은 처리를 10 배치 실시하여, 합계 5 ㎏ 의 In, Fe 합금이 표면에 석출된 Zn 입자를 얻었다. 그리고, 도 5 에 나타내는 바와 같이 유동 장치(2), 탱크(16), 펌프(17), 필터(3)를 구비한 장치를 사용하여 In 을 회수하는 조작을 실시하였다.

즉, 초음파 발진자를 구비한 직경 10 ㎝ 의 원통형 소형 수지 리액터를 유동 장치(2)로서 사용하고, 그 유동 장치(2) 내에 상기 Zn 입자를 넣고, 물 5 ℓ 를 상기 탱크(16), 펌프(17) 등을 구비한 장치의 유로 내에서 순환시켜 처리를 실시하고, 필터(3)로 박리시켜 In, Fe 합금을 회수하여, In 회수물을 얻었다.

실시예 2

실시예 1 에서 얻어진 합계 5 ㎏ 의 In, Fe 합금이 표면에 석출된 Zn 입자를 20% 농도의 농염산 500 ㎖ 에 침지시키고, Zn 입자 표면의 In, Fe 합금을 용해시키고, 얻어진 In, Fe 가 용해된 염산 용액을 희석시켜 5ℓ 의 염산 용액으로 하여 pH 를 0.5 ～ 3.0 으로 조정하였다. 그리고, 실시예 1 과 동일하게 도 5 에 나타내는 유동 장치(2), 탱크(16), 펌프(17), 필터(3)를 구비한 장치를 사용하여 In 을 회수하는 조작을 실시하였다.

즉, 유동 장치(2) 내에 In, Fe 가 표면에 석출되어 있지 않은 Zn 입자를 넣고, 펌프(17)를 이용하여 염산 용액을 120 분간 순환시켰다. 유동 장치(2) 내에서는 시멘테이션 반응에 의해, 용액 중에 용해되어 있는 In 을 Zn 입자 표면에 석출이 일어났다. 석출된 In 합금을 유동 장치(2) 내에 설치한 초음파 발진자를 이용하여 Zn 입자로부터 용이하게 박리할 수 있고, 후단의 필터(3)에 의해 용이하게 회수할 수 있었다. 초음파 처리는 2 분간에 1 회씩 실시하고, 각각 2 초간 실시하였다.

이 결과, 염산 용액 중으로부터의 In 의 회수율은 95 중량% 이었다. 또한, 회수된 In 합금 중의 In 과 Fe 의 비율은 In : Fe = 9 : 1 로서, 고농도의 In 합금으로서 회수할 수 있었다.

Claims

적어도 인듐과 염화제2철을 함유하고, 염화제2철의 농도가 30중량% 이상인 에칭 폐액으로부터 인듐을 회수하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법으로서, 에칭 폐액에, 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜ 가 되는 입체로 형성된, 아연으로 이루어지는 석출용 금속을 침지시켜 정치하고, 아연과 인듐의 이온화 경향의 차이에 의해, 상기 에칭 폐액 중에 함유되는 인듐을 상기 석출용 금속의 표면에 석출시키고, 그 석출용 금속의 표면에 석출된 인듐을 박리하여 회수하는 것을 특징으로 하는, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법.
제 1 항에 있어서, 석출용 금속이, 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 3 ～ 4 ㎜ 가 되는 입체로 형성되어 있는, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 인듐을 표면에 석출시킨 석출용 금속을, 유동 장치(2) 내의 액체 중에서 유동시키고, 그 후, 그 유동 장치(2)에 형성된 박리 수단에 의해 상기 석출용 금속에 석출된 인듐을 박리하는, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 인듐을 표면에 석출시킨 석출용 금속을 염산에 침지시킴으로써 인듐을 염산 용액 중에 용해시키고, 인듐이 용해된 염산 용액을 유동 장치(2)에 공급함과 함께, 상기 석출용 금속을 상기 유동 장치(2)에 공급하고, 유동 장치(2) 내의 염산 용액 중에서 상기 석출용 금속을 유동시키고, 다음으로, 그 석출용 금속에 염산 용액 중의 인듐을 다시 석출시키고, 그 후, 그 유동 장치(2)에 형성된 박리 수단에 의해 상기 석출용 금속에 석출된 인듐을 박리하는, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 석출용 금속으로부터 인듐을 박리하는 수단이, 초음파에 의해 금속 입자를 진동시키는 수단인, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 방법.
적어도 인듐과 염화제2철을 함유하고, 염화제2철의 농도가 30 중량% 이상인 에칭 폐액으로부터 인듐을 회수하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 장치로서, 에칭 폐액을 수용하고, 그 에칭 폐액에, 3 차원으로 현출되는 어느 부분의 직경도 2.5 ～ 10 ㎜ 가 되는 입체로 형성된, 아연으로 이루어지는 석출용 금속을 침지시켜 정치하고, 아연과 인듐의 이온화 경향의 차이에 의해, 상기 에칭 폐액 중에 함유되는 인듐을 상기 석출용 금속의 표면에 석출시키는 반응을 발생시키는 반응조(1)와, 상기 석출용 금속의 표면에 석출된 인듐을, 상기 석출용 금속으로부터 박리하는 박리 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 장치.
제 6 항에 있어서, 인듐을 표면에 석출시킨 석출용 금속을 액체 중에서 유동시키고, 그 석출용 금속으로부터 인듐을 박리하여 회수하는 유동 장치(2)가, 반응조(1)의 후단측에 형성되어 있는, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 장치.
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 인듐을 표면에 석출시킨 석출용 금속을 염산에 침지시킴으로써 인듐을 염산 용액 중에 용해시키는 용해조(4)가, 반응조(1)의 후단측에 형성되고, 그 용해조(4)에서 인듐을 용해시킨 염산 용액을 공급함과 함께 상기 석출용 금속을 공급하고, 상기 염산 용액 중에서 석출용 금속을 유동시켜, 그 석출용 금속에 염산 용액 중의 인듐을 다시 석출시키고, 그 석출용 금속으로부터 인듐을 박리하여 회수하는 회수용 리액터(2)가, 상기 용해조(4)의 후단측에 형성되어 있는, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 장치.
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 석출용 금속으로부터 인듐을 박리하는 수단이, 초음파에 의해 금속 입자를 진동시키는 수단인, 인듐 및 염화제2철을 함유하는 에칭 폐액으로부터의 인듐의 회수 장치.